WO2006077807A1

WO2006077807A1 - 多段スイッチ

Info

Publication number: WO2006077807A1
Application number: PCT/JP2006/300483
Authority: WO
Inventors: Kenji Tomaki; Masanaga Nishikawa; Masaya Ueda
Original assignee: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date: 2005-01-19
Filing date: 2006-01-17
Publication date: 2006-07-27
Also published as: DE602006009624D1; EP1845542A4; US7538282B2; EP1845542B1; US20070257753A1; JPWO2006077807A1; EP1845542A1; JP4617319B2

Abstract

　多段スイッチ（１０）は、スイッチボタン（１１）を備える。スイッチボタン（１１）の内壁面の窪みには、磁石（１３）が取り付けられている。また、多段スイッチ（１０）は磁気センサ（１４）を備え、磁気センサ（１４）は基板（１５）を備える。基板（１５）の表面には２つの磁電変換素子（２１），（３１）が実装されており、磁石（１３）と対向する位置に配置されている。

Description

明細書

多段スィッチ

技術分野

[0001] 本発明は、多段スィッチに関し、特に、カメラのシャッター、ビデオカメラの撮影スィツチ、その他各種電子機器のスィッチなどにおいて、 1つのスィッチに複数の動作指示機能を持たせるために用いる多段スィッチに関するものである。

背景技術

[0002] 従来の多段スィッチは、皿パネが用いられるものが一般的に知られている（特許文献 1参照）。この皿パネを用いた多段スィッチは、通常、操作者によってスィッチボタンが押下されることにより、複数設けられた皿パネが順次押下による押圧力に応じて変形され、電子機器の動作状態が順次切り替えられる多段スィッチとして機能するものである。

特許文献 1 :特開 2000— 57888号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0003] 従来の皿バネなどを用いた多段スィッチは、操作時のスィッチボタンの押し込み量により動作状態が切り替えられるが、たとえば操作者力 si段目の動作状態に切り替えようとしたときに、皿パネの弾性力を押し込むためにスィッチボタンに大きな圧力を加えてしまい、一気に 2段目あるいはそれ以降の動作状態にまで切り替えられることになる。このように、操作者は希望の動作状態を達成するつもりでも、操作者の操作感覚と多段スィッチの実際の動きが一致せず、希望の動作状態を得られなレ、ことがあつた。

[0004] 具体的には、カメラのシャッターに用いられる多段スィッチでは、通常 2段の動作状態に区分され、 1段目は焦点合わせ、 2段目はシャッターを切る、すなわち撮影するとレ、う動作状態になるが、操作者が的確に押し込めない場合は、焦点が合わない状態でシャッターが切られてしまうことがしばしばあった。

[0005] 特に、近年は、カメラの小型化に伴レ、、多段スィッチも小型化が求められており、スイッチに何も圧力が加わっていない状態から、シャッターが切られる状態、すなわち 2 段目の状態までに多段スィッチのスィッチボタンが移動する距離は約 2mm程度しかなレ、。そして、この 2mmの間に焦点合わせの動作状態となる 1段目を構成しなくてはならず、一般的な操作者では、スィッチボタンを微小な距離で押下しつつ、皿パネの圧力に抗して、 1段目となる焦点合わせの動作状態を保持するのは、手ブレ発生の原因となって、結局、焦点合わせができないという問題が発生していた。

課題を解決するための手段

[0006] 上記問題点を解決するために、本発明の多段スィッチは、基板および基板に設けられた磁電変換素子を含む磁気センサと、スィッチボタンと、スィッチボタンに設けられ磁電変換素子に対向して配置された磁気体とを備え、磁気センサは、磁気センサと磁気体との間隔の変位により、磁気センサ内における磁電変換素子に発生する電位を検知電位として検知し、検知電位に対して少なくとも 2つ以上の閾値を設け、おのおのの閾値と検知電位との比較結果によって動作状態を異ならしめることを特徴としている。

[0007] また、磁電変換素子は半導体磁気抵抗素子であることを特徴としている。

[0008] また、磁気センサは、磁電変換素子を 2個直列に接続したものを備えてなり、検知電位は 2つの磁電変換素子の接続点の電位が検知されるものであって、 2個の磁電変換素子のうち、一方の磁電変換素子は、磁気体との間隔の変位により発生する電位の変位が所定の変位を有し、他方の磁電変換素子は、磁気体との間隔の変位により発生する電位の変位をほぼ無くし、一方の磁電変換素子と他方の磁電変換素子の温度特性をほぼ一致させてなることを特徴としている。

[0009] また、 2個の前記磁電変換素子は、いずれも半導体磁気抵抗素子であり、一方の磁電変換素子は、基板上に形成された半導体磁気抵抗薄膜と、半導体磁気抵抗薄膜上に形成された複数の短絡電極と、外部と接続する外部電極を備えてなり、他方の磁電変換素子は、基板上に形成された半導体磁気抵抗薄膜と、外部と接続する外部電極を備えてなるとともに、半導体磁気抵抗薄膜上に、短絡電極を備えない、あるいは、一方の磁電変換素子に形成された短絡電極よりも少ない数の短絡電極が形成されてなることを特徴としてレ、る。 [0010] また、スィッチボタンの移動機構は、磁気センサの動作信号系とは独立させて設けられてなることを特徴としている。

[0011] また、磁気センサは、磁電変換素子を覆うパッケージを備えるとともに、パッケージと磁電変換素子の感磁部との間隔が 0. 3mm以下となるようにパッケージが磁気センサに配置されてなることを特徴としている。

発明の効果

[0012] このように構成された多段スィッチでは、磁気体と磁電変換素子を用いてその距離の間隔による磁力変化を電位的に検知するものであり、スィッチボタン押下時に皿バネ等の物理的な強い抗力が操作者に加わることがなぐスムーズな押下を可能としている。したがって、たとえばこの多段スィッチをカメラなどに用いる場合は、強い抗カを感じないため、手ブレなどの発生する可能性が低い状態で 1段目の動作状態である焦点合わせをすることが可能となる。また、他の小型の電子機器においても安定した操作性を可能とする。

[0013] また、磁電変換素子として半導体磁気抵抗素子を用いることにより、スィッチボタンの移動距離が小さくても、つまり、磁気体と半導体磁気抵抗素子との間隔の変化が小さくても、その間隔の変化に伴う小さな磁力の変化に対して大きな出力値を持つ出力特性を得ることが可能であり、かつ、その出力特性は急峻な直線性を示すため、閾値を多段に設定することが容易となる。

[0014] また、磁気センサとして磁電変換素子を 2つ直列接続し、他方の磁電変換素子の磁力感度をほぼ無くしたことにより、 2つの磁電変換素子の接続点の電位である検知電位の変位が、一方の磁電変換素子の電気的特性に依存することになる。そして、直列接続した 2つの磁電変換素子の温度特性をほぼ一致させたことにより、温度変化による 2つの磁電変換素子の電位差が生じないため、 2つの磁電変換素子の接続点における検知電位は温度変化の影響が表れない。したがって、本発明における磁気センサの検知電位は、一方の磁電変換素子の電位の変位における、周囲温度変化の影響をキャンセルした純粋に磁気変化に依存した変位を示す電位となる。

[0015] また、 2つの磁電変換素子に半導体磁気抵抗素子を用いた場合、一方の磁電変換素子となる半導体磁気抵抗素子は、所定の磁気抵抗効果を得るように短絡電極を所定の数だけ配置するとともに、他方の半導体磁気抵抗素子は、磁気抵抗効果をほぼ無くすために短絡電極を形成しなレ、かあるいは形成するとして数を少なくするという簡単な構成で、他方の磁電変換素子の磁気抵抗効果をほとんど無くしつつ、 2つの磁電変換素子の温度特性を一致させることが可能となる。

[0016] また、スィッチボタンの動作機構と磁気センサの動作信号系を独立させる、つまり動作信号系を分離させることにより、スィッチボタンに磁気センサの動作信号とは関与しない操作感覚をもたせることが可能となり、特に、閾値と閾値の間をスィッチボタンが移動する間の操作感を動作信号系とは独立した状態で持たせることが可能となり、閾値間のスィッチボタンの移動において、操作者が誤って過度にスィッチボタンを押下しすぎたりするような誤動作が防止される。

[0017] さらに、磁気センサのパッケージを、磁電変換素子との間隔が 0. 3mm以下となるように配置することにより、磁気センサの低背化が達成され、スィッチボタンを始めとした動作領域を大きく確保することが可能となる。

図面の簡単な説明

[0018] [図 1]本発明の実施形態に力かる多段スィッチの構造を示す説明図である。

[図 2]本発明の実施形態に力、かる多段スィッチに用いる半導体磁気抵抗素子の構造示す斜視図である。

[図 3]本発明の実施形態に力、かる多段スィッチの回路図である。

[図 4]本発明の実施形態に力、かる多段スィッチに用いる磁気センサの磁気体との距離と検知電位との関係を示すグラフである。

[図 5]本発明の他の実施形態に力かる多段スィッチの構造を示す説明図である。符号の説明

[0019] 10 多段スィッチ

11 スィッチボタン

13 磁石

14 磁気センサ

15 基板

18 パッケージ 21 一方の磁電変換素子

22 基ム

23 感磁部

23a 半導体磁気抵抗薄膜

23b 短絡電極

24 外部電極

31 他方の磁電変換素子

32 基台

33 感磁部

33a 半導体磁気抵抗薄膜

33b 短絡電極

34 外部電極

発明を実施するための最良の形態

[0020] 以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。

[0021] 本発明の実施形態となる多段スィッチを、図 1および図 2を用いて説明する。なお、本実施形態では、カメラのシャッターに用いる多段スィッチを例として説明する。

[0022] 図 1に示す多段スィッチ 10は、シャッターとなるスィッチボタン 11を備える。スィッチボタン 11は、カメラの筐体 12に周囲を覆われており、通常は筐体からやや飛び出た状態となっている。スィッチボタン 11の内壁面の窪みには、磁気体としての磁石 13が取り付けられている。この磁石 13は、スィッチボタン 11の押下方向、つまり、図 1における矢印方向に磁力線が発生するように配置されるものであり、本実施形態では、スイッチボタン 11の頭部側に磁石 13の S極が配置され、スィッチボタンの下面側に N 極が配置されている。

[0023] また、多段スィッチ 10は磁気センサ 14を備える。磁気センサ 14は、センサとしての主回路を構成する基板 15を備える。基板 15はたとえばガラスエポキシ系の材料ゃセラミック材料からなる。この基板 15の表面には、 2つの磁電変換素子 21 , 31が実装されている。これら 2つの磁電変換素子 21 , 31は前述した磁石 13の N極と対向する位置に配置されている。

[0024] また、多段スィッチ 10では、スィッチボタン 11の復元には弱い抗力があれば十分なため、弱レ、パネや低反発性素材などをスィッチボタン 11と基板 15に間に設ければよぐこの実施形態では低反発性素材 16が用いられている。

[0025] 本実施形態では、 2つの磁電変換素子 21， 31は、それぞれ、基台 22, 32を備え、基台 22, 32に感磁部 23, 33および外部電極（図 1には現れず）を備えるものである。この 2つの磁電変換素子 21 , 31は、感磁部 23， 33が形成されている面を基板 15 に向けてフリップチップボンディング方式で実装されるものであり、実装は外部電極にて導電性接着剤 17を介して行われる。

[0026] この 2つの磁電変換素子 21 , 31の構造をさらに詳細に説明する。

[0027] 図 2は、本発明の実施形態に係る 2つの磁電変換素子 21 , 31として、 2つの半導体磁気抵抗素子を用いた場合を示すものである。

[0028] 2つの磁電変換素子 21, 31はともに、シリコーンからなる基台 22, 32を一体で共有する。

[0029] そして、 2つの磁電変換素子 21 , 31のうち、一方の磁電変換素子 21における基台

22上には、 InSb (インジウムアンチモン)からなる半導体磁気抵抗薄膜 23aがミアンダライン状に形成されている。この半導体磁気抵抗薄膜 23aは真空蒸着法により形成されるのが一般的である。そして、半導体磁気抵抗薄膜 23a上には、 Ni/Cr/A uや Cr/Ni/Auなどで構成された多層構造の短絡電極 23bが複数形成されている。この短絡電極 23bは、蒸着やスパッタリングなどの方法で多層構造に形成されるものであるが、図面上は図面の簡素化のため多層構造を表していない。この半導体磁気抵抗薄膜 23aと短絡電極 23bとが感磁部 23として機能するものである。また、一方の磁電変換素子 21には基板 15の回路パターンや他方の磁電変換素子 31と接続するための外部電極 24が形成される。この外部電極 24は短絡電極 23bと同じ電極材料，同じ手法で形成される。

[0030] そして、他方の磁電変換素子 31における基台 32上には、 InSb (インジウムアンチモン)からなる半導体磁気抵抗薄膜 33aがミアンダライン状に形成されている。この半導体磁気抵抗薄膜 33aは、一方の磁電変換素子 21の半導体磁気抵抗薄膜 23aと同じ形状、同じ電極材料，同じ手法で形成される。この半導体磁気抵抗薄膜 33a上には、多層構造の短絡電極 33bが複数形成されている。ここで、短絡電極 33bの形成された数は、一方の磁電変換素子 21に形成された短絡電極 23bの数と比較して少数である。この半導体磁気抵抗薄膜 33aと短絡電極 33bとが感磁部 33として機能するものである。また、他方の磁電変換素子 31には基板 15の回路パターンや一方の磁電変換素子 21と接続するための外部電極 34が形成される。

[0031] このように構成された一方の磁電変換素子 21および他方の磁電変換素子 31は磁気による抵抗値の変化特性が大きく異なる。つまり、一方の磁電変換素子 21は磁気による抵抗値変動が所定の特性を得られるのに対し、他方の磁電変換素子 31は磁気による抵抗値変動がほとんど発生しないものとなっている。その一方で、温度変化による抵抗値変動はほぼ一致したものとなっている。

[0032] 次に、多段スィッチ 10における磁気センサ 14の回路構成を、図 3を用いて説明する。

[0033] 磁気センサ 14において、 2つの磁電変換素子 21, 31はそれぞれ直列に接続されており、入力電圧 Vinが印加されている。多段スィッチ 10の動作切り替え段数を 2段とした場合、磁気センサ 14には、第 1の閾値 VI,第 2の閾値 V2が設定されている。

[0034] そして、 2つの磁電変換素子 21 , 31の接続点の電圧 Vは磁気センサ 14の検知電位として、コンパレータ C1で第 1の閾値 VIと比較されるとともに、コンパレータ C2で第 2の閾値 V2と比較される。これらの比較結果により磁気センサ 14から動作指令がカメラに伝えられる。

[0035] 多段スィッチの動作切り替え段数を n段とする場合は、図 4において二点鎖線で示すように、第 nの閾値 Vnについて、コンパレータ Cnで電圧 Vと第 nの閾値 Vnが比較されるような回路構成とすればよい。

[0036] このような構成を備えた多段スィッチ 10の動作は以下のとおりである。

[0037] まず、操作者がカメラで撮影をするために、スィッチボタン 11を押下する。押下されたスィッチボタン 11は徐々に磁気センサ 14に近づいていく。これにより、スィッチボタン中の磁石 13が、磁気センサ 14内の一方の磁電変換素子 21および他方の磁電変換素子 31に近づいていく。すると、一方の磁電変換素子 21の抵抗値が変動する。他方の磁電変換素子 31の抵抗値はほとんど変動しなレ、。この磁石 13の接近による抵抗値の変動により、 2つの磁電変換素子 21 , 31の接続点の電圧 Vが変動し、第 1 の閾値 VI ,第 2の閾値 V2,……，第 nの閾値 Vnと比較され、その比較結果により磁気センサ 14から動作指令がカメラに伝えられる。

[0038] ここで、他方の磁電変換素子 31は磁気による抵抗値変動がほとんど発生しないものとなつているが、その一方で、温度変化による抵抗値変動は一方の磁電変換素子 21とほぼ一致した特性を有するものとなっている。したがって、 2つの磁電変換素子 2 1 , 31の接続点の電位 Vは、一方の磁電変換素子 21の電気的特性つまり磁気感度に依存することになる。そして、直列接続した 2つの磁電変換素子 21 , 31の温度特性をほぼ一致させたことにより、 2つの磁電変換素子 21 , 31には温度変化による電位差が生じないため、 2つの磁電変換素子 21， 31の接続点における検知電位としての電圧 Vは温度変化の影響が表れなレ、。したがって、本実施形態の磁気センサ 14 の検知電位としての電圧 Vは、一方の磁電変換素子 21の電位の変位における、周囲温度変化の影響をキャンセルした純粋に磁気変化に依存した変位を示す電位となる。

[0039] 具体的な動作例として、カメラの動作切り替え段数を 2段とし、 1段目はカメラの焦点合わせの動作、 2段目はシャッターを切る動作とした例を、図 1および図 4を用いて説明する。

[0040] 図 1に示すように、スィッチボタン 11が全く押下されない状態で、磁石 13と 2つの磁電変換素子 21 , 31との間隔を 2mmとする。そして、図 4に示すように、この状態で磁電変換素子 21 , 31の接続点の電圧 Vは 2. 6Vとする。スィッチボタン 11は最大 1. 7 mm押下できるものとする。ここで、スィッチボタンの押下量と磁電変換素子 21 , 31の接続点の電圧 Vとの関係は、図 4に示すように、押下量が 0〜0. 5mm程度までは電圧 Vに大きな変化は見られないが、徐々に押下量に対する電圧 Vの変化が顕著になり、押下量が 0. 8mm以上になると、ほぼ 1次直線的に電圧 Vが変化することがわかる。

[0041] この特性は磁電変換素子 21， 31として半導体磁気抵抗素子を用いているために示されるもので、磁石 13との微小な距離の変位に対しても抵抗値の変化量が大きく、出力される電圧値の変化量も大きくなる。したがって、出力信号をそのまま、多段スイッチ 10の動作を決定する閾値と比較することが可能となる。さらに、出力される電圧 Vは、直列に接続される 2つの磁電変換素子に印加される入力電圧 Vinと比較して 1 0%程度の割合の変換効率であり、ホール素子や強磁性体金属薄膜からなる磁気抵抗素子などの各種磁電変換素子と比較して高効率であることから、小型電子機器への適用が可能となる。

[0042] この多段スィッチ 10では、図 4に示すような出力特性から、 2段の動作切り替えにおける閾値の取り方として、たとえば、第 1の閾値 VIを 2. 7V± 0. 05V,第 2の閾値 V2 を 2. 9V以上とすることにより、第 1の閾値 VIから第 2の閾値 V2までにスィッチボタン 11の押下量のギャップを 0. 4mm確保することが可能となる。もちろん、閾値となる電圧の値は、第 1の閾値 VIのように範囲で設定してもよぐ第 2の閾値 V2のように 2. 9 Vを超えるか超えないかという境界線で設定してもよい。本実施形態では、第 1の閾値 VIで焦点合わせを行うのである一定の範囲を設け、その範囲を超えて第 2の閾値 V2に近づくと焦点合わせ動作を解除することにより、操作者はスィッチボタン 11の押下がシャッターを切る方向に進みすぎたことを理解することができる。第 2の閾値 V2 での動作はシャッターを切る動作なので特に範囲を設けることなぐ第 2の閾値 V2を超える電圧 Vであれば動作する設定とする。もちろん、第 1の閾値 VIで焦点合わせの動作をする場合であっても、第 1の閾値 VIを範囲で設定することなぐたとえば 2· 7Vとして電圧 Vが 2. 7Vを超えれば焦点合わせをする閾値としてもよい。

[0043] このように、本発明の多段スィッチ 10では、検知電位としての電圧 Vが直線的に変化するため、多段スィッチとして閾値の設定が容易にでき、かつ、回路の簡単な設計のみで段数を多くすることが可能となり、従来技術として説明した皿パネを用いた多段センサではほぼ不可能であった 3段以上の多段設定も容易となる。

[0044] なお、本実施形態では磁電変換素子として半導体磁気抵抗素子を用いたが、ホール素子や強磁性体の磁気抵抗素子を用いても、スィッチボタンの押下に強い抗力がかかることがなぐ同様の効果を発揮するので置換可能である。ただし、ホール素子や強磁性体の磁気抵抗素子は入力電圧に対する変換効率が半導体磁気抵抗素子と比較して低いため、小型の電子機器用の多段スィッチには、磁電変換素子として半導体磁気抵抗素子を用いるのが好適である。

[0045] また、本実施形態では、スィッチボタンと磁石は別体のものを例示した力スィッチボタン自体が磁気を備えた磁気体としてスィッチボタンと一体化したもの、例えばブラスチックマグネットからなるスィッチボタンを用いてもょレ、。

[0046] また、本実施形態では、磁電変換素子として半導体磁気抵抗素子を用いて基板にフリップチップボンディング方式で実装されるものを例示したが、感磁部を磁気体側に向けたワイヤボンディング方式で実装してもよい。

[0047] また、本実施形態では、磁電変換素子を 2つ用い、他方の磁電変換素子の磁気感度を下げて温度補償用の磁電変換素子としたが、たとえば、他方の磁電変換素子を基板の隅に実装して磁力の影響を受けない位置に配置することにより、他方の磁電変換素子と一方の磁電変換素子は同じものを使用しつつ、温度補償をすることが可能である。ただし、基板面積が大きくなるため、本願のように他方の磁電変換素子の磁気感度を下げた構成として、一方の磁電変換素子と他方の磁電変換素子は近接して配置するのが電子機器の小型化に好適である。

[0048] また、本実施形態では、スィッチボタンの動作機構として、弱レ、パネや低反発性素材を例として説明したが、特にこれらに限定されるものではなぐスィッチボタンの動作機構を磁気センサの動作信号系から独立させたもの、つまり、磁気センサの動作信号とは関与しないものであれば、特に、物理的な動作機構に限らず、電気信号による制御が施された動作機構でもかまわない。

[0049] また、本実施形態では磁気センサにパッケージングが施されていなレ、が、たとえば、図 5に示すように、磁気センサ 14において、磁電変換素子 21 , 31をパッケージ 18 で覆うような構造としてもよレ、。なお、この図 5において、磁電変換素子 21 , 31はいずれも感磁部 23, 33が磁気体側を向き、基台 22， 32が基板 15に実装されるワイヤボンデイング方式で実装されている。なお、図 5では、ワイヤの図示を省略している。通常、ワイヤは一般的に線径 50 x mの金線あるいはアルミ線が用いられ、ボールボンディングゃゥエッジボンディングが行われる。また、パッケージする際、ワイヤのループ (たるみ)部分やボンディング部分に応力を与えないように、柔軟性を持つ樹脂を 0. lmm程度、磁電変換素子の表面に塗布する。その上で流動性の良い樹脂でパッケージする。このとき、なるべくパッケージする樹脂の厚さを薄くすると出力特性の使用領域広くできる力薄くしすぎると素子の物理的強度が低下するため、 0. 15-0. 20 mm程度の厚さでパッケージするのが好ましい。そして、パッケージ 18と磁電変換素子 21 , 31の感磁部 23, 33との間隔 tが 0. 3mm以下となるようにパッケージングの設計をすることにより、磁気センサの低背化が達成され、スィッチボタン 11などの動作領域を大きく確保することが可能となる。

産業上の利用可能性

[0050] 以上説明したように本発明の多段スィッチは、スィッチボタン押下時に皿バネ等の物理的な強い抗力が操作者に加わることがなぐスムーズな押下を可能としている。したがって、特にこの多段スィッチをカメラなどに用いる場合は、 1段目の動作状態である焦点合わせにおいて、手ブレなどの発生する可能性が低い状態で動作させることが可能となる。

[0051] また、スィッチボタンの移動距離が小さくても、その間隔の変化に伴う小さな磁力の変化に対して大きな出力値を持つ出力特性を得ることが可能であり、かつ、その出力特性は直線性が高ぐ閾値を多段に設定することが容易となる。これにより、この多段スィッチをカメラに用いれば、焦点合わせとシャッターを切る 2つの動作のためだけの多段スィッチではなぐさらに多くの段数で動作させる多段スィッチとして使用可能となる。たとえば、焦点合わせの段階と実際にシャッターを切る段階との間に、カメラにシャッターを切る準備をさせる段階を設け、シャッターを実際に切るとほぼ同時に撮影をする段階などを設けることも可能となり、デジタルカメラにおけるシャッターを切るタイミングと実際に撮影される被写体との誤差の時間を無くすことが可能となる。

Claims

請求の範囲

[1] 基板、

該基板に設けられた磁電変換素子、

を含む磁気センサと、

スィッチボタンと、

該スィッチボタンに備えられ、前記磁電変換素子に対向して配置された磁気体と、を有し、

前記磁気センサは、前記磁気センサと前記磁気体との間隔の変位により、前記磁気センサ内における前記磁電変換素子に発生する電位を検知電位として検知し、前記検知電位に対して少なくとも 2つ以上の閾値を設け、おのおのの前記閾値と前記検知電位との比較結果によって動作状態を異ならしめる、多段スィッチ。

[2] 前記磁電変換素子は半導体磁気抵抗素子である、請求項 1に記載の多段スィッチ

[3] 前記磁気センサは、前記磁電変換素子を 2個直列に接続したものを備えてなり、前記検知電位は、前記 2つの磁電変換素子の接続点の電位が検知されるものであつて、

2個の前記磁電変換素子のうち、一方の磁電変換素子は、前記磁気体との間隔の変位により発生する電位の変位が所定の変位を有し、他方の磁電変換素子は、前記磁気体との間隔の変位により発生する電位の変位をほぼ無くし、前記一方の磁電変換素子と前記他方の磁電変換素子の温度特性をほぼ一致させてなる、請求項 1または 2に記載の多段スィッチ。

[4] 前記一方の磁電変換素子は半導体磁気抵抗素子であって、基台上に形成された半導体磁気抵抗薄膜と、該半導体磁気抵抗薄膜上に形成された複数の短絡電極と

、外部と接続する外部電極を備えてなり、

前記他方の磁電変換素子は半導体磁気抵抗素子であって、基台上に形成された半導体磁気抵抗薄膜と、外部と接続する外部電極を備えてなるとともに、前記半導体磁気抵抗薄膜上に、短絡電極を備えない、あるいは、前記一方の磁電変換素子が備える短絡電極よりも少ない数の短絡電極が形成されてなる、請求項 3に記載の多段スィッチ。

[5] 前記スィッチボタンの移動機構は、前記磁気センサの動作信号系とは独立させて設けられてなる、請求項 1乃至 4のいずれかに記載の多段スィッチ。

[6] 前記磁気センサは、前記磁電変換素子を覆うパッケージを備えるとともに、前記パッケージと前記磁電変換素子の感磁部との間隔が 0. 3mm以下となるように前記パッケージが前記磁気センサに配置されてなる、請求項 1乃至 5のいずれかに記載の多段スィッチ。