WO2007076820A2 - Ultraschallwandler mit selbsttragender anpassschicht sowie verfahren zur herstellung - Google Patents

Ultraschallwandler mit selbsttragender anpassschicht sowie verfahren zur herstellung Download PDF

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    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B06B1/0688—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction with foil-type piezoelectric elements, e.g. PVDF
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
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    • A61B8/4444—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device related to the probe
    • A61B8/445—Details of catheter construction

Definitions

  • the present invention relates to an ultrasonic transducer which has at least one piezoactive converter layer which is formed as a non-self-supporting layer, contacting layers for electrical contacting of the converter layer and a front-side matching layer for acoustic impedance matching to a coupling medium.
  • Such an ultrasonic transducer is suitable for both the industrial and the medical technology field.
  • these ultrasound transducers as miniaturized, high-frequency ultrasonic sensors find use in medical catheter systems, ultrasound microscopy systems and high-frequency inspection systems of technical components, for example in chip production.
  • Known ultrasonic transducers consist essentially of a piezoactive converter layer, Kontak- ttechniks slaughteren for electrical contacting of the transducer layer, a backside damping layer and a front-side matching layer (matching layer).
  • the matching layer serves to acoustically match the impedance to a coupling medium into which the ultrasonic waves are coupled in or out of the ultrasound wave. Sound waves should be received.
  • This layer system known ultrasound transducer is usually built on the self-supporting piezoactive layer and then possibly installed in a housing.
  • the object of the present invention is to specify an ultrasound transducer with a microsystem-technical design for high-frequency ultrasound applications and a method for its production, which has an increased transmission power and reception sensitivity.
  • the proposed ultrasonic transducer has at least one piezoactive converter layer which is formed as a non-self-supporting layer, contacting layers for electrically contacting the converter layer and a front-side matching layer for acoustic impedance matching to a coupling medium.
  • the ultrasonic transducer is characterized in that the matching layer is designed as a supporting element for the converter layer and the contacting layers.
  • the matching layer is formed as a supporting layer for the layer system.
  • the matching layer fulfills a dual function, on the one hand as a supporting element for the converter layer and the contacting layers and on the other hand for acoustic impedance matching to the coupling medium.
  • the matching layer must have sufficient thickness to fulfill the supporting function.
  • Thickness of the matching layer represents the impedance matching in relation to the wavelength X of the used sound frequency in the matching layer and is usually a multiple of ⁇ / 2 or ⁇ / 4.
  • the shape of the matching layer can be chosen arbitrarily. It can be flat or curved or also formed, for example, wedge, triangular or pyramidal.
  • the piezoactive transducer layer can be made thin enough in the present transducer to provide a microsystem design and high frequency ultrasonic or high frequency ultrasound reception.
  • a cushioning layer is preferably not used in the present transducer. Rather, the attenuation at the rear transducer side can be realized solely by acoustic mismatch, for example by the acoustic impedance transition from the piezoactive material to air.
  • the present ultrasonic transducer offers the advantage that the acoustic energy emitted by the piezoactive transducer layer is for the most part emitted into the matching layer and thus into the desired transmission direction. As a result, an increased power output in the transmission case as well as an improved sensitivity in the reception case compared to the known structure with an additional carrier substrate is achieved. In the absence of a damping layer, artefacts caused by double reflections in the damping layer are also excluded.
  • the present ultrasonic transducer can be implemented both as a high-frequency ultrasonic single-transducer and together with further ultrasound transducers constructed in the same way as a multi-element transducer. The construction technique described also allows the use of an acoustic lens of different materials on the front of the matching layer.
  • the present ultrasonic transducer in combination with an ASIC Implement (Application Specific Integrated Circuit) in a common structure.
  • ASIC Application Specific Integrated Circuit
  • the matching layer lies in an edge region of its front-side surface on the edge of a passage opening in a substrate.
  • the substrate is preferably used to receive an integrated circuit in addition to the ultrasonic transducer, for example, for controlling the ultrasonic transducer and / or for
  • Processing and / or amplification of received signals of the ultrasonic transducer is connected thereto.
  • FIG. 4 shows an example of an ultrasonic transducer connected to an ASIC in a common structure.
  • Fig. 1 shows an example of the present method for manufacturing the ultrasonic transducer, in which the later layer structure is supported by the matching layer, which in the present example rests on an annular substrate.
  • the substrate may also be rectangular or similarly shaped or cut out in such a construction.
  • the matching layer does not have to rest on all sides of the substrate.
  • the substrate 11 is provided, for example a silicon substrate, to which an adaptation layer 12, for example of silicon nitride, is applied.
  • the matching layer 12 may be made of a material or a multi-material layer system. Furthermore, this matching layer 12 may have any shape, for example, be flat or have a curvature, which may be generated for example by pre-structuring of the substrate 11.
  • the matching layer 12 is applied with sufficient thickness so that it can later form the supporting element for the further layers.
  • the contacting layer may be made of one material or of a layer system of different ones Materials consist, for example, of a layer system of Cr and Au, where Cr serves as a bonding agent to the matching layer 12.
  • the piezoactive transducer layer 14 is applied.
  • the piezoactive transducer layer 14 may be made of a material, such as zinc oxide, or a layer system of different materials.
  • a second contacting layer 15 is applied, which may also be made of gold, for example. All these
  • Layers can be photolithographically or otherwise masked and patterned.
  • the substrate 11 is masked and completely removed below the central area of the matching layer 12, so that a front through opening 16 for the sound radiation is formed. This can be done for example via a suitable etching process.
  • Ultrasound signals are shown schematically by the double arrow 17 in FIG.
  • both the piezoactive transducer layer 14 and the front and back contacting layer 13, 15 can be patterned for better contacting and for defining the sound radiating aperture.
  • FIG. 2 Different examples of a structuring of these layers are shown in FIG. 2, in which the structured rear-side contacting layer 22, the structured piezo-active converter layer 21 and the structured front-side contacting layer 23 can be seen. The structuring can again take place in a known manner via photolithographic masking methods, etching methods as well as by mechanical processing.
  • FIG. 3 shows an example of an ultrasonic transducer which is additionally provided with an acoustic lens 31.
  • an additional layer of material was applied in the passage opening to the front of the matching layer and structured in the central region for forming the acoustic lens.
  • This additional layer may consist of the material of the matching layer, the material of the substrate or another material.
  • FIG. 4 shows an example of a common construction of the ultrasound transducer with an ASIC 42.
  • the substrate 41 is used, in which the passage opening for the sound radiation was generated in the region of the ultrasound transducer.
  • the substrate 41 is chosen to be large enough to accommodate the ASIC 42 in addition to the layers of the ultrasonic transducer.
  • Ultrasonic transducer is preferably built up on the substrate after the production of the ASIC, so that an intervention in the conventional production method of ASICS, for example by the CMOS process, is not necessary.
  • electrically conductive connections 43 are made between the ASIC and the ultrasonic transducer. This can be done for example by means of a bonding method or by depositing and patterning of electrically conductive layers.
  • the ASIC can be used, for example, for generating the electrical excitation, for switching over individual elements (multiplexers), for electrical amplification and for signal processing of the ultrasonic signals to be transmitted and received.
  • the combination of the ASIC and the ultrasonic transducer may be accomplished with an ultrasonic transducer with or without an acoustic lens 44, as shown in FIG.

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft einen Ultraschallwandler sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Der Ultraschallwandler weist zumindest eine piezoaktive Wandlerschicht (14) , die als nicht selbsttragende Schicht ausgebildet ist, Kontaktierungsschichten (13, 15) zur elektrischen Kontaktierung der Wandlerschicht (14) und eine vorderseitige Anpassschicht (12) zur akustischen Impedanzanpassung an ein Ankoppelmedium auf . Die Anpassschicht (12) ist beim vorliegenden Ultraschallwandler als tragendes Element für die Wandlerschicht (14) und die Kontaktierungsschichten (13, 15) ausgebildet. Auf diese Weise kann ein mikrosystemtechnischer Aufbau des Ultraschallwandlers realisiert werden, der eine erhöhte Leistungsabgabe im Sendefall und eine erhöhte Sensitivität im Empfangsfall aufweist.

Description

Ultraschallwandler mit selbsttragender AnpassSchicht sowie Verfahren zur Herstellung
Technisches Anwendungsgebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Ultraschallwandler, der zumindest eine piezoaktive Wandlerschicht, die als nicht selbsttragende Schicht ausgebildet ist, Kontaktierungsschichten zur elektrischen Kontaktierung der Wandlerschicht und eine vorderseitige Anpassschicht zur akustischen Impedanz- anpassung an ein Ankoppelmedium aufweist. Ein derartiger Ultraschallwandler ist sowohl für den technisch industriellen als auch für den medizintechnischen Bereich geeignet. So finden diese Ultraschallwandler als miniaturisierte, hochfrequente Ultraschallsensoren beispielsweise Einsatz in medizinischen Kathetersystemen, Ultraschall -Mikroskopie-Systemen und hochfrequenten Inspektionssystemen von technischen Bauteilen, beispielsweise bei der Chipherstellung .
Stand der Technik
Bekannte Ultraschallwandler bestehen im Wesentlichen aus einer piezoaktiven Wandlerschicht, Kontak- tierungsschichten zur elektrischen Kontaktierung der Wandlerschicht, einer rückseitigen Bedämpfungsschicht sowie einer vorderseitigen Anpassschicht (Matching Layer) . Die Anpassschicht dient der akustischen Impedanzanpassung an ein Ankoppelmedium, in das die Ultraschallwellen eingekoppelt oder aus dem Ultra- Schallwellen empfangen werden sollen. Dieses Schicht- System bekannter Ultraschallwandler wird in der Regel auf der selbsttragenden piezoaktiven Schicht aufgebaut und anschließend eventuell in ein Gehäuse eingebaut.
Allerdings lässt sich diese bekannte Aufbautechnik für hochfrequente Ultraschallwandler im Bereich der Mikrosystemtechnik nicht nutzen, da die hierfür erforderlichen dünnen piezoaktiven Schichten nicht selbsttragend sind. Aufgrund der geringen Dicke dieser piezoaktiven Schichten wird in diesem Fall das gesamte SchichtSystem aus Stabilitätsgründen auf einem Substrat aufgebaut. Beim Betrieb eines derartigen Ultraschallwandlers wird jedoch ein großer Teil der erzeugten akustischen Energie in das Substratmaterial abgegeben. Dadurch wird sowohl die vom Ultraschallwandler ausgesendete Leistung als auch die Sensitivität des Ultraschallwandlers beim Empfang von Ultraschall- Signalen verringert.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Ultraschallwandler mit einem mikrosystem- technischen Aufbau für hochfrequente Ultraschall- anwendungen sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben, der eine erhöhte Sendeleistung und Empfangs- sensitivität aufweist .
Darstellung der Erfindung
Die Aufgabe wird mit dem Ultraschallwandler sowie dem Verfahren gemäß den Patentansprüchen 1 und 8 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des Ultraschall- Wandlers sowie des Verfahrens sind Gegenstand der Unteransprüche oder lassen sich der nachfolgenden Beschreibung sowie den Ausführungsbeispielen entnehmen.
Der vorgeschlagene Ultraschallwandler weist zumindest eine piezoaktive Wandlerschicht , die als nicht selbsttragende Schicht ausgebildet ist, Kontaktierungsschichten zur elektrischen Kontaktierung der Wandlerschicht sowie eine vorderseitige Anpassschicht zur akustischen Impedanzanpassung an ein Ankoppelmedium auf. Der Ultraschallwandler zeichnet sich dadurch aus, dass die Anpassschicht als tragendes Element für die Wandlerschicht und die Kontaktierungsschichten ausgebildet ist .
Bei dem vorliegenden Ultraschallwandler ist somit im Bereich der abstrahlenden Fläche kein zusätzliches Substrat als Träger des Schichtsystems erforderlich. Vielmehr ist die Anpassschicht als tragende Schicht für das Schichtsystem ausgebildet. Die Anpassschicht erfüllt dabei eine Doppelfunktion, einerseits als tragendes Element für die Wandlerschicht und die Kontaktierungsschichten und andererseits zur akustischen Impedanzanpassung an das Ankoppelmedium. Die Anpassschicht muss dabei eine ausreichende Dicke aufweisen, um die tragende Funktion zu erfüllen. Die
Dicke der Anpassschicht steht für die Impedanzanpassung in einem Verhältnis zur Wellenlänge X der verwendeten Schallfrequenz in der Anpassschicht und beträgt üblicherweise ein Mehrfaches von λ/2 oder λ/4. Die Form der Anpassschicht kann beliebig gewählt werden. Sie kann plan oder gekrümmt sein oder auch bspw. keil-, dreiecks- oder pyramidenförmig ausgebildet sein. Die piezoaktive Wandlerschicht kann bei dem vorliegenden Wandler dünn genug ausgeführt werden, um einen mikrosystemtechnischen Aufbau und hochfrequente Ultraschallabstrahlung oder hochfrequenten Ultraschal1- empfang zu ermöglichen. Eine Bedämpfungsschicht wird beim vorliegenden Wandler vorzugsweise nicht eingesetzt . Vielmehr kann die Bedämpfung an der rückwärtigen Wandlerseite alleine durch akustische Fehlanpassung, beispielsweise durch den akustischen Impedanzübergang vom piezoaktiven Material zu Luft realisiert werden.
Der vorliegende Ultraschallwandler bietet den Vorteil, dass die von der piezoaktiven Wandlerschicht ausgesendete akustische Energie zum größten Teil in die Anpassschicht und damit in die gewünschte Senderichtung abgegeben wird. Dadurch wird eine erhöhte Leistungs- abgabe im Sendefall sowie eine verbesserte Sensitivität im Empfangsfall gegenüber dem bekannten Aufbau mit einem zusätzlichen Trägersubstrat erreicht. Bei Verzicht auf eine Bedämpfungsschicht sind zudem durch Doppelreflexionen in der Bedämpfungsschicht verursachte Artefakte ausgeschlossen. Der vorliegende Ultraschall- wandler lässt sich sowohl als hochfrequenter Ultraschall-Einzelwandler als auch zusammen mit weiteren, in gleicher Weise aufgebauten Ultraschallwandlern als Mehrelement-Wandler realisieren. Die beschriebene Aufbautechnik erlaubt auch die Verwendung einer akustischen Linse aus unterschiedlichen Materialien auf der Vorderseite der Anpassschicht.
Besonders vorteilhaft lässt sich der vorliegende Ultraschallwandler in Kombination mit einem ASIC (Application Specific Integrated Circuit) in einem gemeinsamen Aufbau realisieren.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung liegt die Anpassschicht in einem Randbereich ihrer vorderseitigen Oberfläche auf dem Rand einer Durchlassöffnung in einem Substrat auf. Das Substrat dient vorzugsweise dazu, neben dem Ultraschallwandler einen integrierten Schaltkreis aufzunehmen, der beispielsweise zur Ansteuerung des Ultraschallwandlers und/oder zur
Verarbeitung und/oder Verstärkung von Empfangssignalen des Ultraschallwandlers mit diesem verbunden ist.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen Der vorliegende Ultraschallwandler sowie das zugehörige Verfahren zur Herstellung des Ultraschallwandlers werden nachfolgend anhand von Ausführungs- beispielen in Verbindung mit den Zeichnungen ohne Beschränkung des durch die Patentansprüche vorgegebenen Schutzbereichs nochmals kurz erläutert. Hierbei zeigen:
Fig. 1 ein Beispiel für unterschiedliche Verfahrens- schritte bei der Herstellung des Ultraschall - Wandlers;
Fig. 2 zwei Beispiele für eine Strukturierung einzelner Schichten des Ultraschallwandlers;
Fig. 3 ein Beispiel für einen Ultraschallwandler mit akustischer Linse; und - S -
Fig. 4 ein Beispiel für einen Ultraschallwandler, der mit einem ASIC in einem gemeinsamen Aufbau verbunden ist .
Wege zur Ausführung der Erfindung
Fig. 1 zeigt ein Beispiel für das vorliegende Verfahren zur Herstellung des Ultraschallwandlers, bei dem der spätere Schichtaufbau durch die Anpassschicht getragen wird, die im vorliegenden Beispiel auf einem ringförmigen Substrat ruht.
Das Substrat kann bei einem derartigen Aufbau auch rechteckig oder ähnlich geformt bzw. ausgeschnitten sein. Die Anpassschicht muss hierbei nicht an allen Seiten auf dem Substrat aufliegen.
Bei diesem Verfahren wird zunächst das Substrat 11 bereitgestellt, beispielsweise ein Silizium-Substrat , auf das eine Anpassschicht 12, beispielsweise aus Silizium-Nitrid, aufgebracht wird. Die Anpassschicht 12 kann aus einem Material oder aus einem SchichtSystem mit mehreren Materialien bestehen. Weiterhin kann diese Anpassschicht 12 eine beliebige Form aufweisen, bspw. plan sein oder eine Krümmung aufweisen, die beispielsweise durch eine Vorstrukturierung des Substrates 11 erzeugt werden kann. Die Anpassschicht 12 wird mit ausreichender Dicke aufgebracht, so dass sie später das tragende Element für die weiteren Schichten bilden kann.
Auf die Anpassschicht 12 wird anschließend eine
Kontaktierungsschicht 13, beispielsweise aus Gold, aufgebracht. Die Kontaktierungsschicht kann aus einem Material oder aus einem SchichtSystem aus verschiedenen Materialien bestehen, beispielsweise aus einem Schichtsystem aus Cr und Au, wobei Cr als Haftvermittler zur Anpassschicht 12 dient. Auf die Kontaktierungsschicht 13 wird die piezoaktive Wandlerschicht 14 aufgebracht. Auch die piezoaktive Wandlerschicht 14 kann aus einem Material, beispielsweise Zinkoxid, oder einem Schichtsystem aus verschiedenen Materialien bestehen. Auf die piezoaktive Schicht 14 wird eine zweite Kontaktierungsschicht 15 aufgebracht, die ebenfalls beispielsweise aus Gold bestehen kann. Alle diese
Schichten können fotolithografisch oder anderweitig maskiert und strukturiert werden.
Als letzter Schritt wird im vorliegenden Beispiel schließlich das Substrat 11 maskiert und unterhalb des zentralen Bereichs der Anpassschicht 12 vollständig entfernt, so dass eine vorderseitige Durchgangsöffnung 16 für die Schallabstrahlung entsteht. Dies kann beispielsweise über ein geeignetes Ätzverfahren erfolgen. Die Abstrahlrichtung und Empfangsrichtung der
Ultraschallsignale sind mit dem Doppelpfeil 17 in der Figur 1 schematisch dargestellt.
Die vollständige Entfernung des Substrats 11 im zentralen Bereich ist möglich, da die Anpassschicht 12 so ausgebildet ist, dass sie die piezoaktive Wandlerschicht 14 sowie beide Kontaktierungsschichten 13, 15 trägt . Bei dem vorgeschlagenen Verfahren kann selbstverständlich die zentrale Durchgangsöffnung 16 auch zu einem anderen Zeitpunkt entfernt werden, beispielsweise bereits vor dem Aufbringen der Kontaktierungsschicht 13 auf die Anpassschicht 12. Beim vorliegenden Ultraschallwandler können sowohl die piezoaktive Wandlerschicht 14 als auch die vorderseitige und rückseitige Kontaktierungsschicht 13, 15 zur besseren Kontaktierung und zur Definition der Schall abstrahlenden Apertur strukturiert werden. Unterschiedliche Beispiele für eine Strukturierung dieser Schichten zeigt Fig. 2, in der die strukturierte rückseitige Kontaktierungsschicht 22, die strukturierte piezoaktive Wandlerschicht 21 sowie die strukturierte vorderseitige Kontaktierungsschicht 23 zu erkennen sind. Die Strukturierung kann wiederum in bekannter Weise über fotolithografische Maskierungsverfahren, Ätzverfahren wie auch durch mechanische Bearbeitung erfolgen.
Fig. 3 zeigt ein Beispiel für einen Ultraschallwandler, der zusätzlich mit einer akustischen Linse 31 versehen ist. Hierzu wurde in die Durchgangsöffnung auf die Vorderseite der Anpassschicht eine zusätzliche Materialschicht aufgebracht und im zentralen Bereich zur Formung der akustischen Linse strukturiert. Diese zusätzliche Schicht kann aus dem Material der Anpassschicht, dem Material des Substrates oder einem anderen Material bestehen.
Fig. 4 zeigt schließlich ein Beispiel eines gemeinsamen Aufbaus des Ultraschallwandlers mit einem ASIC 42. Für den gemeinsamen Aufbau dient das Substrat 41, in dem im Bereich des Ultraschallwandlers die Durchgangsöffnung für die Schallabstrahlung erzeugt wurde. Das Substrat 41 wird hierbei so groß gewählt, dass es neben den Schichten des Ultraschallwandlers den ASIC 42 aufnehmen kann. Der mikrosystemtechnische - S -
Ultraschallwandler wird hierbei vorzugsweise nach der Herstellung des ASIC auf dem Substrat aufgebaut, so dass ein Eingriff in die herkömmlichen Herstellungsverfahren von ASICS, beispielsweise durch den CMOS- Prozess, nicht notwendig ist. Nach dem Aufbau sowohl des Ultraschallwandlers als auch des ASICs 42 auf dem Substrat 41 werden elektrisch leitende Verbindungen 43 zwischen dem ASIC und dem Ultraschallwandler hergestellt. Dies kann beispielsweise mittels eines Bonding- Verfahrens oder durch Abscheiden und Strukturieren von elektrisch leitfähigen Schichten erfolgen.
Der ASIC kann beispielsweise zur Erzeugung der elektrischen Anregung, zur Umschaltung einzelner Elemente (MuItiplexer) , zur elektrischen Verstärkung und zur Signalverarbeitung der zu sendenden und zu empfangenden Ultraschallsignale dienen. Die Kombination des ASIC und des Ultraschallwandlers kann mit einem Ultraschallwandler mit oder ohne eine akustische Linse 44 erfolgen, wie sie in der Fig. 4 dargestellt ist.
Bezugszeichenliste
11 Substrat 12 Anpassschicht
13 Kontaktierungsschicht
14 piezoaktive Wandlerschicht
15 Kontaktierungsschicht
16 Durchgangsöffnung 17 Schallrichtung Senden/Empfang
21 strukturierte piezoaktive Wandlerschicht
22 strukturierte rückseitige Kontaktierungsschicht
23 strukturierte vorderseitige Kontaktierungsschicht 31 akustische Linse 41 Substrat
42 ASIC
43 elektrische Verbindungen
44 akustische Linse

Claims

Patentansprüche
1. Ultraschallwandler, der zumindest eine piezoaktive Wandlerschicht (14) , die als nicht selbst tragende Schicht ausgebildet ist, Kontaktierungsschichten (13, 15) zur elektrischen Kontaktierung der
Wandlerschicht (14) und eine vorderseitige Anpassschicht (12) zur akustischen Impedanzanpassung an ein Ankoppelmedium aufweist, wobei die Anpassschicht (12) als tragendes Element für die Wandlerschicht (14) und die Kontaktierungsschichten (13, 15) ausgebildet ist.
2. Ultraschallwandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Anpassschicht (12) mit einem Randbereich ihrer vorderseitigen Oberfläche auf einem Rand einer Durchgangsöffnung (16) in einem Substrat (11) aufliegt .
3. Ultraschallwandler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Substrat (11) ein integrierter Schaltkreis (42) aufgebracht ist, der zur Ansteuerung des Ultraschallwandlers und/oder zur Verarbeitung und/oder Verstärkung von Empfangs-
Signalen des Ultraschallwandlers mit dem Ultraschallwandler verbunden ist.
4. Ultraschallwandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Anpasssicht (12) zu einer akustischen Linse (31) geformt ist.
5. Ultraschallwandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer vorderseitigen Oberfläche der Anpassschicht (12) weitere Schicht aufgebracht ist, die zu einer akustischen Linse (31) geformt ist.
6. Ultraschallwandler nach einem der Ansprüche 1 bis
5, dadurch gekennzeichnet, dass der Ultraschallwandler keine rückseitige Bedämpfungsschicht aufweist .
7. Ultraschallwandler nach einem der Ansprüche 1 bis
6, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine der Kontaktierungsschichten (13, 15) zur Definition einer Schall abstrahlenden Apertur strukturiert ist .
8. Verfahren zur Herstellung eines Ultraschallwandlers nach einem der vorangehenden Patentansprüche, bei dem folgende Schichten in der angegebenen Reihenfolge auf ein Substrat (11) aufgebracht werden:
- eine Anpassschicht (12) ,
- eine erste elektrische Kontaktierungsschicht (13) ,
- eine piezoaktive Wandlerschicht (14) und
- eine zweite elektrische Kontaktierungsschicht -(15), wobei eine von der Anpasssicht (12) abgewandte Oberfläche des Substrates (11) maskiert und das Substrat (11) zur Bildung einer Durchgangsöffnung (16) für die Schallabstrahlung in nicht maskierten Bereichen entfernt wird, und wobei die Anpasssicht (12) mit einer ausreichenden Dicke aufgebracht wird, um ein tragendes Element für die piezoaktive Schicht (14) und die Kontaktierungsschichten (13, 15) zu bilden.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass alle oder einzelne der Schichten (12-15) zusätzlich strukturiert werden.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass in der Durchgangsöffnung (16) für die Schallabstrahlung eine zusätzliche Schicht auf die Anpassschicht (12) aufgebracht und zu einer akustischen Linse (31) geformt wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass auf das Substrat (11) ein integrierter Schaltkreis (42) aufgebracht oder auf dem Substrat (11) ein integrierter Schaltkreis (42) hergestellt und mit dem Ultraschallwandler elektrisch kontaktiert wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine der Kontaktierungsschichten
(13, 15) zur Definition einer Schall abstrahlenden Apertur strukturiert wird.
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