WO2004051750A1 - Diodenmatrix zur ansteuerung von displays mit organischen dioden und herstellungsverfahren dazu - Google Patents

Diodenmatrix zur ansteuerung von displays mit organischen dioden und herstellungsverfahren dazu Download PDF

Info

Publication number
WO2004051750A1
WO2004051750A1 PCT/EP2003/013094 EP0313094W WO2004051750A1 WO 2004051750 A1 WO2004051750 A1 WO 2004051750A1 EP 0313094 W EP0313094 W EP 0313094W WO 2004051750 A1 WO2004051750 A1 WO 2004051750A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
diode matrix
diode
organic
matrix
diodes
Prior art date
Application number
PCT/EP2003/013094
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Christoph Brabec
Original Assignee
Siemens Aktiengesellschaft
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Aktiengesellschaft filed Critical Siemens Aktiengesellschaft
Priority to JP2004556163A priority Critical patent/JP2006509226A/ja
Priority to US10/536,279 priority patent/US20060145597A1/en
Priority to AU2003298135A priority patent/AU2003298135A1/en
Priority to EP03795836A priority patent/EP1565941A1/de
Publication of WO2004051750A1 publication Critical patent/WO2004051750A1/de

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1365Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/20Organic diodes
    • H10K10/26Diodes comprising organic-organic junctions

Definitions

  • Diode matrix for controlling displays with organic diodes and manufacturing processes for this
  • the invention relates to a diode matrix for controlling displays and a production method therefor, the diode matrix comprising at least one (partially) organic diode and at least partially being able to be produced using printing technology.
  • the insulation material which usually consists of tantalum oxide (Ta 2 0 5 ). This makes this technology very expensive and it is difficult to implement it on a flexible film.
  • the object of the present invention is to create a diode or a diode matrix which shows a symmetrical characteristic curve for driving displays and which consists at least in essential functional layers of predominantly organic material.
  • the subject matter of the invention is a diode matrix with a symmetrical characteristic which, although implemented using MIM technology, has an organic material in its core, as a semiconducting material.
  • the invention also relates to a diode matrix which can be produced at least partially by printing technology.
  • the invention relates to a method for producing a diode matrix, in which at least one functional layer of a diode is applied to a substrate or a lower layer in terms of printing technology.
  • an organic semiconductor is introduced in the middle between two conductive functional layers, be it metals or organic conductors.
  • the resulting diode like the diodes manufactured using MIM technology, shows a symmetrical characteristic.
  • an organic semiconducting material can also be used as an intermediate layer in the context of MIM technology in a matrix of diodes, each of which has a symmetrical characteristic.
  • an organic material is used here for the first time (it is important that this material can be separated from the solution) as a semiconductor material, which makes completely new applications of technology possible because of an improved economic efficiency further spreading the technology paves the way.
  • the invention enables simple and inexpensive activation for matrix displays, in particular for OLED displays.
  • the invention proposes to implement a diode array using organic diodes, in particular using printed organic diodes, which provide a switch matrix for controlling the display.
  • organic diode * here encompasses all types of fully organic, partially organic and other diodes which have at least one functional layer made of organic material.
  • organic material and / or “functional polymer” here encompasses all types of organic, organometallic and / or inorganic plastics, which are referred to in English as "plastics *". These are all types of substances with the exception of Semiconductors that form the classic diodes (germanium, silicon) and the typical metallic conductor, so there is no restriction in the dogmatic sense to organic material as carbon-containing material, but rather the broad use of, for example, silicones. Furthermore, the term should not be subject to any restriction with regard to the molecular size, in particular to polymeric and / or oligomeric materials, but the use of “small molecules” is also entirely possible.
  • Nanoparticulate semiconductors are also to be recorded (such as ZnO, Ti02, CdSe, CIS nanoparticles), which can be processed from the solution.
  • the method for producing the diode matrix is preferably in terms of printing technology, with at least one functional layer being applied in terms of printing technology to a substrate or a lower layer.
  • the MIM unit is preferably applied using printing technology, and particularly preferably the entire diode matrix is produced using printing technology.
  • the invention for the first time presents a matrix of diodes, each of which comprises a symmetrical characteristic curve and an intermediate layer made of a semiconducting organic material arranged between two conductive layers.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Diodenmatrix zur Ansteuerung von Displays sowie ein Herstellungsverfahren dazu, wobei die Diodenmatrix zumindest eine (teil-)organische Diode umfasst und zumindest zum Teil drucktechnisch herstellbar ist.

Description

Beschreibung
Diodenmatrix zur Ansteuerung von Displays mit organischen Dioden und Herstellungsverfahren dazu
Die Erfindung betrifft eine Diodenmatrix zur Ansteuerung von Displays sowie ein Herstellungsverfahren dazu, wobei die Diodenmatrix zumindest eine (teil-) organische Diode umfasst und zumindest zum Teil drucktechnisch herstellbar ist.
Die Zukunft der Fernsehtechnik baut im wesentlichen auf flachen Bildschirmsystemen mit großen Diagonalen auf. Heute gibt es nur für kleine Bildschirmgrößen flache Farbbildschirme. Die Ansteuerung der Displays erfolgt herkömmlicherweise mit Dioden oder Dünnschichttransistoren. Im Laufe der Entwicklungsarbeiten haben sich heute zwei grundsätzliche Ansteue- rungsmethoden herauskristallisiert: Die Ansteuerung über Transistoren (TFTs) Thinfilm Transistors oder die Diodenan- steuerung (Diodenring oder MIM: Metall Insulation (or intrin- sie) Metall genannt. Mit der Diodenmatrix reduziert sich die Zahl der Anschlüsse, das Herstellungsverfahren ist einfacher, deshalb wird ihr der Vorzug für flexible, großflächige Anwendungen gegeben.
Nachteilig an der bekannten MIM-Technik (vgl. Funkschau
20/1990) ist das Insulationsmaterial, das in der Regel aus Tantaloxid (Ta205) besteht. Damit ist diese Technologie sehr kostspielig und es ist schwierig, die Umsetzung auf eine flexible Folie zu realisieren.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Diode oder eine Diodenmatrix zu schaffen, die zur Ansteuerung von Displays eine symmetrische Kennlinie zeigt und die zumindest in wesentlichen Funktionsschichten aus vorwiegend organischem Material besteht. Gegenstand der Erfindung ist eine Diodenmatrix mit symmetrischer Kennlinie, die zwar die MIM Technologie realisiert aber im Kernstück, als halbleitendes Material, ein organisches Material aufweist. Ebenso ist Gegenstand der Erfindung eine Diodenmatrix, die zumindest teilweise drucktechnisch herstellbar ist. Schließlich ist Gegenstand der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Diodenmatrix, bei dem drucktechnisch zumindest eine Funktionsschicht einer Diode auf ein Substrat oder eine untere Schicht aufgebracht werden.
Nach einer Ausführungsform wird ein organischer Halbleiter in die Mitte zwischen zwei leitende Funktionsschichten, seien es Metalle oder organische Leiter, eingebracht. Die resultierende Diode zeigt, ebenso wie die nach der MIM-Technologie ge- fertigten Dioden, eine symmetrische Kennlinie.
Überraschender Weise hat es sich gezeigt, dass auch ein organisches halbleitendes Material als Zwischenschicht im Rahmen der MIM Technologie in einer Matrix aus Dioden, die jeweils eine symmetrische Kennlinie haben, einsetzbar ist. Im Unterschied zu den bekannten Dioden mit symmetrischer Kennlinie wird hier erstmals ein organisches Material (wichtig ist hierbei, dass dieses Material aus der Lösung abgeschieden werden kann) als Halbleitermaterial eingesetzt, wodurch völ- lig neue Anwendungen der Technik möglich werden, weil eine verbesserte Wirtschaftlichkeit einer weiteren Verbreitung der Technik die Bahn ebnet.
Bislang unbekannt und weithin undenkbar war die Möglichkeit eine komplette Diodenmatrix aus organischem Material herzustellen, dies ist erst durch den Einsatz eines organischen Halbleitermaterials möglich geworden.
Die Erfindung ermöglicht eine einfache und kostengünstige An- Steuerung für Matrix Displays, insbesondere für OLED Displays. Die Erfindung schlägt vor, einen Dioden Array mittels organischer Dioden zu realisieren, insbesondere mittels ge- druckter organischer Dioden, die eine Schaltermatrix zur Ansteuerung des Displays zur Verfügung stellen.
Der Begriff „organische Diode* umfasst hier alle Arten von vollorganischen, teilorganischen und sonstigen Dioden, die zumindest über eine Funktionsschicht aus organischem Material verfügen.
Der Begriff „organisches Material" und/oder „Funktionspoly- er' umfasst hier alle Arten von organischen, metallorganischen und/oder anorganischen Kunststoffen, die im Englischen z.B. mit „plastics* bezeichnet werden. Es handelt sich um alle Arten von Stoffen mit Ausnahme der Halbleiter, die die klassischen Dioden bilden (Germanium, Silizium) , und der ty- pischen metallischen Leiter. Eine Beschränkung im dogmatischen Sinn auf organisches Material als Kohlenstoff enthaltendes Material ist demnach nicht vorgesehen, vielmehr ist auch an den breiten Einsatz von z.B. Siliconen gedacht. Weiterhin soll der Term keiner Beschränkung im Hinblick auf die Molekülgröße, insbesondere auf polymere und/oder oligomere Materialien unterliegen, sondern es ist durchaus auch der Einsatz von „small molecules* möglich.
Ebenfalls sollen nanopartikuläre Halbleiter erfasst werden (wie. Z. Bsp. ZnO, Ti02, CdSe, CIS Nanoteilchen) , die aus der Lösung verarbeitet werden können.
Das Verfahren zur Herstellung der Diodenmatrix ist bevorzugt drucktechnisch, wobei auf ein Substrat oder eine untere Schicht zumindest eine Funktionsschicht drucktechnisch aufge- bracht wird. Bevorzugt wird die MIM-Einheit drucktechnisch aufgebracht und insbesondere bevorzugt wird die gesamte Diodenmatrix drucktechnisch hergestellt.
Durch die Erfindung wird erstmals eine Matrix aus Dioden vor- gestellt, die jeweils eine symmetrische Kennlinie und eine zwischen zwei leitenden Schichten angeordnete Zwischenschicht aus einem halbleitendem organischen Material umfassen. Durch die Verwendung vorwiegend organischer Materialien werden die Herstellungskosten so drastisch gesenkt, dass völlig neue Applikationen der Diodenmatrix in weit größerem Maßstab als bisher praktiziert, möglich sind.

Claims

Patentansprüche
1. Matrix aus Dioden, die jeweils eine symmetrische Kennlinie gemäß der MIM („Metall Insulator Metall*) Technologie und ei- ne zwischen zwei leitende Schichten angeordnete Zwischenschicht aus einem halbleitenden organischen Material umfassen.
2. Diodenmatrix nach Anspruch 1, die zumindest zum Teil drucktechnisch herstellbar ist.
3. Diodenmatrix nach einem der vorstehenden Ansprüche, die vollständig drucktechnisch herstellbar ist.
4. Verfahren zur Herstellung einer Diodenmatrix, bei dem drucktechnisch zumindest eine Funktionsschicht der jeweiligen Diode auf ein Substrat oder eine untere Schicht aufgebracht wird.
PCT/EP2003/013094 2002-11-29 2003-11-21 Diodenmatrix zur ansteuerung von displays mit organischen dioden und herstellungsverfahren dazu WO2004051750A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004556163A JP2006509226A (ja) 2002-11-29 2003-11-21 有機ダイオードを有するディスプレイの制御用のダイオードマトリックス、並びに、その製造方法
US10/536,279 US20060145597A1 (en) 2002-11-29 2003-11-21 Diode matrix for controlling displays with organic diodes and production method therefor
AU2003298135A AU2003298135A1 (en) 2002-11-29 2003-11-21 Diode matrix for controlling displays with organic diodes and production method therefor
EP03795836A EP1565941A1 (de) 2002-11-29 2003-11-21 Diodenmatrix zur ansteuerung von displays mit organischen dioden und herstellungsverfahren dazu

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10255962 2002-11-29
DE10255962.7 2002-11-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004051750A1 true WO2004051750A1 (de) 2004-06-17

Family

ID=32403674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2003/013094 WO2004051750A1 (de) 2002-11-29 2003-11-21 Diodenmatrix zur ansteuerung von displays mit organischen dioden und herstellungsverfahren dazu

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20060145597A1 (de)
EP (1) EP1565941A1 (de)
JP (1) JP2006509226A (de)
KR (1) KR20050085159A (de)
CN (1) CN1717803A (de)
AU (1) AU2003298135A1 (de)
WO (1) WO2004051750A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007096456A1 (en) 2006-02-27 2007-08-30 Upm-Kymmene Corporation Active-matrix electronic display comprising diode based matrix driving circuit
US7405775B2 (en) 2003-01-17 2008-07-29 Cbrite Inc. Display employing organic material
US7898042B2 (en) 2006-11-07 2011-03-01 Cbrite Inc. Two-terminal switching devices and their methods of fabrication
US8222077B2 (en) 2006-11-07 2012-07-17 Cbrite Inc. Metal-insulator-metal (MIM) devices and their methods of fabrication
US9741901B2 (en) 2006-11-07 2017-08-22 Cbrite Inc. Two-terminal electronic devices and their methods of fabrication

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BRPI0710313A2 (pt) * 2006-04-04 2011-08-09 6N Silicon Inc método para a purificação de silìcio

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03269995A (ja) * 1990-03-16 1991-12-02 Ricoh Co Ltd 電界発光素子の作製方法
WO2000065653A1 (en) * 1999-04-22 2000-11-02 Thin Film Electronics Asa A method in the fabrication of organic thin-film semiconducting devices
US6380922B1 (en) * 1999-04-16 2002-04-30 The Gillette Company Electronic display
US20020119584A1 (en) * 1999-07-21 2002-08-29 E Ink Corporation Preferred methods for producing electrical circuit elements used to control an electronic display
EP1251720A2 (de) * 2001-03-26 2002-10-23 Pioneer Corporation Organische Halbleiterdiode und organische Elektrolumineszente Anzeigevorrichtung

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5532550A (en) * 1993-12-30 1996-07-02 Adler; Robert Organic based led display matrix
JPH10172762A (ja) * 1996-12-11 1998-06-26 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法及び表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03269995A (ja) * 1990-03-16 1991-12-02 Ricoh Co Ltd 電界発光素子の作製方法
US6380922B1 (en) * 1999-04-16 2002-04-30 The Gillette Company Electronic display
WO2000065653A1 (en) * 1999-04-22 2000-11-02 Thin Film Electronics Asa A method in the fabrication of organic thin-film semiconducting devices
US20020119584A1 (en) * 1999-07-21 2002-08-29 E Ink Corporation Preferred methods for producing electrical circuit elements used to control an electronic display
EP1251720A2 (de) * 2001-03-26 2002-10-23 Pioneer Corporation Organische Halbleiterdiode und organische Elektrolumineszente Anzeigevorrichtung

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BIMSTOCK J ET AL: "SCREEN-PRINTED PASSIVE MATRIX DISPLAYS BASED ON LIGHT-EMITTING POLYMERS", APPLIED PHYSICS LETTERS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS. NEW YORK, US, vol. 78, no. 24, 11 June 2001 (2001-06-11), pages 3905 - 3907, XP001077323, ISSN: 0003-6951 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 016, no. 084 (E - 1172) 28 February 1992 (1992-02-28) *
See also references of EP1565941A1 *

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7405775B2 (en) 2003-01-17 2008-07-29 Cbrite Inc. Display employing organic material
US7528896B2 (en) 2003-01-17 2009-05-05 Cbrite, Inc. Display employing organic material
US8253910B2 (en) 2003-01-17 2012-08-28 Cbrite Inc. Display employing organic material
WO2007096456A1 (en) 2006-02-27 2007-08-30 Upm-Kymmene Corporation Active-matrix electronic display comprising diode based matrix driving circuit
US8395611B2 (en) 2006-02-27 2013-03-12 Smartrac Ip B.V. Active-matrix electronic display comprising diode based matrix driving circuit
US7898042B2 (en) 2006-11-07 2011-03-01 Cbrite Inc. Two-terminal switching devices and their methods of fabrication
US8193594B2 (en) 2006-11-07 2012-06-05 Cbrite Inc. Two-terminal switching devices and their methods of fabrication
US8222077B2 (en) 2006-11-07 2012-07-17 Cbrite Inc. Metal-insulator-metal (MIM) devices and their methods of fabrication
US9741901B2 (en) 2006-11-07 2017-08-22 Cbrite Inc. Two-terminal electronic devices and their methods of fabrication

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050085159A (ko) 2005-08-29
JP2006509226A (ja) 2006-03-16
US20060145597A1 (en) 2006-07-06
AU2003298135A1 (en) 2004-06-23
CN1717803A (zh) 2006-01-04
EP1565941A1 (de) 2005-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19727232C2 (de) Analoges integriertes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102015113639A1 (de) Arraysubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung sowie Berühungsanzeigetafel
CH691596A5 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Bewegen speziell zum Drehen eines Substrats.
EP1556910A2 (de) Feldeffekttransistor sowie verfahren zu seiner herstellung
WO2005038814A1 (de) Speichervorrichtung zur speicherung elektrischer ladung und verfahren zu deren herstellung
EP1563553B1 (de) Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu
DE102014108184A1 (de) Array-Substrat, Anzeigefeld und Display
DE102016118655A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen und entsprechende Vorrichtung
EP1565941A1 (de) Diodenmatrix zur ansteuerung von displays mit organischen dioden und herstellungsverfahren dazu
DE102009056319B4 (de) Regelschaltung
EP1142019B1 (de) Schaltungsanordnung mit mindestens einem nanoelektronischen bauelement und verfahren zu deren herstellung
EP1704606B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines organischen Transistors mit selbstjustierender Gate-Elektrode
DE69834200T2 (de) Dünnschicht-zweipolelemente, herstellungsverfahren und flüssigkristall-anzeigevorrichtung
DE19940317C2 (de) Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungen mit Transistoren und weiteren Halbleiterelementen
EP1656702B1 (de) Verfahren zur herstellung eines vertikalen nano-transistors
EP1658641B1 (de) Verfahren zur herstellung vertikaler nano-transistoren
DE202013003679U1 (de) Elektrolumineszenz-Anzeigeelement
DE102009023420B3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung (z.B. Doppelgate-Transistor)
DE102015100692A1 (de) Verfahren zur Erstellung einer zweidimensionalen elektronischen Struktur
WO2007065460A1 (de) Dünnfilmwiderstand mit schichtstruktur und verfahren zur herstellung eines dünnfilmwiderstands mit schichtstruktur
DE10255427B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Antifuse in einem Substrat und Antifuse-Struktur zur Integration in einem Substrat
WO2002078052A2 (de) Gerät mit zumindest zwei organischen elektronischen bauteilen und verfahren zur herstellung dazu
EP2453302B1 (de) Flüssigkristallanzeige
EP2154724A2 (de) Flexible flächige Struktur mit einer Mikrostrukturen aufweisenden Schicht, Verfahren zur Herstellung der flexiblen flächigen Struktur und deren Verwendung
DE102018114409A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Schalteinrichtung und Schalteinrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003795836

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057009486

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004556163

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20038A45230

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2003795836

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057009486

Country of ref document: KR

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2006145597

Country of ref document: US

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10536279

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10536279

Country of ref document: US