WO2006095865A1 - 遅延線 - Google Patents

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Publication number
WO2006095865A1
WO2006095865A1 PCT/JP2006/304778 JP2006304778W WO2006095865A1 WO 2006095865 A1 WO2006095865 A1 WO 2006095865A1 JP 2006304778 W JP2006304778 W JP 2006304778W WO 2006095865 A1 WO2006095865 A1 WO 2006095865A1
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WO
WIPO (PCT)
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resonator
delay line
delay
attenuation
coupling
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/304778
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroyuki Morikaku
Itsuaki Katsumata
Original Assignee
Soshin Electric Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Soshin Electric Co., Ltd. filed Critical Soshin Electric Co., Ltd.
Priority to US11/815,815 priority Critical patent/US7990231B2/en
Publication of WO2006095865A1 publication Critical patent/WO2006095865A1/ja

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P9/00—Delay lines of the waveguide type

Definitions

  • the present invention relates to a delay line including a parallel resonant circuit having a plurality of resonators between an input terminal and an output terminal.
  • a delay line is used for the purpose of distortion detection and distortion suppression. ing.
  • the delay line 200 includes a bandpass filter 208 having an input terminal 202, an output terminal 204, and a plurality of resonators 206A to 206I.
  • the input terminal 202 and the first stage resonator 206A are coupled by a capacitor C1
  • the output terminal 204 and the last stage resonator 2061 are coupled by a capacitor C2
  • each resonator 206A to 206I is further coupled to a capacitor C3 to C.
  • the delay line 210 similar to the delay line 200 shown in FIG. 27 is connected in parallel with the coupling capacitors C3 to C8 between the adjacent resonators 206A to 206G.
  • an interlace circuit 212 having a plurality of coupling capacitors C9 to C19 is connected (see, for example, Patent Document 1) and a delay line 300 shown in FIG. 29, between adjacent resonators 206A to 206E.
  • an interlace circuit 302 connected in parallel with the coupling capacitors C1 to C6 and having the coupling capacitors C7 to C10 and the inductances L1 to L7 is connected (for example, Patent Document 2).
  • Patent Document 1 JP 2001-257505 A
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-273661
  • the delay line 210 shown in FIG. 28 and the delay line 300 shown in FIG. 29 can ensure the flatness of the group delay time in the passband without increasing the number of resonator stages, and the group delay time deviation.
  • the number of circuit elements constituting the interlaced circuits 212 and 302 increases or the number of interlaced circuits 212 and 302 increases, resulting in an increase in size. is there.
  • the amount of delay is almost the same as that of the delay line 200 shown in FIG. 27 in which the interlace circuits 212 and 302 are not provided.
  • the present invention has been made in consideration of such problems, and with a simple configuration, the flatness of the group delay time in the passband can be ensured (the flatness of the group delay time in the passband can be ensured). It is an object to provide a delay line that can secure and reduce the group delay time deviation in the passband), and can further reduce the size.
  • Another object of the present invention is to enable a large amount of delay with a simple configuration, ensure flatness of the group delay time in the pass band, and promote downsizing.
  • An object of the present invention is to provide a delay line that can be used.
  • a delay line according to the present invention is a delay line including a band-pass filter having a plurality of resonators between an input terminal and an output terminal.
  • the delay line is adjacent to the input terminal and the input terminal.
  • the output terminal and one of the resonators adjacent to the output terminal are capacitively coupled or inductively coupled, and between each of the resonators are capacitively coupled and Z or inductively coupled,
  • the capacitive coupling and the inductive coupling exist in combination.
  • the combination of the capacitive coupling and the inductive coupling may be arranged symmetrically.
  • the flatness of the group delay time in the pass band means the maximum value of the group delay time in the low band side area of the pass band and the group delay time in the high band area of the pass band. The closer the line segment connecting the maximum value of to the horizontal, the more flat it is. Therefore, the capacitive area (low The peak value of the group delay time in the region (the region on the high band side) and the peak value of the group delay time in the inductive region (the region on the high region side) are closer, and the flatness of the group delay time in the passband Will be obtained.
  • the group delay time deviation in the passband is the maximum value of the group delay time in the passband (the maximum value of the group delay time in the low frequency region or the group delay time in the high frequency region). The difference between the larger of the maximum values and the minimum value. Therefore, the group delay time deviation in the pass band can be reduced by reducing the maximum value of the group delay time in the pass band and increasing the Z or minimum value.
  • the peak value of the group delay time in the capacitive region is inductive region (high region) when viewed from the delay characteristics. This is lower than the peak value of the group delay time in the side area), and it is difficult to ensure the flatness of the group delay time and the reduction of the group delay time deviation in the passband.
  • the input terminal and one resonator adjacent to the input terminal are capacitively coupled or inductively coupled, and the output terminal and one resonator adjacent to the output terminal are coupled.
  • Capacitive coupling or inductive coupling, capacitive coupling and Z or inductive coupling between the resonators, and combinations of the capacitive coupling and the inductive coupling are arranged symmetrically.
  • the flatness of the group delay time within the pass band can be ensured with a simple configuration, and the miniaturization can be promoted.
  • an additional circuit in which two resonators are coupled in a combined form of capacitive coupling and inductive coupling so as to straddle at least one of the plurality of resonators.
  • the peak value of the delay characteristic is lowered by an attached circuit in order to ensure the flatness of the group delay time in the pass band. . Therefore, it is impossible to increase the concave portion (the portion with the smallest delay amount) of the delay characteristics of the bandpass filter.
  • the present invention increases the number of indentations in the delay characteristics that are not in order to change the peak values of the delay characteristics (and may include reducing the difference in peak values).
  • a resonator and the resonator adjacent to the one resonator are coupled in a combined form in which capacitive coupling and inductive coupling are combined, or among the plurality of resonators
  • the delay amount of the bandpass filter in the delay characteristic can be increased (earned), and depending on the case, the delay amount can be reduced. It is also possible to increase it to the above peak value.
  • the resonator may be one of a ⁇ 4 resonator, a ⁇ 2 resonator, or an LC resonant circuit.
  • the flatness of the group delay time in the pass band can be ensured with a simple configuration, and the miniaturization can be promoted.
  • the delay line of the present invention it is possible to increase the delay amount with a simple configuration, and to ensure the flatness of the group delay time in the passband, thereby promoting the miniaturization. Can do.
  • FIG. 1 is a circuit diagram showing a delay line according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a characteristic diagram showing a variation in mismatch attenuation amount with respect to the frequency of the delay line, the attenuation characteristic, and the delay characteristic according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a circuit diagram showing a delay line according to the first comparative example.
  • FIG. 4 is a characteristic diagram showing a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line, the attenuation characteristic, and the delay characteristic according to the first comparative example.
  • FIG. 5 is a circuit diagram showing a delay line according to a second comparative example.
  • FIG. 6 is a characteristic diagram showing a change in mismatch attenuation, the attenuation characteristic, and the delay characteristic with respect to the frequency of the delay line according to the second comparative example.
  • FIG. 7 is a circuit diagram showing a delay line according to a second embodiment.
  • Fig. 8 is a characteristic diagram showing a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line, the attenuation characteristic, and the delay characteristic according to the second embodiment.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing a delay line according to a third embodiment.
  • FIG. 10 is a characteristic diagram showing a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line, the attenuation characteristic, and the delay characteristic according to the third embodiment.
  • FIG. 11 is a circuit diagram showing a delay line according to a fourth embodiment.
  • FIG. 12 is a characteristic diagram showing a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line, the attenuation characteristic, and the delay characteristic according to the fourth embodiment.
  • FIG. 13 is a circuit diagram showing a delay line according to a fifth embodiment.
  • FIG. 14 is a characteristic diagram showing a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line, the attenuation characteristic, and the delay characteristic according to the fifth embodiment.
  • FIG. 15 is a circuit diagram showing a delay line according to a sixth embodiment.
  • FIG. 16 is a characteristic diagram showing a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line, the attenuation characteristic, and the delay characteristic according to the sixth embodiment.
  • FIG. 17 is a circuit diagram showing a delay line according to a seventh embodiment.
  • FIG. 18 is a characteristic diagram showing a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line, the attenuation characteristic, and the delay characteristic according to the seventh embodiment.
  • FIG. 19 is a circuit diagram showing a delay line according to an eighth embodiment.
  • FIG. 20 is a characteristic diagram showing a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line, the attenuation characteristic, and the delay characteristic according to the eighth embodiment.
  • FIG. 21 is a circuit diagram showing a delay line according to a ninth embodiment.
  • FIG. 22 is a characteristic diagram showing a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line, the attenuation characteristic, and the delay characteristic according to the ninth embodiment.
  • FIG. 23 is a circuit diagram showing a delay line according to the tenth embodiment.
  • FIG. 24 is a characteristic diagram showing a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line, the attenuation characteristic, and the delay characteristic according to the tenth embodiment.
  • FIG. 25 is a circuit diagram showing a delay line according to an eleventh embodiment.
  • FIG. 26 is a characteristic diagram showing a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line, the attenuation characteristic, and the delay characteristic according to the eleventh embodiment.
  • FIG. 27 is a circuit diagram showing a delay line according to a conventional example.
  • FIG. 28 is a circuit diagram showing a delay line according to another conventional example.
  • FIG. 29 is a circuit diagram showing a delay line according to still another conventional example.
  • the delay line 10A is electrically connected between the input terminal 12, the output terminal 14, and the input terminal 12 and the output terminal 14.
  • a band-pass filter 18 having a plurality of ⁇ / 4 resonators (first resonator 16A to fourth resonator 16D).
  • the band-pass filter 18 has at least one coupling form in which another resonator adjacent to one capacitively coupled resonator is inductively coupled.
  • the bandpass filter 18 includes an input terminal 12 and a first resonator 16A adjacent to the input terminal 12 coupled by a capacitor C1, and the first resonator 16A and the first resonator 16A.
  • the second resonator 16B adjacent to the second resonator 16B is coupled by the capacitor C2
  • the second resonator 16B and the third resonator 16C adjacent to the second resonator 16B are inductively coupled by the inductance L1
  • the third resonator 16C and the fourth resonator 16D adjacent to the third resonator 16C are coupled by the capacitor C3, and the fourth resonator 16D and the output terminal 14 adjacent to the fourth resonator 16D are coupled by the capacitor C4.
  • Figure 2 shows the attenuation characteristics and delay characteristics.
  • the curve alOl shows the change in mismatch attenuation
  • the curve blOl shows the attenuation characteristic
  • the curve clOl shows the delay characteristic.
  • the maximum group delay time DLm in the low-pass region of the passband is 7.6 ns (frequency fl)
  • the group delay in the high-pass region of the passband is The maximum time DHm is 7.4 ns (frequency f 2)
  • the difference (flatness) is 0.2 ns. Since the minimum value in the pass band is 6.8 ns, the group delay time deviation in the pass band is 0.8 ns.
  • the operation and effect of the delay line 10A according to the first embodiment will be described in comparison with two comparative examples (the delay lines 100A and 100B according to the first and second comparative examples). To do.
  • the delay line 100A according to the first comparative example includes a bandpass filter 18 between the input terminal 12 and the first resonator 16A, and a fourth resonator 16D and an output terminal. 14 and the first resonator 16A to the fourth resonator 16D are coupled by capacitors Cl, C2, C3, C4, and C5, respectively.
  • FIG. 4 shows a change in mismatch attenuation, the attenuation characteristic, and the delay characteristic with respect to the frequency of the delay line 100A according to the first comparative example.
  • a curve al02 shows a change in mismatch attenuation
  • a curve bl02 shows an attenuation characteristic
  • a curve cl02 shows a delay characteristic.
  • the maximum value DLm is 7.4 ns (frequency f 1)
  • the maximum value DHm is 7. Ons (frequency f 2).
  • the difference (flatness) is 0.4 ns, which is larger than the value (0.2 ns) in the first embodiment.
  • the minimum value in the pass band is 6.6 ns
  • the group delay time deviation in the pass band is 0.8 ns, which is the same as the value in the first embodiment.
  • the attenuation amount in the capacitive region is inductive region ( The slope characteristic of the high region that is more than the attenuation in the high region) becomes gentle.
  • the delay line 100B according to the second comparative example includes a bandpass filter 18 between the input terminal 12 and the first resonator 16A, and a fourth resonator 16D and an output.
  • the terminals 14 and the first resonator 16A to the fourth resonator 16D are inductively coupled by inductances Ll, L2, L3, L4, and L5, respectively.
  • FIG. 6 shows a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line 100B according to the second comparative example, attenuation characteristics, and delay characteristics.
  • a curve al03 shows a change in mismatch attenuation
  • a curve b103 shows an attenuation characteristic
  • a curve c103 shows a delay characteristic.
  • the maximum value DLm is 7.3 ns (frequency f 1)
  • the maximum value DHm is 7.9 ns (frequency f 2).
  • the difference (flatness) is 0.6 ns, which is larger than the value in the first embodiment (0.2 ns) and the minimum value in the passband is 6.9 ns.
  • the group delay time deviation is 1. Ons, which is larger than the value (0.8 ns) in the first embodiment.
  • the attenuation in the inductive region when viewed from the attenuation characteristic (bl03), is a capacitive region (low The slope characteristic of the low band that is larger than the attenuation in the band area) becomes gentle.
  • both the low-frequency side and high-frequency side slope characteristics are steep, and the attenuation characteristic is the second characteristic. It is better than the comparative example.
  • the delay line 10A according to the first embodiment has good attenuation characteristics, and shika also has symmetry with respect to the center frequency in the attenuation characteristics and delay characteristics. It can be seen that the flatness of the group delay time in the passband can be secured. Since the flatness of the group delay time within the passband is ensured, the group delay time deviation within the passband can be reduced.
  • the delay line 10B according to the second embodiment is a force bandpass filter 18 having substantially the same configuration as the delay line 10A according to the first embodiment described above.
  • the structure of is different as follows. That is, the bandpass filter 18 is coupled between the input terminal 12 and the first resonator 16A and between the fourth resonator 16D and the output terminal 14 with the capacitances Cl and C2, respectively.
  • the four resonators 16D are inductively coupled with inductances Ll, L2, and L3, respectively. In this case, combinations of two capacitive couplings (capacitances C1 and C2) and three inductive couplings (inductances L1 to L3) are arranged symmetrically.
  • FIG. 8 shows a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line 10 B according to the second embodiment, attenuation characteristics, and delay characteristics.
  • curve a2 shows the change in mismatch attenuation
  • curve b2 shows the attenuation characteristic
  • curve c2 shows the delay characteristic.
  • the specific values of the delay characteristics are listed.
  • the maximum value DLm is 7.4 ns (frequency f 1)
  • the maximum value DHm is 7.5 ns (frequency f2)
  • the difference (flatness) is 0. Ins. It is. Since the minimum value in the passband is 6.8 ns, the group delay time deviation in the passband is 0.7 ns.
  • the delay line 10C according to the third embodiment is a force bandpass filter 18 having substantially the same configuration as the delay line 10A according to the first embodiment described above.
  • the structure of is different as follows.
  • the bandpass filter 18 includes the input terminal 12 and the first resonator 16A, the fourth resonator 16D and the output terminal 14, the first resonator 16A and the second resonator 16B, and the third resonator.
  • 16C and 4th resonator 16D are coupled by capacitance Cl, C2, C3, and C4, respectively, and 2nd resonator 16B and 3rd resonator 16C are coupled in a combined form that combines capacitive coupling and inductive coupling. It is configured.
  • This coupling form is a form in which the coupling by the capacitor C5, the inductive coupling by the inductance L1, and the coupling by the capacitor C6 are connected in series. In this case, a combination of six capacitive couplings (capacitances C1 to C6) and one inductive coupling (inductance L1) is arranged symmetrically.
  • Figure 10 shows the attenuation characteristics and delay characteristics.
  • a curve a3 shows a change in mismatch attenuation
  • a curve b3 shows an attenuation characteristic
  • a curve c3 shows a delay characteristic.
  • the maximum value DLm is 9.7 ns (frequency f 1)
  • the maximum value DHm is 9.3 ns (frequency f 2)
  • the difference (flatness) is 0. 4ns. Since the minimum value in the passband is 8.3 ns, the group delay time deviation in the passband is 1.4 ns.
  • the group delay time deviation in the passband is slightly larger than in the first embodiment, but the minimum value in the passband is 8. 3ns, which is advantageous when you want to increase the delay.
  • the delay line 10D according to the fourth embodiment has substantially the same configuration as the delay line 10A according to the first embodiment described above, but the first resonance Coupling of capacitive coupling and inductive coupling between the first resonator 16A and the fourth resonator 16D so as to straddle the second resonator 16B and the third resonator 16C among the resonators 16A to 16D
  • the difference is that the circuits connected in a form (interlace circuit 20) are connected in parallel.
  • the coupling form in the interlace circuit 20 is such that the coupling by the capacitor C5, the inductive coupling by the inductance L2, and the coupling by the capacitor C6 are connected in series.
  • FIG. 12 shows the change in mismatch attenuation, the attenuation characteristics, and the delay characteristics with respect to the frequency of the delay line 10D according to the fourth embodiment.
  • curve a4 shows the change in mismatch attenuation
  • curve b4 shows the attenuation characteristic
  • curve c4 shows the delay characteristic.
  • the specific values of the delay characteristics are listed.
  • the maximum value DLm is 8.8 ns (frequency f 1)
  • the maximum value DHm is 8.5 ns (frequency f 2)
  • the difference (flatness) is 0. 3ns. Since the minimum value in the passband is 8.5 ns, the group delay time deviation in the passband is 0.3 ns.
  • the group delay time deviation in the passband is greatly improved, and the force can be increased in delay as compared with the first embodiment. it can.
  • the delay line 10E according to the fifth embodiment has substantially the same configuration as the delay line 10B according to the second embodiment described above, but the first resonance Coupling of capacitive coupling and inductive coupling between the first resonator 16A and the fourth resonator 16D so as to straddle the second resonator 16B and the third resonator 16C among the resonators 16A to 16D
  • the difference is that the circuits connected in a form (interlace circuit 22) are connected in parallel.
  • the coupling form in the interlace circuit 22 is a form in which the coupling by the capacitor C3, the inductive coupling by the inductance L4, and the coupling by the capacitor C4 are connected in series as in the fourth embodiment. .
  • FIG. 14 shows the change in mismatch attenuation, the attenuation characteristics, and the delay characteristics with respect to the frequency of the delay line 10E according to the fifth embodiment.
  • curve a5 shows the change in mismatch attenuation
  • curve b5 shows the attenuation characteristic
  • curve c5 shows the delay characteristic.
  • the maximum value DLm is 8.5 ns (frequency f 1)
  • the maximum value DHm is 9.
  • Ons frequency f 2
  • the difference (flatness) is 0. 5ns. Since the minimum value in the passband is 8.5 ns, the group delay time deviation in the passband is 0.5 ns.
  • the group delay time deviation in the passband is improved and the amount of delay can be increased.
  • the delay line 10F according to the sixth embodiment has substantially the same configuration as the delay line 10C according to the third embodiment described above, but the first resonance Coupling of capacitive coupling and inductive coupling between the first resonator 16A and the fourth resonator 16D across the second resonator 16B and the third resonator 16C among the resonators 16A to 16D
  • the difference is that the circuits connected in a form (interlace circuit 24) are connected in parallel.
  • the coupling form in the interlace circuit 24 is a form in which the coupling by the capacitor C7, the inductive coupling by the inductance L2, and the coupling by the capacitor C8 are connected in series as in the fourth embodiment. .
  • a curve a6 indicates a change in mismatch attenuation
  • a curve b6 indicates an attenuation characteristic
  • a curve c6 indicates a delay characteristic
  • the specific values of the delay characteristics are listed.
  • the maximum value DLm is 10.3 ns (frequency f 1)
  • the maximum value DHm is 10. Ons (frequency f 2)
  • the difference (flatness) is 0. 3ns. Since the minimum value in the pass band is 9.9 ns, the group delay time deviation in the pass band is 0.4 ns.
  • the group delay time deviation in the passband is significantly improved and the force can be increased in delay compared to the third embodiment. it can.
  • the delay line 10G according to the seventh embodiment has substantially the same configuration as the delay line 10F according to the sixth embodiment described above, but the first resonance Among the first resonator 16A and the third resonator 16C, and between the first resonator 16A and the third resonator 16C so as to straddle the second resonator 16B among the first resonator 16A to the third resonator 16C.
  • This is different in that a circuit in which capacitive coupling and inductive coupling are combined in a combined form (interlace circuit 24) is connected in parallel.
  • FIG. 18 shows a change in mismatch attenuation, the attenuation characteristics, and the delay characteristics with respect to the frequency of the delay line 10G according to the seventh embodiment.
  • a curve a7 shows a change in mismatch attenuation
  • a curve b7 shows an attenuation characteristic
  • a curve c7 shows a delay characteristic.
  • the specific values of the delay characteristics are listed.
  • the maximum value DLm is 2.4 ns (frequency f 1)
  • the maximum value DHm is 2.4 ns (frequency f 2)
  • the difference (flatness) is Ons. is there.
  • the minimum value in the pass band is 2.4 ns
  • the group delay time deviation in the pass band is 0. Ons.
  • the flatness of the group delay time in the passband and the group delay time deviation in the passband are much larger than those in the fourth and sixth embodiments. It has been improved.
  • the delay line 10H according to the eighth embodiment has substantially the same configuration as the delay line 10G according to the seventh embodiment described above, but the first resonator 16A and The second resonator 16B differs in that the coupling by the capacitor C3, the inductive coupling by the inductance L3, and the coupling by the capacitor C4 are combined in a combined form.
  • FIG. 20 shows a change in mismatch attenuation, the attenuation characteristics, and the delay characteristics with respect to the frequency of the delay line 10H according to the eighth embodiment.
  • a curve a8 shows a change in mismatch attenuation
  • a curve b8 shows an attenuation characteristic
  • a curve c8 shows a delay characteristic.
  • the maximum value DLm is 2.2 ns (frequency f 1)
  • the maximum value DHm is 2.3 ns (frequency f2)
  • the difference (flatness) is 0. Ins. It is. Also, since the minimum value in the passband is 2.2 ns, the group delay time deviation in the passband is 0. Ins.
  • the flatness in the passband and the group delay time deviation in the passband are greatly improved.
  • the delay line 101 according to the ninth embodiment has a force bandpass filter 18 having a configuration substantially similar to that of the delay line 10D according to the fourth embodiment described above.
  • the structure of is different as follows.
  • the bandpass filter 18 includes the first resonator 16A to the sixth resonator 16F.
  • the input terminal 12 and the first resonator 16A and the sixth resonator 16F and the output terminal 14 are coupled by capacitors Cl and C2, respectively, and the capacitor C3, between the first resonator 16A and the third resonator 16C, respectively.
  • Capacitatively coupled at C4 and capacitively coupled between the fourth resonator 16D and the sixth resonator 16F by capacitances C5 and C6, respectively, and inducted between the third resonator 16C and the fourth resonator 16D by inductance L1 Composed and structured.
  • the first resonator 16A to the sixth resonator 16F the first resonator 16B and the fifth resonator 16E are coupled in a coupled form in which capacitive coupling and inductive coupling are combined.
  • a jump circuit 24A is connected in parallel, and a second jump circuit 24B is connected in parallel, in which the third resonator 16C and the fourth resonator 16D are coupled in a combined form of capacitive coupling and inductive coupling.
  • the coupling form in the first jump circuit 24A is a coupling form in which the coupling by the capacitor C7, the inductive coupling by the inductance L2, and the coupling by the capacitor C8 are connected in series, and the coupling form in the second jump circuit 24B.
  • the coupling by the capacitor C9, the inductive coupling by the inductance L3, and the coupling by the capacitor C10 are connected in series.
  • FIG. 22 shows a change in mismatch attenuation with respect to the frequency of the delay line 101 according to the ninth embodiment, attenuation characteristics, and delay characteristics.
  • a curve a9 shows a change in mismatch attenuation
  • a curve b9 shows an attenuation characteristic
  • a curve c9 shows a delay characteristic.
  • the specific values of the delay characteristics are listed.
  • the maximum value DLm is 10.6 ns (frequency f 1)
  • the maximum value DHm is 11.2 ns (frequency f 2)
  • the difference (flatness) is 0. 6ns. Since the minimum value in the pass band is 10.6 ns, the group delay time deviation in the pass band is 0.6 ns.
  • the group delay time deviation in the passband is slightly larger than in the fourth embodiment, but the delay amount can be increased. .
  • the delay line 10J according to the tenth embodiment has a configuration similar to that of the delay line 101 according to the ninth embodiment described above.
  • the composition of is different as follows.
  • the bandpass filter 18 includes the first resonator 16A to the eighth resonator 16H.
  • the input terminal 12 and the first resonator 16A and the eighth resonator 16H and the output terminal 14 are coupled by capacitors Cl and C2, respectively, and the capacitor C3, between the first resonator 16A and the fourth resonator 16D, respectively.
  • C4 and C5 are capacitively coupled
  • the 5th resonator 16E to 8th resonator 16H are capacitively coupled by capacitances C6, C7, and C8, respectively, and the 4th resonator 16D and 5th resonator 16E are coupled. It is constructed by inductive coupling at inductance L1!
  • a first jump circuit 24A is connected in parallel between the third resonator 16C and the sixth resonator 16F, and the fourth resonator 16D and A second jump circuit 24B is connected in parallel between the fifth resonators 16E.
  • the coupling form in the first jump circuit 24A is a form in which the coupling by the capacitor C9, the inductive coupling by the inductance L2, and the coupling by the capacitor C10 are connected in series, and the coupling in the second jump circuit 24B
  • the configuration is such that the coupling by the capacitor C11, the inductive coupling by the inductance L3, and the coupling by the capacitor C12 are connected in series.
  • FIG. 24 shows the change in mismatch attenuation, the attenuation characteristic, and the delay characteristic with respect to the frequency of the delay line 10J according to the tenth embodiment.
  • a curve alO shows a change in mismatch attenuation
  • a curve blO shows an attenuation characteristic
  • a curve clO shows a delay characteristic.
  • the maximum value DLm is 20.6 ns (frequency f 1)
  • the maximum value DHm is 20.8 ns (frequency f 2)
  • the difference (flatness) is 0. 2ns. Since the minimum value in the passband is 19.9 ns, the group delay time deviation in the passband is 0.9 ns.
  • the group delay time deviation in the passband is slightly larger than that in the ninth embodiment.
  • the minimum value in the passband is 19.9n. s, which is advantageous when a large amount of delay is desired.
  • the slope characteristics on the low frequency side and high frequency side in the attenuation characteristics are steeper than in the case of the ninth embodiment, it is advantageous in the case of suppressing signals outside the passband. .
  • the delay line 10K according to the eleventh embodiment includes a force bandpass filter 18 having a configuration substantially similar to that of the delay line 10J according to the tenth embodiment described above.
  • the configuration is different as follows.
  • the second interlace circuit 24B is omitted, and instead, the fourth resonator 16D and the fifth resonator 16E are coupled in a combined form in which capacitive coupling and inductive coupling are combined. It is made up.
  • This coupling form is such that a coupling by a capacitor C11, an inductive coupling by an inductance L1, and a coupling by a capacitor C12 are connected in series.
  • FIG. 26 shows a change in mismatch attenuation amount with respect to the frequency of the delay line 10K according to the eleventh embodiment, attenuation characteristics, and delay characteristics.
  • a curve al 1 shows a change in mismatch attenuation
  • a curve b 11 shows an attenuation characteristic
  • a curve c 11 shows a delay characteristic.
  • the maximum value DLm is 19.4 ns (frequency f 1)
  • the maximum value DHm is 19.3 ns (frequency f 2)
  • the difference (flatness) is 0. Ins. Since the minimum value in the pass band is 19.3 ns, the group delay time deviation in the pass band is 0. Ins.
  • the flatness in the passband and the group delay time deviation in the passband are greatly improved, and the force is A large amount of delay can be obtained.
  • the slope characteristics of the low frequency side and the high frequency side in the attenuation characteristic are steeper than in the ninth embodiment, they are out of the passband. It is advantageous to suppress the signal of.
  • delay line according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can of course have various configurations without departing from the gist of the present invention.

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Abstract

　遅延線（１０Ａ）のバンドパスフィルタ（１８）、入力端子（１２）と該入力端子（１２）に隣接する第１共振器（１６Ａ）とが容量（Ｃ１）で結合され、第１共振器（１６Ａ）と該第１共振器（１６Ａ）に隣接する第２共振器（１６Ｂ）とが容量（Ｃ２）で結合され、第２共振器（１６Ｂ）と該第２共振器（１６Ｂ）に隣接する第３共振器（１６Ｃ）とがインダクタンス（Ｌ１）にて誘導結合され、第３共振器（１６Ｃ）と該第３共振器（１６Ｃ）に隣接する第４共振器（１６Ｄ）とが容量（Ｃ３）で結合され、第４共振器（１６Ｄ）と該第４共振器（１６Ｄ）に隣接する出力端子１４とが容量（Ｃ４）で結合されて構成されている。

Description

明 細 書
遅延線
技術分野
[0001] 本発明は、入力端子と出力端子との間に複数の共振器を有する並列共振回路を 具備した遅延線に関する。
背景技術
[0002] 近時、例えば移動体通信システム等の基地局無線装置に使用される基地局の低 歪化のための歪補償型増幅器においては、歪検出や歪抑圧を目的として遅延線が 用いられている。
[0003] 遅延線 200は、例えば図 27に示すように、入力端子 202及び出力端子 204と複数 の共振器 206A〜206Iを有するバンドパスフィルタ 208を具備する。そして、入力端 子 202と初段の共振器 206Aが容量 C1で結合され、出力端子 204と最終段の共振 器 2061が容量 C2で結合され、さらに、各共振器 206A〜206Iがそれぞれ容量 C3 〜C 10で結合されている。
[0004] また、従来では、図 28に示すように、図 27に示す遅延線 200と同様の遅延線 210 において、隣接する共振器 206A〜206G間の結合容量 C3〜C8と並列に接続され 、且つ、複数の結合容量 C9〜C19を有する飛び越し回路 212が接続された例（例え ば特許文献 1参照）や、図 29に示す遅延線 300のように、隣接する共振器 206A〜2 06E間の結合容量 C1〜C6と並列に接続され、且つ、結合容量 C7〜C10とインダク タンス L1〜L7とを有する飛び越し回路 302が接続された例 (例えば特許文献 2)等 が知られている。
[0005] 図 28や図 29の例では、共振器の段数を増加させることなぐバンドパスフィルタ 20 8における通過帯域内の群遅延時間の平坦性を確保でき、群遅延時間偏差を小さく することができると!/、う効果を奏する。
[0006] 特許文献 1 :特開 2001— 257505号公報
特許文献 2：特開 2003— 273661号公報
発明の開示 [0007] ところで、図 28に示す遅延線 210や図 29に示す遅延線 300は、共振器の段数を 増加させることなぐ通過帯域内の群遅延時間の平坦性を確保できると共に、群遅延 時間偏差を小さくすることができるが、飛び越し回路 212及び 302を構成する回路素 子数が多くなる、あるいは飛び越し回路 212及び 302の数が多くなることから、結果 的にサイズの増大化を招くという問題がある。また、飛び越し回路 212及び 302を設 けない図 27に示す遅延線 200と比して遅延量がほとんど変わらないという問題もある
[0008] 本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、簡単な構成で、通過帯域 内における群遅延時間の平坦さを確保でき（通過帯域内の群遅延時間の平坦性の 確保、並びに通過帯域内の群遅延時間偏差の低減)、しかも、小型化を促進させる ことができる遅延線を提供することを目的とする。
[0009] また、本発明の他の目的は、簡単な構成で、遅延量を多くとることができると共に、 通過帯域内における群遅延時間の平坦さを確保でき、小型化を促進させることがで きる遅延線を提供することを目的とする。
[0010] 本発明に係る遅延線は、入力端子と出力端子との間に複数の共振器を有するバン ドバスフィルタを具備した遅延線において、前記入力端子と該入力端子に隣接する 1 つの前記共振器とが容量結合もしくは誘導結合され、前記出力端子と該出力端子に 隣接する 1つの前記共振器とが容量結合もしくは誘導結合され、各前記共振器間と が容量結合及び Z又は誘導結合され、前記容量結合と前記誘導結合が複合して存 在することを特徴とする。この場合、前記容量結合と前記誘導結合の組み合わせが 対称的に配列されて 、てもよ 、。
[0011] 共振器間の結合が容量結合のみの場合は、遅延特性で見たとき、容量性の領域（ 低域側の領域）における群遅延時間のピーク値が、誘導性の領域 (高域側の領域） における群遅延時間のピーク値よりも高くなり、通過帯域内の群遅延時間の平坦性、 並びに通過帯域内の群遅延時間偏差の低減を確保できないという問題がある。
[0012] ここで、通過帯域内の群遅延時間の平坦性とは、通過帯域の低域側の領域におけ る群遅延時間の最大値と、通過帯域の高域側の領域における群遅延時間の最大値 とを結ぶ線分が水平に近いほど平坦性があることを示す。従って、容量性の領域 (低 域側の領域）における群遅延時間のピーク値と、誘導性の領域 (高域側の領域）にお ける群遅延時間のピーク値が近 、ほど、通過帯域内の群遅延時間の平坦性が得ら れることとなる。
[0013] また、通過帯域内の群遅延時間偏差とは、通過帯域内の群遅延時間の最大値 (低 域側の領域の群遅延時間の最大値又は高域側の領域の群遅延時間の最大値の大 きい方の値）と最小値との差を示す。従って、通過帯域内の群遅延時間の最大値の 低減及び Z又は最小値の増大により、通過帯域内の群遅延時間偏差を小さくするこ とがでさることとなる。
[0014] 共振器間の結合が誘導結合のみの場合は、遅延特性で見たとき、容量性の領域（ 低域側の領域）における群遅延時間のピーク値が、誘導性の領域 (高域側の領域） における群遅延時間のピーク値よりも低くなり、群遅延時間の平坦性、並びに通過帯 域内の群遅延時間偏差の低減を確保できな 、と 、う問題がある。
[0015] 一方、本発明では、前記入力端子と該入力端子に隣接する 1つの前記共振器とが 容量結合もしくは誘導結合され、前記出力端子と該出力端子に隣接する 1つの前記 共振器とが容量結合もしくは誘導結合され、各前記共振器間とが容量結合及び Z又 は誘導結合され、且つ、前記容量結合と前記誘導結合の組み合わせが対称的に配 列されていることから、遅延特性で見たとき、低域側の領域における群遅延時間のピ ーク値と、高域側の領域における群遅延時間のピーク値とがほぼ同じになり、通過帯 域内の群遅延時間の平坦性を確保でき、しかも、通過帯域内の群遅延時間偏差の 低減をち図ることができる。
[0016] 従って、本発明においては、簡単な構成で、通過帯域内における群遅延時間の平 坦さを確保でき、小型化を促進させることができる。
[0017] そして、前記構成において、 1つの共振器と、該 1つの共振器と隣接する共振器と が容量結合と誘導結合とを複合させた結合形態とされた組み合わせが少なくとも 1つ 存在してちょい。
[0018] また、前記構成において、前記複数の共振器のうち、少なくとも 1つの共振器を跨る ように 2つの共振器間を容量結合と誘導結合とが複合した結合形態で結合させた付 加回路が少なくとも 1つ存在してもよい。 [0019] これらの発明によれば、簡単な構成で、遅延量 (群遅延時間）を多くとることができる と共に、通過帯域内における群遅延時間の平坦さを確保でき、しかも、小型化を促進 させることができる。これは、例えば歪補償型増幅器の遅延線に用いて好適となる。
[0020] 従来の遅延線（図 28及び図 29参照）では、通過帯域内における群遅延時間の平 坦さを確保するために、付カ卩回路により遅延特性のピーク値を下げるようにしている。 従って、バンドパスフィルタの遅延特性のうち、凹み部分 (遅延量が最も少ない部分） を増加させることは実現不可能である。
[0021] 一方、本発明は、遅延特性のピーク値を変化させるためではなぐ遅延特性の凹み 部分を増加させるために (併せてピーク値の差を小さくすることも含む場合もある）、 1 つの共振器と、該 1つの共振器と隣接する共振器とが容量結合と誘導結合とを複合 させた結合形態で結合された組み合わせを少なくとも 1つ存在させる、あるいは、前 記複数の共振器のうち、少なくとも 1つの共振器を跨るように 2つの共振器間を容量 結合と誘導結合とが複合した結合形態で結合させた付加回路を少なくとも 1つ存在さ せるようにしている。
[0022] 従って、本発明においては、従来の遅延線と異なり、バンドパスフィルタの遅延特性 における凹み部分での遅延量をより多くとる（稼ぐ)ことができ、場合によっては、遅延 量を遅延特性の前記ピーク値以上まで増加させることも可能である。
[0023] なお、前記共振器は λ Ζ4共振器又は λ Ζ2共振器又は LC共振回路の 1つであ つてもよい。
[0024] 以上説明したように、本発明に係る遅延線によれば、簡単な構成で、通過帯域内に おける群遅延時間の平坦さを確保でき、小型化を促進させることができる。
[0025] また、本発明に係る遅延線によれば、簡単な構成で、遅延量を多くとることができる と共に、通過帯域内における群遅延時間の平坦さを確保でき、小型化を促進させる ことができる。
図面の簡単な説明
[0026] [図 1]図 1は、第 1の実施の形態に係る遅延線を示す回路図である。
[図 2]図 2は、第 1の実施の形態に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量の変 ィ匕、減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。 圆 3]図 3は、第 1の比較例に係る遅延線を示す回路図である。
[図 4]図 4は、第 1の比較例に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量の変化、 減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。
[図 5]図 5は、第 2の比較例に係る遅延線を示す回路図である。
[図 6]図 6は、第 2の比較例に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量の変化、 減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。
[図 7]図 7は、第 2の実施の形態に係る遅延線を示す回路図である。
[図 8]図 8は、第 2の実施の形態に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量の変 化、減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。
[図 9]図 9は、第 3の実施の形態に係る遅延線を示す回路図である。
[図 10]図 10は、第 3の実施の形態に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量の 変化、減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。
[図 11]図 11は、第 4の実施の形態に係る遅延線を示す回路図である。
[図 12]図 12は、第 4の実施の形態に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量の 変化、減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。
[図 13]図 13は、第 5の実施の形態に係る遅延線を示す回路図である。
[図 14]図 14は、第 5の実施の形態に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量の 変化、減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。
[図 15]図 15は、第 6の実施の形態に係る遅延線を示す回路図である。
[図 16]図 16は、第 6の実施の形態に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量の 変化、減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。
[図 17]図 17は、第 7の実施の形態に係る遅延線を示す回路図である。
[図 18]図 18は、第 7の実施の形態に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量の 変化、減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。
[図 19]図 19は、第 8の実施の形態に係る遅延線を示す回路図である。
[図 20]図 20は、第 8の実施の形態に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量の 変化、減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。
[図 21]図 21は、第 9の実施の形態に係る遅延線を示す回路図である。 [図 22]図 22は、第 9の実施の形態に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量の 変化、減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。
[図 23]図 23は、第 10の実施の形態に係る遅延線を示す回路図である。
[図 24]図 24は、第 10の実施の形態に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量 の変化、減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。
[図 25]図 25は、第 11の実施の形態に係る遅延線を示す回路図である。
[図 26]図 26は、第 11の実施の形態に係る遅延線の周波数に対する不整合減衰量 の変化、減衰特性並びに遅延特性を示す特性図である。
[図 27]図 27は、従来例に係る遅延線を示す回路図である。
[図 28]図 28は、他の従来例に係る遅延線を示す回路図である。
[図 29]図 29は、さらに他の従来例に係る遅延線を示す回路図である。
発明を実施するための最良の形態
[0027] 以下、本発明に係る遅延線の実施の形態例を図 1〜図 26を参照しながら説明する
[0028] 第 1の実施の形態に係る遅延線 10Aは、図 1に示すように、入力端子 12と、出力端 子 14と、これら入力端子 12及び出力端子 14間に電気的に接続された複数の λ /4 共振器 (第 1共振器 16A〜第 4共振器 16D)を有するバンドパスフィルタ 18とを具備 する。バンドパスフィルタ 18は、容量結合された 1つの共振器に隣接する別の共振器 が誘導結合された結合形態が少なくとも 1つ存在する。
[0029] 具体的には、バンドパスフィルタ 18は、入力端子 12と該入力端子 12に隣接する第 1共振器 16Aとが容量 C1で結合され、第 1共振器 16Aと該第 1共振器 16Aに隣接 する第 2共振器 16Bとが容量 C2で結合され、第 2共振器 16Bと該第 2共振器 16Bに 隣接する第 3共振器 16Cとがインダクタンス L1にて誘導結合され、第 3共振器 16Cと 該第 3共振器 16Cに隣接する第 4共振器 16Dとが容量 C3で結合され、第 4共振器 1 6Dと該第 4共振器 16Dに隣接する出力端子 14とが容量 C4で結合されて構成され ている。つまり、 4つの容量結合 (容量 C1〜C4)と 1つの誘導結合 (インダクタンス L1 )の組み合わせが対称的に配列されて 、る。
[0030] この第 1の実施の形態に係る遅延線 10Aの周波数に対する不整合減衰量の変化 、減衰特性並びに遅延特性を図 2に示す。この図 2において、曲線 alOlは不整合減 衰量の変化を示し、曲線 blOlは減衰特性を示し、曲線 clOlは遅延特性を示す。
[0031] 遅延特性の具体的数値を列記すると、通過帯域の低域側の領域における群遅延 時間の最大値 DLmは 7. 6ns (周波数 fl)、通過帯域の高域側の領域における群遅 延時間の最大値 DHmは 7. 4ns (周波数 f 2)であり、その差（平坦性）は 0. 2nsであ る。また、通過帯域における最小値が 6. 8nsであることから、通過帯域内における群 遅延時間偏差は、 0. 8nsである。
[0032] ここで、この第 1の実施の形態に係る遅延線 10Aの作用 ·効果を、 2つの比較例（第 1及び第 2の比較例に係る遅延線 100A及び 100B)と比較しながら説明する。
[0033] まず、第 1の比較例に係る遅延線 100Aは、図 3に示すように、バンドパスフィルタ 1 8が、入力端子 12と第 1共振器 16A間、第 4共振器 16Dと出力端子 14間、第 1共振 器 16A〜第 4共振器 16D間とがそれぞれ容量 Cl、 C2、 C3、 C4、 C5で結合されて 構成されている。
[0034] この第 1の比較例に係る遅延線 100Aの周波数に対する不整合減衰量の変化、減 衰特性並びに遅延特性を図 4に示す。この図 4において、曲線 al02は不整合減衰 量の変化を示し、曲線 bl02は減衰特性を示し、曲線 cl02は遅延特性を示す。
[0035] 遅延特性の具体的数値を列記すると、最大値 DLmは 7. 4ns (周波数 f 1)、最大値 DHmは 7. Ons (周波数 f 2)である。その差（平坦性）は 0. 4nsであり、第 1の実施の 形態における値 (0. 2ns)よりも大きい。なお、通過帯域における最小値は 6. 6nsで 、通過帯域内における群遅延時間偏差は、第 1の実施の形態における値と同じ 0. 8 nsであつ 7こ。
[0036] また、第 1の比較例に係る遅延線 100Aにおいては、減衰特性 (b 102)で見たとき、 容量性の領域 (低域側の領域）における減衰量が、誘導性の領域 (高域側の領域） における減衰量よりも多ぐ高域のスロープ特性が緩やかになる。
[0037] 一方、第 1の実施の形態は、図 2の減衰特性 (blOl)で見たとき、容量性の領域 (低 域側の領域）における減衰量と、誘導性の領域 (高域側の領域）における減衰量とが ほぼ同じで、且つ、低域側及び高域側のスロープ特性が共に急峻となっており、減 衰特性が第 1の比較例の場合よりも良好となっている。 [0038] 次に、第 2の比較例に係る遅延線 100Bは、図 5に示すように、バンドパスフィルタ 1 8が、入力端子 12と第 1共振器 16A間、第 4共振器 16Dと出力端子 14間、第 1共振 器 16A〜第 4共振器 16D間とがそれぞれインダクタンス Ll、 L2、 L3、 L4、 L5にて 誘導結合されて構成されて ヽる。
[0039] この第 2の比較例に係る遅延線 100Bの周波数に対する不整合減衰量の変化、減 衰特性並びに遅延特性を図 6に示す。この図 6において、曲線 al03は不整合減衰 量の変化を示し、曲線 b 103は減衰特性を示し、曲線 c 103は遅延特性を示す。
[0040] 遅延特性の具体的数値を列記すると、最大値 DLmは 7. 3ns (周波数 f 1)、最大値 DHmは 7. 9ns (周波数 f 2)である。その差（平坦性）は 0. 6nsであり、第 1の実施の 形態における値 (0. 2ns)よりも大きいまた、通過帯域における最小値が 6. 9nsであ ることから、通過帯域内における群遅延時間偏差は、 1. Onsであり、第 1の実施の形 態における値 (0. 8ns)よりも大きい。
[0041] また、第 2の比較例に係る遅延線 100Bにおいては、減衰特性 (bl03)で見たとき、 誘導性の領域 (高域側の領域）における減衰量が、容量性の領域 (低域側の領域） における減衰量よりも多ぐ低域のスロープ特性が緩やかになる。
[0042] 一方、第 1の実施の形態は、図 2の減衰特性 (blOl)で見たとき、低域側及び高域 側のスロープ特性が共に急峻となっており、減衰特性が第 2の比較例よりも良好とな つている。
[0043] このように、第 1の実施の形態に係る遅延線 10Aにおいては、減衰特性が良好であ り、しカゝも、減衰特性における中心周波数を基準にした対称性、並びに遅延特性に おける通過帯域内の群遅延時間の平坦性が確保できて 、ることがわかる。通過帯域 内の群遅延時間の平坦性が確保できていることから、通過帯域内の群遅延時間偏 差の低減化も実現できる。
[0044] 次に、第 2の実施の形態に係る遅延線 10Bについて図 7及び図 8を参照しながら説 明する。
[0045] この第 2の実施の形態に係る遅延線 10Bは、図 7に示すように、上述した第 1の実 施の形態に係る遅延線 10Aとほぼ同様の構成を有する力 バンドパスフィルタ 18の 構成が以下のように異なる。 [0046] すなわち、バンドパスフィルタ 18は、入力端子 12と第 1共振器 16A間並びに第 4共 振器 16Dと出力端子 14間がそれぞれ容量 Cl、 C2で結合され、第 1共振器 16A〜 第 4共振器 16D間がそれぞれインダクタンス Ll、 L2、 L3にて誘導結合されて構成さ れている。この場合、 2つの容量結合 (容量 C1及び C2)と 3つの誘導結合 (インダクタ ンス L1〜L3)の組み合わせが対称的に配列されている。
[0047] この第 2の実施の形態に係る遅延線 10Bの周波数に対する不整合減衰量の変化、 減衰特性並びに遅延特性を図 8に示す。この図 8において、曲線 a2は不整合減衰量 の変化を示し、曲線 b2は減衰特性を示し、曲線 c2は遅延特性を示す。
[0048] 遅延特性の具体的数値を列記すると、最大値 DLmは 7. 4ns (周波数 f 1)、最大値 DHmは 7. 5ns (周波数 f2)であり、その差（平坦性）は 0. Insである。また、通過帯 域における最小値が 6. 8nsであることから、通過帯域内における群遅延時間偏差は 、 0. 7nsである。
[0049] この第 2の実施の形態においては、通過帯域内の群遅延時間の平坦性力 第 1の 実施の形態の場合よりも改善されていることがわかる。
[0050] 次に、第 3の実施の形態に係る遅延線 10Cについて図 9及び図 10を参照しながら 説明する。
[0051] この第 3の実施の形態に係る遅延線 10Cは、図 9に示すように、上述した第 1の実 施の形態に係る遅延線 10Aとほぼ同様の構成を有する力 バンドパスフィルタ 18の 構成が以下のように異なる。
[0052] すなわち、バンドパスフィルタ 18は、入力端子 12と第 1共振器 16A間、第 4共振器 16Dと出力端子 14間、第 1共振器 16Aと第 2共振器 16B間並びに第 3共振器 16Cと 第 4共振器 16D間がそれぞれ容量 Cl、 C2、 C3、 C4で結合され、第 2共振器 16Bと 第 3共振器 16C間が容量結合と誘導結合とを複合させた結合形態で結合されて構 成されている。この結合形態は容量 C5による結合とインダクタンス L1による誘導結合 と容量 C6による結合とが直列に接続された形態となっている。この場合、 6つの容量 結合 (容量 C 1〜C6)と 1つの誘導結合 (インダクタンス L 1 )の組み合わせが対称的に 配列されている。
[0053] この第 3の実施の形態に係る遅延線 10Cの周波数に対する不整合減衰量の変化、 減衰特性並びに遅延特性を図 10に示す。この図 10において、曲線 a3は不整合減 衰量の変化を示し、曲線 b3は減衰特性を示し、曲線 c3は遅延特性を示す。
[0054] 遅延特性の具体的数値を列記すると、最大値 DLmは 9. 7ns (周波数 f 1)、最大値 DHmは 9. 3ns (周波数 f 2)であり、その差（平坦性）は 0. 4nsである。また、通過帯 域における最小値が 8. 3nsであることから、通過帯域内における群遅延時間偏差は 、 1. 4nsである。
[0055] この第 3の実施の形態においては、第 1の実施の形態と比して、通過帯域内におけ る群遅延時間偏差が少し大きくなつているが、通過帯域における最小値が 8. 3nsで あり、遅延量を多くとりたい場合に有利である。
[0056] 次に、第 4の実施の形態に係る遅延線 10Dについて図 11及び図 12を参照しなが ら説明する。
[0057] この第 4の実施の形態に係る遅延線 10Dは、図 11に示すように、上述した第 1の実 施の形態に係る遅延線 10Aとほぼ同様の構成を有するが、第 1共振器 16A〜第 4共 振器 16Dのうち、第 2共振器 16B及び第 3共振器 16Cを跨るように第 1共振器 16A 及び第 4共振器 16D間を容量結合と誘導結合とが複合した結合形態で結合させた 回路 (飛び越し回路 20)が並列に接続されている点で異なる。飛び越し回路 20にお ける結合形態は、容量 C5による結合とインダクタンス L2による誘導結合と容量 C6に よる結合とが直列に接続された形態となっている。
[0058] この第 4の実施の形態に係る遅延線 10Dの周波数に対する不整合減衰量の変化 、減衰特性並びに遅延特性を図 12に示す。この図 12において、曲線 a4は不整合減 衰量の変化を示し、曲線 b4は減衰特性を示し、曲線 c4は遅延特性を示す。
[0059] 遅延特性の具体的数値を列記すると、最大値 DLmは 8. 8ns (周波数 f 1)、最大値 DHmは 8. 5ns (周波数 f 2)であり、その差（平坦性）は 0. 3nsである。また、通過帯 域における最小値が 8. 5nsであることから、通過帯域内における群遅延時間偏差は 、 0. 3nsである。
[0060] この第 4の実施の形態においては、第 1の実施の形態と比して、通過帯域内におけ る群遅延時間偏差が大幅に改善され、し力も、遅延量を多くとることができる。
[0061] 次に、第 5の実施の形態に係る遅延線 10Eについて図 13及び図 14を参照しなが ら説明する。
[0062] この第 5の実施の形態に係る遅延線 10Eは、図 13に示すように、上述した第 2の実 施の形態に係る遅延線 10Bとほぼ同様の構成を有するが、第 1共振器 16A〜第 4共 振器 16Dのうち、第 2共振器 16B及び第 3共振器 16Cを跨るように第 1共振器 16A 及び第 4共振器 16D間を容量結合と誘導結合とが複合した結合形態で結合させた 回路 (飛び越し回路 22)が並列に接続されている点で異なる。飛び越し回路 22にお ける結合形態は、上述した第 4の実施の形態と同様に、容量 C3による結合とインダク タンス L4による誘導結合と容量 C4による結合とが直列に接続された形態となってい る。
[0063] この第 5の実施の形態に係る遅延線 10Eの周波数に対する不整合減衰量の変化、 減衰特性並びに遅延特性を図 14に示す。この図 14において、曲線 a5は不整合減 衰量の変化を示し、曲線 b5は減衰特性を示し、曲線 c5は遅延特性を示す。
[0064] 遅延特性の具体的数値を列記すると、最大値 DLmは 8. 5ns (周波数 f 1)、最大値 DHmは 9. Ons (周波数 f 2)であり、その差（平坦性）は 0. 5nsである。また、通過帯 域における最小値が 8. 5nsであることから、通過帯域内における群遅延時間偏差は 、 0. 5nsである。
[0065] この第 5の実施の形態においては、第 2の実施の形態と比して、通過帯域内におけ る群遅延時間偏差が改善され、し力も、遅延量を多くとることができる。
[0066] 次に、第 6の実施の形態に係る遅延線 10Fについて図 15及び図 16を参照しなが ら説明する。
[0067] この第 6の実施の形態に係る遅延線 10Fは、図 15に示すように、上述した第 3の実 施の形態に係る遅延線 10Cとほぼ同様の構成を有するが、第 1共振器 16A〜第 4共 振器 16Dのうち、第 2共振器 16B及び第 3共振器 16Cを跨るように第 1共振器 16A 及び第 4共振器 16D間を容量結合と誘導結合とが複合した結合形態で結合させた 回路 (飛び越し回路 24)が並列に接続されている点で異なる。飛び越し回路 24にお ける結合形態は、上述した第 4の実施の形態と同様に、容量 C7による結合とインダク タンス L2による誘導結合と容量 C8による結合とが直列に接続された形態となってい る。 [0068] この第 6の実施の形態に係る遅延線 10Fの周波数に対する不整合減衰量の変化、 減衰特性並びに遅延特性を図 16に示す。この図 16において、曲線 a6は不整合減 衰量の変化を示し、曲線 b6は減衰特性を示し、曲線 c6は遅延特性を示す。
[0069] 遅延特性の具体的数値を列記すると、最大値 DLmは 10. 3ns (周波数 f 1)、最大 値 DHmは 10. Ons (周波数 f 2)であり、その差（平坦性）は 0. 3nsである。また、通過 帯域における最小値が 9. 9nsであることから、通過帯域内における群遅延時間偏差 は、 0. 4nsである。
[0070] この第 6の実施の形態においては、第 3の実施の形態と比して、通過帯域内におけ る群遅延時間偏差が大幅に改善され、し力も、遅延量を多くとることができる。
[0071] 次に、第 7の実施の形態に係る遅延線 10Gについて図 17及び図 18を参照しなが ら説明する。
[0072] この第 7の実施の形態に係る遅延線 10Gは、図 17に示すように、上述した第 6の実 施の形態に係る遅延線 10Fとほぼ同様の構成を有するが、第 1共振器 16A〜第 3共 振器 16Cを有する点と、これら第 1共振器 16A〜第 3共振器 16Cのうち、第 2共振器 16Bを跨るように第 1共振器 16A及び第 3共振器 16C間を容量結合と誘導結合とが 複合した結合形態で結合させた回路 (飛び越し回路 24)が並列に接続されている点 で異なる。
[0073] この第 7の実施の形態に係る遅延線 10Gの周波数に対する不整合減衰量の変化 、減衰特性並びに遅延特性を図 18に示す。この図 18において、曲線 a7は不整合減 衰量の変化を示し、曲線 b7は減衰特性を示し、曲線 c7は遅延特性を示す。
[0074] 遅延特性の具体的数値を列記すると、最大値 DLmは 2. 4ns (周波数 f 1)、最大値 DHmは 2. 4ns (周波数 f 2)であり、その差（平坦性）は Onsである。また、通過帯域に おける最小値が 2. 4nsであることから、通過帯域内における群遅延時間偏差は、 0. Onsである。
[0075] この第 7の実施の形態においては、通過帯域内の群遅延時間の平坦性と通過帯域 内における群遅延時間偏差が、第 4の実施の形態や第 6の実施の形態よりも大幅に 改善されている。
[0076] 次に、第 8の実施の形態に係る遅延線 10Hについて図 19を参照しながら説明する 。この第 8の実施の形態に係る遅延線 10Hは、図 19に示すように、上述した第 7の実 施の形態に係る遅延線 10Gとほぼ同様の構成を有するが、第 1共振器 16Aと第 2共 振器 16B間が容量 C3による結合とインダクタンス L3による誘導結合と容量 C4による 結合が複合した結合形態で結合されている点で異なる。
[0077] この第 8の実施の形態に係る遅延線 10Hの周波数に対する不整合減衰量の変化 、減衰特性並びに遅延特性を図 20に示す。この図 20において、曲線 a8は不整合減 衰量の変化を示し、曲線 b8は減衰特性を示し、曲線 c8は遅延特性を示す。
[0078] 遅延特性の具体的数値を列記すると、最大値 DLmは 2. 2ns (周波数 f 1)、最大値 DHmは 2. 3ns (周波数 f2)であり、その差（平坦性）は 0. Insである。また、通過帯 域における最小値が 2. 2nsであることから、通過帯域内における群遅延時間偏差は 、 0. Insである。
[0079] この第 8の実施の形態においては、第 7の実施の形態と同様に、通過帯域内の平 坦性及び通過帯域内の群遅延時間偏差が大幅に改善されている。
[0080] 次に、第 9の実施の形態に係る遅延線 101について図 21及び図 22を参照しながら 説明する。
[0081] この第 9の実施の形態に係る遅延線 101は、図 21に示すように、上述した第 4の実 施の形態に係る遅延線 10Dとほぼ同様の構成を有する力 バンドパスフィルタ 18の 構成が以下のように異なる。
[0082] すなわち、バンドパスフィルタ 18は、第 1共振器 16A〜第 6共振器 16Fを有する。
そして、入力端子 12と第 1共振器 16A間並びに第 6共振器 16Fと出力端子 14間が それぞれ容量 Cl、 C2で結合され、第 1共振器 16A〜第 3共振器 16C間がそれぞれ 容量 C3、 C4にて容量結合され、第 4共振器 16D〜第 6共振器 16F間がそれぞれ容 量 C5、 C6にて容量結合され、第 3共振器 16Cと第 4共振器 16D間がインダクタンス L1にて誘導結合されて構成されて 、る。
[0083] また、第 1共振器 16A〜第 6共振器 16Fのうち、第 2共振器 16B及び第 5共振器 16 E間を容量結合と誘導結合とが複合した結合形態で結合させた第 1飛び越し回路 24 Aが並列に接続され、第 3共振器 16C及び第 4共振器 16D間を容量結合と誘導結合 とが複合した結合形態で結合させた第 2飛び越し回路 24Bが並列に接続されている [0084] 第 1飛び越し回路 24Aにおける結合形態は、容量 C7による結合とインダクタンス L 2による誘導結合と容量 C8による結合とが直列に接続された形態であり、第 2飛び越 し回路 24Bにおける結合形態は、容量 C9による結合とインダクタンス L3による誘導 結合と容量 C10による結合とが直列に接続された形態となっている。
[0085] この第 9の実施の形態に係る遅延線 101の周波数に対する不整合減衰量の変化、 減衰特性並びに遅延特性を図 22に示す。この図 22において、曲線 a9は不整合減 衰量の変化を示し、曲線 b9は減衰特性を示し、曲線 c9は遅延特性を示す。
[0086] 遅延特性の具体的数値を列記すると、最大値 DLmは 10. 6ns (周波数 f 1)、最大 値 DHmは 11. 2ns (周波数 f 2)であり、その差（平坦性）は 0. 6nsである。また、通過 帯域における最小値が 10. 6nsであることから、通過帯域内における群遅延時間偏 差は、 0. 6nsである。
[0087] この第 9の実施の形態においては、第 4の実施の形態と比して、通過帯域内におけ る群遅延時間偏差が少し大きくなつているが、遅延量を多くとることができる。
[0088] 次に、第 10の実施の形態に係る遅延線 10Jについて図 23及び図 24を参照しなが ら説明する。
[0089] この第 10の実施の形態に係る遅延線 10Jは、図 23に示すように、上述した第 9の実 施の形態に係る遅延線 101とほぼ同様の構成を有する力 バンドパスフィルタ 18の構 成が以下のように異なる。
[0090] すなわち、バンドパスフィルタ 18は、第 1共振器 16A〜第 8共振器 16Hを有する。
そして、入力端子 12と第 1共振器 16A間並びに第 8共振器 16Hと出力端子 14間が それぞれ容量 Cl、 C2で結合され、第 1共振器 16A〜第 4共振器 16D間がそれぞれ 容量 C3、 C4、 C5にて容量結合され、第 5共振器 16E〜第 8共振器 16H間がそれぞ れ容量 C6、 C7、 C8にて容量結合され、第 4共振器 16Dと第 5共振器 16E間がイン ダクタンス L1にて誘導結合されて構成されて!ヽる。
[0091] また、第 1共振器 16A〜第 8共振器 16Hのうち、第 3共振器 16C及び第 6共振器 1 6F間を第 1飛び越し回路 24Aが並列に接続され、第 4共振器 16D及び第 5共振器 1 6E間を第 2飛び越し回路 24Bが並列に接続されている。 [0092] この場合、第 1飛び越し回路 24Aにおける結合形態は、容量 C9による結合とインダ クタンス L2による誘導結合と容量 C10による結合とが直列に接続された形態であり、 第 2飛び越し回路 24Bにおける結合形態は、容量 C 11による結合とインダクタンス L3 による誘導結合と容量 C12による結合とが直列に接続された形態となっている。
[0093] この第 10の実施の形態に係る遅延線 10Jの周波数に対する不整合減衰量の変化 、減衰特性並びに遅延特性を図 24に示す。この図 24において、曲線 alOは不整合 減衰量の変化を示し、曲線 blOは減衰特性を示し、曲線 clOは遅延特性を示す。
[0094] 遅延特性の具体的数値を列記すると、最大値 DLmは 20. 6ns (周波数 f 1)、最大 値 DHmは 20. 8ns (周波数 f 2)であり、その差（平坦性）は 0. 2nsである。また、通過 帯域における最小値が 19. 9nsであることから、通過帯域内における群遅延時間偏 差は、 0. 9nsである。
[0095] この第 10の実施の形態においては、第 9の実施の形態と比して、通過帯域内にお ける群遅延時間偏差が少し大きくなつている力 通過帯域における最小値が 19. 9n sであり、遅延量を多くとりたい場合に有利である。特に、減衰特性における低域側及 び高域側のスロープ特性が第 9の実施の形態の場合よりも急峻となって 、るため、通 過帯域外の信号を抑圧した 、場合に有利である。
[0096] 次に、第 11の実施の形態に係る遅延線 10Kについて図 25及び図 26を参照しな がら説明する。
[0097] この第 11の実施の形態に係る遅延線 10Kは、図 25に示すように、上述した第 10 の実施の形態に係る遅延線 10Jとほぼ同様の構成を有する力 バンドパスフィルタ 18 の構成が以下のように異なる。
[0098] すなわち、バンドパスフィルタ 18は、第 2飛び越し回路 24Bが省略され、代わりに、 第 4共振器 16Dと第 5共振器 16E間が容量結合と誘導結合とを複合させた結合形態 で結合されて構成されて ヽる。この結合形態は容量 C11による結合とインダクタンス L1による誘導結合と容量 C12による結合とが直列に接続された形態となっている。
[0099] この第 11の実施の形態に係る遅延線 10Kの周波数に対する不整合減衰量の変化 、減衰特性並びに遅延特性を図 26に示す。この図 26において、曲線 al lは不整合 減衰量の変化を示し、曲線 b 11は減衰特性を示し、曲線 c 11は遅延特性を示す。 [0100] 遅延特性の具体的数値を列記すると、最大値 DLmは 19. 4ns (周波数 f 1)、最大 値 DHmは 19. 3ns (周波数 f 2)であり、その差（平坦性）は 0. Insである。また、通過 帯域における最小値が 19. 3nsであることから、通過帯域内における群遅延時間偏 差は、 0. Insである。
[0101] この第 11の実施の形態においては、第 7及び第 8の実施の形態と同様に、通過帯 域内の平坦性及び通過帯域内の群遅延時間偏差が大幅に改善され、し力も、遅延 量を多くとることができる。また、上述した第 10の実施の形態と同様に、減衰特性に おける低域側及び高域側のスロープ特性が第 9の実施の形態の場合よりも急峻とな つて 、るため、通過帯域外の信号を抑圧した 、場合に有利である。
[0102] なお、本発明に係る遅延線は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱 することなぐ種々の構成を採り得ることはもちろんである。

Claims

請求の範囲
[1] 入力端子（12)と出力端子（14)との間に複数の共振器を有するバンドパスフィルタ
(18)を具備した遅延線において、
前記入力端子（12)と該入力端子（12)に隣接する 1つの前記共振器とが容量結合 もしくは誘導結合され、
前記出力端子（14)と該出力端子（14)に隣接する 1つの前記共振器とが容量結合 もしくは誘導結合され、
前記各共振器間とが容量結合及び Z又は誘導結合され、
前記容量結合と前記誘導結合が複合して存在することを特徴とする遅延線。
[2] 請求項 1記載の遅延線において、
さらに、前記容量結合と前記誘導結合の組み合わせが対称的に配列されているこ とを特徴とする遅延線。
[3] 請求項 1又は 2記載の遅延線において、
1つの共振器と、該 1つの共振器と隣接する共振器とが容量結合と誘導結合とを複 合させた結合形態で結合された組み合わせが少なくとも 1つ存在することを特徴とす る遅延線。
[4] 請求項 1〜3の 、ずれか 1項に記載の遅延線にお!、て、
前記複数の共振器のうち、少なくとも 1つの共振器を跨るように 2つの共振器間を容 量結合と誘導結合とが複合した結合形態で結合させた付加回路が少なくとも 1っ存 在することを特徴とする遅延線。
[5] 請求項 1〜4の 、ずれか 1項に記載の遅延線にお!、て、
前記共振器が λ Ζ4共振器又は λ Ζ2共振器又は LC共振回路の 1つであることを 特徴とする遅延線。
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