WO2004099866A1 - 欠陥修正装置及びその欠陥修正方法 - Google Patents

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WO2004099866A1
WO2004099866A1 PCT/JP2004/006199 JP2004006199W WO2004099866A1 WO 2004099866 A1 WO2004099866 A1 WO 2004099866A1 JP 2004006199 W JP2004006199 W JP 2004006199W WO 2004099866 A1 WO2004099866 A1 WO 2004099866A1
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defect
correction
irradiation
priority
area
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PCT/JP2004/006199
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Kazuhito Horiuchi
Shuji Akiyama
Masahiro Abe
Takaaki Onishi
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Olympus Corporation
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Publication date
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259Repairing; Defects
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

Definitions

  • the present invention relates to a defect correcting apparatus and a defect correcting method for correcting a defective portion on a liquid crystal display substrate or a semiconductor substrate.
  • defects are caused by the environment in the manufacturing equipment, such as particles, precipitation during thin film formation, or exposure defects. May occur.
  • defect detection methods are disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4 3 1 6 3 4 6 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 10 _ 2 5 3 3 3.
  • a periodically arranged pattern is read as image data by an image sensor and compared with normal image data (circuit pattern).
  • normal image data circuit pattern
  • different parts are detected as defects.
  • the defect detection method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 10-25353 3 2 scans a periodically arranged pattern and reads it as a first image with an image sensor.
  • a second image delayed by one cycle and a third image delayed by two cycles were obtained, and the first image and the second image were compared at the same time, and the second image and the third image Pattern defects are detected by comparison with the above image.
  • defect detection / correction is carried out in which those defects are detected in the manufacturing process and repaired by irradiating the defective portion with laser light.
  • the laser light irradiation is judged and the irradiation light quantity is determined in order to grasp the positional relationship with the circuit element and prevent damage to the circuit element and wiring. It is also desirable to adjust the irradiation area.
  • the object of the present invention is to detect a defect on the substrate, set a priority for correction and an irradiation prohibited area according to the position on the circuit where the defect has occurred and the defect state, and set the defect according to this setting. This is to provide a defect correcting device and a defect correcting method for correcting the above.
  • a defect correction apparatus for correcting a defect on a substrate by irradiating a laser beam, a defect detection unit for detecting the defect on the substrate, and irradiation of the laser beam.
  • a defect correction apparatus for correcting a defect on a substrate by irradiating a laser beam, a defect detection unit for detecting the defect on the substrate, and irradiation of the laser beam.
  • An irradiation prohibited area setting unit for setting the irradiation prohibited area on the substrate; and determining whether or not the defect detected by the defect detection unit relates to the irradiation prohibited area, and determined to be related to the irradiation prohibited area
  • a correction area setting unit for setting a laser light irradiation area in a defect portion excluding the upper part of the irradiation prohibited area, the laser light irradiation area, and a defect not related to the irradiation prohibited area are corrected.
  • a defect correction device comprising: a priority setting unit that
  • a defect correcting device for correcting a defect on the substrate by irradiating a laser beam, the defect detecting step for detecting the defect on the substrate, and an irradiation prohibited region for prohibiting the laser beam irradiation.
  • a correction area setting step for setting a laser beam irradiation area in a defect portion excluding above the irradiation prohibition area for the defect determined to be related to the irradiation prohibition area in the step; Defects that are not related to the prohibited area, a priority setting step that sets the priority of the correction order for and sets the number of correction points, and defect correction that corrects the defect by irradiating the laser beam according to the priority Craft
  • a defect correction method comprising:
  • FIG. 1 is a schematic block diagram showing a defect correcting apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • Figure 2 is a schematic top view showing the substrate to be corrected.
  • Figure 3 is a schematic diagram showing the priority areas.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing the pattern on the substrate in FIG.
  • Figure 5 is a schematic diagram showing the priority areas aligned with the defects on the pattern in Figure 4.
  • FIG. 6 is a block diagram schematically showing a defect correction apparatus having a defect detection function according to the first embodiment.
  • Figure 7 is a schematic diagram showing the substrate.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing a pattern having no defect in the substrate in FIG.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing a reference image in which a laser repair prohibition area is set.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing a pattern including a defect.
  • FIG. 11 is a block diagram schematically showing the defect correcting apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a schematic diagram showing a reference image in which a plurality of laser repair prohibition areas are set.
  • Fig. 13 is a schematic diagram showing a pattern with a defect and a processing area.
  • Fig. 14 is a schematic diagram showing the pattern after correcting the defect in Fig. 13
  • Figure 15 is a schematic diagram showing the pattern in which the processing area is set.
  • FIG. 16 is a schematic diagram showing a pattern having defects.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration example of a defect correction apparatus for realizing this defect correction method.
  • FIG. 2 is a diagram showing an example of a substrate for correcting defects.
  • the picture elements (or pixels) described below are arranged on the substrate in a matrix shape.
  • the periphery formed on the glass substrate of a liquid crystal display (LCD) is surrounded by wiring or the like.
  • the defect to be repaired is a resist mask for the glass substrate (hereinafter simply referred to as the substrate) used in the liquid crystal display (LCD). Take the defect that occurs in the photolithographic process that exposes the turning as an example.
  • this substrate is formed so that the scanning line 21 and the signal (data) line 2 2 are orthogonal to each other, and a TFT or the like is formed in a portion surrounded by these wirings.
  • Circuit elements 2 3 are provided.
  • Fig. 3 shows the structure of one picture element consisting of the surrounding scanning line 21 and data line (signal line) 2 2. This picture element is repeatedly arranged in a matrix. The pattern is repeated, so-called repeated pattern.
  • the defect correction device 1 shown in Fig. 1 is roughly divided into a correction unit 2 and a control unit. It consists of control part 3 and correction area setting part 4.
  • the correction unit 2 corrects the defect by outputting a laser beam for correcting the defect.
  • the correction unit 2 can arbitrarily change the energy density (light intensity) of the laser beam, the irradiation region (area), and the irradiation surface shape according to the size of the defect.
  • the control unit 3 is connected to the correction unit 2 and the correction area setting unit 4 and controls them.
  • the correction area setting unit 4 includes an imaging unit 6, a memory 8, a defect detection unit 7, a feature extraction unit 9, and a priority setting unit 5.
  • the imaging unit 6 may be a line type imaging unit in which imaging elements such as a CCD are arranged in a line, or an area type imaging unit in which the imaging elements are two-dimensionally arranged. Good.
  • the imaging unit 6 is configured to be movable in the X and Y directions, and can image the entire substrate.
  • the imaging unit 6 can also image the entire substrate by scanning the substrate in a uniaxial direction as long as it can capture the width dimension of the substrate.
  • the imaging unit 6 is connected to the memory 8, and the captured image data is stored in the memory 8.
  • the defect detection unit 7 uses the well-known defect detection method described in Japanese Patent Laid-Open No. Hei 4 3 1 6 3 4 6 and Japanese Patent Laid-Open No. 10-2 5 3 3 2 to obtain a substrate from image data. Get the top defect. Specifically, the defect detection unit 7 reads the image data picked up by the image pickup unit 6 from the memory 8 and compares it with a reference image (reference image) pattern that is stored in advance as a reference for quality determination. The area with the difference is identified as a defect, and the defect data is stored in memory 8. In addition, a defect may constitute not only one pixel but also one defect across a plurality of pixels. In such a case, the defect detection unit 7 labels the adjacent defective pixel group as one group.
  • the labeled defect is stored in the memory 8 as defect data including position information of each pixel (defective pixel) and luminance value information obtained by imaging.
  • the feature extraction unit 9 reads defect data from the memory 8 and extracts each defect feature. This defect feature depends on the size and shape of the defect, the luminance value obtained by imaging, and the position information of the defect, or a combination thereof.
  • the priority setting unit 5 includes a defect determination unit 10 and a priority order setting unit 1 1.
  • the defect discriminating unit 10 first performs initial setting. In other words, when making a determination, a determination criterion used for determination of availability is set in advance. The defect discriminating unit 10 discriminates whether or not the detected defect needs to be corrected by laser light irradiation based on this discrimination criterion.
  • the criterion is at least one of the defect size, shape, position, and brightness value. This discrimination criterion can be arbitrarily set by the user.For example, the brightness value of a defect due to a particle described later, the size of a defect that does not need to be corrected, position information in a pattern, etc. Set as the discrimination level (threshold).
  • This determination is based on the fact that the finished product becomes a defective product due to a malfunction if the defect is not corrected by the laser beam, or a subsequent process such as particle attachment, such as a cleaning process. so Determine whether it is a defect that can be removed or does not cause a problem if not corrected.
  • examples of defects that cannot be corrected by laser light irradiation include a pattern shift, a missing pattern, or a large number of defect correction points. If there are a large number of corrections, it is desirable to correct all defects.However, if the correction is not completed within the time set by the user in consideration of the time required for correction, the correction is deemed impossible.
  • it is subject to rework processing. For these defects, return to the previous process and perform a leak treatment. This rework process is flawed. This includes processing the turn itself as a defective part, and performing resist coating and patterning again.
  • the priority of the correction order that is, the priority is set by collating with this priority area. Note that the user can set the number of correction points, and limit the number of corrections in consideration of the time required for correction, or limit the number of corrections according to priority.
  • the defect determination unit 10 excludes defects such as particles that do not need to be corrected from the defects to be corrected, and sets only defect data that needs correction as the defect data to be corrected. Store in memory 8. If the determined defect is subject to rework processing, the determination processing is terminated at that point, and the substrate is returned to the previous step.
  • the defect data to be corrected may be sent directly to the priority order setting unit 11 without being stored in the memory 8.
  • the defect determination unit 10 can set the number of correction points by the user and control the number of corrections in consideration of the time required for correction. It can also be limited.
  • the priority order setting unit 11 performs weighting (priority setting) for defects so as to correct important defects.
  • the priority setting unit 11 acquires the defect data to be corrected from the memory 8 after the discrimination process is completed, and sets the priority in the order of correction by laser light irradiation for each defect to be corrected.
  • the priority order setting unit 1 1 acquires image data of one pattern (pattern image) from the image data in the memory 8, and circuit elements and wirings arranged in the pattern image. Set the priority area to be modified according to the priority. Of course, this priority area may be preset by the user. At least one priority area is set. When multiple priority areas are set, the priority order is determined for each priority area.
  • the priority is set against this priority area.
  • the user can limit the number of corrections according to the priority.
  • the number of corrections is limited by the defect determination unit 1 and the priority order setting unit 1 1, which determines defects up to the order in which corrections are completed within a predetermined time when corrections are made in order of priority. May be.
  • the criterion is that it operates normally and realizes stable operation over a long period of time (product life in design).
  • the priority order for example, in the case of a liquid crystal display, it is best to correct a defect that causes a failure in the formation of the drive circuit element 23 such as a pixel transistor or a defect that makes the drive impossible. is important.
  • other circuits and layouts It is important to correct electrical short-circuit defects from electrical paths such as wires and electrodes. Subsequently, the defect in which the wiring is disconnected, the defect on the light emitting portion, and the like are in this order. In addition, when a defect covers two priority areas, it is determined based on the higher priority area. C Next, defects on the substrate in the defect correction device 1 configured in this way are identified. The operation to be acquired will be described in the order of steps.
  • the defect correction apparatus 1 stores in the memory 8 image data of the imaging unit 6 or the substrate imaged by scanning and moving.
  • the defect detection unit 7 detects a defect portion by comparing the image data with a reference image (reference image) provided in advance, generates defect data to be corrected, and stores it in the memory 8. .
  • the feature extraction unit 9 reads defect data from the memory 8 and extracts the defect size, shape, overall luminance, and defect position as defect features from each defect data.
  • the feature extraction unit 9 associates the extracted defect feature with the defect data and stores it in the memory 8.
  • the defect determination unit 10 determines whether or not each defect needs to be corrected. Specifically, the defect determination unit 10 reads the defect feature in each defect data from the memory 8, and performs laser beam irradiation as described above based on the determination criterion for this defect. Determine whether corrections need to be made.
  • the defect image data related to the defect data that needs to be corrected is stored in the memory 8 as the defect data to be corrected.
  • a priority area for correction is set for the defect data to be corrected.
  • the first priority area A 1 is the circuit element 2 3 and the area including a part of the wirings 2 1 and 2 2
  • the second priority area A 2 is the first priority area A 1.
  • the area of wiring 2 1 and 2 2 and the third priority area A 3 are the three priority areas of the light-emitting area surrounded by wiring 2 1 and 2 2.
  • the priority for the defect data to be corrected is set.
  • This priority is assigned to one of the first, second, and third priority areas A1, A2, and A3 as described above, and the priority (priority order) is set.
  • the defect target defect data 2 4 a corresponds to the first priority area A 1
  • the correction target defect data 2 4 b corresponds to the second priority area A 2
  • the correction target defect data 2 4 a corresponds to the third priority area A 3. Therefore, the priority order is set to 2 4 a in the first order, 2 4 b in the second order, and 2 4 c in the third order.
  • the set priority is Stored in memory 8 corresponding to the correct defect data.
  • the control unit 3 reads the defect data to be corrected from the memory 8 in order of priority.
  • the control unit 3 irradiates the defect on the corresponding substrate with laser light from the correction unit 2 and corrects the defect data to be corrected up to the set priority order.
  • Priorities can be set in any order from the highest priority. Also, the priority order can be arbitrarily set according to the type and pattern of defects.
  • the correction unit 2 identifies the position, size, and shape of the defect on the substrate based on the characteristics in the defect data to be corrected, and the control unit 3 controls the light intensity (energy density). And the laser beam whose irradiation range is controlled is irradiated to the defect, and the correction is completed. This irradiation range is adjusted by moving a light shielding plate or the like as will be described later.
  • defect correction method of this embodiment includes the following effects.
  • the presence or absence of correction is determined. For example, defects that do not need to be corrected, such as those that can be removed by cleaning, can be excluded from the correction target to improve the efficiency of the correction.
  • the priority area is set for all areas in the pattern image. It is possible to set the priority area for only a part of the pattern. In this case, it is important to set a high correction priority for defects in the priority area and a low correction priority for defects in the non-priority area. It is possible to correct such defects with priority.
  • the priority is set for each defect data.
  • the present invention is not limited to this, and it is possible to use image data for each pattern. Specifically, the image data for each pattern is superimposed on the image obtained by capturing the template, and the priority order is set for all defects in the pattern obtained from the difference at once. You can
  • the defect correction method detects defects from captured image data, generates defect data, and further determines whether correction is possible or not. If the defect cannot be corrected as a result of the judgment, the rework process is performed. If the defect can be corrected, the correction priority is set based on the predetermined priority area. According to this embodiment as described above, it is possible to reliably detect an important defect and reduce the time required for an operator while shortening the correction time by correcting based on the priority. Is realized.
  • FIG. 6 is a block diagram showing a schematic configuration of the defect correction apparatus according to the second embodiment.
  • Figure 7 shows a matrix of pixels formed as a substrate to be corrected.
  • FIG. 2 is a diagram showing, as an example, a glass substrate used for a liquid crystal display to be used.
  • FIG. 8 is an enlarged view of one picture element in FIG. 7, and is a diagram showing a configuration in which the circuit element 23 is formed in a region surrounded by the wiring by the data lines and the scanning lines.
  • 9 and 10 are diagrams showing the laser repair prohibited area (dotted line) in the area and wiring shown in FIG. In FIG. 8, parts having the same functions as those in FIG. 4 are given the same reference numerals.
  • the defect correcting device 30 is roughly composed of a correcting unit 3 1, an information generating unit 3 2, an XY table 3 3, and a control unit 3 4. First, the correction unit 3 1 will be described.
  • the correction unit 3 1 includes a known laser element 3 5 that outputs a laser beam for correcting a defect, a laser control unit 3 6 that drives and controls the laser element 3 5, and an irradiation area (range) of the laser beam And an irradiation area adjustment unit 3 7 that arbitrarily changes the shape of the irradiation surface.
  • the type and wavelength of the laser beam are not particularly limited as long as the defect can be corrected.
  • Irradiation area adjustment unit 3 7 for example, the irradiation area adjustment unit 3 7 c
  • a slit-shaped opening is created to allow the laser beam to pass through. It is possible to change the size and shape of the laser light irradiation area.
  • other known structures may be used as long as other slit-like openings can be formed.
  • This information generator 3 2 includes an imaging unit 6 and a basic information setting unit 3 8.
  • the imaging unit 6 includes a semiconductor imaging device (not shown) such as a CCD, an optical system and an image processing circuit whose magnification can be changed under the control of a drive control unit 43, which will be described later, and images a correction target substrate. To do.
  • This imaging unit 6 captures the images before and after the correction process at a desired magnification. The captured image is sent to the basic information setting unit 3 8 as image data.
  • the basic information setting unit 3 8 holds the image data picked up by the image pickup unit 6 and uses a reference pattern (reference image) that is identical to the circuit pattern formed on the correction target substrate and has no defect. ) Is held as.
  • This reference image is a comparison target when detecting a defect.
  • a reference image having a composition of a repeating pattern of a minimum unit of one picture element shown in FIG.
  • a plurality of reference images may be prepared so as to cover all circuit patterns formed on the substrate, and not necessarily one type.
  • the reference image is stored with the positional information on the board, and can be used as a template.
  • this reference image may be created exclusively, or by using the image data from the imaging unit 6 and using a pattern portion having no defect on the processing target substrate as a reference image. May be.
  • the basic information setting unit 3 8 has a prohibited area setting unit 39 for setting a laser repair prohibited area KA for prohibiting laser light irradiation as shown in FIG. 9 in advance.
  • the element formation region for forming the wiring composed of the scanning line 21 and the data line 2 2 and the circuit element 2 3 as shown in the second reference image points shown in FIG. 9). (Line range) is set as the laser repair prohibited area KA.
  • the difference between the brightness values generated in the wiring and circuit elements and the other parts is used to show the laser beam indicated by the dotted line in FIG. It is also possible to set the pair prohibited area KA automatically.
  • the laser repair prohibition area KA is set for the wiring and the circuit element by using binarization based on the gradation difference and morphology.
  • the laser repair prohibited area KA may be set by a user operation while viewing the extraction result, or the user may correct the drawing using a commonly used drawing tool.
  • the XY table 33 is mounted with a drive mechanism (not shown) in the two-dimensional directions of X and Y that are orthogonal to the optical axis of the imaging lens of the imaging unit 6 and the optical axis of the correction unit 31, on which the substrate to be corrected is placed. It can be moved and scanned more.
  • the mounting surface of the XY table 33 has a large number of holes, and has a function of holding the substrate to be corrected by suction by sucking air, or a substrate float by blowing air.
  • the imaging unit 6 and the correction unit 31 may be configured to be movable and scanable in the two-dimensional direction or one of X and Y.
  • the control unit 34 includes an information storage unit 40, a defect detection unit 41, and a correction (repair prohibited) area. It consists of a setting unit 4 2 and a drive control unit 4 3.
  • the information storage unit 40 includes a reference information storage unit 40a and a correction target information storage unit 40b.
  • the reference information storage unit 40a acquires a reference image from the basic information setting unit 38 and stores it as reference information necessary for performing defect correction processing.
  • the correction target information storage unit 40 b has a configuration as shown in FIG.
  • the defect detection unit 41 detects the defect by comparing the reference surface image with the image after the patterning process. Further, the defect detection unit 41 sends the defect information relating to the position and size of the detected defect to the correction (repair prohibited) area setting unit 42.
  • This correction (prohibition of repair)
  • the area setting unit 4 2 includes each defect based on the defect information from the defect detection unit 41 in the laser repair prohibited area set by the prohibited area setting unit 39. It is determined whether or not. This determination result is sent to the drive control unit 43 as a determination result including defect determination information included in the laser repair prohibited area and defect not included, and the size and position of each defect. Based on the determination result, the drive control unit 4 3 controls the correction unit 2 and the XY table 33 to correct a defect in the substrate to be processed.
  • the defect repair device 1 is activated and each component is initialized. Place the target substrate on the XY table 3 3. This As shown in FIG. 7, for example, a resist mask is patterned on the substrate to be processed, and it is surrounded by wiring composed of scanning lines 21 and data lines 2 2 provided vertically and horizontally. A plurality of pixels (called patterns) composed of picture elements provided with circuit elements 23 are arranged in a matrix.
  • the basic information setting unit 3 8 of the information generating unit 3 2 acquires a reference image (an image having a plurality of patterns and a composition of one pattern) used for defect detection.
  • the reference image may be obtained by imaging a standard substrate created exclusively, or may be used by imaging a pattern having no defect in the correction target substrate. If a reference image is prepared as image data in advance, the image data is input before initialization at the start is completed. Further, when the reference image is created from the correction target substrate, if there is a defect, a defect-free reference image may be created by removing the defect by known image processing.
  • a plurality of reference images may be prepared in order to support a plurality of patterns formed on the correction target substrate.
  • the reference image may be a 2 56 gradation image data or a color image as long as it can be compared with the image of the correction target substrate imaged by the imaging unit 6. If the pattern is simple, it can be performed even with low gradation image data such as 16 gradations, and the image format is not particularly limited.
  • the laser repair prohibition area KA can be automatically set from the brightness difference using the brightness value information as in the defect extraction in the first embodiment described above. Alternatively, it can be set manually with a drawing tool. This laser repair prohibited area KA is held in the prohibited area setting section as prohibited area information. In addition, a separate storage unit may be provided in the information storage unit 40 and held.
  • this defect detection is performed by reading a reference image from the reference information storage unit 40a, reading from the correction target information storage unit 40b, a captured image that is a patterning processed image, and reading these images. In comparison, a portion having a different luminance difference is detected as a defect, and further, positional information on the position of the defect on the substrate to be processed and the size of the detected defect are detected. After that, the defect size and its position information are corrected (repair prohibited) and sent to the area setting unit 42.
  • the defect detection unit 41 automatically extracts using the luminance difference
  • the extracted result is superimposed on the captured image of the correction target board so that the user can visually observe the extraction result. It may be displayed on the monitor along with the position information.
  • the area setting unit 4 2 reads the laser repair prohibited area KA as shown in Fig. 9 set from the prohibited area setting unit 39 and reads the defect position information from the defect detection unit 4 1. And overlay these pieces of information. As a result of this superposition, as shown in FIG. 10, it can be seen that a defect 25 a exists on the scanning line 21 that is the laser repair prohibited area KA. It can also be seen that the defect 25 b exists on the pixel area not related to the circuit element 23. Accordingly, the correction (repair prohibited) area setting unit 4 2 generates correction information instructing that the defect 25 a is not corrected and the defect 25 b is corrected, and is sent to the drive control unit 4 3. To do. This correction information consists only of the size information and the position information of the defect to be corrected. Defects that are prohibited from being corrected are not subject to correction.
  • the drive control unit 4 3 moves the XY table 3 3 and the correction unit 3 1 based on the defect position information in the correction information from the correction (repair prohibited) area setting unit 4 2, so that the defect 2 5 b Move so that the laser beam of correction unit 2 is aimed at the center.
  • the drive control unit 4 3 sends correction information to the laser control unit 3 6.
  • the laser control unit 36 sets the irradiation area (irradiation range) 26 as shown in Fig. 10 based on the size information of the defect 25 b in the correction information, and the laser light Set the strength. Then, the laser beam is irradiated to remove the defect 25 b.
  • Such a correction has multiple defects that are not included in the laser repair prohibited area KA. If it exists, it is desirable that the movement distance of the XY table 33 and the correction unit 31 is short and the defect correction is completed in as short a time as possible.
  • Defects should be repaired with a light intensity that does not damage the substrate to be repaired and a large amount of defect change (removed) with a single exposure.
  • the defect may be corrected in multiple steps.
  • the defect is large and there is a risk that the light intensity of the laser light for removing this may damage other adjacent parts, the light intensity is reduced and the laser light is irradiated multiple times. Also good. However, it is necessary to optimize multiple irradiation times because the processing time becomes longer.
  • the defect correction apparatus extracts defects that damage normal parts (for example, wiring and circuit elements) when the detected defects are corrected. For other defects, it is possible to prevent damage to normal parts by making corrections.
  • defects that are prohibited to be corrected by laser light irradiation are applied to areas other than the laser repair prohibited area. No correction was made to the defective part.
  • the defect that does not enter the laser repair prohibition area is deleted and corrected, and the priority of the correction order is set for the defect to be corrected.
  • FIG. 11 is a block diagram showing a schematic configuration of a defect correcting apparatus according to the third embodiment.
  • Fig. 12 is a diagram showing the laser repair prohibition area (dashed line) on the board to be corrected.
  • Fig. 13 is a diagram showing defects on the wiring and circuit elements.
  • Fig. 14 is It is a figure which shows the state which performed the correction which removes a defect.
  • the same parts as those shown in FIGS. 6 to 10 in the second embodiment described above are denoted by the same reference numerals.
  • the basic information setting unit 3 8 includes a repair area setting unit 5 3 and a control unit 5.
  • 4 has a correction area setting section 4 4 and a priority setting section 5.
  • the priority setting unit 5 is the same as that in the first implementation system described above, and a detailed description thereof is omitted here.
  • the prohibited area setting unit 39 is provided with a laser repair prohibited area for each portion where the electrically separated scanning lines 21, data lines 22, and circuit elements 2 3 are arranged by dotted lines shown in FIG. Set KA 1 to KA 5.
  • the prohibited area setting unit 39 sets identification marks in the set laser repair prohibited areas KA 1 to KA 5 so that they can be identified. In other words, when a defect straddles multiple laser repair prohibited areas KA, the prohibited areas are short-circuited. It can be estimated that the priority of correction is high. For example, as shown in FIG. 13, when there is a defect 2 7 extending across the scanning line 2 1 and the circuit element 2 3, the laser repair prohibited area KA 3, KA 4 from the prohibited area setting unit 3 9 As a result, it is determined that the defect is short-circuited.
  • the correction area setting unit 4 4 includes the size and position information of the defect input from the defect detection unit 41, the laser repair prohibited areas KA 1 to KA 5 by the prohibited area setting unit 39, and the repair area setting. Based on the laser irradiation area information by the unit 53, the laser irradiation area AA is set for the defect 2 7 as shown in FIG.
  • defect correction for removing a defective portion that does not enter the laser repair prohibited area in the present embodiment will be described.
  • the correction area setting process is performed after the reference information input process is completed, as in the second embodiment.
  • the prohibited area setting unit 39 sets a plurality of laser repair prohibited areas K A 1 to K A 5 as described above in the pattern based on the reference image, and holds them as prohibited area information. At this time, the repair area setting unit 53 also holds the laser irradiation area in the reference image pattern as repair area information.
  • a priority area for correction is set based on the pattern based on the reference image from the reference information storage unit 40a. This setting is Performed at the same time as the zone setting process or at the timing before and after. The setting of the priority area is the same as that of the first embodiment described above.
  • This defect detection is performed by reading the first reference image from the reference information storage unit 40a, reading it from the correction target information storage unit 40b with the first captured image that is the image after patterning, and comparing these images. Thus, a portion having a different luminance difference is detected as a defect, and position information on the substrate on which the defect is located is detected. Using this position information, the defect detection unit 41 reads and compares the second reference image and the second photographed image, and detects the size of the detected defect. After that, the defect size and its position information are sent to the correction area setting unit 44.
  • the size and position information of the defect 2 7 input from the defect detection unit 4 1 are input to the correction area setting unit 4 4. Furthermore, the forbidden area information is read from the forbidden area setting unit 39, and defect 2 7 is detected as shown in Fig. 13 by overlaying the defect position and laser repair forbidden areas KA1 to KA5. It can be seen that it exists across the laser repair prohibition areas KA 3 and KA 4. In other words, since the defect 27 acts to short-circuit the scanning line 21 and the circuit element 23, it is determined as a defect having a high priority.
  • the repair area information is read from the repair area setting section 53, and the laser irradiation area AA is set in a portion that can be corrected by the defect 27.
  • This laser irradiation area AA and defects 27 The clearance and position information is sent to the drive controller 4 3 as correction information.
  • Priority of the order of correction for all defects to be corrected next that is, defects not related to the laser repair prohibited area and defects having the correction area (laser irradiation area AA) set in the previous process
  • Set the degree (priority) This priority setting is equivalent to the setting procedure described in the first embodiment.
  • the drive control unit 4 3 moves the XY table 3 3 and the correction unit 3 1, and in accordance with the priority, the correction unit 3 is placed at the center of the defect or the correction area. Move so that 1 laser beam is aimed.
  • the laser beam of the correction unit 2 is moved so as to be aimed at the laser irradiation area A A.
  • the drive control unit 4 3 sends correction information to the laser control unit 3 6.
  • the laser control unit 36 sets the light intensity of the laser beam based on the size information of the defect 27 (laser irradiation area A A) in the correction information.
  • the defect 27 portion applied to the laser irradiation area A A is removed by laser irradiation.
  • other defects are also moved according to the priority, aiming at the laser beam of the correction unit 2, and irradiating with the laser beam with the calculated light intensity to be sequentially removed.
  • multiple laser repair prohibited areas KA Defects that straddle may be affected by electrical short-circuiting, so it is possible to remove defects that exist in the pixel area excluding the laser repair prohibited area KA. In other words, it is possible to prevent an electrical short circuit between the scanning line, the data line and the circuit element.
  • the defect correction apparatus of this embodiment has the same configuration as the defect correction apparatus of the third embodiment described above, but the repair area setting unit 53 is different.
  • the repair area setting unit 53 sets the scan line 21, the data line 22, and the circuit element 23 to the laser repair prohibition areas KA 1 to KA 5.
  • a laser irradiation area AA is set around the circuit element 2 3 in the picture element area.
  • the distance between the wiring composed of the scanning line 2 1 and the data line 2 2 and the circuit element 2 3 is narrow, and in particular, a part of the data line 2 2 and the circuit element 2 3. Is narrower.
  • the defect 2 8 has occurred in the circuit element 2 3, but the end of the defect 2 8 is close to the data line 2 2, so there is a risk of an electrical short circuit. .
  • the defect correcting apparatus of the present embodiment can reliably correct a defect that is electrically short-circuited in close proximity without straddling the constituent parts.
  • the laser irradiation area AA is provided over the entire periphery of the circuit element 23, but it can be set only in a part.
  • the laser irradiation area AA can be automatically set around the circuit element 23 by image processing, or can be set manually by a drawing tool or the like. .
  • the laser irradiation area A A is set around the circuit element 2 3
  • the pattern may be set in an area where adjacent wirings and / or circuit elements are close to each other in the pattern.
  • the substrate is a glass substrate used for a liquid crystal display as an example
  • the pattern is a drive circuit element such as a transistor
  • a single pixel which is a resister for forming wiring and electrodes, is arranged in a matrix and is referred to as a pattern.
  • the present invention is not limited to this, and may be a silicon substrate used for a semiconductor device.

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Abstract

本発明は、参照画像との比較により基板に生じた欠陥を検出する欠陥検出部(41)と、駆動回路素子(23)上や配線(21,22)上にある欠陥に対して修正の禁止領域(KA)を設定する禁止領域設定部39と、禁止領域(KA)に掛かる部分を除く欠陥部分と、禁止領域(KA)に関わらない欠陥と、を修正領域として設定する修正領域設定部(44)と、修正領域に対して修正順の優先度を設定する優先度設定部(5)と、優先度に従って欠陥を修正する修正部(31)とで構成される欠陥修正装置及びその欠陥修正方法である。

Description

明 細 書
欠陥修正装置及びその欠陥修正方法
技術分野
本発明は、 液晶表示用基板上又は半導体基板上の欠陥部分 を修正する欠陥修正装置及びその欠陥修正方法に関する。 背景技術
一般に、 液晶ディ スプレイ に用いられるガラス基板上に回 路素子や配線を形成する際に、 製造装置内の環境例えばパー ティ クル、 薄膜形成時の析出、 又は露光不良等々 の原因によ り 欠陥が発生する場合がある。
従来の欠陥検出方法と しては、 例えば、 特開平 4 一 3 1 6 3 4 6 号公報又は、 特開平 1 0 _ 2 5 3 3 3 2号公報にそれ ぞれ開示されている。 特開平 4 一 3 1 6 3 4 6号公報の欠陥 検出方法は、 周期的に配列されたパターンをイ メ ージセ ンサ によ り 画像データ と して読み取り 、 正常な画像データ (回路 パターン) と比較して、 異なる部分を欠陥 と して検出 してい る。 また、 特開平 1 0 — 2 5 3 3 3 2号公報の欠陥検出方法 は、 周期的に配列されたパターンを走査してイ メ ージセンサ で第 1 の画像と して読み取り 、 この第 1 の画像に対して、 1 周期遅延させた第 2 の画像と、 2周期遅延させた第 3 の画像 を得て、 同時刻における第 1 画像と第 2画像と の比較、 及び 第 2 の画像と第 3 の画像との比較によ り 、 パターンの欠陥を 検出 している。
これらの欠陥は、 製品が完成品 と して出来上がった際に電 気的な短絡や断線によ る動作不良を引き起こ し、 製品を不良 品に して しま う虞がある。 そのため、 製造工程内でそれらの 欠陥を検出 し、 その不良箇所にレーザ光を照射して リ ペアす る欠陥検出 · 修正が行われている。
これらの周知な欠陥修正方法は、 検出された欠陥に対して 修正を施す際に、 単に欠陥があれば修正する とい う手法であ る。 その修理のためにレーザ光を照射する欠陥の下側又は接 する よ う に、 回路素子又は配線が存在していた場合には、 欠 陥と と もに回路素子や配線が損傷若しく は除去され、 新たな 欠陥を生み出す可能性がある。
従って、 基板上に欠陥を検出 した場合には、 回路素子との 位置関係を把握して、 回路素子や配線に損傷を与えないよ う にするために、 レーザ光の照射の可否判断、 照射光量及び照 射領域の調整を行う こ と が望まれる。
また、 修正に掛け られる時間に制限がある場合には、 動作 や性能に影響を与える重大な欠陥と、 後の製造工程で修正で き る欠陥又は性能に影響の無い欠陥等と に選別して、 これら の優先度の順位をつけて効率的に処理する こ とが望まれる。 発明の開示
本発明の 目的は、 基板上の欠陥を検出 し、 欠陥が発生した 回路上の位置や欠陥状態に応じて、 修正のための優先順位及 び照射禁止領域を設定し、 この設定に応じて欠陥の修正を施 す欠陥修正装置及び欠陥修正方法を提供する こ と である。
上記目 的を達成するために、 基板上の欠陥をレーザ光の照 射によ り 修正する欠陥修正装置であって、 前記基板上の欠陥 を検出する欠陥検出部と、 前記レーザ光の照射を禁止する照 射禁止領域を前記基板上に設定する照射禁止領域設定部と、 前記欠陥検出部に検出された前記欠陥が前記照射禁止領域に 関わるか否か判別し、 該照射禁止領域に関わる と判定された 欠陥に対して、 その照射禁止領域上方を除く 欠陥部分に レー ザ光照射領域を設定する修正領域設定部と、 前記レーザ光照 射領域と、 前記照射禁止領域に関わらない欠陥と、 に対して 修正順の優先度を設定する優先度設定部と、 前記優先度に従 つて欠陥に前記レーザ光を照射して修正する欠陥修正部と を 具備する欠陥修正装置を提供する。
さ らに、 基板上の欠陥をレーザ光の照射によ り 修正する欠 陥修正装置であって、 前記基板上の欠陥を検出する欠陥検出 工程と、 前記レーザ光の照射を禁止する照射禁止領域を前記 基板上に設定する照射禁止領域設定工程と、 前記欠陥検出ェ 程で出された前記欠陥が前記照射禁止領域に関わるか否か判 別する照射禁止領域判別工程と、 前記照射禁止領域判別ェ程 で前記照射禁止領域に関わる と判定された欠陥に対して、 該 照射禁止領域上方を除く 欠陥部分にレーザ光照射領域を設定 する修正領域設定工程と、 前記レーザ光照射領域と、 前記照 射禁止領域に関わらない欠陥と、 に対して修正順の優先度を 設定し、 修正箇所数を設定する優先度設定工程と、 前記優先 度に従って欠陥に前記レーザ光を照射して修正する欠陥修正 工程と を具備する欠陥修正方法を提供する。
図面の簡単な説明
図 1 は、 本発明の第 1 の実施形態に従った欠陥修正装置を 示す概略的なプロ ック 図である。 図 2 は、 修正対象の基板を示す概略的な上面図である。 図 3 は、 優先領域を示す概略図である。
図 4 は、 図 3 中の基板上のパター ンを示す概略図である。 図 5 は、 図 4 中のパター ン上の欠陥に対して位置合わせさ れた優先領域を示す概略図である。
図 6 は、 第 1 の実施形態に係る欠陥検出機能を有する欠陥 修正装置を概略的に示すプロ ッ ク 図である。
図 7 は、 基板を示す概略図である。
図 8 は、 図 7 中の基板中の欠陥の無いパター ンを示す概略 図である。
図 9 は、 レーザリ ペア禁止領域が設定された参照画像を示 す概略図である。
図 1 0 は、 欠陥を含むパター ンを示す概略図である。
図 1 1 は、 第 2 の実施形態に従った欠陥修正装置を概略的 に示すプロ ック 図である。
図 1 2 は、 複数のレーザリ ペア禁止領域が設定された参照 画像を示す概略図である。
図 1 3 は、 欠陥を有し、 処理領域が設定されたパター ンを 示す概略図である。
図 1 4 は、 図 1 3 中の欠陥部を修正後のパター ンを示す概 略図である
図 1 5 は 処理領域が設定されたパター ンを示す概略図で める。
図 1 6 は 欠陥を有しているパターンを示す概略図である 発明を実施するための最良の形態 以下、 図面を参照 して本発明の実施形態について詳細に説 明する。
まず、 本発明の第 1 の実施形態に係る欠陥修正装置によ り 複数検出された欠陥に修正の優先度を設けた欠陥修正方法に ついて説明する。 図 1 は、 この欠陥修正方法を実現するため の欠陥修正装置の概略的な構成例を示すプロ ック図である。 また、 図 2 は、 欠陥を修正する基板の一例を示す図である。 尚、 以下に記載する絵素 (又は画素) と は、 マ ト リ ッ ク ス状 に基板に配置され、 例えば、 液晶ディ スプレイ ( L C D ) の ガラス基板に成形される周囲が配線等に囲まれた発光部分を 含む繰り 返しパターンの最小単位を示すもの と している。 ま た、 この欠陥修正を行う対象と なる欠陥は、 液晶ディ スプレ ィ ( L C D ) に用い られるガラス基板 (以下単に、 基板と称 する) に対して、 レジス トマスク によ り ノ、。ターニングを露光 する フォ ト リ ソグラ フィ ー工程で発生する欠陥を例とする。
こ の基板は、 図 2 に示すよ う に、 走査線 2 1 と、 信号 (デ ータ) 線 2 2 と が直交する よ う に形成され、 これ らの配線に 囲まれた部分に T F T等の回路素子 2 3 が設けられる。 また 説明のために図 2 に示される よ う に、 この基板上には欠陥 2 4 a , 2 4 b , 2 4 c が存在する もの と している。 図 3 は、 周囲を囲む走査線 2 1 及びデータ線 (信号線) 2 2からなる 1絵素分の構成を示すものであ り 、 この絵素がマ ト リ ッ ク ス 状に繰り 返し配置されるパターン、 いわゆる繰り 返しパター ンと なってレヽる。
図 1 に示す欠陥修正装置 1 は、 大別する と修正部 2 と、 制 御部 3 と、 修正領域設定部 4 と で構成される。
修正部 2 は、 欠陥を修正するための レーザ光を出力 して欠 陥を修正する。 この修正部 2 は、 欠陥の大き さ等に応じて出 力する レーザ光のエネルギー密度 (光強度) 、 及ぴ照射領域 (面積) 及び照射面形状を任意に変更する こ とができ る。 制 御部 3 は、 修正部 2及び修正領域設定部 4 と接続され、 これ らを制御する。
修正領域設定部 4 は、 撮像部 6 と、 メ モ リ 8、 欠陥検出部 7、 特徵抽出部 9及び優先度設定部 5 とで構成される。 これ らの う ち、 撮像部 6 は、 C C D等の撮像素子がライ ン状に配 列されたライ ン型撮像部でも よい し、 撮像素子が 2次元的に 配置されたエリ ア型撮像部でも よい。 さ らに撮像部 6 は、 X Y方向に走査移動可能に構成され、 基板の全体について撮像 を行う こ と ができ る。 尚、 撮像部 6 は、 基板の幅寸法を撮像 でき る ものであれば、 基板を一軸方向に走査させる こ と によ り 、 基板全体を撮像する こ と も可能である。 また、 撮像部 6 はメ モ リ 8 と接続され、 撮像された画像データはメ モ リ 8 に 格納される。
欠陥検出部 7 は、 特開平 4 一 3 1 6 3 4 6 号公報、 特開平 1 0 - 2 5 3 3 2 号公報に記載されている周知な欠陥検出方 法によ り 、 画像データから基板上の欠陥を取得する。 具体的 には、 欠陥検出部 7 は、 メ モ リ 8 から撮像部 6 で撮像された 画像データ を読み込み、 予め格納される良否判断の基準と な る基準画像 (参照画像) パターンと比較して、 差があった領 域を欠陥と判別し、 その欠陥データをメ モ リ 8 に記憶する。 尚、 欠陥は 1 絵素だけでなく 、 複数の絵素にまたがって 1 つの欠陥を構成する場合もある。 このよ う な場合には、 欠陥 検出部 7 は、 隣接する欠陥画素群に対して 1 つのグループと してラベリ ングする。 このラベリ ングされた欠陥は、 各画素 (欠陥画素) の位置情報及び撮像で得られた輝度値情報から なる欠陥データ と してメ モ リ 8 へ格納される。 特徴抽出部 9 は、 メモ リ 8 から欠陥データを読み込み、 それぞれの欠陥特 徴を抽出する。 この欠陥特徴と しては、 欠陥の大き さ、 形状. 撮像で得られた輝度値及び、 欠陥の位置情報のいずれか又は それらの組み合わせによる。
優先度設定部 5 は、 欠陥判別部 1 0 と、 優先順位設定部 1 1 と を有している。
欠陥判別部 1 0 は、 まず、 初期設定を行う。 即ち、 判定を 行う にあたって、 予め可否判別に用いる判別基準の設定が行 われる。 欠陥判別部 1 0 は、 この判別基準に基づき、 検出さ れた欠陥がレーザ光照射による修正を行う必要が否かを判別 する。 判別基準と しては、 欠陥の大き さ、 形状、 位置、 及び 輝度値の少なく と も 1 つである。 この判別基準は、 ユーザに よ り 任意に設定可能であ り 、 例えば、 後述するパーティ クル によ る欠陥の輝度値や、 修正が不必要な欠陥の大き さ、 バタ ーンにおける位置情報などが判別レベル (しきい値) と して 設定されている。
この判別は、 レーザ光によ り 欠陥を修正しないと完成 した 製品が動作不良によ る不良品 と なって しま う 重大な欠陥か、 又はパーティ クル付着のよ う に後の工程、 例えば洗浄工程で 除去でき るか又は、 修正しなく ても問題が発生しない欠陥か を判別する。 また、 レーザ光の照射では修正不能な欠陥 と し ては、 例えば、 パターンのずれ、 パターンの欠落又は、 欠陥 の修正箇所が多大である等がある。 修正箇所が多大な場合、 全欠陥について修正する こ とが望ま しいが、 修正に掛かる時 間を考慮して、 ユーザが定めた時間内に修正が完了 しない場 合には、 修正不能と して、 リ ワーク処理対象になる もの とす る。 これらの欠陥に対しては、 前段階の工程に戻して リ ヮー ク処理を行う。 この リ ワーク処理は、 欠陥のあるノ、。ターン自 体を不良部分と して処理する こ とや、 再度レジス ト塗布を行 いパターユングする処理な どを含む。
また欠陥が複数存在 した場合には、 この優先領域と照合し て修正順の優先度即ち、 優先順位を設定する。 尚、 ユーザは 修正箇所の数量設定が可能であ り 、 修正に掛かる時間を考慮 して修正数を制限する又は、 優先度に応じて修正数を制限す る。
欠陥判定部 1 0 は、 上記判別結果に従って、 修正を行 う必 要のないパーティ クル等の欠陥を修正対象の欠陥から除外し、 修正が必要な欠陥データのみを修正対象欠陥データ と して、 メ モ リ 8 に格納する。 尚、 判別された欠陥が リ ワーク処理対 象と なった場合には、 その時点で判別処理を終了 して、 前段 階の工程へ基板を戻す。 また修正対象欠陥データ は、 メ モ リ 8 に格納せずに優先順位設定部 1 1 へ直接的に送出 しても よ い。 また、 欠陥判定部 1 0 は、 ユーザによる修正箇所の数量 設定が可能であ り 、 修正に掛かる時間を考慮して修正数を制 限する こ と も出来る。
次に、 優先順位設定部 1 1 は、 重要な欠陥から修正する よ う に、 欠陥に対して重み付け (優先度の設定) を行う も ので ある。 優先順位設定部 1 1 は、 判別処理終了後にメ モ リ 8 か ら修正対象欠陥データ を取得し、 各修正対象欠陥に対して、 レーザ光照射による修正の順番に優先度を設定する。 具体的 には、 優先順位設定部 1 1 は、 メ モ リ 8 中の画像データから、 1 つのパターンの画像データ (パターン画像) を取得し、 こ のパターン画像内で配置される回路素子や配線に応じて優先 的に修正を行う優先領域を設定する。 勿論、 この優先領域は、 ユーザによ り 予め設定されていて も よい。 優先領域は、 少な く と も 1 つ設定され、 複数の優先領域を設定した場合には、 各優先領域毎に優先順位を決定する。
また、 欠陥が複数存在した場合には、 この優先領域と照合 して優先順位を設定する。 尚、 ユーザは、 優先度に応じて、 修正数を制限する こ とが出来る。 尚、 修正数の制限は、 欠陥 判定部 1 ◦及び優先順位設定部 1 1 によ り 、 優先度順に修正 を行った際の所定時間内に修正が終了する順位までの欠陥を 修正対象と判定しても よい。
優先度の高い領域の決定方法と しては、 例えば、 正常に動 作し、 且つ安定した動作が長期間 (設計における製品寿命) に亘り 実現する こ とが判別基準と なる。 優先順位例と しては、 例えば液晶ディ スプレイであれば、 画素 ト ラ ンジスタ等の駆 動回路素子 2 3 の形成に障害もた らす欠陥や駆動不能にする 欠陥を修正する こ と が最重要である。 次に、 他の回路及び配 線及び電極等の電気通路からの電気的な短絡欠陥を修正する こ とが重要である。 続いて、 配線を断線する欠陥、 発光部上 にかかる欠陥等の順と なる。 尚、 欠陥が 2つの優先領域に架 かる場合には、 優先度の高い領域の方を基準と して判別する c 次に、 このよ う に構成された欠陥修正装置 1 における基板 上の欠陥を取得する動作について工程順に説明する。
[画像取得工程]
欠陥修正装置 1 は、 撮像部 6 又は基板が走査移動して撮像 した基板の画像データ をメモ リ 8 に格納する。
[欠陥検出工程]
雨像取得工程終了後、 続いて欠陥検出工程が行われる。 こ の欠陥検出工程では、 欠陥検出部 7 が画像データ を予め設け た基準画像 (参照画像) と比較して欠陥箇所を検出 し、 修正 対象の欠陥データを生成してメ モ リ 8 に格納する。
[特徴抽出工程]
特徴抽出部 9 はメ モ リ 8 から欠陥データ を読み込み、 各欠 陥データから、 欠陥の大き さ、 形状、 全体の輝度及び、 欠陥 の位置を欠陥特徴と して抽出する。 特徴抽出部 9 は、 この抽 出 した欠陥特徴を欠陥データに関連付けて、 メ モ リ 8 に格納 する。
[欠陥判別工程]
欠陥判定部 1 0 が各欠陥に対して修正を行う必要があるか 否かを判別する。 具体的には、 欠陥判定部 1 0 は、 メ モ リ 8 から各欠陥データにおける欠陥特徴を読み込み、 この欠陥に 対して判別基準に基づいて前述した様にレーザ光照射による 修正を行 う 必要があるか否かを判別する。
この欠陥判別工程において、 修正が必要と された欠陥デ一 タに関係づけ られた欠陥画像データは、 修正対象欠陥データ と してメ モ リ 8 に格納される。
[優先領域設定工程]
前述した修正対象欠陥データ に対して修正のための優先領 域を設定する。
本実施形態においては、 図 3 に示すよ う に、 3 つの優先領 域を設定する例について説明する。 こ の例では、 優先度の高 い順に、 第 1 の優先領域 A 1 と して回路素子 2 3 と配線 2 1, 2 2 の一部を含む領域、 第 2の優先領域 A 2 と して配線 2 1 , 2 2 の領域、 第 3 の優先領域 A 3 と して配線 2 1, 2 2 で囲 まれた発光部と なる領域の 3つの優先領域と している。
[優先度設定工程]
次に修正対象欠陥データに対する優先度の設定を行 う。 こ の優先度は、 欠陥画素の位置が前述した第 1, 2, 3 の優先 領域 A l, A 2 , A 3 のいずれかに当てはめて、 優先度 (優 先順位) を設定する。
例えば、 図 4 に示す 3 つの各修正対象欠陥データ 2 4 a, 2 4 b, 2 4 c に対して、 優先度を設定する例では、 図 5 に 示すよ う に、 修正対象欠陥データ 2 4 a は第 1 の優先領域 A 1 、 修正対象欠陥データ 2 4 b は第 2 の優先領域 A 2、 修正 対象欠陥データ 2 4 a は、 第 3 の優先領域 A 3 に該当する。 従って、 優先度の順位 1番目 に 2 4 a、 2番目 に 2 4 b、 3 番目 に 2 4 c の順に設定される。 設定された優先度は、 各修 正対象欠陥データに対応して、 メ モ リ 8 に格納される。
[欠陥修正工程]
次に、 本実施形態の欠陥修正装置 1 によ る欠陥修正につい て説明する。
前述した欠陥抽出が終了 した後、 制御部 3 はメ モ リ 8 から 優先度順に修正対象欠陥データ を読み込む。 制御部 3 は、 こ の修正対象欠陥データに対して、 該当する基板上の欠陥に修 正部 2から レーザ光を照射し、 設定した優先度順まで修正対 象欠陥データを修正する。 優先順位の設定は、 優先度の高い 方から任意の順位まで設定する こ とができ る。 また、 優先度 の順位も欠陥の種類やパター ンに応じて任意に設定する こ と ができ る。 こ の修正において、 修正部 2 は修正対象欠陥デー タ 中の特徴に基づいて、 基板上における欠陥の位置、 大き さ、 及び形状を特定 し、 制御部 3 に よ り 光強度 (エネルギー密 度) 及び照射範囲が制御された レーザ光が欠陥に照射されて 修正が完了する。 こ の照射範囲は、 後述する よ う に遮光板等 を移動させて調整する。
尚、 本実施形態の欠陥修正方法は、 以下の作用効果を含ん でいる。
まず、 判別基準に基づき、 修正の有無が判別され、 例えば 洗浄によ る除去でき るなど修正する必要の無い欠陥を修正対 象から除外して修正の効率化を図る こ とができ る。
また判別基準を変更する こ と によ り 、 修正の回数や欠陥レ ベルによ る修正の有無が調整でき る。 さ らに、 優先度の設定 を行う際に、 パター ン画像内の全ての領域に対して優先領域 を設定しても よい し、 パター ンの一部分のみに優先領域に設 定する こ と も可能である。 この場合、 優先領域に含まれる欠 陥に対しては、 修正の優先度を高く 設定し、 非優先領域内の 欠陥に対しては修正の優先度を低く 設定する こ と によ り 、 重 要な欠陥を優先 して修正させる こ とができ る。
また、 欠陥データ毎に優先度を設定したが、 これに限らず、 パターン毎の画像データ を用いて行う こ と も可能である。 具 体的には、 パターン毎の画像データに対して、 テ ンプ レー ト を撮像した画像に重ねて、 差分から求めたパターン内全ての 欠陥に対して、 一度に優先度の順位を設定する こ とができ る。
以上説明 したよ う に、 本実施形態の欠陥修正方法は、 撮影 した画像データ よ り 欠陥を検出 して、 欠陥データ を生成 し、 さ ら に修正の可否及ぴ有無を判別する。 可否判定の結果、 欠 陥が修正できなければリ ワーク処理を施し、 修正可能であれ ば、 予め定めた優先領域に基づき、 修正の優先度を設定して いる。 このよ う な本実施形態によれば、 重要な欠陥を確実に 検出 し、 且つ優先度に基づく 修正によ り 、 修正時間の短縮化 を実現しつつ、 作業者にかかる手間を軽減する こ とが実現で さ る。
次に本発明の第 2 の実施形態に係る欠陥修正装置について 説明する。 本実施形態では、 検出された欠陥に対して、 レー ザ光によ る レーザリ ペア禁止領域を設けた補正領域に対する 欠陥修正方法について説明する。 図 6 は、 第 2 の実施形態に 係る欠陥修正装置の概略的な構成を示すプロ ック図である。 図 7 は、 修正対象基板と して、 マ ト リ ック ス状に画素が形成 される液晶ディ スプレイ に用い られるガラス基板を一例と し て示す図である。 図 8 は、 図 7 における一絵素分の拡大図で あ り 、 データ線及び走査線によ る配線に囲まれた領域に回路 素子 2 3 が形成された構成を示す図である。 図 9 及び図 1 0 は、 図 8 に示した領域及び配線における レーザリ ペア禁止領 域 (点線) を示す図である。 図 8 において図 4 と 同様な機能 を持つ部位については同 じ参照符号を付している。
こ の欠陥修正装置 3 0 は、 大別 して修正部 3 1 と、 情報生 成部 3 2 と、 X Yテーブル 3 3 と、 制御部 3 4 と で構成され る。 まず、 修正部 3 1 について説明する。
修正部 3 1 は、 欠陥を修正するための レーザ光を出力する 公知なレーザ素子 3 5 と、 レーザ素子 3 5 を駆動制御する レ 一ザ制御部 3 6 と、 レーザ光の照射領域 (範囲) 及び照射面 形状を任意に変更する照射領域調整部 3 7 と で構成される。 尚、 こ の レーザ素子 3 5 は、 欠陥の修正が可能であれば、 レ 一ザ光の種類及ぴ波長については特には限定されない。
照射領域調整部 3 7 は、 例えば、 カメ ラの絞り 機構と 同様 な複数枚の絞り 羽 (図示せず) 又は遮光板によ り 構成される c こ の照射領域調整部 3 7 は、 レーザ素子 3 5 の出射側に配置 され、 絞り 羽又は遮光板を移動調節する こ と によ り 、 ス リ ツ ト状の開 口部を作り 出 し、 レーザ光の光束を通過させる こ と によ り 、 レーザ光の照射領域の大き さや形状を変更する こ と ができ る。 勿論、 他にもス リ ッ ト状の開口部が形成できれば、 周知な構成を用いても よい。
次に、 情報生成部 3 2 について説明する。 こ の情報生成部 3 2 は、 撮像部 6 と、 基本情報設定部 3 8 と で構成される。 これらの う ち、 撮像部 6 は、 後述する駆動制御部 4 3 の制御 によ り 図示しない C C D等の半導体撮像素子と倍率変更可能 な光学系 と画像処理回路と を備え、 修正対象基板を撮像する。 こ の撮像部 6 によ り 、 修正処理前後の画像を所望する倍率で 撮像する。 撮像された画像は、 画像データ と して基本情報設 定部 3 8 へ送出される。
基本情報設定部 3 8 は、 撮像部 6 によ り 撮像された画像デ ータ を保持し、 また修正対象基板に形成される回路パターン と 同一で欠陥の無い基準パター ンを参照画像 (基準画像) と して保持している。 こ の参照画像は、 欠陥を検出する際の比 較対象と な り 、 例えば、 図 8 に示す 1 つの絵素の最小単位の 繰り 返しパター ンの構図からなる参照画像がある。 尚、 参照 画像は、 基板上に形成される全回路パター ンをカバーでき る よ う に複数用意される場合があ り 、 必ずしも 1種類と は限ら ない。 また、 参照画像は、 基板上における位置情報も併せ持 つて格納されており 、 テ ンプレー ト と しても利用でき る。 さ らに、 この参照画像の作成は、 専用に作成しても よい し、 撮 像部 6 からの画像データ を利用 して、 処理対象基板における 欠陥の無いパター ン部分を参照画像と して用いても よい。
こ の基本情報設定部 3 8 は、 予め図 9 に示すよ う なレーザ 光の照射を禁止する レーザリペア禁止領域 K Aを設定する禁 止領域設定部 3 9 を有している。 本実施形態では、 第 2 の参 照画像に示すよ う な走査線 2 1及びデータ線 2 2 からなる配 線と回路素子 2 3 と を形成する素子形成領域 (図 9 に示す点 線の範囲) をレーザリ ペア禁止領域 K Aと して設定する。 勿 論、 これは一例であ り レーザリ ペア禁止領域 K Aは任意に設 定する こ とができ る。
こ の画像処理においては、 パターニ ングされた基板を撮像 して用いる場合、 配線及び回路素子と、 それ以外部分と に生 じる輝度値の差を利用 して、 図 9 の点線で示すレーザ リ ペア 禁止領域 K Aを 自動的に設定する こ と も可能である。 例えば、 階調差によ る 2値化やモーホロ ジー ( mo rpho l o gy )な どを利 用 して、 配線と 回路素子にレーザリ ペア禁止領域 K Aを設定 する。
こ の抽出結果を見なが ら、 ユーザによる操作でレーザリ ぺ ァ禁止領域 K Aを設定しても よい し、 一般的に使用されてい る描画ツールを用いてユーザが補正しても よい。
次に、 X Yテーブル 3 3 について説明する。 X Yテーブル 3 3 は、 修正対象基板を載置 し、 撮像部 6 の撮像レンズの光 軸及び修正部 3 1 の光軸とそれぞれ直交する X及ぴ Y方向の 2次元方向に図示しない駆動機構によ り移動及び走査可能に 構成されている。 尚、 X Yテーブル 3 3 の載置面には多数の 孔が開口 されており 、 修正対象基板を空気の吸気によ る吸着 保持、 又は空気の噴出による基板フロー トの機能を有 してい る。 さ らに、 X Yテーブル 3 3 だけでなく 、 撮像部 6 及び修 正部 3 1 においても、 2次元方向又は X , Yの一方に移動及 び走査可能に構成しても よい。
さ らに、 制御部 3 4 について説明する。 こ の制御部 3 4 は、 情報記憶部 4 0 、 欠陥検出部 4 1 、 修正 (リ ペア禁止) 領域 設定部 4 2及び、 駆動制御部 4 3 で構成される。
情報記憶部 4 0 は、 参照情報記憶部 4 0 a と修正対象情報 記憶部 4 0 b と を有している。 これらの う ち、 参照情報記憶 部 4 0 a は、 欠陥の修正処理を行 う際に必要な参照情報と し て、 参照画像を基本情報設定部 3 8 から取得して記憶する。
一方、 修正対象情報記憶部 4 0 b は、 図 1 0 に示すよ う な
1 つのパターンからなる構図の修正対象基板のパターエング 処理後画像と を記憶する。
欠陥検出部 4 1 は、 参照面像とパターニング処理後画像と を比較して欠陥を検出する。 さ らに、 欠陥検出部 4 1 は、 検 出 した欠陥の位置及び大き さ に関する欠陥情報を修正 ( リ ぺ ァ禁止) 領域設定部 4 2 へ送出する。 こ の修正 ( リ ペア禁 止) 領域設定部 4 2 は、 欠陥検出部 4 1 からの欠陥情報によ る各欠陥が、 禁止領域設定部 3 9 によ り 設定されたレーザリ ペア禁止領域に含まれるか否か判別する。 この判別結果は、 レーザリ ペア禁止領域に含まれる欠陥と含まれない欠陥の判 別情報と、 それぞれ欠陥の大き さ及び位置とからなる判定結 果を駆動制御部 4 3 へ送出する。 駆動制御部 4 3 は、 判定結 果に基づいて、 修正部 2及ぴ X Yテーブル 3 3 を制御 して、 処理対象基板における欠陥を修正する。
次に前述した欠陥修正装置による欠陥の修正について、 作 業工程順に説明する。
[準備工程]
まず、 欠陥修正装置 1 を起動 して、 各構成部位の初期化を 行う。 X Yテーブル 3 3 上に、 処理対象基板を載置する。 こ の処理対象基板上には、 図 7 に示すよ う に例えば、 レジス ト マスクがパターエングされた状態であ り 、 縦横に設け られる 走査線 2 1及びデータ線 2 2 からなる配線と、 配線に囲まれ て回路素子 2 3 が設け られた絵素と で構成される画素 (パタ ーンと称する) がマ ト リ ッ ク ス状に複数配置されている。
[参照情報入力工程]
情報生成部 3 2 の基本情報設定部 3 8 は、 欠陥検出に用い る参照画像 (複数のパター ン及ぴ 1 つのパター ンの構図によ る画像) を取得する。 前述したよ う に、 この参照画像は、 専 用に作成 した基準と なる基板を撮像しても よいし、 修正対象 基板内の欠陥の無いパターンを撮像して用いても よい。 尚、 予め参照画像が画像データ と して用意されている場合には、 その画像データは起動時の初期化が完了する前に入力される。 また、 修正対象基板から参照画像を作り 出す際に、 も し欠陥 を有していたな らば、 公知な画像処理によ り 欠陥を除去 して 欠陥の無い参照画像を作成しても よい。 尚、 参照画像は、 修 正対象基板に形成される複数のパターンに対応でき る よ う に するため、 複数用意する場合もある。
また参照画像は、 撮像部 6 で撮像された修正対象基板の画 像と対比できればよ く 、 2 5 6 階調の画像データでもカ ラー 画像であっても よい。 また単純なパター ンであれば、 1 6 階 調等の低階調の画像データでも実施でき る し、 画像の形式は 特に限定される も のではない。
[禁止領域設定工程]
こ の工程では、 禁止領域設定部 3 9 によ り レーザリ ペア禁 止領域 K Aを設定する。 本実施形態においては、 図 8 に示し た 1 つの拡大されたパターンによ る構図の画像を用いて、 図 9 の点線で示すよ う に、 走査線 2 1 及びデータ線 2 2及び回 路素子 2 3 の上面をレーザリ ペア禁止領域 K Aと設定してい る。
また、 レーザリ ペア禁止領域 K Aは、 前述した第 1 の実施 形態における欠陥抽出のよ う に輝度値情報を利用 して、 輝度 差から レーザリ ペア禁止領域 K Aを自動的に設定する こ と も 可能である し、 描画ツールによ り 手動で設定する こ と も可能 である。 こ の レーザリ ペア禁止領域 K Aは、 禁止領域情報と して、 禁止領域設定部に保持される。 また、 別途情報記憶部 4 0 に記憶部を設けて保持させておいても よい。
[欠陥検出工程]
次に、 欠陥の検出を行う。 こ の欠陥検出は前述 したよ う に、 参照情報記憶部 4 0 a から参照画像を読み込み、 修正対象情 報記憶部 4 0 b からパターユング処理後画像である撮影画像 と読み込み、 これらの画像を比較して輝度差が異なっている 部分を欠陥 と して検出 し、 さ らに処理対象基板上のその欠陥 が所在する位置情報、 検出 した欠陥の大き さ を検出する。 そ の後、 欠陥の大き さ及びその位置情報を修正 (リ ペア禁止) 領域設定部 4 2 へ送出する。
また欠陥検出部 4 1 は、 輝度差を利用 して 自動抽出 させた 場合には、 その抽出結果をユーザが 目視でき る よ う に、 抽出 後の欠陥を修正対象基板の撮影画像に重ねて、 位置情報と共 にモニタ に表示させても よい。 [修正領域設定工程]
修正 (リ ペア禁止) 領域設定部 4 2 は、 禁止領域設定部 3 9 から設定された図 9 に示すよ う なレーザリ ペア禁止領域 K Aを読み込み、 欠陥検出部 4 1 から欠陥の位置情報を読み込 み、 これらの情報を重ね合わせる。 この重ね合わせによ り 、 図 1 0 に示すよ う に、 レーザリ ペア禁止領域 K Aである走査 線 2 1 上に欠陥 2 5 a が存在 している こ と が判る。 また、 欠 陥 2 5 b は、 回路素子 2 3 に係らない絵素領域上に存在 して いる こ と が判る。 従って、 修正 ( リ ペア禁止) 領域設定部 4 2 は、 欠陥 2 5 a は修正せず、 欠陥 2 5 b は修正する こ と を 指示する修正情報を生成して、 駆動制御部 4 3 へ送出する。 この修正情報は、 修正すべき欠陥の大き さ情報と位置情報の みによ り 構成されている。 これによ り 修正が禁止された欠陥 は、 修正対象と な らない。
[欠陥修正工程]
駆動制御部 4 3 は、 修正 (リ ペア禁止) 領域設定部 4 2か らの修正情報における欠陥の位置情報に基づき、 X Yテープ ル 3 3及び修正部 3 1 を移動させて、 欠陥 2 5 b 中心に修正 部 2 の レーザ光が照準される よ う に移動させる。 次に駆動制 御部 4 3 は、 レーザ制御部 3 6 へ修正情報を送出する。 レー ザ制御部 3 6 は、 修正情報における欠陥 2 5 b の大き さ情報 に基づき、 図 1 0 に示すよ う なレーザ光の照射領域 (照射範 囲) 2 6 を設定し、 レーザ光の光強度を設定する。 その後、 レーザ光を照射して欠陥 2 5 b を除去する。 この よ う な修正 は、 レーザ リ ペア禁止領域 K Aに含まれない複数の欠陥が存 在した場合には、 X Yテーブル 3 3及び修正部 3 1 の移動距 離が短く 、 欠陥の修正がなるべく 短時間で終わる よ う に行う こ と が望ま しい。
欠陥の修正は、 修正対象基板に損傷を与えない程度の光強 度で且つ 1 回の照射で欠陥の変化量 (除去される量) が大き い程よい。 また、 欠陥が例えば、 線状で長いに欠陥であ り 、 照射領域調整部 3 7 のマス キ ングによ る形状が欠陥をカバー できない場合には、 複数回に分けて修正しても よい。 また、 欠陥が大き く 、 これを除去するための レーザ光の光強度が隣 接する他の部位に損傷を与える虞がある場合には、 光強度を 低下させて複数回、 レーザ光を照射させても よい。 但し、 複 数の照射回数は処理時間が長く なるため、 最適化を行 う 必要 がある。
以上説明 したよ う に、 本実施形態の欠陥修正装置は、 検出 された欠陥に対して、 修正を行 う と正常な部位 (例えば、 配 線や回路素子等) に損傷を与える欠陥を抽出 し、 これ以外の 欠陥に対 して、 修正を施すこ と によ り 正常な部位への損傷を 防止する こ とができ る。
尚、 修正が終了 した補正対象基板を再度撮像して、 参照画 像と比較して欠陥を再抽出 し、 レーザ リペア禁止領域以外で 修正が未処理の欠陥に対して再修正を施すこ と も可能である。
次に、 本発明の第 3 の実施形態に従った欠陥修正装置につ いて説明する。
前述した第 2 の実施形態では、 レーザ光の照射による修正 を禁止した欠陥については、 レーザリ ペア禁止領域以外に掛 かる欠陥部分に対しても何等修正を施さなかった。 これに対 して、 本実施形態では、 欠陥でレーザリペア禁止領域に掛か らない部分を削除して修正し、 且つ修正する欠陥に対して修 正順の優先度を設定する ものである。
図 1 1 は、 第 3 の実施形態に係る欠陥修正装置の概略的な 構成を示すブロ ック 図である。 図 1 2 は、 修正対象基板にお ける レーザリペア禁止領域 (一点鎖線) を示す図であ り 、 図 1 3 は、 配線と 回路素子に掛かる欠陥を示す図であ り 、 図 1 4 は、 欠陥を除去する修正を施した状態を示す図である。 尚、 図 1 1 乃至図 1 4 に示す構成部位において、 前述 した第 2 の 実施形態における図 6 乃至図 1 0 に示 した構成部位と 同等の ものには同 じ参照符号を付している。
こ の第 3 の実施形態は、 前述 した第 2 の実施形態の欠陥修 正装置 3 0 の構成部位に加えて、 基本情報設定部 3 8 にはリ ペア領域設定部 5 3 と、 制御部 5 4 には修正領域設定部 4 4 及び優先度設定部 5 と を有している。 尚、 優先度設定部 5 は、 前述した第 1 の実施系における もの と 同等であ り 、 こ こ での 詳細な説明は省略する。
禁止領域設定部 3 9 は、 図 1 2 に示す点線によ り 、 電気的 に分離した各走査線 2 1及びデータ線 2 2及び回路素子 2 3 が配置されている部分毎にレーザリ ペア禁止領域 K A 1 乃至 K A 5 を設定する。 また、 禁止領域設定部 3 9 は、 設定した レーザリ ペア禁止領域 K A 1 〜 K A 5 には、 識別符を設定し 識別可能にする。 即ち、 欠陥が複数の レーザリペア禁止領域 K Aに跨っていた場合には、 禁止領域の間を短絡させている と推定でき、 修正の優先度を高く する。 例えば、 図 1 3 に示 すよ う に、 走査線 2 1 と回路素子 2 3 に跨って掛かる欠陥 2 7 が存在 した場合、 禁止領域設定部 3 9 からの レーザリ ペア 禁止領域 K A 3 , K A 4 に跨って掛かる こ と と な り 、 短絡さ せている欠陥と判別する。
修正領域設定部 4 4 は、 欠陥検出部 4 1 から入力された欠 陥の大き さ及びその位置情報と、 禁止領域設定部 3 9 による レーザリ ペア禁止領域 K A 1 〜 K A 5 と、 リ ペア領域設定部 5 3 によ る レーザ照射領域情報と に基づき、 図 1 3 に示すよ う に欠陥 2 7 に対してレーザ照射領域 A Aを設定する。
次に、 本実施形態における レーザリ ペア禁止領域に掛から ない欠陥部分を除去する欠陥修正について説明する。 こ こで は、 図 1 3 に示すパターン P 2 に欠陥が存在する例を用いる。 本実施形態の欠陥修正装置では、 第 2 の実施形態と 同様に 参照情報入力工程が終了 した後、 修正領域設定工程が行われ る。
[禁止領域設定工程]
禁止領域設定部 3 9 は、 参照画像によるパターンに前述し たよ う に複数の レーザリ ペア禁止領域 K A 1 〜 K A 5 を設定 し、 禁止領域情報と して保持する。 こ の時、 リ ペア領域設定 部 5 3 においても、 参照画像のパターンにおける レーザ照射 領域を リ ペア領域情報と して保持する。
[優先領域設定工程]
参照情報記憶部 4 0 a からの参照画像によ るパターン基づ き、 修正のための優先領域を設定する。 この設定は、 禁止領 域設定工程と 同時又は前後のタイ ミ ングで行われる。 優先領 域の設定は、 前述した第 1 の実施形態と 同等である。
[欠陥検出工程]
続いて、 前述 した第 2 の実施形態と 同様な欠陥の検出を行 う。 この欠陥検出は参照情報記憶部 4 0 a から第 1 の参照画 像を読み込み、 修正対象情報記憶部 4 0 b からパターニング 処理後画像である第 1 の撮影画像と読み込み、 これらの画像 を比較して輝度差が異なっている部分を欠陥と して検出 し、 さ らに処理対象基板上のその欠陥が所在する位置情報を検出 する。 この位置情報を用いて、 欠陥検出部 4 1 は、 第 2 の参 照画像と第 2 の撮影画像と読み込み比較して、 検出 した欠陥 の大き さ を検出する。 その後、 欠陥の大き さ及びその位置情 報を修正領域設定部 4 4へ送出する。
[修正領域設定工程]
修正領域設定部 4 4 には、 欠陥検出部 4 1 から入力された 欠陥 2 7 の大き さ及びその位置情報が入力される。 さ らに、 禁止領域設定部 3 9 から禁止領域情報を読み込み、 欠陥の位 置と レーザリ ペア禁止領域 K A 1 〜 K A 5 の重ね合わせによ り 、 図 1 3 に示すよ う に欠陥 2 7 がレーザリ ペア禁止領域 K A 3及び K A 4 に跨る よ う に存在 している こ とが判る。 つま り 、 欠陥 2 7 は走査線 2 1 と回路素子 2 3 と を短絡させる よ う に作用するため、 優先度の高い欠陥 と判別される。
さ らに、 リ ペア領域設定部 5 3 から リペア領域情報を読み 込み、 欠陥 2 7 で修正する こ とが出来る部分に レーザ照射領 域 A Aを設定する。 このレーザ照射領域 A Aと欠陥 2 7 の大 き さ及び位置情報を修正情報と して駆動制御部 4 3 へ送出す る。
[優先度設定工程]
次に修正すべき全欠陥、 即ち、 レーザリ ペア禁止領域に関 わらない欠陥及び、 前工程で設定された修正領域 ( レーザ照 射領域 A A ) を持つ欠陥に対して、 修正を行 う順番の優先度 (優先順位) を設定する。 こ の優先度の設定は、 第 1 の実施 形態で説明 した設定手順同等である。
[欠陥修正工程]
前述した第 1 , 2 の実施形態と 同様に して、 駆動制御部 4 3 は、 X Yテーブル 3 3及び修正部 3 1 を移動させて、 優先 度に従って、 欠陥又は修正領域の中心に修正部 3 1 の レーザ 光が照準される よ う に移動させる。
例えば、 欠陥 2 7 に掛かる レーザ照射領域 A Aが一番優先 度が高かった場合には、 修正部 2 の レーザ光がレーザ照射領 域 A A へ照準される よ う に移動させる。 次に駆動制御部 4 3 は、 レーザ制御部 3 6 へ修正情報を送出する。 レーザ制御部 3 6 は、 修正情報における欠陥 2 7 ( レーザ照射領域 A A ) の大き さ情報に基づき、 レーザ光の光強度を設定する。 その 後、 図 1 4 に示すよ う に、 レーザ光を照射してレーザ照射領 域 A Aに掛かる欠陥 2 7部分を除去する。 その後、 他の欠陥 に対しても、 優先度に従って、 移動し修正部 2 の レーザ光を 照準し、 算出された光強度のレーザ光を照射して、 順次除去 する。
以上説明 したよ う に、 複数の レーザリ ペア禁止領域 K Aに 跨る よ う に掛かっている欠陥は、 電気的に短絡する よ う に作 用する虞があるため、 レーザリ ペア禁止領域 K Aを除く 絵素 領域に存在する欠陥を部分的に除去する こ と によ り 、 走査線、 データ線及ぴ回路素子のそれぞれの間の電気的短絡を防止す る こ とが出来る。
次に、 本発明の第 4 の実施形態に従った欠陥修正装置につ いて説明する。
本実施形態の欠陥修正装置は、 前述した第 3 の実施形態に おける欠陥修正装置と同様な構成を有しているが、 リ ペア領 域設定部 5 3 が異なっている。
こ の リ ペア領域設定部 5 3 は、 図 1 5 に示すよ う に、 走査 線 2 1 、 データ線 2 2及び回路素子 2 3 はレーザリペア禁止 領域 K A 1 〜 K A 5 に設定され、 さ らに、 絵素領域における 回路素子 2 3 の周囲にレーザ照射領域 A Aが設定される。 例 えば、 図 1 5 の配置例であれば、 走査線 2 1 及ぴデータ線 2 2 からなる配線と回路素子 2 3 と の間が狭く 、 特にデータ線 2 2 と回路素子 2 3 の一部とが狭く なっている。 例えば図 1 6 に示すよ う に回路素子 2 3 に欠陥 2 8 が発生しているが、 欠陥 2 8 の端部分がデータ線 2 2 に近接しているため、 電気 的に短絡する虞がある。
そこで、 レーザ照射領域 A Aを回路素子 2 3 の周囲に設定 する こ と によ り 、 短絡を引き起こす虞がある欠陥を優先的に 除去 して修正を施す。 これによ り 、 本実施形態の欠陥修正装 置は、 構成部位に跨らなく と も、 近接して電気的に短絡する 欠陥を確実に修正する こ とができ る。 尚、 本実施形態におい て、 レーザ照射領域 A Aは回路素子 2 3 の周囲全体に渡って 設け られているが、 一部分にのみ設定する こ と も可能である。
また、 レーザ照射領域 A Aは、 画像処理によ り 自動的に回 路素子 2 3 の周囲にする こ と も可能である し、 描画ツールな どによ り 手動で設定する こ と も可能である。
また、 前記レーザ照射領域 A Aは、 回路素子 2 3 の周囲に 設定されたが、 パターンにおいて、 互いに隣接する配線及ぴ /又は回路素子の間が、 近接している領域に設定され得る。 尚、 前述した第 1 乃至第 4 の実施形態では、 基板と して、 液 晶ディ スプレイ に用い られるガラス基板を例と して、 パター ンと しては、 ト ラ ンジスタ等の駆動回路素子、 配線及び電極 を形成するためのレジス トカ らなる 1 つの絵素をマ ト リ ック ス状に配置したも のを操り 返 しパター ンと して称して説明 し た。 勿論、 これに限定されず、 半導体デバイ スに用い られる シ リ コ ン基板であっても よい。
前述 した各実施形態について図面を参照 しなが ら具体的に 説明 したが、 本発明は前述した各実施形態の記載事項に限定 される も のではなく 、 本発明の要旨を逸脱しない範囲におい て、 各種の改良及び変更を行ってもよいのは勿論である。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 基板上の欠陥をレーザ光の照射によ り 修正する欠陥 修正装置であって、
前記基板上の欠陥を検出する欠陥検出部と、
前記欠陥検出部に検出された前記欠陥に対して、 修正順の 優先度を設定する優先度設定部と、
前記優先度に従って欠陥に前記レーザ光を照射して修正す る修正部と、
を具備する こ と を特徴とする欠陥修正装置。
2 . 前記欠陥修正装置において、
前記欠陥から特徴量を抽出する特徴量抽出部をさ ら に有し、 前記優先度設定部は、 前記特徴量に基づいて各欠陥を修正 対象にするか判断する欠陥判別部を有している こ と を特徴と する請求項 1 に記載の欠陥修正装置。
3 . 前記欠陥修正装置において、
前記優先度設定部は、 前記基板に設け られた駆動回路素子 の上方及び配線の上方に形成されるパターンの領域を修正の 優先領域と して設定する請求項 1 に記載の欠陥修正装置。
4 . 前記欠陥修正装置において、
前記欠陥検出部は、 複数のパターンが形成された基板を撮 像し、 欠陥を含む画像データを生成し、
前記優先度設定部は、 前記複数のパターンに基づき、 前記 優先領域をテンプレー ト と して設定し、 前記テンプレー トを 前記画像データ に、 前記パターンによ る位置合わせを行いつ つ重ね合わせ、 前記テ ンプレー ト に設けられた優先領域を利 用 して、 画像データ に含まれる欠陥に、 修正する順番の優先 度を設定する こ と を特徴とする請求項 3 に記載の欠陥修正装 置。
5 . 前記欠陥修正装置において、
前記優先度設定部は、 第 1 に、 駆動回路素子の形成に障害 もた らす欠陥や駆動不能にする欠陥、 第 2 に、 他の回路及び 配線及び電極等の電気通路からの電気的な短絡欠陥、 第 3 に、 配線を断線する欠陥、 前記以外の欠陥の順位で優先度を設定 するための優先領域を配置する こ と を特徴とする請求項 1 に 記載の欠陥修正装置。
6 . 基板上の欠陥を レーザ光の照射によ り 修正する欠陥 修正装置であって、
前記基板上の欠陥を検出する欠陥検出部と、
前記レーザ光の照射を禁止する照射禁止領域を前記基板上 に設定する照射禁止領域設定部と、
前記欠陥検出部に検出 された前記欠陥が前記照射禁止領域 に関わるか否か判別し、 修正領域を設定する修正領域設定部 と、
前記修正領域設定部で前記照射禁止領域に関わる と判定さ れた欠陥を除く 複数の欠陥に対して、 修正順の優先度を設定 し、 修正箇所数を設定する優先度設定部と、
前記優先度に従って欠陥に前記レーザ光を照射して修正す る欠陥修正部と、
を具備する こ と を特徴とする欠陥修正装置。
7 . 基板上の欠陥を レーザ光の照射によ り 修正する欠陥 修正装置であって、
前記基板上に存在する欠陥を検出する欠陥検出部と、 修正を禁止する禁止領域を前記基板上に設定する禁止領域 設定部と、
前記欠陥検出部によ り検出された前記欠陥が前記禁止領域 に関わるか否か判定し、 禁止領域に関わる欠陥に対して修正 禁止を設定する修正領域設定部と、
前記修正領域設定部に修正が禁止された欠陥を除く 欠陥に 前記レーザ光を照射して修正する修正部と、
を具備する こ と を特徴とする欠陥修正装置。
8 . 前記欠陥修正装置において、
前記基板に設け られた駆動回路素子の上方及び配線の上方 に形成されるパターンの領域を前記禁止領域と して設定する こ と を特徴とする請求項 7 に記載の欠陥修正装置。
9 . 前記欠陥修正装置において、
前記修正領域設定部は、 前記基板上における前記禁止領域 以外の領域を処理領域に設定する請求項 7 に記載の欠陥修正
1 0 . 前記欠陥修正装置において、
前記撮像部は、 修正理後の前記基板を撮像し、 撮像した画 像データ と を前記欠陥検出部に送り 、
前記欠陥検出部は、 前記処理前画像データ と、 '前記処理前 画像データ と を比較する こ と によ り 、 レーザリ ペア処理後に 前記欠陥を検出する請求項 5 に記載の欠陥修正装置。
1 1 . 基板上の欠陥をレーザ光の照射によ り 修正する欠 陥修正装置であって、
前記基板上の欠陥を検出する欠陥検出部 と、
前記レーザ光の照射を禁止する照射禁止領域を前記基板上 に設定する照射禁止領域設定部と、
前記欠陥検出部に検出された前記欠陥が前記照射禁止領域 に関わるか否か判別し、 前記照射禁止領域と される駆動回路 素子の周囲をレーザ光照射領域) と設定する修正領域設定部 と、
前記レーザ光照射領域に掛かる欠陥に対 して、 修正順の優 先度を高く 設定する優先度設定部と、
前記優先度に従って欠陥に前記レーザ光を照射して修正す る欠陥修正部と、
を具備する こ と を特徴とする欠陥修正装置。
1 2 . 基板上の欠陥をレーザ光の照射によ り 修正する欠 陥修正装置であって、
前記基板上の欠陥を検出する欠陥検出部と、
前記レーザ光の照射を禁止する照射禁止領域を前記基板上 に設定する照射禁止領域設定部と 、
前記欠陥検出部に検出された前記欠陥が前記照射禁止領域 に関わるか否か判別し、 該照射禁止領域に関わる と判定され た欠陥に対 して、 その照射禁止領域上方を除く 欠陥部分にレ 一ザ光照射領域を設定する修正領域設定部と 、
前記レーザ光照射領域と、 前記照射禁止領域に関わらない 欠陥と、 に対して修正順の優先度を設定する優先度設定部と、 前記優先度に従って欠陥に前記レーザ光を照射して修正す る欠陥修正部と 、
を具備する こ と を特徴とする欠陥修正装置。
1 3 . 基板上の欠陥をレーザ光の照射によ り 修正する欠 陥修正方法であって、
前記基板上の欠陥を検出 し、 検出された前記欠陥に対して、 修正順の優先度と修正箇所数を設定し、 さ らに、 前記優先度 に従つて欠陥に前記レーザ光を照射して修正する こ と を特徴 とする欠陥修正方法。
1 4 . 基板上の欠陥を レーザ光の照射によ り 修正する欠 陥修正方法であって、
前記基板上の欠陥を検出する欠陥検出工程と、
前記レーザ光の照射を禁止する照射禁止領域を前記基板上 に設定する照射禁止領域設定工程と、
前記欠陥検出工程で出された前記欠陥が前記照射禁止領域 に関わるか否か判別する照射禁止領域判別工程と、
前記照射禁止領域判別工程で前記照射禁止領域に関わる と 判定された欠陥を除く 複数の欠陥に対して、 修正順の優先度 を設定し、 修正箇所数を設定する優先度設定工程と、
前記優先度に従って欠陥に前記レーザ光を照射して修正す る欠陥修正工程と、
を具備する こ と を特徴とする欠陥修正方法。
1 5 . 基板上の欠陥をレーザ光の照射によ り 修正する欠 陥修正装置であって、
前記基板上の欠陥を検出する欠陥検出工程と、
前記レーザ光の照射を禁止する照射禁止領域を前記基板上 に設定する照射禁止領域設定工程と、
前記欠陥検出工程で出された前記欠陥が前記照射禁止領域 に関わるか否か判別する照射禁止領域判別工程と、
前記照射禁止領域判別工程で前記照射禁止領域に関わる と 判定された欠 1¾1に対して、 該照射禁止領域上方を除く 欠陥部 分に レーザ光照射領域を設定する修正領域設定工程と、
前記レーザ光照射領域と、 前記照射禁止領域に関わらない 欠陥と、 に対して修正順の優先度を設定し、 修正箇所数を設 定する優先度設定工程と、
前記優先度に従って欠陥に前記レーザ光を照射して修正す る欠陥修正工程と、
を具備する こ と を特徴とする欠陥修正方法。
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