WO2007017175B1 - Vakuumbeschichtung mit kondensatentfernung - Google Patents

Vakuumbeschichtung mit kondensatentfernung

Info

Publication number
WO2007017175B1
WO2007017175B1 PCT/EP2006/007680 EP2006007680W WO2007017175B1 WO 2007017175 B1 WO2007017175 B1 WO 2007017175B1 EP 2006007680 W EP2006007680 W EP 2006007680W WO 2007017175 B1 WO2007017175 B1 WO 2007017175B1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
chamber
cleaning
coating
plant according
chambers
Prior art date
Application number
PCT/EP2006/007680
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2007017175A3 (de
WO2007017175A2 (de
Inventor
Dieter Hofmann
Juergen Mangold
Original Assignee
Systec System Und Anlagentechn
Dieter Hofmann
Juergen Mangold
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Systec System Und Anlagentechn, Dieter Hofmann, Juergen Mangold filed Critical Systec System Und Anlagentechn
Publication of WO2007017175A2 publication Critical patent/WO2007017175A2/de
Publication of WO2007017175A3 publication Critical patent/WO2007017175A3/de
Publication of WO2007017175B1 publication Critical patent/WO2007017175B1/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Verfahren und Anlage zur Vakuumbeschichtung von Substraten mittels PVD-, PCVD- oder anderer Verfahren, bei dem überschüssiges gasförmiges Beschichtungsmaterial in der Beschichtungskammer aufgefangen und aus dieser entfernt wird, ohne das Vakuum zu unterbrechen. Eine Anlage zur Vakuumbeschichtung von Substraten 1 beinhaltet Beschichtungskammern 3, die mit Reinigungskammern 4 verbunden sind, wobei die Reinigungskammern 4 mit Kondensatauffangvorrichtungen 5 ausgerüstet sind und die Kondensatauffangvorrichtungen 5 zwischen den Reinigungskammern 4 und den Beschichtungskammern 3 verfahrbar sind.

Claims

GEÄNDERTE ANSPRÜCHE beim Internationalen Büro eingegangen am 09. Mai 2007 (09.05.2007)
1. Verfahren zur Vglcuumbeschichtung von Substraten in einer BescMchtimgskarnmer, bei dem überschüssiges gasförmiges Beschichtungsmaterial aufgefangen und kondensiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Kondensat des überschüssigen gasförmigen Beschichtungsmateiύals simultan zur VakuumbescMchtung aus der Beschichtungskam- mer entfernt wird, wobei das Vakuum der Beschiclitungskammer aufrecht erhalten bleibt,
2. Verfahren nach Anspruch ls dadurch gekennzeichnet., dass überschüssiges gasförmiges Beschichtungsmaterϊal auf Kondensatauffangvomchtungen kondensiert wird, dass die Kondensataufiaαgvorrichtungen in eine mit der BescMchtimgskammer verbundene Remigungskammer transferiert werden und dass diis Reinigungskainmer nach dem Transfer der Kondensatauffangvorrichtungen vakuumdicht gegen die Beschichtungskammer abgeschlossen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Reiη.igungskammer belüftet und die Kondensatauffangvomchtiragen aus der Reinigungskammer entnommen und gereinigt werden,
4. Verfahren nach Anspruch 2. dadurch gekennzeichnet, dass die Kondensatauffangvorrichtungen in der Reinigungskanraier mittels mechanischer Abstreifer, durch Aufheizen, durch Abkühlen, durch Ätzen mittels Plasma und/od.er durch Laserablalion gereinigt werdenf
5. Verfahren nach einem der Anspräche 1-4, dadurch gekennzeichnet, da&s jede Konden- satauffangvomehtung über eine erste Rcinigungskammer in die Beschichtungskammer eingebracht und über eine zweite Reinigungskarnrner entnommen wird.
6. Anlage zur Vakuumbcschichtung von Substraten (1 ) mit einer oder mehreren Beschich- tungskarnmern. (3), wobei im Inneren mindestens einer der Beschichtungskammern (3) eine Oder mehrefö RemigKiigskammem (4) angeordnet sind, jede Reinigung^karrpner (4) ein Vakuumventil (13) zurBeschichtungskammer (3) und eine schwenkbare Vakuumtür (16) zur Umgebung aufweist, jede Reinigungskammer (4) mit mindestens einer Koncjen.- satauffangvorrichtung (5) ausgestattet ist, die Kondensatauffangvorrichtung (5) zwi- schen der Reinigungskammer (4) und der Beschichturigskammer (3) verfahrbar igt und die Kondensatauffangvorrichtung (5) auf der Vakuum ttir (16) mechanisch gelagert und bei geöffneter Vakuumtür (16) aus der Reinigungskaηimer (4) entnehmbar ist.
7. Anlage nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtungskammern (3) in-line angeordnet sind, dass Schleusenkammern (6) 2,ur Ein- und Ausbringung der Substrate (1) in die Beschichtungskammern. (3) vorhanden sind, dass jede Schleusen- kammer (6) mit einer oder mehreren Beschichtungskammern (3) verbunden ist und dass jede Schleusenkammer (6) ein erstes Schleusonventi], (7) zur Umgebung und weitere SchlcusenvGϊitile (8) zu den Beschichtungskammern (3) aufweist.
8. Anlage nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass jede Beschichtungskammer (3) mit einer Einschleuskarnmer (9) und einer Ausschleusfcammer (10) ausgestattet ist, dass jede Ein- und Ausschleuskammer (9, 10) ein erstes Sc'bleusenventil zur Umgebung und ein zweites Schleusenvααtil (12) zur Beschichtungskammer (3) aufweist und dass die Beschiohtungskammem (3) Mittel zum Transport der Substrate (1) aufweisen.
9. Anlage nach einem der Ansprüche 6-8, dadurch gekennzeichnet, dass je zwei Reinigungskammern (4) im Inneren einer Beschichtungskarrimer (3) derart nebeneinander und kollinear gefluch.tet angeordnet sind, dass die Kondensatauffangvorrichtungen (5) von der ersten Reinigungskammer (4) durch die Beschicfjtungskammer (3) in die zweite Rcinigungskammer (4) verfahrbar sind.
10. Anlage sur Valcuumbeschichtung von Substraten (I) mit einer Zientralkammer (20) und clusterfδrmig mit der Zentralkammer (20) verbundenen Beschichtungskammern (3), wobei die Zentraücammcr (20) mit einer Schleusenkammer (6) zur Ein- und Ausbringung der Substrate (1) in die Zentralkammer (20) ausgestattet ist, die Schleusenkammer (6) ein erstes Schleusenventil (7) zur Umgebung und ein zweites Schleusenventil (8) zur Zentralkammer (20) aufweist, zwischen jeder BescMohtangskarnraer (3) und der Zentralkammer (20) ein Schleusenycntü (8) angeordnet ist, die Zentralkammer (20) mit Aktoren zum Ein- und Ausbringen der Substrate (1) in die Bcschichtungskammern (3) ausgerüstet ist, mindestens eine der Beschichtυngskarnmern (3) mit einer oder mehreren Reinigungskammern (4) ausgestattet ist, jede Reinigungskammer (4) ein Vakuumventil (13) zur Bescliichtungskmωner (3) und eine Vakmimtur (16) zur Umgebung aufweist, jede Reinigungskammer (4) mit mindestens einer Kondensatauffangvomchtung (5) ausgestattet ist, die Kondensatauffangvomchtung (S) zwischen der Reinigungskammer (4) und der BescMchtungskammer (3) verfahrbar und bei geöffneter Vakuumtür (16) aus der Reinigungskammer (4) entnehmbar ist,
1 1. Anlage nach einem der Ansprüche 6-10, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinigungskammern (4) an Vakuumpumpen angeschlossen sind,
12. Anlage nach einem der Ansprüche 6-10, dadurch gekeitnzjeichnet, dass jede Reinigungs- kammer (4) mit einem Vakuumpumpstand (14) ausgestattet ist.
13. Anlage nach einem der Ansprüche 6- 12, dadurch gekennzeichnet, dass jede Reinigungskammer (4) mit Antriebseinheiten (15) zum Verfahren der Kondensatauffangvonichtun-. gen (5) ausgestattet ist.
14. Anlage nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Antriebseinheit (15) auf der Vakuumtür (16) montiert ist und 4ass die Antriebseinheit (15) und die Kondensatauffangvomchtung (5) mit der Vakuumtür (16) schwenkbar sind.
15. Anlage nach Anspruch. 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Kondensauuϊϊangvor- richlung (5) mit einer Linearschiene (17) ausgestattet ist, dass die Antriebseinheit (15) einen Antrieb (18) und eine mechanische Führung (19) für die Linearschiene Q T) umfasst, wobei der Antrieb (18) und die mechanische Führung (19) so gestaltet sind, dass die Kondensatauffangvorrichtung (5) durch Verschiebung in Richtung der Linear- schiene (17) und/oder in einer zur Linearschiene (17) senkrechten Richtung von der Antriebseinheit (15) trennbar ist.
16. Anlage nach einem der Ansprüche 6-15, dadurch gekennzeichnet, dass die Kondensat- auffangvorrichtungeπ (5) mit einer elektrischen Heizung ausgestattet sind.
17. Anlage nach einem der Ansprüche 6-15, dadurch gekennzeichnet, dass die Kondensatauffangvorrichtungen (5) mit Kanälen oder Leitungen zur Durchleitung γon Fluiden ausgestattet sind,
18. Anlage nach einem der Ansprüche 6-15, dadurch gekennzeichnet, dass die Beschich- tungskammer (3) mit ϊϊeizvomchtungen zur Beheizung der Kondensatauffangvor- richtungen ausgerüstet ist.
19. Anlage nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Heizvorrichtungcn Strahlungsheizer sind.
20. Anlage nach einem der Ansprüche 6-19, dadurch gekennzeichnet, dass die Kondensatauffangvorrichtungen (5) aus einem oder mehreren, gleichartigen oder voneinander verschiedenartigen, parallel zueinander angeordneten flächenhaften Gebilden bestehen.
21. Anlage nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, c];ass die flächenhaften Gebilde eine geschlossene Oberfläche aufweisen.
22. Anlage nach Anspruch 21. dadurch gekennzeichnet, class die flächenhaften Gebilde eine rauhe Oberfläche besitzen.
23. Anlage nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die flächenhaften Gebilde eine Vielzahl von Öffnungen aufweisen.
24. Anlage nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die iläohenhaften Gebilde als Gitter oder Geflecht ausgestaltet sind.
25. Anlage nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet,, dass die Maschengröße der als Gitter oder Geflecht ausgestalteten flächenhaften Gebilde stufenweise zu- oder abnimmt.
26. Anlage nach einem der Ansprüche 6-25, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinigungs- kammem (4) mit einem oder mehreren Mitteln zur Reinigung der Kondensataμffangvor- richtungen (5) ausgerüstet sind.
27. Anlage nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinigungskammern (4) mit mechanischen Abstreifen, ausgestattet sind.
28. Anjage nach Ansprach 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinigungskammern (4) eine Heiz- oder Kühlvorrichtung aufweisen.
29. Anlage nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinigungskammern (4) eine Plasma-Ätzvorrichtung aufweisen,
30. Anlage nach Ansprach 26, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinigungskarnmem (4) eine Laserablationsγorπchtung beinhalten.
PCT/EP2006/007680 2005-08-08 2006-08-03 Vakuumbeschichtung mit kondensatentfernung WO2007017175A2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200510037822 DE102005037822A1 (de) 2005-08-08 2005-08-08 Vakuumbeschichtung mit Kondensatentfernung
DE102005037822.6 2005-08-08

Publications (3)

Publication Number Publication Date
WO2007017175A2 WO2007017175A2 (de) 2007-02-15
WO2007017175A3 WO2007017175A3 (de) 2007-05-03
WO2007017175B1 true WO2007017175B1 (de) 2007-07-05

Family

ID=37681033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2006/007680 WO2007017175A2 (de) 2005-08-08 2006-08-03 Vakuumbeschichtung mit kondensatentfernung

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102005037822A1 (de)
WO (1) WO2007017175A2 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090050057A1 (en) 2007-08-23 2009-02-26 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Apparatus for continuous coating
DE102009030814B4 (de) * 2009-06-26 2014-02-06 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Anordnung zur Beschichtung von Substraten
DE102010049017A1 (de) * 2010-10-21 2012-04-26 Leybold Optics Gmbh Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
DE102017101202B4 (de) 2017-01-23 2021-11-18 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verfahren und Vakuumanordnung

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1521588A1 (de) * 1966-12-05 1969-09-18 Lokomotivbau Elektrotech Einrichtung zum Schutz gegen Bedampfung in Vakuumschmelz- und-verdampfungsanlagen
US3690635A (en) * 1969-05-16 1972-09-12 Air Reduction Condensate collection means
JP2859632B2 (ja) * 1988-04-14 1999-02-17 キヤノン株式会社 成膜装置及び成膜方法
WO1992016671A1 (en) * 1991-03-20 1992-10-01 Canon Kabushiki Kaisha Method and device for forming film by sputtering process
JPH06188108A (ja) * 1992-12-21 1994-07-08 Canon Inc 薄膜抵抗器の製造方法、成膜装置用防着板及び成膜装置
US6103069A (en) * 1997-03-31 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Chamber design with isolation valve to preserve vacuum during maintenance
US6811615B2 (en) * 2001-05-24 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Photo-assisted chemical cleaning and laser ablation cleaning of process chamber
JP4517595B2 (ja) * 2003-06-26 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 被処理体の搬送方法
NL1024215C2 (nl) * 2003-09-03 2005-03-07 Otb Group Bv Systeem en werkwijze voor het behandelen van substraten, alsmede een gebruik van een dergelijke systeem en een transportinrichting.

Also Published As

Publication number Publication date
DE102005037822A1 (de) 2007-02-15
WO2007017175A3 (de) 2007-05-03
WO2007017175A2 (de) 2007-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102008019023B4 (de) Vakuum-Durchlaufanlage zur Prozessierung von Substraten
DE4412915B4 (de) Plasmabehandlungsanlage, Verfahren zu deren Betrieb und Verwendung derselben
WO2007017175B1 (de) Vakuumbeschichtung mit kondensatentfernung
DE102005045582B3 (de) Vorrichtung und Verfahren zur kontinuierlichen Gasphasenabscheidung unter Atmosphärendruck und deren Verwendung
EP1030349A3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von auf einem Substrat angeordneten Bauteilen, insbesondere von Halbleiterchips
EP0813230B1 (de) Verfahren zum Trockenreinigen von staubverschmutzten Hilfsgegenständen, die zur Handhabung und Aufbewahrung von Halbleiterwafern vorgesehen sind.
DE102012103295A1 (de) Räumlich optimierte Anordnung zum Bearbeiten von Halbleitersubstraten
DE102008026001A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Bearbeitung von Schichten auf Substraten unter definierter Prozessatmosphäre
WO2014128045A1 (de) Cvd-vorrichtung sowie verfahren zum reinigen einer prozesskammer einer cvd-vorrichtung
EP2635860B1 (de) Verfahren für das Temperieren von Gegenständen
DE102007024745A1 (de) Vorrichtung zum Trocknen von Gegenständen, insbesondere von lackierten Fahrzeugkarosserien
EP3422396A1 (de) Vorrichtung zum transport eines substrats, behandlungsvorrichtung mit einer an einen substratträger einer solchen vorrichtung angepassten aufnahmeplatte und verfahren zum prozessieren eines substrates unter nutzung einer solchen vorrichtung zum transport eines substrats sowie behandlungsanlage
DE102004021734B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Beschichtung flacher Substrate mit optisch aktiven Schichtsystemen
DE102010002839A1 (de) Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung von Halbleiterscheiben in Beschichtungsanlagen
DE102009011495A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Substraten unter Verwendung einer Gasseparation
DE102016101003A1 (de) CVD-Vorrichtung mit einem als Baugruppe aus dem Reaktorgehäuse entnehmbaren Prozesskammergehäuse
EP1673488B1 (de) Modulare vorrichtung zur beschichtung von oberflächen
EP3253893A1 (de) Verfahren, ofeneinrichtung und anlage zum formhärten von werkstücken
DE102014107636B4 (de) Vakuumprozessieranlage
WO2012049058A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur prozessierung von wafern
DE102010016512A1 (de) Mehrtagen-Rollenofen
DE102010027874A1 (de) Beschichtungsverfahren , Beschichtungsanlage und Materialauffangeinrichtung
DE102013108405B4 (de) Durchlauf-Substratbehandlungsanlage und Reinigungsverfahren
DE102011001789A1 (de) Durchlauf-Substratwärmebehandlungsverfahren und Durchlauf- Substratwärmebehandlungsanlage
DE102016120006A1 (de) Beschichtungsvorrichtung mit in Schwerkraftrichtung unter dem Substrat angeordnetem Gaseinlassorgan

Legal Events

Date Code Title Description
NENP Non-entry into the national phase in:

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06776585

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2