WO2006059416A1 - 複合材料振動装置 - Google Patents

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WO2006059416A1
WO2006059416A1 PCT/JP2005/016403 JP2005016403W WO2006059416A1 WO 2006059416 A1 WO2006059416 A1 WO 2006059416A1 JP 2005016403 W JP2005016403 W JP 2005016403W WO 2006059416 A1 WO2006059416 A1 WO 2006059416A1
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plate
vibration
thermal expansion
reflective layer
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Toshihiko Unami
Hiroaki Kaida
Kazutaka Watanabe
Takaaki Asase
Eitaro Kameda
Jiro Inoue
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/177Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of the energy-trap type

Definitions

  • the present invention relates to a composite material vibration device in which a plurality of material portions having different acoustic impedances are connected, and more specifically, a plurality of material layers having different acoustic impedances are laminated on a vibration element such as a piezoelectric element.
  • the present invention relates to a laminated composite material vibration device.
  • Patent Document 1 discloses a composite material vibration device shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b).
  • a plate-like piezoelectric resonance element 102 is used as a vibration element.
  • a holding member 104 is laminated on the upper surface of the piezoelectric resonant element 102 with a reflective layer 103 interposed therebetween.
  • a holding member 106 is laminated on the lower surface of the piezoelectric resonant element 102 via a reflective layer 105.
  • An external electrode 107 is formed on one end face of the laminate in which these members are laminated, and an external electrode 108 is formed on the other end face.
  • an excitation electrode 112 is formed on the upper surface of a plate-like piezoelectric substrate 111, and an excitation electrode 113 is formed on the lower surface.
  • the piezoelectric substrate 111 is made of lead zirconate titanate-based piezoelectric ceramic, and is polarized in the length direction that connects the external electrodes 107 and 108.
  • the excitation electrodes 112 and 113 are opposed to each other via the piezoelectric substrate 111 at the center in the length direction of the piezoelectric substrate 111.
  • the facing portions of the excitation electrodes 112 and 113 constitute a vibrating portion to which an electric field is applied during driving, and the piezoelectric resonant element 102 operates as a piezoelectric resonant element utilizing an energy trapping thickness-slip mode.
  • the excitation electrode 112 is electrically connected to the external electrode 107
  • the excitation electrode 113 is electrically connected to the external electrode 108.
  • the acoustic impedance value Z 1S of the reflective layers 103 and 105 is smaller than the acoustic impedance value Z of the piezoelectric substrate 111 and the holding portion
  • the acoustic impedance value Z of the materials 104 and 106 is made smaller. More specifically, here In this case, the reflective layers 103 and 105 are made of epoxy resin, and the holding members 104 and 106 are made of ceramics. Since Z> Z, the piezoelectric resonant element 102 to the reflective layers 103, 10
  • the vibration force propagated to 5 is reflected at the interface between the reflective layers 103 and 105 and the holding members 104 and 106. Therefore, since vibration is confined between the upper and lower interfaces, even if the piezoelectric resonant element 102 is mechanically held by the holding members 104 and 106, it is difficult to affect the vibration of the piezoelectric resonant element 102. ! / Speak.
  • the holding member 106 is made of dielectric ceramics.
  • the capacitive electrodes 114 and 115 are opposed to the upper surface of the holding member 106 with a gap in the center.
  • a capacitive electrode 116 is formed on the lower surface of the holding member 106.
  • the capacitive electrodes 114 and 115 and the capacitive electrode 116 are opposed to each other via the holding member 106, and constitute a three-terminal capacitor.
  • Patent Document 2 discloses a method of manufacturing this type of composite material vibration device.
  • an epoxy resin as a fluid material for forming a reflective layer is applied on a holding substrate constituting the holding member.
  • the vibration element is bonded, and the fluid material is cured by heat to form a reflective layer.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-332875
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-338720
  • the material constituting the reflective layer and the protective layer is not particularly limited, but it is described that an appropriate material capable of achieving the target acoustic impedance values Z and Z is used.
  • Patent Document 2 discloses a structure in which the reflective layer is formed of a cured epoxy resin.
  • thermosetting epoxy resin-based curable composition is cured by heating at around 100 ° C to give a cured product.
  • this cured product has a much larger coefficient of thermal expansion than ceramics. Therefore, when the cured product significantly shrinks due to cooling after curing, the shrinkage occurs at the interface between the reflective layer and the piezoelectric substrate constituting the vibration element. Stress along the surface direction is applied by the spray layer. That is, as schematically shown by arrows A and —A in FIG.
  • the acoustic impedance of the reflection layer By reducing the value Z relatively small,
  • the reflective layers 103 and 105 are made of a cured product of a thermosetting epoxy-resin curable composition, due to shrinkage upon cooling after curing, There is a problem that the stress is generated and the characteristics of the piezoelectric resonant element 102 are deteriorated.
  • the thermal expansion coefficient of the finally obtained reflective layers 103 and 105 is the vibration member.
  • the thermal expansion coefficient is much larger than the material constituting the piezoelectric resonance element 102
  • the stress in the A and -A directions is applied as described above, The characteristics tended to deteriorate.
  • the ambient temperature suddenly increased, stress in the direction opposite to the A and A directions was applied, and the characteristics tended to deteriorate.
  • An object of the present invention has a structure in which an acoustic impedance is relatively low and a plate-like holding member is laminated on a plate-like vibration element via a reflective layer in view of the current state of the related art described above.
  • the vibration characteristic of the composite material vibration device is hardly deteriorated based on the difference between the thermal expansion coefficient of the reflective layer and the thermal expansion coefficient of the material constituting the vibration element. There is to do.
  • the present invention is a composite vibration device having a structure in which a plurality of members having different acoustic impedances are coupled, and using a plate-like body made of a material having a first acoustic impedance value Z1.
  • a plate-like vibration element having an excitation electrode on at least one of the upper surface and the lower surface of the plate-like body, and smaller than the first acoustic impedance value Z1.
  • the thermal expansion coefficient of the reflective layer along the surface direction of the interface between the reflective layer and the vibration element is X
  • the reflective layer and the holding When the thermal expansion coefficient of the holding member along the surface direction of the interface with the material is Y, a) X and Y are of opposite polarity and the absolute value of Y is 4% or less of the absolute value of X, b) X And Y are of the same polarity and Y is 3% or less of or c) Y is 0.
  • the composite material vibration device further includes a plate-like capacitor bonded to a surface opposite to the surface laminated on the reflective layer of the holding member.
  • the plate capacitor includes a dielectric substrate and a plate capacitor including a plurality of capacitance electrodes provided on the dielectric substrate.
  • the vibration element includes an electromechanical coupling conversion element.
  • Examples of the electromechanical coupling conversion element include a piezoelectric element and an electrostrictive element.
  • a plate-like vibration element configured using a plate-like body made of a material having an acoustic impedance value Z1 has a reflection having a material force having an acoustic impedance value Z2.
  • the vibration propagated from the vibration element to the reflection layer is reflected at the interface between the reflection layer and the holding member. Therefore, even if the holding member is used to mechanically support the vibration element, The influence on the dynamic characteristics can be suppressed. Therefore, since a space for not preventing vibration is not required, it is possible to provide a composite material vibration device that is small in size and excellent in mechanical strength.
  • the thermal expansion coefficient along the surface direction of the interface between the reflective layer and the vibrating element is X
  • the thermal expansion coefficient of the holding member along the interface between the holding member and the reflective layer is Y.
  • X and Y are of opposite polarity and the absolute value of Y is 4% or less of the absolute value of X
  • b) X and Y are of the same polarity and Y is 3% or less of X
  • c) Y Therefore, it is possible to suppress deterioration of characteristics due to a difference in thermal expansion coefficient between the reflective layer and the vibration element.
  • the interface between the reflective layer and the vibration element is formed. Stress due to the difference in thermal expansion coefficient is applied.
  • a) X and Y are opposite in polarity and the absolute value of Y is 4% or less of the absolute value of X.
  • the contraction or expansion behavior of the reflective layer is suppressed by the holding member, the contraction or expansion of the reflective layer at the interface between the reflective layer and the vibration element is also suppressed, and the stress at the interface can be reduced. For this reason, the stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the reflective layer and the vibration element is reduced, so that it is possible to reliably suppress the characteristic deterioration due to the difference in thermal expansion coefficient.
  • a holding plate is further provided with a plate-like capacitor adhered to the surface opposite to the surface laminated on the reflective layer, and the plate-like capacitor is provided on the dielectric substrate and the dielectric substrate. If you have a plurality of capacitance electrodes, configure a plate-shaped capacitor! / The dielectric substrate is not directly bonded to the vibration element. In the case of a structure in which a plate-like capacitor is bonded directly to the vibration element, the thermal expansion coefficient of the material constituting the vibration element and the thermal expansion coefficient of the dielectric substrate constituting the plate-like capacitor are I have to make the difference small. This is because peeling occurs at the bonded portion.
  • the plate-like capacitor is directly bonded to the vibration element, it is necessary to form a plate-like capacitor! Coefficient of thermal expansion
  • the vibration element can be selected without being restricted by the thermal expansion coefficient of the material. Accordingly, it is possible to select a wide range of material strengths for the dielectric substrate by placing importance on the characteristics of the capacitor such as the dielectric constant ⁇ and the temperature characteristic of the dielectric constant.
  • the vibration element is an electromechanical coupling conversion element
  • a material vibration device can be easily provided.
  • FIG. 1 (a) and FIG. 1 (b) are a front sectional view and a perspective view showing an external appearance of a composite material vibration device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2 (a) and 2 (b) are a plan view and a bottom view of a piezoelectric resonance element used in the composite material vibration device of the first embodiment.
  • FIG. 3 (a) is a diagram showing the change of the phase angle maximum value ⁇ in the phase frequency characteristic when the thermal expansion coefficient of the holding member is changed in the piezoelectric resonator of the first embodiment.
  • Figure 3 (b) shows the result of rewriting the result of (a) with the horizontal axis as YZX (%).
  • Figures 4 (a) and 4 (b) show the stress applied to the piezoelectric resonant element by the finite element method when the thermal expansion coefficient of the holding member is 9.3ppmZ ° C and -0.4ppmZ ° C. It is each figure which shows typically the result.
  • FIG. 5 is a schematic front perspective view showing a laminated piezoelectric resonance apparatus as a composite material vibration apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a perspective view showing a modification of the multilayer piezoelectric resonator according to the second embodiment.
  • FIG. 7 (a) and FIG. 7 (b) are a front sectional view and an external perspective view of a conventional composite material vibration device.
  • FIGS. 1 (a) and 1 (b) are a front sectional view and a perspective view showing an appearance of a laminated piezoelectric resonator as a composite material vibration device according to an embodiment of the present invention.
  • the piezoelectric resonance apparatus 1 has a plate-like piezoelectric resonance element 2.
  • a first reflective layer 3 is laminated on the upper surface of the plate-like piezoelectric resonator element 2, and a second reflective layer 5 is laminated on the lower surface.
  • a first holding member 4 and a second holding member 6 are laminated on the surface of the reflective layers 3 and 5 opposite to the side laminated on the piezoelectric resonance element 2.
  • a first external electrode 7 is formed on one end face of the laminate composed of the reflective layers 3 and 5 and the holding members 4 and 6 and the second external electrode 8 is formed on the other end face of the piezoelectric resonant element 2. Speak.
  • the plate-like piezoelectric resonance element 2 has a rectangular plate-like piezoelectric plate 11. As shown in FIG. 2A, a first excitation electrode 12 is formed on the upper surface of the piezoelectric plate 11. Figure 2 (b) shows the plane. As shown in the figure, a second excitation electrode 13 is formed on the lower surface of the piezoelectric plate 11.
  • the excitation electrodes 12 and 13 are not particularly limited, but in the present embodiment, the excitation electrodes 12 and 13 are formed of a laminated metal film in which three layers of a chromium thin film, a monel thin film, and a silver thin film are sequentially laminated.
  • the piezoelectric plate 11 has an elongated, rectangular plate shape, that is, a strip shape. In this embodiment, the piezoelectric plate 11 also has a lead zirconate titanate-based piezoelectric ceramic force and is polarized in the length direction.
  • the acoustic impedance value Z1 of the piezoelectric plate 11 is 2.87 ⁇ 10 7 kg / (m 2 s).
  • the piezoelectric plate 11 may be composed of other piezoelectric ceramics or a piezoelectric single crystal.
  • the excitation electrodes 12 and 13 are formed to reach the entire width of the piezoelectric plate 11. However, the excitation electrodes 12 and 13 do not necessarily have to reach the full width of the piezoelectric plate 11.
  • the excitation electrodes 12 and 13 are opposed to each other via the piezoelectric plate 11 in the center in the length direction of the piezoelectric plate 11.
  • This opposed portion is a vibrating portion to which a voltage is applied during driving. Vibration attenuating portions are formed on both sides of the vibration portion in the length direction of the piezoelectric plate 11. That is, the piezoelectric resonance element 2 is an energy confinement type piezoelectric resonance element using a thickness shear mode.
  • the reflective layers 3 and 5 are made of a cured product of an epoxy resin composition, and the acoustic impedance value Z2 is 2.80 X 10 6 kg / (m 2 s). .
  • the thermal expansion coefficient X of the reflective layers 3 and 5 in the direction along the interface between the reflective layers 3 and 5 and the piezoelectric resonant element 2 is 50 ppm Z ° C.
  • the first and second holding members 4 and 6 are made of lead titanate-based insulating ceramics, and the acoustic impedance value Z3 thereof is 3. 43 X 10 7 kgZ (m 2 s), and the thermal expansion coefficient Y in the direction along the interface between the holding members 4 and 6 and the reflective layers 3 and 5 is 0.4 ppm Z ° C.
  • the excitation electrode 12 is drawn out to one end face of the laminate, and is electrically connected to the first external electrode 7.
  • the excitation electrode 13 is drawn out to the other end face of the laminate, and is electrically connected to the second external electrode 8.
  • the external electrodes 7 and 8 are each composed of a laminated metal film in which three layers of a nichrome thin film, a nickel plating film, and a sparrow film are sequentially laminated. Further, the external electrodes 7 and 8 are provided on the lower surface of the laminated body, that is, the lower holding member 6 for mounting on a circuit board or the like. It is extended to reach the bottom of!
  • the material constituting the external electrodes 7, 8 is not particularly limited. Further, the extension portions 7a and 8a are not necessarily provided.
  • the characteristics of the piezoelectric resonator 1 of the present embodiment are that the acoustic impedance value Z2 is smaller than the acoustic impedance value Z1 and smaller than Z3, and the polarity of the thermal expansion coefficient Y is
  • the polarity of the thermal expansion coefficient X is opposite, and the absolute value of Y is 4% or less of the absolute value of X.
  • the acoustic impedance value Z2 is smaller than the acoustic impedance values Z1 and Z3, even if the vibration generated in the piezoelectric resonant element 2 propagates to the reflective layers 3 and 5, the reflection layer 3 and the holding member 4 Reflected by the interface and the interface between the reflective layer 5 and the holding member 6. Therefore, even if the holding members 4 and 6 are mechanically supported, it is difficult to affect the vibration characteristics of the piezoelectric resonant element 2 due to the support structure.
  • the thermal expansion coefficient of the piezoelectric plate 11 of the piezoelectric resonant element 2 and the thermal expansion of the reflective layers 3 and 5 Deterioration of resonance characteristics due to coefficient difference is also unlikely to occur. That is, for example, when the ambient temperature changes abruptly, or when the material constituting the reflective layers 3 and 5 is a thermosetting adhesive, and shrinkage occurs upon cooling after the adhesive is cured, As described above, the thermal expansion coefficient X of the cured product of the epoxy adhesive is 1.18 ppm / ° C, which is the thermal expansion coefficient of the lead zirconate titanate ceramics constituting the piezoelectric plate 11. Much larger than the value. Therefore, stress in the A, —A direction or in the opposite direction in FIG. 1 is generated at the interface between the piezoelectric resonator element 2 and the reflective layers 3 and 5.
  • the polarity of Y is different from the polarity of X, and the absolute value of Y is 4% or less of the absolute value of X.
  • the holding members 4 and 6 exist outside the reflective layers 3 and 5, and the holding members 4 and 6 try to expand or contract contrary to the reflective layers 3 and 5. That is, the contraction or expansion on the outer surfaces of the reflective layers 3 and 5 is offset by the expansion or contraction of the holding members 4 and 6. For this reason, the shrinkage or expansion of the reflective layers 3 and 5 is suppressed, and as a result, the stress at the interface between the reflective layers 3 and 5 and the piezoelectric plate 11 is reduced. Therefore, the reflective layers 3 and 5 As described above, when composed of a cured product of a curable composition of epoxy resin, it is possible to suppress the influence of shrinkage upon cooling after curing.
  • the piezoelectric plate 11 is made of a lead zirconate titanate ceramic and has a length of 1.8 mm.
  • Excitation electrodes 12 and 13 were formed on both sides.
  • the excitation electrodes 12 and 13 were formed by sequentially sputtering three layers of -chrome, monel, and silver, and the dimension of the opposing region of the excitation electrodes 12 and 13 was 0.4 mm X O.5 mm. In this way, a piezoelectric resonant element 2 having a designed resonant frequency of 13 MHz was manufactured.
  • An epoxy resin-based curable composition is applied to the upper and lower surfaces of the piezoelectric resonator element 2, and in the semi-cured state, holding members 4 and 6 are laminated via the curable composition,
  • the curable composition was cured by heating to a temperature of 100 ° C. to form the reflective layers 3 and 5. That is, the curable composition was cured, and the piezoelectric resonance element 2 and the holding members 4 and 6 were bonded to each other by the reflective layers 3 and 5 by the adhesive force of the cured product. After tightening, it was cooled to room temperature.
  • the dimensions of the reflective layers 3 and 5 formed as described above are 1.8 mm X O. 5 mm X thickness 0.02 mm, and the acoustic impedance value Z2 is 2. 80 X 10 6 kg / (m 2 s), and the coefficient of thermal expansion X along the surface direction is 50 ppmZ ° C.
  • the dimensions of the holding members 4 and 6 used were 1.8 mm X O. 5 mm X thickness 0.06 mm, and the acoustic impedance value Z3 was 3.43 X 10 7 kg / (m 2 s).
  • the coefficient of thermal expansion Y is -0.4p pmZ ° C.
  • the laminated piezoelectric resonance device 1 of the present embodiment thus obtained and the materials constituting the holding members 4 and 6 are variously changed, and the thermal expansion coefficient along the surface direction of the holding members 4 and 6 is changed.
  • a plurality of types of piezoelectric resonators were fabricated in the same manner as described above except that Y was changed.
  • the phase and frequency characteristics were measured, and the maximum phase angle ⁇ was measured.
  • the phase angle maximum value ⁇ is the design resonance in the piezoelectric resonator 1 of this embodiment. This is the maximum phase value near the frequency of 13 MHz.
  • the phase maximum value ⁇ in the phase frequency characteristic is large! /, Indicating that a better resonance characteristic can be obtained.
  • FIG. 3 (b) is a result of rewriting the result of FIG. 3 (a) with the horizontal axis of FIG. 3 (a) as YZX (%).
  • YZX the horizontal axis of FIG. 3 (a) as YZX (%).
  • FIGS. 4 (a) and 4 (b) indicate compression stress and tensile stress, respectively. The longer the length, the greater the stress. Show.
  • the stress due to the difference in thermal expansion coefficient applied to the piezoelectric resonant element 2 is very small.
  • the piezoelectric resonator element 2 and the reflective layers 3 and 5 This is thought to be due to a large stress applied to the interface.
  • the thermal expansion coefficient Y of the holding members 4 and 6 is a negative value or smaller than 2 ppm / ° C, the holding members 4 and 6 act to suppress the shrinkage of the reflective layers 3 and 5. It is considered that the stress is reduced and good resonance characteristics are obtained.
  • the thermal expansion coefficient Y of the holding members 4 and 6 is equal to the thermal expansion coefficient of the piezoelectric plate 11 constituting the piezoelectric resonance element 2. If the polarity is reversed and the absolute value of Y is 4% or less of the absolute value of X, or if the polarity is the same, the holding member is compared to the thermal expansion coefficient X of the reflective layers 3 and 5.
  • the thermal expansion coefficient Y of 4 and 6 sufficiently small to be 3% or less of, more specifically, by setting Y to zero or near zero, it is possible to achieve good resonance characteristics as described above. Recognize. Therefore, Y may be zero.
  • the reflective layers 3 and 5 are composed of a cured product of an epoxy resin-based curable composition, and the cured product is cured by heating the curable composition. It was. Therefore, the stress was generated by shrinkage after curing.
  • the piezoelectric resonator device 1 of the present embodiment is not limited to the one using the reflective layer formed by being cured by heating. That is, even when the reflective layer made of a material other than the thermosetting material is configured, for example, when the ambient temperature of the obtained piezoelectric resonator 1 changes rapidly, the thermal expansion coefficient of the reflective layer and the piezoelectric element are configured. In the case where the thermal expansion coefficient of the piezoelectric plate greatly differs, the same problem occurs. Therefore, even in such a case, the thermal expansion coefficient Y of the holding member is opposite to the thermal expansion coefficient X of the material constituting the reflective layer, and the absolute value of Y is 4% or less of the absolute value of X.
  • the reflective layer may be formed of a cured product cured by light irradiation, for example, a photocured epoxy resin cured product. Further, the reflective layer may be composed of a material other than a cured product of the curable material, and may be composed of a resin material other than epoxy, or other organic or inorganic material.
  • the holding members 4 and 6 may also be formed of a material other than ceramics, such as other ceramics, as long as the thermal expansion coefficient relationship and the acoustic impedance relationship are satisfied.
  • FIG. 5 is a perspective view showing a stacked piezoelectric resonance device as a composite material vibration device according to the second embodiment of the present invention.
  • the excitation electrode 12A is electrically connected to the external electrode 8
  • the excitation electrode 13A is electrically connected to the external electrode 7, and the reflective layers 3A, 5A
  • the thickness of the first capacitor is less than that of the reflective layers 3 and 5, and the plate-like capacitor element 23 is laminated on the lower surface of the lower holding member with the adhesive layer 22 interposed therebetween.
  • the configuration is the same as that of the piezoelectric resonator 1 of the embodiment. Accordingly, the same parts are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • a plate-like capacitor element 23 is laminated via an adhesive layer 22 having an appropriate adhesive force such as an epoxy adhesive.
  • the plate-shaped capacitor element 23 has a rectangular plate-shaped dielectric substrate 24.
  • the outer end of the capacitive electrode 25 is connected to the external electrode 7, and the outer end of the capacitive electrode 26 is connected to the external electrode 8.
  • a capacitor electrode 27 is formed at the center of the lower surface of the dielectric substrate 24 so as to face the capacitor electrodes 25, 26 via the dielectric substrate 24.
  • the capacitive electrode 27 functions to extract capacitance between the capacitive electrodes 25 and 26 that merely act as a terminal electrode when the piezoelectric resonator 21 is mounted on the circuit board.
  • the plate-like capacitor element 23 is a three-terminal capacitor element having the capacitance electrodes 25 and 26 and the terminal electrode 27.
  • the capacitor element 23 is bonded to the lower surface of the holding member 6.
  • the material constituting the dielectric substrate can be selected from a wide range. In other words, in the structure in which the dielectric substrate 24 is directly bonded to the piezoelectric resonant element 2 ⁇ , if the difference in thermal expansion coefficient between the two is too large, there is a possibility that peeling occurs due to a change in ambient temperature. Therefore, the selection range of the dielectric substrate material constituting the capacitor is narrow.
  • the dielectric substrate 24 is bonded to the lower surface of the holding member 6 via the adhesive layer 22, so that the dielectric material constituting the dielectric substrate 24 is piezoelectric. Selection can be made without any restriction on the value of the thermal expansion coefficient of the piezoelectric plate 11 constituting the resonant element 2. Therefore, the plate-like capacitor element 23 can be formed using a dielectric material that is necessary and optimal for forming a built-in capacitor type piezoelectric resonance element.
  • FIG. 6 is a perspective view showing a piezoelectric resonator device according to a modification of the piezoelectric resonator device 21 of the second embodiment.
  • the piezoelectric resonance device 31 is provided with the fact that the reflection layer 3 and the holding member 4 provided above the piezoelectric resonance element 2 are not provided, and that the coating film 32 is provided on the upper surface of the piezoelectric resonance element 2. Except for this, the configuration is the same as that of the piezoelectric plate 21 of the second embodiment.
  • the holding member 6 may be laminated only on one surface side of the vibration member via the reflective layer 5 ⁇ .
  • the coating film 32 is provided to protect the upper surface of the piezoelectric resonator element 2 and can be made of an appropriate material that performs such a protective action. Examples of such a material include an appropriate insulating material.
  • the present invention is not limited to the above-described multilayer piezoelectric resonator, and is widely applied to the multilayer composite vibration device using a plate-like resonant element other than the piezoelectric resonant element. can do. Therefore, instead of the plate-like piezoelectric resonant elements 2 and 2A, a plate-like vibration element other than an electromechanical coupling conversion element such as an electrostrictive element may be used. .

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Abstract

 振動を妨げないための空間を必要としない小型でかつ機械的強度に優れた構造を有し、しかも、製造時あるいは周囲温度変化時の構成部材間の熱膨張係数差に起因する特性の変動が生じ難い複合材料振動装置を提供する。  音響インピーダンス値Z1の材料を用いて構成された板状の圧電共振素子2に、音響インピーダンス値Z2を有する材料からなる反射層3,4を介して音響インピーダンス値Z3を有する材料からなる板状の保持部材5,6が積層されており、Z2<Z1かつZ2<Z3であり、反射層3,4の面方向に沿う熱膨張係数をX、保持部材の面方向に沿う熱膨張係数をYとしたときに、YとXとが逆極性かつYの絶対値がXの絶対値の4%以下、YとXとが同極性かつYがXの3%以下、またはY=約0とされている複合材料振動装置1。

Description

明 細 書
複合材料振動装置
技術分野
[0001] 本発明は、音響インピーダンスが異なる複数の材料部分が連結されてなる複合材 料振動装置に関し、より詳細には、圧電素子などの振動素子に、音響インピーダンス が異なる複数の材料層が積層されている積層型の複合材料振動装置に関する。 背景技術
[0002] 圧電共振装置ゃ圧電フィルタ装置などの小型化を図るために、これらに使用されて V、る圧電素子に、音響インピーダンスが異なる複数の材料層を連結してなる複合材 料振動装置が知られている。
[0003] 例えば、下記の特許文献 1には、図 7 (a)及び (b)に示す複合材料振動装置が開 示されている。複合材料振動装置 101では、板状の圧電共振素子 102が振動素子と して用いられている。圧電共振素子 102の上面には、反射層 103を介して保持部材 104が積層されている。圧電共振素子 102の下面には、反射層 105を介して保持部 材 106が積層されている。これらの部材が積層されている積層体の一方の端面に外 部電極 107が、他方の端面に外部電極 108が形成されている。
[0004] 圧電共振素子 102では、板状の圧電基板 111の上面に励振電極 112が、下面に 励振電極 113が形成されている。圧電基板 111は、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セ ラミックスカゝらなり、外部電極 107, 108を結ぶ方向である長さ方向に分極処理されて いる。励振電極 112, 113は圧電基板 111の長さ方向中央で圧電基板 111を介して 対向している。励振電極 112, 113の対向している部分が駆動に際して電界が加え られる振動部を構成しており、圧電共振素子 102は、エネルギー閉じ込め型の厚み 滑りモードを利用した圧電共振素子として動作する。励振電極 112は外部電極 107 に、励振電極 113は外部電極 108に電気的に接続されている。
[0005] 特許文献 1に記載の複合材料振動装置 101では、反射層 103, 105の音響インピ 一ダンス値 Z 1S 圧電基板 111の音響インピーダンス値 Zよりも小さぐかつ保持部
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材 104, 106の音響インピーダンス値 Zよりも小さくされている。より具体的には、ここ では、反射層 103, 105はエポキシ系榭脂からなり、保持部材 104, 106はセラミック スにより構成されている。 Z >Zであるため、圧電共振素子 102から反射層 103, 10
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5に伝播してきた振動力 反射層 103, 105と保持部材 104, 106との界面において 反射される。従って、上下の界面間に振動が閉じ込められるため、圧電共振素子 10 2を保持部材 104, 106において機械的に保持したとしても、圧電共振素子 102の振 動に影響を与え難!ヽとされて!/ヽる。
[0006] なお、複合材料振動装置 101では、上記保持部材 106は、誘電体セラミックスによ り構成されている。そして、保持部材 106の上面に、容量電極 114, 115が、中央に おいてギャップを隔てて対向されている。また、保持部材 106の下面には、容量電極 116が形成されている。容量電極 114, 115と、容量電極 116とは保持部材 106を介 して対向しており、三端子型のコンデンサを構成している。
[0007] また、下記の特許文献 2には、この種の複合材料振動装置の製造方法が開示され ている。ここでは、保持部材を構成する保持基板上に、反射層形成用の流動性材料 としてのエポキシ榭脂が塗布されている。次に、振動素子を貼り合わせるとともに、上 記流動性材料が熱により硬化させて反射層が形成されている。
特許文献 1:特開 2003 - 332875号公報
特許文献 2:特開 2003 - 338720号公報
発明の開示
[0008] 特許文献 1では、上記反射層や保護層を構成する材料は特に限定されないが、目 的とする音響インピーダンス値 Z , Zを達成し得る適宜の材料が用いられる旨が段落
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番号 0046において記載されている。具体的な例としては、エポキシ榭脂からなる反 射層及びセラミックス力 なる保護層が示されている。
[0009] また、特許文献 2には、上記反射層をエポキシ榭脂の硬化物により形成した構造が 開示されている。
[0010] ところで、一般に、熱硬化型のエポキシ榭脂系硬化性組成物は、 100°C前後に加 熱することにより硬化され、硬化物を与える。他方、この硬化物は、セラミックスに比べ て熱膨張係数がはるかに大きい。従って、硬化後の冷却により、硬化物が大きく収縮 すると、反射層と、振動素子を構成している圧電基板との界面において、収縮する反 射層により面方向に沿う応力が加わることになる。すなわち、図 7において矢印 A, — Aで略図的に示すように、反射層 103, 105の主面の面積が小さくなるように反射層 103, 105が収縮すると、矢印 A, — A方向の応力が圧電基板 111の表面にカ卩わるこ とになる。そのため、上記応力により、圧電共振素子 102の特性が変動するという問 題があった。
[0011] 複合材料振動装置 101のように、音響インピーダンスが相対的に低い反射層 103, 105を介して保持部材 104, 106を積層した積層型の複合材料振動装置 101では、 反射層の音響インピーダンス値 Zを相対的に小さくすることにより、保持部材におい
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て機械的に支持したとしても、圧電共振素子 102の振動が影響を受け難いとされて いた。
[0012] し力しながら、実際には、上記反射層 103, 105を熱硬化型のエポキシ榭脂系硬化 性組成物の硬化物により構成した場合には、硬化後の冷却に際しての収縮により、 上記応力が生じ、圧電共振素子 102の特性が劣化するという問題があった。
[0013] また、反射層 103, 105が、熱硬化型の硬化性組成物を用いずに構成されている 場合においても、最終的に得られた反射層 103, 105の熱膨張係数が振動部材であ る圧電共振素子 102を構成している材料の熱膨張係数よりもはるかに大きい場合に は、周囲温度が低下した場合には、やはり上記と同様に A, —A方向の応力が加わり 、特性が劣化しがちであった。あるいは、逆に周囲温度が急激に上昇した場合には、 A, — A方向とは逆方向の応力が加わり、やはり特性が劣化しがちであった。
[0014] 本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、音響インピーダンスが相対的 に低 、反射層を介して板状の保持部材を板状の振動素子に積層した構造を有し、し カゝも、反射層の熱膨張係数と、振動素子を構成している材料の熱膨張係数との差に 基づく複合材料振動装置の振動特性の劣化が生じ難 ヽ、複合材料振動装置を提供 することにある。
[0015] 本発明は、音響インピーダンスが異なる複数の部材が結合されている構造を有する 複合材料振動装置であって、第 1の音響インピーダンス値 Z1を有する材料カゝらなる 板状体を用いて構成されており、かつ前記板状体の上面及び下面の少なくとも一方 に励振電極が備えられた板状の振動素子と、第 1の音響インピーダンス値 Z1よりも小 さい第 2の音響インピーダンス値 Z2を有する材料力 なり、かつ前記振動素子の上 面及び下面の少なくとも一方に積層された反射層と、前記第 2の音響インピーダンス 値 Z2よりも大きな第 3の音響インピーダンス値 Z3を有する材料カゝらなり、前記反射層 の前記振動素子が積層されている側とは反対側の面に積層された板状の保持部材 と、前記振動素子、反射層及び保持部材からなる積層体の表面に設けられており、 かつ前記励振電極に電気的に接続された外部電極とを備え、前記反射層と前記保 持部材との界面において、前記振動素子から反射層に伝播してきた振動が反射され るように構成されている、複合材料振動装置において、前記反射層と前記振動素子 との界面の面方向に沿う前記反射層の熱膨張係数を X、前記反射層と前記保持部 材との界面の面方向に沿う前記保持部材の熱膨張係数を Yとしたときに、 a)Xと Yと が逆極性かつ Yの絶対値が Xの絶対値の 4%以下、 b) Xと Yとが同極性かつ Yが の 3%以下、または c)Yが 0のいずれかとされていることを特徴とする。
[0016] 本発明に係る複合材料振動装置のある特定の局面では、前記保持部材の前記反 射層に積層されている面とは反対側の面に接着された板状のコンデンサをさらに備 え、該板状のコンデンサが、誘電体基板と、該誘電体基板に設けられた複数の容量 電極とを備える板状のコンデンサが接着されている。
[0017] 本発明に係る複合材料振動装置では、好ましくは、上記振動素子は電気機械結合 変換素子で構成されている。
[0018] 上記電気機械結合変換素子としては、例えば、圧電素子または電歪素子が挙げら れる。
[0019] 本発明に係る複合材料振動装置では、音響インピーダンス値 Z1を有する材料から なる板状体を用いて構成された板状の振動素子に、音響インピーダンス値 Z2を有す る材料力もなる反射層が積層されており、反射層の振動素子が積層されている側と は反対側の面に、音響インピーダンス値 Z2よりも大きな音響インピーダンス値 Z3を 有する材料カゝらなる板状の保持部材が積層されている。
[0020] 従って、特許文献 1に記載の複合材料振動装置の場合と同様に、振動素子から反 射層に伝播してきた振動が、反射層と保持部材との界面において反射される。従つ て、保持部材を利用して機械的に支持したとしても、支持構造による振動素子の振 動特性への影響を抑制することができる。よって、振動を妨げないための空間を必要 としないので、小型で、機械的強度に優れた複合材料振動装置を提供することがで きる。
[0021] 力!]えて、本発明では、反射層の振動素子との界面の面方向に沿う熱膨張係数を X とし、保持部材と反射層との界面に沿う保持部材の熱膨張係数を Yとしたときに、 a)X と Yとが逆極性かつ Yの絶対値が Xの絶対値の 4%以下、 b)X及び Yが同極性かつ Y が Xの 3%以下、または c)Y力^のいずれかとされているため、反射層と振動素子との 熱膨張係数差による特性の劣化を抑制することができる。
[0022] すなわち、例えば反射層が形成される際に冷却により反射層が大きく収縮した場合 、あるいは周囲温度が急激に変化し反射層が収縮もしくは膨張した場合、反射層と 振動素子との界面に該熱膨張係数差に起因する応力が加わることになる。しかしな がら、 a) Xと Yとが逆極性かつ Yの絶対値が Xの絶対値の 4%以下とされており、 b)同 極性でありかつ Yが Xの 3%以下、または c)Y力^のいずれかとされているため、反射 層の振動素子が積層されている側とは反対側の面においては、反射層の収縮もしく は膨張が、上記保持部材により抑制されることになる。よって、反射層の収縮もしくは 膨張挙動が保持部材により抑制されるため、反射層の振動素子との界面における反 射層の収縮もしくは膨張も抑制され、上記界面における応力を小さくすることができる 。そのため、反射層と振動素子との熱膨張係数差に起因する上記応力が小さくされ るため、該熱膨張係数差に起因する特性劣化を確実に抑制することが可能となる。
[0023] 保持部材の反射層に積層されて ヽる面とは反対側の面に接着された板状のコンデ ンサをさらに備え、該板状のコンデンサが誘電体基板と、誘電体基板に設けられた複 数の容量電極とを有する場合には、板状のコンデンサを構成して!/、る誘電体基板は 振動素子と直接には貼り合わされていない。振動素子に板状のコンデンサが直接貼 り合わされた構造の場合には、振動素子を構成している材料の熱膨張係数と、板状 のコンデンサを構成している誘電体基板の熱膨張係数の差を小さくしなければなら な 、。接着部分における剥がれの発生等が生じるからである。
[0024] これに対して、本発明では上記のように板状のコンデンサは振動素子に直接貼り合 わされて ヽな ヽため、板状のコンデンサを構成して!/ヽる誘電体基板の熱膨張係数を 、振動素子を構成して 、る材料の熱膨張係数に制約されずに選択することができる。 従って、誘電率 εの大きさや誘電率温度特性などのコンデンサとしての特性を重視 して、誘電体基板を広 、範囲の材料力も選択することが可能となる。
[0025] よって、例えば容量内蔵型の発振子を構成する場合、必要な静電容量を、上記板 状のコンデンサにより容易に構成することができる。
[0026] 上記振動素子が電気機械結合変換素子である場合には、本発明に従って、指示 構造を簡略ィ匕することができ、し力も周囲の温度変化等による特性の変動が生じ難 V、複合材料振動装置を容易に提供することができる。
図面の簡単な説明
[0027] [図 1]図 1 (a)及び (b)は、本発明の第 1の実施形態に係る複合材料振動装置の正面 断面図及び外観を示す斜視図である。
[図 2]図 2 (a)及び (b)は、第 1の実施形態の複合材料振動装置で用いられている圧 電共振素子の平面図及び底面図である。
[図 3]図 3 (a)は、第 1の実施形態の圧電共振装置において、保持部材の熱膨張係数 を変更した場合の位相 周波数特性における位相角最大値 Θ の変化を示す図、 max
及び図 3 (b)は、(a)の結果を横軸を YZX (%)として書き換えた内容を示す。
[図 4]図 4 (a)及び (b)は、保持部材の熱膨張係数が 9. 3ppmZ°C及び—0. 4ppm Z°Cの場合における圧電共振素子に加わる応力を有限要素法で解析した結果を模 式的に示す各図である。
[図 5]図 5は、本発明の第 2の実施形態に係る複合材料振動装置としての積層型圧 電共振装置を示す模式的正面斜視図である。
[図 6]図 6は、第 2の実施形態の積層型の圧電共振装置の変形例を示す斜視図であ る。
[図 7]図 7 (a)及び (b)は、従来の複合材料振動装置の正面断面図及び外観斜視図 である。
符号の説明
[0028] 1…圧電共振装置
2, 2A…圧電共振素子 3, 5…反射層
3A, 5Α· ··反射層
4, 6…保持部材
7, 8…外部電極
7a, 8a…延長部
11…圧電板
12, 13· ··励振電極
12A, 13A…励振電極
21· ··圧電共振装置
22…接着層
23…コンデンサ素子
24…誘電体基板
25, 26, 27· ··容量電極
31· ··圧電共振装置
32…コーティング層
発明を実施するための最良の形態
[0029] 以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明 を明らかにする。
[0030] 図 1 (a)及び (b)は、本発明の一実施形態に係る複合材料振動装置としての積層 型圧電共振装置を示す正面断面図及び外観を示す斜視図である。
[0031] 圧電共振装置 1は、板状の圧電共振素子 2を有する。板状の圧電共振素子 2の上 面には、第 1の反射層 3,下面には第 2の反射層 5が積層されている。反射層 3, 5の 圧電共振素子 2に積層されている側とは反対側の面には、第 1の保持部材 4及び第 2の保持部材 6が積層されている。上記圧電共振素子 2に、反射層 3, 5及び保持部 材 4, 6からなる積層体の一方の端面に第 1の外部電極 7が、他方の端面に第 2の外 部電極 8が形成されて ヽる。
[0032] 板状の圧電共振素子 2は、矩形板状の圧電板 11を有する。図 2 (a)に示すように、 圧電板 11の上面には、第 1の励振電極 12が形成されている。また、図 2 (b)に平面 図で示すように、圧電板 11の下面には、第 2の励振電極 13が形成されている。励振 電極 12, 13は、特に限定されないが、本実施形態では-クロム薄膜、モネル薄膜、 銀薄膜の 3層を順に積層してなる積層金属膜からなる。
[0033] 圧電板 11は、細長 、矩形板状の形状、すなわちストリップ状の形状を有する。この 圧電板 11は、本実施形態では、チタン酸ジルコン酸鉛系圧電セラミックス力もなり、 長さ方向に分極処理されている。圧電板 11の音響インピーダンス値 Z1は 2. 87 X 1 07kg/ (m2s)である。なお、圧電板 11は、他の圧電セラミックスや圧電単結晶により 構成されてもよい。
[0034] 励振電極 12, 13は、圧電板 11の全幅に至るように形成されている。もっとも、励振 電極 12, 13は、圧電板 11の全幅に至る必要は必ずしもない。
[0035] 励振電極 12, 13は、圧電板 11の長さ方向中央において、圧電板 11を介して対向 している。この対向部分が駆動に際して電圧が印加される振動部である。この振動部 の、圧電板 11の長さ方向両側に振動減衰部が構成されている。すなわち、圧電共振 素子 2は、厚み滑りモードを利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共振素子である。
[0036] 反射層 3, 5は、本実施形態では、エポキシ榭脂系組成物の硬化物からなり、その 音響インピーダンス値 Z2は 2. 80 X 106kg/ (m2s)とされている。上記反射層 3, 5の 圧電共振素子 2との界面に沿う方向における反射層 3, 5の熱膨張係数 Xは 50ppm Z°Cである。
[0037] 他方、第 1,第 2の保持部材 4, 6は、本実施形態では、チタン酸鉛系絶縁性セラミツ タスからなり、その音響インピーダンス値 Z3は、 3. 43 X 107kgZ(m2s)であり、該保 持部材 4, 6の反射層 3, 5との界面に沿う方向における熱膨張係数 Yは 0. 4ppm Z°Cである。
[0038] 励振電極 12は、上記積層体の一方端面に引き出されており、第 1の外部電極 7に 電気的に接続されている。他方、励振電極 13は、上記積層体の他方端面に引き出 されており、第 2の外部電極 8に電気的に接続されて!、る。
[0039] 外部電極 7, 8は、本実施形態では、ニクロム薄膜、ニッケルめっき膜及びすずめつ き膜の 3層を順に積層してなる積層金属膜により構成されている。また、外部電極 7, 8は、回路基板などへ実装するために、積層体の下面、すなわち下方の保持部材 6 の下面に至るように延長されて!、る。
[0040] なお、外部電極 7, 8を構成する材料は特に限定されない。また、延長部 7a, 8aは 必ずしも設けられずともよい。
[0041] 本実施形態の圧電共振装置 1の特徴は、音響インピーダンス値 Z2が、音響インピ 一ダンス値 Z1より小さくかつ Z3よりも小さいこと、並びに上記熱膨張係数 Yの極性と
、熱膨張係数 Xの極性とが逆であり、かつ Yの絶対値が Xの絶対値の 4%以下とされ ていることにある。
[0042] 音響インピーダンス値 Z2が、音響インピーダンス値 Z1及び Z3より小さ 、ため、圧電 共振素子 2に生じた振動が反射層 3, 5に伝播してきたとしても、反射層 3と保持部材 4との界面及び反射層 5と保持部材 6との界面により反射される。従って、保持部材 4 , 6を機械的に支持したとしても、支持構造により圧電共振素子 2の振動特性に影響 を与え難い。
[0043] カロえて、上記熱膨張係数 Yの極性と、熱膨張係数 Xとの極性が逆であるため、圧電 共振素子 2の圧電板 11の熱膨張係数と反射層 3, 5との熱膨張係数差に起因する共 振特性の劣化も生じ難い。すなわち、例えば、周囲温度が急激に変化した場合や、 反射層 3, 5を構成する材料を熱硬化型接着剤とし、該接着剤の硬化後の冷却に際 しての収縮が生じた場合、前述したように、エポキシ系接着剤の硬化物の熱膨張係 数 Xは、圧電板 11を構成して ヽるチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスの熱膨張係数 である一 1. 8ppm/°Cの値よりもはるかに大きい。従って、図 1の A, — A方向あるい はその逆方向の応力が、圧電共振素子 2と反射層 3, 5との界面において生じることと なる。
[0044] しカゝしながら、本実施形態では、 Yの極性と Xとの極性が異なり、かつ Yの絶対値が Xの絶対値の 4%以下であるため、反射層 3, 5が温度変化により収縮したり膨張した りする場合、反射層 3, 5の外側に保持部材 4, 6が存在し、保持部材 4, 6が反射層 3 , 5とは逆に膨張もしくは収縮しょうとする。すなわち反射層 3, 5の外側面において収 縮もしくは膨張が、保持部材 4, 6の膨張もしくは収縮により相殺されることになる。そ のため、反射層 3, 5の収縮もしくは膨張が抑制され、ひいては反射層 3, 5と圧電板 1 1の界面における上記応力が軽減されることになる。従って、反射層 3, 5を例えば上 記のようにエポキシ榭脂の硬化性組成物の硬化物により構成した場合、硬化後の冷 却に際しての収縮による影響を抑制することができる。
[0045] また、圧電共振装置 1作製した後に、周囲の温度が急激に変化した場合も、圧電板 11の熱膨張係数と、反射層 3, 5の熱膨張係数との差に基づく応力による特性の変 動を効果的に抑制することができる。これを具体的な実験例に基づき説明する。
[0046] 上記圧電板 11として、チタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスからなり、長さ 1. 8mm
X幅 0. 5mm X厚み 0. 09mmであり、音響インピーダンス値 Z1が 2. 87 X 107kg/ (m2s )、面方向の熱膨張係数が— 1. 8ppmZ°Cである圧電板 11の両面に励振電 極 12, 13を形成した。励振電極 12, 13は-クロム、モネル、銀の 3層を順にスパッタ リングすることにより形成し、励振電極 12, 13の対向領域の寸法は 0. 4mm X O. 5m mとした。このようにして、設計共振周波数が 13MHzである圧電共振素子 2を作製し た。
[0047] 該圧電共振素子 2の上面及び下面に、エポキシ榭脂系硬化性組成物を塗布し、半 硬化状態の段階で、該硬化性組成物を介して保持部材 4, 6を積層し、 100°Cの温 度に加熱し、硬化性組成物を硬化させ反射層 3, 5を形成した。すなわち、硬化性組 成物を硬化させ、該硬化物の接着力により、圧電共振素子 2と、保持部材 4, 6とを、 反射層 3, 5により接着した。し力る後、室温まで冷却した。
[0048] なお、上記のようにして形成された反射層 3, 5の寸法は 1. 8mm X O. 5mm X厚さ 0. 02mmであり、音響インピーダンス値 Z2は 2. 80 X 106kg/ (m2s )であり、面方 向に沿う熱膨張係数 Xは 50ppmZ°Cである。
[0049] また、使用した保持部材 4, 6の寸法は 1. 8mm X O. 5mm X厚み 0. 06mmであり 、その音響インピーダンス値 Z3は 3. 43 X 107kg/ (m2s )、熱膨張係数 Yは— 0. 4p pmZ°Cである。
[0050] このようにして得られた本実施形態の積層型の圧電共振装置 1と、保持部材 4, 6を 構成する材料を種々変化させ、保持部材 4, 6の面方向に沿う熱膨張係数 Yを変更し たことを除いては上記と同様にして構成された複数種の圧電共振装置とを作製した。 これらの圧電共振装置について、位相、 周波数特性を測定し、位相角の最大値 Θ を測定した。位相角最大値 Θ は、本実施形態の圧電共振装置 1では、設計共振 周波数である 13MHzの近傍での位相最大値である。位相周波数特性における位 相最大値 Θ が大き!/、ほど良好な共振特性が得られることがわ力る。
max
[0051] この保持部材 4, 6における熱膨張係数 Yと、上記位相角最大値 Θ との関係を図 max
3 (a)に示す。図 3 (a)から明らかなように、保持部材 4, 6の熱膨張係数 Yが負の値で あるか、あるいは 2ppm未満の場合に、位相角最大値 Θ が非常に大きいことがわ max
かる。
[0052] また、図 3 (b)は、図 3 (a)の横軸を YZX(%)として図 3 (a)の結果を書き換えた結 果である。図 3 (b)から明らかなように、 Yと Xとが同極性であり、かつ YZXが 3%以下 であれば、位相角最大値 Θ が非常に大きいことがわかる。
max
[0053] 他方、上記複数種の圧電共振装置の内、保持部材 4, 6の熱膨張係数 Yが 9. 3pp mZ°Cの場合及び 0. 4ppmZ°Cの場合の圧電共振装置の有限要素法により計 算された応力分布データを図 4 (a)及び (b)に模式的に平面図で示す。
[0054] なお、図 4 (a)及び (b)における下記の記号 a) , b)は、それぞれ、圧縮応力及び引 張り応力であることを示し、長さが長いほど、応力が大きいことを示す。
[0055] [数 1]
> < ■ ■ -記号 a )
< ^ . , ■記号 b )
[0056] 図 4 (b)から明らかなように、保持部材 4, 6の熱膨張係数 Yがー 0. 4ppmZ°Cの場 合には、圧電共振素子 2に加わる応力値は 24MPa以下であるのに対し、保持部材 4 , 6の熱膨張係数が 9. 3ppmZ°Cの場合には 150MPa程度と応力が非常に大きぐ 従って圧電共振素子 2の振動を強く阻害することがわかった。
[0057] 上記のように、保持部材 4, 6の熱膨張係数 Y力 負の値、あるいは 2ppmZ°C以下 の場合に、位相角最大値 Θ が非常に大きくなるのは、図 4 (a)及び (b)の比較から max
明らかなように、圧電共振素子 2に加わる熱膨張係数差に起因する応力が非常に小 さくなつていること〖こよることがわ力る。
[0058] これは、上記のように、圧電共振素子 2を構成している圧電板 11の熱膨張係数が
- 1. 8ppmZ°Cであり、従って、反射層 3, 5を構成するエポキシ榭脂系硬化性組成 物の硬化後の冷却に際しての大きな収縮により、圧電共振素子 2と反射層 3, 5との 界面に大きな応力が加わることによると考えられる。ところが、保持部材 4, 6の熱膨張 係数 Yは、負の値、あるいは 2ppm/°Cより小さい場合には、保持部材 4, 6が反射層 3, 5の収縮を抑制するように作用するため、上記応力が小さくなり、良好な共振特性 が得られて 、ると考えられる。
[0059] すなわち、本実施形態の圧電共振装置 1では、上記のように、保持部材 4, 6の熱 膨張係数 Yが、圧電共振素子 2を構成して ヽる圧電板 11の熱膨張係数と極性が逆 であり、かつ Yの絶対値を Xの絶対値の 4%以下とすること、あるいは同極性である場 合には、反射層 3, 5の熱膨張係数 Xに比べて、保持部材 4, 6の熱膨張係数 Yを の 3%以下と十分に小さくすること、さらに言えば Yをゼロもしくはゼロ近傍とすることによ り、上記のように良好な共振特性を実現し得ることがわかる。従って、 Yはゼロであつ てもよい。
[0060] なお、本発明者の実験によれば、 Xを Yより十分に大きくする場合、逆極性の場合 には、 Yの絶対値を Xの絶対値の 4%以下、 Y及び Xが同極性の場合には Yが Xの 3 %以下とすれば、上記実施形態と同様に良好な共振特性を実現し得ることが確かめ られている。従って、 Xを Yに比べて十分大きくするとは、 Y力 の 3%以下になること を意味する。
[0061] 本実施形態では、上記反射層 3, 5がエポキシ榭脂系の硬化性組成物の硬化物に より構成されており、該硬化物が硬化性組成物を加熱することにより硬化されていた。 従って、硬化後の収縮により上記応力が生じていた。
[0062] し力しながら、本実施形態の圧電共振装置 1では、加熱により硬化されて形成され る反射層を用いたものに限定されない。すなわち、加熱硬化型材料以外の材料から なる反射層を構成した場合においても、例えば得られた圧電共振装置 1の周囲温度 が急激に変化した場合では、反射層の熱膨張係数と圧電素子を構成して ヽる圧電 板の熱膨張係数とが大きく異なる場合には、やはり同様の問題が生じる。従って、そ のような場合においても、保持部材の熱膨張係数 Yを、反射層を構成する材料の熱 膨張係数 Xと逆極性かつ Yの絶対値を Xの絶対値の 4%以下とした構成、同極性の 場合には、 Xを Yに比べて十分大きぐすなわち Yが Xの 3%以下とした構成、または Y=約 0とした構成を採用することにより、上記実施形態の場合と同様に反射層と振 動素子との界面に加わる応力を効果的に小さくすることができる。
[0063] よって、反射層は、光の照射により硬化された硬化物、例えば、光硬化されたェポ キシ榭脂系硬化物で形成されてもよい。また、硬化性材料の硬化物以外の材料で反 射層が構成されてもよぐエポキシ以外の榭脂材料や他の有機系もしくは無機系材 料により構成されてもよい。
[0064] 保持部材 4, 6についても、上記熱膨張係数関係及び音響インピーダンス関係を満 たす限り、他のセラミックスゃ榭脂などのセラミックス以外の材料で形成されてもょ 、。
[0065] 図 5は、本発明の第 2の実施形態に係る複合材料振動装置としての積層型の圧電 共振装置を示す斜視図である。第 2の実施形態の圧電共振装置 21では、圧電共振 素子 2Aにおいて、励振電極 12Aが外部電極 8に、励振電極 13Aが外部電極 7に電 気的に接続されていること、反射層 3A, 5Aの厚みが反射層 3, 5に比べて薄くされて いること、並びに下方の保持部材の下面に接着層 22を介して板状のコンデンサ素子 23が積層されていることを除いては、第 1の実施形態の圧電共振装置 1と同様に構 成されている。従って、同一部分についは同一の参照番号を付することにより、その 詳細な説明は省略する。
[0066] 圧電共振装置 21では、例えばエポキシ系接着剤などの適宜の接着剤力 なる接 着層 22を介して板状のコンデンサ素子 23が積層されている。板状のコンデンサ素子 23は、矩形板状の誘電体基板 24を有する。誘電体基板 24の上面には、一対の容 量電極 25, 26が中央においてギャップを隔てて対向するように配置されている。容 量電極 25の外側端は外部電極 7に、容量電極 26の外側端は外部電極 8に接続され ている。容量電極 25, 26と誘電体基板 24を介して対向するように、容量電極 27が誘 電体基板 24の下面中央に形成されている。容量電極 27は、圧電共振装置 21を回 路基板に実装する際に端子電極として作用するだけでなぐ容量電極 25, 26との間 で静電容量を取り出すように機能する。
[0067] 従って、板状のコンデンサ素子 23は、容量電極 25, 26及び端子電極 27を有する 三端子型のコンデンサ素子である。
[0068] 圧電共振装置 21では、板状のコンデンサ素子 23からなる容量が内蔵されているた め、容量内蔵型の圧電発振子として利用することができる。 [0069] 圧電共振装置 21においても反射層 3A, 5Aの音響インピーダンス値 Z2は、音響ィ ンピーダンス値 Z1及び Z3よりも小さくされており、かつ反射層 3A, 5Aの熱膨張係数 Xは、保持部材 4, 6の熱膨張係数 Yと逆極性かつ Yの絶対値を Xの絶対値の 4%以 下とされている。あるいは、 Y=約 0とされている。従って、第 1の実施形態の圧電共 振装置 1の場合と同様に、本実施形態においても、反射層 3Α, 5Αの形成時、あるい は形成後の温度変化による収縮や膨張に起因する応力による影響を抑制することが できる。
[0070] また、本実施形態では、コンデンサ素子 23が保持部材 6の下面に接着されている 力 この場合、誘電体基板を構成する材料を広い範囲から選択することができる。す なわち、圧電共振素子 2Αに誘電体基板 24が直接貼り合わされた構造では、両者の 熱膨張係数差が大き過ぎると、周囲温度の変化による剥離が生じたりするおそれが あった。従って、コンデンサを構成する誘電体基板材料の選択の範囲が狭い。
[0071] これに対して、本実施形態では、誘電体基板 24は、保持部材 6の下面に接着層 22 を介して接合されているため、誘電体基板 24を構成する誘電体材料を、圧電共振素 子 2Αを構成している圧電板 11の熱膨張係数の値に制約を受けることなく選択するこ とができる。従って、容量内蔵型の圧電共振素子を構成する際に必要かつ最適な誘 電体材料を用いて板状のコンデンサ素子 23を構成することができる。
[0072] 図 6は、第 2の実施形態の圧電共振装置 21の変形例の圧電共振装置を示す斜視 図である。圧電共振装置 31は、圧電共振素子 2Αの上方に設けられた反射層 3Α及 び保持部材 4が設けられていないこと、並びに圧電共振素子 2Αの上面にコーティン グ膜 32が設けられていることを除いては、第 2の実施形態の圧電板 21と同様に構成 されている。圧電共振装置 31から明らかなように、本発明においては、振動部材の 一方面側にのみ反射層 5Αを介して保持部材 6が積層されて ヽてもよ ヽ。
[0073] また、コーティング膜 32は、圧電共振素子 2Αの上面を保護するために設けられて いるものであり、このような保護作用を果たす適宜の材料により構成され得る。このよ うな材料としては適宜の絶縁性材料などを挙げることができる。
[0074] なお、本発明においては、上記積層型の圧電共振装置に限らず、圧電共振素子 以外の板状の共振素子を用いた積層型の複合材料振動装置に本発明に広く適用 することができる。従って、板状の圧電共振素子 2, 2Aに代えて、電歪素子などの電 気機械結合変換素子を用いてもよぐ電気機械結合変換素子以外の板状の振動素 子を用いてもよい。

Claims

請求の範囲
[1] 第 1の音響インピーダンス値 Zlを有する材料カゝらなる板状体を用いて構成されて おり、かつ前記板状体の上面及び下面の少なくとも一方に励振電極が備えられた板 状の振動素子と、
第 1の音響インピーダンス値 Z1よりも小さい第 2の音響インピーダンス値 Z2を有す る材料力 なり、かつ前記振動素子の上面及び下面の少なくとも一方に積層された 反射層と、
前記第 2の音響インピーダンス値 Z2よりも大きな第 3の音響インピーダンス値 Z3を 有する材料からなり、前記反射層の前記振動素子が積層されている側とは反対側の 面に積層された板状の保持部材と、
前記振動素子、反射層及び保持部材力 なる積層体の表面に設けられており、か つ前記励振電極に電気的に接続された外部電極とを備え、
前記反射層と前記保持部材との界面において、前記振動素子から反射層に伝播し てきた振動が反射されるように構成されて ヽる、複合材料振動装置にお!ヽて、 前記反射層と前記振動素子との界面の面方向に沿う前記反射層の熱膨張係数を X、前記反射層と前記保持部材との界面の面方向に沿う前記保持部材の熱膨張係 数を Yとしたときに、 a) Xと Yとが逆極性かつ Yの絶対値が Xの絶対値の 4%以下、 b) Xと Yとが同極性かつ Yが Xの 3%以下、または c) Yが 0の!、ずれかとされて!/、ることを 特徴とする、複合材料振動装置。
[2] 前記保持部材の前記反射層に積層されて ヽる面とは反対側の面に接着された板 状のコンデンサをさらに備え、該板状のコンデンサが、誘電体基板と、該誘電体基板 に設けられた複数の容量電極とを有することを特徴とする、請求項 1に記載の複合材 料振動装置。
[3] 前記振動素子が、電気機械結合変換素子である、請求項 1または 2に記載の複合 材料振動装置。
[4] 前記電気機械結合変換素子が、圧電素子または電歪素子である、請求項 3に記載 の複合材料振動装置。
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