ェチュル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体、その製造法、その合 成中間体及びその製造法並びに有機エレクト口ルミネッセンス素子
技術分野
[0001] 本発明は電界発光素子 (エレクト口ルミネッセンス素子)用青色及び白色発光材料 などに有用なェチニル基置換縮合へテロ環化合物の重金属錯体、その製造法、そ の合成中間体及びその製造法並びにそれを用いた有機エレクト口ルミネッセンス素 子に関するものである。
背景技術
[0002] ェチニル基を有する化合物の金錯体としては、例えば非特許文献 1及び非特許文 献 2にフエ-ルェチュル金錯体が記載されて ヽるが、本発明のェチニル基置換縮合 ヘテロ環化合物重金属錯体は知られておらず、その有機エレクト口ルミネッセンス素 子の発光材料としての利用も知られて ヽな 、。
[0003] 一方、下記式 (a) :
Υ' = ~ Au L' (a) 式中、 L'は単座配位子を表し、 Y'はアルキル基、ァリール基、ァラルキル基又 はへテロ環基を表す、
で表されるェチュル基置換化合物金錯体の合成法としては、非特許文献 2に、塩基 の存在下にハロゲン化金錯体 (下記式 (b) )とェチニル基置換ィ匕合物(下記式 (c) )と をエタノール中で反応させる合成法が記載されているが、一般的にハロゲンィ匕金錯 体(下記式 (b) )は、例えば、非特許文献 3に示されるように炭素 炭素 3重結合に対 して 1級アルコールの付加反応を触媒することが知られている。
X'— AuL' (b)
γ'—— ^≡ (c) 式中、 X'はハロゲン原子、 L '及び Y,は前記と同義である。
[0004] 従って、非特許文献 3に示されている、溶媒に 1級アルコールであるエタノールを用 いるェチュル基置換ィ匕合物金錯体の合成法の場合には、下記式 (d):
で表される化合物を副生することが懸念される。
[0005] 実際に発明者らが、電界発光素子 (エレクト口ルミネッセンス素子)用発光材料とし て有用である 8 -キノリルェチニル(トリ— o—トリルホスフィン)金(下記式 (e) )を製造 する目的で、非特許文献 2の製法に従って、金錯体としてクロ口(トリ—。—トリルホス フィン)金 (1)、ェチニル基置換ィ匕合物として 8—ェチニルキノリンを用いて、エタノー ル中、塩基存在下で反応させたところ、エタノールが付加したィ匕合物(下記式 (f) )が 生成し、 目的化合物は全く得られな力つた。(比較例 1)
また、同様の反応をイソプロパノール中で行うと、イソプロパノールが付加したィ匕合 物下記式 (g)が目的物と等モル量副生した。(比較例 2)
[0006] このため、アルコール付加ィ匕合物を生成しな ヽェチニル基置換化合物金錯体(上 記式 (a) )の製法が求められて 、た。
[0007] また、ェチュル基を有する化合物の白金錯体としては、例えば非特許文献 4にビス フエ-ルェチュル(フエナント口リン)白金錯体が、非特許文献 5にビスフエ-ルェチ- ル(ビスジフエ-ルホスフィノエタン)白金錯体力 また、非特許文献 6にビスフエ-ル
ェチニル (ビビリジン)白金錯体が記載されている。更に、これらの白金錯体の有機電 界発光素子 (有機エレクト口ルミネッセンス素子)の発光材料としての利用につ 、ては
、非特許文献 4に、ビスフエ-ルェチュル (フエナント口リン)白金錯体が同発光材料と して利用できることが記載されている。しかし、本発明のェチニル基置換縮合へテロ 環化合物重金属錯体は知られておらず、その有機エレクト口ルミネッセンス素子の発 光材料としての利用も知られて 、な 、。
更に、下記式(1")で示されるェチニル基置換縮合へテロ環化合物白金錯体の合 成法としては、例えば、非特許文献 6に記載されているように、ヨウ化銅等の銅触媒の 存在下に末端アセチレン化合物と白金錯体を反応させる合成法が挙げられるが、こ の方法で末端アセチレンとしてキノリルェチンを用いた場合、不純物として下記式 (h )や (i)のような銅を含む錯体が副生してしまうため、目的の錯体の精製が非常に困 難となる等の問題があった。なお、エレクト口ルミネッセンス素子などデバイス関連材 料において不純物が問題となる場合が多く見られ、不純物の無い製造法が求められ ている。
式中、 Z、 n, L、 A及び Bは、下記で定義するとおりである。
また、下記式(2)で示されるェチュル基置換縮合へテロ環化合物の製造法としては 、例えば、非特許文献 7に、ァセチル基置換縮合へテロ環化合物と五塩化リンとを反 応させることによる製造法が記載されているが、その収率は最大でも 30%程度と低収 率であった。
更に、下記式 (4)で示されるェチニル基置換縮合へテロ環化合物は、新規化合物 であり、電界発光素子 (有機エレクト口ルミネッセンス素子)用発光材料原料として有 用である事は知られて ヽな 、。
[0010] 非特許文献 1 Journal of Organometallic Chemistry. , 1994年, 484卷、 p.
209
非特許文献 2 Journal of Chemical Society, Dalton Trans. , 1986年, p . 411
非特許文献 3 Journal of the American Chemical Socirty, 2003, 125, p . 11925
非特許文献 4: Chemistry European Journal. , 2001年, 7卷, p. 4180 非特許文献 5 Journal of Organometallic Chemistry. , 2001年, 627卷, p.
13
非特許文献 6 : Inorganic Chemistry. , 2000, 39卷, p. 447
非特許文献 7 : Chemische Berichte, 1960, 93, p. 593
非特許文献 8 :日本化学会編、「実験化学講座」,第 4版, 18卷,丸善, 1991年, p.
455
非特許文献 9 :日本化学会編、「実験化学講座」,第 4版, 18卷,丸善, 1991年, p. 412
非特許文献 10 : Tetrahedron. , 1996年, 52卷, p. 7547
非特許文献 11 : Tetrahedron Letter. , 1993年, 34卷, p. 1769
非特許文献 12 Journal of the American Chemical Socirty, 1987, 109, p. 5478
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0011] 本発明は、電圧印加により青色又は白色の発光を示す有機エレクト口ルミネッセン ス素子及びその有機エレクト口ルミネッセンス素子に有用な化合物を提供することを 課題とする。
[0012] また、本発明は、有機エレクト口ルミネッセンス素子用青色及び白色発光材料など
に有用なェチニル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体 (下記式(1) )を夾雑金属 無ぐ収率良く製造する製造方法を提供することを課題とする。
[0013] 本発明は、更に、電界発光素子 (有機エレクト口ルミネッセンス素子)用発光材料の 原料等に有用な下記式(2)で示されるェチニル基置換縮合へテロ環化合物を収率 良く製造する方法及び下記式 (4)で示される新規なェチニル基置換縮合へテロ環化 合物を提供することを課題とする。
課題を解決するための手段
[0014] 本発明者らは鋭意検討した結果、下記式(1)で示されるェチニル基置換縮合へテ 口環化合物重金属錯体を含有する有機エレクト口ルミネッセンス素子が、電圧印加に より青色および白色電界発光素子用材料として有用であることを見出して本発明を 完成するに至った。
[0015] また、本発明者らは、金属アルコキシドの存在下にェチニル基置換縮合へテロ環 化合物と重金属前駆体を反応させることで収率良くェチニル基置換縮合へテロ環化 合物重金属錯体を合成できることを見出し本発明を完成するに至った。
[0016] 更に、本発明者らは、有機エレクト口ルミネッセンス素子用発光材料原料等に有用 な下記式(2)で示されるェチニル基置換縮合へテロ環化合物の収率の良!、製造方 法を見出すと共に、有機エレクト口ルミネッセンス素子用発光材料原料として有用な 新規ィ匕合物であるェチニル基置換縮合へテロ環化合物(下記式 (4) )を見出し、本 発明を完成するに至った。
[0017] 即ち、本発明は以下の通りである。
第 1の発明は、下記式(1) :
式中、 Mは、重金属元素を表し、 Lは、単座配位子または二座配位子を表し、 Z は、ハロゲン原子、アルキル基、ァルケ-ル基、ァリール基、ァラルキル基、アル
コキシ基、ァリールォキシ基、ニトロ基、シァノ基、又はジアルキルアミノ基を表 し、 nは 0〜6の整数であり、複数の Zはそれぞれ同一でも異なっていても良ぐ Z力 アルキル基、ァルケ-ル基、ァリール基、ァラルキル基、アルコキシ基、ァ リールォキシ基、又はジアルキルァミノ基の場合、隣接したこれら 2つの基が結 合して環を形成しても良ぐ A及び Bは、それぞれ CH又は Nを表し、 A又は Bが CHの場合、その水素原子は Z又はェチュル基で置換されていても良ぐ kは 1 〜4の整数である、
で示されるェチュル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体に関する。
第 2の発明は、 Mが金である場合、一級及び二級アルコールを除ぐ有機溶媒中、 下記式(2) :
式中、 Z、 n、 A及び Bは前記と同義である、
で示されるェチニル基置換縮合へテロ環化合物と、下記式(3):
X ML (3)
k
式中、 Xはハロゲン原子を表し、 k、 M及び Lは前記と同義である、
で示される重金属錯体とを、塩基存在下に反応させることを特徴とする上記式(1)で 示されるェチュル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体の製造法に関する。 第 3の発明は、下記式 (4):
式中、 X'はフッ素原子又は塩素原子を表し、 A及び Bは前記と同義である、 で示されるェチュル基置換縮合へテロ環化合物に関する。
[0020] 第 4の発明は、 0価パラジウム化合物の存在下、塩基性溶媒中、下記式 (5)
式中、 Z、 n、 A及び Bは、前記と同義である、
で示されるトリフルォロメタンスルホニルォキシ基置換縮合へテロ環化合物と下記式 ( 6) :
で示される 2—メチルー 3—ブチンー2—オールとを反応させて、下記式(7):
式中、 Z、 n、 A及び Bは前記と同義である、
で示されるジメチルヒドロキシメチルー縮合へテロ環一アセチレン化合物とした後、こ れを塩基と反応させることを特徴とする上記式 (2)で示されるェチニル基置換縮合へ テロ環化合物の製造法に関する。
[0021] 第 5の発明は、一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄 層を形成した有機エレクト口ルミネッセンス素子であって、少なくとも 1層の有機化合 物薄層が上記式(1)で示されるェチュル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体の 少なくとも 1種を含有することを特徴とするエレクト口ルミネッセンス素子に関するもの である。
図面の簡単な説明
[0022] [図 1]図 1は、実施例 51記載のエレクト口ルミネッセンス素子概略図である。
[図 2]図 2は、実施例 51記載のエレクト口ルミネッセンス素子の発光スペクトルであり、 縦軸は各波長における発光の強度を表す。
[図 3]図 3は、実施例 52記載のエレクト口ルミネッセンス素子概略図である。
[図 4]図 4は、実施例 52記載のエレクト口ルミネッセンス素子の発光スペクトルであり、 縦軸は各波長における発光の強度を表す。
発明を実施するための最良の形態
[0023] 第 1の発明のェチニル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体は上記式(1)で示さ れる。式(1)中、 Mは重金属原子を表し、 Lは単座配位子又は二座配位子を表し、 Z は、ハロゲン原子、アルキル基、ァルケ-ル基、ァリール基、ァラルキル基、アルコキ シ基、ァリールォキシ基、ニトロ基、シァノ基、又はジアルキルアミノ基を表し、 nは 0〜 6の整数であり、複数の Zはそれぞれ同一でも異なっていても良い。また、 Z力 アル キル基、アルケニル基、ァリール基、ァラルキル基、アルコキシ基、ァリールォキシ基
、又はジアルキルァミノ基の場合、隣接したこれら 2つの基が結合して環を形成しても 良い。 X及び Yは、それぞれ CH又は Nを表す。なお、 X又は Yが CHの場合、その水 素原子が Z又は式中の重金属と結合するェチニル基で置換されても良い。
[0024] Mで示される重金属原子としては、周期律表第 6周期の金属である、 Au, Pt, Ta, W, Re, Os及び Irが挙げられる。 Mが Auである場合、 k= lで、 Lは単座配位子で 1 〜3個であり、 Ptの場合、 k= 2で、 Lは二座配位子で 1個、 Os又は Irの場合、 k= 2 又は 3で、 Lは単座又は二座配位子であり、単座の場合 2〜4個、二座の場合 1〜2 個の配位子を有し、 Taの場合、 k= 3で、 Lは単座又は二座配位子であり、単座の場 合 2〜4個、二座の場合 1〜2個の配位子を有し、 Wの場合、 k= 3又は 4で、 Lは単座 又は二座配位子であり、単座の場合 2〜4個、二座の場合 1〜2個の配位子を有し、 Reの場合、 k= 3で、 Lは単座配位子で 2〜4個である。これらの中でも、 Mは Au又は Ptであることが好ましい。
[0025] Zにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が 挙げられる。
アルキル基としては、炭素数 1〜20、特に炭素数 1〜12のアルキル基が好ましぐ
例えば、メチル基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基、へ プチル基、ォクチル基、ノニル基、デシル基、ゥンデシル基、ドデシル基等が挙げら れる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。
[0026] ァルケ-ル基としては、炭素数 2〜20、特に炭素数 2〜 12のアルケニル基が好まし く、例えば、ビニル基、プロぺニル基、ブテニル基、ペンテニル基、へキセニル基、へ プテニル基、オタテニル基、ノネニル基、デセニル基、ゥンデセニル基、ドデセニル基 等が挙げられる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。
ァリール基としては、炭素数 6〜20、特に 6〜12のァリール基が好ましぐ例えば、 フエ-ル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基、ビフエ-ル基等 が挙げられる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。
[0027] ァラルキル基としては、炭素数 7〜20のァラルキル基が好ましぐ例えばべンジル 基、ナフチルメチル基、インデュルメチル基、ビフヱニルメチル基などが挙げられる。 アルコキシ基としては、特に炭素数 1〜10のアルコキシ基が好ましぐ例えば、メトキ シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、へキサノキシ基、ヘプ タノキシ基、オタタノキシ基、ノナノキシ基、デカノキシ基等が挙げられる。なお、これら 置換基は、その異性体も含む。
[0028] ァリールォキシ基としては、特に炭素数 6〜14のァリールォキシ基が好ましぐフエ ノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が挙げ られる。なお、これら置換基は、その異性体も含む。
ジアルキルアミノ基としては、特に炭素数 2〜 10のジアルキルアミノ基が好ましぐジ メチルァミノ基、ジェチルァミノ基、ジプロピルアミノ基等が挙げられる。なお、これら 置換基は、その異性体も含む。
[0029] Z力 アルキル基、ァルケ-ル基、ァリール基、ァラルキル基、アルコキシ基、ァリー ルォキシ基、又はジアルキルァミノ基の場合、隣接した 2つの基が結合して形成する 環としては、例えば、シクロペンテン環、シクロへキセン環、シクロヘプテン環、ベンゼ ン環、ナフタレン環、テトラヒドロフラン環、ベンゾピラン環、 N—メチルピロリジン環、 N ーメチルビペリジン環等が挙げられる。等が挙げられる。
なお、 Zの任意の水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基、ァルケ-ル基、ァリール
基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、ニトロ基、シァノ基及びジアルキルアミノ基カも 選択される少なくとも 1の置換基で更に置換されて 、ても良!、。
本発明において、 Mが金 (Au)である場合、上記式(1)は下記一般式(1 ' ):
式中、 Z, n, A及び Bは前記と同義である、
で示され、 L
1は単座配位子を表す。このような L
1としては、下記一般式 (8)又は(9) で示される単座配位子が挙げられる。
(8) (9)
[0032] 式中、 R R2及び R3は、それぞれ同一或いは異なっていても良いアルキル 基、シクロアルキル基、又はァリール基を表し、 R4及び R5は、それぞれ同一 或いは異なっていても良い水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキ ル基、アルケニル基、ァリール基、ァラルキル基、アルコキシ基、ァリールォキシ 基、ニトロ基、シァノ基、又はジアルキルアミノ基を表す。なお、 R4及び R5が アルキル基、ァルケ-ル基、ァリール基、ァラルキル基、アルコキシ基、ァリール ォキシ基、又はジアルキルァミノ基の場合、隣接した 2つの基が結合して環を形 成しても良い。
[0033] R2及び R3におけるアルキル基としては、炭素原子数 1〜10のアルキル基が好 ましぐ例えば、メチル基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル 基、ヘプチル基、ォクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。なお、これらの置 換基は、その異性体を含む。
シクロアルキル基としては、特に炭素原子数 5〜8のシクロアルキル基が好ましぐ 例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基
、シクロへプチル基、シクロォクチル基等が挙げられる。
[0034] ァリール基としては、炭素原子数 6〜12のァリール基が好ましぐ例えば、フエニル 基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。なお、こ れらの置換基は、その異性体を含む。
[0035] R4及び R5におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ 素原子が挙げられる。
アルキル基としては、炭素原子数 1〜10のアルキル基が好ましぐ例えば、メチル 基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、オタ チル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体 を含む。
[0036] シクロアルキル基としては、炭素数 3〜7のシクロアルキル基が好ましぐ例えば、シ クロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロペンチ ル基、シクロへキシル基、シクロへプチル基等が挙げられる。
[0037] ァルケ-ル基としては、炭素原子数 2〜20、特に 2〜 12のァルケ-ル基が好ましく 、例えば、ビュル基、プロべ-ル基、ブテュル基、ペンテ-ル基、へキセ-ル基、ヘプ テニル基、オタテニル基、ノネニル基、デセニル基、ゥンデセ-ル基、ドデセ二ル基等 が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。
ァリール基としては、炭素原子数 6〜12のァリール基が好ましぐ例えば、フエニル 基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。なお、こ れらの置換基は、その異性体を含む。
[0038] ァラルキル基としては、炭素数 7〜20のァラルキル基が好ましぐ例えばべンジル 基、ナフチルメチル基、インデュルメチル基、ビフヱニルメチル基などが挙げられる。 アルコキシ基としては、特に炭素原子数 1〜10のアルコキシ基が好ましぐ例えば、 メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、へキサノキシ基、 ヘプタノキシ基、オタタノキシ基、ノナノキシ基、デカノキシ基等が挙げられる。なお、 これらの置換基は、その異性体を含む。
[0039] ァリールォキシ基としては、特に炭素原子数 6〜 14のァリールォキシ基が好ましぐ フエノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が
挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。
ジアルキルアミノ基としては、特に炭素原子数 2〜 10のジアルキルアミノ基が好まし ぐジメチルァミノ基、ジェチルァミノ基、ジプロピルアミノ基等が挙げられる。なお、こ れらの置換基は、その異性体を含む。
[0040] R4及び R5がアルキル基、ァルケ-ル基、ァリール基、ァラルキル基、アルコキシ基、 ァリールォキシ基、又はジアルキルァミノ基の場合、隣接した 2つの基が結合して形 成する環としては、たとえば,キノリン、イソキノリン、テトラヒドロキノリン、テトラヒドロイソ キノリン、 2, 3 シクロペンテノビリジン、 2, 3 シクロへプテノピリジン、 2, 3 シクロ ドデセノビリジン、 7—ァザインドール、ノルハルマンが挙げられる。
[0041] 前記の 、 R2、 R3、 R4及び R5で示される置換基は、その炭素原子に結合して 、る 水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、ァルケ-ル基、ァリール基、アルコキシ基、 ァリールォキシ基、ニトロ基、シァノ基又はジアルキルアミノ基等で更に置換されてい ても良い。これらの置換基は、前記の R4及び R5で示される置換基と同様のものが挙 げられる。
[0042] 上記式(8)で示される単座配位子の具体例としては、ビス(ペンタフルオロフェ-ル )フエ-ノレホスフィン、 (4 ブロモフエ-ル)ジフエ-ノレホスフィン、ジァリルフエ-ノレホ スフイン、ジシクロへキシルフェ-ルホスフィン、ジェチルフエ-ルホスフィン、 4— (ジ メチルァミノ)フエ-ルジフエ-ルホスフィン、ジメチルフエ-ルホスフィン、ジフエ-ル( 2—メトキシフエ-ル)ホスフィン、ジフエ-ル(ペンタフルォロフエ-ル)ホスフィン、ジ フエ-ルプロピルホスフィン、ジフエ-ルー 2—ピリジルホスフィン、ジフエ-ル(p トリ ル)ホスフィン、ジフエ-ルビ-ルホスフィン、ェチルジフエ-ルホスフィン、イソプロピ ルジフエニルホスフィン、メチルジフエニルホスフィン、トリベンジルホスフィン、トリブチ ルホスフィン、トリ一 t—ブチルホスフィン、トリシクロへキシルホスフィン、トリシクロペン チルホスフィン、トリェチルホスフィン、トリー 2—フリルホスフィン、トリイソブチルホスフ イン、トリイソプロピルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリオク チルホスフィン、トリフエ-ルホスフィン、トリス(4—クロ口フエ-ル)ホスフィン、トリス(3 —クロ口フエ-ル)ホスフィン、トリス(2, 6 ジメトキシフエ-ル)ホスフィン、トリス(4— フルオロフェ -ル)ホスフィン、トリス(3—フルオロフェ-ルホスフィン)、トリス(4ーメト
キシフエ-ル)ホスフィン、トリス(3—メトキシフエ-ル)ホスフィン、トリス(2—メトキシフ ェニル)ホスフィン、トリス(4—トリフルォロメチルフエ-ル)ホスフィン、トリス(ペンタフ ルォロフエ-ル)ホスフィン、トリス(2, 4, 6 トリメトキシフエ-ル)ホスフィン、トリス(2 , 4, 6—トリメチルフエニル)ホスフィン、トリ一 m—トリルホスフィン、トリ一 o トリルホス フィン、トリ一 ρ トリルホスフィン、ベンジルジフエ-ルホスフィン、ビス(2—メトキシフ ェ -ル)フエ-ルホスフィン、ジフエ-ルシクロへキシルホスフィン、 2— (ジ一 t—ブチ ルホスフイノ)ビフエ-ル、 2— (ジシクロへキシルホスフイノ)ビフエ-ル、ネオメンチル ジフエ-ルホスフィン、 p トリルジフエ-ルホスフィン、トリアリルホスフィン、 2, 4, 4— トリメチルペンチルホスフィン、トリ(1 ナフチル)ホスフィン、トリス(ヒドロキシメチル) ホスフィン、トリス(ヒドロキシプロピル)ホスフィンなどが挙げられる。なお、これらは巿 販のものを使用することができる。
[0043] 上記式(9)で示される配位子の具体例としては、ピリジン、ピコリン、 2 ェチルピリ ジン、 2 プロピルピリジン、 4 プロピルピリジン、 4 ブチルピリジン、 4 イソブチ ルピリジン、ルチジン、コリジン、ェチルメチルピリジン、ジェチルピリジン、 2—メチル —5 ブチルピリジン、 4— (5 ノエル)ピリジン、 2, 6 ジプロピルピリジン、 4 ジメ チノレアミノピリジン、 4ーピペリジノピリジン、 4 ピロリジノピリジン、 2 クロ口ピリジン、 2, 6 ジクロロピリジン、キノリン、メチルキノリン、ジメチルキノリン等が挙げられる。な お、これらはその異性体も含む。また、これらの配位子は市販のものを使用することが できる。
[0044] 上記式( 1 ' )で示されるェチニル基置換縮合へテロ環化合物金錯体の具体例を以 下に示す。
[0046] また、本発明において、 Mが白金 (Pt)である場合、上記式(1)は下記一般式(1")
(1":
式中、 Z, n, A及び Bは前記と同義である、
で示され、 L2は二座配位子を表す。このような L2としては、二座ホスフィン及び下記 一般式(10)〜(12)で示される二座配位子が挙げられる。
[0047]
[0048] 式中、 mは 1〜5の整数を表し、 R6及び R7はアルキル基、シクロアルキル基、 又はァリール基を表し、それぞれ同一又は異なっていても良い。また、 Za、 Z b、 Zc、 Zd、 Zeはそれぞれ独立に 5又は 6員環を形成し得る非金属原子群を 表す。なお、これら 5又は 6員環は縮合環を形成しても良い。
[0049] 上記一般式(10)〜(12)で示される二座配位子において、 Za、 Zb、 Zc、 Zd及び Z eとしては、炭素、水素、窒素、酸素、硫黄、燐、ハロゲン原子で構成されるそれぞれ 独立した 5又は 6員環が挙げられる。なお、これら 5又は 6員環は縮合環を形成しても 良い。
[0050] 5員環としては、ォキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環等が挙げられる。
6員環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環等 が挙げられる。
[0051] これらの 5又は 6員環が成す縮合環としては、キノリン環、イソキノリン環、インドール
環、イソインドール環等が挙げられる。
これらの 5又は 6員環及び縮合環の内、ナフタレン環、イソキノリン環、ォキサゾール 環、ピリジン環が好ましい。
[0052] また、これらの環は、それぞれ同一又は異なっていても良いハロゲン原子、アルキ ル基、シクロアルキル基、ァルケ-ル基、ァリール基、ァラルキル基、アルコキシ基、 ァリールォキシ基、ニトロ基、シァノ基、又はジアルキルアミノ基等の置換基で置換さ れても良い。なお、これらの置換基がアルキル基、シクロアルキル基、ァルケ-ル基、 ァリール基、ァラルキル基、アルコキシ基、又はァリールォキシ基であり隣接する場合
、これらの置換基が結合して 5又は 6員環を形成しても良い。
[0053] ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙 げられる。
アルキル基としては、炭素原子数 1〜10のアルキル基が好ましぐ例えば、メチル 基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、オタ チル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体 を含む。
[0054] シクロアルキル基としては、特に炭素原子数 5〜8のシクロアルキル基が好ましぐ 例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基 、シクロへプチル基、シクロォクチル基等が挙げられる。
[0055] ァルケ-ル基としては、炭素原子数 2〜20、特に 2〜 12のァルケ-ル基が好ましく 、例えば、ビュル基、プロべ-ル基、ブテュル基、ペンテ-ル基、へキセ-ル基、ヘプ テニル基、オタテニル基、ノネニル基、デセニル基、ゥンデセ-ル基、ドデセ二ル基等 が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。
[0056] ァリール基としては、炭素原子数 6〜12のァリール基が好ましぐ例えば、フエニル 基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。なお、こ れらの置換基は、その異性体を含む。
[0057] ァラルキル基としては、炭素数 7〜20のァラルキル基が好ましぐ例えばべンジル 基、ナフチルメチル基、インデュルメチル基、ビフヱニルメチル基などが挙げられる。
[0058] アルコキシ基としては、特に炭素原子数 1〜10のアルコキシ基が好ましぐ例えば、
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、へキサノキシ基、 ヘプタノキシ基、オタタノキシ基、ノナノキシ基、デカノキシ基等が挙げられる。なお、 これらの置換基は、その異性体を含む。
[0059] ァリールォキシ基としては、特に炭素原子数 6〜 14のァリールォキシ基が好ましぐ フエノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が 挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。
[0060] ジアルキルアミノ基としては、特に炭素原子数 2〜 10のジアルキルアミノ基が好まし ぐジメチルァミノ基、ジェチルァミノ基、ジプロピルアミノ基等が挙げられる。なお、こ れらの置換基は、その異性体を含む。
[0061] 以下、二座ホスフィン及び下記一般式(10)〜(12)で示される二座配位子 (L2)の 具体的な態様について説明する。
二座ホスフィンとしては、例えば、下記一般式(13)〜(18)で示される二座ホスフィ ンが挙げられる。
[0062]
(17) (18)
[0063] 式中、 m、 R。及び R7は前記と同義である。また、 R8及び R9は、水素原子、 ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、ァルケ-ル基、ァリール基、ァラ
ルキル基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、ニトロ基、シァノ基、又はジアルキ ルァミノ基を表し、これらの置換基は、それぞれ同一又は異なっていても良い。 なお、これらの置換基がアルキル基、シクロアルキル基、ァルケ-ル基、ァリー ル基、ァラルキル基、アルコキシ基、又はァリールォキシ基であり隣接する場 合、これらの置換基が結合して環を形成しても良い。
前記一般式(13)で示される二座配位子としては、例えば、下記一般式(19)及び ( 20)で示される二座配位子が挙げられる。
(19) (20)
[0066] 式中、 R6、 R7、 R8及び R9は前記と同義である。また、 R10, R11及び R12
は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、ァルケ-ル 基、ァリール基、ァラルキル基、アルコキシ基、ァリールォキシ基、ニトロ基、シ ァノ基、又はジアルキルアミノ基を表し、これらの置換基は、それぞれ同一又は 異なっていても良い。なお、これらの置換基がアルキル基、シクロアルキル基、 アルケニル基、ァリール基、ァラルキル基、アルコキシ基、又はァリールォキシ基 であり隣接する場合、これらの置換基が結合して環を形成しても良 、。
[0067] 前記一般式(14)で示される二座配位子としては、例えば、下記一般式(21)で示さ れるニ座配位子が挙げられる。
(21)
[0069] 式中、 m、 R6、 R7、 R1G、 R11及び R12は前記と同義である。
[0070] 前記一般式(15)で示される二座配位子としては、例えば、下記一般式(22)で示さ れるニ座配位子が挙げられる。
(22)
[0072] 式中、 R8及び R9は前記と同義である。
[0073] ここで R6及び R7におけるアルキル基としては、炭素原子数 1〜10のアルキル基が 好ましぐ例えば、メチル基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシ ル基、ヘプチル基、ォクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。なお、これらの 置換基は、その異性体を含む。
[0074] シクロアルキル基としては、特に炭素原子数 5〜8のシクロアルキル基が好ましぐ 例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基 、シクロへプチル基、シクロォクチル基等が挙げられる。
[0075] ァリール基としては、炭素原子数 6〜12のァリール基が好ましぐ例えば、フエニル 基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げられる。なお、こ れらの置換基は、その異性体を含む。
[0076] R8、 R9、 R10, R11及び R12におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、 臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
[0077] アルキル基としては、炭素原子数 1〜20、特に 1〜12のアルキル基が好ましぐ例 えば、メチル基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基、ヘプ チル基、ォクチル基、ノニル基、デシル基、ゥンデシル基、ドデシル基等が挙げられ る。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。
[0078] シクロアルキル基としては、特に炭素原子数 3〜7のシクロアルキル基が好ましぐ 例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シ
クロペンチル基、シクロへキシル基、シクロへプチル基等が挙げられる。
[0079] ァルケ-ル基としては、炭素原子数 2〜20、特に 2〜 12のァルケ-ル基が好ましく 、例えば、ビュル基、プロべ-ル基、ブテュル基、ペンテ-ル基、へキセ-ル基、ヘプ テニル基、オタテニル基、ノネニル基、デセニル基、ゥンデセ-ル基、ドデセ二ル基等 が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。
[0080] ァリール基としては、炭素原子数 6〜20、特に 6〜12のァリール基が好ましぐ例え ば、フエ-ル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基等が挙げら れる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。
[0081] ァラルキル基としては、炭素数 7〜20のァラルキル基が好ましぐ例えばべンジル 基、ナフチルメチル基、インデュルメチル基、ビフヱニルメチル基などが挙げられる。
[0082] アルコキシ基としては、特に炭素原子数 1〜10のアルコキシ基が好ましぐ例えば、 メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンタノキシ基、へキサノキシ基、 ヘプタノキシ基、オタタノキシ基、ノナノキシ基、デカノキシ基等が挙げられる。なお、 これらの置換基は、その異性体を含む。
[0083] ァリールォキシ基としては、特に炭素原子数 6〜 14のァリールォキシ基が好ましぐ フエノキシ基、トリロキシ基、キシリロキシ基、ナフトキシ基、ジメチルナフトキシ基等が 挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。
[0084] ジアルキルアミノ基としては、特に炭素原子数 2〜 10のジアルキルアミノ基が好まし ぐジメチルァミノ基、ジェチルァミノ基、ジプロピルアミノ基等が挙げられる。なお、こ れらの置換基は、その異性体を含む。
[0085] R8、 R9、 R10, R11及び R12がアルキル基、ァルケ-ル基、ァリール基、ァラルキル基
、アルコキシ基、又はァリールォキシ基であり隣接するこれら置換基が環を形成した 二座配位子としては、例えば、上記の二座配位子(18)の場合、下記一般式(23)、 (
24)で示される二座配位子が挙げられる。
[0087] 式中、 R6及び R7は前記と同義である。
[0088] 前記の R6、 R7、 R8、 R9、 R1G、 R11及び R12で表される置換基は、その炭素原子に結 合している水素原子力、ハロゲン原子、アルキル基、ァルケ-ル基、ァリール基、ァ ルコキシ基、ァリールォキシ基、ニトロ基、シァノ基又はジアルキルアミノ基等で更に 置換されていても良い。これらの置換基は、前記の R6、 R7、 R8、 R9、 R10, R11及び R12 で表される置換基と同様のものが挙げられる。
[0089] 上記一般式(13)〜(18)で示される二座ホスフィン及び(19)〜(22)で示される二 座配位子の具体的な態様としては、以下のものが挙げられる。
上記式(13)で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、 m= lのものとして 、ビス(ジフエ-ルホスフイノ)メタン、ビス(メチルホスフイノ)メタン、ビス(ジシクロへキ シルホスフイノ)メタン、ビス(ジ一 t—ブチルホスフイノ)メタン、 m= 2のものとして、 1, 2 -ビス(ジメチルホスフイノ)ェタン、 1, 2—ビス(ジェチルホスフイノ)ェタン、 1, 2— ビス(ジ一 t—ブチルホスフイノ)ェタン、 1, 2—ビス(ジシクロへキシルホスフイノ)エタ ン、 1, 2—ビス [(2—メトキシフエ-ル)フエ-ルホスフイノ]ェタン、 1, 2—ビス [ジ(ぺ ンタフルオロフェ -ル)ホスフイノ]ェタン、 1, 2—ビス(ジフエ-ルホスフイノ)ェタン、 1 , 2 -ビス (t -ブチルフエ-ルホスフイノ)ェタン、 1 , 2—ビス(ジフエ-ルホスフイノ)ェ タン、 m= 3のものとして 1, 3—ビス(ジメチルホスフイノ)プロパン、 1, 3—ビス(ジェ チルホスフイノ)プロパン、 1, 3—ビス(ジ— t—ブチルホスフイノ)プロパン、 1, 3—ビ ス(ジシクロへキシルホスフイノ)プロパン、 1, 3—ビス(ジフエ-ルホスフイノ)プロパン 、 m=4のものとして、 1, 4—ビス(ジメチルホスフイノ)ブタン、 1, 4—ビス(ジ一 t—ブ チルホスフイノ)ブタン、 1, 4—ビス(ジシクロへキシルホスフイノ)ブタン、 1, 4—ビス( ジフエ-ルホスフイノ)ブタン、 m= 5のものとして、 1, 5—ビス(ジフエ-ルホスフイノ)
ペンタン、 m=6のものとして、 1, 6 ビス(ジフエ-ルホスフイノ)へキサン等が挙げら れる。
[0090] 上記式(14)で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、 1, 2 ビス(ジフエ -ルホスフイノ)プロパン、 2, 3 ビス (ジフエ-ルホスフイノ)ブタン、 2, 4 ビス (ジフエ -ルホスフイノ)ペンタン等が挙げられる。
[0091] 上記式(15)で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、 1, 2 ビス(ジメチ ルホスフイノ)ベンゼン、 1, 2—ビス(ジシクロへキシルホスフイノ)ベンゼン、 1, 2—ビ ス(ジフエ-ルホスフイノ)ベンゼン等が挙げられる。
[0092] 上記式(16)で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては 1, 1 ' ビス(ジフエ -ルホスフイノ)フエ口セン、 1, 1,一ビス(ジイソプロピルホスフイノ)フエ口セン、 1, 1, ビス(ジ -t-ブチルホスフイノ)フエ口セン等が挙げられる。
[0093] 上記式(17)で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、 2, 2' ビス(ジフ ェ-ルホスフイノ)一 1, 1, 一ビナフチル、 2, 2,一ビス(ジシクロへキシルホスフイノ) - 1, 1 '—ビナフチル、 2, 2'—ビス(ジ(3, 5 キシリル)ホスフイノ)一 1, 1 '—ビフエ- ル、 2, 2,—ビス(ジ (p トリル)ホスフイノ)— 1, 1,—ビナフチル等が挙げられる。
[0094] 上記式(18)で示される二座ホスフィンの具体的な態様としては、 2, 2' ビス(ジフ ェ-ルホスフイノ)一 1, 1, 一ビフエ-ル、 6, 6, 一ジメトキシ一 2, 2, 一ビス(ジフエ-ル ホスフイノ)一 1, 1 '—ビフエニル、 5, 5 '—ジクロロ一 6, 6'—ジメトキシ一 2, 2'—ビス (ジフエ-ルホスフイノ)—1, 1,ービフエ-ル等が挙げられる。
[0095] 上記式(19)で示される二座配位子の具体的な態様としては、 R6、 R7がフ -ル基 であり、 R8、 R9が水素原子である化合物(QUINAP)等が挙げられる。
[0096] 上記式(20)で示される二座配位子の具体的な態様としては、 R6、 R7がフエ-ル基 で、 R1C)がメチル基で、 R8、 R9、 R11及び R12が水素原子である化合物(DPMO)、 R6、 R7がフエ-ル基で、 R1G、 R11がメチル基で、 R8、 R9、 R12が水素原子である化合物(D PDMO)、 R6、 R7がフエ-ル基で、 R10がイソプロピル基で、 R8、 R9、 R11及び R12が水 素原子である化合物(DPIPO)、 R6、 R7がフエ-ル基で、 R1Gがイソブチル基で、 R8、 R9、 R11及び R12が水素原子である化合物(DPIBO)、 R6、 R7がフエ-ル基で、 R1Gが t ブチル基で、 R8、 R9、 R11及び R12が水素原子である化合物(DPTBO)、 R6、 R7
力 Sフエ-ル基で、 R1Gがべンジル基で、 R8、 R9、 R11及び R12が水素原子である化合物 (DPBMO)、 R6、 R R1Gがフエ-ル基で、 R8、 R9、 R11及び R12が水素原子であるィ匕 合物(DPPO)等が挙げられる。
[0097] 上記式(21)で示される二座配位子の具体的な態様としては、 R
6、 R
7がフ -ル基 で、 R
1C)がメチル基、 R
11及び R
12が水素原子で、 m= 1である化合物(DPMMO)、 R
6 、 R
7がフエ-ル基で、 R
1C)がイソプロピル基、 R
11及び R
12が水素原子で、 m= lである 化合物(DPMIPO)、 R
6、 R
7がフエ-ル基で、 R
1C)がイソブチル基、 R
11及び R
12が水 素原子で、 m= 1である化合物(DPMIBO)、 R
6、 R
7がフエ-ル基で、 R
1Gが t-ブチル 基、 R
11及び R
12が水素原子で、 m= 1である化合物(DPMTBO)、 R
6、 R
7、 がフ ェ-ル基で、 R
11及び R
12が水素原子で、 m= 1である化合物(DPMPO)、
が フエニル基で、 R
1C)がべンジル基、 R
11及び R
12が水素原子で、 m= lである化合物(D PMBNO)等が挙げられる。
[0098] 上記式(22)で示される二座配位子の具体的な態様としては、 2, 2' ビビリジン、 4, 4' ジメチルー 2, 2' ビビリジン、 4, 4'ージフ 二ルー 2, 2' ビビリジン、 5, 5 ,一ジメチルー 2, 2'—ビビリジン、 5, 5,ージー t—ブチル -2, 2'—ビビリジン、 1, 10 —フエナント口リン、 5—メチル 1, 10 フエナント口リン、 5 フエニル一 1, 10 フ ェナント口リン、 4, 7 ジフエ-ル— 1, 10 フエナント口リン、 3, 4, 7, 8—テトラメチ ルー 1, 10—フエナント口リンが挙げられる。
[0099] 上記式(1")で示されるェチュル基置換縮合へテロ環化合物白金錯体の具体的な 態様を下記式に示す。
なお、これらの化合物名は、下記上段左より、ビス(8—キノリルェチュル)(ビスジメ チルホスフィノエタン)白金(以下、 pt (dmpe) (8QE) と記載。)、ビス(8—キノリルェ
2
チュル)(ビスジフエ-ルホスフイノエタン)白金(以下、 Pt (dppe) (8QE) と記載。)、
2
ビス(7—キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金(以下、 Pt (dmpe) (7 QE) と記載。)、ビス(6—キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金(以
2
下、 Pt (dmpe) (6QE) と記載。)、ビス(5—キノリルェチニル)(ビスジメチルホスフィ
2
ノエタン)白金(以下、 Pt (dmpe) (5QE) と記載。)、ビス (4 キノリルェチュル)(ビ
2
スジメチルホスフィノエタン)白金(以下、 Pt (dmpe) (4QE) と記載。)、ビス(3—キノ
リルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金(以下、 pt (dmpe) (3QE) と記載
2
。;)、ビス(2—キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金(以下、 Pt (dmp e) (2QE) と記載。)である。
Ptfdmpe)(50E)2 Pt(dmpe)(4QE)2 Pt(dmpe)(3QE)2 Pt(dmpe)(2QE)2
[0101] Mが Ta, W, Re, Os, Irである場合の配位子としては、前記した単座配位子及び 二座配位子が挙げられ、その価数に応じて前記と同様の配位構造をとることができる
[0102] 上記新規ェチニル基置換縮合へテロ環化合物金錯体は、ホストとしてべンジジン 型トリフエ-ルァミン(4, 4,—ビス(力ルバゾール—9—ィル)ビフエ-ル(以下、 CBP と記載する。)を用いた固体薄膜とした後、紫外線照射することにより CIE色度座標値 で (0. 19, 0. 17)の青色力も (0. 31, 0. 34)の白色の発光を示した。また、同白金錯 体は、有機エレクト口ルミネッセンス素子の有機化合物層に使用した場合も同様の発 色光を示す。
[0103] 第 2の発明である、ェチニル基置換ィ匕合物重金属錯体 (上記式(1) )の製造法は、 上記式(2)で示されるェチュル基置換ィ匕合物と上記式(3)で示されるハロゲン化重 金属錯体とを塩基の存在下、有機溶媒 (ただし、 Mが Auである場合、一級及び二級 アルコールを除く。 )中で反応させることによって行われる。
[0104] 本発明において、上記式(1)における Mが金である場合の式(1 ' )で示されるェチ -ル基置換化合物金錯体の製造法につ!ヽて説明する。ェチニル基置換化合物 (上
記式(2) )の使用量は、上記式(3)における Mが金である下記式(3' ):
XAuL1 (3,)
式中、 X及び L1は前記と同義である、
で示されるハロゲンィ匕金錯体 1モルに対して 1〜3モルであることが好ましぐより好ま しくは 1〜1. 5モルである。
ここで、 Xにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素 原子が挙げられる。
[0105] なお、上記式 (b)で示されるハロゲン化金錯体は、例えば、非特許文献 8に記載の 方法に従って、塩ィ匕金酸をホスフィンもしくはスルフイドで還元後、適切な配位子と反 応させること〖こより合成することができる。
[0106] 本反応で用いられる溶媒としては、一級及び二級アルコール以外で使用する塩基 と反応しないものであれば特に制限は無いが、三級アルコール類、エーテル類、ハロ ゲン化炭化水素類、或はこれらの混合物が好ましい。
[0107] ここで三級アルコール類としては、 t—ブチルアルコール、 tーァミルアルコール等が 挙げられる。
エーテル類としては、ジェチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジォキサン、ジメトキシ ェタン、ジエトキシェタン等が挙げられる。
ハロゲン化炭化水素類としては、ジクロロメタン、ジクロロエタン、ジクロロプロパン、 クロ口ベンゼン等が挙げられる。
[0108] これらの溶媒の使用量は、ハロゲンィ匕金錯体 (上記式(1) ) 1モルに対して、 1〜30
L (リットル)が好ましぐ更に好ましくは 5〜20Lである。
[0109] また、反応温度は溶媒の融点以上〜 100°Cで可能である力 低温では反応進行が 遅くなるため、好ましくは 15〜50°Cである。
[0110] 反応時間は、前記の末端アセチレンィ匕合物の種類、溶媒の使用量、及び反応温度 等によって変化するが 2〜24時間である。
[0111] 本発明で用いられる塩基としては、アルカリ金属の水酸化物又はアルコキシドが挙 げられる。
アルカリ金属の水酸ィ匕物としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化力リウ
ム等が挙げられる。
[0112] アルカリ金属のアルコキシドとしては、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチウ ムプロポキシド、リチウムブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウ ムプロポキシド、ナトリウムブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムプ ロポキシド、カリウムブトキシドが挙げられる。なお、これらはその異性体も含む。
[0113] これらの塩基の使用量は、ハロゲン化金錯体 1モルに対して 1〜3モル、好ましくは 1〜1. 2モノレである。
[0114] この反応は、通常、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気、或はこれらガス気流 下で行われる。また、用いられる反応圧は通常、常圧である。
[0115] 次に、本発明において、上記式(1)における Mが白金である場合の式(1")で示さ れるェチニル基置換化合物白金錯体の製造法につ ヽて説明する。
ここで白金錯体 (上記式(3)において Mが Ptである化合物)は、例えば、非特許文 献 9に記載の方法に準じて、 2座配位子 (L)と塩化白金酸カリウム (Π)を反応させて 製造したものを用いることができる。
[0116] ここで 2座配位子(L2)としては、 2座ホスフィン又は上記式(10)〜(12)で示される
2座配位子が挙げられる。
2座ホスフィンとしては、例えば、上記式(13)〜(18)で示される 2座ホスフィンが挙 げられる。
上記式(10)で表される 2座配位子としては、例えば、上記式(19)及び(20)で示さ れる 2座配位子が挙げられる。
上記式(11)で表される 2座配位子としては、例えば、上記式(21)で示される 2座配 位子が挙げられる。
上記式(12)で表される 2座配位子としては、例えば、上記式(22)で示される 2座配 位子が挙げられる。
[0117] これらの 2座配位子の内、上記式(13)〜(19)及び(22)で示される 2座配位子は 市販品を用いることができる。
上記式(20)で示される 2座配位子は非特許文献 10に記載の方法に従って合成す ることが出来、上記式(21)で示される 2座配位子は非特許文献 11に記載の方法に
従って合成することが出来る。
[0118] ェチニル基置換ィ匕合物(上記式(2) )の使用量は、上記式(3)における Mが白金で ある下記式(3"):
X PtL2 (3")
k
式中、 X、 k及び L2は前記と同義である、
で示されるハロゲンィ匕白金錯体 1モルに対して 2〜6モルであることが好ましぐより好 ましくは 2〜3モルである。
[0119] ェチニル基置換縮合へテロ環化合物の白金錯体 (上記式(1") )の製造に用いられ る塩基としては、金属アルコキシドであり、リチウムメトキシド、リチウムエトキシド、リチ ゥムプロポキシド、リチウムブトキシド、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリ ゥムプロポキシド、ナトリウムブトキシド、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウム プロポキシド、カリウムブトキシド等のアルカリ金属アルコキシドが挙げられる。なお、 上記のアルカリ金属プロポキシド及びブトキシドについてはアルコキシ基の異性体も 含まれる。
[0120] 塩基の使用量は、白金錯体 (上記式(1") )に対して 2. 0〜6. 0当量が好ましぐ更 に好ましくは 2. 0〜3. 0当量である。
[0121] 溶媒としてはアルコール類が好ましぐメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ ール等の炭素数 1〜5の脂肪族アルコールが挙げられる。なお、これらのアルコール は、その異性体も含む。
[0122] 溶媒の使用量は、上記式(1")で示される白金錯体 1モルに対して、 1〜50L (リット ル)が好ましぐ更に好ましくは 15〜30Lである。
[0123] 反応温度は 20〜100°Cが好ましぐ更に好ましくは 60〜90°Cである。なお、 20°C 以下では反応の進行が著しく低下することがある。
[0124] 反応時間は、上記式(1")で示される白金錯体、ェチニル基置換縮合へテロ環化 合物、溶媒の使用量、及び反応温度等によって変化する力^〜 9時間であることが好 ましい。
[0125] この反応は、通常、アルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気、或はこれらガス気流下 で行われる。また、用いられる反応圧は通常、常圧である。
[0126] Mが金又は白金以外の重金属元素である場合、上記式(1)で示されるェチニル基 置換縮合へテロ環化合物重金属錯体の製造方法は、上記と同様に、例えば、重金 属錯体 1モルに対し、 k= lの場合、ェチニル基置換ィ匕合物を好ましくは 1〜3モル、 更に好ましくは 1〜1. 5モル使用することにより、 k= 2の場合、ェチュル基置換ィ匕合 物を好ましくは 2〜6モル、更に好ましくは 2〜3モル使用することにより、 k= 3の場合 、ェチュル基置換ィ匕合物を好ましくは 3〜9モル、更に好ましくは 3〜4. 5モル使用 することにより、 k=4の場合、ェチュル基置換ィ匕合物を好ましくは 4〜 12モル、更に 好ましくは 4〜6モル使用して反応させることにより目的化合物を得ることができる。
[0127] 上記の製造方法に従って製造されたェチニル基置換縮合へテロ環化合物重金属 錯体 (上記式 (1) )は、反応終了後、抽出、濃縮、口過などの通常の後処理を行い、 必要に応じて再結晶、各種クロマトグラフィー、昇華などの公知の手段で適宣精製す ることがでさる。
[0128] 第 3の発明の上記式 (4)で示されるェチニル基置換縮合へテロ環化合物は、上記 式(1)で示されるェチュル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体の製造原料として 使用される化合物である。
式 (4)において、 Z, n, A及び Bは前記と同義である。
[0129] 式 (4)で示されるェチニル基置換縮合へテロ環化合物としては、例えば、 5 フル オロー 8—キノリルェチン、 5—クロロー 8—キノリルェチン、 5—フルオロー 8—キナゾ リルェチン、 5—クロロー 8—キナゾリルェチン、 5—フルオロー 8—キノキサリルェチン 、 5—クロロー 8—キノキサリルェチンが挙げられる。
[0130] 第 4の発明である上記式 (2)で示されるェチュル基置換縮合へテロ環化合物の製 造法は、塩基性溶媒中、 0価パラジウム化合物触媒存在下に、上記式 (5)で示される トリフルォロメタンスルホ -ルォキシ基置換縮合へテロ環化合物と上記式 (6)で示さ れる 2 メチル 3 ブチン 2 オールとを反応させてジメチルヒドロキシメチル 縮合へテロ環 アセチレンィ匕合物(上記式(7) )とした後、これを塩基と反応させるこ とにより行われるものである。
[0131] 上記式(5)で示されるトリフルォロメタンスルホ-ルォキシ置換縮合へテロ環化合物 において、 Z、 n、 A及び Bは、前記したとおりである。
[0132] トリフルォロメタンスルホニルォキシ置換縮合へテロ環化合物(上記式(5) )は、例え ば、非特許文献 12の記載の合成法に従い、トリェチルァミン等の有機塩基の存在下 、塩化メチレン等の溶媒中にトリフルォロメタンスルホン酸無水物と目的のトリフルォロ メタンスルホニルォキシ置換縮合へテロ環化合物に対応するヒドロキシ基置換縮合 ヘテロ環化合物とを反応させることによって製造することができる。
[0133] 0価パラジウム化合物としては、例えば、 0価パラジウムホスフィン錯体 (パラジウムテ トラキストリフエ-ルホスフィン錯体、ビスジフエ-ルホスフィノエタンパラジウム錯体、 ビストリシクロへキシルホスフィンパラジウム錯体等)、 0価パラジウムォレフィン錯体(ト リスジベンジリデンアセトンジパラジウム錯体等)等が挙げられる。これら化合物の内、 0価パラジウムホスフィン錯体が好ましぐ更には、テトラキス(トリフエニルホスフィン) パラジウムが好ましい。
[0134] これらの 0価パラジウム化合物の使用量は、トリフルォロメタンスルホ -ルォキシ置 換縮合へテロ環化合物(上記式(5) ) 1モルに対して 0. 1〜: LOモル%が好ましぐ更 に好ましくは 0. 5〜5モル0 /0である。
[0135] 上記式(6)で示される 2—メチルー 3 ブチン 2 オールは、市販のものを使用 することができる。
[0136] 2—メチルー 3 ブチン 2 オールの使用量は、トリフルォロメタンスルホ-ルォキ シ置換縮合へテロ環化合物(上記式(5) ) 1モルに対して、 1. 0〜2. 0モルが好まし く、更に好ましくは、 1. 0〜1. 2モルである。
[0137] 本発明の製造法において、使用される塩基性溶媒としては、ピぺリジン、ピロリジン 、 N アルキルピぺリジン及び N アルキルピロリジンが挙げられ、これらから選択さ れる少なくとも 1種が使用される。
N アルキルピぺリジン及び N アルキルピロリジンにおけるアルキル基としては、 炭素数 1〜10のアルキル基が好ましぐ例えば、メチル基、ェチル基、プロピル基、 ブチル基、ペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、ォクチル基、ノニル基、デシル基 等が挙げられる。なお、これらの置換基は、その異性体を含む。
[0138] 塩基性溶媒の使用量は、トリフルォロメタンスルホニルォキシ基置換縮合へテロ環 化合物(上記式(5) ) 1モルに対して、 1〜20L (リットル)が好ましぐ更に好ましくは 1
. 5〜5Lである。
[0139] また、反応温度は 80〜100°Cが好ましぐ更に好ましくは 80〜90°Cである。
[0140] 反応時間は、前記の溶媒の使用量、及び反応温度等によって変化するが 1〜5時 間であることが好ましい。
[0141] この反応は、通常、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気、或はこれらガス気流 下で行われる。また、用いられる反応圧は通常、常圧である。
[0142] 上記反応によって得られるジメチルヒドロキシメチルー縮合へテロ環一アセチレンィ匕 合物(上記式(7) )は必要に応じて蒸留、再結晶、各種クロマトグラフィーなどの公知 の手段で適宣精製して次反応に用いることが出来るが、上記反応後、口過、濃縮等 の後処理を施したのみの粗精製物を、そのまま次反応に用いることも出来る。
[0143] ジメチルヒドロキシメチルー縮合へテロ環 アセチレンィ匕合物(上記式(7) )の塩基 との反応は、例えば、有機溶媒中、ジメチルヒドロキシメチル—縮合へテロ環—ァセ チレン化合物(上記式(7) )とアルカリ金属の水酸化物とを加熱することで行われる。
[0144] ここでアルカリ金属の水酸ィ匕物としては、水酸化ナトリウム、水酸ィ匕カリウム等が挙 げられる。
[0145] アルカリ金属の水酸ィ匕物の使用量はジメチルヒドロキシメチル 縮合へテロ環 ァ セチレンィ匕合物(上記式(7) ) 1モルに対して 1〜5モルが好ましぐ更に好ましくは 1 〜 2モルである。
[0146] 有機溶媒としては芳香族系の炭化水素が用いられ、トルエン、キシレンが好ま ヽ 有機溶媒の使用量は、ジメチルヒドロキシメチル -縮合へテロ環 アセチレンィ匕合 物(上記式(7) ) 1モルに対して、 1〜20L (リットル)が好ましぐ 2〜5Lが更に好まし い。
[0147] この反応で使用される温度は、 70〜120°Cが好ましぐ更に好ましくは 90〜110°C である。また、反応時間は、前記の温度によって変化するが 0. 1〜2時間である。
[0148] この反応は、通常、アルゴン、窒素などの不活性ガス雰囲気、或はこれらガス気流 下で行われる。また、反応圧は通常、常圧である。
[0149] 上記の製造法に従って製造されたェチニル基置換縮合へテロ環化合物(上記式(
4) )は、反応終了後、抽出、濃縮、ろ過等の通常の後処理を行い、必要に応じて蒸 留、再結晶、各種クロマトグラフィー等の公知の手段で適宣精製することができる。
[0150] 上記のェチニル基置換縮合へテロ環化合物(上記式 (4) )の具体的な態様としては 、例えば、 8—キノリルェチン、 7—キノリルェチン、 6—キノリルェチン、 5—キノリルェ チン、 4 キノリルェチン、 3 キノリルェチン、 2 キノリルェチン、 8 キナゾリルェ チン、 7—キナゾリルェチン、 6—キナゾリルェチン、 5—キナゾリルェチン、 8—キノキ サリルェチン、 7—キノキサリルェチン、 6—キノキサリルェチン、 5—キノキサリルェチ ン、 5—フルオロー 8—キノリルェチン、 5—クロロー 8—キノリルェチン、 5—フルォロ 8—キナゾリルェチン、 5—クロロー 8—キナゾリルェチン、 5—フルオロー 8—キノキ サリルェチン、 5 クロロー 8 キノキサリルェチン、 2 キノキサリルェチン等が挙げ られる。
[0151] 次に、第 5の発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子について、以下に、その実施 形態を示す。
第 5の発明は有機電界発光素子 (有機エレクト口ルミネッセンス素子)用青色、青白 色又は白色発光材料に有用な上記式(1)で示されるェチニル基置換縮合へテロ環 化合物重金属錯体及びそれを含有する有機エレクト口ルミネッセンス素子に関するも のである。
[0152] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、一対の電極間に単層もしくは多層 の有機化合物層を有する有機エレクト口ルミネッセンス素子であって、この有機化合 物層の少なくとも 1層が上記式(1)で示されるェチニル基置換縮合へテロ環化合物 重金属錯体の内、少なくとも 1種を含有する。ここで有機化合物層は、発光層、電子 注入層、もしくは正孔輸送層である。
[0153] 単層型の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、陽極と陰極との間に発光層を有する 。発光層は、発光材料を含有し、更に、陽極力 注入した正孔、もしくは陰極力 注 入した電子を発光材料まで輸送させるための正孔注入材料もしくは電子注入材料を 含有しても良い。
[0154] 多層型の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、例えば、(陽極 Z正孔注入層 Z発 光層 Z陰極)、(陽極 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極)、(陽極 Z正孔注入層 Z発光
層 z電子注入層 z陰極)等の多層構成で積層したものが挙げられる。
[0155] 発光層には、上記式(1)で示されるェチュル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯 体の他に、公知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料 (フタロシアニン誘導体 、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ォキサゾール、ォキサジァゾール、ト リアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、 テトラヒドロイミダゾール、ォキサゾール、ォキサジァゾール、ヒドラゾン、ァシルヒドラゾ ン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフエニルァミン、 スチリルァミン型トリフエ-ルァミン、ジァミン型トリフエ-ルァミン等及びそれらの誘導 体、およびポリビュルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等)、 電子注入材料(フルォレノン、アントラキノジメタン、ジフエノキノン、チォピランジオキ シド、ォキサゾール、ォキサジァゾール、トリァゾール、イミダゾール、ペリレンテトラ力 ルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等及びそれらの誘 導体等)を使用しても良い。
[0156] 上記式(1)で示されるェチニル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体の有機化 合物層への添カ卩量は、 0. 5〜: LOO重量%の濃度であることが好ましい。
[0157] この有機エレクト口ルミネッセンス素子は、発光材料、他のドーピング材料、正孔注 入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することもできる。更に、正孔注入層、 発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されても良い。その 際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入 層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、 電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電 子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。これらの各層は、 材料のエネルギー準位、耐熱性、有機化合物層もしくは金属電極との密着性等の各 要因により選択されて使用される。
[0158] 上記式(1)で示されるェチュル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体と共に有機 化合物層に使用できる発光材料又はホスト材料としては、縮合多環芳香族 (アントラ セン、ナフタレン、フエナントレン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、コロネン、タリセン、 フルォレセイン、ペリレン、ルブレン及びそれらの誘導体等)、芳香族ケィ素化合物(
テトラフエ-ルシラン等)、芳香族ゲルマニウム化合物 (テトラフエ-ルゲルマニウム等 フタ口ペリレン、ナフタ口ペリレン、ペリノン、フタ口ペリノン、ナフタ口ペリノン、ジフエ ニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、ォキサジァゾール、アルダジン 、ビスべンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジェン、キノリン金属錯 体、ァミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、ィミン、ジフエ-ルエチレン、ビ 二ルアントラセン、ジァミノカルバゾール、ピラン、チォピラン、ポリメチン、メロシアニン 、イミダゾールキレート化ォキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン、スチルベン系 誘導体及び蛍光色素等が挙げられる。
[0159] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子において使用できる公知の正孔注入材 料の中で、更に効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体もしくはフタロシ ァニン誘導体である。芳香族三級アミン誘導体の具体的な態様は、トリフ -ルァミン 、トリトリルァミン、トリルジフエニルァミン、 N, N,—ジフエ二ルー N, N, - (3—メチル フエ-ル)— 1, 1, ビフエ-ル— 4, 4,—ジァミン(以下、 TPDと記載)、 N, N, Ν' , Ν,一(4—メチルフエ-ル)一 1, 1,一フエ-ルー 4, 4 ジァミン、 Ν, Ν, Ν,, Ν (4 メチルフエニル) 1, 1 ビフエ-ル一 4, 4,一ジァミン、 Ν, Ν,一ジフエ-ル —Ν, Ν,ージナフチルー 1, 1,ービフエ二ルー 4, 4,ージァミン、 Ν, Ν (メチルフ ェ -ル) Ν, Ν, - (4— η—ブチルフエ-ル)一フエナントレン一 9, 10 ジァミン、 Ν , Ν—ビス(4—ジ一 4—トリルァミノフエ-ル) 4—フエ-ル一シクロへキサン等、もし くはこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマーもしくはポリマーである力 これ らに限定されるものではない。
[0160] フタロシアニン (pc)誘導体の具体的な態様は、 H Pc CuPc CoPc NiPc ZnP
2
c PdPc FePc MnPc ClAlPc ClGaPc ClInPc ClSnPc C12 SiPc (HO) AlPc (HO) GaPc VOPc TiOPc MoOPc GaPc— O— GaPc等のフタロシア ニン誘導体およびナフタロシアニン誘導体である力 これらに限定されるものではな い。
[0161] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子において、更に効果的な公知の電子注 入材料は、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体である。金属錯体化合物 の具体的な態様は、 8—ヒドロキシキノリナ一トリチウム、ビス(8—ヒドロキシキノリナ一
ト)亜鉛、ビス(8—ヒドロキシキノリナート)銅、ビス(8—ヒドロキシキノリナート)マンガ ン、トリス(8 ヒドロキシキノリナート)アルミニウム(以下、 Alqと記載。)、トリス(2—メ
3
チノレー 8—ヒドロキシキノリナート)ァノレミ-ゥム、トリス(8—ヒドロキシキノリナート)ガリ ゥム、ビス(10—ヒドロキシベンゾ [h]キノリナート)ベリリウム、ビス(10—ヒドロキシべ ンゾ [h]キノリナート)亜鉛、ビス(2—メチルー 8 キノリナート)クロ口ガリウム、ビス(2 ーメチルー 8 キノリナート)(o クレゾラート)ガリウム、ビス(2—メチルー 8 キノリナ ート)(1—ナフトラート)アルミニウム、ビス(2—メチル—8 キノリナート)(2 ナフトラ ート)ガリウム等が挙げられる力 これらに限定されるものではない。
[0162] また、含窒素五員誘導体は、ォキサゾール、チアゾール、ォキサジァゾール、チア ジァゾールもしくはトリァゾール誘導体が好ましい。具体的には、 2, 5 ビス(1—フエ -ル) 1, 3, 4—ォキサゾール、ジメチル POPOP (ここで POPOPは 1, 4 ビス(5 フエ-ルォキサゾールー 2 ィル)ベンゼンを表す。)、 2, 5 ビス(1 フエ-ル) —1, 3, 4 チアゾール、 2, 5 ビス(1—フエ-ル)一 1, 3, 4—ォキサジァゾール、 2— (4, tert ブチルフエ-ル)—5— (4"—ビフエ-ル)— 1, 3, 4—ォキサジァゾ ール、 2, 5 ビス(1 ナフチル)ー1, 3, 4 ォキサジァゾール、 1, 4 ビス [2— (5 フエ-ルォキサジァゾリル)]ベンゼン、 1, 4 ビス [2—(5 フエ-ルォキサジァゾ リル)—4—tert ブチルベンゼン]、 2—(4,—tert ブチルフエ-ル)ー5— (4" ビフエ-ル )ー1, 3, 4ーチアジアゾール、 2, 5 ビス(1 ナフチル)ー1, 3, 4ーチ アジアゾール、 1, 4 ビス [2— (5 フエ-ルチアジァゾリル)]ベンゼン、 2— (4, t ert ブチルフエ-ル)ー5—(4"ービフエ-ル)ー1, 3, 4 トリァゾール、 2, 5 ビス (1—ナフチル) 1, 3, 4 トリァゾール、 1, 4 ビス [2— (5 フエ-ルトリァゾリル) ]ベンゼン等が挙げられる力 これらに限定されるものではない。
[0163] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、電荷注入性向上のために発光層と 電極との間に無機化合物層を設けることもできる。
[0164] この無機化合物層としては、 LiF、 Li 0、 RaO、 SrO、 BaF、 SrF等の、アルカリ金
2 2 2
属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸ィ匕物等を挙げられる。
[0165] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子の陽極に使用される導電性材料として は、 4eVより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素原子、アルミニウム、バナ
ジゥム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム及びそれらの 合金、 ITO (酸化インジウムに酸化スズを 5〜 10%添加した物質)基板、 NESA基板 に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、更にポリチォフェンやポリピロ ール等の有機導電性榭脂を用いることができる。
[0166] 陰極に使用される導電性物質としては、 4eVより小さな仕事関数を持つものが適し ており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテ- ゥム、マンガン、アルミニウム等およびそれらの合金を用いられる。ここで合金とは、マ グネシゥム Z銀、マグネシウム Zインジウム、リチウム Zアルミニウム等が挙げられる。 合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、特に限定されな い。
[0167] 陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い
[0168] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、少なくとも一方の面は素子の発光波 長領域において透明であることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。
[0169] 透明電極は、前記の導電性材料を使用して、蒸着あるいはスパッタリング等の方法 で所定の透光性が確保するように設定して得られる。
[0170] 発光面の電極は、光透過率を 10%以上にすることが望ましい。
[0171] 基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば特に限定されるも のではな!/ヽが、ガラス基板あるいは透明性榭脂フィルムが挙げられる。
[0172] 透明性榭脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン 酢酸ビニル共重合体、ェチ レン ビュルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアタリ レート、ポリ塩化ビニル、ポリビュルアルコール、ポリビュルブチラール、ナイロン、ポリ エーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルォロェチ レン パーフルォロアルキルビュルエーテル共重合体、ポリビュルフルオライド、テト ラフルォロエチレン エチレン共重合体、テトラフルォロエチレン一へキサフルォロプ ロピレン共重合体、ポリクロ口トリフルォロエチレン、ポリビ-リデンフルオライド、ポリエ ステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリ プロピレン等が挙げられる。
[0173] 本発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、温度、湿度、雰囲気等に対する安 定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けるカゝ、或いは、シリコンオイル、榭 脂等により素子全体を保護することもできる。
[0174] また、有機エレクト口ルミネッセンス素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング 、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、あるいはスピンコーティング、ディ ッビング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかを適用することができる。膜 厚は特に限定されるものではないが、通常の膜厚は 5ηπ!〜 10 mの範囲であり、更 には 10nm〜0. 2 mの範囲が好ましい。
[0175] 湿式成膜法の場合、各層上にェチュル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体 ( 上記式(1) )を、エタノール、クロ口ホルム、テトラヒドロフラン、ジォキサン等の溶媒に 溶解又は分散させて薄膜を調製することができる。
[0176] 乾式成膜法としては、真空蒸着が好ましぐ真空蒸着装置を用い、真空度 2 X 10_3 Pa以下、基板温度を室温にして、蒸着セルに入れた本発明のェチニル基置換縮合 ヘテロ環化合物重金属錯体 (上記式(1) )を加熱し、該材料を蒸発させることにより薄 膜を調製することができる。このとき、蒸着源の温度をコントロールするために、蒸着 セルに接触させた熱電対や非接触の赤外線温度計等が好適に用いられる。また蒸 着量をコントロールするために蒸着膜厚計が好適に用いられる。
[0177] 蒸着膜厚計としては、蒸着源に対向して設置された水晶振動子を用い、前記水晶 振動子表面に付着した蒸着膜の重量を該振動子の発振周波数の変化力 計測し、 この計測重量力 膜厚をリアルタイムに求める形式のものが好適に用いられる。
[0178] CBP等のホスト材料とェチュル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体 (上記式(1 ) )の共蒸着は、それぞれに蒸着源を用い、且つ温度をそれぞれ独立に制御すること によって行うことができる。
[0179] ここで、いずれの有機薄膜層も、成膜性向上、膜のピンホール防止等のためポリス チレン、ポリカーボネート、ポリアタリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ スルフォン、ポリメチルメタタリレート、ポリメチルアタリレート、セルロース等の絶縁性 榭脂およびそれらの共重合体、ポリ N—ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導 電性榭脂、ポリチォフェン、ポリピロール等の導電性榭脂などの榭脂、あるいは酸ィ匕
防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等の添加剤を使用することができる。
[0180] 発明の有機エレクト口ルミネッセンス素子は、例えば壁掛けテレビや携帯電話のフラ ットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバ ックライト、又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。
実施例
[0181] 以下に実施例を挙げて、本発明を具体的に説明する。なお dmpeは 1, 2—ビス (ジ メチルホスフイノ)エタンを示す。
参考例 1 8—トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキノリンの合成
8—キノリノ一ノレ 7. 26g (50mmol)、塩ィ匕メチレン 50ml、トリエチノレアミン 9. lml (6 5mmol)を混合した黄色溶液を氷浴で 0°Cにした後、トリフルォロメタンスルホン酸無 水物 9. 3ml(55mmol)を滴下した。滴下後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を反応 温度を 0°Cに維持したまま 1時間攪拌した。反応終了後、反応溶液に水 200mlとジェ チルエーテル 250mlをカ卩えて分液し、得られた有機層を濃度 lmol/Lの塩酸(125 ml X 2回)、水( 125ml X 1回)の順で洗浄し、次 、で無水硫酸マグネシウムで乾燥し た。ろ過後、ろ液カもジェチルエーテルを減圧留去し、得られた残滓をへキサン 250 mlに 70°Cで溶解して、不溶物をろ過後、ろ液を冷却することにより茶白色結晶であ る目的化合物を 12. 6g得た。 (収率 91%)
[0182] 'H-NMR (300MHz, CDC1 ) δ : 9. 11— 9. 03 (m、 1Η)、 8. 30— 8. 19 (m、 1
3
Η)、 7. 89- 7. 81 (m、 1Η)
7. 65- 7. 50 (m、 3H)
EI -MS (m/e): 277 (M+)、 CI— MS (m/z): 278 (MH+)
[0183] 参考例 2 5—フルオロー 8—トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキノリンの合成
5—フルォロ一 8—キノリノール 3. 91g (24mmol)、塩化メチレン 24mlをカ卩えた。 氷水浴で内温 4°Cにした後、トリェチルァミン 4. 3ml (31mmol)を加えた。内温が 1 °Cまで降下してからトリフルォロメタンスルホン酸無水物 4. 4ml (26. 4mmol)を滴下 した。ほぼ黒色に変化した反応溶液を氷水浴中で 1時間攪拌した。反応終了後、反 応溶液を水に注ぎ、ジェチルエーテルで抽出した。抽出液を濃度 1モル ZL (リットル )の塩酸及び水で洗浄した後、エバポレーターで溶媒を減圧留去して褐色固体を得
た。この固体を温へキサン (70°C)に溶解させ、吸引ろ過を行い不溶物を除いた後、 ろ液を— 78°Cに冷却することで茶白色固体である目的化合物を 6. 21g得た。(収率 87%)
[0184] 'H-NMR OOO MHZ, CDCl ) δ : 7. 20— 7. 28 (m, 1Η) , 7. 55— 7. 63 (m, 2
3
H) , 8. 47 (dd, 1H) , 9. 11 (dd, 1H)
EI -MS (M/e): 295 (M+) , CI— MS (M/e): 296 (MH+)
[0185] 参考例 3 5 クロ口一 8 トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキノリンの合成
5 クロ口一 8 ヒドロキシキノリン 0. 90g (5mmol)、塩化メチレン 10mlをカ卩えた。 氷水浴で内温 4°Cにした後、トリェチルァミン 0. 9ml (6. 5mmol)をカ卩えた。内温が 3 °Cまで降下してからトリフルォロメタンスルホン酸無水物 0. 9ml (5. 3mmol)を滴下 した。ほぼ黒色に変化した反応溶液を氷水浴中で 1時間攪拌した。反応終了後、反 応溶液を水に注ぎ、ジェチルエーテルで抽出した。抽出液を濃度 1モル ZLの塩酸 及び水で洗浄しエバポレーターで溶媒を減圧留去して粗生成物である固体を得た。 この固体を温へキサン(70°C) 25mlに溶解させ、吸引ろ過にて不溶物を除いた後、 ろ液を— 78°Cに冷却することで白色綿状固体として目的化合物を 0. 88g得た。 次いで、ろ液をエバポレーターで減圧濃縮し、得られた残渣を温へキサン(70°C) 8 mlで完全に溶解させ、これを 78°Cに冷却することで白茶色綿状固体として目的化 合物を更に 0. 40g得た。(総収率 81. 6%)
[0186] 'H-NMR (300MHz, CDCl ) δ : 7. 57 (d, 1Η) , 7. 64— 7. 68 (m, 1H) , 8. 6
3
2 (dd, 1H) , 9. 11 (dd, 1H)
EI-MS (M/e) : 311 (M+) , CI-MS (M/e) : 312 (MH+)
[0187] 参考例 4 7 トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキノリンの合成
滴下ロートを備えた容量 200mlの 2つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、ジクロロ メタン 50ml、トリフルォロメタンスルホン酸無水物を 2. 6ml (15. 2mmol)をカ卩え、氷 水浴にて内温 2°Cまで冷却した。滴下ロートに 7 ヒドロキシキノリン 2g (13. 8mmol) 、トリェチルァミン 2. 5ml (17. 9mmol)及びジクロロメタン 20mlを加えて茶色の懸濁 液とした。この懸濁液を同温度にてゆっくりと前記トリフルォロメタンスルホン酸無水物 の溶液中に滴下し、滴下終了後、同温度で 2時間攪拌した。反応終了後、ほぼ黒色
に変化した反応溶液を水(200ml)に注ぎ、ジェチルエーテル(200ml X 1回、 50ml X 3回)で抽出し、この抽出液を濃度 1モル ZLの塩酸(125ml X 2回)、次いで水(2 00ml X 1回)で洗浄した。洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム(2g)をカ卩えて脱 水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残 渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェチル = 100/0 〜2Zl)によって精製することで黄色液体である目的化合物を 3. 5g得た。(収率 91 %)
[0188] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ : 7. 49— 7. 55 (m, 2Η) , 7. 95 (d, 1H) , 8. 0
3
6 (d, 1H) , 8. 27 (dd, 1H) , 9. 02 (dd, 1H)
EI -MS (M/e): 277 (M+)
[0189] 参考例 5 6—トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキノリンの合成
滴下ロートを備えた容量 200mlの 2つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、ジクロロ メタン 50ml、トリフルォロメタンスルホン酸無水物 6. 4ml (37. 9mmol)をカ卩え、氷水 浴にて内温 2°Cまで冷却した。滴下ロートに 6—ヒドロキシキノリン 5g (34. 4mmol)、 トリエチルァミン 6. 3ml (44. 8mmol)及びジクロロメタン 20mlをカ卩えて茶色の懸濁 液とした。この懸濁液を同温度にてゆっくりと前記トリフルォロメタンスルホン酸無水物 の溶液中に滴下し、滴下終了後、同温度で 2時間攪拌した。反応終了後、ほぼ黒色 に変化した反応溶液を水(200ml)に注ぎ、ジェチルエーテル(200ml X 1回、 50ml X 2回)で抽出し、抽出液を濃度 1モル ZLの塩酸(125mlX 2回)、次いで水(200 mi x 1回)で洗浄した。洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム(2g)をカ卩えて脱水 し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣を シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェチル = 100/0-2 Z1)によって精製することで褐色液体である目的化合物を 7. 8g得た。(収率 82%)
[0190] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ : 7. 54 (Μ, 1Η) , 7. 63 (dd, 1Η) , 7. 78 (d, 1
3
H) , 8. 24-8. 27 (m, 2H) , 9. 01 (dd, 1H)
EI -MS (M/e): 277 (M+)
[0191] 参考例 6 5—トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキノリンの合成
滴下ロートを備えた容量 200mlの 2つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、ジクロロ
メタン 50ml、トリフルォロメタンスルホン酸無水物 6. 4ml (37. 9mmol)をカ卩え、氷水 浴にて内温 2°Cまで冷却した。滴下ロートに 5—ヒドロキシキノリン 5g (34. 4mmol)、 トリエチルァミン 6. 3ml (44. 8mmol)及びジクロロメタン 20mlをカ卩えて茶色の懸濁 液とした。この懸濁液を同温度にてゆっくりと前記トリフルォロメタンスルホン酸無水物 の溶液中に滴下し、滴下終了後、同温度で 2時間攪拌した。反応終了後、ほぼ黒色 に変化した反応溶液を水(200ml)に注ぎ、ジェチルエーテル(200ml X 1回、 50ml X 3回)で抽出し、抽出液を濃度 1モル ZLの塩酸(125ml X 2回)、続いて水(200m I X 1回)で洗浄した。洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム(2g)を加えて脱水し、 ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリ 力ゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェチル = 100Z0〜2Zl )によって精製することで濃赤色液体である目的化合物を 9. 2g得た。(収率 96%) [0192] 'H -NMR (400MHz, CDC1 ) δ : 7. 54— 7. 59 (m, 2Η) , 7. 73— 7. 77 (Μ, 1
3
Η) , 8. 19 (dd, 1Η) , 8. 42 (dd, 1H) , 9. 02 (dd, 1H)
EI - MS (M/e): 277 (M+)
[0193] 参考例 7 4—トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキノリンの合成
滴下ロートを備えた容量 200mlの 2つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、 4—ヒド 口キシキノリン 5g (34. 4mmol)、ピリジン 50mlをカ卩え、氷水浴にて内温 2°Cまで冷却 した。滴下ロートにトリフルォロメタンスルホン酸無水物 7. Oml (41. 6mmol)をカロえ、 同温度にてゆっくりと前記 4—ヒドロキシキノリン溶液中に滴下した。滴下終了後、同 温度にて 2時間攪拌した。反応終了後、黄色に変化した反応溶液を水(200ml)に注 ぎ、ジェチルエーテル(200ml X 1回、 50ml X 2回)にて抽出し、抽出液を濃度 1モ ル ZLの塩酸(125ml X 2回)、次いで水(200ml X I回)で洗浄した。洗浄後、無水 硫酸マグネシウム(2g)をカ卩えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを 用いて溶媒留去して黄色液体を得た。この黄色液体をシリカゲルカラムクロマトグラフ ィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェチル = 100Z0〜: LZDによって精製することで、 薄黄色液体である目的化合物を 8. 6g得た。(収率 90%)
[0194] 'H -NMR (400MHz, CDC1 ) δ : 7. 42 (d, 1Η) , 7. 68— 7. 72 (m, 1H) , 7. 8
3
2 - 7. 86 (m, 1H) , 8. 08 (dd, 1H) , 8. 2 (dd, 1H) , 8. 97 (d, 1H)
EI -MS (M/e): 277 (M+)
[0195] 参考例 8 3—トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキノリンの合成
滴下ロートを備えた容量 200mlの 2つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、ジクロロ メタン 50ml、トリフルォロメタンスルホン酸無水物 6. 4ml (37. 9mmol)をカ卩え、氷水 浴にて内温 2°Cまで冷却した。滴下ロートに 3—ヒドロキシキノリン 5g (34. 4mmol)、 トリエチルァミン 6. 3ml (44. 8mmol)及びジクロロメタン 20mlをカ卩えて茶色の懸濁 液とした。この懸濁液を同温度でゆっくりと前記トリフルォロメタンスルホン酸無水物の 溶液に滴下し、滴下終了後、同温度で 2時間攪拌した。反応終了後、ほぼ黒色に変 化した反応溶液を水 (200ml)に注ぎ、ジェチルエーテル(200ml X 1回、 50ml X 3 回)で抽出し、抽出液を濃度 1モル ZLの塩酸(125mlX 2回)、次いで水(200ml X 1回)で洗浄した。洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシウム(2g)を加えて脱水し、ろ 過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリ 力ゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェチル = 100Z0〜2Zl )によって精製することで濃赤色液体である目的化合物を 8. 5g得た。(収率 89%)
[0196] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ : 7. 54— 7. 61 (Μ, 1Η) , 7. 70— 7. 82 (m, 2
3
Η) , 8. 10 (dd, 1Η) , 8. 30 (Μ, 1Η) , 8. 95 (d, 1H)
EI -MS (M/e): 277 (M+)
[0197] 参考例 9 2—トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキノリンの合成
滴下ロートを備えた容量 200mlの 2つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、 2—ヒド 口キシキノリン 5g (34. 4mmol)、ジクロロメタン 50mlをカ卩えた。氷水浴にて内温 2°C まで冷却した後、トリェチルァミン 6. 3ml (44. 8mmol)を加えた。同温度で滴下ロー トに加えたトリフルォロメタンスルホン酸無水物 6. 4ml(37. 9mmol)をゆっくりと前記 2—ヒドロキシキノリンの溶液中に滴下した。滴下終了後、同温度で 2時間攪拌した。 反応終了後、ほぼ黒色に変化した反応溶液を水(200ml)に注ぎ、ジェチルエーテ ル(200ml X l回、 50ml X 2回)で抽出し、抽出液を濃度 1モル ZLの塩酸(125ml X 2回)、次 ヽで水(200ml X 1回)で洗浄した。洗浄後、抽出液を無水硫酸マグネシ ゥム(2g)を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留 去して褐色液体を得た。この褐色液体を蒸留精製(26. 6Pa (0. 2torr)、 85°C)する
ことによって薄黄色液体である目的化合物を 7. 7g得た。(収率 81%)
[0198] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ : 7. 24 (d, 1Η) , 7. 61— 7. 66 (m, 1H) , 7. 7
3
8- 7. 82 (m, 1H) , 7. 89 (dd, 1H) , 8. 04 (dd, 1H) , 8. 33 (d, 1H)
EI -MS (M/e): 277 (M+)
[0199] 参考例 10 2—トリフルォロメタンスルホ-ルキノキサリンの合成
2—ヒドロキシキノキサリン 7. 31g (50mmol)、塩化メチレン 50ml、トリェチルァミン 9. lml(65mmol)を混合した薄茶懸濁液を氷浴で 0°Cにした後、トリフルォロメタン スルホン酸無水物 9. 3ml(55mmol)を滴下した。滴下後、茶褐色に変化した反応 溶液を反応温度を 0°Cに維持したまま 1時間攪拌した。反応終了後、反応溶液に水 2 OOmlとジェチルエーテル 300mlをカ卩えて分液し、得られた有機層を濃度 lmol/L の塩酸 25ml、水(50ml X 3回)の順で洗浄し PH6とし、次!、で硫酸マグネシウムで 乾燥した。ろ過後、ろ液カもジェチルエーテルを減圧留去し、得られた残滓をへキサ ン 50mlに 70°Cで溶解して、不溶物をろ過後、ろ液を冷却することにより茶白色結晶 である目的化合物を得た。 (11. 7g、収率 84%)
— NMR (300MHz、 CDC1 ) δ : 8. 84— 8. 76 (m、 1H)、 8. 25— 8. 19 (m、 1
3
H)、 8. 11 -8. 05 (m、 1H)、 7. 93— 7. 85 (m、 2H)
EI -MS (m/e): 278 (M+)、 CI— MS (m/z): 279 (MH+)
[0200] 実施例 1 8—キノリルェチンの合成
(第 1工程)
25mlシュレンク管内をアルゴンガスにて置換し、 8—トリフルォロメタンスルホ -ルォ キシキノリン 12g (45mmol)、テトラキス(トリフエ-ルホスフィン)パラジウム 500mg ( 0. 44mmol)、ピペリジン 50ml, 2—メチル—3—ブチン— 2—オール 4. 75ml (49 mmol)を加え、 80°Cで 45分間攪拌した。
反応混合物に飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液を加えた後、ジェチルエーテルで抽出 、無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、ろ過後、ろ液をエバポレーターを用いて溶媒留 去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:へキサン Z酢 酸ェチル = 100ZO〜: LZDによって精製することで黄色油状物である目的化合物( ジメチルヒドロキシメチルー 8—キノリルアセチレン)を 8. 5g得た。(収率 90%)
[0201] 'H-NMR (300MHz, CDC1 ) δ :1.73 (s, 6H), 4.64(s、 1H), 7.34— 7.43
3
(m, 1H), 7.44-7.49 (m, 1H), 7.76 (dd, 1H), 7.85 (dd, 1H), 8.11— 8 . 15 (dd, 1H), 9.12-9.14 (dd, 1H)
EI-MS(M/e) :211(M+), CI-MS (M/e) : 212 (MH+)
[0202] (第 2工程)
還流管を備えた 300mlの 2口フラスコに第 1工程で得られたジメチルヒドロキシメチ ルー 8—キノリルアセチレン 8.5g(40mmol)、水酸化ナトリウム 1.8g(45mmol)を 加え、内部をアルゴンガスにて置換した。これにトルエン 200mlをカ卩え、 120°Cで 0. 5時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジェチルエーテルを 加え、飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液にて洗浄して、無水硫酸マグネシウムにて乾燥し た。ろ過後、ろ液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣にへキサン (250ml)を加えて 70°Cに加熱し、不溶物をろ過した後、ろ液を— 78°Cに冷却して 生じた沈殿物をろ取し、冷へキサン(-78°C, 100ml)で洗浄したのち、減圧乾燥す ることで黄白色固体である目的化合物(8—キノリルェチン)を 4.9g得た。(収率 80 %)
[0203] 'H-NMR (300MHz, CDC1 ) δ :3.60 (s, 1Η), 7.32— 7.53 (m, 2H), 7.8
3
3(dd, 1H), 7.93 (dd, 1H), 8.17(dd, 1H), 9.06— 9.08 (m, 1H)
EI-MS (M/e): 153 (M+) , CI - MS (M/e): 154 (MH+)
[0204] 実施例 2 8—キノリルェチンの合成
lOOmLの 3つ口フラスコ内をアルゴンガスにて置換し、 8—トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキノリン 5.54g (20mmol)、テトラキス(トリフエ-ルホスフィン)パラジウム 239mg(0.2mmol)、ピペリジン 35ml、 2—メチル—3—ブチン— 2—オール 2.9 ml(30mmol)を加え、 80°Cで 1時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩 化アンモ-ゥム水溶液をカ卩えて、ジェチルエーテルにて抽出し、無水硫酸マグネシゥ ムにて乾燥した。ろ過後、ろ液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残 渣と、水酸ィ匕ナトリウム 829mg(20.3mmol)を還流管を備えた 300mlの 2ロフラス コに入れ、内部をアルゴンガスにて置換した。これにトルエン 145mlを加え, 120°C で 0.5時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジェチルエーテ
ルを加えて、飽和塩化アンモ-ゥム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥 した。ろ過後、ろ液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣にへキサ ン(250ml)をカ卩えて 70°Cに加熱し、不溶物をろ過した後、ろ液を— 78°Cに冷却して 生じた沈殿物をろ取し、冷へキサン(一 78°C, 100ml)で洗浄した後、減圧乾燥する ことで黄白色固体である目的化合物を 2. 46g得た。(収率 80%)
[0205] 実施例 3 5 フルオロー 8 キノリルェチンの合成
(第 1工程)
25mlのシュレンク管内をアルゴンガスにて置換し、 5 -フルォロ 8 トリフルォロメ タンスルホ -ルォキシキノリン 592mg (2mmol)、テトラキス(トリフエ-ルホスフィン)パ ラジウム 46. 2mg (0. 04mmol)、ピペリジン 6ml、 2—メチル 3 ブチン一 2—ォ 一ノレ 290 l(3mmol)を加え、 80°Cで 1時間半攪拌した。
反応終了後、反応混合物に飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液 (60ml)を加えて、塩化メ チレン (40ml)で抽出し、抽出液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた 残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェチル = 100 Z0〜: LZ1)によって精製することにより黄色油状物である目的化合物 (ジメチルヒド ロキシメチルー(5 フルオロー 8 キノリル)アセチレン)を 0. 27g得た。(収率 59%) [0206] 'H-NMR (300MHz, CDC1 ) δ : 1. 71 (s, 6Η) , 3. 85 ( [s, 1H] , 7. 14— 7. 1
3
8 (m, 1H) , 7. 44- 7. 49 (m, 1H) , 7. 78— 7. 83 (m, 1H) , 8. 42 (dd, 1H) , 9 . 10- 9. 12 (m, 1H)
EI -MS (M/e): 229 (M+) , CI— MS (M/z): 230 (MH+)
[0207] (第 2工程)
還流管を備えた 50mLの 2口フラスコ内をアルゴンガスにて置換し、第 1工程で得ら れたジメチルヒドロキシメチルー(5 フルオロー 8 キノリル)アセチレン 0. 27g (l. 1
7mmol)、水酸ィ匕ナトリウム 56mg (l. 37mmol)を加えた。ここにトルエン 9mlを加え
、 120°Cで 0. 5時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジェチ ルエーテル(20ml)を加え、飽和塩化アンモ-ゥム水溶液(40ml)で洗浄して、エバ ポレーターで溶媒を減圧留去することで黄色固体である目的化合物(5 フルオロー
8 キノリルェチン)を 0. 19g得た。(収率 95%)
[0208] 'H-NMROOO MHZ, CDCl ) δ :3.55 (s, 1H), 7.17— 7.23 (m, 1H), 7.5
3
1-7.55 (m, 1H), 7.90— 7.95 (m, 1H), 8.44— 8.49 (m, 1H), 9.10— 9 . 12(m, 1H)
EI-MS (M/e): 171 (M+) , CI-MS (M/e) : 172 (MH+)
[0209] 実施例 4 5 クロロー 8 キノリルェチンの合成
(第 1工程)
25mlのシュレンク管内をアルゴンガスにて置換し、 5 クロ口一 8 トリフルォロメタ ンスルホ -ルォキシキノリン 621mg (2mmol)、テトラキス(トリフエ-ルホスフィン)パラ ジゥム 46.7mg(0.04mmol)、ピペリジン 6ml、 2—メチル 3 ブチン一 2—ォー ル 290 l(3mmol)を加え、 80°Cで 4時間半攪拌した。反応終了後、反応混合物に 飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液(60ml)をカ卩えた後、塩化メチレン (40ml)にて抽出し 、抽出液をエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラム クロマトグラフィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェチル = 100ZO〜: LZ1)によって精 製することで、褐色油状物である目的化合物(ジメチルヒドロキシメチルー(5—クロ口 —8—キノリル)アセチレン)を 0.31g得た。 (収率 63%)
[0210] 'H-NMR (300MHz, CDCl ) δ :1.72 (s, 6Η), 3.37(s, 1H), 7.49— 7.59
3
(m, 1H), 7.78 (d, 1H), 8.57— 8.60 (m, 1H), 9.06— 9.08 (m, 1H)
EI-MS (M/e): 245 (M+) , CI-MS (M/e): 246 (MH+)
[0211] (第 2工程)
還流管を備えた 50mlの 2口フラスコ内をアルゴンガスにて置換し、第 1工程で得ら れたジメチルヒドロキシメチル一(5 クロ口一 8 キノリル)アセチレン 0.30g(0.957 mmol)、水酸ィ匕ナトリウム 61.9mg(l.51mmol)を加えた。
これにトルエン 9mlをカ卩え、 120°Cで 0.5時間還流した。反応終了後、室温まで放 冷し、反応混合液にジェチルエーテル(20ml)をカ卩えて、飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水 溶液 (40ml)にて洗浄し、エバポレーターを用いて溶媒を減圧留去することで淡黄白 色固体である目的化合物(5 クロ口 8 キノリルェチン)を 0.21g得た。
[0212] 'H-NMR (300MHz, CDCl ) δ :3.63 (s, 1Η), 7.56— 7.62 (m, 2H), 7.8
3
9(d, 1H), 8.62 (dd, 1H), 9.11 (dd, 1H)
EI -MS (M/e): 187 (M+) , CI— MS (M/e): 188 (MH+)
[0213] 実施例 5 7—キノリルェチンの合成
(第 1工程)
50mlのフラスコ内を窒素ガスにて置換し、 7—トリフルォロメタンスルホ-ルォキシ キノリン 2. 0g (7. 3mmol)、テトラキス(トリフエ-ルホスフィン)パラジウム 84mg (0. 0 73mmol)、ピペリジン 20ml、 2—メチル—3—ブチン— 2—オール 1. lml (l l. Om mol)を加え、 80°Cで 1時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化アンモ -ゥム水溶液(100ml)を加え、ジェチルエーテル(100mlxl、 50mlx3)で抽出した 。抽出液に無水硫酸マグネシウム(2g)を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーェ バポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ ィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェチル = 100Z0〜2Zl)によって精製することで オレンジ色の油状物として目的化合物(ジメチルヒドロキシメチルー(7—キノリル)ァ セチレン)を 1. 3g得た。(収率 83%)
[0214] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ : 1. 69 (s, 6Η) , 3. 54 (s, IH) , 7. 40— 7. 37
3
(m, IH) , 7. 51 (dd, IH) , 7. 72 (d, IH) , 8. 11 (dd, IH) , 8. 26 (d, IH) , 8. 91 (dd, IH)
EI-MS (M/e) : 211 (M+)
[0215] (第 2工程)
還流管を備えた 200mlの 2つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、第 1工程で得ら れたジメチルヒドロキシメチルー(7—キノリル)アセチレン 1. 3g (6. Ommol)、水酸ィ匕 ナトリウム 267mg (6. 7mmol)を加えた。これにトルエン 50mlを加え、 120。Cで 0. 5 時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジェチルエーテル(10 Oml)をカ卩え、飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液(100ml X 1回)にて洗浄した後、無水硫 酸マグネシウム(2g)をカ卩えて脱水して、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを 用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒: へキサン Z酢酸ェチル = 100Z0〜2Zl)によって精製することで赤茶色固体であ る目的化合物(7—キノリルェチン)を 0. 8g得た。(収率 85%)
[0216] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ : 3. 25 (s, IH) , 7. 42— 7. 39 (m, IH) , 7. 5
9(dd, 1H), 7.76 (d, 1H), 8.14— 8. ll(m, 1H), 8.26 (s, 1H), 8.94 (dd, 1H)
EI -MS (M/e): 153 (M+)
[0217] 実施例 6 6 キノリルェチンの合成
(第 1工程)
100mlのフラスコ内を窒素ガスにて置換し、 6 トリフルォロメタンスルホ-ルォキシ キノリン 2.44g(8.8mmol)、テトラキス(トリフエ-ルホスフィン)パラジウム 102mg(0 .088mmol)、ピペリジン 35ml、 2—メチル 3 ブチン一 2—オール 1.3ml(13.2 mmol)を加え、 80°Cで 1時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化アン モ-ゥム水溶液(100ml)をカ卩えた後、ジェチルエーテル(150ml XI回、 50mlX3 回)で抽出し、抽出液に無水硫酸マグネシウム (2g)を加えて脱水し、ろ過後、ろ液を ロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムク 口マトグラフィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェチル = 100ZO〜: LZ1)によって精製 することで黄色オイルである目的化合物(ジメチルヒドロキシメチルー(6—キノリル)ァ セチレン)を 1.5g得た。(収率 81%)
[0218] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :1.67(s, 1Η), 2.47 (s, 1H), 7.39— 7.42
3
(m, 1H), 7.68 (dd, 1H), 7.90 (d, 1H), 8.04 (d, 1H), 8.09 (dd, 1H), 8. 91 (dd, 1H)
EI-MS(M/e) :211(M+)
[0219] (第 2工程)
還流管を備えた 100mlの 2つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、第 1工程で得ら れたジメチルヒドロキシメチルー(6 キノリル)アセチレン 1.5g(7. lmmol)、水酸化 ナトリウム 352mg(8.8mmol)を加えた。これにトルエン 50mlを加え、 120。Cで 0.5 時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジェチルエーテル(10 Oml)を加え、飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液(100ml)で洗浄した。洗浄後、無水硫酸 マグネシウム(2g)をカ卩えて脱水し、ろ過後、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒 留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:へキサン Z 酢酸ェチル = 100Z0〜: LZ1)によって精製することで薄黄色固体である目的化合
物(6—キノリルェチン)を 0.9g得た。(収率 83%)
[0220] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :3. 19 (s, 1Η), 7.44— 7.41 (m, 1H), 7.7
3
6(dd, 2H), 7.99 (d, 1H), 8.05 (d, 1H), 8. 11 (dd, 1H), 8.92 (dd, 1H) EI -MS (M/e): 153 (M+)
[0221] 実施例 7 5—キノリルェチンの合成
(第 1工程)
100mlフラスコ内を窒素ガスにて置換し、 5—トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキ ノリン 3.2g(ll.5mmol)、テトラキス(トリフエ-ルホスフィン)パラジウム 133mg(0. 115mmol)、ピペリジン 35ml、 2—メチル— 3—ブチン— 2—オール 1.7ml (17.3 mmol)を加え、 80°Cで 1時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化アン モ-ゥム水溶液(100ml)をカ卩えて、ジェチルエーテル(100ml XI回、 50mlX3回) にて抽出し、抽出液に無水硫酸マグネシウムを (2g)加えて脱水し、ろ過後、ろ液を口 一タリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロ マトグラフィー(へキサン Z酢酸ェチル = 100ZO〜: LZ1)によって精製することで黄 色オイルである目的化合物(ジメチルヒドロキシメチルー(5—キノリル)アセチレン)を 1.7g得た。(収率 70%)
[0222] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :1.74 (s, 6Η), 3.06 (s, 1H), 7.41— 7.45
3
(m, 1H), 7.59-7.67 (m, 2H), 8.10 (dd, 1H), 8.54 (dd, 1H), 8.92— 8 .94 (m, 1H)
EI-MS(M/e) :211(M+)
[0223] (第 2工程)
還流管を備えた 100mlの 2つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、第 1工程で得ら れたジメチルヒドロキシメチルー(5—キノリル)アセチレン 1.7g(8. lmmol)、水酸化 ナトリウム 460mg (11.5mmol)を加えた。これにトルエン 50mlを加え、 120。。で0. 5時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジェチルエーテル(1 00ml)をカ卩え、飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液(100ml)で洗浄した。洗浄後、無水硫 酸マグネシウム(2g)をカ卩えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用 いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:へ
キサン Z酢酸ェチル = 100Z0〜: LZl)によって精製することで薄黄色固体である 目的化合物(5 キノリルェチン)を 1. Og得た。(収率 81%)
[0224] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :3.49 (s, 1Η), 7.51— 7.48 (m, 1H), 7.6
3
8-7.64 (m, 1H), 7.79 (dd, 1H), 8. 13 (d, 1H), 8.67— 8.64 (m, 1H), 8 .96 (dd, 1H)
EI -MS (M/e): 153 (M+)
[0225] 実施例 8 4 キノリルェチンの合成
(第 1工程)
100mlフラスコ内を窒素ガスにて置換し、 4 トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキ ノリン 1.9g(7. Ommol)、テトラキス(トリフエ-ルホスフィン)パラジウム 81mg(0.07
Ommol)、 N—メチルピペリジン 20ml、 2—メチルー 3 ブチンー2 オール 1. Oml (
10.5mmol)を加え、 90°Cで 1時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化 アンモ-ゥム水溶液(100ml)をカ卩えて、ジェチルエーテル(100ml XI回、 50mlX
2回)で抽出し、抽出液に無水硫酸マグネシウム(2g)を加えて脱水し、ろ過後、ろ液 をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラム クロマトグラフィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェチル = 100Z0〜: LZl)によって精 製することで黄色オイルである目的化合物(ジメチルヒドロキシメチルー(4 キノリル) アセチレン)を 1.4g得た。(収率 97%)
[0226] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :1.74 (s, 6Η), 2.69 (s, 1H), 7.44 (d, 1H
3
), 7.61-7.57 (m, 1H), 7.75— 7.71 (m, 1H), 8.12(d, 1H), 8.20 (dd, 1H), 8.86 (d, 1H)
EI-MS(M/z) :211(M+)
[0227] (第 2工程)
還流管を備えた 200mlの 2つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、第 1工程で得ら れたジメチルヒドロキシメチルー(4 キノリル)アセチレン 1.4g(6.8mmol)、水酸ィ匕 ナトリウム 303mg(7.6mmol)を加えた。これにトルエン 50mlを加え、 120。。で0.5 時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジェチルエーテル(10 0ml)をカ卩えて、飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液(100ml)で洗浄した。洗浄後、無水硫
酸マグネシウム(2g)をカ卩えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用 いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:へ キサン Z酢酸ェチル =100Z0〜2Zl)によって精製することで白色固体である目 的化合物 (4—キノリルェチン)を 0.8g得た。(収率 77%)
[0228] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :3.67(s, 1Η), 7.55 (d, 1H), 7.65— 7.61
3
(m, 1H), 7.78-7.74 (m, 1H), 8.13 (d, 1H), 8.29 (dd, 1H), 8.89 (d, 1 H)
EI -MS (M/e): 153 (M+)
[0229] 実施例 9 3—キノリルェチンの合成
(第 1工程)
100mlフラスコ内を窒素ガスにて置換し、 3—トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキ ノリン 4.0g(14.4mmol)、テトラキス(トリフエ-ルホスフィン)パラジウム 166mg(0. 144mmol)、ピペリジン 20ml、 2—メチル—3—ブチン— 2—オール 2. lml(21.6 mmol)を加え、 80°Cで 3時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化アン モ-ゥム水溶液(100ml)をカ卩えて、ジェチルエーテル(100ml XI回、 50mlX2回) で抽出し、抽出液に無水硫酸マグネシウム(2g)を加えて脱水し、ろ過後、ろ液をロー タリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマ トグラフィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェチル = 100ZO〜: LZDによって精製する ことで黄色固体である目的化合物(ジメチルヒドロキシメチルー(3—キノリル)ァセチ レン)を 2.3g得た。(収率 76%)
[0230] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :1.68 (s, 6Η), 3.74 (s, 1H), 7.54— 7.58
3
(m, 1H), 7.69-7.73 (m, 1H), 7.77 (dd, 1H), 8.10 (dd, 1H), 8.21 (dd , 1H), 9.00 (d, 1H)
EI-MS(M/e) :211(M+)
[0231] (第 2工程)
還流管を備えた 100mlの 2つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、第 1工程で得ら れたジメチルヒドロキシメチルー(3—キノリル)アセチレン 2.3g(10.9mmol)、水酸 ィ匕ナトリウム 576mg(14.4mmol)をカロえた。これにトノレェン 5 Omlをカロえ、 120。Cで 0
. 5時間還流した。反応終了後、室温まで放冷し、反応混合液にジェチルエーテル( 100ml)をカ卩え、飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液(100ml)で洗浄した。洗浄後、無水 硫酸マグネシウム(2g)をカ卩えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを 用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒: へキサン Z酢酸ェチル = 100Z0〜: LZ1)によって精製することで薄茶色固体であ る目的化合物(3—キノリルェチン)を 1. lg得た。(収率 66%)
[0232] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ : 3. 28 (s, 1Η) , 7. 59— 7. 55 (m, 1H) , 7. 7
3
9- 7. 72 (m, 2H) , 8. 10 (dd, 1H) , 8. 29 (d, 1H) , 8. 95 (d, 1H)
EI -MS (M/e): 153 (M+)
[0233] 実施例 10 2—キノリルェチンの合成
(第 1工程)
100mlフラスコ内を窒素ガスにて置換し、 2—トリフルォロメタンスルホ -ルォキシキ ノリン 2. lg (7. 6mmol)、テトラキス(トリフエ-ルホスフィン)パラジウム 88mg (0. 07
6mmol)、 N—メチルピペリジン 10ml、 2—メチルー 3—ブチンー2—オール 1. lml (
11. 4mmol)を加え、 80°Cで 1時間攪拌した。反応終了後、反応混合物に飽和塩化 アンモ-ゥム水溶液(100ml)をカ卩えて、ジェチルエーテル(100ml X I回、 50mlX
2回)で抽出し、抽出液に無水硫酸マグネシウム(2g)を加えて脱水し、ろ過後、ろ液 をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去した。得られた残渣をシリカゲルカラム クロマトグラフィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェチル = 100Z0〜: LZ1)によって精 製することで黄色オイルである目的化合物(ジメチルヒドロキシメチルー(2—キノリル) アセチレン)を 1. 2g得た。(収率 75%)
[0234] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ : 1. 69 (s, 6Η) , 2. 40 (s, 1H) , 7. 49 (d, 1H
3
) , 7. 52- 7. 56 (m, 1H) , 7. 70— 7. 74 (m, 1H) , 7. 79 (dd, 1H) , 8. 09— 8. 12 (m, 2H)
EI-MS (M/e) : 211 (M+)
[0235] (第 2工程)
還流管を備えた 100mlの 2つ口フラスコ内を窒素ガスにて置換し、第 1工程で得ら れたジメチルヒドロキシメチルー(2—キノリル)アセチレン 1. 2g (5. 7mmol)、水酸化
ナトリウム 300mg(7.5mmol)を加えた。これにトルエン 50mlを加え、 120。。で0.5 時間還流した。室温まで放冷し、反応混合液にジェチルエーテル(100ml)をカロえ、 飽和塩ィ匕アンモ-ゥム水溶液(100ml)で洗浄した。洗浄後、無水硫酸マグネシウム (2g)をカ卩えて脱水し、ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターを用いて溶媒留去し た。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:へキサン Z酢酸ェ チル = 100Z0〜: LZ1)によって精製することで茶色固体である目的化合物(2—キ ノリルェチン)を 0.7g得た。(収率 80%)
[0236] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :3.25 (s, 1Η),
3
7.58-7.53 (m, 2H), 7.76— 7.71 (m, 1H),
7.81-7.79 (dd, 1H), 8.12(t, 2H)
EI -MS (M/e): 153 (M+)
[0237] 実施例 11 2—キノキサリルェチンの合成
(第 1工程)
50ml三口フラスコを Ar置換し、 2—トリフルォロメタンスルホ-ルキノキサリン 4.2g( 15mmol)、テトラキス(トリフエ-ルホスフィン)パラジウム 173mg(0.15mmol)、 1— メチルピペリジン 15ml、 2-メチル -3-ブチン- 2-オール 1.6ml(16.5mmol)をカロえ 、 80°Cで 1時間攪拌した。
反応混合物に飽和塩ィ匕アンモニゥム水溶液 150mlをカ卩えた後、ジェチルエーテル 250で抽出、水 100mlで洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥ろ過後、エバポレーター で溶媒を減圧留去した。反応粗生成物をシリカゲルをもち 、たカラムクロマトグラフィ ― (Hexane/AcOEt= 10/1→5/1)によって精製することで、ジメチルヒドロキシ メチルー 2—キノキサリルアセチレンを黄色固体として得た。収量 0.55g (収率 17.3 %)
'H-NMR (300MHz, CDC1 ) δ :1.71 (s, 6Η), 2.81 (s, 1H), 7.74— 7.82
3
(m, 2H), 8.05-8.12 (m, 2H), 8.89(s, 1H)
EI - MS(mZz) :212(M+ - 1), Cl(m/z) :213(MH+)
(第 2工程)
還流管を備えた 50ml2口フラスコにジメチルヒドロキシメチル— 2—キノキサリルァ
セチレン 550mg(2.6mmol)、 NaOH (キシダイ匕学、 0.7mm粒状、 98%)109mg( 2.7mmol)を入れ、内部を Ar置換した。ここにトルエン 13mLをカ卩え、 120°Cで 15分 還流した。反応混合液にジェチルエーテルをカ卩え、飽和塩化アンモ-ゥム水溶液で 洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥、エバポレーターで溶媒を減圧留去した。残滓にへ キサン(15ml)をカ卩えて 70°Cに加熱し、不溶物を濾過した 0°Cに冷却することで、沈 殿する目的化合物を濾過、冷へキサン(一 78°C、 15ml)で洗浄したのち、減圧乾燥 することで黄褐色固体として得た。(308mg、収率 77%)
'H-NMR (300MHz, CDC1 ) δ :3.45 (s, 1Η), 7.74— 7.84 (m, 2H), 8.0
3
6-8.14 (m, 2H), 8.92(s, 1H)
EI— MS(mZz) :154(M+— 1), Cl(m/z) : 155(MH+)
[0238] 実施例 12 (8 キノリルェチュル)(トリフエ-ルホスフィン)金 [Au(PPh ) (8QE)]
3 の合成
アルゴン雰囲気下、 25mlシュレンク管に Au(PPh )C1(0.20g, 0.40mmol)、 8
3
キノリルェチン (92mg, 0.60mmol)、エタノール(8ml)をカ卩えた後、ナトリウムエト キシド(165/zl, 0.42mmol:濃度 2.55molZL (リットル)のエタノール溶液)を滴 下し、室温で 17時間攪拌した。反応後得られた白色沈殿をろ過し、エタノール(5ml X3回),水(5ml X 4回)、及びエタノール(5ml X 3)で順次洗浄し、真空乾燥するこ とにより薄黄色粉末として目的化合物を 0.23g得た。(収率 96%)
本錯体をクロ口ホルムに溶解し、励起光 330nmで励起したときの発光強度を測定 し、励起光 330nmで励起したときの蛍光量子収率 Φが既知(Φ=0.55)である濃度 0.05モル ZL (リットル)の硫酸水溶液中の硫酸キニーネとの比較から、本錯体の発 光の相対量子収率 Φを測定したところ Φ =0.21であった。
[0239] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :9.07 (dd, 1Η), 8.12 (dd, 1H), 7.99 (dd
3
, 1H), 7.68 (dd, 1H), 7.62〜7.36 (m, 17H)
[0240] 31P-NMR (160MHz, CDC1 ) :42.8
3
(FAB -MS) (M/z) :612(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm): 380,
3
526, 567
(EA)観測値 C:57.06, H:3.45, N:2.33,
理論値 C:56.97, H:3.46, N:2.29
[0241] 実施例 13 (7—キノリルェチュル)(トリフエ-ルホスフィン)金 [Au(PPh ) (7QE)]
3 の合成
8 -キノリルェチンに替えて 7 -キノリルェチンを用 、る他は実施例 12と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.18g得た。(収率 74%)
[0242] 'H-NMR (400MHz, CDCl ) δ :8.89 (dd, IH), 8.25 (s, IH), 8.10— 8.0
3
5(m, IH), 7.71-7.44 (m, 17H), 7.31 (dd, IH)
31P— NMR (160MHz, CDCl ) :42.9
3
(FAB -MS) (M/z) :612(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :488,
3
526
(EA)観測値 C:57.07, H:3.48, N:2.41
理論値 C:56.97, H:3.46, N:2.29
[0243] 実施例 14 (6—キノリルェチュル)(トリフエ-ルホスフィン)金 [Au(PPh ) (6QE)]
3 の合成
8 -キノリルェチンに替えて 6 -キノリルェチンを用いる他は実施例 12と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.22g得た。(収率 92%)
[0244] 'H-NMR (400MHz, CDCl ) δ :8.85— 8.83 (m, IH),
3
8.06 (dd, IH), 7.99— 7.96 (m, 2H), 7.81 (dd, IH),
7.61-7.44 (m, 15H), 7.35 (dd, IH)
[0245] 31P— NMR (160MHz, CDCl ) :42.9
3
(FAB -MS) (M/z) :612(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :495,
3
533
(EA)観測値 C:57.23, H:3.44, N:2.31
理論値 C:56.97, H:3.46, N:2.29
[0246] 実施例 15 (5—キノリルェチュル)(トリフエ-ルホスフィン)金 [Au(PPh ) (5QE)]
の合成
8 -キノリルェチンに替えて 5 -キノリルェチンを用 、る他は実施例 12と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.22g得た。(収率 92%)
[0247] 'H-NMR (400MHz, CDCl ) δ :8.96— 8.93 (m, IH), 8.90 (dd, IH), 7.
3
99-7.96 (m, IH), 7.76 (dd, IH), 7.63— 7.42 (m, 17H)
[0248] 31P-NMR (160MHz, CDCl ) :42.8
3
(FAB -MS) (M/z) :612(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm): 380,
3
527, 568
(EA)観測値 C:57.03, H:3.50, N:2.32
理論値 C:56.97, H:3.46, N:2.29
[0249] 実施例 16 (4—キノリルェチュル)(トリフエ-ルホスフィン)金 [Au[PPh ][4QE]の
3 合成
8 -キノリルェチンに替えて 4 -キノリルェチンを用いる他は実施例 12と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.14g得た。(収率 56%)
[0250] 'H-NMR (400MHz, CDCl ) δ :8.80 (d, IH), 8.58— 8.55 (m, IH), 8.0
3
7-8.04 (m, IH), 7.72— 7.66 (m, IH), 7.63— 7.46 (m, 17H)
31P— NMR (160MHz, CDCl ) :42.7
3
(FAB -MS) (M/z) :612(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :508, 547
3
(EA)観測値 C:57.07, H:3.43, N:2.47
理論値 C:56.97, H:3.46, N:2.29
[0251] 実施例 17 (3—キノリルェチュル)(トリフエ-ルホスフィン)金 [Au(PPh ) (3QE)]の
3 合成
8 -キノリルェチンに替えて 3 -キノリルェチンを用 、る他は実施例 12と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.22g得た。(収率 88%)
[0252] 'H-NMR (400MHz, CDCl ) δ :9.01 (d, IH), 8.23 (d, IH), 8.04 (d, IH
3
), 7.75-7.71 (m, IH), 7.67— 7.44 (m, 17H)
P-NMR (160MHz, CDCl ) :42.8
3
(FAB -MS) (M/z) :612(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :508, 547
3
(EA)観測値 C:57.04, H:3.43, N:2.39
理論値 C:56.97, H:3.46, N:2.29
[0253] 実施例 18 (2 キノリルェチュル)(トリフエ-ルホスフィン)金 [Au(PPh ) (2QE)]の
3
合成
8 -キノリルェチンに替えて 2 -キノリルェチンを用 、る他は実施例 12と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.20g得た。(収率 82%)
[0254] 'H-NMR (400MHz, CDCl ) δ :8.07 (d, IH), 8.02 (d, IH), 7.74— 7.7
3
2(m, IH), 7.68-7.43 (m, 18H)
31P— NMR (160MHz, CDCl ) :42.7
3
(FAB -MS) (M/z) :612(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :508, 547
3
(EA)観測値 C:57.07, H:3.43, N:2.47
理論値 C:56.97, H:3.46, N:2.29
[0255] 実施例 19 (5 フルオロー 8 キノリルェチュル)(トリフエ-ルホスフィン)金 [Au(P Ph ) (5F— 8QE)]の合成
3
8 -キノリルェチンに替えて 5 -フルォロ 8 キノリルェチンを用 、る他は実施例 1 2と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.22g得た。(収率 88 %)
[0256] 'H-NMR (400MHz, CDCl ) δ :9. 11 (dd, IH), 8.40 (dd, IH), 7.91 (dd
3
, IH), 7.62-7.42 (m, 16H), 7.13 (dd, IH)
31P— NMR (160MHz, CDCl ) :42.8
3
(FAB -MS) (M/z) :630(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :392, 534
3
(EA)観測値 C:55.26, H:3.34, N:2.31
理論値 C:55.34, H:3.20, N:2.23
[0257] 実施例 20 (8 キノリルェチュル)(トリ一 o トリルホスフィン)金 [Au(P(o— Tol) )
3
(8QE)]の合成
アルゴン雰囲気下、 25mlシュレンク管に Au(P(o—Tol) C1(0.22g, 0.40mmo
3
1)、 8 キノリルェチン(92mg, 0.60mmol)、ナトリウム一 t—ブトキシド(40mg, 0. 42mmol)をカ卩えた後、 t—ァミルアルコール(8ml)を滴下し、室温で 19時間攪拌し た。反応後得られる白色沈殿をろ過し、 tーァミルアルコール(5mmlX 3回),温水 (4 0°C, 5ml X 3回)、およびエタノール(5ml X 2回)で順次洗浄し、真空乾燥すること により薄黄色粉末として目的化合物を 0.17g得た。(収率 64%)
[0258] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :9.04 (dd, 1Η),
3
8. 10 (dd, 1H), 7.95 (dd, 1H), 7.65 (dd, 1H),
7.50-7.16 (m, 11H), 7.02— 6.91 (m, 3H),
2.73 (s, 9H)
31P-NMR (160MHz, CDC1 ) :25.0
3
(FAB -MS) (M/z) :654(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :382, 525, 566
3
(EA)観測値 C:58.06, H:4.00, N:2.20
理論値 C:58.81, H:4.16, N:2.14
[0259] 実施例 21 2 キノキサリルェチュル)(トリフエ-ルホスフィン)金 [Au(PPh ) (2Qx
3
E)]の合成
アルゴン雰囲気下、 25mlシュレンク管に Au(PPh )C1(0.20g, 0.40mmol)、 2
3
キノキサリルェチン (93mg, 0.60mmol)、エタノール(8ml)をカ卩えた後、ナトリウム エトキシド(165 1, 0.42mmol:濃度 2.55molZL (リットル)のエタノール溶液)を 滴下し、室温で 17時間攪拌した。反応後得られた白色沈殿をろ過し、エタノール (5 ml X 2回),水(5ml X 4回)、及びエタノール:水 = 1: 1 (5ml X 2)で順次洗浄し、真 空乾燥することにより薄茶色粉末として目的化合物を 0.21g得た。(収率 87%) 'H-NMR (300MHz, CDC1 ) δ :8.90 (s, 1Η), 8.05〜8.01 (m, 2H), 7.7
3
4〜7.66 (m, 2H), 7.60〜7.44 (m, 15H)
31P-NMR (160MHz, CDC1 ) :42.5
(FAB -MS) (M/z) :613(M + H)
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :518
3
(EA)観測値 C:53.30, H:3.12,N:4.32
理論値 C:54.91, H:3.29,N:4.57
[0260] 比較例 1
反応溶媒をエタノールとする他は実施例 20と同様に反応操作を行い薄黄白色粉 末として下記式 (f)で示される生成物が 0.24g得られ (収率 87%)、目的の(8—キノ リルェチュル)(トリ—o—トリルホスフィン)金は得られなかった。
[0262] H—NMR (400MHz, CDC1 ) δ :7.47— 7.35 (m, 6H), 7.22— 7.16 (m, 4
3
H), 7.00-6.90 (m, 6H), 6.59 (d, 1H), 6.46 (d, 1H), 5.86 (dd, 1H), 3 .25 (dq, 1H), 2.84 (s, 9H), 2.50 (dq, 1H) , 0.91 (t, 3H) .
31P-NMR (160MHz, CDC1 ) δ :25.0
3
FAB -MS (M/z) :699 (M + H) +
(EA)観測値 C:57.99, H:4.68, N:2.01
理論値 C:58.37, H:4.75, N:2.00
[0263] 比較例 2
反応溶媒をイソプロパノールとするほかは実施例 20と同様に反応操作を行い薄黄 白色粉末として下記式 (g)で示される生成物と目的の(8—キノリルェチニル)(トリ— o —トリルホスフィン)金がモル比 1:1である混合物として 0.23g得られた (収率:目的 物 44%、化合物(下記式 (g) ) 44%)。
[0265] 式 gの化合物の分析値
'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ : 7. 70— 6. 98 (m, 16H) , 7. 00— 6. 54 (m,
3
3H), 6. 68 (d, 1H) , 6. 54 (d, 1H) , 5. 92 (dd, 1H) , 3. 85 (dq, 1H) , 1. 04 ( d, 3H) , 0. 81 (d, 3H) .
[0266] 実施例 22 Au (P (o—Tol) ) (8QE) ( (8 キノリルェチュル)(トリー o トリルホス
3
フィン)金)の合成
アルゴン雰囲気下、 25mンュレンク管にクロ口(トリ— o トリルホスフィン)金 [Au (P (o-Tol) ) C1] (0. 22g, 0. 40mmol)、 8 キノリルェチン(92mg, 0. 60mmol)、
3
ナトリウム— t—ブトキシド(40mg, 0. 42mmol)を加えた後、 t—ブタノール(8ml)を 滴下し、 30°Cにて 6時間攪拌した。反応終了後、生成した白色沈殿をろ取し、温水( 40°C, 5mlX 3回),次いでエタノール(5ml X 2回)で洗浄し、真空乾燥して薄黄色 粉末である目的化合物を 0. 15g得た。(収率 58%)
[0267] 実施例 23 Au (P (o— Tol) ) (8QE) ( (8 キノリルェチュル)(トリー o トリルホス
3
フィン)金)の合成
アルゴン雰囲気下、 25mンュレンク管にクロ口(トリ— o トリルホスフィン)金 [Au (P (o-Tol) ) C1] (0. 22g, 0. 40mmol)、 8 キノリルェチン(92mg, 0. 60mmol)、
3
ナトリウム t—ブトキシド(40mg, 0. 42mmol)をカ卩えた後、テトラヒドロフラン(8ml) を滴下し、室温にて 19時間攪拌した。反応終了後、反応混合液を塩化メチレン (15 ml)で希釈した後、水 (40ml)〖こ加えて分液した。有機層を分取した後、水層を塩ィ匕 メチレン (10ml X 2回)にて抽出した。得られた抽出液を前記有機層と併せて無水硫 酸マグネシウム(2g)を加えて乾燥し、濾過、濃縮後、塩化メチレンージェチルエーテ
ルにより再結晶を行った。生成した結晶をジェチルエーテル(10ml)にて洗浄し、真 空乾燥して白色粉末である目的化合物を 0. 10g得た。(収率 41%)
[0268] 実施例 24 Au (P (o— Tol) ) (8QE) ( (8—キノリルェチュル)(トリ— o—トリルホスフ
3
イン)金)の合成
アルゴン雰囲気下、 25mlシュレンク管にクロ口(トリ一 o—トリルホスフィン)金 [Au (P (o-Tol) ) C1] (0. 22g, 0. 40mmol)、 8—キノリルェチン(92mg, 0. 60mmol)、
3
ナトリウム— t—ブトキシド(40mg, 0. 42mmol)をカ卩えた後、塩化メチレン(8ml)を 滴下し、室温にて 19時間攪拌した。反応終了後、反応混合液を塩化メチレン (15ml) で希釈した後、水 (40ml)に加えて分液した。有機層を分取した後、水層を塩化メチ レン(10ml X 2回)にて抽出した。得られた抽出物を前記有機層と併せて無水硫酸 マグネシウム(2g)を加えて乾燥し、濾過、濃縮後、塩化メチレン—ジェチルエーテル により再結晶を行った。生成した結晶をジェチルエーテル(10ml)にて洗浄し、真空 乾燥して白色粉末である目的化合物を 0. 09g得た。(収率 34%)
[0269] 実施例 25 (8—キノリルェチュル)(トリス(p—メトキシフエ-ル)ホスフィン)金 [Au (P
(p-MeOC H ) ) ] (8QE) ]の合成
6 4 3
アルゴン雰囲気下、 25mlシュレンク管に Au(P (p— MeOC H ) ) C1 (0. 23g, 0.
6 4 3
40mmol)、 8—キノリルェチン(92mg, 0. 60mmol)、ナトリウム一 t—ブトキシド(40 mg, 0. 42mmol)を加えた後、 t-ァミルアルコール(8ml)を滴下し、室温で 19時間 攪拌した。反応後、塩化メチレン(15ml)で希釈した後、水 (40ml)に加えて分液した 。塩化メチレン層を分離した後、水層より塩化メチレン(10mlX 2回)で抽出操作を行 V、、塩化メチレン抽出物を塩化メチレン層に合わせて無水硫酸マグネシウム(2g)を 加えて乾燥し、濾過、濃縮後、塩化メチレン—ジェチルエーテルより再結晶を行った 。生成した結晶をジェチルエーテル(10ml)を洗浄し、真空乾燥することにより青白 色粉末として目的化合物を 0. l lg得た。(収率 41%)
[0270] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ : 9. 06 (dd, 1Η) , 8. 11 (dd, 1H) , 7. 98 (dd
3
, 1H) , 7. 67 (dd, 1H) , 7. 53— 7. 36 (m, 8H) , 6. 97— 6. 91 (m, 6H) , 3. 84 (s, 9H)
31P-NMR (160MHz, CDC1 ) : 39. 2
(FAB -MS) (M/z) :702(M + H)
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :381, 525, 566
3
(EA)観測値 C:54.80, H:3.88, N:2.06
理論値 C:54.79, H:3.88, N:2.00
[0271] 実施例 26 (8—キノリルェチュル)(トリメシチルホスフィン)金 [Au(P(Mes) ) (8QE
3
)]の合成
Au(P(o-Tol) )C1に替えて Au(P(Mes) )C1(0.25g, 0.40mmol)を用いた
3 3
ほかは実施例 20と同様の反応操作を行い、薄緑白色粉末として目的化合物を 0.1 9g得た。(収率 64%)
[0272] -NMR (400MHz, DMSO— d ) δ :8.93— 8.89 (m, 1H), 8.31— 8.27 (dd
6
, 1H), 7.74-7.65 (m, 2H), 7.52— 7.42 (m, 2H), 7.00— 6.60 (m, 6H) , 2.50(s(BR), 9H), 2.21(s(BR), 9H), 1.96(s(BR), 9H)
31P— NMR (160MHz, CDC1 ) :11.2
3
(FAB -MS) (M/z) :738(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :498, 538
3
(EA)観測値 C:61.06, H:5.35, N:2.00
理論値 C:61.87, H:5.33, N:l.90
[0273] 実施例 27 (8—キノリルェチュル)(トリシクロへキシルホスフィン)金 [Au(PCy ) (8
3
QE)]の合成
アルゴン雰囲気下、 25mlシュレンク管に Au(PCy )C1(0.20g, 0.40mmol) , 8
3
—キノリルェチン(92mg, 0.60mmol) ,ナトリウム一 t—ブトキシド(40mg, 0.42m mol)を加えた後、 t—ァミルアルコール (8ml)を滴下し、室温で 18時間攪拌した。反 応後得られる白色沈殿をろ過し、 t—ァミルアルコール(5mlX3回),温水(40°C, 5m 1 X 3回)、およびエタノール:水(50:50 (体積比), 5mlX2回)で洗浄し、真空乾燥 することにより薄黄白色粉末として目的化合物を 0.18g得た。(収率 71%)
[0274] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :9.05 (dd, 1Η), 8.11 (dd, 1H), 7.97 (dd
3
, 1H), 7.65 (dd, 1H), 7.44— 7.35 (m, 2H), 2.03— 1.20 (m, 33H) 31P— NMR (160MHz, CDC1 ) :56.6
(FAB -MS) (M/z) :630(M + H)
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :378, 525, 567
3
(EA)観測値 C:55.06, H:6.10, N:2.34
理論値 C:55.33, H:6.24, N:2.22
[0275] 実施例 28 (8 キノリルェチュル)(トリイソプロピルホスフィン)金 [Au(P(i— Pr) ) (
3
8QE)]の合成
Au(PCy )C1に替えて Au(P(i— Pr) )C1(0.16g, 0.40mmol)を用いたほかは
3 3
実施例 27と同様の反応操作を行い、白色粉末として目的化合物を 0.14g得た。 (収 率 70%)
[0276] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :9.05 (dd, 1Η), 8.11 (dd, 1H), 7.97 (dd
3
, 1H), 7.66 (dd, 1H), 7.45— 7.35 (m, 2H), 2.36— 2.24 (m, 3H), 1.35
(d, 9H), 1.30 (d, 9H).
31P-NMR (160MHz, CDC1 ) :67.5
3
(FAB -MS) (M/z) :510(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :379, 525, 565
3
(EA)観測値 C:46.34, H:5.21, N:2.90
理論値 C:47.16, H:5.34, N:2.75
[0277] 実施例 29 Au(PPh ) (8QE) ( (8 キノリルェチュル)(トリフエ-ルホスフィン)金)
3
の合成
アルゴン雰囲気下、 25mlシュレンク管に Au(PPh )C1(0.20g, 0.40mmol)、 8
3
キノリルェチン(92mg, 0.60mmol)、ナトリウム t—ブトキシド(40mg, 0.42m mol)を加えた後、 t—ァミルアルコール (8ml)を滴下し、室温で 18時間攪拌した。反 応後得られる白色沈殿をろ過し、 tーァミルアルコール(5mlX3回)、温水(40°C, 5 ml X 3回)、次 、でエタノール(5ml X 2回)で洗浄し、真空乾燥して白黄色粉末であ る目的化合物を 0.20g得た。 (収率 82%)
[0278] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :9.07 (dd, 1Η), 8.12 (dd, 1H), 7.99 (dd
3
, 1H), 7.68 (dd, 1H), 7.62— 7.36 (m, 17H)
31P-NMR (160MHz, CDC1 ) :42.8
FAB— MS(MZz) :612(M + H)
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm): 380, 526, 567
3
(EA)観測値 C:57.06, H:3.45, N:2.33
理論値 C:56.97, H:3.46, N:2.29
[0279] 実施例 30 Au(PPh ) (PE) ((フエ-ルェチュル)(トリフエ-ルホスフィン)金)の合
3
成
アルゴン雰囲気下、 25mlシュレンク管にクロ口(トリフエ-ルホスフィン)金 [Au(PPh )C1] (0.20g, 0.40mmol)、フエ-ルアセチレン(61mg, 0.60mmol)、ナトリウ
3
ム— t—ブトキシド(40mg, 0.42mmol)をカ卩えた後、 t—ァミルアルコール(8ml)を 滴下し、室温にて 18時間攪拌した。反応終了後、溶媒を減圧留去し、得られた残滓 を塩化メチレン(20ml)にて抽出した。得られた抽出物を減圧下に溶媒留去した後、 得られた白色沈殿を塩化メチレン一へキサンにて再結晶して、白黄色粉末である目 的化合物を 0.19g得た。(収率 85%)
[0280] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :7.60— 7.42 (m, 15H), 7.28— 7.20 (m,
3
5H)
FAB -MS (M/z): 561 (M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :415, 435, 444、 455
3
(EA)観測値 C:55.27, H:3.60
理論値 C:55.73, H:3.60
[0281] 実施例 31 (5 フルォロ 8 キノリルェチュル)(トリ— o トリルホスフィン)金 [Au
(P(o-Tol) ) (5F—8QE)]の合成
3
8 -キノリルェチンに替えて 5 -フルォロ 8—キノリルェチンを用 、た他は実施例 20と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.21g得た。(収率 7 9%)
[0282] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :9.07 (dd, 1Η), 8.38 (dd, 1H), 7.87 (dd
3
, 1H), 7.47-7.32 (m, 7H), 7.21— 6.94 (m, 7H), 2.73 (s, 9H)
[0283] 31P-NMR (160MHz, CDC1 ):25.0
3
(FAB -MS) (m/z):672(m+H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :394
3
(EA)観測値 C:57.00, H:3.79, N:2.00
理論値 C:57.24, H:3.90, N:2.09
[0284] 実施例 32 5 フルオロー 8 キノリルェチュル)(トリシクロへキシルホスフィン)金 [A u(PCy ) (5F— 8QE)]の合成
3
8 -キノリルェチンに替えて 5 -フルォロ 8—キノリルェチンを用 、た他は実施例 27と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.18g得た。(収率 7 0%)
[0285] 'H-NMR (400MHz, CDCl ) δ :9.09 (dd, IH), 8.39 (dd, IH), 7.89 (dd
3
, IH), 7.42 (dd, IH), 7.10 (dd, 17H), 2.03— 1.17(m, 33H)
[0286] 31P— NMR (160MHz, CDCl ) :56.6
3
(FAB -MS) (m/z) :648(m+H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm):395
3
(EA)観測値 C:52.68, H:5.80, N:2.16
理論値 C:53.79, H:5.91, N:2.16
[0287] 実施例 33 (5 クロ口一 8 キノリルェチュル)(トリフエ-ルホスフィン)金 [Au(PPh
) (5C1— 8QE)]の合成
3
8 -キノリルェチンに替えて 5—クロ口一 8 キノリルェチンを用 V、た他は実施例 12 と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.24g得た。(収率 92% )
[0288] 'H-NMR (400MHz, CDCl ) δ :9. 10 (dd, IH), 8.55 (dd, IH), 7.89 (d,
3
IH), 7.62-7.22 (m, 17H)
[0289] 31P— NMR (160MHz, CDCl ) :41.8
3
(FAB -MS) (m/z) :646(m+H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :390
3
(EA)観測値 C:53.82, H:3.08, N:2.26
理論値 C:53.93, H:3.12, N:2.17
[0290] 実施例 34 (5 クロ口 8 キノリルェチュル)(トリ— o トリルホスフィン)金 [Au(P
(o-Tol) ) (5C1— 8QE)]の合成
3
8 -キノリルェチンに替えて 5—クロ口一 8 キノリルェチンを用 Vヽた他は実施例 20 と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.18g得た。(収率 67% )
[0291] 'H-NMR (400MHz, CDCl ) δ :9.07 (dd, IH), 8.53 (dd, IH), 7.85 (d,
3
IH), 7.68 (dd, IH), 7.61— 6.91 (m, 14H), 2.73 (s, 9H)
[0292] 31P— NMR (160MHz, CDCl ) :23.8
3
(FAB -MS) (m/z) :688(m+H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :393
3
(EA)観測値 C:54.87, H:3.70, N:2.01
理論値 C:55.87, H:3.81, N:2.04
[0293] 実施例 35 (5 クロ口一 8 キノリルェチュル)(トリシクロへキシルホスフィン)金 [Au
(PCy ) (5C1—8QE)]の合成
3
8 -キノリルェチンに替えて 5 -クロ口 8 キノリルェチンを用いた他は実施例 27 と同様に反応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.21g得た。(収率 78% )
[0294] 'H-NMR (400MHz, CDCl ) δ :9.09 (dd, IH), 8.54 (dd, IH), 7.87 (d,
3
IH), 7.52-7.46 (m, 2H), 2.07—1.20 (m, 33H)
31P— NMR (160MHz, CDCl ) :55.6
3
(FAB -MS) (m/z) :664(m+l) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :392
3
(EA)観測値 C:50.86, H:5.60, N:2.05
理論値 C:52.46, H:5.77, N:2.11
[0295] 実施例 36 ビス(8 キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金(Pt (dm pe) (8QE) )の合成
2
アルゴン雰囲気下、 25mlシュレンク管に Pt(dmpe)Cl (0. 10g, 0.24mmol)、
2
8 キノリノレエチン(0.29g, 1.9mmol)、ヨウィ匕銅(I) (llmg, 0.055mmol)、 N, N ジメチルホルムアミドとジェチルァミンの混合液(N, N ジメチルホルムアミド:ジ
ェチルァミン =3:2)を lOmmlカ卩え、 50°Cで 9時間攪拌した。反応終了後、不溶物を ろ過し、得られたろ液にジクロロメタン(40ml)をカ卩え、水洗して(50ml X 4回)、無水 硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減圧下留去した。得られた残渣に過剰量の ジェチルエーテルをカ卩えて析出した固体をろ取し、得られた固体をジェチルエーテ ルで洗浄して、真空乾燥することにより薄黄色粉末として目的化合物を 0.10g得た。 (収率 64%)
ホストとして 4, 4,—ビス(力ルバゾール—9—ィル)ビフエ-ル(CBP)を用いて、本 化合物を 9重量%ドープした固体薄膜を調製した後、 310nmの紫外線照射すること により CIE色度座標値を測定したところ、 (0. 19, 0.17)の青色発光が観測された。
[0296] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :8.89 (d, 2Η), 8.06 (d, 2H), 7.94 (d, 2H
3
), 7.58 (m, 2H), 7.41 (m, 2H), 7.30 (m, 2H), 1.96 (m, 16H)
FAB - MS(MZz) :650(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex 250nm) λ (nm) :541
3
(EA (元素分析))観測値 C:51.7, H:4.22, N:4.30
理論値 C:51.8, H:4.34, N:4.31
[0297] 実施例 37 ビス(8 キノリルェチュル)(ビスジフエ-ルホスフィノエタン)白金(Pt(d ppe) (8QE) )の合成
2
アルゴン雰囲気下、 25mlシュレンク管に Pt(dppe)Cl (0. 16g, 0.24mmol)、 8
2
キノリノレエチン(0.29g, 1.9mmol)、ヨウィ匕銅(I) (llmg, 0.055mmol)、 N, N ジメチルホルムアミドとジェチルァミンの混合溶液(N, N ジメチルホルムアミド:ジ ェチルァミン =3 :2)を 10ml加え、 50°Cで 9時間攪拌した。反応終了後、不溶物をろ 過し、得られたろ液にジクロロメタン (40ml)を加え、水洗し(50mlX4回)、硫酸マグ ネシゥムで脱水した後、溶媒を減圧下濃縮した。得られた残渣に過剰量のジェチル エーテルを加えて析出した固体をろ取して、得られた固体をジェチルエーテルで洗 浄し、真空乾燥することにより薄黄色粉末として目的化合物を 0.13g得た。(収率 59 %)
ホストとして CBPを用いて、本ィ匕合物を 9重量%ドープした固体薄膜を調製した後 3 lOnmの紫外線照射することにより CIE色度座標値を測定したところ、 (0.27, 0. 19
)の青白色発光が観測された。
[0298] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :8.78 (d, 2Η), 8.15 (m, 6H), 8. 10 (d, 2
3
H), 7.70 (m, 2H), 7.62 (d, 2H), 7.49 (d, 2H), 7.40— 7.20 (m, 16H),
2.52-2.40 (m, 4H)
FAB - MS(MZz) :898(M+H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex 250nm) λ (nm) :536
3
(EA)観測値 C:61.47, H:3.94, N:3.35
理論値 C:64.21, H:4.04, N:3.12
[0299] 実施例 38 ビス(7—キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金(Pt (dm pe) (7-QE) )の合成
2
8—キノリルェチンに替えて 7—キノリルェチンを用いる他は実施例 36と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.08g得た。(収率 54%)
ホストとして CBPを用いて、本ィ匕合物を 9重量%ドープした固体薄膜を調製した後 3 lOnmの紫外線照射することにより CIE色度座標値を測定したところ、 (0.31, 0.44 )の白色発光が観測された。
[0300] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :8.83 (dd, 2Η), 8.08 (s, 2H), 8.06— 8.
3
03 (m, 2H), 7.64— 7.60 (m, 4H), 7.28— 7.25 (m, 2H),
1.90-1.71 (m, 16H)
(EA):観測値 C:51.4, H:4.3, N:4.3
理論値 C:51.8, H:4.3, N:4.3
FAB - MS(MZz) :650(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex 250nm) λ (nm) :498 (max), 538, 577
3
[0301] 実施例 39 ビス(6—キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金(Pt (dm pe) (6QE) )の合成
2
8—キノリルェチンに替えて 6—キノリルェチンを用いる他は実施例 36と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.12g得た。(収率 77%)
ホストとして CBPを用いて、本ィ匕合物を 9重量%ドープした固体薄膜を調製した後 3 lOnmの紫外線照射することにより CIE色度座標値を測定したところ、 (0.31, 0.34
)の白色発光が観測された。
[0302] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :8.78 (d, 2Η), 8.03 (d, 2H), 7.92 (d, 2H
3
), 7.84 (s, 2H), 7.75 (dd, 2H), 7.33— 7.30 (m, 2H), 1.88— 1.73 (m, 1 6H)
FAB - MS(MZz) :650(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex 250nm) λ (nm) :511
3
(EA)観測値 C:51.1, H:4.50, N:4.70
理論値 C:51.8, H:4.34, N:4.31
[0303] 実施例 40 ビス(5 キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金(Pt (dm pe) (5QE) )の合成
2
8 キノリルェチンに替えて 5 キノリルェチンを用いる他は実施例 36と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.14g得た。(収率 88%)
ホストとして CBPを用いて、本ィ匕合物を 9重量%ドープした固体薄膜を調製した後 3 lOnmの紫外線照射することにより CIE色度座標値を測定したところ、 (0.22, 0.21 )の青白色発光が観測された。
[0304] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :9.07 (dd, 2Η), 8.82 (dd, 2H), 7.90 (d,
3
2H), 7.64 (dd, 2H), 7.60— 7.56 (m, 2H), 7.22— 7.19 (m, 2H), 1.89
-1.76 (m, 16H)
FAB - MS(MZz) :650(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex 250nm) λ (nm): 540
3
(EA)観測値 C:51.5, H:4.50, N:4.50
理論値 C:51.8, H:4.34, N:4.31
[0305] 実施例 41 ビス(4 キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金(Pt (dm pe) (4-QE) の合成
2
8 キノリルェチンに替えて 4 キノリルェチンを用いる他は実施例 36と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.08g得た。(収率 50%)
ホストとして CBPを用いて、本錯体を 9重量%ドープした固体薄膜を調製した後 31 Onmの紫外線照射することにより CIE色度座標値を測定したところ、 (0.36, 0.45)
の白色発光が観測された。
[0306] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :8.75 (d, 2Η), 8.62 (dd, 2H), 8.02 (d, 2
3
H), 7.65-7.61 (m, 2H), 7.43— 7.39 (m, 4H), 1.92—1.74 (m, 16h)
(EA)観測値 C:51.8, H:4.5、N:4.2
理論値 C:51.8, H:4.3、 N:4.3
FAB - MS(M/z) :650(M + h) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex 250nm) λ (nm) :510
3
(max) , 548, 592
[0307] 実施例 42 ビス(3—キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金(Pt (dm pe) (3QE) )の合成
2
8—キノリルェチンに替えて 3—キノリルェチンを用いる他は実施例 36と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.13g得た。(収率 86%)
ホストとして CBPを用いて、本錯体を 9重量%ドープした固体薄膜を調製した後 31 Onmの紫外線照射することにより CIE色度座標値を測定したところ、 (0.28, 0.42) の白色発光が観測された。
[0308] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :8.93 (d, 2Η), 8.12 (d, 2H), 8.00 (d, 2H
3
), 7.70 (d, 2H), 7.61-7.57 (m, 2H), 7.49— 7.45 (m, 2H), 1.92—1. 74 (m, 16H)
FAB - MS(M/z) :650(M + h) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex 250nm) λ (nm): 506
3
(EA)観測値 C:50.5, H:4.40, N:4.20
理論値 C:51.8, H:4.34, N:4.31
[0309] 実施例 43 ビス(2—キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金(Pt (dm pe) (2QE) )の合成
2
8—キノリルェチンに替えて 2—キノリルェチンを用いる他は実施例 36と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.13g得た。(収率 86%)
ホストとして CBPを用いて、本錯体を 9重量%ドープした固体薄膜を調製した後 31 Onmの紫外線照射することにより CIE色度座標値を測定したところ、 (0.27, 0.31)
の白色発色が観測された。
[0310] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :7.99 (d, 2Η), 7.93 (d, 2H), 7.68 (dd, 2
3
H), 7.62-7.57 (m, 2H), 7.51 (d, 2H), 7.41— 7.37 (m, 2H), 1.89— 1 .76 (m, 16H)
FAB - MS(MZz) :650(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex 250nm) λ (nm) :482 (max), 518
3
(EA)観測値 C:50.7, H:4.50, N:4.30
理論値 C:51.8, H:4.34, N:4.31
[0311] 実施例 44 ビス(8—キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金 [Pt (dm pe) (8QE) ]の合成
2
アルゴン雰囲気下、 25mlシュレンク管に Pt(dmpe)Clに(0.17g, 0.40mmol)
2
、 8—キノリルェチン(0.14g, 0.88mmol)、エタノール(10ml)を加えた後、ナトリウ ムエトキシド(濃度 2.55モル ZL (リットル)のエタノール溶液、 300 L、 0.84mmol )を滴下する。反応混合物を攪拌しつつ 4時間加熱還流を行った。不溶物をろ過後、 反応液にジクロロメタン (40ml)を加え、水洗する(50ml X 4回),硫酸マグネシウム で脱水した後、溶媒を減圧下濃縮した。この濃縮液に過剰量のジェチルエーテルを 加えて目的化合物を析出させて濾過し、得られた固体をジェチルエーテルで洗浄し 、真空乾燥することにより薄灰色粉末として目的化合物を 0.22g得た。なお、本ィ匕合 物は結晶溶媒として塩化メチレンを 1.5当量含む。(収率 75%)
ホストとして CBPを用い、本ィ匕合物を 9重量%ドープした固体薄膜とした後、 310η mの紫外線照射して CIE色度座標値を測定したところ、 (0.19, 0. 17)の青色が観 測された。
[0312] 'H-NMR (400MHz, DMSO— d6) δ :8.89 (d, 2H), 8.06 (d, 2H), 7.94 ( d, 2H), 7.58 (m, 2H), 7.41 (m, 2H), 7.30 (m, 2H), 1.96 (m, 16H) FAB - MS(MZz) :650(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :541
3
(E. A. ):理論値 C:42.78, H:4.21, N:3.78
観測値 C:43.42, H:4.22, N:3.81
[0313] 実施例 45 ビス(7—キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金 [Pt (dm pe) (7QE) ]の合成
2
8 -キノリルェチンに替えて 7 -キノリルェチンを用いる他は実施例 44と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.19g得た。(収率 73%)
ホストとして CBPを用いて、本ィ匕合物を 9重量%ドープした固体薄膜を調製した後 3 lOnmの紫外線照射して CIE色度座標値を測定したところ、 (0.31, 0.44)の白色 発光が観測された。
[0314] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :8.83 (dd, 2Η), 8.08 (s, 2H), 8.06— 8.0
3
3(m, 2H), 7.64-7.60 (m, 4H), 7.28— 7.25 (m, 2H), 1.90—1.71 (m, 16H)
(E. A. ):理論値 C:51.8, H:4.34, N:4.31
観測値 C:51.2, H:4.51, N:4.40
FAB - MS(MZz) :650(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :498 (max), 538, 577
3
[0315] 実施例 46 ビス(6—キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金 [Pt (dm pe) (6QE) ]の合成
2
8 -キノリルェチンに替えて 6 -キノリルェチンを用いる他は実施例 44と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.18g得た。(収率 68%)
ホストとして CBPを用い、本錯体を 9重量%をドープした固体薄膜とした後、 310η mの紫外線照射して CIE色度座標値を測定したところ、 (0.31, 0.34)の白色発光 が観測された。
[0316] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :8.78 (d, 2Η), 8.03 (d, 2H), 7.92 (d, 2H
3
), 7.84 (s, 2H), 7.75 (dd, 2H), 7.33— 7.30 (m, 2H), 1.88— 1.73 (m, 1 6H)
FAB - MS(MZz) :650(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :511
3
(E. A. )理論値 C:51.8, H:4.34, N:4.31
観測値 C:51.2, H:4.51, N:4.40
[0317] 実施例 47 ビス(5 キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金 [Pt (dm pe) (5QE) ]の合成
2
8 -キノリルェチンに替えて 5 -キノリルェチンを用いる他は実施例 44と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.20g得た。(収率 77%)
ホストとして CBPを用い、本錯体を 9重量%ドープした固体薄膜とした後、 310nm の紫外線照射して CIE色度座標値を測定したところ、 (0.22, 0.21)の青白色発光 が観測された。
[0318] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :9.07 (dd, 2Η), 8.82 (dd, 2H), 7.90 (d, 2
3
H), 7.64 (dd, 2H), 7.60-7.56 (m, 2H), 7.22-7.19 (m, 2H), 1.89— 1.76 (m, 16H)
FAB - MS(MZz) :650(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K、 Ex250nm) λ (nm): 540
3
(E. A. )理論値 C:51.8, H:4.34, N:4.31
観測値 C:51.5, H:4.40, N:4.30
[0319] 実施例 48 ビス(4 キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金 [Pt (dm pe) (4QE) ]の合成
2
8 -キノリルェチンに替えて 4 -キノリルェチンを用いる他は実施例 44と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.20g得た。(収率 77%)
ホストとして CBPを用いて、本錯体を 9重量%ドープした固体薄膜を調製した後 31 Onmの紫外線照射することにより CIE色度座標値を測定したところ、 (0.36, 0.45) の白色発光が観測された。
[0320] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ): 68.75 (d, 2H), 8.62 (dd, 2H), 8.02 (d, 2
3
H), 7.65-7.61 (m, 2H), 7.43— 7.39 (m, 4H), 1.92—1.74 (m, 16H) (E. A. ):理論値 C:51.8, H:4.34, N:4.31
観測値 C:51.8, H:4.50, N:4.20
FAB - MS(MZz) :650(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :510 (max), 548, 592
3
[0321] 実施例 49 ビス(3 キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金 [Pt (dm
pe) (3QE) ]の合成
2
8 -キノリルェチンに替えて 3 -キノリルェチンを用いる他は実施例 44と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.19g得た。(収率 72%)
ホストとして CBPを用い、本錯体を 9重量%ドープした固体薄膜とした後、 310nm の紫外線照射して CIE色度座標値を測定したところ、 (0.28, 0.42)の白色発光が 観測された。
[0322] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :8.93 (d, 2Η), 8.12 (d, 2H), 8.00 (d, 2H
3
), 7.70 (d, 2H), 7.61-7.57 (m, 2H), 7.49— 7.45 (m, 2H), 1.92—1. 74 (m, 16H)
FAB - MS(M/z) :650[M + H] +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ [nm]: 506
3
(E. A. )理論値 C:51.8, H:4.34, N:4.31
観測値 C:50.9, H:4.33, N:4.31
[0323] 実施例 50 ビス(2—キノリルェチュル)(ビスジメチルホスフィノエタン)白金 [Pt (dm pe) (2QE) ]の合成
2
8 -キノリルェチンに替えて 2 -キノリルェチンを用いる他は実施例 44と同様に反 応操作を行い、薄黄色粉末として目的化合物を 0.19g得た。(収率 75%)
ホストとして CBPを用い、本錯体を 9重量%ドープした固体薄膜とした後、 310nm の紫外線照射して CIE色度座標値を測定したところ、 (0.27, 0.31)の白色発光が 観測された。
[0324] 'H-NMR (400MHz, CDC1 ) δ :7.99 (d, 2Η), 7.93 (d, 2H), 7.68 (dd, 2
3
H), 7.62-7.57 (m, 2H), 7.51 (d, 2H), 7.41— 7.37 (m, 2H), 1.89— 1 .76 (m, 16H)
FAB - MS(MZz) :650(M + H) +
(Emission) (CHC1 , 77K, Ex250nm) λ (nm) :482 (max), 518
3
(E. A. )理論値 C:51.8, H:4.34, N:4.31
観測値 C:51.7, H:4.51, N:4.34
[0325] 実施例 51 Au(PPh ) (8QE)を有機発光層に含むエレクト口ルミネッセンス素子の
作製
ィーエッチシー製インジウム錫酸ィ匕物(以下、 ITOと記載する。)被膜付きガラスを 透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に
2 X 10_3Pa以下の真空度で、 N, N,—ビス(3—メチルフエ-ル)— N, N,—ビス—( フエニル)—ベンジジン (以下、 TPDと記載する。)からなるホール輸送層(3)を膜厚 40nm、 CBP中に Au(PPh ) (8QE)を 9重量0 /0含む発光層(4)を膜厚 30nm、 3— (
3
4—ビフエ-ルイル)— 4—フエ-ルー 5—ターシヤリブチルフエ-ルー 1, 2, 4ートリア ゾール(以下、 TAZと記載する。 )からなるホールブロック層(5)を 30nm、電極(6)と してアルミニウム (A1)を膜厚 100nm、順次真空蒸着させてエレクト口ルミネッセンス 素子を作製した。 (図 1参照)
[0326] なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれたアルミナ製坩堝に原料を仕込み、坩 堝ごと原料をタングステンフィラメントを用いて加熱することによって行った。このとき 坩堝に接触させた熱電対によって坩堝の温度を測定し、 Au (PPh ) (8QE)を仕込
3
んだ坩堝の温度は、概略 330°Cを超えな 、範囲に制御した。
[0327] 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 11V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 18 Vにおいて 16cdZm2で青色発光した。このとき発光に係る電流の効率を以下の 式で求めた。
[0328] 電流効率 = (単位面積当りの発光輝度) Z (単位面積当りの電流密度)
[0329] このようにして求めた電流効率は 0. 03cdZAであった。
[0330] 前記素子の発光スペクトルを日本分光 (株)製分光蛍光光度計 FP— 6300を用い て測定した。結果を図 2に示す。この素子の発光スペクトルは 405nm付近にピークを 有しており、 CIE色度座標値を求めたところ(0. 17, 0. 08)であった。
[0331] 実施例 52 Au (PPh ) (8QE)を有機発光層に含むエレクト口ルミネッセンス素子の
3
作製 (2)
ホールブロック層(5)と A1電極(6)の間にトリスー(8—ヒドロキシキノリン)アルミニゥ ム(以下 Alqと記載する。 )からなる電子輸送層 (7)を膜厚 30nmで挿入した以外は実 施例 51と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。(図 3参照)
[0332] 前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げていく と、 + 1 IV付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 21Vにお いて 63cdZm2で青色発光した。この素子の最大電流効率は + 13Vにおける 0. 23 cdZAであった。
[0333] 前記素子の発光スペクトルを実施例 50と同様にして測定した。結果を図 4に示す。
この素子の発光スペクトルは 400nm付近にピークを有しており、 CIE色度座標値を 求めると(0. 24, 0. 24)であった。
[0334] 実施例 53 Au (PPh ) (8QE)を有機発光層に含むエレクト口ルミネッセンス素子の
3
作製 (3)
発光層(4)中の Au (PPh ) (8QE)の量を 6重量%とした以外は実施例 52と同様に
3
してエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
[0335] 前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げていく と、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 22Vにお いて 40cdZm2で青色発光した。この素子の最大電流効率は + 14Vにおける 0. 32 cdZAであった。
[0336] 実施例 54 Au (PPh ) (8QE)を有機発光層に含むエレクト口ルミネッセンス素子の
3
作製 (4)
発光層(4)中の Au (PPh ) (8QE)の量を 21重量%とした以外は実施例 52と同様
3
にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
[0337] 前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げていく と、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 21Vにお いて 45cdZm2で青色発光した。この素子の最大電流効率は + 14Vにおける 0. 26 cdZAであった。
[0338] 実施例 55 Au (PPh ) (5QE)を有機発光層に含むエレクト口ルミネッセンス素子の
3
作製
発光層(4)中の錯体を Au (PPh ) (5QE)とした以外は実施例 52と同様にしてエレ
3
タトロルミネッセンス素子を作製した。
[0339] 前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げていく
と、 + 17V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 25Vにお いて 23cdZm2で青色発光した。このときの電流効率は 0. 14cdZAであった。
[0340] 実施例 56 Au (PPh ) (5F— 8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を 使用して、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真空度で、 TPD力もなるホール輸送層(3) を膜厚 40nm、 4, 4, 一ビス(カルバゾールー 9 ィル)ビフエ-ル(以下 CBPと略す) 中に Au (PPh ) (5F— 8QE)錯体を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30nm、 TAZか
3
らなるホールブロック層(5)を 30nm、電極(6)としてアルミニウム(A1)を 100nm、順 次真空蒸着させてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料 を加熱することによって行った。また 5F8QEの坩堝外部のヒーター温度は 230°Cを 超えないように制御した。
[0341] 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 11V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 24Vにおいて 67cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 14Vで 0. 15cd Z Aであった。
[0342] 実施例 57 Au (PPh ) (5F— 8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製(2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 56と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 15V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 28Vにおいて 30cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 17Vで 0. 23cd Z Aであった。
[0343] 実施例 58 Au (PPh ) (5F— 8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製(3)
発光層(4)の厚みを 20nmとした以外は、実施例 57と同様にしてエレクト口ルミネッ
センス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 11V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 23Vにおいて 52cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 15Vで 0. 23cd Z Aであった。
[0344] 実施例 59 Au (PPh ) (5F— 8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製 (4)
発光層として 1, 3—ビスカルバゾリルベンゼン(以下 mCP)中に Au (PPh ) (5F—
3
8QE)錯体を 9重量%含んだものを用いた以外は、実施例 56と同様にしてエレクト口 ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 9V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 2 2Vにおいて 66cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 1 IVで 0. 43cd Z Aであった。
また、同素子の発光スペクトルを実施例 50と同様にして測定した。この素子の発光 スペクトルは 400nm付近にピークを有しており、 CIE色度座標値を求めると(0. 16, 0. 08)であった。
[0345] 実施例 60 Au (PPh ) (5F— 8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製(5)
発光層として mCP中に Au (PPh ) (5F—8QE)錯体を 9重量%含んだものを用い
3
た以外は、実施例 57と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 13V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 24Vにおいて 31cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 15Vで 0. 21cd Z Aであった。
[0346] 実施例 61 Au (PPh ) (5Cl—8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を
使用して、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真空度で、 TPD力もなるホール輸送層(3) を膜厚 40nm、 mCP中に Au (PPh ) (5C1— 8QE)錯体を 9重量%含む発光層(4)
3
を膜厚 20nm、 TAZからなるホールブロック層(5)を 30nm、 A1電極(6)を 100nm、 順次真空蒸着させてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料 を加熱することによって行った。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 11V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 19Vにおいて 37cdZm2で発光した。このときの最大電流効率は 0. 042cdZAであ つた o
[0347] 実施例 62 Au (PPh ) (5Cl—8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製(2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 61と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 11V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 20Vにおいて 34cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 16Vで 0. 12cd Z Aであった。
[0348] 実施例 63 Au[P (o— Tol) ] (5F—8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口
3
ルミネッセンス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を 使用して、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真空度で、 TPD力もなるホール輸送層(3) を膜厚 40nm、 mCP中に Au[P (o—Tol) ] (5F—8QE)錯体を 9重量%含む発光
3
層(4)を膜厚 20nm、 TAZからなるホールブロック層(5)を 30nm、 A1電極(6)を 100 nm、順次真空蒸着させてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料 を加熱することによって行った。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上
げていくと、 + 13V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 17Vにおいて 5. 3cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 16Vで 0. 01 lcdZAであった。
[0349] 実施例 64 Au[P (o— Tol) ] (5F—8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口
3
ルミネッセンス素子の作製(2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 63と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 10V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 22Vにおいて 39cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 14Vで 0. 12cd Z Aであった。
[0350] 実施例 65 Au (PCy ) (5F—8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を 使用して、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真空度で、 TPD力もなるホール輸送層(3) を膜厚 40nm、 mCP中に Au (PCy ) (5F— 8QE)錯体を 9重量%含む発光層(4)を
3
膜厚 20nm、 TAZからなるホールブロック層(5)を 30nm、 A1電極(6)を 100nm、順 次真空蒸着させてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料 を加熱することによって行った。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 10V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 21¥にぉぃて40じ(171112で発光した。この素子の最大電流効率は + 19Vで 0. 055c dZAであった。
[0351] 実施例 66 Au (PCy ) (5F—8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製(2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 65と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 11V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 23Vにおいて 37cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 15Vで 0. 17cd Z Aであった。
[0352] 実施例 67 Au[P (o— Tol) ] (5C1—8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト
3
口ルミネッセンス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を 使用して、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真空度で、 TPD力もなるホール輸送層(3) を膜厚 40nm、 mCP中に Au[P (o— Tol) ] (5C1— 8QE)錯体を 9重量%含む発光
3
層(4)を膜厚 20nm、 TAZからなるホールブロック層(5)を 30nm、 Alqからなる電子 輸送層 (7)を 30nm、 A1電極(6)を 100nm、順次真空蒸着させてエレクト口ルミネッ センス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料 を加熱することによって行った。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 11V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 22Vにおいて 38cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 15Vで 0. 18cd Z Aであった。
[0353] 実施例 68 Au (PCy ) (5C1—8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を 使用して、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真空度で、 TPD力もなるホール輸送層(3) を膜厚 40nm、 mCP中に Au (PCy ) (5C1— 8QE)錯体を 9重量%含む発光層(4)
3
を膜厚 20nm、 TAZからなるホールブロック層(5)を 30nm、 A1電極(6)を 100nm、 順次真空蒸着させてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料 を加熱することによって行った。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上
げていくと、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 18Vにおいて 13cdZm2で発光した。このときの最大電流効率は 0. 025cdZAであ つた o
[0354] 実施例 69 Au (PCy ) (5C1—8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製(2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 68と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 11V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 23Vにおいて 32cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 16Vで 0. 16cd Z Aであった。
[0355] 実施例 70 Au (PPh ) (6QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を 使用して、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真空度で、 TPD力もなるホール輸送層(3) を膜厚 40nm、 CBP中に Au (PPh ) (6QE)錯体を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 3
3
Onm、 TAZからなるホーノレブロック層(5)を 30nm、電極(6)としてァノレミニゥム(A1) を 100nm、順次真空蒸着させてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 11V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 23Vにおいて 18cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 14Vにおける 0 . 13cdZAであった。
[0356] 実施例 71 Au (PPh ) (6QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製 (2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 70と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 14V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 +
27Vにおいて 19cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 18Vにおける 0 . l lcdZAであった。
[0357] 実施例 72 Au (PPh ) (5QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製 (2)
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真 空度で、 TPDからなるホール輸送層(3)を膜厚 40nm、 mCP中に Au(PPh ) (5QE
3
)錯体を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30nm、 TAZからなるホールブロック層(5) を 30nm、電極(6)としてアルミニウム (A1)を 100nm、順次真空蒸着させてエレクト口 ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 20Vにおいて 15cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 18Vにおける 0 . 018cdZAであった。
[0358] 実施例 73 Au (PPh ) (5QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製 (3)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 72と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 11V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 23Vにおいて 5. 9cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 17Vにおける 0. 027cdZAであった。
[0359] 実施例 74 Au (PPh ) (6QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製 (3)
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真 空度で、 TPDからなるホール輸送層(3)を膜厚 40nm、 mCP中に Au(PPh ) (6QE
3
)錯体を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30nm、 TAZからなるホールブロック層(5) を 30nm、電極(6)としてアルミニウム (A1)を 100nm、順次真空蒸着させてエレクト口 ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 20Vにおいて 29cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 15Vにおける 0 . 076cdZAであった。
[0360] 実施例 75 Au (PPh ) (6QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製 (4)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 74と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 23Vにおいて 39cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 17Vにおける 0 . 21cdZAであった。
[0361] 実施例 76 Au (PPh ) (2QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真 空度で、 TPDからなるホール輸送層(3)を膜厚 40nm、 mCP中に Au(PPh ) (2QE
3
)錯体を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30nm、 TAZからなるホールブロック層(5) を 30nm、電極(6)としてアルミニウム (A1)を 100nm、順次真空蒸着させてエレクト口 ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 9V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 2 3Vにおいて 41cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 21Vにおける 0. 064cdZAであった。
[0362] 実施例 77 Au (PPh ) (2QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製 (2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 76と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上
げていくと、 + 9V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 2 5Vにおいて 25cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 15Vにおける 0. 16cdZAであった。
[0363] 実施例 78 Au (PPh ) (7QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真 空度で、 TPDからなるホール輸送層(3)を膜厚 40nm、 mCP中に Au(PPh ) (7QE
3
)錯体を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30nm、 TAZからなるホールブロック層(5) を 30nm、電極(6)としてアルミニウム (A1)を 100nm、順次真空蒸着させてエレクト口 ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 +8V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 1 9Vにおいて 65cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 12Vにおける 0. 20cdZAであった。
また同素子の発光スペクトルを実施例 51と同様にして測定した。この素子の発光ス ベクトルは 400nm付近にピークを有しており、 CIE色度座標値を求めると(0. 16, 0 . 12)であった。
[0364] 実施例 79 Au (PPh ) (7QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製 (2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 78と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 11V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 21Vにおいて 42cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 16Vにおける 0 . 17cdZAであった。
[0365] 実施例 80 Au (PPh ) (4QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真
空度で、 TPDからなるホール輸送層(3)を膜厚 40nm、 mCP中に Au(PPh ) (4QE
3
)錯体を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30nm、 TAZからなるホールブロック層(5) を 30nm、電極(6)としてアルミニウム (A1)を 100nm、順次真空蒸着させてエレクト口 ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 9V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 2 IVにおいて 44cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 13Vにおける 0. 21cdZAであった。
[0366] 実施例 81 Au (PPh ) (4QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製 (2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 80と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 10V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 24Vにおいて 33cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 15Vにおける 0 . 17cdZAであった。
[0367] 実施例 82 Au[P (i— Pr) ] (8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッ
3
センス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真 空度で、 TPDからなるホール輸送層(3)を膜厚 40nm、 CBP中に Au[P (i—Pr) ] (
3
8QE)錯体を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30nm、 TAZからなるホールブロック層 (5)を 30nm、電極(6)としてアルミニウム (A1)を 100nm、順次真空蒸着させてエレ タトロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 10V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 23Vにお!/、て 56cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 14Vにおける 0 . 15cdZAであった。
[0368] 実施例 83 Au[P (i— Pr) ] (8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッ
センス素子の作製(2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 82と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 25Vにおいて 34cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 19Vにおける 0 . 099cdZAであった。
[0369] 実施例 84 Au (PCy ) (8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真 空度で、 TPDからなるホール輸送層(3)を膜厚 40nm、 CBP中に Au(PCy ) (8QE
3
)錯体を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30nm、 TAZからなるホールブロック層(5) を 30nm、電極(6)としてアルミニウム (A1)を 100nm、順次真空蒸着させてエレクト口 ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 +8V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 2 2Vにお!/、て 68cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 1 IVにおける 0. 14cdZAであった。
[0370] 実施例 85 Au (PCy ) (8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセン
3
ス素子の作製 (2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 84と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 10V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 21Vにおいて 50cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 18Vにおける 0 . 20cdZAであった。
[0371] 実施例 86 Au (P (Mes) ) (8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッ
3
センス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に 2 Χ 10_3Pa以下の真 空度で、 TPDからなるホール輸送層(3)を膜厚 40nm、 CBP中に Au(P (Mes) ) (8
3
QE)錯体を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30nm、 TAZからなるホールブロック層( 5)を 30nm、電極(6)としてアルミニウム (A1)を 100nm、順次真空蒸着させてエレク トロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 10V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 21Vにおいて 61cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 14Vにおける 0 . 12cdZAであった。
[0372] 実施例 87 Au (P (Mes) ) (8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッ
3
センス素子の作製(2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 86と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 10V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 23Vにおいて 52cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 16Vにおける 0 . 16cdZAであった。
[0373] 実施例 88 Au (P (p— MeOC H ) ) ] (8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレク
6 4 3
トロルミネッセンス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真 空度で、 TPDからなるホール輸送層(3)を膜厚 40nm、 CBP中に Au(P (p— MeOC H ) ) ] (8QE)錯体を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30nm、TAZ力もなるホール
6 4 3
ブロック層 (5)を 30nm、電極 (6)としてアルミニウム (A1)を 100nm、順次真空蒸着さ せてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 9V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 2 2Vにおいて 68cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 14Vにおける 0. 18cdZAであった。
[0374] 実施例 89 Au (P (p— MeOC H ) ) ] (8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレク
6 4 3
トロルミネッセンス素子の作製(2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 88と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 24Vにおいて 39cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 17Vにおける 0 . 17cdZAであった。
[0375] 実施例 90 Au (P (o— Tol) ) (8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真 空度で、 TPDからなるホール輸送層(3)を膜厚 40nm、 CBP中に Au(P (o—Tol) )
3
(8QE)錯体を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30nm、 TAZからなるホールブロック 層(5)を 30nm、電極(6)としてアルミニウム (A1)を 100nm、順次真空蒸着させてェ レクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 9V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 2 3Vにおいて 108cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 14Vにおける 0 . 31cdZAであった。
[0376] 実施例 91 Au (P (o— Tol) ) (8QE)錯体を有機発光層に含む有機エレクトロルミネ
3
ッセンス素子の作製(2)
ホールブロック層(5)と電極(6)の間に、 Alqからなる電子輸送層 (7)を 30nm、真 空蒸着した以外は実施例 90と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 24Vにおいて 38cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 18Vにおける 0 . 15cdZAであった。
[0377] 実施例 92 Pt (dmpe) (8QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス素
子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を 使用して、同基板上に 2 Χ 10_3Pa以下の真空度で、 TPD力もなるホール輸送層(3) を膜厚 40nm、 CBP中に Pt (dmpe) (8QE) を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 20η
2
m、 TAZからなるホールブロック層(5)を 20nm、電極(6)としてアルミニウム(A1)を 膜厚 100nm、順次真空蒸着させて図 1に示すエレクト口ルミネッセンス素子を作製し た。
[0378] なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれたアルミナ製坩堝に原料を仕込み、坩 堝ごと原料をタングステンフィラメントを用いて加熱することによって行った。このとき 坩堝に接触させた熱電対によって坩堝の温度を測定し、 Pt (dmpe) (8QE) を仕込
2 んだ坩堝の温度は、 280°Cを超えな 、範囲に制御した。
[0379] 前記素子の ITO電極 (2)を正極、 A1電極(6)を負極として通電し電極間電圧を上 げていくと、 + 16V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の青白色の発光を開 始し、 + 21Vにおいて 8cdZm2で発光した。このとき発光に係る電流効率を前記の 式で求めたところ 0. 09cdZAであった。
[0380] 実施例 93 Pt (dmpe) (8QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス素
2
子の作製
発光層(4)の膜厚を 30nm、ホールブロック層(5)の膜厚を 30nmとした以外は実 施例 92と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の青白色発光を開始し、 + 2 0Vにおいて 33cdZm2で発光した。このとき電流効率は 0. 37cdZAであった。
[0381] 実施例 94 Pt (dmpe) (8QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス素
2
子の作製
ホールブロック層(5)と A1電極(6)の間に Alqからなる電子輸送層(7)を膜厚 30nm で挿入した以外は実施例 93と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 ( 図 2参照)
前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く
と、 + 16V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の青白色発光を開始し、 + 3 2Vにおいて 203cdZm2で発光した。このとき電流効率は 6. 3cdZAであった。
[0382] 実施例 95 Pt (dppe) (8QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス素
2
子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を 使用して、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真空度で、 TPD力もなるホール輸送層(3) を膜厚 40nm、 CBP中に Pt (dppe) (8QE) を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30nm
2
、 TAZからなるホールブロック層(5)を 30nm、電極(6)としてアルミニウム(A1)を膜 厚 100nm、順次真空蒸着させてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。(図 2参照 )
前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 20V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の青白色発光を開始し、 + 2 5Vにおいて 14cdZm2で発光した。このとき電流効率は 0. 34cdZAであった。
[0383] 実施例 96 Pt (dppe) (8QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス素
2
子の作製
ホールブロック層(5)と A1電極(6)の間に Alqからなる電子輸送層(7)を膜厚 30nm で挿入した以外は実施例 95と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 24V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の青白色発光を開始し、 + 3 IVにおいて 36cdZm2で発光した。このとき電流効率は 0. lcdZAであった。
[0384] 実施例 97 Pt (dmpe) (7QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス素
2
子の作製
CBP中に Pt (dmpe) (7QE) を 10重量%含む発光層(4)を用いた以外は実施例
2
93と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 11V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の白色発光を開始し、 + 22V において 5. 4cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 14Vにおける 0. 0 7cdZAであった。
[0385] 実施例 98 Pt (dmpe) (7QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス素
2
子の作製
ホールブロック層(5)と A1電極(6)の間に Alqからなる電子輸送層(7)を膜厚 30nm で挿入した以外は実施例 97と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 16V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の発光を開始し、 + 27Vにお いて 22cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 20Vにおける 0. 16cd/ Aであった。
[0386] 実施例 99 Pt (dmpe) (6QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス素
2
子の作製
CBP中に Pt (dmpe) (6QE) を 9重量%含む発光層(4)を用いた以外は実施例 9
2
3と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の白色発光を開始し、 + 27V において lOcdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 14Vにおける 0. 07 cdZAであった。
[0387] 実施例 100 Pt (dmpe) (6QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス
2
素子の作製
ホールブロック層(5)と A1電極(6)の間に Alqからなる電子輸送層(7)を膜厚 30nm で挿入した以外は実施例 98と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 19V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の白色発光を開始し、 + 30V において 28cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 22Vにおける 0. 13 cdZAであった。
[0388] 実施例 101 Pt (dmpe) (5QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス
2
素子の作製
CBP中に Pt (dmpe) (5QE) を 9重量%含む発光層(4)を用いた以外は実施例 9
2
2と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 10V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の青白色発光を開始し、 + 2 IVにおいて 92cdZm2で発光した。このとき電流効率は 0. 09cdZAであった。
[0389] 実施例 102 Pt (dmpe) (5QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス
2
素子の作製
発光層(4)の膜厚を 30nm、ホールブロック層(5)の膜厚を 30nmとした以外は実 施例 100と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の青白色発光を開始し、 + 2 4Vにおいて 66cdZm2で発光した。このとき電流効率は 0. 71cdZAを示した。
[0390] 実施例 103 Pt (dmpe) (5QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス
2
素子の作製
ホールブロック層(5)と A1電極(6)の間に Alqからなる電子輸送層(7)を膜厚 30nm で挿入した以外は実施例 102と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 16V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の青白色発光を開始し、 + 2 9Vにおいて 51cdZm2で発光した。このとき電流効率は 0. 59cdZAであった。
[0391] 実施例 104 Pt (dmpe) (4QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス
2
素子の作製
CBP中に Pt (dmpe) (4QE) を 9重量%含む発光層(4)を用いた以外は実施例 9
2
3と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 10V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の白色発光を開始し、 + 18V において 57cdZm2で発光した。この時の最大電流効率は 0. 075cdZAであった。
[0392] 実施例 105 Pt (dmpe) (4QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス
2
素子の作製
ホールブロック層(5)と A1電極(6)の間に Alqからなる電子輸送層(7)を膜厚 30nm で挿入した以外は実施例 93と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 14V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の白色発光を開始し、 + 25V において 22cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 19Vにおける 0. 21 cdZAであった。
[0393] 実施例 106 Pt (dmpe) (3QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス
2
素子の作製
CBP中に Pt (dmpe) (3QE) を 9重量%含む発光層(4)を用いた以外は実施例 9
2
3と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 13V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の白色発光を開始し、 + 23V において 14cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 14Vにおける 0. 14 cdZAであった。
[0394] 実施例 107 Pt (dmpe) (3QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス
2
素子の作製
ホールブロック層(5)と A1電極(6)の間に Alqからなる電子輸送層(7)を膜厚 30nm で挿入した以外は実施例 106と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 19V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の白色発光を開始し、 + 30V において 38cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 21Vにおける 0. 16 cdZAであった。
[0395] 実施例 108 Pt (dmpe) (2QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス
2
素子の作製
CBP中に Pt (dmpe) (2QE) を 9重量%含む発光層(4)を用いた以外は実施例 9
2
3と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 12V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の白色発光を開始し、 + 22V において 9cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 17Vにおける 0. 11c dZAであった。
[0396] 実施例 109 Pt (dmpe) (2QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス
2
素子の作製
ホールブロック層(5)と A1電極(6)の間に Alqからなる電子輸送層(7)を膜厚 30nm で挿入した以外は実施例 108と同様にしてエレクト口ルミネッセンス素子を作製した。 前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 19V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の白色発光を開始し、 + 26V において 22cdZm2で発光した。この素子の最大電流効率は + 21Vにおける 0. 13 cdZAであった。
[0397] 実施例 110 Pt (dmpe) (8QE) を有機発光層に含む有機エレクト口ルミネッセンス
2
素子の作製
ITO被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を 使用して、同基板上に 2 X 10_3Pa以下の真空度で、 TPD力もなるホール輸送層(3) を膜厚 40nm、 CBP中に Pt (dmpe) (8QE) を 9重量%含む発光層(4)を膜厚 30η
2
m、 TAZからなるホールブロック層(5)を 30nm、 Alqからなる電子輸送層 (7)を膜厚 30nm、電極(6)としてアルミニウム (A1)を膜厚 100nm、順次真空蒸着させてエレク トロルミネッセンス素子を作製した。
前記素子の ITO電極を正極、 A1電極を負極として通電し電極間電圧を上げて!/、く と、 + 16V付近から素子は肉眼ではっきりと分力る程度の青色発光を開始し、 + 32V において 203cdZm2で発光した。このとき電流効率は 6. 3cdZAであった。
産業上の利用可能性
[0398] 本発明は、有機エレクト口ルミネッセンス素子用の青色又は白色発光材料に有用な 上記式(1)で示されるェチュル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体及び同錯体 を有機化合物薄層の内、少なくとも 1つに含む有機エレクト口ルミネッセンス素子を提 供することができる。この有機エレクト口ルミネッセンス素子は電圧印加により青色又 は白色の発光を示す。
本発明によれば、また、副生成物を殆ど生成することなぐ収率良く上記式(1)で示 されるェチニル基置換縮合へテロ環化合物重金属錯体を製造する方法を提供する ことができる。
本発明は、更に、有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料の原料として有用である ェチュル基置換縮合へテロ環化合物 (上記式 (2) )を収率良く製造する方法を提供 すると共に、有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料の原料として有用な新規のェチ -ル基置換縮合へテロ環化合物 (上記式 (4) )を提供することができる。