JP4471926B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）カードに適用して有効な技術に関するものである。

ＩＣカードは、平面矩形状の薄板（カード本体）にＩＣチップが内蔵されたカード型の半導体装置であり、通信方式で分類すると、例えば接触型と、非接触型と、接触／非接触型とがある。接触型ＩＣカードは、カード本体の表面に露出された接続端子を通じて電力の供給や信号のやりとりが可能なＩＣカードである。接触型ＩＣカードのＩＣチップは上記接続端子を有する配線基板の裏側に搭載された状態でカード本体に内蔵されている。上記非接触型ＩＣカードは、カード本体に内蔵されたアンテナを通じて電磁波（無線）での電力の供給や信号のやりとりが可能なＩＣカードである。上記接触／非接触型ＩＣカードは、上記接触型と非接触型とを組み合わせたカードであり、接触および非接触それぞれ別々のＩＣチップを１枚のカード本体に内蔵したものや１つのＩＣチップで接触および非接触両方のインターフェイスを持つもの等がある。上記接触／非接触型ＩＣカードの一例として、上記接続端子裏面に設けられた基板の部品実装面に、接続端子程度のサイズのアンテナと、ＩＣチップと、アンテナに並列に接続されたコンデンサとが実装された構成を持つＩＣカード構造が開示されている（例えば特開２００２−２０７９８２号公報参照）。また、他の一例として、ＩＣモジュール基板の部品搭載面に搭載されたＩＣチップを封止する封止樹脂に、上記部品搭載面に形成されたアンテナ接続端子が露出されるような部分開口部が設けられており、そのアンテナ接続端子の露出部分にアンテナ用の送受信コイルが接続された構成を持つＩＣカード構造が開示されている（例えば特開２００３−６７６９５号公報参照）。
ところが、ＩＣカードのようなカード型の半導体装置においては、その通信特性を如何にして向上させるかが重要な課題の１つとなっている。
本発明の目的は、カード型の半導体装置の通信特性を向上させることのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
すなわち、本発明は、集積回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップを搭載する配線基板と、前記配線基板の配線を通じて前記半導体チップに電気的に接続された非接触型インターフェイスとをカード本体内に備え、前記非接触型インターフェイスは、アンテナとしての機能を有するコイルと、前記コイルに並列に接続されて共振回路を形成するコンデンサとを有し、前記コンデンサは、前記配線基板に半田により接続されている構成を有するものである。

図１は本発明の一実施の形態である半導体装置の一例の全体平面図である。
図２は図１のＸ１−Ｘ１線の要部拡大断面図である。
図３は図１の半導体装置から主要部を取り外して示した全体平面図である。
図４は図３のＸ１−Ｘ１線の要部拡大断面図である。
図５は図１の半導体装置の主要部のコンタクト面の一例の全体平面図である。
図６は図１の半導体装置の主要部のモールド面の一例の全体平面図である。
図７は図６の封止部を取り除いたモールド面の一例の全体平面図である。
図８は図６および図７のＹ１−Ｙ１線の断面図である。
図９は図７のＸ２−Ｘ２線の断面図である。
図１０は図１の半導体装置の非接触型インターフェイスを構成するコンデンサとコイルとの接続関係を示す回路図である。
図１１は図６の半導体装置のコンデンサの一例の要部（図７のＸ３−Ｘ３線の）拡大断面図である。
図１２は図７から半導体装置の半導体チップおよびコンデンサを取り除いて示したモールド面の全体平面図である。
図１３は図１の半導体装置の主要部におけるアンテナ接続端子の配置の様子と、そのアンテナ接続端子とコイルとの接続関係の様子とを示す説明図である。
図１４は本発明者が検討したアンテナ接続端子の他の配置の様子を比較のために示した説明図である。
図１５は図１の半導体装置の製造工程の一例のフロー図である。
図１６は図１の半導体装置の製造工程で用いる配線基板母体の一例の要部拡大平面図である。
図１７は図１６の配線基板母体のコンタクト面の一例の要部拡大平面図である。
図１８は図１６の配線基板母体のモールド面の一例の要部拡大平面図である。
図１９は図１の半導体装置のコンデンサ搭載工程で用いる組立装置の一例の説明図である。
図２０は図１の半導体装置の製造工程中の配線基板母体の要部拡大平面図である。
図２１は図１の半導体装置の半導体チップ搭載工程で用いる組立装置の一例の説明図である。
図２２は図１の半導体装置のワイヤボンディング工程後の配線基板母体の要部拡大平面図である。
図２３は図１の半導体装置のモールド工程後の配線基板母体の要部拡大平面図である。
図２４は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の配線基板のモールド面の一例の平面図である。
図２５は図２４にコンデンサを搭載した後の配線基板のモールド面の平面図である。
図２６は本発明のさらに他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の配線基板のモールド面の一例の平面図である。
図２７は図２６にコンデンサを搭載した後の配線基板のモールド面の平面図である。
図２８は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の配線基板のチップ搭載前のモールド面の一例の平面図である。
図２９は図２８に半導体チップおよび内部コンデンサを搭載した後の配線基板のモールド面の一例の平面図である。
図３０は図２９に封止部を形成した後の配線基板のモールド面の一例の平面図である。
図３１は図３０に外部コンデンサを搭載した後の配線基板のモールド面の一例の平面図である。
図３２は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の配線基板に１つのコンデンサを搭載した後のモールド面の一例の全体平面図である。
図３３は本発明の他の実施の形態である半導体装置の製造工程中の配線基板に２つのコンデンサを搭載した後のモールド面の一例の全体平面図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態１の半導体装置は、例えばクレジットカード、キャッシュカード、ＥＴＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｔｏｌｌ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ）システム用カード、定期券、公衆電話用カード、携帯電話用カードまたは認証カード等、金融、交通、通信、流通および認証等のさまざまな分野で使用が進められているＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）カードである。
図１は本実施の形態１のＩＣカード１の全体平面図の一例を示している。また、図２は図１のＸ１−Ｘ１線の要部拡大断面図を示している。さらに、図３は図１のＩＣカード１からＩＣモジュール２を取り外して示した全体平面図を示し、図４は図３のＸ１−Ｘ１線の要部拡大断面図を示している。
本実施の形態１のＩＣカード１は、例えば接触型と非接触型とを一体化したタイプのもので、その外形は名刺サイズ（９１ｍｍ×５５ｍｍ）よりも若干小さな矩形平面を持つ薄板状とされている。ＩＣカード１の外形寸法は、例えば、縦（長手方向寸法）×横（短方向寸法）が８５．６ｍｍ×５４ｍｍ、厚さが０．７６ｍｍである。
このＩＣカード１のＩＣモジュール２は、ＩＣチップ（半導体チップ）３を有する主要回路部であり、ＩＣモジュール２の複数のモジュール端子４を外部に露出させた状態で、かつ、上記ＩＣチップ３等を搭載する配線基板５およびＩＣチップ３等を封止する封止部６ａをカード本体７の階段状の凹部７ａに嵌め合わせたような状態でカード本体７にしっかりと固定されている。
上記配線基板５のＩＣチップ３の搭載面には、２つのアンテナ接続端子８ａが形成されている。このアンテナ接続端子８ａは、アンテナ用のコイルＬの両端の接続端子Ｌｔと銀（Ａｇ）入りペースト等のような導電性接着材１０を介して接合され電気的に接続されている。上記アンテナ用のコイルＬは、カード本体７の外周に沿うようにループ状に形成されている（図３の破線参照）。このようにコイルＬをカード本体７に設けることにより、コイルＬのループを大きくとることができるので、アンテナの利得を向上させることができ、また、ＩＣカード１と外部の送受信部（リーダライタ）との無線信号やり取りの範囲（指向性）を広げることができる。このため、ＩＣカード１を外部の送受信部からある程度離しても無線信号のやり取りが可能となる。このコイルＬのほとんどはカード本体７内に埋め込まれているが、コイルＬの両端の接続端子Ｌｔの一面は、配線基板５との接続をとるため、カード本体７の凹部７ａの段差部に露出されている。
上記カード本体７は、例えばポリ塩化ビニール樹脂、ポリオレフィン（ポリプロピレン等）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙ ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）またはポリエチレンテレフタレート・グリコール（ＰＥＴ−Ｇ）等のようなプラスチックからなる。このような比較的安価なプラスチックを用いることにより、ＩＣカード１のコストを低減することができる。また、ポリプロピレン、ＰＥＴまたはＰＥＴ−Ｇは燃やしても有害物質が発生しないので、これらをカード本体７の材料とすることにより環境への負荷を軽減できる。さらにＰＥＴ−Ｇは非結晶質でＰＥＴよりも柔らかいので、ＰＥＴ−Ｇをカード本体２の材料とすることにより、エンボス加工等のような加工を容易にすることができる。
次に、上記ＩＣモジュール２の構造を図５〜図１３により詳細に説明する。
図５はＩＣモジュール２の配線基板５のコンタクト面（第２面）の一例を示している。配線基板５の基板本体は、例えばガラスエポキシ系の樹脂からなり、そのコンタクト面には、例えば８個のモジュール端子４（４ａ〜４ｈ）が互いに近接された状態で配置されている。モジュール端子４は、例えば銅（Ｃｕ）等のような金属箔の露出表面に金（Ａｕ）メッキ等が施されてなり、外部の送受信装置（リーダライタ）の接続端子が直接接続されて、その送受信装置とＩＣモジュール２内の回路とを電気的に接続する接触型インターフェイス部分である。特に限定されるものではないが、各モジュール端子４ａ〜４ｈの信号等の割り当ては、例えば次のとおりである。図５の左側上部のモジュール端子４ａは、例えば高電位側の電源電圧の供給用端子である。その下のモジュール端子４ｂは、例えばリセット信号用の端子である。その下のモジュール端子４ｃは、クロック信号用の端子である。中央の相対的に大きなモジュール端子４ｅは、例えば上記高電位側の電源電圧よりも低い低電位側の電源電圧（例えば接地電圧）の供給用端子である。モジュール端子４ｇは、例えばデータ入出力信号用の端子である。これら以外のモジュール端子４ｄ，４ｆ，４ｈは、将来的に利用可能であるが現状は割り当ての無いノンコネクト端子である。
図６はＩＣモジュール２の配線基板５のモールド面（第１面）の一例を示している。このモールド面は、上記コンタクト面の反対側の面である。配線基板５のモールド面の中央には、上記封止部６ａが設けられている。この封止部６ａは、例えばエポキシ系の樹脂からなり、例えば平面矩形状に形成されている。図６で封止部６ａの左右には、上記アンテナ接続端子８ａおよび配線８ｂ，８ｃが露出した状態で配置されている。各アンテナ接続端子８ａからこれに近接する封止部６ａの側面（外周）までの距離は、例えば０．１ｍｍまたはそれよりも長くなるように設計されている。これにより、封止部６ａの形成工程（モールド工程）により封止部６ａの外周部にレジンばりが生じてもレジンばりがアンテナ接続端子８ａに被さらないようにすることができる。このため、アンテナ接続端子８ａと上記アンテナ用のコイルＬとの接触不良を低減または防止できるので、ＩＣカード１の歩留まりを向上させることができる。また、アンテナ接続端子８ａと上記アンテナ用のコイルＬとの接触抵抗の増大を抑制または防止できるので、ＩＣカード１の非接触通信時の通信特性を向上させることができる。このアンテナ接続端子８ａおよび配線８ｂ，８ｃは、例えば銅等のような金属箔の露出表面に金メッキが施されてなり、一体的にパターン形成されている。なお、配線８ｃは、アンテナ接続端子８ａおよび配線８ｂの露出表面に電解メッキ処理により金メッキを施す時の通電用引出配線の一部分である。
図７は図６の封止部６ａを取り除いたモールド面の一例を示している。また、図８は上記図６および図７のＹ１−Ｙ１線の断面図を示している。さらに、図９は上記図７のＸ２−Ｘ２線の断面図を示している。なお、図７では封止部６ａを破線で示している。この破線の領域内は封止部６ａで封止されている。
配線基板５のモールド面の中央には、上記ＩＣチップ３がその主面（デバイス形成面）を上に向けた状態で搭載されている。ＩＣチップ３は、例えばシリコン（Ｓｉ）単結晶等からなる半導体基板を有してなり、その主面には、例えば中央演算処理装置、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ＲＯＭ）およびその他の演算回路等のような集積回路と、その集積回路の電極を引き出す複数のボンディングパッド１２が形成されている。上記ＲＯＭには、例えば実行プログラムや暗号アルゴリズム等が格納されている。上記ＲＡＭは、例えばデータ処理用のメモリとしての機能を有している。また、上記ＥＥＰＲＯＭは、データ格納用のメモリとしての機能を有している。
図７においてＩＣチップ３の左右には、配線基板５の上下面を貫通する複数のボンディングホール１３が図７の上下方向に沿って所定の間隔毎に並んで配置されている。各ボンディングホール１３からは上記モジュール端子４の裏面の一部が露出されており、その露出面には金メッキが施されている。そのボンディングホール１３から露出するモジュール端子４には、例えば金（Ａｕ）細線等からなるボンディングワイヤ１４の一端が接合されている。そのボンディングワイヤ１４の他端は、上記ＩＣチップ３のボンディングパッド１２と接合されている。これにより、ＩＣチップ３の所定のボンディングパッド１２は、モジュール端子４と電気的に接続されている。
また、図７においてボンディングホール１３の列のさらに外側には、上記アンテナ接続端子８ａが配置されている。各々のアンテナ接続端子８ａと一体的に形成された各々の配線８ｂは、封止部６ａの領域内において、上記ボンディングホール１３の列を横切り配線基板５の中央に向かって延在されている。各々の配線８ｂの延在途中の位置（ボンディングホール１３の列の位置）には幅広部８ｄが配線８ｂと一体的に形成されている。その幅広部８ｄには、ボンディングワイヤ１４の一端が接合されている。そのボンディングワイヤ１４の他端は、上記ＩＣチップ３のボンディングパッド１２と接合されている。これにより、ＩＣチップ３の所定のボンディングパッド１２は、配線８ｂと電気的に接続されている。
上記各々の配線８ｂの端部は、互いに近接した位置まで延在し終端されている。その各々の配線８ｂの終端部には、幅広の接続端子８ｅが配線８ｂと一体的に形成されている。左右の配線８ｂおよび接続端子８ｅは左右対称に形成されている。そして、その各々の接続端子８ｅ間には、その各々の接続端子８ｅを橋渡すようにコンデンサＣが電気的に接続されている。図１０はそのコンデンサＣと、上記アンテナ用のコイルＬとの接続関係を示している。コンデンサＣは、コイルＬに対して並列に接続されている。このコイルＬとコンデンサＣとで並列共振回路が形成されている。この並列共振回路は、ＩＣカード１の非接触型インターフェイスを形成する回路部であり、この共振回路を設けることによりＩＣカード１の通信特性を向上させることができる。例えばＩＣカード１の無線通信が可能な距離を大きくすることができ、また、ＩＣカード１の無線通信の信頼性を向上させることができる。この共振回路の共振周波数（すなわち、通信周波数）は、例えば１３．５６ＭＨｚとされている。また、通信距離は、例えば０〜７０ｃｍ程度である。
また、図１１は上記コンデンサＣの要部拡大断面図（図７のＸ３−Ｘ３線の断面図）の一例を示している。コンデンサＣとしては、例えばチップ型の積層セラミックコンデンサが使用されている。すなわち、このコンデンサＣは、コンデンサＣの一方の接続端子１６ａに電気的に接続された複数層の電極１７ａと、コンデンサＣの他方の接続端子１６ｂに電気的に接続された複数層の電極１７ｂとが、各々の電極１７ａ，１７ｂ間にセラミック誘電体１８が介在された状態で、コンデンサＣの厚さ方向に交互に積み重ねられた構成を有している。ただし、ＩＣカード１では、封止部６ａの高さに制約があるため汎用のチップ型の積層セラミックコンデンサではなく、比較的薄いチップ型の積層セラミックコンデンサが使用されている。コンデンサＣの厚さは、例えば２５０μｍ程度である。
このようにコンデンサＣをセラミックコンデンサとすることにより、例えば次の効果を得ることができる。
第１に上記共振回路の共振周波数の精度を向上させることができる。すなわち、コンデンサＣとコイルＬとで形成される共振回路の共振周波数ｆは、ｆ＝１／（２π（ＬＣ）^１／２）で表すことができるので、コンデンサＣの容量値は正確であることが好ましい。コンデンサＣをシート状のコンデンサで形成することもできるが、その場合、容量値がバラツキ、共振周波数のピーク位置がずれてしまう場合が生じる。これに対して、セラミックコンデンサは、浮遊容量等が少なく容量値の精度が高いことやセラミックと金属とで構成されているので高温および低温環境下でも劣化が少なく極めて安定的であること等から、コンデンサＣをセラミックコンデンサで形成することにより、理論値に近い回路設計（共振回路の設計）が可能となる。
第２にＩＣカード１の製造工程を容易にすることができる。すなわち、上記コンデンサＣをシート状のコンデンサで形成する場合、容量値のバラツキが大きくトリミングの必要が生じる場合がある。これに対して、セラミックコンデンサでは容量値の精度が高くトリミングの必要もないので、コンデンサＣをセラミックコンデンサで形成することにより、ＩＣカード１の製造を容易にすることができ、ＩＣカード１の製造時間の短縮、コストの低減が可能となる。
また、本実施の形態１では、コンデンサＣの接続端子１６ａ，１６ｂが半田２０により配線基板５の接続端子８ｅと接合され電気的に接続されている。非接触型のＩＣカードでは基本的に配線基板が不要で共振回路用のコンデンサを設ける場合は耐熱性の低いカード本体に直接取り付ける（カード本体内に設けられたアンテナ用のコイルと直接接続する）ので、あまり高温の熱処理を行えず、共振回路用のコンデンサとアンテナ用のコイルとの接続材料は導電性樹脂ペースト等のような比較的低温での接続が可能な材料が一般的に用いられている。しかし、導電性樹脂ペーストを用いた場合、共振回路用のコンデンサとアンテナ用のコイルとの接触抵抗が増大するため、共振回路に損失が生じる結果、Ｑ（Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ：共振回路の共振の鋭さを表す量で、共振周波数の周りの帯域幅を与える量）値が低下し、すなわち、アンテナの感度が低下し、ＩＣカードの通信特性が低下してしまう問題があることを本発明者が初めて見出した。これに対して、本実施の形態１では、比較的耐熱性の高いガラスエポキシ系樹脂からなる配線基板５のモールド面にコンデンサＣを搭載するので、コンデンサＣを高温熱処理の伴う半田２０により接続することができる。コンデンサＣを半田２０でコイルＬに接続した場合、上記導電性樹脂ペーストに比べて、コンデンサＣとコイルＬとの間の抵抗を小さくすることができるので、共振回路の損失を低減できる。この結果、共振回路のＱ値を向上させることができ、アンテナの感度を向上させることができる。このように本実施の形態１によれば、コンデンサＣとしてセラミックコンデンサを用い、そのコンデンサＣを半田２０により接続することにより、ＩＣカード１の通信特性をより向上させることができる。このため、例えばＩＣカード１の無線通信が可能な距離をより大きくでき、また、ＩＣカード１の無線通信の信頼性をより向上させることができる。
上記半田２０の材料は、封止部６ａの形成工程（モールド工程）時の温度（例えば１８０度）よりも高い融点を持つ材料が選択されている。これは本実施の形態１では、コンデンサＣを封止部６ａで封止するので、そのモールド工程時に半田２０が溶融してしまわないようにするためである。具体的な半田２０の材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）−錫（Ｓｎ）半田の他、錫−銀（Ａｇ）系、錫−銀−銅系、錫−銀−銅−ビスマス（Ｂｉ）系、錫−ビスマス系、錫−銅系または錫−亜鉛（Ｚｎ）系等のような、いわゆる鉛フリー半田を用いることができる。上記鉛フリー系の半田を用いることにより環境への負荷を軽減できる。
また、本実施の形態１では、上記のようなコンデンサＣが、上記ＩＣチップ３やボンディングワイヤ１４等と同様に上記封止部６ａにより封止されている。このように本実施の形態１では、コンデンサＣを封止部６ａで封止したことにより、コンデンサＣとその半田接続部とを外部から守ることができるので、例えば耐候性および耐湿性を向上させることができる他、ＩＣカード１の折り曲げ等に起因する半田接続部の機械的疲労に対する耐性を向上させることができるので、コンデンサＣの剥離等を抑制または防止できる。したがって、ＩＣカード１の寿命を向上させることが可能となる。
次に、図１２は上記図７からＩＣチップ３およびコンデンサＣを取り除いて示したモールド面の全体平面図を示している。また、図１３は本実施の形態１のＩＣモジュール２のアンテナ接続端子８ａの配置の様子と、そのアンテナ接続端子８ａとコイルＬとの接続関係の様子とを示している。また、図１４は本発明者が検討したアンテナ接続端子８ａの他の配置の様子を比較のために示している。
本実施の形態１では、図１２および図１３等に示すように、２つのアンテナ接続端子８ａが、ＩＣチップ３の同じ辺側に配置されておらず、ＩＣチップ３の異なる辺側に配置されている。ここでは、２つのアンテナ接続端子８ａが、ＩＣチップ３を挟んでその左右の両側に、ＩＣチップ３を中心として左右対称となるように、すなわち、互いに反対の関係になるように配置されている。仮に図１４に示すように、２つのアンテナ接続端子８ａをＩＣチップ３の同じ辺側に配置した場合、２つのアンテナ接続端子８ａの隣接間や２つのアンテナ接続端子８ａからＩＣチップ３側に延在する各々の配線８ｂの隣接間あるいはアンテナ用のコイルＬを形成する配線の隣接間に浮遊容量Ｃｓが形成される結果、共振回路を形成するコンデンサの容量値が設計値と異なってしまう。これに対して、本実施の形態１では、上記のようにアンテナ接続端子８ａをＩＣチップ３の異なる辺側に配置して各々を離間させたことにより、上記のような浮遊容量Ｃｓを形成され難くすることができるので、上記共振回路のコンデンサＣの容量値を設計値に近い値にすることができる。また、コイルＬを接続するアンテナ接続端子８ａ、コンデンサＣを搭載する接続端子８ｅ、ボンディングホール１３の各々の配置マージンを増やすことができるので、その各々の配置設計を容易にすることができる。
次に、本実施の形態１のＩＣカード１の製造方法の一例を図１５の工程図に沿って図１６〜図２３により説明する。
まず、上記コンデンサＣ、上記ＩＣチップ３および配線基板母体を用意する（図１５の工程ＣＰ、ＣＨＰ、ＭＣＢＰ）。コンデンサＣおよびＩＣチップ３は、周知の製造工程で量産可能である。配線基板母体は上記配線基板５の母体である。図１６はその配線基板母体５Ｍの要部平面図の一例を示している。配線基板母体５Ｍは、例えばテープ状の薄いガラスエポキシ系樹脂からなる。配線基板母体５Ｍの短方向両端の近傍には、配線基板母体５Ｍの長手方向に沿って複数のスプロケットホール２２が規則的に配置されている。スプロケットホール２２は、テープ状の配線基板母体５Ｍをテープ送りするための送り孔である。このスプロケットホール２２に、組立装置側のスプロケットローラの送り爪が嵌め合わされた状態で、スプロケットローラが回転することでテープ状の配線基板母体５Ｍの送り動作が位置合わせ良く行われる。また、配線基板母体５Ｍの中央には、その長手方向に沿って複数の単位領域ＵＲが２列になって配置されている。各単位領域ＵＲは１つのＩＣモジュール２の配線基板５を得るための領域である。
図１７は配線基板母体５Ｍのコンタクト面の要部拡大平面図の一例を示し、図１８は配線基板母体５Ｍのモールド面の要部拡大平面図の一例を示している。ここでは、４つの単位領域ＵＲが例示されている。図１７に示すように、配線基板母体５Ｍのコンタクト面の各単位領域ＵＲにはモジュール端子４が既に形成されている。この段階のモジュール端子４には配線２３が一体的に接続されている。この配線２３は、メッキ処理時の通電用引出配線としての機能を有している。モジュール端子４および配線２３は同時にパターン形成されている。また、図１８に示すように、配線基板母体５Ｍのモールド面の各単位領域ＵＲには既にアンテナ接続端子８ａ、配線８ｂ，８ｃ、幅広領域８ｄおよび接続端子８ｅが一体的に形成されている。これらアンテナ接続端子８ａ、配線８ｂ，８ｃ、幅広領域８ｄおよび接続端子８ｅも同時にパターン形成されているので、コストの増大を招くことなくＩＣカード１を製造できる。このような配線基板母体５Ｍはリールに巻き取られた状態で組立装置に搬入される。
次いで、配線基板母体５Ｍの各単位領域ＵＲに上記コンデンサＣを搭載する（図１５の工程ＣＢ１）。図１９は、この工程で用いる組立装置２５の一例を示している。上記コンデンサＣの搭載処理は、第１リール２６ａの配線基板母体５Ｍを第２リール２６ｂに送るまでの間で行われる（リール・トゥ・リール接続）。まず、組立装置２５の半田塗布部２５ａでは、ペースト状態の上記半田２０を配線基板母体５Ｍのモールド面の接続端子８ｅに塗布する。半田２０は上記した材料からなるとともに、フラックスの少ない半田を使用する。続いて、半田塗布が終了した配線基板母体５Ｍ部分を組立装置２５のチップ搭載部２５ｂに送る。チップ搭載部２５ｂでは、真空吸引パッド等で吸着したコンデンサＣの接続端子と配線基板母体５Ｍの接続端子８ｅとを位置合わせ後、コンデンサＣを接続端子８ｅに押し付けて仮接続する。その後、チップ搭載処理が終了した配線基板母体５Ｍ部分を組立装置２５のリフロ加熱部２５ｃに送る。リフロ加熱部２５ｃでは、半田２０を加熱処理により溶融させてコンデンサ２０の接続端子と配線基板母体５Ｍの接続端子８ｅとをしっかりと固定し電気的に接続する。リフロ加熱部２５ｃには、リフロ炉の熱を遮断するシャッタが設けられている。これにより、トラブル発生時やストップアンドゴー（Ｓｔｏｐ ａｎｄ Ｇｏ）のストップ時に上記シャッタを閉じることにより加熱量を調節することができる。なお、上記ストップアンドゴーとは、例えばコンデンサＣを搭載する時等はテープ送りを一旦止め（ＳＴＯＰ）、コンデンサＣ等の搭載工程後は再びテープ送り動作を行う（ＧＯ）、その動作を言う。図２０は、上記工程後の配線基板母体５Ｍのモールド面の要部拡大平面図を示している。各単位領域ＵＲの隣接する接続端子８ｅ，８ｅ間にはコンデンサＣが搭載されている。本実施の形態１では、コンデンサＣを、耐熱性の高いガラスエポキシ系樹脂フィルムからなる配線基板母体５Ｍに搭載するので、半田２０を用いた接続が可能となる。上記のようなコンデンサＣの搭載工程後、組立装置２５において、コンデンサＣの電気的特性検査（接続状態や容量値測定等）や外観検査等を行うこともできる。このため、配線基板母体５Ｍの配線（配線８ｃ等）は、電気的な検査が可能なように引き回されている。このように、本実施の形態１では、テープ状の配線基板母体５Ｍの送り動作によるコンデンサ搭載の一貫ラインの中で、コンデンサＣの電気的特性検査や外観検査が可能である。この場合、一貫ラインの外で上記検査を行う場合に比べて、作業性および効率を向上させることができ、しかも製品管理を容易にすることができる。したがって、ＩＣカード１の組立工程の容易性を大幅に向上させることができる。また、ＩＣカード１の組立時間を大幅に短縮させることができる。さらに、上記一貫ラインの先頭で上記検査を行うことにより、コンデンサＣの特性不良や接続不良等を事前に把握し選別できるので、コンデンサＣに係わる不良がＩＣカード１に及ばない。すなわち、コンデンサＣの不良により良品のＩＣチップが不良になってしまうのを防止できる。したがって、ＩＣカード１の歩留まりを向上させることができ、ＩＣカード１のコストを低減させることができる。
次いで、配線基板母体５Ｍの各単位領域ＵＲに上記ＩＣチップ３を搭載しモールドする（図１５の工程ＣＢ２、ＷＢ、ＰＫＧ）。図２１は、この工程で用いる組立装置２７の一例を示している。ここでの処理は、第２リール２６ｂの配線基板母体５Ｍを第３リール２６ｃに送るまでの間で行われる（リール・トゥ・リール接続）。
まず、組立装置２７の接着材塗布部２７ａでは、エポキシ系接着剤などを用いて配線基板母体５Ｍのモールド面のＩＣチップ搭載領域に塗布する。続いて、組立装置２７のチップ搭載部２７ｂでは、真空吸引パッド等で吸着したＩＣチップ３を位置合わせ後、配線基板母体５Ｍに押し付けて仮接続する。その後、組立装置２７のリフロ加熱部２７ｃでは、接着材を加熱処理により溶融させてＩＣチップ３を配線基板母体５Ｍのモールド面にしっかりと固定する（ＣＯＴ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｔａｐｅ）、図１５の工程ＣＢ２）。
続いて、ＩＣチップ搭載工程後、水洗処理を経ることなくワイヤボンディング工程に移行する。すなわち、組立装置２７のワイヤボンディング部２７ｄでは、ＩＣチップ３のボンディングパッド１２と、モジュール端子４および幅広領域８ｄとをボンディングワイヤ１４により接続する。ここで水洗処理を経ることなくワイヤボンディング工程に移行しているのは、水洗処理を施すとモジュール端子４の表面に水垢汚れが付いてしまう場合があるので、そのような不具合を避けるためである。上記のように半田２０としてフラックスの少ない半田を使用したのも、水洗工程を無くすためである。図２２は、上記ワイヤボンディング工程後の配線基板母体５Ｍのモールド面の要部拡大平面図を示している。各単位領域ＵＲのＩＣチップ３のボンディングパッド１２と、モジュール端子４および幅広領域８ｄとがボンディングワイヤ１４により電気的に接続されている（図１５の工程ＷＢ）。
次いで、ワイヤボンディング工程後、図２１の組立装置２７のモールド部２７ｅでは、複数の単位領域ＵＲの封止部６ａをトランスファーモールド法により一括して形成する。すなわち、配線基板母体５Ｍの複数の単位領域ＵＲの各々のモールド面とコンタクト面とを、金型の下型２７ｅ１と上型２７ｅ２とで挟み込むようにした状態で金型のキャビティ２７ｅ３内に、例えばガラスエポキシ系樹脂を流し込むことでモールド面に複数の封止部６ａを一括して形成する。封止工程時の温度は、例えば最大で１８０度程度である。上記半田２０等はこの封止工程時の温度よりも高い融点を持つものが使用されているので、封止工程により半田２０が溶けてしまうことは無い。また、この封止工程では、金型において封止用の樹脂をキャビティ２７ｅ３内に流し込むための注入口（ゲート）の位置と、上記配線基板母体５Ｍ上のコンデンサＣの位置とが離れるような配置とされている。すなわち、コンデンサＣが上記注入口に近い位置にあると、モールド工程時に溶融した樹脂がコンデンサＣに当たり、巻き込みによるボイドが生じる場合がある。そこで、本実施の形態１では、上記注入口と、コンデンサＣとの位置を離すことにより、封止部６ａ内にボイドが生じるのを抑制または防止できる。図２３は、上記ワイヤボンディング工程後の配線基板母体５Ｍのモールド面の要部拡大平面図を示している。各単位領域ＵＲのＩＣチップ３、コンデンサＣ、ボンディングワイヤ１４、ボンディングホール１３等は、封止部６ａによって覆われている。アンテナ接続端子８ａは封止部６ａから露出されている（図１５の工程ＰＫＧ）。
以上のようにして配線基板母体５Ｍの単位領域ＵＲの各々にＩＣモジュール２を形成した後、その各々のＩＣモジュール２を配線基板母体５Ｍから切り出す（図１５の工程ＣＵＴ）。その後、その切り出されたＩＣモジュール２をカード本体７の凹部７ａに嵌め込む。この時、ＩＣモジュール２のアンテナ接続端子８ａとカード本体７内のコイルＬとを銀入り導電性樹脂ペースト等のような比較的低温で接合が可能な接着材により接合する（図１５の工程ＭＢ）。このようにしてＩＣカード１を製造する。
一般的な非接触型インターフェイスを形成する共振回路用のコンデンサＣを持つＩＣカード１の製造工程では、カード本体７の１つ１つにコンデンサＣを１つ１つ搭載しなければならないので製造工程が煩雑でコストの増大を招く。これに対して、本実施の形態１では、テープ状の配線基板母体５Ｍを用いた流れの中でコンデンサＣを搭載し、その製造工程中にコンデンサＣをＩＣモジュール２の中に組み込んでしまい、ＩＣモジュール２をカード本体７に取り付けるとコンデンサＣもＩＣカード１の全体回路の中に組み込まれてしまうようになっている。このため、本実施の形態１によれば、非接触型インターフェイスを形成する共振回路用のコンデンサＣを持つＩＣカード１の組立を容易にすることができる。また、そのＩＣカード１のコストを低減できる。
（実施の形態２）
本実施の形態２では前記ＩＣカード１の封止部６ａの変形例を説明する。
図２４は本実施の形態２のＩＣカード１の製造工程中の配線基板５のモールド面の平面図の一例を示している。本実施の形態２では、封止部の形状が前記実施の形態１の封止部６ａと異なっており、封止部６ｂから前記共振回路用のコンデンサの接続領域（接続端子８ｅ）が露出されている。
図２５は図２４にコンデンサＣを搭載した後の配線基板５のモールド面の平面図を示している。図２５の封止部６ｂ内を取り除いた図は前記図７と同じである。本実施の形態２では、コンデンサＣが封止部６ｂの外に搭載されている。また、ＩＣカード１の製造工程においては、封止部６ｂの形成工程後にコンデンサＣを搭載する。このコンデンサＣの搭載工程は、前記実施の形態１のように配線基板母体５Ｍの状態の時に搭載しても良いし、配線基板母体５Ｍから個々の配線基板５を切り出した後でも良い。それ以外は、前記実施の形態１と同じである。また、封止部６ｂの材料や形成工程も前記封止部６ａと同じなので説明を省略する。
このように本実施の形態２によれば、前記実施の形態１で得られる効果の他に、以下の効果を得ることができる。すなわち、コンデンサＣを封止工程後に搭載できるようにしておくことにより、ＩＣカード１のカード本体７のコイルＬの仕様の変更によって、その値が変更になったり、リーダライタ側の同調値にずれが生じていたりする場合でも、コイルＬの値やリーダライタに合わせて最適な容量値を持つコンデンサＣを搭載できる。このため、ＩＣカード１の非接触型インターフェイスの共振周波数を最適な値に設定することが可能となる。また、コンデンサＣを封止部６ｂの外に搭載することにより、半田２０が封止温度に左右されないので、半田２０の材料選択の自由度を向上させることが可能となる。さらに、封止部６ｂの形成工程までが終了した配線基板母体５Ｍまたは配線基板５を作り置きしておくことができるので、ＩＣカード１の製造時間を大幅に短縮させることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態３では、前記ＩＣカード１の封止部６ａの形状は前記実施の形態１と同一のまま変えないで、前記共振回路用のコンデンサＣを封止工程後に搭載可能にした構成の一例を説明する。
図２６は本実施の形態３のＩＣカード１の製造工程中の配線基板５（配線基板母体５Ｍ）のモールド面の平面図の一例を示している。本実施の形態３では、封止部６ａは前記実施の形態１と同じであるが、コンデンサＣの搭載領域（接続端子８ｅ）が封止部６ａの外に配置されている。この場合、配線基板５の各々の配線８ｂの端部が封止部６ａの領域の外まで延在しており、その配線８ｂの端部に接続端子８ｅが一体的に形成されている。
図２７は図２６の配線基板５にコンデンサＣを搭載した後のモールド面の全体平面図を示している。本実施の形態３においても、コンデンサＣが封止部６ａの外に搭載されている。また、ＩＣカード１の製造工程においても、封止部６ａの形成工程後にコンデンサＣを搭載する。このコンデンサＣの搭載工程は、前記実施の形態１のように配線基板母体５Ｍの状態の時に搭載しても良いし、配線基板母体５Ｍから個々の配線基板５を切り出した後でも良い。それ以外は、前記実施の形態１と同じである。
本実施の形態３によれば、前記実施の形態１，２で得られる効果の他に、以下の効果を得ることができる。すなわち、前記モールド部２７ｅの金型（下型２７ｅ１および上型２７ｅ２）を変更する必要がなく、現在使用されているモールド部２７ｅをそのまま使用できる。
（実施の形態４）
本実施の形態４では、封止部６ａの形状は変えないで、前記共振回路用のコンデンサの容量値を封止工程後に変更（調整）可能にした構成の一例を説明する。
図２８は、本実施の形態４のＩＣカード１の配線基板５（配線基板母体５Ｍ）のモールド面の平面図の一例を示している。本実施の形態４では、前記共振回路用のコンデンサＣの搭載領域が、例えば２つあり、一方は封止部６ａの領域内に配置され、他方は封止部６ａの領域外に配置されている。この場合の各々の配線８ｂの端部が２つに分かれており、一方の配線８ｂ１の延在端部に一体的に形成された接続端子８ｅ１は封止部６ａの領域内に配置され、他方の配線８ｂ２の延在端部に形成された接続端子８ｅ２は封止部６ａの領域外に配置されている。
図２９は、図２８にＩＣチップ３および共振回路用のコンデンサＣ１（Ｃ）を搭載し、ワイヤボンディング工程を経た後の配線基板５（配線基板母体５Ｍ）のモールド面の平面図の一例を示している。また、図３０は、図２９に封止部６ａを形成した後の配線基板５（配線基板母体５Ｍ）のモールド面の平面図の一例を示している。このコンデンサＣ１は封止部６ａの領域内で搭載されている。ここでは封止部６ａの外部の接続端子８ｅ２にコンデンサが搭載されていない。この段階でＩＣモジュール２として使用することもできる。しかし、上記したようなコイルＬやリーダライタとの関係等から容量値を調整したい場合がある。その場合は、封止部６ａの外部の接続端子８ｅ２に調整用のコンデンサを搭載する。図３１は、図３０に共振回路用のコンデンサＣ２（Ｃ）を搭載した後の配線基板５（配線基板母体５Ｍ）のモールド面の平面図の一例を示している。コンデンサＣ２は、封止部６ａの外部に搭載されており、上記封止部６ａ内のコンデンサＣ１に対して並列に接続されている。
本実施の形態４によれば、前記実施の形態１，２，３で得られる効果の他に、以下の効果を得ることができる。すなわち、前記共振回路用のコンデンサの容量値を封止工程後に微調整することができる。また、共振回路用のコンデンサＣ１を内包する封止部６ａの形成工程までが終了した配線基板母体５Ｍまたは配線基板５を作り置きしておくことができるので、ＩＣカード１の製造時間を大幅に短縮させることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態５では前記実施の形態４の封止部６ａを前記実施の形態２の封止部６ｂに代えた場合について説明する。図３２および図３３は、本実施の形態５のＩＣカード１の配線基板５（配線基板母体５Ｍ）のモールド面の平面図の一例を示している。図３２の封止部６ｂ内を取り除いた図は前記図２９と同じである。本実施の形態５では、前記共振回路用の２つのコンデンサＣ１，Ｃ２の搭載領域が、封止部６ｂの外部に配置されている。図３２では１つのコンデンサＣ１のみが搭載されている場合が例示されている。この段階でＩＣモジュール２として使用する場合もある。また、図３３では２つのコンデンサＣ１，Ｃ２が搭載されている場合が例示されている。この段階でＩＣモジュール２として使用する場合もある。コンデンサＣ１，Ｃ２は、前記実施の形態１〜４と同様に、配線基板母体５Ｍの状態の時に搭載しても良いし、配線基板母体５Ｍから切り出した後の配線基板５に搭載しても良い。
本実施の形態５によれば、前記実施の形態１，２，３，４で得られる効果（現状のモールド金型を使用できる効果を除く）と同様の効果を得ることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば前記実施の形態１〜５において、配線基板はガラスエポキシ系樹脂に限定されるものではなく、例えばガラスエポキシ系樹脂よりも柔軟性の高いポリイミド系樹脂を用いても良い。
また、前記実施の形態１〜５では、ＩＣチップ３とコンデンサＣを搭載した場合について説明したが、他の電子部品も搭載可能である。例えばＩＣカードにＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ｓｅｒｉａｌ Ｂｕｓ）機能を取り付けた場合、発振子が必要となるが、それを配線基板５に搭載することもできる。
また、前記実施の形態１〜５では、非接触型および接触型のデュアルインタフェースＩＣカードに適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば非接触型のＩＣカードに適用できる。一般的な非接触型のＩＣカードでは配線基板は用いないが、本実施の形態の場合は、前記実施の形態１〜５と同様に、配線基板をカード本体に組み込むような構成となる。ただし、この場合の配線基板の露出面にはモジュール端子４は形成されていない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるＩＣカードに適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、非接触型インタフェースの共振回路を持つ他の半導体装置にも適用できる。
本願によって開示される実施の形態のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
すなわち、集積回路が形成された半導体チップと、前記半導体チップを搭載する配線基板と、前記配線基板の配線を通じて前記半導体チップに電気的に接続された非接触型インターフェイスとをカード本体内に備え、前記非接触型インターフェイスは、アンテナとしての機能を有するコイルと、前記コイルに並列に接続されて共振回路を形成するコンデンサとを有し、前記コンデンサは、前記配線基板に半田接続されている構成を有することにより、カード型の半導体装置の通信特性を向上させることが可能となる。

以上のように、本発明にかかる半導体装置は、例えばクレジットカード、キャッシュカード、ＥＴＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｔｏｌｌ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ）システム用カード、定期券、公衆電話用カード、携帯電話用カードまたは認証カード等、金融、交通、通信、流通および認証等のさまざまな分野で使用が進められているＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）カードに用いるのに適している。

Claims (27)

1. 外部の送受信装置と無線通信を行うためのアンテナコイルを備えたカード本体に搭載される半導体装置であって、
   前記半導体装置は、
   主面及び前記主面とは反対側にある裏面とを有し、前記カード本体より耐熱性の高い配線基板と、
   前記配線基板の主面に設けられ、前記アンテナコイルの一端と第１導電性材料を介して電気的に接続される第１接続端子と、
   前記配線基板の主面に設けられ、前記アンテナコイルの他端と前記第１導電性材料を介して電気的に接続される第２接続端子と、
   前記配線基板の主面に搭載され、さらに前記第１接続端子と前記第２接続端子とに電気的に接続され、データの処理を行う半導体チップと、
   前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子および前記第２接続端子よりも端子面積が小さく、前記第１接続端子と前記配線基板の配線により電気的に接続された第３接続端子と、
   前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子および前記第２接続端子よりも端子面積が小さく、前記第２接続端子と前記配線により電気的に接続された第４接続端子と、
   前記第３接続端子にその一端を、前記第４接続端子にその他端を、第２導電性材料を介して電気的に接続されることにより共振回路を形成する第１コンデンサと、を有し、
   前記第１導電性材料の接続時の熱処理の温度は、前記カード本体の耐熱温度よりも低く、
   前記第２導電性材料の接続時の熱処理の温度は、前記カード本体の耐熱温度よりも高く、且つ前記配線基板の耐熱温度よりも低いものであって、
   前記第２導電性材料は、前記第１導電性材料よりも接続抵抗値が低いことを特徴とする半導体装置。
2. 前記半導体チップと前記第１コンデンサとが樹脂封止された封止部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１コンデンサは、チップ型のセラミックコンデンサであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記半導体チップが樹脂封止された封止部を有し、前記第１コンデンサは前記封止部の外側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
5. 前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子および前記第２接続端子よりも端子面積が小さく、前記第３接続端子と前記配線により電気的に接続された第５接続端子と、
   前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子および前記第２接続端子よりも端子面積が小さく、前記第４接続端子と前記配線により電気的に接続された第６接続端子と、
   前記第５接続端子にその一端を、前記第６接続端子にその他端を、前記第２導電性材料を介して電気的に接続されることにより共振回路を形成する第２コンデンサと、
   前記半導体チップと前記第１コンデンサとが樹脂封止された封止部と、をさらに有し、
   前記第２コンデンサは、前記封止部の外側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
6. 前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子および前記第２接続端子よりも端子面積が小さく、前記第３接続端子と前記配線により電気的に接続された第５接続端子と、
   前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子および前記第２接続端子よりも端子面積が小さく、前記第４接続端子と前記配線により電気的に接続された第６接続端子と、
   前記第５接続端子にその一端を、前記第６接続端子にその他端を、前記第２導電性材料を介して電気的に接続されることにより共振回路を形成する第２コンデンサと、
   前記半導体チップが樹脂封止された封止部と、をさらに有し、
   前記第１コンデンサと前記第２コンデンサとが、前記封止部の外側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
7. 前記第２導電性材料は、半田であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
8. 前記半田は、鉛フリー系半田であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記第１導電性材料は、銀入り導電性接着剤であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
10. 前記配線基板は、ガラスエポキシ系の樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
11. 前記配線基板は、ポリイミド系の樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
12. 前記半導体チップは、
    前記データを処理するための中央演算処理装置と、
    前記中央演算処理装置における実行プログラムや暗号アルゴリズムを格納したＲＯＭと、
    データ処理用のメモリとしての機能を有するＲＡＭと、
    データ格納用のメモリとしての機能を有するＥＥＰＲＯＭと、
    その他の演算回路と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
13. 前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子と前記配線により電気的に接続された第１ランド部と、
    前記配線基板の主面に設けられ、前記第２接続端子と前記配線により電気的に接続された第２ランド部と、を有し、
    前記第１ランド部および前記第２ランド部は、それぞれ前記半導体チップの主面に設けられたボンディングパッドとボンディングワイヤにより接続されていることで、前記第１接続端子および前記第２接続端子は、前記半導体チップと電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
14. 前記配線基板の裏面には、外部の送受信装置の対応端子と接触して通信を行うための外部端子を有し、
    前記外部端子の裏面の一部が露出するように、前記配線基板の主面から裏面にかけて貫通孔が施されており、
    前記ボンディングパッドと前記外部端子の裏面とは、前記貫通孔を通じてボンディングワイヤによりそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
15. 外部の送受信装置と無線通信を行うためのアンテナコイルを備えたカード本体に搭載される半導体装置であって、
    前記半導体装置は、
    主面及び前記主面とは反対側にある裏面とを有し、前記カード本体より耐熱性の高い配線基板と、
    前記配線基板の主面に設けられ、前記アンテナコイルの一端と第１導電性材料を介して電気的に接続される第１接続端子と、
    前記配線基板の主面に設けられ、前記アンテナコイルの他端と前記第１導電性材料を介して電気的に接続される第２接続端子と、
    前記配線基板の主面に搭載され、さらに前記第１接続端子と前記第２接続端子とに電気的に接続され、データの処理を行う半導体チップと、
    前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子および前記第２接続端子よりも端子面積が小さく、前記第１接続端子と前記配線基板の配線により電気的に接続された第３接続端子と、
    前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子および前記第２接続端子よりも端子面積が小さく、前記第２接続端子と前記配線により電気的に接続された第４接続端子と、
    前記第３接続端子にその一端を、前記第４接続端子にその他端を、半田を介して電気的に接続されることにより共振回路を形成する第１コンデンサと、を有し、
    前記第１導電性材料の接続時の熱処理の温度は、前記カード本体の耐熱温度よりも低く、前記半田の接続時の熱処理の温度は、前記カード本体の耐熱温度よりも高く、且つ前記配線基板の耐熱温度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
16. 前記半導体チップと前記第１コンデンサとが樹脂封止された封止部を有することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
17. 前記第１コンデンサは、チップ型のセラミックコンデンサであることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
18. 前記半導体チップが樹脂封止された封止部を有し、前記第１コンデンサは前記封止部の外側に配置されていることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
19. 前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子および前記第２接続端子よりも端子面積が小さく、前記第３接続端子と前記配線により電気的に接続された第５接続端子と、
    前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子および前記第２接続端子よりも端子面積が小さく、前記第４接続端子と前記配線により電気的に接続された第６接続端子と、
    前記第５接続端子にその一端を、前記第６接続端子にその他端を、前記半田を介して電気的に接続されることにより共振回路を形成する第２コンデンサと、
    前記半導体チップと前記第１コンデンサとが樹脂封止された封止部と、をさらに有し、
    前記第２コンデンサは、前記封止部の外側に配置されていることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
20. 前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子および前記第２接続端子よりも端子面積が小さく、前記第３接続端子と前記配線により電気的に接続された第５接続端子と、
    前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子および前記第２接続端子よりも端子面積が小さく、前記第４接続端子と前記配線により電気的に接続された第６接続端子と、
    前記第５接続端子にその一端を、前記第６接続端子にその他端を、前記半田を介して電気的に接続されることにより共振回路を形成する第２コンデンサと、
    前記半導体チップが樹脂封止された封止部と、をさらに有し、
    前記第１コンデンサと前記第２コンデンサとが、前記封止部の外側に配置されていることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
21. 前記半田は、鉛フリー系半田であることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
22. 前記第１導電性材料は、銀入り導電性接着剤であることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
23. 前記配線基板は、ガラスエポキシ系の樹脂からなることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
24. 前記配線基板は、ポリイミド系の樹脂からなることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
25. 前記半導体チップは、
    前記データを処理するための中央演算処理装置と、
    前記中央演算処理装置における実行プログラムや暗号アルゴリズムを格納したＲＯＭと、
    データ処理用のメモリとしての機能を有するＲＡＭと、
    データ格納用のメモリとしての機能を有するＥＥＰＲＯＭと、
    その他の演算回路と、を備えることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
26. 前記配線基板の主面に設けられ、前記第１接続端子と前記配線により電気的に接続された第１ランド部と、
    前記配線基板の主面に設けられ、前記第２接続端子と前記配線により電気的に接続された第２ランド部と、を有し、
    前記第１ランド部および前記第２ランド部は、それぞれ前記半導体チップの主面に設けられたボンディングパッドとボンディングワイヤにより接続されていることで、前記第１接続端子および前記第２接続端子は、前記半導体チップと電気的に接続されていることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
27. 前記配線基板の裏面には、外部の送受信装置の対応端子と接触して通信を行うための外部端子を有し、
    前記外部端子の裏面の一部が露出するように、前記配線基板の主面から裏面にかけて貫通孔が施されており、
    前記ボンディングパッドと前記外部端子の裏面とは、前記貫通孔を通じてボンディングワイヤによりそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置。

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