WO2005121057A1 - アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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Mineyuki Kubota
Masakazu Funahashi
Chishio Hosokawa
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Idemitsu Kosan Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescent device and an anthracene derivative, and more particularly, to an organic electroluminescent device having high color purity and a long life, and an anthracene derivative realizing the same.
  • An organic electroluminescent device (hereinafter sometimes abbreviated as EL) may have a recombination energy of holes injected from an anode and electrons injected from a cathode by applying an electric field. It is a self-luminous element utilizing the principle that a fluorescent substance emits light. Eastman's Kodak CW Tang et al. Report on low-voltage driven organic EL devices with stacked devices (CW Tang, SA Vanslyke, Applied Physics Letters, vol. 51, p. 913, 1987, etc.). Since then, research on organic EL devices using organic materials as constituent materials has been actively conducted. Tang et al.
  • the element structure of the organic EL element is a two-layer type of a hole transporting (injection) layer and an electron transporting / emitting layer, or a hole transporting (injection) layer, a light emitting layer, and an electron transporting (injection) layer.
  • the three-layer type is well known. In order to increase the recombination efficiency of injected holes and electrons in such a stacked structure device, the device structure and the forming method have been devised.
  • chelate complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum complex
  • light emitting materials such as coumarin derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, bisstyrylarylene derivatives, and oxadiazole derivatives
  • Patent Document 4 discloses a device using a phenylanthracene derivative as a light-emitting material. Such an anthracene derivative is used as a blue light emitting material, but it has been desired to extend the element lifetime.
  • Patent Document 5 discloses a device material having a fluoranthene group at the 9th and 10th positions of anthracene. Such anthracene derivatives are also used as blue light-emitting materials, but there has been a demand for an improvement in device life.
  • Patent Document 6 discloses that various anthracene derivatives are used as a hole transport material. However, its synthesis has not been actually performed, and its evaluation as a luminescent material has not yet been made. Further, Patent Document 7 discloses an asymmetric anthracene derivative! /, But furthermore, a blue-purified compound having a higher blue purity is desired.
  • Patent Document 1 JP-A-8-239655
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-138561
  • Patent Document 3 JP-A-3-200289
  • Patent Document 4 JP-A-8-012600
  • Patent Document 5 JP 2001-257074 A
  • Patent Document 6 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-182776
  • Patent Document 7 International Publication WO04Z018587
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and has as its object to provide a long-life organic EL device having high blue purity and an anthracene derivative for realizing the same. Means for solving the problem
  • the present inventors have found that an organic EL device having a long lifetime can be obtained when used as a material for an EL device, and have completed the present invention.
  • X is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, Or an unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon number 6 To 50 aralkyl groups, substituted or unsubstituted aryloxy groups having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted arylaryl groups having 5 to 50 nuclear atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbocarbons having 1 to 50 carbon atoms -Yl group, substituted or unsubstituted silyl group, carboxyl group,
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted fused aromatic group having 10 to 50 nuclear carbon atoms, and at least one of Ar 1 and Ar 2 is represented by the following general formula (II) It is a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group represented by the following general formula (III), or a triptycenyl group represented by the following general formula (IV).
  • Ri to R 7 are a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, and at least one pair of adjacent Ri to R 7 is an alkyl group. And To form a ring structure.
  • X is the same as above.
  • d to i are integers of 0 to 4, respectively.
  • a to c are integers of 0 to 4, respectively.
  • n is an integer of 1-3. When n is 2 or more,
  • the present invention provides an organic EL device in which one or more organic thin film layers having at least a light emitting layer are sandwiched between a cathode and an anode, and the anthracene derivative is at least one layer of the organic thin film layers.
  • the present invention provides an organic EL device containing the compound alone or as a component of a mixture.
  • the organic EL device of the present invention and the organic EL device using the anthracene derivative of the present invention have high blue purity and long life.
  • the anthracene derivative of the present invention is represented by the following general formula (I).
  • X represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic group having 5 to 50 nuclear atoms.
  • Examples of the aromatic group represented by X include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthryl group, a 2-anthryl group, a 9-anthryl group, a 1-phenanthryl group, and a 2-phenanthryl group , 3 phenanthryl group, 4 phenanthryl group, 9 phenanthryl group, 1 naphthacyl group, 2 naphthacyl group, 9 naphthacyl group, 1-pyrrol group, 2 pyrryl group, 4-pyrryl group, 2-biphenyl-yl group, 3-biphenyl-yl group, 4-biphenyl-yl group ⁇ p-terfyl 4-yl group, p-terfyl 3-yl group, p terfyl 2-yl group, m— Terfure 4-yl group, m-terfure 3-yl group, m-ta-ferru 2-y
  • Examples of the aromatic heterocyclic group for X include 1 pyrrolyl group, 2 pyrrolyl group, 3 pyrrolyl group, Pyrazul, 2 pyridinyl, 3 pyridyl, 4 pyridinyl, 1 indolyl, 2 indolyl, 3 indolyl, 4 indolyl, 5 indolyl, 6 indolyl, 7 indolyl Group, 1-isoindolyl group, 2-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4 isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 2 furyl group, 3 furyl group, 2 benzofura Benzene group, 3 benzofural group, 4 monobenzofural group, 5 benzofural group, 6 benzofural group, 7 benzofural group, 1 isobenzofural group, 3 Isobenz
  • alkyl group for X examples include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, s-butyl, isobutyl, t-butyl, n-pentyl, and n-hexyl.
  • Examples of the cycloalkyl group for X include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a 4-methylcyclohexyl group, a 1-adamantyl group, a 2-adamantyl group, a 1-norbornyl group, and a 2-— And a norbornyl group.
  • the alkoxy group for X is a group represented by OY, and examples of Y include the same examples as those described above for the alkyl group.
  • Examples of the aralkyl group for X include a benzyl group, a 1-phenylethyl group, a 2-phenylethyl group, a 1-phenylisopropyl group, a 2-phenylisopropyl group, and a phenyl-t-alkyl group.
  • the aryloxy group of X is represented as OY ', and examples of Y' are phenyl, 1 naphthyl, 2 naphthyl, 1 anthryl, 2 anthryl, 9 anthryl, 1 phenanthryl, and 2 phenanthryl.
  • the arylthio group of X is represented by SY ", and examples of Y" include phenyl, 1-naphthyl, 2 naphthyl, 1 anthryl, 2 anthryl, 9 anthryl, 1 phenanthryl, 2 Phenanthryl group, 3 phenanthryl group, 4 phenanthryl group, 9 phenanthryl group, 1 naphthacyl group, 2 naphthacyl group, 9 naphthacyl group, 1-pyrenyl group, 2 pyrryl group, 4 pyrryl Group, 2-biphenyl-yl group, 3-biphenyl-yl group, 4-biphenyl-yl group, p-tert-phenyl 4-yl group, p-tert-yl 3-yl group, ⁇ -tert-yl 2-yl Group, m-terfyl 4-yl group, m-terfyl 2-yl group, m-terfyl 2-yl group, o-
  • the alkoxycarbol group of X is represented by COOZ, and examples of Z include the alkyl group The same examples as those described above can be cited.
  • halogen atom for X examples include fluorine, chlorine, bromine and iodine.
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted fused aromatic group having 10 to 50 nuclear carbon atoms.
  • Examples of the condensed aromatic group of Ar 1 and Ar 2 include 1 naphthyl group, 2-naphthyl group, 1 anthryl group, 2 anthryl group, 9 anthryl group, 1-phenanthryl group, 2 phenanthryl group, and 3-phenanthryl group , 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1 naphthacyl group, 2 naphthacyl group, 9 naphthacyl group, 1-pyrrol group, 2 pyrryl group, 4-pyrrol group, 3 —Methyl-2 naphthyl group, 4-methyl-1 naphthyl group, 4-methyl-11-anthryl group and the like.
  • At least one of Ar 1 and Ar 2 is a 1-naphthyl group represented by the following general formula (II), a 2-naphthyl group represented by the following general formula (III), or It is a triptycell group represented by the general formula (IV).
  • Ri to R ′ are a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, and Ri to R 7 are adjacent to each other. At least one of the two groups is an alkyl group, and is bonded to each other to form a cyclic structure.
  • alkyl groups Ri ⁇ R 7 an example similar to those mentioned alkyl groups of the X and the like.
  • the cyclic structure adjacent radicals form of Ri ⁇ R 7, cyclopropane, Shikurobu Tan, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, and Shikuroanore cans of cyclooctane, cyclohexene cyclobutene, cyclopentene, cyclohexane, Cycloheptene, cyclooctene And cyclopentane, cyclohexane, cyclopentene, and cyclohexene.
  • the substituent which may be further substituted includes an oxygen atom, a sulfur atom, a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aromatic group.
  • Substituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted
  • Te Contact such, in general formula (II) and (III), Examples adjacent groups may form a cyclic structure, Ru of RR 7, include groups such as: .
  • examples of adjacent groups out of Ri to R 7 which do not form a cyclic structure include, for example, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2 anthryl group, 9 anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3 phenanthryl group, 4 phenanthryl group, 9 phenanthryl group, 1 naphthatel group, 2-naphthatel group, 9 Examples include a naphthacyl group, a 1-pyrrole group, a 2-pyrrole group, a 4-pyrrole group, a 3-methyl-2naphthyl group, a 4-methyl-1naphthyl group, and a 4-methyl-1anthryl group.
  • d to i are each an integer of 0 to 4, and preferably 0 to 1.
  • X is the same as described above, and specific examples are also the same.
  • a to c are each an integer of 0 to 4.
  • n is an integer of 1-3.
  • the groups in [] may be the same or different.
  • Examples of the substituent in the group represented by Ar 1 , Ar 2 and X include a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms and a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms.
  • Examples include an alkoxycarbonyl group, a substituted or unsubstituted silyl group, a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group, and the like.Specific examples of these are the
  • anthracene derivative represented by the general formula (I) of the present invention is shown below, but it should not be construed that the invention is limited thereto.
  • the organic EL device of the present invention is an organic EL device in which one or more organic thin film layers including at least a light emitting layer are sandwiched between a cathode and an anode, and at least one of the organic thin film layers is an organic EL device.
  • the invention contains the anthracene derivative represented by the general formula (I) alone or as a component of a mixture.
  • the light emitting layer contains an anthracene derivative represented by the general formula (I) as a main component.
  • the light-emitting layer further contains an arylamine conjugate and Z or a styrylamine conjugate.
  • styrylamine compound a compound represented by the following general formula (A) is preferable.
  • Ar 3 is a group selected from the group consisting of a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a stilbene group, and a dimethylaryl group.
  • Ar 4 and Ar 5 are each a hydrogen atom or an aromatic group having a carbon number of force S6 ⁇ 20, Ar 3 ⁇ Ar 5 may. p which also be substituted Ru integer der 1-4. more preferably at least one styryl group Ar 4 or Ar 5
  • examples of the aromatic group having 6 to 20 carbon atoms include a phenyl group, a naphthyl group, an anthral group, a phenanthryl group, and a terphenyl group.
  • Ar 6 to Ar 8 are a substituted or unsubstituted aryl group having 5 to 40 nuclear carbon atoms.
  • Q is an integer of 1 to 4.
  • examples of the aryl group having a nuclear carbon number of 5 to 40 include a phenyl group, a naphthyl group, an anthral group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a cholesteryl group, and a biphenyl group.
  • r is an integer of 1 to 3.
  • a preferable substituent of the aryl group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms (an ethyl group, a methyl group, an i-propyl group, an n-propyl group, an s-butyl group, a t-butyl group).
  • the force in which the configuration (8) is usually preferably used is not limited to these.
  • the anthracene derivative of the present invention may be used in any of the above-mentioned organic layers, but may be contained in a light-emitting band or a hole-transporting band in these constituent elements.
  • the amount to be contained is preferably 30 to:
  • the LOO mole% power is also selected.
  • This organic EL element is usually manufactured on a light-transmitting substrate.
  • This light-transmitting substrate is a substrate that supports the organic EL element, and a light-transmitting substrate having a transmittance of 50% or more in the visible region of 400 to 700 nm is desired to be a smoother substrate. It is preferable to use it.
  • a glass plate, a synthetic resin plate, or the like is suitably used as such a light-transmitting substrate.
  • the glass plate include plates formed of soda-lime glass, norium-strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, norium borosilicate glass, quartz, and the like.
  • the synthetic resin plate include plates made of polycarbonate resin, acrylic resin, polyethylene terephthalate resin, polyether sulfide resin, polysulfone resin, and the like.
  • the anode plays a role of injecting holes into the hole transport layer or the light emitting layer, and it is effective that the anode has a work function of 4.5 eV or more.
  • Specific examples of the anode material used in the present invention include indium tin oxide alloy (ITO), oxidized tin (NESA), gold, silver, platinum, and copper.
  • ITO indium tin oxide alloy
  • NESA oxidized tin
  • gold gold
  • silver platinum
  • platinum platinum
  • copper copper
  • a material having a small work function is preferable for the purpose of injecting electrons into the electron transport layer or the light emitting layer.
  • the anode can be formed by forming a thin film from these electrode materials by a method such as an evaporation method or a sputtering method.
  • the transmittance of the anode with respect to the light emission be greater than 10%.
  • the sheet resistance of the anode is several hundred ⁇ preferable.
  • the thickness of the anode is selected depending on the material, usually in the range of 10 nm to 1 ⁇ m, preferably 10 to 200 nm.
  • the light emitting layer comprises:
  • Injection function a function that can inject holes from the anode or hole injection layer and apply electrons from the cathode or electron injection layer when applying an electric field.
  • the light emitting layer is particularly preferably a molecular deposition film.
  • the molecular deposition film is a thin film formed by deposition from a material compound in a gaseous state or a film formed by solidification from a material compound in a solution state or a liquid phase state.
  • the light-emitting layer can also be formed by forming a thin film.
  • the light-emitting layer may contain a known light-emitting material other than the light-emitting material comprising the anthracene derivative of the present invention, if desired.
  • a light emitting layer containing another known light emitting material may be laminated on the light emitting layer containing.
  • the hole injection / transport layer is a layer that assists hole injection into the light emitting layer and transports it to the light emitting region, and has a large hole mobility and usually has an ionization energy of 5.5 eV or less. And small.
  • a material that transports holes to the light-emitting layer at a lower electric field strength is preferable for such a hole injection / transport layer, and furthermore, a hole mobility force, for example, when an electric field of 10 4 to 10 6 VZcm is applied, is small. even without what is 10- 4 cm 2 ZV 'seconds is preferred. Examples of such a material include those commonly used as a charge transporting material for holes in addition to a photoconductive material, and those known in the art used for a hole injection layer of an organic EL device. Select and use any Can do.
  • the above-mentioned materials can be used.
  • Porphyrin compounds (disclosed in JP-A-63-29556965, etc.), aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds ( U.S. Patent No. 4,127,412, JP-A-53-27033, JP-A-54-58445, JP-A-54-149634, JP-A-54-64299, JP-A-55-79450, 55-144250, 56-119132, 61-295558, 61-98353, 63-295695, etc .; especially aromatic aromatic tertiary amine compounds. Is preferred,.
  • inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC can also be used as the material of the hole injection layer.
  • the hole injecting / transporting layer can be formed by subjecting the above-described compound to a thin film by a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, and an LB method.
  • the thickness of the hole injection / transport layer is not particularly limited, but is usually 5 ⁇ to 5 / ⁇ .
  • the organic semiconductor layer is a layer that assists hole injection or electron injection into the light-emitting layer, and preferably has a conductivity of 10 " 10 SZcm or more.
  • the material include thiophene-containing oligomers such as conductive oligomers such as arylamine-containing oligomers disclosed in JP-A-8-193191 and arylamine-containing dendrimers and the like. A conductive dendrimer or the like can be used.
  • the electron injection layer 'transport layer is a layer that assists the injection of electrons into the light emitting layer and transports it to the light emitting region, and has a high electron mobility and an adhesion improving layer. It is a layer that has good adhesion to the cathode and has good material strength.
  • the electron transporting layer is suitably selected in a film thickness of several nm ⁇ number m, especially when thick film thickness, in order to avoid a voltage rise, 10 4 ⁇ 10 6 V / electron mobility when an electric field is applied in cm is preferably a on at least 10- 5 cm 2 ZVS than.
  • a metal complex dioxaziazole derivative of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof is preferable.
  • the metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof include a metal chelate oxinoid conjugate containing a chelate of oxine (generally 8-quinolinol or 8-hydroxyquinoline), for example, tris (8-quinolinol) Aluminum can be used as the electron injection material.
  • examples of the oxadiazole derivative include an electron transfer compound represented by the following general formula.
  • Ar 1, Ar 2, Ar 3, Ar 5, Ar 6, Ar 9 each represent a substituted or unsubstituted Ariru group, each may be the same or different from each other.
  • the Ar 4, Ar 7 and Ar 8 each represent a substituted or unsubstituted arylene group, which may be the same or different.
  • examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, an anthral group, a perylenyl group and a pyrenyl group.
  • examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, an anthracene group, a perylenylene group, and a pyrenylene group.
  • the electron transfer conjugate is preferably a thin film-forming material.
  • the following are specific examples of the electron-transportable conjugate.
  • a 1 to A 3 are each independently a nitrogen atom or a carbon atom.
  • Ar 1 is a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 60 nuclear carbon atoms
  • Ar 2 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted Aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 60 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or substituted or unsubstituted carbon number It is a 1-20 alkoxy group or a divalent group of these.
  • one of Ar 1 and Ar 2 is a substituted or unsubstituted fused ring group having 10 to 60 nuclear carbon atoms or a substituted or unsubstituted monohetero fused ring group having 3 to 60 nuclear carbon atoms. .
  • L 1 , L 2 and L are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted arylene group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroarylene group having 3 to 60 nuclear carbon atoms, or It is a substituted or unsubstituted fluorenylene group.
  • R is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 60 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms Or a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, n is an integer of 0 to 5, and when n is 2 or more, a plurality of Rs may be the same or different, and May be bonded to each other to form a carbocyclic aliphatic ring or a carbocyclic aromatic ring.
  • HAr is a nitrogen-containing heterocyclic ring having 3 to 40 carbon atoms which may have a substituent
  • L is a single bond, having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent.
  • Ar 1 may have a substituent
  • Ar 2 is a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms
  • Ar 2 may have a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 60 carbon atoms.
  • X and Y are each independently a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an alkoxy-alkoxy group, an alkyloxy group, a hydroxy group, a substituted or unsubstituted group, An unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocyclic ring, or a structure in which X and Y are combined to form a saturated or unsaturated ring, and R to R are each independently hydrogen, halogen,
  • Atom substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, alkoxy group, aryloxy group, perfluoroalkyl group, perfluoroalkoxy group, amino group, alkylcarbyl group, arylcarbon -Alkyl group, alkoxycarboxy group, aryloxycarbonyl group, azo group, alkylcarboxy group, arylcarboxy group, alkoxycarboxy group, aryloxycarboxy group, sulfyl group, Sulfol group, sulfal group, silyl group, carbamoyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, alkyl group, nitro group, formyl group, nitroso group, formyloxy group, isocyano group , Cyanate group, isocyanate group, thiosinate group, isothiosinate group or cyano group or substituted when adjacent Properly it has a
  • R 1 to R and Z each represent a hydrogen atom, a saturated or unsaturated carbonized
  • X represents a hydrogen group, an aromatic group, a heterocyclic group, a substituted amino group, a substituted boryl group, an alkoxy group or an aryloxy group, and X, Y and Z each independently represent a saturated or unsaturated carbon atom.
  • n Represents an integer of 1 to 3, and when n is 2 or more, Z may be different. Where n is 1
  • R force hydrogen atom or substituted boryl group
  • Z force S methyl group when n is 3
  • Q 1 and Q 2 each independently represent a ligand represented by the following general formula (G), and L represents a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, A substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group, OR 1 (R 1 is a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group Or a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.) Or —O Ga Q 3 (Q 4 ) (Q 3 and Q 4 are the same as Q 1 and Q 2 ) Represents a ligand. ]
  • rings A 1 and A 2 have a 6-membered aryl ring structure which may have a substituent and are fused to each other.
  • This metal complex has a strong electron-injecting ability, which has a strong property as an n-type semiconductor. Furthermore, since the energy generated during complex formation is low, the bond between the metal and the ligand of the formed metal complex is strengthened, and the fluorescence quantum efficiency as a luminescent material is also increased.
  • substituents of the rings A 1 and A 2 forming the ligand of the general formula (G) include chlorine, bromine, iodine, a halogen atom of fluorine, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, Substituted or unsubstituted alkyl, phenyl, naphthyl, etc. such as butyl, sec butyl, tert butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, stearyl, trichloromethyl, etc.
  • Substituted or unsubstituted alkylthio groups such as methylthio group, phenylthio group, p-trophenylthio group, ptert-butylfluorothio group, 3-fluorophenylthio group, pentafluorophenylthio group, 3-trifluoro
  • a heterocyclic group such as a phenyl group. Further, the above substituents may be combined with each other to form a further 6-membered aryl ring or heterocyclic ring.
  • a preferred embodiment of the organic EL device of the present invention is a device containing a reducing dopant in a region for transporting electrons or an interface region between the cathode and the organic layer.
  • a reducing dopant is defined as a substance that can reduce an electron transporting compound. Accordingly, various substances having a certain reducing property are used, for example, alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, oxides of alkali metals, halides of alkali metals, and alkaline earth metals.
  • a metal oxide, a alkaline earth metal halide, a rare earth metal oxide or a rare earth metal halide, an alkali metal organic complex, an alkaline earth metal organic complex, and a rare earth metal organic complex At least one substance selected from the group can be suitably used.
  • preferable reducing dopants include Na (work function: 2.36 eV), K (work function: 2.28 eV), Rb (work function: 2.16 eV) and Cs (work function: 1).
  • 95eV) force is at least one alkali metal selected, Ca (work function: 2.9eV) ;), Sr (work function: 2.0 to 2.5 eV), and Ba (work function: 2.52 eV).
  • the work function is at least one alkaline earth metal selected from the group consisting of 2.9 eV.
  • more preferred reducing dopants are at least one alkali metal selected from the group consisting of K, Rb and Cs, more preferably Rb or Cs, and most preferably Cs .
  • a reducing dopant having a work function of 2.9 eV or less As a reducing dopant having a work function of 2.9 eV or less, a combination of these two or more kinds of alkali metals is also preferable.
  • a combination containing Cs, for example, Cs and Na, Cs and K, Cs and A combination of Rb or Cs with Na and ⁇ is preferred.
  • an electron injection layer composed of an insulator or a semiconductor may be further provided between the cathode and the organic layer.
  • an insulator it is preferable to use at least one metal compound selected from the group consisting of an alkali metal chalcogenide, an alkaline earth metal chalcogenide, an alkali metal halide and an alkaline earth metal halogenide. I like it.
  • the electron injecting layer is composed of these alkali metal chalcogenides or the like, since the electron injecting property can be further improved.
  • preferred alkali metal chalcogenides include, for example, Li0, LiO, NaS, NaSe and NaO.
  • Preferred alkaline earth metal chalcogenides include, for example, CaO, BaO, Sr0, BeO, BaS, and CaSe.
  • Preferred alkali metal halides include, for example, LiF, NaF, KF, LiCl, KC1, and NaCl.
  • Preferred alkaline earth metal halides include, for example, CaF, BaF, SrF
  • fluorides such as MgF and BeF, and halides other than fluoride.
  • semiconductors constituting the electron transport layer include oxides containing at least one element of Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and Zn. , Nitride Alternatively, one kind or a combination of two or more kinds, such as oxy-nitride, may be used. Further, it is preferable that the inorganic compound constituting the electron transporting layer is a microcrystalline or amorphous insulating thin film. If the electron transport layer is composed of these insulating thin films, a more uniform thin film is formed, so that pixel defects such as dark spots can be reduced. Examples of such inorganic compounds include the above-described alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, halides of alkali metals, and halides of alkaline earth metals.
  • a metal, an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof having an electrode material that has a small work function! / ⁇ (4 eV or less) are used as the cathode.
  • electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium silver alloy, aluminum Z aluminum oxide, Al / Li O, Al / LiO, Al / LiF,
  • Lumidium Lithium alloy indium, rare earth metals, etc.
  • the cathode can be manufactured by forming a thin film from these electrode substances by a method such as evaporation or sputtering.
  • the transmittance of the cathode with respect to the light emission be greater than 10%.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred ⁇ / b or less, and the film thickness is usually ⁇ ! 11 ⁇ m, preferably 50-200 nm.
  • an organic EL element is liable to cause pixel defects due to leakage or short-circuit because an electric field is applied to an ultra-thin film.
  • an insulating thin film layer may be inserted between the pair of electrodes.
  • Examples of the material used for the insulating layer include, for example, aluminum oxide, lithium fluoride, lithium oxide, fluoresceium, acid cesium, acid magnesium, fluormagnesium, oxide magnesium, calcium fluoride, calcium fluoride, and the like.
  • Examples include aluminum nitride, titanium oxide, silicon oxide, germanium oxide, silicon nitride, boron nitride, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and vanadium oxide. These mixtures and laminates may be used.
  • an anode for example, an anode, a light-emitting layer, a hole injection layer if necessary, and an electron injection if necessary A layer may be formed, and finally a cathode may be formed. Also, from the cathode to the anode, in the reverse order Organic EL devices can also be manufactured.
  • a thin film made of an anode material is formed on a suitable translucent substrate by a vapor deposition method or a sputtering method so as to have a thickness of 1 ⁇ m or less, preferably in a range of 10 to 200 nm.
  • a hole injection layer is provided on the anode.
  • the hole injection layer can be formed by a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or the like, but as soon as a uniform film is obtained, pinholes are generated. It is preferable to form the film by a vacuum vapor deposition method such as a difficulty.
  • the deposition conditions vary depending on the compound used (the material of the hole injection layer), the crystal structure and the recombination structure of the target hole injection layer, etc.
  • a light emitting layer is provided on the hole injection layer.
  • This light emitting layer can also be formed by thinning the light emitting material using the light emitting material according to the present invention by a vacuum evaporation method, sputtering, spin coating method, casting method, or the like. As soon as it is obtained, pinholes are less likely to be generated.
  • the evaporation conditions vary depending on the compound to be used, but can be generally selected from the same condition range as the formation of the hole injection layer.
  • the thickness is preferably in the range of 10 to 40 nm.
  • an electron injection layer is provided on the light emitting layer. Also in this case, it is preferable to form the film by a vacuum evaporation method because it is necessary to obtain a uniform film like the hole injection layer and the light emitting layer.
  • the deposition conditions can be selected from the same condition ranges as for the hole injection layer and the light emitting layer.
  • an organic EL element can be obtained by laminating a cathode.
  • the cathode also has a metallic force, and can be formed by a vapor deposition method or sputtering.
  • a vacuum deposition method is preferred.
  • each layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited.
  • a conventionally known forming method such as a vacuum evaporation method and a spin coating method can be used.
  • the organic thin film layer containing the compound represented by the general formula (1) used in the organic EL device of the present invention may be formed by a vacuum evaporation method, a molecular beam evaporation method (MBE method) or a dipping method of a solution dissolved in a solvent, It can be formed by a known method such as a spin coating method, a casting method, a bar coating method, and a roll coating method.
  • MBE method molecular beam evaporation method
  • a dipping method of a solution dissolved in a solvent It can be formed by a known method such as a spin coating method, a casting method, a bar coating method, and a roll coating method.
  • each organic layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited, but is preferably in the range of several nm to 1 ⁇ m in order to improve defects such as pinholes and improve efficiency.
  • Example 1 (manufacture of organic EL device: example using compound AN-1)
  • a 25 mm ⁇ 75 mm ⁇ 1.1 mm thick glass substrate with an ITO transparent electrode (manufactured by Geomatic) was subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 5 minutes, and then to UV ozone cleaning for 30 minutes.
  • the glass substrate with the transparent electrode lines after cleaning is mounted on the substrate holder of the vacuum evaporation apparatus, and first, the following N having a film thickness of 60 nm is covered so as to cover the transparent electrodes on the surface where the transparent electrode lines are formed.
  • N one bis (N, N, one diphenyl 4-aminophenol) — N, N diphenyl — 4, 4, — diamino — 1, 1, — biphenyl film (hereinafter TPD2322) Film).
  • This TPD232 film functions as a hole injection layer.
  • the following N, N, ⁇ ', ⁇ , monotetra (4-biphenyl) -diaminobiphenylene film (hereinafter referred to as TBDB film) having a thickness of 20 nm was formed.
  • This film functions as a hole transport layer.
  • the above-mentioned compound AN-1 having a film thickness of 40 nm was vapor-deposited to form a film.
  • the following amine compound BD1 having a styryl group was vapor-deposited as a pure blue dopant at a weight ratio of AN-1: BD1: 40: 1 to AN-1.
  • This film functions as a light emitting layer.
  • the following Alq film having a thickness of 10 nm was formed on this film. This functions as an electron injection layer.
  • a reducing dopant Li Li source: manufactured by Saesgetter Co., Ltd.
  • Alq were binary deposited to form an A1q: Li film (film thickness lOnm) as an electron injection layer (cathode).
  • Metal A1 was vapor-deposited on this Alq: Li film to form a metal cathode, thereby forming an organic EL device.
  • Example 2 (Production of Organic EL Element: Example Using Compound AN-2)
  • An organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that Compound AN-2 was used instead of Compound AN-1.
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1, except that the following Aminy conjugate BD2 was used instead of the Amine conjugate BD1.
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1, except that the following Aminy conjugate BD3 was used instead of the Amine conjugate BD1.
  • Example 1 the following compounds an-1 described in JP-A-2000-182776 and the following compounds an-2 described in WO04Z018587 were used in place of the compound AN-1, and the luminescence described in Table 2 was used.
  • An organic EL device was manufactured in the same manner except that the material for forming the layer was used.
  • the organic EL device using the anthracene derivative represented by the general formula (I) of the present invention has a longer life than the organic EL devices of Comparative Examples 1 and 2. High blue purity.
  • the organic EL device using the anthracene derivative represented by the general formula (I) of the present invention has high blue purity and long life. Therefore, it is useful as an organic EL device for color display, which is expected to be used for a long time.

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Abstract

　非対称型の特定構造を有するアントラセン誘導体、並びに、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記特定構造のアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、色純度が高く、長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子、及びそれを実現するアントラセン誘導体を提供する。

Description

明 細 書
アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクト口ルミネッセンス素子 技術分野
[0001] 本発明は、有機エレクト口ルミネッセンス素子及びアントラセン誘導体に関し、さらに 詳しくは、色純度が高ぐ長寿命な有機エレクト口ルミネッセンス素子、及びそれを実 現するアントラセン誘導体に関するものである。
背景技術
[0002] 有機エレクト口ルミネッセンス素子（以下エレクト口ルミネッセンスを ELと略記すること がある）は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電 子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子で ある。イーストマン 'コダック社の C. W. Tangらによる積層型素子による低電圧駆動 有機 EL素子の報告（C.W. Tang, S.A. Vanslyke,アプライドフィジックスレターズ (Appl ied Physics Letters),51卷、 913頁、 1987年等）がなされて以来、有機材料を構成材 料とする有機 EL素子に関する研究が盛んに行われている。 Tangらは、トリス（8—ヒ ドロキシキノリノールアルミニウム）を発光層に、トリフエ-ルジァミン誘導体を正孔輸 送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高める こと、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効 率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この 例のように有機 EL素子の素子構造としては、正孔輸送 (注入)層、電子輸送発光層 の 2層型、または正孔輸送 (注入)層、発光層、電子輸送 (注入)層の 3層型等がよく 知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を 高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。
[0003] また、発光材料としてはトリス（8—キノリノラート)アルミニウム錯体等のキレート錯体 、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルァリーレン誘導体、 ォキサジァゾール誘導体等の発光材料が知られており、それらからは青色から赤色 までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が 期待されている（例えば、特許文献 1〜3等)。 また、発光材料としてフエ二ルアントラセン誘導体を用いた素子が特許文献 4に開 示されている。このようなアントラセン誘導体は青色発光材料として用いられるが、素 子寿命を伸ばすことが望まれていた。また、アントラセンの 9, 10位にフルオランテン 基を有する素子材料が特許文献 5に開示されている。このようなアントラセン誘導体も 青色発光材料として用いられるが、やはり素子寿命の改善が求められていた。また、 特許文献 6に種々のアントラセン誘導体を正孔輸送材料として用いることが開示され ている。し力しながらその合成は実際にされておらず、発光材料としての評価は未だ 成されていな力つた。さらに、特許文献 7には、非対称型のアントラセン誘導体が開 示されて!/、るが、さらに青色純度の高 、ィ匕合物が望まれて 、た。
[0004] 特許文献 1 :特開平 8— 239655号公報
特許文献 2：特開平 7 - 138561号公報
特許文献 3：特開平 3 - 200289号公報
特許文献 4：特開平 8— 012600号公報
特許文献 5：特開 2001— 257074号公報
特許文献 6：特開 2000— 182776号公報
特許文献 7：国際公開 WO04Z018587号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0005] 本発明は、前記の課題を解決するためなされたもので、青色純度が高ぐ長寿命な 有機 EL素子及びそれを実現するアントラセン誘導体を提供することを目的とする。 課題を解決するための手段
[0006] 本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、下記一般式
(I)で表される非対称型の特定構造を有するアントラセン構造を有する化合物を有機
EL素子の材料として用いると、寿命が長い有機 EL素子が得られることを見出し、本 発明を完成するに至った。
[0007] すなわち、本発明は、下記一般式 (I)で表されるアントラセン誘導体を提供するもの である。
[化 1]
Figure imgf000004_0001
[0008] [式中、 Xは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基、置換も しくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数 1 〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のシクロアルキル基、置換 もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜5 0のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、置換 もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1 〜50のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、 ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。
Ar1及び Ar2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 10〜50の縮合 芳香族基であり、 Ar1及び Ar2の少なくとも一方は、下記一般式 (II)で表される 1—ナ フチル基、下記一般式 (III)で表される 2—ナフチル基、又は下記一般式 (IV)で表さ れるトリプチセニル基である。
[0009] [化 2]
Figure imgf000004_0002
( Π ) (ΠΙ) (IV)
[0010] (式中、 Ri〜R7は、水素原子又は置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基 であり、 Ri〜R7のうちの隣接する少なくとも 1組は、両方共にアルキル基であって、互 いに結合して環状構造を形成している。 Xは前記と同じである。 d〜iは、それぞれ 0〜 4の整数である。 )
a〜cは、それぞれ 0〜4の整数である。
nは 1〜3の整数である。また、 nが 2以上の場合は、 [ ]内の
[0011] [化 3]
Figure imgf000005_0001
は、同じでも異なっていてもよい。 ]
[0012] また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層力もなる 有機薄膜層が挟持されている有機 EL素子において、該有機薄膜層の少なくとも 1層 力 前記アントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機 EL素 子を提供するものである。
発明の効果
[0013] 本発明の有機 EL素子及び本発明のアントラセン誘導体を用いた有機 EL素子は、 青色純度が高ぐ長寿命である。
発明を実施するための最良の形態
[0014] 本発明のアントラセン誘導体は、下記一般式 (I)で表される。
Figure imgf000006_0001
[0015] 一般式 (I)にお 、て、 Xは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳 香族基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もしくは無 置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のシクロア ルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換 の炭素数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリール ォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無 置換の炭素数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換のシリル基、力 ルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。
[0016] Xの芳香族基の例としては、フエ-ル基、 1 ナフチル基、 2 ナフチル基、 1ーァ ントリル基、 2 アントリル基、 9 アントリル基、 1—フエナントリル基、 2—フエナントリ ル基、 3 フエナントリル基、 4 フエナントリル基、 9 フエナントリル基、 1 ナフタセ -ル基、 2 ナフタセ-ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1—ピレ-ル基、 2 ピレ-ル基、 4ーピレ-ル基、 2 ビフエ-ルイル基、 3 ビフエ-ルイル基、 4ービフエ-ルイル基 ゝ p ターフェ-ルー 4—ィル基、 p ターフェ-ルー 3—ィル基、 p ターフェ-ルー 2—ィル基、 m—ターフェ-ルー 4—ィル基、 m—ターフェ-ルー 3—ィル基、 m—タ 一フエ-ルー 2—ィル基、 o トリル基、 m—トリル基、 ρ トリル基、 p— t—ブチルフエ -ル基、 P— (2 フエ-ルプロピル）フエ-ル基、 3—メチル—2 ナフチル基、 4—メ チルー 1 ナフチル基、 4ーメチルー 1 アントリル基、 4，ーメチルビフエ-ルイル基 、 4" t ブチル p ターフェ-ル 4 ィル基等が挙げられる。
[0017] Xの芳香族複素環基の例としては、 1 ピロリル基、 2 ピロリル基、 3 ピロリル基、 ピラジュル基、 2 ピリジニル基、 3 ピリジ-ル基、 4 ピリジニル基、 1 インドリル 基、 2—インドリル基、 3—インドリル基、 4—インドリル基、 5—インドリル基、 6—インド リル基、 7—インドリル基、 1—イソインドリル基、 2—イソインドリル基、 3—イソインドリ ル基、 4 イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソインドリル基、 7—イソインド リル基、 2 フリル基、 3 フリル基、 2 べンゾフラ-ル基、 3 べンゾフラ-ル基、 4 一べンゾフラ-ル基、 5—べンゾフラ-ル基、 6—べンゾフラ-ル基、 7—べンゾフラ- ル基、 1 イソべンゾフラ-ル基、 3 イソべンゾフラ-ル基、 4 イソべンゾフラ-ル 基、 5—イソべンゾフラ-ル基、 6—イソべンゾフラ-ル基、 7—イソべンゾフラ-ル基、 キノリル基、 3—キノリル基、 4 キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリ ル基、 8 キノリル基、 1 イソキノリル基、 3 イソキノリル基、 4 イソキノリル基、 5— イソキノリル基、 6 イソキノリル基、 7 イソキノリル基、 8 イソキノリル基、 2 キノキ サリニル基、 5 キノキサリニル基、 6 キノキサリニル基、 1一力ルバゾリル基、 2—力 ルバゾリル基、 3—力ルバゾリル基、 4一力ルバゾリル基、 9一力ルバゾリル基、 1ーフ ェナンスリジ-ル基、 2 フエナンスリジ-ル基、 3 フエナンスリジ-ル基、 4 フエナ ンスリジ-ル基、 6—フエナンスリジ-ル基、 7—フエナンスリジ-ル基、 8—フエナンス リジ-ル基、 9 フエナンスリジ-ル基、 10 フエナンスリジ-ル基、 1—アタリジ-ル 基、 2—アタリジ-ル基、 3—アタリジ-ル基、 4—アタリジニル基、 9—アタリジニル基、 1, 7 フエナンスロリン一 2—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン一 3—ィル基、 1, 7 フ ェナンスロリン— 4—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 5—ィル基、 1, 7 フエナンス 口リン— 6—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 8—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 9 —ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 2—ィル 基、 1, 8 フエナンスロリンー3—ィル基、 1, 8 フエナンスロリンー4ーィル基、 1, 8 —フエナンスロリン一 5—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン一 6—ィル基、 1, 8 フエナ ンスロリン一 7—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン一 9—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン — 10—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 3— ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 5—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン一 6—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン一 7—ィル基、 1, 9 フ ェナンスロリン— 8—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 10 フエナン スロリン— 2—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 10 フエナンスロリ ン— 4—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 1 ーィル基、 2, 9 フエナンスロリンー3—ィル基、 2, 9 フエナンスロリンー4 ィル基 、 2, 9 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 6—ィル基、 2, 9— フエナンスロリン一 7—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン一 8—ィル基、 2, 9 フエナン スロリン— 10—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 1—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン —3—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 4—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 5—ィ ル基、 2, 8—フエナンスロリンー6—ィル基、 2, 8—フエナンスロリンー7—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 9—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 10—ィル基、 2, 7 フエ ナンスロリン— 1—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 3—ィル基、 2, 7 フエナンスロ リン 4ーィル基、 2, 7 フエナンスロリン一 5—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン一 6 ーィル基、 2, 7 フエナンスロリンー8—ィル基、 2, 7 フエナンスロリンー9 ィル基 、 2, 7 フエナンスロリン 10—ィル基、 1 フエナジ-ル基、 2 フエナジ-ル基、 1 フエノチアジ-ル基、 2 フエノチアジ-ル基、 3 フエノチアジ-ル基、 4ーフエノ チアジ-ル基、 10—フエノチアジ-ル基、 1 フエノキサジ-ル基、 2—フエノキサジ ニル基、 3 フエノキサジ-ル基、 4 フエノキサジ-ル基、 10 フエノキサジ-ル基 、 2—ォキサゾリル基、 4ーォキサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2 ォキサジァゾリル 基、 5 ォキサジァゾリル基、 3 フラザ-ル基、 2 チェ-ル基、 3 チェ-ル基、 2 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 2 メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2 メチルピロ一 ルー 4ーィル基、 2 メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 3 メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3 メチルピロ一ルー 4ーィル基、 3 メチルピロ一 ルー 5—ィル基、 2— t—ブチルピロ一ルー 4ーィル基、 3—（2 フエ-ルプロピル）ピ ロール 1ーィル基、 2—メチルー 1 インドリル基、 4ーメチルー 1 インドリル基、 2 ーメチルー 3 インドリル基、 4ーメチルー 3 インドリル基、 2 t ブチル 1 インドリ ル基、 4 t ブチル 1 インドリル基、 2 t ブチル 3 インドリル基、 4 t ブチル 3—インドリル基等が挙げられる。
Xのアルキル基の例としては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n ブチル基、 s ブチル基、イソブチル基、 t ブチル基、 n—ペンチル基、 n—へキ シル基、 n—へプチル基、 n—ォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル 基、 2—ヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシイソブチル基、 1 , 2—ジヒドロキシェチル 基、 1 , 3 ジヒドロキシイソプロピル基、 2, 3 ジヒドロキシー t ブチル基、 1 , 2, 3 —トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、 1—クロ口ェチル基、 2—クロロェチル基、
2 クロ口イソブチル基、 1 , 2 ジクロロェチル基、 1 , 3 ジクロロイソプロピル基、 2,
3 ジクロロ一 t ブチル基、 1 , 2, 3 トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1—ブ ロモェチル基、 2—ブロモェチル基、 2—ブロモイソブチル基、 1 , 2—ジブロモェチル 基、 1 , 3 ジブロモイソプロピル基、 2, 3 ジブ口モー t—ブチル基、 1 , 2, 3 トリブ ロモプロピル基、ョードメチル基、 1ーョードエチル基、 2—ョードエチル基、 2—ョード イソブチル基、 1 , 2 ジョードエチル基、 1 , 3 ジョードイソプロピル基、 2, 3 ジョ 一ドー t—ブチル基、 1 , 2, 3 トリョードプロピル基、アミノメチル基、 1—アミノエチル 基、 2 アミノエチル基、 2 ァミノイソブチル基、 1 , 2 ジアミノエチル基、 1 , 3 ジ ァミノイソプロピル基、 2, 3 ジァミノ一 t—ブチル基、 1 , 2, 3 トリァミノプロピル基、 シァノメチル基、 1ーシァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1 , 2 ジシァノエチル基、 1 , 3 ジシァノイソプロピル基、 2, 3 ジシァノー t—ブチル 基、 1 , 2, 3 トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、 1— -トロェチル基、 2 -トロェ チル基、 2 -トロイソブチル基、 1 , 2 ジ-トロェチル基、 1 , 3 ジ-トロイソプロピ ル基、 2, 3 ジニトロ— t—ブチル基、 1 , 2, 3 トリ-トロプロピル基等が挙げられる
[0019] Xのシクロアルキル基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペン チル基、シクロへキシル基、 4ーメチルシクロへキシル基、 1ーァダマンチル基、 2 ァ ダマンチル基、 1 ノルボルニル基、 2—ノルボル-ル基等が挙げられる。
Xのアルコキシ基は、 OYで表される基であり、 Yの例としては、前記アルキル基 で挙げたものと同様の例が挙げられる。
[0020] Xのァラルキル基の例としては、ベンジル基、 1 フエ-ルェチル基、 2—フエ-ル ェチル基、 1—フエ-ルイソプロピル基、 2—フエ-ルイソプロピル基、フエ-ルー t— ブチノレ基、 a ナフチノレメチノレ基、 1 - a ナフチノレエチノレ基、 2 - a ナフチノレエ チル基、 1 α ナフチルイソプロピル基、 2— a ナフチルイソプロピル基、 β —ナ フチルメチル基、 1— β ナフチルェチル基、 2 - β ナフチルェチル基、 1 β— ナフチルイソプロピル基、 2— β ナフチルイソプロピル基、 1 ピロリルメチル基、 2 一（1 ピロリル）ェチル基、 ρ—メチルベンジル基、 m—メチルベンジル基、 o—メチ ノレべンジノレ基、 p クロ口べンジノレ基、 m—クロ口べンジノレ基、 o クロ口べンジノレ基、 p ブロモベンジル基、 m—ブロモベンジル基、 o ブロモベンジル基、 p ョードベ ンジル基、 m—ョードベンジル基、 o ョードベンジル基、 p ヒドロキシベンジル基、 m—ヒドロキシベンジル基、 o ヒドロキシベンジル基、 p ァミノべンジル基、 m—アミ ノベンジル基、 o ァミノべンジル基、 p -トロベンジル基、 m—-トロベンジル基、 o -トロベンジル基、 p シァノベンジル基、 m—シァノベンジル基、 o シァノベンジ ル基、 1—ヒドロキシ一 2—フエ-ルイソプロピル基、 1—クロ口一 2—フエ-ルイソプロ ピル基等が挙げられる。
Xのァリールォキシ基は、 OY'と表され、 Y'の例としてはフエニル基、 1 ナフチ ル基、 2 ナフチル基、 1 アントリル基、 2 アントリル基、 9 アントリル基、 1 フエ ナントリル基、 2 フエナントリル基、 3 フエナントリル基、 4 フエナントリル基、 9 フエナントリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタセ-ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1 ーピレ-ル基、 2 ピレ-ル基、 4ーピレ-ル基、 2 ビフヱ-ルイル基、 3 ビフエ- ルイル基、 4—ビフエ-ルイル基、 p ターフェ-ルー 4—ィル基、 p ターフェ-ルー 3—ィル基、 p ターフェ-ルー 2—ィル基、 m—ターフェ-ルー 4—ィル基、 m—ター フエ-ルー 3—ィル基、 m—ターフェ-ルー 2—ィル基、 o トリル基、 m—トリル基、 p トリル基、 p—t—ブチルフエ-ル基、 p— (2 フエ-ルプロピル）フエ-ル基、 3—メ チルー 2 ナフチル基、 4ーメチルー 1 ナフチル基、 4ーメチルー 1 アントリル基、 4，ーメチルビフエ-ルイル基、 4" tーブチルー p—ターフェ-ルー 4ーィル基、 2— ピロリル基、 3 ピロリル基、ピラジュル基、 2 ピリジ-ル基、 3 ピリジ-ル基、 4 ピリジ-ル基、 2 インドリル基、 3 インドリル基、 4 インドリル基、 5 インドリル基、 6—インドリル基、 7 インドリル基、 1—イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4—ィ ソインドリル基、 5 イソインドリル基、 6 イソインドリル基、 7 イソインドリル基、 2— フリル基、 3 フリル基、 2 べンゾフラ-ル基、 3 べンゾフラ-ル基、 4 ベンゾフラ -ル基、 5 べンゾフラ-ル基、 6 べンゾフラ-ル基、 7 べンゾフラ-ル基、 1ーィ ソベンゾフラ -ル基、 3—イソべンゾフラ-ル基、 4 イソべンゾフラ-ル基、 5—イソべ ンゾフラ-ル基、 6 イソべンゾフラ-ル基、 7 イソべンゾフラ-ル基、 2 キノリル基 、 3—キノリル基、 4 キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8— キノリル基、 1 イソキノリル基、 3 イソキノリル基、 4 イソキノリル基、 5 イソキノリ ル基、 6 イソキノリル基、 7 イソキノリル基、 8 イソキノリル基、 2 キノキサリニル 基、 5 キノキサリニル基、 6 キノキサリニル基、 1一力ルバゾリル基、 2—力ルバゾリ ル基、 3—力ルバゾリル基、 4一力ルバゾリル基、 1 フエナンスリジ-ル基、 2 フエ ナンスリジ-ル基、 3—フエナンスリジ-ル基、 4 フエナンスリジ-ル基、 6—フエナン スリジ-ル基、 7—フエナンスリジ-ル基、 8—フエナンスリジ-ル基、 9 フエナンスリ ジ-ル基、 10 フエナンスリジ-ル基、 1—アタリジ-ル基、 2—アタリジ-ル基、 3- アタリジ-ル基、 4—アタリジ-ル基、 9—アタリジ-ル基、 1, 7 フエナンスロリン一 2 —ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 4—ィル基 、 1, 7 フエナンスロリン— 5—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 6—ィル基、 1, 7— フエナンスロリン一 8—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン一 9—ィル基、 1, 7 フエナン スロリン— 10—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン —3—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 5—ィ ル基、 1, 8—フエナンスロリンー6—ィル基、 1, 8—フエナンスロリンー7—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 9—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 9 フエ ナンスロリン— 2—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 9 フエナンスロ リン 4ーィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 5—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 6 —ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 7—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 8—ィル基 、 1, 9 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 1 0 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 10 フ ェナンスロリン— 5—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 1—ィル基、 2, 9 フエナンス 口リン一 3—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン一 4—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン一 5 ーィル基、 2, 9 フエナンスロリンー6—ィル基、 2, 9 フエナンスロリンー7 ィル基 、 2, 9 フエナンスロリン— 8—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 10—ィル基、 2, 8 —フエナンスロリン一 1—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 3—ィル基、 2, 8 フエナ ンスロリン一 4—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 5—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン —6—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 7—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 9—ィ ル基、 2, 8—フエナンスロリン 10—ィル基、 2, 7—フエナンスロリン 1ーィル基、 2 , 7 フエナンスロリン一 3—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン一 4—ィル基、 2, 7 フエ ナンスロリン— 5—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 6—ィル基、 2, 7 フエナンスロ リン— 8—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 9—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 10 ーィル基、 1 フエナジ-ル基、 2—フエナジ-ル基、 1 フエノチアジ-ル基、 2—フ エノチアジ-ル基、 3 フエノチアジ-ル基、 4 フエノチアジ-ル基、 1 フエノキサ ジ-ル基、 2 フエノキサジ-ル基、 3 フエノキサジ-ル基、 4 フエノキサジ-ル基 、 2—ォキサゾリル基、 4ーォキサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2 ォキサジァゾリル 基、 5 ォキサジァゾリル基、 3 フラザ-ル基、 2 チェ-ル基、 3 チェ-ル基、 2 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 2 メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2 メチルピロ一 ルー 4ーィル基、 2 メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 3 メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3 メチルピロ一ルー 4ーィル基、 3 メチルピロ一 ルー 5—ィル基、 2— t—ブチルピロ一ルー 4ーィル基、 3—（2 フエ-ルプロピル）ピ ロール 1ーィル基、 2—メチルー 1 インドリル基、 4ーメチルー 1 インドリル基、 2 ーメチルー 3 インドリル基、 4ーメチルー 3 インドリル基、 2 t ブチル 1 インドリ ル基、 4 t ブチル 1 インドリル基、 2 t ブチル 3 インドリル基、 4 t ブチル 3—インドリル基等が挙げられる。
Xのァリールチオ基は、 SY"と表され、 Y"の例としてはフエ-ル基、 1—ナフチル 基、 2 ナフチル基、 1 アントリル基、 2 アントリル基、 9 アントリル基、 1 フエナ ントリル基、 2 フエナントリル基、 3 フエナントリル基、 4 フエナントリル基、 9 フエ ナントリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタセ-ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1ーピ レニル基、 2 ピレ-ル基、 4 ピレ-ル基、 2 ビフエ-ルイル基、 3 ビフエ-ルイ ル基、 4—ビフエ-ルイル基、 p ターフェ-ルー 4—ィル基、 p ターフェ-ルー 3— ィル基、 ρ ターフェ-ルー 2—ィル基、 m—ターフェ-ルー 4—ィル基、 m—ターフェ 二ルー 3—ィル基、 m—ターフェ-ルー 2—ィル基、 o トリル基、 m—トリル基、 p ト リル基、 p—t—ブチルフエ-ル基、 p— (2 フエ-ルプロピル）フエ-ル基、 3—メチ ルー 2 ナフチル基、 4ーメチルー 1 ナフチル基、 4ーメチルー 1 アントリル基、 4， —メチルビフエ-ルイル基、 4"— t—ブチル—p ターフェ-ルー 4—ィル基、 2 ピ 口リル基、 3 ピロリル基、ピラジュル基、 2 ピリジ-ル基、 3 ピリジ-ル基、 4 ピリ ジ-ル基、 2—インドリル基、 3—インドリル基、 4—インドリル基、 5—インドリル基、 6 —インドリル基、 7—インドリル基、 1—イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4—イソ インドリル基、 5 イソインドリル基、 6 イソインドリル基、 7 イソインドリル基、 2 フリ ル基、 3 フリル基、 2 べンゾフラ-ル基、 3 べンゾフラ-ル基、 4一べンゾフラ- ル基、 5 べンゾフラ-ル基、 6 べンゾフラ-ル基、 7 べンゾフラ-ル基、 1 イソ ベンゾフラ-ル基、 3—イソべンゾフラ-ル基、 4 イソべンゾフラ-ル基、 5—イソベン ゾフラ-ル基、 6 イソべンゾフラ-ル基、 7 イソべンゾフラ-ル基、 2 キノリル基、 3—キノリル基、 4 キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8—キ ノリル基、 1 イソキノリル基、 3 イソキノリル基、 4 イソキノリル基、 5 イソキノリル 基、 6 イソキノリル基、 7 イソキノリル基、 8 イソキノリル基、 2 キノキサリニル基、 5 キノキサリニル基、 6 キノキサリニル基、 1一力ルバゾリル基、 2—力ルバゾリル基 、 3—力ルバゾリル基、 4一力ルバゾリル基、 1 フエナンスリジ-ル基、 2 フエナンス リジ-ル基、 3—フエナンスリジ-ル基、 4 フエナンスリジ-ル基、 6—フエナンスリジ -ル基、 7—フエナンスリジ-ル基、 8—フエナンスリジ-ル基、 9 フエナンスリジ-ル 基、 10 フエナンスリジ-ル基、 1—アタリジ-ル基、 2—アタリジ-ル基、 3—アタリジ 二ノレ基、 4—アタリジ-ノレ基、 9—アタリジニノレ基、 1, 7 フエナンスロリン一 2—ィノレ 基、 1, 7 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 7 —フエナンスロリン一 5—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン一 6—ィル基、 1, 7 フエナ ンスロリン一 8—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン一 9—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン — 10—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 3— ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 5—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン一 6—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン一 7—ィル基、 1, 8 フ ェナンスロリン— 9—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 9 フエナン スロリン— 2—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン —4—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 5—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 6—ィ ル基、 1, 9—フエナンスロリン— 7—ィル基、 1, 9—フエナンスロリン— 8—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 10— フエナンスロリン一 3—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン一 4—ィル基、 1, 10 フエナ ンスロリン一 5—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン一 1—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン —3—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 4—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 5—ィ ル基、 2, 9—フエナンスロリンー6—ィル基、 2, 9—フエナンスロリンー7—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 8—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 10—ィル基、 2, 8 フエ ナンスロリン— 1—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 3—ィル基、 2, 8 フエナンスロ リン 4ーィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 5—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 6 ーィル基、 2, 8 フエナンスロリンー7—ィル基、 2, 8 フエナンスロリンー9 ィル基 、 2, 8 フエナンスロリン— 10—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 1—ィル基、 2, 7 —フエナンスロリン一 3—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン一 4—ィル基、 2, 7 フエナ ンスロリン一 5—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン一 6—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン —8—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 9—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 10— ィル基、 1 フエナジ-ル基、 2—フエナジ-ル基、 1 フエノチアジ-ル基、 2—フエ ノチアジ-ル基、 3 フエノチアジ-ル基、 4 フエノチアジ-ル基、 1ーフエノキサジ ニル基、 2 フエノキサジ-ル基、 3 フエノキサジ-ル基、 4 フエノキサジ-ル基、
2 ォキサゾリル基、 4ーォキサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2 ォキサジァゾリル 基、 5 ォキサジァゾリル基、 3 フラザ-ル基、 2 チェ-ル基、 3 チェ-ル基、 2 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 2 メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2 メチルピロ一 ルー 4ーィル基、 2 メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3 メチルピロ一ルー 1ーィル基、
3 メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3 メチルピロ一ルー 4ーィル基、 3 メチルピロ一 ルー 5—ィル基、 2— t—ブチルピロ一ルー 4ーィル基、 3—（2 フエ-ルプロピル）ピ ロール 1ーィル基、 2—メチルー 1 インドリル基、 4ーメチルー 1 インドリル基、 2 ーメチルー 3 インドリル基、 4ーメチルー 3 インドリル基、 2 t ブチル 1 インドリ ル基、 4 t ブチル 1 インドリル基、 2 t ブチル 3 インドリル基、 4 t ブチル 3—インドリル基等が挙げられる。
Xのアルコキシカルボ-ル基は COOZと表され、 Zの例としては前記アルキル基 で挙げたものと同様の例が挙げられる。
Xのハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
[0024] 一般式 (I)にお 、て、 Ar1及び Ar2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核 炭素数 10〜50の縮合芳香族基である。
Ar1及び Ar2の縮合芳香族基としては、例えば、 1 ナフチル基、 2—ナフチル基、 1 アントリル基、 2 アントリル基、 9 アントリル基、 1—フエナントリル基、 2 フエナ ントリル基、 3—フエナントリル基、 4—フエナントリル基、 9—フエナントリル基、 1ーナ フタセ-ル基、 2 ナフタセ-ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1ーピレ-ル基、 2 ピレ- ル基、 4ーピレ-ル基、 3—メチルー 2 ナフチル基、 4ーメチルー 1 ナフチル基、 4 —メチル一 1—アントリル基等が挙げられる。
ただし、本発明のアントラセン誘導体では、 Ar1及び Ar2の少なくとも一方は、下記 一般式 (II)で表される 1 ナフチル基、下記一般式 (III)で表される 2—ナフチル基、 又は下記一般式 (IV)で表されるトリプチセ-ル基である。
[0025] [化 5]
Figure imgf000015_0001
[0026] 一般式 (II)及び (III)にお 、て、 Ri〜R'は、水素原子又は置換もしくは無置換の炭 素数 1〜50のアルキル基であり、 Ri〜R7のうちの隣接する少なくとも 1組は、両方共 にアルキル基であって、互いに結合して環状構造を形成して!/ヽる。
Ri〜R7のアルキル基の例としては、前記 Xのアルキル基で挙げたものと同様の例が 挙げられる。
Ri〜R7のうちの隣接する基が形成する環状構造としては、シクロプロパン、シクロブ タン、シクロペンタン、シクロへキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等のシクロアノレ カンや、シクロブテン、シクロペンテン、シクロへキセン、シクロヘプテン、シクロォクテ ン等のシクロアルケンが挙げられ、シクロペンタン、シクロへキサン、シクロペンテン、 シクロへキセンが好まし 、。
[0027] また、この環状構造は、さらに置換されていてもよぐこの置換基としては、酸素原子 、硫黄原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基、置換もしくは無置 換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のァ ルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無 置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜50のァラル キル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、置換もしくは無 置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のァ ルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原 子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等が挙げられ、こけらの具体例としては、前記 Xで説明したものと同様のものが挙げられる。
[0028] このような、一般式 (II)及び (III)にお 、て、 R R7のうちの隣接する基が環状構造 を形成して 、る例としては、以下のような基が挙げられる。
[化 6]
Figure imgf000017_0001
Figure imgf000017_0002
Figure imgf000017_0003
Figure imgf000017_0004
[0029] また、一般式 (II)及び (III)において、 Ri〜R7のうちの隣接する基が環状構造を形成 していない例としては、例えば、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントリル基、 2 アントリル基、 9 アントリル基、 1—フエナントリル基、 2—フエナントリル基、 3 フ ェナントリル基、 4 フエナントリル基、 9 フエナントリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2— ナフタセ-ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1—ピレ-ル基、 2 ピレ-ル基、 4 ピレ-ル 基、 3—メチルー 2 ナフチル基、 4ーメチルー 1 ナフチル基、 4ーメチルー 1 アン トリル基等が挙げられる。
一般式（II)〜（IV)において、 d〜iは、それぞれ 0〜4の整数であり、 0〜1であると好 ましい。
一般式 (II)〜（IV)において、 Xは前記と同じであり、具体例も同じものが挙げられる [0030] 一般式（I)において、 a〜cは、それぞれ 0〜4の整数であり、 0〜1であると好ましい nは 1〜3の整数である。また nが 2以上の場合は、 [ ]内の基は、同じでも異なって いてもよい。
前記 Ar1、 Ar2及び Xが示す基における置換基としては、置換もしくは無置換の核 炭素数 6〜50の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環 基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素 数 1〜50のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、 置換もしくは無置換の炭素数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子 数 5〜50のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチ ォ基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは 無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル 基等が挙げられ、こけらの具体例としては、前記 Xで説明したものと同様のものが挙 げられる。
本発明の一般式 (I)で表されるアントラセン誘導体の具体例を以下に示すが、これ ら例示化合物に限定されるものではない。
[化 7]
[ ] βεοο]
9-NV
Figure imgf000019_0001
81· .SOTZl/SOOZ OAV [6^ ] [εεοο]
Figure imgf000020_0001
89T600/S00Zdf/X3d 61· .SOTZl/SOOZ OAV
Figure imgf000021_0001
04030Ġ
Figure imgf000021_0002
Figure imgf000022_0001
本発明の有機 EL素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数 層からなる有機薄膜層が挟持されている有機 EL素子において、該有機薄膜層の少 なくとも 1層が、本発明の一般式 (I)で表されるアントラセン誘導体を単独もしくは混合 物の成分として含有する。
本発明の有機 EL素子は、前記発光層が、一般式 (I)で表されるアントラセン誘導 体を主成分として含有すると好まし ヽ。
また、本発明の有機 EL素子は、前記発光層が、さらにァリールアミンィ匕合物及び Z 又はスチリルアミンィ匕合物を含有すると好ま U、。
スチリルァミン化合物としては、下記一般式 (A)で表されるものが好ま 、。
[化 11]
Figure imgf000022_0002
[0036] (式中、 Ar3は、フエ-ル基、ビフエ-ル基、ターフェ-ル基、スチルベン基、ジスチリ ルァリール基力も選ばれる基であり、 Ar4及び Ar5は、それぞれ水素原子又は炭素数 力 S6〜20の芳香族基であり、 Ar3〜Ar5は置換されいてもよい。 pは 1〜4の整数であ る。さらに好ましくは Ar4又は Ar5の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。 ) ここで、炭素数が 6〜20の芳香族基としては、フエニル基、ナフチル基、アントラ- ル基、フエナンスリル基、ターフェ-ル基等が挙げられる。
[0037] ァリールアミンィ匕合物としては、下記一般式 (B)で表されるものが好ま 、。
[化 12]
Figure imgf000023_0001
(式中、 Ar6〜Ar8は、置換もしくは無置換の核炭素数 5〜40のァリール基である。 q は 1〜4の整数である。 )
[0038] ここで、核炭素数が 5〜40のァリール基としては、例えば、フエ-ル基、ナフチル基 、アントラ-ル基、フエナンスリル基、ピレ-ル基、コ口-ル基、ビフエ-ル基、ターフェ -ル基、ピロ一リル基、フラ-ル基、チオフヱ-ル基、ベンゾチオフヱ-ル基、ォキサ ジァゾリル基、ジフ 二ルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、 ベンゾキノリル基、フルオランテュル基、ァセナフトフルオランテュル基、スチルベン 基、ペリレ-ル基、クリセ-ル基、ピセ-ル基、トリフエ-レニル基、ルビセ-ル基、ベ ンゾアントラセ-ル基、フエ-ルアントラ-ル基、ビスアントラセ-ル基、又は下記一般 式 (C) , (D)で示されるァリール基等が挙げられ、ナフチル基、アントラ-ル基、クリセ -ル基、ピレニル基、又は一般式 (D)で示されるァリール基が好ましい。
[0039] [化 13]
Figure imgf000024_0001
(C) (D)
(一般式 (C)において、 rは 1〜3の整数である。 )
[0040] なお、前記ァリール基の好ましい置換基としては、炭素数 1〜6のアルキル基 (ェチ ル基、メチル基、 i—プロピル基、 n—プロピル基、 s ブチル基、 t—ブチル基、ペン チル基、へキシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基等）、炭素数 1〜6のアル コキシ基（エトキシ基、メトキシ基、 i プロポキシ基、 n プロポキシ基、 s ブトキシ基 、 t—ブトキシ基、ペントキシ基、へキシル才キシ基、シクロペントキシ基、シクロへキシ ルォキシ基等）、核炭素数 5〜40のァリール基、核炭素数 5〜40のァリール基で置 換されたアミノ基、核炭素数 5〜40のァリール基を有するエステル基、炭素数 1〜6の アルキル基を有するエステル基、シァノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
[0041] 以下、本発明の有機 EL素子の素子構成について説明する。
本発明の有機 EL素子の代表的な素子構成としては、
(1)陽極 Z発光層 Z陰極
(2)陽極 Z正孔注入層 Z発光層 Z陰極
(3)陽極 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極
(4)陽極 Z正孔注入層 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極
(5)陽極 Z有機半導体層 Z発光層 Z陰極
(6)陽極 Z有機半導体層 Z電子障壁層 Z発光層 Z陰極
(7)陽極 Z有機半導体層 Z発光層 Z付着改善層 Z陰極
(8)陽極 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極
(9)陽極 Z絶縁層 Z発光層 Z絶縁層 Z陰極
do)陽極 Z無機半導体層 Z絶縁層 Z発光層 Z絶縁層 Z陰極
(11)陽極 Z有機半導体層 Z絶縁層 Z発光層 Z絶縁層 Z陰極 (12)陽極 z絶縁層 z正孔注入層 z正孔輸送層 z発光層 z絶縁層 z陰極
(13)陽極 z絶縁層 Z正孔注入層 Z正孔輸送層 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極 などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常（8)の構成が好ましく用いられる力 これらに限定されるものでは ない。
また、本発明の有機 EL素子において、本発明のアントラセン誘導体は、上記のど の有機層に用いられてもよ 、が、これらの構成要素の中の発光帯域もしくは正孔輸 送帯域に含有されていることが好ましぐ含有させる量は 30〜： LOOモル％力も選ばれ る。
[0042] この有機 EL素子は、通常透光性の基板上に作製する。この透光性基板は有機 EL 素子を支持する基板であり、その透光性については、 400〜700nmの可視領域の 光の透過率が 50%以上であるものが望ましぐさらに平滑な基板を用いるのが好まし い。
このような透光性基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いら れる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、ノリウム 'ストロンチウム含有ガラス、 鉛ガラス、アルミノケィ酸ガラス、ホウケィ酸ガラス、ノリウムホウケィ酸ガラス、石英な どで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂 板としては、ポリカーボネート榭脂 、アクリル榭脂、ポリエチレンテレフタレート榭脂、ポリエーテルサルファイド榭脂、ポリ サルフォン榭脂などの板か挙げられる。
[0043] 次に、陽極は、正孔を正孔輸送層または発光層に注入する役割を担うものであり、 4. 5eV以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料 の具体例としては、酸化インジウム錫合金 (ITO)、酸ィ匕錫 (NESA)、金、銀、白金、 銅等が適用できる。また陰極としては、電子輸送層または発光層に電子を注入する 目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させる こと〖こより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率 が 10%より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百 Ω Ζ口以下が 好ましい。陽極の膜厚は材料にもよる力 通常 10nm〜l μ m、好ましくは 10〜200n mの範囲で選択される。
[0044] 本発明の有機 EL素子においては、発光層は、
(i)注入機能;電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰 極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
(ii)輸送機能；注入した電荷 (電子と正孔)を電界の力で移動させる機能
(iii)発光機能;電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能 を有する。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、 LB法等の公 知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい 。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、 溶液状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、 通常この分子堆積膜は、 LB法により形成された薄膜 (分子累積膜)とは凝集構造、 高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。 また特開昭 57— 51781号公報に開示されているように、榭脂等の結着剤と材料ィ匕 合物とを溶剤に溶力して溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜ィ匕すること によっても、発光層を形成することができる。
本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、発光層に、本発明のアントラセ ン誘導体からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させてもよぐまた、本 発明の発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層しても よい。
[0045] 次に、正孔注入'輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する 層であって、正孔移動度が大きぐイオンィ匕エネルギーが通常 5. 5eV以下と小さい。 このような正孔注入 ·輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材 料が好ましぐさらに正孔の移動度力 例えば 104〜106VZcmの電界印加時に、少 なくとも 10—4cm2 ZV'秒であるものが好ましい。このような材料としては、従来、光導 伝材料にぉ ヽて正孔の電荷輸送材料として慣用されて ヽるものや、有機 EL素子の 正孔注入層に使用されて 、る公知のものの中から任意のものを選択して用いること ができる。
具体例としては、例えば、トリァゾール誘導体 (米国特許 3, 112, 197号明細書等 参照）、ォキサジァゾール誘導体 (米国特許 3, 189, 447号明細書等参照）、イミダ ゾール誘導体 (特公昭 37— 16096号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（ 米国特許 3, 615, 402号明細書、同第 3, 820, 989号明細書、同第 3, 542, 544 号明細書、特公昭 45— 555号公報、同 51— 10983号公報、特開昭 51— 93224号 公報、同 55— 17105号公報、同 56— 4148号公報、同 55— 108667号公報、同 55 — 156953号公報、同 56— 36656号公報等参照）、ピラゾリン誘導体およびピラゾ口 ン誘導体 (米国特許第 3, 180, 729号明細書、同第 4, 278, 746号明細書、特開 昭 55— 88064号公報、同 55— 88065号公報、同 49— 105537号公報、同 55— 5 1086号公報、同 56— 80051号公報、同 56— 88141号公報、同 57— 45545号公 報、同 54— 112637号公報、同 55— 74546号公報等参照）、フエ-レンジアミン誘 導体 (米国特許第 3, 615, 404号明細書、特公昭 51— 10105号公報、同 46— 371 2号公報、同 47— 25336号公報、特開昭 54— 53435号公報、同 54— 110536号 公報、同 54— 119925号公報等参照）、ァリールァミン誘導体 (米国特許第 3, 567, 450号明細書、同第 3, 180, 703号明細書、同第 3, 240, 597号明細書、同第 3, 658, 520号明細書、同第 4, 232, 103号明細書、同第 4, 175, 961号明細書、同 第 4, 012, 376号明細書、特公昭 49— 35702号公報、同 39— 27577号公報、特 開昭 55— 144250号公報、同 56— 119132号公報、同 56— 22437号公報、西独 特許第 1, 110, 518号明細書等参照)、ァミノ置換カルコン誘導体 (米国特許第 3, 5 26, 501号明細書等参照）、ォキサゾール誘導体 (米国特許第 3, 257, 203号明細 書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体 (特開昭 56— 46234号公報等参照 )、フルォレノン誘導体 (特開昭 54— 110837号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体 (米 国特許第 3, 717, 462号明細書、特開昭 54— 59143号公報、同 55— 52063号公 報、同 55— 52064号公報、同 55— 46760号公報、同 55— 85495号公報、同 57— 11350号公報、同 57— 148749号公報、特開平 2— 311591号公報等参照）、スチ ルベン誘導体 (特開昭 61— 210363号公報、同第 61— 228451号公報、同 61— 1 4642号公報、同 61— 72255号公報、同 62— 47646号公報、同 62— 36674号公 報、同 62— 10652号公報、同 62— 30255号公報、同 60— 93455号公報、同 60— 94462号公報、同 60— 174749号公報、同 60— 175052号公報等参照；)、シラザ ン誘導体 (米国特許第 4, 950, 950号明細書）、ポリシラン系（特開平 2— 204996 号公報）、ァニリン系共重合体 (特開平 2— 282263号公報）、特開平 1 211399号 公報に開示されている導電性高分子オリゴマー (特にチォフェンオリゴマー)等を挙 げることができる。
正孔注入層の材料としては上記のものを使用することができる力 ポルフィリン化合 物 (特開昭 63— 2956965号公報等に開示のもの）、芳香族第三級ァミン化合物お よびスチリルアミン化合物（米国特許第 4, 127, 412号明細書、特開昭 53— 27033 号公報、同 54— 58445号公報、同 54— 149634号公報、同 54— 64299号公報、 同 55— 79450号公報、同 55— 144250号公報、同 56— 119132号公報、同 61— 295558号公報、同 61— 98353号公報、同 63— 295695号公報等参照；)、特に芳 香族第三級ァミン化合物を用いることが好ま 、。
また米国特許第 5, 061, 569号に記載されている 2個の縮合芳香族環を分子内に 有する、例えば 4, 4，—ビス（N— (1—ナフチル）—N フエ-ルァミノ）ビフエ-ル（ 以下 NPDと略記する）、また特開平 4— 308688号公報に記載されているトリフエ- ルァミンユニットが 3つスターバースト型に連結された 4, 4，， 4"—トリス（N— (3—メ チルフエ-ル）—N—フエ-ルァミノ）トリフエ-ルァミン（以下 MTDATAと略記する） 等を挙げることができる。
[0047] また、発光層の材料として示した前述のアントラセン誘導体の他、 p型 Si、 p型 SiC 等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
正孔注入、輸送層は上述した化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キヤ スト法、 LB法等の公知の方法により薄膜ィ匕することにより形成することができる。正孔 注入、輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は 5ηπι〜5 /ζ πιである。
[0048] また、有機半導体層は発光層への正孔注入または電子注入を助ける層であって、 10"10 SZcm以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材 料としては、含チオフヱンオリゴマーゃ特開平 8— 193191号公報に開示してある含 ァリールァミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含ァリールァミンデンドリマー等の 導電性デンドリマー等を用いることができる。
[0049] 次に、電子注入層'輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送 する層であって、電子移動度が大きぐまた付着改善層は、この電子注入層の中で 特に陰極との付着が良い材料力もなる層である。
また、有機 EL素子は発光した光が電極 (この場合は陰極）により反射するため、直 接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干 渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層は 数 nm〜数 mの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避ける ために、 104〜 106 V/cmの電界印加時に電子移動度が少なくとも 10— 5cm2 ZVs以 上であることが好ましい。
電子注入層に用いられる材料としては、 8—ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の 金属錯体ゃォキサジァゾール誘導体が好適である。上記 8—ヒドロキシキノリンまたは その誘導体の金属錯体の具体例としては、ォキシン (一般に 8—キノリノール又は 8— ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートォキシノイドィ匕合物、例えばトリス（8 —キノリノール)アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
[0050] 一方、ォキサジァゾール誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合 物が挙げられる。
[化 14]
N-N
Figure imgf000029_0001
(式中、 Ar1 , Ar2 , Ar3 , Ar5 , Ar6 , Ar9はそれぞれ置換または無置換のァリール基 を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。また Ar4 , Ar7 , Ar8は 置換または無置換のァリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよ い）
ここでァリール基としてはフエ-ル基、ビフエ-ル基、アントラ-ル基、ペリレニル基、 ピレニル基が挙げられる。また、ァリーレン基としてはフエ-レン基、ナフチレン基、ビ フエ-レン基、アントラ-レン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また
、置換基としては炭素数 1〜10のアルキル基、炭素数 1〜10のアルコキシ基または シァノ基等が挙げられる。この電子伝達ィ匕合物は薄膜形成性のものが好ま 、。 上記電子伝達性ィ匕合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。
[化 15]
Figure imgf000030_0001
さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料として、下記一般式 (A)〜（ E)で表されるちのち用いることがでさる。
[化 16]
Figure imgf000031_0001
[0052] (一般式 (A)及び (B)中、 A1〜A3は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子で ある。
Ar1は、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、又は置換もしくは無 置換の核炭素数 3〜60のへテロアリール基であり、 Ar2は、水素原子、置換もしくは 無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしくは無置換の核炭素数 3〜60のへ テロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜20のアルキル基、又は置換もしく は無置換の炭素数 1〜20のアルコキシ基、あるいはこれらの 2価の基である。ただし 、 Ar1及び Ar2のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核炭素数 10〜60の縮合 環基、又は置換もしくは無置換の核炭素数 3〜60のモノへテロ縮合環基である。
L1、 L2及び Lは、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜6 0のァリーレン基、置換もしくは無置換の核炭素数 3〜60のへテロアリーレン基、又は 置換もしくは無置換のフルォレニレン基である。
Rは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜60のァリール基、置換もしくは 無置換の核炭素数 3〜60のへテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜20 のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数 1〜20のアルコキシ基であり、 nは 0〜5の整数であり、 nが 2以上の場合、複数の Rは同一でも異なっていてもよぐまた 、隣接する複数の R基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環 を形成していてもよい。）で表される含窒素複素環誘導体。
[0053] HAr-L-Ar'-Ar2 (C)
(式中、 HArは、置換基を有していてもよい炭素数 3〜40の含窒素複素環であり、 L は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリーレン基、置換基を有し て！、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロアリーレン基又は置換基を有して!/、てもよ!/、フル ォレニレン基であり、 Ar1は、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60の 2価の芳香族 炭化水素基であり、 Ar2は、置換基を有していてもよい炭素数 6〜60のァリール基又 は置換基を有して 、てもよ 、炭素数 3〜60のへテロアリール基である。 )で表される 含窒素複素環誘導体。
[0054] [化 17]
Figure imgf000032_0001
[0055] (式中、 X及び Yは、それぞれ独立に炭素数 1〜6の飽和若しくは不飽和の炭化水素 基、アルコキシ基、ァルケ-ルォキシ基、アルキ-ルォキシ基、ヒドロキシ基、置換若 しくは無置換のァリール基、置換若しくは無置換のへテロ環又は Xと Yが結合して飽 和又は不飽和の環を形成した構造であり、 R〜R は、それぞれ独立に水素、ハロゲ
1 4
ン原子、置換もしくは無置換の炭素数 1から 6までのアルキル基、アルコキシ基、ァリ ールォキシ基、パーフルォロアルキル基、パーフルォロアルコキシ基、アミノ基、アル キルカルボ-ル基、ァリールカルボ-ル基、アルコキシカルボ-ル基、ァリールォキ シカルボニル基、ァゾ基、アルキルカルボ-ルォキシ基、ァリールカルボ-ルォキシ 基、アルコキシカルボ-ルォキシ基、ァリールォキシカルボ-ルォキシ基、スルフィ- ル基、スルフォ-ル基、スルファ-ル基、シリル基、力ルバモイル基、ァリール基、へ テロ環基、ァルケ-ル基、アルキ-ル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミル ォキシ基、イソシァノ基、シァネート基、イソシァネート基、チオシァネート基、イソチォ シァネート基もしくはシァノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換の環が縮合 した構造である。 )で表されるシラシクロペンタジェン誘導体。
[0056] [化 18] X
R5 R6
(E)
[0057] (式中、 R は、それぞれ独立
1〜R及び Z に、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化 8 2
水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はァリ 一ルォキシ基を示し、 X、 Y及び Z は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の炭化
1
水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基またはァリールォキシ基 を示し、 Z と Zの置換基は相互に結合して縮合環を形成してもよぐ nは 1
1 2 〜3の整数 を示し、 nが 2以上の場合、 Z は異なってもよい。但し、 nが 1
1 、 X、 Y及び R力 Sメチル
2 基であって、 R力 水素原子又は置換ボリル基の場合、及び nが 3で Z 力 Sメチル基の
8 1
場合を含まない。）で表されるボラン誘導体。
[0058] [化 19]
Figure imgf000033_0001
[0059] [式中、 Q1及び Q2は、それぞれ独立に、下記一般式 (G)で示される配位子を表し、 Lは、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロ アルキル基、置換もしくは無置換のァリール基、置換もしくは無置換の複素環基、 OR1 (R1は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシ クロアルキル基、置換もしくは無置換のァリール基、置換もしくは無置換の複素環基 である。）または— O Ga Q3 (Q4 ) (Q3及び Q4は、 Q1及び Q2と同じ)で示される 配位子を表す。 ]
[0060] [化 20]
Figure imgf000034_0001
[式中、環 A1および A2は、置換基を有してよい互いに縮合した 6員ァリール環構造 である。 ]
この金属錯体は、 n型半導体としての性質が強ぐ電子注入能力が大きい。さらに は、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子 との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きくなつている。
一般式 (G)の配位子を形成する環 A1及び A2の置換基の具体的な例を挙げると、 塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、ェチル基、プロピル基、プチ ル基、 sec ブチル基、 tert ブチル基、ペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、ォ クチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フ ェ-ル基、ナフチル基、 3—メチルフエ-ル基、 3—メトキシフエ-ル基、 3—フルォロ フエ-ル基、 3—トリクロロメチルフヱ-ル基、 3—トリフルォロメチルフヱ-ル基、 3— - トロフエ-ル基等の置換もしくは無置換のァリール基、メトキシ基、 n—ブトキシ基、 ter t—ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルォロエトキシ基、ペンタフルォロプロポキ シ基、 2, 2, 3, 3—テ卜ラフルォロプロポキシ基、 1, 1, 1, 3, 3, 3 へキサフルォロ 2 プロポキシ基、 6 （パーフルォロェチル)へキシルォキシ基等の置換もしくは 無置換のアルコキシ基、フエノキシ基、 p -トロフエノキシ基、 p— tert ブチルフエ ノキシ基、 3—フルオロフエノキシ基、ペンタフルォロフエ-ル基、 3—トリフルォロメチ ルフエノキシ基等の置換もしくは無置換のァリールォキシ基、メチルチオ基、ェチル チォ基、 tert—ブチルチオ基、へキシルチオ基、ォクチルチオ基、トリフルォロメチル チォ基等の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、フエ二ルチオ基、 p -トロフエ- ルチオ基、 ptert—ブチルフヱ-ルチオ基、 3—フルオロフヱ-ルチオ基、ペンタフル オロフェ-ルチオ基、 3—トリフルォロメチルフエ-ルチオ基等の置換もしくは無置換 のァリールチオ基、シァノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルァミノ基、ジェチルァミノ基、 ェチルァミノ基、ジェチルァミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルァミノ基、ジフエ-ル アミノ基等のモノまたはジ置換アミノ基、ビス（ァセトキシメチル)アミノ基、ビス（ァセト キシェチル）アミノ基、ビスァセトキシプロピル）アミノ基、ビス（ァセトキシブチル）ァミノ 基等のァシルァミノ基、水酸基、シロキシ基、ァシル基、メチルカルバモイル基、ジメ チルカルバモイル基、ェチルカルバモイル基、ジェチルカルバモイル基、プロイピル 力ルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フエ-ルカルバモイル基等の力ルバモイル 基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロへキシル基等 のシクロアルキル基、フ -ル基、ナフチル基、ビフヱ-ル基、アントラ-ル基、フエナ ントリル基、フルォレニル基、ピレニル基等のァリール基、ピリジ-ル基、ビラジニル基 、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジ-ル基、インドリニル基、キノリニル基、ァク リジニル基、ピロリジ -ル基、ジォキサ-ル基、ピベリジ-ル基、モルフオリジ-ル基、 ピペラジ-ル基、トリアチュル基、カルバゾリル基、フラ-ル基、チオフヱ-ル基、ォキ サゾリル基、ォキサジァゾリル基、ベンゾォキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリ ル基、ベンゾチアゾリル基、トリァゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、プラ
-ル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる 6員ァリ ール環もしくは複素環を形成しても良い。
本発明の有機 EL素子の好ま 、形態に、電子を輸送する領域または陰極と有機 層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパント とは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元 性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土 類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲンィ匕物、アル力 リ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲンィ匕物、希土類金属の酸化物また は希土類金属のハロゲンィ匕物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機 錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好 適に使用することができる。
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、 Na (仕事関数： 2. 36eV) 、K (仕事関数： 2. 28eV)、Rb (仕事関数： 2. 16eV)および Cs (仕事関数： 1. 95eV )力 なる群力 選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、 Ca (仕事関数： 2. 9eV ；)、 Sr (仕事関数： 2. 0〜2. 5eV)、および Ba (仕事関数： 2. 52eV)からなる群から 選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が 2. 9eV以下 のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、 K、 Rbおよび Csからなる群力 選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、 Rbまたは Csであり、最も好ましのは、 Csである。これらのアルカリ金属は、特に還元 能力が高ぐ電子注入域への比較的少量の添加により、有機 EL素子における発光 輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が 2. 9eV以下の還元性ドーパ ントとして、これら 2種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましぐ特に、 Csを含んだ 組み合わせ、例えば、 Csと Na、 Csと K、 Csと Rbあるいは Csと Naと Κとの組み合わせ であることが好ましい。 Csを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮 することができ、電子注入域への添加により、有機 EL素子における発光輝度の向上 や長寿命化が図られる。
本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層 をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上さ せることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土 類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロ ゲンィ匕物からなる群力 選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ま しい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電 子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ 金属カルコゲナイドとしては、例えば、 Li 0、 LiO、 Na S、 Na Seおよび NaOが挙
2 2 2
げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、 CaO、 BaO、 Sr 0、 BeO、 BaS、および CaSeが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン 化物としては、例えば、 LiF、 NaF、 KF、 LiCl、 KC1および NaCl等が挙げられる。ま た、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、 CaF、 BaF 、 SrF
2 2 2
、MgFおよび BeFといったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられ
2 2
る。
また、電子輸送層を構成する半導体としては、 Ba、 Ca、 Sr、 Yb、 Al、 Ga、 In、 Li、 Na、 Cd、 Mg、 Si、 Ta、 Sbおよび Znの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物 または酸ィ匕窒化物等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。また、 電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であるこ とが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄 膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお 、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類 金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲ ン化物等が挙げられる。
[0064] 次に、陰極としては、仕事関数の小さ!/ヽ (4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合 物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具 体例としては、ナトリウム，ナトリウム—カリウム合金、マグネシウム，リチウム，マグネシ ゥム '銀合金，アルミニウム Z酸化アルミニウム， Al/Li O, Al/LiO , Al/LiF,ァ
2 2
ルミ-ゥム ·リチウム合金，インジウム，希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成さ せること〖こより、作製することができる。
ここで、発光層からの発光を陰極力 取り出す場合、陰極の発光に対する透過率 は 10%より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百 Ω /ロ以 下が好ましぐさらに、膜厚は通常 ΙΟηπ！〜 1 μ m、好ましくは 50〜200nmである。
[0065] また、一般に、有機 EL素子は、超薄膜に電界を印可するために、リークやショート による画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄 膜層を挿入しても良い。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸ィ匕アルミニウム、弗化リチウム、酸化リ チウム、弗ィヒセシウム、酸ィヒセシウム、酸ィヒマグネシウム、弗ィヒマグネシウム、酸ィ匕カ ルシゥム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマ- ゥム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸ィ匕バナジウム等が 挙げられる。これらの混合物や積層物を用いてもよい。
[0066] 次に、本発明の有機 EL素子を作製する方法にっ 、ては、例えば上記の材料及び 方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子注入層 を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で 有機 EL素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に、陽極 Z正孔注入層 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極が順次 設けられた構成の有機 EL素子の作製例について説明する。
まず、適当な透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を 1 μ m以下、好ましくは 10 〜200nmの範囲の膜厚になるように、蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し 、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述 したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、 LB法等の方法により行うことがで きるが、均質な膜が得られやすぐかつピンホールが発生しにくい等の点力 真空蒸 着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、 その蒸着条件は使用する化合物 (正孔注入層の材料)、目的とする正孔注入層の結 晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度 50〜450°C、真空度 10— 7〜： LO— 3torr、蒸着速度 0. 01〜50nmZ秒、基板温度— 50〜300°C、膜厚 5nm〜 5 μ mの範囲で適宜選択することが好ましい。
[0067] 次に、この正孔注入層上に発光層を設ける。この発光層の形成も、本発明に係る 発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法 により、発光材料を薄膜ィ匕することにより形成できるが、均質な膜が得られやすぐか つピンホールが発生しにく 、等の点力 真空蒸着法により形成することが好ま U、。 真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異 なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができ る。膜厚は 10〜40nmの範囲が好ましい。
[0068] 次に、この発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同 様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は 正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
そして、最後に陰極を積層して有機 EL素子を得ることができる。陰極は金属力も構 成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし、下地の有機物 層を製膜時の損傷力 守るためには真空蒸着法が好まし 、。
以上の有機 EL素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作 製することが好ましい。 [0069] 本発明の有機 EL素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空 蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有 機 EL素子に用いる、前記一般式 (1)で示される化合物を含有する有機薄膜層は、 真空蒸着法、分子線蒸着法 (MBE法)あるいは溶媒に解かした溶液のデイツビング 法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布 法による公知の方法で形成することができる。
本発明の有機 EL素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、ピンホール等の 欠陥や、効率を良くするため、通常は数 nmから 1 μ mの範囲が好ましい。
なお、有機 EL素子に直流電圧を印加する場合、陽極を +、陰極を一の極性にして 、 5〜40Vの電圧を印加すると発光が観測できる。また逆の極性で電圧を印加しても 電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が + 、陰極が一の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は 任意でよい。
実施例
[0070] 次に、実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明する。
合成実施例 1 (ィ匕合物 AN— 1の合成）
公知の方法により合成した 10— (4—ナフタレン 1ーィルーフエ-ル）アントラセン —9—ボロン酸 9. 5g、及び市販の 5—ブロモアセナフテン 5. Ogをジメトキシェタン（ DME) 80mlとトルエン 30mlに溶解した。さらにテトラキストリフエ-ルホスフィンパラ ジゥム 0. 98gと 2M—炭酸ナトリウム水溶液 40mlを加え、アルゴン置換した。 9. 5時 間加熱還流した後、放冷し、析出晶をろ別した。結晶を水、メタノールで洗浄した後、 シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒:へキサン Zトルエン = 2Z1)にて精製 することで目的の化合物 (AN— 1) 6. 2gを淡黄色結晶として得た (収率 54%)。 得られた化合物の FD— MS (フィールドディソープシヨンマススペクトル）測定にお いて、 C H =532に対し m/z =532が得られたこと、及び1 H-nmrスペクトルから、化
42 28
合物 (AN— 1)と同定した。
nmr(500MHz, CDC1 , ppm) : δ 3.53(s, 4H),7.34-8.14(m, 24H)
3
[0071] 合成実施例 2 (化合物 AN— 2の合成） (1)合成中間体 5—（4 ブロモフエ-ル)ァセナフテンの合成
市販の 5 ブロモアセナフテン 11. 7gを脱水トルエン 50ml及び脱水エーテル 50 mlに溶解し、アルゴン雰囲気下 40°Cに冷却した。 1. 6M ノルマルブチルリチウ ムへキサン溶液 35mlを滴下し、 10°Cに昇温した。 2時間後— 70°Cに冷却し、これ にトリイソプロポキシボラン 35mlをエーテル 50mlに溶解し滴下した。― 70°Cにて 3時 間攪拌した後、一晩放置した。一晩後、 10重量％希塩酸にて酸性化し、トルエンに て有機層を抽出した。希塩酸及び飽和食塩水にて洗浄した後、無水硫酸ナトリウム で有機層を乾燥し、エバポレーターにて有機溶媒を留去した。残查をトルエン Zへキ サンにて結晶化する事により、 5—ァセナフテンボロン酸 4. 5gを得た (収率 45%)。 得られた 5 ァセナフテンボロン酸 5. 9g、及び 4ーブロモヨードベンゼン 10. 2gをト ルェン 100mlに溶解した。さらにテトラキストリフエ-ルホスフィンパラジウム 1. 7gと 2 M—炭酸ナトリウム水溶液 45mlをカ卩え、アルゴン置換した。 6時間加熱還流した後、 放冷し、トルエンにて有機層を抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸 ナトリウムで乾燥後、エバポレーターにて有機溶媒を留去した。残查をシリカゲルカラ ムクロマトグラフィー (展開溶媒：へキサン）にて精製することで目的の合成中間体 5— (4 ブロモフ ニル）ァセナフテン 9. 2gを淡黄色固体として得た（収率 100%)。
(2)化合物 AN— 2の合成
公知の方法で合成した 10 (ナフタレン 2 ィル）アントラセン 9 ボロン酸 8. 4g、及び上記中間体 5— (4 ブロモフエ-ル）ァセナフテン 6. 2gを DME60mlに溶 解した。さらにテトラキストリフエ-ルホスフィンパラジウム 1. 2g、及び 2M—炭酸ナトリ ゥム水溶液 30mlを加え、アルゴン置換した。 8時間加熱還流した後、放冷し、析出晶 をろ別した。結晶を水、メタノールで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ 展開溶媒:トルエン）にて精製することで目的の化合物 (AN— 2) 6. 9gを淡黄色結晶 として得た (収率 65%)。
得られた化合物の FD— MS測定において、 C H =532に対し m/z =532が得ら
42 28
れたこと、及び1!" I-nmrスペクトルから、化合物 (AN— 2)と同定した。
— nmr(500MHz, CDC1 , ppm) : δ 3.60(s, 4Η),6.91— 8.25(m, 24Η)
3
合成実施例 3〜39 (化合物 AN— 3〜ΑΝ— 39の合成） 実施例 1において、 10— (4—ナフタレン一 1—ィル一フエ-ル）アントラセン一 9— ボロン酸の代わりに第 1表に記載のボロン酸ィ匕合物を、 5—プロモアセナフテンの代 わりに第 1表に記載のハロゲンィ匕合物を、それぞれ必要量用いた以外は同様にして 、 目的化合物（AN— 3〜AN— 39)を合成した。
[表 1]
Figure imgf000042_0001
Figure imgf000043_0001
Figure imgf000044_0001
Figure imgf000045_0001
Figure imgf000046_0001
実施例 1 (有機 EL素子の製造：化合物 AN— 1を用 ヽた例）
25mm X 75mm X 1. 1mm厚の ITO透明電極付きガラス基板（ジォマティック社製 )をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を 5分間行なった後、 UVオゾン洗浄を 3 0分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホ ルダ一に装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を 覆うようにして膜厚 60nmの下記 N, N，一ビス（N, N，一ジフエ-ルー 4—ァミノフエ -ル）— N, N—ジフエ-ル— 4, 4，—ジァミノ— 1, 1，—ビフエ-ル膜（以下、 TPD2 32膜)を成膜した。この TPD232膜は、正孔注入層として機能する。この TPD232 膜上に膜厚 20nmの下記 N, N, Ν' , Ν，一テトラ（4—ビフエ-ル）一ジアミノビフエ- レン膜 (以下、 TBDB膜)を成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。さらに膜 厚 40nmの上記化合物 AN— 1を蒸着し成膜した。同時に純青ドーパントとして、下 記のスチリル基を有するァミン化合物 BD1を AN— 1に対し、重量比 AN— 1： BD1 = 40 : 3で蒸着した。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚 10nmの下記 A lq膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであ る Li (Li源：サエスゲッタ一社製)と Alqを二元蒸着させ、電子注入層（陰極)として A1 q： Li膜 (膜厚 lOnm)を形成した。この Alq： Li膜上に金属 A1を蒸着させ金属陰極を 形成し有機 EL素子を形成した。
得られた素子について通電試験を行ったところ、電圧 7. 85V、電流密度 lOmAZ cm2にて発光輝度 634cdZm2の青色発光が得られた。 CIE色度を第 2表に示す。次 に、初期輝度 lOOOcd/m2でこの有機 EL素子の半減寿命を測定した結果を第 2表 に示す。
[0079] [化 21]
Figure imgf000047_0001
B D A 1 q
[0080] 実施例 2 (有機 EL素子の製造：化合物 AN— 2を用 、た例）
実施例 1にお 、て、化合物 AN— 1の代わりに化合物 AN— 2を用いた以外は同様 にして、有機 EL素子を作製した。
得られた素子につ ヽて初期輝度 1 OOOcd/m2でこの有機 EL素子の半減寿命を測 定した結果を第 2表に示す。
[0081] 実施例 3
実施例 1にお 、て、アミンィ匕合物 BD1の代わりに下記アミンィ匕合物 BD2を用いた 以外は同様にして、有機 EL素子を作製した。
得られた素子につ 、て初期輝度 1 OOOcd/m2でこの有機 EL素子の半減寿命を測 定した結果を第 2表に示す。
[化 22]
Figure imgf000048_0001
[0082] 実施例 4
実施例 1にお 、て、アミンィ匕合物 BD1の代わりに下記アミンィ匕合物 BD3を用いた 以外は同様にして、有機 EL素子を作製した。
得られた素子につ ヽて初期輝度 1 OOOcd/m2でこの有機 EL素子の半減寿命を測 定した結果を第 2表に示す。
[化 23]
Figure imgf000048_0002
[0083] 比較例 1〜6
実施例 1において、化合物 AN— 1の代わりに特開 2000— 182776号公報記載下 記化合物 an— 1、国際公開 WO04Z018587号公報記載の下記化合物 an— 2を用 い、第 2表に記載の発光層の形成材料とした以外は同様にして有機 EL素子を作製 した。
得られた素子につ 、て初期輝度 1 OOOcd/m2でこの有機 EL素子の半減寿命を測 定した結果を第 2表に示す。
[化 24]
Figure imgf000049_0001
an-1 an-2
[0084] [表 6] 第 2 表
Figure imgf000049_0002
[0085] 第 2表に示したように、本発明の一般式 (I)で表されるアントラセン誘導体を用いた 有機 EL素子は、比較例 1及び 2の有機 EL素子よりも、長寿命であり、青色純度が高 い。
産業上の利用可能性
[0086] 以上詳細に説明したように、本発明の一般式 (I)で表されるアントラセン誘導体を用 いた有機 EL素子は、青色純度が高ぐ長寿命である。このため、長期間の継続使用 が想定されるカラー表示用有機 EL素子として有用である。

Claims

請求の範囲
下記一般式 (I)で表されるアントラセン誘導体。
Figure imgf000050_0001
[式中、 Xは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50の芳香族基、置換も しくは無置換の核原子数 5〜50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数 1 〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のシクロアルキル基、置換 もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数 6〜5 0のァラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールォキシ基、置換 もしくは無置換の核原子数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数 1 〜50のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、 ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。
Ar1及び Ar2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の核炭素数 10〜50の縮合 芳香族基であり、 Ar1及び Ar2の少なくとも一方は、下記一般式 (II)で表される 1—ナ フチル基、下記一般式 (III)で表される 2—ナフチル基、又は下記一般式 (IV)で表さ れるトリプチセニル基である。
[化 2]
Figure imgf000051_0001
(式中、 Ri〜R7は、水素原子又は置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基 であり、 Ri〜R7のうちの隣接する少なくとも 1組は、両方共にアルキル基であって、互 いに結合して環状構造を形成している。 Xは前記と同じである。 d〜iは、それぞれ 0〜 4の整数である。 )
a〜cは、それぞれ 0〜4の整数である。
nは 1〜3の整数である。また、 nが 2以上の場合は、 [ ]内の
[化 3]
Figure imgf000051_0002
は、同じでも異なっていてもよい。 ]
[2] 前記 Ar1及び Ar2の少なくとも一方が、下記一般式 (II)で表される 1—ナフチル基 である請求項 1に記載のアントラセン誘導体。
[3] 前記 Ar1及び Ar2の少なくとも一方力 下記一般式 (III)で表される 2—ナフチル基 である請求項 1に記載のアントラセン誘導体。
[4] 前記 Ar1及び Ar2の少なくとも一方力 下記一般式 (IV)で表されるトリプチセ-ル基 である請求項 1に記載のアントラセン誘導体。
[5] 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟 持されている有機エレクト口ルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも
1層力 請求項 1に記載のアントラセン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含 有する有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[6] 前記発光層が、一般式 (I)で表されるアントラセン誘導体を主成分として含有する 請求項 5に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[7] 前記発光層が、さらにァリールアミンィ匕合物を含有する請求項 5に記載の有機エレ タトロルミネッセンス素子。
[8] 前記発光層が、さらにスチリルアミン化合物を含有する請求項 5に記載の有機エレ タトロルミネッセンス素子。
[9] 青色発光する請求項 5〜8の 、ずれかに記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
PCT/JP2005/009168 2004-06-09 2005-05-19 アントラセン誘導体及びそれを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子 WO2005121057A1 (ja)

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