WO2004107263A1

WO2004107263A1 - 半導体装置およびその製造方法

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Publication number: WO2004107263A1
Application number: PCT/JP2003/006829
Authority: WO
Inventors: Hiroaki Tanaka; Kazuhiro Terada; Hiroyuki Ono; Kazunari Suzuki
Original assignee: Renesas Technology Corp.
Priority date: 2003-05-30
Filing date: 2003-05-30
Publication date: 2004-12-09
Also published as: JP4471926B2; AU2003241968A1; JPWO2004107263A1

Abstract

　コンデンサＣとアンテナ用のコイルとの並列共振回路を非接触型インターフェイスとして持つＩＣカードにおいて、上記コンデンサＣを、チップ型のセラミックコンデンサで構成するとともに、ＩＣチップ３が搭載された配線基板５上に半田接合する。配線基板５には、上記コンデンサＣと接続されたアンテナ接続端子が設けられており、配線基板５をＩＣカードを構成するカード本体に組み込むと、配線基板５のアンテナ接続端子がカード本体に形成された上記コイルと接続される構成になっている。

Description

明細書半導体装置およびその製造方法技術分野

本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、 I C (Integrated circuit) 力一ドに適用して有効な技術に関するものである。背景技術

I C力一ドは、平面矩形状の薄板（力一ド本体）に I Cチップが内蔵された力

—ド型の半導体装置であり、通信方式で分類すると、例えば接触型と、非接触型と、接触/非接触型とがある。接触型 I Cカードは、カード本体の表面に露出された接続端子を通じて電力の供給や信号のやりとりが可能な I C力一ドである。接触型 I Cカードの I Cチップは上記接続端子を有する配線基板の裏側に搭載された状態でカード本体に内蔵されている。上記非接^!型 I C力一ドは、力一ド本体に内蔵されたアンテナを通じて電磁波（無線）での電力の供給や信号のやりとりが可能な I Cカードである。上記接触/非接触型 I Cカードは、上記接触型と非接触型とを組み合わせた力一ドであり、接触および非接触それそれ別々の I Cチップを 1枚のカード本体に内蔵したものや 1つの I Cチップで接触および非接触両方のィン夕一フェイスを持つもの等がある。上記接触/非接触型 I C力

—ドの一例として、上記接続端子裏面に設けられた基板の部品実装面に、接続端子程度のサイズのアンテナと、 I Cチップと、アンテナに並列に接続されたコンデンサとが実装された構成を持つ I Cカード構造が開示されている（例えば特開 2002-207982号公報参照）。また、他の一例として、 I Cモジュール基板の部品搭載面に搭載された I Cチップを封止する封止樹脂に、上記部品搭載面に形成されたアンテナ接続端子が露出されるような部分開口部が設けられており、そのアンテナ接続端子の露出部分にアンテナ用の送受信コイルが接続された構成を持つ I Cカード構造が開示されている（例えば特開 2003-6769 5号公報参照）。ところが、 I cカードのようなカード型の半導体装置においては、その通信特性を如何にして向上させるかが重要な課題の 1つとなっている。

本発明の目的は、カード型の半導体装置の通信特性を向上させることのできる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。発明の開示

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

すなわち、本発明は、集積回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップを搭載する配線基板と、前記配線基板の配線を通じて前記半導体チップに電気的に接続された非接触型ィン夕一フェイスとをカード本体内に備え、前記非接触型イン夕一フェイスは、アンテナとしての機能を有するコイルと、前記コイルに並列に接続されて共振回路を形成するコンデンサとを有し、前記コンデンサは、前記配線基板に半田により接続されている構成を有するものである。図面の簡単な説明

図 1は本発明の一実施の形態である半導体装置の一例の全体平面図である。図 2は図 1の X 1— X 1線の要部拡大断面図である。

図 3は図 1の半導体装置から主要部を取り外して示した全体平面図である。図 4は図 3の X 1—X 1線の要部拡大断面図である。

図 5は図 1の半導体装置の主要部のコン夕クト面の一例の全体平面図である ο

図 6は図 1の半導体装置の主要部のモールド面の一例の全体平面図である。図 7は図 6の封止部を取り除いたモールド面の一例の全体平面図である。図 8は図 6および図 7の Y 1—Y 1線の断面図である。

図 9は図 7の X 2— X 2線の断面図である。

図 1 0は図 1の半導体装置の非接触型ィン夕一フヱイスを構成するコンデンサとコイルとの接続関係を示す回路図である。

図 1 1は図 6の半導体装置のコンデンサの一例の要部（図 7の X 3— X 3線の）拡大断面図である。

図 1 2は図 7から半導体装置の半導体チヅプおよびコンデンサを取り除いて示したモールド面の全体平面図である。

図 1 3は図 1の半導体装置の主要部におけるアンテナ接続端子の配置の様子と、そのアンテナ接続端子とコイルとの接続関係の様子とを示す説明図である。

図 1 4は本発明者が検討したアンテナ接続端子の他の配置の様子を比較のために示した説明図である。

図 1 5は図 1の半導体装置の製造工程の一例のフロー図である。

図 1 6は図 1の半導体装置の製造工程で用いる配線基板母体の一例の要部拡大平面図である。

図 1 7は図 1 6の配線基板母体のコンタクト面の一例の要部拡大平面図である。

図 1 8は図 1 6の配線基板母体のモールド面の一例の要部拡大平面図である。

図 1 9は図 1の半導体装置のコンデンサ搭載工程で用いる組立装置の一例の説明図である。

図 2 0は図 1の半導体装置の製造工程中の配線基板母体の要部拡大平面図である。

図 2 1は図 1の半導体装置の半導体チップ搭載工程で用いる組立装置の一例の説明図である。

図 2 2は図 1の半導体装置のワイヤボンディング工程後の配線基板母体の要部拡大平面図である。

図 2 3は図 1の半導体装置のモールドエ程後の配線基板母体の要部拡大平面図である。

図 2 4は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の配線基板のモールド面の一例の平面図である。

図 2 5は図 2 4にコンデンサを搭載した後の配線基板のモールド面の平面図である。

図 2 6は本発明のさらに他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の配線基板のモールド面の一例の平面図である。

図 2 7は図 2 6にコンデンサを搭載した後の配線基板のモールド面の平面図である。

図 2 8は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の配線基板のチップ搭載前のモールド面の一例の平面図である。

図 2 9は図 2 8に半導体チップおよび内部コンデンサを搭載した後の配線基板のモールド面の一例の平面図である。

図 3 0は図 2 9に封止部を形成した後の配線基板のモールド面の一例の平面図である。

図 3 1は図 3 0に外部コンデンサを搭載した後の配線基板のモールド面の一例の平面図である。

図 3 2は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の配線基板に 1つのコンデンサを搭載した後のモールド面の一例の全体平面図である。

図 3 3は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の配線基板に 2つのコンデンサを搭載した後のモールド面の一例の全体平面図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

(実施の形態 1 )

本実施の形態 1の半導体装置は、例えばクレジット力一ド、キャッシュ力一ド、 E T C (Electronic Toll Collection system) システム用カード、定期券、公衆電話用カード、携帯電話用カードまたは認証カード等、金融、交通、通信、流通および認証等のさまざまな分野で使用が進められている I C ( Integrated circuit) カードである。

図 1は本実施の形態 1の I Cカード 1の全体平面図の一例を示している。また、図 2は図 1の X 1—X 1線の要部拡大断面図を示している。さらに、図 3は図 1 の I Cカード 1から I Cモジュール 2を取り外して示した全体平面図を示し、図 4は図 3の X 1一 X 1線の要部拡大断面図を示している。

本実施の形態 1の I Cカード 1は、例えば接触型と非接触型とを一体化した夕イブのもので、その外形は名刺サイズ（9 1 mm X 5 5 mm) よりも若干小さな矩形平面を持つ薄板状とされている。 I c力一ド 1の外形寸法は、例えば、縦（長手方向寸法） X横（短方向寸法）が 8 5 . 6 mmx 5 4 mm、厚さが 0 . 7 6 m mである。

この I Cカード 1の I Cモジュール 2は、 I Cチップ（半導体チヅプ） 3を有する主要回路部であり、 I Cモジュール 2の複数のモジュール端子 4を外部に露出させた状態で、かつ、上記 I Cチップ 3等を搭載する配線基板 5および I Cチップ 3等を封止する封止部 6 aをカード本体 7の階段状の凹部 7 aに嵌め合わせたような状態でカード本体 7にしつかりと固定されている。

上記配線基板 5の I Cチップ 3の搭載面には、 2つのアンテナ接続端子 8 aが形成されている。このアンテナ接続端子 8 aは、アンテナ用のコイル Lの両端の接続端子 L tと銀（A g) 入りべ一スト等のような導電性接着材 1 0を介して接合され電気的に接続されている。上記アンテナ用のコイル Lは、カード本体 7の外周に沿うようにループ状に形成されている（図 3の破線参照）。このようにコィル Lをカード本体 7に設けることにより、コイル Lのループを大きくとることができるので、アンテナの利得を向上させることができ、また、 I Cカード 1と外部の送受信部（リーダライ夕）との無線信号やり取りの範囲（指向性）を広げることができる。このため、 I Cカード 1を外部の送受信部からある程度離しても無線信号のやり取りが可能となる。このコイル Lのほとんどはカード本体 7内に埋め込まれているが、コイル Lの両端の接続端子 L tの一面は、配線基板 5との接続をとるため、カード本体 7の凹部 7 aの段差部に露出されている。

上記カード本体 7は、例えばポリ塩ィ匕ビニール樹脂、ポリオレフイン（ポリプロビレン等）、ポリエチレンテレフ夕レート（poly ethylene terephthalate： P E T ) またはポリエチレンテレフ夕レート ·グリコール（P E T— G) 等のようなプラスチックからなる。このような比較的安価なプラスチックを用いることにより、 I Cカード 1のコストを低減することができる。また、ポリプロピレン、 P E Tまたは P E T— Gは燃やしても有害物質が発生しないので、これらを力一ド本体 7の材料とすることにより環境への負荷を軽減できる。さらに P E T— G は非結晶質で P E Tよりも柔らかいので、 P E T— Gを力一ド本体 2の材料とすることにより、エンボス加工等のような加工を容易にすることができる。

次に、上記 I Cモジュール 2の構造を図 5〜図 1 3により詳細に説明する。図 5は I Cモジュール 2の配線基板 5のコンタクト面（第 2面）の一例を示している。配線基板 5の基板本体は、例えばガラスエポキシ系の樹脂からなり、そのコンタクト面には、例えば 8個のモジュール端子 4 ( 4 a〜4 h) が互いに近接された状態で配置されている。モジュール端子 4は、例えば銅（C u)等のような金属箔の露出表面に金（Au) メツキ等が施されてなり、外部の送受信装置 (リーダライ夕) の接続端子が直接接続されて、その送受信装置と I Cモジユール 2内の回路とを電気的に接続する接触型イン夕一フェイス部分である。特に限定されるものではないが、各モジュール端子 4 a〜4 hの信号等の割り当ては、例えば次のとおりである。図 5の左側上部のモジュール端子 4 aは、例えぱ高電位側の電源電圧の供給用端子である。その下のモジュール端子 4 bは、例えばリセット信号用の端子である。その下のモジュール端子 4 cは、クロック信号用の端子である。中央の相対的に大きなモジュール端子 4 eは、例えば上記高電位側の電源電圧よりも低い低電位側の電源電圧（例えば接地電圧）の供給用端子である。モジュール端子 4 gは、例えばデ一夕入出力信号用の端子である。これら以外のモジュール端子 4 d , 4 f , 4 hは、将来的に利用可能であるが現状は割り当ての無いノンコネクト端子である。

図 6は I Cモジュール 2の配線基板 5のモールド面（第 1面）の一例を示している。このモールド面は、上記コンタクト面の反対側の面である。配線基板 5のモールド面の中央には、上記封止部 · 6 aが設けられている。この封止部 6 aは、例えばエポキシ系の樹脂からなり、例えば平面矩形状に形成されている。図 6で封止部 6 aの左右には、上記アンテナ接続端子 8 aおよび配線 8 b , 8 cが露出した状態で配置されている。各アンテナ接続端子 8 aからこれに近接する封止部 6 aの側面（外周）までの距離は、例えば 0 . 1 mmまたはそれよりも長くなるように設計されている。これにより、封止部 6 aの形成工程（モ一ルド工程）により封止部 6 aの外周部にレジンばりが生じてもレジンばりがアンテナ接続端子 8 aに被さらないようにすることができる。このため、アンテナ接続)^子 8 a と上記アンテナ用のコイル Lとの接触不良を低減または防止できるので、 I C力 —ド 1の歩留まりを向上させることができる。また、アンテナ接続端子 8 aと上記アンテナ用のコイル Lとの接触抵抗の増大を抑制または防止できるので、 I C カード 1の非接触通信時の通信特性を向上させることができる。このアンテナ接続端子 8 aおよび配線 8 b , 8 cは、例えば銅等のような金属箔の露出表面に金メツキが施されてなり、一体的にパターン形成されている。なお、配線 8 cは、アンテナ接続端子 8 aおよび配線 8 bの露出表面に電解メツキ処理により金メッキを施す時の通電用引出配線の一部分である。

図 7は図 6の封止部 6 aを取り除いたモールド面の一例を示している。また、図 8は上記図 6および図 7の Y 1—Y 1線の断面図を示している。さらに、図 9 は上記図 7の X 2— X 2線の断面図を示している。なお、図 7では封止部 6 aを破線で示している。この破線の領域内は封止部 6 aで封止されている。

配線基板 5のモールド面の中央には、上記 I Cチップ 3がその主面（デバイス形成面）を上に向けた状態で搭載されている。 I Cチヅプ 3は、例えばシリコン ( S i ) 単結晶等からなる半導体基板を有してなり、その主面には、例えば中央演算処理装置、 R O M (Read Only Memory)、 R AM (Random Access Memory)、 E E P R O M (Electrically Erasable Programmable ROM) およびその他の演算回路等のような集積回路と、その集積回路の電極を引き出す複数のボンディングパヅド 1 2が形成されている。上記 R OMには、例えば実行プログラムや暗号ァルゴリズム等が格納されている。上記 R AMは、例えばデ一夕処理用のメモリとしての機能を有している。また、上記 E E P R O Mは、データ格納用のメモリとしての機能を有している。

図 7において I Cチヅプ 3の左右には、配線基板 5の上下面を貫通する複数のボンディングホール 1 3が図 7の上下方向に沿って所定の間隔毎に並んで配置されている。各ボンディングホール 1 3からは上記モジュール端子 4の裏面の一部が露出されており、その露出面には金メッキが施されている。そのボンディングホール 1 3から露出するモジュール端子 4には、例えば金（Au)細線等からなるボンディングワイヤ 1 4の一端が接合されている。そのボンディングワイヤ 1 4の他端は、上記 I Cチップ 3のボンディングパド 1 2と接合されている。これにより、 I Cチップ 3の所定のボンディングパヅド 1 2は、モジュール端子 4と電気的に接続されている。

また、図 7においてボンディングホール 1 3の列のさらに外側には、上記アンテナ接続端子 8 aが配置されている。各々のアンテナ接続端子 8 aと一体的に形成された各々の配線 8 bは、封止部 6 aの領域内において、上記ボンディングホ —ル 1 3の列を横切り配線基板 5の中央に向かって延在されている。各々の配線 8 bの延在途中の位置（ボンディングホール 1 3の列の位置）には幅広部 8 dが配線 8 bと一体的に形成されている。その幅広部 8 dには、ボンディングワイヤ 1 4の一端が接合されている。そのボンディングワイヤ 1 4の他 ¾ ^は、上記 I C チップ 3のボンディングパヅド 1 2と接合されている。これにより、 I Cチップ 3の所定のボンディングパッド 1 2は、配線 8 bと電気的に接続されている。上記各々の配線 8 bの端部は、互いに近接した位置まで延在し終端されている。その各々の配線 8 bの終端部には、幅広の接続端子 8 eが配線 8 bと一体的に形成されている。左右の配線 8 bおよび接続端子 8 eは左右対称に形成されている。そして、その各々の接続端子 8 e間には、その各々の接続端子 8 eを橋渡すようにコンデンサ Cが電気的に接続されている。図 1 0はそのコンデンサ Cと、上記アンテナ用のコイル Lとの接続関係を示している。コンデンサ Cは、コイル Lに対して並列に接続されている。このコイル Lとコンデンサ Cとで並列共振回路が形成されている。この並列共振回路は、 I Cカード 1の非接触型イン夕一フェイスを形成する回路部であり、この共振回路を設けることにより I Cカード 1の通信特性を向上させることができる。例えば I Cカード 1の無線通信が可能な距離を大きくすることができ、また、 I Cカード 1の無線通信の信頼性を向上させることができる。この共振回路の共振周波数（すなわち、通信周波数）は、例えば 1 3 . 5 6 MH zとされている。また、通信距離は、例えば 0〜7 0 c m程度でめる。

また、図 1 1は上記コンデンサ Cの要部拡大断面図（図 7の X 3— X 3線の断面図）の一例を示している。コンデンサ Cとしては、例えばチップ型の積層セラミックコンデンサが使用されている。すなわち、このコンデンサ Cは、コンデンサ Cの一方の接続端子 1 6 aに電気的に接続された複数層の電極 1 7 aと、コンデンサ Cの他方の接続端子 1 6 bに電気的に接続された複数層の電極 1 7 とが、各々の電極 1 7 a , 1 7 b間にセラミック誘電体 1 8が介在された状態で、コンデンサ Cの厚さ方向に交互に積み重ねられた構成を有している。ただし、 I Cカード 1では、封止部 6 aの高さに制約があるため汎用のチヅプ型の積層セラミヅクコンデンサではなく、比較的薄いチップ型の積層セラミックコンデンサが使用されている。コンデンサ Cの厚さは、例えば 2 5 0 / m程度である。

このようにコンデンサ Cをセラミックコンデンサとすることにより、例えば次の効果を得ることができる。

第 1に上記共振回路の共振周波数の精度を向上させることができる。すなわち、コンデンサ Cとコイル Lとで形成される共振回路の共振周波数 f は、 f = 1ノ ( 2 7Γ ( L C ) ^1/2 ) で表すことができるので、コンデンサ Cの容量値は正確であることが好ましい。コンデンサ Cをシート状のコンデンサで形成することもできるが、その場合、容量値がバラヅキ、共振周波数のピーク位置がずれてしまう場合が生じる。これに対して、セラミックコンデンサは、浮遊容量等が少なく容量値の精度が高いことやセラミックと金属とで構成されているので高温および低温環境下でも劣化が少なく極めて安定的であること等から、コンデンサ Cをセラミックコンデンサで形成することにより、理論値に近い回路設計（共振回路の設計）が可能となる。

第 2に I Cカード 1の製造工程を容易にすることができる。すなわち、上記コンデンサ Cをシート状のコンデンサで形成する場合、容量値のバラヅキが大きくトリミングの必要が生じる場合がある。これに対して、セラミックコンデンサでは容量値の精度が高くトリミングの必要もないので、コンデンサ Cをセラミックコンデンサで形成することにより、 I Cカード 1の製造を容易にすることができ、 I Cカード 1の製造時間の短縮、コストの低減が可能となる。

また、本実施の形態 1では、コンデンサ Cの接続端子 1 6 a , 1 6 bが半田 2 0により配線基板 5の接続端子 8 eと接合され電気的に接続されている。非接触型の I cカードでは基本的に配線基板が不要で共振回路用のコンデンサを設ける場合は耐熱性の低い力一ド本体に直接取り付ける（力一ド本体内に設けられたアンテナ用のコイルと直接接続する）ので、あまり高温の熱処理を行えず、共振回路用のコンデンサとアンテナ用のコイルとの接続材料は導電性樹脂ペースト等のような比較的低温での接続が可能な材料が一般的に用いられている。しかし、導電性樹脂ペーストを用いた場合、共振回路用のコンデンサとアンテナ用のコィルとの接触抵抗が増大するため、共振回路に損失が生じる結果、 Q (Quality factor：共振回路の共振の鋭さを表す量で、共振周波数の周りの帯域幅を与える量）値が低下し、すなわち、アンテナの感度が低下し、 I Cカードの通信特性が低下してしまう問題があることを本発明者が初めて見出した。これに対して、本実施の形態 1では、比較的耐熱性の高いガラスエポキシ系樹脂からなる配線基板 5のモ一ルド面にコンデンサ Cを搭載するので、コンデンサ Cを高温熱処理の伴う半田 2 0により接続することができる。コンデンサ Cを半田 2 0でコイル Lに接続した場合、上記導電性樹脂べ一ストに比べて、コンデンサ Cとコイル Lとの間の抵抗を小さくすることができるので、共振回路の損失を低減できる。この結果、共振回路の Q値を向上させることができ、アンテナの感度を向上させることができる。このように本実施の形態 1によれば、コンデンサ Cとしてセラミックコンデンサを用い、そのコンデンサ Cを半田 2 0により接続することにより、 I C力一ド 1の通信特性をより向上させることができる。このため、例えば I C力 —ド 1の無線通信が可能な距離をより大きくでき、また、 I C力一ド 1の無線通信の信頼性をより向上させることができる。

上記半田 2 0の材料は、封止部 6 aの形成工程（モールド工程）時の温度（例えば 1 8 0度）よりも高い融点を持つ材料が選択されている。これは本実施の形態 1では、コンデンサ Cを封止部 6 aで封止するので、そのモールド工程時に半田 2 0が溶融してしまわないようにするためである。具体的な半田 2 0の材料としては、例えば鉛（P b ) —錫（S n) 半田の他、錫—銀（A g) 系、錫—銀— 銅系、錫—銀一銅—ビスマス（B i ) 系、錫—ビスマス系、錫—銅系または錫一亜鉛（Z n) 系等のような、いわゆる鉛フリー半田を用いることができる。上記鉛フリー系の半田を用いることにより環境への負荷を軽減できる。また、本実施の形態 1では、上記のようなコンデンサ Cが、上記 I Cチヅプ 3 やボンディングワイヤ 1 4等と同様に上記封止部 6 aにより封止されている。このように本実施の形態 1では、コンデンサ Cを封止部 6 aで封止したことにより、コンデンサ Cとその半田接続部とを外部から守ることができるので、例えば耐候性および耐湿性を向上させることができる他、 I Cカード 1の折り曲げ等に起因する半田接続部の機械的疲労に対する耐性を向上させることができるので、コンデンサ Cの剥離等を抑制または防止できる。したがって、 I Cカード 1の寿命を向上させることが可能となる。

次に、図 1 2は上記図 7から I Cチップ 3およびコンデンサ Cを取り除いて示したモールド面の全体平面図を示している。また、図 1 3は本実施の形態 1の I Cモジュール 2のアンテナ接続端子 8 aの配置の様子と、そのアンテナ接続端子 8 aとコイル Lとの接続関係の様子とを示している。また、図 1 4は本発明者が検討したアンテナ接続端子 8 aの他の配置の様子を比較のために示している。本実施の形態 1では、図 1 2および図 1 3等に示すように、 2つのアンテナ接続端子 8 aが、 I Cチップ 3の同じ辺側に配置されておらず、 I Cチップ 3の異なる辺側に配置されている。ここでは、 2つのアンテナ接続端子 8 aが、 I Cチヅプ 3を挟んでその左右の両側に、 I Cチップ 3を中心として左右対称となるように、すなわち、互いに反対の関係になるように配置されている。仮に図 1 4に示すように、 2つのアンテナ接続端子 8 aを I Cチップ 3の同じ辺側に配置した場合、 2つのアンテナ接続端子 8 aの隣接間や 2つのアンテナ接続端子 8 aから I Cチップ 3側に延在する各々の配線 8 bの隣接間あるいはアンテナ用のコィル Lを形成する配線の隣接間に浮遊容量 C sが形成される結果、共振回路を形成するコンデンサの容量値が設計値と異なってしまう。これに対して、本実施の形態 1では、上記のようにアンテナ接続端子 8 aを I Cチップ 3の異なる辺側に配置して各々を離間させたことにより、上記のような浮遊容量 C sを形成され難くすることができるので、上記共振回路のコンデンサ Cの容量値を設計値に近い値にすることができる。また、コイル Lを接続するアンテナ接続端子 8 a、コンデンサ Cを搭載する接続端子 8 e、ボンディングホール 1 3の各々の配置マ一ジンを増やすことができるので、その各々の配置設計を容易にすることができる。次に、本実施の形態 1の I Cカード 1の製造方法の一例を図 1 5の工程図に沿つて図 1 6〜図 2 3により説明する。

まず、上記コンデンサ C、上記 I Cチップ 3および配線基板母体を用意する（図 1 5の工程 C P、 C H P、 M C B P ) 。コンデンサ Cおよび I Cチヅプ 3は、周知の製造工程で量産可能である。配線基板母体は上記配線基板 5の母体である。図 1 6はその配線基板母体 5 Mの要部平面図の一例を示している。配線基板母体 5 Mは、例えばテープ状の薄いガラスエポキシ系樹脂からなる。配線基板母体 5 Mの短方向両端の近傍には、配線基板母体 5 Mの長手方向に沿って複数のスプロケヅトホール 2 2が規則的に配置されている。スプロケヅトホール 2 2は、テ一プ状の配線基板母体 5 Mをテープ送りするための送り孔である。このスプロケヅトホール 2 2に、組立装置側のスプロケットロ一ラの送り爪が嵌め合わされた状態で、スプロケットロ一ラが回転することでテープ状の配線基板母体 5 Mの送り動作が位置合わせ良く行われる。また、配線基板母体 5 Mの中央には、その長手方向に沿って複数の単位領域 URが 2列になって配置されている。各単位領域 U Rは 1つの I Cモジュール 2の配線基板 5を得るための領域である。

図 1 7は配線基板母体 5 Mのコンタクト面の要部拡大平面図の一例を示し、図 1 8は配線基板母体 5 Mのモールド面の要部拡大平面図の一例を示している。ここでは、 4つの単位領域 URが例示されている。図 1 7に示すように、配線基板母体 5 Mのコンタクト面の各単位領域 U Rにはモジュ一ル端子 4が既に形成されている。この段階のモジュール端子 4には配線 2 3がー体的に接続されている。この配線 2 3は、メツキ処理時の通電用引出配線としての機能を有している。モジュール端子 4および配線 2 3は同時にパターン形成されている。また、図 1 8 に示すように、配線基板母体 5 Mのモールド面の各単位領域 UI こは既にアンテナ接続端子 8 a、配線 8 b , 8 c、幅広領域 8 dおよび接続端子 8 eがー体的に形成されている。これらアンテナ接続端子 8 a、配線 8 b , 8 c、幅広領域 8 d および接続端子 8 eも同時にパターン形成されているので、コストの増大を招くことなく I Cカード 1を製造できる。このような配線基板母体 5 Mはリールに卷き取られた状態で組立装置に搬入される。

次いで、配線基板母体 5 Mの各単位領域 U Rに上記コンデンサ Cを搭載する (図 1 5の工程 C B 1 ) 。図 1 9は、この工程で用いる組立装置 2 5の一例を示している。上記コンデンサ Cの搭載処理は、第 1リール 2 6 aの配線基板母体 5 Mを第 2リール 2 6 bに送るまでの間で行われる（リール 'トウ 'リール接続）。まず、組立装置 2 5の半田塗布部 2 5 aでは、ペースト状態の上記半田 2 0を配線基板母体 5 Mのモールド面の接続端子 8 eに塗布する。半田 2 0は上記した材料からなるとともに、フラックスの少ない半田を使用する。続いて、半田塗布が終了した配線基板母体 5 M部分を組立装置 2 5のチップ搭載部 2 5 bに送る。チヅプ搭載部 2 5 bでは、真空吸引パッド等で吸着したコンデンサ Cの接続端子と配線基板母体 5 Mの接続端子 8 eとを位置合わせ後、コンデンサ Cを接続端子 8 eに押し付けて仮接続する。その後、チップ搭載処理が終了した配線基板母体 5 M部分を組立装置 2 5のリフロ加熱部 2 5 cに送る。リフロ加熱部 2 5 cでは、半田 2 0を加熱処理により溶融させてコンデンサ 2 0の接続端子と配線基板母体 5 Mの接続端子 8 eとをしつかりと固定し電気的に接続する。リフロ加熱部 2 5 cには、リフロ炉の熱を遮断するシャツ夕が設けられている。これにより、トラブル発生時ゃストヅプアンドゴ一（Stop and Go) のストヅプ時に上記シャツ夕を閉じることにより加熱量を調節することができる。なお、上記ストップアンドゴ一とは、例えばコンデンサ Cを搭載する時等はテープ送りを一旦止め（S T 0 P ) 、コンデンサ C等の搭載工程後は再びテープ送り動作を行う（G O ) 、その動作を言う。図 2 0は、上記工程後の配線基板母体 5 Mのモールド面の要部拡大平面図を示している。各単位領域 U Rの隣接する接続端子 8 e , 8 e間にはコンデンサ Cが搭載されている。本実施の形態 1では、コンデンサ Cを、耐熱性の高いガラスエポキシ系樹脂フィルムからなる配線基板母体 5 Mに搭載するので、半田 2 0を用いた接続が可能となる。上記のようなコンデンサ Cの搭載工程後、組立装置 2 5において、コンデンサ Cの電気的特性検査（接続状態や容量値測定等）や外観検査等を行うこともできる。このため、配線基板母体 5 Mの配線（配線 8 c等）は、電気的な検査が可能なように引き回されている。このように、本実施の形態 1では、テープ状の配線基板母体 5 Mの送り動作によるコンデンサ搭載の一貫ラインの中で、コンデンサ Cの電気的特性検査や外観検査が可能である。この場合、一貫ラインの外で上記検査を行う場合に比べて、作業性および効率を向上させることができ、しかも製品管理を容易にすることができる。したがって、

I Cカード 1の組立工程の容易性を大幅に向上させることができる。また、 I C カード 1の組立時間を大幅に短縮させることができる。さらに、上記一貫ラインの先頭で上記検査を行うことにより、コンデンサ Cの特性不良や接続不良等を事前に把握し選別できるので、コンデンサ Cに係わる不良が I Cカード 1に及ばない。すなわち、コンデンサ Cの不良により良品の I Cチップが不良になってしまうのを防止できる。したがって、 I C力一ド 1の歩留まりを向上させることができ、 I Cカード 1のコストを低減させることができる。

次いで、配線基板母体 5 Mの各単位領域 U Rに上記 I Cチップ 3を搭載しモールドする（図 1 5の工程 C B 2、 WB、 P K G) 。図 2 1は、この工程で用いる組立装置 2 7の一例を示している。ここでの処理は、第 2リール 2 6 bの配線基板母体 5 Mを第 3リール 2 6 cに送るまでの間で行われる（リール ' トウ ' リール接続）。

まず、組立装置 2 7の接着材塗布部 2 7 aでは、エポキシ系接着剤などを用いて配線基板母体 5 Mのモールド面の I Cチップ搭載領域に塗布する。続いて、組立装置 2 7のチップ搭載部 2 7 bでは、真空吸引パッド等で吸着した I Cチップ 3を位置合わせ後、配線基板母体 5 Mに押し付けて仮接続する。その後、組立装置 2 7のリフロ加熱部 2 7 cでは、接着材を加熱処理により溶融させて I Cチヅプ 3を配線基板母体 5 Mのモールド面にしっかりと固定する（C O T (Chip On Tape) 、図 1 5の工程 C B 2 ) 。

続いて、 I Cチップ搭載工程後、水洗処理を経ることなくワイヤボンディング工程に移行する。すなわち、組立装置 2 7のワイヤボンディング部 2 7 dでは、 I Cチップ 3のボンディングパッド 1 2と、モジュール端子 4および幅広領域 8 dとをボンディングワイヤ 1 4により接続する。ここで水洗処理を絰ることなくワイヤボンディング工程に移行しているのは、水洗処理を施すとモジュ一ル端子 4の表面に水垢汚れが付いてしまう場合があるので、そのような不具合を避けるためである。上記のように半田 2◦としてフラックスの少ない半田を使用したのも、水洗工程を無くすためである。図 2 2は、上記ワイヤボンディング工程後の配線基板母体 5 Mのモールド面の要部拡大平面図を示している。各単位領域の I Cチップ 3のボンディングパヅド 1 2と、モジュール端子 4および幅広領域 8 dとがボンディングワイヤ 1 4により電気的に接続されている（図 1 5の工程 WB ) 。

次いで、ワイヤボンディング工程後、図 2 1の組立装置 2 7のモ一ルド部 2 7 eでは、複数の単位領域 U Rの封止部 6 aをトランスファーモールド法により一括して形成する。すなわち、配線基板母体 5 Mの複数の単位領域 URの各々のモ一ルド面とコンタクト面とを、金型の下型 2 7 e 1と上型 2 7 e 2とで挟み込むようにした状態で金型のキヤビティ 2 7 e 3内に、例えばガラスエポキシ系樹脂を流し込むことでモ一ルド面に複数の封止部 6 aを一括して形成する。封止工程時の温度は、例えば最大で 1 8 0度程度である。上記半田 2 0等はこの封止工程時の温度よりも高い融点を持つものが使用されているので、封止工程により半田 2 0が溶けてしまうことは無い。また、この封止工程では、金型において封止用の樹脂をキヤビティ 2 7 e 3内に流し込むための注入口（ゲート）の位置と、上記配線基板母体 5 M上のコンデンサ Cの位置とが離れるような配置とされている。すなわち、コンデンサ Cが上記注入口に近い位置にあると、モールド工程時に溶融した樹脂がコンデンサ Cに当たり、巻き込みによるボイドが生じる場合がある。そこで、本実施の形態 1では、上記注入口と、コンデンサ Cとの位置を離すことにより、封止部 6 a内にボイドが生じるのを抑制または防止できる。図 2 3は、上記ワイヤボンディング工程後の配線基板母体 5 Mのモールド面の要部拡大平面図を示している。各単位領域 URの I Cチップ 3、コンデンサ C、ボンデイングワイヤ 1 4、ボンディングホール 1 3等は、封止部 6 aによって覆われている。アンテナ接続端子 8 aは封止部 6 aから露出されている（図 1 5の工程 P K G) o

以上のようにして配線基板母体 5 Mの単位領域 U Rの各々に I Cモジュール 2を形成した後、その各々の I Cモジュール 2を配線基板母体 5 Mから切り出す (図 1 5の工程 C U T ) 。その後、その切り出された I Cモジュール 2をカード本体 7の凹部 7 aに嵌め込む。この時、 I Cモジュール 2のアンテナ接続端子 8 aとカード本体 7内のコイル Lとを銀入り導電性樹脂べ一スト等のような比較的低温で接合が可能な接着材により接合する（図 1 5の工程 MB ) 。このようにして I Cカード 1を製造する。

一般的な非接触型ィンターフェイスを形成する共振回路用のコンデンサ Cを持つ I Cカード 1の製造工程では、力一ド本体 7の 1つ 1つにコンデンサ Cを 1 つ 1つ搭載しなければならないので製造工程が煩雑でコストの増大を招く。これに対して、本実施の形態 1では、テープ状の配線基板母体 5 Mを用いた流れの中でコンデンサ Cを搭載し、その製造工程中にコンデンサ Cを I Cモジュール 2の中に組み込んでしまい、 I Cモジュール 2をカード本体 7に取り付けるとコンデンサ Cも I Cカード 1の全体回路の中に組み込まれてしまうようになっている。このため、本実施の形態 1によれば、非接触型イン夕一フェイスを形成する共振回路用のコンデンサ Cを持つ I Cカード 1の組立を容易にすることができる。また、その I Cカード 1のコストを低減できる。

(実施の形態 2 )

本実施の形態 2では前記 I Cカード 1の封止部 6 aの変形例を説明する。

図 2 4は本実施の形態 2の I Cカード 1の製造工程中の配線基板 5のモールド面の平面図の一例を示している。本実施の形態 2では、封止部の形状が前記実施の形態 1の封止部 6 aと異なっており、封止部 6 bから前記共振回路用のコンデンサの接続領域（接続端子 8 e ) が露出されている。

図 2 5は図 2 4にコンデンサ Cを搭載した後の配線基板 5のモールド面の平面図を示している。図 2 5の封止部 6 b内を取り除いた図は前記図 7と同じである。本実施の形態 2では、コンデンサ Cが封止部 6 bの外に搭載されている。また、 I Cカード 1の製造工程においては、封止部 6 bの形成工程後にコンデンサ Cを搭載する。このコンデンサ Cの搭載工程は、前記実施の形態 1のように配線基板母体 5 Mの状態の時に搭載しても良いし、配線基板母体 5 Mから個々の配線基板 5を切り出した後でも良い。それ以外は、前記実施の形態 1と同じである。また、封止部 6 bの材料や形成工程も前記封止部 6 aと同じなので説明を省略する。

このように本実施の形態 2によれば、前記実施の形態 1で得られる効果の他に、以下の効果を得ることができる。すなわち、コンデンサ Cを封止工程後に搭載できるようにしておくことにより、 I Cカード 1のカード本体 7のコイル Lの仕様の変更によって、その値が変更になったり、リーダライ夕側の同調値にずれが生じていたりする場合でも、コイル Lの値やリーダライ夕に合わせて最適な容量値を持つコンデンサ Cを搭載できる。このため、 I Cカード 1の非接触型イン夕一フェイスの共振周波数を最適な値に設定することが可能となる。また、コンデンサ Cを封止部 6 bの外に搭載することにより、半田 2 0が封止温度に左右されないので、半田 2 0の材料選択の自由度を向上させることが可能となる。さらに、封止部 6 bの形成工程までが終了した配線基板母体 5 Mまたは配線基板 5を作り置きしておくことができるので、 I Cカード 1の製造時間を大幅に短縮させることができる。

(実施の形態 3 )

本実施の形態 3では、前記 I Cカード 1の封止部 6 aの形状は前記実施の形態 1と同一のまま変えないで、前記共振回路用のコンデンサ Cを封止工程後に搭載可能にした構成の一例を説明する。

図 2 6は本実施の形態 3の I Cカード 1の製造工程中の配線基板 5 (配線基板母体 5 M) のモールド面の平面図の一例を示している。本実施の形態 3では、封止部 6 aは前記実施の形態 1と同じであるが、コンデンサ Cの搭載領域（接続端子 8 e ) が封止部 6 aの外に配置されている。この場合、配線基板 5の各々の配線 8 bの端部が封止部 6 aの領域の外まで延在しており、その配線 8 bの端部に接続端子 8 eがー体的に形成されている。

図 2 7は図 2 6の配線基板 5にコンデンサ Cを搭載した後のモールド面の全体平面図を示している。本実施の形態 3においても、コンデンサ Cが封止部 6 a の外に搭載されている。また、 I Cカード 1の製造工程においても、封止部 6 a の形成工程後にコンデンサ Cを搭載する。このコンデンサ Cの搭載工程は、前記実施の形態 1のように配線基板母体 5 Mの状態の時に搭載しても良いし、配線基板母体 5 Mから個々の配線基板 5を切り出した後でも良い。それ以外は、前記実施の形態 1と同じである。

本実施の形態 3によれば、前記実施の形態 1 , 2で得られる効果の他に、以下の効果を得ることができる。すなわち、前記モールド部 2 7 eの金型（下型 2 7 e 1および上型 2 7 e 2 ) を変更する必要がなく、現在使用されているモールド部 2 7 eをそのまま使用できる。

(実施の形態 4 )

本実施の形態 4では、封止部 6 aの形状は変えないで、前記共振回路用のコンデンサの容量値を封止工程後に変更（調整）可能にした構成の一例を説明する。図 2 8は、本実施の形態 4の I Cカード 1の配線基板 5 (配線基板母体 5 M) のモールド面の平面図の一例を示している。本実施の形態 4では、前記共振回路用のコンデンサ Cの搭載領域が、例えば 2つあり、一方は封止部 6 aの領域内に配置され、他方は封止部 6 aの領域外に配置されている。この場合の各々の配線 8 bの端部が 2つに分かれており、一方の配線 8 b 1の延在端部に一体的に形成された接続端子 8 e 1は封止部 6 aの領域内に配置され、他方の配線 8 b 2の延在端部に形成された接続端子 8 e 2は封止部 6 aの領域外に配置されている。図 2 9は、図 2 8に I Cチヅプ 3および共振回路用のコンデンサ C 1 ( C) を搭載し、ワイヤボンディング工程を経た後の配線基板 5 (配線基板母体 5 M) のモールド面の平面図の一例を示している。また、図 3 0は、図 2 9に封止部 6 a を形成した後の配線基板 5 (配線基板母体 5 M) のモールド面の平面図の一例を示している。このコンデンサ C 1は封止部 6 aの領域内で搭載されている。ここでは封止部 6 aの外部の接続端子 8 e 2にコンデンサが搭載されていない。この段階で I Cモジュール 2として使用することもできる。しかし、上記したようなコイル Lやリーダライ夕との関係等から容量値を調整したい場合がある。その場合は、封止部 6 aの外部の接続端子 8 e 2に調整用のコンデンサを搭載する。図 3 1は、図 3 0に共振回路用のコンデンサ C 2 ( C) を搭載した後の配線基板 5 (配線基板母体 5 M) のモールド面の平面図の一例を示している。コンデンサ C 2は、封止部 6 aの外部に搭載されており、上記封止部 6 a内のコンデンサ C 1 に対して並列に接続されている。

本実施の形態 4によれば、前記実施の形態 1 , 2 , 3で得られる効果の他に、以下の効果を得ることができる。すなわち、前記共振回路用のコンデンサの容量値を封止工程後に微調整することができる。また、共振回路用のコンデンサ C 1 を内包する封止部 6 aの形成工程までが終了した配線基板母体 5 Mまたは配線基板 5を作り置きしておくことができるので、 I Cカード 1の製造時間を大幅に短縮させることができる。

(実施の形態 5 )

本実施の形態 5では前記実施の形態 4の封止部 6 aを前記実施の形態 2の封止部 6 bに代えた場合について説明する。図 3 2および図 3 3は、本実施の形態 5の I Cカード 1の配線基板 5 (配線基板母体 5 M) のモールド面の平面図の一例を示している。図 3 2の封止部 6 b内を取り除いた図は前記図 2 9と同じである。本実施の形態 5では、前記共振回路用の 2つのコンデンサ C 1， C 2の搭載領域が、封止部 6 bの外部に配置されている。図 3 2では 1つのコンデンサ C 1 のみが搭載されている場合が例示されている。この段階で I Cモジュール 2として使用する場合もある。また、図 3 3では 2つのコンデンサ C 1 , C 2が搭載されている場合が例示されている。この段階で I Cモジュール 2として使用する場合もある。コンデンサ C I , C 2は、前記実施の形態 1〜4と同様に、配線基板母体 5 Mの状態の時に搭載しても良いし、配線基板母体 5 Mから切り出した後の配線基板 5に搭載しても良い。

本実施の形態 5によれば、前記実施の形態 1 , 2， 3， 4で得られる効果（現状のモールド金型を使用できる効果を除く）と同様の効果を得ることができる。以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば前記実施の形態 1〜 5において、配線基板はガラスエポキシ系樹脂に限定されるものではなく、例えばガラスエポキシ系樹脂よりも柔軟性の高いポリィミド系樹脂を用いても良い。

また、前記実施の形態:！〜 5では、 I Cチヅプ 3とコンデンサ Cを搭載した場合について説明したが、他の電子部品も搭載可能である。例えば I Cカードに U S B (Universal Serial Bus) 機能を取り付けた場合、発振子が必要となるが、それを配線基板 5に搭載することもできる。

また、前記実施の形態 1〜5では、非接触型および接触型のデュアルインタフエース I Cカードに適用した塌合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば非接触型の I C力一ドに適用できる。一般的な非接触型の I C力 —ドでは配線基板は用いないが、本実施の形態の場合は、前記実施の形態 1〜5 と同様に、配線基板を力一ド本体に組み込むような構成となる。ただし、この場合の配線基板の露出面にはモジュ一ル端子 4は形成されていない。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である I Cカードに適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、非接触型ィン夕フェースの共振回路を持つ他の半導体装置にも適用できる。

本願によって開示される実施の形態のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。

すなわち、集積回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップを搭載する配線基板と、前記配線基板の配線を通じて前記半導体チップに電気的に接続された非接触型ィン夕一フェイスとをカード本体内に備え、前記非接触型ィン夕一フェイスは、アンテナとしての機能を有するコイルと、前記コイルに並列に接続されて共振回路を形成するコンデンサとを有し、前記コンデンサは、前記配線基板に半田接続されている構成を有することにより、カード型の半導体装置の通信特性を向上させることが可能となる。産業上の利用可能性

以上のように、本発明にかかる半導体装置は、例えばクレジットカード、キヤヅシュカード、 E T C (Electronic Toll Collection system) システム用力一ド、定期券、公衆電話用カード、携帯電話用カードまたは認証カード等、金融、交通、通信、流通および認証等のさまざまな分野で使用が進められている I C ( Integrated circuit) カードに用いるのに適している。

Claims

請求の範囲

1 . カード本体と、前記カード本体に組み込まれた配線基板と、前記配線基板に搭載された半導体チップと、前記配線基板の配線を通じて前記半導体チップに電気的に接続された非接触型ィン夕一フェイスとを備え、

前記非接触型イン夕一フェイスは、アンテナとしての機能を有するコイルと、前記コイルに並列に接続されて共振回路を形成するコンデンサとを有し、前記コンデンサは、前記配線基板に半田により接続されていることを特徴とする半導体装置。

2 . 力一ド本体と、前記カード本体に組み込まれた配線基板と、前記配線基板に搭載された半導体チップと、前記配線基板の配線を通じて前記半導体チップに電気的に接続された非接触型ィン夕一フェイスとを備え、

前記非接触型イン夕一フェイスは、アンテナとしての機能を有するコイルと、前記コイルに並列に接続されて共振回路を形成するコンデンサとを有し、前記コイルは、前記配線基板よりも大きく、前記カード本体よりも小さな寸法で前記力一ド本体に形成され、

前記コンデンサは、セラミックコンデンサからなり、前記配線基板に半田により接続されていることを特徴とする半導体装置。

3 . 請求項 2記載の半導体装置において、前記半導体チップおよび前記コンデンサは同一の封止部により封止されていることを特徴とする半導体装置。

4 . 請求項 3記載の半導体装置において、前記コンデンサと前記配線基板とを接続する前記半田の融点は、前記封止部の形成時の温度よりも高いことを特徴とする半導体装置。

5 . 請求項 2記載の半導体装置において、前記半導体チップは封止部により封止され、前記コンデンサは前記封止部の外に配置されていることを特徴とする半導体装置。

6 . 請求項 2記載の半導体装置において、前記コンデンサは、並列接続された第 1、第 2コンデンサを有しており、前記半導体チップおよび前記第 1コンデンサは同一の封止部により封止され、前記第 2コンデンサは前記封止部の外に配置されていることを特徴とする半導体装置。

7 . 請求項 6記載の半導体装置において、前記第 1コンデンサと前記配線基板とを接続する前記半田の融点は、前記封止部の形成時の温度よりも高いことを特徴とする半導体装置。

8 . 請求項 2記載の半導体装置において、前記コイルの一端が接続される前記配線基板の第 1接続端子と、前記コイルの他端が接続される前記配線基板の第 2接続端子とは、前記半導体チップの異なる辺側に配置されていることを特徴とする半導体装置。

9 . 請求項 8記載の半導体装置において、前記第 1、第 2接続端子は、前記半導体チップを挟んで左右に配置されていることを特徴とする半導体装置。

1 0 . 請求項 2記載の半導体装置において、前記配線基板の前記半導体チップが搭載された第 1面とは反対側の第 2面には、接触型ィン夕ーフェイス用の第 3接続端子が配置されていることを特徴とする半導体装置。

1 1 . 請求項 1 Q記載の半導体装置において、前記配線基板の前記第 1面には、前記第 3接続端子の裏面の一部が露出される孔が形成されており、前記半導体チップはボンディングワイヤおよび前記孔を通じて前記第 3接続端子と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

1 2 . 集積回路が形成された半導体チップと、前記半導体チヅプに電気的に接続されて非接触型イン夕一フェイスを形成するアンテナ用のコイルと、前記コイルに対して並列に接続されて前記非接触型ィン夕一フェイスとしての共振回路を形成するコンデンサとを備える半導体装置の製造方法であって、

( a )第 1面とその反対側の第 2面とを有するテープ状の配線基板母体を用意する工程、

( b )前記テープ状の配線基板母体を一方のリ一ルから他方のリ一ルで巻き取る間に、前記配線基板母体の第 1面の個々の回路領域に前記コンデンサを半田により接合する工程、

( c )前記テープ状の配線基板母体を一方のリールから他方のリ一ルで巻き取る間に、前記配線基板母体の第 1面の個々の回路領域に前記半導体チップを搭載する工程、 ( d )前記テープ状の配線基板母体を一方のリ一ルから他方のリ一ルで卷き取る間に、前記配線基板母体の第 1面の個々の回路領域に封止部を形成する工程、

( e ) 前記テ一プ状の配線基板母体から個々の回路成領域を切り出す工程、

( f )前記個々の回路領域を、前記コイルが形成されたカード本体に取り付けて、前記半導体チツプと前記コンデンサと前記コイルとを電気的に接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

1 3 . 請求項 1 2記載の半導体装置の製造方法において、前記コンデンサを半田により接合するための加熱炉は熱を遮断するためのシャッ夕を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

1 4 . 請求項 1 3記載の半導体装置の製造方法において、製造工程中にトラプルが発生した際に前記シャツ夕を閉じる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

1 5 . 請求項 1 3記載の半導体装置の製造方法において、前記テープ状の配線基板母体の送り動作を停止する時には前記シャツ夕を閉じ、前記テープ状の配線基板の送り動作を行う時には前記シャツ夕を開く工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

1 6 . 請求項 1 2記載の半導体装置の製造方法の前記（d ) 工程においては、前記個々の回路領域の前記半導体チ、ソプと前記コンデンザとを前記封止部により同時に封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。

1 7 . 請求項 1 2記載の半導体装置の製造方法の前記（d ) 工程においては、前記個々の回路領域の前記半導体チップを前記封止部により封止し、前記コンデンザが前記封止部の外に配置されるようにし、前記 ( b ) 工程の前記コンデンサを半田により接合する工程は、前記封止部の形成工程後に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

1 8 . 請求項 1 2記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板母体の第 1面には、前記コイルが接続される第 1、第 2接続端子と、前記配線基板母体の第 2面に設けられた第 3接続端子の裏面が露出される孔とが形成されており、前記（c ) 工程の半導体チップの搭載工程後、前記（d ) 工程の封止部の形成工程の前に、前記テープ状の配線基板母体を一方のリ一ルから他方のリ一ルで巻き取る間に、前記配線基板母体の第 1面の個々の回路領域の前記半導体チップと前記第 3接続端子とを前記孔を通じてボンディングワイヤにより接続する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。