WO2004106222A1 - Mikroelektromechanischer drucksensor und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

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WO2004106222A1
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rubber
pressure
semiconductor chip
sensitive area
cavity housing
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Martin Petz
Thomas Engling
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Infineon Technologies AG
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Infineon Technologies AG
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    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0058—Packages or encapsulation for protecting against damages due to external chemical or mechanical influences, e.g. shocks or vibrations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
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    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires

Definitions

  • the invention relates to an electro-mechanical component and a method for its production.
  • the microelectromechanical component has a semiconductor chip with a pressure-sensitive area.
  • the semiconductor chip is arranged in a prefabricated cavity housing that is open on one side, and its pressure-sensitive region can be exposed to the external pressure through the prefabricated cavity housing that is open on one side.
  • Such an electronic component is known from the document DE 42 03 832-A.
  • the known semiconductor sensor is embedded in an outer covering made of epoxy resin, the pressure-sensitive area in the form of a membrane on the active upper side of the semiconductor being freely accessible.
  • the entire semiconductor chip is arranged on a carrier, which is also cast into the casing.
  • Such a sensor has the disadvantage that it cannot be used in aggressive media, especially since the pressure-sensitive surface of the semiconductor chip is exposed to the environment without protection.
  • the object of the invention is a microelectromechanical
  • a microelectromechanical component which has a semiconductor chip with a pressure-sensitive area on its active upper side.
  • the pressure sensitive area is covered by a rubber-elastic layer, while outside the pressure sensitive area
  • Contact surfaces are arranged on the active top of the semiconductor chip.
  • the microelectromechanical component has a prefabricated, one-sided open cavity housing with electrical connections between the external connections of the component and the contact surfaces of the semiconductor chip. These electrical connections are cast into these when the cavity housing is manufactured, that is to say when the side walls of the cavity housing are injection molded. This pouring takes place in such a way that external connections extend outwards and that partial regions of the electrical connections in the form of contact connection are available.
  • a rubber-elastic cover which covers the upper side of the semiconductor chip, partial areas of the electrical connections inside the cavity housing and the inside of the cavity housing, is arranged in the cavity housing open on one side above the semiconductor chip.
  • this area of the microelectromechanical component is covered with a rigid plastic covering, which not only protects the rubber-elastic cover, but also covers the outer sides of the prefabricated cavity housing ,
  • the pressure-sensitive area of the semiconductor chip is kept free in the plastic casing and has an opening depth, so that the pressure-sensitive area of the semiconductor chip remains only covered by a thin, rubber-elastic layer.
  • Such thin, rubber-elastic layers do not tend to form air bubbles and ensure reliable functioning of the pressure-sensitive area even under the highest loads.
  • the rubber-elastic layer thus has a smaller thickness than the rubber-elastic cover and the size of the rubber-elastic layer corresponds to the size of the opening in the
  • the plastic covering acts like a clamp, which ensures high dimensional stability and the rubber encloses static cover dimensionally stable.
  • a microelectromechanical component is thus realized, which in principle has a double-walled cavity shape, only one opening in this double-walled cavity shape being exposed to the medium to be measured, and exactly in the size that corresponds to the sensor area of the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip In order to transport the pressure signals from the sensor area of the semiconductor chip to the external connections, the semiconductor chip has, on its active upper side, contact areas which lead to bonded areas to partial areas in the form of contact connection areas of the electrical connections, which pass through the double wall of the cavity housing with casing go through and are electrically connected to external connections.
  • the prefabricated cavity housing has anchoring elements on its outer sides.
  • the anchoring elements are positively interlocked with the plastic covering, so that a secure fit of the prefabricated cavity housing in the plastic covering remains guaranteed.
  • the prefabricated cavity housing and the plastic casing are made of an epoxy resin
  • the rubber-elastic cover and the rubber-elastic layer have a silicone rubber or a silicone gel, which transmits a pressure present in the opening of the plastic casing to the pressure-sensitive area on the active top side of the semiconductor chip without stress.
  • the sensor signals are transmitted to the bond wires via corresponding conductor tracks from the pressure-sensitive area to contact areas arranged outside the pressure area electrical connections to the external connections.
  • the "microelectromechanical component according to the invention has not damaged the 'benefit of increased service life and is even at high pressure changes, as well as at high acceleration forces.
  • a method for producing a microelectromechanical component with a pressure-sensitive semiconductor chip has the following method steps.
  • a semiconductor chip is provided with a pressure-sensitive area on its active upper side and with contact areas outside the pressure-sensitive area.
  • a cavity housing that is open on one side is injection molded with side walls and a cavity floor. Electrical feedthroughs are inserted into the injection mold for the cavity housing, which have external connections and internal contact connection surfaces and are also cast into the side walls of the cavity housing during injection molding.
  • the semiconductor chip is then arranged and fixed on the cavity floor, using pressure-resistant adhesive layers. After the pressure-sensitive semiconductor chip has been fixed on the cavity floor, electrical connections are made between the contact connection areas of the cavity housing and the contact areas of the semiconductor chip. This can be done by introducing bond connections.
  • a rubber-elastic covering compound is introduced into the cavity housing by filling the cavity with a cover.
  • This cover embeds both the bond connections and the semiconductor chip with its pressure-sensitive area in the covering compound, which preferably has a silicone gel. Then the cavity housing with Masking compound installed in an open injection mold while maintaining a distance from the inside of the injection mold.
  • the injection mold has a stamp for immersion in the rubber-elastic covering compound.
  • This stamp is arranged such that it covers the pressure-sensitive area of the semiconductor chip when immersed in the rubber-elastic covering compound, but maintains a distance from this pressure-sensitive area.
  • a rubber-elastic layer corresponding to the distance is formed between the stamp and the pressure-sensitive area of the semiconductor chip.
  • the thickness of this rubber-elastic layer corresponds to the distance between the stamp and the pressure-sensitive area and is thus thinner than the rubber-elastic cover on the rest of the semiconductor chip area and in the remaining cavity of the prefabricated cavity housing.
  • the outside of the prefabricated cavity housing and the rubber-elastic cover are encased in the plastic compound.
  • An opening to the rubber-elastic layer on the pressure-sensitive area of the semiconductor chip is formed in the area of the stamp.
  • the microelectromechanical component according to the invention has a double housing, namely a prefabricated cavity housing and a plastic covering enclosing this cavity housing and the gel-filled cavity.
  • the cavity filled with gel • serves as a voltage buffer, ie there are no mechanical pre-stresses on the semiconductor chip.
  • the plastic covering serves as protection against external mechanical influences and in particular protects the rubber-elastic, gel-like covering compound from air bubbles, cracking and chemomechanical decomposition.
  • the two housings are mechanically firmly anchored in one another, especially since the outer sides of the cavity housing have anchor elements which are cast into the plastic casing.
  • an opening is created by the stamp, the size of which corresponds on the one hand to the pressure-sensitive area of the semiconductor chip and, on the other hand, produces a gel layer thickness directly above the pressure-sensitive membrane, which is greatly reduced and therefore does not distort the signal at high accelerations, as is the case with Bei - Preservation of the thickness of the masking compound would occur.
  • FIG. 1 shows a schematic cross section through a microelectromechanical component of an embodiment of the invention
  • FIG. 2 shows a schematic cross section through an open injection mold with an inserted micro-electromechanical component with a cavity housing and rubber-elastic silicone gel cover
  • Figure 3 shows a schematic cross section through a
  • FIG. 4 shows a schematic cross section through a closed injection mold according to FIG. 3 after the plastic casing has been injected
  • FIG. 5 shows a schematic cross section of the micro-electromechanical component after removal from the
  • FIG. 1 shows a schematic cross section through a microelectromechanical component 1 of an embodiment of the invention.
  • This microelectromechanical component has two nested housings. In an outer region, it has a plastic casing 12 made of an epoxy resin as the outer housing and embedded therein as a hollow housing 7 as an inner housing.
  • the hollow housing 7 is in one piece and has cavity walls 16 and a cavity floor 17.
  • the cavity of the cavity housing 7 is filled with a rubber-elastic silicone gel.
  • the semiconductor chip 2 is embedded in this silicone gel in a stress-free manner with its pressure-sensitive region 3.
  • the silicone gel forms a rubber-elastic cover 10, which is reduced to a rubber-elastic layer 5 in the pressure-sensitive region 3 of the semiconductor chip 2.
  • the thickness of the rubber-elastic layer is less than the thickness of the rubber-elastic cover 10.
  • the size of the rubber-elastic layer 5 corresponds to the size of the pressure-sensitive area 3 on the active top side 4 of the semiconductor chip 2. In addition, the size of the rubber mielastic layer 5 with the size of an opening 14 in the plastic casing 12.
  • the rigid plastic sheath also ensures that no bubbles form in the rubber-elastic cover layer, which reduce the sensitivity of the sensor and are a cause of signal distortions.
  • the pressure-sensitive area 3 generates a pressure signal which is transmitted via conductor tracks on the active upper side 4 of the semiconductor chip 2 to the contact areas 6 in an area outside the pressure-sensitive area. From there, the sensor signals are led via bond connections 23 to contact connection areas 19 of the electrical connections 8 via bushings 18 to external connections 9 of the microelectromechanical component 1.
  • the contact connection areas 19 are arranged on a base-like projection in the interior of the cavity housing 7 and covered with a bondable layer.
  • the cavity housing 7 with the electrical connections 8 is cast in one piece in a single injection molding step. In a In another injection molding step, the plastic covering is then applied after the rubber-elastic cover has been applied. With the help of anchoring elements 15 on the outer sides 13 of the cavity housing 7, the cavity housing 7 and the plastic covering 12 are anchored to one another. Except for the
  • Opening 14 covers the plastic covering 12 also the rubber-elastic cover 10 in the cavity of the cavity housing 7, so that the covering compound of the rubber-like cover 10 remains protected against damage such as blistering and / or cracking.
  • FIG. 2 shows a schematic cross section through an opened injection mold 20 with inserted microelectronic mechanical component 1 with a cavity housing 7 and rubber-like silicone gel cover 10.
  • This injection mold 20 has a first mold half 24 into which the cavity housing 7 is inserted with the aid of the External connections 9 can be hooked in and aligned. In this case, an intermediate space 25 remains between the cavity housing 7 and the inner sides 21 of the first mold half 24.
  • the injection mold 20 has a second mold half 26, which has a plunger 22, which is arranged above the rubber-elastic cover 10 when the injection mold 20 is open, and one Has a cross section which corresponds to the size of the pressure-sensitive region 3 of the semiconductor chip 2.
  • Stamp 22 is aligned with pressure-sensitive area 3.
  • FIG. 3 shows a schematic cross section through a closed injection mold 20 according to FIG. 2 before an injection of a plastic covering.
  • the plunger 22 penetrates into the rubber-elastic cover 10 and displaces it. se except for a rubber-elastic layer 5 over the pressure-sensitive area 3 of the semiconductor chip 2.
  • an intermediate space 25 is formed between the inner walls 21 of the injection mold 20 and the cavity housing 7 with a rubber-elastic cover 10, which in a further process step is covered with a Plastic casing is filled up.
  • FIG. 4 shows a schematic cross section through a closed injection mold 20 according to FIG. 3 after the plastic sheath 12 has been injected.
  • an opening in the plastic sheath 12 is created at the same time, due to the stamp 22 of the second mold half 26, which opening due to the The length of the plug 22 in the pressure-sensitive region 3 of the semiconductor chip 2 is sufficient.
  • FIG. 5 shows a schematic cross section through the microelectromechanical component 1 after removal from the injection mold 20 according to FIG. 4, the plastic covering 12 now completely enclosing the component 1 except for the opening 14 and the external connections 9, with only a thin rubber-elastic layer 5 after the stamp has been removed, remains on the pressure-sensitive region 3 of the semiconductor chip 2.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein mikroelektromechanisches Bauteil (1) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Das mikroelektromechanische Bauteil (1) weist einen druckempfindlichen Halbleiterchip (2) auf, der in seinem druckempfindlichen Bereich (3) von einer gummielastischen Schicht (5) bedeckt ist und in einem Hohlraumgehäuse (7) angeordnet und von einer gummielastischen Abdeckung (10) bedeckt ist. Diese gummielastische Abdeckung (10) weist eine größere Dicke auf, als die gummielastische Schicht (5) auf dem druckempfindlichen Bereich.

Description

MIKROELEKTROMECHANISCHER DRUCKSENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
Die Erfindung betrifft ein i roelektromechanisches Bauteil und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Das mikroelektrome- chanische Bauteil weist einen Halbleiterchip mit einem druckempfindlichen Bereich auf. Der Halbleiterchip ist in einem vorgefertigten, einseitig offenen Hohlraumgehause angeordnet, wobei sein druckempfindlicher Bereich dem Außendruck durch das vorgefertigte einseitig offene Hohlraumgehause ausgesetzt werden kann.
Ein derartiges elektronisches Bauteil ist aus der Druckschrift DE 42 03 832-A bekannt. Der bekannte Halbleitersensor ist in einer äußeren Umhüllung aus Epoxidharz eingebettet, wobei der druckempfindliche Bereich in Form einer Membran auf der aktiven Oberseite des Halbleiters frei zugänglich ist. Der gesamte Halbleiterchip ist auf einem Träger, der ebenfalls in die Umhüllung eingegossen ist, angeordnet. Ein derartiger Sensor hat den Nachteil, dass er in aggressiven Medien nicht einsetzbar ist, zumal die druckempfindliche Fläche des Halbleiterchips ungeschützt der Umgebung ausgesetzt ist.
Ein weiteres mikroelektromechanisches Bauteil ist aus der Druckschrift US 6,401,545 Bl bekannt, bei dem der druckempfindliche Bereich des Halbleiterchips durch eine gummielastische Abdeckung vor Beschädigungen und aggressiven Medien ge- schützt wird. Eine derartige Lösung hat jedoch den Nachteil, dass diese Abdeckung den gesamten Hohlraum eines Hohlraumgehäuses abdeckt, und dass bei hohen Druckwechseln die gummielastische Schicht dazu neigt zu reißen und Luftblasenein- Schlüsse zu bilden. Diese Luftblaseneinschlüsse verschlechtern die Sensitivität des druckempfindlichen Bereichs und die Gesamtstabilität des Sensors.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein mikroelektromechanisches
Bauteil anzugeben, bei dem die Luftblasenbildung unter extremen Betriebsbedingungen, wie hohen Druckwechseln, vermindert wird und die Sensitivität über die gesamte Lebensdauer des mikroelektromechanischen Bauteils ohne Degradation erhalten bleibt.
Gelöst wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
Erfindungsgemäß wird ein mikroelektromechanisches Bauteil angegeben, das einen Halbleiterchip mit einem druckempfindlichen Bereich auf seiner aktiven Oberseite aufweist. Der druk- ke pfindliche Bereich ist von einer gummielastischen Schicht bedeckt, während außerhalb des druckempfindlichen Bereichs
Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips angeordnet sind.
Darüber hinaus weist das mikroelektromechanische Bauteil ein vorgefertigtes, einseitig offenes Hohlraumgehause mit elektrischen Verbindungen zwischen Außenanschlüssen des Bauteils und den Kontakt lächen des Halbleiterchips auf. Diese elektrischen Verbindungen werden beim Fertigen des Hohlraumgehäuses, das heißt beim Spritzgießen der Seitenwände des Hohl- raumgehäuses, in diese mit eingegossen. Dieses Eingießen erfolgt in der Weise, dass sich nach außen Außenanschlüsse erstrecken und dass nach innen zum Hohlraum hin Teilbereiche der elektrischen Verbindungen in Form von Kontaktanschluss- flächen vorhanden sind. Eine gummielastische Abdeckung, welche die Oberseite des Halbleiterchips, Teilbereiche der elektrischen Verbindungen im Inneren des Hohlraumgehäuses und Innenseiten des Hohlraumgehäuses abdeckt, ist in dem einseitig offenen Hohlraumgehause über dem Halbleiterchip angeordnet.
Um zu vermeiden, dass sich in der gummielastischen Abdeckung Luftblasen und Risse bilden, insbesondere bei hohen Beschleunigungsbeanspruchungen, ist dieser Bereich des mikroelektro- mechanischen Bauteils mit einer steifen KunststoffUmhüllung bedeckt, die nicht nur die gummielastische Abdeckung schützt, sonder auch die Außenseiten des vorgefertigten Hohlraumgehäuses abdeckt.
Lediglich eine Öffnung, deren Größe dem druckempfindlichen
Bereich entspricht, ist in der KunststoffUmhüllung freigehalten und weist eine Öffnungsstiefe auf, so dass der druckempfindliche Bereich des Halbleiterchips lediglich von einer dünnen, gummielastischen Schicht bedeckt bleibt. Derartige dünne, gummielastische Schichten neigen nicht zur Bildung von Luftblasen und gewährleisten eine sichere Funktion des druckempfindlichen Bereichs auch bei höchsten Belastungen. Die gummielastische Schicht weist somit eine geringere Dicke auf, als die gummielastische Abdeckung und die Größe der gummiela- stischen Schicht entspricht der Größe der Öffnung in der
Kunststoffumhüllung und der Größe des druckempfindlichen Bereichs des Halbleiterchips.
Diese aufeinander abgestimmten Größen und Dicken verbessern die Lebensdauer des druckempfindlichen Halbleiterchips und damit auch die Lebensdauer des mikroelektromechanischen Bauteils. Dabei wirkt die KunststoffUmhüllung wie eine Klammer, die eine hohe Formstabilität gewährleistet und die gummiela- stische Abdeckung formstabil umschließt. Damit wird ein mikroelektromechanisches ' Bauteil realisiert, das im Prinzip eine doppelwandige Hohlraumform aufweist, wobei lediglich eine Öffnung in dieser doppelwandigen Hohlraumform dem zu messen- den Medium ausgesetzt wird, und zwar in exakt der Größe, die dem Sensorbereich des Halbleiterchips entspricht.
Um die Drucksignale von dem Sensorbereich des Halbleiterchips an die Außenanschlüsse zu transportieren, weist der Halblei- terchip, auf seiner aktiven Oberseite, Kontaktflächen auf, die über Bonddrähte zu Teilbereichen in Form von Kontaktanschlussflächen der elektrischen Verbindungen führen, welche durch die Doppelwand des Hohlraumgehäuses mit Umhüllung hindurchgehen und mit Außenanschlüssen elektrisch verbunden sind.
Zur Verankerung des Hohlraumgehäuses in der Kunststoffumhüllung weist das vorgefertigte Hohlraumgehause auf seinen Außenseiten, Verankerungselemente auf. Die Verankerungselemente sind formschlüssig mit der KunststoffUmhüllung verzahnt, so dass ein sicherer Sitz des vorgefertigten Hohlraumgehäuses in der KunststoffUmhüllung gewährleistet bleibt. Während das vorgefertigte Hohlraumgehause und die Kunststoffumhüllung aus einem Epoxidharz hergestellt sind, weist die gummielastische Abdeckung und die gummielastische Schicht einen Silikongummi beziehungsweise ein Silikongel auf, das einen in der Öffnung der Kunststoffumhüllung anstehenden Druck auf den druckempfindlichen Bereich auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips spannungsfrei überträgt.
Über entsprechende Leiterbahnen vom druckempfindlichen Bereich, zu außerhalb des Druckbereichs angeordneten Kontaktflächen, werden die Sensorsignale über Bonddrähte auf die elektrischen Verbindungen zu den Außenanschlüssen geführt. Das erfindungsgemäße "mikroelektromechanische Bauteil hat den ' Vorteil einer erhöhten Lebensdauer und wird selbst bei hohen Druckwechseln, sowie bei hohen Beschleunigungskräften nicht beschädigt.
Ein Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Bauteils mit einem druckempfindlichen Halbleiterchip weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst wird ein Halbleiterchip mit einem druckempfindlichen Bereich auf seiner aktiven Oberseite und mit Kontaktflächen außerhalb des druckempfindlichen Bereichs bereitgestellt. Außerdem wird ein einseitig offenes Hohlraumgehause mit Seitenwänden und einem Hohlraumboden spritzgegossen. In die Spritzgussform für das Hohlraumgehause werden elektrische Durchführungen eingelegt, die Außenanschlüsse und innere Kontaktanschlussflächen aufweisen und in die Seitenwände des Hohlraumgehäuses beim Spritzgießen mit eingegossen werden. Anschließend wird der Halbleiterchip auf dem Hohlraumboden angeordnet und fixiert, wobei druckfeste Klebstoffschichten zum Einsatz kommen. Nach dem Fixieren des druckempfindlichen Halbleiterchips auf dem Hohlraumboden werden elektrische Verbindungen zwischen den Kontaktanschlussflächen des Hohlraumgehäuses und den Kontaktflächen des Halbleiterchips hergestellt. Dieses kann durch Einbringen von Bondverbindungen erfolgen.
Nach dem elektrischen Verdrahten des Halbleiterchips in dem Hohlraumgehause wird eine gummielastische Abdeckmasse in das Hohlraumgehause unter Auffüllen des Hohlraums mit einer Ab- deckung eingebracht. Diese Abdeckung bettet sowohl die Bondverbindungen als auch den Halbleiterchip mit seinem druckempfindlichen Bereich in die Abdeckmasse ein, die vorzugsweise ein Silikongel aufweist. Danach wird das Hohlraumgehause mit Abdeckmasse in eine geöffnete Spritzgussform unter Beibehaltung eines Abstands zu den Innenseiten der Spritzgussform eingebaut.
Die Spritzgussform weist einen Stempel zum Eintauchen in die gummielastische Abdeckmasse auf. Dieser Stempel ist derart angeordnet, dass er beim Eintauchen in die gummielastische Abdeckmasse den druckempfindlichen Bereich des Halbleiterchips abdeckt, jedoch einen Abstand zu diesem druckempfindli- chen Bereich einhält. Beim Schließen der Spritzgussform bildet sich, somit einem dem Abstand entsprechende, gummielastische Schicht zwischen dem Stempel und dem druckempfindlichen Bereich des Halbleiterchips. Die Dicke dieser gummielastischen Schicht entspricht dem Abstand zwischen Stempel und druckempfindlichen Bereich und ist somit dünner als die gummielastische Abdeckung auf dem übrigen Halbleiterchipbereich, sowie in dem verbliebenen Hohlraum des vorgefertigten Hohlraumgehäuses. Nach dem Schließen der Spritzgussform wird eine Kunststoffmasse als Kunststoffumhüllung in die Spritzgussform eingelassen. Dabei werden die Außenseiten des vorgefertigten Hohlraumgehäuses und die gummielastische Abdeckung von der Kunststoffmasse umhüllt. Es bildet sich im Bereich des Stempels eine Öffnung zu der gummielastischen Schicht auf dem druckempfindlichen Bereich des Halbleiterchips aus. Nach ei- ne Aushärten der Kunststoffumhüllung unter thermischer Behandlung des Epoxidharzes der Kunststoffumhüllung wird die Spritzgussform auseinandergefahren und das fertige mikroelek- tromechanische Bauteil kann der Spritzgussform entnommen werden.
Zusammenfassend ist festzustellen, dass das mikroelektrome- chanisch Bauteil entsprechend der Erfindung ein doppeltes Gehäuse aufweist, nämlich ein vorgefertigtes Hohlraumgehause und eine dieses Hohlraumgehause und den mit Gel aufgefüllten Hohlraum umschließende Kunststoffumhüllung. Der mit Gel • aufgefüllte Hohlraum dient als Spannungspuffer, das heißt auf den Halbleiterchip wirken keine mechanischen Vorspannungen. Die Kunststoffumhüllung dient dem Schutz gegen äußere mechanische Einflüsse und schützt insbesondere die gummielastische, gelartige Abdeckmasse vor Luftblasenbildung, Rissbildung und chemomechanischer Zersetzung.
Des weiteren ist festzustellen, dass die beiden Gehäuse ineinander mechanisch fest verankert sind, zumal die Außenseiten des Hohlraumgehäuses Ankerelemente aufweisen, welche in die Kunststoffumhüllung eingegossen sind. Schließlich wird beim Spitzgießen durch den Stempel eine Öffnung erzeugt, die einerseits in ihrer Größe dem druckempfindlichen Bereich des Halbleiterchips entspricht und andererseits eine Gelschichtdicke unmittelbar über der druckempfindlichen Membran herstellt, die stark reduziert ist und somit bei hohen Beschleunigungen keine Signalverfälschung bewirkt, wie es unter Bei- behaltung der Dicke der Abdeckmasse auftreten würde.
Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert .
Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein mikroelektromechanisches Bauteil einer Ausführungsform der Erfindung,
Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine geöffnete Spritzgussform mit eingesetztem ikro- elektromechanischen Bauteil mit einem Hohlraumgehause und gummielastischer Silikongel-Abdeckung, Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine
•geschlossene Spritzgussform gemäß Figur 2 vor einem Einspritzen einer Kunststoffumhüllung,
Figur 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine geschlossene Spritzgussform gemäß Figur 3 nach Einspritzen der Kunststoffumhüllung,
Figur 5 zeigt einen schematischen Querschnitt des mikro- elektromechanischen Bauteils nach Entnahme aus der
Spritzgussform gemäß Figur 4.
Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein mikroelektromechanisches Bauteil 1 einer Ausführungsform der Erfindung. Dieses mikroelektromechanische Bauteil weist zwei ineinander geschachtelte Gehäuse auf. In einem äußeren Bereich besitzt es als äußeres Gehäuse eine Kunststoffumhüllung 12 aus einem Epoxidharz und darin eingebettet als inneres Gehäuse ein Hohlraumgehause 7. Das Hohlraumgehause 7 ist ein- stückig und weist Hohlraumwände 16 und einen Hohlraumboden 17 auf.
Der Hohlraum des Hohlraumgehäuses 7 ist mit einem gummielastischen Silicongel aufgefüllt. In diesem Silicongel ist der Halbleiterchip 2 spannungsfrei mit seinem druckempfindlichen Bereich 3 eingebettet. Das Silicongel bildet eine gummielastische Abdeckung 10, die im druckempfindlichen Bereich 3 des Halbleiterchips 2 auf eine gummielastische Schicht 5 reduziert ist. Die Dicke der gummielastischen Schicht ist gerin- ger, als die Dicke der gummielastischen Abdeckung 10. Die
Größe der gummielastischen Schicht 5 entspricht der Größe des druckempfindlichen Bereichs 3 auf der aktiven Oberseite 4 des Halbleiterchips 2. Außerdem korrespondiert die Größe der gum- mielastischen Schicht 5 mit der Größe einer Öffnung 14 in der Kunststoffumhüllung 12.
Über diese auf die Größe des druckempfindlichen Bereichs 3 reduzierten Öffnung, in dem sonst nach oben hin offenen Hohlraumgehause 7, kann ein Druckaustausch zwischen der Umgebung und dem druckempfindlichen Bereich 3 spannungsfrei stattfinden, da der Halbleiterchip auf seiner gesamten Oberseite eine gummielastische Abdeckschicht 10 aufweist. Die gummielasti- sehe Abdeckung bedeckt teilweise aud die Innenseiten 11 des Hohlraumgehäuses 7. Durch die Verminderung der Dicke der Abdeckung 10 auf die Dicke der gummielastischen Schicht 5 ist die Wahrscheinlichkeit einer Beschädigung durch Risse oder Blasenbildung in der Schicht 5 bei Belastungen durch hohe Be- schleunigungen vermindert.
Durch die starre Kunststoffumhüllung wird darüber hinaus erreicht, dass sich auch in der gummielastischen Abdeckschicht keine Blasen bilden, welche die Empfindlichkeit des Sensors vermindern und eine Ursache für Signalverfälschungen sind.
Der druckempfindliche Bereich 3 erzeugt ein Drucksignal, das über Leiterbahnen auf der aktiven Oberseite 4 des Halbleiterchips 2 zu den Kontaktflächen 6 in einem Bereich außerhalb des druckempfindlichen Bereichs übertragen wird. Von dort werden die Seusorsignale über führen Bondverbindungen 23 zu Kontaktanschlussflächen 19 der elektrischen Verbindungen 8 über Durchführungen 18 zu Außenanschlüssen 9 des mikroelek- tromechanischen Bauteils 1 geführt. Um ein sicheres Bonden zu gewährleisten, sind die Kontaktanschlussflächen 19 auf einem sockelartigen Vorsprung im Inneren des Hohlraumgehäuses 7 angeordnet und mit einer bondbaren Schicht bedeckt. Das Hohlraumgehause 7 mit den elektrischen Verbindungen 8 wird einstückig in einem einzigen Spritzguss-Schritt gegossen. In ei- nem weiteren Spritzguss-Schritt wird dann nach Aufbringen der gummielastischen Abdeckung die Kunststoffumhüllung aufgebracht. Mit Hilfe von Verankerungselementen 15 auf den Außenseiten 13 des Hohlraumgehäuses 7 werden Hohlraumgehause 7 und Kunststoffumhüllung 12 miteinander verankert. Bis auf die
Öffnung 14 deckt die Kunststoffumhüllung 12 auch die gummielastische Abdeckung 10 im Hohlraum des Hohlraumgehäuses 7 ab, so dass die Abdeckmasse der gummiartigen Abdeckung 10 vor Beschädigungen wie Blasenbildung und/oder Rissbildung geschützt bleibt.
Figur 2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine geöffnete Spritzgussform 20 mit eingesetztem mikroelektro echa- nischen Bauteil 1 mit einem Hohlraumgehause 7 und gummiarti- ger Silikongel-Abdeckung 10. Diese Spritzgussform 20 weist eine erste Moldwerkzeughälfte 24 auf, in die das Hohlraumgehause 7 mit Hilfe der Außenanschlüsse 9 eingehängt und ausgerichtet werden kann. Dabei verbleibt ein Zwischenraum 25 zwischen dem Hohlraumgehause 7 und den Innenseiten 21 der ersten Moldwerkzeughälfte 24. Darüber hinaus weist die Spritzgussform 20 eine zweite Moldwerkzeughälfte 26 auf, die einen Stempel 22 besitzt, der bei geöffneter Spritzgussform 20 über der gummielastischen Abdeckung 10 angeordnet ist und einen Querschnitt aufweist, welcher der Größe des druckempfindli- chen Bereichs 3 des Halbleiterchips 2 entspricht. Dieser
Stempel 22 ist auf den druckempfindlichen Bereich 3 ausgerichtet .
Figur 3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine ge- schlossene Spritzgussform 20 gemäß Figur 2 vor einem Einspritzen einer Kunststoffumhüllung. Bei dem Zusammenfahren der beiden Moldwerkzeughälften 24 und 26 dringt der Stempel 22 in die gummielastische Abdeckung 10 ein und verdrängt die- se bis auf eine gummielastische Schicht 5 über dem druckempfindlichen Bereich 3 des Halbleiterchips 2. Bei geschlossener Spritzgussform 20 bildet sich ein Zwischenraum 25 zwischen den Innenwänden 21 der Spritzgussform 20 und dem Hohlraumge- häuse 7 mit gummielastischer Abdeckung 10, der in einem weiteren Verfahrensschritt mit einer Kunststoffumhüllung aufgefüllt wird.
Figur 4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine ge- schlossene Spritzgussform 20 gemäß Figur 3 nach Einspritzen der Kunststoffumhüllung 12. Bei dem Einspritzen der Kunststoffumhüllung 12 entsteht gleichzeitig, aufgrund des Stempels 22 der zweiten Moldwerkzeughälfte 26, eine Öffnung in der Kunststoffumhüllung 12, die aufgrund der Länge des Ste - pels 22 durckempfindlichen Bereich 3 des Halbleiterchips 2 reicht.
Figur 5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das mikroelektromechanische Bauteil 1 nach Entnahme aus der Spritz- gussform 20 gemäß Figur 4, wobei nun die Kunststoffumhüllung 12 das Bauteil 1 vollständig bis auf die Öffnung 14 und die Außenanschlüsse 9 umschließt, wobei lediglich eine dünne gummielastische Schicht 5 nach Abzug des Stempels auf dem druckempfindlichen Bereich 3 des Halbleiterchips 2 verbleibt.

Claims

Patentansprüche
1. Mikroelektromechanisches Bauteil, das folgende Merkmale aufweist: - einen Halbleiterchip (2) mit einem druckempfindlichen Bereich (3) auf seiner aktiven Oberseite (4) einer gummielastischen Schicht (5) auf dem druckempfindlichen Bereich (3) - Kontaktflächen (6) außerhalb des druckempfindlichen Bereichs (3) , ein vorgefertigtes einseitig offenes Hohlraumgehause (7) mit elektrischen Verbindungen (8) zwischen Außenanschlüssen (9) des Bauteils (1) und den Kon- taktflächen (6) des Halbleiterchips (2) eine gummielastische Abdeckung (10) , welche die Oberseite (4) des Halbleiterchips (2), Teilbereiche der elektrische Verbindungen im Inneren des Hohlraumgehäuses und Innenseiten (11) des Hohlraumge- häuses (7) abdeckt, eine Kunststoffumhüllung (12), welche Außenseiten (13) des vorgefertigten Hohlraumgehäuses (7) und die gummielastische Abdeckmasse der Abdeckung (4,10) umhüllt und eine Öffnung zu der gummielasti- sehen Schicht (5) auf dem druckempfindlichen Bereich (3) des Halbleiterchips (2) aufweist.
2. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die gummielastische Schicht (5) eine geringere Dicke aufweist als die gummielastische Abdeckung (10) .
3. Bauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Größe der Öffnung (14) in der KunststoffUmhüllung (12) der Größe des druckempfindlichen Bereichs (3) ent- spricht.
4. Bauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Hohlraumgehause (7) auf den Außenseiten (13) Veran- kerungselemente (15) aufweist, die formschlüssig das
Hohlraumgehause (7) und die Kunststoffumhüllung (12) mechanisch miteinander verbinden.
5. Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Bauteils (1) mit einem druckempfindlichen Halbleiterchip
(2) , wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist:
Bereitstellen eines Halbleiterchips (2) mit einem druckempfindlichen Bereich (3) auf einer aktiven Oberseite (4) und mit Kontaktflächen (6) außerhalb des druckempfindlichen Bereichs (3) , Spritzgiessen eines einseitig offenen Hohlraumgehäuses (7) mit Seitenwänden (16) und einem Hohlraumboden (17), wobei in die Seitenwände (16) elek- frische Durchführungen (18) von Außenanschlüssen
(9) zu inneren Kontaktanschlußflächen eingegossenen werden,
Anordnen des Halbleiterchips (2) auf dem Hohlraumboden (17) - Herstellen elektrischer Verbindungen (8) zwischen den Kontaktanschlußflächen (19) und den Kontaktflächen (6) Einbringen einer gummielastischen Abdeckmasse in das Hohlraumgehause (7) unter Auffüllen des Hohlraums mit einer Abdeckung (10),
Einbauen des Hohlraumgehäuses (7) mit Abdeckmasse in eine geöffnete Spritzgussform (20) unter Beibehaltung eines Abstandes zu den Innenseiten (21) der Spritzgussform (20), wobei die Spritzgussform (20) einen Stempel (22) zum Eintauchen in die gummielastische Abdeckmasse aufweist und wobei der Stempel den druckempfindlichen Bereich (3) des Halbleiterchips (2) unter Aufrechterhalten eines Abstandes abdeckt,
Schließen der Spritzgussform (20) unter Bilden einer gummielastischen Schicht (5) zwischen Stempel (22) und druckempfindlichem Bereich (3) des Halbleiterchips (2) ,
Einspritzen einer Kunststoffmasse als Kunststoffumhüllung (12), welche Außenseiten (13) des vorgefertigte Hohlraumgehäuses und die gummielastische Ab- deckung (10) umhüllt und eine Öffnung (14) zu der gummielastischen Schicht (5) auf dem druckempfindlichen Bereich (3) des Halbleiterchips (2) frei- lässt .
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007017301A1 (de) * 2005-08-05 2007-02-15 Robert Bosch Gmbh Gemoldeter mikromechanischer kraft-/druckwandler sowie ein entsprechendes herstellungsverfahren
US7964954B2 (en) 2006-03-13 2011-06-21 Infineon Technologies Ag Integrated circuit having a semiconductor sensor device with embedded column-like spacers
DE102016106122A1 (de) * 2016-04-04 2017-10-05 Infineon Technologies Ag Wandlerpackage mit integrierter Dichtung

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7726197B2 (en) * 2006-04-26 2010-06-01 Honeywell International Inc. Force sensor package and method of forming same
US7632698B2 (en) * 2006-05-16 2009-12-15 Freescale Semiconductor, Inc. Integrated circuit encapsulation and method therefor
ITMI20072099A1 (it) * 2007-10-30 2009-04-30 St Microelectronics Srl Metodo di fabbricazione di un dispositivo elettronico comprendente dispositivi mems incapsulati per stampaggio
US8327715B2 (en) * 2009-07-02 2012-12-11 Honeywell International Inc. Force sensor apparatus
KR20110050231A (ko) * 2009-11-06 2011-05-13 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
US8587107B2 (en) 2010-02-09 2013-11-19 Microsemi Corporation Silicon carbide semiconductor
US8237171B2 (en) * 2010-02-09 2012-08-07 Microsemi Corporation High voltage high package pressure semiconductor package
US8618620B2 (en) * 2010-07-13 2013-12-31 Infineon Technologies Ag Pressure sensor package systems and methods
US8316725B2 (en) 2010-12-15 2012-11-27 Honeywell International Inc. Force sensor
US8806964B2 (en) 2012-03-23 2014-08-19 Honeywell International Inc. Force sensor
US9003899B2 (en) 2012-03-23 2015-04-14 Honeywell International Inc. Force sensor
US9003897B2 (en) 2012-05-10 2015-04-14 Honeywell International Inc. Temperature compensated force sensor
JP6016611B2 (ja) * 2012-12-20 2016-10-26 三菱電機株式会社 半導体モジュール、その製造方法およびその接続方法
DE102013002629A1 (de) 2013-02-15 2014-08-21 HKR Seuffer Automotive GmbH & Co. KG Deckelelement und Gehäusevorrichtung zur Verwendung des Deckelelements
US9598280B2 (en) * 2014-11-10 2017-03-21 Nxp Usa, Inc. Environmental sensor structure
US10060820B2 (en) * 2015-12-22 2018-08-28 Continental Automotive Systems, Inc. Stress-isolated absolute pressure sensor
US10370244B2 (en) * 2017-11-30 2019-08-06 Infineon Technologies Ag Deposition of protective material at wafer level in front end for early stage particle and moisture protection
US20190206752A1 (en) 2017-12-29 2019-07-04 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit packages with cavities and methods of manufacturing the same
DE102018212327A1 (de) * 2018-07-24 2020-01-30 Robert Bosch Gmbh Elektronische Vorrichtung mit einem in einen Schutzmantel eingebettetes Bauteil
US10194526B1 (en) * 2018-08-27 2019-01-29 Tactotek Oy Electrical node, method for manufacturing an electrical node, electrical node strip or sheet, and multilayer structure comprising the node
KR102693773B1 (ko) * 2018-12-20 2024-08-13 주식회사 엘엑스세미콘 반도체 패키지
US11166363B2 (en) * 2019-01-11 2021-11-02 Tactotek Oy Electrical node, method for manufacturing electrical node and multilayer structure comprising electrical node
DE102019133726A1 (de) * 2019-12-10 2021-06-10 Friedrich Boysen Gmbh & Co. Kg Sensoreinheit zur Anordnung an einem Fahrzeug mit einem Brennstoffenergiewandler
DE112023001614T5 (de) * 2022-05-02 2025-01-16 Rohm Co., Ltd. Halbleitervorrichtung
CN116314051B (zh) * 2023-05-23 2023-08-11 广东气派科技有限公司 一种大功率器件的封装结构和方法
DE102023208184A1 (de) 2023-08-28 2025-03-06 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mikroelektromechanischer Drucksensor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4203832A1 (de) * 1991-02-12 1992-08-13 Mitsubishi Electric Corp Halbleiter-druckaufnehmer
DE19929026A1 (de) * 1999-06-25 2000-12-28 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors
US6401545B1 (en) * 2000-01-25 2002-06-11 Motorola, Inc. Micro electro-mechanical system sensor with selective encapsulation and method therefor
US6432737B1 (en) * 2001-01-03 2002-08-13 Amkor Technology, Inc. Method for forming a flip chip pressure sensor die package

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4823605A (en) * 1987-03-18 1989-04-25 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor pressure sensor with casing and method for its manufacture
US6254815B1 (en) * 1994-07-29 2001-07-03 Motorola, Inc. Molded packaging method for a sensing die having a pressure sensing diaphragm
JP2002372473A (ja) * 2001-04-12 2002-12-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体センサ収納容器およびその製造方法、並びに半導体センサ装置
US7060216B2 (en) * 2001-05-11 2006-06-13 Melexis, Nv Tire pressure sensors and methods of making the same
DE102005046008B4 (de) * 2005-09-26 2007-05-24 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil mit Sensorchip und Verfahren zur Herstellung desselben

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4203832A1 (de) * 1991-02-12 1992-08-13 Mitsubishi Electric Corp Halbleiter-druckaufnehmer
DE19929026A1 (de) * 1999-06-25 2000-12-28 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors
US6401545B1 (en) * 2000-01-25 2002-06-11 Motorola, Inc. Micro electro-mechanical system sensor with selective encapsulation and method therefor
US6432737B1 (en) * 2001-01-03 2002-08-13 Amkor Technology, Inc. Method for forming a flip chip pressure sensor die package

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MANN J W ED - INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS: "A computer-aided, spatially-selective protection technique for multichip module and chip-on-board devices", PROCEEDINGS OF THE ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE. (ECTC). SAN DIEGO, MAY 18 - 20, 1992, NEW YORK, IEEE, US, vol. CONF. 42, 18 May 1992 (1992-05-18), pages 1046 - 1052, XP010052417, ISBN: 0-7803-0167-6 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007017301A1 (de) * 2005-08-05 2007-02-15 Robert Bosch Gmbh Gemoldeter mikromechanischer kraft-/druckwandler sowie ein entsprechendes herstellungsverfahren
US7964954B2 (en) 2006-03-13 2011-06-21 Infineon Technologies Ag Integrated circuit having a semiconductor sensor device with embedded column-like spacers
DE102016106122A1 (de) * 2016-04-04 2017-10-05 Infineon Technologies Ag Wandlerpackage mit integrierter Dichtung
DE102016106122B4 (de) 2016-04-04 2019-09-05 Infineon Technologies Ag Wandlerpackage mit integrierter Dichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
US10519030B2 (en) 2016-04-04 2019-12-31 Infineon Technologies Ag Transducer package with integrated sealing

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Publication number Publication date
DE10324139A1 (de) 2005-01-05
DE10324139B4 (de) 2005-07-21
US7462919B2 (en) 2008-12-09
US20070090473A1 (en) 2007-04-26

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