WO2007020915A1 - 金属錯体を含む発光材料及びそれを用いた光電素子 - Google Patents

金属錯体を含む発光材料及びそれを用いた光電素子 Download PDF

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WO2007020915A1
WO2007020915A1 PCT/JP2006/316019 JP2006316019W WO2007020915A1 WO 2007020915 A1 WO2007020915 A1 WO 2007020915A1 JP 2006316019 W JP2006316019 W JP 2006316019W WO 2007020915 A1 WO2007020915 A1 WO 2007020915A1
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Taro Tsubomura
Chizu Sekine
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Sumitomo Chemical Company, Limited
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    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a photoelectric element such as an organic-electric luminescent element used for a display element or a photoelectric conversion element used for a solar cell, and a material used therefor.
  • Non-Patent Document 1 As a light-emitting material used for the light-emitting layer of an organic electoluminescence (EL) light-emitting element, a metal complex that exhibits light emission such as triplet excited state force has been studied, and an ortho-metal complex with Ir as a central metal. Is known to exhibit high luminous efficiency (Non-Patent Document 1).
  • a heavy transition metal that emits phosphorescence at room temperature at least one mono-on bidentate transition metal, a carbon coordination bond ligand, and at least one non-mono-on bidentate transition metal —Substantially ionic organometallic compounds composed of carbon coordination-binding ligands are known (Patent Document 1).
  • Patent Document 2 A platinum complex in which only one bidentate ligand containing a phosphorus atom is coordinated to Pt (II) is also known (Patent Document 2).
  • Non-patent literature 1 APPLIED PHYSICS LETTERS, 75, 1, 4, (1999)
  • Patent literature l WO02Zl5645 Al
  • Patent Document 2 WO2005Z056712 Al
  • ortho-metal complexes containing Ir as a central metal are difficult to synthesize, such as requiring high temperatures during synthesis, and the yield is low, so these complexes and materials containing them are available in large quantities. There was a problem that it was not easy to do.
  • An object of the present invention is to provide a metal complex material that is easy to synthesize and obtains good photoelectric characteristics, and a photoelectric device using the same. Means for solving the problem
  • the present invention is as follows.
  • composition comprising a neutral metal complex and a charge transporting material having a structure represented by the following general formula (1) as a partial structure and having at least two multidentate ligands; Alternatively, a material characterized in that it is a polymer containing in its molecule the residue of the metal complex and the residue of the charge transport material.
  • ⁇ represents a transition metal or a lanthanoid.
  • Arl and Ar2 each independently represent a divalent aromatic ring which may have a substituent, and X and X each independently represent P (Ar3) (Ar4)
  • Ar3 and Ar4 each independently represent a monovalent aromatic ring optionally having a substituent.
  • a broken line in the above formula represents a coordinate bond between a polydentate ligand and a metal.
  • the material according to 1. above which is a composition comprising a metal complex having the structure represented by the general formula (1) as a partial structure and a charge transporting material.
  • the material according to 1. above which is a polymer containing in its molecule a residue of a metal complex having a structure represented by the general formula (1) as a partial structure and a residue of a charge transporting material.
  • the charge transporting material is a polymer containing in its molecule a residue of a metal complex having a structure represented by the general formula (1) as a partial structure and a residue of a charge transporting material. 4. Material as described above.
  • the material described in 6 or 8 above, and further, a hole transport material, an electron transport material, and light emission A material comprising at least one material selected from a group consisting of materials.
  • a mixture comprising the material described in 7 or 9 above and at least one material selected from the group consisting of a hole transport material, an electron transport material and a light emitting material. Material.
  • the charge transporting material is an aromatic amine, strong rubazole derivative, polyparaphenylene derivative, oxadiazole derivative, anthraquinodimethane or derivative thereof, benzoquinone or derivative thereof, naphthoquinone or derivative thereof, anthraquinone or derivative thereof, Tetracyananthraquinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, and host molecules used in low-molecular organic EL devices.
  • the polymer is an aromatic amine, strong rubazole derivative, polyparaphenylene derivative, oxadiazole derivative, anthraquinodimethane or derivative thereof, benzoquinone or derivative thereof, naphthoquinone or derivative thereof, anthraquinone or derivative thereof, tetra Cyananthraquinodimethane or its derivatives, fluorenone derivatives, diphenol-dicyanoethylene or its derivatives, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or its derivatives, host compounds used in low-molecular organic EL devices
  • a charge injecting and transporting compound polyvinylcarbazole, a polymer containing an aromatic ring in the main chain, and an optionally substituted phenylene group, fluorene, dibenzothiophene, dibenzofuran, or dibenzosilole.
  • the material according to any one of 1., 6., 8. and 10. above, which includes a structure selected as a repeat
  • the benzene ring which may have a substituent and Z or the following general formula (2) The material according to the above 12. or 13.
  • X— represents O—, —S—, —Se—, —B (R) —, —Si (R) (R
  • R to R each independently represents an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl
  • the above-mentioned 14. represents an aryl group, an aryloxy group, an aryloxy group, an arylalkyl group, an arylalkyl group, an arylalkylthio group, an arylalkyl group, an arylalkyl group, a monovalent heterocyclic group or a halogen atom.
  • R3 and R4 each independently represents an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, or a halogen atom which may be substituted with fluorine, and are not the same within the same unit. May be. p is 0 or 1; )
  • M represents a transition metal or a lanthanoid.
  • Arl and Ar2 each independently represent a divalent aromatic ring which may have a substituent, and X and X each independently represent P (Ar3) (Ar4)
  • Ar3 and Ar4 each independently represent a monovalent aromatic ring optionally having a substituent.
  • a broken line in the above formula represents a coordinate bond between a polydentate ligand and a metal. 18. The material according to any one of 1 to 16 above, wherein the metal complex is represented by the following formula:
  • M in the above formula is selected from the group consisting of Ru, Rh, Pd, W, Ir, Pt, and Au, and R is a nonogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group.
  • Group aryloxy group, arylalkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, acyl group, acyloxy group, amide group, acid imide group, imine residue, Consists of a substituted amino group, a substituted silyl group, a substituted silyloxy group, a substituted silylthio group, a substituted silylamino group, a monovalent heterocyclic group, a heteroaryloxy group, a heteroarylthio group, an arylalkylenyl group, and an arylethyl group.
  • Group power is selected, and a plurality of R may be the same or different.
  • An ink composition comprising the material according to any one of 1 to 17 above.
  • a light-emitting thin film comprising the material according to any one of 1 to 17 above.
  • a conductive thin film comprising the material according to any one of 1 to 17 above.
  • An organic semiconductor thin film comprising the material according to any one of 1 to 17 above.
  • a photoelectric device comprising a neutral metal complex having a structure represented by the following general formula (1) as a partial structure.
  • ⁇ represents a transition metal or a lanthanoid.
  • Arl and Ar2 each independently represent a divalent aromatic ring which may have a substituent, and X and X each independently represent P (Ar3) (Ar4)
  • Ar3 and Ar4 each independently represent a monovalent aromatic ring optionally having a substituent.
  • a broken line in the above formula represents a coordinate bond between a polydentate ligand and a metal.
  • a photoelectric device comprising the material according to any one of 1 to 17 above.
  • a liquid crystal display device comprising the light emitting device as described in 27. above as a backlight
  • a liquid crystal or light-emitting display device having an active matrix drive circuit mainly constructed from the switching element described in 28. above.
  • the present invention includes a structure of a neutral metal complex or metal complex having a structure represented by the following general formula (1) as a partial structure and having at least two multidentate ligands.
  • the present invention relates to a material having a transportability.
  • M represents a transition metal or a lanthanoid.
  • Arl and Ar2 each independently represent a divalent aromatic ring which may have a substituent, and X and X each independently represent P (Ar3) (Ar4)
  • Ar3 and Ar4 each independently represent a monovalent aromatic ring optionally having a substituent.
  • a broken line in the above formula represents a coordinate bond between a polydentate ligand and a metal.
  • the metal complex has a structure represented by the general formula (1) as a partial structure.
  • the metal M of the above formula (1) is a metal selected from transition metals or lanthanoids, and specific examples thereof include Sc, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni ⁇ Cu, Zn, Y, Zr. , Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, P d, Ag, Hf, Ta, W, Os, Ir, Pt, Au, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, D y Ho, Er, Tm, Yb, and Lu are examples. From the viewpoint of obtaining high efficiency, Ru, Rh, Pd, W, Ir, Pt, and Au are preferable.
  • X and X in the above formula (1) each independently represent P (Ar3) (Ar4), S, or O.
  • the atom coordinated to the metal M is any one of P, O, and S, and the viewpoint P of luminous efficiency is preferable.
  • Ar3 and Ar4 in the above formula (1) each independently represent a monovalent aromatic ring optionally having a substituent.
  • Specific examples include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a pyridyl group, and a pyrimidyl group.
  • Arl and Ar2 in the above formula (1) each independently represent a divalent aromatic ring which may have a substituent.
  • the aromatic ring include an aromatic hydrocarbon ring and a heteroaromatic ring.
  • the aromatic ring may be a single ring or a condensed ring. Specific examples include a phenylene group, a biphenylene group, a naphthylene group, a pyridyllene group, and a pyrimidylene group, and Arl and Ar2 are bonded to each other.
  • the substituents that Arl, Ar2, Ar3, and Ar4 may have are not particularly limited, but include a halogen atom, an alkyl group, an alkyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, Alkylthio group, aryloxy group, arylalkyl group, arylalkyloxy group, arylalkylthio group, acyl group, acyloxy group, monovalent heterocyclic group, heteroaryloxy group, heteroarylthio group, arylalkyl group And an aryl luethynyl group.
  • the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
  • the alkyl group may be linear, branched or cyclic.
  • the carbon number is usually about 1 to: LO, and preferably 3 to: LO.
  • LO methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl group, octyl group, 2-ethyl group Hexyl group, nor group, decyl group, 3, 7-dimethyloctyl group, lauryl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorinated hexyl group, perfluorooctyl group, etc.
  • a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, a 2-ethylhexyl group, a decyl group, and a 3,7-dimethyloctyl group are preferable.
  • the alkenyl group may be linear, branched or cyclic! /, Or may be shifted! /.
  • Carbon number is about 2-10 normally, Preferably it is C3-10.
  • an etyr group, a probe group, a butur group, a pentyl group, a hexyl group, a heptul group, and an octenyl group are preferable.
  • the alkynyl group may be linear, branched or cyclic! /, Or may be shifted! /.
  • Carbon number is about 2-10 normally, Preferably it is C3-10.
  • an ether group, a propyl group, a propyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptynyl group, and an octyl group are preferable.
  • the aryl group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specifically, a phenyl group, a C to C alkoxyphenol group (C to C is a carbon number of 1 to 12).
  • Examples include naphthyl group, 1 anthracenyl group, 2 anthracenyl group, 9 anthracenyl group, pentafluorophenyl group and the like, c to c alkoxyphenyl group, and c to c
  • the aryl group is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon.
  • the aromatic hydrocarbon includes those having a condensed ring and those in which two or more independent benzene rings or condensed rings are bonded directly or via a group such as beylene.
  • c to c alkoxy include methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropyl
  • examples include pyroxy, butoxy, isobutoxy, t-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, heptyloxy, octyloxy, 2-ethylhexyloxy, noroxy, decyloxy, 3,7-dimethyloctyloxy, lauryloxy, etc.
  • C to C alkylphenol group examples include a methylphenol group and an ethylphenol group.
  • the alkoxy group may be linear, branched or cyclic.
  • the carbon number is usually about 1 to: L0, preferably 3 to: L0.
  • the alkylthio group may be linear, branched or cyclic.
  • the number of carbons is usually about 1 to: L0, preferably 3 to: L0.
  • Examples include enoxy group, 1 naphthyloxy group, 2-naphthyloxy group, pentafluorophenyl group, C-C alkoxyphenoxy group, and C-C alkyl group.
  • c to c alkoxy include methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropyl
  • Examples include pyroxy, butoxy, isobutoxy, t-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, heptyloxy, octyloxy, 2-ethylhexyloxy, noroxy, decyloxy, 3,7-dimethyloctyloxy, lauryloxy, etc. .
  • alkylphenoxy group examples include a methylphenoxy group and an ethylpheno group.
  • Xyl group dimethylphenoxy group, propylphenoxy group, 1, 3, 5 trimethylphenoxy group, methylethylphenoxy group, isopropylphenoxy group, butylphenoxy group, isobutylphenoxy group, t-butylphenoxy group Pentylphenoxy group, isoamylphenoxy group, hexylphenoxy group, heptylphenoxy group, octylphenoxy group, norphenoxy group, decylphenoxy group, dodecylphenoxy group, etc. .
  • the allylthio group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms.
  • the arylalkyl group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms.
  • the arylalkyloxy group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably carbon number. 7-48.
  • Specific examples include phenolic groups such as a methoxy group, a phenoxy group, a ferrobutoxy group, a pentyloxy group, a hexyloxy group, a hexyloxy group, a phenoxyl group, and the like.
  • the arylalkylthio group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specifically, a Fe C-C alkylthio group, C-C alkoxy
  • the acyl group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples include a acetyl group, propionyl group, petityl group, isoptylyl group, bivaloyl group, benzoyl group, trifluoroacetyl group, pentafluorobenzoyl group and the like.
  • the acyloxy group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples include acetoxy group, propio-loxy group, butyryloxy group, isobutylyloxy group, bivalloyloxy group, benzoyloxy group, trifluoroacetyloxy group, pentafluorobenzoyloxy group and the like.
  • the monovalent heterocyclic group means a remaining atomic group excluding one hydrogen atom, and the number of carbon atoms is usually about 4 to 60, and preferably 4 to 20.
  • the number of carbon atoms in the heterocyclic group does not include the number of carbon atoms in the substituent.
  • a heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure that contains hetero atoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, etc., in which the elements constituting the ring are not only carbon atoms.
  • the heteroaryloxy group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms.
  • a ceroxy group a C to C alkoxy ceroxy group,
  • c to c alkoxy include methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropyl
  • Examples include pyroxy, butoxy, isobutoxy, t-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, cyclohexyloxy, heptyloxy, octyloxy, 2-ethylhexyloxy, noroxy, decyloxy, 3,7-dimethyloctyloxy, lauryloxy, etc. .
  • C to C alkylpyridoxy group examples include a methylpyridyloxy group
  • Tylpyridyloxy group dimethylpyridyloxy group, propylpyridyloxy group, 1,3,5-trimethylpyridyloxy group, methylethylpyridyloxy group, isopropylpyridyloxy group, butylpyridyloxy group, isobutyl Pyridyloxy, t-butylpyridyloxy, pentylpyridyloxy, isoamylpyridyloxy, hexylpyridyloxy, heptylpyridyloxy, octylpyridyloxy, norpyridyloxy, decylpyridyl Examples thereof include an oxy group and a dodecylpyridyloxy group.
  • the heteroarylthio group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specifically, pyridylthio group, C to C alkoxypyridylthio group, C
  • the arylalkyl group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms.
  • Examples include naphthyl C to C alkenyl group and 2-naphthyl C to C alkenyl group.
  • a c-c alkoxy group, a c-c alkyl group, and a c-c alkyl group are independently selected from the group consisting of:
  • the allylethynyl group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms.
  • Examples include butyl C-C alkyl group, 2-naphthyl C-C alkyl group, etc.
  • the metal complex preferably has a structure represented by the following general formula (1A).
  • M in the above represents a metal selected from a transition metal or a lanthanoid force, and examples thereof include Ru, Rh, Pd, W, Ir, Pt, and Au.
  • R in the above represents a substituent, which is a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl alkyl group, an aryl group.
  • Kirthio group acyl group, acyloxy group, amide group, acid imide group, imine residue, substituted amino group, substituted silyl group, substituted silyloxy group, substituted silylthio group, substituted silylamino group, monovalent heterocyclic group, heteroaryl Oxy group, heteroarylthio group, arylalkyl group
  • the metal complex compound having the structure of the above formula (1) may have a ligand having another structure, or may have a plurality of the same ligands. It is a neutral metal complex compound having at least two multidentate ligands including (1).
  • a polydentate ligand is a ligand that coordinates to a metal at two or more locations.
  • the ligand having another structure is not particularly limited, but for example, ferroviridine, phenanthorin, quinoline, which may be substituted with alkyl groups or halogen atoms, 2003- Examples thereof include bidentate ligands described in 515897, and these are examples of polydentate ligands.
  • the light emission from the metal complex of the present invention is not particularly limited, but the light emission from the MLCT excited state (Metal to Ligand Charge Transfer excited state) is included from the viewpoint of obtaining high power and high efficiency.
  • MLCT excited state Metal to Ligand Charge Transfer excited state
  • the metal complex used in the present invention can be synthesized according to the method described in, for example, Inorganic Chemistry, vol. 43, 663-673 (2004), Journal of the Chemistry society Chemical Communications, pages 2273-2274 (1995).
  • a solvent is charged into a flask, and after deaeration by publishing with an inert gas such as nitrogen gas or argon gas while stirring the mixture, a complex and a ligand are charged. To do. If necessary, a reducing agent is added. Stirring is continued with stirring until an exchange of ligands is performed under an inert gas atmosphere. The end point of the reaction can be determined by stopping the decrease of the raw material by TLC monitor or high-speed liquid chromatography, or by disappearance of either raw material.
  • an inert gas such as nitrogen gas or argon gas
  • the material of the present invention has a structure represented by the above general formula (1) as a partial structure, and has a neutral metal complex and a charge transport material having at least two multidentate ligands. Or a polymer containing a residue of the metal complex and a residue of the charge transporting material in the molecule.
  • the material of the present invention is a composition containing the metal complex and a charge transporting material.
  • Examples of the charge transport material contained in the material of the present invention include a hole transport material and an electron transport material, which may be a low molecular organic compound or a polymer.
  • hole transport materials include aromatic amines, strong rubazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, and the like that have been used as hole transport materials in organic EL devices.
  • the electron transport material As the electron transport material, the oxadiazole derivative anthraquinodimethane or a derivative thereof, benzoquinone or a derivative thereof, naphthoquinone or a derivative thereof, anthraquinone or a derivative thereof, which has been used as an electron transport material in an organic EL device. , Tetracyananthraquinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof.
  • Low-molecular organic compounds as charge transport materials refer to host compounds and charge injection / transport compounds used in low-molecular organic EL devices.
  • organic EL display Sudoki Tokito, Chinami Adachi
  • Murata Hideyuki Co., Ohm Co., Ltd. page 107
  • monthly tasplay vol9, No9, 2003, pages 26-30
  • JP-A-2004-244400 JP-A-2004-277377, and the like.
  • a polymer can also be used as the charge transporting material.
  • the polymer include non-synthetic polymers and conjugated polymers.
  • nonconjugated polymer examples include polyvinyl carbazole.
  • conjugated polymer examples include polymers having an aromatic ring in the main chain.
  • a phenylene group, fluorene, dibenzothiophene, dibenzo which may have a substituent.
  • examples include those containing furan or dibenzosilol as a repeating unit in the main chain, and copolymers with these units. More specifically, there may be mentioned a benzene ring which may have a substituent and a high molecular compound characterized by having Z or the following general formula (2) as a partial structure.
  • R 1 to R and R 1 to R are each independently an alkyl group, an alcohol
  • R and R are each
  • m and n each independently represents an integer of 0 to 4.
  • Specific examples of the atoms can include the above examples.
  • the charge transport material represented by the general formula (2) is exemplified below.
  • Formula (4) represents a repeating unit in which the 2nd and 7th positions are bonds.
  • X represents N, 0, S, Se, B, Si, P, or C. It may have a substituent depending on the number.
  • R 1 2 represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, or an aryl group.
  • m ′ and n ′ each independently represents an integer of 0 to 3.
  • R 1 and R are each independently
  • X is preferably 0, S, 1 N (R 1) —, or C (R 1) (R 2). Up
  • R, R and R each independently represent an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group,
  • the charge transport material when it is a conjugated polymer, it may be a copolymer of the above formula (4) and other repeating units. Examples of other repeating units include the following (6) and (7).
  • Ar, Ar, Ar, Ar and Ar are each independently an arylene group or a divalent complex.
  • Ar, Ar, Ar and Ar are each independently an aryl group or a monovalent complex
  • a ring group is shown.
  • Ar, Ar, Ar and Ar may have a substituent.
  • x and y are
  • 0 or 1 indicates s, and 0 ⁇ x + y ⁇ l.
  • the arylene group is an atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon, and usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 6 to 20 carbon atoms.
  • the aromatic hydrocarbon includes those having a condensed ring and those having two or more independent benzene rings or condensed rings bonded directly or via a group such as beylene. Examples are given below.
  • R represents the same as R to R above, and may not be the same in one group.
  • the charge transporting material may be a polymer composition containing the above material.
  • the material of the present invention itself is a neutral metal complex having the structure represented by the general formula (1) as a partial structure and having at least two multidentate ligands. It is also possible to use a polymer (preferably a conjugated polymer) containing in the molecule both the residue and the charge transporting material residue. In this case, the polymer itself functions as the metal complex and the charge transport material.
  • the charge transporting material is a polymer containing a structure of a metal complex having a structure represented by the general formula (1) as a partial structure in the molecule (preferably a conjugated system). Polymer). Also in this case, the polymer itself functions as a charge transport material and a metal complex, but the metal complex can be included as an additional component.
  • the material of the present invention is a polymer containing in its molecule a structure of a metal complex having a structure represented by the general formula (1) as a partial structure
  • the charge transporting material is a polymer containing in its molecule a structure of a metal complex having the structure represented by the general formula (1) as a partial structure
  • the polymer structure having the structure (B) of the metal complex having the structure represented by the general formula (1) as a partial structure on the side chain of the polymer (A) is represented by the following formula, for example. .
  • Ar 18 is a divalent aromatic group or an atom selected from the group consisting of oxygen atom, silicon atom, germanium atom, tin atom, phosphorus atom, boron atom, sulfur atom, selenium atom and tellurium atom
  • Ar 18 has 1 to 4 groups represented by L—X
  • X represents a structure represented by the general formula (1). Represents a monovalent group including a metal complex structure as a partial structure, and L represents a single bond, O, one S— CO CO SO SO SiR R NR BR P
  • R 72 an optionally substituted alkylene group, an optionally substituted alkylene group, an optionally substituted alkylene group, a substituted group Represents an optionally substituted arylene group or an optionally substituted divalent heterocyclic group, and the alkylene group, the alkylene group, or the alkylene group contains a —CH— group. Included in the alkylene group
  • One or more CH— groups contained in the alkylene group are each —O—, —S—,
  • R 68 , R 69 , R 7 °, R 71 , R 72 , R 73 , R 74 , R 75 , R 76 , R 79 each independently represents a group selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group and a cyano group.
  • Ar 18 is further an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, an aryl group, Arylalkyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl
  • the group may have a substituent selected from the group consisting of a group, a substituted carboxyl group and a cyan group. When Ar 18 has a plurality of substituents, they may be the same or different. )
  • examples of the divalent aromatic group include phenylene, pyridylene, pyrimidylene, naphthylene, or a ring represented by the above general formula (2).
  • the polymer structure having the structure (B) of the metal complex having the structure represented by the general formula (1) as a partial structure in the main chain of the polymer (A) is represented by the following formula, for example.
  • L and L represent the structure of the phosphorescent luminescent molecule, and the divalent or trivalent linking group in the formula is
  • the structure of the metal complex having the structure represented by the general formula (1) as a partial structure is bonded to the repeating unit forming the polymer main chain.
  • the structure of the polymer having the structure (B) of the metal complex having the structure represented by the general formula (1) as a partial structure at the terminal of the polymer (A) is represented by the following formula, for example. It is.
  • L is the structure of the metal complex having the structure represented by the general formula (1) as a partial structure.
  • the monovalent group containing the structure of (B) is represented, and the monovalent linking group has the structure (B) and is bonded to X.
  • X is a single bond, an optionally substituted alkylene group, an optionally substituted alkylene group, an optionally substituted arylene group, or an optionally substituted divalent heterocyclic group. Represents. )
  • the polymer having the structure (B) in the side chain, main chain, and terminal of the metal complex having the structure represented by the general formula (1) as a partial structure includes, for example, the structure (B) of the metal complex.
  • the monomer having the above can be used as one of the raw materials and can be produced by the above method.
  • the number average molecular weight in terms of polystyrene of the polymer used in the material of the present invention is preferably from 10 3 to 10 8, more preferably from 10 4 to L0 6 .
  • the polymer described above as the polymer used in the material of the present invention for example, a polymer containing the general formula (4) as a repeating unit is exemplified.
  • the amount of the metal complex structure in the material of the present invention varies depending on the type of organic compound to be combined and the property to be optimized, and is not particularly limited. However, the amount of the organic compound other than the metal complex structure is 100 parts by weight. The amount is usually 0.01 to 80 parts by weight, preferably 0.1 to 60 parts by weight. Two or more metal complexes may be included.
  • the misalignment material of the present invention may contain a light emitting material, and any known material may be used as the light emitting material.
  • a light emitting material examples include naphthalene derivatives, anthracene or derivatives thereof, perylene or derivatives thereof, polymethine-based, xanthene-based, coumarin-based, cyanine-based pigments, 8-hydroxyquinoline or its metal complexes, aromatic It is possible to use the group amine, tetraphenylcyclopentadiene or derivatives thereof, or tetraphenylbutadiene or derivatives thereof.
  • the composition and polymer compound of the present invention are particularly useful as liquid compositions for the production of light-emitting devices such as polymer light-emitting devices and organic transistors.
  • the liquid composition is one in which the composition of the present invention contains a solvent, if necessary, or the polymer compound of the present invention and a solvent.
  • the “liquid composition” means a liquid that is in liquid form at the time of device fabrication, and typically means a liquid that is liquid at normal pressure (ie, 1 atm) and 25 ° C. .
  • the liquid composition is generally called an ink, an ink composition, a solution, or the like.
  • Film formation methods using the liquid composition include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, Coating methods such as spray coating, screen printing, flexographic printing, offset printing, and inkjet printing can be used.
  • the proportion of the solvent in the liquid composition based on the total weight of the liquid composition is usually 1 wt% to 99. 9 wt 0/0, preferably from 60% to 99. 9 Weight 0/0, more preferably 90% to 99. 8% by weight.
  • the viscosity of the liquid composition varies depending on the printing method. At 25 ° C, the range of 0.5 to 500 mPa's is preferred.
  • the viscosity is preferably in the range of 0.5 to 20 mPa's at 25 ° C.
  • the sum of the weights of the polymer containing the repeating units represented by the above formulas (11) and (12) and the compound showing phosphorescence emission, or the weight of the polymer compound is the liquid composition strength. It is usually 20% by weight to 100% by weight, preferably 40% by weight to 100% by weight, based on the total weight of all components excluding the solvent.
  • the solvent contained in the liquid composition is preferably a solvent capable of dissolving or dispersing components other than the solvent in the liquid composition.
  • the solvent include chlorine-based solvents such as black mouth form, methylene chloride, 1,2-dichloro mouth ethane, 1, 1,2-trichloro mouth ethane, black mouth benzene, and dichloro mouth benzene, and ethers such as tetrahydrofuran and dioxane.
  • Solvents aromatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, trimethylbenzene, mesitylene, cyclohexane, methylcyclohexane, n -pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-no Nan, n-decane and other aliphatic hydrocarbon solvents, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone and other ketone solvents, ethyl acetate, butyl acetate, methyl benzoate, ester solvents such as cetyl cellosolve acetate, ethylene Glycol, ethylene glycol Monono chineno ethenore , Ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerol, 1,2-he
  • the viscosity and film formation include at least one organic solvent having a structure containing at least one benzene ring and having a melting point power of S0 ° C or lower and a boiling point of 100 ° C or higher.
  • the viewpoint power such as sex is also preferable.
  • Solvents include aromatic hydrocarbon solvents and aliphatic carbonization from the viewpoints of solubility in organic solvents of components other than the solvent in the liquid composition, uniformity during film formation, viscosity characteristics, and the like. Hydrogen, ester, and ketone solvents are preferred.
  • the type of solvent contained in the liquid composition is preferably 2 or more, more preferably 2 to 3 from the viewpoints of film-forming properties and device characteristics. Being of type Force S is more preferable.
  • one of the solvents may be in a solid state at 25 ° C.
  • one type of solvent has a boiling point of 180 ° C or higher and the other type of solvent preferably has a boiling point of 180 ° C or lower. More preferably, the boiling point is 200 ° C or higher, and the other one solvent has a boiling point of 180 ° C or lower.
  • 0.2% by weight or more of the component excluding the solvent from the liquid composition is dissolved in the solvent at 60 ° C.
  • One of the two types of solvent is preferred. It is preferable that 0.2% by weight or more of the component obtained by removing the solvent from the liquid composition is dissolved in the solvent at 25 ° C.
  • the liquid composition contains three types of solvents, one or two of them may be in a solid state at 25 ° C.
  • at least one of the three solvents should have a boiling point of 180 ° C or higher, and at least one solvent should have a boiling point of 180 ° C or lower.
  • Preferred At least one of the three solvents is More preferably, the solvent has a boiling point of 200 ° C. or higher and 300 ° C. or lower, and at least one solvent is a solvent having a boiling point of 180 ° C. or lower.
  • two of the three solvents have 0.2% by weight or more of the components excluding the liquid composition strength solvent dissolved in the solvent at 60 ° C.
  • the solvent power with the highest boiling point is 40 to 90% by weight of the total weight of the solvent contained in the liquid composition. More preferably, it is 50 to 90% by weight, and more preferably 65 to 85% by weight.
  • the solvent contained in the liquid composition includes a combination of azole and bicyclohexyl, a combination of azole and cyclohexylbenzene, xylene and bicyclohexyl.
  • Xylene and cyclohexyl benzene, mesitylene and methylbenzoate are preferred! / ⁇
  • the solubility parameter of the solvent and the solubility of the polymer or the polymer compound of the present invention contained in the composition of the present invention are preferably 10 or less, more preferably 7 or less.
  • These solubility parameters can be determined by the method described in “Solvent Handbook (Kodansha, 1976)”.
  • the thin film is formed using the composition, the liquid composition, or the polymer compound (hereinafter, the composition, the liquid composition, and the polymer compound are collectively referred to as “composition”).
  • the composition include a light-emitting thin film, a conductive thin film, and an organic semiconductor thin film.
  • the luminescent thin film preferably has a high quantum yield of light emission from the viewpoint of device brightness, light emission voltage, and the like.
  • the conductive thin film preferably has a surface resistance of 1 ⁇ or less.
  • the electrical conductivity can be increased by doping the thin film with a Lewis acid, an ionic compound or the like. table
  • the sheet resistance is more preferably 100 ⁇ Z or less, and more preferably 10 ⁇ Z or less.
  • the organic semiconductor thin film better is one of electron mobility and hole mobility, the larger, preferably rather is a 10- 5 cm 2 ZV / sec or more, more preferably 10- 3 cm 2 ZV / sec More preferably, it is 10 ⁇ 2 ⁇ / sec or more.
  • an organic transistor can be manufactured using an organic semiconductor thin film. Specifically, an insulating film such as SiO and a gate electrode are formed.
  • An organic transistor can be formed by forming an organic semiconductor thin film on a Si substrate and forming a source electrode and a drain electrode with Au or the like.
  • the present invention also relates to a photoelectric device comprising a neutral metal complex having a partial structure of the structure represented by the following general formula (1).
  • the present invention also relates to a photoelectric device comprising the above-described material of the present invention.
  • the photoelectric device of the present invention is a metal complex of the present invention or an electrode of the present invention between electrodes composed of an anode and a cathode. It can be used as, for example, a light-emitting element, a switching element, or a photoelectric conversion element.
  • the layer containing the metal complex of the present invention is preferably a light emitting layer.
  • the photoelectric device of the present invention may further include a charge transport layer or a charge blocking layer between electrodes composed of an anode and a cathode.
  • the charge transport layer means a hole transport layer or an electron transport layer
  • the charge blocking layer means a hole blocking layer or an electron blocking layer.
  • a light emitting device in which an electron transport layer or a hole blocking layer is provided between the cathode and the photoelectric layer a light emitting device in which a hole transport layer or an electron blocking layer is provided between the anode and the photoelectric layer, a cathode and the photoelectric layer
  • An electron transport layer or a hole blocking layer is provided between the positive electrode layer and the positive hole transport layer or the hole between the anode and the photoelectric layer.
  • the electron transport layer and the hole blocking layer have the same functions as described in “All about organic EL” on page 162 (written by Junji Kido, Nippon Jitsugyo Shuppan).
  • the same material can be used for the hole blocking layer, and either function may be more strongly reflected depending on the characteristics of the material.
  • Examples of the light emitting device of the present invention include a device structure described in a patent document (Journal of the SID 11/1, 161-166, 2003).
  • a light-emitting element in which a layer containing a conductive polymer is provided adjacent to the electrode between the at least one electrode and the photoelectric layer, and adjacent to the electrode between the at least one electrode and the photoelectric layer.
  • a light emitting element provided with a buffer layer having an average film thickness of 2 nm or less can be given.
  • the photoelectric layer is a layer having a photoelectric function, i.e., a thin film having light emitting property, conductivity, and photoelectric conversion function
  • the hole transport layer is a layer having a function of transporting holes
  • the electron transport layer is a layer having a function of transporting electrons. Note that the electron transport layer and the hole transport layer are collectively referred to as a charge transport layer.
  • Two or more photoelectric layers, hole transport layers, and electron transport layers may be used independently. Further, among the charge transport layers provided adjacent to the electrodes, those having the function of improving the charge injection efficiency from the electrodes and having the effect of lowering the driving voltage of the element are particularly the charge injection layers (hole injection layers). , An electron injection layer).
  • the charge injection layer or the insulating layer having a thickness of 2 nm or less may be provided adjacent to the electrode in order to improve adhesion with the electrode or charge injection from the electrode. Insert a thin buffer layer at the interface between the charge transport layer and the photoelectric layer to improve adhesion and prevent mixing. Furthermore, a hole blocking layer may be inserted at the interface with the photoelectric layer in order to transport electrons and confine holes.
  • the order and number of layers to be laminated, and the thickness of each layer can be appropriately used in consideration of the light emission efficiency and the element lifetime.
  • the light emitting device provided with the charge injection layer includes a light emitting device provided with a charge injection layer adjacent to the cathode, and a charge injection layer adjacent to the anode. And a light emitting element provided with.
  • the charge injection layer include a layer containing a conductive polymer, a hole transport material provided between the anode and the hole transport layer, provided between the anode and the hole transport layer. Between the negative electrode material and the electron transport material contained in the electron transport layer, and is provided between the cathode and the electron transport layer. Examples include a layer containing a material.
  • the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer
  • the electric conductivity of the conductive polymer is 10 ⁇ Zcm or more and 10 3 SZcm or less. to reduce the flow is, 10- 5 SZcm least 10 ZCM less and more preferably fixture 10 "5 S / c More preferred is m to lC S / cm.
  • the electrical conductivity of the conducting polymer in order to more than 10- 5 SZcm least 10 3 SZcm, a suitable amount of ions are doped into the conducting polymer.
  • the kind of ions to be doped is an anion for the hole injection layer and a force aminon for the electron injection layer.
  • Examples of cation are polystyrene sulfonate ion, alkylbenzene sulfonate ion, camphor sulfonate ion and the like, and examples of force aminoin are lithium ion, sodium ion, potassium ion, tetraptyl ammonium ion. Etc. are exemplified.
  • the thickness of the charge injection layer is, for example, 1 nm to 100 nm, preferably 2 nm to 50 nm.
  • the material used for the charge injection layer may be selected as appropriate in relation to the material of the electrode and the adjacent layer, polyaline and derivatives thereof, polyaminophen and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof. Derivatives, poly-ethylene biylene and its derivatives, polyquinoline and its derivatives, polyquinoxaline and its derivatives, conductive polymers such as polymers containing an aromatic amine structure in the main chain or side chain, metal phthalocyanine (copper phthalocyanine Etc.), and carbon.
  • the insulating layer having a thickness of 2 nm or less has a function of facilitating charge injection.
  • the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials.
  • a light emitting element having an insulating layer having a thickness of 2 nm or less a light emitting element having an insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the cathode, or a light emitting element having an insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the anode Is mentioned.
  • Anode Z Insulating layer with a thickness of 2 nm or less Z Hole transport layer Z Photoelectric layer Z Insulating with a thickness of 2 nm or less Layer Z cathode
  • the hole blocking layer has a function of transporting electrons and confining positive holes transported by the anodic force, and is provided at an interface on the cathode side of the photoelectric layer, and has an ion ion larger than the ion potential of the photoelectric layer.
  • a material having a high potential such as a metal complex of bathocuproine, 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof, is used.
  • the thickness of the hole blocking layer is, for example, 1 nm to 100 nm, and preferably 2 nm to 50 nm.
  • the photoelectric material including the charge transport material is formed into a film from the solution when the photoelectric device of the present invention is produced, it is sufficient to remove the solvent by drying after applying the solution, and the charge transport material.
  • Film formation methods from solution include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, spray coating, and screen printing.
  • Application methods such as a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method can be used.
  • the photoelectric layer may be formed using a vacuum evaporation method.
  • a light-emitting material other than the photoelectric material of the present invention may be mixed and used in the photoelectric layer, that is, the light-emitting layer.
  • a light emitting layer containing a light emitting material other than that of the present invention may be laminated with a photoelectric layer containing the light emitting material of the present invention.
  • the luminescent material known materials can be used.
  • low molecular weight compounds include naphthalene derivatives, anthracene or derivatives thereof, perylene or derivatives thereof, dyes such as polymethine, xanthene, coumarin, and cyanine, metal complexes of 8-hydroxyquinoline or its derivatives, aromatic compounds, and the like. It is possible to use the group amine, tetraphenylcyclopentadiene or a derivative thereof, or tetraphenylbutadiene or a derivative thereof.
  • JP-A-57-51781 and 59-194393 can be used.
  • the hole transport material used include polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysilane having an aromatic amine in a side chain or a main chain.
  • the hole transporting material used for the hole transporting layer polybulur rubazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine compound group in a side chain or a main chain, a polyaline.
  • a polymer hole transport material such as a derivative thereof, polyaminophen or a derivative thereof, poly (p-phenolene-ylene) or a derivative thereof, or poly (2,5-chainene-biylene) or a derivative thereof is preferable. More preferred are polybulur rubazole or derivatives thereof, polysilane or derivatives thereof, and polysiloxane derivatives having an aromatic amine in the side chain or main chain.
  • a low-molecular hole transport material it is preferably used by dispersing in a polymer binder.
  • the polybulur rubazole or a derivative thereof can be obtained, for example, by bulle monomer force or by polymerization of a monomer or radical.
  • Polysilane or its derivatives include chemical 'review (Chem. Rev.) No. 89
  • the polysiloxane or derivative thereof has almost a hole transporting property in the siloxane skeleton structure
  • those having the structure of the low molecular hole transporting material in the side chain or main chain are preferably used.
  • those having a hole transporting aromatic amine in the side chain or main chain are exemplified.
  • the method for forming the hole transport layer is not limited, but for low molecular hole transport materials, a method of forming a film with a mixed solution force with a polymer binder is exemplified. In the case of a polymer hole transport material, a method by film formation from a solution is exemplified.
  • Solvents used for film formation with solution strength are not particularly limited as long as they can dissolve the hole transport material.
  • the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane; ether solvents such as tetrahydrofuran; aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone; Examples include ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, and ethyl cellosolve acetate.
  • Examples of the film formation method of the solution force method include a method by film formation from a liquid composition.
  • the film formation method from the liquid composition includes spin coating method, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, Coating methods such as screen printing, flexographic printing, offset printing, and inkjet printing can be used.
  • Printing methods such as screen printing, flexographic printing, offset printing, and inkjet printing are preferred because they allow easy pattern formation and multicolor coating.
  • polymer binder to be mixed those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those that do not strongly absorb visible light are preferably used.
  • the polymer binder include polycarbonate, polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane and the like.
  • the film thickness of the hole transport layer varies depending on the material used, and is selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, at least pinholes do not occur. Thickness is required, and if it is too thick, the drive voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to 1 ⁇ m, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
  • the light-emitting device of the present invention has an electron transport layer
  • a known material can be used as the electron transport material used, such as an oxadiazole derivative, anthraquinodimethane or a derivative thereof, benzoquinone or a derivative thereof, naphthoquinone or a derivative thereof.
  • JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, JP-A-2-209988, JP-A-3- Examples are those described in JP-A-37992 and JP-A-3-152184.
  • aminoxadiazole derivatives benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene Or 2- (4-biphenyl) 5- (4-t-butylphenyl) 1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline are more preferable.
  • the method for forming the electron transport layer in the case of a low molecular electron transport material, a method of vacuum evaporation from powder or a method by film formation from a solution or a molten state is used.
  • the material include a method by film formation from a solution or a molten state.
  • a polymer binder may be used in combination during film formation of a solution or molten state force.
  • the solvent used for film formation from a solution is not particularly limited as long as it dissolves an electron transport material and Z or a polymer binder.
  • the solvent include chlorine solvents such as chloroform, methyl chloride and dichloroethane, ether solvents such as tetrahydrofuran, aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene, and ketone solvents such as acetone and methyl ethyl ketone.
  • ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate.
  • a spin coating method As a film forming method from a solution or a molten state, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spraying method.
  • Coating methods such as a coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method can be used.
  • polymer binder to be mixed those not extremely disturbing charge transport are preferable, and those that do not strongly absorb visible light are suitably used.
  • the polymer binder include poly (N-butacarbazole), polyaline or a derivative thereof, polyaminophen or a derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or a derivative thereof, poly (2,5-cha-lenbi- Len) or its derivatives, polycarbonate, polyacrylate, poly Examples include limethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, or polysiloxane.
  • the film thickness of the electron transport layer varies depending on the material used, and is selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, the thickness is such that at least pinholes do not occur. If the thickness is too thick, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 ⁇ m, and preferably 2 ⁇ ! ⁇ 500 ⁇ m, more preferably 5 nm to 200 nm.
  • the substrate on which the light emitting element of the present invention is formed is not particularly limited as long as it forms an electrode and does not change when each layer of the light emitting element is formed.
  • the substrate on which the light emitting element of the present invention is formed is not particularly limited as long as it forms an electrode and does not change when each layer of the light emitting element is formed.
  • glass, plastic, polymer film, silicon substrate, etc. Illustrated.
  • the opposite electrode is preferably transparent or translucent.
  • At least one of the anode and cathode electrodes is transparent or translucent, and the anode side is transparent or translucent.
  • a conductive metal oxide film, a translucent metal thin film, or the like is used as the material of the anode.
  • indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and their composites such as indium 'tin' oxide (ITO), indium 'zinc' oxide, etc. NESA, etc.), gold, platinum, silver, copper, etc. are used, and ITO, indium 'zinc' oxide and tin oxide are preferred.
  • the production method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method.
  • an organic transparent conductive film such as polyaline or a derivative thereof, polyaminophen or a derivative thereof may be used as the anode.
  • the film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electrical conductivity.
  • 1S For example, lOnm to 10 ⁇ m, preferably 20 nm to l ⁇ m, more preferably 50 nm to 500 nm.
  • a phthalocyanine derivative In order to facilitate charge injection on the anode, a phthalocyanine derivative, a conductive polymer, a layer such as carbon, a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material, or the like is used. A layer having an average film thickness of 2 nm or less may be provided.
  • the material of the cathode used in the light-emitting device of the present invention is preferably a material having a low work function.
  • metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, norium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, yttrium Or an alloy of two or more of them, or one or more of them, and an alloy of one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, conoret, nickel, tungsten, tin, or Graphite or a graphite intercalation compound is used.
  • the cathode may have a laminated structure of two or more layers.
  • the film thickness of the cathode can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, but is, for example, from lOnm to 10 ⁇ m, preferably from 20 nm to l ⁇ m, and more preferably Is ⁇ s for 50 ⁇ m ⁇ 500nm.
  • a method for producing the cathode a vacuum deposition method, a sputtering method, a laminating method in which a metal thin film is thermocompression-bonded, or the like is used.
  • a cathode made of a conductive polymer, or a layer having an average film thickness of 2 nm or less such as a metal oxide, metal fluoride, or organic insulating material may be provided between the cathode and the organic material layer.
  • a protective layer for protecting the light-emitting element may be attached. In order to stably use the light-emitting element for a long period of time, it is preferable to attach a protective layer and Z or a protective cover in order to protect the element from the outside.
  • the protective layer a polymer compound, metal oxide, metal fluoride, metal boride and the like can be used.
  • a glass plate, a plastic plate having a low water permeability treatment on the surface, or the like can be used, and the cover is bonded to the element substrate with a thermal effect resin or a photocured resin and sealed.
  • a thermal effect resin or a photocured resin and sealed are preferably used. If the space is maintained using a spacer, it is easy to prevent the element from being damaged. If an inert gas such as nitrogen or argon is sealed in the space, it is possible to prevent the oxidation of the cathode, and further, by installing a desiccant such as barium oxide in the space in the manufacturing process.
  • the material of the present invention can also be used as a conductive material or a semiconductor material.
  • a conductive thin film or an organic semiconductor thin film can be formed into an element by a method similar to the method for manufacturing a light-emitting element described above, and the semiconductor thin film has either electron mobility or hole mobility. larger is preferably at 10- 5 cm 2 or more ZvZ seconds.
  • the light emitting element using the material of the present invention can be used for a planar light source, a segment display device, a dot matrix, a backlight of a liquid crystal display device, or illumination.
  • the planar anode and cathode may be arranged so as to overlap each other.
  • a method of installing a mask having a pattern-like window on the surface of the planar light-emitting element, an organic layer of a non-light-emitting portion is formed to be extremely thick There are a method of non-light emission, a method of forming either one of the anode or the cathode, or both electrodes in a pattern.
  • a segment type display element that can display numbers, letters, simple symbols, etc. can be obtained by forming a pattern with any of these methods and arranging V and several electrodes independently on and off. .
  • both the anode and the cathode should be formed in stripes and arranged so as to be orthogonal! ⁇ .
  • Partial power display and multi-color display are possible by applying different types of luminescent materials with different luminescent colors or by using color filters or luminescence conversion filters.
  • the dot matrix element can be driven in a nosic manner, or may be active driven in combination with a TFT. These display elements can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like.
  • the planar light emitting element is thin and self-luminous, and can be suitably used as a planar light source for backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source.
  • a flexible substrate is used, it can be used as a curved light source or display device.
  • a photoelectric element for example, there is a photoelectric conversion element, at least one of which is transparent or semi-transparent, an element in which a layer containing the metal complex or composition of the present invention is sandwiched, or a film formed on a substrate An element having a comb-shaped electrode formed on a layer containing the polymer compound or polymer composition of the present invention is exemplified. In order to improve the characteristics, fullerene and carbon You can mix carbon nanotubes.
  • Examples of the method for producing a photoelectric conversion element include the method described in Japanese Patent No. 3146296. Specifically, a method of forming a polymer thin film on a substrate having a first electrode and forming a second electrode thereon, a polymer thin film on a pair of comb-shaped electrodes formed on the substrate The method of forming is illustrated.
  • One of the first and second electrodes is transparent or translucent.
  • the present invention also provides the photoelectric element as a switching element, the photoelectric element as a photoelectric conversion element, a planar light source using the light emitting element, and a segment using the light emitting element.
  • the present invention also relates to a liquid crystal or light-emitting display device having an active matrix driving circuit to be constructed, and a solar cell using the photoelectric conversion element.
  • a 0.8 wt% black mouth form solution of a mixture obtained by adding the following metal complex (1-1) to the following compound (H-1) at a ratio of 5 wt% was prepared.
  • LiF is about 4 nm as a cathode buffer layer
  • calcium is about 5 nm as a cathode
  • aluminum was vapor-deposited at about 80 nm to produce an EL device.
  • the degree of vacuum, 1 X 10 - After reaching the 4 Pa or less, metal vapor deposition was initiated. By applying a voltage to the resulting device, orange EL light emission was obtained.
  • the metal complex compound (1-1) was synthesized according to the method described in the Journal of the Chemistry Society Chemical Communications 2273-2 pages (1995), and the compound (H-1) was manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. .
  • a 1.5 wt% toluene solution of a mixture obtained by adding the following metal complex (1-2) to the following polymer compound (H-2) at a ratio of 5 wt% was prepared in the same manner as in Example 1.
  • the mixture was formed into a device.
  • the spin coater rotation speed during film formation was 1800 rpm, and the film thickness was about 100 nm. By applying voltage to the resulting device, orange EL light emission was obtained.
  • the metal complex compound (1-2) was synthesized according to the method described in the American of the American Chemical Society, 122, 4618-4630 (2000). It was synthesized by the method described in 59899.
  • Compound (H-3) was synthesized by the method described in JP-A-2004-59899.
  • the metal complex material of the present invention is easy to synthesize and has good photoelectric characteristics. Can be used.

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Abstract

　下記一般式（１）で表される構造を部分構造として有し、少なくとも２つの多座配位子を有する、中性の金属錯体又は金属錯体の構造を含み、電荷輸送性を有することを特徴とする材料。 （上記式中、Ｍは遷移金属又はランタノイドを表す。Ａｒ１及びＡｒ２は各々独立に置換基を有していてもよい２価の芳香環を表し、Ｘ1及びＸ2は各々独立に、Ｐ（Ａｒ３）（Ａｒ４）、Ｓ、又はＯを表す。ここでＡｒ３及びＡｒ４は各々独立に置換基を有していてもよい１価の芳香環を表す。上記式中の破線は多座配位子と金属との配位結合を表す。）

Description

明 細 書
金属錯体を含む発光材料及びそれを用いた光電素子
技術分野
[0001] 本発明は、表示素子に利用される有機エレクト口ルミネッセント素子や太陽電池に 利用される光電変換素子などの光電素子及びそれに用いる材料に関する。
背景技術
[0002] 従来より、様々な金属錯体化合物が光電素子用の発光材料、電荷輸送材料等とし て用いられている。
例えば有機エレクト口ルミネッセンス (EL)発光素子の発光層に用いる発光材料とし ては、三重項励起状態力ゝらの発光を示す金属錯体が研究されており、 Irを中心金属 とした、オルトメタルィ匕錯体が高発光効率を示すことが知られている (非特許文献 1)。
[0003] また、室温で燐光発光を発光させる重遷移金属、少なくとも一つのモノア-オン性 の二座重遷移金属 炭素配位結合リガンド、及び少なくとも一つの非モノア-オン性 の二座重遷移金属—炭素配位結合リガンドからなる実質的にイオン性の有機金属化 合物が知られて ヽる（特許文献 1)。
また、リン原子を含む二座配位子が一つだけ Pt (II)に配位した白金錯体も知られ ている（特許文献 2)。
非特許文献 1 : APPLIED PHYSICS LETTERS, 75, 1、 4, (1999) 特許文献 l :WO02Zl5645 Al
特許文献 2 :WO2005Z056712 Al
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] し力しながら、たとえば Irを中心金属としたオルトメタルイ匕錯体は、合成時に高温を 要するなど、合成が困難かつ収率が低いため、これらの錯体及びこれらを含有する 材料を大量に入手することが容易ではな 、と 、う課題があった。
[0005] 本発明の目的は、合成が容易で、かつ良好な光電特性が得られる金属錯体材料 及びそれを用いた光電素子を提供するものである。 課題を解決するための手段
すなわち、本発明は以下の通りである。
1.下記一般式（1)で表される構造を部分構造として有し、少なくとも 2つの多座配位 子を有する、中性の金属錯体と電荷輸送性材料とを含む組成物であるか、又は該金 属錯体の残基と該電荷輸送性材料の残基とを分子内に含む高分子であることを特 徴とする材料。
[化 1]
Arl— Χι ,
、： M (1)
Ar2— Χ2''
(上記式中、 Μは遷移金属又はランタノイドを表す。 Arl及び Ar2は各々独立に置換 基を有していてもよい 2価の芳香環を表し、 X及び Xは各々独立に、 P (Ar3) (Ar4)
1 2
、 S、又は Oを表す。ここで Ar3及び Ar4は各々独立に置換基を有していてもよい 1価 の芳香環を表す。上記式中の破線は多座配位子と金属との配位結合を表す。 )
2.前記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有する金属錯体と、電荷輸送性 材料とを含む組成物である上記 1.記載の材料。
3.前記電荷輸送性材料が低分子有機化合物である上記 2.記載の材料。
4.前記電荷輸送性材料が高分子である上記 2.記載の材料。
5.前記高分子が共役系高分子である上記 4.記載の材料。
6.前記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有する金属錯体の残基と電荷 輸送性材料の残基とを分子内に含む高分子である、上記 1.記載の材料。
7.前記電荷輸送性材料が、前記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有す る金属錯体の残基と電荷輸送性材料の残基とを分子内に含む高分子である上記 4. 記載の材料。
8.前記高分子が共役系高分子である上記 6.記載の材料。
9.前記高分子が共役系高分子である上記 7.記載の材料。
10.上記 6.又は 8.に記載の材料と、さらに正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光 材料カゝらなる群カゝら選ばれる少なくとも 1種類の材料とを含む混合物であることを特徴 とする材料。
11.上記 7.又は 9.に記載の材料と、さらに正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光 材料カゝらなる群カゝら選ばれる少なくとも 1種類の材料とを含む混合物であることを特徴 とする材料。
12.前記電荷輸送性材料が、芳香族ァミン、力ルバゾール誘導体、ポリパラフエ-レ ン誘導体、ォキサジァゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベン ゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくは その誘導体、テトラシァノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルォレノン誘導 体、ジフエ-ルジシァノエチレン若しくはその誘導体、ジフエノキノン誘導体、又は 8 ーヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、低分子有機 EL素子に用いられ るホストイ匕合物、電荷注入輸送化合物、ポリビュルカルバゾール、主鎖に芳香環を含 むポリマーであって、置換基を有していてもよいフエ-レン基、フルオレン、ジベンゾ チォフェン、ジベンゾフラン、又はジベンゾシロールを繰り返し単位として主鎖に含む もの、それらのユニットとの共重合体力もなる群力も選ばれる、上記 2.〜5.、 7.、 9. 及び 11.のいずれか一項に記載の材料。
13.前記高分子が、芳香族ァミン、力ルバゾール誘導体、ポリパラフエ-レン誘導体 、ォキサジァゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若 しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導 体、テトラシァノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルォレノン誘導体、ジフエ -ルジシァノエチレン若しくはその誘導体、ジフエノキノン誘導体、又は 8—ヒドロキシ キノリン若しくはその誘導体の金属錯体、低分子有機 EL素子に用いられるホストイ匕 合物、電荷注入輸送化合物、ポリビニルカルバゾール、主鎖に芳香環を含むポリマ 一であって、置換基を有していてもよいフエ-レン基、フルオレン、ジベンゾチォフエ ン、ジベンゾフラン、又はジベンゾシロールを繰り返し単位として主鎖に含むもの、そ れらのユニットとの共重合体力 なる群力 選ばれる構造を含む、上記 1.、 6.、 8. 及び 10.のいずれか一項に記載の材料。
14.置換基を有していてもよいベンゼン環、及び Z又は、下記一般式（2)を部分構 造として有する、上記 12.又は 13.記載の材料。
[化 2]
Figure imgf000005_0001
(上記式中、 Xは、 N、 0、 S、 Se、 B、 Siゝ P、 C、 C— C、 O— C、 S— C、 N— C、 Si— C、 Si-Si, C = C、又は Si=Cを表し、価数により置換基を有してもよい。 R及び R
1 2 は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基又 は他の原子との結合手を表す。 m及び nは各々独立に 0〜4の整数を表す。 ) 15.前記式（2)中、 X—は、 O—、— S―、— Se—、— B(R )―、— Si(R ) (R
31 32 3
)―、 -P(R )―、 -PR ( = 0)―、 -C(R ) (R )―、 -C(R ) (R )― C(R ) (
3 34 36 37 38 51 52 53
R )一、 -0-C(R ) (R )一、 -S-C(R ) (R )一、 N— C(R ) (R )—、 一Si
55 57 59 60
(R )(R )-C(R )(R ) Si(R )(R ) Si(R )(R ) C(R ) = C(R
61 62 63 64 69
)―、一 N(R )―、 -N=C(R )—、又は一 Si(R )=C(R )—を表し、 R 〜R 、
0 35 71 72 73 31 38
R 〜R は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリー
51 73
ル基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ 基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケ-ル基、ァリールアルキ-ル基、 1価の 複素環基又はハロゲン原子を表す、上記 14.記載の材料。
16.前記式（2)中の X—力 下記式（3)である、請求項 14記載の材料。
[化 3]
Figure imgf000005_0002
(上記式中、 R3及び R4はそれぞれ独立に、フッ素で置換されていてもよいアルキル 基、アルコキシ基、ァリール基、又はハロゲン原子を表し、同一単位内で、同じでなく てもよい。 pは 0又は 1である。 )
17.前記金属錯体が下記一般式（1A)で表される構造である上記 1.
れか一項記載の材料。
[化 4]
Figure imgf000006_0001
(上記式中、 Mは遷移金属又はランタノイドを表す。 Arl及び Ar2は各々独立に置換 基を有していてもよい 2価の芳香環を表し、 X及び Xは各々独立に、 P (Ar3) (Ar4)
1 2
、 S、又は Oを表す。ここで Ar3及び Ar4は各々独立に置換基を有していてもよい 1価 の芳香環を表す。上記式中の破線は多座配位子と金属との配位結合を表す。 ) 18.前記金属錯体が下式で表される上記 1.〜16.のいずれか一項記載の材料。
Figure imgf000007_0001
Figure imgf000007_0002
(上記式中の Mは、 Ru、 Rh、 Pd、 W、 Ir、 Pt、及び Auからなる群から選ばれ、 Rは、 ノヽロゲン原子、アルキル基、アルキルォキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリー ルォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルキルォキシ基、ァリ ールアルキルチオ基、ァシル基、ァシルォキシ基、アミド基、酸イミド基、ィミン残基、 置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルォキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミ ノ基、 1価の複素環基、ヘテロァリールォキシ基、ヘテロァリールチオ基、ァリールァ ルケニル基、及びァリールェチュル基からなる群力 選ばれ、複数個の Rは同一であ つても異なっていてもよい。 )
19.上記 1.〜17.のいずれか一項記載の材料を含有することを特徴とするインク組 成物。
20.粘度が 25°Cにおいて 1〜： LOOmPa' sである上記 18.記載のインク組成物。
21.上記 1.〜17.のいずれか一項記載の材料を含有することを特徴とする発光性 薄膜。
22.上記 1.〜17.のいずれか一項記載の材料を含有することを特徴とする導電性 薄膜。
23.上記 1.〜17.のいずれか一項記載の材料を含有することを特徴とする有機半 導体薄膜。
24.下記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有する中性の金属錯体を含む ことを特徴とする光電素子。
[化 6]
Ail一 X，、、
;>M (1)
Ar2 -Χ2'
(上記式中、 Μは遷移金属又はランタノイドを表す。 Arl及び Ar2は各々独立に置換 基を有していてもよい 2価の芳香環を表し、 X及び Xは各々独立に、 P (Ar3) (Ar4)
1 2
、 S、又は Oを表す。ここで Ar3及び Ar4は各々独立に置換基を有していてもよい 1価 の芳香環を表す。上記式中の破線は多座配位子と金属との配位結合を表す。 )
25.上記 1.〜17.のいずれか一項記載の材料を含むことを特徴とする光電素子。
26.陽極及び陰極からなる電極の間に、前記金属錯体又は上記 1.〜17.のいずれ か一項記載の材料を含む層を有することを特徴とする上記 23.又は 24.記載の光電 素子。 27.陽極及び陰極からなる電極の間に、さらに電荷輸送層又は電荷阻止層を含む 上記 25.記載の光電素子。
28.前記光電素子が発光素子である上記 23. 〜26.のいずれか一項記載の光電 素子。
29.前記光電素子がスイッチング素子である上記 23. 〜26.のいずれか一項記載 の光電素子。
30.前記光電素子が光電変換素子である上記 23. 〜26.のいずれか一項記載の 光電素子。
31.上記 27.に記載の発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
32.上記 27.に記載の発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
33.上記 27.に記載の発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置
34.上記 27.に記載の発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置
35.上記 27.に記載の発光素子を用いた照明。
36.上記 28.に記載のスイッチング素子から主に構築されるアクティブマトリックス駆 動回路を有する液晶又は発光表示装置。
37.上記 29.記載の光電変換素子を用いた太陽電池。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明は、下記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有し、少なくとも 2つの多座配位子を有する、中性の金属錯体又は金属錯体の構造を含み、電荷輸 送性を有することを特徴とする材料に関する。
[化 7]
Arl—X
、： M (1)
Ατ2— Χ2' (上記式中、 Mは遷移金属又はランタノイドを表す。 Arl及び Ar2は各々独立に置換 基を有していてもよい 2価の芳香環を表し、 X及び Xは各々独立に、 P (Ar3) (Ar4)
1 2
、 S、又は Oを表す。ここで Ar3及び Ar4は各々独立に置換基を有していてもよい 1価 の芳香環を表す。上記式中の破線は多座配位子と金属との配位結合を表す。 ) まず本発明で用いられる金属錯体について説明する。
上記金属錯体は、上記一般式 (1)で示される構造を部分構造として有する。上記 式（1)の金属 Mは、遷移金属又はランタノイドから選ばれる金属であり、その具体例と しては、 Sc、 Ti、 Cr、 Mn、 Fe、 Co、 Niゝ Cu、 Zn、 Y、 Zr、 Nb、 Mo、 Tc、 Ru、 Rh、 P d、 Ag、 Hf、 Ta、 W、 Os、 Ir、 Pt、 Au、 La、 Ce、 Pr、 Nd、 Pm、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 D y、 Ho、 Er、 Tm、 Yb、及び Luが例として挙げられ、高効率を得るという観点から、 R u、 Rh、 Pd、 W、 Ir、 Pt、及び Auが好ましい。
上記式（1)中の X及び Xは各々独立に、 P (Ar3) (Ar4)、 S、又は Oを表す。従つ
1 2
て、金属 Mに配位している原子は、 P、 O又は Sのいずれかであり、発光効率の観点 力 Pが好ましい。
上記式（1)中の Ar3及び Ar4は、各々独立に置換基を有していてもよい 1価の芳香 環を表す。具体的には、フエニル基、ビフエニル基、ナフチル基、ピリジル基、ピリミジ ル基などが挙げられる。
上記（1)式中の Arl及び Ar2は、各々独立に置換基を有していてもよい 2価の芳香 環を表す。芳香環としては、芳香族炭化水素環、複素芳香環が挙げられる。芳香環 は単環であっても、縮合環であってもよい。具体的には、フエ-レン基、ビフエ-レン 基、ナフチレン基、ピリジルレン基、ピリミジレン基などが挙げられ、 Arl及び Ar2は相 互に結合している。
Arl、 Ar2、 Ar3、及び Ar4が有していてもよい置換基は特に限定されないが、ハロ ゲン原子、アルキル基、ァルケ-ル基、アルキ-ル基、ァリール基、アルコキシ基、ァ リールォキシ基、アルキルチオ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールァ ルキルォキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァシル基、ァシルォキシ基、 1価の複素 環基、ヘテロァリールォキシ基、ヘテロァリールチオ基、ァリールァルケ-ル基、ァリ 一ルェチニル基等が例示される。 [0009] ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が例示 される。
[0010] アルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。炭素数は通常 1〜： LO 程度であり、好ましくは炭素数 3〜： LOである。具体的には、メチル基、ェチル基、プロ ピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、 t ブチル基、ペンチル基、へキ シル基、シクロへキシル基、ヘプチル基、ォクチル基、 2—ェチルへキシル基、ノ-ル 基、デシル基、 3, 7—ジメチルォクチル基、ラウリル基、トリフルォロメチル基、ペンタ フルォロェチル基、パーフルォロブチル基、パーフルォ口へキシル基、パーフルォロ ォクチル基などが挙げられ、ペンチル基、へキシル基、ォクチル基、 2—ェチルへキ シル基、デシル基、及び 3, 7—ジメチルォクチル基が好ましい。
[0011] ァルケ-ル基としては、直鎖、分岐又は環状の!/、ずれでもよ!/、。炭素数は通常 2〜 10程度であり、好ましくは炭素数 3〜 10である。具体的には、ェテュル基、プロべ- ル基、ブテュル基、ペンテ-ル基、へキセ-ル基、ヘプテュル基、及びオタテニル基 が好ましい。
[0012] アルキニル基としては、直鎖、分岐又は環状の!/、ずれでもよ!/、。炭素数は通常 2〜 10程度であり、好ましくは炭素数 3〜 10である。具体的には、ェチュル基、プロピ- ル基、プチ-ル基、ペンチ-ル基、へキシュル基、ヘプチニル基、及びォクチ-ル基 が好ましい。
[0013] ァリール基は、炭素数は通常 6〜60程度であり、好ましくは 7〜48である。具体的 には、フエ-ル基、 C〜C アルコキシフエ-ル基（C〜C は、炭素数 1〜12であるこ
1 12 1 12
とを示す。以下も同様である。）、 C〜C アルキルフエ-ル基、 1 ナフチル基、 2—
1 12
ナフチル基、 1 アントラセニル基、 2 アントラセニル基、 9 アントラセニル基、ペン タフルオロフヱニル基などが例示され、 c〜c アルコキシフエ二ル基、及び c〜c
1 12 1 12 アルキルフエニル基が好ましい。ここに、ァリール基とは、芳香族炭化水素から、水素 原子 1個を除いた原子団である。ここに芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの 、独立したベンゼン環又は縮合環 2個以上が直接又はビ-レン等の基を介して結合 したものが含まれる。
c〜c アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルォキシ、イソプロ ピルォキシ、ブトキシ、イソブトキシ、 t ブトキシ、ペンチルォキシ、へキシルォキシ、 シクロへキシルォキシ、ヘプチルォキシ、ォクチルォキシ、 2—ェチルへキシルォキシ 、ノ -ルォキシ、デシルォキシ、 3, 7—ジメチルォクチルォキシ、ラウリルォキシなどが 例示される。
C〜C アルキルフエ-ル基として具体的には、メチルフヱ-ル基、ェチルフヱ-ル
1 12
基、ジメチルフエ-ル基、プロピルフエ-ル基、メシチル基、メチルェチルフエ-ル基 、イソプロピルフエ-ル基、ブチルフエ-ル基、イソブチルフエ-ル基、 t ブチルフエ -ル基、ペンチルフエ-ル基、イソアミルフエ-ル基、へキシルフエ-ル基、ヘプチル フエ-ル基、ォクチルフヱ-ル基、ノ -ルフヱ-ル基、デシルフヱ-ル基、ドデシルフ ェニル基などが例示される。
[0014] アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。炭素数は通常 1〜： L0程 度であり、好ましくは炭素数 3〜： L0である。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロ ピルォキシ基、イソプロピルォキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、 t ブトキシ基、ぺ ンチルォキシ基、へキシルォキシ基、シクロへキシルォキシ基、ヘプチルォキシ基、 ォクチルォキシ基、 2—ェチルへキシルォキシ基、ノ-ルォキシ基、デシルォキシ基、 3, 7—ジメチルォクチルォキシ基、ラウリルォキシ基、トリフルォロメトキシ基、ペンタフ ルォロエトキシ基、パーフルォロブトキシ基、パーフルォ口へキシル基、パーフルォロ ォクチル基、メトキシメチルォキシ基、 2—メトキシェチルォキシ基などが挙げられ、ぺ ンチルォキシ基、へキシルォキシ基、ォクチルォキシ基、 2—ェチルへキシルォキシ 基、デシルォキシ基、及び 3, 7—ジメチルォクチルォキシ基が好ましい。
[0015] アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよい。炭素数は通常 1〜： L0 程度であり、好ましくは炭素数 3〜： L0である。具体的には、メチルチオ基、ェチルチ ォ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、プチルチオ基、イソプチルチオ基、 t ブチルチオ基、ペンチルチオ基、へキシルチオ基、シクロへキシルチオ基、ヘプチル チォ基、ォクチルチオ基、 2—ェチルへキシルチオ基、ノ-ルチオ基、デシルチオ基 、 3, 7—ジメチルォクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルォロメチルチオ基などが 挙げられ、ペンチルチオ基、へキシルチオ基、ォクチルチオ基、 2—ェチルへキシル チォ基、デシルチオ基、及び 3, 7—ジメチルォクチルチオ基が好ましい。 [0016] ァリールォキシ基としては、炭素数は通常 6〜60程度であり、好ましくは 7〜48であ る。具体的には、フエノキシ基、 C〜C アルコキシフエノキシ基、 C〜C アルキルフ
1 12 1 12
エノキシ基、 1 ナフチルォキシ基、 2—ナフチルォキシ基、ペンタフルォロフエ-ル ォキシ基などが例示され、 C〜C アルコキシフエノキシ基、及び C〜C アルキルフ
1 12 1 12
エノキシ基が好ましい。
c〜c アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルォキシ、イソプロ
1 12
ピルォキシ、ブトキシ、イソブトキシ、 t ブトキシ、ペンチルォキシ、へキシルォキシ、 シクロへキシルォキシ、ヘプチルォキシ、ォクチルォキシ、 2—ェチルへキシルォキシ 、ノ -ルォキシ、デシルォキシ、 3, 7—ジメチルォクチルォキシ、ラウリルォキシなどが 例示される。
c〜c アルキルフエノキシ基として具体的には、メチルフエノキシ基、ェチルフエノ
1 12
キシ基、ジメチルフエノキシ基、プロピルフエノキシ基、 1, 3, 5 トリメチルフエノキシ 基、メチルェチルフエノキシ基、イソプロピルフエノキシ基、ブチルフエノキシ基、イソ ブチルフエノキシ基、 t ブチルフエノキシ基、ペンチルフエノキシ基、イソアミルフエノ キシ基、へキシルフエノキシ基、ヘプチルフエノキシ基、ォクチルフエノキシ基、ノ-ル フエノキシ基、デシルフヱノキシ基、ドデシルフヱノキシ基などが例示される。
[0017] ァリールチオ基としては、炭素数は通常 6〜60程度であり、好ましくは炭素数 7〜4 8である。具体的には、フエ-ルチオ基、 C〜C アルコキシフエ-ルチオ基、 C〜C
1 12 1 12 アルキルフエ二ルチオ基、 1 ナフチルチオ基、 2—ナフチルチオ基、ペンタフルォロ フエ-ルチオ基などが例示され、 C〜C アルコキシフヱ-ルチオ基、及び C〜C ァ
1 12 1 12 ルキルフエ-ルチオ基が好まし!/、。
[0018] ァリールアルキル基は、炭素数は通常 7〜60程度であり、好ましくは 7〜48である。
具体的には、フエ-ルー C〜C アルキル基、 C〜C アルコキシフエ-ルー C〜C
1 12 1 12 1 12 アルキル基、 c〜C アルキルフエ-ルー C〜C アルキル基、 1 ナフチルー C〜
1 12 1 12 1
C アルキル基、 2—ナフチルー C〜C アルキル基などが例示され、 C〜C アルコ
12 1 12 1 12 キシフエ-ルー c〜c アルキル基、及び c〜c アルキルフエ-ルー c〜c アルキ
1 12 1 12 1 12 ル基が好ましい。
[0019] ァリールアルキルォキシ基は、炭素数は通常 7〜60程度であり、好ましくは炭素数 7〜48である。具体的には、フエ-ルメトキシ基、フエ-ルェトキシ基、フエ-ルブトキ シ基、フエ-ルペンチロキシ基、フエ-ルへキシロキシ基、フエ-ルへプチロキシ基、 フエ-ルォクチロキシ基などのフエ-ルー C〜C アルコキシ基、 C〜C アルコキシ
1 12 1 12 フエ-ルー C〜C アルコキシ基、 C〜C アルキルフエ-ルー C〜C アルコキシ基
1 12 1 12 1 12
、 1 ナフチルー C〜C アルコキシ基、 2—ナフチルー C〜C アルコキシ基などが
1 12 1 12
例示され、 c〜c アルコキシフエ-ルー c〜c アルコキシ基、及び c〜c アルキ
1 12 1 12 1 12 ルフエ-ルー c〜c アルコキシ基が好ましい。
1 12
[0020] ァリールアルキルチオ基は、炭素数は通常 7〜60程度であり、好ましくは炭素数 7 〜48である。具体的には、フエ-ルー C〜C アルキルチオ基、 C〜C アルコキシ
1 12 1 12
フエ-ルー c〜c アルキルチオ基、 c〜c アルキルフエ-ルー c〜c アルキル
1 12 1 12 1 12 チォ基、 1 ナフチルー C〜C アルキルチオ基、 2—ナフチルー C〜C アルキル
1 12 1 12 チォ基などが例示され、 c〜c アルコキシフエ-ルー c〜c アルキルチオ基、及
1 12 1 12
び C〜C アルキルフエ-ルー C〜C アルキルチオ基が好ましい。
1 12 1 12
[0021] ァシル基は、炭素数は通常 2〜20程度であり、好ましくは炭素数 2〜18である。具 体的には、ァセチル基、プロピオニル基、プチリル基、イソプチリル基、ビバロイル基、 ベンゾィル基、トリフルォロアセチル基、ペンタフルォロベンゾィル基などが例示され る。
[0022] ァシルォキシ基は、炭素数は通常 2〜20程度であり、好ましくは炭素数 2〜18であ る。具体的には、ァセトキシ基、プロピオ-ルォキシ基、ブチリルォキシ基、イソブチリ ルォキシ基、ビバロイルォキシ基、ベンゾィルォキシ基、トリフルォロアセチルォキシ 基、ペンタフルォロベンゾィルォキシ基などが例示される。
[0023] 1価の複素環基とは、複素環化合物力も水素原子 1個を除いた残りの原子団をい い、炭素数は通常 4〜60程度であり、好ましくは 4〜20である。なお、複素環基の炭 素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をも つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなぐ酸素、硫黄、窒素、 燐、硼素などのへテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チェ-ル基、 C〜
1
C アルキルチェニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、 c〜C アルキルピリジ
12 1 12
ル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チェニル基、 c〜c アルキルチェ-ル基、ピリジル基、及び c〜c アルキルピリジル基が好ましい。
2 1 12
[0024] ヘテロァリールォキシ基としては、炭素数は通常 6〜60程度であり、好ましくは 7〜 48である。具体的には、チェ-ルォキシ基、 C〜C アルコキシチェ-ルォキシ基、
1 12
c〜c アルキルチェ-ルォキシ基、ピリジルォキシ基、ピリジルォキシ基、イソキノリ
1 12
ルォキシ基などが例示され、 c〜c アルコキシピリジルォキシ基、及び c〜c アル
1 12 1 12 キルピリジルォキシ基が好まし 、。
c〜c アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルォキシ、イソプロ
1 12
ピルォキシ、ブトキシ、イソブトキシ、 t ブトキシ、ペンチルォキシ、へキシルォキシ、 シクロへキシルォキシ、ヘプチルォキシ、ォクチルォキシ、 2—ェチルへキシルォキシ 、ノ -ルォキシ、デシルォキシ、 3, 7—ジメチルォクチルォキシ、ラウリルォキシなどが 例示される。
C〜C アルキルピリジルォキシ基として具体的には、メチルピリジルォキシ基、ェ
1 12
チルピリジルォキシ基、ジメチルピリジルォキシ基、プロピルピリジルォキシ基、 1, 3, 5—トリメチルピリジルォキシ基、メチルェチルピリジルォキシ基、イソプロピルピリジル ォキシ基、ブチルピリジルォキシ基、イソブチルピリジルォキシ基、 t ブチルピリジル ォキシ基、ペンチルピリジルォキシ基、イソアミルピリジルォキシ基、へキシルピリジル ォキシ基、ヘプチルピリジルォキシ基、ォクチルピリジルォキシ基、ノ-ルピリジルォ キシ基、デシルピリジルォキシ基、ドデシルピリジルォキシ基などが例示される。
[0025] ヘテロァリールチオ基としては、炭素数は通常 6〜60程度であり、好ましくは炭素数 7〜48である。具体的には、ピリジルチオ基、 C〜C アルコキシピリジルチオ基、 C
1 12 1
〜c アルキルピリジルチオ基、イソキノリルチオ基などが例示され、 c〜c アルコキ
12 1 12 シピリジルチオ基、及び c〜c アルキルピリジルチオ基が好ましい。
1 12
[0026] ァリールァルケ-ル基は、炭素数は通常 7〜60程度であり、好ましくは炭素数 7〜4 8である。具体的には、フエ-ルー C〜C ァルケ-ル基、 C〜C アルコキシフエ-
2 12 1 12
ルー C〜C ァルケ-ル基、 C〜C アルキルフエ-ルー C〜C ァルケ-ル基、 1
2 12 1 12 2 12
ナフチルー C〜C ァルケ-ル基、 2—ナフチルー C〜C ァルケ-ル基などが例示
2 12 2 12
され、 c〜c アルコキシフエ-ルー c〜c ァルケ-ル基、及び c〜c アルキルフ
1 12 2 12 2 12 ェ-ルー c〜c ァルケ-ル基が好ましい。 [0027] ァリールェチニル基は、炭素数は通常 7〜60程度であり、好ましくは炭素数 7〜48 である。具体的には、フエ-ルー C〜C アルキ-ル基、 C〜C アルコキシフエ-ル
2 12 1 12
C〜C アルキ-ル基、 C〜C アルキルフエ-ルー C〜C アルキ-ル基、 1ーナ
2 12 1 12 2 12
フチルー C〜C アルキ-ル基、 2—ナフチルー C〜C アルキ-ル基などが例示さ
2 12 2 12
れ、 c〜c アルコキシフエ-ルー c〜c アルキ-ル基、及び c〜c アルキルフエ
1 12 2 12 1 12 二ルー C〜C アルキニル基が好ましい。
2 12
[0028] 上記金属錯体は、好ましくは下記一般式（1A)で表される構造である。
[化 8]
(1 A )
Figure imgf000016_0001
(上記式中、 M、 Arl、 Ar2、 X及び Xは上述の通りである。 )
1 2
[0029] 以下、一般式（1A)で表される金属錯体を以下に具体的に例示する。
[化 9]
Figure imgf000017_0001
Figure imgf000017_0002
上記中の Mは遷移金属又はランタノイド力 選ばれる金属を表し、たとえば Ru、 Rh 、 Pd、 W、 Ir、 Pt、及び Auが例示される。また上記中の Rは置換基を表し、ハロゲン 原子、アルキル基、アルキルォキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ 基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルキルォキシ基、ァリールアル キルチオ基、ァシル基、ァシルォキシ基、アミド基、酸イミド基、ィミン残基、置換アミノ 基、置換シリル基、置換シリルォキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、 1価 の複素環基、ヘテロァリールォキシ基、ヘテロァリールチオ基ァリールァルケ-ル基
、ァリールェチニル基が例示される。複数個の Rは同一であっても異なっていてもよ い。
[0031] 上記式（1)の構造を有する金属錯体化合物は、他の構造の配位子を有していても よいし、同一の配位子を複数有していてもよいが、上記式（1)を含めて少なくとも 2つ の多座配位子を有している中性の金属錯体ィ匕合物である。ここで、多座配位子とは 2 箇所以上で金属に配位する配位子である。
他の構造の配位子としては、特に限定されるものではないが、例えばアルキル基や ハロゲン原子で置換されていてもよいフエ-ルビリジン、フエナント口リン、フエ-ルキ ノリンゃ、特表 2003— 515897に記載の 2座配位子などが挙げられ、これらは多座 配位子の例である。
[0032] 本発明の金属錯体からの発光は特に限定はされないが、 MLCT励起状態 (Metal to Ligand Charge Transfer励起状態）からの発光が含まれること力 高効率 を得る点で好ましい。
[0033] 次に、本発明の金属錯体の合成法について説明する。
本発明に用いる金属錯体は、例えば Inorganic Chemistry, vol. 43、 663— 67 3 (2004)、 Journal of the Chemistry society Chemical Communicatio ns、 2273— 2274頁（1995)に記載の方法に準じて合成できる。
[0034] 合成操作としては、フラスコ内に溶媒を投入し、これを攪拌しながら、不活性ガス、 例えば、窒素ガスやアルゴンガスでパブリングなどにより脱気を行った後、錯体と配 位子を投入する。必要に応じて還元剤を添加する。攪拌しながら不活性ガス雰囲気 下で配位子交換が行われるまで攪拌を続ける。反応の終点は、 TLCモニターや高 速液体クロマトグラフィーにより原料の減少が停止することや、どちらかの原料の消失 を以つて決定することができる。
反応混合液からの目的物の取り出しと精製条件は、錯体によって異なるが、通常の 錯体精製の手法、例えば再結晶などが使われる。 化合物の同定'分析は CHN元素分析及び NMRにより行う事ができる。
[0035] 本発明の材料は、上記一般式（1)で表される構造を部分構造として有し、少なくと も 2つの多座配位子を有する、中性の金属錯体と電荷輸送性材料とを含む組成物で あるか、又は該金属錯体の残基と該電荷輸送性材料の残基とを分子内に含む高分 子であることを特徴とする。
好ましくは、本発明の材料は、上記金属錯体と電荷輸送性材料とを含む組成物で ある。
[0036] 本発明の材料に含まれる電荷輸送性材料としては、低分子有機化合物であっても 、高分子であってもよぐ正孔輸送材料と電子輸送材料が挙げられる。
正孔輸送材料としては、芳香族ァミン、力ルバゾール誘導体、ポリパラフエ-レン誘 導体など、これまで有機 EL素子に正孔輸送材料として使われて ヽるようなものが挙 げられる。
電子輸送材料としては、同様にこれまで有機 EL素子に電子輸送材料として使われ ているような、ォキサジァゾール誘導体アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベン ゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくは その誘導体、テトラシァノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルォレノン誘導 体、ジフエ-ルジシァノエチレン若しくはその誘導体、ジフエノキノン誘導体、又は 8 ーヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体が挙げられる。
電荷輸送材料としての低分子有機化合物とは、低分子有機 EL素子に用いられる ホスト化合物、電荷注入輸送化合物を表し、具体的には、例えば「有機 ELディスプレ ィ」（時任静士、安達千波矢、村田英幸 共著、オーム社)、 107頁、月刊テイスプレイ 、 vol9、 No9、 2003年、 26— 30頁、特開 2004— 244400、特開 2004— 277377 等に記載の化合物を挙げることができる。
[0037] また、電荷輸送性材料としては高分子も用いることができる。高分子としては、非共 役系高分子、及び共役系高分子が挙げられる。
非共役系高分子としては、ポリビニルカルバゾールなどが挙げられる。
共役系高分子としては、主鎖に芳香環を含むポリマーが例として挙げられ、例えば 置換基を有していてもよいフエ-レン基、フルオレン、ジベンゾチォフェン、ジベンゾ フラン、又はジベンゾシロールなどを繰り返し単位として主鎖に含むものや、それらの ユニットとの共重合体が例示される。さらに具体的には、置換基を有していてもよいべ ンゼン環、及び Z又は、下記一般式 (2)を部分構造として有することを特徴とする高 分子化合物が挙げられ、具体的には、たとえば特開 2003— 231741、 2004— 059 899、特開 2004— 002654、特開 2004— 292546、 US5708130, W0995438 5, WO0046321, WO02077060,「有機 ELディスプレイ」（時任静士、安達千波 矢、村田英幸 共著、オーム社;)、 111頁、月刊ディスプレイ、 vol9、 No9、 2002年 4 7— 51頁等に記載の高分子が挙げられる。
[化 10]
Figure imgf000020_0001
上記式中、 Xは、 N、 0、 S、 Se、 B、 Siゝ P、 C、 C— C、 O— C、 S— C、 N— C、 Si— C、 Si-Si, C = C、又は Si=Cを表し、価数により置換基を有してもよぐ N、 0、 S、 Se、 B、 Si、 P、 Cであることが好ましい。好ましくは、 X—は、 O 、 一 S 、 一 Se 一、 B (R ) 一、 Si (R ) (R ) 一、 P (R ) 一、 PR ( = 0) 一、 C (R ) (R
31 32 33 34 36 37 38
)―、 -C (R ) (R ) -C (R ) (R )―、 -0-C (R ) (R )―、 一 S— C (R ) (R )
51 52 53 54 55 56 57 58 一、 一 N— C (R ) (R ) 一、 一 Si (R ) (R )—C (R ) (R ) —、 一 Si (R ) (R )— Si
59 60 61 62 63 64 65 66
(R ) (R ) 一、 -C (R ) =C (R ) 一、 -N (R ) 一、 N = C (R ) 一、又は Si(R
67 68 69 70 35 71 7
) =C (R )—を表し、 R 〜R 、 R 〜R は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコ
2 73 31 38 51 73
キシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリール アルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケ-ル基
、ァリールアルキニル基、 1価の複素環基又はハロゲン原子を表す。 R及び Rは各
1 2 々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基又は他 の原子との結合手を表す。 m及び nは各々独立に 0〜4の整数を表す。
なお、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基 、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチ ォ基、ァリールァルケ-ル基、ァリールアルキ-ル基、 1価の複素環基又はハロゲン 原子の具体例としては、各々前記の例示を挙げることができる。
一般式（2)で表される電荷輸送材料を、以下に例示する。
[化 11]
Figure imgf000021_0001
(式 (4)は、 2、 7位が結合手である繰り返し単位を表す。式 (4)中、 Xは、 N、 0、 S、 Se、 B、 Si、 P、又は Cを表し、価数により置換基を有してもよい。 R及び Rは各々独
1 2 立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、又はァリール基を表す 。 m'及び n'は各々独立に 0〜3の整数を表す。式（5)中、 R 、 Rはそれぞれ独立に
3 4
、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、アルコキシ基、ァリール基、又はハロゲ ン原子を表し、 pは 0又は 1である。 )
式 (4)の中で、 Xは 0、 S、 一 N (R )—又は C (R ) (R )であることが好ましい。上
35 37 38
記 R 、 R 、 R はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァ
35 37 38
リール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコ キシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケ-ル基、ァリールアルキ-ル基、 1 価の複素環基又はハロゲン原子を表す。
電荷輸送材料が共役系高分子の場合は、上記式 (4)と、他の繰り返し単位との共 重合体であってもよい。他の繰り返し単位としては、下記（6)、（7)が挙げられる。
Ar— (6)
1
[化 12]
Figure imgf000022_0001
(式中、 Ar、 Ar、 Ar、 Ar及び Arはそれぞれ独立にァリーレン基又は 2価の複素
1 2 3 4 5
環基を示す。 Ar、 Ar、 Ar及び Arはそれぞれ独立にァリール基、又は 1価の複素
5 6 7 8
環基を示す。 Ar、 Ar、 Ar及び Arは置換基を有していてもよい。 x及び yはそれぞ
1 6 7 8
れ独立に 0又は 1を s示し、 0≤x+y≤lである。）
[0040] ここに、ァリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子 2個を除いた原子団であ り、通常炭素数は 6〜60程度であり、好ましくは 6〜20である。ここに芳香族炭化水 素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環 2個以上が直接又は ビ-レン等の基を介して結合したものが含まれる。以下に例示する。
[化 13]
Figure imgf000022_0002
(上式中、 Rは上記 R 〜R と同じものを表し、 1つの基の中で同一でなくてもよい。）
XI X6
[0041] 電荷輸送性材料は、上記材料を含む、高分子組成物であってもよい。
[0042] 本発明の材料は、その材料自体が、前記一般式（1)で表される構造を部分構造と して有し、少なくとも 2つの多座配位子を有する、中性の金属錯体の残基と電荷輸送 性材料の残基とを分子内に含む高分子 (好ましくは共役系高分子)であってもよ 、。 この場合、該高分子自体が上記金属錯体及び電荷輸送性材料としての機能を有す る。
[0043] また本発明の材料においては、前記電荷輸送性材料が、前記一般式（1)で表され る構造を部分構造として有する金属錯体の構造を分子内に含む高分子 (好ましくは 共役系高分子)であってもよい。この場合も、該高分子自体が電荷輸送性材料及び 金属錯体としての機能を有するが、上記金属錯体を追加成分として含むことができる
[0044] 本発明の材料が、上述のように、材料自体が前記一般式（1)で表される構造を部 分構造として有する金属錯体の構造を分子内に含む高分子の場合、あるいは前記 電荷輸送性材料が、前記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有する金属錯 体の構造を分子内に含む高分子の場合に、例としては、
高分子 (A)の主鎖に前記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有する金属 錯体の構造 (B)の構造を有する高分子；
高分子 (A)の末端に前記一般式（1)で表される構造を部分構造として有する金属 錯体の構造 (B)の構造を有する高分子；
(A)の側鎖に前記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有する金属錯体の 構造 (B)の構造を有する高分子；
が挙げられる。
[0045] 高分子 (A)の側鎖に、前記一般式（1)で表される構造を部分構造として有する金 属錯体の構造 (B)を有する高分子構造は、例えば下式で示される。
[化 14] Ar18——
(式中 Ar18は、二価の芳香族基、又は、酸素原子、ケィ素原子、ゲルマニウム原子、 スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子及びテルル原子からなる群 力 選ばれる原子を一つ以上有する二価の複素環基を表し、該 Ar18は、 L— Xで 示される基 1個以上 4個以下を有し、 Xは前記一般式（1)で表される構造を部分構造 として有する金属錯体の構造を含む一価の基を表し、 Lは、単結合、 O 、一 S— CO CO SO SO SiR R NR BR P
2 2
R72—、—P ( = 0) (R73)—、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよ ぃァルケ-レン基、置換されていてもよいアルキ-レン基、置換されていてもよいァリ 一レン基、又は置換されていてもよい 2価の複素環基を表し、該アルキレン基、該ァ ルケ二レン基、該アルキ-レン基が— CH—基を含む場合、該アルキレン基に含ま
2
れる—CH—基の一つ以上、該ァルケ-レン基に含まれる CH—基の一つ以上、
2 2
該アルキ-レン基に含まれる CH—基の一つ以上がそれぞれ、—O—、—S—、
2
—CO CO SO SO― SiR74R75 NR76 BR77 PR7
2 2
8—、及び— P ( = 0) (R79)—からなる群力も選ばれる基と置き換えられていてもよい。 R68、 R69、 R7°、 R71、 R72、 R73、 R74、 R75、 R76、
Figure imgf000024_0001
R79は、それぞれ独立に、水素 原子、アルキル基、ァリール基、 1価の複素環基及びシァノ基からなる群から選ばれ る基を示す。 Ar18は、 L Xで示される基以外にさらに、アルキル基、アルコキシ基 、アルキルチオ基、ァリール基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキ ル基、ァリールアルコキシ基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケ-ル基、ァリ ールアルキ-ル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、 ァシル基、ァシルォキシ基、ィミン残基、アミド基、酸イミド基、 1価の複素環基、カル ボキシル基、置換カルボキシル基及びシァノ基カゝらなる群カゝら選ばれる置換基を有し ていてもよい。 Ar18が複数の置換基を有する場合、それらは同一であってもよいし、 それぞれ異なっていてもよい。 )
ここで、 2価の芳香族基とは、フエ-レン、ピリジ-レン、ピリミジレン、ナフチレン、又 は上記一般式（2)で表されるような環が例として挙げられる。
高分子 (A)の主鎖に前記一般式（1)で表される構造を部分構造として有する金属 錯体の構造 (B)を有する高分子構造は、例えば、下式で示される。
[化 15]
Figure imgf000025_0001
(式中 L、 Lは燐光性発光性分子の構造を示し、式中の 2価又は 3価の結合基は、前
1 2
記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有する金属錯体の構造が、高分子主 鎖を形成する繰り返し単位と結合している。 )
[0047] 高分子 (A)の末端に、前記一般式（1)で表される構造を部分構造として有する金 属錯体の構造 (B)を有する高分子の構造は、例えば、下式で示される。
[化 16]
X ~
(式中 Lは前記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有する金属錯体の構造
3
(B)の構造を含む一価の基を表し、 1価の結合基は、この構造 (B)が有していて、 X と結合している。 Xは単結合、置換されていてもよいァルケ-レン基、置換されていて もよいアルキ-レン基、置換されていてもよいァリーレン基、又は置換されていてもよ い 2価の複素環基を表す。）
[0048] 前記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有する金属錯体の構造 (B)を側 鎖、主鎖、末端に有する高分子は、例えば、金属錯体の構造 (B)を有する単量体を 、原料の一つとして用いて、前記の方法を用いて製造することができる。
[0049] 本発明の材料に用いる高分子のポリスチレン換算の数平均分子量は 103〜108が 好ましぐさらに好ましくは 104〜： L06である。ポリスチレン換算の重量平均分子量は 1 03〜： L08であり、好ましくは 5 X 104〜5 X 106である。
金属錯体の構造を分子内に含む高分子としては、本発明の材料に用いる高分子と して上記に記載した高分子、例えば一般式 (4)を繰り返し単位として含む高分子が 同様に例示される。 [0050] 本発明の材料中の金属錯体構造の量は、組み合わせる有機化合物の種類や、最 適化したい特性により異なるので、特に限定されないが、金属錯体構造以外の有機 化合物の量を 100重量部としたとき、通常 0. 01〜80重量部、好ましくは 0. 1〜60 重量部である。また、金属錯体を 2種類以上含んでいてもよい。
[0051] また、本発明の 、ずれの材料も、電荷輸送性材料のほかに、発光材料を含有して いてもよぐその発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例 えば、ナフタレン誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導 体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シァニン系などの色素類、 8—ヒドロキシ キノリン若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族ァミン、テトラフエ-ルシクロペンタジ ェン若しくはその誘導体、又はテトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体などを用 いることがでさる。
[0052] <液状組成物 >
本発明の組成物及び高分子化合物は、特に液状組成物として高分子発光素子等 の発光素子や有機トランジスタの作製に有用である。液状組成物は、本発明の組成 物が必要に応じて溶媒を含んでなるもの、又は本発明の高分子化合物と溶媒とを含 んでなるものである。本明細書において、「液状組成物」とは、素子作製時において 液状であるものを意味し、典型的には、常圧 (即ち、 1気圧）、 25°Cにおいて液状のも のを意味する。また、液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼 ばれることがある。
[0053] 高分子発光素子の作製の際に、この液状組成物 (例えば、溶液状態の組成物等） を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだ けでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合にぉ ヽても同様な手法が適 用できるので、製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、 50〜150°C程度に 加温した状態で乾燥してもよぐまた、 10—3Pa程度に減圧して乾燥させてもよい。
[0054] 液状組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクロ グラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコ一 ト法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセ ット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。 [0055] 液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、 1重量％ 〜99. 9重量0 /0であり、好ましくは 60重量％〜99. 9重量0 /0であり、さらに好ましく 90 重量％〜99. 8重量％である。液状組成物の粘度は印刷法によって異なる力 25°C において 0. 5〜500mPa'sの範囲が好ましぐインクジェットプリント法等液状組成物 が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止する ために粘度が 25°Cにおいて 0. 5〜20mPa'sの範囲であることが好ましい。また、前 記式（1 1)、（1 2)で表される繰り返し単位を含む重合体及び燐光発光を示すィ匕 合物の重量の和、又は前記高分子化合物の重量が、液状組成物力 溶媒を除いた 全成分の合計重量に対して、通常は 20重量％〜 100重量％であり、好ましくは 40重 量％〜100重量％でぁる。
[0056] 液状組成物に含まれる溶媒としては、該液状組成物中の該溶媒以外の成分を溶 解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロ口ホルム、塩化メチレン、 1, 2—ジクロ口ェタン、 1, 1, 2—トリクロ口ェタン、クロ口ベンゼン、 o ジクロ口ベンゼン 等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジォキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシ レン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロへキサン、メ チルシクロへキサン、 n—ペンタン、 n—へキサン、 n—ヘプタン、 n—オクタン、 n—ノ ナン、 n—デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン、シクロ へキサノン等のケトン系溶媒、酢酸ェチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、ェチル セルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコール モノブチノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノェチノレエーテノレ、エチレングリコーノレモ ノメチルエーテル、ジメトキシェタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリェチ レングリコールモノェチルエーテル、グリセリン、 1, 2—へキサンジオール等の多価ァ ルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、 シクロへキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド 系溶媒、 N—メチル—2—ピロリドン、 N, N ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒 が例示される。また、これらの溶媒は、 1種単独で用いても複数組み合わせて用いて もよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも 1個以上含む構造を有し、かつ融点 力 S0°C以下、沸点が 100°C以上である有機溶媒を 1種類以上含むことが、粘度、成膜 性等の観点力も好ましい。
[0057] 溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、 成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水 素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましぐトルエン、キシレン、ェチルベ ンゼン、ジェチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、 n—プロピルベンゼン、ィ ソプロピルベンゼン、 n—ブチノレベンゼン、イソブチルベンゼン、 s—ブチノレベンゼン、 ァニソール、エトキシベンゼン、 1ーメチルナフタレン、シクロへキサン、シクロへキサノ ン、シクロへキシルベンゼン、ビシクロへキシノレ、シクロへキセニルシクロへキサノン、 n—ヘプチノレシクロへキサン、 n—へキシノレシクロへキサン、メチノレべンゾエート、 2- プロビルシクロへキサノン、 2—へプタノン、 3—へプタノン、 4一へプタノン、 2—ォクタ ノン、 2—ノナノン、 2—デカノン、ジシクロへキシルケトンが好ましぐキシレン、ァ-ソ ール、メシチレン、シクロへキシルベンゼン、ビシクロへキシルメチルベンゾエートのう ち少なくとも 1種類を含むことがより好ましい。
[0058] 液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、 2 種類以上であることが好ましぐ 2〜3種類であることがより好ましぐ 2種類であること 力 Sさらに好ましい。
[0059] 液状組成物に 2種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの 1種類の溶媒は 25°Cにお いて固体状態でもよい。成膜性の観点から、 1種類の溶媒は沸点が 180°C以上のも のであり、他の 1種類の溶媒は沸点が 180°C以下のものであることが好ましぐ 1種類 の溶媒は沸点が 200°C以上のものであり、他の 1種類の溶媒は沸点が 180°C以下の ものであることがより好ましい。また、粘度の観点から、 60°Cにおいて、液状組成物か ら溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶媒に溶解することが好ましぐ 2種類の溶 媒のうちの 1種類の溶媒には、 25°Cにおいて、液状組成物から溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶解することが好ましい。
[0060] 液状組成物に 3種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの 1〜2種類の溶媒は 25°C において固体状態でもよい。成膜性の観点から、 3種類の溶媒のうちの少なくとも 1種 類の溶媒は沸点が 180°C以上の溶媒であり、少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180 °C以下の溶媒であることが好ましぐ 3種類の溶媒のうちの少なくとも 1種類の溶媒は 沸点が 200°C以上 300°C以下の溶媒であり、少なくとも 1種類の溶媒は沸点が 180 °C以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、 3種類の溶媒のうち の 2種類の溶媒には、 60°Cにおいて、液状組成物力 溶媒を除いた成分の 0. 2重 量％以上が溶媒に溶解することが好ましぐ 3種類の溶媒のうちの 1種類の溶媒には 、 25°Cにおいて、液状組成物力も溶媒を除いた成分の 0. 2重量％以上が溶媒に溶 解することが好ましい。
[0061] 液状組成物に 2種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最 も沸点が高い溶媒力 液状組成物に含まれる全溶媒の重量の 40〜90重量％である ことが好ましぐ 50〜90重量％であることがより好ましぐ 65〜85重量％であることが さらに好ましい。
[0062] 液状組成物に含まれる溶媒としては、粘度及び成膜性の観点から、ァ-ソール及 びビシクロへキシルの組み合わせ、ァ-ソール及びシクロへキシルベンゼンの組み 合わせ、キシレン及びビシクロへキシルの組み合わせ、キシレン及びシクロへキシル ベンゼンの組み合わせ、メシチレン及びメチルベンゾエートの組み合わせが好まし!/ヽ
[0063] 液状組成物に含まれる溶媒以外の成分の溶媒への溶解性の観点から、溶媒の溶 解度パラメータと、本発明の組成物に含まれる重合体又は本発明の高分子化合物の 溶解度パラメータとの差が 10以下であることが好ましぐ 7以下であることがより好まし い。これらの溶解度パラメータは、「溶剤ハンドブック (講談社刊、 1976年)」に記載の 方法で求めることができる。
[0064] 次 、で、本発明の薄膜にっ 、て説明する。この薄膜は、前記組成物、前記液状組 成物又は前記高分子化合物 (以下、組成物、液状組成物、高分子化合物を総称し て「組成物等」という。）を用いてなるものである。薄膜の種類としては、発光性薄膜、 導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。
[0065] 発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が高!、こと が好ましい。
[0066] 導電性薄膜は、表面抵抗が 1ΚΩ Ζ口以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス 酸、イオン性ィ匕合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表 面抵抗が 100 Ω Z口以下であることがより好ましぐ 10 Ω Z口以下であることがさらに 好ましい。
[0067] 有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、好まし くは 10— 5cm2ZV/秒以上であり、より好ましくは 10— 3cm2ZV/秒以上であり、さらに 好ましくは 10— ιη2Ζν/秒以上である。また、有機半導体薄膜を用いて、有機トラン ジスタを作製することができる。具体的には、 SiO等の絶縁膜とゲート電極とを形成し
2
た Si基板上に有機半導体薄膜を形成し、 Au等でソース電極とドレイン電極を形成す ることにより、有機トランジスタとすることができる。
[0068] 本発明はまた、下記一般式（1)で表される構造を部分構造として有する中性の金 属錯体を含むことを特徴とする光電素子にも関する。
[化 17]
Arl—X"
;>M 0)
Ail— Χ2' '
(上記式中、 M、 Arl、 Ar2、 X及び Xは上述の通りである。 )
1 2
本発明は、また、上記の本発明の材料を含むことを特徴とする光電素子にも関する 本発明の光電素子は、陽極及び陰極カゝらなる電極間に、本発明の金属錯体又は 本発明の材料を含む層を有することを特徴とし、例えば、発光素子、スイッチング素 子、光電変換素子として用いることができる。該素子が発光素子の場合は、本発明の 金属錯体を含む層が、発光層であることが好ましい。
また、本発明の光電素子としては、陽極及び陰極からなる電極間に、さらに電荷輸 送層又は電荷阻止層を含んでいてもよい。電荷輸送層とは、正孔輸送層又は電子 輸送層を意味し、電荷阻止層とは、ホール阻止層又は電子阻止層を意味する。陰極 と光電層との間に、電子輸送層又はホール阻止層を設けた発光素子、陽極と光電層 との間に、正孔輸送層又は電子阻止層を設けた発光素子、陰極と光電層との間に、 電子輸送層又はホール阻止層を設け、かつ陽極と光電層との間に、正孔輸送層又 は電子阻止層を設けた発光素子等が挙げられる。ここで、電子輸送層とホール阻止 層は、「有機 ELのすベて」 162頁 (城戸淳ニ著、日本実業出版）に記載されているよ うに、同じ機能を持ち、たとえば電子輸送層とホール阻止層を構成する材料は同じも のを用いることができ、材料の特性により、どちらかの機能がより強く反映される場合 がある。正孔輸送層と電子阻止層も同様である。本発明の発光素子には、例えば特 許文献 (Journal of the SID 11/1, 161— 166, 2003)記載の素子構造が例 に挙げられる。
また、上記少なくとも一方の電極と光電層との間に該電極に隣接して導電性高分子 を含む層を設けた発光素子、少なくとも一方の電極と光電層との間に該電極に隣接 して平均膜厚 2nm以下のバッファ一層を設けた発光素子が挙げられる。
[0069] 具体的には、以下の a)〜d)の構造が例示される。
a)陽極 Z光電層 Z陰極
b)陽極 Z正孔輸送層 Z光電層 Z陰極
c)陽極 Z光電層 Z電子輸送層 Z陰極
d)陽極 Z正孔輸送層 Z光電層 Z電子輸送層 Z陰極
(ここで、 Zは各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。 )
ここで、光電層とは、光電機能を有する層、すなわち発光性、導電性、光電変換機 能を有する薄膜であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電 子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸 送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。
光電層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に 2層以上用いてもよい。 また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善 する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（ 正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
[0070] また、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接し て前記の電荷注入層又は膜厚 2nm以下の絶縁層を設けてもよぐまた、界面の密着 性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や光電層の界面に薄いバッファ一層を 挿人してちょい。 さらに、電子を輸送し、かつ正孔を閉じ込めるために光電層との界面に正孔阻止層 を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘 案して適宜用いることができる。
[0071] 本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた発光素子として は、陰極に隣接して電荷注入層を設けた発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を 設けた発光素子が挙げられる。
例えば、具体的には、以下の e)〜p)の構造が挙げられる。
e)陽極 Z電荷注入層 Z光電層 Z陰極
f)陽極 Z光電層 Z電荷注入層 Z陰極
g)陽極 Z電荷注入層 Z光電層 Z電荷注入層 Z陰極
h)陽極 Z電荷注入層 Z正孔輸送層 Z光電層 Z陰極
i)陽極 Z正孔輸送層 Z光電層 Z電荷注入層 Z陰極
j)陽極 Z電荷注入層 Z正孔輸送層 Z光電層 Z電荷注入層 Z陰極
k)陽極 Z電荷注入層 Z光電層 Z電荷輸送層 Z陰極
1)陽極 Z光電層 Z電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極
m)陽極 Z電荷注入層 Z光電層 Z電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極
n)陽極 Z電荷注入層 Z正孔輸送層 Z光電層 Z電荷輸送層 Z陰極
o)陽極 Z正孔輸送層 Z光電層 Z電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極
P)陽極 Z電荷注入層 Z正孔輸送層 Z光電層 Z電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極
[0072] 電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層と の間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のィ オン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰 極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する 材料を含む層などが例示される。
[0073] 上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導 度は、 10— Zcm以上 103SZcm以下であることが好ましぐ発光画素間のリーク電 流を小さくするためには、 10— 5SZcm以上 10 Zcm以下がより好ましぐ 10"5S/c m以上 lC S/cm以下がさらに好まし 、。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を 10—5SZcm以上 103SZcm以下とするた めに、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればァニオン、電子注入層であれば 力アミノンである。ァ-オンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルべ ンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、力アミノンの例として は、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラプチルアンモ -ゥムイオン などが例示される。
[0074] 電荷注入層の膜厚としては、例えば lnm〜100nmであり、 2nm〜50nmが好まし い。
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すれ ばよぐポリア-リン及びその誘導体、ポリアミノフェン及びその誘導体、ポリピロール 及びその誘導体、ポリフエ-レンビ-レン及びその誘導体、ポリチェ-レンビ-レン及 びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香 族ァミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシア- ン (銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
[0075] 膜厚 2nm以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶 縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。 膜厚 2nm以下の絶縁層を設けた発光素子としては、陰極に隣接して膜厚 2nm以下 の絶縁層を設けた発光素子、陽極に隣接して膜厚 2nm以下の絶縁層を設けた発光 素子が挙げられる。
具体的には、例えば、以下の q)〜ab)の構造が挙げられる。
q)陽極 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z光電層 Z陰極
r)陽極 Z光電層 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z陰極
s)陽極 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z光電層 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z陰極 t)陽極 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z正孔輸送層 Z光電層 Z陰極
u)陽極 Z正孔輸送層 Z光電層 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z陰極
V)陽極 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z正孔輸送層 Z光電層 Z膜厚 2nm以下の絶縁 層 Z陰極
w)陽極 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z光電層 Z電子輸送層 Z陰極
X)陽極 Z光電層 Z電子輸送層 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z陰極
y)陽極 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z光電層 Z電子輸送層 Z膜厚 2nm以下の絶縁 層 Z陰極
z)陽極 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z正孔輸送層 Z光電層 Z電子輸送層 Z陰極 aa)陽極 Z正孔輸送層 Z光電層 Z電子輸送層 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z陰極 ab)陽極 Z膜厚 2nm以下の絶縁層 Z正孔輸送層 Z光電層 Z電子輸送層 Z膜厚 2n m以下の絶縁層 Z陰極
正孔阻止層は、電子を輸送しかつ、陽極力 輸送された正孔を閉じ込める働きを有 するものであり、光電層の陰極側の界面に設けられ、光電層のイオンィ匕ポテンシャル よりも大きなイオンィ匕ポテンシャルを有する材料、例えば、バソクプロイン、 8—ヒドロキ シキノリン若しくはその誘導体の金属錯体などカゝら構成される。
正孔阻止層の膜厚としては、例えば lnm〜100nmであり、 2nm〜50nmが好まし い。
具体的には、例えば、以下の ac)〜an)の構造が挙げられる。
ac)陽極 Z電荷注入層 Z光電層 Z正孔阻止層 Z陰極
ad)陽極 Z光電層 Z正孔阻止層 Z電荷注入層 Z陰極
ae)陽極 Z電荷注入層 Z光電層 Z正孔阻止層 Z電荷注入層 Z陰極
af)陽極 Z電荷注入層 Z正孔輸送層 Z光電層 Z正孔阻止層 Z陰極
ag)陽極 Z正孔輸送層 Z光電層 Z正孔阻止層 Z電荷注入層 Z陰極
ah)陽極 Z電荷注入層 Z正孔輸送層 Z光電層 Z正孔阻止層 Z電荷注入層 Z陰極 ai)陽極 Z電荷注入層 Z光電層 Z正孔阻止層 Z電荷輸送層 Z陰極
aj)陽極 Z光電層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極
ak)陽極 Z電荷注入層 Z光電層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極 al)陽極 Z電荷注入層 Z正孔輸送層 Z光電層 Z正孔阻止層 Z電荷輸送層 Z陰極 am)陽極 Z正孔輸送層 Z光電層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z電荷注入層 Z陰極 an)陽極 Z電荷注入層 Z正孔輸送層 Z光電層 Z正孔阻止層 Z電子輸送層 Z電荷 注入層 Z陰極
[0077] 本発明の光電素子を作製する際に、電荷輸送材料を含めた光電材料を溶液から 成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよぐまた電荷輸 送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常 に有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイ クログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バー コート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、ォ フセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。また電荷 輸送材料を含めた発光材料が比較的低分子の場合は、光電層を真空蒸着法を用い て製膜してもよい。
[0078] 本発明の光電素子の一態様である発光素子においては、光電層、即ち発光層に 本発明の光電材料以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本発明の光電 素子においては、本発明以外の発光材料を含む発光層が、本発明の発光材料を含 む光電層と積層されて 、てもよ 、。
[0079] 該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフ タレン誘導体、アントラセン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、ポリメ チン系、キサンテン系、クマリン系、シァニン系などの色素類、 8—ヒドロキシキノリン 若しくはその誘導体の金属錯体、芳香族ァミン、テトラフエニルシクロペンタジェン若 しくはその誘導体、又はテトラフエ-ルブタジエン若しくはその誘導体などを用いるこ とがでさる。
具体的には、例えば特開昭 57— 51781号、同 59— 194393号公報に記載されて いるもの等、公知のものが使用可能である。
[0080] 本発明の発光素子が正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては 、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖 若しくは主鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、ァリ ールァミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフ -ルジァミン誘導体、ポリア-リン若し くはその誘導体、ポリアミノフェン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導 体、ポリ（P—フエ-レンビ-レン)若しくはその誘導体、又はポリ（2, 5—チェ-レンビ 二レン)若しくはその誘導体などが例示される。
具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭 63— 70257号公報、同 63— 17586 0号公報、特開平 2— 135359号公報、同 2— 135361号公報、同 2— 209988号公 報、同 3— 37992号公報、同 3— 152184号公報に記載されているもの等が例示さ れる。
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビュル力ルバゾール 若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミ ン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリア-リン若しくはその誘導体、ポリアミ ノフェン若しくはその誘導体、ポリ（p—フエ-レンビ-レン)若しくはその誘導体、又は ポリ（2, 5—チェ-レンビ-レン)若しくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好 ましぐさらに好ましくはポリビュル力ルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しく はその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族ァミンを有するポリシロキサン誘導体であ る。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いること が好ましい。
[0081] ポリビュル力ルバゾール若しくはその誘導体は、例えばビュルモノマー力らカァミノ ン重合又はラジカル重合によって得られる。
[0082] ポリシラン若しくはその誘導体としては、ケミカル 'レビュー（Chem. Rev. )第 89卷
、 1359頁（1989年）、英国特許 GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が 例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング 法が好適に用いられる。
[0083] ポリシロキサン若しくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほと んどな 、ので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好 適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族ァミンを側鎖又は主鎖に有するものが例 示される。
[0084] 正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バ インダ一との混合溶液力 の成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材 料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
[0085] 溶液力もの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特 に制限はない。該溶媒として、クロ口ホルム、塩化メチレン、ジクロロェタン等の塩素系 溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水 素系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸ェチル、酢酸ブチル 、ェチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
[0086] 溶液力ゝらの成膜方法としては、液状組成物からの成膜による方法が挙げられる。液 状組成物からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビ ァコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイア一バーコート法、 ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印 刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色 の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印 刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ま 、。
[0087] 混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく 、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダー として、ポリカーボネート、ポリアタリレート、ポリメチルアタリレート、ポリメチルメタクリレ ート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
[0088] 正孔輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率 が適度な値となるように選択すればょ 、が、少なくともピンホールが発生しな 、ような 厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該 正孔輸送層の膜厚としては、例えば lnmから 1 μ mであり、好ましくは 2nm〜500n mであり、さらに好ましくは 5nm〜200nmである。
[0089] 本発明の発光素子が電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては 公知のものが使用でき、ォキサジァゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその 誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラ キノン若しくはその誘導体、テトラシァノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フ ルォレノン誘導体、ジフエ-ルジシァノエチレン若しくはその誘導体、ジフエノキノン 誘導体、又は 8—ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若し くはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘 導体等が例示される。 [0090] 具体的には、特開昭 63— 70257号公報、同 63— 175860号公報、特開平 2— 13 5359号公報、同 2— 135361号公報、同 2— 209988号公報、同 3— 37992号公報 、同 3— 152184号公報に記載されているもの等が例示される。
[0091] これらのうち、アミノキサジァゾール誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、アン トラキノン若しくはその誘導体、又は 8—ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属 錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフル オレン若しくはその誘導体が好ましぐ 2- (4ービフエ-リル） 5—（4—tーブチルフ ェニル） 1, 3, 4—ォキサジァゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（8 キノリ ノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
[0092] 電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末 からの真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電 子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。 溶液又は溶融状態力 の成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。
[0093] 溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び Z又は高分子バインダ 一を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロ口ホルム、塩化メチ レン、ジクロロェタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルェ ン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン等のケトン系 溶媒、酢酸ェチル、酢酸ブチル、ェチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒 が例示される。
[0094] 溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マ イクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバ 一コート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、 オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
[0095] 混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく 、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダ 一として、ポリ（N ビュルカルバゾール）、ポリア-リン若しくはその誘導体、ポリアミノ フェン若しくはその誘導体、ポリ（p フエ-レンビ-レン)若しくはその誘導体、ポリ（2 , 5—チェ-レンビ-レン)若しくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアタリレート、ポ リメチルアタリレート、ポリメチルメタタリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、又はポリ シロキサンなどが例示される。
[0096] 電子輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率 が適度な値となるように選択すればょ 、が、少なくともピンホールが発生しな 、ような 厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該 電子輸送層の膜厚としては、例えば lnmから 1 μ mであり、好ましくは 2ηπ！〜 500η mであり、さらに好ましくは 5nm〜200nmである。
[0097] 本発明の発光素子を形成する基板は、電極を形成し、該発光素子の各層を形成 する際に変化しないものであればよぐ例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、 シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は 半透明であることが好まし 、。
[0098] 通常、陽極及び陰極力 なる電極のうち少なくとも一方が透明又は半透明であり、 陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられ る。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体である インジウム'スズ'オキサイド (ITO)、インジウム '亜鉛 'オキサイド等力もなる導電性ガ ラスを用いて作成された膜 (NESAなど)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、 ITO、 インジウム'亜鉛'オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、 スパッタリング法、イオンプレーティング法、メツキ法等が挙げられる。また、該陽極と して、ポリア-リン若しくはその誘導体、ポリアミノフェン若しくはその誘導体などの有 機の透明導電膜を用いてもょ 、。
[0099] 陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができる
1S 例えば lOnmから 10 μ mであり、好ましくは 20nm〜l μ mであり、さらに好ましく は 50nm〜500nmである。
[0100] また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高 分子、カーボンなどカゝらなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等 カゝらなる平均膜厚 2nm以下の層を設けてもよい。
[0101] 本発明の発光素子で用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好まし い。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシ ゥム、カルシウム、ストロンチウム、ノ リウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、 亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イツテ ルビゥムなどの金属、又はそれらのうち 2つ以上の合金、又はそれらのうち 1つ以上と 、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コノ レト、ニッケル、タングステン、錫のうち 1つ 以上との合金、又はグラフアイト若しくはグラフアイト層間化合物等が用いられる。合 金の例としては、マグネシウム 銀合金、マグネシウム インジウム合金、マグネシゥ ムーアルミ-ゥム合金、インジウム 銀合金、リチウム アルミニウム合金、リチウム マグネシウム合金、リチウム インジウム合金、カルシウム アルミニウム合金などが 挙げられる。陰極を 2層以上の積層構造としてもよい。
[0102] 陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例 えば lOnmから 10 μ mであり、好ましくは 20nm〜l μ mであり、さらに好ましくは 50η m〜500nmでめ <s。
[0103] 陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着 するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子から なる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等カゝらなる平均膜厚 2nm 以下の層を設けてもよぐ陰極作製後、該発光素子を保護する保護層を装着してい てもよい。該発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するた めに、保護層及び Z又は保護カバーを装着することが好まし 、。
[0104] 該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物など を用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を 施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果榭脂ゃ光硬化榭脂 で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スぺーサーを用いて 空間を維持すれば、素子が傷付くのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアル ゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸ィ匕を防止することができ、さらに 酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分 が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか 1 つ以上の方策を採ることが好ま 、。 [0105] 本発明の材料は、導電性材料又は半導体材料としても使うことができる。上記に記 載した発光素子の作製方法と同様の方法で、導電性薄膜又は有機半導体薄膜を製 膜、素子化することができ、該半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれ か大きいほうが、 10—5cm2ZvZ秒以上であることが好ましい。本発明の材料を用い た発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス、液晶表示装置のバ ックライト又は照明に用いることができる。
[0106] 本発明の発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重な り合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の 発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機 物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一 方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法 でパターンを形成し、 V、くつかの電極を独立に ONZOFFできるように配置すること により、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得ら れる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に 形成して直交するように配置すればよ！ヽ。複数の種類の発光色の異なる発光材料を 塗り分ける方法や、カラーフィルター又は発光変換フィルターを用いる方法により、部 分力ラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、ノッシブ駆 動も可能であるし、 TFTなどと組み合わせてアクティブ駆動としてもよい。これらの表 示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーシヨン、ビデオ カメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
[0107] さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト 用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、 フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
[0108] つぎに本発明の別の様態として、光電素子について説明する。
光電素子としては、たとえば光電変換素子があり、少なくとも一方が透明又は半透 明な二組の電極間に本発明の金属錯体又は組成物を含む層を挟持させた素子や、 基板上に製膜した本発明の高分子化合物又は高分子組成物を含む層上に形成し た櫛型電極を有する素子が例示される。特性を向上するために、フラーレンやカーボ ンナノチューブ等を混合してもよ 、。
光電変換素子の製造方法としては、特許第 3146296号公報に記載の方法が例示 される。具体的には、第一の電極を有する基板上に高分子薄膜を形成し、その上に 第二の電極を形成する方法、基板上に形成した一組の櫛型電極の上に高分子薄膜 を形成する方法が例示される。第一又は第二の電極のうち一方が透明又は半透明 である。
高分子薄膜の形成方法やフラーレンやカーボンナノチューブを混合する方法につ V、ては特に制限はな 、が、発光素子で例示したものが好適に利用できる。
本発明はまた、スイッチング素子である上記光電素子、光電変換素子である上記光 電素子、上記発光素子を用いたことを特徴とする面状光源、上記発光素子を用いた ことを特徴とするセグメント表示装置、上記発光素子を用いたことを特徴とするドットマ トリックス表示装置、上記発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置 、上記発光素子を用いた照明、上記スイッチング素子力 主に構築されるアクティブ マトリックス駆動回路を有する液晶又は発光表示装置、及び上記光電変換素子を用 いた太陽電池にも関する。
実施例
[0109] 以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示す力 本発明はこれらに 限定されるものではない。
[0110] 実施例 1
下記金属錯体（1— 1)を下記化合物 (H— 1)に 5wt%の割合で添加してなる混合 物の、 0. 8wt%クロ口ホルム溶液を調製した。
スパッタ法により 150nmの厚みで ITO膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジォ キシチォフェン） Zポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、 BaytronP)を用いて 、スピンコートにより 50nmの厚みで該溶液の成膜を行い、ホットプレート上で 200°C で 10分間乾燥した。次に、上記調製したクロ口ホルム溶液を用いてスピンコートにより 3000rpmの回転速度で、下記金属錯体（1 1)と電荷輸送性材料 (H— 1)の混合 物を成膜した。膜厚は約 lOOnmであった。さらに、これを減圧下 80°Cで 1時間乾燥 した後、陰極バッファ一層として、 LiFを約 4nm、陰極として、カルシウムを約 5nm、 次いでアルミニウムを約 80nm蒸着して、 EL素子を作製した。なお真空度が、 1 X 10 —4Pa以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を引加する ことにより、オレンジ色の EL発光が得られた。
[化 18]
Figure imgf000043_0001
なお、金属錯体化合物（1— 1) ίお ournal of the Chemistry Society Che mical Communications 2273— 2274頁（1995)記載の方法に準じて合成し、 化合物 (H— 1)は東京化成社製を用いた。
実施例 2
下記金属錯体（1— 2)を下記高分子化合物 (H— 2)に 5wt%の割合で添加してな る混合物の、 1. 5wt%トルエン溶液を調製し、実施例 1と同様にして、該混合物を製 膜し、素子を作製した。製膜時のスピンコーター回転数は 1800rpm、膜厚は約 100 nmであった。得られた素子に電圧を引加することにより、オレンジ色の EL発光が得 られた。
[化 19]
Figure imgf000044_0001
Figure imgf000044_0002
なお、金属錯体化合物（l— 2) iお ournal of the American Chemical Soci ety、 122卷、 4618— 4630頁（2000)記載の方法に準じて合成し、化合物（H— 2) は特開 2004— 59899記載の方法で合成した。
実施例 3
実施例 2記載の金属錯体（ 1 2)を、実施例 2記載の高分子 (H— 2)と下記高分子 (H— 3)との 70 : 30 (重量比）混合物に、 3wt%の割合で添カ卩してなる混合物の、 1. 7wt%トルエン溶液を調製し、実施例 1と同様にして、該混合物を製膜し、素子を作 製した。製膜時のスピンコーター回転数は 1800rpm、膜厚は約 lOOnmであった。得 られた素子に電圧を引加することにより、白色の EL発光が得られた。
[化 20]
Figure imgf000044_0003
化合物 (H— 3)は特開 2004— 59899記載の方法で合成した。
産業上の利用可能性
本発明の金属錯体材料は合成が容易で、かつ良好な光電特性を有し、光電素子 に用いることができる。

Claims

請求の範囲
[1] 下記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有し、少なくとも 2つの多座配位 子を有する、中性の金属錯体と電荷輸送性材料とを含む組成物であるか、又は該金 属錯体の残基と該電荷輸送性材料の残基とを分子内に含む高分子であることを特 徴とする材料。
[化 1]
Arl一 X
、、M (1)
Ar2— 2'
(上記式中、 Μは遷移金属又はランタノイドを表す。 Arl及び Ar2は各々独立に置換 基を有していてもよい 2価の芳香環を表し、 X及び Xは各々独立に、 P (Ar3) (Ar4)
1 2
、 S、又は Oを表す。ここで Ar3及び Ar4は各々独立に置換基を有していてもよい 1価 の芳香環を表す。上記式中の破線は多座配位子と金属との配位結合を表す。 )
[2] 前記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有する金属錯体と、電荷輸送性 材料とを含む組成物である請求項 1記載の材料。
[3] 前記電荷輸送性材料が低分子有機化合物である請求項 2記載の材料。
[4] 前記電荷輸送性材料が高分子である請求項 2記載の材料。
[5] 前記高分子が共役系高分子である請求項 4記載の材料。
[6] 前記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有する金属錯体の残基と電荷輸 送性材料の残基とを分子内に含む高分子である、請求項 1記載の材料。
[7] 前記電荷輸送性材料が、前記一般式 (1)で表される構造を部分構造として有する 金属錯体の残基と電荷輸送性材料の残基とを分子内に含む高分子である請求項 4 記載の材料。
[8] 前記高分子が共役系高分子である請求項 6記載の材料。
[9] 前記高分子が共役系高分子である請求項 7記載の材料。
[10] 請求項 6又は 8に記載の材料と、さらに正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材 料カゝらなる群カゝら選ばれる少なくとも 1種類の材料とを含む混合物であることを特徴と する材料。
[11] 請求項 7又は 9に記載の材料と、さらに正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材 料カゝらなる群カゝら選ばれる少なくとも 1種類の材料とを含む混合物であることを特徴と する材料。
[12] 前記電荷輸送性材料が、芳香族ァミン、力ルバゾール誘導体、ポリパラフエ-レン 誘導体、ォキサジァゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾ キノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくは その誘導体、テトラシァノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルォレノン誘導 体、ジフエ-ルジシァノエチレン若しくはその誘導体、ジフエノキノン誘導体、又は 8 ーヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、低分子有機 EL素子に用いられ るホストイ匕合物、電荷注入輸送化合物、ポリビュルカルバゾール、主鎖に芳香環を含 むポリマーであって、置換基を有していてもよいフエ-レン基、フルオレン、ジベンゾ チォフェン、ジベンゾフラン、又はジベンゾシロールを繰り返し単位として主鎖に含む もの、それらのユニットとの共重合体力 なる群力 選ばれる、請求項 2〜5、 7、 9及 び 11の 、ずれか一項に記載の材料。
[13] 前記高分子が、芳香族ァミン、力ルバゾール誘導体、ポリパラフエ-レン誘導体、ォ キサジァゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しく はその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、 テトラシァノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルォレノン誘導体、ジフエ- ルジシァノエチレン若しくはその誘導体、ジフエノキノン誘導体、又は 8—ヒドロキシキ ノリン若しくはその誘導体の金属錯体、低分子有機 EL素子に用いられるホスト化合 物、電荷注入輸送化合物、ポリビニルカルバゾール、主鎖に芳香環を含むポリマー であって、置換基を有していてもよいフエ-レン基、フルオレン、ジベンゾチォフェン、 ジベンゾフラン、又はジベンゾシロールを繰り返し単位として主鎖に含むもの、それら のユニットとの共重合体力 なる群力も選ばれる構造を含む、請求項 1、 6、 8及び 10 の!、ずれか一項に記載の材料。
[14] 置換基を有して!/ヽてもよ!ヽベンゼン環、及び Z又は、下記一般式 (2)を部分構造と して有する、請求項 12又は 13記載の材料。 [化 2]
Figure imgf000048_0001
(上記式中、 Xは、 N、 0、 S、 Se、 B、 Siゝ P、 C、 C— C、 O— C、 S— C、 N— C、 Si— C、 Si-Si, C = C、又は Si=Cを表し、価数により置換基を有してもよい。 R及び R
1 2 は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ァリール基又 は他の原子との結合手を表す。 m及び nは各々独立に 0〜4の整数を表す。 ) 前記式（2)中、 X—は、 O—、— S― Se—、— B(R )―、— Si(R ) (R )
31 32 33 P(R ) PR ( = 0) C(R ) (R ) C(R ) (R )-C(R ) (R
34 36 37 38 51 52 53 5
)―、 -0-C(R ) (R )―、 -S-C(R ) (R )―、 -N-C(R ) (R )― Si(
4 55 56 57 58 59 60
R ) (R )-C(R ) (R ) Si(R ) (R ) Si(R ) (R ) C(R ) =C(R
61 62 63 64 65 66 67 68 69 70
) ―、 一 N(R )― N = C(R )―、又は一 Si(R ) =C(R )—を表し、 R 〜R 、
35 71 72 73 31 38
R 〜R は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ァリー
51 73
ル基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルコキシ 基、ァリールアルキルチオ基、ァリールァルケ-ル基、ァリールアルキ-ル基、 1価の 複素環基又はハロゲン原子を表す、請求項 14記載の材料。
前記式（2)中の X—が、下記式（3)である、請求項 14記載の材料。
[化 3]
Figure imgf000048_0002
(上記式中、 R3及び R4はそれぞれ独立に、フッ素で置換されていてもよいアルキル 基、アルコキシ基、ァリール基、又はハロゲン原子を表し、同一単位内で、同じでなく てもよい。 pは 0又は 1である。 ) [17] 前記金属錯体が下記一般式（1A)で表される構造である 16の!/、ずれ力 一項記載の材料。
[化 4]
Arl —X^ , Χι— Arl
、>Μ<' (1 Α )
Ατ2— Χ2· 、Χ2— Ar2
(上記式中、 Mは遷移金属又はランタノイドを表す。 Arl及び Ar2は各々独立に置換 基を有していてもよい 2価の芳香環を表し、 X及び Xは各々独立に、 P (Ar3) (Ar4)
1 2
、 S、又は Oを表す。ここで Ar3及び Ar4は各々独立に置換基を有していてもよい 1価 の芳香環を表す。 )
[18] 前記金属錯体が下式で表される請求項 1〜16のいずれか一項記載の材料。
[化 5]
Figure imgf000050_0001
Figure imgf000050_0002
(上記式中の Mは、 Ru、 Rh、 Pd、 W、 Ir、 Pt、及び Auからなる群から選ばれ、 Rは、 ノヽロゲン原子、アルキル基、アルキルォキシ基、アルキルチオ基、ァリール基、ァリー ルォキシ基、ァリールチオ基、ァリールアルキル基、ァリールアルキルォキシ基、ァリ ールアルキルチオ基、ァシル基、ァシルォキシ基、アミド基、酸イミド基、ィミン残基、 置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルォキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミ ノ基、 1価の複素環基、ヘテロァリールォキシ基、ヘテロァリールチオ基、ァリールァ ルケニル基、及びァリールェチュル基からなる群力 選ばれ、複数個の Rは同一であ つても異なっていてもよい。 )
[19] 請求項 1〜17の ヽずれか一項記載の材料を含有することを特徴とする液状組成物
[20] 粘度が 25°Cにおいて 1〜 1 OOmPa · sである請求項 18記載の液状組成物。
[21] 請求項 1〜17のいずれか一項記載の材料を含有することを特徴とする発光性薄膜
[22] 請求項 1〜17のいずれか一項記載の材料を含有することを特徴とする導電性薄膜
[23] 請求項 1〜17のいずれか一項記載の材料を含有することを特徴とする有機半導体 薄膜。
[24] 下記一般式 ( 1)で表される構造を部分構造として有する中性の金属錯体を含むこ とを特徴とする光電素子。
[化 6]
Arl — XL
； Λ1 (1)
Ατ2 — Χ2* '
(上記式中、 Μは遷移金属又はランタノイドを表す。 Arl及び Ar2は各々独立に置換 基を有していてもよい 2価の芳香環を表し、 X及び Xは各々独立に、 P (Ar3) (Ar4)
1 2
、 S、又は Oを表す。ここで Ar3及び Ar4は各々独立に置換基を有していてもよい 1価 の芳香環を表す。上記式中の破線は多座配位子と金属との配位結合を表す。 ) [25] 請求項 1〜17のいずれか一項記載の材料を含むことを特徴とする光電素子。
[26] 陽極及び陰極からなる電極の間に、前記金属錯体又は請求項 1〜17のいずれか 一項記載の材料を含む層を有することを特徴とする請求項 23又は 24記載の光電素 子。
[27] 陽極及び陰極からなる電極の間に、さらに電荷輸送層又は電荷阻止層を含む請求 項 25記載の光電素子。
[28] 前記光電素子が発光素子である請求項 23〜26の 、ずれか一項に記載の光電素 子。
[29] 前記光電素子がスイッチング素子である請求項 23〜26の 、ずれか一項に記載の 光電素子。
[30] 前記光電素子が光電変換素子である請求項 23〜26の 、ずれか一項に記載の光 電素子。
[31] 請求項 27に記載の発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
[32] 請求項 27に記載の発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
[33] 請求項 27に記載の発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
[34] 請求項 27に記載の発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。
[35] 請求項 27に記載の発光素子を用いた照明。
[36] 請求項 28に記載のスイッチング素子力も主に構築されるアクティブマトリックス駆動 回路を有する液晶表示装置。
[37] 請求項 29記載の光電変換素子を用いた太陽電池。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010134432A1 (ja) * 2009-05-22 2010-11-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機光電変換素子

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008033563A1 (de) * 2008-07-17 2010-01-21 Merck Patent Gmbh Komplexe mit kleinen Singulett-Triplett-Energie-Abständen zur Verwendung in opto-elektronischen Bauteilen (Singulett-Harvesting-Effekt)
JP5562657B2 (ja) * 2009-01-23 2014-07-30 住友化学株式会社 有機電界発光素子
CN102533251B (zh) * 2010-12-24 2015-09-30 陈文通 一种含钐和锌荧光材料及其制备方法
KR20240035640A (ko) * 2015-10-27 2024-03-15 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 전기화학적 기체 분리 방법
CN116655907A (zh) * 2022-02-16 2023-08-29 Tcl科技集团股份有限公司 导电聚合物及制备方法、发光二极管和显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002015645A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP2005220351A (ja) * 2004-01-27 2005-08-18 Samsung Sdi Co Ltd ポリシルセスキオキサン系化合物及びこれを利用した有機電界発光素子

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6875523B2 (en) * 2001-07-05 2005-04-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes
EP1640429A4 (en) * 2003-05-22 2010-03-10 Mitsubishi Chem Corp ELECTROLUMINESCENT AND PHOSPHORUS DEVICE

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002015645A1 (en) * 2000-08-11 2002-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic compounds and emission-shifting organic electrophosphorescence
JP2005220351A (ja) * 2004-01-27 2005-08-18 Samsung Sdi Co Ltd ポリシルセスキオキサン系化合物及びこれを利用した有機電界発光素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010134432A1 (ja) * 2009-05-22 2010-11-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機光電変換素子
JP5488595B2 (ja) * 2009-05-22 2014-05-14 コニカミノルタ株式会社 有機光電変換素子

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