WO2002103900A1 - Thin-film piezoelectric resonator - Google Patents

Thin-film piezoelectric resonator Download PDF

Info

Publication number
WO2002103900A1
WO2002103900A1 PCT/JP2002/004907 JP0204907W WO02103900A1 WO 2002103900 A1 WO2002103900 A1 WO 2002103900A1 JP 0204907 W JP0204907 W JP 0204907W WO 02103900 A1 WO02103900 A1 WO 02103900A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
piezoelectric
thickness
thin
piezoelectric resonator
Prior art date
Application number
PCT/JP2002/004907
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Kosuke Nishimura
Keigo Nagao
Chisen Hashimoto
Original Assignee
Ube Electronics, Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Electronics, Ltd. filed Critical Ube Electronics, Ltd.
Publication of WO2002103900A1 publication Critical patent/WO2002103900A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/174—Membranes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
    • H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H03H2003/0414—Resonance frequency
    • H03H2003/0421—Modification of the thickness of an element
    • H03H2003/0435—Modification of the thickness of an element of a piezoelectric layer

Definitions

  • the present invention relates to a thin-film piezoelectric resonator that uses an acoustic resonance mode that propagates in the thickness direction, and more particularly to a thin-film piezoelectric resonator that aims to reduce the acoustic mode that propagates in the lateral direction.
  • the central part By supporting the outer periphery of this piezoelectric laminated structure, the central part is placed in air, and an electric field is created between two opposing metal electrode layers by applying a voltage, so that the thin film piezoelectric material layer converts electric energy into acoustic waves. Converts into mechanical energy of shape. The sound wave propagates in the same vertical direction as the electric field and is reflected at the interface between the electrode and air.
  • This type of device is a mechanical resonator that can be electrically coupled, and thus acts as a filter.
  • the mechanical resonance frequency for a given phase velocity of a sound traveling through the piezoelectric laminated structure is such that the half-wavelength of the sound wave transmitted vertically (ie, in the thickness direction) through the piezoelectric laminated structure is equal to the entire thickness of the piezoelectric laminated structure. Frequency. Since the speed of sound is four orders of magnitude slower than the speed of light, the size of the resonator can be significantly reduced. For example, resonators used in GHz applications can be made 100 microns in diameter and several microns in thickness. You.
  • Such a mode is called a transverse mode, and its resonance frequency is determined by the acoustic velocity of the -transverse resonance mode of the piezoelectric layer and by the lateral dimension of the metal electrode layer.
  • these high harmonics of the transverse mode appear in the frequency band of the fundamental longitudinal mode, in which case interference with the desired longitudinal mode resonance occurs, resulting in deterioration of the passband characteristic. Become.
  • a viscoelastic acoustic damping material such as polyimide is additionally used around the electrodes to suppress the transverse resonance mode. Therefore, this method complicates the structure of the thin film piezoelectric resonator.
  • the sides of the electrodes are formed of straight lines that are not parallel to each other. Therefore, in this method, the electrode area is further reduced as the external dimensions of the resonator are reduced, and the required longitudinal mode strength is also reduced.
  • a thin-film piezoelectric resonator comprising a vibrating portion including a part of a piezoelectric laminated structure including a piezoelectric film and electrode layers formed on both surfaces thereof, wherein the piezoelectric laminated structure extends along a surface thereof.
  • Lateral resonance suppressing means for suppressing the horizontal resonance wherein the lateral resonance suppressing means comprises an edge portion of the piezoelectric film and Z or Is a thin-film piezoelectric resonator, which suppresses the resonance in the lateral direction based on a fine shape formed on an edge portion of the electrode layer for attenuating a transversely propagating acoustic mode
  • At least one of the fine shapes of the lateral resonance suppressing means has at least a part of an edge portion of the piezoelectric film to a film thickness smaller than a central portion of the piezoelectric film. It is formed by doing.
  • a small-thickness portion formed at least at a part of an edge portion of the piezoelectric film with a thickness smaller than a central portion of the piezoelectric film is formed at an edge of the piezoelectric film. The film thickness gradually decreases outward.
  • the small film thickness portion formed at least at a part of the edge portion of the piezoelectric film to have a smaller film thickness than the center portion of the piezoelectric film has a constant film thickness. In-there. In one embodiment of the present invention, the small thickness portion has a width of 0.5 to 4 times the thickness of the central portion of the piezoelectric film.
  • At least one of the fine shapes of the lateral resonance suppressing means is formed by forming a planar shape of at least a part of an edge of the electrode layer into a wave shape. is there.
  • the pitch of the wave shape is 3 to 3 ° times the thickness of the central portion of the piezoelectric film.
  • the amplitude of the wave shape is 1 to 1 ° times the thickness of the central portion of the piezoelectric film.
  • the function is based on the provision of a fine shape such as making the thickness of the edge portion of the piezoelectric layer thinner than the center portion and making the planar shape of the edge of the Z or electrode layer corrugated.
  • the transverse resonance suppression means reduces the reflection of sound waves at the end face of the piezoelectric layer, and the reflection of sound waves at the edge of the electrode layer.
  • the lateral acoustic mode that is suppressed and returns to the vibrating part can be sufficiently attenuated.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an embodiment of a thin-film piezoelectric resonator according to the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG.
  • 3A and 3B are graphs showing impedance frequency characteristics of the thin film piezoelectric resonator.
  • FIGS. 4A and 4B are graphs showing the filter pass band characteristics of the thin-film piezoelectric resonator.
  • FIG. 5 is a schematic sectional view showing an embodiment of the thin-film piezoelectric resonator according to the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic sectional view showing an embodiment of the thin-film piezoelectric resonator according to the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic plan view showing an embodiment of the thin-film piezoelectric resonator according to the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic plan view showing an embodiment of the thin-film piezoelectric resonator according to the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing the waveform of the outer peripheral edge of the electrode layer.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing the waveform of the outer peripheral edge of the electrode layer.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an embodiment of a thin-film piezoelectric resonator according to the present invention
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG.
  • the thin-film piezoelectric resonator 10 includes a substrate 16 having a through hole 14 • that penetrates vertically between an upper surface and a lower surface to form an air gap (cavity);
  • the piezoelectric stack 22 includes a piezoelectric layer 12 and electrode layers 18 and 20 joined to both upper and lower surfaces thereof.
  • Terminals 26 and 28 are attached to the electrode layers 18 and 20, respectively, and a power supply is connected to the terminals 26 and 28.
  • the piezoelectric layer 12 expands and contracts in the direction indicated by the arrow 24 in response to the voltage applied between the electrode terminals 26 and 28.
  • the resonance region (vibration part) of the thin-film piezoelectric resonator is formed corresponding to the overlapping region of the electrode layers 18 and 20.
  • the piezoelectric layer 12 includes, for example, a piezoelectric material that can be manufactured as a thin film such as zinc oxide (ZnO) / aluminum nitride '(A1N).
  • the piezoelectric layer 12 can be formed by sputtering or other various methods.
  • the electrode layers 18 and 20 may be made of, for example, gold (Au), molybdenum (Mo), or aluminum (A 1).
  • the electrode layers 18, 20 can be formed by sputtering, vapor deposition, or other various methods.
  • Substrate 1 6, For example, made of silicon (S i), S i 0 2, GaAs, or wood charge, such as glass.
  • the through holes 14 in the substrate 16 can be formed by etching or other various methods.
  • a piezoelectric resonator stack 22 composed of a laminate of the piezoelectric layer 12 and the electrode layers 18 and 20 is suspended at the periphery thereof, and both of its main surfaces are in contact with air or other ambient gas or vacuum. I have.
  • the piezoelectric resonator stack 22 forms a high Q longitudinal mode acoustic wave resonator.
  • the resonance frequency of the piezoelectric resonator stack 22 is not the physical thickness, but the piezoelectric layer 12 or the electrode layer 18, It is determined by the weighted thickness taking into account the speed of sound within 20 and their physical thickness.
  • a portion (small film thickness portion) 12 A having a smaller film thickness than the central portion of the piezoelectric material layer 12 is provided at an edge portion of the piezoelectric material layer 12.
  • the small film thickness portion 1 • 2 A gradually increases in thickness from the outermost peripheral edge to the inside, and has an upwardly convex curved surface shape.
  • the small-thickness sound 12A is formed over the entire length on all four sides of the substantially rectangular piezoelectric layer 12 and has a width of W.
  • the curved surface shape of the small film thickness portion 12A can be easily obtained by, for example, dry etching using an appropriate resist mask.
  • the small film thickness section 12 A It may be formed in a part of the entire edge of the body layer 12.
  • the desirable fundamental longitudinal acoustic mode is in the direction of the electric field applied between the two electrodes 18 and 20 (that is, in the vertical direction). Propagated and reflected at the electrode-air interface.
  • the in-plane component coupling of the piezoelectric material constant causes a mechanical strain in the horizontal direction (that is, in the front-rear and left-right directions), which propagates laterally in the piezoelectric layer 12. Excites sound waves.
  • This sound wave reaches the edge of the piezoelectric layer 12, but a small thickness portion 12 A is formed at the edge, so that the small thickness portion 12 A does not exist.
  • the reflection at the end face generated at the time is significantly reduced, and the standing wave based on the reflection in the transverse acoustic mode is hardly generated.
  • good passband characteristics can be obtained with less interference with the desired longitudinal acoustic mode.
  • FIGS. 3A and 4A show the impedance frequency characteristic and the filter pass band characteristic of the thin film piezoelectric resonator of the present embodiment, respectively.
  • FIGS. 3B and 4B show a comparative example of a thin film piezoelectric resonator using a piezoelectric layer 12 having a uniform thickness without forming a small film thickness portion 12A. It shows the impedance frequency characteristics and the filter pass band characteristics.
  • FIG. 3A and FIG. 3B in the comparative example, there are various peaks between the resonance frequency peak 31 and the anti-resonance frequency peak 32.
  • the peak between the resonance frequency peak 31 and the anti-resonance frequency peak 32 is significantly less. Therefore, as can be seen by comparing FIGS. 4A and 4B, the passband characteristics of the embodiment of the present invention are significantly better than those of the comparative example.
  • the width W of the small film thickness portion 12 A is preferably the film thickness at the center of the piezoelectric layer 12 (the film thickness of the portion excluding the small film thickness portion 12 A). It is in the range of 0.5 to 4 times.
  • Figures 3A and 4A show the case where W is twice T.
  • FIGS. 5 and 6 are schematic cross-sectional views each showing an embodiment of the thin-film piezoelectric resonator according to the present invention.
  • members or portions having the same functions as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals.
  • the small thickness portion 12 A of the piezoelectric layer 12 has a constant inclination. It has a slope consisting of two planes.
  • the small film thickness portion 12A of the piezoelectric layer 12 is formed of a step having a constant film thickness. Also in these embodiments, the same effects as those in the embodiments of FIGS. 1 and 2 can be obtained.
  • FIGS. 7 and 8 are schematic plan views showing still another embodiment of the thin-film piezoelectric resonator according to the present invention.
  • members or portions having the same functions as those in FIGS. 1, 2, 5, and 6 are denoted by the same reference numerals.
  • the planar shape of a part of the outer peripheral edge of the upper electrode layer 20 is a wave shape.
  • the pitch P is preferably 3 to 30 times the thickness T of the central portion of the piezoelectric film 12
  • the amplitude A is 1 of the thickness T of the central portion of the piezoelectric film 12.
  • it is up to 10 times.
  • the overall planar shape of the electrode layer 20 does not necessarily have to be a rectangle, and the deformed polygon (that is, the angles formed by two adjacent sides of the polygon are not all the same) ).
  • the sound wave propagating laterally in the piezoelectric layer 12 reaches the wave-shaped edge of the electrode layer 20, where the sound wave is dispersed and reflected. Therefore, the reflection in one direction at the edge which is generated when the edge is not corrugated is significantly reduced, and a standing wave based on the transverse acoustic mode reflection is hardly generated. Thus, interference with the desired longitudinal acoustic mode is reduced, and good passband characteristics are obtained. That is, in the present embodiment, the path of the sound wave in the transverse mode is dispersed, so that the path is not easily closed by itself, and the sound wave in the transverse direction is hard to form a standing wave.
  • the peak of the reverberation mode becomes broad.
  • the individual sharp peaks are converted into a larger number of broad peaks, which can be considered as a continuous background by overlapping each other, and spike noise that disturbs the characteristics of the thin film piezoelectric resonator in the vibrating part is obtained. It is gone.
  • the entire planar shape of the outer peripheral edge of the upper electrode layer 20 has a wavy shape.
  • the standing wave based on the transverse acoustic mode reflection is further reduced, and the interference with the desired longitudinal acoustic mode is significantly reduced. Even better passband characteristics can be obtained.
  • the upper electrode layer 20 is used as the electrode layer having the wavy outer peripheral edge, but the outer peripheral edge of the lower electrode layer 18 may be wavy. Further, the outer peripheral edges of both the electrode layers 18 and 20 can be formed in a wavy shape.
  • a sine wave shape is suitable as the outer peripheral edge waveform shape of the electrode layer, but is not necessarily limited to this shape, and may be a curve such as a convex or concave arc shape as shown in FIG. It is also possible to use those in which the unit shapes U are repeatedly arranged, and furthermore, as shown in FIG. 10, a shape IT with a finer uneven pattern based on the unit shapes U.
  • the constituent members of the piezoelectric laminated structure have a fine shape that suppresses lateral resonance, the structure of the thin-film piezoelectric resonator is not complicated.

Description

技術分野
本発明は、 厚み方向に伝搬する音響共振モードを利用する薄膜圧電共振 器に関するものであり、 特に、 横方向に伝搬する音響モードの低減を企図 した薄膜圧電共振器に関するものである。
明 背景技術 田
電子装置のコストを低減し或はサイズを小さくするために、 該電子装置 の構成要素として使用されているフィルタを小型化する要求は常に存在す る。 例えば、 携帯電話機等のような民生用電子機器においては、 その回路 を構成するのに利用されている電子部品に対してサイズ及びコストの両方 に関して厳しい要求がある。 これらの要求を満たす可能性の高いフィル夕 として、 薄膜圧電材料中のバルク縦音響モードを利用する共振器から作ら れる種類のものが存在する。 この共振器の単純な構成の 1つにおいては、 薄膜圧電材料の層が 2つの金属電極層に挟まれた形態の圧電積層構造体が 用いられている。 この圧電積層構造体をその外周部を支持することで中央 部を空気中に置き、 電圧印加により対向する 2つの金属電極層間に電界を 作ることで、 薄膜圧電材料層は電気的エネルギーを音波の形の機械的エネ ルギ一に変換する。 音波は電界と同じ縦方向に伝搬されて電極と空気との 界面で反射する。
この種のデバイスは電気的に結合可能な機械的共振器であり、 従って フィル夕としての作用を持つ。 圧電積層構造体中を伝わる音のある所定の 位相速度に対する機械的共振周波数は、 圧電積層構造体中を縦方向 （即ち 厚み方向） に伝わる音波の半波長が圧電積層構造体の全厚みに等しくなる 周波数である。 音の速度は光の速度より 4桁も低いため、 共振器の寸法を かなり小さくすることが出来る。 例えば、 G H z領域での応用に使用され る共振器は直径 1 0 0ミクロン、 厚さ数ミクロンの寸法に作ることが出来 る。
以上のような薄膜圧電共振器の基本振動モードにおいては、 音波は電極 面に対して直角の方向に伝搬される。 このようなモードは縦モードと呼ば れる。 しかしながら、 薄膜圧電共振器においては、 励起され得る他の振動 モードも存在する。 これらのモードのうちには、 電極面に平行に伝搬し て、 圧電積層構造体中央部を空気中に置くために保持基板に形成された空 洞の壁や圧電体層または電極層の端部と空気との界面で反射するものがあ る。 このようなモードは横モードと呼ばれ、 その共振周波数は圧電体層の -横共振モードの音響速度により、 また金属電極層の横方向寸法により決ま る。 これらの横モードの高い高調波が基本縦モードの周波数帯域中に出現 する場合があり、 その場合には所望の縦モードの共振との干渉が生ずる結 果、 通過帯域特性の悪化を生じることになる。
このようなモード干渉の改善方法の 1つが、 特開 2 0 0 0— 3 1 5 5 2 号公報に提案されている。 この公報で提案されている 1つの方法において は、 横共振モードを抑えるために、 ポリイミド等の粘弾性音響減衰材料を 電極周囲に追加して用いている。 従って、 この方法は、 薄膜圧電共振器の 構造を複雑にする。 また、 この公報で提案されている他の 1つの方法にお いては、 電極の辺を互いに非平行な直線から構成している。 従って、 この 方法は、 共振器の外形寸法の小型化に伴って電極面積が一層小さくなり、 所要の縦モードの強度をも低減する。
. 本発明の目的は、 構造を複雑化することなく且つ縦音響モードの強度を 低減させることなしに、 横音響モ一ドを抑制して改善された特性を有する 薄膜圧電共振器を提供することである。 発明の開示
本発明によれば、 以上の如き目的を達成するものとして、
圧電体膜とその両面にそれぞれ形成された電極層とを含む圧電積層構造 体の一部を含んで振動部が構成される薄膜圧電共振器であって、 前記圧電 積層構造体はその面に沿った横方向の共振を抑制する横方向共振抑制手段 を備えており、 該横方向共振抑制手段は前記圧電体膜の端縁部及び Zまた は前記電極層の端縁部に形成された横方向伝搬音響モード減衰のための微 細形状に基づき前記横方向の共振を抑制するものであることを特徴とする 薄膜圧電共振器、
が提供される。
本発明の一態様においては、 前記横方向共振抑制手段の微細形状のうち の少なくとも 1つは、 前記圧電体膜の端縁部の少なくとも一部を前記圧電 体膜の中央部より小さな膜厚にすることで形成されたものである。 本発明 の一態様においては、 前記圧電体膜の端縁部の少なくとも一部に前記圧電 体膜の中央部より小さな膜厚に形成された小膜厚部は、 前記圧電体膜の端 縁に向かって外方へと次第に膜厚が小さくなるものである。 本発明の一態 様においては、 前記圧電体膜の端縁部の少なくとも一部に前記圧電体膜の 中央部より小さな膜厚に形成された小膜厚部は、 一定の膜厚をもつもので - ある。 本発明の一態様においては、 前記小膜厚部は前記圧電体膜の中央部 の厚さの 0 . 5〜4倍の幅をもつ。
本発明の一態様においては、 前記横方向共振抑制手段の微細形状のうち の少なくとも 1つは、 前記電極層の端縁の少なくとも一部の平面形状を波 形状にすることで形成されたものである。 本発明の一態様においては、 前 記波形状のピッチは前記圧電体膜の中央部の厚さの 3〜3◦倍である。 本 発明の一態様においては、 前記波形状の振幅は前記圧電体膜の中央部の厚 さの 1〜 1 ◦倍である。
本発明によれば、 圧電体層の端縁部の厚みを中心部に比べて薄くするこ と及び Z又は電極層の端縁の平面形状を波形状にすることなどの微細形状 付与に基づき機能する横方向共振抑制手段により、 圧電体層の端面での音 波の反射を弱めたり、 電極層の端縁での音波の反射を弱めたりすること 'で、 横方向音響モードの反射が良好に抑制され、 振動部へと戻る横音響 モードを十分に減衰させることができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明による薄膜圧電共振器の実施形態を示す模式的平面図で ある。 図 2は、 図 1の X— X断面図である。
図 3 A及び図 3 Bは、 薄膜圧電共振器のィンピーダンス周波数特性を示 すグラフである。
図 4 A及び図 4 Bは、 薄膜圧電共振器のフィルタ通過帯域特性を示すグ ラフである。
図 5は、 本発明による薄膜圧電共振器の実施形態を示す模式的断面図で ある。
図 6は、 本発明による薄膜圧電共振器の実施形態を示す模式的断面図で ある。
' 図 7は、 本発明による薄膜圧電共振器の実施形態を示す模式的平面図で ある。
図 8は、 本発明による薄膜圧電共振器の実施形態を示す模式的平面図で ある。
図 9は、 電極層の外周端縁の波形状を示す模式図である。
図 1 0は、 電極層の外周端縁の波形状を示す模式図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図 1は本発明による薄膜圧電共振器の一実施形態を示す模式的平面図で あり、 図 2はその X— X断面図である。 薄膜圧電共振器 1 0は、 上面と下 面との間を上下に貫通してエアーギャップ （空洞） を形成する貫通孔 1 4 • を有する基板 1 6と、 該基板 1 6の上面上に該上面の貫通孔開口を形成す る端縁により周縁部が支持されて吊られた形態の圧電スタック （圧電積層 構造体） 2 2とを有する。 該圧電スタック 2 2は、 圧電体層 1 2とその上 下両面に接合された電極層 1 8 , 2 0とからなる。 電極層 1 8 , 2 0には それぞれ端子 2 6 , 2 8が付されており、 該端子 2 6， 2 8には電源が接 続される。 圧電共振器スタック 2 2において、 電極端子 2 6， 2 8の間に 印加される電圧に応答して圧電層 1 2は矢印 2 4で示される方向に伸張及 び収縮する。 薄膜圧電共振器の共振領域 （振動部） は電極層 1 8， 2 0の オーバーラップした領域に対応して形成される。 圧電体層 1 2は、 例えば、 酸化亜鉛 （Z nO) ゃ窒化アルミニウム ' (A 1 N) のような薄膜として製造できる圧電材料を有する。 圧電体層 1 2は、 スパッタリングその他の様々な方法で形成することができる。 電極 層 18, 20は、 例えば、 金 （Au) 、 モリブデン （Mo) 、 あるいはァ ルミユウム （A 1 ) から成るものでよい。 電極層 18， 20はスパッタリ ング、 蒸着その他様々な方法で形成することができる。 基板 1 6は、 例え ば、 シリコン （S i ) 、 S i 02 、 GaAs、 あるいはガラスのような材 料から成る。 基板 1 6の貫通孔 14は、 エッチングその他様々な方法で形 成することができる。
圧電体層 12と電極層 18， 20との積層体から構成される圧電共振器 スタック 22は、 その周縁部で吊られており、 その主表面が両方とも空気 その他の周囲ガス又は真空と接している。 この場合、 圧電共振器スタック 22は Qの高い縦モード音波共振器を形成する。 この基本モードは、 端子 • 26, 28を介して電極層 18, 20に加えられる交流信号が圧電共振器 スタック 22における音速を該スタツク 22の重み付き厚さの 2倍で割つ た値に等しい周波数を持つときである。 すなわち、 f r =c/2 t。 （こ こで、 f r は共振周波数であり、 cはスタック 22内の音速であり、 七。 はスタック 22の重み付き厚さである） の場合、 その交流信号によって、 圧電共振器スタック 22が共振する。 スタック 22を構成する層内にお ける音速が各層を構成する材料ごとに異なるため、 圧電共振器スタック 22の共振周波数は、 物理的厚さではなく、 圧電体層 1 2や電極層 1 8， 20内の音速とそれらの物理的厚みとを考慮した重み付き厚さにより決ま る。
本実施形態では、 圧電体層 12の端縁部に、 該圧電体層 12の中央部よ り膜厚の小さな部分 （小膜厚部） 12 Aが設けられている。 該小膜厚部 1 • 2 Aは最外周縁から内側へと次第に厚さが増加しており、 上方に凸の曲面 形状をなしている。 小膜厚音 12Aは、 略矩形状の圧電体層 1 2の 4つの 辺の全てにおいてその全長にわたって形成されており、 その幅は Wであ る。 小膜厚部 1 2Aの曲面形状は、 例えば、 適宜のレジストマスクを用い たドライエッチングにより容易に得られる。 尚、 小膜厚部 12 Aは、 圧電 体層 1 2の全端縁部のうちの一部の領域に形成されていてもよい。
以上のような薄膜圧電共振器を動作させると、 圧電共振器スタック 2 2 において、 望ましい基本縦音響モードは 2つの電極 1 8， 2 0間に印加さ れた電界の方向 （即ち上下方向） に伝搬され、 電極ノ空気界面において反 射する。 しかし、 圧電共振器スタック 2 2においては、 圧電材料定数の面 .内成分結合により、 横向き （即ち前後左右の向き） の機械的ひずみが生 じ、 これが圧電体層 1 2中を横に伝搬する音波を励起する。 この音波は、 圧電体層 1 2の端縁部に到達するが、 該端縁部には小膜厚部 1 2 Aが形成 されているので、 該小膜厚部 1 2 Aが存在しない場合に発生する端面反射 が著しく低減され、 横音響モード反射に基づく定在波が生じにくくなる。 かくして、 所望の縦音響モードへの干渉が少なくなつて、 良好な通過帯域 特性が得られる。
図 3 A及び図 4 Aに、 それぞれ本実施形態の薄膜圧電共振器のィンピー ダンス周波数特性及びフィルタ通過帯域特性を示す。 また、 図 3 B及び図 4 Bに、 それぞれ小膜厚部 1 2 Aを形成せずに全体が一様な厚さを持つ圧 電体層 1 2を用いた比較例の薄膜圧電共振器のィンピーダンス周波数特性 及びフィルタ通過帯域特性を示す。 図 3 Aと図 3 Bとを比較すると分かる ' ように、 比較例では共振周波数ピーク 3 1と反共振周波数ピーク 3 2との 間に様々なピークが存在するのに対して、 本発明実施形態のものでは共振 周波数ピーク 3 1と反共振周波数ピーク 3 2との間のピークは著しく少な レ、。 従って、 図 4 Aと図 4 Bとを比較すると分かるように、 比較例に比べ て本発明実施形態のものでの通過帯域特性が著しく良好である。
このような効果を高めるためには、 小膜厚部 1 2 Aの幅 Wは好ましくは 圧電体層 1 2の中央部の膜厚 （小膜厚部 1 2 Aを除く部分の膜厚） 丁の 0 . 5倍〜 4倍の範囲内である。 尚、 図 3 A及び図 4 Aは Wが Tの 2倍の 場合のものである。
図 5及び図 6ほ、 いずれも本発明による薄膜圧電共振器の実施形態を示 す模式的断面図である。 これらの図において、 上記図 1及び図 2における と同等の機能を有する部材または部分には同一の符号が付されている。 図 5の実施形態では、 圧電体層 1 2の小膜厚部 1 2 Aは一定の傾きを持 つ平面からなる斜面を有する。 また、 図 6の実施形態では、 圧電体層 1 2 の小膜厚部 1 2 Aは一定の膜厚を持つ段部からなる。 これらの実施形態に おいても、 上記図 1及び図 2の実施形態と同様な効果が得られる。
図 7及び図 8は、 それぞれ本発明による薄膜圧電共振器の更に別の実施 形態を示す模式的平面図である。 これらの図において、 上記図 1、 図 2、 図 5及び図 6におけると同等の機能を有する部材または部分には同一の符 号が付されている。
図 7の実施形態では、 上側の電極層 2 0の外周端縁の一部の平面形状 (即ち電極層に対して直交する方向から見た形状） が波形状をなしてい る。 該波形状はピッチ Pが圧電体膜 1 2の中央部の厚さ Tの 3〜3 0倍で あるのが好ましく、 また、 振幅 Aが圧電体膜 1 2の中央部の厚さ Tの 1〜 1 0倍であるのが好ましい。
図示されているように、 電極層 2 0の全体的な平面形状は、 必ずしも矩 形である必要はなく、 変形した多角形 （即ち多角形の隣接 2辺どうしのな す角が全て同一ではないもの） であってもよい。
以上のような薄膜圧電共振器を動作させると、 圧電体層 1 2中を横向き に伝搬する音波は、 電極層 2 0の波形状の端縁部に到達すると、 ここで音 波が分散反射されるので、 端縁部が波形状でない場合に発生する該端縁で の一方向に揃った反射が著しく低減され、 横音響モード反射に基づく定在 波が生じにく くなる。 かくして、 所望の縦音響モードへの干渉が少なく なって、 良好な通過帯域特性が得られる。 即ち、 本実施形態では、 横方向 モードの音波の経路は分散させられ、 経路がそれ自身で閉じにくいように なっており、 横方向の音波は定在波を作りにくく、 この結果、 対応する音 響モードのピークはブロードとなる。 個別の鋭いピークから、 より多数の 幅の広いピークに変換され、 これらは互いに重なり合うことで連続的な バックグゥンドと見なせるようになり、 振動部において薄膜圧電共振器の 特性を妨害するようなスパイクノイズが無くなるのである。
図 8の実施形態では、 上側の電極層 2 0の外周縁の全部の平面形状が波 形状をなしている。
更に、 上記図 7または図 8の実施形態において、 圧電体層 1 2の端縁部 -を図 1及び図 2の実施形態のようにすることで、 更に一層横音響モード反 射に基づく定在波が生じにくくなり、 所望の縦音響モードへの干渉が著し く少なくなつて、 一層良好な通過帯域特性が得られる。
以上の実施形態では波形状外周端緣を有する電極層として上側の電極層 2 0を用いているが、 下側の電極層 1 8の外周端縁を波形状とすることも 可能である。 また、 双方の電極層 1 8， 2 0の外周端縁を波形状とするこ とも可能である。
電極層の外周端縁波形状としては、 正弦波形状が好適であるが、 必ずし もこれに限定されることはなく、 図 9に示されているような凸または凹の 円弧形状などの曲線単位形状 Uを繰返し配列したものや、 更には図 1 0に 示されているように、 単位形状 Uを基本として更に微細な凹凸パターンを 付した形状 IT などを用いることも可能である。 産業上の利用可能性
以上説明したように、 本発明によれば、 圧電積層構造体の構成部材を横 方向共振を抑制するような微細形状を有するものにしたので、 薄膜圧電共 振器の構造を複雑化することなく且つ縦音響モ一ドの強度を低減させるこ となしに、 横音響モードを抑制して改善された特性を実現することができ る。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 圧電体膜とその両面にそれぞれ形成された電極層とを含む圧電 積層構造体の一部を含んで振動部が構成される薄膜圧電共振器であって、 前記圧電積層構造体はその面に沿った横方向の共振を抑制する横方向共振 抑制手段を備えており、 該横方向共振抑制手段は前記圧電体膜の端縁部及 び または前記電極層の端縁部に形成された横方向伝搬音響モード減衰の ための微細形状に基づき前記横方向の共振を抑制するものであることを特 徵とする薄膜圧電共振器。
2 . 前記横方向共振抑制手段の微細形状のうちの少なくとも 1つ は、 前記圧電体膜の端縁部の少なくとも一部を前記圧電体膜の中央部より 小さな膜厚にすることで形成されたものであることを特徴とする、 請求項 1に記載の薄膜圧電共振器。
3 . 前記圧電体膜の端縁部の少なくとも一部に前記圧電体膜の中央 部より小さな膜厚に形成された小膜厚部は、 前記圧電体膜の端縁に向かつ て外方へと次第に膜厚が小さくなるものであることを特徴とする、 請求項 2に記載の薄膜圧電共振器。
4 . 前記小膜厚部は前記圧電体膜の中央部の厚さの 0 . 5〜4倍の 幅をもつことを特徴とする、 請求項 3に記載の薄膜圧電共振器。
5 . 前記圧電体膜の端縁部の少なくとも一部に前記圧電体膜の中央 部より小さな膜厚に形成された小膜厚部は、 一定の膜厚をもつものである ことを特徴とする、 請求項 2に記載の薄膜圧電共振器。
6 . 前記小膜厚部は前記圧電体膜の中央部の厚さの 0 . 5〜4倍の 幅をもつことを特徴とする、 請求項 5に記載の薄膜圧電共振器。
7 . 前記横方向共振抑制手段の微細形状のうちの少なくとも 1つ は、 前記電極層の端縁の少なくとも一部の平面形状を波形状にすることで 形成されたものであることを特徴とする、 請求項 1に記載の薄膜圧電共振
8 . 前記波形状のピッチは前記圧電体膜の中央部の厚さの 3〜3 0 倍であることを特徴とする、 請求項 7に記載の薄膜圧電共振器。
9 . 前記波形状の振幅は前記圧電体膜の中央部の厚さの 1〜 1 0倍 であることを特徴とする、 請求項 7に記載の薄膜圧電共振器。
PCT/JP2002/004907 2001-06-15 2002-05-21 Thin-film piezoelectric resonator WO2002103900A1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001182195A JP2002374144A (ja) 2001-06-15 2001-06-15 薄膜圧電共振器
JP2001-182195 2001-06-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2002103900A1 true WO2002103900A1 (en) 2002-12-27

Family

ID=19022343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2002/004907 WO2002103900A1 (en) 2001-06-15 2002-05-21 Thin-film piezoelectric resonator

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2002374144A (ja)
WO (1) WO2002103900A1 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2383906A (en) * 2002-01-08 2003-07-09 Murata Manufacturing Co Thin film piezoelectric resonator (FBAR) with improved mode suppression
EP1489740A3 (en) * 2003-06-18 2006-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component and method for manufacturing the same
GB2424775A (en) * 2004-12-22 2006-10-04 Agilent Technologies Inc Thin film acoustic resonator suppresses parasitic modes to improve Q
US7202560B2 (en) 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US10177732B2 (en) 2015-07-29 2019-01-08 Taiyo Yuden Co., Ltd. Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer
US10680576B2 (en) * 2016-02-05 2020-06-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005033775A (ja) * 2003-06-18 2005-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP4657660B2 (ja) * 2003-09-12 2011-03-23 パナソニック株式会社 薄膜バルク音響共振器、その製造方法、フィルタ、複合電子部品および通信機器
JP3945486B2 (ja) * 2004-02-18 2007-07-18 ソニー株式会社 薄膜バルク音響共振子およびその製造方法
JP2006106047A (ja) * 2004-09-30 2006-04-20 Brother Ind Ltd 共振振動デバイスの製造方法
WO2006129532A1 (ja) 2005-06-02 2006-12-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. 圧電共振子及び圧電薄膜フィルタ
US7417360B2 (en) 2005-10-20 2008-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric resonator and method for producing the same
JP2007281757A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Seiko Epson Corp 圧電薄膜共振子およびその製造方法
JP5047660B2 (ja) * 2007-03-27 2012-10-10 日本碍子株式会社 圧電薄膜デバイス
JP4935788B2 (ja) * 2008-09-30 2012-05-23 セイコーエプソン株式会社 圧電薄膜共振子およびその製造方法
KR20200030478A (ko) 2018-09-12 2020-03-20 스카이워크스 글로벌 피티이. 엘티디. 벌크 음향파 공진기를 위한 리세스 프레임 구조체
CN210405247U (zh) * 2019-11-12 2020-04-24 迈感微电子(上海)有限公司 体声波谐振器

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6288411A (ja) * 1985-10-14 1987-04-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電振動子
JPH0426247B2 (ja) * 1985-10-14 1992-05-06 Murata Manufacturing Co
JPH07162054A (ja) * 1993-12-06 1995-06-23 Murata Mfg Co Ltd 圧電薄膜の形成方法
JPH0964675A (ja) * 1995-08-17 1997-03-07 Motorola Inc 密閉空洞上の圧電共振器および製造方法
WO1998056050A1 (en) * 1997-06-05 1998-12-10 Cts Corporation Electrode edge wave patterns for piezoelectric resonator
WO1998056049A1 (en) * 1997-06-05 1998-12-10 Motorola Inc. Electrode edge wave patterns for piezoelectric resonator
JP2000031552A (ja) * 1998-06-29 2000-01-28 Trw Inc テ―パ―付き電極及び電極縁部減衰材料を用いた半導体バルク音響共振器（ｓｂａｒ）装置の横モ―ド抑制
JP2000332568A (ja) * 1999-03-30 2000-11-30 Agilent Technol Inc 横モード抑制が改善されたバルク音波共振器フィルタ

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6288411A (ja) * 1985-10-14 1987-04-22 Murata Mfg Co Ltd 圧電振動子
JPH0426247B2 (ja) * 1985-10-14 1992-05-06 Murata Manufacturing Co
JPH07162054A (ja) * 1993-12-06 1995-06-23 Murata Mfg Co Ltd 圧電薄膜の形成方法
JPH0964675A (ja) * 1995-08-17 1997-03-07 Motorola Inc 密閉空洞上の圧電共振器および製造方法
WO1998056050A1 (en) * 1997-06-05 1998-12-10 Cts Corporation Electrode edge wave patterns for piezoelectric resonator
WO1998056049A1 (en) * 1997-06-05 1998-12-10 Motorola Inc. Electrode edge wave patterns for piezoelectric resonator
JP2000031552A (ja) * 1998-06-29 2000-01-28 Trw Inc テ―パ―付き電極及び電極縁部減衰材料を用いた半導体バルク音響共振器（ｓｂａｒ）装置の横モ―ド抑制
JP2000332568A (ja) * 1999-03-30 2000-11-30 Agilent Technol Inc 横モード抑制が改善されたバルク音波共振器フィルタ

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2383906A (en) * 2002-01-08 2003-07-09 Murata Manufacturing Co Thin film piezoelectric resonator (FBAR) with improved mode suppression
GB2383906B (en) * 2002-01-08 2003-12-10 Murata Manufacturing Co Piezoelectric resonator and piezoelectric filter duplexer and communication apparatus all including same
US6914368B2 (en) 2002-01-08 2005-07-05 Murata Manufacturing Co., Ltd Piezoelectric resonator, and piezoelectric filter, duplexer, and communication apparatus, all including same
EP1489740A3 (en) * 2003-06-18 2006-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component and method for manufacturing the same
US7170215B2 (en) 2003-06-18 2007-01-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component and method for manufacturing the same
US7370396B2 (en) 2003-06-18 2008-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for manufacturing an electronic component
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US7202560B2 (en) 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
GB2424775B (en) * 2004-12-22 2009-05-13 Agilent Technologies Inc Acoustic resonators
GB2424775A (en) * 2004-12-22 2006-10-04 Agilent Technologies Inc Thin film acoustic resonator suppresses parasitic modes to improve Q
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9859205B2 (en) 2011-01-31 2018-01-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US10177732B2 (en) 2015-07-29 2019-01-08 Taiyo Yuden Co., Ltd. Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer
US10680576B2 (en) * 2016-02-05 2020-06-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002374144A (ja) 2002-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2002103900A1 (en) Thin-film piezoelectric resonator
JP4653868B2 (ja) 横モード抑制が改善されたバルク音波共振器フィルタ
US6693500B2 (en) Film bulk acoustic resonator with improved lateral mode suppression
JP4803183B2 (ja) 圧電薄膜共振子
JP3740061B2 (ja) 共振子構造及びそのような共振子構造を有するフィルター
CN110324022B (zh) 谐振器及其制备方法
US7161448B2 (en) Acoustic resonator performance enhancements using recessed region
KR101242314B1 (ko) 압전 박막 공진 소자 및 이를 이용한 회로 부품
JP4680235B2 (ja) 圧電式共振子構造および電気フィルタ
US7057476B2 (en) Noise suppression method for wave filter
JP4428354B2 (ja) 圧電薄膜共振子
US8629598B2 (en) Boundary acoustic wave device
WO2007046236A1 (ja) ラム波デバイス
WO2007125734A1 (ja) 弾性表面波装置
WO2023036024A1 (zh) 声表面波谐振装置、滤波装置及射频前端装置
WO2007125733A1 (ja) 弾性表面波装置
CN111884617A (zh) 谐振器及其制备方法
JP5207902B2 (ja) バルク音響波共振子および電子部品
JP4802714B2 (ja) バルク音波共振器
JP4339604B2 (ja) 圧電薄膜素子
JP4696597B2 (ja) 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ
JP2005318365A (ja) 圧電薄膜共振子、フィルタ及び圧電薄膜共振子の製造方法
WO2020203092A1 (ja) 弾性波装置
JP4693406B2 (ja) 圧電薄膜デバイス及びその製造方法
JP2006246290A (ja) 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ OM PH PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642

122 Ep: pct application non-entry in european phase