WO2006132116A1 - 細胞電気生理測定デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

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WO2006132116A1
WO2006132116A1 PCT/JP2006/310846 JP2006310846W WO2006132116A1 WO 2006132116 A1 WO2006132116 A1 WO 2006132116A1 JP 2006310846 W JP2006310846 W JP 2006310846W WO 2006132116 A1 WO2006132116 A1 WO 2006132116A1
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WO
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material layer
measurement device
cell
hole
resist film
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PCT/JP2006/310846
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English (en)
French (fr)
Inventor
Masaya Nakatani
Takashi Yoshida
Masatoshi Kojima
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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Priority to US12/359,426 priority patent/US8202439B2/en

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/48Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
    • G01N33/483Physical analysis of biological material
    • G01N33/487Physical analysis of biological material of liquid biological material
    • G01N33/48707Physical analysis of biological material of liquid biological material by electrical means
    • G01N33/48728Investigating individual cells, e.g. by patch clamp, voltage clamp

Definitions

  • the present invention relates to a cell electrophysiological measurement device used for measuring a potential inside or outside a cell or a physical change caused by the activity of a cell when the cell is active, and a method for manufacturing the same. For example, it is used for drug screening for detecting the reaction of cells caused by chemical substances.
  • a method for measuring an electrophysiological phenomenon caused by an electrophysiological activity of a cell for example, a potential inside and outside a cell (referred to as a cell potential), there are the following methods.
  • a method of measuring a cell potential using a substrate having a cell holding means and an electrode provided on the holding means is known.
  • the cells are captured by the cell holding means, and the region is separated by the captured cells.
  • a potential difference occurs between the two separated areas.
  • a change in cell potential is observed.
  • Such a cell electrophysiological measurement device is disclosed in, for example, WO 02Z055653 pamphlet.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of a conventional cell electrophysiology measurement device.
  • a cell electrophysiological measurement device 130 (hereinafter referred to as device 130) has a measurement solution 121A in a well 120.
  • the cells 122 are captured and held by a cell holder 131 (hereinafter referred to as a holder 131) provided on the substrate 123.
  • the holding part 131 includes a recess 124 formed in the substrate 123, an opening 125, and a through hole 126 connected to the recess 124 via the opening 125.
  • the device 130 configured as described above is divided into two regions by the cells 122 to form the measurement liquid 121A and the measurement liquid 121B. Further, a reference electrode 127 is disposed on the measurement liquid 121A, and a measurement electrode 128 is disposed on the measurement liquid 121B. The measurement electrode 128 outputs the electric potential of the measurement liquid 121B inside the through hole 122 via the wiring. [0006]
  • the cell 122 is sucked from the through hole 126 side using a suction pump (not shown) or the like. As a result, the recess 124 is held in close contact with the opening. As a result, an electrical signal generated when the cell 122 is activated is detected by the measurement electrode 128.
  • the present invention uses a very thin substrate in order to measure a cell electrophysiological phenomenon with high accuracy.
  • V. A cell electrophysiological measurement device with little substrate breakage. We aim to provide
  • the cell electrophysiological measurement device of the present invention includes a thin plate and a frame, and the thin plate has a first surface and a second surface, and a hollow portion and a second surface that open to the first surface side.
  • a through hole is formed on the side of the first plate, the frame body is in contact with the outer peripheral portion of the thin plate on the second surface side, and the thin plate is formed by the first material layer on the first surface side.
  • the two sides have a laminated structure of at least two layers constituted by the second material layer, and the frame is constituted by the third material layer.
  • the method for manufacturing a cell electrophysiological measurement device of the present invention includes a thin plate having a first surface and a second surface, a recess opening on the first surface side of the thin plate, and a second surface of the thin plate.
  • a cell electrophysiology measuring device for measuring electrophysiological activity of a cell comprising: a through hole that opens to a side; and a frame that is in contact with the second surface side of the thin plate.
  • a first resist film forming step for forming a first etching resist film having a film opening, and a first etching gas is introduced into the first material layer from the first resist film opening, thereby forming a recess in the first material layer.
  • the recess forming step for forming the first resist film opening force and the second etching gas And a first through-hole forming step for forming a first hole in the first material layer, a first resist film removing step for removing the first etching resist film, A second through-hole forming step for forming a second hole in the second material layer by introducing four etching gases; and a second resist film opening on the third material layer side of the substrate.
  • FIG. 1 is a perspective view of a cell electrophysiology measuring device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the cell electrophysiology measuring device shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the main part of the cell electrophysiology measuring device shown in FIG.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a cell potential measuring apparatus using the cell electrophysiology measuring device shown in FIG.
  • FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of the main part of the cell potential measuring apparatus shown in FIG.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of another embodiment of the cell potential measuring apparatus using the cell electrophysiology measuring device shown in FIG. 1.
  • FIG. 7A is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiology measuring device shown in FIG. 1.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG. 1.
  • FIG. 7C is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG. 1.
  • FIG. 7D is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG. 1.
  • FIG. 7E is a cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG. 1.
  • FIG. 7F is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG. 1.
  • FIG. 7G is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the cell electrophysiology measuring device shown in FIG. 1.
  • FIG. 7H is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiology measuring device shown in FIG.
  • FIG. 71 is a sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiology measuring device shown in FIG.
  • FIG. 7J is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiology measuring device shown in FIG.
  • FIG. 7K is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG.
  • FIG. 8A is a cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the cell electrophysiology measuring device according to another aspect of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the cell electrophysiological measurement device according to another aspect of Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 8C is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the cell electrophysiological measurement device according to another aspect of Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 9A is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a cell electrophysiology measuring device according to another aspect of Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 9B is a cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the cell electrophysiological measurement device according to another aspect of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9C is a cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the cell electrophysiological measurement device according to another aspect of Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of the main part of the cell electrophysiological measurement device according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 11A is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG.
  • FIG. 11B is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG.
  • FIG. 11C is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG. [11D]
  • FIG. 11D is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiology measuring device shown in FIG.
  • FIG. 11E is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiology measuring device shown in FIG.
  • FIG. 11F is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG.
  • FIG. 11G is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG.
  • FIG. 11H is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG.
  • FIG. 12A is a cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a cell electrophysiological measurement device according to another aspect of Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 12B is a cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the cell electrophysiological measurement device according to another aspect of Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 12C is a cross-sectional view for explaining the manufacturing method of the cell electrophysiological measurement device according to another aspect of Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the cellular electrophysiological measurement device according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a cell electrophysiology measurement device according to another aspect of Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a cell electrophysiological measurement device according to another aspect of the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is an enlarged plan view of the main part of the cell electrophysiology measuring device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is an enlarged plan view of a main part of a cell electrophysiology measuring device according to another aspect of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is an enlarged plan view of a main part of a cell electrophysiological measurement device according to another aspect of Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 19 is a schematic cross-sectional view of a conventional cell electrophysiology measuring device.
  • FIG. 1 is a perspective view of a cell electrophysiology measuring device according to Embodiment 1.
  • FIG. Figure 2 is a perspective view of a cell electrophysiology measuring device according to Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the cell electrophysiology measuring device shown in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the main part of the cell electrophysiological measurement device shown in FIG.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the cell potential measuring apparatus.
  • the configuration of the cell electrophysiological measurement device 1 (hereinafter referred to as device 1) in the first embodiment uses a thin plate 7 laminated with at least two different materials. It is a feature.
  • the first surface 3a side of the thin plate 7 is composed of a first material layer 3 (hereinafter referred to as layer 3) that also has a silicon force
  • the second surface 4a side of the thin plate 7 is a second layer that has a silicon dioxide-silicon force.
  • layer 4 material layer 4 (hereinafter referred to as layer 4). Further, a third material layer 5 (hereinafter referred to as layer 5) made of silicon is formed around the thin plate outer peripheral portion 4b (hereinafter referred to as outer peripheral portion 4b) which is the outer peripheral portion on the second surface 4a side.
  • the frame 6 constituted by the above is in contact.
  • the second surface 4a is a flat surface.
  • a recess 8 having a first opening 8a (hereinafter referred to as an opening 8a) on the first surface 3a side at at least one place of the layer 3. Is formed. Further, the penetration extending over the layer 3 and the layer 4 so as to have a third opening 9d (hereinafter referred to as the opening 9d) on the second surface 4a side so as to be connected to the depression 8 through. Hole 9 is formed. That is, the through hole 9 is formed in the lower part of the recess 8 so as to have a second opening 9c (hereinafter referred to as an opening 9c) and an opening 9d.
  • a rounded shape portion 3c is formed at the upper outer peripheral end portion 3b (hereinafter referred to as the end portion 3b) of the layer 3.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the measurement apparatus when the cell electrophysiology measurement device shown in FIG. 1 is set in the measurement apparatus.
  • the device 1 is attached inside the partition portion 11.
  • the partition portion 11 is provided inside the container 10 that also has an insulating force such as plastic.
  • a hole 12 is provided inside the partition portion 11.
  • Device 1 is placed inside hole 12, with layer 3 on top, with no gaps.
  • the space inside the container 10 is partitioned into two regions with the partition portion 11 as a boundary.
  • the measurement liquid 15a hereinafter referred to as the liquid 15a
  • the measurement liquid 15b hereinafter referred to as the liquid 15b
  • a reference electrode 13 (hereinafter referred to as an electrode 13) composed of a silver salt / silver electrode is disposed in the liquid 15a in the upper part 10a of the container 10 (hereinafter referred to as the upper part 10a).
  • a measuring electrode 14 (hereinafter referred to as electrode 14) composed of a silver / salt / silver electrode is disposed in the liquid 15b. Note that the electrode 13 and the electrode 14 may be interchanged.
  • the cell potential measuring device 21 (hereinafter referred to as the device 21) is configured.
  • the cell 16 to be measured is introduced into the container 10 from the upper part 10a side.
  • a predetermined pressure difference is generated between the upper and lower parts of the partition part 11 using a suction pump (not shown) so that the lower part 10b is lower than the upper part 10a. Be made.
  • the cells 16 are attracted to and held by the opening 9c. If this pressure difference is maintained, the adhesion of the cells 16 to the opening 9c is sufficiently secured, and an electric resistance value is obtained between the liquid 15a and the liquid 15b.
  • a stimulus such as a chemical compound such as a drug
  • the cell 16 exhibits an electrophysiological response.
  • an electrical response or an electrical change such as voltage or current is observed between the electrode 13 and the electrode 14.
  • the diameters and lengths of the recess 8 and the through-hole 9 formed in the device 1 in Embodiment 1 are appropriately changed depending on the type of the cell 16.
  • the diameter of the recess 8 is preferably 10 to 50 ⁇ m, more preferably 30 to 40 ⁇ m.
  • the diameter of the through-hole 9 is preferably 1 to 5 ⁇ m, more preferably 1 to 3 ⁇ m.
  • the length of the through hole 9 is preferably 1 to 10 / ⁇ ⁇ , more preferably 1 to 5 / ⁇ ⁇ .
  • the thicknesses of the layer 3 and the layer 4 should be changed depending on the shape of the recess 8 and the through hole 9.
  • the thickness of layer 3 is greater than the thickness of layer 4 in terms of the mechanical strength of device 1. Yes.
  • the thickness of layer 3 is preferably 5 to 30 / ⁇ ⁇ , and the thickness of layer 4 is preferably 0.5 to 3 / ⁇ ⁇ .
  • the cellular electrophysiological measurement device When the through hole and the depression are provided on a substrate made of only silicon, the cellular electrophysiological measurement device has a low mechanical strength and is easily broken. And then. The cell electrophysiology device is easily destroyed during the production of the cell electrophysiology device. In addition, the cell electrophysiology measurement device is likely to be destroyed due to the suction pressure applied by the suction pump during cell aspiration! / ⁇ .
  • the device 1 has a laminated structure in which the thin plate 7 has two or more layers including the layer 3 made of silicon or the like and the layer 4 made of silicon dioxide or silicon dioxide.
  • the thin plate 7 has two or more layers including the layer 3 made of silicon or the like and the layer 4 made of silicon dioxide or silicon dioxide.
  • the thickness of the layer 3 is larger than that of the layer 4.
  • the shape of the recess 8 can be designed to an arbitrary shape.
  • effects such as the ability to design the recess 8 in an arbitrary shape so that the cells 16 can be easily held by means such as suction are exhibited.
  • the through hole 9 is formed across the layer 3 and the layer 4.
  • the laminated structure is maintained even at the thinnest portion around the through hole 9 formed in the bottom 8b of the recess 8.
  • the strength of the device 1 is maintained and the device 1 that is not easily broken is realized.
  • the size of the outer peripheral portion 4b of the thin plate 7 is smaller than the frame outer peripheral portion 6a (hereinafter referred to as the outer peripheral portion 6a) which is the outer peripheral portion of the frame 6. It is comprised so that it may become. With such a configuration, in the thin plate 7 having a lower mechanical strength than the frame 6, a part of the thin plate 7 does not protrude outside the frame 6. This reduces defects in the outer peripheral portion 4b.
  • a rounded portion 3c is formed at the end 3b.
  • the end portion 3 b of the thin plate 7 is not easily damaged such as a chip. This is to reduce the generation of dust or foreign matter as much as possible due to chipping of device 1, which is likely to occur during the manufacturing process of device 1. Is done. This is effective in preventing the generation of these foreign substances.
  • the layer 3 is formed using silicon, and the layer 4 is formed using silicon dioxide.
  • the structure of the thin plate 7 and the frame 6 is checked with high accuracy. Furthermore, a highly productive device 1 manufacturing method is realized.
  • FIGS. 7A to 7K are cross-sectional views for explaining the method for manufacturing the cell electrophysiology measuring device in the first embodiment.
  • the first material layer 3 made of silicon, the second material layer 4 also having silicon dioxide and silicon force, and the third material layer 5 also having silicon force.
  • a substrate 2 having a laminated structure in which and are laminated is prepared.
  • the substrate 2 is usually called an SOI (silicon on insulator) substrate and is easily available.
  • SOI substrate is manufactured by thermally oxidizing the surface of a single crystal silicon substrate, then bonding another single crystal silicon substrate and polishing it to a predetermined thickness.
  • the SOI substrate is manufactured by a method in which polycrystalline silicon or amorphous silicon is deposited until a predetermined thickness is obtained by a method such as CVD.
  • the substrate preparation step use the SOI substrate produced by either production method.
  • a first etching resist film 17 (hereinafter referred to as film 17) is formed on the surface of layer 3 on the first surface 3a side. To do.
  • the film 17 has a predetermined pattern such as a first resist opening 17a (hereinafter referred to as an opening 17a).
  • the recess 8 is formed in the layer 3 by an etching method in which a first etching gas is introduced from the opening 17a.
  • a first etching gas is introduced from the opening 17a.
  • dry etching using plasma, SF, CF, etc. are the first etching methods.
  • etching gas It is effective as an etching gas. More preferably, by using, for example, XeF as the first etching gas, there is no need to decompose the gas with plasma.
  • a first hole 9a (hereinafter referred to as hole 9a) reaching the layer 4 is formed in the bottom 8b of the recess 8 by an etching method.
  • etching method for example, SF and CF are used as the second etching gas, and the third etching gas is used.
  • CF and CHF are preferably used as the gas. This is the second
  • the etching gas When the etching gas is introduced, silicon is etched, and when the third etching gas is introduced, as shown in FIG. 7E, a protective film 9f is formed on the inner wall 9e of the etched hole 9a.
  • the processing phenomenon force due to etching can be generated only immediately below the opening 17a.
  • the etching force is applied so that the hole 9 a has a shape substantially perpendicular to the film 3.
  • the end 3b of the thin plate 7 is formed inside the end 17b of the film 17 as shown in FIG. 7F.
  • the outer structure 4a of the thin plate 7 does not protrude from the outer periphery 6a of the frame 6 easily. Is done.
  • the film 17 is removed.
  • the hole 9a formed in the layer 3 is made continuous by an etching method in which a fourth etching gas is introduced from the layer 3 side.
  • the second hole 9b (hereinafter referred to as the hole 9b) is formed in the layer 4.
  • the etching method plasma etching using, for example, CF, Ar, etc., as the fourth etching gas is used.
  • the fourth etching gas etches only the silicon dioxide portion of the layer 4 without much etching the layer 3 made of silicon.
  • holes 9b having substantially the same shape as the holes 9a formed in the layer 3 are formed in the layer 4.
  • the through hole 9 is constituted by the hole 9a and the hole 9b formed continuously to the hole 9a. Further, the hole 9a acts as a mask for the addition of the hole 9b.
  • a second etching resist film 18 (hereinafter referred to as film 18) is formed on the surface of layer 5 on the third surface 5a side.
  • film 18 a second etching resist film 18
  • the second resist opening 18a (hereinafter referred to as the opening 18a) has a predetermined pattern.
  • a second etching gas and a third etching gas are introduced from the opening 18a. Accordingly, the silicon portion constituting the layer 5 is etched until the layer 4 is reached, and the frame body 6 is formed.
  • a method substantially similar to the method of forming the hole 9a in the first through hole forming step described above can be used. Thereby, the processing force due to the etching of the layer 5 is performed only directly below the opening 18a. Accordingly, the frame body 6 having the inner wall 6b having a substantially vertical shape is formed.
  • the film 18 is removed.
  • a plurality of cellular electrophysiological measurement devices 1 are manufactured in a large amount from a single wafer-like substrate 2 in a lump. For this reason, the manufacturing method described above is a very effective method. In addition, the size of one device 1 can be extremely reduced. Thus, a manufacturing method for producing more devices 1 from a single substrate 2 is provided.
  • the first rounded shape imparting step may be performed before the frame forming step shown in FIG. 7J.
  • the first round shape imparting step is a step of introducing the first etching gas from the opening 18a and appropriately etching the surface of the layer 5.
  • XeF is introduced from the opening 18a as the first etching gas.
  • etching is performed by introducing the second etching gas and the third etching gas from the opening 18a.
  • the film 18 is removed. Then, as shown in FIG. 8C, an appropriate rounded shape is imparted to the outer peripheral end 6c and the inner wall end 6d of the frame body 6.
  • the outer peripheral end 6c and the inner wall end 6d constitute a lower end 6e having an appropriate rounded shape.
  • damage such as chipping is unlikely to occur in the lower end portion 6e of the frame body 6.
  • a second rounded shape imparting step may be added.
  • the first etching gas is introduced to impart an appropriate rounding shape to the upper end 6f of the outer peripheral portion 6a of the layer 5.
  • XeF can be introduced as the first etching gas. That
  • the second resist film forming step, the frame forming step, and the second resist film removing step are sequentially executed.
  • a rounded shape is imparted to the upper end portion 6f of the frame 6, and a cell electrophysiological measurement device 1b that is less susceptible to damage such as chipping is produced.
  • the edge 4c of the layer 4 may protrude slightly as the upper edge 6f is etched. However, the end 4c is separated from the corner 6g of the frame 6 so that it does not easily cause damage! /, Etc.!
  • a first rounded shape imparting step and a second rounded shape imparting step may be added.
  • FIG. 9C by performing the first rounded shape imparting step and the second rounded shape imparting step, cell electricity is less likely to be damaged such as chipping at the upper end 6f and the lower end 6e.
  • the physiological measurement device lc is manufactured. As a result, it is possible to obtain the cell electrophysiological measurement device lc in which the generation of foreign matter caused by chipping is further reduced.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the cell electrophysiology measuring device according to the second embodiment.
  • 11A to 11H are cross-sectional views for explaining a method for manufacturing the cell electrophysiological measurement device shown in FIG.
  • the cell electrophysiological measurement device Id (hereinafter referred to as device Id) in the second embodiment is different from the device 1 shown in the first embodiment in that the depression 8 is the first material layer as shown in FIG. 3 and the through hole 9 is formed in the second material layer 4. That is, the through hole 9 is formed only by the second hole 9 b formed in the layer 4. With such a configuration, the length of the through hole 9 becomes extremely short, and the thin plate 7 becomes thin.
  • the adhesion between the cell 16 and the thin plate 7 is further enhanced.
  • the same method as described in the first embodiment can be used. Therefore, the description of the usage method is omitted.
  • the first material layer 3 that also has silicon force the second material layer 4 that also has silicon dioxide and silicon force, and the third material layer 5 that also has silicon force.
  • a substrate 2 having a laminated structure in which and are laminated is prepared.
  • the substrate 2 is usually called an SOI (silicon on insulator) substrate and is easily available.
  • a first etching resist film 17 is formed on the surface of the layer 3 on the first surface 3a side.
  • the film 17 has a predetermined pattern such as the first resist opening 17a.
  • the recess 8 is formed in the layer 3 by an etching method in which a first etching gas is introduced from the opening 17a.
  • a first etching gas is introduced from the opening 17a.
  • the recess 8 is effectively formed by using XeF gas as the first etching gas, as in the first embodiment.
  • the method of manufacturing the device Id in the second embodiment is different from the first embodiment in that the etching of the dent 8 by the first etching gas is performed in the dent formation step. It is done until it reaches the surface. As a result, a recess 8 having a sufficient size is formed. Furthermore, a bottom 8b of the recess 8 having a flat surface is formed. That is, the upper surface 4d of the layer 4 is exposed and becomes the bottom 8b. As a result, when the cell 16 has a flat surface shape, the cell 16 adheres to the flat bottom 8b, and the adhesion between the cell 16 and the thin plate 7 is more effectively ensured. This increases the measurement accuracy for large cells 16.
  • a hole 9b is formed in the layer 4 by an etching method in which a fourth etching gas is introduced from the opening 17a.
  • the etching method uses, for example, Ar, CF, etc. as the fourth etching gas.
  • the fourth etching gas applies the layer 3 made of silicon. Etch only the silicon dioxide portion of layer 4 that is not etched.
  • the hole 9b is formed directly below the opening 17a using the opening 17a as a mask. In the device Id, the hole 9b constitutes the through hole 9.
  • the film 17 is required to have resistance to plasma etching by the fourth etching gas. Therefore, aluminum or silicon nitride is suitable as a material for the film 17.
  • the film 17 is removed.
  • the second etching resist film 18 is formed on the surface of the layer 5 on the third surface 5a side in the same manner as in the first embodiment. Form .
  • the film 18 has a predetermined pattern such as the second resist opening 18a.
  • a second etching gas and a third etching gas are introduced from the opening 18a.
  • the layer 5 is etched until the layer 4 is reached, and the frame body 6 is formed.
  • the film 18 is removed.
  • the cell electrophysiology measuring device Id in the second embodiment is manufactured.
  • the first rounded shape imparting step may be performed in the same manner as in the first embodiment before the frame forming step shown in FIG. 11G.
  • the first rounding shape imparting step is a step of introducing a first etching gas from the opening 18a and appropriately etching the surface of the layer 5. For example, XeF is introduced from the opening 18a as the first etching gas.
  • the cell electrophysiology measuring device le in which an appropriate rounded shape is imparted to the outer peripheral end 6c and the inner wall end 6d of the frame 6 is produced.
  • a second rounded shape imparting step may be added.
  • the first etching gas is introduced to impart an appropriate rounding shape to the upper end portion 6f of the outer peripheral portion 6a of the layer 5.
  • XeF can be introduced as the first etching gas.
  • a cell electrophysiological measurement device If is provided in which an appropriate rounded shape is imparted to the upper end portion 6f of the outer peripheral portion 6a of the frame body 6.
  • Cell As described above, the air physiological measuring device If is less likely to be damaged such as a chip in the upper end 6f of the frame 6.
  • the edge 4c of the layer 4 may slightly protrude as the upper edge 6f is etched. However, the end 4c is separated from the corner 6g of the frame 6 so that it is easy to damage!
  • a first rounded shape imparting step and a second rounded shape imparting step may be added.
  • cells such as chips that are less likely to be damaged at the upper end 6f and the lower end 6e are unlikely to occur.
  • the electrophysiological measurement device lg is produced. This makes it possible to obtain a cell electrophysiology measuring device lg with less generation of foreign matter due to lack.
  • FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the cell electrophysiology measuring device according to the third embodiment.
  • FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a cell electrophysiology measuring device according to another mode according to Embodiment 3.
  • the end 9g and the end 9h are rounded over the entire circumference of each of the openings 9c, 9d. Since the cell electrophysiology measurement device lh has such a configuration, the cell 16 is measured when the cell potential measurement devices 21 and 21a described with reference to FIGS. Prevents scratches on the skin. That is, when the cell 16 is sucked and held from the lower part 10b side of the container 10, the end 9g contacting the cell 16 has a round shape, and the surface membrane of the cell 16 is carelessly damaged. There is nothing. As a result, a cell electrophysiological measurement device lh that reliably holds the cells 16 is realized.
  • the end 9g and the end 9h are arranged around the entire circumference of the respective openings 9c, 9d. Furthermore, the corner portion is scraped off and configured to have a taper shape that is widened toward the outside of the openings 9c and 9d. Since the cell electrophysiology measuring device lj has such a configuration, the cell potential measuring devices 21 and 21a described with reference to FIGS. 4 to 6 are configured to measure the cell 16 similarly to the device lh. This prevents the cell 16 from being damaged.
  • the end portion 9g that contacts the cell 16 has a tapered shape, so that the surface membrane of the cell 16 is inadvertently damaged. There is nothing. This realizes a cell electrophysiology measuring device lj that reliably holds the cells 16.
  • the manufacturing method for obtaining the cell electrophysiological measurement devices lh and lj having such a shape is the same as the manufacturing method of the cell electrophysiological measurement device described in the first embodiment or the second embodiment. It is effective to add a polishing step which is a smoothing step. That is, the substrate 2 processed by the above manufacturing method is immersed in an aqueous solution containing abrasive grains, and ultrasonic vibration is applied.
  • the end of the through hole 9 on the opening 9d side has an acute angle. Become.
  • the cell membrane of the cell 16 is likely to be broken by the acute end of the through-hole 9.
  • the device lh having rounded shapes at the end portions 9g and 9h as shown in FIG. Produced.
  • the first smoothing step is not limited to the end portion of the through-hole 9, but the other surface portion of the substrate 2 is smoothed and smoothed. Therefore, a device for measuring the cells 16 without damaging the cells 16 is added by adding a first smoothing step for smoothing the surfaces of the end portions 9g and 9h after the frame forming step. 1 h, lj can be easily obtained.
  • a second smoothing step using a laser beam fine processing is performed.
  • Cell electrophysiological measurement devices lh, lj may be fabricated.
  • the laser beam is applied to the through hole 9 from the layer 3 side force or the layer 5 side, and the inner wall 9e or the end portions 9g and 9h of the through hole 9 are melted. Melting the inner wall 9e or the end portions 9g and 9h is an effective method for producing the devices lh and lj.
  • the layer 3 or the layer 4 is heated by irradiating the layer 3 or the layer 4 with the laser beam. This heat generation melts the material constituting the layer 3 or the layer 4.
  • the material constituting the layer 3 is, for example, silicon
  • the material constituting the layer 4 is, for example, silicon dioxide.
  • the cell electrophysiological measurement devices lh and lj may be manufactured by using a third smoothing step using plasma etching.
  • etching using plasma is performed on the through hole 9 from the layer 3 side force or the layer 5 side, and the inner wall 9e or the end portions 9g and 9h of the through hole 9 are etched.
  • the other surface portions of the substrate 2 other than the inner wall 9e or the end portions 9g and 9h are also smoothed to be smooth.
  • Ar is suitable as an etching gas. In the case of plasma etching using Ar gas, there is an effect that Ar plasma concentrates on the end portions of the openings 9c and 9d of the through hole 9.
  • the end portions 9g and 9h having a rounded shape are easily formed. Further, by selecting the plasma etching conditions, the end portions 9g and 9h having a tapered shape spreading outward from the layer 5 over the entire circumference of the openings 9c and 9d can be easily formed. As a result, a third smoothing step for smoothing the surfaces of the end portions 9g and 9h is added, for example, after the frame forming step, so that the device 16 for measuring the cells 16 without damaging the cells 16 lh, lj Is easily obtained.
  • the cell electrophysiological measurement devices lh and lj may be manufactured.
  • the fourth smoothing step it is effective that the substrate 2 is immersed in an aqueous etching solution and chemical etching is performed for a predetermined time.
  • the etching aqueous solution is hydrofluoric acid or ammonium hydrogen difluoride aqueous solution, ammonium aqueous solution, sodium hydroxide solution, sodium hydroxide solution, potassium hydroxide solution, Lithium hydroxide solution or the like is used.
  • the fourth smoothing step has an effect that the second surface 4a of the layer 4 is processed into a smooth planar shape. Further, the other surface portions of the substrate 2 other than the inner wall 9e or the end portions 9g and 9h and the second surface 4a are also smoothed to be smooth. As a result, a fourth smoothing step for smoothing the surfaces of the end portions 9g and 9h is added, for example, after the frame forming step. lh and lj can be easily obtained.
  • the cell electrophysiological measurement device lk shown in FIG. 15 may be manufactured by using a protective layer forming step for forming a protective layer on the surface of the through-hole 9.
  • the protective layer 9j having the layer 3 side force or the layer 5 side force and the electric insulating material force is formed.
  • the protective layer is formed of a metal oxide such as silicon dioxide or titanium dioxide by a method such as CVD or sputtering.
  • CVD chemical vapor deposition
  • sputtering As a result, the surfaces of the end portions 9g and 9h are smoothed.
  • a device lk for measuring the cells 16 without damaging the cells 16 can be easily obtained.
  • a smoother surface force can be obtained by combining and combining the first, second, third, and fourth smoothing steps, the protective layer forming step, and the like. It is. As a result, a cell electrophysiological measurement device that measures the cells 16 without damaging the cells 16 can be easily obtained.
  • FIG. 16 is an enlarged plan view of a main part of the cell electrophysiological measurement device according to the fourth embodiment.
  • FIGS. 17 and 18 are enlarged plan views of main parts showing a cell electrophysiology measurement device according to another embodiment of the fourth embodiment.
  • the inner wall 6b of the frame 6 includes at least three or more straight lines as shown in FIG. It is a structure having a polygonal shape greater than or equal to a triangle.
  • the thin plate 7 has a structure that is harder to break, and the strength of the device lm is increased. This increases the productivity of creating device lm.
  • durability against the suction pressure applied to adsorb the cells 16 is enhanced. As a result, the device lm having the thin plate 7 with little damage is obtained.
  • a cell electrophysiological measurement device In (hereinafter referred to as device In) has an inner wall 6b of the frame body 6 with at least one inward. It has a shape including a protruding protrusion 22.
  • the thin plate 7 has a structure that is difficult to break, and the strength of the device In is increased.
  • a device In having the same operations and effects as the device lm shown in FIG. 16 is obtained.
  • the cell electrophysiology measuring device lp (hereinafter referred to as device lp) has an inner wall 6b of the frame body 6 having at least one or more acute recesses 23. It has a star shape with With such a configuration, when the measurement liquids 15a and 15b are introduced into the inner wall 6b, bubbles (not shown) generated in the measurement liquids 15a and 15b travel along the tip of the star-shaped recess 23. It becomes easy to flow. This makes it difficult for bubbles to remain inside the inner wall 6b. Furthermore, the measurement liquids 15a and 15b can easily enter the inner wall 6b. As a result, in the measurement of the cells 16, measurement with high measurement accuracy is realized.
  • the cell electrophysiology measuring device and the manufacturing method thereof according to the present invention realize a small cell electrophysiology measuring device having excellent strength, the reaction of cells caused by a chemical substance is detected. This is useful for applications such as drug screening.

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Abstract

 細胞電気生理測定デバイス(1)は、薄板(7)と枠体(6)とを有し、薄板は、第一面(3a)と第二面とを有し、第一面(3a)の側に開口する窪み部(8)と第二面の側に開口する貫通孔(9)とが形成され、枠体(6)は第二面の側の薄板(7)の薄板外周部(4b)に当接され、さらに、薄板(7)は、第一面(3a)の側が第一の材料層(3)によって構成され、第二面の側が第二の材料層(4)によって構成された、少なくとも二層の積層構造を有し、枠体(6)が第三の材料層(5)から構成される。このような構成を有することによって、薄板(7)のワレなどの破損が起こりにくく、生産性に優れた細胞電気生理測定デバイス(1)が得られる。

Description

明 細 書
細胞電気生理測定デバイスおよびその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は細胞が活動する際において、細胞の内外における電位、あるいは細胞の 活動によって発生する物理ィ匕学的変化を測定するために用いられる細胞電気生理 測定デバイスおよびその製造方法であり、例えば化学物質によって細胞が発する反 応を検出する薬品スクリーニングなどに用いられる。
背景技術
[0002] 従来、細胞の電気生理的な活動によって生じる電気生理現象、例えば細胞の内外 における電位 (細胞電位と呼ぶ)を測定する方法としては、以下のような方法がある。
[0003] 従来の細胞電気生理測定デバイスとしては、細胞の保持手段を有する基板および 保持手段に設けられた電極によって細胞電位を測定する方法が知られている。この 細胞電気生理測定デバイスでは、細胞の保持手段によって細胞が捕捉され、捕捉さ れた細胞によって領域が隔てられる。隔てられた 2つの領域の間で電位差が発生す る。発生した電位差を測定することにより、細胞電位の変化が観測される。このような 細胞電気生理測定デバイスは、たとえば、国際公開第 02Z055653号パンフレット などに開示されている。
[0004] 図 19は、従来の細胞電気生理測定デバイスの断面図である。細胞電気生理測定 デバイス 130 (以下、デバイス 130と呼ぶ)は、ゥエル 120の内部に測定液 121Aが 入れられている。細胞 122は、基板 123に設けられた細胞保持部 131 (以下、保持部 131と呼ぶ)によって捕捉されて保持されている。保持部 131は、基板 123に形成さ れた窪み 124と、開口部 125と、開口部 125を介して窪み 124に連結された貫通孔 1 26とにより構成されている。
[0005] このように構成されたデバイス 130は、細胞 122によって領域が 2つに隔てられて、 測定液 121Aと測定液 121Bとが形成される。また、測定液 121Aには参照電極 127 が配置され、測定液 121Bには測定電極 128が配置されている。測定電極 128は配 線を経て貫通孔 122の内部にある測定液 121Bの電位を出力する。 [0006] デバイス 130を用いて細胞の内外の電位を測定するとき、細胞 122は貫通孔 126 側から吸引ポンプ(図示せず)などを用いて吸引される。このことにより、窪み 124の 開口部に密着して保持される。このことによって、細胞 122が活動したときに発生する 電気信号が測定電極 128によって検出される。
発明の開示
[0007] 本発明は、細胞電気生理現象を高精度に測定するために、非常に薄い基板を用 V、る細胞電気生理測定デバイスにお 、て、基板の破損の少な 、細胞電気生理測定 デバイスを提供することを目的として ヽる。
[0008] 本発明の細胞電気生理測定デバイスは、薄板と枠体とを含み、薄板は、第一面と 第二面とを有し、第一面の側に開口する窪み部と第二面の側に開口する貫通孔とが 形成され、枠体は第二面の側の薄板の薄板外周部に当接され、さらに、薄板は、第 一面の側が第一の材料層によって構成され、第二面の側が第二の材料層によって 構成された少なくとも二層の積層構造を有し、枠体が第三の材料層から構成される。 このような構成を有することによって、薄板のヮレなどの破損が起こりにくぐ生産性に 優れた細胞電気生理測定デバイスが得られる。
[0009] また、本発明の細胞電気生理測定デバイスの製造方法は、第一面と第二面とを有 する薄板と、薄板の第一面側に開口する窪み部と、薄板の第二面側に開口する貫通 孔と、薄板の第二面側に当接された枠体と、を含み、細胞の電気生理活動を測定す るための細胞電気生理測定デバイスの製造方法であって、第一の材料層と、第二の 材料層と、第三の材料層とが積層されて構成された基板を準備する基板準備ステツ プと、基板の第一の材料層の側に、第一レジスト膜開口部を有する第一のエッチング レジスト膜を形成する第一レジスト膜形成ステップと、第一レジスト膜開口部カゝら第一 のエッチングガスを導入して第一の材料層の内部に窪み部を形成する窪み部形成ス テツプと、第一レジスト膜開口部力も第二のエッチングガスと第三のエッチングガスと を導入して第一の材料層の内部に第一の孔を形成する第一の貫通孔形成ステップ と、第一のエッチングレジスト膜を除去する第一レジスト膜除去ステップと、第四のェ ツチングガスを導入して第二の材料層の内部に第二の孔を形成する第二の貫通孔 形成ステップと、基板の第三の材料層の側に、第二レジスト膜開口部を有する第二 のエッチングレジスト膜を形成する第二レジスト膜形成ステップと、第二レジスト膜開 口部から第二のエッチングガスと第三のエッチングガスとを導入して枠体を形成する 枠体形成ステップと、を有し、この方法によって、薄板のヮレなどの破損が起こりにくく 、生産性に優れた細胞電気生理測定デバイスが得られる。
図面の簡単な説明
[図 1]図 1は本発明の実施の形態 1における細胞電気生理測定デバイスの斜視図で ある。
[図 2]図 2は図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの断面図である。
[図 3]図 3は図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの要部拡大断面図である。
[図 4]図 4は図 1に示す細胞電気生理測定デバイスを用いた細胞電位測定装置の模 式断面図である。
[図 5]図 5は図 4に示す細胞電位測定装置の要部拡大断面図である。
[図 6]図 6は図 1に示す細胞電気生理測定デバイスを用いた別の態様の細胞電位測 定装置の模式断面図である。
[図 7A]図 7Aは図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するための 断面図である。
[図 7B]図 7Bは図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するための 断面図である。
[図 7C]図 7Cは図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するための 断面図である。
[図 7D]図 7Dは図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するための 断面図である。
[図 7E]図 7Eは図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するための 断面図である。
[図 7F]図 7Fは図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するための 断面図である。
[図 7G]図 7Gは図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するための 断面図である。 圆 7H]図 7Hは図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するための 断面図である。
圆 71]図 71は図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するための断 面図である。
圆 7J]図 7Jは図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するための 断面図である。
圆 7K]図 7Kは図 1に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するための 断面図である。
圆 8A]図 8Aは本発明の実施の形態 1における別の態様の細胞電気生理測定デバ イスの製造方法を説明するための断面図である。
圆 8B]図 8Bは本発明の実施の形態 1における別の態様の細胞電気生理測定デバィ スの製造方法を説明するための断面図である。
圆 8C]図 8Cは本発明の実施の形態 1における別の態様の細胞電気生理測定デバ イスの製造方法を説明するための断面図である。
圆 9A]図 9Aは本発明の実施の形態 1における別の態様の細胞電気生理測定デバ イスの製造方法を説明するための断面図である。
圆 9B]図 9Bは本発明の実施の形態 1における別の態様の細胞電気生理測定デバィ スの製造方法を説明するための断面図である。
圆 9C]図 9Cは本発明の実施の形態 1における別の態様の細胞電気生理測定デバ イスの製造方法を説明するための断面図である。
圆 10]図 10は本発明の実施の形態 2における細胞電気生理測定デバイスの要部拡 大断面図である。
圆 11A]図 11Aは図 10に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するた めの断面図である。
圆 11B]図 11Bは図 10に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するた めの断面図である。
圆 11C]図 11Cは図 10に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するた めの断面図である。 圆 11D]図 11Dは図 10に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するた めの断面図である。
圆 11E]図 11Eは図 10に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するた めの断面図である。
圆 11F]図 11Fは図 10に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するた めの断面図である。
圆 11G]図 11Gは図 10に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するた めの断面図である。
圆 11H]図 11Hは図 10に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するた めの断面図である。
圆 12A]図 12Aは本発明の実施の形態 2における別の態様の細胞電気生理測定デ バイスの製造方法を説明するための断面図である。
圆 12B]図 12Bは本発明の実施の形態 2における別の態様の細胞電気生理測定デ バイスの製造方法を説明するための断面図である。
圆 12C]図 12Cは本発明の実施の形態 2における別の態様の細胞電気生理測定デ バイスの製造方法を説明するための断面図である。
圆 13]図 13は本発明の実施の形態 3における細胞電気生理測定デバイスの要部拡 大断面図である。
圆 14]図 14は本発明の実施の形態 3における別の態様の細胞電気生理測定デバィ スの要部拡大断面図である。
圆 15]図 15は本発明の実施の形態 3における別の態様の細胞電気生理測定デバィ スの要部拡大断面図である。
圆 16]図 16は本発明の実施の形態 4における細胞電気生理測定デバイスの要部拡 大平面図である。
圆 17]図 17は本発明の実施の形態 4における別の態様の細胞電気生理測定デバィ スの要部拡大平面図である。
圆 18]図 18は本発明の実施の形態 4における別の態様の細胞電気生理測定デバィ スの要部拡大平面図である。 [図 19]図 19は従来の細胞電気生理測定デバイスの模式断面図である。
符号の説明
1, la, lb, lc, Id, le, If, lg, lh, lj, lk, lm, In, lp 細胞電気生理測定デ バイス
2 基板
3 第一の材料層
3a 一面
3b 上部外周端部
4 第二の材料層
4a 弟二面
4b 薄板外周部
5 第三の材料層
6 枠体
6a 枠体外周部
6b 内壁
6c 外周端部
6d 内壁端部
6e 下部端部
6f 上部端部
7 薄板
8 窪み部
8a 第一の開口部
8b 底部
9 貫通孔
9a 第一の孔
9b 第二の孔
9c 第二の開口部
9d 第三の開口部 9f 保護膜
9g, 9h 端部
9j 保護層
10 容器
10a 容器上部
10b 容器下部
11 仕切り部
12 穴
13 参照電極
14 測定電極
15a, 15b 測定液
16 細胞
17 第一のエッチングレジスト膜
17a 第一レジスト開口部
18 第二のエッチングレジスト膜
18a 第二レジスト開口部
21 , 21a 細胞電位測定装置
22 突起部
23 凹部
発明を実施するための最良の形態
[0012] (実施の形態 1)
以下、実施の形態 1における細胞電気生理測定デバイスおよびその製造方法につ いて、図面を用いて説明する。
[0013] 図 1は実施の形態 1による細胞電気生理測定デバイスの斜視図である。図 2は、図
1に示した細胞電気生理測定デバイスの断面図である。また、図 3は図 1に示した細 胞電気生理測定デバイスの要部拡大断面図である。また、図 4は細胞電位測定装置 の模式断面図である。 [0014] 図 1〜図 3において、実施の形態 1における細胞電気生理測定デバイス 1 (以下、デ バイス 1と呼ぶ)の構成は、少なくとも二層の異なる材料によって積層された薄板 7を 用いることが特徴である。薄板 7の第一面 3aの側が珪素力もなる第一の材料層 3 (以 下、層 3と呼ぶ)によって構成され、薄板 7の第二面 4aの側が二酸ィ匕珪素力 なる第 二の材料層 4 (以下、層 4と呼ぶ)によって構成されている。さら〖こ、第二面 4aの側の 外周部である薄板外周部 4b (以下、外周部 4bと呼ぶ)の周辺には、珪素からなる第 三の材料層 5 (以下、層 5と呼ぶ)によって構成された枠体 6が当接されている。なお、 第二面 4aは平らな面である。
[0015] そして、薄板 7の内部には、層 3の少なくとも一力所に、第一面 3aの側に第一の開 口部 8a (以下、開口部 8aと呼ぶ)を有する窪み部 8が形成されている。さらに、窪み 部 8に貫通接続するように、第二面 4aの側に第三の開口部 9d (以下、開口部 9dと呼 ぶ)を有するように、層 3と層 4とにまたがった貫通孔 9が形成されている。つまり、貫通 孔 9が第二の開口部 9c (以下、開口部 9cと呼ぶ)と開口部 9dとを有するように、窪み 部 8の下部に形成されている。
[0016] さらに、図 2に示すように、層 3の上部外周端部 3b (以下、端部 3bと呼ぶ)には、丸 め形状部 3cが形成されて 、る。
[0017] 次に、細胞が活動する際に発する電気生理活動を、デバイス 1を用いて測定する 方法について簡単に説明する。図 4は、図 1に示す細胞電気生理測定デバイスが測 定装置にセットされた際の測定装置の模式断面図を示す。
[0018] 図 4に示すように、デバイス 1が、仕切り部 11の内部に取り付けられている。仕切り 部 11は、プラスチックなどの絶縁体力もなる容器 10の内部に設けられている。仕切り 部 11の内部には穴 12が設けられて 、る。デバイス 1が穴 12の内側に層 3が上面に なるようにして隙間無く配置されている。このことによって、容器 10の内部の空間が、 仕切り部 11を境にして 2つの領域に仕切られている。そして、仕切り部 11によって仕 切られた、容器 10の上下の領域内に測定液 15a (以下、液 15aと呼ぶ)と測定液 15b (以下、液 15bと呼ぶ)とがそれぞれ貯留されている。さらに、容器 10の容器上部 10a (以下、上部 10aと呼ぶ)において、銀'塩ィ匕銀電極などで構成された参照電極 13 ( 以下、電極 13と呼ぶ)が液 15a中に配置されている。容器 10の容器下部 10b (以下 、下部 10bと呼ぶ)において、銀 ·塩ィ匕銀電極などで構成された測定電極 14 (以下、 電極 14と呼ぶ)が液 15b中に配置されている。なお、電極 13と電極 14とがそれぞれ 入れ替わつていても良い。以上のようにして、細胞電位測定装置 21 (以下、装置 21と 呼ぶ)が構成されている。
[0019] 次に、装置 21が準備された状態で、測定対象である細胞 16が上部 10a側から容 器 10に投入される。細胞 16が容器 10に投入された後、上部 10aに比べて下部 10b が低圧になるように、吸引ポンプ(図示せず)などを用いて、仕切り部 11の上下間に 所定の圧力差が発生させられる。このことによって、図 5に示すように、細胞 16は、開 口部 9cに引き寄せられて保持される。そして、この圧力差が維持されていると、開口 部 9cに対する、細胞 16の密着性が十分に確保されることとなり、液 15aと液 15bとの 間で電気的抵抗値を持つようになる。さらに、薬品などの化学化合物などの刺激が 細胞 16に加えられると、細胞 16は電気生理的応答を示す。この結果、電極 13と電 極 14との間に、たとえば、電圧、電流などの電気的応答または電気的変化などが観 測される。
[0020] なお、装置 21を用いた測定の測定方法の説明において、層 3が上面側に配置され たデバイス 1を用いた測定の例について説明した。し力しながら、図 6に示すように、 層 3が下面側に配置されたデバイス 1を用いた測定も可能である。なお、層 3がデバ イス 1の下面側に配置された場合、開口部 9dに細胞 16が密着することになる。細胞 1 6が、第二面 4aに形成された穴である開口部 9dに密着する方力 測定上、都合の良 い場合などに用いることができる。どちらを使用するかは細胞 16の性質によって適宜 決めることが好ましい。
[0021] また、実施の形態 1におけるデバイス 1に形成された窪み部 8と貫通孔 9との直径お よび長さは、細胞 16の種類によって、適宜設計変更されることが好ましい。そして、窪 み部 8の直径は 10〜50 μ mが好ましぐより好ましくは 30〜40 μ mである。また、貫 通孔 9の直径は 1〜5 μ mが好ましぐより好ましくは 1〜3 μ mである。さらに、貫通孔 9の長さは 1〜10 /ζ πιが好ましぐより好ましくは 1〜5 /ζ πιである。また、層 3と層 4との 厚みは、窪み部 8と貫通孔 9との形状によって変更されるべきである。しかしながら、 層 3の厚みが層 4の厚みより厚いことが、デバイス 1の機械的な強度の観点力 好まし い。そして、層 3の厚みは 5〜30 /ζ πιが好ましぐ層 4の厚みは 0. 5〜3 /ζ πιが好まし い。
[0022] 貫通孔と窪み部とが、珪素のみで構成された基板に設けられて ヽる場合、細胞電 気生理測定デバイスの機械的強度が低ぐ細胞電気生理測定デバイスが壊れやす い。そして。細胞電気生理測定デバイスの製造途中に細胞電気生理測定デバイスの 破壊が起こりやすい。また、細胞吸引時の、吸引ポンプなどによる吸引圧力の印加に 伴って、細胞電気生理測定デバイスの破壊が起こりやす!/ヽ。
[0023] し力しながら、デバイス 1は、薄板 7が、珪素などによる層 3と二酸ィ匕珪素などによる 層 4とを有する二層以上の積層構造を有する。このこと〖こよって、強い機械的な強度 を有する細胞電気生理測定デバイス構造が実現される。さらに、加工性が低下する ことなぐ生産歩留りが向上する。したがって、機械的な強度と生産性との両立が容 易に行われるデバイス 1が得られる。
[0024] また、層 3の厚みが層 4の厚みよりも厚い構造である。このことによって、窪み部 8の 形状が任意の形状に設計可能となる。この結果、吸引などの手段によって細胞 16を 保持しやすくなるように、窪み部 8を任意の形状に設計できるなどの効果が発揮され る。
[0025] さらに、貫通孔 9が、層 3と層 4とにまたがって形成されている。このことによって、窪 み部 8の底部 8bに形成される、貫通孔 9周囲の厚みの最も薄い箇所においても積層 構造が維持される。この結果、デバイス 1の強度が保たれ、壊れにくいデバイス 1が実 現される。
[0026] また、図 1または図 2に示すように、薄板 7の外周部 4bの大きさが枠体 6の外周部で ある枠体外周部 6a (以下、外周部 6aと呼ぶ)よりも小さくなるように構成されている。こ のような構成によって、枠体 6に比べて機械的強度の低い薄板 7において、薄板 7の 一部が枠体 6の外側にはみ出すことが無い。このことによって、外周部 4bにおける欠 け不良が少なくなる。
[0027] また、端部 3bに丸め形状部 3cが形成されている。このこと〖こよって、薄板 7の端部 3 bに欠けなどの損傷が起こりにくい構造となる。このことは、デバイス 1の製造過程に おいて発生しやすい、デバイス 1の欠けなどによるゴミまたは異物の発生が極力減ら される。これら異物の発生防止に効果的である。
[0028] そして、層 3が珪素を用いて形成され、層 4が二酸ィ匕珪素を用いて形成されている。
このことによって、薄板 7と枠体 6との構造が高精度にカ卩ェされる。さらに、生産性の 高いデバイス 1の製造方法が実現される。
[0029] 次に、デバイス 1の製造方法について、図を用いて説明する。
[0030] 図 7A〜図 7Kは、実施の形態 1における細胞電気生理測定デバイスの製造方法を 説明するための断面図である。
[0031] まず、図 7Aに示すように、基板準備ステップにおいて、珪素からなる第一の材料層 3と二酸ィ匕珪素力もなる第二の材料層 4と珪素力もなる第三の材料層 5とが積層され て構成された積層構造を有する基板 2を準備する。基板 2は、通常 SOI (silicon on insulator)基板と呼ばれ、容易に入手可能である。 SOI基板の作成方法は、単結 晶珪素基板の表面を熱酸ィ匕処理した後、別の単結晶珪素基板を接合して所定の厚 みになるまで研磨することによって作製される。または、熱酸化処理の後、多結晶珪 素や非晶質珪素が CVDなどの方法で所定の厚みになるまで成膜される等の方法に よって SOI基板が作製される。基板準備ステップにおいて、いずれの作製方法によつ て作製された SOI基板を用いてもょ 、。
[0032] 次に、図 7Bに示すように、第一レジスト膜形成ステップにおいて、層 3の第一面 3a 側の表面に、第一のエッチングレジスト膜 17 (以下、膜 17と呼ぶ)を形成する。膜 17 は、第一レジスト開口部 17a (以下、開口部 17aと呼ぶ)などの所定のパターンを有し ている。
[0033] 次に、図 7Cに示すように、窪み部形成ステップにおいて、第一のエッチングガスを 開口部 17aから導入するエッチング方法によって、層 3に窪み部 8を形成する。エッチ ング方法として、プラズマを用いたドライエッチングの場合は、 SF、 CFなどが第一
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のエッチングガスとして有効である。そして、より好ましくは、第一のエッチングガスとし て、たとえば、 XeFを用いることによって、プラズマによってガスを分解する必要なく
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エッチングできる。このことによって、層 3の珪素部分がエッチングされても、膜 17が エッチングされることがほとんど無い。したがって、効果的に窪み部 8が形成される。
[0034] 次に、図 7Dに示すように、第一の貫通孔形成ステップにおいて、開口部 17aから、 第二のエッチングガスと第三のエッチングガスとを導入する。このことによって、窪み 部 8の底部 8bに、層 4にまで達する第一の孔 9a (以下、孔 9aと呼ぶ)がエッチング方 法によって形成される。エッチング方法として、 ICPプラズマを用いたドライエッチング の場合、第二のエッチングガスには、たとえば、 SF、 CFが用いられ、第三のエッチ
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ングガスには、たとえば、 C F、 CHFが用いられることが好ましい。これにより、第二
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のエッチングガスの導入時には珪素がエッチングされ、第三のエッチングガスの導入 時には、図 7Eに示すように、エッチングされた孔 9aの内壁 9eに保護膜 9fが形成され る。このように、第二、第三のエッチングガスの組み合わせが最適化されることによつ て、エッチングによる加工現象力 開口部 17a直下にのみ発生させることが可能とな る。これにより、孔 9aが、膜 3に対してほぼ垂直な形状を持つようにエッチング力卩ェさ れる。
[0035] なお、第一の貫通孔形成ステップにおいて、図 7Fに示すように、薄板 7の端部 3b は、膜 17の端部 17bより内側に形成される。このことによって、後のプロセスで、層 5 部分に枠体 6が形成されたときに、枠体 6の外周部 6aから薄板 7の外周部 4bがはみ 出すことのな ヽ構造が容易に実現される。
[0036] 次に、図 7Gに示すように、第一レジスト膜除去ステップにおいて、膜 17が除去され る。
[0037] その後、図 7Hに示すように、第二の貫通孔形成ステップにおいて、層 3側から第四 のエッチングガスを導入するエッチング方法によって、層 3に形成された孔 9aに連続 するようにして、第二の孔 9b (以下、孔 9bと呼ぶ)を層 4に形成する。エッチング方法 は、第四のエッチングガスに、たとえば、 CF、 Arなどを用いたプラズマエッチングが
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好ましい。これにより、第四のエッチングガスは珪素による層 3をあまりエッチングする ことなく、層 4の二酸ィ匕珪素部分のみをエッチングする。このことによって、層 3に形成 された孔 9aとほぼ同じ形状の孔 9bが層 4に形成される。以上のようにして、孔 9aと、 孔 9aに連続して形成された孔 9bとによって貫通孔 9が構成される。また、孔 9bの加 ェのために、孔 9aがマスクとして作用する。
[0038] 次に、図 71に示すように、第二レジスト膜形成ステップにおいて、層 5の第三面 5a側 の表面に、第二のエッチングレジスト膜 18 (以下、膜 18と呼ぶ)を形成する。膜 18は 、第二レジスト開口部 18a (以下、開口部 18aと呼ぶ)などの所定のパターンを有して いる。
[0039] 次に、図 7Jに示すように、枠体形成ステップにおいて、開口部 18aから第二のエツ チングガスと第三のエッチングガスとを導入する。このこと〖こよって、層 4に達するまで 層 5を構成する珪素部分がエッチングされ、枠体 6が形成される。このときのエツチン グ方法は、前述の第一の貫通孔形成ステップにおいて、孔 9aを形成する方法とほぼ 同様な方法が利用できる。これにより、層 5のエッチングによる加工力 開口部 18aの 直下にのみ行なわれる。このことから、ほぼ垂直な形状を有する内壁 6bを有した枠体 6が形成される。
[0040] 次に、図 7Kに示すように、第二レジスト膜除去ステップにおいて、膜 18が除去され る。
[0041] このような構成によって、ウェハー(wafer)状の一枚の基板 2から、複数の細胞電 気生理測定デバイス 1が、一括して大量に作製される。このため、上述の製造方法は 極めて有効な方法である。なおかつ、一個のデバイス 1の大きさを極端に小さくできる 。このことから、一枚の基板 2から、より多くのデバイス 1を作製する製造方法が提供さ れる。
[0042] なお、図 7Jに示す枠体形成ステップの前に、第一の丸め形状付与ステップを行つ てもよい。第一の丸め形状付与ステップは、図 8Aに示すように、第一のエッチングガ スを開口部 18aから導入し、層 5の表面を適度にエッチングするステップである。第一 のエッチングガスとして、たとえば、 XeFが開口部 18aから導入される。
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[0043] その後、図 8Bに示すように、枠体形成ステップにおいて、第二のエッチングガスと 第三のエッチングガスとを開口部 18aから導入してエッチングを行う。
[0044] さらに、第二レジスト膜除去ステップにおいて、膜 18が除去される。そして、図 8Cに 示すように、枠体 6の外周端部 6cと内壁端部 6dとに、適度な丸め形状が付与される。 外周端部 6cと内壁端部 6dとによって、適度な丸め形状を有する下部端部 6eが構成 される。この構造によって、枠体 6の下部端部 6eに欠けなどの損傷が起こりにくい。こ のことによって、欠けによって発生するゴミ '異物の発生が、さらに少ない細胞電気生 理測定デバイス laが作製される。 [0045] また、図 7Hに示す第二の貫通孔形成ステップの後に、第二の丸め形状付与ステツ プを追加して行ってもよい。第二の丸め形状付与ステップは、図 9Aに示すように、第 一のエッチングガスを導入し、層 5の外周部 6aの上部端部 6fに適度な丸め形状を付 与する。第一のエッチングガスとして、たとえば、 XeFを導入することができる。その
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後、上述のように、第二レジスト膜形成ステップ、枠体形成ステップ、第二レジスト膜 除去ステップが順次実行される。この結果、図 9Bに示すように、枠体 6の上部端部 6f に丸め形状が付与され、欠けなどの損傷が起こりにくい細胞電気生理測定デバイス 1 bが作製される。なお、第二の丸め形状付与ステップにおいて,上部端部 6fのエッチ ングに伴って、層 4の端部 4cが少し突き出ることがある。し力しながら、端部 4cは枠体 6の角部 6gと離れて 、るので、損傷しやす!/、などの問題は起こらな!/、。
[0046] さらに、第一の丸め形状付与ステップと第二の丸め形状付与ステップとを追加して 行ってもょ ヽ。第一の丸め形状付与ステップと第二の丸め形状付与ステップとを追カロ することによって、図 9Cに示すように、上部端部 6fと下部端部 6eとに欠けなどの損傷 が起こりにくい細胞電気生理測定デバイス lcが作製される。このことによって、欠けに よって発生するゴミ '異物の発生がさらに少ない細胞電気生理測定デバイス lcが得 られる。
[0047] (実施の形態 2)
以下、実施の形態 2における細胞電気生理測定デバイスとその製造方法とについ て、図面を用いて説明する。
[0048] 図 10は実施の形態 2による細胞電気生理測定デバイスの断面図である。また、図 1 1A〜図 11Hは、図 10に示す細胞電気生理測定デバイスの製造方法を説明するた めの断面図である。実施の形態 2における細胞電気生理測定デバイス Id (以下、デ バイス Idと呼ぶ)が実施の形態 1に示したデバイス 1と異なる点は、図 10に示すように 窪み部 8が第一の材料層 3に形成され、貫通孔 9が第二の材料層 4に形成されること である。つまり、貫通孔 9が、層 4に形成された第二の孔 9bのみによって形成されて いる。このような構成によって、貫通孔 9の長さが極めて短くなり、薄板 7が薄くなる。さ らに、細胞 16が大きな形状を有する場合、または、細胞 16が平らな形状を有する場 合などにおいて、細胞 16と薄板 7との密着性がさらに高められる。 [0049] なお、デバイス Idの使用方法は、実施の形態 1で説明した方法と同様の方法を利 用することができる。したがって、使用方法の説明は省略する。
[0050] 次に、実施の形態 2における細胞電気生理測定デバイス Idの製造方法について 図 11A〜図 11Hを用いて説明する。
[0051] まず、図 11Aに示すように、基板準備ステップにおいて、珪素力もなる第一の材料 層 3と二酸ィ匕珪素力もなる第二の材料層 4と珪素力もなる第三の材料層 5とが積層さ れて構成された積層構造を有する基板 2を準備する。基板 2は、通常 SOI (silicon on insulator)基板と呼ばれ、容易に入手可能である。
[0052] 次に、図 11Bに示すように、第一レジスト膜形成ステップにおいて、層 3の第一面 3a 側の表面に、第一のエッチングレジスト膜 17を形成する。膜 17は、第一レジスト開口 部 17aなどの所定のパターンを有して!/、る。
[0053] 次に、図 11Cに示すように、窪み部形成ステップにおいて、第一のエッチングガス を開口部 17aから導入するエッチング方法によって、層 3に窪み部 8を形成する。エツ チング方法として、プラズマを用いたドライエッチングの場合は、実施の形態 1と同様 に、第一のエッチングガスとして、 XeFガスを用いることによって効果的に窪み部 8が
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形成される。
[0054] また、実施の形態 2におけるデバイス Idの製造方法において、実施の形態 1と異な る点は、窪み部形成ステップにおいて、第一のエッチングガスによる窪み部 8のエツ チングが、層 4の表面に達するまで行なわれることである。このことによって、十分な 大きさを有する窪み部 8が形成される。さらに、平らな面を有する、窪み部 8の底部 8b が形成される。つまり、層 4の上面 4dが露出して、底部 8bとなる。この結果、細胞 16 が平らな表面形状を有する場合に、細胞 16が平坦な底部 8bと密着し、細胞 16と薄 板 7との密着性がより効果的に確保される。このことから、大きな細胞 16に対する測 定精度が高められる。
[0055] 次に、図 11Dに示すように、第二の貫通孔形成ステップにおいて、開口部 17aから 第四のエッチングガスを導入するエッチング方法によって、層 4に孔 9bを形成する。 エッチング方法は、第四のエッチングガスとして、たとえば、 Ar、 CFなどを用いたプ
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ラズマエッチングが望ましい。これにより、第四のエッチングガスは珪素による層 3をあ まりエッチングすることなぐ層 4の二酸ィ匕珪素部分のみをエッチングする。このことに よって、開口部 17aをマスクとして、孔 9bは開口部 17aの直下に形成される。なお、 デバイス Idにおいて、孔 9bが貫通孔 9を構成する。
[0056] なお、このとき、膜 17は、第四のエッチングガスによるプラズマエッチングに対する 耐性が要求される。したがって、アルミニウム、または、窒化珪素などが、膜 17の材質 として適している。
[0057] 次に、図 11Eに示すように、第一レジスト膜除去ステップにおいて、膜 17が除去さ れる。
[0058] 次に、図 11Fに示すように、第二レジスト膜形成ステップにおいて、層 5の第三面 5a 側の表面に、実施の形態 1と同様にして、第二のエッチングレジスト膜 18を形成する 。なお、膜 18は、第二レジスト開口部 18aなどの所定のパターンを有している。
[0059] 次に、図 11Gに示すように、枠体形成ステップにおいて、開口部 18aから第二のェ ツチングガスと第三のエッチングガスとを導入する。このこと〖こよって、実施の形態 1と 同様に、層 4に達するまで層 5がエッチングされ、枠体 6が形成される。
[0060] 次に、図 11Hに示すように、第二レジスト膜除去ステップにおいて、膜 18が除去さ れる。この結果、実施の形態 2における細胞電気生理測定デバイス Idが作製される。
[0061] なお、図 11Gに示す枠体形成ステップの前に、実施の形態 1と同様に、第一の丸 め形状付与ステップを行ってもよい。第一の丸め形状付与ステップは、第一のエッチ ングガスを開口部 18aから導入し、層 5の表面を適度にエッチングするステップである 。第一のエッチングガスとして、たとえば、 XeFが開口部 18aから導入される。この結
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果、図 12Aに示すように、枠体 6の外周端部 6cと内壁端部 6dとに、適度な丸め形状 が付与された細胞電気生理測定デバイス leが作製される。
[0062] さらに、図 11Dに示す第二の貫通孔形成ステップの後に、第二の丸め形状付与ス テツプを追加して行ってもよい。第二の丸め形状付与ステップは、第一のエッチング ガスを導入し、層 5の外周部 6aの上部端部 6fに適度な丸め形状を付与する。第一の エッチングガスとして、たとえば、 XeFを導入することができる。第二の丸め形状付与
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スステップの追カ卩によって、図 12Bに示すように、枠体 6の外周部 6aの上部端部 6fに 適度な丸め形状が付与された細胞電気生理測定デバイス Ifが作製される。細胞電 気生理測定デバイス Ifは、上述のように、枠体 6の上部端部 6fに欠けなどの損傷が 起こりにくい。なお、第二の丸め形状付与ステップにおいて,上部端部 6fのエツチン グに伴って、層 4の端部 4cが少し突き出ることがある。し力しながら、端部 4cは枠体 6 の角部 6gと離れて 、るので、損傷しやす!/、などの問題は起きな!/、。
[0063] さらに、第一の丸め形状付与ステップと第二の丸め形状付与ステップとを追加して 行ってもょ ヽ。第一の丸め形状付与ステップと第二の丸め形状付与ステップとを追カロ することによって、図 12Cに示すように、上部端部 6fと下部端部 6eとに欠けなどの損 傷が起こりにくい細胞電気生理測定デバイス lgが作製される。このこと〖こよって、欠 けによつて発生するゴミ '異物の発生がさらに少ない細胞電気生理測定デバイス lg が得られる。
[0064] (実施の形態 3)
以下、実施の形態 3における細胞電気生理測定デバイスとその製造方法とについ て、図面を用いて説明する。
[0065] 図 13は実施の形態 3による細胞電気生理測定デバイスの要部拡大断面図である。
また、図 14は実施の形態 3による別の態様の細胞電気生理測定デバイスの要部拡 大断面図である。
[0066] 実施の形態 3における細胞電気生理測定デバイスの構成力 実施の形態 1に記載 のデバイス 1と異なる点は、貫通孔 9の、開口部 9cの端部 9gの形状と開口部 9dの端 部 9hの形状とである。
[0067] 図 13に示すように、端部 9gと端部 9hとが、それぞれの開口部 9c、 9dの全周にわた つて丸め形状が形成されている。細胞電気生理測定デバイス lhがこのような構成を 有することによって、図 4から図 6を用いて説明した、細胞電位測定装置 21、 21aを構 成して細胞 16の測定をする際の、細胞 16への傷の付与を防止する。つまり、細胞 16 が容器 10の下部 10b側から、吸引されて保持される場合に、細胞 16に接触する端 部 9gが丸み形状を有することから、細胞 16の表面膜に不用意に傷が付くことがない 。このこと〖こよって、確実に細胞 16が保持される細胞電気生理測定デバイス lhが実 現される。
[0068] また、図 14に示すように、端部 9gと端部 9hとが、それぞれの開口部 9c、 9dの全周 にわたつて、角部が削り取られて、開口部 9c、 9dの外側に向ってテーパ状に広がつ たテーパ形状を有するように構成されている。細胞電気生理測定デバイス ljがこのよ うな構成を有することによって、デバイス lhと同様に、図 4から図 6を用いて説明した、 細胞電位測定装置 21、 21aを構成して細胞 16の測定をする際の、細胞 16への傷の 付与を防止する。つまり、細胞 16が容器 10の下部 10b側から、吸引されて保持され る場合に、細胞 16に接触する端部 9gがテーパ形状を有することから、細胞 16の表 面膜に不用意に傷が付くことがない。このことによって、確実に細胞 16が保持される 細胞電気生理測定デバイス ljが実現される。
[0069] このような形状の細胞電気生理測定デバイス lh、 ljを得るための製造方法は、実 施の形態 1または実施の形態 2において説明した細胞電気生理測定デバイスの製造 方法に、第一の平滑化ステップである研磨ステップを加えることが効果的である。つ まり、上述の製造方法にて加工された基板 2が、研磨砥粒を含む水溶液中に浸漬さ れて、超音波振動が加えられる。
[0070] たとえば、層 5に向力うにしたがって、貫通孔 9の内径が小さくなり、とがった形状を 有する貫通孔 9が形成される場合、貫通孔 9の開口部 9d側の端部が鋭角となる。鋭 角な端部を有する開口部 9dに対して、層 5側から細胞 16が接触させられると、貫通 孔 9の鋭角な端部によって、細胞 16の細胞膜が破壊されやすい。
[0071] これに対して、細胞電気生理測定デバイスの製造方法に第一の平滑化ステップが 加えられることによって、図 13に示すような、端部 9g、 9hに丸め形状を有するデバイ ス lhが作製される。また、同様に、図 14に示すような、端部 9g、 9hにテーパ形状を 有するデバイス ljが作製される。基板 2が、研磨砥粒を含む水溶液中に浸漬されて、 超音波振動が加えられることによって、溶液中の研磨砲粒が貫通孔 9の端部に接触 し、鋭角な部分が研磨される。なお、第一の平滑化ステップは、貫通孔 9の端部に限 ることなく、基板 2の他の表面部分も平滑ィ匕されて、滑らかになる。したがって、このよ うに、端部 9g、 9hの表面を平滑にする第一の平滑化ステップが枠体形成ステップの 後などに追加されることによって、細胞 16を傷つけずに細胞 16を測定するデバイス 1 h、 ljが容易に得られる。
[0072] また、同様に、レーザ光線を用いた第二の平滑化ステップを用いることによって、細 胞電気生理測定デバイス lh、 ljが作製されてもよい。第二の平滑化ステップにおい て、層 3側力 または層 5側から貫通孔 9に対してレーザ光線が照射されて、貫通孔 9 の内壁 9eまたは端部 9g、 9hが溶融される。内壁 9eまたは端部 9g、 9hを溶融するこ とが、デバイス lh、 ljを作製する方法として効果的である。第二の平滑化ステップに おいて、レーザ光線が層 3または層 4に照射されることによって、層 3または層 4は発 熱する。この発熱によって、層 3または層 4を構成する材料が溶融する。ここで、層 3を 構成する材料は、たとえば珪素であり、層 4を構成する材料は、たとえば二酸ィ匕珪素 である。このように、層 3または層 4が溶融することによって、貫通孔 9の端部 9g、 9hが 鋭角な形状力 丸め形状またはテーパ形状を有するように変化する。この結果、端 部 9g、 9hの表面を平滑にする第二の平滑化ステップが枠体形成ステップの後など に追加されることによって、細胞 16を傷つけずに細胞 16を測定するデバイス lh、 lj が容易に得られる。なお、レーザ光線が層 3側から照射される場合には、孔 9a側の内 壁 9eと端部 9gが効率的に溶融される。また、レーザ光線が層 5側から照射される場 合には、孔 9b側の内壁 9eと端部 9hが効率的に溶融される。
[0073] また、同様に、プラズマエッチングを用いた第三の平滑化ステップを用いることによ つて、細胞電気生理測定デバイス lh、 ljが作製されてもよい。第三の平滑化ステップ において、層 3側力 または層 5側から貫通孔 9に対してプラズマを用いたエッチング が行われて、貫通孔 9の内壁 9eまたは端部 9g、 9hがエッチングされる。また、内壁 9 eまたは端部 9g、 9hに限ることなぐ基板 2の他の表面部分も平滑化されて、滑らか になる。第三の平滑化ステップにおいて、エッチングガスとして、たとえば、 Arを用い ることが適している。 Arガスを用いたプラズマエッチングの場合、 Arプラズマが貫通 孔 9の開口部 9c、 9dの端部に集中する効果がある。このことによって、丸め形状を有 する端部 9g、 9hが容易に形成される。また、プラズマエッチングの条件を選択するこ とによって、開口部 9c、 9dの全周にわたって層 5の外方に広がったテーパ形状を有 する端部 9g、 9hが容易に形成される。この結果、端部 9g、 9hの表面を平滑にする第 三の平滑化ステップが枠体形成ステップの後などに追加されることによって、細胞 16 を傷つけずに細胞 16を測定するデバイス lh、 ljが容易に得られる。
[0074] さらに、同様に、化学エッチングを用いた第四の平滑化ステップを用いることによつ て、細胞電気生理測定デバイス lh、 ljが作製されてもよい。第四の平滑化ステップ において、基板 2がエッチング水溶液中に浸漬されて、所定の時間、化学エッチング が行われることが効果的である。層 4に二酸化珪素を用いる場合、エッチング水溶液 は、フッ化水素酸、または一水素二フッ化アンモ-ゥム水溶液、アンモ-ゥム水溶液 、水酸ィ匕ナトリウム溶液、水酸ィ匕カリウム溶液、水酸化リチウム溶液などが用いられる 。このことによって、貫通孔 9の開口部 9c、 9dの端部が鋭角な状態力 丸め形状を有 する端部 9g、 9hにカ卩ェされる。さらに、第四の平滑化ステップによって、層 4の第二 面 4aが滑らかな平面形状に加工される効果も有する。また、内壁 9eまたは端部 9g、 9h、第二面 4aに限ることなぐ基板 2の他の表面部分も平滑化されて、滑らかになる 。この結果、端部 9g、 9hの表面を平滑にする第四の平滑化ステップが枠体形成ステ ップの後などに追加されることによって、細胞 16を傷つけずに細胞 16を測定するデ バイス lh、 ljが容易に得られる。
[0075] さらに、貫通孔 9の表面に保護層を形成する保護層形成ステップを用いることによ つて、図 15に示す細胞電気生理測定デバイス lkが作製されてもよい。保護層形成ス テツプにお 、て、層 3側力もまたは層 5側力も電気絶縁材料力もなる保護層 9jが形成 される。保護層 ¾は、たとえば、二酸化珪素、二酸ィ匕チタン等の金属酸ィ匕物が CVD 、スパッタリング等の方法によって形成される。この結果、端部 9g、 9hの表面が平滑 化される。このように、保護層形成ステップが枠体形成ステップの後などに追加される ことによって、細胞 16を傷つけずに細胞 16を測定するデバイス lkが容易に得られる
[0076] なお、第一、第二、第三、第四の平滑化ステップ、保護層形成ステップなどの方法 が組み合わされて、複合ィ匕されることによって、さらに平滑な表面力卩ェが行なわれる。 この結果、細胞 16を傷つけずに細胞 16を測定する細胞電気生理測定デバイスが容 易に得られる。
[0077] (実施の形態 4)
以下、実施の形態 4における細胞電気生理測定デバイスとその製造方法とについ て、図面を用いて説明する。
[0078] 図 16は、実施の形態 4による細胞電気生理測定デバイスの要部拡大平面図である 。また、図 17と図 18とは、実施の形態 4による別の態様の細胞電気生理測定デバィ スを示す要部拡大平面図である。
[0079] 実施の形態 4における細胞電気生理測定デバイス lm (以下、デバイス lmと呼ぶ) は、図 16に示すように、枠体 6の内壁 6bが、少なくとも三つ以上の複数の直線を含 む三角形以上の多角形形状を有する構造である。このような構成によって、薄板 7は より割れにくい構造となり、デバイス lmの強度が高められる。このことによって、デバ イス lmを作成する場合の生産性が高められる。さらに、細胞 16を測定する際に、細 胞 16を吸着するために加えられる吸引の圧力に対する耐久性が高められる。その結 果、破損の少な 、薄板 7を有するデバイス lmが得られる。
[0080] さらに、別の態様として、図 17に示すように、細胞電気生理測定デバイス In (以下 、デバイス Inと呼ぶ)は、枠体 6の内壁 6bが、少なくとも一つ以上の、内方へ突出し た突起部 22を含む形状を有している。このような構成によって、薄板 7は割れにくい 構造となり、デバイス Inの強度が高められる。このことによって、図 16に示すデバイス lmと同様の作用と効果とを有するデバイス Inが得られる。
[0081] さらに、別の態様として、図 18に示すように、細胞電気生理測定デバイス lp (以下、 デバイス lpと呼ぶ)は、枠体 6の内壁 6bが、少なくとも一つ以上の鋭角の凹部 23を 有した星形形状を有している。このような構成によって、内壁 6b内に測定液 15a、 15 bが導入される際に、測定液 15a、 15b中に発生する気泡(図示せず)が、星形形状 の凹部 23先端を伝って流れ易くなる。このことによって、気泡が、内壁 6bの内部に残 留しにくくなる。さらに、測定液 15a、 15bが、容易に内壁 6bの内部に進入しやすくな る。この結果、細胞 16の測定において、測定精度の高い測定が実現される。
産業上の利用可能性
[0082] 以上のように、本発明にかかる細胞電気生理測定デバイスとその製造方法とが、強 度に優れた小型の細胞電気生理測定デバイスを実現するので、化学物質によって 細胞が発する反応を検出する薬品スクリーニングなどの用途に有用である。

Claims

請求の範囲
[1] 第一面と第二面とを有し、前記第一面の側に開口する窪み部と前記第二面の側に 開口する貫通孔とが形成された薄板と、
前記第二面の側の前記薄板の薄板外周部に当接された枠体と、を備え、 前記薄板は、
前記第一面の側が第一の材料層によって構成され、
前記第二面の側が第二の材料層によって構成された、少なくとも二層の積層構造を 有し、
前記枠体が第三の材料層から構成された、
細胞電気生理測定デバイス。
[2] 前記貫通孔は、前記第一の材料層と前記第二の材料層とにまたがって形成された、 請求項 1に記載の細胞電気生理測定デバイス。
[3] 前記薄板の薄板外周部の大きさは、前記枠体の枠体外周部より小さい、
請求項 1に記載の細胞電気生理測定デバイス。
[4] 前記貫通孔は、前記第二の材料層により形成された部分にのみ形成された、
請求項 1に記載の細胞電気生理測定デバイス。
[5] 前記第一の材料層の厚みは前記第二の材料層の厚みよりも厚い、
請求項 1に記載の細胞電気生理測定デバイス。
[6] 前記貫通孔の開口部の端部は、前記開口部の全周にわたって丸め形状を有する、 請求項 1に記載の細胞電気生理測定デバイス。
[7] 前記貫通孔の開口部の端部は、前記開口部の全周にわたってテーパ状に広がった テーパ形状を有する、
請求項 1に記載の細胞電気生理測定デバイス。
[8] 前記枠体は、内壁を有し、
前記内壁の断面形状は、少なくとも三つ以上の複数の直線を含む多角形形状である 請求項 1に記載の細胞電気生理測定デバイス。
[9] 前記枠体は、内壁を有し、 前記内壁は、少なくとも一つ以上の突起部が設けられた、
請求項 1に記載の細胞電気生理測定デバイス。
[10] 前記枠体は、内壁を有し、
前記内壁は、少なくとも一つ以上の鋭角の凹部を有した星形形状である、 請求項 1に記載の細胞電気測定デバイス。
[11] 前記第一の材料層と前記第三の材料層とは、珪素を用いて形成され、
前記第二の材料層は、二酸化珪素を用いて形成された、
請求項 1に記載の細胞電気生理測定デバイス。
[12] 前記第一の材料層の外周部の上部外周端部が丸め形状を有する、
請求項 1に記載の細胞電気生理測定デバイス。
[13] 前記枠体は、内壁と外壁とを有し、
前記内壁の内壁端部と前記外壁の外周端部とは丸め形状を有する、
請求項 1に記載の細胞電気生理測定デバイス。
[14] 第一面と第二面とを有する薄板と、
前記薄板の前記第一面側に開口する窪み部と、
前記薄板の前記第二面側に開口する貫通孔と、
前記薄板の前記第二面側に当接された枠体と、を有し、
細胞の電気生理活動を測定するための細胞電気生理測定デバイスの製造方法であ つて、
第一の材料層と第二の材料層と第三の材料層とが積層されて構成された基板の前 記第一の材料層の側に、第一レジスト膜開口部を有する第一のエッチングレジスト膜 を形成する第一レジスト膜形成ステップと、
前記第一レジスト膜開口部力 第一のエッチングガスを導入して、前記第一の材料 層の内部に前記窪み部を形成する窪み部形成ステップと、
前記第一レジスト膜開口部から第二のエッチングガスと第三のエッチングガスとを導 入して、前記第一の材料層の内部に第一の孔を形成する第一の貫通孔形成ステツ プと、
前記第一のエッチングレジスト膜を除去する第一レジスト膜除去ステップと、 第四のエッチングガスを導入して、前記第二の材料層の内部に第二の孔を形成する 第二の貫通孔形成ステップと、
前記基板の前記第三の材料層の側に、第二レジスト膜開口部を有する第二のエッチ ングレジスト膜を形成する第二レジスト膜形成ステップと、
前記第二レジスト膜開口部力 前記第二のエッチングガスと前記第三のエッチングガ スとを導入して前記枠体を形成する枠体形成ステップと、を備える、
細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[15] 研磨砥粒を含む水溶液中に前記基板を浸し、超音波振動を加えることによって、前 記基板の表面を平滑にする第一の平滑化ステップを、さらに備える、
請求項 14に記載の細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[16] 少なくとも前記第一の材料層の側と前記第三の材料層の側とのいずれか一方力 レ 一ザ光線を照射して、少なくとも前記第一の材料層に形成した前記第一の孔の内壁 と前記第二の材料層に形成した前記第二の孔の内壁との!/、ずれか一方を溶融する ことによって、少なくとも前記第一の孔の前記内壁の表面と前記第二の孔の前記内 壁の表面とのいずれか一方を平滑ィ匕する第二の平滑化ステップを、さらに備える、 請求項 14に記載の細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[17] 前記第三の材料層の側からアルゴンガスを導入したプラズマエッチングによって、前 記基板の表面を平滑にする第三の平滑化ステップを、さらに備える、
請求項 14に記載の細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[18] 化学エッチングによって、前記基板の表面を平滑にする第四の平滑化ステップを、さ らに備える、
請求項 14に記載の細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[19] 少なくとも前記第一の材料層の側と前記第三の材料層の側とのいずれか一方から電 気絶縁材料カゝらなる保護層を前記貫通孔の表面に形成する保護層形成ステップを、 さらに備える、
請求項 14に記載の細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[20] 第一面と第二面とを有する薄板と、
前記薄板の前記第一面側に開口する窪み部と、 前記薄板の前記第二面側に開口する貫通孔と、
前記薄板の前記第二面側に当接された枠体と、を有し、
細胞の電気生理活動を測定するための細胞電気生理測定デバイスの製造方法であ つて、
第一の材料層と第二の材料層と第三の材料層とが積層されて構成された基板の前 記第一の材料層の側の面に、第一レジスト膜開口部を有する第一のエッチングレジ スト膜を形成する第一レジスト膜形成ステップと、
前記第一レジスト膜開口部力 第一のエッチングガスを導入して、前記第一の材料 層の内部に前記窪み部を形成する窪み部形成ステップと、
前記第一レジスト膜開口部力 第四のエッチングガスを導入して、前記第二の材料 層の内部に第二の孔を形成する第二の貫通孔形成ステップと、
前記基板の前記第三の材料層の側の面に、第二レジスト膜開口部を有する第二の エッチングレジスト膜を形成する第二レジスト膜形成ステップと、
前記第二レジスト膜開口部から第二のエッチングガスと第三のエッチングガスとを導 入して、前記枠体を形成する枠体形成ステップと、を備える、
細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[21] 研磨砥粒を含む水溶液中に前記基板を浸し、超音波振動を加えることによって、前 記基板の表面を平滑にする第一の平滑化ステップを、さらに備える、
請求項 20に記載の細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[22] 前記第三の材料層の側からレーザ光線を照射して、前記第二の材料層に形成され た前記第二の孔の内壁を溶融することによって、前記第二の孔の前記内壁の表面を 平滑化する第二の平滑化ステップを、さらに備える、
請求項 20に記載の細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[23] 少なくとも前記第一の材料層の側と前記第三の材料層の側とのいずれか一方力 ァ ルゴンガスを導入したプラズマエッチングによって、前記基板の表面を平滑にする第 三の平滑化ステップを、さらに備える、
請求項 20に記載の細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[24] 化学エッチングによって、前記基板の表面を平滑にする第四の平滑化ステップを、さ らに備える、
請求項 20に記載の細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[25] 前記第三の材料層の側から電気絶縁材料からなる保護層を前記貫通孔の表面に形 成する保護層形成ステップを、さらに備える、
請求項 20に記載の細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[26] 前記枠体形成ステップの前に、前記第二レジスト膜開口部力 前記第一のエツチン グガスを導入したドライエッチングによって、前記枠体の下部の内壁端部と前記枠体 の外周端部とにそれぞれ丸め形状を付与する第一の丸め形状付与ステップを、さら に備える、
請求項 20に記載の細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
[27] 前記第二の貫通孔形成ステップの後に、前記第一のエッチングガスを導入したドライ エッチングによって、前記枠体の外周の上部端部に丸め形状を付与する第二の丸め 形状付与ステップを、さらに備える、
請求項 20に記載の細胞電気生理測定デバイスの製造方法。
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