WO2007045387A1 - Sputtertarget aus mehrkomponentigen legierungen und h erstellverfahren - Google Patents

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WO2007045387A1
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sputtering
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Martin Schlott
Hans-Joachim Pavel
Markus Schultheis
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W.C. Heraeus Gmbh
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Definitions

  • the invention relates to a sputtering target made of a material containing at least two phases or components, wherein at least one phase or component has a grain structure. Furthermore, the invention relates to processes for its preparation and its use.
  • powder-metallurgical mixtures and alloys with precipitations of a second phase have recently also been increasingly used as so-called sputtering targets for the production of TFT LCD displays.
  • sputtering targets for the production of TFT LCD displays.
  • Preferred powder metallurgical processes for the production of such planar targets are, in the case of one-component materials, sintering and subsequent rolling or the hot-static pressing and sawing of large blocks.
  • Such tube targets are produced either by thermal spraying (Si, Sn, Zn 1 ) or by casting methods (Sn, Zn, Ag).
  • thermal spraying Si, Sn, Zn 1
  • casting methods Sn, Zn, Ag
  • the sputtering targets do not release particles, as this can lead to failure of individual pixels.
  • multicomponent sputtering targets there is basically the problem that individual phases may under certain circumstances be poorly integrated into the matrix. Since the sputtering rates of the individual phase components are usually different, a hilly landscape forms on the target surface. The slower sputtering areas form the mountains and the faster sputtering areas are eroded into valleys. This can lead to the removal of the target during sputtering again and again cause individual phase components are exposed very far.
  • the object of the present invention is to develop sputtering targets on the basis of various multicomponent or multiphase materials, ie those which do not form "real" alloys or mixed crystals (for example for the TFT display coating), the structure of which is formed in this way is that during the removal during sputtering as possible no product deteriorating the deteriorating particles form.
  • the grain structure of at least one phase has (in a transverse section parallel to the strongest deformation) a diameter ratio of the largest diameter to perpendicular diameter greater than 2, preferably greater than 6, and the material has a density of at least 98%, preferably at least 99% of the theoretical density , It is advantageous that the smaller diameter of the grains of at least one phase is less than 50 ⁇ m, preferably less than 20 ⁇ m, in particular less than 5 ⁇ m.
  • the material may be multiphase or a mixture of several components, wherein the at least one phase or component is preferably at most 20% by weight.
  • the material is formed on the basis of Cu or Ag and that contains at least one poorly soluble phase of at least one of the elements Cr, Mo, W, Ti or that the material is formed on the basis of Mo and the at least one poorly soluble phase contains at least one of the elements Cr, Ti, V, W, Nb, Ta.
  • the sputtering target preferably has a length of at least 500 mm.
  • the first compaction can be carried out by hot isostatic pressing and the forming by extruding, extruding or flow molding.
  • the first Compression to a block by hot isostatic pressing (HIP) and the forming by rolling is characterized in that the compression takes place by hot isostatic pressing in a HIP capsule and rolling in the HIP capsule.
  • a second step the blocks, solid or hollow cylinder are now subjected to a strong transformation.
  • a generally multi-stage rolling process is chosen.
  • tube targets may be flow-formed or extruded.
  • this forming step results in an intensive welding of the different phase components.
  • the grain size is reduced by forming and possible pores and voids closed.
  • FIG. 1 shows a transverse section along the direction of deformation for a Cu: Mo target produced according to the invention in accordance with Example 6.
  • the Cu grains stretched in the direction of transformation are readily recognizable.
  • the resulting formed structure showed strongly elongated (cigar-shaped) grains of Al with small precipitates of AINd intermetallic phase. Depending on the forming process lenticular grains are generally available.
  • the diameter of the Al-Nd phases perpendicular to the pressing direction was in the range of less than 10 ⁇ m.
  • D 1 I 20mm and machined.
  • the resulting rejuvenation showed elongated (cigar-shaped) partially recrystallized grains of Ag with embedded Cr phases.
  • Example 4 Analogously to Example 3, with Cu: Mo and Cu: W, Mo: Cr, Mo: Nb and Mo: Ti, and Ag: Mo, Ag: W, Ag: Cr, Ag: Ti for alloy constituents Mo, W, Nb, Cr, Ti in the range of less than 20% by weight.
  • This block was then rolled by longitudinal and transverse rollers at 450 0 C to a 16mm thick plate of about 2500mm x 500mm size. From this plate a 2400mm x 390mm x 12mm large target was made.
  • the microstructure of this plate was characterized by partially recrystallized elongated (cigar-shaped) Cu grains and Mo particles firmly welded therein (FIG. 1).
  • the target plate could be used to coat TFT-LCD substrates without any noticeable particle rates.
  • Example 6 Analogous to Example 6 with Cu: Cr, Cu: W, Mo: Cr, Mo: Nb and Mo: Ti, Ag: Mo, Ag: W, Ag: Ti for alloying moieties Mo, W, Nb, Cr, Ti im Range of less than 20% by weight.
  • Comparative Example A powder mixture of 97% by weight of Cu and 3% by weight of Mo was first compressed by cold isostatic pressing to give a parallelepiped-like block with 100 mm ⁇ 500 mm ⁇ 1500 mm edge length. Subsequently, the block was densified by HIP at 750 0 C and 1000bar to more than 99%. The structure consisted of grains that have essentially the original equiaxed grain shape. This block was then sawed into 16mm thick plates. From these plates two segments of 1200mm x 390mm x 12mm each were made and bonded to a 2400mm long target. The target plate started after a short time to release about ten times more particles than in the example of the invention, so that it was not suitable for use in TFT-LCD processes. The particles consisted predominantly of Mo.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Sputtertarget aus einem mindestens zwei Phasen oder Komponenten enthaltenden Material, wobei mindestens eine Phase eine Kornstruktur aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Kornstruktur mindestens einer Phase ein Durchmesserverhältnis von größtem Durchmesser zu dazu senkrechtem Durchmesser von größer 2 und das Material eine Dichte von mindestens 98% der theoretischen Dichte aufweist. Desweiteren betrifft die Erfindung Herstellverfahren für ein Sputtertarget.

Description

Sputtertarget aus mehrkomponentigen Legierungen und H erste 11 verfahren
Die Erfindung betrifft ein Sputtertarget aus einem mindestens zwei Phasen oder Komponenten enthaltenden Material, wobei mindestens eine Phase oder Komponente eine Kornstruktur aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung Verfahren zu seiner Herstellung sowie seine Verwendung.
Neben einkomponentigen Werkstoffe wie AI, Ti, Mo und Cr werden zur Herstellung von TFT- LCD Displays jüngst auch vermehrt pulvermetallurgische Mischungen sowie Legierungen mit Ausscheidungen einer zweiten Phase als sogenannte Sputtertargets eingesetzt z.B. EP1559801 ). Bei diesem Vakuum-Beschichtungsverfahren wurden bisher überwiegend ein- komponentige Sputtertargets eingesetzt, um die entsprechenden Schichten (z.B. zur Strukturierung von Source-, Drain- und Gatekontakten oder für reflektive/teilreflektive Anwendungen) herzustellen. Bevorzugte pulvermetallurgische Verfahren zur Herstellung solcher Planartargets sind bei einkomponentigen Werkstoffen das Sintern und anschließende Walzen oder das heißi- sostatische Pressen und Zersägen von großen Blöcken.
Die ständig steigende Größe der Substrate für TFT Displays macht es erforderlich, auch immer größere Sputterkathoden zur Verfügung zu stellen. Dies führt zu einer Reihe von Problemen. Zum Beispiel wird es immer schwieriger, entsprechend große Targetplatten (bis zu 2,5x3m) auf pulvermetallurgischem Wege einteilig zu fertigen, da entsprechende HIP-Anlagen nicht mehr zur Verfügung stehen. Aus anderen Anwendungen (Architekturglas) ist der Einsatz von Rohrkathoden oder auch zylinderförmigen Magnetrons bekannt. Hierbei werden die abzusputtemden Targetwerkstoffe in Form von Hohlzylindern entweder in monolithischer Form (d.h. ohne Trägerrohr) oder als gebondete Konstruktion (d.h. mit Trägerrohr) hergestellt. Für diese Anwendung kommen bisher vor allem Si, Sn, Zn und Ag zum Einsatz. Solche Rohrtargets werden entweder durch thermisches Spritzen (Si, Sn, Zn1) oder durch Gießverfahren (Sn, Zn, Ag) hergestellt. Bei der Herstellung der TFT-Displays ist es sehr wichtig, dass die Sputtertargets keine Partikel freisetzen, da dies zu Ausfällen einzelner Bildunkte (Pixel) führen kann. Bei mehrkomponenti- gen Sputtertargets besteht grundsätzlich das Problem, dass einzelne Phasen unter Umständen schlecht in die Matrix eingebunden sind. Da die Sputterraten der einzelnen Phasenbestandteile in der Regel unterschiedlich sind, bildet sich auf der Targetoberfläche eine Hügellandschaft heraus. Die langsamer sputtemden Bereiche formen die Berge und die schneller sputternden Bereiche werden zu Tälern erodiert. Dies kann dann beim Abtragen des Targets während des Sputterns immer wieder dazu führen, dass einzelne Phasenbestandteile sehr weit freigelegt werden. Wenn nun die Anbindung dieser Bestandteile unzureichend ist, besteht die Gefahr, dass diese Bereiche schließlich herausbrechen. Außerdem kann es bei zu grobem Gefüge passieren, dass die entstehende Berg- und Tallandschaft so ausgeprägt wird, dass die Flanken der Berge von den Tälern aus rückbeschichtet werden. Dieser Effekt ist z.B. bei Materialkombinationen mit sehr unterschiedlicher Atommasse wie z.B. Mo-Si oder Au-W bekannt. Diese Rückbe- schichtungen können ihrerseits wiederum abplatzen und somit Partikel bilden. Dies Rückbe- schichtungen können auch zunächst dazu führen, dass die Berge zu kegelförmigen Gebilden heranwachsen und dann irgendwann so groß werden, dass sich kleine lokale Entladungen bilden, die wiederum Partikel erzeugen.
Ein weiteres Problem besteht beim Einsatz gegossener Targets. Bei der Erstarrung bilden sich oft grobe Gefüge mit Ausscheidungen einer zweiten Phase. Dies kann dann über die oben beschriebenen Mechanismen wiederum zu entsprechender Partikelerzeugung führen. Außerdem besteht bei einem Gussgefüge immer die Gefahr, dass sich mikroskopische Poren oder auch größere Lunker bilden. Diese sind ebenfalls als Quelle von Partikeln bekannt.
Außerdem ist in der Technik z.B, für die Herstellung von Mo- oder Cr-Targets das heißisostati- sche Pressen (HIP) von Blöcken bekannt, die dann anschließend in entsprechende Platten zersägt werden. Der Nachteil dieser HIP-Verfahren bei mehrkomponentigen Targets ist jedoch häufig, dass eine schlechte Bindung zwischen unterschiedlichen Phasenbestandteilen des Pulver erzeugt wird, wenn die eingesetzten Komponenten kaum oder gar keine gegenseitige Löslichkeit besitzen. In diesem Fall gibt es keine echte intergranulare Diffusion und damit auch keine ausreichende Kornbindung. Die unterschiedlichen Pulverkomponenten sind also nicht innig miteinander verbunden. Außerdem ergibt sich eine Korngröße, die nicht feiner sein kann als die der Ausgangspulver. Häufig setzt sogar eine Vergröberung wegen des Kornwachstums unter der Temperatureinwirkung des HIP-Prozesses ein. Hier setzt die Erfindung an. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, Sputtertargets auf der Basis verschiedener mehr- komponentiger bzw. mehrphasiger Werkstoffe, also solcher, die keine „echten" Legierungen bzw. Mischkristalle bilden zu entwickeln (z.B. für die TFT-Display-Beschichtung), deren Gefüge so ausgebildet ist, dass sich beim Abtrag während das Sputterns möglichst keine die Produktausbeute verschlechternden Partikel bilden.
Die Aufgabe wird durch die unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen. Die Kornstruktur mindestens einer Phase weist (in einem Querschliff parallel zur stärksten Umformung) ein Durchmesserverhältnis von größtem Durchmesser zu dazu senkrechtem Durchmesser von größer 2, vorzugsweise größer 6, und das Material eine Dichte von mindestens 98%, vorzugsweise mindestens 99% der theoretischen Dichte auf. Von Vorteil ist es, dass der kleinere Durchmesser der Körner mindestens einer Phase kleiner 50μm, bevorzugt kleiner 20μm, insbesondere kleiner 5μm ist. Das Material kann insbesondere mehrphasig oder als Mischung mehrerer Komponenten ausgebildet sein, wobei die mindestens eine Phase oder Komponente bevorzugt maximal 20 Gew% beträgt. Vorteilhaft ist es, dass das Material auf der Basis von Cu oder Ag gebildet ist und die mindestens eine schwer lösliche Phase mindestens eines der Elemente Cr, Mo, W, Ti enthält oder dass das Material auf der Basis von Mo gebildet ist und die mindestens eine schwer lösliche Phase mindestens eines der Elemente Cr, Ti, V, W, Nb, Ta enthält. Das Sputtertarget weist vorzugsweise eine Länge von mindestens 500mm auf.
Ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung von Rohrtargets ist dadurch gekennzeichnet, dass aus Targetmaterial in einem ersten Schritt ein oder mehrere Voll- oder Hohlzylinder hergestellt werden und in einem zweiten Schritt durch Umformung aus diesem Material Targetrohre gefertigt werden mit einem Umformverhältnis (definiert als 1 - Fe/Fa in Prozent; Fe= End- querschnittsfläche des Materials, Fa= Ausgangsquerschnittsfläche des Materials, senkrecht zur Umformrichtung) von mindestens 50%. Dabei kann die erste Verdichtung durch heißisostati- sches Pressen erfolgen und die Umformung durch Strangpressen, Extrudieren oder Flowfor- men.
Ein weiteres erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung von Planartargets ist dadurch gekennzeichnet, dass aus Targetmaterial in einem ersten Schritt ein oder mehrere Blöcke hergestellt werden und in einem zweiten Schritt durch Umformung aus diesem Material Targetplatten gefertigt werden mit einem Umformverhältnis (definiert als 1 - Fe/Fa in Prozent; Fe= Endquer- schnittsfläche, Fa= Ausgangsquerschnittsfläche) von mindestens 50%. Dabei kann die erste Verdichtung zu einem Block durch heißisostatisches Pressen (HIP) erfolgen und die Umformung durch Walzen. Eine vorteilhafte Verfahrensführung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Verdichtung durch heißisostatisches Pressen in einer HIP-Kapsel und das Walzen in der HIP- Kapsel erfolgt.
Es wurde also gefunden, dass es möglich ist, nach einer ersten Vorverdichtung der Pulver in einem zweiten Schritt die Pulverbindung zu erhöhen und zugleich die Korngröße zu verringern. Zur Vorverdichtung der Pulvern zu Blöcken, Voll- oder Hohlzylindern kommen hierbei die bekannten Pressverfahren wir Kaltpressen, kaltisostatisches Pressen, Sintern, Heißpressen, HIP oder auch andere Verfahren wie das Sprühkompaktieren etc. sowie entsprechende Kombinationen in Betracht. Hier ist je nach Werkstoffkombination nach entsprechenden Vorversuchen ein geeignetes Verfahren zu wählen. Soweit mehrphasige Materialien eingesetzt werden, die gießtechnisch herstellbar sind, kommt als erster Schritt auch das Gießen entsprechender Blöcke, Voll- oder Hohlzylinder in Frage. Das sich hierbei ergebende Gefüge ist wegen des hohen Materialbedarfs und der sich ergebenden langsamen Abkühlgeschwindigkeit in der Regel sehr grob. Außerdem besteht die Gefahr, dass sich mikroskopische Poren oder auch größere Lunker bilden.
In einem zweiten Schritt werden die Blöcke, Voll- oder Hohlzylinder nun einer starken Umformung unterworfen. Für Platten wird ein in der Regel mehrstufiger Walzprozess gewählt. Für Rohretargets kommen je nach Material sowohl das Flowformen als auch Strangpressen in Frage. Bei diesem Umformschritt ergibt sich eine intensive Verschweißung der unterschiedlichen Phasenbestandteile. Außerdem wird durch die Umformung die Korngröße verringert und eventuelle Poren und Lunker geschlossen.
Damit ist es möglich, Sputtertargets mit möglichst hoher Dichte in Form von großformatigen, einteiligen Platten oder langen, dickwandigen Rohren auf der Basis mehrphasiger Werkstoffe, bevorzugt auf Basis von W, Mo, Ta, Nb, Cr, V, Ti, Cu, Ni, AI, Ag, Au, Pt, Ru, besonders Cu:Mo, Cu:W, Au:Cr, Ag:Mo, Ag:W, Ag:Ti, Mo:W, Mo:Cr, Mo:Nb, Mo.Ti herzustellen zur Beschichtung großformatiger Substrate z.B. für TFT-LCD Bildschirme. Daraus ergibt sich eine lange und partikelarme Nutzungsdauer der Sputtertargets.
Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung beschrieben. In der Zeichnung zeigt Figur 1 einen Querschliff entlang der Verformungsrichtung für ein erfindungsgemäß hergestelltes Cu:Mo Target gemäß Beispeil 6. Man erkennt gut die in Umformrichtung gestreckten Cu-Körner.
1) Eine Vollzylinder mit einem Durchmesser Da= 300mm und einer Länge L= 400mm wurde aus einer Legierung aus 98 Atom% AI und 2 Atom% Nd in einem Vakuumgießverfahren hergestellt. Anschließend wurde ein Innenloch mit einem Durchmesser D1=I 20mm gebohrt. Der erhaltene Hohlzylinder wurde durch Strangpressen bei 4000C zu einem Rohrrohling mit D3= 157mm und D1=I 22mm umgeformt. Das erhaltene Umformgefüge zeigte stark längliche (zigarrenförmige) Körner aus AI mit kleinen Ausscheidungen an intermetallischer AINd-Phase. Je nach Umformverfahren sind grundsätzlich auch linsenförmige Körner erhältlich. Der Durchmesser der Al-Nd Phasen senkrecht zur Pressrichtung lag im Bereich kleiner 10μm.
Aus dem so geformten Rohr wurde ein monlytisches (=trägerrohrloses) Targetrohr gedreht mit den Abmessungen D3= 153mm, D1=I 24mm und L=2400mm und im Sputter- betrieb getestet. Es ergaben sich vergleichbare Partikelraten (abgeschiedene Partikel pro Flächeneinheit) wie für die bereits in der Technik bekannten Planartargets.
2) Eine Pulvermischung aus 99 Gew% Ag und 1 Gew% Cr wurde zunächst durch kalti- sostatisches Pressen zu einem Zylinderblock mit Da=300mm und L=400mm verpresst. Dieser Zylinder wurde wie in Beispiel 1 zu einem Hohlzyinder mit Da=300mm,
D1=I 20mm und bearbeitet. Der erhaltene Hohlzylinder wurde durch Strangpressen bei 5000C zu einem Rohrrohling mit D3= 157mm und D,=122mm umgeformt. Das erhaltene Umfromgefüge zeigte längliche (zigarrenförmige) teilrekristallisierte Körner aus Ag mit eingebetteten Cr-Phasen.
Aus dem so geformten Rohr wurde ein monlytisches (= trägerrohrloses) Targetrohr mit den Abmessungen D3= 153mm, D1=I 24mm und L=2400mm gedreht und im Sputter- betrieb getestet. Es ergab sich ein äußerst partikelarmer Sputterbetrieb.
3) Eine Pulvermischung aus 96 Gew% Cu und 4 Gew% Cr wurde zunächst durch kalti- sostatisches Pressen zu einem Zylinderblock mit D3=330mm und L=500mm verpresst. Anschließend wurde der Zylinder durch HIP bei 750°C und 1000bar zu mehr als 99% seiner theoretischen Dichte verdichtet. Das Gefüge bestand aus Körnern, die im wesentlichen die ursprüngliche gleichachsige Kornform aufwiesen.
Dieser Zylinder wurde anschließend zu einem Rohrrohling mit D3=I 57mm, D,=122mm durch Strangpressen bei 4500C geformt. Aus diesem Rohrkörper wurde ein 2400mm langes monolitisches Targetrohr gearbeitet. Das Gefüge dieses Rohres zeichnete sich durch teilrekristallisierte längliche (zigarrenförmige) Cu-Körner sowie darin fest verschweißte Cr-Partikel aus. Das Targetrohr konnte ohne auffällige Partikelraten zum Beschichten von TFT-LCD-Substraten eingesetzt werden.
4) Analog Beispiel 3 mit Cu:Mo und Cu:W, Mo:Cr, Mo:Nb und Mo:Ti, sowie Ag:Mo, Ag:W, Ag:Cr, Ag:Ti für Legierungsanteile Mo, W, Nb, Cr, Ti im Bereich von jeweils kleiner 20 Gew%.
5) Vergleichsbeispiel: Eine Pulvermischung aus 96 Gew% Cu und 4 Gew% Cr wurde zunächst durch kaltisostatisches Pressen zu einem Zylinderblock mit Da=170mm und L=1000mm verpresst. Anschließend wurde der Zylinder durch HIP bei 75O0C und 1000bar zu mehr als 99% seiner theoretischen Dichte verdichtet. Das Gefüge bestand aus Körnern, die im wesentlichen die ursprüngliche gleichachsige Kornform aufwiesen. Dieser Zylinder wurde zu einem Targethohlzyinder mit Da=153mm, D1=I 35mm und L=800mm in üblicher Weise spanabhebend bearbeitet. Zwei so gefertigte Targetzylinder wurden auf ein Trägerrohr aufgelötet und gesputtert. Es zeigte sich, dass die Cr-Partikel beim Sputtern zum Herausbrechen neigen und so eine erhöhte Partikelrate entstand. Diese Partikel führen z.B. bei der Herstellung von Kontakten und Leiterbahnen von TFT- LCD Substraten zu Schäden an einzelnen Pixeln und somit zu einer verringerten Ausbeute.
6) Eine Pulvermischung aus 97 Gew% Cu und 3 Gew% Mo wurde zunächst durch kaltisostatisches Pressen zu einem quaderähnlichen Block mit 250mm x 250mm x 500mm Kantenlänge verpresst. Anschließend wurde der Block durch HIP bei 75O0C und 1000bar zu mehr als 99% verdichtet. Das Gefüge bestand aus Körnern, die im wesentlichen die ursprüngliche gleichachsige Kornform aufwiesen.
Dieser Block wurde anschließend über Längs- und Querwalzen bei 4500C zu einer 16mm dicken Platte von ca. 2500mm x 500mm Größe ausgewalzt. Aus dieser Platte wurde ein 2400mm x 390mm x 12mm großes Target gefertig. Das Gefüge dieser Platte zeichnete sich durch teilrekristallisierte längliche (zigarrenförmige) Cu-Körner sowie darin fest verschweißte Mo-Partikel aus (Figur 1 ). Die Targetplatte konnte ohne auffällige Partikelraten zum Beschichten von TFT-LCD-Substraten eingesetzt werden.
7) Analog zu Beispiel 6 mit Cu:Cr, Cu:W, Mo:Cr, Mo:Nb und Mo:Ti, Ag:Mo, Ag:W, Ag:Ti für Legierungsanteile Mo, W, Nb, Cr, Ti im Bereich von jeweils kleiner 20 Gew%.
8) Vergleichsbeispiel: Eine Pulvermischung aus 97 Gew% Cu und 3 Gew% Mo wurde zunächst durch kaltisostatisches Pressen zu einem quaderähnlichen Block mit 100mm x 500mm x 1500mm Kantenlänge verpresst. Anschließend wurde der Block durch HIP bei 7500C und 1000bar zu mehr als 99% verdichtet. Das Gefüge bestand aus Körnern, die im wesentlichen die ursprüngliche gleichachsige Kornform aufwiesen. Dieser Block wurde anschließend in 16mm dicke Platten gesägt. Aus diesen Platten wurden zwei Segmente zu je 1200mm x 390mm x 12mm gefertig und zu einem 2400mm langen Target gebondet. Die Targetplatte fing nach kurzer Zeit an, ca. zehnmal mehr Partikel freizusetzen als im erfindungsgemäßen Beispiel, so dass sie nicht zum Einsatz für TFT-LCD Prozesse geeignet war. Die Partikel bestanden überwiegend aus Mo.

Claims

Patentansprüche
1. Sputtertarget aus einem mindestens zwei Phasen oder Komponenten enthaltenden Material, wobei mindestens eine Phase eine Kornstruktur aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Kornstruktur mindestens einer Phase ein Durchmesserverhältnis von größtem Durchmesser zu dazu senkrechtem Durchmesser von größer 2 und das Material eine Dichte von mindestens 98% der theoretischen Dichte aufweist.
2. Sputtertarget nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass das Durchmesserverhältnis größer 6 ist.
3. Sputtertarget nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Material eine Dichte von mindestens 99% der theoretischen Dichte aufweist.
4. Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der kleinere Durchmesser der Körner mindestens einer Phase kleiner 50μm, bevorzugt kleiner 20μm, insbesondere kleiner 5μm ist.
5. Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Material mehrphasig oder als Mischung mehrerer Komponenten ausgebildet ist.
6. Sputtertarget nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Material auf der Basis von Metallen aus der Gruppe W, Mo, Ta, Nb, Cr, V, Ti, Cu, Ni, AI, Ag, Au, Pt, Ru gebildet ist.
7. Sputtertarget nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Phase oder Komponente in Form von schwer löslichen Phasenanteilen vorliegt.
8. Sputtertarget nach Anspruch 5 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die mindestens eine Phase oder Komponente maximal 20 Gew% beträgt.
9. Sputtertarget nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Material auf der Basis von Cu oder Ag gebildet ist und die mindestens eine schwer lösliche Phase mindestens eines der Elemente Cr, Mo, W, Ti enthält.
10. Sputtertarget nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Material auf der Basis von Mo gebildet ist und die mindestens eine schwer lösliche Phase mindestens eines der Elemente Cr, Ti, V, W, Nb, Ta enthält.
1 1. Sputtertarget nach einem der anspüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass es eine Länge von mindestens 500mm aufweist.
12. Verfahren zur Herstellung eines rohrförmigen Sputtertargets, dadurch gekennzeichnet, dass aus Targetmaterial in einem ersten Schritt ein oder mehrere Voll- oder Hohlzylinder hergestellt werden und in einem zweiten Schritt durch Umformung aus diesem Material Targetrohre gefertigt werden mit einem Umformverhältnis von mindestens 50%.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Verdichtung durch heißisostatisches Pressen erfolgt.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Umformung durch Strangpressen, Extrudieren oder Flowformen erfolgt.
15. Verfahren zur Herstellung eines planaren Sputtertargets, dadurch gekennzeichnet, dass aus Targetmaterial in einem ersten Schritt ein oder mehrere Blöcke hergestellt werden und in einem zweiten Schritt durch Umformung aus diesem Material Targetplatten gefertigt werden mit einem Umformverhältnis von mindestens 50%.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Verdichtung zu einem Block durch heißisostatisches Pressen erfolgt.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Umformung durch Walzen erfolgt.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdichtung durch heißisostatisches Pressen in einer HIP-Kapsel und das Walzen in der HIP-Kapsel erfolgt.
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