WO2007049348A1

WO2007049348A1 - 放射線撮像装置および放射線検出信号処理方法

Info

Publication number: WO2007049348A1
Application number: PCT/JP2005/019793
Authority: WO
Inventors: Shoichi Okamura
Original assignee: Shimadzu Corporation
Priority date: 2005-10-27
Filing date: 2005-10-27
Publication date: 2007-05-03
Also published as: JPWO2007049348A1; CN101208041B; CN101208041A

Abstract

　この発明の放射線撮像装置は、において、第１画像処理部と第２画像処理部と第３画像処理部とに分けて、放射線検出信号に基づいて第１画像処理部が第１画像を出力した後に、第１画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んだ第２画像処理を、画素の配置情報を示した画素配置マップに基づいて第２画像処理部が行って第２画像を出力し、第３画像処理部は第１画像に基づいて最終的な放射線画像である第３画像を出力する。画素配置マップを先に作成することで画素配置マップの分だけ第２画像を出力するまでの時間を低減させることができる。その結果、確認のための画像の出力までの時間を低減させることができる。

Description

放射線撮像装置および放射線検出信号処理方法

技術分野

[0001] この発明は、被検体を照射して検出された放射線検出信号に基づいて放射線画像を得る放射線撮像装置および放射線検出信号処理方法に係り、特に、画像処理された画像の出力に関する。

背景技術

[0002] 放射線撮像装置の例として X線を検出して X線画像を得る撮像装置では、以下のような処理が行われる。すなわち、 X線を被検体に向けて照射し、被検体を透過した X 線を検出器で検出した後に、その検出された信号に対してガンマ曲線変換や、撮像部位に応じた空間周波数処理、自動輝度調整などの処理が行われる。これらの多くの画像処理を経た後に、モニタに表示されて、フィルムに焼き付けられる。

[0003] 従来において X線検出器としてイメージインテンシファイア（I. I)が用いられていた力近年において、フラットパネル型 X線検出器 (以下、『FPD』と略記する）が用いられている。 FPDの場合には、上述した画像処理に前に、オフセット補正、ゲイン補正、欠損補正などの補正処理がさらに必要となる。

[0004] ところで、画像を取得した直後では補正処理を施して!/、な、プレビュー画像を出力表示して、そのプレビュー画像を画像の確認のために用いて、さらに補正用画像取得後では補正処理後の放射線画像を出力する技術がある（例えば、特許文献 1参照

) o

特許文献 1：特開 2003— 325494号公報 (第 5— 7頁、図 1)

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] し力しながら、上述したオフセット Zゲイン Z欠損補正といった補正処理を含んだ画像処理にはある程度の処理時間を要する。高級機の場合には、処理能力の高い演算処理回路を搭載することで、処理時間を問題ない程度にまで短縮する方法が採られるが、低級機や汎用機の場合には、汎用の演算処理回路を搭載しているので、処理時間を短縮化するのが難しい。それによつて、例えば位置確認 (被検体の体位や FPDとの位置関係の確認)までに時間を要してしまうという問題につながる。位置確認が即座に行えないと、撮像の撮り直しなどが手間取る。その結果、検査効率の向上を妨げ、被検体への負担が増大してしまう。

[0006] そこで、位置確認が行える程度にまで画像処理を施した途中の段階で、画像処理で得られた画像をプレビュー表示する手法が、一般的に採用されている。しかし、この手法では、プレビュー画像は、本来の画像サイズのままで補正処理を含んだ画像処理が行われている。そして、後段で時間のかかる処理、例えば撮像部位に応じた空間周波数処理を施す手前の時点の画像をプレビュー画像として用いることが多ヽ。したがって、処理そのものは、比較的にシンプルである力プレビュー画像を出力するまでに多少の時間がかかってしまう。

[0007] また、上述した特許文献 1のように、最終的に得られる放射線画像 (特許文献 1では第 2画像)とは別に、補正処理を施していないプレビュー画像 (特許文献 1では第 1画像)を用意する手法があり、この手法ではプレビュー画像を出力するまでの時間を低減させることができる。さらには、最終的に得られる放射線画像の出力までの時間を低減させることができる。このような特許文献 1のような手法以外にも、画像の出力までの時間を低減させることができる別の手法が望まれる。

[0008] そこで、画像処理を第 1〜第 3画像処理に分けて、先ず、被検体を透過した X線を検出器で検出して得られた X線検出信号に対して第 1画像処理を行い、第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 2画像を出力するために第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んだ第 2画像処理を行い、第 2画像処理されて出力された第 2画像の出力結果の後に、第 1画像処理手段で第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 3画像を出力するために第 1画像に対して第 3画像処理を第 2画像の出力結果に応じて行い、その第 3画像を最終的に得られる放射線画像とすると、う手法が考えられる。

[0009] この手法によれば、上述した第 2画像をプレビュー画像とすれば、第 1画像に対する第 3画像処理を、第 2画像処理されて出力された第 2画像の出力結果 (すなわちプレビュー画像の出力）の後に行い、その第 3画像処理を第 2画像の出力結果 (プレビユー画像の出力）に応じて行う。すなわち、第 3画像の確認のためにプレビュー画像である第 2画像を先に出力する。すると、第 2画像を出力するために第 2画像処理は、第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んでいるので、少なくとも減らした画素量の分だけ第 2画像を出力するまでの時間を低減させることができる。その結果、確認のための画像の出力までの時間を低減させることができる。

[0010] しかし、上述した手法でも、画像処理の種類によっては、確認のための画像 (ここでは第 2画像)の出力までに長時間を要してしまう場合がある。例えば、画像処理は、上述したオフセット補正→ゲイン補正→欠損補正→· · ·→リーク電流補正→· "などの順に行うが、欠損補正については処理時間が比較的にかかる。したがって、欠損補正の前までの処理を第 1画像処理として、欠損補正の処理を、第 1画像の画素量を減らした処理を含んだ第 2画像処理として、欠損補正の段階でプレビュー画像を出力するのが好ましい。そして、第 1画像の画素量を減らした欠損補正で出力されたプレビュー画像に応じて欠損補正以降の処理である第 3画像処理を行うのが好ましい。しかし、欠損補正の段階で第 1画像の画素量を減らしても、欠損補正そのもので処理時間がかかるので、確認のための画像の出力までの時間が依然とかかってしまう。このように、欠損補正に限らず、他の画像処理においても、確認のための画像の出力までの時間をさらに低減させることが望まれる。

[0011] この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、確認のための画像の出力までの時間を低減させることができる放射線撮像装置および放射線検出信号処理方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0012] この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。

すなわち、この発明の放射線撮像装置は、放射線検出信号に基づいて放射線画像を得る放射線撮像装置であって、被検体に向けて放射線を照射する放射線照射手段と、被検体を透過した放射線を検出する放射線検出手段と、放射線検出手段から検出された放射線検出信号に基づいて第 1画像を出力するために放射線検出信号に対して第 1画像処理を行う第 1画像処理手段と、画素の配置情報を示した画素配置マップおよび第 1画像処理手段で第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 2画像を出力するために第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んだ第 2画像処理を行う第 2画像処理手段と、第 1画像処理手段で第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 3画像を出力するために第 1画像に対して第 3画像処理を行! ヽ、その第 3画像を最終的に得られる放射線画像とする第 3画像処理手段とを備えてヽることを特徴とするものである。

[0013] この発明の放射線撮像装置によれば、放射線検出手段から検出された放射線検出信号に基づいて第 1画像を出力するために、第 1画像処理手段は、放射線検出手段から検出された放射線検出信号に対して第 1画像処理を行う。その第 1画像処理手段で第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 2画像および第 3画像を出力するために、第 2画像処理手段は、第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んだ第 2画像処理を行うとともに、第 3画像処理手段は、第 1画像に対して第 3 画像処理を行い、その第 3画像を最終的に得られる放射線画像とする。第 3画像処理手段による第 1画像に対する第 3画像処理を、第 2画像処理手段によって第 2画像処理されて出力された第 2画像の出力結果の後に行い、その第 3画像処理を第 2画像の出力結果に応じて行うとする。すなわち、第 3画像の確認のために第 2画像を先に出力する。すると、第 2画像を出力するために第 2画像処理は、第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んでいるので、少なくとも減らした画素量の分だけ第 2 画像を出力するまでの時間を低減させることができる。その結果、確認のための画像の出力までの時間を低減させることができる。

[0014] ここで、第 2画像処理では、上述した第 1画像のほかに画素配置マップに基づいて第 2画像を出力する。この画素配置マップは画素の配置情報を示している。したがつて、第 2画像処理において第 1画像のみに基づいて第 2画像を出力するときと比較すると、第 1画像および画素配置マップの双方に基づいて第 2画像を出力するときの方が第 2画像を出力するまでの時間をより一層低減させることができる。その結果、確認のための画像の出力までの時間を低減させることができる。

[0015] この発明の放射線撮像装置の一例は、上述した画素配置マップは、画素量減少後の画素に配置すべき画素値と画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報とをそれぞれ対応付けた配置情報であって、上述した第 2画像処理では、第 1画像の画素量を減らした処理を行いつつ、画素配置マップの画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報に対応付けられた各々のこれらの画素値に基づいて、画素量減少後の画素にそれらの画素値をそれぞれ配置するように、画像処理手段を構成することである。つまり、第 2画像処理では、第 1画像の画素量を減らした処理を行いつつ、画素配置マップの画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報に対応付けられた各々のこれらの画素値に基づいて、画素量減少後の画素にそれらの画素値をそれぞれ配置することで、第 1画像の画素量を減らした欠損補正を含むことになる。通常の欠損補正については処理時間が比較的に力かるので、このような画素配置マップに基づく第 2画像処理を行うことで、第 1画像の画素量を減らした欠損補正で得られた第 2画像の出力までの時間を低減させることができる。

[0016] また、この発明の放射線検出信号処理方法は、被検体を照射して検出された放射線検出信号に基づいて放射線画像を得る信号処理を行う放射線検出信号処理方法であって、前記信号処理は、放射線検出信号に基づいて第 1画像を出力するために放射線検出信号に対して第 1画像処理を行う第 1画像処理工程と、画素の配置情報を示した画素配置マップおよび第 1画像処理工程で第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 2画像を出力するために第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んだ第 2画像処理を行う第 2画像処理工程と、第 2画像処理工程で第 2 画像処理されて出力された第 2画像の出力結果の後に、第 1画像処理手段で第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 3画像を出力するために第 1画像に対して第 3画像処理を第 2画像の出力結果に応じて行い、その第 3画像を最終的に得られる放射線画像とする第 3画像処理工程とを備えていることを特徴とするものである。

[0017] また、この発明の放射線検出信号処理方法によれば、放射線検出信号に基づいて第 1画像を出力するために、第 1画像処理工程では、放射線検出信号に対して第 1 画像処理を行う。その第 1画像処理工程で第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 2画像および第 3画像を出力するために、第 2画像処理工程では、第 1 画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んだ第 2画像処理を行うとともに、第 3画像処理工程では、第 1画像に対して第 3画像処理を行い、その第 3画像を最終的に得られる放射線画像とする。なお、第 3画像処理工程での第 1画像に対する第 3画像処理を、第 2画像処理工程で第 2画像処理されて出力された第 2画像の出力結果の後に行い、その第 3画像処理を第 2画像の出力結果に応じて行う。すなわち、第 3画像の確認のために第 2画像を先に出力する。すると、第 2画像を出力するために第 2 画像処理は、第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んでいるので、少なくとも減らした画素量の分だけ第 2画像を出力するまでの時間を低減させることができる。その結果、確認のための画像の出力までの時間を低減させることができる。

[0018] ここで、第 2画像処理工程では、上述した第 1画像のほかに画素配置マップに基づいて第 2画像を出力する。この画素配置マップは画素の配置情報を示している。したがって、第 2画像処理において第 1画像のみに基づいて第 2画像を出力するときと比較すると、第 1画像および画素配置マップの双方に基づいて第 2画像を出力するときの方が第 2画像を出力するまでの時間をより一層低減させることができる。その結果、確認のための画像の出力までの時間を低減させることができる。

[0019] この発明の放射線検出信号処理方法の一例は、上述した信号処理は、上述した画素配置マップを作成する画素配置マップ作成工程をさらに備えて、ることである。画素配置マップ作成工程で画素配置マップを予め作成することで、第 2画像処理の準備に備えることができる。

[0020] また、この発明の放射線検出信号処理方法の一例は、上述した画素配置マップは、画素量減少後の画素に配置すべき画素値と画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報とをそれぞれ対応付けた配置情報であって、上述した第 2画像処理工程では、第 1画像の画素量を減らした処理を行いつつ、画素配置マップの画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報に対応付けられた各々のこれら画素値に基づいて、画素量減少後の画素にそれらの画素値をそれぞれ配置することである。つまり、第 2 画像処理では、第 1画像の画素量を減らした処理を行いつつ、画素配置マップの画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報に対応付けられた各々のこれらの画素値に基づいて、画素量減少後の画素にそれらの画素値をそれぞれ配置することで、第 1画像の画素量を減らした欠損補正を含むことになる。通常の欠損補正については処理時間が比較的に力かるので、このような画素配置マップに基づく第 2画像処理を行うことで、第 1画像の画素量を減らした欠損補正で得られた第 2画像の出力までの時間を低減させることができる。

発明の効果

[0021] この発明に係る放射線撮像装置および放射線検出信号処理方法によれば、放射線検出信号に基づいて第 1画像を出力するために放射線検出信号に対して第 1画像処理を行う。第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 2画像および第 3画像を出力するために、第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んだ第 2 画像処理を行うとともに、第 1画像に対して第 3画像処理を行い、その第 3画像を最終的に得られる放射線画像とする。なお、第 1画像に対する第 3画像処理を、第 2画像処理されて出力された第 2画像の出力結果の後に行い、その第 3画像処理を第 2画像の出力結果に応じて行う。すなわち、第 3画像の確認のために第 2画像を先に出力する。すると、第 2画像を出力するために第 2画像処理は、第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んで、るので、少なくとも減らした画素量の分だけ第 2画像を出力するまでの時間を低減させることができる。その結果、確認のための画像の出力までの時間を低減させることができる。ここで、第 2画像処理では、上述した第 1画像のほかに画素配置マップに基づいて第 2画像を出力する。この画素配置マップは画素の配置情報を示している。したがって、第 2画像処理において第 1画像のみに基づいて第 2画像を出力するときと比較すると、第 1画像および画素配置マップの双方に基づいて第 2画像を出力するときの方が第 2画像を出力するまでの時間をより一層低減させることができる。その結果、確認のための画像の出力までの時間を低減させることがでさる。

図面の簡単な説明

[0022] [図 1]実施例に係る X線透視撮影装置のブロック図である。

[図 2]X線透視撮影装置に用いられてヽる側面視したフラットパネル型 X線検出器の等価回路である。

[図 3]平面視したフラットパネル型 X線検出器の等価回路である。

[図 4]各画像処理部の具体的な構成および各画像等のデータの流れを示したブロック図である。 [図 5]各画像処理部による一連の信号処理を示すフローチャートである。

[図 6]図 5の比較のために用いられる従来の画像処理部による一連の信号処理を示すフローチャートである。

圆 7]—様照射画像力欠損補正マップおよび画素配置マップを作成する流れを示した説明図である。

圆 8]—様照射画像中の欠損画素を模式的に表した説明図である。

圆 9]一様照射画像中の欠損画素および配置すべき画素を模式的に表した説明図である。

圆 10]欠損補正マップを模式的に表した説明図である。

圆 11]配置画素マップを模式的に表した説明図である。

[図 12]画素配置マップの作成を含んだ一連の前処理を示すフローチャートである。

[図 13]図 5のステップ T1の画素量を減らした欠損補正をより具体的に示したフローチヤートである。

符号の説明

[0023] 2 · · - X線管

3 · · - フラットパネル型 X線検出器 (FPD)

9 · · - 画像処理部

9a · ·· 第 1画像処理部

9b · - 第 2画像処理部

9c · ·· 第 3画像処理部

C · ·

D · · - 欠損画素

発明を実施するための最良の形態

[0024] 放射線撮像装置にお!、て画像処理手段を、第 1画像処理手段と第 2画像処理手段と第 3画像処理手段とに分けて、放射線検出手段から検出された放射線検出信号に基づいて第 1画像を出力するために、第 1画像処理手段は、放射線検出手段から検出された放射線検出信号に対して第 1画像処理を行う。その第 1画像処理手段で第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 2画像および第 3画像を出力するために、第 2画像処理手段は、第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んだ第 2画像処理を行うとともに、第 3画像処理手段は、第 1画像に対して第 3画像処理を行い、その第 3画像を最終的に得られる放射線画像とする。第 3画像の確認のために第 2画像を先に出力すると、第 2画像を出力するために第 2画像処理は、第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んでいるので、確認のための画像の出力までの時間を低減することができる。さらに、第 2画像処理では、上述した第 1画像のほかに画素の配置情報を示した画素配置マップに基づ、て第 2画像を出力するので、確認のための画像の出力までの時間をより一層低減させるという目的を実現した。実施例

[0025] 以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。図 1は、実施例に係る X線透視撮影装置のブロック図であり、図 2は、 X線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型 X線検出器の等価回路であり、図 3は、平面視したフラットパネル型 X線検出器の等価回路である。本実施例では放射線検出手段としてフラットパネル型 X線検出器 (以下、適宜「FPD」という）を例に採るとともに、放射線撮像装置として X線透視撮影装置を例に採って説明する。

[0026] 本実施例に係る X線透視撮影装置は、図 1に示すように、被検体 Mを載置する天板 1と、その被検体 Mに向けて X線を照射する X線管 2と、被検体 Mを透過した X線を検出する FPD3とを備えている。 X線管 2は、この発明における放射線照射手段に相当し、 FPD3はこの発明における放射線検出手段に相当する。

[0027] X線透視撮影装置は、他に、天板 1の昇降および水平移動を制御する天板制御部 4や、 FPD3の走査を制御する FPD制御部 5や、 X線管 2の管電圧や管電流を発生させる高電圧発生部 6を有する X線管制御部 7や、 FPD3から電荷信号である X線検出信号をディジタルィ匕して取り出す AZD変 8や、 AZD変 8から出力された X線検出信号に基づいて種々の処理を行う画像処理部 9や、これらの各構成部を統括するコントローラ 10や、処理された画像などを記憶するメモリ部 11や、オペレータが入力設定を行う入力部 12や、処理された画像などを表示するモニタ 13などを備えている。

[0028] 天板制御部 4は、天板 1を水平移動させて被検体 Μを撮像位置にまで収容したり、昇降、回転および水平移動させて被検体 Mを所望の位置に設定したり、水平移動させながら撮像を行ったり、撮像終了後に水平移動させて撮像位置カゝら退避させる制御などを行う。 FPD制御部 5は、 FPD3を水平移動させたり、被検体 Mの体軸の軸心周りに回転移動させることによる走査に関する制御などを行う。高電圧発生部 6は、 X 線を照射させるための管電圧や管電流を発生して X線管 2に与え、 X線管制御部 7は、 X線管 2を水平移動させたり、被検体 Mの体軸の軸心周りに回転移動させること〖こよる走査に関する制御や、 X線管 2側のコリメータ（図示省略)の照視野の設定の制御などを行う。なお、 X線管 2や FPD3の走査の際には、 X線管 2から照射された X線を FPD3が検出できるように X線管 2および FPD3が互いに対向しながらそれぞれの移動を行う。

[0029] コントローラ 10は、中央演算処理装置 (CPU)などで構成されており、メモリ部 11は、 ROM (Read-only Memory)や RAM (Random— Access Memory)などに代表される記憶媒体などで構成されている。また、入力部 12は、マウスやキーボードやジョイスティックゃトラックボールゃタツチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。 X線透視撮影装置では、被検体 Mを透過した X線を FPD3が検出して、検出された X線に基づ!/、て画像処理部 9で画像処理を行うことで被検体 Mの撮像を行う。

[0030] なお、画像処理部 9は、 X線検出信号に基づいて第 1画像を出力するために X線検出信号に対して第 1画像処理を行う第 1画像処理部 9aと、画素の配置情報を示した画素配置マップおよび第 1画像処理部 9aで第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 2画像を出力するために第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んだ第 2画像処理を行う第 2画像処理部 9bと、第 1画像処理部 9aで第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 3画像を出力するために第 1画像に対して第 3画像処理を行う第 3画像処理部 9cとを備えている（図 1、図 4を参照)。なお、各画像処理部 9a〜9cの具体的な信号処理については、図 4、図 5で後述する。画素配置マップについても、図 7〜図 13で後述する。第 1画像処理部 9aは、この発明における第 1画像処理手段に相当し、第 2画像処理部 9bは、この発明における第 2画像処理手段に相当し、第 3画像処理部 9cは、この発明における第 3画像処理手段に相当する。

[0031] なお、メモリ部 11は、第 1画像処理部 9aで第 1画像処理されて出力された第 1画像を書き込んで記憶する第 1画像用メモリ部 11aと、後述する欠損補正マップや画素配置マップの基となる一様照射画像を記憶する一様照射画像用メモリ部 l ibと備えている（図 1、図 4を参照)。さらに、一様照射画像用メモリ部 l ibは、図 4に示すように、欠損補正マップを記憶する欠損補正マップ用メモリ部 11 Aと画素配置マップを記憶する画素配置マップ用メモリ部 11Bと力なる。

[0032] FPD3は、図 2に示すように、ガラス基板 31と、ガラス基板 31上に形成された薄膜トランジスタ TFTと力も構成されている。薄膜トランジスタ TFTについては、図 2、図 3に示すように、縦'横式 2次元マトリクス状配列でスイッチング素子 32が多数個（例えば、 3072個 X 3072個）形成されており、キャリア収集電極 33ごとにスイッチング素子 32 が互いに分離形成されている。すなわち、 FPD3は、 2次元アレイ放射線検出器でもある。

[0033] 図 2に示すようにキャリア収集電極 33の上には X線感応型半導体 34が積層形成されており、図 2、図 3に示すようにキャリア収集電極 33は、スイッチング素子 32のソース Sに接続されて!、る。ゲートドライバ 35からは複数本のゲートバスライン 36が接続されているとともに、各ゲートバスライン 36はスイッチング素子 32のゲート Gに接続されている。一方、図 3に示すように、電荷信号を収集して 1つに出力するマルチプレクサ 37には増幅器 38を介して複数本のデータバスライン 39が接続されているとともに、図 2、図 3に示すように各データバスライン 39はスイッチング素子 32のドレイン Dに接続されている。

[0034] 図示を省略する共通電極にバイアス電圧を印加した状態で、ゲートバスライン 36の電圧を印加（または OVに）することでスイッチング素子 32のゲートが ONされて、キヤリア収集電極 33は、検出面側で入射した X線カゝら X線感応型半導体 34を介して変換された電荷信号 (キャリア）を、スイッチング素子 32のソース Sとドレイン Dとを介してデータバスライン 39に読み出す。なお、スイッチング素子が ONされるまでは、電荷信号はキャパシタ（図示省略)で暫定的に蓄積されて記憶される。各データバスライン 3 9に読み出された電荷信号を増幅器 38で増幅して、マルチプレクサ 37で 1つの電荷信号にまとめて出力する。出力された電荷信号を AZD変 8でディジタルィ匕して X線検出信号として出力する。

[0035] 次に、本実施例に係る各画像処理部 9a〜9cの一連の信号処理および画素配置マップについて、図 4のブロック図、図 5、図 6、図 12、図 13のフローチャートおよび図 7 〜図 11の説明図を参照して説明する。図 4は、各画像処理部 9a〜9cの具体的な構成および各画像等のデータの流れを示したブロック図であり、図 5は、各画像処理部 9a〜9cによる一連の信号処理を示すフローチャートであり、図 6は、図 5の比較のために用いられる従来の画像処理部による一連の信号処理を示すフローチャートであり、図 7は、一様照射画像力欠損補正マップおよび画素配置マップを作成する流れを示した説明図であり、図 8は、一様照射画像中の欠損画素を模式的に表した説明図であり、図 9は、一様照射画像中の欠損画素および配置すべき画素を模式的に表した説明図であり、図 10は、欠損補正マップを模式的に表した説明図であり、図 11 は、配置画素マップを模式的に表した説明図であり、図 12は、画素配置マップの作成を含んだ一連の前処理を示すフローチャートであり、図 13は、図 5のステップ T1の画素量を減らした欠損補正をより具体的に示したフローチャートである。なお、この処理では、 FPD3から検出された X線検出信号を AZD変 8でディジタルィ匕した後力を例に採って説明する。

[0036] 先ず、従来の画像処理部による一連の信号処理（図 6を参照）について説明する。

[0037] (ステップ S101)オフセット補正

X線を照射していないのにも関わらず暗電流によってオフセット値が画像に重畳される場合がある。そこで、 X線が非照射時のオフセット画像を予め求める。 X線検出信号に基づく原画像力上述したオフセット画像を減算するオフセット補正を行う。

[0038] (ステップ S 102)ゲイン補正

キャパシタ（図示省略)やスイッチング素子 32を構成する検出素子ごとに蓄積される電荷の量にバラツキがあり、それによつて検出素子ごとの X線検出信号に基づく画素の信号レベル (画素値）についてもバラツキがある。力かるバラツキを低減させるために、例えば検出素子ごとの増幅器 (アンプ） 38のゲインをそれぞれ調節して出力側をそろえるゲイン補正を行う。このゲイン補正は『キャリブレーション (校正)』とも呼ばれている。具体的には、増幅後の出力を予め求めて、その出力側がそろうようにゲインを調整する。

[0039] (ステップ S 103)欠損補正

検出素子で検出された画素の信号レベルが周辺の信号レベルと比較して異常に高いあるいは低い場合がある。そこで、力かる場合には周辺の画素値で置換する、あるいは周辺の画素値に基づいて演算された値で補間する欠損補正を行う。

[0040] (ステップ S 104)各種の補正処理

ステップ S101〜S103以外の各種の補正処理を行う。具体的な補正処理としては、例えば、データバスライン 39に沿って生じる漏れ電流を補正するリーク電流補正や、画像全体の上下 Z左右で生じる信号レベル差 (輝度差)の補正や、 FPD3の時間遅れによるラグの補正や、ゲートバスライン 36ごとに異なる値が重畳されるラインノィズの補正や、静電気ノイズの補正などがある。 X線感応型半導体 34や FPD3の個体差などに応じて、上述したステップ S101のオフセット補正、ステップ S102のゲイン補正、ステップ S 103の欠損補正を含めて、補正処理の数や補正処理の種類は異なる。したがって、補正処理の数や補正処理の種類については特に限定されない。また、ステップ S 104の補正処理が不要であれば、ステップ S 104をスキップしてもよい。ステツプ S101〜S104の補正処理は、 FPD3の特性に関する画像処理である。なお、後述するステップ S 105以降の処理は、診断を行いやすくするための画像処理である。

[0041] (ステップ S 105)各種の画像処理

後述するステップ S 106〜S 108以外の各種の画像処理をステップ S 106のガンマ変換の前に行う。具体的な画像処理としては、例えば、デュアルエナジーサブトラクシヨンなどがある。撮像部位や診断目的に応じて、後述するステップ S 106のガンマ変換、ステップ S107の周波数処理、ステップ S108の自動輝度調整を含めて、画像処理の数や画像処理の種類は異なる。したがって、画像処理の数や画像処理の種類についても特に限定されない。また、ステップ S 105の画像処理が不要であれば、ステップ S 105をスキップしてもよい。

[0042] (ステップ S 106)ガンマ変換ガンマ曲線変換を行う。具体的には、モニタやフィルム現像機などの画像出力機器の特性による非直線性を補正したり、特定の輝度範囲のコントラストをつけたりするために信号強度の変換処理を行う。

[0043] (ステップ S 107)周波数処理

撮像部位に応じた空間周波数処理を行う。具体的には、粒状性を悪化させずに、濃淡陰影や形状陰影をバランスよく強調するために、特定の周波数成分を強調したり低下させたりする処理を行う。

[0044] (ステップ S 108)自動輝度調整

欠損画素でなく正常な画素であって、極端に大きな画素値あるいは極端に小さな画素値が存在する場合には、その画素に一致するように、残りの全ての画素について最大値力最小値までの範囲を確定するスケーリングを行う自動輝度調整を行う。

[0045] 上述したステップ S101〜S108に代表される従来の画像処理部による一連の信号処理（図 6を参照)では、最後の画像処理である自動輝度調整が行われた画像が、最終的に得られる X線画像となる。ここで、位置確認を行おうとすると確認可能な画像、すなわち出力表示可能な画像は、全てのステップ S101〜S108で処理が行われた X線画像となる。つまり、位置確認のためには、全てのステップ S101〜S108が終了して初めて画像の確認が可能になる。そこで、本実施例では、図 4に示すようにプレビュー画像を出力表示する。

[0046] 図 4に示すように、画像処理部 9を第 1画像処理部 9aと第 2画像処理部 9bと第 3画像処理部 9cとに分けて、上述した従来のステップ S101〜S108の各画像処理も、各画像処理部 9a〜9cに合わせて第 1画像処理と第 2画像処理と第 3画像処理とに分ける。具体的な分け方の例については、図 5のフローチャートに示す。

[0047] FPD3から検出された X線検出信号に基づいて第 1画像を出力するために、第 1画像処理部 9aは、 FPD3から検出された X線検出信号に対して第 1画像処理を行う。その第 1画像処理部 9aで第 1画像処理されて出力された第 1画像を、コントローラ 10 を介してメモリ部 11の第 1画像用メモリ部 11aに送り込んで、その第 1画像用メモリ部 1 laに第 1画像を書き込むことでー且記憶する。記憶された第 1画像を読み出してコントローラ 10を介して、第 2画像処理部 9bまたは第 3画像処理部 9cに送り込む。第 1 画像に基づいて第 2画像および第 3画像を出力するために、第 2画像処理部 9bは、第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んだ第 2画像処理を行うとともに、第 3画像処理部 9cは、第 1画像に対して第 3画像処理を行う。第 3画像処理部 9cは、その第 3画像を最終的に得られる X線画像とする。これらの出力された第 2画像および第 3画像についてはモニタ 13に出力表示する。なお、必要に応じて第 2画像および第 3画像についても、第 1画像と同様にメモリ部 11に一旦記憶してもよい。また、必要に応じて第 1画像についても、第 2画像および第 3画像と同様にモニタ 13に出力表示してちょい。

[0048] ここで、第 2画像処理では、上述した第 1画像のほかにメモリ部 11の一様照射画像用メモリ部 l ibの画素配置マップ用メモリ部 11Bに記憶された画素配置マップに基づいて第 2画像を出力する。この画素配置マップは画素の配置情報を示している（図 1 1を参照)。

[0049] 本実施例では、画素配置マップは、画素量減少後の画素に配置すべき画素値と画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報とをそれぞれ対応付けた配置情報であつて、第 2画像処理では、第 1画像の画素量を減らした処理を行いつつ、画素配置マップの画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報に対応付けられた各々のこれらの画素値に基づいて、画素量減少後の画素にそれらの画素値をそれぞれ配置する。

[0050] つまり、第 2画像処理では、第 1画像の画素量を減らした処理を行いつつ、画素配置マップの画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報に対応付けられた各々のこれらの画素値に基づいて、画素量減少後の画素にそれらの画素値をそれぞれ配置することで、第 1画像の画素量を減らした欠損補正（図 5のステップ T1および図 13 の各ステップ W1〜W5を参照）を含むことになる。

[0051] また、後述する図 5のフローチャートでも明らかなように、第 3画像処理部 9cによる第 1画像に対する第 3画像処理を、第 2画像処理部 9bによって第 2画像処理されて出力された第 2画像の出力結果の後に行い、その第 3画像処理を第 2画像の出力結果に応じて行うとする。すなわち、第 3画像の確認のために第 2画像を先に出力する。本実施例では、この第 2画像の出力形態の一例として、モニタ 13にプレビュー表示する。

[0052] 先ず、図 5の一連の信号処理について説明する。

[0053] (ステップ S1)オフセット補正

従来のステップ S101と同様なので、その説明を省略する。

[0054] (ステップ S2)ゲイン補正

従来のステップ S 102と同様なので、その説明を省略する。ただし、ステップ SI, S2 までの処理を第 1画像処理部 9aによる第 1画像処理とする。したがって、オフセット補正、ゲイン補正を経て得られた画像が第 1画像となる。この第 1画像を第 1画像用メモリ部 11aにー且記憶する。このステップ SI, S2までの工程は、この発明における第 1 画像処理工程に相当する。上述したように第 3画像処理よりも第 2画像処理を先に行

[0055] (ステップ T1)画素量を減らした欠損補正

第 1画像の画素量を減らした欠損補正を行う。この画素量を減らした欠損補正については、図 13で詳しく後述する。なお、画素量を減らすことで分解能が低い画像が出力される。本実施例では、全体の第 1画像は縦横で 3072 X 3072の画素値の並びからなり、画素量を減らす処理では縦横で 768 X 768の画素値の並び力なる画像を出力する。

[0056] (ステップ T2)各種の補正処理

処理の対象が元の 3072 X 3072の画像でなぐ画素量が減った 768 X 768の画像であることを除けば、従来のステップ S 104と同様なので、その説明を省略する。

[0057] (ステップ T3)画像処理 1

この画素量が減った 768 X 768の画像につ!、ては、元の 3072 X 3072の画像と相違し、位置確認として必要な処理のみを行えばよい。ここでは必要な各種の画像処理として、画像処理 1のみを行う。また、各種の画像処理以降の処理について、ここでは必要な処理として、後述するステップ T4のガンマ変換およびステップ T5の自動輝度調整のみを行う。したがって、従来のステップ S 107の周波数処理についてはスキップする。

[0058] (ステップ T4)ガンマ変換処理の対象が元の 3072 X 3072の画像でなぐ画素量が減った 768 X 768の画像であることを除けば、従来のステップ S 106と同様なので、その説明を省略する。

[0059] (ステップ T5)自動輝度調整

処理の対象が元の 3072 X 3072の画像でなぐ画素量が減った 768 X 768の画像であることを除けば、従来のステップ S 108と同様なので、その説明を省略する。ただし、ステップ T1〜T5までの処理を第 2画像処理部 9bによる第 2画像処理とする。したがって、画素量を減らした欠損補正、各種の補正処理、画像処理ガンマ変換、自動輝度調整を経て得られた画像が第 2画像となる。このステップ T1〜T5までの工程は、この発明における第 2画像処理工程に相当する。

[0060] (ステップ Ml)プレビュー表示

この第 2画像をモニタ 13に出力表示することで、第 3画像の確認のためのプレビュ一表示を行う。この第 2画像の出力結果の後に、第 3画像処理部 9cによる第 3画像処理に相当するステップ U1〜U6を行う。なお、後述するステップ U1〜U6では、 3072 X 3072の第 1画像を処理の対象として説明する。

[0061] (ステップ U1)欠損補正

従来のステップ S 103と同様なので、その説明を省略する。

[0062] (ステップ U2)各種の補正処理

従来のステップ S 104と同様なので、その説明を省略する。

[0063] (ステップ U3)各種の画像処理

従来のステップ S 105と同様なので、その説明を省略する。

[0064] (ステップ U4)ガンマ変換

従来のステップ S 106と同様なので、その説明を省略する。

[0065] (ステップ U5)周波数処理

従来のステップ S 107と同様なので、その説明を省略する。

[0066] (ステップ U6)自動輝度調整

従来のステップ S 108と同様なので、その説明を省略する。ただし、ステップ U1〜U 6までの処理を第 3画像処理部 9cによる第 3画像処理とする。したがって、欠損補正、各種の補正処理、各種の画像処理、ガンマ変換、周波数処理、自動輝度調整を経て得られた画像が第 3画像となる。このステップ U1〜U6までの工程は、この発明における第 3画像処理工程に相当する。

[0067] 次に、画素配置マップや上述したステップ T1の画素量を減らした欠損補正について、図 7〜図 13を参照して説明する。

[0068] (ステップ VI)—様照射画像を求める

図 12のフローチャートに示すように、一様照射画像を求める。図 7に示すように、この一様照射画像の符号を Aとする。一様照射画像 Aは、図 5の各画像処理部 9a〜9 cによる一連の信号処理よりも事前に予め求められる。一様照射画像 Aは、被検体 M を天板 1に載置せずに FPD3全体に一様に X線を照射して得られる画像である。この一様照射画像を一様照射画像用メモリ部 11aに記憶する。

[0069] (ステップ V2)欠損画素の座標を調べる

上述したように、画素の信号レベルが周辺に信号レベルと比較して異常に高いあるいは低い場合がある。力かる場合には、異常に高いあるいは低い信号レベル (すなわち画素値)を有した画素を欠損画素とする。異常に高、あるいは低、画素値を検出する場合には、予め決定された所定値 (閾値)や所定範囲を設定し、対象となる画素値と周辺の画素値との差を求め、その差が閾値を超えたり、あるいは所定範囲外の場合には、対象となる画素値は周辺の画素値と比較して異常に高、あるいは低!ヽとして、その対象となる画素を欠損画素とする。図 8に示すように、この欠損画素の符号を Dとして、ある欠損画素 Dの座標を (X , y )とする。

d d

[0070] 座標（x， y )のように他の欠損画素 Dの座標についても調べたら、これらの欠損画 d d

素 Dの座標に基づ、て、図 7に示すように欠損補正マップ Bおよび画素配置マップ C を作成する。欠損補正マップ Bは、図 10に示すようなマップとなる。

[0071] 本実施例では、図 9に示すように、縦横で 4 X 4の画素値の並びを 1つのグループとして、そのグループにおいて欠損画素 D (ここでは座標 (X , y )の欠損画素）を左上 d d

画素とする。つまり、左上画素を欠損画素 Dの基準としたときに、そのグループにおける周辺の複数（図 9では 15個）の画素に基づ、て左上画素である欠損画素 Dにつヽて欠損補正が行われる。本実施例では、周辺の画素のうちの 1つの画素の画素値で欠損画素の座標に置換することで、欠損補正を行うとする。図 9では、左上画素である欠損画素 Dを右斜線のハッチングで示すとともに、欠損補正で置換の元となる画素 (すなわち欠損画素 Dに配置すべき画素）を左斜線のハッチングで示す。また、図 9 では、配置すべき画素の座標を (X , y )

d+ 1 d+1 とする。

[0072] すると、欠損補正マップ Bは、図 10に示すように、欠損画素 Dの座標 (X , y )に配 d d 置すべき画素の座標 (x , y ) (図 10中の左斜線のノ、ツチングを参照）を示す。そ d + 1 d+1

して、座標 (x , y )を有した配置すべき画素値を欠損画素 Dの座標 (X , y )に d+1 d+ 1 d d 配置することで欠損画素 Dの画素値が配置すべき画素値に置換されて、上述したステツプ U1の欠損補正が行われる。なお、図 10の欠損補正マップ Bでは、欠損画素 D に該当しない正常な画素については『（一，一）』で表す。この欠損補正マップ Bを一様照射画像用メモリ部 11aの欠損補正マップ用メモリ部 11Aに記憶する。座標 (X , y d

)以外の欠損画素 Dについても、欠損補正マップ用メモリ部 11Aに記憶された欠損 d

補正マップ Bを読み出して参照することで、ステップ U1の欠損補正が行われる。

[0073] この欠損補正マップ Bは元の 3072 X 3072の画像と同じ画素値の並びからなるが、一方で、 3072 X 3072の画像から画素量を減らす処理 (以下、『切り出し』と呼ぶ)では縦横で 768 X 768の画素値の並びからなる画像を切り出す。

[0074] (ステップ V3)左上画素の切り出し

このように切り出すには、縦横ともに 4画素ごとに引き出して作成する。図 9に示すように左上画素を基準にして切り出すと、図 11に示すような画素配置マップ Cとなる。具体的には、欠損画素 Dに限らず他の正常な画素についても、縦横で 4 X 4の画素値の並びを 1つのグノレープとして、そのグノレープにおいて左上画素の画素値およびその座標のみを切り出して、同じグループの周辺の画素については切り捨てる。した力 ^sつて、横方向（X方向）に ίま、図 11に示すように、 1, · ··, X , X , X , · ··, 3069 d-4 d d+4

と 768個の x座標が切り出される。そして、縦方向（y方向）には、図 11に示すように、 1, · ··, y , y , y , · ··, 3069と 768個の y座標力 ^切り出される。

d-4 d d + 4

[0075] (ステップ V4)左上画素は欠損？

この一連の切り出しの際には、左上画素が欠損画素 Dである力否かを判断する。もし、正常な画素であるならば、ステップ V5に進む。もし、欠損画素 Dであるならば、ステツプ V6に進む。 [0076] (ステップ V5)左上画素の選択

左上画素が正常な画素であれば、その左上画素を選択して、画素配置マップじに左上画素の座標を書き込む。

[0077] (ステップ V6)それ以外の画素の選択

左上画素が欠損画素 Dであれば、それ以外の正常な画素を選択して、画素配置マップ Cにその画素の座標を書き込む。例えば、図 9に示すように座標 (X , y )を有し d d た欠損画素 Dが左上画素の場合には、その欠損画素 Dと同じグループにおいて座標 (X , y )以外の周辺の画素のうちから、正常な画素を 1つ選択する。図 9では、例 d d

えば座標 (χ , y )を有した配置すべき画素を選択して、その座標 (X , y )を d +1 d +1 d +1 d +1 欠損補正マップ Bの欠損画素 Dの座標 (x , y )の箇所に書き込む。すると、図 11に d d

示すように切り出された画素のうち欠損画素 Dに該当する箇所のみ周辺の画素の座標が書き込まれる（図 11の中の左斜線のハッチングを参照)。

[0078] (ステップ V7)画素配置マップの作成

このようにして、他の画素についても同じ手順で画素配置マップ Cに書き込むことで、画素配置マップ Cを作成する。この画素配置マップ Cを一様照射画像用メモリ部 11 aの画素配置マップ用メモリ部 11Bに記憶する。画素配置マップ用メモリ部 11Bに記憶された画素配置マップ Cを読み出して参照することで、上述したステップ T1の画素量を減らした欠損補正が行われる。このステップ V7の工程は、この発明における画素配置マップ作成工程に相当する。

[0079] このように作成された画素配置マップ Cに基づいて以下のようなステップ T1の画素量を減らした欠損補正を行う。

[0080] (ステップ W1)左上画素の切り出し

図 13のフローチャートに示すように、元の 3072 X 3072の画像から 768 X 768の画像を切り出す。切り出し方法は、ステップ VIでも述べたように縦横ともに 4画素ごとに引き出して作成する。その結果、画像の視野サイズは元の 3072 X 3072の画像と同じで、分解能が低い画像が切り出される。

[0081] (ステップ W2)画素配置マップ Cの参照

上述した画素配置マップ Cを参照する。 [0082] (ステップ W3)画素値の配置

切り出された 768 X 768の画像の各画素は左上画素に該当し、画素配置マップじの各画素にそれぞれ該当する。したがって、画素配置マップ Cの画素値を切り出された画素（すなわち画素量減少後の画素）に配置する。このとき、切り出された欠損画素 D (すなわち画素量減少後の欠損画素）については、画素配置マップ Cにおける置換の元となる画素（すなわち欠損画素 Dに配置すべき画素）の画素値を配置することで、画素量を減らした処理を行いつつ、欠損補正を行うことになる。

[0083] このように、画素配置マップ Cは、 768 X 768の画像に切り出された画素量減少後の画素と画素量減少前の 3072 X 3072の画像のうち 4 X 4の画像からなる 16個（図 9を参照)の画素に基づく位置情報とをそれぞれ対応付けた配置情報である。特に、本実施例では、左上画素が欠損画素 Dでなく正常な画素の場合には、画素量減少後の正常な画素と画素量減少前の 16個の画素のうちの左上画素とをそれぞれ対応付けるとともに、左上画素が欠損画素 Dの場合には、画素量減少後の欠損画素 Dと画素量減少前の 16個の画素のうちの正常な画素とをそれぞれ対応付けて画素配置マツプ Cを構成してヽる。そして画素量減少後の欠損画素 Dに画素量減少前の正常な画素を配置して置換することで、ステップ T1の画素量を減らした欠損補正が行われる。

[0084] 以上のように構成された本実施例によれば、低級機や汎用機のように汎用の演算処理回路を搭載してヽる場合であっても、第 2画像を出力するために第 2画像処理は、第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んでいるので、少なくとも減らした画素量の分だけ第 2画像を出力するまでの時間を低減させることができる。その結果、確認のための画像の出力までの時間を低減させることができる。それによつて、例えば位置確認までの時間を低減させることもできる。その結果、検査効率の向上を図り、被検体 Mへの負担を低減させることもできる。

[0085] ここで、第 2画像処理では、上述した第 1画像のほかに画素配置マップ Cに基づいて第 2画像を出力する。この画素配置マップ Cは、図 11に示すように画素の配置情報を示している。したがって、第 2画像処理において第 1画像のみに基づいて第 2画像を出力するときと比較すると、第 1画像および画素配置マップ Cの双方に基づいて第 2画像を出力するときの方が第 2画像を出力するまでの時間をより一層低減させることができる。その結果、確認のための画像の出力までの時間を低減させることができる。

[0086] 本実施例では、画素配置マップ Cは、画素量減少後の画素に配置すべき画素値と画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報とをそれぞれ対応付けた配置情報であって、上述した第 2画像処理では、第 1画像の画素量を減らした処理 (ステップ W1 の左上画素の切り出しを参照）を行、つつ、画素配置マップ Cの画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報に対応付けられた各々のこれらの画素値に基づいて (ステツプ W2の『画素配置マップの参照』を参照）、画素量減少後の画素にそれらの画素値をそれぞれ配置する (ステップ W3を参照)。つまり、第 2画像処理では、第 1画像の画素量を減らした処理 (ステップ T1を参照）を行、つつ、画素配置マップ Cの画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報に対応付けられた各々のこれらの画素値に基づいて、画素量減少後の画素にそれらの画素値をそれぞれ配置することで、第 1画像の画素量を減らした欠損補正 (ステップ T1)を含むことになる。通常の欠損補正については処理時間が比較的に力かるので、このような画素配置マップ Cに基づく第 2画像処理を行うことで、第 1画像の画素量を減らした欠損補正で得られた第 2画像の出力までの時間を低減させることができる。

[0087] また、本実施例では、図 12のフローチャートのように画素配置マップ Cを図 5のフロ一チャート（各画像処理部 9a〜9cによる一連の信号処理)よりも事前に予め作成することで、第 2画像処理の準備に備えることができる。

[0088] この発明は、上記実施形態に限られることはなぐ下記のように変形実施することができる。

[0089] (1)上述した実施例では、図 1に示すような X線透視撮影装置を例に採って説明したが、この発明は、例えば C型アームに配設された X線透視撮影装置にも適用してもよい。また、この発明は、 X線 CT装置にも適用してもよい。

[0090] (2)上述した実施例では、フラットパネル型 X線検出器 (FPD) 3を例に採って説明したが、通常において用いられる X線検出手段であれば、この発明は適用することができる。

[0091] (3)上述した実施例では、 X線を検出する X線検出器を例に採って説明した力この発明は、 ECT (Emission Computed Tomography)装置のように放射性同位元素（R I)を投与された被検体から放射される y線を検出する γ線検出器に例示されるように、放射線を検出する放射線検出器であれば特に限定されない。同様に、この発明は、上述した ECT装置に例示されるように、放射線を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。

[0092] (4)上述した実施例では、 FPD3は、放射線 (実施例では X線)感応型の半導体を備え、入射した放射線を放射線感応型の半導体で直接的に電荷信号に変換する直接変換型の検出器であつたが、放射線感応型の替わりに光感応型の半導体を備えるとともにシンチレータを備え、入射した放射線をシンチレータで光に変換し、変換された光を光感応型の半導体で電荷信号に変換する間接変換型の検出器であってもよい。

[0093] (5)上述した実施例では、画像処理の途中の段階で、その途中で処理された画像をメモリ部 11などに代表される記憶媒体にー且記憶し、途中の段階までの画像処理を第 1画像処理としたが、記憶媒体に記憶されるよりも前あるいは後の段階までの画像処理を第 1画像処理としてもよい。また、必ずしも画像処理の途中の段階で記憶媒体にー且記憶する必要はな、。

[0094] (6)上述した実施例では、第 2画像の出力をモニタ 13に出力表示してプレビュー表示を行った力第 2画像の出力形態については、モニタ 13でのプレビュー表示に限定されない。例えば、プリンタに出力してもよい。

[0095] (7)上述した実施例では、第 1画像の画素量を減らした処理として、切り出しを例に採って説明したが、例えばキャリアを同時に読み出す、あるいは限られた領域を指定することで画素量を減らすなどのように、画素量を減らす処理であれば、特に限定されない。

[0096] (8)上述した実施例では、第 2画像処理では、第 1画像の画素量を減らした欠損補正を少なくとも含んだが、第 1画像の画素量を減らす処理を少なくとも第 2画像処理で含むのであれば、その第 1画像の画素量を減らす処理については欠損補正に限定されない。例えば、第 1画像の画素量を減らす処理力 Sラグ補正であってもよい。この場合には、第 2画像処理では、第 1画像の画素量を減らしたラグ補正を少なくとも含むことになる。また、第 1画像の画素量を減らす処理の内容に応じてそれに用いられる画素配置マップの形態も異なる。

[0097] (9)上述した実施例では、第 2画像処理では、第 1画像の画素量を減らした欠損補正以外にも他の処理（図 5のステップ T2以降の処理）を含んだ力第 1画像の画素量を減らした欠損補正のみを行った後に第 2画像として出力してもよい。

[0098] (10)上述した実施例では、第 1画像の画素量を減らした欠損補正を、周辺の画素値で置換することで行ったが、周辺の画素値に基づ、て演算された値で補間することで行ってもよい。周辺の画素値に基づいて演算された値で補間する場合には、例えば周辺の画素値の平均値で補間、周辺の画素値の中央値で補間のように、周辺の画素値の統計量に関する演算で補間するのが好ましい。

[0099] (11)上述した実施例では、第 1画像の画素量を減らすのに縦横ともに 4画素ごとに引き出したが、それ以外の画素ごとに引き出してもよい。例えば、縦横ともに 8画素ごとに引き出してもよいし、縦は 8画素、横は 4画素ごとに引き出してもよい。

[0100] (12)上述した実施例では、第 1画像の画素量を減らした欠損補正では、左上画素を欠損画素の基準にして、たが、それ以外の画素を欠損画素の基準としてもょ、。例えば中央画素を欠損画素の基準にしてもよい。

[0101] (13)上述した実施例では、第 1画像の画素量を減らした欠損補正では、グループにおける正常な画素を 1つ選択して置換した力そのグループに正常な画素が 1つもない場合には、それ以外のグループで欠損画素にもっとも近接した正常な画素を選択して置換してもよヽ。補間することで欠損補正を行う場合も同様である。

産業上の利用可能性

[0102] 以上のように、この発明は、低級機や汎用機のように汎用の演算処理回路を搭載して、る放射線撮像装置に適して、る。

Claims

請求の範囲

[1] 放射線検出信号に基づ、て放射線画像を得る放射線撮像装置であって、被検体に向けて放射線を照射する放射線照射手段と、被検体を透過した放射線を検出する放射線検出手段と、放射線検出手段から検出された放射線検出信号に基づいて第 1画像を出力するために放射線検出信号に対して第 1画像処理を行う第 1画像処理手段と、画素の配置情報を示した画素配置マップおよび第 1画像処理手段で第 1 画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 2画像を出力するために第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んだ第 2画像処理を行う第 2画像処理手段と、第 1画像処理手段で第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 3画像を出力するために第 1画像に対して第 3画像処理を行い、その第 3画像を最終的に得られる放射線画像とする第 3画像処理手段とを備えていることを特徴とする放射線撮像装置。

[2] 請求項 1に記載の放射線撮像装置にお！ヽて、前記画素配置マップは、画素量減少後の画素に配置すべき画素値と画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報とをそれぞれ対応付けた配置情報であって、前記第 2画像処理では、前記第 1画像の画素量を減らした処理を行いつつ、画素配置マップの画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報に対応付けられた各々の前記画素値に基づいて、画素量減少後の画素にそれらの画素値をそれぞれ配置するように、前記第 2画像処理手段を構成することを特徴とする放射線撮像装置。

[3] 被検体を照射して検出された放射線検出信号に基づ!、て放射線画像を得る信号処理を行う放射線検出信号処理方法であって、前記信号処理は、放射線検出信号に基づいて第 1画像を出力するために放射線検出信号に対して第 1画像処理を行う第 1画像処理工程と、画素の配置情報を示した画素配置マップおよび第 1画像処理工程で第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 2画像を出力するために第 1画像の画素量を減らした処理を少なくとも含んだ第 2画像処理を行う第 2画像処理工程と、第 2画像処理工程で第 2画像処理されて出力された第 2画像の出力結果の後に、第 1画像処理手段で第 1画像処理されて出力された第 1画像に基づいて第 3画像を出力するために第 1画像に対して第 3画像処理を第 2画像の出力結果に応じて行い、その第 3画像を最終的に得られる放射線画像とする第 3画像処理工程とを備えてヽることを特徴とする放射線検出信号処理方法。

[4] 請求項 3に記載の放射線検出信号処理方法にお、て、前記信号処理は、前記画素配置マップを作成する画素配置マップ作成工程をさらに備えていることを特徴する放射線検出信号処理方法。

[5] 請求項 3または請求項 4に記載の放射線検出信号処理方法において、前記画素配置マップは、画素量減少後の画素に配置すべき画素値と画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報とをそれぞれ対応付けた配置情報であって、前記第 2画像処理工程では、前記第 1画像の画素量を減らした処理を行いつつ、画素配置マップの画素量減少前の複数の画素に基づく位置情報に対応付けられた各々の前記画素値に基づ!/ヽて、画素量減少後の画素にそれらの画素値をそれぞれ配置することを特徴とする放射線検出信号処理方法。