WO2006098201A1

WO2006098201A1 - 接触子及びその製造方法、ならびに前記接触子を用いた接続装置及びその製造方法

Info

Publication number: WO2006098201A1
Application number: PCT/JP2006/304461
Authority: WO
Inventors: Shin Yoshida; Shinichi Nagano
Original assignee: Alps Electric Co., Ltd.
Priority date: 2005-03-16
Filing date: 2006-03-08
Publication date: 2006-09-21
Also published as: JP4621147B2; US20080188101A1; US20090064482A1; JP2006294592A; US7731551B2

Abstract

【課題】　特に、接触子をアモルファス状態で形成し、従来に比べてバネ特性の向上を可能とした接触子及びその製造方法、ならびに前記接触子を用いた接続装置及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】　本発明は、弾性変形部を有する接触子において、前記弾性変形部の少なくとも一部が、アモルファス状態で形成されていることを特徴とするものである。前記弾性変形部を構成する補助弾性部材４１は例えばＮｉＰ（Ｐは１５原子％）以上で形成されていおり、かかる場合、前記補助弾性部材４１の物質状態は、アモルファス５０が支配的な状態となる。これにより、降伏応力等のばね特性を従来よりも向上させることができる。

Description

明細書

接触子及びその製造方法、ならびに前記接触子を用いた接続装置及びその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、例えば IC (集積回路)等が装着される接触子を有する接続装置 (例えば ICソケットなど）に係わり、特に、前記接触子をアモルファス状態で形成してばね特性を向上させた接触子及びその製造方法、ならびに前記接触子を用いた接続装置及びその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 特許文献 1に記載されている半導体検査装置は、半導体を外部の回路基板などに電気的に仮接続させるものである。半導体の背面側には格子状またはマトリックス状に配置された多数の球状接触子が設けられており、これに対向する絶縁基板上には多数の凹部が設けられ、この凹部内にスパイラル接触子が対向配置されている。

[0003] 前記半導体の背面側を前記絶縁基板に向けて押圧すると、前記球状接触子の外表面に前記スパイラル接触子が螺旋状に巻き付くように接触するため、個々の球状接触子と個々のスパイラル接触子との間の電気的接続が確実に行われるようになつている。

特許文献 1 :特開 2002— 175859号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0004] 例えば上記特許文献 1では、前記スパイラル接触子を、銅箔と、ニッケルメツキとを有して形成している。特許文献 1には特に記載されていないが、前記半導体の球状接触子と、前記スパイラル接触子との接触を確実なものにすベぐ前記スノィラル接触子に対し熱処理を施しながら、前記スパイラル接触子を立体成形すること等が行なわれる。

[0005] し力しながら、前記立体成形の際の熱処理によって、前記スパイラル接触子が結晶化し、降伏応力が低下するなど、ばね特性が劣化するために、弾性接点として適切に機能しなくなるといった問題があった。

[0006] 特許文献 1では、ニッケルメツキを、スノィラル接触子の一部に設けて、る。銅箔だけでなくニッケルメツキを施してスノィラル接触子を形成することで、前記スパイラル接触子が適切に弾性変形しやすくなると期待されるが、前記ニッケルは、熱処理等の原因により結晶化が急激に促進することで脆い性質になるため、スパイラル接触子が折れる等の破損が多発しやすくなつて!、た。

[0007] スノィラル接触子に対し特に立体成形のための熱処理を施さな、場合であっても、前記スパイラル接触子をバーンイン試験装置等に用いた場合には、必然的に前記スノィラル接触子が加熱下に置かれるため、加熱の環境下における、スパイラル接触子のばね特性の向上が必要であった。

[0008] そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、接触子をァモルファス状態で形成し、従来に比べてパネ特性の向上を可能とした接触子及びその製造方法、ならびに前記接触子を用いた接続装置及びその製造方法を提供することを目的としている。

課題を解決するための手段

[0009] 本発明は、弾性変形部を有する接触子において、前記弾性変形部の少なくとも一部が、アモルファス状態で形成されてヽることを特徴とするものである。

[0010] 前記弾性変形部の少なくとも一部をアモルファス状態で形成することで、降伏応力等のばね特性を従来よりも向上させることができる。

[0011] 本発明では、前記弾性変形部の少なくとも一部は、 Ni— X(ただし Xは、 P、 W、 Bのうちいずれか 1種以上)で形成されており、前記 Ni— Xが前記アモルファス状態で形成されることが好ましい。 Ni— Xは適切にアモルファス状態を構成し、前記弾性変形部のばね特性を効果的に向上させることが出来る。

[0012] 本発明では、前記弾性変形部は、導電性部材と、補助弾性部材とを有し、前記導電性部材は前記補助弾性部材よりも比抵抗が低ぐ前記補助弾性部材は前記導電性部材よりも降伏点及び弾性係数が高ぐ前記補助弾性部材が、前記 Ni— Xで形成されることが好ましい。このような構成とすることで、後述の実験結果にも示すようにへたり率を適切に低減できる等、ばね特性を向上させることができ、良好な導電性も確保することが出来る。

[0013] 前記元素 Xは Pであることが好ましぐ Pの組成比は、 15原子％以上で 30原子％以下であることが好ましい。これにより、 Ni—Xを適切にアモルファス状態にでき、弾性変形部のばね特性を効果的に向上させることが出来る。

[0014] あるいは前記元素 Xは wであることが好ましぐ Wの組成比は、 14. 5原子％以上で

36原子％以下であることが好ましぐより好ましくは 20原子％以上である。これにより

、 Ni— Xを適切にアモルファス状態にでき、弾性変形部のばね特性を効果的に向上させることが出来る。

また、前記 Ni—X層はメツキ形成されたものであることが好ま U、。

[0015] また本発明では、アモルファス以外に、 lnm以下の超微細析出物が混在していてもよい。前記超微細析出物の析出は特にばね特性に悪影響を与えないため、前記超微細析出物の析出があってもかまわな！/、。

[0016] 本発明では、前記弾性変形部は、荷重が 19. 6mN以上、変位が 0. 1mm以上の降伏点を有することが好ましい。後述する実験では、前記数値の降伏点を有する弾性変形部の形成が可能であることがわ力つた。

[0017] また本発明では、前記弾性変形部は螺旋状に形成されて!、ることが好ま U、。電子部品の外部接続部等との接触を確実なものに出来る。

[0018] また本発明では、前記弾性変形部は、加熱下にて立体成形されていることが好ましい。加熱することで前記弾性変形部は、所定の立体形状を適切に保つ。特に本発明では、前記弾性変形部を変形加工の際、加熱しても前記弾性変形部はアモルファス状態状態を適切に保っている。このため前記弾性変形部のばね特性は従来よりも適切に高く維持されている。

[0019] また本発明は、基台と、前記基台に設けられた接触子とを有し、電子部品の外部接続部が、前記接触子の弾性変形部に接触する接続装置において、

前記接触子の前記弾性変形部が上記のいずれかに記載された構成にて形成されていることを特徴とするものである。本発明では、前記接触子の弾性変形部の少なくとも一部がアモルファス状態で形成されており、従来に比べてばね特性を向上させることが出来る。 [0020] また本発明は、弾性変形部を有する接触子の製造方法にお!、て、

(a) 前記弾性変形部の少なくとも一部を、 Ni— X(ただし Xは、 P、 W、 Bのうちいずれか 1種以上)で形成する工程、

(b) 前記弾性変形部を加熱下で立体成形する工程、

を含み、前記 (b)工程での加熱を、前記 Ni—Xがアモルファス状態を維持する温度で行うことを特徴とするものである。

[0021] Ni—Xは Niに比べて結晶化温度が高ぐ従来と同じ条件下での加熱によっても前記 Ni—Xはアモルファス状態を保ち得る。本発明では、前記弾性変形部の少なくとも一部を構成する Ni—Xをアモルファス状態にでき、ばね特性に優れた前記接触子を簡単且つ適切に形成することが出来る。

[0022] 本発明では、前記 (b)工程での加熱を、前記 Ni—Xの結晶化温度よりも低、温度で行うことが好ましい。これにより、前記 Ni—Xを適切にアモルファス状態に出来る。

[0023] また本発明では、前記 Ni—Xの塑性域での応力を前記弾性変形部にかけて、前記弾性変形部を加熱下において立体成形することが好ましい。これにより、特に加熱時間の短縮を図ることが出来る。

[0024] また、前記元素 Xを Pで形成することが好ましい。このとき Pの組成比を 15原子％以上で 30原子％以下にすることが好ましぐまた加熱温度を 200°C〜300°Cの範囲内で行なうことが好まし、。これにより NiPを適切にアモルファス状態で形成できる。

[0025] あるいは、前記元素 Xを Wで形成することが好まし、。このとき、 Wの組成比を 14.

5原子％以上で 36原子％以下にすることが好ましぐ 20原子％以上にすることがより好ましぐまた加熱温度を 200°C〜700°Cの範囲内で行うことが好ましい。これにより

NiWを適切にアモルファス状態で形成できる。

[0026] さらに、本発明は、基台と、前記基台に設けられた接触子とを有し、電子部品の外部接続部が、前記接触子の弾性変形部に接触する接続装置の製造方法において、前記接触子の前記弾性変形部を上記のいずれかに記載された製造方法にて形成することを特徴とするものである。これにより前記弾性変形部の少なくとも一部をァモルファス状態で形成でき、従来よりもばね特性に優れた前記接触子を有する接続装置を適切且つ簡単に製造することが可能になる。発明の効果

[0027] 本発明は、弾性変形部を有する接触子において、前記弾性変形部の少なくとも一部が、アモルファス状態で形成されていることを特徴とするものである。前記弾性変形部の少なくとも一部をアモルファス状態で形成することで、降伏応力等のばね特性を従来よりも向上させることができる。

発明を実施するための最良の形態

[0028] 図 1は電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、図 2は図 1の 2— 2線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図である。

[0029] 図 1に示すように、検査装置 10は基台 11と、この基台 11の一方の縁部に設けられたひんじ部 13を介して回動自在に支持された蓋体 12とで構成されている。前記基台 11および蓋体 12は絶縁性の榭脂材料などで形成されており、前記基台 11の中心部には図示 Z2方向に凹となる装填領域 11Aが形成されている。そして、前記装填領域 11 A内に半導体などの電子部品 1が装着できるようになって!/、る。また基台 11の他方の縁部には、被ロック部 14が形成されている。

[0030] 図 2に示すように、この検査装置 10は、電子部品 1の下面に多数の接続端子 (例えば図 2に示す球状の接続端子） laがマトリックス状 (格子状または碁盤の目状）に配置されたものを検査対象とするものである。

[0031] 図 2に示すように、前記基台 11には所定の径寸法からなり、装填領域 11Aの表面から基台 11の裏面に貫通する複数の貫通孔 (スルーホール） 11aが、前記電子部品 1の接続端子 laに対応して設けられて、る。

[0032] 前記貫通孔 11aの上面 (装填領域 11Aの表面）には、接触子が渦巻き状に形成された複数のスパイラル接触子 20が設けられて、る。

[0033] 図 3は前記スパイラル接触子 20の斜視図である。図 3に示すように、前記スパイラル接触子 20は基台 11に、図示 X方向及び Y方向に所定間隔を空けて複数形成されている。

[0034] 前記各スノィラル接触子 20は、図 3において例えば左上に図示されたスパイラル接触子 20のように前記貫通孔 1 laの上方の開口端の縁部に固定された基部 21を有し、スノィラル接触子 20の卷き始端 22が前記基部 21側に設けられている。そして、この卷き始端 22から渦巻き状に延び、巻き終端 23が前記貫通孔 11aのほぼ中心に位置するようになっている。前記スパイラル接触子 20は、ちょうど前記貫通孔 11aと高さ方向にて対向する位置にある渦巻き状の部分が、弾性変形部 20aとして機能している。

[0035] 前記貫通孔 11aの内壁面には図示しない導通部が形成されており、導通部の上端と前記スノィラル接触子 20の前記基部 21とが導電性接着材などで接続されている。また貫通孔 11aの下方の開口端は前記導通部に接続された接続端子 18で塞がれている。

[0036] 図 2に示すように、前記基台 11の下方には複数の配線パターンやその他の回路部品を有するプリント基板 30が設けられており、前記基台 11はこのプリント基板 30上に固定されている。前記プリント基板 30の表面には前記基台 11の底面に設けられた接続端子 18に対向する対向電極 31が設けられており、前記各接続端子 18が各対向電極 31にそれぞれ接触することにより、電子部品 1とプリント基板 30とが検査装置 10 を介して電気的に接続される。

[0037] 一方、検査装置 10の蓋体 12の内面の中央の位置には、電子部品 1を図示下方に押し付ける凸形状の押圧部 12aが前記装填領域 11Aに対向して設けられている。また前記ひんじ部 13と逆側となる位置にはロック部 15が形成されて、る。

[0038] 前記蓋体 12の内面と押圧部 12aとの間には前記押圧部 12aを蓋体 12の内面から遠ざ力る方向に付勢するコイルスプリングなど力なる付勢部材が設けられている（図示せず)。従って、電子部品 1を前記貫通孔 11a内に装着して蓋体 12を閉じてロックすると、電子部品 1を装填領域 11Aの表面に接近する方向（Z2方向）に弾性的に押し付けることが可能となって、る。

[0039] 前記基台 11の装填領域 11Aの大きさは、前記電子部品 1の外形とほぼ同じ大きさであり、電子部品 1を前記装填領域 11Aに装着して蓋体 12をロックすると、電子部品 1側の各接続端子 laと検査装置 10側の各スパイラル接触子 20とが正確に対応して位置決めできるようになって!/、る。

[0040] 蓋体 12のロック部 15が基台 11の被ロック部 14にロックされると、電子部品 1が前記押圧部 12aによって図示下方に押し付けられるため、前記各接続端子 laが各スパイラル接触子 20を貫通孔 11aの内部方向（図示下方）に押し下げる。同時に、スパイラル接触子 20の前記弾性変形部 20aは、前記巻き終端 23から卷き始端 22方向（渦巻きの中心から外方向）に押し広げられるように変形し、前記接続端子 laの外表面を抱き込むように巻き付き、各接続端子 laと各スパイラル接触子 20とが接続される。

[0041] 前記スノィラル接触子 20の弾性変形部 20aを幅方向と平行な方向である線 4から膜厚方向に切断し、その切断面を矢印方向から見たとき、その切断面は図 4のようになっている。

[0042] 図 4Aでは、導電性部材 40の上に補助弾性部材 41が重ねて形成されている。前記導電性部材 40は前記補助弾性部材 41よりも比抵抗が低ヽ材料で形成され、前記補助弾性部材 41は前記導電性部材 40よりも降伏点及び弾性係数が高ヽ材料で形成されている。

[0043] 図 4Aのように、導電性部材 40と補助弾性部材 41とを重ねて形成することで、前記スパイラル接触子 20の良好な導電性は導電性部材 40で担保され、前記スパイラル接触子の良好なばね性は前記補助弾性部材 41で担保される。

[0044] 図 4Aでは、補助弾性部材 41の上に導電性部材 40が重ねて形成されたものであつてもよい。

[0045] また図 4Aにお、て、前記導電性部材 40及び補助弾性部材 41の双方カ^ッキで形成されたものであってもよいし、導電性部材 40が金属箔で形成されており、前記補助弾性部材 41がメツキ形成されたものであってもょ、。

[0046] 図 4Bでは、下力も導電性部材 40、補助弾性部材 41及び被膜部材 42の順に積層形成されたものである。ここで前記被膜部材 42は、硬度ゃ耐磨耗性を向上させるために設けられたものである。また前記被膜部材 42は前記弾性部材 41よりも低、比抵抗を有する材質で形成され、電子部品の接触子との接触抵抗を小さくする作用を有するものであることが好まし、。

[0047] 図 4Cでは、導電性部材 40の上面、下面及び両側面が前記補助弾性部材 41で完全に囲まれた構成になって、る。このように補助弾性部材 41によって前記導電性部材 40の周囲を完全に囲む構成であると、スパイラル接触子 20のばね性をより適切に向上させることができて好ましい。

[0048] 図 4Dは、図 4Cの応用例であり、例えば前記導電性部材 40の上面、下面及び両側面を完全に補助弾性部材 41が囲っており、さらに前記補助弾性部材 41の表面を前記被膜部材 42が覆って、る構成である。

[0049] 前記導電性部材 40は、 Cuあるいは Cu合金で形成されて、る。また前記導電性部材 40を形成する前記 Cu合金には、例えば、 Cu、 Si、 Niを有するコルソン合金が選択される。前記補助弾性部材 41は、 Ni— X(ただし Xは、 P、 W、 Bのうちいずれか 1 種以上)で形成されることが好ま Uヽ。前記導電性部材 40を Cuや Cu合金 (コルソン合金を除く）で形成すると、スパイラル接触子 20を安価に形成でき、また良好な導電性を確保できる。ただしばね性はほとんど期待できないため、前記補助弾性部材 41 にはばね性に優れる Ni—Xを選択して、前記弾性変形部 20aのばね特性を適切に向上させることが必要である。すなわち例えば前記補助弾性部材 41として Niを選択した場合は、効果的なばね特性の向上を期待できず、へたり率等が大きくなつてしまう。具体的には、例えば CuZNiという組み合わせは、 CuZNi—Xに比べて良好なばね特性を期待できないのである。したがって本実施形態では、前記補助弾性部材 41は、？^ー (ただしは、 P、 W、 Bのうちいずれ力 1種以上）で形成されることが好ましい。また前記被膜部材 42は、 Au、 Ag、 Pd、 Snから選択される。

[0050] 前記補助弾性部材 41は、上記したようにメツキ形成されたものである。メツキは電解メツキ法でも無電解メツキ法でもどちらであってもよい。例えば図 4C,図 4Dのように導電性部材 40の周囲を覆うように前記補助弾性部材 41を形成する場合は、前記補助弾性部材 41を無電解メツキ法で形成する。

[0051] 本実施形態における特徴的な部分は前記補助弾性部材 41がアモルファス状態で形成されてヽる点である。前記補助弾性部材 41は上記したように Ni—X合金で形成される。 Ni— X合金は Niに比べて結晶化温度が高ぐ前記 Niが結晶化する温度であつても Ni—X合金は結晶化せずアモルファス状態を保ってヽる。前記補助弾性部材 41は、例えば NiP合金でメツキ形成されたものであり、 Pの組成比は 15原子％以上であることが好ましい。 Pの組成比を 15原子％以上にすると、 Pの組成比を 15原子％よりも小さくした場合に比べて、 Ni結晶の析出を適切に抑制できる。 Ni結晶の析出により、前記補助弾性部材 41が脆くなり降伏点等に代表されるばね特性の著し!/、低下を招くため好ましくな、。なお前記 Pの組成比は 30原子％以下であることが好ま、。 30原子％よりも大きいと脆い金属間化合物である NiP、 Ni P、 Ni P等を生じるた

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めである。なお元素 Xに Wを選択した場合、 Wの組成比は 14. 5原子％〜36原子％の範囲内であることが好まし、。より好ましくは Wの組成比は 20原子％以上である。これにより NiWをアモルファス状態で形成できる。また、元素 Xに Bを選択した場合、 Bの組成比は 15原子％〜30原子％の範囲内であることが好ましい。これにより、 NiB をアモルファス状態で形成できる。

前記補助弾性部材 41は全体が完全なアモルファス (非晶質相）であることが最も好ましいが、例えば直径が lnm以下の超微細析出物（ェンプリオ）が析出していてもよい。前記超微細析出物の組成は、例えば Niであってもよいし、あるいは元素 X、 Ni— Xであってもよい。なお、超微細析出物は数粒子程度の大きさでしかなぐ結晶ではな、。このため前記超微細析出物が析出して、てもアモルファスとしての性質が適切に保たれている。また、本実施形態では一部に結晶が析出している状態を除外するものではない。例えば図 5に示す物質状態では、アモルファス 50が支配的となっている力一部、前記ェンプリオ 51や結晶 52が見られる。前記結晶 52の直径 (最大径）は、 3nm〜15nm程度である。このとき、前記結晶 52は、 Niでなぐ Ni— Xで形成された金属間化合物結晶であることが好ましい。例えば前記補助弾性部材 41が NiP 合金で形成されるとき、前記結晶 52の組成は Ni Pである。 Ni結晶は膜を非常に脆

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い材質に変える力前記金属間化合物結晶が析出しても Ni結晶の析出に比べて、ばね特性の低下を抑制できる。図 5に示すように前記金属間化合物結晶 52が析出しても、その周囲は前記アモルファス 50で覆われており、アモルファス 50が支配的な状態となっている。前記アモルファス 50は、前記補助弾性部材 41中に 60体積％〜1 00体積％占めていることが好ましい。すなわち本実施形態では、前記弾性補助部材 41の全体がアモルファスで形成されている状態、アモルファスと超微細析出物とが混在する状態、アモルファス以外に結晶（金属間化合物結晶であることが好ましい）や超微細析出物を有するが膜中に前記アモルファスが 60体積％以上占める状態を全て含んでいる。なおアモルファスは 80体積％以上であることがより好ましぐ 90体積 %以上であることがさらに好ましい。そして本願明細書ではこれらの状態を全てあわせて「アモルファス状態」と呼ぶ。上記 3つの状態のうち、最も好ましいのは、全体がァモルファスとなっている状態、次に好ましいのは、前記アモルファスと超微細析出物とが混在する状態、である。

[0053] 前記スパイラル接触子 20の弾性変形部 20aに前記補助弾性部材 41を含み前記補助弾性部材 41をアモルファス状態で形成することで、前記弾性変形部 20aの降伏点を従来よりも向上させることが出来る。具体的には、荷重が 19. 6mN以上で変位が 0. 1mm以上となる降伏点を有することが出来る。また前記補助弾性部材 41をァモルファス状態で形成することで耐クラック性 (折れにくさ）を向上させることができ、さらに前記スパイラル接触子 20を所定高さの立体形状に適切に形成できるとともに、前記接続装置 10の繰返しの使用によっても、前記スパイラル接触子 20のへたり率を従来よりも適切に減少させることが出来る。

[0054] 前記スノィラル接触子 20の弾性変形部 20aは図 3に示すように上方に向けて螺旋状に立体成形されたものである。前記立体成形は加熱下で行なわれる。従来、弾性変形部 20の補助弾性部材 41として Niを使用したものでは立体成形時の加熱下において前記 Niが結晶化することでパネ特性が劣化するといつた問題があつたが本実施形態では前記補助弾性部材 41として Ni—X合金を用いることで、前記補助弾性部材 41をアモルファス状態に維持でき上記した降伏点に代表されるばね特性を従来よりも向上させることが可能になる。

[0055] また、図 4に示す断面中に占める前記補助弾性部材 41の断面積比 { (補助弾性部材 41の断面積 Z全体の断面積） X 100 (%) }は、 30%以上であることが好ましぐ 5 0%以上であることがより好ましい。これによりばね定数を向上させることができ、へたり率を適切に低減できる。

[0056] 本実施形態では、前記弾性変形部 20aは上方に向けて立体成形 (略円錐形)されている。立体成形は加熱下で行われる。これにより、前記弾性変形部 20aは繰り返しの使用等によっても所定の立体状態を保ち、前記接続端子 laとの接触を良好に出来る。また本実施形態では、このような弾性変形部 20aの形成時の加熱処理、あるいはバーンイン試験等で行われる熱処理等によっても前記弾性変形部 20aは適切にァモルファス状態を保つ。

[0057] 前記導電性部材 40は、前記補助弾性部材 41のようにアモルファス状態でなくてもよぐすなわち結晶が支配的な状態となっていてもよい。むしろ前記導電性部材 40は良好な導電性を確保するために結晶であることがょ、。

[0058] 前記スノィラル接触子 20の製造方法について説明する。図 6ないし図 8は、前記基台 11上に前記スパイラル接触子 20を取付け、前記スパイラル接触子 20の弾性変形部 20aを上方に向けて立体成形するまでの前記スノィラル接触子 20の製造方法を示す一工程図である。

[0059] 図 6に示すように前記基台 11には貫通孔 11aが形成されており、前記貫通孔 11a の周囲には、スパッタ等により導電性材料力もなる導通部 60が形成されている。上記したように前記スパイラル接触子 20は、基部 21と前記基部 21から延出形成された弾性変形部 20aとを有して構成されている。前記スパイラル接触子 20は、例えば銅箔力もなる導電性部材 40の周囲に無電解メツキによって NiP合金カゝらなる補助弾性部材 41が形成された構成である（図 4 (C) )。前記弾性変形部 20aは螺旋状に形成されている。前記スパイラル接触子 20の基部 21は多数のスパイラル接触子 20がばらばらにならないように保持するためのポリイミド榭脂等の榭脂シート 71に保持されている。前記榭脂シート 71にも前記基台 11と同様に前記弾性変形部 20aと高さ方向にて対向する位置に貫通孔が形成されている。

[0060] 前記榭脂シート 71に保持された前記スパイラル接触子 20を、前記基台 11上に置き、このとき、ちょうど前記スパイラル接触子 20の弾性変形部 20aが前記基台 11の貫通孔 11aと高さ方向にて一致するように、前記弾性変形部 20aと貫通孔 11aとを位置合わせし、前記スパイラル接触子 20の基部 21を前記基台 11の前記貫通孔 11 a上の周囲に前記導電性接着剤 61を用いて貼り付ける。このとき前記基部 21は前記導通部 60と前記導電性接着剤 61を介して導通した状態となる。

[0061] 図 6に示すように、スパイラル接触子 20の下方力前記貫通孔 11a内に突出調整部材 70を介入させ、前記突出調整部材 70を上方へ押し上げる。

[0062] 図 7に示すように前記突出調整部材 70の押し上げによって前記スパイラル接触子 20の弾性変形部 20aは上方へ押し上げられる。このとき熱処理を施しながら前記突出調整部材 70の押し上げを行い、所定時間が経過した後、前記突出調整部材 70を取り除く（図 8)。

[0063] 上記のように前記弾性変形部 20aに対する立体成形を、熱処理を施しながら行なうことで、前記突出調整部材 70を取り除いても前記弾性変形部 20aは上方に突出した状態で維持される。

[0064] 図 7に示すように前記スパイラル接触子 20の基部 21上面 21aから、前記弾性変形部 20aの最も高い位置にある頂点 Aまでの高さ寸法が HIとなるまで、前記突出調整部材 70を上方へ押し上げ、加熱下で図 7の状態をキープする。図 8に示すように前記突出調整部材 70を取り除くと、若干のスプリングバックによって、前記スパイラル接触子 20の基部 21の上面 21aを基準としてみたときの前記弾性変形部 20aの高さ寸法は HIから H2に若干低くなる。このため、前記スプリングバックを見越して前記突出調整部材 70を上方へ押し上げた段階での前記弾性変形部 20aの高さ寸法 HIを、実際に必要な前記弾性変形部 20aの高さ寸法 H2よりも高く設定しておくことが必要である。

[0065] 上記のように弾性変形部 20aの立体成形工程は加熱下で行なわれる力本実施形態では前記弾性変形部 20aの補助弾性部材 41を Ni— X合金で形成したことで前記補助弾性部材 41を Niで形成したときよりも結晶化温度が上がり、従来、前記立体成形のときの加熱温度であった 200°C〜300°C程度の加熱下でも結晶化温度を下回り、前記補助弾性部材 41は結晶化せずアモルファス状態を適切に保つ。

[0066] また本実施形態では、上記した加熱下での立体成形によっても前記補助弾性部材 41をアモルファス状態に適切に保つことが出来るため、立体成形のときに、前記補助弾性部材 41の塑性域での応力を前記弾性変形部 20aにかけて、前記弾性変形部 20aを立体変形させることが出来る。前記補助弾性部材 41の塑性域で変形させることで、前記補助弾性部材 41を固着転位ィ匕でき、それに必要なエネルギーは、前記補助弾性部材 41の弾性域で変形させるときに可動転位から固着転位にするのに必要なエネルギーに比べて小さい。よって本実施形態では、加熱時間を短く出来る。従来では例えば 1時間程度必要であった加熱時間を数分力も数十分程度に短縮でき、このように加熱時間を従来より短くしても、へたり率の小さいスパイラル接触子 20を製造することが出来る。従来のように、 Niで補助弾性部材 41を形成した場合、加熱下で前記 Niが結晶化するため、塑性域での応力をかけて立体成形すると、ばね性の非常に悪い弾性変形部 20aし力製造できず、よって、弾性域での応力をかけながら上記の立体成形をする必要があつたが、力かる場合では可動転位から固着転位に要するエネルギーが非常に大きいために加熱時間を長く設定する必要があつたのに対し、本実施形態では上記のように加熱時間を短く出来るから製造工程も容易化する。

[0067] また、上記のように仮に前記スパイラル接触子 20の弾性変形部 20aを立体成形せず平面的な形状 (図 6の状態)で前記スパイラル接触子 20を使用する場合でも、例えばバーンイン試験装置等に図 1に示す接続装置 10を使用するときには、必然的に前記スパイラル接触子 20が加熱下に置かれることになる。しかし本実施形態では、前記スパイラル接触子 20の弾性変形部 20aを構成する補助弾性部材 41を適切にァモルファス状態に維持できるので、前記弾性変形部 20aのばね特性を良好に維持でき、耐久性に優れた接続装置 10を提供することが出来る。

[0068] 前記スノィラル接触子 20の弾性変形部 20aは螺旋形状以外の形状であってもかまわない。ただし前記弾性変形部 20aが螺旋形状であると、前記電子部品 1の接続端子 laがどのような形状であっても、前記弾性変形部 20aは、前記接続端子 laの周囲を囲むように変形しやすぐ前記弾性変形部 20aと前記接続端子 laとの接触面積が広がり前記接続端子 laとの接触性を確実なものにできるため好ましい。

[0069] 本実施形態では、前記補助弾性部材 41を、 Ni— X(ただし Xは、 P、 W、 Bのうちヽずれ力 1種以上)で形成することが好ましい。前記元素 Xを Pで形成するとき、 Pの組成比を 15原子％以上で 30原子％以下にすることが好ましい。また前記元素 Xを Wで形成するとき、 Wの組成比を 14. 5原子％以上で 36原子％以下にすることが好ましく、 20原子％以上にすることがより好ましい。また、元素 Xを Bで形成するとき、 Bの組成比を 15原子％〜30原子％の範囲内で形成することが好ましい。

[0070] 上記したように補助弾性部材 41として Niを用いる場合に比べて前記補助弾性部材 41の結晶化温度を高くでき、立体成形の際の 200°C〜300°C程度の加熱温度は、前記結晶化温度より低ぐしたがって前記補助弾性部材 41を加熱して立体成形しても前記補助弾性部材 41を適切にアモルファス状態に保つことが出来る。特に補助弾性部材 41を NiWで形成した場合、 700°C程度まで加熱温度を高くしても、加熱温度が結晶化温度を下回り、前記補助弾性部材 41を適切にアモルファス状態に保つことが出来る。このように加熱温度の許容範囲を広げることが出来るので、立体成形処理を適切且つ簡単に行うことが可能である。

[0071] また立体成形の手法としては図 6に示す突出調整部材 70によって前記弾性変形部 20aを上方に突き上げた状態で熱処理する手法によらず、例えば円錐状の土台上に渦巻き状の弾性変形部 20aを形成し、前記土台を取り除いた後に上記した加熱処理、あるいは加熱処理を施した後、前記土台を除去する手法により、前記弾性変形部 20aを立体成形してもよヽ。

[0072] また本実施形態では前記スパイラル接触子 20の弾性変形部 20aが図 4に示した積層構造でなぐ例えば前記弾性変形部 20aは前記補助弾性部材 41のみで構成されていてもよい。かかる場合、前記弾性変形部 20aの全体がアモルファス状態であることが好ましい。

[0073] また前記補助弾性部材 41の材質として挙げた Ni— X合金は一例であり、他の材質であってもかまわない。

実施例

[0074] 図 9 (比較例）及び図 10 (比較例）は、 Pを 12. 5原子％含む NiP合金の TEM写真である。図 9では、 NiP合金をメツキ形成し特に加熱を行なわなかった状態での TEM 写真、図 10は、前記 NiP合金をメツキ形成した後、 250°Cで 1時間加熱した後の前記 NiP合金の TEM写真である。

[0075] 図 9に示す TEM写真力も物質状態を分析したところ Ni Pの金属間化合物結晶が

3

大部分を占めており、また、前記金属間化合物結晶どうしの間に Niの微結晶が存在することち ½認できた。

[0076] また図 10に示す TEM写真力も物質状態を分析したところ、 Ni Pの金属間化合物

3

結晶が大部分を占めており、また、前記金属間化合物結晶どうしの間に Niの微結晶や単結晶が存在することも確認できた。

[0077] 図 11 (実施例），図 12 (実施例)及び図 13 (実施例）は、 Pを 19原子％含む NiP合金の TEM写真である。図 11では、 NiP合金をメツキ形成し特に加熱を行なわなかつた状態での TEM写真、図 12は、前記 NiP合金をメツキ形成した後、 250°Cで 36分加熱した後の前記 NiP合金の TEM写真、図 13は、前記 NiP合金をメツキ形成した後、 250°Cで 1時間加熱した後の前記 NiP合金の TEM写真、である。

[0078] 図 11に示す TEM写真力物質状態を分析したところ、結晶は見られずァモルファスであることがわかった。

[0079] 次に、図 12に示す TEM写真力も物質状態を分析したところ、図 11の状態とあまり変化は見られなかった力 lnm以下の超微細析出物（ェンプリオ）が存在することが確認できた。

[0080] 次に、図 13に示す TEM写真力も物質状態を分析したところ、一部に金属間化合物の析出が見られた。前記金属間化合物は Ni Pであり、 Niの結晶物は見られなか

3

つた。また図 13に示すように、前記金属間化合物の周囲はアモルファスで囲まれており、アモルファス状態を維持していることがわ力つた。

[0081] 図 14 (実施例）は、銅基板の上に、 Pを 15原子％含有した NiP合金を無電解メツキ法にてメツキ形成し、この複合部材を 250°Cで 1時間熱処理を施した後の前記複合部材の TEM写真である。図 14に示すように、銅基板は結晶化している力 NiP合金の部分には結晶化したときに見られる塊状物は見られず前記 NiP合金の部分は、ァモルファスであることが確認できた。

[0082] 図 15は、複数の Cu基板を用意し、各 Cu基板上にそれぞれ Pの組成比が異なる Ni Pをメツキ形成し、 Cu基板と NiP合金力もなる複数の複合部材 (a)〜 (j)をそれぞれ 2 50°Cで 1時間加熱したあとの X線回折図である。

[0083] 図 15に示すように、 Pの組成比を 7. 9原子％〜14. 7原子％まで変化させた複合部材 (a)〜（d)には、 Ni{ 111 }面の結晶ピークが見られることが確認できた。一方、 P の組成比を 16. 1原子％とした場合でも、若干、 Ni{ 111 }面の結晶ピークが見られるものの、これは lnmの超微結晶析出物（ェンプリオ)であると考えられ、結晶化はしていない。以上のように、図 9ないし図 15に示す実験結果から、 NiP合金をァモルファス状態に維持するためには Pの濃度を 15原子％以上にすればよいことがわ力つた。

[0084] 次に、スパイラル接触子形状の銅箔の周囲に無電解メツキ法にて NiP合金をメツキ形成した。このときの Pの組成比は 19原子％であった。前記スパイラル接触子の螺旋状に形成された弾性変形部に応力をかけ、図 7工程と同じように前記弾性変形部 20 aを突出調整部材 70を用いて上方に変形させて加熱処理を行なった（立体成形)。加熱条件は温度が 250°Cで時間が 1時間であった。

[0085] 実験では、図 16に示すように、前記スパイラル接触子の弾性変形部に加える応力を種々変化させ、弾性変形部の高さ寸法を変化させた。図 16のグラフ上にある「突出調整部材の高さ」とは、図 1に示すスパイラル接触子 20の基部 21の上面 21aから前記突出調整部材 70の先端までの高さ H3を指す。前記高さ寸法 H3が大きくなるほど前記弾性変形部に力かる応力が高くなる。図 16のグラフ上にある「フォーミング後高さ」とは、図 8工程図に示すように、前記突出調整部材 70を取り除いた後、前記スパィラル接触子 20の基部 21の上面 21aから前記弾性変形部 20aの最も上方に突き出した頂点 Aまでの高さ H2を意味する。

[0086] 前記フォーミング後（立体成形後）、さらに前記弾性変形部 20aに対し、今度は、下方向（すなわち図 8の状態力図 6の状態に戻る方向）へ応力をかけながら、図 6のようにスパイラル接触子 20の弾性変形部 20aの上面が基部 21の上面 21aと同一の高さになる (スパイラル接触子 20が平面的な形状になるまで）図 6の状態にまで戻し、その状態を 48時間、 150°Cの加熱下 (バーンイン; BI)で維持した。その後、前記弾性変形部 20aにかかっていた応力を取り除くと、前記弾性変形部 20aは上方に向けて再び変形する。そのときの、前記弾性変形部 20aの高さ寸法を「BI後高さ」として図 1 6のグラフ上に示した。「BI後高さ」も、前記「フォーミング高さ」と同様、前記スパイラル接触子 20の基部 21の上面 21aから前記弾性変形部 20aの最も上方に突き出した頂点 Aまでの高さを意味する。

[0087] { (「フォーミング後高さ」 -「BI後高さ」 ) /「フォーミング後高さ」 } X 100をへたり率（ %)と定義すると、図 17に示すように、弾性変形部 20aの立体成形時にかけた応力が種々変化しても前記へたり率を 30%以下に押えることが出来るとわ力つた。前記へたり率が大きくなるということは前記弾性変形部 20aが徐々に塑性変形していることの証であるから出来る限り前記へたり率を低く押えたい。

[0088] ところで、図 16に示すように、ほぼ 1440MPaを境にして、 1440MPaよりも高い応力をかけた場合、前記 NiP合金は塑性域で立体成形されることになり、一方、 1440 MPaよりも低、応力をかけた場合、前記 NiP合金は弾性域で立体成形されることになる。へたりについて考察してみるとへたりは可動転位を介して行なわれると考えられる。このためへたりの小さい弾性変形部 20aを形成するには立体成形のときに、前記可動転位を少なくし固着転位ィ匕する加工を施すことが必要であると考えられる。

[0089] 前記 NiP合金を弾性域で立体成形したとき、可動転位から前記固着転位にするためには大きなエネルギーが必要である。このため 1440MPa以下の応力をかけて前記弾性変形部 20aを立体成形するには固着転位ィ匕するために加熱時間を長くしなければならない。一方、前記 NiP合金を塑性域で立体成形したときは、前記弾性変形部 20aに塑性変形を与えてヽるため内在する可動転位を低!ヽエネルギーで固着変位ィ匕できる。従って、前記 NiP合金を塑性域で立体成形したときの加熱時間を、弾性域で立体成形したときよりも短!、時間で、へたりの小さ、弾性変形部 20aを形成できる。

[0090] 図 16は、アモルファスの NiP合金を弾性変形部 20aに使用したときの特性図であり、アモルファスの NiP合金を用いることで、加熱時間を従来より短縮させることが出来る。

[0091] 次に、図 16の実験で使用したスパイラル接触子と同じ構成のもの（すなわち銅箔の周囲に Pが 15原子％含まれた NiPを無電解メツキしたもの）を用い、前記スパイラル接触子の弾性変形部に対し、 2500MPaの応力をかけながら、図 18の実験では、図 7,図 8に示す立体成形を、 200°Cの加熱下で 72時間行ない、図 19の実験では、図 7,図 8に示す立体成形を 250°Cの加熱下で 36分間行ない、図 20の実験では、図 7 ,図 8に示す立体成形を 250°Cの加熱下で 9分間行ない、その後、それぞれのスパイラル接触子の弾性変形部の「フォーミング後高さ」（立体成形後高さ)を測定し、さらに、図 18〜図 20の実験全てにおいて、弾性変形部 20aを図 6の状態に戻す応力をかけながら 150°Cの加熱下で 24時間加熱し (バーンイン 1)、前記応力を除去して再び図 8のように変形した弾性変形部 20aの高さ寸法を「BI後高さ 1」として測定し、再び、弾性変形部 20aを図 6の状態に戻す応力をかけながら 150°Cの加熱下で 48時間加熱し (バーンイン 2)、前記応力を除去して再び図 8のように変形した弾性変形部 20a の高さ寸法を「BI後高さ 2」として測定した。「フォーミング後高さ」「BI後高さ 1」「BI後高さ 2」は全て、前記スパイラル接触子 20の基部 21の上面 21aから前記弾性変形部

20aの最も上方に突き出した頂点 Aまでの高さで測定された。

[0092] また、へたり率を、 { (「フォーミング後高さ」 -「BI後高さ 1または、 BI後高さ 2」）Z「フォーミング後高さ」 } X 100として求めた。その実験結果を図 18〜図 20に示す。

[0093] 図 18〜図 20に示すように、全ての実験において、へたり率を 30%以下に抑えることが出来た。しかも図 20の実験では、立体成形時の加熱時間はたった 9分であるのに、へたり率が 30%以下であり、従来のように 1時間程度行なっていた加熱時間を数分〜数十分に短縮しても、へたり率が 30%以下となるスパイラル接触子を製造できることが確認できた。

[0094] 次に、図 21,図 22に示す実験では、銅箔の周囲に無電解メツキ法で NiP合金を、比較例では、 Pの組成比を 12. 5原子％とし、実施例では Pの組成比を 19原子％として、メツキ形成したスパイラル接触子を形成し、比較例及び実施例とも、 250°Cで 1時間の加熱下にて立体成形を行った後、前記スノィラル接触子の弾性変形部に対し荷重をかけ、前記スパイラル接触子が折れるまでの変位量を測定した。「変位量」とは、図 8の状態（上記荷重が力かって、な、状態）のときのスノィラル接触子の弾性変形部の頂点 Aから、上記荷重を下方向へかけることで下降する前記弾性変形部の頂点までの下降量 H4である（図 8を参照)。

[0095] 図 21は比較例であり図 22は実施例である。図 21の実験に使用した NiP合金は P の糸且成比が 12. 5原子％であるため、加熱下における立体成形によって結晶化しており、一方、図 22の実験に使用した NiP合金は Pの組成比が 15原子％であるため、加熱下における立体成形によってもアモルファス状態を維持している。図 21の比較例では、だいたい 250 mの変位量で前記スパイラル接触子の弾性変形部は折れた力図 22の実施例では、 500 /z m以上変位しても前記スノィラル接触子の弾性変形部は折れな、ことがわ力つた。

[0096] 図 23は、銅箔の周囲に無電解メツキ法で NiP合金を、 Pの組成比を 12. 5原子％としてメツキ形成したスパイラル接触子を多数、形成し、各スノィラル接触子を、 250°C で 1時間の加熱下で立体成形した後、各スパイラル接触子の弾性変形部の上方に試験用の突起部材を対向させ、前記突起部材を下降させて、前記弾性変形部に対し、 lOOOMPaから 1500MPaの範囲内の応力が力かるまで押し込み、その後、前記突起部材を元の位置まで上昇させ、このような前記突起部材の昇降を 3000回行、、前記スパイラル接触子の弾性変形部が折れる割合 (寿命試験)を前記突起部材の昇降回数が 1000回のときと 3000回のときの双方で調べた。図 23に示すように、前記スパイラル接触子の弾性変形部にカゝかる応力が小さいと、前記スパイラル接触子の弾性変形部が折れる割合が小さくなるものの、 1500MPa程度の応力を 3000回かけると、 80%近くのスパイラル接触子の弾性変形部が折れてしまうことがわ力つた。また前記突起部材の昇降の回数を 1000回にしても、スパイラル接触子の弾性変形部の折れが生じており、弾性変形部が折れる割合を 0%にすることはできず、結晶化した NiP合金を有する弾性変形部では耐久性に優れた前記スパイラル接触子を製造できないことがわかった。

[0097] 一方、図 16,図 17に示す応力をかけて立体成形した実施例のスパイラル接触子、すなわち、銅箔の周囲に、アモルファス状態の NiP合金 (Pは 15原子％)を無電解メツキ法にてメツキ形成して成るスノィラル接触子では、図 23の実験と同様の方法を用いて 2000MPaの応力を 4000回までかけても折れるスパイラル接触子は無かった。このことから、弾性変形部にアモルファスの NiP合金を用いると非常に耐久性が向上することがわかった。

[0098] 次に図 18の実験に使用した、 Pの組成比が 15原子。/。の?^³合金力もなる補助弹性部材を有するスパイラル接触子（立体成形を、 200°Cの加熱下で 72時間行なったもの、実施例 1)、図 19の実験に使用した、 Pの組成比が 15原子。/。の?^³合金力もなる補助弾性部材を有するスパイラル接触子（立体成形を、 250°Cの加熱下で 36分間行なったもの、実施例 2)、 Pの組成比が 15原子。/c^NiP合金カゝらなる補助弾性部材を有し、 250°Cで 18分間の立体成形を行なって形成したスパイラル接触子（実施例 3 )、図 20の実験に使用した、

材を有するスパイラル接触子（立体成形を、 250°Cの加熱下で 9分間行なったもの、実施例 4)、のそれぞれを用いて各スパイラル接触子の降伏点を調べてみた。

[0099] 実験では、立体成形された各スパイラル接触子の弾性変形部を下方向へ押圧し、降伏点に至ったときの荷重と、そのときの前記弾性変形部の頂点 Aの下降量 H4 (変位量)を調べた（図 8を参照)。その実験結果を以下の表 1に示す。

[0100] [表 1]

[0101] 降伏点における荷重と変位量は、各実施例のスパイラル接触子においてさほど大きな変化はないことがわ力つた。表 1に示すように、各スパイラル接触子において荷重が 2gf (19mN)以上、変位が 0. 1mm以上の降伏点を得られることがわ力つた。好ましくは、荷重が 4gf (38mN)以上、変位が 0. 2mm以上の降伏点を得られることがわかった。

[0102] 図 24は、複数の Cu基板を用意し、各 Cu基板上にそれぞれ Wの組成比が異なる N iWをメツキ形成し、 Cu基板と NiW合金カゝらなる複数の複合部材 (k)〜 (p)をそれぞれ 250°Cで 1時間加熱したあとの X線回折図である。

[0103] 図 24に示すように、 Wの組成比を 12. 5原子％とすると、 Ni{ l l l }面の結晶ピークが見られることが確認できた。一方、 Wの組成比を 14. 9原子％、 19. 7原子％とした場合でも、若干、 Ni{ 111 }面の結晶ピークが見られるが、後で説明する TEM写真によればアモルファスが支配的であった。 Wの組成比が 24.4原子％, 27. 7原子％, 3 5. 1原子％となると、 Ni{ 111 }面の結晶ピークは見られな力つた。

[0104] 図 25は、 Wを 12. 5原子％含む NiW合金を 250°Cで 1時間加熱した後の TEM写真及び透過電子線回折像、図 26は、 Wを 14. 9原子％含む NiW合金を 250°Cで 1 時間加熱した後の TEM写真及び透過電子線回折像、図 27は、 Wを 19. 7原子％含む NiW合金を 250°Cで 1時間加熱した後の TEM写真及び透過電子線回折像、図 28は、 Wを 24. 4原子％含む NiW合金を 250°Cで 1時間加熱した後の TEM写真及び透過電子線回折像、である。透過電子線回折像は、 NiW合金を膜厚と平行な方向力切断し、その切断面に対して垂直方向力電子線を入射させて得たものである。

[0105] 図 25の TEM写真に示すようにアモルファスの部分は見られず、同じ方向に向く格子縞がきれいに見えており、また透過電子線回折像には逆格子面の回折斑点が現れており、結晶化していることがわ力つた。また前記逆格子面に指数付けを行った結果、結晶は Ni結晶が支配的であることがわ力つた。

[0106] 次に図 26に示す TEM写真には、 5〜10nm程度の格子縞が現れていることがわかった。前記格子縞の方向はランダムな方向に向いており、これはアモルファスから結晶（あるいは超微結晶析出物）が析出しているためであると考えられる。また、透過電子線回折像には、アモルファスの存在を示すノヽローリングが現れており、よって図 26の NiWはアモルファスが支配的になっていることがわかった。

[0107] 次に図 27に示す TEM写真には、 4〜6nm程度の格子縞が現れていることがわかつた。前記格子縞の方向はランダムな方向に向いており、これはアモルファスから結晶（あるいは超微結晶析出物）が析出しているためであると考えられる。また、透過電子線回折像には、アモルファスの存在を示すハローリングが現れている。ハローリングは図 27のほうが図 26よりも明確に現れている。よって図 27の NiWは図 26の NiW よりアモルファスが多くなつていることがわかった。

[0108] 次に図 28に示す TEM写真には、 5nm以下の格子縞が所々に見えるが、図 26, 図 27の場合に比べて格子縞の存在は小さくなり、また透過電子線回折像には、非常に明確なハローリングが現れていることから、図 28の NiWは図 26の NiWや図 27の N iWよりアモルファスが多くなつていることがわかった。

[0109] 以上、図 24ないし図 28の実験結果から NiWの Wの組成比は、 14. 5原子％〜36 原子％の範囲内にすることが好ましぐ 20原子％以上にすることがより好ましいことがわかった。さらに好ましくは 24. 4原子％以上である。これにより適切に NiWをァモルファス状態にすることが出来る。

[0110] 次に、図 29は、 Cu基板上に 19. 7原子。/。の¹^を有する NiPをメツキ形成した複合部材を複数用意し、各複合部材に対して異なる温度にて加熱処理した後の X線回折図である。 [0111] また図 30は、 Cu基板上に 27. 7原子。/。の¹^を有する NiPをメツキ形成した複合部材を複数用意し、各複合部材に対して異なる温度にて加熱処理した後の X線回折図である。

[0112] 図 29に示すように Wを 19. 7原子％とした場合、熱処理温度を 600°C程度にすると、 Ni{ 111 }面の結晶ピークが見られることが確認できた。また図 30に示すように Wを 27. 7原子％とした場合、熱処理温度を 700°C程度にすると、 Ni{ l l l }面の結晶ピークが見られることが確認できた。

[0113] このように、 W組成比を大きくするほど熱処理温度を上昇させても結晶化を抑制できることがわ力つた。特に NiWの場合、 W組成比によっては 700°C程度まで熱処理温度を上昇させても結晶化を抑制できることから、熱処理温度の許容範囲を非常に広くでき、効果的にアモルファス状態を維持できることがわかった。

図面の簡単な説明

[0114] [図 1]電子部品の動作を確認するための試験に用いられる検査装置を示す斜視図、 [図 2]図 1の 2— 2線における断面図を示し、電子部品が装着された状態の断面図、 [図 3]本実施形態におけるスパイラル接触子の形状を示す拡大斜視図、

[図 4]図 4A、図 4B、図 4C、図 4Dは、それぞれ本実施形態におけるスパイラル接触子を構成する各ターン毎の接触子片を幅方向と平行な方向から膜厚方向に切断したときの断面図、

[図 5]本実施形態における補助弾性部材の物質状態を示す模式図、

[図 6]基台 11上に前記スパイラル接触子を取付け、前記スパイラル接触子の弾性変形部を上方に向けて立体成形するまでの前記スパイラル接触子の製造方法を示す一工程図 (部分断面図）、

[図 7]図 6の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、

[図 8]図 7の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、

[図 9]Pを 12. 5原子％含む NiP合金に対し、特に加熱を行なわな力つた状態での T EM写真、

[図 10]Pを 12. 5原子％含む NiP合金に対し、 250°Cで 1時間加熱した後の前記 NiP 合金の TEM写真、 [図 11]Pを 19原子％含む NiP合金に対し、特に加熱を行なわな力つた状態での TE M写真、

[図 12]Pを 19原子％含む NiP合金に対し、 250°Cで 36分加熱した後の前記 NiP合金の TEM写真、

[図 13]Pを 19原子％含む NiP合金に対し、 250°Cで 1時間加熱した後の前記 NiP合金の TEM写真、

[図 14]銅基板の上に、 Pを 15原子％含有した NiP合金を無電解メツキ法にてメツキ形成し、この複合部材を 250°Cで 1時間熱処理を施した後の前記複合部材の TEM写真、

圆 15]複数の Cu基板を用意し、各 Cu基板上にそれぞれ Pの組成比が異なる NiPをメツキ形成し、 Cu基板と NiP合金カゝらなる複数の複合部材 (a)〜 (j)をそれぞれ 250 °Cで 1時間加熱したあとの X線回折図、

[図 16]スパイラル接触子形状の銅箔の周囲に無電解メツキ法にて NiP合金 (Pは 19 原子％をメツキ形成し、前記スパイラル接触子の弾性変形部に異なる応力をかけて、所定条件で立体成形した後、前記弾性変形部の高さ寸法 (フォーミング後高さ)を測定し、さらに、その後、所定条件で加熱処理して、前記弾性変形部の高さ寸法 (BI後高さ）を測定したときの、前記スノィラル接触子の弾性変形部に加えた応力と、フォーミング後高さ及び BI後高さとの関係を示すグラフ、

[図 17]図 16の実験結果に基づいてへたり率を求めたときの、前記スパイラル接触子の弾性変形部に加えた応力と前記へたり率との関係を示すグラフ、

[図 18]図 16の実験で使用したスパイラル接触子と同じ構成のスパイラル接触子を用いて、所定条件下で、立体成形をして前記弾性変形部の高さ寸法 (フォーミング後高さ）を測定し、その後、所定条件下で、前記スパイラル接触子を加熱して前記弾性変形部の高さ寸法 (BI後高さ 1)を測定し、さらに、所定条件下で、前記スパイラル接触子を加熱して前記弾性変形部の高さ寸法 (BI後高さ 2)を測定したときの、前記フォ一ミング後高さ、 BI後高さ 1、 BI後高さ 2の値と、へたり率との関係を示すグラフ、 [図 19]図 16の実験で使用したスパイラル接触子と同じ構成のスパイラル接触子を用いて、所定条件下で、立体成形をして前記弾性変形部の高さ寸法 (フォーミング後高さ）を測定し、その後、所定条件下で、前記スパイラル接触子を加熱して前記弾性変形部の高さ寸法 (BI後高さ 1)を測定し、さらに、所定条件下で、前記スパイラル接触子を加熱して前記弾性変形部の高さ寸法 (BI後高さ 2)を測定したときの、前記フォ一ミング後高さ、 BI後高さ 1、 BI後高さ 2の値と、へたり率との関係を示すグラフ、圆 20]図 16の実験で使用したスパイラル接触子と同じ構成のスパイラル接触子を用いて、所定条件下で、立体成形をして前記弾性変形部の高さ寸法 (フォーミング後高さ）を測定し、その後、所定条件下で、前記スパイラル接触子を加熱して前記弾性変形部の高さ寸法 (BI後高さ 1)を測定し、さらに、所定条件下で、前記スパイラル接触子を加熱して前記弾性変形部の高さ寸法 (BI後高さ 2)を測定したときの、前記フォ一ミング後高さ、 BI後高さ 1、 BI後高さ 2の値と、へたり率との関係を示すグラフ、 [図 21]銅箔の周囲に無電解メツキ法で NiP合金を、 Pの組成比を 12. 5原子％として、メツキ形成したスパイラル接触子を形成し、所定条件下で立体成形を行った後、前記スパイラル接触子の弾性変形部に対し荷重をかけ、前記スパイラル接触子が折れるまでの変位量を測定したときの、前記変位量と荷重との関係を示すグラフ、

[図 22]銅箔の周囲に無電解メツキ法で NiP合金を、 Pの組成比を 19原子％として、メツキ形成したスパイラル接触子を形成し、所定条件下で立体成形を行った後、前記スパイラル接触子の弾性変形部に対し荷重をかけ、前記スパイラル接触子が折れるまでの変位量を測定したときの、前記変位量と荷重との関係を示すグラフ、

[図 23]銅箔の周囲に無電解メツキ法で NiP合金を、 Pの組成比を 12. 5原子％としてメツキ形成したスパイラル接触子を多数形成し、各スパイラル接触子を、所定条件下で立体成形した後、試験用の突起部材を前記スパイラル接触子の弾性変形部に対して所定の応力で押し込み、その後、前記突起部材を前記弾性変形部から離し、このような前記突起部材の昇降動作を 3000回まで行なったときの、前記突起部材の押し込み時に前記弾性変形部にかかる応力と、前記スパイラル接触子の弾性変形部が折れる割合 (寿命試験）との関係を、前記突起部材を 1000回及び 3000回昇降させた時の、それぞれにおいて求めたグラフ、

[図 24]複数の Cu基板を用意し、各 Cu基板上にそれぞれ Wの組成比が異なる NiW をメツキ形成し、 Cu基板と NiW合金カゝらなる複数の複合部材 (k)〜 (p)をそれぞれ 2 50°Cで 1時間加熱したあとの X線回折図、

[図 25]Wを 12. 5原子％含む NiW合金を 250°Cで 1時間加熱した後の TEM写真及び透過電子線回折像、

[図 26]Wを 14. 9原子％含む NiW合金を 250°Cで 1時間加熱した後の TEM写真及び透過電子線回折像、

[図 27]Wを 19. 7原子％含む NiW合金を 250°Cで 1時間加熱した後の TEM写真及び透過電子線回折像、

[図 28]Wを 24. 4原子％含む NiW合金を 250°Cで 1時間加熱した後の TEM写真及び透過電子線回折像、

[図 29]Cu基板上に 19. 7原子。/c^Wを有する NiPをメツキ形成した複合部材を複数用意し、各複合部材に対して異なる温度にて加熱処理した後の X線回折図、

[図 30]Cu基板上に 27. 7原子。/c^Wを有する NiPをメツキ形成した複合部材を複数用意し、各複合部材に対して異なる温度にて加熱処理した後の X線回折図、符号の説明

1 電子部品

la 球状接触子 (接続端子）

10 接続装置

11 基台

20 スパイラル接触子

20a 弾性変形部

21 基部

40 導電性部材

41 補助弾性部材

42 被膜部材

50 アモルファス

51 超微細析出物（ェンプリオ）

52 金属間化合物結晶

70 突出調整部材

Claims

請求の範囲

[I] 弾性変形部を有する接触子において、前記弾性変形部の少なくとも一部が、ァモルファス状態で形成されて!、ることを特徴とする接触子。

[2] 前記弾性変形部の少なくとも一部は、 Ni— X(ただし Xは、 P、 W、 Bのうちいずれか 1種以上)で形成されており、前記 Ni— Xが前記アモルファス状態で形成される請求項 1記載の接触子。

[3] 前記弾性変形部は、導電性部材と、補助弾性部材とを有し、前記導電性部材は前記補助弾性部材よりも比抵抗が低ぐ前記補助弾性部材は前記導電性部材よりも降伏点及び弾性係数が高ぐ前記補助弾性部材が、前記 Ni— Xで形成される請求項 2 記載の接触子。

[4] 前記元素 Xは Pである請求項 2又は 3に記載の接触子。

[5] Pの組成比は、 15原子％以上で 30原子％以下である請求項 4記載の接触子。

[6] 前記元素 Xは Wである請求項 2又は 3に記載の接触子。

[7] Wの組成比は、 14. 5原子％以上で 36原子％以下である請求項 6記載の接触子。

[8] Wの組成比は 20原子％以上である請求項 7記載の接触子。

[9] 前記 Ni—Xはメツキ形成されたものである請求項 2な、し 8の、ずれかに記載の接触子。

[10] アモルファス以外に、 lnm以下の超微細析出物が混在している請求項 1ないし 9のいずれかに記載の接触子。

[II] 前記弾性変形部は、荷重が 19. 6mN以上、変位が 0. 1mm以上の降伏点を有する請求項 1な、し 10の、ずれかに記載の接触子。

[12] 前記弾性変形部は螺旋状に形成されて、る請求項 1な、し 11の、ずれかに記載の接触子。

[13] 前記弾性変形部は、加熱下にて立体成形されている請求項 1ないし 12のいずれかに記載の接触子。

[14] 基台と、前記基台に設けられた接触子とを有し、電子部品の外部接続部が、前記接触子の弾性変形部に接触する接続装置において、

前記接触子の前記弾性変形部が請求項 1ないし 13のいずれかに記載された構成にて形成されて、ることを特徴とする接続装置。

[15] 弾性変形部を有する接触子の製造方法にお!、て、

(b) 前記弾性変形部を加熱下で立体成形する工程、

を含み、前記 (b)工程での加熱を、前記 Ni—Xがアモルファス状態を維持する温度で行うことを特徴とする接触子の製造方法。

[16] 前記 (b)工程での加熱を、前記 Ni—Xの結晶化温度よりも低、温度で行う請求項 1

5記載の接触子の製造方法。

[17] 前記 Ni—Xの塑性域での応力を前記弾性変形部にかけて、前記弾性変形部をカロ熱下にお 1、て立体成形する請求項 15又は 16に記載の接触子の製造方法。

[18] 前記元素 Xを Pで形成する請求項 15ないし 17のいずれかに記載の接触子の製造方法。

[19] Pの組成比を 15原子％以上で 30原子％以下にする請求項 18記載の接触子の製造方法。

[20] 加熱温度を 200°C〜300°Cの範囲内で行なう請求項 18又は 19に記載の接触子の製造方法。

[21] 前記元素 Xを Wで形成する請求項 15ないし 17のいずれかに記載の接触子の製造方法。

[22] Wの組成比を 14. 5原子％以上で 36原子％以下にする請求項 21記載の接触子の製造方法。

[23] Wの組成比を 20原子％以上にする請求項 22記載の接触子。

[24] 加熱温度を 200°C〜700°Cの範囲内で行う請求項 21ないし 23のいずれかに記載の接触子の製造方法。

[25] 基台と、前記基台に設けられた接触子とを有し、電子部品の外部接続部が、前記接触子の弾性変形部に接触する接続装置の製造方法において、

前記接触子の前記弾性変形部を請求項 15ないし 24のいずれかに記載された製造方法にて形成することを特徴とする接続装置の製造方法。