WO2007066712A1 - 熱インプリント用樹脂 - Google Patents

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resin
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Toshifumi Takemori
Yoshiaki Takaya
Takahito Mita
Tetsuya Iizuka
Yuji Hashima
Takahisa Kusuura
Mitsuru Fujii
Takuji Taguchi
Anupam Mitra
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Scivax Corporation
Maruzen Petrochemical Co., Ltd.
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    • H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material

Definitions

  • the present invention relates to a resin having a specific relationship with the glass Tg (C) and 260 C, which is a cyclic resin and can be used for the production of toys.
  • Tg (C) and 260 C which is a cyclic resin and can be used for the production of toys.
  • 002 With the development of optical fields such as telecommunications, optical disks, displays, and sensors, optical materials are required to have performance and strikes. In addition, in the fields of Iochip, Equactor, etc., it is an easy-to-use alternative to glass, which is a large brightness material. Surface work, especially fine work, is required in the field of deviation, and in recent years it has become an important technology in the semiconductor field. Traditionally, to form fine tans on the surface of a transparent material, the surface is mechanically cut, or heat from a gyst or UV electron is used.
  • the method of printing the tan is adopted.
  • the tanning method of thin resin for the purpose of weight reduction of equipment, improvement of integration and miniaturization was studied. Although it is possible to make the shape in the range of 504 degrees, even more is required for various types of chairs that require compactness, or for various types of objects such as reflection, and the tomoshi tan method is recommended. Will be needed.
  • mechanical requires a very advanced and crude technique.
  • the process is complicated and there is a problem in durability such as peeling of the printed tan.
  • the problem of cost has not been negligible, such as the requirement for a mechanism to control the process body at a high level.
  • the imput method is proposed as a method of striking fine turns. That is, the This is a method in which a mold is pressed and the fine pattern of the mold is transferred to the resin surface.
  • Materials used for the 006 implant are generally materials such as glass, metal. This is a manufacturing cost because it can be molded at a low temperature compared with the metallic glass.
  • the mold temperature is set to a high temperature of 24 C, so it takes time to cool after transferring the mold tank, and it is difficult to produce the product for manufacturing the impt product. (Sput, etc.) becomes low.
  • the one described in 2 has a problem in practicability because it uses a T9 80 ° C fat, and the glass is 90 ° C and the time required for 5 inputs with a force of 2000N is high. Therefore, the same productivity as in the literature has become a low process.
  • the tan after the imprint will be a bad tan, and a good imprint will be obtained. It has been confirmed that it is not possible to express the noise. This is due to the fact that it has no relation to M R, which is a target of kinematics, in particular, to the degree of movement with glass, and to the corresponding inputs (degrees, molding force, separation) and inputs (, separation).
  • a cyclic in-type plastic resin that can be used in the manufacture of imprints, can be used in im-production, is excellent in the imprint (, separation), and contributes to good productivity (sp, etc.)
  • the purpose is to provide an implant method using fat.
  • a resin having a correlation between glassiness and MR can be preferably used, and completed the explanation.
  • it is a clear in-plasticity, a cyclic in-plasticity having at least one of the cases represented by the following or the following 2 used in the production of lime, and glass Tg (C) and 260C.
  • M It is characterized in that M) of F satisfies the following (1) and is M30.
  • R 2 and R 3 in Chemical formula 2 may be different or the same, but each of them may be an atomic atom, a deuterium atom, a hydrogen atom having 1 to 5 carbon atoms, a gene, or oxygen.
  • M in 1) indicates the value of FR at 260C.
  • Mitsui's other thermal type which is used in the manufacture of toys or rims, is a cyclic plasticizer mainly having at least a case represented by the following 3 or 4 and a glass Tg (MFR in C 260C). (M) is characterized by satisfying the following requirements and being M 20 and Tg 90.
  • R 1 to R 4 may be different or the same, each of which is an atom, a deuterium atom, a hydrogen atom having 1 to 5 carbon atoms, a gene, or oxygen,
  • the fin-based plasticity is a ring represented by the following 5
  • R and R which may or may not be the same, each has an atom, a deuterium atom, a hydrogen atom having 15 carbon atoms, a gene, or an oxygen atom, and each of them may form a polycycle.
  • Moyo. m and n are integers above 0.
  • the above-mentioned options and the above additives may be contained. In this case, it is preferable to include all of the above-mentioned oxidation and agents.
  • the resin having the above-mentioned structure 3 is an annular resin represented by the following 6.
  • R which may be different or the same, each has a hydrogen atom, a deuterium atom, a hydrogen atom having 5 carbon atoms, a gene, or an oxygen atom, and they together form a polycycle. You can. m and n are integers on 0.
  • R and R in the formulas 7 and 8 may be different or the same, and each of them may be an atomic atom, a deuterium atom, a hydrogen atom having 1 to 5 carbon atoms, a hydrogen atom, or an oxygen atom.
  • M in (1) shows the value of FR at 260.
  • ring-fin type plasticity mainly having at least the following 9 or the case shown in the following, which is used for the production of film.
  • the cyclic fibrous plasticity implant having M 20 and Tg 90C.
  • R and R in the formula 0 may be different or the same, but each of them may be an atom, a deuterium atom, a hydrogen atom having a carbon number of 5 or less, a gene, or an oxygen.
  • It may contain a child and may form a polycycle with each other. m and.
  • the polymer is a polymer with fins, that is, a polymer containing a fin having a returning position from the following cyclic fins, or a polymer obtained by hydrogenating after the cyclic fins shown in 2 below are opened.
  • R may be different or the same, each of which is an atomic atom, a deuterium atom, a hydrogen atom having 1 to 5 carbon atoms, a gene, or an oxygen atom.
  • n are integers on 0.
  • the cyclic phymer that constitutes fat has the structure shown by 3, for example, KU 22 1 pt 2 (None), 5 METICHRO 221 PT 2 7 METHYC 221 PT 2 5 COL 22 PT 2 5 22 pt 2, 2, 5 n 2, 2, 2, 5 22 pt 2, 4, 4 meth 22 1 pt 2 5 22, 22 pt 5, 5 221 pt 2, 5 oct 22 pt 2 , 5A methicine 22, pneum, sycpetage, toshectage, tetracic 4, 25
  • Suitable monomers include 0 4 decene, 14 methano 4a99, methyl 149a, and hydrogen. Basically, these monomers can be produced by the same kind as the corresponding kind of Des Ade, and can be further appropriately produced to produce a desired monomer. is there.
  • R in 3 may be different or the same and each contains an atom, a deuterium atom, a hydrogen atom having 1 to 5 carbon atoms, a gene, or an oxygen atom, and they are polycyclic. You may form a structure. m and n are integers on 0.
  • the fins that can be preferably used for the copolymer represented by are C 2 to 20 and preferably C 2 to 0 fins such as tin, puppy, te, tin, 3 meth, 1 meth, 3 methene, xene, kuten, decene, etc. are shown and can be used alone or in combination.
  • tin or pudding is preferable, and further, tin from the viewpoint of copolymerizability, economic efficiency, and practicality is particularly preferable.
  • (I) is a range of 0 90 to 90 0, and more preferably a range of 30 70 to 70 30.
  • Polymer ratio is C NMR 400 MH.
  • the Ming of Ming and the MFR of MFR in glass T9 (C) and 260 are adjusted so as to satisfy the following).
  • the average molecular weight w of the cyclic-in-line plasticity represented by the formula 2 is 0000 to 1,000,000, preferably 20000 to 50000, more preferably 50000 to 30000, and M of 260 at 30C is 30. Below, preferably below 20 and more preferably below 10. As a result, the temperature of the resin is increased, and it is possible to prevent the resin filled in the resin from being damaged, and to improve the impact (, separation) within a range that does not impair the mobility of the resin.
  • the co-catalyst used in the present invention is not particularly limited, but the methanoxane which is is preferably used, and depending on the reaction, an ammonium compound may coexist and polymerize. It can be suitably carried out in the range of room temperature (25C) to 200C, but it is desirable to carry out in the range of 40 to 150C in consideration of reactivity and qualities.
  • the organic agent used for the polymerization reaction is not particularly limited, and examples thereof include benzene, toluene, quinine, benzene, and other fragrance agents, hexane, hexane, butane, methixane, octane, and other saturated hydrogen agents. If these can be preferably used. Manufacturing fats It is also possible to apply more elementary atoms.
  • 003 can be added or blended with light, electrification, electrification, sps, anti-locking, anti-foaming, lubricants, pigments, natural, synthetic, wack, etc., if necessary.
  • the 003 products include optical waveguides, diffractive chairs, iotips, ikus, equalizers, and other devices, data media, and lines.
  • the method for producing tomorrow there is no particular limitation on the method for producing tomorrow, and the production method, dit, cast, tongue, and public method can be applied. It can be arbitrarily selected depending on the way of the installed product, and the shape is possible if it is under 504. Here, it is possible to use any shape of the bright material to be used, but it is preferable that the thickness is 300 u or less, more preferably 150 u or less.
  • the size of the light used for the light is 100 Lower, 5 lower, lower, lower, 500 lower, 200 lower etc.
  • the molding force In order to achieve a better process of the implant (turning and releasing), it is preferable to reduce the molding force and shorten the molding time. This is because if the force is too high or the force is too long at the time of the implant, the tan will be stretched or chipped due to contact with the mold, and the tan will be reduced. Physically, it is better to use toys made of bright fat and to set the force at the time of the input to 3 MPa or less, preferably 2.5 MPa or less. Also, it is good to set the molding time under 1000s, preferably under 600s.
  • a base such as pococarbonate, po (meth) acryloic acid, porosity, grayite, and stainless can be preferably used.
  • the temperature of the mold at the time of molding is in the range below the glass T9 80C of the resin, more preferably below T9 65C. Also, it is preferable that the temperature is on T940C, more preferably on Tg 25C.
  • the average molecular weight (Mw), the average molecular weight (Mn), and the distribution (Mw Mn) of the used resin are W according to the emulsion (GPC).
  • GPC emulsion
  • Tg (C) is the same as the one using the quantitative analysis (EX TAR600 00 D 6200) manufactured by Seiko Industrial Co.
  • EX TAR600 00 D 6200 manufactured by Seiko Industrial Co.
  • M TECHNO EVENCo TD's ME NDEXER type 248 2531) at 260 C was used, and the load was set at 2.16k9.
  • the spinner used was C. Co., Ltd.
  • the liquid was applied to the glass using an applicator, then baked, dried, and aged to form the product.
  • ⁇ 8 is a resin which satisfies the above formula ( ⁇ )
  • 9 is a resin which does not satisfy ( ⁇ ).
  • the polymers to be used in the manufacturing process of the toys or films should include, in principle, and the agent.
  • Ti 134C MR 1 3 260C A titanium polymer (Tg 134C MR 1 3 260C) was molded with a film, and a clear molding () with a thickness of 100 was manufactured.
  • a titanium polymer (Tg 135C M R 0 3 260C) was molded with a film, and a clear molding (2) having a thickness of 90 was manufactured.
  • a titanium polymer (Tg 10g C M R 16 3 260C) was molded with a film to produce a clear molded product (3) with a thickness of 100.
  • a tin-based coalescent (Tg 138C M R 8 3260C) was molded with a film, and a molded product with a clear thickness (4) was manufactured.
  • a tin-based coalescent (Tg 136C M R 7 3 260C) was molded with a resin, and a molded product with a clear thickness (5) was manufactured.
  • a titanium polymer (Tg 135C M R 59 3260C) was molded with a film, and a clear molded product (8) having a thickness of 100 was manufactured.
  • Ti 132C MR 51 3 260C Simultaneously use a titanium polymer (Tg 132C MR 51 3 260C) Machined to produce a clear mold (9) with a thickness of 90 4.
  • Mold 3 was fixed on glass Tg 23C (86C heated and fixed to mold set temperature T9 35C (144C).
  • Mold 3 was heated on glass Tg 23C (86C) and fixed, and heated to mold set temperature T9 35C (144C).
  • Mold 4 was heated on glass Tg 23C (15C) and fixed, and heated to mold set temperature T9 30C (168C) (Temperature diameter 0.75). It was pressed against the im surface at a speed of 100 msec, and when the load sensor attached to the upper part of the mold reached 2000 N, it was held for 10 hours with its weight. Then, while maintaining the die position, it was cooled to Tg 23C (15C), and after the cooling was completed, the die was moved at a speed of 0 second. Observed with a child microscope, the tans that were separated were transferred.
  • Mold 4 heated to glass Tg 23C (5C and fixed to mold set temperature T9 30C (168C) (molder diameter 1
  • Mold 4 heated on glass Tg 23C (15C) and fixed, and heated to mold set temperature T9 35C (173C) (Temperature diameter 0.5
  • Mold 4 heated on glass Tg 23C (15C) and fixed, and heated to mold set temperature T9 35C (173C) (molder diameter 0.75
  • Tg 5C glass heated to 33C, and set to a mold set temperature T9 65C (203C). It was pressed against the im surface at a speed of 100 seconds, and when the load sensor attached to the upper part of the mold reached 2000N, it was held for 300 hours at that load. Then, while maintaining the load, it was cooled to Tg 5C (133C), and after cooling was completed, the mold was moved at a speed of 2 seconds. Observed with a child microscope, the tans that were separated were transferred.
  • Tg 5C stainless steel heated to 33C, and set to a mold set temperature T9 65C (203C).
  • Mold 6 was heated on glass Tg 23C (82C) and fixed, and heated to mold set temperature T9 35C (140C).
  • Mold 6 was heated on glass Tg 23C (82C) and fixed, and heated to mold set temperature T9 35C (140C) (mold diameter D
  • Mold 6 was heated on glass Tg 23C (82C) and fixed, and heated to mold set temperature Tg 5C (20C).
  • Mold 6 was heated on glass Tg 23C (82C), fixed on it, and heated to mold set temperature T9 35C (140C).
  • Mold 9 heated to glass Tg 23C (12C) and fixed, and heated to mold set temperature T9 30C (165C) (molder diameter 0.5
  • Mold 9 was heated on glass Tg 23C (12C) and fixed, and heated to mold set temperature T9 30C (165C).
  • Mold 9 was heated on glass Tg 23C (12C) and fixed, and heated to mold set temperature T9 30C (165C).
  • Mold 9 heated to glass Tg 23C (2C, fixed on mold set temperature T9 35C (170C) (molder diameter 0.5
  • Tg 23C glass
  • T9 35C (170C) melt diameter 0.5
  • Mold 9 heated to glass Tg 23C (2C, fixed on the mold set temperature T9 35C (170C) and heated to mold (Tampila diameter 0.75 x
  • Mold 9 was heated on glass Tg 23C (12C) and fixed, and heated to mold set temperature T9 35C (170C).
  • Mold 9 was heated on glass Tg 23C (12C) and fixed, and the mold was heated to mold setting temperature T9 35C (170C).
  • Mold 9 was heated on glass Tg 23C (12C) and fixed, and the mold was heated to mold set temperature T9 35C (170C).
  • Mold 9 was heated on glass Tg 23C (12C) and fixed, and heated to the mold set temperature Tg 5C (50C).
  • Mold 9 is heated on glass Tg 23C (12C) and fixed, and heated to mold set temperature T9 30C (165C).

Description

明 細 書
熱インプリント用樹脂
技術分野
[0001] 本発明は熱インプリント用榭脂に関する。詳しくは、ガラス転移温度 Tg (°C)と 260°C における MFRに特定の相関を有する環状ォレフィン系熱可塑性榭脂であって、シー トもしくはフィルム製造に供することのできる榭脂に関する。
背景技術
[0002] 光通信、光ディスク、ディスプレイ、光センサ等の光学分野の著 、発展に伴!ヽ、光 学榭脂材料には性能とコストの両立が求められている。またバイオチップ、マイクロリ アクター等の分野でもガラスに替わり種々の加工が容易である透明性榭脂材料への 期待は大きくなつている。いずれの分野でも基材表面の加工、特に微細加工が要求 されるようになり、その微細加工技術は近年集積ィ匕が著しい半導体分野でも重要な 技術となっている。従来、透明性材料の表面に微細なパターンを形成するには、表 面を機械的に切削するカゝ、あるいはレジストや熱、紫外線又は電子線硬化型榭脂等 を用いてパターンを印刷する、といった方法が採用されている。特に各種デバイス分 野においては機器の小型化、軽量ィ匕に伴い、集積密度を向上させかつ小型化を図 るために薄膜ィ匕した樹脂への要望は強ぐ種々のパターン形成方法が検討されてい る。射出成形でも 500 m程度の厚さまでは可能だが、小型化が要求される各種デ バイス類、あるいは反射防止膜をはじめとする各種光学素子についてはより一層の 薄膜ィ匕が望まれており、シートもしくはフィルムへのパターン形成方法が必要となる。
[0003] しかし、機械的な切削では非常に高度で煩雑な加工技術を必要とする問題がある 。また、レジスト等を使用したパターン印刷では工程が複雑な上に、印刷されたバタ ーンの剥がれなど耐久性に問題がある。更には、パターンの微細化に伴い、プロセス 全体を高精度に制御する機構が要求されるなどコストの問題を無視できなくなつてき た。
[0004] これに対し微細なパターンを低コストで形成する方法として熱インプリント方法が提 案されて!ヽる。すなわち榭脂基板に榭脂のガラス転移温度以上に加熱した微細バタ ーンを有する型を押し当てて、溶融した榭脂表面に型の微細パターンを転写する方 法である。
[0005] 従来、熱インプリント性 (転写性、離型性等）の向上、生産性 (スループット等）の改 善を図るために、断熱材を設けて昇温と冷却のサイクルを短縮する方法 (例えば特許 文献 1)や、超音波発生機構を設けて超音波により榭脂の溶融粘度を低下させる方 法 (特許文献 2)等が開示されている。しかし、熱インプリントに用いる材料に言及され た文献はほとんど認められず、インプリント用の材料開発が望まれている。
[0006] 熱インプリントに用いられる材料としては、一般に榭脂材料やガラス、金属等がある 。このうち、榭脂材料は、金属やガラスへのインプリントと比べると低温で成型でき、製 造コスト上有利である。
[0007] 榭脂としては、ポリメタクリル酸 (PMMA)に代表される (メタ)アクリル榭脂あるいはポ リカーボネート榭脂等があるが、耐熱性が低いことや吸水によって寸法変化を起こす こと等の問題があった。また、流動性と固化とのバランス制御が困難であるため高転 写されたパターンを保持、使用することが困難であった (例えば、特許文献 3)。
[0008] 一方、耐熱性と低吸水率による寸法安定性を兼ね備えた榭脂として、環状ォレフィ ン系熱可塑性榭脂がある。環状ォレフィン系熱可塑性榭脂は一般的に透明性、化学 的耐性、低吸湿性に優れ、環状ォレフィンの構造または環状ォレフィンの榭脂中の 含有量により容易に耐熱性を制御することが可能である。また、低粘度で、短緩和時 間（型のパターン内へ樹脂が充填されるのに要する時間）、金型への付着が少ない 榭脂であり、微細パターンの転写精度に優れ、生産性にも優れた熱インプリント材料 としての応用が期待される榭脂である（例えば、非特許文献 1)。
[0009] 特許文献 1：特開 2002— 361500号公報
特許文献 2：特開 2004 - 288811号公報
特許文献 3 :特開 2000— 158532号公報
非特許文献 1 :J. Mater. Chem.、 2000年、 10卷、 2634頁
非特干文献 2： Nanoimprmt Lithography in Topas, a hignly UV- transparent and che mically resistant thrmoplast T. Nielsen, D. Nilsson, et al.
発明の開示 発明が解決しょうとする課題
[0010] し力しながら、従来の環状ォレフィン系熱可塑性榭脂は、ガラス転移温度 Tg (°C)や 流動性等の榭脂物性を熱ナノインプリントのプロセスに合わせて開発されたものでは なぐ高い成型温度、大きい成型圧力を必要とするため、熱インプリント性 (転写性、 離型性等）が十分ではな力 た。また、長い成型時間を必要としており、生産性 (スル 一プット）が低いという問題もあった。例えば、前記非特許文献 1に記載のものは、成 型温度を 240°Cと高温にしているため、型のパターンを転写した後、冷却するのに時 間がかかり、インプリント製品を製造するためには生産性 (スループット等）が低くなる 。前記非特許文献 2に記載のものは Tgが 80°C程度の榭脂を使用して 、るため実用 性の面で問題があり、更には榭脂のガラス転移温度よりも 90°C高い温度で、 2000Nの 圧力で 5分間インプリントしているため榭脂の放冷に時間がかかり、文献 1と同じく生 産性が低いプロセスになっている。この他、我々の知見として、射出成形体として熱ィ ンプリントに最適な榭脂物性を有する榭脂からシートもしくはフィルムを製造しても、 熱インプリント後のパターンは不良パターンとなるば力りで、良好なインプリント性を発 現できていないことが確認されている。これはひとえに榭脂物性、特にガラス転移温 度と樹脂の流動性の指標となる MFRとの相関、および榭脂に対するインプリント条件 (成型温度、成型圧力、離型温度等)とインプリント性 (転写性、離型性等)との相関が 把握されて ヽな 、ことに起因する。
[0011] そこで本発明は、熱インプリントに用いる基板等のシートもしくはフィルム製造に供 することができ、熱インプリント性 (転写性、離型性等）に優れ、かつ生産性 (スループ ット等)の改善に寄与する環状ォレフィン系熱可塑性榭脂及びこの榭脂を用いた熱ィ ンプリント方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0012] 上記目的を達成するために鋭意検討した結果、ガラス転移温度と MFRとの間にある 相関を有する榭脂が好適に使用できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち 、本発明の環状ォレフィン系熱可塑性榭脂は、シートもしくはフィルム製造に供される 下記化 1または下記化 2で表される骨格を主鎖中に少なくとも 1種類含有する環状ォ レフイン系熱可塑性榭脂であって、榭脂のガラス転移温度 Tg (°C)と 260°Cにおける M FRの値 ([M])とが下記式 (1)を満たすと共に、 CM]く 30であることを特徴とする。
[化 1]
Figure imgf000006_0001
[化 2]
Figure imgf000006_0002
Tg(t:) >219 Xlog[M]- 160 · · ' 式 (1)
(化 1、化 2中の R1から R29は異なっていても同一でもよぐそれぞれ水素原子、重水素 原子、炭素数 1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ原 子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよび n は 0以上の整数である。式 (1)中の [M]は 260°Cにおける MFRの値を示す。 ) 本発明の別の熱インプリント用樹脂は、シートもしくはフィルム製造に供される下記 化 3または下記化 4で表される骨格を主鎖中に少なくとも 1種類含有する環状ォレフィ ン系熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラス転移温度 Tg(°C)と 260°Cにおける MFRの 値 ([M])とが下記式 (1)を満たすと共に、 [M]く 20および Tg〉90でであることを特徴と する。
[化 3]
Figure imgf000006_0003
差替え用紙（規則 26) [化 4]
Figure imgf000007_0001
Tg(°C) >219 X log[M]- 160 · · · 式 (1)
(化 3、化 4中の R1から R29は異なっていても同一でもよぐそれぞれ水素原子、重水素 原子、炭素数 1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ原 子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよび n は 0以上の整数である。式 (1)中の [M]は 260°Cにおける MFRの値を示す。） この場合、前記環状ォレフィン系熱可塑性樹脂が下記化 5で表される環状ォレフィ ンと ct -ォレフインとの共重合体、または前記環状ォレフィンの開環重合の後に水素 化することで製造される重合体である方が好ましレ、。
[化 5]
Figure imgf000007_0002
(化 5中の R から R48は異なっていても同一でもよぐそれぞれ水素原子、重水素原子 、炭素数 1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ原子を含 有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよび nは 0以 上の整数である。 )
[0015] また、前記熱インプリント用樹脂は、 1以上の添加物を含有しても良い。この場合、 前記添加物は、酸化防止剤および滑剤の少なくともいずれかを含む方が好ましい。
[0016] また、前記化 3記載の構造を有する樹脂が下記化 6で表される環状ォレフィンとェ チレンとの共重合体である方が好ましレ、。
差朁ぇ用紙（規則 26) [化 6]
Figure imgf000008_0001
(化 6中の R から R48は異なっていても同一でもよぐそれぞれ水素原子、重水素原子 、炭素数 1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ原子を含 有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよび nは 0以 上の整数である。 )
[0017] また、本発明の熱インプリント方法は、上述した熱インプリント用樹脂力もなるシート もしくはフィルムに、当該熱インプリント用樹脂のガラス転移温度 (Tg) + 65°C以下に加 熱された型を押圧して、前記型のパターンを転写することを特徴とする。
[0018] また、本発明の別の熱インプリント方法は、上述した熱インプリント用樹脂力 なる 射出成型体に型を押圧した後、当該熱インプリント用樹脂のガラス転移温度 (Tg)— 2 5°C以上の温度で前記型と前記熱インプリント用樹脂とを離型することを特徴とする。
[0019] また、本発明の更に別の熱インプリント方法は、上述した熱インプリント用樹脂から なるシートもしくはフィルムに、金型を 2.5MPa以下で押圧して、前記型のパターンを 転写することを特徴とする。
[0020] また、本発明は、シートもしくはフィルム製造に供される下記化 7または下記化 8で 表される骨格を主鎖中に少なくとも 1種類含有する環状ォレフィン系熱可塑性樹脂で あって、樹脂のガラス転移温度 Tg(°C)と 260°Cにおける MFRの値（[M])とが下記式 (1) を満たすと共に、 [M] < 30である環状ォレフィン系熱可塑性樹脂のインプリントプロセ スへの使用である。
[化 7]
差替え用 紙 (¾ 026)
Figure imgf000009_0001
Figure imgf000009_0002
Tg C) >219 X log[M]— 160 · · · 式 (1)
(化 7、化 8中の R1力 R29は異なっていても同一でもよぐそれぞれ水素原子、重水素 原子、炭素数 1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ原 子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよび n は 0以上の整数である。式 (1)中の [M]は 260でにおける MFRの値を示す。） また、本発明は、シートもしくはフィルム製造に供される下記化 9または下記化 10で 表される骨格を主鎖中に少なくとも 1種類含有する環状ォレフィン系熱可塑性樹脂で あって、樹脂のガラス転移温度 Tg(°C)と 260°Cにおける MFRの値 ([M])とが下記式 (1) を満たすと共に、 [M]< 20および Tg〉90°Cである環状ォレフィン系熱可塑性樹脂のィ ンプリントプロセスへの使用である。
[化 9]
Figure imgf000009_0003
[化 10]
差替え 用紙（規則 26)
Figure imgf000010_0001
Tg(°C)〉219 X log[M]— 160 · · · 式 (1)
(化 9、化 10中の R1から R29は異なっていても同一でもよぐそれぞれ水素原子、重水 素原子、炭素数 1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ 原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよ び nは 0以上の整数である。式 (1)中の [M]は 260°Cにおける MFRの値を示す。） 発明の効果
[0022] ガラス転移温度 Tg (°C)と 260°Cにおける MFRとの間に特定の相関を有する環状ォ レフイン系熱可塑性樹月旨を用レ、ることにより、低温'低圧での熱インプリントを可能に することができるので、インプリント性 (転写性、離型性等）の向上および生産性 (スル 一プット等）の改善を図ることができる。
[0023] また、ガラス転移温度 Tg(°C)と 260°Cにおける MFRとの間に特定の相関を有する環 状ォレフイン系熱可塑性樹脂に適したインプリント条件 (成型温度、成型圧力、離型 温度等）を用いることにより、更に熱インプリント性 (転写性、離型性等）の向上および 生産性 (スループット等）の改善を図ることができる。
発明を実施するための最良の形態
[0024] 以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
[0025] 本発明に用いられる環状ォレフィン系熱可塑性樹脂は、環状ォレフィン類と α -ォ レフイン類との共重合体、すなわち下記化 11で示される環状ォレフィン類由来の繰り 返し単位を含有する α -ォレフインとの共重合体、または下記化 12で示される環状ォ レフイン類の開環重合後に水素添加した重合体である。
[化 11]
差替え用紙（規則 26)
Figure imgf000011_0001
[化 12]
Figure imgf000011_0002
ィ匕 11、化 12中の R1から R29は異なっていても同一でもよぐそれぞれ水素原子、重 水素原子、炭素数 1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテ 口原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mお ょぴ nは 0以上の整数である。
該樹脂を構成する環状ォレフィン単量体は化 13で示される構造を有しており、例え ばビシクロ [2,2,1]ヘプト- 2 -ェン（ノルボルネン）、 5-メチルビシクロ [2,2,1]ヘプト- 2 -ェ ン、 7-メチルビシクロ [2,2,1]ヘプト- 2-ェン、 5-ェチルビシクロ [2，2，1]ヘプト- 2-ェン、 5 -プロピルビシクロ [2,2,1]ヘプ卜- 2-ェン、 5- n-ブチルビシクロ [2,2,1]ヘプト- 2-ェン、 5 -イソブチルビシクロ [2,2,1]ヘプト- 2-ェン、 1,4-ジメチルビシクロ [2,2,1]ヘプト- 2-ェン 、 5-ブロモビシクロ [2，2，1]ヘプト- 2-ェン、 5-クロロビシクロ [2,2,1]ヘプト- 2-ェン、 5-フ ルォロビシクロ [2，2,1]ヘプト- 2-ェン、 5,6 -ジメチルビシクロ [2,2,1]ヘプト -2-ェン、ジシ クロペンタジェン、トリシクロペンタジェン、テトラシクロ [4,4,0,12 5,17 1。]- 3-ドデセン、 5, 10-ジメチルテトラシクロ [4,4,0,12·5，17·10]- 3-ドデセン、 2,10-ジメチルテトラシクロ [4,4,0， 12·5,17·10] - 3-ドデセン、 11，12-ジメチルテトラシクロ [4,4,0，12 5，17 10] - 3-ドデセン、 2，7，9- トリメチルテトラシクロ [4，4,0,12·5,17·10]- 3-ドデセン、 9-ェチル -2,7-ジメチルテトラシクロ [4，4，0，12 5,17 1。]- 3-ドデセン、 9—イソブチル 2，7-ジメチルテトラシクロ [4，4，0，12 5,17 1°] - 3-ドデセン、 9,11， 12-トリメチルテトラシクロ [4,4,0, 12·5, 17 10]-3-ドデセン、 9-ェチル- 11 ,
差替え用紙（規則 26) 12-ジメチルテトラシクロ [4,4,0,12·5,17·ω]- 3-ドデセン、 9-イソブチル -11, 12-ジメチルテ トラシクロ [4,4,0,12 5,17 1°]- 3-ドデセン、 5,8,9,10-テトラメチルテトラシクロ [4,4,0, 12 5,17 1 。]-3-ドデセン、 8-へキシルテトラシクロ [4,4,0, 12·5, 17 1°]- 3-ドデセン、 8-ステアリルテト ラシクロ [4,4,0, 12·5,17·10] - 3-ドデセン、 8-メチル -9-ェチルテトラシクロ [4,4,0,12 5，17 1°]-3 -ドデセン、 8-シクロへキシルテトラシクロ[4，4，0，12 5，17 10]-3-ドデセン、 8-ェチリデンテ トラシクロ [4,4，0，12 5，17 1°]-3-ドデセン、 8-クロロテトラシクロ [4,4,0,12 5,17 1。]-3-ドデセン 、 8-ブロモテトラシクロ [4,4,0,12 5,17 1°]- 3-ドデセン、 8-フルォロテトラシクロ [4，4，0，12'5,1 7 1。]— 3 ドデセン、 8,9-ジクロロテトラシクロ [4,4,0, 12·5，17·10]- 3-ドデセン、へキサシクロ [6 ,6,1 ,13 6, 11() 13,02 7,09 14] - 4-ヘプタデセン、 12-メチルへキサシクロ [6,6, 1 , 13 6, 110 13,02·7,0 9 14]-4-ヘプタデセン、 12-ェチルへキサシクロ 1。13,。2 7,。9 14]-4-ヘプタデセ ン、 12-イソブチルへキサシクロ [6,6, 1, 13·6, 13，。2'7，。9'14]- ヘプタデセン、 1，6，10-トリ メチル -12-イソブチルへキサシクロ [6,6, 1 , 13'6, 1 13，。2'7,。9'14]-4-ヘプタデセン、 5 -メチ ル- 5-フエ-ル-ビシクロ [2, 2,1]ヘプト -2-ェン、 5-ェチル -5-フエ-ル-ビシクロ [2,2,1] ヘプト -2-ェン、 5-η-プロピル- 5-フエ-ル-ビシクロ [2,2, 1]ヘプト -2-ェン、 5-η-ブチ ル- 5-フエ-ル-ビシクロ [2, 2,1]ヘプト -2-ェン、 5,6-ジメチル- 5-フエ-ル-ビシクロ [2,2 ，1]ヘプト- 2-ェン、 5-メチル -6-ェチル -5-フエ-ルビシクロ [2,2,1]ヘプト -2-ェン、 5,6， 6-トリメチル -5-フエニル-ビシクロ [2, 2,1]ヘプト -2-ェン、 1，4,5-トリメチルビシクロ [2,2， 1]ヘプト -2-ェン、 5，6-ジェチル -5-フエ-ルビシクロ [2,2,1]ヘプト -2-ェン、 5-ブロモ- 5-フエ-ル-ビシクロ [2,2, 1]ヘプト- 2-ェン、 5-クロロ- 5-フエ-ル-ビシクロ [2,2, 1]ヘプ ト- 2-ェン、 5-フルオロ- 5-フエ-ル-ビシクロ [2,2,1]ヘプト- 2-ェン、 5-メチル - 5- (tert- ブチルフエ-ル)-ビシクロ [2,2,1]ヘプト -2-ェン、 5-メチル -5- (ブロモフエ-ル)-ビシク 口 [2, 2,1]ヘプト -2-ェン、 5-メチル -5- (クロ口フエニル) -ビシクロ [2,2,1]ヘプト -2-ェン、 5-メチル -5- (フルオロフェニル) -ビシクロ [2，2， 1]ヘプト -2-ェン、 5-メチル -5-( a -ナフ チノレ)-ビシクロ [2，2，1]ヘプト -2-ェン、 5-メチル - 5-アントラセニル -ビシクロ [2，2，1]ヘプ ト- 2-ェン、 8-メチル - 8 -フエ-ル-テトラシクロ [4,4，0， I2·5, 17 1°]- 3-ドデセン、 8-ェチル- 8-フエ-ル-テトラシクロ [4,4,0,12 5,17 1°]- 3-ドデセン、 8- n-プロピル- 8-フエ-ル-テトラ シクロ [4,4,0, 12·5, 17·10]- 3-ドデセン、 8- n-ブチル -8-フエ-ル-テトラシクロ [4,4,0， I2·5, 17· i。]— 3 ドデセン、 8-クロ口- 8-フエ-ル-テトラシクロ [4,4，0，12 5,17 1°]- 3-ドデセン、 11-メ チル- 11-フエニル -へキサシク口 [6,6， 1 , 13·6， 11() 13,02 7,09 14]- 4-ヘプタデセン、 1，4-メタノ - 4a，9,9-卜リメチル- l，4,9a-トリヒドロフルオレン等が好適な単量体として例示すること ができる。これら種々の単量体は、基本的には該当するジェン類とォレフィン類との 熱的なディールス'アルダー反応（Diels- Alder反応）により製造することができ、更に 適宜水素添加等を実施して所望する単量体を製造することが可能である。
[化 13]
Figure imgf000013_0001
化 13中の R3°から R48は異なっていても同一でもよ それぞれ水素原子、重水素原 子、炭素数 1〜 の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ原子を 含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよび nは 0 以上の整数である。
[0027] また、化 11で示される共重合体に好適に使用できる α-ォレフィンとしては、炭素数 2〜20、好ましくは炭素数 2〜10の α-ォレフィンであって、例えばエチレン、プロピレ ン、 1-ブテン、 1-ペンテン、 3-メチル -1 -ブテン、 3_メチル - 1_ペンテン、 1-へキセン、 1 -ォクテン、 1 -デセン等が示され、単独であるいは組み合わせて使用することができる 。これらのうち、エチレンまたはプロピレンが好ましぐ更には共重合性、経済性等、 実用的な観点からするとエチレンが特に好ましレ、。
[0028] 化 11で示される共重合体において、好ましい該ひ-ォレフインと該環状ォレフインと のモル比（α-ォレフィン/ /該環状ォレフイン）は 10Ζ90〜90Ζ10の範囲であり、更に 好ましくは 30 70~70 30の範囲である。共重合体中のモル比は13 C- NMR(400MH z、温度： 120°CZ溶媒： 1,2,4-トリクロ口ベンゼン 1,1，2,2-重水素化テトラクロ口エタ ン混合系）により決定した。
[0029] また、本発明の熱インプリント用樹脂は、そのガラス転移温度 Tg(°C)と 260でにおけ る MFRの値 ([M])とが下記式 (1)を満たすように調整されるものである。
差替 え 用 紙（規則 26) [0030] Tg (°C) >219 X log[M] - 160 . · · 式 (1)
ここで、化 11もしくは化 12で示される環状ォレフィン系熱可塑性榭脂の重量平均 分子量 Mwは 10,000〜1,000,000、好ましくは 20,000〜500,000、更に好ましくは 50,000 〜300,000の範囲にあり、 260°Cにおける MFRの値 [M]としては 30以下、好ましくは 20 以下、更に好ましくは 10以下の榭脂である。これにより榭脂の強度が高くなり、離型時 に充填された榭脂が剥離、破損することを抑制でき、榭脂の流動性を損なわない範 囲でインプリント性 (転写性、離型性等)を向上することができる。
[0031] また、熱インプリントにより微細パターンが転写された榭脂の用途を考慮すると榭脂 の耐熱性は高い方が好ましぐガラス転移温度としては 80°C以上、好ましくは 90°C以 上、更に好ましくは、実用性を考慮すると標準条件下での水の沸点より高い温度、す なわち 100°Cを越える温度が好ましい。
[0032] 該榭脂を製造するための重合方法に特に制限はなぐチーグラーナッタ触媒 (Ziegl er-Natta触媒）やシングルサイト触媒（single-site触媒）を用いた配位重合、更には必 要に応じて共重合体を水素添加する方法、メタセシス重合触媒を用いた開環重合の 後に水素添加する方法等、公知の方法を用いることができる。水素添加する方法とし ても公知である方法が使用でき、例えばニッケル、パラジウム等金属成分を含有する 触媒により好適に実施することができる。例えばィ匕 11で示される共重合体を製造す るために使用されるシングルサイト触媒 (single-site触媒）としては種々のメタ口センィ匕 合物が使用可能である力 例えば特開 2003-82017に記載されているメチレン (シクロ ペンタジェ -ル）（テトラシクロペンタジェニル)ジルコニウムジクロリド等が好適に使用 できる。重合反応に用いられる助触媒としては特に制限はないが、公知であるメチル アルミノキサン類が好適に使用でき、反応に応じて適宜他の有機アルミニウム化合物 を共存させて重合してもよ 、。該重合反応は室温 (25°C前後）〜200°Cの範囲で好適 に実施できるが、反応性および触媒の安定性を考慮すると 40〜150°Cの範囲で実施 することが望ましい。また重合反応に使用する有機溶剤としては特に制限はなぐ例 えばベンゼン、トルエン、キシレン、ェチルベンゼン等の芳香族系溶剤、へキサン、シ クロへキサン、ヘプタン、メチルシクロへキサン、オクタン等の飽和炭化水素系溶剤、 もしくはこれらの混合溶剤系が好適に使用できる。該榭脂を製造後、ラジカル反応に より酸素原子、硫黄原子等のへテロ原子を適宜導入することも可能である。
[0033] 該榭脂には必要に応じて酸化防止剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、光安定剤、帯電 防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合 成油、ワックスなどの添加剤を 1以上添加、配合することができ、その配合割合は適 宜設定することができる。添加剤 (酸化防止剤、滑剤等）に特に制限はなぐ公知の 化合物を好適に使用することができる。
[0034] 更にシートもしくはフィルムの表面粗さを小さくするために、フッ素系ノ-オン界面活 性剤、シリコーン系レべリング剤等、各種レべリング剤を適宜添加してもよい。
[0035] 本発明において酸ィ匕防止剤の添カ卩は、加熱時に樹脂が酸化し、榭脂の着色ゃ榭 脂分子鎖の架橋によるゲルの発生、榭脂分子鎖の切断による物性低下等を引き起こ すのを防止することができる。
[0036] また、本発明にお 、て滑剤の添カ卩は、インプリント後の離型性を改善し、インプリン ト製品の生産性 (スループット）を向上することができる。また、該榭脂の成形加工時 に型のパターンへの榭脂の入りが良くなる等の効果もある。
[0037] この他、インプリント製品の使用分野において要求される諸物性を損なわない範囲 で、榭脂板の耐久性を改善するためにゴム成分を添加しても良ぐ公知の化合物を 好適に使用できる。
[0038] インプリント製品の用途としては光導波路、導光板、回折格子等の光デバイス類、 バイオチップ、マイクロ流路、マイクロリアクター等の流体デバイス、データ保存用メデ ィァ、回線基板の用途があげられる。
[0039] また、シートもしくはフィルムを製造する方法に特に制限はなぐ溶融押出法、デイツ プ法、溶液キャスト法、スピンコート法等、公知の方法が適宜使用できる。厚さはイン プリント製品の用途により任意に選択することができ、 500 m以下の厚さであれば成 形が可能である。ここで、本発明の熱インプリント用榭脂が用いられるシートもしくはフ イルムはどのような形状でも良いが、好ましくは厚さ 300 m以下、更に好ましくは厚さ 150 μ m以下のものが好適である。
[0040] インプリントを行う装置としては種々の製品があり、適宜機種を選定することができる 。本発明の熱インプリント用榭脂が用いられる転写パターンの大きさとしては、 100 m以下、 50 μ m以下、 10 μ m以下、 1 μ m以下、 500nm以下、 200nm以下等、種々 の大きさがある。
[0041] 次に、本発明の榭脂からなるシートもしくはフィルムにインプリントを行う方法につい て説明する。
[0042] インプリント性 (パターンの転写性、離型性等）の改善されたプロセスを実現するた めには、成型圧力を小さくし、成型時の保持時間を短くする方が好ましい。これは、ィ ンプリント時の成形圧力が高すぎたり圧力の保持時間が長過ぎると、榭脂と金型との 密着により離型時にパターンが伸びたり欠損したりして、パターンの転写精度を低下 させるためである。具体的には、本発明の榭脂からなるシートもしくはフィルムを使用 し、インプリント時の成形圧力を 3.0MPa以下、好ましくは 2.5MPa以下にするのが良い 。また、成形時の保持時間を 1000s以下、好ましくは 600s以下とするのが良い。
[0043] インプリントを実施するにあたり、基板上に直接シートもしくはフィルムを設置してィ ンプリントを実施しても良いし、適宜別途基板を使用しても良い。別途使用できる基 板としては、ポリカーボネート榭脂、ポリ (メタ)アクリル酸榭脂、ポリイミド榭脂等の榭 脂基板、グラフアイト、ステンレス等の基板を好適に使用することができる。榭脂基板 を使用する際には耐熱性を考慮して、インプリント時の最高到達温度よりも高いガラ ス転移温度、軟化温度を有する榭脂を使用すれば、実質的な問題は生じない。また 、フィルムをアルミニウムやシリコン等の基板上にキャスト法で製造した場合には、そ の基板のままインプリントを実施しても何ら支障は無い。
[0044] また、生産性 (スループット等）の改善されたプロセスを実現するためには、型の温 度を低くし、成型時の保持時間を短くする方が好ましい。これは、金型温度が低けれ ば冷却時間を短縮することができ、型とシートもしくはフィルムとを押圧する保持時間 が短ければ成形時間を短縮することができるからである。
[0045] 具体的には、本発明の榭脂からなるシートもしくはフィルムを使用し、成形時の型の 温度が榭脂のガラス転移温度 Tg+80°C以下、更に好ましくは Tg+65°C以下の範囲 にあるのが好ましい。また、離型時の型および射出成型体の温度は、 Tg— 40°C以上 、更に好ましくは Tg— 25°C以上であることが好ましい。
実施例 [0046] 以下に実施例により本発明を説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもの ではない。
[0047] 尚、使用した榭脂の重量平均分子量 (Mw)、数平均分子量 (Mn)、および分子量分 布（MwZMn)はゲルパーミエイシヨンクロマトグラフィー法（GPC)により、 Waters製 GP C装置を使用し、カラム： Shodex製 K-805LZK-806L、カラム温度： 40°C、溶媒：クロ口 ホルム、通液量: 0.8mLZ分の条件で測定した。また、使用した榭脂のガラス転移温 度 Tg(°C)はセイコー電子工業株式会社製の示差走査熱量分析計 (型式 EXSTAR60 00、 DSC6200)を用いて昇温時の吸熱ピークから得た。更に 260°Cにおける MFRの値 [M]は TECHNOL SEVEN Co., LTD.製の MELT INDEXER (型式 L248- 2531)を使用 し、荷重 2.16kgfC測定した値を採用した。
[0048] シートもしくはフィルムの製造には、フィルム成形機としては東洋精機製ラボプラスト ミル D-2025、スピンコーターとしては株式会社ィ一'エッチ ·シー製小型スピンナー SC -300を適宜使用した。また溶液キャスト法ではガラス基板上に榭脂溶液をアプリケー ターを用いて塗布した後、焼成、乾燥、ァニール処理を施して成形した。
[0049] インプリントの評価は、 SCIVAX社のインプリント装置（VX-2000N-US)を使用し、 30 mm X 30mmの金型を用いて、それぞれ実施例に記載の条件で実施した。表 1に、榭 脂の構造やガラス転移温度 Tg(°C)と 260°Cにおける MFRとの間の相関（式 (1)で示さ れる）の有無によるインプリント性をまとめる。ここで、インプリント性は得られた微細な 凹凸パターンを電子顕微鏡で観察し、金型と同様なパターンが良好に転写されてい るものを良好なパターン、榭脂が金型に接着して欠損、剥離が生じたもの、および伸 びが発生しているもの、何らかの異常が認められるパターンを不良パターンとして評 価し 7こ。
[0050] まず、本実施例および比較例に使用したシートもしくはフィルムの製造方法につ!ヽ て示す。ここで、供試材 1〜8は上述した式 (1)を満たす榭脂からなる射出成型体であ り、供試材 9、 10は式 (1)を満たさない榭脂からなる射出成型体である。なお、製造例 で特に断らない限り、シートもしくはフィルム製造に供する重合体には原則として添カロ 剤として酸化防止剤、および滑剤を含むものとする。
[0051] 製造例 1 (シートもしくはフィルムの製造） エチレン Zノルボルネン共重合体（Tg= 134°C、 MFR= 11 @ 260°C)をフィルム成形 機で成形し、厚さ 100 μ mの透明な成形体 (供試材 1)を製造した。
[0052] 製造例 2 (シートもしくはフィルムの製造）
エチレン Zノルボルネン共重合体（Tg= 135°C、 MFR= 10@260°C)をフィルム成形 機で成形し、厚さ 90 μ mの透明な成形体 (供試材 2)を製造した。
[0053] 製造例 3 (シートもしくはフィルムの製造）
エチレン Zノルボルネン共重合体（Tg= 109°C、 MFR= 16@260°C)をフィルム成形 機で成形し、厚さ 100 μ mの透明な成形体 (供試材 3)を製造した。
[0054] 製造例 4 (シートもしくはフィルムの製造）
環状ォレフィン系開環重合体の水添体 (Tg= 138°C、 MFR=8@260°C)をフィルム 成形機で成形し、厚さ 110 mの透明な成形体 (供試材 4)を製造した。
[0055] 製造例 5 (シートもしくはフィルムの製造）
環状ォレフィン系開環重合体の水添体 (Tg= 136°C、 MFR=7@260°C)をフィルム 成形機で成形し、厚さ 110 mの透明な成形体 (供試材 5)を製造した。
[0056] 製造例 6 (シートもしくはフィルムの製造）
環状ォレフィン系開環重合体の水添体 (Tg= 105°C、 MFR=9@260°C)をフィルム 成形機で成形し、厚さ 100 μ mの透明な成形体 (供試材 6)を製造した。
[0057] 製造例 7 (シートもしくはフィルムの製造）
エチレン Zノルボルネン共重合体（Tg= 135°C、 MFR= 10@260°C)の 15wt%ジェチ ルベンゼン溶液を調製し（添加剤無添加）、スピンコーターを用いてシリコンウェハー 上でスピンコート（400rpm X 5s、 2000rpm X 20s)した後、焼成（100°C X 15min、 150°C X 30min)、ァニール処理（110°C X 30min)し、厚さ 1.3 mの成形体（供試材 7)を製 •laし 7こ。
[0058] 製造例 8 (シートもしくはフィルムの製造）
エチレン Zノルボルネン共重合体（Tg= 135°C、 MFR=59@260°C)をフィルム成形 機で成形し、厚さ 100 μ mの透明な成形体 (供試材 8)を製造した。
[0059] 製造例 9 (シートもしくはフィルムの製造）
エチレン Zノルボルネン共重合体（Tg= 132°C、 MFR=51 @260°C)をフィルム成形 機で成形し、厚さ 90 μ mの透明な成形体 (供試材 9)を製造した。
[0060] 実施例 1 (フィルムのインプリント評価）
供試材 1をガラス転移温度 Tg— 23°C (111°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+30°C (164°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mmZ深 さ 1 m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた 荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型 の変位を保持しながら、 Tg—23°C (111°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0061] 実施例 2 (フィルムのインプリント評価）
供試材 1をガラス転移温度 Tg— 23°C (111°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+30°C (164°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.75 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた 荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型 の変位を保持しながら、 Tg—23°C (111°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0062] 実施例 3 (フィルムのインプリント評価）
供試材 1をガラス転移温度 Tg— 23°C (111°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+30°C (164°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (111°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0063] 実施例 4 (フィルムのインプリント評価）
供試材 1をガラス転移温度 Tg— 23°C (111°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+30°C (164°C)に加熱した金型 (パターン:ライン Zスペース (LZS) = 1 μ m/1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に 取り付けた荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。そ の後、金型の変位を保持しながら、 Tg—23°C (111°C)まで冷却し、冷却完了後、金型 を 10 mZ秒の速度でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや 剥離の無い良好なパターンが転写されて ヽた。
[0064] 実施例 5 (フィルムのインプリント評価）
供試材 1をガラス転移温度 Tg— 23°C (111°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (169°C)に加熱した金型 (パターン： L/S = l μ m/1 μ m)を 1 00 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサ 一が 500Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の変位を保 持しながら、 Tg—23°C (111°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ秒の速度 でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なバタ ーンが転写されていた。
[0065] 実施例 6 (フィルムのインプリント評価）
供試材 1をガラス転移温度 Tg— 23°C (111°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (169°C)に加熱した金型 (パターン： L/S = l μ m/1 μ m)を 1 00 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサ 一が 500Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その後、金型の変位を保 持しながら、 Tg—23°C (111°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ秒の速度 でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なバタ ーンが転写されていた。
[0066] 実施例 7 (フィルムのインプリント評価）
供試材 1をガラス転移温度 Tg— 23°C (111°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度丁§+30°〇（164° に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (111°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0067] 実施例 8 (フィルムのインプリント評価）
供試材 1をガラス転移温度 Tg— 23°C (111°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度丁§+35°〇（169°0に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 500Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (111°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0068] 実施例 9 (フィルムのインプリント評価）
供試材 2をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0069] 実施例 10 (フィルムのインプリント評価）
供試材 2をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.75 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた 荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型 の変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0070] 実施例 11 (フィルムのインプリント評価）
供試材 2をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0071] 実施例 12 (フィルムのインプリント評価）
供試材 2をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 500Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0072] 実施例 13 (フィルムのインプリント評価）
供試材 2をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.75 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた 荷重センサーが 500Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型 の変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0073] 実施例 14 (フィルムのインプリント評価）
供試材 2をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン: LZS = 1 μ m/1 μ m)を 1 00 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサ 一が 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の変位を保 持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ秒の速度 でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なバタ ーンが転写されていた。
[0074] 実施例 15 (フィルムのインプリント評価）
供試材 2をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン: LZS = 1 μ m/1 μ m)を 1 00 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサ 一が 500Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の変位を保 持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ秒の速度 でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なバタ ーンが転写されていた。
[0075] 実施例 16 (フィルムのインプリント評価）
供試材 2をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン: LZS = 1 μ m/1 μ m)を 1 00 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサ 一が 500Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その後、金型の変位を保 持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ秒の速度 でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なバタ ーンが転写されていた。
[0076] 実施例 17 (フィルムのインプリント評価）
供試材 2をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0077] 実施例 18 (フィルムのインプリント評価）
供試材 2をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 500Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0078] 実施例 19 (フィルムのインプリント評価）
供試材 3をガラス転移温度 Tg—23°C (86°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成型 設定温度 Tg+35°C (144°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重 センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の変 位を保持しながら、 Tg—23°C (86°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の 速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好 なパターンが転写されて 、た。
[0079] 実施例 20 (フィルムのインプリント評価）
供試材 3をガラス転移温度 Tg—23°C (86°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成型 設定温度 Tg+35°C (144°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重 センサーが 500Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の変 位を保持しながら、 Tg—23°C (86°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の 速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好 なパターンが転写されて 、た。
[0080] 実施例 21 (フィルムのインプリント評価）
供試材 3をガラス転移温度 Tg— 5°C (104°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+65°C (174°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ m Z深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り 付けた荷重センサーが 1500Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その 後、荷重を保持しながら、 Tg— 5°C (104°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0081] 実施例 22 (フィルムのインプリント評価）
供試材 3をガラス転移温度 Tg— 5°C (104°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+65°C (174°C)に加熱した金型 (パターン: LZS = 1 m/1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 1500Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その後、荷重 を保持しながら、 Tg—5°C (104°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の速 度でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好な ノ《ターンが転写されていた。
[0082] 実施例 23 (フィルムのインプリント評価）
供試材 3をガラス転移温度 Tg— 5°C (104°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+65°C (174°C)に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ m Z深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り 付けた荷重センサーが 1500Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その 後、荷重を保持しながら、 Tg— 5°C (104°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0083] 実施例 24 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+30°C (168°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0084] 実施例 25 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+30°C (168°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.75 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた 荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型 の変位を保持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0085] 実施例 26 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+30°C (168°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0086] 実施例 27 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (173°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0087] 実施例 28 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (173°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.75 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた 荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型 の変位を保持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0088] 実施例 29 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (173°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0089] 実施例 30 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (173°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 500Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0090] 実施例 31 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (173°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.75 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた 荷重センサーが 500Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型 の変位を保持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0091] 実施例 32 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 15°C (153°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 600秒間保持した。その後、金型 の変位を保持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0092] 実施例 33 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 15°C (153°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.75 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた 荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 600秒間保持した。その後、金 型の変位を保持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の 無い良好なパターンが転写されて ヽた。
[0093] 実施例 34 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 5°C (133°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+65°C (203°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り 付けた荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その 後、荷重を保持しながら、 Tg— 5°C (133°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて ヽた
[0094] 実施例 35 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 5°C (133°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+65°C (203°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り 付けた荷重センサーが 1500Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その 後、荷重を保持しながら、 Tg— 5°C (133°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0095] 実施例 36 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 5°C (133°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+ 55°C (193°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り 付けた荷重センサー力 S1750Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その 後、荷重を保持しながら、 Tg— 5°C (133°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0096] 実施例 37 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 30°C (168°C)に加熱した金型 (パターン: LZS = 1 μ m/1 μ m)を 1 00 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサ 一が 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の変位を保 持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ秒の速度 でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なバタ ーンが転写されていた。
[0097] 実施例 38 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 35°C (173°C)に加熱した金型 (パターン: LZS = 1 μ m/1 μ m)を 1 00 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサ 一が 500Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その後、金型の変位を保 持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ秒の速度 でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好なバタ ーンが転写されていた。
[0098] 実施例 39 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 5°C (133°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+ 65°C (203°C)に加熱した金型 (パターン: LZS = 1 m/1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その後、荷重 を保持しながら、 Tg—5°C (133°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の速 度でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好な ノ《ターンが転写されていた。
[0099] 実施例 40 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 5°C (133°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+65°C (203°C)に加熱した金型 (パターン: LZS = 1 m/1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサー力 S1750Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その後、荷重 を保持しながら、 Tg—5°C (133°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の速 度でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好な ノ《ターンが転写されていた。
[0100] 実施例 41 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 5°C (133°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+55°C (193°C)に加熱した金型 (パターン: LZS = 1 m/1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 1500Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その後、荷重 を保持しながら、 Tg—5°C (133°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の速 度でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好な ノ《ターンが転写されていた。
[0101] 実施例 42 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度丁§+30°〇（168°0に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0102] 実施例 43 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 23°C (115°C)に加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (173°C)に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 750Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (115°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0103] 実施例 44 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 5°C (133°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+65°C (203°C)に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ m Z深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り 付けた荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その 後、荷重を保持しながら、 Tg— 5°C (133°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0104] 実施例 45 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 5°C (133°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+65°C (203°C)に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ m Z深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り 付けた荷重センサーが 1500Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その 後、荷重を保持しながら、 Tg— 5°C (133°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0105] 実施例 46 (フィルムのインプリント評価）
供試材 4をガラス転移温度 Tg— 5°C (133°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+55°C (193°C)に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ m Z深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り 付けた荷重センサー力 S1750Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その 後、荷重を保持しながら、 Tg— 5°C (133°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0106] 実施例 47 (フィルムのインプリント評価）
供試材 5をガラス転移温度 Tg— 5°C (131°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+65°C (201°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り 付けた荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その 後、荷重を保持しながら、 Tg— 5°C (131°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて ヽた
[0107] 実施例 48 (フィルムのインプリント評価）
供試材 6をガラス転移温度 Tg— 23°C (82°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成型 設定温度 Tg+35°C (140°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重 センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の変 位を保持しながら、 Tg—23°C (82°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の 速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好 なパターンが転写されて 、た。
[0108] 実施例 49 (フィルムのインプリント評価）
供試材 6をガラス転移温度 Tg— 23°C (82°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成型 設定温度 Tg+35°C (140°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重 センサーが 500Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の変 位を保持しながら、 Tg—23°C (82°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の 速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好 なパターンが転写されて 、た。
[0109] 実施例 50 (フィルムのインプリント評価）
供試材 6をガラス転移温度 Tg— 23°C (82°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成型 設定温度 Tg+ 15°C (120°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重 センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 600秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (82°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒 の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良 好なパターンが転写されて 、た。
[0110] 実施例 51 (フィルムのインプリント評価）
供試材 6をガラス転移温度 Tg— 5°C (100°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+ 55°C (160°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ m Z深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り 付けた荷重センサー力 S1750Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その 後、荷重を保持しながら、 Tg— 5°C (100°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0111] 実施例 52 (フィルムのインプリント評価）
供試材 6をガラス転移温度 Tg— 23°C (82°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成型 設定温度 Tg+ 35°C (140°C)に加熱した金型（パターン： LZS = 1 μ m/1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサー 力 S2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の変位を保持 しながら、 Tg—23°C (82°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の速度でフ イルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 、良好なパターン が転写されていた。
[0112] 実施例 53 (フィルムのインプリント評価）
供試材 6をガラス転移温度 Tg— 5°C (100°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+ 55°C (160°C)に加熱した金型 (パターン: LZS = 1 m/1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサー力 S1750Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その後、荷重 を保持しながら、 Tg—5°C (100°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の速 度でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好な ノ《ターンが転写されていた。
[0113] 実施例 54 (フィルムのインプリント評価）
供試材 6をガラス転移温度 Tg— 23°C (82°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成型 設定温度 Tg+35°C (140°C)に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重 センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の変 位を保持しながら、 Tg—23°C (82°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の 速度でフィルムから離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無い良好 なパターンが転写されて 、た。
[0114] 実施例 55 (フィルムのインプリント評価）
供試材 6をガラス転移温度 Tg— 5°C (100°C)に加熱したステンレス基板上に固定し 、予め成型設定温度 Tg+55°C (160°C)に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ m Z深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り 付けた荷重センサー力 S1750Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。その 後、荷重を保持しながら、 Tg— 5°C (100°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 い良好なパターンが転写されて 、た。
[0115] 実施例 56 (フィルムのインプリント評価）
供試材 8をガラス転移温度 Tg— 15°C (120°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—15°C (120°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びや剥離の無 ヽ 良好なパターンが転写されて 、た。
[0116] 比較例 1 (フィルムのインプリント評価）
供試材 9をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+30°C (165°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不 良パターンとなっていた。
[0117] 比較例 2 (フィルムのインプリント評価）
供試材 9をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+30°C (165°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.75 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた 荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型 の変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、 不良パターンとなっていた。
[0118] 比較例 3 (フィルムのインプリント評価）
供試材 9をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+30°C (165°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不 良パターンとなっていた。
[0119] 比較例 4 (フィルムのインプリント評価）
供試材 9をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が 認められ、不良パターンとなっていた。
[0120] 比較例 5 (フィルムのインプリント評価）
供試材 9をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.75 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた 荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型 の変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、 不良パターンとなっていた。
[0121] 比較例 6 (フィルムのインプリント評価）
供試材 9をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不 良パターンとなっていた。
[0122] 比較例 7 (フィルムのインプリント評価）
供試材 9をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 500Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離が 認められ、不良パターンとなっていた。
[0123] 比較例 8 (フィルムのインプリント評価）
供試材 9をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 35°C (170°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.75 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた 荷重センサーが 500Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型 の変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、 不良パターンとなっていた。
[0124] 比較例 9 (フィルムのインプリント評価）
供試材 9をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 15°C (150°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 600秒間保持した。その後、金型 の変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z m Z秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、 不良パターンとなっていた。
[0125] 比較例 10 (フィルムのインプリント評価）
供試材 9をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 15°C (150°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.75 mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた 荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 600秒間保持した。その後、金 型の変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ 、不良パターンとなっていた。
[0126] 比較例 11 (フィルムのインプリント評価）
供試材 9をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+ 30°C (165°C)に加熱した金型 (パターン: LZS = 1 μ m/1 μ m)を 1 00 mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷重センサ 一が 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の変位を保 持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ秒の速度 でフィルム力も離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不良パター ンとなっていた。
[0127] 比較例 12 (フィルムのインプリント評価）
供試材 9をガラス転移温度 Tg— 23°C (112°C)〖こ加熱した基板上に固定し、予め成 型設定温度 Tg+30°C (165°C)に加熱した金型 (パターン:ホール直径 1 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に取り付けた荷 重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 10秒間保持した。その後、金型の 変位を保持しながら、 Tg—23°C (112°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 /z mZ 秒の速度でフィルム力 離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びが認められ、不 良パターンとなっていた。
[0128] 比較例 13 (フィルムのインプリント評価）
供試材 10をガラス転移温度 Tg— 5°C (127°C)に加熱したステンレス基板上に固定 し、予め成型設定温度 Tg+65°C (197°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に 取り付けた荷重センサーが 2000Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。そ の後、荷重を保持しながら、 Tg—5°C (127°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の速度でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離 が認められ、不良パターンとなっていた。
[0129] 比較例 14 (フィルムのインプリント評価）
供試材 10をガラス転移温度 Tg— 5°C (127°C)に加熱したステンレス基板上に固定 し、予め成型設定温度 Tg+65°C (197°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に 取り付けた荷重センサー力 S1750Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。そ の後、荷重を保持しながら、 Tg—5°C (127°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の速度でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離 が認められ、不良パターンとなっていた。
[0130] 比較例 15 (フィルムのインプリント評価）
供試材 10をガラス転移温度 Tg— 5°C (127°C)に加熱したステンレス基板上に固定 し、予め成型設定温度 Tg+65°C (197°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に 取り付けた荷重センサーが 1500Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。そ の後、荷重を保持しながら、 Tg—5°C (127°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の速度でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離 が認められ、不良パターンとなっていた。
[0131] 比較例 16 (フィルムのインプリント評価）
供試材 10をガラス転移温度 Tg— 5°C (127°C)に加熱したステンレス基板上に固定 し、予め成型設定温度 Tg+55°C (187°C)に加熱した金型 (パターン:ピラー直径 0.5 μ mZ深さ 1 μ m)を 100 μ mZ秒の速度で該フィルム表面に押し付け、金型上部に 取り付けた荷重センサー力 S1750Nに達したところで、その荷重で 300秒間保持した。そ の後、荷重を保持しながら、 Tg—5°C (127°C)まで冷却し、冷却完了後、金型を 10 mZ秒の速度でフィルム力ゝら離型した。電子顕微鏡で観察したところ伸びおよび剥離 が認められ、不良パターンとなっていた。
[0132] 以上の結果を表 1にまとめる。
[0133] [表 1]
Figure imgf000040_0001
Figure imgf000040_0002
Figure imgf000041_0001
以上の結果から、ガラス転移温度 Tg(。C)と 260°Cにおける MFRとの間に特定の相 関（式 (1)で示される）を有する環状ォレフィン系熱可塑性樹脂より製造されるフィルム
差替え用紙（規則 26) は、より低温 '低圧での熱インプリント性に優れ、良好な転写パターンを与えることが 明らかになった。また、ガラス転移温度 Tg(°C)と 260°Cにおける MFRとの間に特定の 相関（式 (1)で示される）を満たさない樹脂力 製造されるフィルムは、伸びや剥離とい つた不良パターンを形成するのみで、良好なパターンは得られないことが明らかにな つた。
差替え用 紙（規則 26)

Claims

請求の範囲 シートもしくはフィルム製造に供される下記化 1または下記化 2で表される骨格を主 鎖中に少なくとも 1種類含有する環状ォレフィン系熱可塑性樹脂であって、樹脂のガ ラス転移温度 Tg(°C)と 260°Cにおける MFRの値（[M])とが下記式 (1)を満たすと共に、 [M]く 30であることを特徴とする熱インプリント用榭脂。
[化 1]
[化 2]
Figure imgf000043_0001
Tg(°C) >219 X log[M]- 160 … 式 (1)
(化 1、化 2中の R1から R29は異なっていても同一でもよぐそれぞれ水素原子、重水素 原子、炭素数 1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ原 子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよび n は 0以上の整数である。式 (1)中の [M]は 260でにおける MFRの値を示す。） シートもしくはフィルム製造に供される下記化 3または下記化 4で表される骨格を主鎖 中に少なくとも 1種類含有する環状ォレフィン系熱可塑性榭脂であって、樹脂のガラ ス転移温度 Tg(°C)と 260°Cにおける MFRの値 ([M])とが下記式 (1)を満たすと共に、 [ M]< 20および Tg〉 90でであることを特徴とする熱インプリント用樹脂。
[化 3]
差替え用紙（規則 26)
Figure imgf000044_0001
[化 4]
Figure imgf000044_0002
Tg(°C) >219 Xlog[M]-160 … 式 a)
(化 3、化 4中の R1から R29は異なっていても同一でもよ それぞれ水素原子、重水素 原子、炭素数 1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ原 子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよび n は 0以上の整数である。式 (1)中の [M]は 260°Cにおける MFRの値を示す。）
[3] 前記環状ォレフィン系熱可塑性樹脂が下記化 5で表される環状ォレフィンと α -ォレ フィンとの共重合体、または前記環状ォレフィンの開環重合の後に水素化することで 製造される重合体であることを特徴とする請求項 2記載の熱インプリント用樹脂。
[化 5]
Figure imgf000044_0003
(化 5中の R3°から R48は異なってレ、ても同一でもよぐそれぞれ水素原子、重水素原子 、炭素数 1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ原子を含 有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよび nは 0以
差替え用紙（規則 26) 上の整数である。 )
[4] 1以上の添加物を含有することを特徴とする請求項 2記載の熱インプリント用樹脂。
[5] 前記添加物は、酸化防止剤および滑剤の少なくともいずれかを含むことを特徴とする 請求項 4記載の熱インプリント用樹脂。
[6〗 前記化 3記載の骨格を含有する榭脂が下記化 6で表される環状ォレフィンとエチレン との共重合体であることを特徴とする請求項 2， 4又は 5のいずれかに記載の熱インプ リント用樹脂。
[化 6]
Figure imgf000045_0001
(化 6中の R3Dから R48は異なっていても同一でもよぐそれぞれ水素原子、重水素原子 、炭素数 1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ原子を含 有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよひ 'nは 0以 上の整数である。 )
[7] 請求項 1ないし 5のいずれかに記載の熱インプリント用樹脂力 なるシートもしくはフィ ルム成形体に、当該熱インプリント用樹脂のガラス転移温度 (Tg) + 65°C以下に加熱 された型を押圧して、前記型のパターンを転写することを特徴とする熱インプリント方 法。
[8] 請求項 1ないし 5のいずれかに記載の熱インプリント用樹脂からなるシートもしくはフィ ルム成形体に、型を押圧した後、当該熱インプリント用樹脂のガラス転移温度 (Tg)— 25°C以上の温度で前記型と前記熱インプリント用榭脂とを離型することを特徴とする 熱インプリント方法。
[9] 請求項 1ないし 5のいずれかに記載の熱インプリント用樹脂力 なるシートもしくはフィ ルム成形体に、型を 2.5MPa以下で押圧して、前記型のパターンを転写することを特 徴とする熱インプリント方法。
差替え用紙（規則 26) シートもしくはフィルム製造に供される下記化 7または下記化 8で表される骨格を主鎖 中に少なくとも 1種類含有する環状ォレフィン系熱可塑性樹脂であって、樹脂のガラ ス転移温度 Tgi^)と 260°Cにおける MFRの値 ([M])とが下記式 (1)を満たすと共に、 [ M]く 30である環状ォレフィン系熱可塑性樹脂のインプリントプロセスへの使用。
[化 7]
[化 8]
Figure imgf000046_0001
Tg(°C) >219 X log[M]- 160 · · · 式 (1)
(化 7、化 8中の R1から R29は異なっていても同一でもよぐそれぞれ水素原子、重水素 原子、炭素数 1〜15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ原 子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよび n は 0以上の整数である。式 (1)中の [M]は 260°Cにおける MFRの値を示す。） シートもしくはフィルム製造に供される下記化 9または下記化 10で表される骨格を主 鎖中に少なくとも 1種類含有する環状ォレフィン系熱可塑性樹脂であって、樹脂のガ ラス転移温度 Tg(°C)と 260でにおける MFRの値（[M])とが下記式 (1)を満たすと共に、 [MK 20および Tg>90°Cである環状ォレフィン系熱可塑性樹脂のインプリントプロセ スへの使用。
[化 9]
差替え用紙（規則 26)
Figure imgf000047_0001
[化 10]
Figure imgf000047_0002
Tg( :) >219Xlog[M]-160 ··· 式 (1)
(ィ匕 9、化 10中の R1から R29は異なっていても同一でもよぐそれぞれ水素原子、重水 素原子、炭素数 1~15の炭化水素基、ハロゲン原子、または酸素、硫黄等のへテロ 原子を含有する置換基であり、互いに単環、多環構造を形成していてもよい。 mおよ び nは 0以上の整数である。式 (1)中の [M]は 260°Cにおける MFRの値を示す。）
差替え用紙（規則 26)
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