WO2004018349B1 - Microstructure a surface fonctionnalisee par depot localise d'une couche mince et procede de fabrication associe - Google Patents

Microstructure a surface fonctionnalisee par depot localise d'une couche mince et procede de fabrication associe

Info

Publication number
WO2004018349B1
WO2004018349B1 PCT/FR2003/050036 FR0350036W WO2004018349B1 WO 2004018349 B1 WO2004018349 B1 WO 2004018349B1 FR 0350036 W FR0350036 W FR 0350036W WO 2004018349 B1 WO2004018349 B1 WO 2004018349B1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
microstructure
electromechanical
zone
electro
Prior art date
Application number
PCT/FR2003/050036
Other languages
English (en)
Other versions
WO2004018349A9 (fr
WO2004018349A3 (fr
WO2004018349A2 (fr
Inventor
Christophe Bureau
Christophe Kergueris
Francois Perruchot
Original Assignee
Alchimer S A
Tronic S Microsystems
Christophe Bureau
Christophe Kergueris
Francois Perruchot
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alchimer S A, Tronic S Microsystems, Christophe Bureau, Christophe Kergueris, Francois Perruchot filed Critical Alchimer S A
Priority to JP2004530314A priority Critical patent/JP4473123B2/ja
Priority to EP03792450A priority patent/EP1551754A2/fr
Priority to CA2496320A priority patent/CA2496320C/fr
Priority to US10/524,560 priority patent/US7196385B2/en
Priority to AU2003276377A priority patent/AU2003276377A1/en
Publication of WO2004018349A2 publication Critical patent/WO2004018349A2/fr
Publication of WO2004018349A9 publication Critical patent/WO2004018349A9/fr
Publication of WO2004018349A3 publication Critical patent/WO2004018349A3/fr
Publication of WO2004018349B1 publication Critical patent/WO2004018349B1/fr

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064—Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0094—Constitution or structural means for improving or controlling physical properties not provided for in B81B3/0067 - B81B3/0091
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/32—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C43/58—Measuring, controlling or regulating
    • B29C2043/5825—Measuring, controlling or regulating dimensions or shape, e.g. size, thickness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0214—Biosensors; Chemical sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/06—Bio-MEMS
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0127—Diaphragms, i.e. structures separating two media that can control the passage from one medium to another; Membranes, i.e. diaphragms with filtering function
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/724—Devices having flexible or movable element
    • Y10S977/733—Nanodiaphragm

Abstract

Microstructure électromécanique (1) comprenant une première partie appelée partie mécanique (102) réalisée dans un premier matériau conducteur de l'électricité, et qui comprend d'une part une zone déformable de manière élastique (104) ayant une valeur d'épaisseur et une surface exposée (2), et d'autre part un premier film organique (4) ayant une épaisseur, présent sur l'ensemble de la surface exposée (2) de la dite zone déformable (104), caractérisé en ce que l'épaisseur du premier film (4) est telle que la réponse élastique de la zone déformable (104) munie du premier film (4) ne change pas de plus de 5 % par rapport à la réponse de la zone déformable nue (104) ou en ce que l'épaisseur du premier film (4) est inférieure à dix fois l'épaisseur de la zone déformable (104). Application à la fabrication de microstructures électromécaniques.

Claims

79
REVENDICATIONS MODIFIEES [reçues par le Bureau international le 28 Janvier 2005 (28.01.2005); (9 pages)]
REVENDICATIONS 1. Microstructure électromécanique (1) comprenant une première partie appelée partie mécanique (102) réalisée dans un premier matériau conducteur de l'électricité, et qui comprend d'une part une zone deformable de manière élastique (104) ayant une valeur d'épaisseur et une surface exposée (2), et d'autre part un premier film organique (4) ayant une épaisseur, présent sur l'ensemble de la surface exposée (2) de la dite zone deformable (104), caractérisé en ce que le premier film (4) est constitué d'un film organique lié de façon covalente à la surface exposée (2) de la zone deformable (104) et en ce qu'il est réalisé à partir d'une réaction électro-initiée.
2. Microstructure électromécanique 1 selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'épaisseur du premier film (4) est telle que la réponse élastique de la zone deformable (104) munie du premier film (4) ne change pas de plus de 5% par rapport à la réponse de la zone deformable nue (104) ou en ce que l'épaisseur du premier film (4) est inférieure à dix fois l'épaisseur de la zone deformable (104).
3. Microstructure électromécanique (1) selon l'une des revendications 1 ou 2 , caractérisée en ce que l'épaisseur du premier film (4) est telle que la réponse élastique de la zone deformable (104) munie du premier film (4) ne change pas de plus de 1%.
4. Microstructure électromécanique (1) suivant l'une des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que le taux de couverture de la surface exposée (2) par le premier film (4) est supérieur à 60%. 80
5. Microstructure électromécanique (1) suivant la revendication 4, caractérisée en ce que le taux de couverture de la surface exposée (2) par le premier film (4) est supérieur à 90%.
6. Microstructure électromécanique (1) suivant la revendication 3, caractérisée en ce que le premier film (4) est constitué d'une couche d'une molécule de longueur fixe.
7. Microstructure électromécanique (1) suivant l'une des revendications 1 à 6, caractérisée en ce qu' elle comporte à la surface de la partie mécanique (102), une zone annulaire (5), entourant la surface exposée (2) , ayant elle-même une surface (6) et réalisé dans un deuxième matériau conducteur de l'électricité, différent au sens de la réaction électro-initiée du premier matériau de la partie mécanique (102) , et en ce qu'un deuxième film organique (7) est présent sur la surface 6 de la dite zone annulaire (5) , ce deuxième film (7) étant un film réalisé dans une matière pouvant être déposée à partir d'une réaction chimique électroinitiée.
8. Microstructure électromécanique (1) suivant l'une des revendications 1 à 6, caractérisée en ce que le premier matériau constituant la partie mécanique (102) est un semi-conducteur dopé et en ce qu'elle comporte à la surface de la partie mécanique (102) , une zone annulaire (5) , entourant la surface exposée 2, ayant elle-même une surface (6) et réalisé dans un deuxième matériau réalisé par dopage de type opposé à celui du premier matériau et en ce qu'un deuxième film organique (7) est présent sur la surface (β) de la dite 81
zone annulaire (5), ce deuxième film (7) étant un film réalisé dans une matière pouvant être déposée à partir d'une réaction chimique électro-initiée.
9. Microstructure électromécanique (1) suivant l'une des revendications 7 à 8, caractérisée en ce que la partie mécanique (102) comporte un ou plusieurs plots de contact (8) sur une position extérieure à la zone annulaire (5) .
10. Microstructure électromécanique (1) suivant la revendication 7, caractérisée en ce que la partie mécanique (102) comporte un ou plusieurs premiers plots de contact (8) ayant une surface (9) réalisés dans un troisième matériau, différent au sens de la réaction électro-initiée des premier et deuxième matériaux, sur une position extérieure à la zone annulaire (5) et en ce qu'un troisième film organique (10) est présent à la surface (9) des premiers plots de contact (8), ce troisième film (10) étant un film réalisé dans une matière pouvant être déposée à partir d' une réaction chimique électro-initiée.
11. Microstructure électromécanique (1) suivant la revendication 8, caractérisée en ce que la partie mécanique (102) comporte un ou plusieurs premiers plots de contact (8) ayant une surface (9) réalisés dans un troisième matériau, différent au sens de la réaction électro-initiée du premier matériau, sur une position extérieure à la zone annulaire (5) et en ce que un troisième film organique (10) est présent à la surface (9) des premiers plots de contact (8), ce troisième film (10) étant un film réalisé dans une matière pouvant être 82
déposée à partir d'une réaction chimique électroinitiée .
12. Microstructure électromécanique (1) selon l'une des revendications 10 à 11, caractérisée en ce qu'elle comporte une deuxième partie (11) conductrice de l'électricité, isolée électriquement et mécaniquement solidaire de la partie mécanique (102) comportant un ou plusieurs deuxièmes plots de contact (12) ayant une surface (13) réalisés dans un matériau différent au sens de la réaction électro-initié du matériau constitutif de la deuxième partie (11) et en ce que un quatrième film organique (14) est présent à la surface (13) des deuxièmes plots de contact (12), ce quatrième film (14) étant un film réalisé dans une matière pouvant être déposée à partir d'une réaction chimique électroinitiée .
13. Microstructure électromécanique (1) selon la revendication 12, caractérisée en ce qu'elle comporte une troisième partie (15) , mécaniquement solidaire des première et deuxième parties mécanique (102) et (11), isolée électriquement de la première partie mécanique (102) , réalisée dans un matériau conducteur de l'électricité et en ce que la deuxième partie et la troisième partie sont électriquement reliées.
14. Microstructure électromécanique (1) selon la revendication (12), caractérisée en ce que la première partie (102) est constituée par une première couche de silicium, et en ce que les première et deuxième parties
(102) et (11) sont solidaires d'une même couche isolante (16) . 83
15. Microstructure électromécanique (1) selon la revendication 13, caractérisée en ce que la première partie (102) est constituée par une première couche de silicium monocristallin, et en ce que les première et deuxième parties (102) et (11) sont solidaires d'une même couche isolante (16) et en ce que la troisième partie (15) est constitué par une deuxième couche de silicium sur lequel repose la dite couche isolante (16).
16. Microstructure électromécanique (1) selon l'une des revendications 14 ou 15, caractérisée en ce que la couche isolante (16) comporte un évidement (18) situé immédiatement sous la zone deformable (104) .
17. Microstructure électromécanique (1) suivant l'une des revendications 1 à 7 ou 10, caractérisée en ce que le premier matériau constituant la partie mécanique (102) est un semi-conducteur dopé et en ce qu'un dopage de type opposé à celui du premier matériau définit un plot d'électrode (19) à la surface de la partie mécanique (102) en dehors de la surface exposée (2) .
18. Microstructure électromécanique (1) suivant l'une des revendications 1 à 17, caractérisée en ce que le premier film organique (4) est dans un matériau tel que la surface exposée (2) de la zone deformable (104) couverte de ce film (4) présente des fonctions de biocompatibilité, de non cyto-toxicité et/ou d' antiadhésion ou anti-prolifération cellulaire.
19. Microstructure électromécanique (1) suivant l'une des revendications 7 à 17, caractérisée en ce que le deuxième film (7) est une film présentant des fonctions de biocompatibilité et de non cyto-toxicité. 84
20. Capteur de pression incorporant une microstructure électromécanique (1) suivant l'une des revendications 1 à 19.
21. Plaquette (100) comportant un ensemble de microstructures 1 selon l'une des revendications 1 à 7 ou selon la revendication 10, caractérisée en ce qu'elle comporte une première électrode commune (106a) reliant électriquement toutes les parties mécaniques (102) entre elles .
22. Plaquette (100) comportant un ensemble de microstructures 1 selon la revendication 8, caractérisée en ce qu'elle comporte une première électrode commune (106b) reliant électriquement toutes les zones annulaires (5) entre elles et en ce que la polarité nécessaire pour électro-initier le premier film (4) correspond au sens passant de la diode créée par le dopage dans le sens zone annulaire (5) vers zone deformable (104) de la partie mécanique (102) .
23. Plaquette (100) comportant un ensemble de microstructures (1) selon la revendication 8 ou la revendication 11, caractérisée en ce que qu'elle comporte une première électrode commune (106a) reliant électriquement toutes les parties mécaniques (102) entre elles et en ce que la polarité nécessaire pour électro- initier le deuxième film (7) correspond au sens passant de la diode créée par le dopage dans le sens de la zone deformable (104) vers la zone annulaire (5) de la partie mécanique (102) .
24. Plaquette (100) comportant un ensemble de microstructures 1 selon la revendication 11, caractérisée en ce qu'elle comporte une première 85
électrode commune (106b) reliant électriquement toutes les zones annulaires (5) entre elles et en ce que la polarité nécessaire pour électro-initier les premier et troisième films (4) et (10) est identique et correspond au sens passant de la diode créée par le dopage sens zone annulaire (5) vers la zone deformable (104) de la partie mécanique (102) .
25. Plaquette (100) comportant un ensemble de microstructures 1 selon l'une des revendications 12 à 13 caractérisée en ce qu'elle comporte une première électrode commune (106a) reliant électriquement toutes les parties mécaniques (102) entre elles. et une deuxième électrode commune (106c) réalisée en surface de la plaquette (100) reliant électriquement toutes les deuxièmes parties (11) .
26. Plaquette (100) comportant un ensemble de microstructures (1) selon la revendication 17, caractérisée en ce qu'elle comporte une première électrode commune (106d) reliant électriquement toutes les plots d'électrodes (19) et en ce que la polarité nécessaire pour électro-initier les films organiques (4), (7), (10) correspond au sens passant de la diode créée par le dopage dans le sens du plot d'électrode (19) vers la partie mécanique (102) .
27. Microsystème (200) caractérisé en ce qu'il comporte une microstructure électromécanique (1) selon l'une des revendications 1 à 6, assemblée électriquement face avant retournée sur un support d' interconnexion (402) comprenant une ouverture débouchante (405) en regard de la partie deformable (104) de la microstructure (1) .
28. Microsystème (200) caractérisé en ce qu'il comporte une microstructure électromécanique (1) selon l'une des revendications 7 à 9, assemblée électriquement face avant retournée sur un support d'interconnexion (402) comprenant une ouverture débouchante (405) en regard de la zone deformable (104) de la microstructure (1), le film (7) de la zone annulaire (5) de la microstructure (1) étant dans une matière isolante thermofusible et venant en contact avec un substrat 900 du support (402) pour réaliser un joint d'étanchéité 1008 autour de la zone deformable (104) de la microstructure (1) .
29. Microsystème (200) caractérisé en ce qu'il comporte une microstructure électromécanique (1) selon l'une des revendications 10 à 13, assemblée électriquement face avant retournée sur un support d'interconnexion (402) comprenant une ouverture débouchante 405 en regard de la zone deformable (104) de la microstructure (1), le film (7) de la zone annulaire (5) de la microstructure (1) étant dans une matière isolante thermofusible et venant en contact avec un substrat (900) du support (402) pour réaliser un joint d'étanchéité 7 autour de la zone deformable (104) de la microstructure (1), le film (10) ou (14) des plots de contact (8) ou (12) de la microstructure (1) étant dans une matière conductrice thermofusible et venant en contact de plots (908) du support (402) pour réaliser une connexion mécanique et électrique (10), (14) entre la microstructure (1) et le support (402).
30. Microsystème (200) selon la revendication 29 caractérisé en ce que des plots de contact (908) du 87
support (402) comporte un film réalisé dans une matière thermofusible conductrice obtenue à partir d'une réaction électro-initié, ces plots recouverts venant en contact des films (10), (14) des plots de contact (8), (12) de la microstructure (1) pour assurer une connexion électrique et mécanique entre le support (402) et la microstructure (1) par thermosoudage.
31. Microsystème (200) selon l'une des revendications 28 à 30 caractérisé en ce qu'un substrat (900) du support (402) comporte un film réalisé dans une matière thermofusible isolante obtenue à partir d'une réaction électro-initié, une partie du substrat (900) recouvert venant en contact du film (7) de la zone annulaire (5) de la microstructure (1) pour former un joint d'étanchéité (1008) autour de la zone deformable (104) de la microstructure (1) par thermosoudage.
32. Microsystème (200) selon l'une des revendications 27 à 31 caractérisé en ce que le support (402) est réalisé à partir d'une plaquette en silicium, et en ce qu'il comporte un antenne de couplage (902) connectée à un composant électronique dédié (400) lui- même assemblé sur le support (402) .
PCT/FR2003/050036 2002-08-26 2003-08-25 Microstructure a surface fonctionnalisee par depot localise d'une couche mince et procede de fabrication associe WO2004018349A2 (fr)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004530314A JP4473123B2 (ja) 2002-08-26 2003-08-25 薄層の局所的な堆積によって機能化された表面を備えた微細構造及びその製造方法
EP03792450A EP1551754A2 (fr) 2002-08-26 2003-08-25 MICROSTRUCTURE A SURFACE FONCTIONNALISEE PAR DEPOT LOCALISE D'UNE COUCHE MINCE ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
CA2496320A CA2496320C (fr) 2002-08-26 2003-08-25 Microstructure a surface fonctionnalisee par depot localise d'une couche mince et procede de fabrication associe
US10/524,560 US7196385B2 (en) 2002-08-26 2003-08-25 Microstructure comprising a surface which is functionalized through the localized deposit of a thin layer and production method thereof
AU2003276377A AU2003276377A1 (en) 2002-08-26 2003-08-25 Microstructure comprising a surface which is functionalised through the localised deposit of a thin layer and production method thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0210571A FR2843742B1 (fr) 2002-08-26 2002-08-26 Microstructure a surface fonctionnalisee par depot localise d'une couche mince et procede de fabrication associe
FR02/10571 2002-08-26

Publications (4)

Publication Number Publication Date
WO2004018349A2 WO2004018349A2 (fr) 2004-03-04
WO2004018349A9 WO2004018349A9 (fr) 2004-06-03
WO2004018349A3 WO2004018349A3 (fr) 2005-01-20
WO2004018349B1 true WO2004018349B1 (fr) 2005-03-24

Family

ID=31198306

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR2003/050036 WO2004018349A2 (fr) 2002-08-26 2003-08-25 Microstructure a surface fonctionnalisee par depot localise d'une couche mince et procede de fabrication associe

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7196385B2 (fr)
EP (1) EP1551754A2 (fr)
JP (1) JP4473123B2 (fr)
AU (1) AU2003276377A1 (fr)
CA (1) CA2496320C (fr)
FR (1) FR2843742B1 (fr)
WO (1) WO2004018349A2 (fr)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4878552B2 (ja) * 2004-04-20 2012-02-15 独立行政法人理化学研究所 素子、これを用いた薄膜トランジスタおよびセンサ、ならびに素子の製造方法
US7311009B2 (en) * 2004-11-17 2007-12-25 Lawrence Livermore National Security, Llc Microelectromechanical systems contact stress sensor
US8109149B2 (en) 2004-11-17 2012-02-07 Lawrence Livermore National Security, Llc Contact stress sensor
US7820026B2 (en) * 2005-04-13 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Method to deposit organic grafted film on barrier layer
US20070170528A1 (en) 2006-01-20 2007-07-26 Aaron Partridge Wafer encapsulated microelectromechanical structure and method of manufacturing same
EP1984462B1 (fr) * 2006-02-10 2012-07-04 Université de Liège Procédé d'électrogreffage pour former et réguler un revêtement de polymère nanostructuré à forte adhérence
US7658119B2 (en) 2006-03-28 2010-02-09 University Of Southern California Biomimetic tactile sensor
US8181540B2 (en) * 2006-03-28 2012-05-22 University Of Southern California Measurement of sliding friction-induced vibrations for biomimetic tactile sensing
TWI384095B (zh) * 2007-01-29 2013-02-01 Applied Materials Inc 晶圓電化學處理設備及其方法
US7842173B2 (en) * 2007-01-29 2010-11-30 Semitool, Inc. Apparatus and methods for electrochemical processing of microfeature wafers
US8272278B2 (en) 2007-03-28 2012-09-25 University Of Southern California Enhancements to improve the function of a biomimetic tactile sensor
US8647535B2 (en) 2011-01-07 2014-02-11 International Business Machines Corporation Conductive metal and diffusion barrier seed compositions, and methods of use in semiconductor and interlevel dielectric substrates
US10192850B1 (en) 2016-09-19 2019-01-29 Sitime Corporation Bonding process with inhibited oxide formation
US11276822B2 (en) * 2017-06-02 2022-03-15 Simon Fraser University Method of patterned deposition employing pressurized fluids and thermal gradients
CN114042339A (zh) * 2021-12-03 2022-02-15 南京航空航天大学 一种微米镍颗粒负载的油水分离网膜及其制备方法和应用

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8502543A (nl) * 1985-09-17 1987-04-16 Sentron V O F Langwerpig drukgevoelig element, vervaardigd uit halfgeleidermateriaal.
JPS62240025A (ja) * 1986-04-10 1987-10-20 住友電気工業株式会社 カテ−テル型センサ
US5067491A (en) * 1989-12-08 1991-11-26 Becton, Dickinson And Company Barrier coating on blood contacting devices
BE1008086A3 (fr) * 1994-01-20 1996-01-16 Cockerill Rech & Dev Procede de depot par electropolymerisation d'un film organique sur une surface conductrice de l'electricite.
US5512374A (en) * 1994-05-09 1996-04-30 Texas Instruments Incorporated PFPE coatings for micro-mechanical devices
JP3663938B2 (ja) 1997-10-24 2005-06-22 セイコーエプソン株式会社 フリップチップ実装方法
FR2771551B1 (fr) 1997-11-21 2000-01-28 Ela Medical Sa Composant microelectromecanique, tel que microcapteur ou microactionneur, reportable sur un substrat de circuit hybride
US6331163B1 (en) * 1998-01-08 2001-12-18 Microsense Cardiovascular Systems (1196) Ltd. Protective coating for bodily sensor
FR2791471B1 (fr) 1999-03-22 2002-01-25 Gemplus Card Int Procede de fabrication de puces de circuits integres

Also Published As

Publication number Publication date
AU2003276377A8 (en) 2004-03-11
EP1551754A2 (fr) 2005-07-13
FR2843742A1 (fr) 2004-02-27
FR2843742B1 (fr) 2005-10-14
WO2004018349A9 (fr) 2004-06-03
CA2496320C (fr) 2012-10-30
CA2496320A1 (fr) 2004-03-04
JP4473123B2 (ja) 2010-06-02
WO2004018349A3 (fr) 2005-01-20
WO2004018349A2 (fr) 2004-03-04
US7196385B2 (en) 2007-03-27
AU2003276377A1 (en) 2004-03-11
US20050253206A1 (en) 2005-11-17
JP2005536365A (ja) 2005-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2004018349B1 (fr) Microstructure a surface fonctionnalisee par depot localise d'une couche mince et procede de fabrication associe
CN100444341C (zh) 具有柔性电互连和柔性密封件的装置
EP2054929B1 (fr) Procede de fabrication collective de modules electroniques 3d
US7538401B2 (en) Transducer for use in harsh environments
EP1093159A1 (fr) Procédé d'encapsulation de composants électroniques
EP0642699A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs comportant au moins une puce, et dispositif correspondant
EP0823407A3 (fr) Substrat verrier muni d'une couche réfléchissante
EP1090419A1 (fr) Dispositif et procede de formation d'un dispositif presentant une cavite a atmosphere controlee
EP1487012A3 (fr) Procédé de réalisation de structure hétérogène et structure obtenue par un tel procédé
EP0647357A1 (fr) Procede d'encapsulation de pastilles semi-conductrices, dispositif obtenu par ce procede et application a l'interconnexion de pastilles en trois dimensions
EP0803729B1 (fr) Dispositif comprenant deux substrats micro-usinés destinés à former un microsystème ou une partie d'un microsystème et procédé d'assemblage de deux substrats micro-usinés
FR2532420A1 (fr) Procede de fabrication d'une sonde de mesure
FR2606213A1 (fr) Nouveau materiau composite de preference flexible, dispositif de mesure formant un fluxmetre et un capteur de temperature combines comprenant un tel materiau composite et procede de preparation d'un tel materiau
FR2528657A1 (fr) Ensemble electrique comprenant un motif de conducteurs lie a un substrat non metallique et procede de fabrication de cet ensemble
EP0321326B1 (fr) Procédé de mise en place sur un support, d'un composant électronique, muni de ses contacts
FR2580111A1 (fr)
FR2868591A1 (fr) Microcommutateur a faible tension d'actionnement et faible consommation
EP1144680A2 (fr) Boitier de logement d'une puce electronique a sondes biologiques
FR2747841A1 (fr) Procede de fabrication d'elements semi-conducteurs presentant des structures micromecaniques
FR2738705A1 (fr) Dispositif capteur electromecanique et procede de fabrication d'un tel dispositif
KR950015602A (ko) 반도체 장치의 제조방법
FR2683397A1 (fr) Douille electrique pour interconnecter des circuits sur une puce et des circuits sur un substrat.
FR2856841A1 (fr) Procede de realisation d'une structure empilee par transfert de couche mince.
WO2001050415A2 (fr) Element de carte a circuit integre monte en flip-chip
FR2766962A1 (fr) Microinterrupteur thermique compatible avec un circuit integre

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NI NO NZ OM PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
COP Corrected version of pamphlet

Free format text: PAGES 1-69, DESCRIPTION, REPLACED BY NEW PAGES 1-69; PAGES 70-78, CLAIMS, REPLACED BY NEW PAGES 70-78; DUE TO LATE TRANSMITTAL BY THE RECEIVING OFFICE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003792450

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10524560

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2496320

Country of ref document: CA

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004530314

Country of ref document: JP

B Later publication of amended claims

Effective date: 20050128

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2003792450

Country of ref document: EP