WO2004100244A1 - Verfahren zum texturieren von oberflächen von silizium-scheiben - Google Patents

Verfahren zum texturieren von oberflächen von silizium-scheiben Download PDF

Info

Publication number
WO2004100244A1
WO2004100244A1 PCT/DE2004/000835 DE2004000835W WO2004100244A1 WO 2004100244 A1 WO2004100244 A1 WO 2004100244A1 DE 2004000835 W DE2004000835 W DE 2004000835W WO 2004100244 A1 WO2004100244 A1 WO 2004100244A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
etching solution
silicon wafers
degrees celsius
temperature
concentrated
Prior art date
Application number
PCT/DE2004/000835
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Alexander Hauser
Ihor Melnyk
Peter Fath
Original Assignee
Universität Konstanz
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=33394195&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2004100244(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Universität Konstanz filed Critical Universität Konstanz
Priority to US10/555,141 priority Critical patent/US7192885B2/en
Priority to ES04728758.6T priority patent/ES2314393T5/es
Priority to EP04728758.6A priority patent/EP1620881B2/de
Priority to DE502004008209T priority patent/DE502004008209D1/de
Publication of WO2004100244A1 publication Critical patent/WO2004100244A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the invention relates to a method for texturing surfaces of silicon wafers with the steps of immersing the silicon wafers in an etching solution of water, concentrated hydrofluoric acid and concentrated nitric acid and setting a temperature for the etching solution.
  • the invention has for its object to provide a method of the type mentioned, which is particularly easy to perform, especially on an industrial scale and leads to silicon wafers with improved efficiency.
  • This object is achieved according to the invention in a method of the type mentioned at the outset in that the etching solution consists in part of 20% to 55% water, 10% to 40% concentrated hydrofluoric acid and 20% to 60% concentrated nitric acid and that the temperature of the etching solution is between 0 Degrees Celsius and 15 degrees Celsius.
  • the composition of the etching solution according to the invention consisting of 20% to 55% water, 10% to 40% concentrated hydrofluoric acid and 20% to 60% concentrated nitric acid and additionally the carrying out of the etching process at the relatively low etching bath temperature, which is clearly below room temperature, there is a noticeable improvement the efficiency achieved. Furthermore, the preparation of the etching solution is relatively uncritical and can be carried out in a relatively short time. On the other hand, the etching process can be checked relatively easily.
  • the etching solution consists partly of 30% to 40% water, 15% to 30% concentrated hydrofluoric acid and 30% to 50% concentrated nitric acid.
  • the temperature of the etching solution is between 7 degrees Celsius and 9 degrees Celsius.
  • the silicon wafers expediently remain in the etching solution for between 3 minutes and 5 minutes.
  • the etching solution consists in part of 31% water, 23% concentrated hydrofluoric acid and 46% concentrated nitric acid, the temperature of the etching solution being at at 8 degrees Celsius and the silicon wafers remain in the etching solution for between 1.5 minutes and 2 minutes.
  • the silicon wafers are aligned essentially vertically and the etching solution has a flow component. As a result, both surfaces of the silicon wafers are textured in essentially the same manner.
  • the silicon wafers are aligned essentially horizontally, the etching solution being at rest.
  • the upward-facing surface is textured particularly well by gas bubbles bubbling away relatively quickly.
  • the silicon wafers are moved by the etching solution. This results in particularly good textures on both surface sides of the silicon wafers.
  • the silicon wafers are expediently multicrystalline in the method according to the invention.
  • 1 is a schematic representation of the arrangement of silicon wafers in an etching solution according to the invention according to a first embodiment
  • 2 shows a schematic illustration of the arrangement of silicon wafers in an etching solution according to the invention in accordance with a second exemplary embodiment
  • FIG. 3 shows a schematic illustration of the arrangement of silicon wafers in an etching solution according to the invention in accordance with a third exemplary embodiment
  • FIG. 6 shows a representation of a surface of a silicon wafer textured according to the invention obtained with an electron microscope.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a number of multicrystalline silicon wafers 1 designed as so-called wafers, which are connected to a holder 2 in a manner known per se.
  • the holder 2 is immersed in the representation according to FIG. 1 with the silicon wafers 1 in a horizontal orientation in a trough 3 which is filled with a resting etching solution 4 according to the invention.
  • This horizontal arrangement leads to gas bubbles which arise during the etching process on the upward-facing surface of the silicon wafers 1 bubbling upward and thus on the upward-facing one Surface of the silicon wafers 1 is a very good texturing for reducing reflections.
  • FIG. 2 shows a schematic illustration of the arrangement of silicon wafers 1 connected to a holder 2 corresponding to the exemplary embodiment according to FIG. 1 in an etching solution 4 according to the invention according to a second exemplary embodiment.
  • the silicon wafers 1 are arranged vertically, the etching solution 4 for example by moving the trough 3 back and forth or by using a stirring tool (not shown in FIG. 2) which is resistant to strong acids, the etching solution 4 along the silicon wafers 1 has a flow component indicated by dashed flow lines. It is thereby achieved that during the etching process, gas bubbles forming on both surfaces of the silicon wafers 1 detach prematurely and bead up, so that both surface sides of the silicon wafers 1 are textured uniformly.
  • FIG. 3 shows a schematic representation of the arrangement of silicon wafers 1 in an etching solution 4 according to the invention in accordance with a third exemplary embodiment.
  • a roller conveyor 5 with a number of mutually opposite, at least partially driven upper rollers 6 and lower rollers 7, with which the silicon wafers 1 to be textured are in a substantially horizontal path through the etching solution 4 according to the invention held in the tub 3 can be carried out.
  • This exemplary embodiment is distinguished by the fact that it can be used particularly well for the continuous production of silicon wafers 1 with very good texturing of both surface sides.
  • composition of an exemplary etching solution 4 according to the invention of water, concentrated hydrofluoric acid, that is to say with a concentration of at least about 50%, and concentrated nitric acid, that is to say with a concentration of at least about 65%, is as follows, with other concentrations of the hydrofluoric acid and the proportions of the nitric acid must be adjusted accordingly:
  • the temperature of the etching solution 4 is kept according to the invention between approximately 0 degrees Celsius and approximately 15 degrees Celsius, preferably between approximately 7 degrees Celsius and approximately 9 degrees Celsius.
  • HF hydrofluoric acid
  • HN0 3 nitric acid
  • the temperature of the etching solution 4 being kept at about 8 degrees Celsius.
  • the process time in this particularly preferred embodiment is between 1.5 minutes and 2 minutes.
  • the etching process is controlled by weighing textured silicon wafers 1 before and after the etching process, a specific target weight loss indicating the correct duration of the etching process depending on the size of the respective silicon wafer 1 and the desired etching removal. If the actual weight loss is below the target weight loss, the duration of the etching process is increased until the actual weight loss matches the target weight loss. If the actual weight loss is above the target weight loss, the duration of the etching process is shortened until the actual weight loss matches the target weight loss.
  • the etching time is plotted on the abscissa 8.
  • the average reflection, averaged over a wavelength range from 400 nanometers to 1100 nanometers, is plotted on the ordinate 9.
  • the values approximated by a first approximation curve 10 originate from silicon wafers 1 textured using the method according to the invention.
  • the measured values approximated by a second approximation curve 11 originate from silicon wafers textured using a comparison method.
  • the comparison of the first approximation curve 10 for the method according to the invention with the second approximation curve for the comparison method shows that the mean reflection in silicon wafers 1 textured according to the invention is noticeably lower than in the silicon wafers textured with the comparison method.
  • 5 shows in a graph the dependence of the reflection on the wavelength in the case of a silicon wafer textured in a conventional acidic etching solution and a silicon wafer 1 textured according to the invention.
  • the wavelength in nanometers is plotted on the abscissa 12 and the reflection in percent on the ordinate 13.
  • the open circles stand for measured values in the case of silicon wafers 1 textured with the method according to the invention with the exemplary etching solution 4 specified above, while the measured values represented with filled squares stand for a conventional method developed by IMEC (hereinafter referred to as “IMEC comparison method”) the article "Torwards Highly Efficient Industrial Cells and Modules from Multicrystalline Wafers” by F. Duerinckx, L. Frisson, PP Michiels et al., Published by 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference, October 22-26, 2001, Kunststoff, Germany.
  • the etching solution has HF, HN0 3 and some additives.
  • the temperature of the etching solution is 21 degrees Celsius.
  • the silicon wafers remain in the etching solution for 3 minutes.
  • the diagram according to FIG. 5 shows that in silicon wafers 1 textured according to the invention with an average reflection of 23.8%), in particular from a wavelength of about 600 nanometers, the reflection values are up to about 2.5% lower than in accordance with FIG textured silicon wafers with an average reflection of 24.9%).
  • Voc open terminal voltage and Eta: efficiency.
  • FIG. 6 shows an enlarged photographic representation of a surface of a silicon wafer 1 textured according to the invention with a scaling indication. It can be seen from FIG. 6 that the texturing according to the method according to the invention sometimes leads to relatively elongated band-like depressions, in a pronounced reflection-reducing structuring of the surface. It goes without saying that the method according to the invention can also be used with monocrystalline silicon wafers or silicon wafers drawn directly from the melt, so-called film silicon.

Abstract

Bei einem Verfahren zum Texturieren von Oberflächen von Silizium-Scheiben mit den Schritten des Eintauchens der Silizium-Scheiben in einer Ätzlösung aus Wasser, konzentrierter Flusssäure und konzentrierter Salpetersäure und des Einstellens einer Temperatur für die Ätzlösung ist vorgesehen, dass die Ätzlösung anteilig aus 20% bis 55% Wasser, 10% bis 40% konzentrierter Flusssäure und 20% bis 60% konzentrierter Salpetersäure besteht und dass die Temperatur der Ätzlösung zwischen 0 Grad Celsius und 15 Grad Celsius liegt. Dadurch ergibt sich ein verhältnismässig hoher Wirkungsgrad aufgrund verringerter Reflexionen der Silizium-Scheiben.

Description

Verfahren zum Texturieren von Oberflächen von Silizium-Scheiben
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Texturieren von Oberflächen von Silizium-Scheiben mit den Schritten des Eintauchens der Silizium-Scheiben in einer Ätzlösung aus Wasser, konzentrierter Flusssäure und konzentrierter Salpetersäure und des Einsteilens einer Temperatur für die Ätzlösung.
Ein derartiges Verfahren ist aus dem Artikel „Isotropie Texturing of Multicrystalline Silicon Wafers with Acidic Texturing Solutions" von R. Einhaus, E. Vazsonyi, J. Szlufcik et al., erschienen in dem Tagungsband 26th PVSC, 30. September bis 3. Oktober 1997, Anaheim, Kalifornien, U.S.A., bekannt. Bei dem vorbekannten Verfahren werden multikristalline Silizium-Scheiben in einer temperaturkontrollierten sauren Ätzlösung bestehend aus Wasser, Flusssäure mit einer Konzentration von 50% und Salpetersäure mit einer Konzentration von 70% an der Oberfläche texturiert, um den Wirkungsgrad beeinträchtigende Reflexionen zu verringern.
Aus den Dokumenten US-A-3,309,760, US 2002/0187583 A1 , US-A-5,681 ,398 und US-A-5,174,855 sind Verfahren zum Be- handeln von Oberflächen von Silizium-Scheiben bekannt, die dem Vorbereiten von Silizium vor einem Metallierungsschritt, dem Herausarbeiten einer Struktur beziehungsweise bei den letztgenannten Dokumenten der Reinigung dienen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, das insbesondere auch im industriellen Maßstab verhältnismäßig einfach durchzuführen ist und zu Silizium-Scheiben mit verbessertem Wirkungsgrad führt. Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Ätzlösung anteilig aus 20% bis 55% Wasser, 10% bis 40% konzentrierter Flusssäure und 20% bis 60% konzentrierter Salpetersäure besteht und dass die Temperatur der Ätzlösung zwischen 0 Grad Celsius und 15 Grad Celsius liegt.
Durch die erfindungsgemäße Zusammensetzung der Ätzlösung anteilig aus 20% bis 55% Wasser, 10% bis 40% konzentrierter Flusssäure und 20% bis 60% konzentrierter Salpetersäure und zusätzlich dem Durchführen des Ätzvorganges bei der verhältnismäßig niedrigen, deutlich unter Raumtemperatur liegenden Ätzbadtemperatur wird eine merkliche Verbesserung des Wirkungsgrades erzielt. Weiterhin gestaltet sich zum einen das Ansetzen der Ätzlösung relativ unkritisch und läßt sich in verhältnismäßig kurzer Zeit durchführen. Zum anderen läßt sich der Ätzvorgang verhältnismäßig einfach kontrollieren.
Bei einer Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht die Ätzlösung anteilig aus 30 % bis 40% Wasser, 15% bis 30%) konzentrierter Flusssäure und 30% bis 50% konzentrierter Salpetersäure.
Bei einer weiteren Ausbildung des erfindungsgemäßen Ver- fahrens liegt die Temperatur der Ätzlösung zwischen 7 Grad Celsius und 9 Grad Celsius.
Zweckmäßigerweise verbleiben bei dem erfindungsgemäßen Verfahren die Silizium-Scheiben zwischen 3 Minuten und 5 Minuten in der Ätzlösung.
Bei einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht die Ätzlösung anteilig aus 31 %) Wasser, 23% konzentrierter Flusssäure und 46% konzentrierter Salpetersäure, die Temperatur der Ätzlösung liegt bei 8 Grad Celsius und die Silizium-Scheiben verbleiben zwischen 1 ,5 Minuten und 2 Minuten in der Ätzlösung.
Bei einer Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sind die Silizium-Scheiben im wesentlichen vertikal ausgerichtet und die Ätzlösung weist eine Strömungskomponente auf. Dadurch werden beide Oberflächen der Silizium-Scheiben im wesentlichen gleichartig texturiert.
Bei einer weiteren zweckmäßigen Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sind die Silizium-Scheiben im wesentlichen horizontal ausgerichtet, wobei die Ätzlösung ruht. Dadurch wird die nach oben weisende Oberfläche durch verhältnismäßig schnell wegperlende Gasbläschen besonders gut texturiert.
Bei einer weiteren, für die kontinuierliche Herstellung von Silizium-Scheiben besonders zweckmäßigen Weiterbildung der letztgenannten Ausgestaltung werden die Silizium-Scheiben durch die Ätzlösung bewegt. Dadurch ergibt sich auf beiden Oberflächenseiten der Silizium-Scheiben besonders gute Textu- rierungen.
Zweckmäßigerweise, sind bei dem erfindungsgemäßen Ver- fahren die Silizium-Scheiben multikristallin.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der nachfolgenden Beschreibung von bevorzugten Ausführungsbeispielen der Erfindung unter Bezug auf die Figuren der Zeichnung. Es zeigen:
Fig. 1 in einer schematischen Darstellung die Anordnung von Silizium-Scheiben in einer erfindungsgemäßen Ätzlösung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel, Fig. 2 in einer schematischen Darstellung die Anordnung von Silizium-Scheiben in einer erfindungsgemäßen Ätzlösung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel,
Fig. 3 in einer schematischen Darstellung die Anordnung von Silizium-Scheiben in einer erfindungsgemäßen Ätzlösung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel,
Fig. 4 in einem Schaubild die qualitative Abhängigkeit der mittleren Reflexion von der Ätzzeit bei einem Ätzvorgang mit einer Ätzlösung bei Raumtemperatur und bei einem Ätzvorgang mit einer erfindungsgemäßen Ätzlösung im erfindungsgemäßen Temperaturbereich,
Fig. 5 in einem Schaubild die Abhängigkeit der Reflexion von der Wellenlänge bei einer in einer herkömmlichen sauren Ätzlösung texturierten Silizium-Scheibe und einer erfindungsgemäß texturierten Silizium-Scheibe und
Fig. 6 eine mit einem Elektronenmikroskop gewonnene Darstellung einer Oberfläche einer erfindungsgemäß texturierten Silizium-Scheibe.
Fig. 1 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Anzahl von als sogenannte Wafer ausgebildete multikristalline Silizium- Scheiben 1 , die in an sich bekannter Weise mit einem Halter 2 verbunden sind. Der Halter 2 ist in der Darstellung gemäß Fig. 1 mit den Silizium-Scheiben 1 in horizontaler Ausrichtung in eine Wanne 3 eingetaucht die mit einer erfindungsgemäßen ruhenden Ätzlösung 4 gefüllt ist. Diese horizontale Anordnung führt dazu, dass Gasbläschen, die bei der Ätzvorgang an der nach oben weisenden Oberfläche der Silizium-Scheiben 1 entstehen, nach oben wegperlen und dadurch an der nach oben weisenden Oberfläche der Silizium-Scheiben 1 eine für das Verringern von Reflexionen sehr gute Texturierung erfolgt.
Fig. 2 zeigt in einer schematischen Darstellung die Anordnung von mit einem dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 entsprechenden Halter 2 verbundenen Silizium-Scheiben 1 in einer erfindungsgemäßen Ätzlösung 4 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. Gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel sind die Silizium-Scheiben 1 vertikal angeordnet, wobei die Ätzlösung 4 beispielsweise durch Hin- und Herbewegen der Wanne 3 oder durch Einsatz eines in Fig. 2 nicht dargestellten, gegen starke Säuren beständigen Rührwerkzeuges die Ätzlösung 4 entlang der Silizium-Scheiben 1 eine durch gestrichelte Strömungslinien angedeutete Strömungskomponente aufweist. Dadurch wird erreicht, dass sich während des Ätzvorganges an beiden Oberflächen der Silizium-Scheiben 1 ausbildende Gasbläschen frühzeitig ablösen und nach oben wegperlen, so dass beide Oberflächenseiten der Silizium-Scheiben 1 gleichmäßig texturiert werden.
Fig. 3 zeigt in einer schematischen Darstellung die Anordnung von Silizium-Scheiben 1 in einer erfindungsgemäßen Ätzlösung 4 gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel. Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 3 ist eine Rollenbahn 5 mit einer Anzahl von in einem Abstand einander gegenüberliegenden, wenigstens teilweise angetriebenen oberen Rollen 6 und unteren Rollen 7 vorhanden, mit der die zu texturierenden Silizium- Scheiben 1 in einer im wesentlichen horizontalen Bahn durch die in der Wanne 3 vorgehaltene erfindungsgemäße Ätzlösung 4 durchgeführt werden. Dieses Ausführungsbeispiel zeichnet sich dadurch aus, dass es bei sehr gute Texturierung beider Oberflächenseiten für die kontinuierliche Produktion von Silizium- Scheiben 1 besonders gut einsetzbar ist. Die Zusammensetzung einer beispielhaften erfindungsgemäßen Ätzlösung 4 aus Wasser, konzentrierter Flusssäure, das heißt mit einer Konzentration von wenigstens etwa 50%, und konzentrierter Salpetersäure, das heißt mit einer Konzentration von wenigstens etwa 65%, ist wie folgt, wobei bei anderen Konzentrationen der Flusssäure und der Salpetersäure die Anteile entsprechend anzupassen sind:
2 Anteile Wasser (H20), 1 ,5 Anteile Flusssäure (HF, Konzentration 50%) und
3 Anteile Salpetersäure (HN03, Konzentration 65%).
Bei den Ausführungsbeispielen gemäß Fig. 1 bis Fig. 3 wird die Temperatur der Ätzlösung 4 erfindungsgemäß zwischen etwa 0 Grad Celsius und etwa 15 Grad Celsius, bevorzugt zwischen etwa 7 Grad Celsius und etwa 9 Grad Celsius, gehalten.
Damit ergibt sich bei einer unverbrauchten Ätzlösung 4 beim Texturieren eine Verfahrensdauer zu Beginn von etwa 3 Minu- ten, die sich nach dem Texturieren von 550 Silizium-Scheiben 1 mit einer Größe von 12,5 x 12,5 cm2 in etwa 12 Liter Ätzlösung 4 auf etwa 5 Minuten verlängert.
Bei einem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel werden
4 Anteile Wasser (H20),
3 Anteile Flusssäure (HF, Konzentration 50%) und 6 Anteile Salpetersäure (HN03, Konzentration 65%).
verwendet, wobei die Temperatur der Ätzlösung 4 wird bei etwa 8 Grad Celsius gehalten wird. Die Verfahrensdauer liegt bei diesem besonders bevorzugten Ausführungsbeispiel zwischen 1 ,5 Minuten und 2 Minuten. Der Ätzvorgang wird durch Wiegen texturierter Silizium-Scheiben 1 vor und nach der Ätzvorgang kontrolliert, wobei in Abhängigkeit der Größe der jeweiligen Silizium-Scheibe 1 und des gewünschten Ätzabtrags ein bestimmter Soll-Gewichtsverlust die korrekte Dauer des Ätzvorganges anzeigt. Liegt der Ist- Gewichtsverlust unter dem Soll-Gewichtsverlust, wird die Dauer des Ätzvorganges solange erhöht, bis der Ist-Gewichtsverlust mit dem Soll-Gewichtsverlust übereinstimmt. Liegt entsprechend der Ist-Gewichtsverlust über dem Soll-Gewichtsverlust, wird die Dauer des Ätzvorganges solange verkürzt, bis der Ist-Gewichtsverlust mit dem Soll-Gewichtsverlust übereinstimmt.
Fig. 4 in einem Schaubild die qualitative Abhängigkeit der mittleren Reflexion von der Ätzzeit bei einem Vergleichsverfahren mit einer Ätzlösung bei Raumtemperatur und bei einem Ätzvorgang mit einer erfindungsgemäßen Ätzlösung im erfindungsgemäßen Temperaturbereich.
In dem Schaubild gemäß ist Fig. 4 auf der Abszisse 8 ist die Ätzzeit abgetragen. Auf der Ordinaten 9 ist die über einen Wellenlängenbereich von 400 Nanometer bis 1100 Nanometer gemittelte mittlere Reflexion abgetragen. Die durch eine erste Näherungskurve 10 approximierten Werte stammen von mit dem erfindungsgemäßen Verfahren texturierten Silizium-Schei- ben 1. Die durch eine zweite Näherungskurve 11 approximierten Messwerte stammen von mit einem Vergleichsverfahren texturierten Silizium-Scheiben.
Der Vergleich der ersten Näherungskurve 10 für das Verfahren gemäß der Erfindung mit der zweiten Näherungskurve für das Vergleichsverfahren zeigt, dass die mittlere Reflexion bei erfindungsgemäß texturierten Silizium-Scheiben 1 merklich niedriger ist als bei den mit dem Vergleichsverfahren texturierten Silizium-Scheiben. Fig. 5 zeigt in einem Schaubild die Abhängigkeit der Reflexion von der Wellenlänge bei einer in einer herkömmlichen sauren Ätzlösung texturierten Silizium-Scheibe und einer erfindungsgemäß texturierten Silizium-Scheibe 1.
In dem Schaubild gemäß Fig. 5 ist auf der Abszissen 12 die Wellenlänge in Nanometer und auf der Ordinaten 13 die Reflexion in Prozent abgetragen. Die nicht ausgefüllten Kreise stehen für Messwerte bei mit dem erfindungsgemäßen Verfahren mit der oben angegebenen beispielhaften Ätzlösung 4 texturierten Silizium-Scheiben 1 , während die mit ausgefüllten Quadraten repräsentierten Messwerte für ein herkömmliches, von IMEC entwickelten Verfahren (nachfolgend „IMEC-Vergleichsverfahren" genannt) nach dem Artikel „Torwards Highly Efficient Indu- strial Cells and Modules from Multicrystalline Wafers" von F. Duerinckx, L. Frisson, P.P. Michiels et al., erschienen bei 17th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 22. bis 26. Oktober 2001 , München, Deutschland, stehen.
Bei dem IMEC-Vergleichsverfahren weist die Ätzlösung HF, HN03 sowie einige Additive auf. Die Temperatur der Ätzlösung beträgt 21 Grad Celsius. Die Silizium-Scheiben verbleiben 3 Minuten in der Ätzlösung.
Dem Schaubild gemäß Fig. 5 ist zu entnehmen, dass sich bei erfindungsgemäß texturierten Silizium-Scheiben 1 mit einer mittleren Reflexion von 23,8%) insbesondere ab einer Wellenlänge von etwa 600 Nanometer um bis zu etwa 2,5% niedrigere Reflexionswerte als bei gemäß dem IMEC-Vergleichsverfahren texturierten Silizium-Scheiben mit einer mittleren Reflexion von 24,9%) ergeben.
In der nachfolgenden Tabelle sind wichtige Kenngrößen für erfindungsgemäß texturierten Silizium-Scheiben 1 (UKN-Iso- textur) und gemäß dem IMEC-Vergleichsverfahren texturierten Silizium-Scheiben (IMEC-lsotextur) jeweils im Vergleich mit einer Texturieren mit einer basischen NaOH-Lösung gegenübergestellt.
Figure imgf000011_0001
Für die IMEC-lsotextur sind die Daten aus Duerinckx et al. abgeleitet.
Dabei bedeuten für die jeweiligen Silizium-Scheiben:
FF Füllfaktor, J sc- Kurzschlussstromdichte,
Voc: offene Klemmenspannung und Eta : Wirkungsgrad.
Fig. 6 zeigt eine vergrößerte fotografische Darstellung einer Oberfläche einer erfindungsgemäß texturierten Silizium-Scheibe 1 mit einer Skalierungsangabe. Aus Fig. 6 ist ersichtlich, dass die Texturierung gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren zu zum Teil verhältnismäßig langgestreckten bandartigen Vertiefungen führt, in eine ausgeprägte reflexionsmindernde Strukturierung der Oberfläche hervorrufen. Es versteht sich, dass das erfindungsgemäßen Verfahren auch bei monokristallinen Silizium-Scheiben oder direkt aus der Schmelze gezogenen Silizium-Scheiben, sogenanntem Foliensilizium, anwendbar ist.

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Verfahren zum Texturieren von Oberflächen von Silizium-Scheiben mit den Schritten des Eintauchens der
Silizium-Scheiben (1) in einer Ätzlösung aus Wasser, konzentrierter Flusssäure und konzentrierter Salpetersäure und des Einsteilens einer Temperatur für die Ätzlösung, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzlösung (4) anteilig aus 20% bis 55% Wasser, 10% bis 40% konzentrierter Flusssäure und 20% bis 60% konzentrierter Salpetersäure besteht und dass die Temperatur der Ätziösung (4) zwischen 0 Grad Celsius und 15 Grad Celsius liegt.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzlösung (4) anteilig aus 30% bis 40%» Wasser, 15% bis 30%o konzentrierter Flusssäure und 30% bis 50% konzentrierter Salpetersäure besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Temperatur der Ätzlösung (4) zwischen 7 Grad Celsius und 9 Grad Celsius liegt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Silizium-Scheiben (1 ) zwischen 3 Minuten und 5 Minuten in der Ätzlösung (4) verbleiben.
5. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzlösung (4) anteilig aus 31% Wasser, 23% konzentrierter Flusssäure und 46% konzentrierter Salpetersäure besteht, dass die Temperatur der Ätzlösung (4) bei 8 Grad Celsius liegt und dass die Silizium-Scheiben (1 ) zwischen 1 ,5 Minuten und 2 Minuten in der Ätzlösung (4) verbleiben.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Silizium-Scheiben (1) im wesentlichen vertikal ausgerichtet sind und dass die Ätzlösung (4) eine Strömungskomponente aufweist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Silizium-Scheiben (1 ) im wesentlichen horizontal ausgerichtet sind und dass die Ätzlösung (4) ruht.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Silizium-Scheiben (1) durch die Ätzlösung (4) bewegt werden.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Silizium-Scheiben (1) multi- kristallin sind.
PCT/DE2004/000835 2003-05-07 2004-04-22 Verfahren zum texturieren von oberflächen von silizium-scheiben WO2004100244A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/555,141 US7192885B2 (en) 2003-05-07 2004-04-22 Method for texturing surfaces of silicon wafers
ES04728758.6T ES2314393T5 (es) 2003-05-07 2004-04-22 Método de texturización de las superficies de obleas de silicio
EP04728758.6A EP1620881B2 (de) 2003-05-07 2004-04-22 Verfahren zum texturieren von oberflächen von silizium-scheiben
DE502004008209T DE502004008209D1 (de) 2003-05-07 2004-04-22 Verfahren zum texturieren von oberflächen von silizium-scheiben

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10320212A DE10320212A1 (de) 2003-05-07 2003-05-07 Verfahren zum Texturieren von Oberflächen von Silizium-Scheiben
DE10320212.9 2003-05-07

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004100244A1 true WO2004100244A1 (de) 2004-11-18

Family

ID=33394195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2004/000835 WO2004100244A1 (de) 2003-05-07 2004-04-22 Verfahren zum texturieren von oberflächen von silizium-scheiben

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7192885B2 (de)
EP (2) EP1620881B2 (de)
AT (1) ATE410784T1 (de)
DE (3) DE20321702U1 (de)
ES (1) ES2314393T5 (de)
WO (1) WO2004100244A1 (de)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7276724B2 (en) 2005-01-20 2007-10-02 Nanosolar, Inc. Series interconnected optoelectronic device module assembly
US7649141B2 (en) 2003-06-30 2010-01-19 Advent Solar, Inc. Emitter wrap-through back contact solar cells on thin silicon wafers
WO2010025125A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Evergreen Solar, Inc. Single-sided textured sheet wafer and manufactoring method therefore
US7732229B2 (en) 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US7838868B2 (en) 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US7863084B2 (en) 2004-02-05 2011-01-04 Applied Materials, Inc Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells
WO2011032880A1 (en) 2009-09-21 2011-03-24 Basf Se Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates
WO2012020274A1 (en) 2010-08-10 2012-02-16 Rena Gmbh Process and apparatus for texturizing a flat semiconductor substrate
US8247243B2 (en) 2009-05-22 2012-08-21 Nanosolar, Inc. Solar cell interconnection
DE102012214428A1 (de) 2012-08-14 2014-02-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur sauren Texturierung von siliziumhaltigen Substraten
DE102014206675A1 (de) 2014-04-07 2015-10-08 Gebr. Schmid Gmbh Verfahren und Lösung zur Herstellung und Nachbehandlung von Wafern

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2449309A (en) * 2007-05-18 2008-11-19 Renewable Energy Corp Asa A method for exposing a solar cell wafer to a liquid
KR101088280B1 (ko) * 2007-10-24 2011-11-30 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 태양전지의 제조 방법
DE102007063202A1 (de) 2007-12-19 2009-06-25 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Silizium-Wafern
TW201001524A (en) * 2008-04-01 2010-01-01 Stichting Energie Arrangement and method for etching silicon wafer
JP5941915B2 (ja) 2010-09-01 2016-06-29 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 酸性水溶液及びエッチング液並びに単結晶及び多結晶シリコン基板の表面をしぼ加工する方法
CN102134754A (zh) * 2011-03-14 2011-07-27 天威新能源（扬州）有限公司 晶向为[100]的单晶硅片亚微米绒面的制造方法
CN102694056A (zh) * 2011-03-21 2012-09-26 上海神舟新能源发展有限公司 一种在单晶硅太阳电池单面制绒中使用的工装设备
TWI445199B (zh) * 2011-04-12 2014-07-11 Topcell Solar Internat Co Ltd 減少太陽能電池表面的蝕刻痕的設備
DE102011115532A1 (de) 2011-04-18 2012-10-18 Sovello Gmbh Verfahren zur Herstellung eines texturierten Siliziumsubstrats
US20130130508A1 (en) * 2011-09-02 2013-05-23 Air Products And Chemicals, Inc. Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers
DE102011054359A1 (de) * 2011-10-10 2013-04-11 Q-Cells Se Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers
CN102842652B (zh) * 2012-09-19 2015-07-29 英利能源（中国）有限公司 硅片的制绒酸洗的方法
CN103346204B (zh) * 2013-06-07 2016-08-10 中利腾晖光伏科技有限公司 一种多晶链式多步制绒工艺
CN103361739B (zh) * 2013-07-08 2016-01-20 浙江晶科能源有限公司 一种晶硅太阳能电池生产中实施背抛光的方法
DE102013218693A1 (de) 2013-09-18 2015-03-19 lP RENA GmbH Vorrichtung und Verfahren zur asymmetrischen alkalischen Textur von Oberflächen
CN103789838B (zh) * 2014-02-20 2017-07-14 南京纳鑫新材料有限公司 一种晶硅制绒添加剂的制备方法及其应用
DE102014110222B4 (de) 2014-07-21 2016-06-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von Ober- und Unterseite eines Halbleitersubstrats
DE102014013591A1 (de) 2014-09-13 2016-03-17 Jörg Acker Verfahren zur Herstellung von Siliciumoberflächen mit niedriger Reflektivität
CN104701423A (zh) * 2015-03-23 2015-06-10 中建材浚鑫科技股份有限公司 一种新型单晶硅槽式碱制绒的方法
DE102015113589A1 (de) 2015-08-17 2017-02-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Aufbereiten eines HNO3 enthaltenden flüssigen Prozessmittels
CN105133039B (zh) 2015-09-06 2017-12-08 常州捷佳创精密机械有限公司 一种单多晶制绒设备
CN107034518A (zh) * 2017-06-26 2017-08-11 张兆民 一种单晶硅制绒添加剂
CN107217307B (zh) * 2017-06-28 2019-11-08 南理工泰兴智能制造研究院有限公司 一种单晶硅片绒面的制备方法
DE102017212442A1 (de) 2017-07-20 2019-01-24 Singulus Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Texturieren einer Oberfläche eines multikristallinen Diamantdraht-gesägten Siliziumsubstrats unter Verwendung von ozonhaltigem Medium
CN109328393B (zh) * 2018-09-26 2020-03-27 长江存储科技有限责任公司 3d nand存储器中存储沟道层的阶梯覆盖改进
CN111394797A (zh) * 2020-05-25 2020-07-10 彭晓晨 一种用于n型单晶硅的正金字塔结构的添加剂制备方法
CN111876831A (zh) * 2020-06-30 2020-11-03 杭州聚力氢能科技有限公司 一种可调控硅片亲疏水性的制绒添加剂及制绒方法
CN112951949A (zh) * 2021-01-26 2021-06-11 徐州中辉光伏科技有限公司 一种硅晶电池加工的制绒机

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291215A (ja) * 1992-04-15 1993-11-05 Mitsubishi Materials Corp 半導体ウェーハ
DE19962136A1 (de) * 1999-12-22 2001-06-28 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Rauhätzung von Siliziumsolarzellen
US6309467B1 (en) * 1997-09-19 2001-10-30 Wacker-Chemie Gmbh Method for producing a semiconductor material

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3309760A (en) * 1964-11-03 1967-03-21 Bendix Corp Attaching leads to semiconductors
US5174855A (en) * 1989-04-28 1992-12-29 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. Surface treating apparatus and method using vapor
US5681398A (en) * 1995-03-17 1997-10-28 Purex Co., Ltd. Silicone wafer cleaning method
JP3772456B2 (ja) * 1997-04-23 2006-05-10 三菱電機株式会社 太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置
SG92720A1 (en) * 1999-07-14 2002-11-19 Nisso Engineering Co Ltd Method and apparatus for etching silicon
US20020187583A1 (en) * 2001-06-06 2002-12-12 Ting-Chang Chang Method for manufacturing a hydrogen gas sensor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291215A (ja) * 1992-04-15 1993-11-05 Mitsubishi Materials Corp 半導体ウェーハ
US6309467B1 (en) * 1997-09-19 2001-10-30 Wacker-Chemie Gmbh Method for producing a semiconductor material
DE19962136A1 (de) * 1999-12-22 2001-06-28 Merck Patent Gmbh Verfahren zur Rauhätzung von Siliziumsolarzellen

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 0180, no. 77 (E - 1504) 8 February 1994 (1994-02-08) *

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7649141B2 (en) 2003-06-30 2010-01-19 Advent Solar, Inc. Emitter wrap-through back contact solar cells on thin silicon wafers
US7863084B2 (en) 2004-02-05 2011-01-04 Applied Materials, Inc Contact fabrication of emitter wrap-through back contact silicon solar cells
US8525152B2 (en) 2004-09-18 2013-09-03 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US7732229B2 (en) 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US7968869B2 (en) 2005-01-20 2011-06-28 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US7838868B2 (en) 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US7919337B2 (en) 2005-01-20 2011-04-05 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US7276724B2 (en) 2005-01-20 2007-10-02 Nanosolar, Inc. Series interconnected optoelectronic device module assembly
US8309949B2 (en) 2005-01-20 2012-11-13 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US8198117B2 (en) 2005-08-16 2012-06-12 Nanosolar, Inc. Photovoltaic devices with conductive barrier layers and foil substrates
WO2010025125A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Evergreen Solar, Inc. Single-sided textured sheet wafer and manufactoring method therefore
US8247243B2 (en) 2009-05-22 2012-08-21 Nanosolar, Inc. Solar cell interconnection
WO2011032880A1 (en) 2009-09-21 2011-03-24 Basf Se Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates
US8969276B2 (en) 2009-09-21 2015-03-03 Basf Se Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates
WO2012020274A1 (en) 2010-08-10 2012-02-16 Rena Gmbh Process and apparatus for texturizing a flat semiconductor substrate
DE102012214428A1 (de) 2012-08-14 2014-02-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur sauren Texturierung von siliziumhaltigen Substraten
DE102014206675A1 (de) 2014-04-07 2015-10-08 Gebr. Schmid Gmbh Verfahren und Lösung zur Herstellung und Nachbehandlung von Wafern

Also Published As

Publication number Publication date
ATE410784T1 (de) 2008-10-15
DE10320212A1 (de) 2004-12-02
DE502004008209D1 (de) 2008-11-20
US7192885B2 (en) 2007-03-20
EP1620881A1 (de) 2006-02-01
ES2314393T5 (es) 2018-10-29
US20060068597A1 (en) 2006-03-30
ES2314393T3 (es) 2009-03-16
DE20321702U1 (de) 2008-12-24
EP2019420A1 (de) 2009-01-28
EP1620881B1 (de) 2008-10-08
EP1620881B2 (de) 2018-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1620881B1 (de) Verfahren zum texturieren von oberflächen von silizium-scheiben
DE19746706B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
DE60212937T2 (de) Verfahren zum Entfernen von Rückständen von der Mikrostruktur eines Objektes
DE19811878C2 (de) Verfahren und Ätzlösung zum naßchemischen pyramidalen Texturätzen von Siliziumoberflächen
EP2229431B1 (de) Textur- und reinigungsmedium zur oberflächenbehandlung von wafern und dessen verwendung
EP0640120B1 (de) Ätzende zusammensetzung
EP2458622A2 (de) Zusammensetzungen und Verfahren zur Strukturierung von Siliziumwafern
EP1535318A1 (de) Ätzpasten für siliziumoberflächen und -schichten
EP1240673A1 (de) Verfahren zur rauhätzung von siliziumsolarzellen
US8940178B2 (en) Textured silicon substrate and method
DE102005049202A1 (de) Polierzusammensetzung und Polierverfahren unter Verwendung derselben
CN106024988A (zh) 一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法
DE112014006124B4 (de) Epitaxialwaferherstellungsverfahren und Epitaxialwafer
WO2010136387A1 (de) Verfahren zum texturieren einer oberfläche eines halbleitersubstrates sowie vorrichtung zum durchführen des verfahrens
EP3555348B1 (de) Halbleiterscheibe aus einkristallinem silizium und verfahren zur herstellung einer halbleiterscheibe aus einkristallinem silizium
CN100561678C (zh) 硅片表面的处理方法
WO2020228904A1 (de) Verfahren zur herstellung texturierter solarwafer
WO2008022671A1 (de) Verfahren zum texturieren von siliziumwafern zur herstellung von solarzellen
DE112012004047B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Wafers für Solarzellen, Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle, sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls
DE102006022093A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung einer Halbleiterscheibe durch Ätzen
WO2013087839A1 (de) Verfahren zur qualitätsermittlung eines siliciumwafers
EP1912076A2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Charakterisieren von Wafern bei der Herstellung von Solarzellen
DE112012000576T5 (de) Wafer für Solarzellen und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2016012405A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur strukturierung von ober- und unterseite eines halbleitersubstrats
DE112010002935T5 (de) Epitaktischer Siliciumwafer und Verfahren zur Herstellung desselben

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004728758

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2006068597

Country of ref document: US

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10555141

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004728758

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10555141

Country of ref document: US

DPEN Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)