WO2006008922A1 - 弾性表面波フィルタ - Google Patents

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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to a transversal surface acoustic wave filter, and more particularly to a transversal surface acoustic wave filter in which a shield electrode is disposed between an input-side IDT electrode and an output-side IDT electrode.
  • a transversal surface acoustic wave filter has been widely used as a bandpass filter for video intermediate frequency (VIF) of a television receiver.
  • VIF video intermediate frequency
  • a shield electrode connected to the ground potential is often disposed between the input-side IDT electrode and the output-side IDT electrode. This is in order to suppress electromagnetic and electrostatic coupling between the input-side IDT electrode and the output-side IDT electrode by arranging the shield electrode.
  • Patent Document 1 discloses a surface acoustic wave filter having a structure for suppressing the above-described unnecessary waves.
  • FIG. 5 is a schematic plan view for explaining the surface acoustic wave filter described in Patent Document 1.
  • FIG. 5 is a schematic plan view for explaining the surface acoustic wave filter described in Patent Document 1.
  • a shield electrode 104 is disposed between the input-side IDT electrode 102 and the output-side IDT electrode 103. Between the shield electrode 104 and the input-side IDT electrode 102, two floating electrode fingers 105a and 105b having a line width of ⁇ 8 and a force S ⁇ 8 are arranged with a gap therebetween. Note that ⁇ is used in the surface acoustic wave filter 101. Indicates the wavelength of the surface wave.
  • the excitation point of the unwanted wave described above exists at the midpoint between the end of the shield electrode 104 on the input IDT electrode side and the end of the input IDT electrode 102 on the shield electrode 104 side. Therefore, by disposing the floating electrode fingers 105a and 105b so as to sandwich the midpoint, the excitation field of unnecessary waves is canceled out.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Publication No. 2-44168
  • An object of the present invention is a transversal type in which a re-excitation wave that hardly suppresses an unnecessary wave generated between a shield electrode and an IDT electrode can hardly be generated even when downsizing is advanced. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave filter.
  • the present invention relates to a surface wave substrate, an input side interdigital electrode formed on the surface wave substrate, and an output side disposed on the surface wave substrate and separated from the input side interdigital electrode.
  • a transversal surface acoustic wave filter comprising an interdigital electrode and a shield electrode connected between the input interdigital electrode and the output interdigital electrode and connected to a ground potential
  • An excitation point closest to the shield electrode of the input-side interdigital electrode, an end of the input-side interdigital electrode on the shield electrode side, and an end of the shield electrode on the input-side interdigital electrode side It is characterized in that the distance from the midpoint is in the range of 0.8 mm to 0.975 ⁇ when the wavelength of the surface wave is taken.
  • one of the input-side IDT electrode and the output-side IDT electrode is an unbalanced IDT electrode, and the input-side IDT electrode and the output-side IDT The other electrode is a balanced IDT electrode.
  • one of the input-side IDT electrode and the output-side IDT electrode is weighted.
  • the input-side IDT electrode and the output-side IDT electrode are regular IDT electrodes.
  • a shield electrode connected to the ground potential is disposed between the input-side IDT electrode and the output-side IDT electrode, and the excitation point of the input-side IDT electrode is Of these, the excitation point closest to the shield electrode and the unwanted wave excitation point that is the midpoint between the input electrode IDT electrode shield electrode end and the shield electrode input IDT electrode end. Since the distance X is in the range of 0.8 to 0.975, ripples in the passband can be effectively suppressed. In other words, even if the distance between the IDT electrode on the input side and the shield electrode is shortened, ripples due to unnecessary waves can be effectively suppressed, and no split floating electrode is provided. Reexcitation waves are also unlikely to occur. Therefore, even when the size is reduced, it is possible to obtain good filter characteristics with less ripple as compared with the conventional surface acoustic wave filter as described in Patent Document 1.
  • a split type floating electrode is not used, undesired re-excitation waves are hardly generated. Yes. Therefore, according to the present invention, there is provided a surface acoustic wave filter that is small and has good filter characteristics, in which undesired ripples are unlikely to occur even when the distance between the IDT electrode and the shield electrode is reduced to reduce the size. It becomes possible to do.
  • a balanced-unbalanced conversion function is provided.
  • a surface acoustic wave filter having good filter characteristics can be provided.
  • the input-side IDT electrode and the output-side IDT electrode may be composed of regular IDT electrodes.
  • the filter has good filter characteristics according to the present invention.
  • a surface acoustic wave filter can be provided inexpensively and easily.
  • FIG. 1 is a plan view of a surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing changes in the magnitude of ripples when the distance ⁇ is variously changed in the surface acoustic wave filter shown in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram showing changes in the magnitude of ripple when the distance ⁇ is variously changed in the vicinity of 0.875 in the surface acoustic wave filter shown in FIG.
  • FIG. 4 is a diagram showing the frequency characteristics of a surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention and a conventional surface acoustic wave filter prepared for comparison.
  • FIG. 5 is a plan view showing an example of a conventional surface acoustic wave filter.
  • FIG. 1 is a plan view of a surface acoustic wave filter according to an embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave filter 1 has a surface wave substrate 2.
  • Surface wave substrate 2 is LiTaO, LiNb
  • Piezoelectric single crystals such as O or quartz, or piezoelectric ceramics such as PZT ceramics
  • the surface wave substrate 2 may have a structure in which a piezoelectric thin film is formed on an insulating substrate such as glass.
  • the input-side IDT electrode 3 and the output-side IDT electrode 4 are disposed so as to be separated in the surface wave propagation direction.
  • the input-side IDT electrode 3 is an IDT electrode that is subjected to cross width weighting.
  • the input-side IDT electrode 3 is an unbalanced IDT electrode.
  • the input-side IDT electrode 3 includes a comb-shaped electrode 3A having a plurality of electrode fingers and a comb-shaped electrode 3B having a plurality of electrode fingers.
  • the plurality of electrode fingers of the comb-shaped electrodes 3A, 3B are each composed of a force split type electrode.
  • a split electrode is an electrode composed of a pair of electrode fingers connected to the same potential.
  • the electrode finger of the IDT electrode is not limited to the split electrode.
  • the output-side IDT electrode 4 is an IDT electrode that can extract a balanced output.
  • the output IDT electrode 4 has a pair of comb electrodes 4A and 4B.
  • the electrode fingers of the comb-shaped electrode 4A are also composed of split electrodes as in the case of the input-side IDT electrode. Even on the output side IDT electrode 4, the electrode fingers are not limited to those using split electrodes!
  • the shield electrode 5 is connected to the input side IDT electrode 3 and the output side IDT electrode. Between 4 and 4. The shield electrode 5 is connected to the ground potential.
  • the input-side IDT electrode 3, the output-side IDT electrode 4, and the shield electrode 5 can be formed of an appropriate conductive material such as A1 or an A1 alloy.
  • the surface acoustic wave filter 1 of the present embodiment is characterized by the excitation point A closest to the shield electrode 5 among the excitation points of the input IDT electrode 3, and the shield electrode side end of the input IDT electrode 3
  • the distance X between the end of the shield electrode 5 near the input side IDT electrode 3 and the midpoint B is in the range of X force 0.8 to 0.975.
  • is the wavelength of the surface wave used in the surface acoustic wave filter 1.
  • the excitation point in the input-side IDT electrode is located at the center point between electrode fingers connected to different potentials adjacent to each other.
  • a force with a plurality of excitation points is present in the IDT electrode 3 on the input side.
  • the excitation point ⁇ ⁇ is the excitation point closest to the shield electrode among the plurality of excitation points.
  • the surface acoustic wave filter 101 of the present embodiment since no floating electrode fingers are provided, the re-excitation wave as described above does not occur, and therefore a ripple based on the re-excitation wave hardly occurs.
  • the ripple caused by the unnecessary wave generated when the human power JIDT electrode 3 and the shield electrode 5 are brought close to each other can be effectively suppressed only by setting the distance X in the range of 0.8 to 0.975 ⁇ .
  • a specific experimental example will be described to explain that ripples in the passband can be effectively suppressed when the distance X is in the range of 0.8 to 0.975.
  • An input side IDT electrode 3, an output side IDT electrode 4, and a shield electrode 5 were formed on a surface wave substrate 2 made of glass, using A1 as an electrode material. 25 ⁇ piezoelectric thin film on top It was formed with a thickness of m. The wavelength was 59.48 ⁇ m, and the distance between the input IDT electrode 3 and the output IDT electrode 4 was 400 ⁇ m. The number of electrode fingers of the input side IDT electrode 3 is 151 pairs, and the number of output side IDT electrodes 4 is 9 pairs. In this way, a surface acoustic wave filter that can be used as a VIF bandpass filter for digital television with a center frequency of 4 MHz was fabricated.
  • the ripple is larger when the distance X is 0.625 compared to the ripple when the distance X is 1.91 ⁇ . That is, it can be seen that when the distance X is shortened and the size is reduced, the ripple in the passband tends to increase. However, it can be seen that as the distance X decreases, the magnitude of the ripple does not necessarily increase.
  • X is between 0.85 and 0.9 ⁇
  • the magnitude of the ripple can be reduced to 0.4dB or less, and the size of X is 1.5 ⁇ or more.
  • the same characteristics as a large surface acoustic wave filter can be obtained.
  • the frequency characteristics of a conventional surface acoustic wave filter are shown by a broken line in Fig. 4 for comparison.
  • ripples appear obscene.
  • a surface wave filter may be configured.
  • the input-side IDT electrode 3 is subjected to cross width weighting, and the output-side IDT electrode 4 is composed of a regular IDT electrode.
  • Output-side IDT electrode 4 may be subjected to cross width weighting, and the IDT electrode 3 on the input side may be composed of a regular IDT electrode.
  • the weighting of the IDT electrodes is not limited to the above-described intersection width weighting, and other weighting methods such as a thinning method may be used! /.
  • both the input-side IDT electrode and the output-side IDT electrode may be constituted by regular IDT electrodes.
  • the phase of the surface wave depends on the position of the excitation point, even if the IDT electrode is weighted or not weighted, the distance X is set to the specific range. According to the present invention, unnecessary waves can be effectively suppressed.

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Abstract

 小型化を進めた場合であっても、不要波によるリップルが生じ難く、さらに再励起波によるリップルも生じ難い、良好なフィルタ特性を有するトランスバーサル型の弾性表面波フィルタを提供する。  表面波基板2上に、入力側IDT電極3、出力側IDT電極4及びシールド電極5が形成されているトランスバーサル型弾性表面波フィルタであって、入力側IDT電極3のシールド電極5に最も近い励振点Aと、入力側IDT電極3のシールド電極5側の端部と、シールド電極5の入力側IDT電極側の端部との間の中点Bとの間の距離Xが、表面波の波長λとしたときに、0.8λ~0.975λの範囲とされている、弾性表面波フィルタ1。

Description

明 細 書
弾性表面波フィルタ
技術分野
[0001] 本発明は、トランスバーサル型の弾性表面波フィルタに関し、特に、入力側 IDT電 極と出力側 IDT電極との間にシールド電極が配置されているトランスバーサル型弹 性表面波フィルタに関する。
背景技術
[0002] 従来より、テレビジョン受像機の映像中間周波用(VIF)の帯域フィルタとしてトラン スバーサル型の弾性表面波フィルタが広く用いられて 、る。この種の弾性表面波フィ ルタでは、入力側 IDT電極と出力側 IDT電極との間に、グランド電位に接続されるシ 一ルド電極が配置されていることが多い。これは、シールド電極を配置することにより 、入力側 IDT電極と出力側 IDT電極との電磁的かつ静電的結合を抑制するためで ある。
[0003] ところで、近年、弾性表面波フィルタにおいても小型化が強く求められている。小型 化を進める場合、トランスバーサル型弹性表面波フィルタでは、入力側 IDT電極と出 力側 IDT電極との間隔が小さくされねばならな!、。し力しながら、この間隔を小さくす ると、上記シールド電極と、入力側 IDT電極との間に電界が生じそれにより不要波が 生じるという問題があった。すなわち、該不要波と、利用しょうとする弾性表面波が出 力側 IDT電極側で結合し、通過帯域内に大きなリップルが生じるという問題があった
[0004] そこで、下記の特許文献 1には、上記不要波を抑圧する構造を備えた弾性表面波 フィルタが開示されている。図 5は、特許文献 1に記載の弾性表面波フィルタを説明 するための模式的平面図である。
[0005] 弾性表面波フィルタ 101では、入力側 IDT電極 102と、出力側 IDT電極 103との間 に、シールド電極 104が配置されている。そして、シールド電極 104と入力側 IDT電 極 102との間に、線幅が λ Ζ8である二本の浮き電極指 105a, 105b力 S λ Ζ8の間 隔を隔てて配置されている。なお、 λは、弾性表面波フィルタ 101において利用する 表面波の波長を示す。
[0006] 上述した不要波の励振点は、シールド電極 104の入力側 IDT電極側の端部と、入 力側 IDT電極 102のシールド電極 104側の端部との中点に存在する。従って、該中 点を挟むように浮き電極指 105a, 105bを配置することにより、不要波の励振電界が 打ち消されている。
特許文献 1:特公平 2— 44168号公報
発明の開示
[0007] 特許文献 1に記載の弾性表面波フィルタ 101では、浮き電極指 105a, 105b力もな るスプリット型浮き電極を配置することにより、不要波の励振電界が打ち消され、不要 波に基づくリップルを抑制することができるとされている。しかしながら、特許文献 1に 記載の弾性表面波フィルタ 101では、入力側 IDT電極 102とシールド電極 104とを 近づけた際に生じる上記不要波の抑制は図られるものの、スプリット型浮き電極を設 けたことによる再励起波が生じ、該再励起波によるリップルが生じるという問題があつ た。すなわち、特許文献 1に記載のように、浮き電極指 105a, 105bからなるスプリット 型浮き電極を配置した場合、やはり通過帯域内に、所望でないリップルが生じざるを 得なかった。
[0008] 本発明の目的は、小型化を進めた場合であっても、シールド電極と IDT電極との間 で生じる不要波を効果的に抑圧できるだけでなぐ再励起波が生じ難いトランスバー サル型の弾性表面波フィルタを提供することにある。
[0009] 本発明は、表面波基板と、表面波基板上に形成された入力側インターデジタル電 極と、表面波基板上にぉ 、て入力側インターデジタル電極と隔てられて配置された 出力側インターデジタル電極と、前記入力側インターデジタル電極と出力側インター デジタル電極との間に配置されており、グランド電位に接続されるシールド電極とを 備えるトランスバーサル型の弾性表面波フィルタにお 、て、前記入力側インターデジ タル電極の前記シールド電極に最も近 ヽ励振点と、前記入力側インターデジタル電 極の前記シールド電極側の端部と前記シールド電極の入力側インターデジタル電極 側の端部との中点との間の距離が、表面波の波長をえとしたときに、 0. 8え〜 0. 97 5 λの範囲とされていることを特徴とする。 [0010] 本発明に係る弾性表面波フィルタのある特定の局面では、前記入力側 IDT電極及 び出力側 IDT電極の一方が不平衡型 IDT電極であり、前記入力側 IDT電極及び出 力側 IDT電極の他方が平衡型 IDT電極である。
[0011] 本発明に係る弾性表面波フィルタの他の特定の局面では、前記入力側 IDT電極 及び出力側 IDT電極の 、ずれか一方が重み付けされて 、る。
[0012] 本発明に係る弾性表面波フィルタのさらに他の特定の局面では、前記入力側 IDT 電極及び出力側 IDT電極が、正規型 IDT電極である。
[0013] 本発明に係る弾性表面波フィルタでは、入力側 IDT電極と出力側 IDT電極との間 に、グランド電位に接続されるシールド電極が配置されており、かつ入力側 IDT電極 の励振点のうち、最もシールド電極に近い励振点と、入力側 IDT電極のシールド電 極側の端部と、シールド電極の入力側 IDT電極側の端部との間の中点である不要波 励振点との距離 Xが 0. 8え〜 0. 975えの範囲とされているため、通過帯域内におけ るリップルを効果的に抑圧できる。すなわち、入力側 IDT電極とシールド電極との間 の距離を短くした場合であっても、不要波によるリップルを効果的に抑圧することがで きるとともに、スプリット型浮き電極を設けないため、不要な再励起波も生じ難い。従つ て、小型化を図った場合でも、特許文献 1に記載のような従来の弾性表面波フィルタ に比べて、リップルの少ない良好なフィルタ特性を得ることができる。
[0014] 本発明において、上記距離 Xを上記特定の範囲としたことにより不要波を効果的に 抑圧し得るのは、以下の理由によると考えられる。シールド電極と入力側 IDT電極と の間の距離を小さくするほど、不要波が強く励振されるはずであるが、フィルタ特性 上に表われるリップルは、シールド電極と入力側 IDT電極との間の距離を小さくする に従って大きくなる訳ではないことが分力つた。これは、不要波と、 IDT電極内部で励 振された表面波との位相条件の相互作用により不要波成分が大きくなつたり、小さく なったりし、出力側 IDT電極で受信されることによると考えられる。すなわち、不要波 が励振されたとしても、利用される表面波と不要波との位相条件により出力側 IDT電 極で受信された信号では、必ずしも、上記距離が小さくなつた場合に、リップルが大 きくなるとは限らないこと〖こよると考免られる。
[0015] し力も、スプリット型浮き電極を用いていないため、所望ではない再励起波も生じ難 い。よって、本発明によれば、 IDT電極とシールド電極との間の距離を近づけて小型 化を図った場合でも、所望でないリップルが生じ難い、小型かつ良好なフィルタ特性 を有する弾性表面波フィルタを提供することが可能となる。
[0016] 本発明にお 、て入力側 IDT電極及び出力側 IDT電極のうち一方が不平衡型 IDT 電極であり、他方が平衡型 IDT電極である場合には、平衡—不平衡変換機能を有 する弾性表面波フィルタであって、本発明に従って良好なフィルタ特性を有する弾性 表面波フィルタを提供することができる。
[0017] 入力側 IDT電極及び出力側 IDT電極の 、ずれか一方が重み付けされて ヽる場合 には、該重み付けにより所望とするフィルタ特性を有し、しかも本発明に従って上記 不要波や再励起波に基づくリップルが生じ難い、弾性表面波フィルタを提供すること ができる。
[0018] 本発明に係る弾性表面波フィルタでは、入力側 IDT電極及び出力側 IDT電極は 正規型 IDT電極で構成されていてもよぐその場合には、本発明に従って良好なフィ ルタ特性を有する弾性表面波フィルタを、安価にかつ容易に提供することができる。 図面の簡単な説明
[0019] [図 1]図 1は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタの平面図である。
[図 2]図 2は、図 1に示した弾性表面波フィルタにおいて距離 ΧΖ λを種々変更した 場合のリップルの大きさの変化を示す図である。
[図 3]図 3は、図 1に示した弾性表面波フィルタにおいて距離 ΧΖ λを、 0. 875付近 で種々変化させた際のリップルの大きさの変化を示す図である。
[図 4]図 4は、本発明の実施形態の弾性表面波フィルタ及び比較のために用意した 従来の弾性表面波フィルタの周波数特性を示す図である。
[図 5]図 5は、従来の弾性表面波フィルタの一例を示す平面図である。
符号の説明
[0020] 1…弾性表面波フィルタ
2…表面波基板
3…入力側 IDT電極
3Α, 3Β…櫛形電極 4…出力側 IDT電極
4A, 4B…櫛形電極
5· ··シールド電極
A…励振点
B…中点
発明を実施するための最良の形態
[0021] 以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより本発明 を明らかにする。
[0022] 図 1は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタの平面図である。
[0023] 弾性表面波フィルタ 1は、表面波基板 2を有する。表面波基板 2は、 LiTaO、 LiNb
3
Oもしくは水晶などの圧電単結晶、または PZT系セラミックスのような圧電セラミックス
3
などの圧電材料により構成される。もっとも、表面波基板 2は、ガラスなどの絶縁基板 上に圧電薄膜を形成した構造を有して ヽてもよ ヽ。
[0024] 表面波基板 2上には、入力側 IDT電極 3と、出力側 IDT電極 4とが表面波伝搬方向 において隔てられて配置されている。入力側 IDT電極 3は、交差幅重み付けが施さ れた IDT電極であり、本実施形態では、不平衡型の IDT電極である。
[0025] 入力側 IDT電極 3は、複数本の電極指を有する櫛形電極 3Aと、複数本の電極指 を有する櫛形電極 3Bとを有する。
[0026] 本実施形態では、櫛形電極 3A, 3Bの複数本の電極指は、それぞれ力 スプリット 型電極により構成されている。スプリット型電極とは、同電位に接続される一対の電極 指からなる電極をいう。
[0027] もっとも、本発明においては、 IDT電極の電極指は、スプリット型電極に限定されな い。
[0028] 出力側 IDT電極 4は、平衡出力を取り出し得る IDT電極である。そして、出力側 ID T電極 4は、一対の櫛形電極 4A, 4Bを有する。櫛形電極 4Aの電極指もまた、入力 側 IDT電極の場合と同様にスプリット電極により構成されて 、る。出力側 IDT電極 4 にお 、ても電極指はスプリット電極を用いたものに限定されな!、。
[0029] 表面波基板 2上にぉ 、て、シールド電極 5が、入力側 IDT電極 3と出力側 IDT電極 4との間に配置されている。シールド電極 5はグランド電位に接続される。
[0030] 上記入力側 IDT電極 3、出力側 IDT電極 4及びシールド電極 5は、 A1や A1合金の ような適宜の導電性材料により形成され得る。
[0031] 本実施形態の弾性表面波フィルタ 1の特徴は、入力側 IDT電極 3の励振点のうち、 シールド電極 5に最も近 、励振点 Aと、入力側 IDT電極 3のシールド電極側端部と、 シールド電極 5の入力側 IDT電極 3に近い側の端部との中点 Bとの間の距離 X力 0 . 8え〜 0. 975えの範囲とされていることにある。なお、 λは、弾性表面波フィルタ 1 で利用する表面波の波長である。
[0032] また、入力側 IDT電極における励振点とは、隣り合う異なる電位に接続される電極 指間の中心点に位置する。そして、入力側 IDT電極 3では、複数の励振点が存在す る力 上記励振点 Αは、複数の励振点のうち、シールド電極に最も近い励振点である
[0033] 前述したように、この種のトランスバーサル型弹性表面波フィルタ 1では、小型化を 図るためには、入力側 IDT電極 3とシールド電極 5との間の距離を小さくすることが必 要である。しかしながら、入力側 IDT電極 3とシールド電極 5との間の距離を短くする と、不要波が励振され、通過帯域内に大きなリップルが現われる。特許文献 1に記載 の弾性表面波フィルタ 101では、この不要波を抑圧するために、前述した浮き電極指 105a, 105bが配置されていた。しかしながら、浮き電極指 105a, 105bを用いた構 造では、再励起波が生じ、やはりリップルが生じるという問題があった。
[0034] これに対して本実施形態の弾性表面波フィルタ 101では、浮き電極指を設けない ため、上記のような再励起波は生じず、従って再励起波に基づくリップルが生じ難い oし力ち、上記距離 Xを、 0. 8 〜0. 975 λの範囲とするだけで、人力佃 JIDT電極 3 とシールド電極 5とを近づけた際に生じる不要波によるリップルが効果的に抑圧され 得る。これは、本願発明者により実験的に確かめられたものである。以下、具体的な 実験例を示して、距離 Xが 0. 8え〜 0. 975えの範囲とされたときに通過帯域内リップ ルの抑圧を効果的に図り得ることを説明する。
[0035] ガラスカゝらなる表面波基板 2上に、入力側 IDT電極 3、出力側 IDT電極 4及びシー ルド電極 5を、電極材料として A1を用いて形成した。その上に ΖηΟ圧電薄膜を 25 mの厚さで形成した。なお、波長えは 59. 48 μ mとし、入力側 IDT電極 3と出力側 ID T電極 4との間の距離を 400 μ mとした。入力側 IDT電極 3の電極指の対数は 151対 、出力側 IDT電極 4の対数は 9対とした。このようにして、中心周波数力 4MHzのデ ジタルテレビの VIF用帯域フィルタとして用いられ得る弾性表面波フィルタを作製し た。
[0036] 上記弾' 14表面波フイノレタ 1【こお!、て、前述した Xの距離を、 1. 91 、 1. 25 、 1.
125 λ、 1. Ο λ、0. 875 λ、0. 75 λ及び 0. 625えと変ィ匕させ、複数種の弹'性表面 波フィルタ 1を作製した。このようにして作製された弾性表面波フィルタの周波数特性 を測定し、通過帯域内にリップルが現われる力否かを観察した。結果を図 2に示す。 図 2の横軸は、上記距離 Xを波長 λで規格ィ匕した値 ΧΖ λであり、縦軸はリップルの 大きさを示す。なお、リップルの大きさとは、通過帯域内におけるリップルにおいて隣 接する極大値と極小値との差の内の最大値をいうものとする。
[0037] 図 2から明らかなように、距離 Xが 1. 91 λの場合のリップルの大きさに比べて、距 離 Xが 0. 625えの場合〖こは、リップルが大きくなつている。すなわち、距離 Xを短くし 、小型化を図った場合、通過帯域内リップルが大きくなる傾向があることが分かる。し 力しながら、必ずしも、距離 Xの短縮にともなって、リップルの大きさが大きくなるもの ではないことが分かる。
[0038] すなわち、距離 Xが 1. 125えから 1. 0 λまで短くされたとしても、リップルの大きさ は変わらず、さらに 1. Ο λカゝら 0. 875えと短縮された場合には、 Xが短縮されたにも かかわらず、逆にリップルの大きさは小さくなつている。そして、 Xが 0. 875 λにおい てリップルが最も小さくなり、 0. 875えよりも Xが小さくなると、再度リップルが大きくな つていく。
[0039] 従来、入力側 IDT電極とシールド電極との間の距離を近づければ近づけるほど、 不要波が強く励振され、不要波によるリップルも大きくなると考えられていた。しかしな がら、図 2の結果から明らかなように、現実には、入力側 IDT電極 3とシールド電極 5 とを近づければ近づけるほど、不要波によるリップルが必ずしも大きくなるものでない ことが分力ゝつた。これは、入力側 IDT電極 3と、シールド電極 5とを近づけた場合、不 要波が強く励振されるものの、出力側 IDT電極 4で受信される際には、上記不要波と 利用する表面波との相互作用により不要波成分の影響が大きくなつたり、小さくなつ たりすること〖こよると考免られる。
[0040] 本願発明者は、図 2の結果をもとに、リップルが最も小さい X=0. 875 λ付近にお いて Xをさらに種々変更し、リップルの大きさを測定した。結果を図 3に示す。
[0041] 図 3から明らかなように、 Χ=0. 8え〜 0. 975えの範囲とすれば、リップルの大きさ を 0. 45dB以下とし得ることが分かる。デジタルテレビの映像中間周波用帯域フィル タでは、通過帯域内リップルが大きいと画質が劣化する力 この場合のリップルの大 きさは 0. 45dB以下とすることが望ましとされている。従って Xを 0. 8え〜 0. 975えの 範囲とすれば、この要求を満たすことができる。
[0042] また、より好ましくは、 Xを 0. 85え〜 0. 9 λとすれば、リップルの大きさを 0. 4dB以 下とすることができ、 Xの大きさが 1. 5 λ以上の大型の弾性表面波フィルタと同様の 特性を得ることができる。
[0043] 次に、上記実施形態に従って得られた弾性表面波フィルタ 1の具体的な周波数特 性において、従来の弾性表面波フィルタの場合に比べてリップルが効果的に低減さ れることを図 4を参照して説明する。
[0044] 図 4の実線は、 Χ=0. 875 λとした上記実施形態の弾性表面波フィルタ 1のフィル タ特性を示す図である。また、図 4に破線で、比較のために従来の弾性表面波フィル タの周波数特性を示す。破線で示した特性の弾性表面波フィルタは、特許文献 1〖こ 記載の構成に従って、浮き電極指 105a, 105bを設けた相当の弾性表面波フィルタ であり、ここでは、 X=0. 75えとされている。すなわち、図 5に示した弾性表面波フィ ルタ 101では、入力側 IDT電極 102の最もシールド電極に近い励振点と、不要波の 励振点との距離 Xは 0. 75 λとされている。
[0045] 図 4から明らかなように、従来の弾性表面波フィルタでは、通過帯域内に周期的に 大きなリップルが現われているのに対し、本実施形態の弾性表面波フィルタでは、こ のようなリップルが現われて ヽな 、ことが分かる。
[0046] なお、上記実施形態では、入力側 IDT電極 3が不平衡型 IDT電極であり、出力側 I DT電極が平衡型 IDT電極であった力 逆に、平衡入力—不平衡出力型の弾性表 面波フィルタを構成してもよ 、。 [0047] また、図 1に示す弾性表面波フィルタ 1では、入力側 IDT電極 3が交差幅重み付け を施され、出力側 IDT電極 4が正規型 IDT電極で構成されていた力 出力側 IDT電 極 4が交差幅重み付けを施され、入力側 IDT電極 3が正規型 IDT電極で構成されて いてもよい。
[0048] また、 IDT電極の重み付けについても、上述した交差幅重み付けに限らず、間引き 法などの他の重み付け方法が用いられて 、てもよ!/、。
[0049] さらに、本発明に係る弾性表面波フィルタでは、入力側 IDT電極及び出力側 IDT 電極の双方が正規型 IDT電極で構成されて 、てもよ 、。
[0050] すなわち、表面波の位相は励振点の位置に依存するため、 IDT電極が重み付けさ れていても、あるいは重み付けされていなくても、距離 Xが上記特定の範囲とされるこ とにより、本発明に従って不要波を効果的に抑圧することができる。

Claims

請求の範囲
[1] 表面波基板と、表面波基板上に形成された入力側インターデジタル電極と、表面 波基板上において入力側インターデジタル電極と隔てられて配置された出力側イン ターデジタル電極と、前記入力側インターデジタル電極と出力側インターデジタル電 極との間に配置されており、グランド電位に接続されるシールド電極とを備えるトラン スバーサル型の弾性表面波フィルタにおいて、
前記入力側インターデジタル電極の前記シールド電極に最も近 、励振点と、前記 入力側インターデジタル電極の前記シールド電極側の端部と前記シールド電極の入 力側インターデジタル電極側の端部との中点との間の距離力 表面波の波長をえと したとき〖こ、 0. 8え〜 0. 975えの範囲とされていることを特徴とする、弾性表面波フィ ルタ。
[2] 前記入力側 IDT電極及び出力側 IDT電極の一方が不平衡型 IDT電極であり、前 記入力側 IDT電極及び出力側 IDT電極の他方が平衡型 IDT電極である、請求項 1 に記載の弾性表面波フィルタ。
[3] 前記入力側 IDT電極及び出力側 IDT電極の 、ずれか一方が重み付けされて ヽる
、請求項 1または 2に記載の弾性表面波フィルタ。
[4] 前記入力側 IDT電極及び出力側 IDT電極が、正規型 IDT電極である、請求項 1ま たは 2に記載の弾性表面波フィルタ。
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