WO2002075344A2 - Halbleiterelement mit einem semimagnetischen kontakt - Google Patents

Halbleiterelement mit einem semimagnetischen kontakt Download PDF

Info

Publication number
WO2002075344A2
WO2002075344A2 PCT/DE2002/000989 DE0200989W WO02075344A2 WO 2002075344 A2 WO2002075344 A2 WO 2002075344A2 DE 0200989 W DE0200989 W DE 0200989W WO 02075344 A2 WO02075344 A2 WO 02075344A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
contact
cfl
semiconductor element
magnetic
semiconductor
Prior art date
Application number
PCT/DE2002/000989
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2002075344A3 (de
Inventor
Laurens Molenkamp
Georg Schmidt
Original Assignee
Infineon Technologies Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies Ag filed Critical Infineon Technologies Ag
Priority to JP2002573700A priority Critical patent/JP4058344B2/ja
Priority to DE10291108T priority patent/DE10291108B4/de
Priority to KR1020037012163A priority patent/KR100583688B1/ko
Publication of WO2002075344A2 publication Critical patent/WO2002075344A2/de
Publication of WO2002075344A3 publication Critical patent/WO2002075344A3/de
Priority to US10/667,730 priority patent/US6963096B2/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10Magnetoresistive devices
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
    • G11C11/15Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09Magnetoresistive devices
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165Auxiliary circuits
    • G11C11/1659Cell access
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165Auxiliary circuits
    • G11C11/1675Writing or programming circuits or methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66984Devices using spin polarized carriers

Definitions

  • the resistance of the component drops. Due to the metallic conductivity, the impedance of such an element is difficult to adapt to semiconductor circuits, which complicates the integration of GMR structures in such circuits.
  • a magnetoresistive semiconductor element comprising a first contact and a second contact, and a layer of a non-magnetic semiconductor arranged between the first and the second contact, the first contact consisting of a semimagnetic material.
  • P- rt s ⁇ o ⁇ P- ⁇ Ei P- P P- H ⁇ PJ Pi P- 3 co P- ⁇ a.
  • metallic or metal-like contact executed at which the current leaves the semiconductor again.
  • Contacts are considered as metal-like contacts that have comparable conductor properties as metallic contacts.
  • Such contacts consist, for example, of silicides or polysilicon with a suitably high doping.
  • the magnetoresistive semiconductor element is therefore integrated into the path formed by the semiconductor.
  • a p-n diode has a strongly non-linear current-voltage characteristic. A small change in voltage can therefore greatly change the differential resistance ⁇ V / ⁇ l. For this reason, a p-n diode is preferably avoided in a circuit which is used to measure a resistance.
  • the resistance of the semiconductor element increases under the influence of an external magnetic field.
  • a positive magnetoresistance is measured, which can be up to 100% if the line electrons are completely polarized.
  • non-magnetic semiconductors can be used for the layer of the non-magnetic semiconductor, for. B.
  • Group IV, III / V and II / VI semiconductors Silicon and Si / SiGe two-dimensional electron gases are particularly suitable, since they have little spin scattering and there are only minor difficulties in miniaturizing the semiconductor element according to the invention.
  • Si, P, As, Sb, B can be used as doping, for example. These allocations are only to be understood as examples. All materials known per se for the doping of semiconductors can be used.
  • the change in the resistance of the semiconductor element in an external magnetic field can be observed in particular if the first contact and the non-magnetic semiconductor have a comparable electrical conductivity.
  • the specific resistances p of the semimagnetic material and the non-magnetic semiconductor are preferably in a range from 10 -3 to 100 ⁇ c, preferably 0.01 to 10 ⁇ cm, particularly preferably 0.1 to 1 ⁇ cm.
  • the ratio of the resistances of semi-magnetic contact and non-magnetic semiconductor Psemimagn. pnichtmagn. is preferably in a range of 1000-0.01, preferably 100-0.1.
  • the semimagnetic contact preferably has the same or a lower conductivity than the non-magnetic semiconductor.
  • the conductivity of the first contact and the non-magnetic semiconductor can be matched to one another by appropriate doping.
  • the ratio of the specific resistances of the semimagnetic material of the first contact and the non-magnetic semiconductor essentially plays a role if no ideal spin polarization ( ⁇ 100%) is achieved in the semimagnetic first contact 00 00 N> MFF c ⁇ o c ⁇ o c ⁇ O c ⁇
  • P P CO P- ⁇ PJ ⁇ P P P ET P- P ⁇ CQ ⁇ vQ rt O ⁇ - vQ P ⁇ rt P a P P vQ P H, ⁇ a f ⁇ ⁇ rt ⁇ ⁇ CQ O d P P vQ P pi P- £ N
  • semiconductors as well as metals.
  • suitable metals are Al, Cr, Ti, Pt, Ni, Au / Ge alloys.
  • the second contact preferably also consists of a semimagnetic material.
  • the second contact can be constructed from the same materials as the first contact, but different semimagnetic materials can also be used.
  • the charge transport in the semiconductor element according to the invention takes place in the diffusive region because of the small dimensions of the semiconductor element. The spin polarization is therefore not dependent on the direction of the current. On average, the electrons move in a certain direction, but this movement is superimposed on a statistical movement. The electrons move in all possible directions and are scattered.
  • a semimagnetic contact is also used as the second contact, this is equivalent to two elements connected in series, which are made up of a first contact made of a semimagnetic material, a non-magnetic semiconductor and a second contact made of a non-magnetic material, ie the embodiment described above correspond.
  • the total resistance R would be composed of 2 x R (semi-magnetic contact) + 2 x R (non-magnetic semiconductor) + 2 x
  • CD P d p- ⁇ - a P- er vQ P Cfl P d ⁇ ⁇ ⁇ d fl er P ⁇ P P er ro ⁇ P- tu rt ⁇ vQ
  • P- 3 CQ Cfl ro FO co o ⁇ a P P- ⁇ co i: ⁇ tfl PPPP rt P co s; ⁇ co ⁇ P ⁇ s: EP 3 P CQ et Cfl P ⁇ PPFP CD i fl PJ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ p-
  • ter and ferromagnetic second contact each be arranged tunnel barriers.
  • the magnetoresistive semiconductor element according to the invention can be used for a large number of applications. For example, an application for information storage or for logic circuits is possible. Likewise, the semiconductor element according to the invention can e.g. be used in sensors.
  • the invention therefore also relates to a memory element which comprises the magnetoresistive semiconductor element described above, and a ferromagnetic element arranged adjacent to this element.
  • the arrangement is chosen so that the semi-magnetic contact is in the stray field of the ferromagnetic element.
  • the magnetization of the ferromagnetic element is rotated by 90 °, the resistance of the magnetoresistive semiconductor element decreases, since the semimagnetic contact is then no longer in the stray field of the ferromagnetic element.
  • the two states with high and low resistance can then be assigned to states 0 and 1, for example.
  • the magnetization only has to be rotated, which is easier to achieve than folding the magnetization through 180 °.
  • the electrical part is made up of semiconductor materials only and can therefore be easily integrated into microelectronic circuits.
  • the element can be e.g. decouple from other elements using Schottky diodes.
  • the magnetoresistive semiconductor element according to the invention can also be designed as a field effect transistor.
  • the field effect transistor comprises a source electrode, a drain electrode and a gate electrode, at least one first contact made of a semimagnetic material being provided through the spin-polarized charge carrier into the source Electrode and / or the drain electrode are injected or extracted.
  • a component of increased complexity is therefore available with the same size.
  • the memory element described above can be integrated directly into a field effect transistor.
  • the charge transport from source to drain takes place only through one type of charge carrier. Under the influence of the field generated by the gate electrode, a conduction channel is created in the semiconductor between the source and drain, in which the charge is transported by electrons.
  • the semiconductor element according to the invention can also be integrated into a bipolar transistor.
  • the bipolar transistor comprises a section acting as an emitter, a section acting as a collector and a section arranged between them and acting as a base, at least one first contact being provided, injected into the emitter and / or out of the collector through the spin-polarized charge carrier or extracted.
  • the bipolar transistor is preferably designed as an NPN transistor.
  • the spin polarization of the charge carriers, preferably electrons, takes place in the first contact, which is preferably constructed from a semimagnetic material.
  • the current from the emitter to the collector used for the observation of the magnetoresistive effect is brought about only by one type of charge carrier, preferably electrons.
  • the magnetoresistive semiconductor element can be used as a sensor for magnetic fields.
  • An embodiment as a read head for reading out information stored in magnetic storage media is preferred.
  • Such a magnetic storage medium can be a hard disk, for example.
  • a sensor of this type comprises the magnetoresistive semiconductor element described above, an electrical connection and disconnection Line to the first or from the second contact and a measuring device for measuring the change in resistance, which is connected to the supply and discharge.
  • the semiconductor element according to the invention shows a change in its resistance when exposed to an external magnetic field and can therefore, as described, be used as a sensor for the detection of magnetic fields.
  • the invention therefore also relates to a method for measuring the strength of a magnetic field, the magnetic field acting on a sensor in which charge carriers are spin-polarized in a first contact, the spin-polarized charge carriers are injected into a non-magnetic semiconductor, and the charge carriers from the non-magnetic semiconductors are extracted into a second contact and the change in resistance to an initial state is measured.
  • the initial state is suitably formed by a resistance of the sensor without the action of a magnetic field.
  • the charge transport within the semiconductor must only be carried out by one type of charge carrier, that is, either only by electrons or only by holes. If there is a change in charge carriers in the charge transport within the non-magnetic semiconductor, this leads to a large voltage drop and thus to a sharp increase in the resistance, which is why a change in the resistance can no longer be observed. Such a change in charge carriers takes place, for example, at the p-n junction of a diode. An arrangement with a diode can therefore not be used for the method according to the invention.
  • the implementation of the method described above is for a charge transport comparatively difficult to implement through holes.
  • the spin states of electrons have a much longer lifespan, which is why the process is preferably carried out with electrons as charge carriers.
  • an application for determining a spin alignment by projecting the spin onto the quantization direction of the semiconductor is also possible.
  • the quantum dot represents the second contact. This is at a distance from the first contact that is less than the spin flip length.
  • the semimagnetic contact whose spin orientation is defined by an external magnetic field, for example a magnet, determines the spinning orientation of the non-magnetic semiconductor onto which the spin of the quantum dot is projected. This application is of particular interest in connection with quantum computing.
  • FIG. 3 shows a diagram in which the change in the resistance of a semiconductor element according to the invention as a function of the strength of the magnetic field is plotted
  • FIG. 4 shows a diagram in which the change in resistance as a function of the strength of the magnetic field for a single layer of a highly n-doped Zn 0.89 Be 0, o 5 Mno, o6Se is shown; 5 shows an arrangement with a horizontal current direction between the contacts;
  • FIG. 8 shows a side view (a) and a top view (b) of a storage element
  • FIG. 9 shows a section through a field effect transistor which comprises a semiconductor element according to the invention.
  • FIG. 10 shows a section through a bipolar transistor which comprises the semiconductor element according to the invention
  • FIG. 11 shows a longitudinal section through a reading head which comprises a semiconductor element according to the invention
  • FIG. 12 shows a semiconductor element according to the invention, which is decoupled from neighboring semiconductor elements by a Schottky diode;
  • FIG. 13 shows a semiconductor element according to the invention, which is decoupled from adjacent semiconductor elements by a pn diode
  • Electrons are injected into a non-magnetic semiconductor 2 via a first contact 1, pass through it and are extracted again at the second contact 3.
  • a potential 4 is present between the first contact 1 and the second contact 2.
  • the electrons are transported with two different spin directions, namely spin up (5, parallel) and spin down (6, antiparallel), so the charge is transported in two spin channels. Without an external magnetic field, the electrons are transported in equal parts in both spin channels 5, 6.
  • the Zeeman terms of the electrons in the first contact 1 are split up and the electrons preferably occupy the more energetically favorable state 5 (parallel), while the energetically less favorable state (6 , anti-parallel) decreases.
  • the electrons passing into the non-magnetic semiconductor 2 are therefore spin polarized. These diffuse through the non-magnetic semiconductor 2, maintaining their polarization within the spin flip length. Therefore, only one spin channel is used for charge transport, which is why the resistance of the element increases.
  • first contact 1, non-magnetic semiconductor 2 and second contact 3 are arranged linearly next to one another in a sandwich-like manner.
  • FIG. 2 An arrangement suitable for the practical implementation of the semiconductor element according to the invention is shown in FIG. 2 shown.
  • the first contact 1 and the second contact 3 are arranged on the layer of the non-magnetic semiconductor 2.
  • the potential 4 is again present between the first contact 1 and the second contact 3.
  • the non-magnetic semiconductor 2 is arranged on an insulating substrate 8. This arrangement was also chosen to carry out the experiments described below.
  • contact pads 1 a, 3 a made of metal or a metal-like material are arranged on contacts 1, 3.
  • the arrangement from FIG. 2 was produced in such a way that a 500 nm thick layer of an n-doped (10 19 cm -3 ) Zn 0 , gBeo, o3Se semiconductor was placed on an insulating GaAs substrate 8 3 was deposited as a non-magnetic semiconductor layer 2.
  • the n-doping was carried out with iodine.
  • the layer of the non-magnetic semiconductor 2 was deposited by molecular beam epitaxy.
  • the conductivity of the layer was formed by doping set with iodine.
  • the resistance reaches a saturation limit in fields between 1 and 2 Tesla.
  • the observed change in resistance is independent of the orientation of the semiconductor element in the magnetic field. If the layer thickness of the first and second contact 1, 3 is reduced from 200 nm (FIG. 3, curve (a)) to 100 nm (FIG. 3, curve (b)), the change in resistance decreases by a factor of 3.
  • a semiconductor element in which the contacts consisted of a non-magnetic semiconductor for comparison shows no change in the resistance in the magnetic field within a measurement accuracy of 0.2% (FIG. 3, curve (c)).
  • the layers of the arrangement from FIG. 2 have a high n-doping in order to ensure that the intrinsic magnetic resistance change of the contacts 1, 3 is negative. With low doping (but above the transition to
  • the semimagnetic contacts 1, 3 show an additional positive magnetic resistance change because of the correction of the conductivity. This influence decreases with increasing doping n according to (k F l) ⁇ 32 , where k F is the wave vector of the Fermi energy and 1 is the mean free path of the electron.
  • the small negative change in magnetic resistance (2%) of a sample which is composed only of the semimagnetic material is shown in FIG. 4.
  • the extent of the change in resistance was determined as a function of the distance between the contacts 1, 3 with a layer thickness of the contacts of 100 nm.
  • the experiments show that as the distance increases, the absolute value of the positive magnetic resistance change decreases from 0.48 ⁇ (10 ⁇ m) to 0.4 ⁇ (20 ⁇ m) to 0.35 ⁇ (30 ⁇ m).
  • the arrangement of the individual layers of the magnetoresistive semiconductor element can be modified within wide limits.
  • FIG. 5 A further suitable structure is shown in FIG. 5.
  • the non-magnetic semiconductor 2 is implanted in a semiconductor substrate 8.
  • the conductive region of the non-magnetic semiconductor 2 can be defined by ion implantation. This process is known from planar silicon technology.
  • the conductivity can be adjusted by the degree of doping.
  • the semiconductor substrate 8 can be p-doped. This enables decoupling from neighboring elements, since one of the pn- 00 00 ro ro FF
  • the arrangement shown in FIG. 13 connects the contact pad 32 to the row line 37 and the contact pad 33 to the column line 36.
  • a measurement voltage is applied to the row line 37 ′′ and the column line 36 ′ in order to be able to determine the resistance using the measurement arrangement 39.
  • the diode 35 ' is switched in the forward direction, while all the other possible ones
  • FIG. 15 shows a matrix arrangement in which the magnetoresistive semiconductor elements 34 are decoupled by a transistor 40. Such a matrix can be realized with the arrangements shown in FIGS. 9 and 10.
  • the matrix in turn comprises column lines 36 and row lines 37.
  • a measurement voltage can be applied to a magnetoresistive semiconductor element via the row lines 37.
  • the contact 41 is in each case at the same potential for all transistors 40.
  • the transistors 40 can each be controlled via the column lines 36, that is to say switched between the conductive and non-conductive states.
  • the contact pad 16 arranged on the semimagnetic contact 1 is connected to the row line 37 and the gate electrode 12 to the column line 36. That by the metal layer 17 educated Contact (drain) is at the same potential in all field-effect transistors and corresponds to contact 41 in FIG. 15.
  • the contact pad 1a is connected to the row line 37 and contact pad 20a (base) to the column line 36, while the contact 16 (collector 21) is at the same potential in all electronic components.
  • a measurement voltage is applied to the row line 37' and contact 41 ', so that the resistance of the magnetoresistive semiconductor element 34' can be determined using the measuring device 39.
  • the transistor 41 ' is driven via the column line 36, so that the transistors 41 connected to the column line 36' are switched to be conductive. Since a measuring voltage is only present in row line 37 ', a measuring circuit is generated only in the associated transistor 40', so that only the resistance of the magnetoresistive semiconductor element 34 'is selectively determined.
  • the change in the resistance in the magnetoelectric semiconductor element according to the invention is based on a new effect which differs fundamentally from the previously known magnetoresistive effects, such as GMR, AMR or TMR.
  • the magnetoresistive semiconductor element can be integrated into a large number of components and its construction can be varied within wide limits.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein magnetoresistives Halbleiterelement, umfassend einen ersten Kontakt 1 und einen zweiten Kontakt 3, sowie eine zwischen erstem und zweitem Kontakt angeordnete Schicht 2 eines nicht magnetischen Halbleiters, wobei der erste Kontakt 1 aus einem semimagnetischen Material besteht. Als semimagnetisches Material werden stark paramagnetische Materialien verwendet, deren Elektronenspins ohne eine Wirkung eines äußeren Magnetfeldes keine Vorzugsrichtung aufweisen. Unter Einwirkung eines äußeren Magnetfeldes werden die Elektronen im ersten Kontakt 1 spinpolarisiert. Hierdurch kommt es bei Anlegen einer Spannung zur Injektion spinpolarisierter Elektronen in den nichtmagnetischen Halbleiter 2. Dadurch kann im nichtmagnetischen Halbleiter nur noch einer der Spinkanäle für den Transport der Ladungsträger verwendet werden, so dass ein positiver magnetoresistiver Effekt erhalten wird.

Description

ω cυ DO t P> P1
Cπ o (_π o cπ o cπ
P1 α ES Hi Cd rt 3 P1 Ei H H 3 rr W co Q. Φ d S tr1 σ 3 co ? d 3 ö ffi D3 φ P- Φ Φ Φ Φ φ φ d P- Φ φ 0J o Ό Φ p- Φ Ei P- P- J P- PJ Ό O: Ei Φ P- OJ Φ
P Φ co P P- Ei p co rt Φ Ei Ei ΪV Ei P- P Ei Ei φ Ω Φ i φ O a Ei Φ P" CΛ
P 3 P< N er N h rt rt rt El d Φ ?? d Ei P- Hi rt er Ω s S! 13 O Φ P- OJ rt Φ d CO Φ PJ O tfl a. M H Ei 2 Φ Ω Φ Φ M ET
(11 P- P- 3 O co Φ P Ei ?T O iQ S Hi Φ Ei d ιQ PJ rt T Ei P- P Φ P iQ O OJ 2 Φ H Φ N α P- OJ rt P1 DJ Hi co rt Ei co iQ Ω Φ Ei co Pi P- Φ ö Φ iQ W ^3 s; ω C Φ P) d iQ φ iQ rt l P P N φ O P- rt P-
Φ P rr i O: s ß P- rt CO Ei H 3 Ei ? m Φ H Φ Φ rt d Ei s: Ei φ er rr co 3 Φ s, *o OJ H cn Φ O "^ P- N Φ rt d Ω Φ (D: rt CO Φ 3 P- P d
P- rr OJ rt P- l- 0 ιQ Ω li Ω ω d rt Φ Ei P I 0 P- D 3 Φ d φ Ei n p) ιQ P- P Φ P Ei tS3 ET σ ET ≤ P- co P- Ei d Pi Φ Φ CO PJ Ei 1 iQ
P- 3 3 CO Ei Φ Φ Φ P_ Φ P1 o Φ Φ C0 Φ Φ Ei PJ P P* rt H d i Φ iQ φ
Φ α Φ O J rt P- Ei s n PJ σ P rt P- H P1 U-! T Ei Φ P- Ei ω Ei P- 3
P co r+ ET P- iQ M o rt !Λ "3 Φ rt N Φ 3 3 P ?T <1 Pi P" Φ Ei er φ c SD: P- Φ 3 Φ PJ Ό N Q ^ P- Φ φ H O: P> Φ ET rt Φ O φ rt Φ Ei
13 3 ω 3 Ei Φ Φ s; <t P- s Φ P Ei d LQ iQ φ Ei P) P P o P- CΛ rt rt Q Q Φ d 3 P- Φ Φ ES ?Ö r cx • Ei P1 Ei o er O EC 3 φ O Ό P
Φ E !^ P- rt Ω n P- φ P- IT. iQ P- Φ φ Ei J P) Ei Ω Φ P- 3 ι-i φ O E5 N P- T Q. w s; E3 φ H tö CO Ω rt co σ Ei P- P1 rt ET P- H P-
Φ EJ Ei φ rt Ei Φ φ -h et P- α Φ φ P- ET O o P- ?V er P- < Φ Ω Pi rt
3 3 rt 3 l-i Ei Φ H P H ?Y P- Ei rt iQ φ P- O O P ET rt φ tQ 3 OJ =ε P d Hl Φ rt Hi Φ P- Φ co 3 d Φ Ei Ei Φ Φ co φ ΪY P P- Φ Ϊ2 ι-9 P ? d: H Φ O Ei α Ei φ Ei P- Φ CΛ P Φ P- co N rt rt Φ H P S O rt ET P PJ O P Φ PJ Q, rt Ei P- φ Φ P- Ef ω s: PJ Φ P- CL CJ W 3 d P- rt Ei M 3 Φ P Ei M φ Φ Ei Ei P1 Ei Φ
3 P- Ei E* • s S 1 OJ P φ α P- Φ Hι PJ co ω Ei ö rt P < co Φ 3
• CQ H ** J CΛ iQ Φ P Φ <l Ei P) rt rt rt rt N Φ Φ Φ 3 O 3 3
Ω P- 3 <Q <! rt Ei Ei tr Ei Φ Φ P- Φ DJ Φ ≤ rt P P1 P PJ P φ OJ co tu ET CO N φ E* Φ H Φ Φ N O P D Ei P- Φ Φ s: iQ Ei i φ φ Φ o s: rt Φ P d rt 3 P- 32 S s; rt Ei co 0, Ω Ei CO 3 φ Ei rt Ei 3
P- 2 Er P- OJ rt ≤: ?V P- p- P- PJ P- φ rt CO Q ;*r O φ Ei Φ ≤ -> Φ P- φ co H Hi Φ rt co r P- α i co 3 P- P" P- Ei rt P- et 3
Ό Ei o H Φ P d Ω Ei Φ Ei Ω er P- PJ ^^ J d PJ Ei rt Φ P- φ Φ O PJ
3 OJ E P- H H ET Φ P Φ ET J P H ι-3 Ei Ei ET O rt O H- P iQ
H P t-i Φ CO Q, Φ Φ Φ P- co rt Φ co φ CO s rt U3 P O d Ω φ Ei Φ Ei
Φ P> φ Ei Ω cn rt Ei Ei ES Φ rt P- Ei p- ? V N H 3 s: ET P Φ CO Φ Q P- ET φ *«« Φ P- ) co Φ rt — S s: Φ PJ Hi P- Φ Ei P- rt
Φ H Φ Ei ι-h S P Ei Ei P- N P Φ P) d ET H ) h Ei μ- 10 P-
3 Φ Φ Φ Ei co < : Φ Φ s; Φ P- P- OJ iQ P Ei P- CO α Ei ^ rt O
P Ei o $»: ι-i rt O 3 H Φ P Ei Ei d El rt Q ß - ω o Φ P- Ω
Φ Φ CO Φ ttf P ET OJ JXI Φ α d P- co Φ Φ P- Φ "ü er H <! T
P- P Ei OJ P- P Φ P1 P- rt Φ Ei PJ φ S iQ rt Φ Φ Ei s; Φ Φ Φ Φ
ES J d ? φ H OJ co iQ Hi d P- PJ Φ O < P- P • Φ P- co Φ co P
Φ d Ei Φ φ Ei Φ ω P- P1 Φ Hl E5 vQ P1 s; o E) rt P- Ω o Hi co 3 iß P- -> d α ?V Ω co P1 Q α P Φ Ei O: P- P Φ Φ Ω ET Ei Hi C ^
&• Φ Ei φ Ei rt E Ω p- φ Φ P Φ ω Er Φ a Φ OJ O
Φ O Φ 3 h P- ET co CO P 0 Φ S! rt rt Φ PJ P H φ P Φ 7T Ei
X (11 P φ Φ O Ω Φ Ω P) 3 3 P- Pi • P P1 J P 3 P rt er rt rt 3 CΛ Ei P- P Ei ET E5 T 3 er QJ Φ co P1 o PJ L_l. φ Φ rt P1 DJ
Φ rr Ei Ω rt Ei P- rt Φ rt Φ ^Q ι-3 Φ σ rt φ PJ Ei φ P Φ Y
P P- Φ r o co Φ t-3 Ei er P- Ei P P P- CD 3 13 ω s: P- P- J P- rt
Ei O r+ P- 3 ^_ s Ω Ei d J Φ OJ ω •«* Φ Ei rt T3 Φ Φ EJ Ei rt
Φ PJ Ω P- Φ v ET Ei CΛ d Φ rt Ei rt co α Φ O p- Ei co Φ
3 P P- ET rt ω iQ El rt Φ Ei P- CO OJ er φ ω d P P1 t-1 P- P
0) O rt rt PJ Φ Φ P P1 CQ •0 Ei N P M rt ω iQ φ o Φ
^ rt N O o d 1 P1 d Φ ^ Ω o s3 er ^ Ω ) Φ co rt H
Φ H » Φ s: P1 3 co er ;γ 1 o ET P co φ Q E rt <! α 1 Φ 0 Φ
H Φ P- Φ OJ 1 1 OJ rt Ei Φ rt PJ: P- S 1 O PJ 1 P I α 1 l P- rt H d 1 Ei Ei 1 5ö Ei ω ω 1 ( I 1 —
und damit paralleler Ausrichtung der Magnetisierungen in benachbarten ferromagnetischen Schichten sinkt der Widerstand des Bauelements. Die Impedanz eines solchen Elements ist aufgrund der metallischen Leitfähigkeit schwer an Halbleiter- Schaltungen anzupassen, was die Integration von GMR- Strukturen in solche Schaltungen erschwert.
1999 gelang R. Fiederling, M. Keim, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt, A. Waag und L. W. Molenkamp (Nature 402,787 - 790 (1999) ) der Nachweis der Injektion spinpolarisierter Elektronen in einen nichtmagnetischen Halbleiter durch Messung der zirkulären Polarisation des von einer Licht emittierenden Diode erzeugten Lichts. Die Polarisierung der Elektronenspins wurde erreicht, indem die Elektronen über einen Beo,θ7Mn0,o3Zno,9Se-Halbleiterkontakt in einen GaAs-Halbleiter injiziert wurden. Durch Rekombination mit unpolarisierten Löchern, welche von der gegenüberliegenden Seite der Schicht des GaAs-Halbleiters injiziert wurden, wurde zirkulär polarisiertes Licht erzeugt.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein magnetoresistives Halbleiterelement zur Verfügung zu stellen, welches den Nachweis auch sehr schwacher Magnetfelder ermöglicht, eine deutliche Änderung des Widerstands unter Einwirkung eines äußeren Ma- gnetfelds zeigt (Steigerung von ΔR/R) und eine hohe Sensiti- vität S aufweist (S = ΔR/R/ΔH) .
Die Aufgabe wird gelöst durch ein magnetoresistives Halbleiterelement, umfassend einen ersten Kontakt und einen zweiten Kontakt, sowie eine zwischen dem ersten und dem zweiten Kontakt angeordnete Schicht eines nichtmagnetischen Halbleiters, wobei der erste Kontakt aus einem semimagnetischen Material besteht. 00 o ro ro P» P1 cπ o cπ o π o cπ
Ω. Φ T) G α co H co Ei CΛ rt <! σ N P- rt M H O Ei EG rt α Ei to
Φ P- Pi er d rt Ei P- Φ rt Φ O PJ d d Φ P1 Φ er d P- PJ Φ P- φ Φ
P Ei PJ Φ Ei PJ rt Ei P P P Ei co iQ ES P φ P- Φ P Φ P" Ei φ Ei P-
Φ P iQ Ei Φ α O Φ rt iQ Φ ? rt Ei Ω P er co
CΛ 3 Φ vQ CO Ω. vQ iX 3 P- Φ Φ o H rt Φ T Φ H l→ φ P- rt co PJ: rt co P er OJ Φ P- P Φ rt Φ P P er Ei Φ O: Ei Φ
P Φ Ei P 3 DJ Φ α 3 Ei Pi P- P 3 0 Φ Φ M • P- Ω P- 3
O P Φ u3 SD: φ rt < d co Φ Φ P- Ei PJ Φ Ei P1 co H rt ET 3
3 co P- Φ vQ co P- o El 0 Ei 3 Et Φ Ei El Φ Φ Ω Φ D φ Φ φ Φ rt- Ei Φ CQ O P vQ H rt α co rt Ei 3 ET W Φ P P Ei El P
P- Φ φ Φ P d Ei N co DJ Φ CΛ d PJ T3 Φ Φ P rt P El P- Hi
Ei i co Ei O Ei d rt Ei Ei rt Ei Ei O O Ei P- P P- Ω El P- rt O vQ P- vQ P vQ P i Ei P er rt Φ O t"1 Ei ET P- Ei α 3 N ET P 3 rt PJ: Φ W O co SD: rt PJ φ er ES PJ α rt Ω
Φ Φ d PJ rt vQ O 3 iQ E • co P α Φ Φ P- P- 3 ET d
Ei rt P Φ P- EG M Φ Φ Φ φ P- φ S ES d N Φ PJ rt Ei
PJ rt φ OJ P1 P P c α 3 P ^ Φ Ei P Φ Ei P- iQ 3 vQ
EG P1 S! Φ vQ Ei P1 Φ co P- d SD: Ei Φ P d Ei s: vQ φ < i PJ CQ
DJ P" P- Ei Φ Φ er Pf O α Ei P P Φ P t-1 P- co P o Φ iQ vQ
P" P- p. rt Ei P1 rt P Φ P- O Φ ES Ei J σ φ rt rt 3 rt ES Φ er o Φ P φ P rt El Φ φ α P- P P- Φ 3
P" Ω P J P- o Φ P Hi ÖÖ P- P PJ d d O PJ J t. N CQ rt SD:
Φ ET co vQ pf rt Ei EG rt PJ El P" P i P. d Ei Φ s; Ω P- tP
P- Φ rt CO Φ O: Φ Φ vQ DJ 0 d Φ er co Ω i Φ Ω co P Φ ET co Φ rt Ei PJ Ei Ei P Ei Φ r-> Z, CO Φ PJ Φ O ET o ET n P- Φ Ω Ei
Φ Ei EG Ei • rt er Φ O P1 P CO rt Hi 0 Φ rt D T
P 0 α P) Sl Φ H, P P φ φ Φ P- PJ \-> P P- P- P Ei φ Φ EG co Φ Ei P1 > PJ Φ P- Ei 3 rt d O: P) Ef d rt Ei EG i Pi φ Φ 3 er P P- Ei iQ P- φ • φ H N Pi Ω 13 C P d PJ P1
P- P Φ P1 P_ PJ Φ Qπ Φ rt Ei Ei \ rt ET CQ φ Ω P- Ei « EG er o Φ Φ d CQ Φ Ei Φ M rt < φ φ T3 rt ET El rt O er J H C J rt 3 co P- El Ω CO P P co 1 P- P 0 Φ Ei H P1 Φ
P φ d rt T Φ Φ ≤. SS C ^ PJ ) P er tr1 P rt Φ er P-
P- rt P Φ d El P- Ei O ? P- φ co φ co rt Φ O: Φ PJ P- P1 rt rt OJ vQ P Ei <5 •-. CΛ P P- er PJ P Ei 3 rt P- Ω P m et Φ Φ rr P" Q. O rt Ω Φ Ei Ei EG PJ P- 3 Er 3 rt φ P- P
P1 P- P (_!. P ET P- ES P1 p) d rt 3 φ α P- P rt Φ
PJ Φ Cfl P- Φ O: rt N P- P1 Ei rt Φ P P- CQ P- Φ P1 er P P rt E5 0- o. 3 D P- 3 d ES er rt • EG P • O CQ Ei PJ P Φ
P- rt s: Φ o Φ P- < Ei P- P P- H Φ PJ Pi P- er 3 co P- Φ a. P- P Ω " φ Φ rt Φ Φ P σ P" P- H Φ O P- Φ vQ Ei PJ ET ET co P S • P- CO P- σ Ei 3 Ei Φ P Ef Ei
N Φ er P 1_I- φ P- i, P- rt O Φ P1 Φ ES rt d Ei Φ Φ Φ Φ Ei P- PJ: Φ φ Φ ET φ d Q P <! 3 P- rt P- 3 <$ P- Φ tr5 CO o P- Φ P P- er P- Ei φ Hl O S μ- N Φ
Φ X φ Φ Ω DJ CO Φ rt P Φ Φ Φ r+ iQ vQ O Ei P- rt P- P
P- O Ei CΛ P- ET P- rt 3 Φ co P1 P- Φ CQ Φ P" Ω Φ Hi
Ei Ei P- rt P1 rt 3 d P rt Φ P" α P i Ei i tr1 ET d P 0
Φ rt CΛ Φ P co Ei * 1 Φ PJ 3 P- Φ φ o rt P- rt Ei rt P1
3 PJ rt O * ι vQ <! PJ Ei Ei φ Ω Ei Ei 3 PJ Ω f P Λ 3 DJ Φ DJ o O P1 Ei ET d SD: 3 Ό vQ
P rt P> ET DJ o <t rt s: rt O rt TS Ei P rt Ei P- EG co rt Φ EG P εσ N rt iQ P" Φ
Φ 3 P Pi Qπ H P PJ 3 ES PJ φ CQ Ei (U P α
P- O Φ PJ Φ Sl Φ (U: Ei α P1 Φ σ H P- Ei N 0 P Φ P Φ rt PJ Ω P P- CQ d Φ er co Φ X er d d Φ rt P- φ P
Φ Ei Φ Φ φ P P H co < PJ H P EG co ;γ P- CQ El
P o φ p El Φ P- P Φ d o 1 Φ Ω p) O O CQ P- **« tr1 φ i 1 P Ei Φ P- Ei P P- ET P1 Φ y Ω φ PJ
E5 Φ Ei iX 1 Φ P- [ i 1 1 er P o ET P 1 3 Φ 1 DJ P 1 1 ET P- Φ 1 co 1 P1 1 Ei
Figure imgf000005_0001
metallischen oder metallartigen Kontakt ausgeführt, an dem der Strom den Halbleiter wieder verlässt. Als metallartige Kontakte werden Kontakte betrachtet, die vergleichbare Leitungseigenschaften aufweisen wie metallische Kontakte. Derar- tige Kontakte bestehem Beispiel aus Siliziden oder Polysili- ziu mit einer geeignet hohen Dotierung. In der beschriebenen Ausführungsform ist das magnetoresistive Halbleiterelement also in die vom Halbleiter gebildete Strecke integriert.
Eine p-n-Diode hat eine stark nicht-lineare Strom- Spannungscharakteristik. Eine kleine Spannungsänderung kann daher den differentiellen Widerstand ΔV/Δl stark verändern. Aus diesem Grund wird eine p-n-Diode in einem Stromkreis , der zur Messung eines Widerstandes dient, vorzugsweise ver- mieden.
Bei der von Fiederling et al. beschriebenen Diode wäre ein magnetoresistiver Effekt, wie er für das erfindungsgemäße Halbleiterelement beobachtet wird, auch nicht zu erwarten, da der Widerstand einer derartigen LED sehr hoch ist und durch ein äußeres Magnetfeld praktisch keine Veränderung des Widerstandes eintritt.
Im Gegensatz zum GMR-Effekt erhöht sich der Widerstand des Halbleiterelements unter Einwirkung eines externen Magnetfelds. Es wird also ein positiver Magnetowiderstand gemessen, der bei vollständiger Polarisation der Leitungselektronen bis zu 100 % betragen kann. Gemessen wird hierbei die Veränderung des Widerstands zwischen der Magnetisierung 0, d. h. ohne Einwirkung eines äußeren Magnetfelds, und gleichsinniger Magnetisierung der Spins des Kontakts aus dem semimagnetischen Material unter Einwirkung eines äußeren Felds.
Als Halbleiterelement ist die Integration des erfindungsgemä- ßen Halbleiterelements in mikroelektronische integrierte J oo ro to P» P1 cπ o cπ o cπ o cπ
> rt 0 φ t CΛ rt z M co P o a 10 ^ φ a S! 3 N s> Hi P1 vQ rt CQ SD: Hi PJ P Hi CΛ d P Ei H Φ •p Φ Φ P- P- Φ rt Ei J PJ d: P- Di Φ 0 d φ 0 d PJ d P- d Φ P Φ P- Ω
Hi O φ P- P- P p- Ei Ei Ei PJ rt P 3 P E3 Q CO a P ES P Ei Ei E* &> P1 rt Ei ES T
CO Ei Pf ; 3 Ei El CQ Z a a Ei Φ Hi rt Φ Φ P- a vQ vQ vQ a Φ a P- a DJ
O P- PJ rt co Φ rt P- » a P Z a O < Ei H) < EG φ ω ω P Φ vQ Φ d P1
DJ CQ Ei P > El P P- Φ PJ P- PJ Φ rt P- Φ PJ P a N Φ d φ P φ P1 El rt
Ω Ei O P a Φ Pf PJ ES Ei Φ P" a co PJ: P P- N P P1 P1 Φ d Ei Ei Φ vQ DJ rt E Ei P1 Φ S P- d P1 ** P- CQ Φ d Er P- P- Hi er P- P co φ a ET CΛ f CQ Ei d φ N Φ Φ P PJ Ei Ei co Pi Ei P φ EP PJ: Ω Φ : P- Ω et f £ φ TS et vQ O
Ei Ei Ei vQ vQ vQ o Φ Z Φ a o P Φ P1 Er P vQ Φ Er S PJ rt DJ P φ P Φ P vQ Φ M Ei co P Φ 3 P- rt Hl P rt rt d P- PJ Ei P Φ vQ vQ P- O 3 a
-3 ro α Ei P1 Φ Φ Φ α P Φ J P- Φ EJ Hi Ei rt z vQ a O P- Ei Φ Ω Ei SD: ES er P- Φ φ et 3 P- P- O Ω o ES ES Ei P- d: Z vQ Φ P- ES Ei ES Φ CQ ET P- E φ < Q Φ Pf H p- Ei φ 3 ET φ ≤ a a CQ P P- P φ Φ P- Φ Φ rt rt Φ co Φ Ei
CQ Φ P. P- rt Φ 3 φ P) Φ 3 P- T. P ω Φ rt -3 Ei Hi Φ P Ω El vQ φ P) d s 3 P P1 PJ CQ F vQ CO P- a a Ei Φ a Φ a rt P1 P- P- g s; Φ Φ ET Φ et d P PJ Φ O P- vQ φ Ei 3 Φ Φ vQ P1 φ P- • Φ Φ E) CQ Φ P- P- P1 P" P1 Φ EG Ei
N co Ω rt o Ei CO Ei CD: P- Φ φ PJ P CQ CQ a P Ef Er 3 P- P 3 E5 a rt Φ Ei PJ
Φ ET Φ Φ Φ d rt et P- vQ CQ vQ co Φ φ Q Φ Pf φ 3 σ
ES Er P Φ ES d rt P d P- E3 Ei rt ΓJO Φ 3 Ei Ei S P Z OK φ CQ Z φ M er P
Φ Φ P- X Ei P- Φ Ei CO φ Φ J P) 3 N Ei PJ -> rt ?ö d O d P" Φ Ei H o
& P P- J et er O Q P vQ Ω ES rt Ei d SD: d a vQ Φ 1 ES E E PJ a P rt Φ φ er
P- J ES P1 Φ Φ O Ω Φ CQ ET P- a φ &> 3 Φ ES P- CΛ vQ Φ er P- a Φ 3 P- P1 φ O Φ CQ P CQ ET Ei Φ Φ CQ co co P1 Φ P Φ Ei Hl rt Φ P r φ Φ Φ rt Φ
P Ei P- PJ Φ P1 Ei rt Ω PJ: φ O d rt a d: P Ei a Φ DJ: Ei Ei φ 3
P- vQ vQ CQ Φ rt P ω "d Φ PJ ET Ei 3 EG φ i O φ P d Φ Ei Ei t-i Z rt P P1
ES Φ H TS Ei N P- φ f £ P Φ a Φ PJ co iQ P 3 Pf < Hi vQ φ f P- Φ φ
LJ. o
P O P- φ co 2 P1 et PJ f d φ El H PJ Φ Φ et O P- S P- P- O: φ Ei co
P- d &3 El S Ei P- PJ a P et Φ P rt- er 3 a co a P- d Ei Ei PJ vQ rt Ei Φ
N Hl Φ Ό PJ φ et CO O Φ Ei S d co P1 rt Φ P- Φ E) P P- vQ ? d ES rs Pf 3 3
P- φ o Q PJ P Φ Ei P PJ Ei Φ Z CO co P Φ Φ Φ φ Ei φ El Φ O φ O: Cπ
Φ Ei L I H ES P1 rt P Φ Φ P- <τ) rt vQ ES P- P- rt Ei P P Φ P- vQ Ei 55 3 El vQ
P Φ PJ Φ CQ Φ P- P- Ei PJ PJ Φ • P- rt a s: P- N Z CO rt rt r+ CO g & rt P1 et z Φ P rt O PJ S P- P P Ω φ Φ P- s; Φ rt • Pi Φ CΛ p- Φ P-
Φ φ 3 P- Hi F P1 φ P- P- PJ P- P P a Φ Φ o z Φ Φ a P1 O i Ω
Ei P PJ CO Φ f Φ 3 Φ 3 PJ rt φ CQ Φ co p- Φ φ 3 t?_ H Φ Φ PJ P- DJ ET a Ei P- P" φ P- O i- Ei PJ P1 P1 rt P rt Ei co CQ a P f O φ d .
Φ 1 Φ a P- rt ET O > vQ Z φ PJ CQ EG Φ rt ET d et O a P Ω
Ei P ß d Ei P* PJ a El Z Φ 3 Ei rt PJ P1 DJ Ei P- PJ !X) P ET Φ rt ET ^ φ • d rt φ ES Φ PJ H P- Φ P- CQ φ a PJ P1 ^ P- P1 a ω d O O Ei P Φ f Hi • z vQ P vQ Φ rt P Φ Ei El er O Ω er rt H, P" 3 Φ Z O P et O co Φ < CQ M P- Φ P- a S rt a a P" Ei E N rt DJ Φ Λ Φ P ES
P d T3 σ P o Φ P- o 3 CΛ o rt Φ o Φ rt a Z Hi P P i H Φ P O Φ
O P PJ P- a P E) P- Φ O 3 Φ H vQ co P- J er P- Φ Φ P- P- P- ES a er P
Ei Ω P1 Φ Φ N φ s: φ P- P- d P- P- P- er rt f P Φ P- P rt ω d ES o Φ P"
Φ ET rt ES d f P- P E) ES ω EJ Ω ~- H Φ Φ rt Φ rt Ei rt P- Ei Z O i Φ Pf
Ei d CΛ vQ rt P d φ co ET rt P1 P- P P- Φ Φ Φ •*« Φ Ό P- P « 3 O:
Q- Ei "P Q- o P f El Ei PJ s " φ Φ Φ rt P El P P O P φ P1 Ei
-— P- vQ P- P- PJ O P vQ vQ d OJ vQ 3 M H Ei Φ Hi P- d P1 f ES co O Ei er φ Ef φ d Ei Ei er Φ Pi rt P a Φ P- Φ rt- P P- ^ f CQ Ei DJ d 0 CO Φ
N a p co Φ iQ PJ Φ Pf Z Φ O: PJ Ei Ef 3 co Φ ES O Φ rt vQ P Ei i Ei s: co Φ o tr1 P Ei d P O ω P P o rt s; Φ TS a Ei P- P- vQ d: a 3
• rt P P1 Φ P- Φ Pi Φ Ό P- p- Φ ω CQ P- Ei P > d rt ES a a co P J P- a J PJ P- Ω PJ P- Z P- •P o P) P P rt φ Ei Ei PJ Φ Φ Φ P- Φ o rt P- t-i P φ P rt ET d EJ Φ rt Φ rt P1 a > f Ω z vQ Pf P P φ P- S CQ φ
PJ f P" P- d rt P Φ p- CQ H • CQ φ W d P- T φ CQ et ^ P ES PJ OJ
1 Φ φ o ES d • CO CQ rt <l Φ P \. Ei co Φ Ei vQ O iX rt Φ vQ Ei Ei φ
Pf PJ vQ ES Φ o Sl Φ P- vQ rt ES a Φ Φ »Ö d Φ ω ES φ a P
1 rt CQ vQ α Φ Ei ET PJ: P « El Q a d 3 P -P co P- Φ d Φ 1
P- 1 " P- ** Ei ET 1 φ Ei DJ: 1 1 I I rt 1 1 1 Φ 1 Φ 1 1 vQ 1 1
co ro ro P1 P1 o cπ o cπ o cπ
^- er F EG N H Q s; φ φ o a o F Φ z er rt rsi LSI EG J N CD α * a Ei σ a J Φ P- J Ei d PJ Φ P- P a P- P- Φ P- P- Φ P- Ei Ei PJ F d PJ 3 PJ Φ P F P- P- d
Ω Ei Ω F » Ei £ P- E3 ES Φ Φ Ω P- Ei P P- co rs £ P1 CO vQ d f ES O CO Ω Φ i
ET Φ ET er vQ Ei rt Φ P ET rt Φ f Ω Ei Ei er co φ Φ et EP ET co vQ
3 Ei PJ > Φ F F d P d Ei ET CΛ CΛ P- fO Z F P- O z Φ CO rt Φ co
DJ Φ Φ a co P D DJ: F Φ P- Ei P P- φ Φ Φ σ Φ Φ EJ P P- Ei φ 3 rt
Ei o φ P- φ O CQ O: P- Cfl vQ co vQ φ vQ 1 > P- σ P- 3 Φ P 3 PJ ω P
El o P- rt o CO P- F rt CO Ω rt O co Φ a Φ ^~. rt • CQ φ Hi f vQ p- vQ Ό PJ: et Ei Φ a Ei PJ P- et E Hi Φ Φ T N P f H D φ Φ Ei a d CQ 1 3 Ei P- vQ
CQ P- φ P Φ EG ω Φ • Φ PJ: F F P d P- O H P- P O rt- Φ ET OJ ^ PJ Φ Ei Φ
P- φ P PJ Ei o P P ET φ φ vQ O — . Φ • Φ vQ co d P 3 J vQ rt Ό P
ES P o z F P- φ d — P- f Pf vQ Φ φ 3 < Φ P rt rt Φ f Ei P- O — a d o P- CΛ er Ω 13 ES vQ et et P P- Ei Φ H CΛ 03 P- 0: er P1 El et Φ co F
Ei et φ F ET vQ
Figure imgf000008_0001
a Pf P P O Ei H l O Φ vQ EP μ- N O rt Ω J a
OJ vQ P- Φ Φ rt co d Φ O O P Φ rt EG P- CO Ei Φ o Ω d F P P- ET P PJ d Φ Φ EG P P- P- 3 Φ P P- Ei ES Φ 3 Φ • PJ Ei o Φ P er T PJ o Φ P- CQ O Ei P vQ P> et H Ω P- P- Ω rt P- Φ Ei 3 P1 co Ei rt- PJ Φ Φ Ei Φ Ω Ei co d O o Φ Φ E r Ei Er fl Ei co O td er a PJ Ω μ- a P- ET P- φ a CQ Ei a F P P Φ CO Ω t i φ φ φ P1 a Φ CO F Er • E) - Ei Φ EG φ Ei
Φ P- vQ ι-3 vQ o P J C-) a O ET H, Φ ET P P- Φ Φ P P- CO rt Ei φ Hi vQ PJ P φ
P Ei φ φ O d O S Φ s; d: Φ P J P- CQ co Ei Φ a P J Φ £ F rt P a 3 S f 3 Ω a 1 S P- P- E 3 rt co rt a cπ Ei Φ f Cß OJ er Φ vQ
EG P- <! • PJ ) T o Φ Ei P DJ vQ d φ Φ £ vQ O P ET et Φ rt F ES Φ
P> Ei rt φ Ei vQ o o M et Ei P P Er P PJ Φ N N d O 0 rt Φ Φ rr
F d P ^1 Ei S H a rt P- a a • 1 O φ P Ei Ei Φ • CQ d i ET P N P P- H P- er P H z φ Φ H Φ P- Ei P- φ > P Ei — ' vQ P- Φ vQ ro rt P- rt F CQ
F 0 φ P ET rt H P Φ er Φ Ei O d Φ Ei PJ vQ CD P- Pf Ei φ DJ Φ Φ Ω
Φ OJ a Ei Ei P- P- \ P PJ P- Pi Ei Pi P- CQ Ei El • E) O: a P- Z F P Pf ET
P- F a Φ φ CQ < o d d > EG φ co d: φ P- co Φ ES Φ LS1 ES Φ P- et rt co o φ P P Ω 1 E i P P) • vQ T a Ei rt- <! Ei CQ φ Φ P Φ P- P vQ φ a Ei er ET EG F vQ <! rt F 3 DJ 1 P P a P- Φ P- Φ φ CQ a Ei Ei 0 : σi
P D Φ • F Φ Φ DJ o O er PJ ^ rt P- S CO P EJ Ei s! 3 Φ l_l. Ei Ei rt φ P J P- P F P Φ Ei a F vQ rt OJ vQ Ei P- a o P- OJ a Ei f P- Φ O
Φ P- EG co er • P- Φ Φ Ei d f a Φ o d Ei d: er a Ei F • O: N Ei rt
Ω o P- CQ iQ T) F vQ Z P P- Φ Ei et P- ES P ES a Ei CQ Φ 1 Φ Ei P- p-
ET Ti T Φ Φ Φ Φ S Φ rt rt vQ O φ 3 a Ei co o P > Pf o Ei Φ Pf vQ
Ei P- F P Ei Φ PJ P- Φ P- F φ P- P -2 PJ o EG rt o P1 Q d et φ Φ P O- Φ
O φ o P- CQ rt rt rt PJ P co a co Ei -• rt PJ Ei F rt Pi P P El rt ES P
F F P f CO vQ Φ Φ Φ a Ω φ < • 1 φ P- F 3 a rt PJ CQ O ES Φ
O Φ PJ P- P P CQ P d φ ET P O 1 t P φ er PJ Φ Φ Ei Ό El vQ £ Z Φ Q Φ Ei Ω Φ O P- Φ Ei P- Φ Ei a O z P F vQ P a PJ CQ 1 OJ Φ ES d
P- DJ P Ei ET rt a < Ω Ei vQ Ei S rsi 1 Ei φ rt Φ El Φ a φ P1 • ^ et P ES
Φ d H, *» Φ Φ ET Q er d er N P- Φ P- Φ φ CQ rt J Φ a PJ rt
Pi o PJ a P P D rt PJ £ co P- d Φ co Ei rt rt er P d M Pf P Φ Ei Φ
<1 N P1 CQ d d z er O P d Ei rf fl o P φ Φ P- Φ a Ei P- et μ- i IQ P
P- d vQ O Ω P H φ Φ rt PJ: Φ 1 DJ: rt rt o P CQ <ι vQ Φ vQ Ei O PJ • Ω Φ
Φ Hi Φ Hi T Ω Ei ES P- P- vQ ES P) Ei N PJ P PJ a Ω o 1 CQ P F ET
P1 DJ Ei Φ ET CΛ a co Φ Φ O a d d PJ El φ J ET P ^ a vQ P- F L I
Hi o • P CQ er Φ >P P P ES Φ o rt rt P d Φ N J φ φ P er φ P- Φ
DJ: CQ Ei Ω W • Ei P- d co Φ Ω P- P- Hi d f F P O Φ Ei Φ Φ
F φ σ Φ ** Φ P — . O Ei Pi O ET O Pi Ei PI vQ et φ EP CQ E 3 et S P- Φ 3 D F vQ M d: O Z Ei Φ 1 to H et O Pf LSI Φ Ω 3 Φ PJ
P- Φ P J P- ≤ co Φ F a P1 P Φ Φ P a PJ \ P et d P T P- Ei Ei Q Hi F CΛ Φ P- s; Ei Φ PJ J Ω Ei P 0 CQ < vQ P co P rt a !
Φ D DJ O er P- φ Φ f co CQ a Z ET o rt P- PI P <J P- rt vQ Φ -3
Φ Ei P J -* ö P- co et co CO P- PJ co d 3 P- CQ 1 O: O Cfl OJ: 1 P- Φ P- P- σ 3 vQ a Ei 0 N CQ rt P Φ Φ co φ Ei PJ Φ EP P Ω Ei cr P- S <i
O φ Φ a o rt Φ Φ O CQ El P1 a vQ P < Φ 1 ET a rt Ei φ
1 vQ P p- P- d Ei P- N 1 Ei rt o P Φ Φ Φ a PJ
Φ 1 vQ Φ öd 1 Φ Ω d Φ Φ Ei Ei ' 3 Φ d 1 Φ 1 Ei E 1 Ei Ei
tierstoffe bekannt, durch die jeweils eine n- bzw. p- Dotierung erreicht werden kann.
Für die Schicht des nichtmagnetischen Halbleiters können prinzipiell alle nichtmagnetischen Halbleiter verwendet werden, z. B. Gruppe IV, III/V und II/VI-Halbleiter . Besonders geeignet ist Silizium sowie Si/SiGe zweidi ensionale Elektronengase, da diese eine geringe Spinstreuung aufweisen und nur geringe Schwierigkeiten bei der Miniaturisierung des erfin- dungsgemäßen Halbleiterelements auftreten. Als Dotierungen lassen sich beispielsweise Si, P, As, Sb, B verwenden. Auch diese Dotierungen sind nur als Beispiele aufzufassen. Es können an sich alle für die Dotierung von Halbleitern bekannten Stoffe verwendet werden.
Die Änderung des Widerstandes des Halbleiterelementes in einem äußeren Magnetfeld lässt sich insbesondere beobachten, wenn der erste Kontakt und der nichtmagnetische Halbleiter eine vergleichbare elektrische Leitfähigkeit aufweisen. Die spezifischen Widerstände p des semimagnetischen Materials und des nichtmagnetischen Halbleiters liegen bevorzugt in einem Bereich von 10~3 - 100 Ωc , vorzugsweise 0,01 - 10 Ωcm, insbesondere bevorzugt 0,1 - 1 Ωcm. Das Verhältnis der spezifischen Widerstände von semimagnetischem Kontakt und nichtma- gnetischem Halbleiter Psemimagn. pnichtmagn. liegt bevorzugt in einem Bereich von 1000 - 0,01, vorzugsweise 100 - 0,1. Bevorzugt weist der semimagnetische Kontakt die gleiche oder eine geringere Leitfähigkeit auf als der nichtmagnetischen Halbleiter. Die Leitfähigkeit von erstem Kontakt und nichtmagne- tischem Halbleiter lässt sich durch eine entsprechende Dotierung aufeinander abstimmen. Das Verhältnis der spezifischen Widerstände des semimagnetischen Materials des ersten Kontakts und des nichtmagnetischen Halbleiters spielt im Wesentlichen dann eine Rolle, wenn im semimagnetischen ersten Kon- takt keine ideale Spinpolarisierung (~100 %) erreicht werden 00 00 N> M F F cπ o cπ o cπ O cπ
CΛ vQ Ei rt rt P ^ P a vQ 3 er a er F EG P CQ a a rt a CΛ a O ^ F F σ P- CJ. co f
P F * P- P- Φ P- O φ P- Ei P- Φ Φ P φ PJ φ Φ P- φ Φ Φ -p Φ PJ J PJ P- P- Cfl P- P- PJ
P- Φ J Ω co P Ω Ei φ Φ rt CQ co DJ Ei F Ei 3 ro ES P- P P- P P Ei a Ω Φ rt N φ ES
Ei P- P ET Ω a T rt rt Φ Ω • tr μ- F ES Φ PJ PJ: d Er P- P ES J Ω J rt ET P rt PJ Ά F Hi Φ et φ T F n_ 3 H Sl Φ F co El F F P er a Φ rt • d ET F 3 Φ : d Pf φ φ Φ P- N P- rt s! φ Φ PJ Ei P- Ei PJ F Φ vQ 3 Φ PJ P φ co Φ F PJ Ei Ω P et F P- F ES Φ ES P- P- F vQ a Ei N w Φ CQ P- o Ei rt tu
P Ei Φ vQ f vQ a rt a Φ Ö φ P rt a Ei Φ Φ a d PJ F N rt rt er ES • F Φ p- F ES EG P P- P • P φ a Φ o Φ Pf P tfl d 3 Ei Φ d P PJ PJ P-
Ω P3 Φ PJ El a ES 0) El a > P P rt et Cfl P- Ei PJ P P PJ a Ω < σ a
ET Φ er et F vQ Φ vQ H •p PJ P Hi a a μ- P- et ES vQ PJ: F ES Φ E o P- d P- rt P- N P- er P a co o Cfl CD ES Hl O J Φ Φ Cfl O PJ Cfl d < fl 3 rt ES Φ ES a d F z CΛ F Φ φ vQ Φ rr P Ei co F ω er P Ω ES Ei SD: et EP F P Φ •Ö Φ vQ Φ S Φ . Ω Φ P- tfl El φ F OJ Ό vQ Φ T a d P φ J CO P O N rt d F CQ DJ vQ Ei T P- S F P φ a F er DJ et EC ES F Φ P- EP (D: P a P Hi P Z φ Ei Φ rt F
P) Φ rt Φ Φ ES P- Pf P- F Φ F CD Hi J Ei ES a Φ vQ φ d P- d: rt Φ rt P- P φ a vQ Ei ES Φ CQ f P- Ω et Φ Φ <! et P- F DJ a Φ P Φ Ei Ei Ω vQ P- Φ rt K P
Φ Φ rt P et Ω ET P F o P Ei er F d P^ a CQ Φ P vQ ET d μ- 1 ES P H, vQ
Ei rt P- EG • CΛ P E et O Φ Φ P ES F F S O Φ CO Α CQ rt Ei 3 CΛ a vQ PJ: Φ CΛ
P Ό J *Ö O rt Φ Ei Ei Ei N vQ > φ CQ vQ Ei Ei ES Φ φ rt P vQ Ό φ Φ ET P V Q PJ PJ F s! P- ES 3 rt Φ Φ d er P- co rt P- £ P F P ES **« ES P- P 0 P- μ-
Φ vQ P er PJ: E5 Φ PJ < ES P > vQ a rt- P- rt OJ Ei Ω DJ Hi a P>: vQ μ- Ei d P vQ P- ES
CO Φ PJ F ET Pf El vQ vQ P rt Φ PJ: φ ES P f P- ET vQ O vQ z Ω f ES a f ES O
PJ Ei F Φ P PJ co Ei DO DJ Φ CO P i P J et Ω rt S F rt Φ a o ET PJ Q E» Φ o
3 F μ- Φ ES *P Φ Φ F rt P a vQ φ tr Ei « ET 3 Φ vQ P P Φ tr rt ES Φ P- a F rt Z Φ rt Ei PJ P- rt P- F P- P- P- LSI P- F φ CQ rt- OJ rt rt PJ CQ Φ 3 DJ a rt rt Φ (D
Φ P- F φ a F Ei P- 3 Φ CQ Ω Φ Φ vQ φ P- p Φ 3 vQ Hi Ei 3 P- PJ F φ Φ ES P
Ei P P CO co CO Ω ET Φ Ϊ 3 a O P PJ Ei φ P- CQ P- CΛ vQ 3 co P a μ- a er o Ω G ET rt Φ 3 Φ φ φ P Hi vQ Φ F Ei Ό rt "P P- ES O Φ El co
CΛ N <! ET a Φ ET er PJ φ d Ei DJ P- Ei Ei et O Ei rt a o P- ES Φ a sl CD Cfl P- μ- rt Z o S Φ P Φ Φ P Ei Φ Ei rt rt F Φ P- er P PJ ES rt Φ P- Φ Ω Φ CX)
P 3 • Ei Φ P E Ei P DJ > vQ P 1 C a vQ rt CQ T Φ et Ei CQ φ μ- F a a ES ET P
O : PJ vQ F d vQ F P- Ό d rt P- Ω PJ P- P- rt P- Cfl F Φ φ P- rt c
3 co CΛ er CΛ F F EG OJ F Pi a Φ Φ O Ei P- P CQ ET rt a Φ P- N ES Ω P d Ω 3 ts fl >P Φ •P φ rt PJ i Φ co Φ rt- P Ei El Ω O Ω Φ Φ P •P d Φ ET <! Q rt ET J vQ et φ P- P- P- P- Φ F vQ F *P CQ P- 3 Φ Pf ET T ET Ei a ES rt DJ 3 3 Φ Φ rt d rt vQ
P Ei ES a ES rt Ei er PJ CO φ α p- OJ Ei Φ J P Ei P P) 3 3 ES 51
DJ Φ 1 l- • F <! N F CΛ Ω • Φ ES Ei a Φ Ei EG ET Z PJ SD: « DJ ES vQ PJ Φ Φ vQ Ei P> El H OK φ o d rt Ό ET P 0): Φ PJ Φ PJ Φ F d PJ EG ES a vQ rt P
Φ d d Ei T σ P- 3 Φ d P- D SD: F Ei M EG F P El P F EP Ei J O co ES P- a
Ei S Hi Λ CJ- P- μ- rt P- Ei EJ vQ P- CΛ d φ P- PJ er PJ: a Φ Φ 0> F O Φ CQ
• * φ vQ Φ Φ CQ ES vQ co P: ro rt EP Ei El ES F F Pf F Φ F P F er ET F et Ω Ö tfl d P- Pf f co P Φ PJ i PJ: Φ μ- Z er φ Φ Φ Ei Φ Φ F PJ SD: P- ET
O F ES ES et Φ 3 ES vQ N CQ F P P N Ω P- F P- P- El P Ei F Φ d CQ CQ Φ ES
PJ φ a o P- P- er er P- a P ß rt φ f Φ d E P Φ rt E) PJ μ- F CD Ω ES c f P 0 rt Φ F 3 Φ O 3 P- P- φ CO rt- Pf P- Φ Φ P- σ Ά a rt P- rt- ET P a et CΛ P- ES z Φ DJ P EP vQ rt vQ 3 P rt P Ei E5 Φ d Φ d Φ o Φ EG
Φ P *P φ P- μ- P- vQ PJ: Φ d a £ F (D ES Φ CO P CO F ES P ET co P PJ CQ
P O P- Ei a 3 P er ES d vQ d P ES Φ PJ Φ iQ vQ P tfl vQ P a vQ Φ P- F •p
Φ El ES rt Φ Pf rt Φ Ei Φ EP Φ vQ CO vQ P- Ei P- F F P- co co ES Ω EG er P-
Ei Φ P- P Ei et et a i φ Ei ω i Ω Φ Φ : Cfl Ei Φ P Ω d rt rt • ET PJ F Ö
Ei J Φ P- a p- d P φ £ Φ Er rt P- er P Pi P- P) ET S P Φ F φ Ό
> σ P CΛ Ω Φ P- co N vQ φ 2 F (U rt Φ μ- ES Φ Hl F Ω Ei rt a Pi: ET ifl PJ er P- 0
Ei Φ d rt ET P- Φ Ω d El P- Φ vQ Hi Ei Q Φ P O d T CO d vQ φ P- ES F rt F
N P- Ei P et Ei ET 3 <! f Ei Φ Ω CQ F co Φ O Ei P- Φ ES P Cfl Φ Φ J
PJ El N vQ O 3 φ > Φ CQ £ Φ et φ F P3 Er Φ vQ co Ei o vQ 3 P Ω P- P P
E Φ d Φ 3 DJ P El PJ= P- PJ PJ P rt a Φ Φ PJ: p- rt P N a ET rt μ-
F P Ei vQ G co d ES 1 d O H, P- ES P S PJ > rt a PJ 3 Z Φ PJ Φ P- 1
P- E* Ei 1 EP a CQ ES Φ vQ 1 EP Φ Ei d El Φ ES P- Φ ES d P ES
3 Φ 1 Φ Φ F Φ Φ Ei d Hi 1 CQ 1 rt P- I Q 1 1 1 Ei I 1 1 Ei
co co ro N> F F
Cπ 0 cπ O Cπ O Cπ a F CQ rt F a Hi tfl f PJ «X» a ω J σ PJ cfl Φ ffi P CD CQ fl a P £ 0 d Φ <i Φ PJ d Φ rt Φ CO d Φ Ω ro d P Φ PJ: P PJ d P P PJ d PJ Ω rt Φ d φ P- 3 P- 0 P er
P P- PJ P rt P f T P Ω μ- F P N Q Ω ? F F P d ET PJ rt P Ω Φ P F ET Φ Q rt P Φ Ω et Φ ET P F a d ET F PJ: er VQ Φ Φ P • vQ T F F DJ: P
Φ Φ a F a E Φ s; N ro Φ CQ £ tu: d F F P a PJ er O > Cfl F
P P Cfl Φ P- α ro Hi μ- P Φ 0 PJ P rt- Φ a Φ Φ s: a P Φ σ P et rt P
Φ 3 Φ tfl P Φ Ω p: Ό P d E a P d Φ P- Φ 3 ! CQ 01: Φ P- 0 Cfl PJ: μ-
Φ F a φ F P- •Ö ET P μ- d P φ Φ a P P rt P φ O P1 co ω er o\° rt P Φ Ω
P φ Φ P ≤: φ Ω O Q Φ P vQ P F Φ Q rt (I) P P a H 3 PJ μ- a P- Er
Cfl 3 Cfl rt- μ- Pf ET F ro a F φ • F P φ P D et rt d Φ s: d Ω Φ φ P- P rt
Φ Φ co a et rt- J F φ F co P Φ a Φ PJ P P P- co P* P vQ vQ Φ rf P CD Φ P P z P Φ F P- Φ F er Cfl a Pf Ω a a rt P Φ P P
N rt 01 N P O co P- P- F E PJ Φ Cfl £ P PJ Φ Φ μ- et ET Φ Φ φ a P Φ
Φ d d fl P O fl P F PJ: P d rt rt 0 a s; et φ CQ cr P a rt P- Φ O P
P cn Φ 3 rt ro p- f P CO Hl N a er d P- N a Φ co Φ Φ Ω to CΛ O P
S F P- J P PJ φ P J CO er rt a Φ ro P P P >: er P- P- rt- P ET •P co φ a Φ P P d P P P rt- Φ 10 Φ PJ F 0 vQ Pf P P Φ Φ 3 PJ ü* rt s P- P- P s- 1 3 a a CQ d iQ CO Q d P T F er CQ et vQ a co P Cfl P μ- P rt CQ
SD: φ 10 vQ P ro Ό co Ω PJ a Φ Φ PJ et • Φ rt CΛ 0 a P- a s: a •P P- z
ET 0 P Q OK Φ iQ P O μ- ET P F P Ω P Φ P P- •p £ Φ Ω Φ Φ Φ O <! φ
P a rt rt P •P P Ω P rt P- N ET PJ tfl P- d P- Pü Cfl P" P P P F Φ P
Φ Φ Φ a P a Φ rt E OK Φ Ω P d rt P CO P P 3 P 1 d a co PJ P rt
P P CO P- Φ PJ= Φ P P P ET P- P Φ CQ φ vQ rt O μ- vQ P Φ rt P a P P vQ P H, < a f Φ Ω rt Ό < CQ O d P P vQ P pi P- £ N
(-3 P et 0 O PJ et Hi er E tfl ro 0 φ a Z F P d P co DJ P
Hi £ co a P CΛ F P CQ H, Φ rt P P P P CΛ Φ P- PJ a 0 P a a H- vQ P d: !Λ O Φ vQ CG •ö vQ N Φ P Pf rt CQ Ό co P P £ a Φ Φ Φ P P-
P 1 P P- P- rt F Φ P Pf d PJ F 2, rt μ- a μ- F Sd F Cfl co P Φ 3
CΛ Pf a P P O: P et F PJ: P- P Φ P s: Cfl £ 1 Φ d rt 3
O rt PJ 0 Φ a CQ P- Ω Hi r Φ Φ o P a d P* Pf P- μ- PO iQ 33 P- P O rt
£ P P P co " P ET P- φ P P d ro P rt- PJ a z Φ 1 d Φ P- 3 vQ c ^« vo
PO d P O: z Φ P co tr P P P Φ μ- P tfl P P α μ- r EP φ μ- Cfl a P a 0 a ro vQ co Φ co PJ P P d Hi a a Φ P a a co d rt a φ P φ 0 P- P d Er a P- CQ rt P- μ- F CQ a P Hi P μ- φ Φ rt
P d PJ P Hl Φ P P P- Φ Ω ET PJ P Ω co rt- vQ Φ F <! Cfl Ω P P Φ a P co 0 P- er a CQ PJ iQ φ Φ E Φ P φ T J er Pf £ 0 rt CQ μ- φ P P Φ PJ φ P co P- er P P a μ- P ro a et PO 3 P> et F rt vQ
F P 3 a a μ- co 3 Z vQ er a Φ SD: J co £ 3 a P- Φ 1 P 3 Φ OJ rt
£ J P d 3 CQ Φ Φ Φ d 0 P P SD: 0 Φ CQ co a CΛ £ a DJ P- P
*J H- vQ d P Ά P 3 P P er vQ P a a P a P- rt φ Φ vQ rt a a
P P P vQ F a J a PJ: Ω PJ CD Φ a Φ 0 μ- a Φ N Φ P Ω co P d • Φ φ vQ co PJ P- F Φ EP co ET Ω P N Φ F Ω Ω 3 z d ET Φ P P
Φ er rt vQ a Φ F P Φ P- ET a O P F p ET P Φ : ?T PJ er rt vQ H
Z Φ O a Φ d • P PJ rt vQ d <! ""« rt Ω ro μ- P rt P Φ μ- Cfl 3 s;
Φ CO P Φ 3 P σ 1_I. EG a P Φ Hi Φ P 0 3 E P rt a d P- P co Φ μ-
P- rt Φ co Di: vQ Φ Φ 0 PJ co rt d= P vQ P a PJ Hl Φ Φ P CQ P Ω F F a
F μ- CQ EP 01 0 a d F 0 φ P co PJ vQ Φ P- P P Φ 3 T ET Φ a Φ O 3 P- 0 Φ et r 0 P er ET P s; ≤ rt co P P- P d P d rt Φ ? Φ P
§ CQ ro P P PJ Ω Ω F PJ a φ μ- Φ CQ Φ P a Hi P o P rt DJ co
[Sl et rt CO J 0 ET Er Φ d sl P- P Φ F rt Φ d φ iQ d PJ P F rt z Φ P- PJ EG P T P- F μ- φ a a F α μ- P P P a P EG 0 N PJ
Φ P <! 3 PJ co rt φ a rt P- a Φ Φ d Φ co < vQ P a rt Φ Hi DJ P d P
P- Φ rt F O ro P- P- Φ 0 Φ tfl P P P P Ω Φ fl 0 Φ Φ P F Φ CQ a
> Z er 0 rt P Φ P Er P P vQ vQ ET P iQ 3 CQ P φ er P rt •
Hi P EG P- F P φ Φ Φ φ co Hi f μ- 0 Φ 3 φ OJ O tl* μ- F J
Φ s: PJ a Φ et P co F rt P- o-. er N tr P P- 3 vQ §1 Ω P P φ Pf P £
P Φ F Φ P- P et Φ £ J P P rt d Φ P PJ: P μ- ET a Φ μ- J a PJ
P P er P 1 tfl PJ P) 3 0 P a P P P a EP φ a Φ Φ 3 rt P P o 1 1 1 Hi 1 P Φ 1 a d φ d Φ Φ rt ro P- 1 φ P er
1 I 1 P 1 P P P I P P- P 1 P Φ rt vQ a 1 1 μ-
00 r ro F F
O cπ o cπ O Cπ co <i P^ £ CO CΛ P co EP CΛ et CΛ Z co a CΛ tS) P co 3 a σ EP S a F •p a P^ vQ 3 o O O DJ et •p φ μ- φ Ό Φ S φ rt Φ Ό ro P- Ω μ- Φ Φ Φ o p- μ- o ro o φ PJ σ p P vQ PJ μ- P- P P P- P H- P P Q P- ro co T rt co P P P vQ Φ F Cfl P 3 iQ
N rt P P P Ω a P P P a Φ P 3 P- Φ rt F vQ PJ O rt DJ: P
P d PJ Φ a o E co CQ Φ d CQ Ό J ro P N tu: o f DJ P- rt P Φ PJ EP Φ
3 f rt φ O z rt Φ rt rt F Φ o P P d d P O: ? Ω P- P Pf Φ rt rt et Hi co F <! CD φ P P P φ SD: 3 F 1 d £ P EP DJ P rt ET N CQ et P P-
Cß Φ PJ O Φ co Φ N Φ P P p- PJ 2 P PJ φ Φ a P P P- CΛ CQ
P- F a P P μ- T C Φ d vQ 3 P P- vQ rt Er P Φ s; Φ P Φ V J 3 O
3 F a Φ P- PJ P P d £ Φ PJ μ- < Φ 3 Φ a P P- P tu: P μ- d DJ ET
P- co co 00 CΛ F P vQ P PJ vQ CQ ro a P φ P Φ Φ Hi Ω rt P CQ vQ Φ tfl Φ er μ- Ω er vQ rt Q rt er P PJ PJ Φ μ- P P a Q ET co P
Φ vQ Φ ro φ P ET • Φ Φ Φ rt d P PJ a £ Φ P CO Cfl Φ Φ W
P Φ O P P 3 μ- DJ tu PJ P rt rt μ- -^ F Φ PJ ω P a rt μ- o μ- rt o φ P er Pi P Ω d P CD d P- P p- o tfl P vQ p Φ P ET P 0 P p- PJ P- P F ET Ω Hl Φ Hi J PJ co P ro F μ- P P- DJ P Pf a P Φ P rt
Ω P- Ω P vQ Pi: rt T 5 P- "* F vQ Ω P ro P > Φ P d F Φ Φ l 3 Φ DJ
ET P T a Cf a Φ • ro T N Hi ?r P rt * co μ- μ- CQ f rt d d CO μ- a P- EG a P Φ d o rt PO CQ Hi o Ω P Ö tfl co P- et
< Φ P P rt- Ω φ Cfl PJ p- £ • P F P μ- a Φ F a ET Φ PJ p- φ CQ Φ
O er P vQ a Pf d Φ F Φ P ro vQ o Ω Φ F DJ Φ P CQ P 3 rt
P E • co co φ r+ P er 1 σ £ P rt P T E a P 3 z P- P- P
CD: vQ a P- P F -> F Φ r P- PJ P ro rt P Φ P- a er £ p- 3 <! o
F P tn φ J Ω P- Φ P- PJ Φ et ro a P d P Co CO P (D φ DJ P PJ Φ rt σ vQ Φ 3 3 E a Ω P- P- P F Φ p- d * P P P- P- Cfl CO rt- f vQ P Z
P- Φ tu: p- Φ ET cn rt Φ rt CΛ P Ω P vQ vQ er Φ Ω co o Φ P P Φ er vQ P- E rt P- co rt Φ p- •p P- T Ω DJ Φ P ET P P P Φ EG P
P- ? vQ Φ 3 iQ P CΛ vQ P- P) φ E F a a co d rt a a P- vQ rt PJ a
Cfl φ P P P co P a P *P Φ P F P CO φ Φ rt P μ- Φ DJ P- F μ-
P- φ PJ > φ O: P- P- CQ Cfl CΛ o Cfl to μ- vQ 3 Φ P F Φ Cfl er vQ
F rt - o F F rt EG P1 F 3 EP φ Z P EG rt •P 9 DJ Φ P o F μ- O
Φ PJ Φ Φ P- Pi PJ P a co P- a F , ^ 3 z vQ F P a P ET Φ ω
<5 F N vQ 3 P C Φ F F Φ u o P ro CD o rt P- P OJ ro φ Φ μ- μ- σ 0 C er d Φ J Φ •p P- er d ET F Cfl P a P • P Φ a CD CO co P rt P
3 Ω F 3 vQ P- H Ό F F φ F rt Φ d a rt d Φ Φ a
P ET φ f ro P CΛ P P F Φ PJ= P rt P P P PJ co P- P Q N PJ: £ P
3 < P- μ- ro P- φ Ω Hi CΛ PJ: μ- P Φ Φ vQ f o P Cfl vQ Ω z d PJ Φ φ Ω rt P- P rt ET F er P rt vQ φ d G Cfl rt- P P- Ω CO ET Φ EP rt F μ-
P ET φ P ro μ- μ- P- vQ ro Φ μ- a d tr Hi CQ a Ω ET rt P μ- Φ Φ Φ C0
< Z et P ro P CQ Ω * Φ P P P- P ro F Φ E Φ P PJ: rt P P 3 rt o φ a ro Ω ET F a P- Φ vQ P d PJ P rt P OJ: P φ Φ μ- Φ
P P P- F : PJ ET rt P : P- <! z Cfl < • vQ o d P vQ f P P DJ P er
N a Ω ro P P φ a P Φ O φ rt μ- σ OJ Cfl CQ P EG CD P F rt ro d Φ Pf 3 a P P P- vQ P μ- Φ P- α P φ Φ d tu P P P^ £ H- vQ rt Φ ro Φ DJ: Ω Φ Φ ca PJ F Ω 3 vQ co a P P F vQ o u φ F
Cfl Φ P P P T f P- £ Φ er Hi f • Φ E er d= Φ P vQ P Φ a s; P rt- d Φ o Φ a P Φ P PJ Φ ro P- 3 O: <! F er P rt P Hi a ro φ a co P P P P Φ Φ P tu: Ω p- P α E o Φ ro . OJ Φ o P- 3
P- £ Φ vQ P et P P- Φ P Er a P μ- CQ rt- P P- P f rt P vQ
CΩ DJ fl μ- a PJ Φ et vQ vQ μ- vQ Φ Φ ro a Φ Φ rt tfl et Hi a F Φ φ rt 3 a Pf P F Φ Φ P P- CO P PJ 3 co a φ a co co CD ro P- P
Φ Φ Φ Pf et Hi P- P P Φ vQ D CQ Λ P- P- Φ P Φ F P Ω Hi
Cπ P P PJ: co Φ Φ O Ω P- a CΛ Hi •P 3 Ω P P P- d a F ET P-
O P- Cfl C μ- Cfl P ET P S Q <S Φ Ω H, d μ- J ET OJ co P CQ P- P
DJ rt to si P a vQ PJ et o P ET P- P P vQ Ώ er N rt rt Ω Φ a er F Φ Φ P- Φ μ- Φ vQ Φ P tu 3 P- N rt •p P DJ P Hi z Φ P T P- P
P- P P a 3 P P P O H CΛ Ω P- Φ o Φ d 0: F Φ F P P- P P o er Φ Φ F O: Φ 3 ! <s *p Pf φ P F rt O EP P- P- Φ 1 Ω Q
Φ P P to P- 1 φ Φ φ P- rt P φ PJ P- ET Φ Φ rt 1 ET co
1 1 φ Ω 1 P P rt 1 1 1 Φ rt 1
1 ET 1 1 φ P
00 00 ro ro F F cπ o cπ o Cπ O cπ
P 3 Sl φ rt Ö rt PJ P vQ cr a S! μ- o vQ CJ. Ό rt rt CΛ 3 Q P Q PJ CΛ Cfl 2 53 et σ
Φ J μ- P ) d Φ d o P φ Φ P- 3 P- F Φ P Φ Φ Ω O PJ Φ Φ P Ω rt tu Φ Φ Φ
3 Ω a rt Pf P P Cfl rt Φ P CQ φ Ω φ f P P P ET |XJ P 3 vQ T φ Ω vQ P P
-r Φ Z et Ω F Z rt φ P Er μ- et Ω et P- μ- μ- CO Φ Φ P- P ET Φ
P P p- ET P- a ro P- P- Si tr μ- Ω P- ET P PJ Ω a Pf P- O Ω N F > μ- Φ co Ω F Φ Φ P CQ rt P- Φ Ω er E o P F Er O: P P ET Pi Φ d Φ P
Ω P- et f PJ φ vQ 3 a Ω C0 a P ET Φ φ P a P P- rt o P φ a rt o P- 3 Hi
ET P P) Φ Cfl P- rt- P- -T Φ Φ rt P- P P- CD Φ ro F a P P P P P Φ Φ er rt ro P F co P P vQ Φ DJ P P- 3 P- Φ F P P μ- Φ Φ Φ a et Φ P- P PJ
1 P a P φ φ a P- φ P d co et PJ < CΛ P er rt P P P- rt Φ PJ P P rt- d
3 Cfl P (D Ω P CQ rt CQ vQ Φ p F tu <! J PJ P • CO φ co
PJ o vQ ET Er z £ P 0) P P P- a d P Φ d P o Φ rt er P a Q P P- a co Φ φ rt φ PJ φ P z Φ z P Φ P P P Q o IX P φ ö P Φ F Φ
P o 3 Φ P- Φ P 3 P- et μ- a φ rt φ *P P P P- z ? P- rt P- P- P- PJ <! < SD: CQ
Φ Hl P Ω P- DJ co Φ Ω Φ P- μ- P o Φ Φ φ CΛ μ- a s: P φ Ω d O P- CO rt d φ P" vQ PJ vQ φ P ET co rt CO a F P F P P μ- a P- Φ φ ET CO P φ Cfl Φ μ- ET ro P P P P- φ Φ Ω d DJ μ- tr Φ a F fl a 3 CΛ rt N F rt- P co P rt CO LJ. ro Φ F PJ P er P ET P P Ω PJ P Φ μ- Ω Φ Ω 3 a d N Pi
Ω d Φ Φ et CO rt Φ F a Φ Φ iQ P- ET P et N Λ E P CD tr J Φ vQ PJ co P- T P P F a ro P- P- a μ- o P CQ rt P PJ μ- μ- φ P- vQ 3 rt ET P- P φ Q P PJ: o Ω O P- er tr Φ P- 3 P- z d F Cfl J P Ω P Φ F Ω a
P CQ φ CQ Ω S3 ET Ω vQ Φ a tfl Φ EG μ- φ PJ Φ co φ 3 μ- Φ P φ E Φ CQ P ET d
Hi P CO ET PJ ET F CQ PJ μ- P tu P P vQ P P P N P- CQ P- et rt φ <! P
£ 0 rt- ET f Φ P- rt co P F ro P P Φ P a μ- P- P Ω a P- 3 > O μ- vQ
PJ P £ ω F Φ P Ω Φ co Z Φ er P P Φ φ Φ rt d s EG ET P- co P- P P P CQ rt 3 PJ Cfl PJ μ- PJ Er μ- P F vQ rt F co P P 3 J Ω Ω 3 co vQ
Φ vQ P- d a P EG et a P F Φ F P- SD: o ^< P- o s: F < f p PJ Pi z Φ
P er P Ω Φ ro Φ tu a • Φ Pf tu: μ- d P- CQ co P a P- er o Φ Φ ü3 d= P φ 3
P- Φ Φ ET F CO P F P- P P d rt P 3 Ω co DJ z • μ- Φ F P P P ET z μ- CD:
PJ CQ rt Φ er ro G P et φ P Er rt- ö p- a Φ a Φ P φ rt EP
F rt Hi a 3 £ er F er Φ iQ Φ P ro co ro F rt φ tfl N p- 00 Φ EG rt d P Φ Φ
• P- Φ tu Φ P - F
Φ Φ Φ φ tfl P F φ P co Φ CQ rt P PJ P P a P P
ET F φ P rt Cfl μ- P CQ Φ rt φ tr 3 P- P co Φ er F CO vQ d tfl rt a et Φ o rt rt rt P- "^ P DJ P- EG Ω p- ^ D 00 P P- F tr Ω CQ P Q 3 co er Φ P P Φ P a φ P ET P 3 tu ET F φ O: Φ • P CQ d F ET Pi vQ P PJ a 3 Φ P- a P tu Φ Φ P- O: P DJ F P P μ- P φ Φ O Φ Φ vQ f φ o o Hi PJ Φ f P 7t co co p P- vQ er a P N P vQ > tr ^1 P P- P P P P P
O: P a er P- F P X o rt ro Φ P F P- P d ro P F Φ φ rt- 3 N Φ
P μ- PJ P fl Φ O P- N P tu: P P Φ Φ φ φ 3 P φ d CQ P F φ £ O: Φ rt
P N Hi Ω P ro o z rt d Φ • Φ rt P- F rt- 3 rt 3 er P PJ P- Pi P O ro Z μ- T CQ Hi P P Φ PJ EP Cfl P- rt tfl a tö Er p- Φ PJ o rt co Hl P
P Φ N et TS d: Öd P- Pf Φ a ω φ Hi μ- φ P- co P ^ P Φ rt P <1 Φ
P- μ- ro ro P Φ N a rt et P Hi μ- Ω P Hi o μ- φ μ- μ- Φ P φ P Φ PJ CQ tu rt Φ et N Cfl z Φ Φ Φ d: Φ ET P- a CO P P d P ö P- P- P- N rt P μ-
F Φ P ro P- a Ω φ P P J P P Φ φ N Φ i a 3 **» μ- Φ P pi si • P- CΩ
F ro ro φ ET P- d Λ P P P- P μ- a o φ P φ F P- P- rt ro P F P P rt F P^ co £ Φ * ET Φ ro P- N IX z Φ CQ φ μ-
O • P F (U: ro PJ o J P- μ- 7i 0: P er F Φ • μ- P- F F d Ω P <
P P a Φ N P a P ro vQ P P 0 ET N Φ a φ d F d P ET ro φ
P- et ro z - d et p- P Φ •p P Φ Pf Hi d= CD "«• P P- P a ro P P
Ω PJ P ! φ d o P PJ P Φ o et P a PJ d= er P φ P P ~> tr f P P P- P P vQ Pf Φ rt >: F J • Φ P P F £ F Φ vQ φ a EG et et P s: rt vQ rt co et 3 Hl P (D Pf P P P- tu PJ F rt F Φ a « PJ
3 vQ Φ Φ Φ PJ rt Φ a P et CD rt- EG Ω d vQ CQ er tr P ro PJ F
OJ PJ P P P ?T P Φ o F φ μ- Φ CΛ J T Ω P PJ P- PJ 3 co er Q P a a • rt Pi: P φ a P co F μ- •p Co F Φ ET Φ O P 3 P F
P co ro d P vQ Pi 3 ro d tu PJ: P- μ- er P CQ a P P Φ a Φ
Φ CQ P o P Φ o p- fl P rt CQ P P F μ- Φ P- P- P Φ μ- rt φ vQ P P P F 3 vQ μ- CQ P- a ro £ d P Φ F Φ 1 3 1
P- μ- Φ 1 1 vQ PJ 0 rt P • P- tu 1 1 F P 1 1 P et 1 P 1 1 1 1 φ
sehe Halbleiter sowie die auch Metalle verwendet werden. Beispiele für geeignete Metalle sind AI, Cr, Ti, Pt, Ni, Au/GeLegierungen. Bevorzugt sind die Kontakte aus Materialien mit linearer I/V-Kennlinie, welche einen niedrigen Kontaktwider- stand erzeugen. Die Änderung des Widerstands im externen Magnetfeld wird dann nur durch die Polarisierung der in den Halbleiter injizierten Ladungsträger, insbesondere Elektronen, bewirkt.
Bevorzugt besteht der zweite Kontakt jedoch ebenfalls aus einem semimagnetischen Material. Der zweite Kontakt kann dabei aus den gleichen Materialien aufgebaut sein wie der erste Kontakt, es können jedoch auch unterschiedliche semimagnetische Materialien verwendet werden. Der Ladungstransport im erfindungsgemäßen Halbleiterelement findet wegen der geringen Abmessungen des Halbleiterelements im diffusiven Bereich statt. Die Spinpolarisation ist daher nicht von der Stromrichtung abhängig. Die Elektronen bewegen sich im Mittel zwar in eine bestimmte Richtung, dieser Bewegung ist aber eine statistische Bewegung überlagert. Die Elektronen bewegen sich also in allen möglichen Richtungen und werden dabei gestreut. Wird daher als zweiter Kontakt ebenfalls ein semimagnetischer Kontakt verwendet, ist dies gleichbedeutend mit zwei hintereinander geschalteten Elementen welche aufgebaut sind aus ei- nem ersten Kontakt aus einem semimagnetischen Material, einem nichtmagnetischen Halbleiter und einem zweiten Kontakt aus einem nichtmagnetischen Material, also der oben beschriebenen Ausführungsform entsprechen. In diesem Fall würde sich der Gesamtwiderstand R zusammensetzen aus 2 x R (semimagnetischer Kontakt) + 2 x R (nichtmagnetischer Halbleiter) + 2 x
R (nichtmagnetischer Kontakt) . Bei einer Ausführung des zweiten Kontakts als semimagnetischer Kontakt erniedrigt sich der Gesamtwiderstand R auf 2 x R (semimagnetischer Kontakt) + 2 x R (nichtmagnetischer Halbleiter), während die erreichbare Än- derung des Widerstandes ΔR im äußeren Magnetfeld gleich 00 00 ro ro F F cπ O cπ o Cπ O Cπ
P P > f μ- tfl J s: 7t co F F a CΛ N > P- co 7t CQ α φ P EG 2 CQ F P^ P 2 f er
P- o P φ o μ- d Φ o Ω Φ SD: P- xi Z P 3 Φ o rt p- P- o PJ m rt d 0 P- tu ro F
Ω 3 Ω F rt P Ω P P E P CO Φ P- Φ CQ § P (D: ro P 3 F a Φ P P Ω Ω μ- Φ
ET PJ ET φ a et tu "> CO P P- P ro z rt P PJ tr tr F P rt ET ET et μ- rt vQ a er d PJ F rt- CΛ H rt μ- P Φ PJ f 7t EG vQ F F Φ 0) rt tr
3 P er Φ Φ 3 a P f rt P- Xi F Φ Ω P- f Φ ro PJ P φ φ rt- F ? 3 Φ a rt
PJ Φ ro P μ- O: P- iQ rt- Φ P co P- P- P ET P co et P F Φ P- P- er rt PJ μ- ro • Q rt P- co iQ ro Φ co rt a P- P *P et d φ a P σ rt r P co J vQ P co
P P- CΛ i F P Φ Ω P- F 7t d P P P- Φ F F P- Φ φ Φ P Φ P Φ σ
Φ co Φ et μ- μ- Pd d Z 3 ET P tu: o P P CQ P- φ CO P P μ- P er Φ P EG tu rt Ω μ- ro φ Ω P- a 3 Φ CJ. P P vQ ro CJ- CJ. P P- Ω Φ P P- Φ rt PJ a
P- Er P d F tT Ω Φ P tr Φ Φ vQ rt P- Φ P- F p- rt ET F co Φ P P- er F d
CO φ Φ ro CQ Φ ET P F a Φ P- f Φ tu a P a N Φ Φ φ Φ CD •P P F CQ Φ tr P
Ω P P P s: et ? 00 ro P- P et f φ Φ o P- P P P 3 ro ≤ Φ PJ Ω < F Ω
ET d Φ > P er O P fl P- et co Ω Φ P P- φ Φ N μ- F tr 0 ro tr
Φ £ > P μ- P P J o v 'P 0 O < ET P 0 co F £ P P- Φ Pf F Φ P μ-
3 u P vQ co Z vQ P P- o P 0 Φ PJ: o rt 3 rt φ tu rt- ro PJ CO P N et < rt co Φ Φ *«* iQ a Φ F P- d P er tu 3 rt co F O P d φ Φ
EG Φ Hi ro P Φ Φ ro F DJ PJ er P EP N P- Φ vQ CJ. φ Φ F er P Φ EG vQ P P
CD P d: p- μ- a P- er vQ P Cfl P d Φ Φ φ d fl er P φ P P er ro Φ P- tu rt φ vQ
F P- T P P d P Φ Φ ro s: P- CO Φ P P vQ Φ Φ a rt P- Φ P P a P F Φ F P er PJ P Φ P Φ P- P P Φ rt P- φ co N P rt o PJ co PJ Φ er P φ O:
F F d Cfl Φ vQ Cfl Φ P- DJ: a P P P d Hi Φ Ω 3 F rt > er er F 3 EP
Φ P μ- a P- i-α co rt- Φ Hi er P- 3 DJ P - P- . Φ P Φ Φ F Φ > φ Φ
P- f Q 7t P Φ £ Φ P o Φ co 3 F fl £ Ω F rt E co co P- d P- P P P rt O: P Φ μ- PJ P ) F CQ d rt J ET G F PJ er £ rt F Ω P rt co rt- rt- φ P a OJ 3 P vQ Φ P PJ N Φ co CQ PJ vQ rt r CO co p- Φ PJ d= tr PJ P φ F co
P P φ H, φ P P a P Z P Φ CO P P d Φ l-< co P- P a ET P d Φ P d: CQ φ CO rt CΛ co Φ ro P- Φ co 3 rt a Φ P P CO P φ P P- co F ET co P- er P Hi Φ et P P co P- P- p- et vQ CQ XS N CD φ P d Φ er d P rt Ω
N rt- 3 a F
N DJ P a Hi P- p- PJ Pi Ω P- Φ d 3 P P er a CD P d Φ ET z s: 00
N ET Cfl Φ Φ Ω vQ ro EG P- J φ d Φ tu ET P rt 3 ET N vQ Φ Φ P a P μ- z φ P 0 P F ET ro P tu vQ P Hi F d P •p P >P SD: s: CQ P P P vQ vQ >
P- P- N P OJ a rt a d F Φ P a Hi Φ o P- tfl o F Φ F • P- a CQ et Pd
P CQ rt Φ •*« P Φ P P er P Φ H, Φ P- F CQ P Cfl rt P- O vQ Φ Φ F • \.
P- Ω φ d rt o P Φ vQ F rt φ a CQ et OJ Ω P P- rt P F P 3 O Pd
Ω PJ P vQ 3 P- d ET Φ £ P- P Φ a Φ P ET Φ rt P- Φ 3 Φ Φ P
ET Φ Φ P- vQ vQ P et a P- u CO P P P- P- P P- • p- P- P P- N 3 rt P 1 Cfl rt Φ Φ ro rt vQ Ω o Cfl Φ O Ω <i 7i a Ω PJ s: a
3 o P 3 a p- CO φ P ET 3 v rt a P- α ET φ a 0 φ ET P Φ f tu ro P vQ a Φ P- Cfl P ro Φ tu ro • d φ φ Φ φ P P- P CQ Φ vQ μ- PJ ET vQ P rt Φ ro EG CO Φ rt Hl φ rt P vQ P P co P P P φ rt P Φ rt P
P Q OJ 3 3 DJ co • ro F F P P- sj PJ rt £ CQ PJ 3 O φ P
Φ et Pf φ F φ Ω P Φ CD 7t φ P φ er 7t Φ Hi a tu φ Pf tu £ P P a rt ro et CO a tr P P tfl P 3 F O rt Q P- Er O Φ φ vQ 3 et vQ tu a N P-
P- 3 CQ Cfl ro F O: co o Φ a P P- φ co i: Φ tfl P P P P rt P co s; Φ co φ P φ s: EP 3 P CQ et Cfl P φ P P F P CD ifl PJ φ Φ Φ φ p-
Ω 71 DJ P P- ro Φ co PJ et ro PJ Ω P vQ N ro o 7t rt DJ d rt P rt- 3 ω tfl
ET o d tfl rt P •> P- vQ Φ P Pf P" P- P- P- Pf 3 0 o F co O P- μ- Ω 3
Φ P CQ z μ- Φ a P P CQ et φ Cfl φ vQ rt et tu φ Z F P PJ co 3 Xi
3 rt φ P P ro CQ a Φ N o • et P P- P vQ P P- Φ Φ F D DJ φ Hl
DJ φ P co ro P O et d P 7t co < <! o P N a CD P- o P- P- vQ P P-
EG f P- a Ω F P 1 P- co EG o PJ tr- o F P Φ P- ro er P P- φ P P P tu et P Φ ET ro co a P- fl tu E P- P F ro P Φ ro rt rt P Φ Φ CQ P • Φ a a
F φ P F 3 o Φ φ Ω 3 Φ Φ rt CQ P F P P- P- fl P 3 rt rt Φ F er P 3 DJ ro F P F ET 3 P P PJ a a • ω <i rt F μ- tr o μ- 3 P-
F P Cfl vQ P F P φ Φ φ co 3 f a d Φ Φ Ω F PJ PJ F < Φ P- Cfl Ω
Φ a Hi o Z rt- • P P et p- et P- P P CQ σ PJ Φ P F Φ Φ P Φ Ω ET
P- Φ F μ- co vQ Φ rt φ a P- ro F a F P P
Figure imgf000015_0001
vQ ET 1 1 P F P P Φ F Φ a CQ 1 φ Φ
1 1 1 1 1 1 1 1 P
ter und ferromagnetischem zweitem Kontakt jeweils Tunnelbarrieren angeordnet sein.
Das erfindungsgemäße magnetoresistive Halbleiterelement lässt sich für eine Vielzahl von Anwendungen einsetzen. Beispielsweise ist eine Anwendung zur Informationsspeicherung oder für logische Schaltungen möglich. Ebenso kann das erfindungsgemäße Halbleiterelement z.B. in Sensoren eingesetzt werden.
Gegenstand der Erfindung ist daher auch ein Speicherelement, welches das oben beschriebene magnetoresistives Halbleiterelement umfaßt, sowie ein benachbart zu diesem Element angeordnetes ferromagnetisches Element. Die Anordnung ist dabei so gewählt, dass sich der semimagnetische Kontakt im Streu- feld des ferromagnetischen Elements befindet. Bei Drehung der Magnetisierung des ferromagnetischen Elements um 90° erniedrigt sich der Widerstand des magnetoresistiven Halbleiterelements, da sich der semimagnetische Kontakt dann nicht mehr im Streufeld des ferromagnetischen Elements befindet. Die beiden Zustände mit hohem bzw. niedrigem Widerstand lassen sich dann beispielsweise den Zuständen 0 und 1 zuordnen. Im Gegensatz zu den bekannten MRAMs muss die Magnetisierung nur gedreht werden, was einfacher zu erreichen ist als ein Umklappen der Magnetisierung um 180°. Der elektrische Teil ist nur aus Halbleitermaterialien aufgebaut und lässt sich daher einfach in mikroelektronische Schaltkreise integrieren. Bei einer Anordnung in einer Matrix lässt sich das Element z.B. durch Schottky-Dioden von anderen Elementen entkoppeln.
Das erfindungsgemäße magnetoresistive Halbleiterelement lässt sich auch als Feldeffekttransistor ausgestalten. Der Feldeffekttransistor umfaßt eine Source-Elektrode, eine Drain- Elektrode, sowie eine Gate-Elektrode , wobei zumindest ein erster Kontakt aus einem semimagnetischen Material vorgesehen ist, durch den spinpolarisierte Ladungsträger in die Source- Elektrode und/oder die Drain-Elektrode injiziert bzw. extrahiert werden. Es steht damit bei gleicher Baugröße ein Bauelement erhöhter Komplexität zur Verfügung. So lässt sich zum Beispiel das oben beschriebene Speicherelement direkt in ei- nen Feldeffekttransistor integrieren. Der Ladungstransport von Source nach Drain erfolgt dabei nur durch eine Sorte von Ladungsträgern. Unter dem Einfluss des von der Gateelektrode erzeugten Felds entsteht im Halbleiter zwischen Source und Drain ein Leitungskanal, in dem der Ladungstransport durch Elektronen erfolgt.
Das erfindungsgemäße Halbleiterelement kann auch in einen bipolaren Transistor integriert werden. Der bipolare Transistor umfasst einen als Emitter wirkenden Abschnitt, einen als Kol- lektor wirkenden Abschnitt und einen zwischen diesen angeordneten, als Basis wirkenden Abschnitt, wobei zumindest ein erster Kontakt vorgesehen ist, durch den spinpolarisierte Ladungsträger in den Emitter und/oder aus dem Kollektor injiziert bzw. extrahiert werden.
Bevorzugt ist der bipolare Transistor als npn-Transistor ausgestaltet. Die Spinpolarisierung der Ladungsträger, vorzugsweise Elektronen, erfolgt im ersten Kontakt, der bevorzugt aus einem semimagnetischen Material aufgebaut ist. Der für die Beobachtung des magnetoresistiven Effekts verwendete Strom vom Emitter zum Kollektor wird nur durch eine Ladungsträgersorte, vorzugsweise Elektronen, bewirkt.
Weiter kann das magnetoresistive Halbleiterelement als Sensor für Magnetfelder eingesetzt werden. Bevorzugt ist dabei eine Ausführung als Lesekopf zum Auslesen von in magnetischen Speichermedien gespeicherten Informationen. Ein solches magnetisches Speichermedium kann z.B. eine Harddisk sein. Ein derartiger Sensor umfasst dabei das oben beschriebene magne- toresistive Halbleiterelement, eine elektrische Zu- und Ab- leitung zu dem ersten bzw. vom zweiten Kontakt sowie eine Messvorrichtung zur Messung der Änderung des Widerstands, die mit der Zu- und Ableitung verbunden ist.
Das erfindungsgemäße Halbleiterelement zeigt bei Einwirkung eines äußeren Magnetfelds eine Änderung seines Widerstands und kann daher, wie beschrieben, als Sensor zur Detektion von Magnetfeldern eingesetzt werden. Gegenstand der Erfindung ist daher auch ein Verfahren zur Messung der Stärke eines Magnet- feldes, wobei das Magnetfeld auf einen Sensor einwirkt, in dem Ladungsträger in einem ersten Kontakt spinpolarisiert werden, die spinpolarisierten Ladungsträger in einen nichtmagnetischen Halbleiter injiziert werden, und die Ladungsträger aus dem nichtmagnetischen Halbleiter in einen zweiten Kontakt extrahiert werden und die Änderung des Widerstandes gegenüber einem Ausgangszustand gemessen wird.
Geeignet wird der Ausgangszustand durch einen Widerstand des Sensors ohne Einwirkung eines Magnetfeldes gebildet.
Um eine Änderung des Widerstandes messen zu können, darf der Ladungstransport innerhalb des Halbleiters nur durch eine Ladungsträgersorte erfolgen, also entweder nur durch Elektronen oder nur durch Löcher. Findet im Ladungstransport innerhalb des nichtmagnetischen Halbleiter ein Wechsel der Ladungsträger statt, führt dies zu einem großen Spannungsabfall und damit zu einem starken Anstieg des Widerstandes weshalb eine Änderung des Widerstandes nicht mehr beobachtet werden kann. Ein solcher Wechsel der Ladungsträger findet beispielsweise am p-n-Übergang einer Diode statt. Eine Anordnung mit einer Diode kann daher nicht für das erfindungsgemäße Verfahren verwendet werden.
Wegen der geringen Spinlebensdauer ist die Durchführung des oben beschriebenen Verfahrens bei einem Ladungstransport durch Löcher vergleichsweise schwierig technisch zu realisieren. Die Spinzustände von Elektronen weisen eine wesentlich längere Lebensdauer auf, weshalb das Verfahren bevorzugt mit Elektronen als Ladungsträger durchgeführt wird.
Weiter ist auch eine Anwendung zur Bestimmung einer Spinausrichtung (z. B. in einem Quantenpunkt) durch Projektion des Spins auf die Quantisierungsrichtung des Halbleiters möglich. Der Quantenpunkt stellt hierbei den zweiten Kontakt dar. Die- ser befindet sich in einem Abstand vom ersten Kontakt, der geringer ist als die Spinfliplänge. Der semimagnetische Kontakt, dessen Spinausrichtung durch ein externes Magnetfeld definiert wird, beispielsweise durch einen Magneten, bestimmt die Spinnausrichtung des nichtmagnetischen Halbleiters, auf den der Spin des Quantenpunkts projiziert wird. Diese Anwendung ist insbesondere im Zusammenhang mit Quanten-Computing von Interesse.
Die Erfindung wird unter Bezugnahme auf eine beigefügte Zeichnung näher erläutert. Dabei zeigt:
Fig. 1 eine lineare Anordnung des erfindungsgemäßen Halbleiterelements;
Fig. 2 eine Anordnung mit horizontaler Stromrichtung zwischen den Kontakten;
Fig. 3 ein Diagramm, in der die Änderung des Widerstandes eines erfindungsgemäßen Halbleiterelements in Abhängigkeit von der Stärke des Magnetfeldes aufgetragen ist;
Fig.4 ein Diagramm, in der die Änderung des Widerstandes in Abhängigkeit von der Stärke des Magnetfeldes für eine einzelne Schicht eines hoch n-dotierten Zn0,89Be0,o5Mno,o6Se gezeigt ist; Fig. 5 eine Anordnung mit horizontaler Stromrichtung zwischen den Kontakten;
Fig. 6 eine Anordnung mit gemischter Stromrichtung zwischen den Kontakten;
Fig. 7 eine Anordnung mit gemischter Stromrichtung zwischen den Kontakten;
Fig. 8 eine Seitenansicht (a) und eine Aufsicht (b) eines Speicherelements;
Fig. 9 einen Schnitt durch einen Feldeffekttransistor, welcher ein erfindungsgemäßes Halbleiterelement umfasst;
Fig. 10 einen Schnitt durch einen bipolaren Transistor, welcher das erfindungsgemäße Halbleiterelement umfasst;
Fig. 11 einen Längsschnitt durch einen Lesekopf, welcher ein erfindungsgemäßes Halbleiterelement umfasst;
Fig. 12 ein erfindungsgemäßes Halbleiterelement, welches durch eine Schottky-Diode von benachbarten Halbleiterelemen- ten entkoppelt ist;
Fig. 13 ein erfindungsgemäßes Halbleiterelement, welches durch eine pn-Diode von benachbarten Halbleiterelementen entkoppelt ist;
Fig. 14 eine Matrixanordnung, in welcher die erfindungsgemäßen magnetoresistiven Halbleiterelemente durch Dioden entkoppelt sind; Fig. 15 eine Matrixanordnung, in welcher die erfindungsgemäßen magnetoresistiven Halbleiterelemente durch Transistoren entkoppelt sind.
Fig. 1 zeigt eine lineare Anordnung des erfindungsgemäßen Halbleiterelements, in der die einzelnen Schichten sandwichartig nebeneinander angeordnet sind. Über einen ersten Kontakt 1 werden Elektronen in einen nicht-magnetischen Halbleiter 2 injiziert, durchlaufen diesen und werden am zweiten Kontakt 3 wieder extrahiert. Zwischen erstem Kontakt 1 und zweitem Kontakt 2 liegt ein Potential 4 an. Im nichtmagnetischen Halbleiter 2 erfolgt der Transport der Elektronen mit zwei unterschiedlichen Spinrichtungen, nämlich Spin auf (5, parallel) und Spin ab (6, antiparallel) , die Ladung wird also in zwei Spinkanälen transportiert. Ohne äußeres Magnetfeld erfolgt der Transport der Elektronen in beiden Spinkanälen 5, 6 zu gleichen Teilen. Wirkt ein äußeres Feld 7 auf das Halbleiterelement ein, erfolgt eine Aufspaltung der Zeeman-Terme der Elektronen im ersten Kontakt 1 und die Elektronen beset- zen bevorzugt den energetisch günstigeren Zustand 5 (parallel) , während die Besetzung des energetisch ungünstigeren Zu- stands (6, antiparallel) abnimmt. Die in den nichtmagnetischen Halbleiter 2 übertretenden Elektronen sind daher spinpolarisiert. Diese diffundieren durch den nichtmagnetischen Halbleiter 2, wobei sie innerhalb der Spinfliplänge ihre Polarisation beibehalten. Es wird daher nur ein Spinkanal zum Ladungstransport verwendet, weshalb der Widerstand des Elements ansteigt.
Um eine Änderung des Widerstands des Halbleiterelements im Magnetfeld beobachten zu können, ist es nicht erforderlich, dass erster Kontakt 1, nicht-magnetischer Halbleiter 2 und zweiter Kontakt 3 sandwichartig linear nebeneinander angeordnet sind. Eine für die praktische Umsetzung des erfindungsge- mäßen Halbleiterelements geeignete Anordnung ist in Fig. 2 gezeigt. Hierbei sind der erste Kontakt 1 und der zweite Kontakt 3 auf der Schicht des nichtmagnetischen Halbleiters 2 angeordnet. Zwischen erstem Kontakt 1 und zweitem Kontakt 3 liegt wiederum das Potential 4 an. Der nicht-magnetische Halbleiter 2 ist auf einem isolierenden Substrat 8 angeordnet. Diese Anordnung wurde auch für die Durchführung der im weiteren beschriebenen Experimente gewählt . Für den elektrischen Anschluss der Kontakte 1, 3 sind auf den Kontakten 1,3, jeweils Kontaktpads la, 3a aus Metall oder einem metallarti- gen Material angeordnet.
Für die im Weiteren beschriebenen Experimente wurde die Anordnung aus Fig. 2 in der Weise hergestellt, dass auf einem isolierenden GaAs-Substrat 8 eine 500 nm starke Schicht eines n-dotierten (1019 cm-3) Zn0,gBeo,o3Se-Halbleiters 3 als nichtmagnetische Halbleiterschicht 2 abgeschieden wurde. Die n- Dotierung wurde dabei mit Iod durchgeführt. Die Abscheidung der Schicht des nicht-magnetischen Halbleiters 2 erfolgte durch Molekularstrahlepitaxie. Zur Herstellung der Kontakte 1, 3 wurde auf der Schicht des nichtmagnetischen Halbleiters 2 eine semimagnetische Schicht aus Zn0,89Beo,o5Mno,o6Fe (n = 5 x 1018 cm"3) abgeschieden. Die Leitfähigkeit der Schicht wurde durch Dotierung mit Iod eingestellt.
Auf dieser semimagnetischen Schicht wurde eine Aluminiumschicht in einer Stärke von lOOnm abgeschieden und auf dieser lithographisch Kontaktpads (200μm x 250μm) definiert, um einen Kontakt zu den semimagnetischen Kontakten 1, 3 herzustellen. Diese lithographisch definierten Kontaktflächen wurden dann als Ätzmaske für ein nasschemisches Ätzen verwendet, bei dem der semimagnetische Halbleiter und etwa 10 nm der Stärke des nicht magnetischen Halbleiters 2 im unmaskierten Bereich entfernt wurden. In einem zweiten optischen lithographischen Schritt wurde ein erhöhter Bereich (Mesa) definiert, welche die beiden semimagnetischen Kontakte 1, 3 sowie die Schicht des zwischen den Kontakten 1, 3 angeordneten Halbleiters 2 umfasste. Das diesen Bereich umgebende unmaskierte Zn0,9Beo,o3Se wurde anschließend durch nasschemisches Ätzen entfernt, so dass die in Fig. 2 gezeigte Anordnung erhalten wurde .
Nach dem oben beschriebenen Verfahren wurden Halbleiterelemente mit unterschiedlichen Schichtdicken der Kontakte 1, 3 und mit unterschiedlichen Abständen der Kontakte 1, 3 herge- stellt.
Die magnetische Widerstandsänderung der verschiedenen Halbleiterelemente wurde bei 4,2 K bei Magnetfeldstärken von 0 bis 7 T bei einer Gleichspannung von 100 μV vermessen. Dabei wurden die Daten nur im linearen Bereich der Änderung des Widerstands gemessen. Sämtliche Zno,89Be0,o5Mno,o6Se/Zno,9Be0,o3Se Hybridstrukturen zeigten dabei eine starke positive magnetische Widerstandsänderung. Beispielhafte Kurven der magnetischen Widerstandsänderung sind in Fig. 3 (Kurve (a) und (b) ) dargestellt . Die größte beobachtete Änderung des magnetischen Widerstands betrug annähernd 1,4 Ω, bei einem Gesamtwiderstand der Anordnung von 20,5 Ω. Subtrahiert man den Kontaktwiderstand von 2 Ω, kann für die relative Änderung des Widerstands eine untere Grenze von ΔR/R = 8 % abge- schätzt werden. Der Widerstand erreicht bei Feldern zwischen 1 und 2 Tesla eine Sättigungsgrenze. Die beobachtete Änderung des Widerstands ist unabhängig von der Orientierung des Halbleiterelements im magnetischen Feld. Wird die Schichtdicke des ersten und zweiten Kontakts 1, 3 von 200 nm (Fig. 3, Kur- ve (a) ) auf 100 nm (Fig. 3, Kurve (b) ) verringert, erniedrigt sich die Widerstandsänderung um den Faktor 3. Ein Halbleiterelement, bei dem die Kontakte zum Vergleich aus einem nicht-magnetischen Halbleiter bestanden, zeigt innerhalb einer Messgenauigkeit von 0,2 % keine Änderung des Widerstands im Magnetfeld (Fig. 3, Kurve (c) . Die Schichten der Anordnung aus Fig. 2 weisen eine hohe n- Dotierung auf, um sicherzustellen, dass die intrinsische magnetische Widerstandsänderung der Kontakte 1, 3 negativ ist. Bei geringer Dotierung (jedoch oberhalb des Übergangs zum
Isolator) zeigen die semimagnetischen Kontakte 1, 3 wegen der e-e Korrektur der Leitfähigkeit eine zusätzliche positive magnetische Widerstandsänderung. Dieser Einfluss nimmt mit zunehmender Dotierung n gemäß (kFl)~32 ab, wobei kF der Wellen- vektor der Fermi-Energie ist und 1 die mittlere freie Weglänge des Elektrons. Die geringe negative magnetische Widerstandsänderung (2 %) einer Probe, die nur aus dem semimagnetischen Material aufgebaut ist, ist in Fig. 4 dargestellt.
Ferner wurde das Ausmaß der Widerstandsänderung in Abhängigkeit vom Abstand der Kontakte 1, 3 bei einer Schichtdicke der Kontakte von 100 nm bestimmt. Die Experimente zeigen, dass mit zunehmendem Abstand der absolute Wert der positiven magnetischen Widerstandsänderung von 0,48 Ω (10 μm) über 0,4 Ω (20 μm) auf 0,35 Ω (30 μm) abnimmt.
Die Anordnung der einzelnen Schichten des magnetoresistiven Halbleiterelements kann innerhalb weiter Grenzen modifiziert werden.
Eine weitere geeignete Struktur zeigt Fig. 5. In diesem Fall ist jedoch der nichtmagnetische Halbleiter 2 in ein Halbleitersubstrat 8 implantiert. Der leitende Bereich des nichtmagnetischen Halbleiters 2 lässt sich durch Ionenimplantation definieren. Dieses Verfahren ist aus der planaren Siliziumtechnologie bekannt. Die Leitfähigkeit lässt sich durch den Grad der Dotierung einstellen. Bei n-Dotierung des nichtmagnetischen Halbleiters 2 lässt sich das Halbleitersubstrat 8 p-dotieren. Dadurch kann eine Entkopplung zu benachbarten Elementen erreicht werden, da dann immer einer der p-n- 00 00 ro ro F F
Cπ o cπ o Cπ o cπ
P EG rt f EG 0 N j tfl O a P vQ ET rt a ro a rt rt rt a PJ Cß μ- tfl Φ 51 σ er rt vQ ö
Φ tu Φ CD DJ a s: F μ- a Φ CD Φ P- PJ d F P- Φ Φ p- Φ F d co P- p- μ- Φ ro Φ F tr
3 F P P F φ Φ PJ P Φ P P N φ F P Φ P P P o rt CQ tr rt P P φ P μ- P φ Φ er P r P P- et φ P a • Φ P F Ω f Φ co μ- Ω • CO φ Φ a a CQ μ- P
Cfl F 7t F rt N P P- er PJ ET et Pf d PJ ET CΛ rt a 3 Φ ro Φ Ω VQ φ Φ O DJ φ φ Φ r Z DJ d Q vQ Φ P P et tr F Φ σ Ω P φ Z P F P ro ET DJ:
3 P- P d μ- P- P Φ Φ d Ω CD et P- rt P^ P- co P Φ ET tu P Φ - rt et 3 Φ N P p Ω et P a μ- Ω f φ Φ P- O Cfl DJ rt er P μ- rt- P- φ a f 7t tu Φ v
3 ro PJ ET φ φ 7t tu rt ET vQ P- P a vQ P Ω F P Φ EG Ω P rt rt d et o P μ- Φ
PJ P f P 3 O P Φ PJ <Q d Φ rr ET co PJ co PJ N co P- Φ J P P P F rt vQ et a CQ P F P CQ P EG P P PJ φ rt rt F s: rt Ω P F Ω P- rt vQ μ- Cfl
P ro μ- d P rt Φ EG Xi Φ tu o Pf N Φ er Φ PJ E φ F T o PJ Φ vQ Xi
Φ > P er P- PJ J < T rt- F ET £ et Z 00 ET F P- D) P rt J Ω Pf er Φ rt PJ Φ CQ Ω Pf P 1 PJ er J Xi P Φ Φ Φ rt d vQ > P 7i ET et P J P
P- P μ- Pf et tr et F d o CQ co F a rt PJ co p- tu P p- Φ F Φ 3 d et o Φ ro PJ d P
CQ vQ CO et P et z CQ PJ Φ μ- Φ ) Φ a Ω rt P rt O PJ co P- P Ω F rt
Ω φ et PJ Oo Φ F Cfl P P P- co P co ET Φ vQ Pf φ 7t a P vQ F vQ et F ET •
ET O a rt- 3 μ- d: xs Φ a rt P- F P Φ PJ P O φ a P : Φ CD P "» et a
Φ P Φ φ PJ co ET ET Xi φ EG PJ F d O P P 3 P Φ ET P ;*r CO μ- σ
P a μ- P co vQ a rt P PJ P- N P PJ F PJ CQ P P 0 et φ rt P rt Ω 00 z Φ tu
P P P Φ d CO et d φ F -> CQ O a a PJ P rt P- d £ •P ET φ
EG Φ φ N tu Φ P P Φ J 3 F er r P P Φ Pf μ- ω P PJ CD F P P CΛ Φ tu rt z P rt μ- vQ P φ F Φ oo rt Φ
"« a μ- P et Ω d Ω vQ rt a d d a Ω P
F CΛ ro vQ P- PJ co O ro μ- o 3 Φ O J Φ PJ rt co ET P tr CQ Φ o CQ P Φ Er Q tr Ω μ- Φ CQ d rt F 3 ro φ φ p- rt P f • rt PJ 00 rt- a Φ F P CO P μ- rt
F J Er rt O Ω co O P- -> μ- P et Φ et d -> 1 O μ- F Φ Ω Φ
Φ P P- ro P ET P- P F co r φ T a 7t α Φ Ω 3 a EG P PJ DJ a μ- Pf Er P
P- F Ω P a Φ φ P 3 PJ > i Φ P φ P- O P- PJ tr ET a tu Φ J 3 F Φ P O- rt rt ET P P μ- X et μ- co P Φ P 3 co Φ Φ vQ P F P P 7t
Φ a rt 7t Φ P >fl P- 3 Φ Φ d < rt P tu P P er z tr 00 tfl P a O
P φ o et F ro
£ Φ μ- a ro o F P er PJ £D CΛ EG d Φ co F P- Φ DJ 7t Xi φ Φ P
3 PJ P . J 3 vQ p- • co F Cfl σ d Pf P- tu PJ co Φ et φ Φ P co o μ- P fl er co J P rt rt φ i £ 0 rt Φ CQ et P F F er μ- 3 p- a rt P rt * J
P φ co PJ σ Φ co ET o F P P Φ P tr F φ Φ CO P- rt Φ a rt PJ P Pf Q P- Pf P) P φ ^1 P SD: F iQ PJ φ ro F CO P- P Ω 3 Φ P- E P- RJ IX P- μ- et
Φ P φ et Q P- 3 d P φ rt rt F P- F φ P F ET PJ P P Φ Φ Pf μ- co Ω
O Φ μ- J μ- vQ P Φ Pf DJ P a P- a φ PJ φ vQ P et Φ rt tr F
P P 00 EG F 3 Φ P P P 00 a φ oo ro rt μ- 3 F P P ro Ά DJ Φ co et a z φ PJ PJ N Φ a F PJ • P 3 P φ P F Φ P- d O F 3 d
P Φ 3 er F er vQ Φ P- P tu Ω P Φ P ro P CQ EG rt PJ iQ CQ F ET d= J P
Φ μ- μ- er Φ P μ- P d P ET σ vQ £ P tfl Cfl Pf μ- OJ μ- d P P v a rt rt P F F CQ φ vQ Φ Ω CQ P- CQ φ F P d et Ω DJ F CO F φ 00 P- P
Φ μ- a φ rt rt rt P f et er Φ et rt O F er ET d er Ω CTi P- rt a Φ N
P- P Ω ro P- φ μ- • vQ P Φ P DJ F P- Cfl DJ et CQ F tr φ P φ et P- rt s: Q φ Er P rt P* o ß J J ? EG PJ F vQ P rt d Φ Φ μ- vQ φ P ro μ- Φ rt rt • Φ Φ Ω σ φ Cfl ET (D Φ P F rt a P F 3 Φ μ- P ro 3 F Φ CQ P-
CΛ 3 P P ET CD Xi F P P CQ d J DJ μ- rt Φ φ N O P G Ω rt
Ω tu > Cfl Φ tr P ET Φ P CQ 5 O CJ. P rt a vQ P Φ 3 φ £ F F Φ ET Φ z ET vQ P d ;v P Φ tu i rt rt o a CD v Φ P ro P CQ μ- φ vQ O P Φ P φ P- P F tr PJ μ- vQ CO P- φ Φ P Φ s; 00 3 Φ 3 rt EG vQ et rt P co P
F Ω Φ co P £ Φ Φ rt P F rt P Φ ≤ r ro Φ PJ rt J a rt p^:
Ω ET rt a et P Pi μ- P P J F P- P- Pf EG μ- co F F c-ι. Φ Φ EG o tr rt μ- ro P rt co P- Φ X < d Φ φ F P PJ J Cfl ro J ^ er F Φ P F OJ P φ CQ 3 PJ Φ rt P i P- φ P P P- CQ f P F Ω 3 P 0 F EG s; F F F rt
PJ Ω rt J P vQ P- Φ P vQ F P ro P er ET μ- CQ P Φ μ- O ro P- d er J a d ET N d P- Φ Φ rf F 0 φ z P F Φ 3 vQ rt μ- Φ a P- Ω P F f ro CO Φ Z 00 F PJ μ- P PJ PJ a F 3 P- J Φ P tu Φ PJ rt P Φ F ET vQ φ et
P P Φ F P X a P" Φ vQ φ d P- vQ er f Φ er P CQ μ-
Φ μ- a P- p- 1 P rt 3 a ö Ω 1 £ P P- et P Φ a 1 00 μ- 1 Φ Φ Φ φ Φ Φ ET u φ F I P- φ
1 3 1 J P P 1 1 1 M P
00 00 ro ro F F cπ o cπ o Cπ o cπ
EG rt tfl F H σ 2 3 ϊc F a a P er 7t PJ 3 P ro CQ Φ EG a co Ω F rt PN! F 7t N Φ tu P F 3 P- 3 P er PJ Φ P- Φ O d μ- P- P- Xi μ- P DJ O i tr P PJ O (D o d P
F o Φ P- Φ vQ CQ p- er P Ω μ- P F 3 P) P μ- P F F rt P- Φ F P P 3 CO er P 3 3 cst vQ P rt 3 Φ • tr co rt vQ (U F φ er P- φ P F F rt d rt rt
F ro Φ d F φ φ OJ μ- rt i OJ φ vQ ^ N F Φ a F Φ F φ P- PJ tu P DJ F φ φ P P CΛ o d s: rt P CΛ tfl d μ- Pf tr P Z CO P Φ ro P Cfl F vQ P f a f φ P
P- rt- et rt P pj: p- a rt o P P ro rt J ro rr Φ s: fl 3 μ- et z φ • rt et et P- rt DJ co P J Pf ET co P o CO vQ F d rt φ P- Φ rt F Φ φ 3 P- i PJ P- F
Φ d φ P rt F Ω N Φ rt Q F rt- μ- μ- rt μ- Φ P Φ P μ- φ oo vQ PJ 3 Φ 0
P co CD d a μ- rt pr z d P Φ a z Cfl CQ φ Q P μ- P CQ P Φ a P tu P
• F o Φ μ- Hi tu P Φ φ P- co Ω Xi P Φ Ω CO φ rt μ- P CQ EG d d et ro a φ 3 P 3 co φ ET CQ μ- CO φ ET μ- co Er ro Φ co DJ P Ω PJ
Φ H F P- Ω F Φ 7t Cfl rt P- Φ Φ 7t CD Φ rt P φ < rt £ F F vQ ET f
P- 3 P a rt a tfl tr a O F ro P P F 0 d 3 a Φ μ- Φ tu CD er rt
P ro F ro tr P φ Φ co P co P- 3 Φ μ- P P φ rt F ro d:
CJ. Φ a a Φ Cfl φ P a Φ rt P DJ μ- ;v £ s; rt 3 DJ co Ω s; μ- Φ φ P er F
P- P μ- φ P- 3 Φ μ- OJ P d P PJ tu Φ PJ N PJ vQ ET Xi Φ P P 00 P- F Φ
N CO φ P P CΛ φ o Q ro f O o P rt μ- ? P vQ P Φ 1 P Φ P- PJ rt o P er
P- rt Cfl Φ •p P φ μ- rt 3 F P Φ O rt o P Φ P μ- a a PJ Φ F P-
Φ Φ φ £ 3 Φ rt 3 F P OJ 7t Φ • P φ Φ rt F 3 o Φ > F tr P vQ a F
P P 3 tu P- μ- φ tu F vQ O P P- 00 rt μ- P- V rt rt P • Φ CO F PJ
CD a rt vQ tr Ω V£> 3 P P P er P D. J > P- CΩ P F μ- o co d CO Φ
7t N P o ET (D P a d Φ DJ O Φ F F Φ co Ω a PJ Φ s; P et tr DJ F
O d φ tr Φ s: vQ o Φ P rt F 3 P "» d a ~ O ET d P P Φ a Φ fl 3 EG •
CQ P co et Φ P P- P 3 P a P- F DJ PJ 3 Φ o ET Φ P rt rt P P tr rt CD o rt rt P- P Φ P Φ PJ Cß vQ Ω er μ- P t iQ DJ F Ω σ P ET Φ P £ Φ P vQ μ- Φ a d φ P CD F σ
CU PJ O F a r |3 P co ro co Φ P P tu P tr Φ a Pf P P- a Φ μ- P P φ E Φ Φ er μ- μ- tu o EG vQ P P vQ rt- Cfl F P tu rt a φ P- 3 iQ Cß Φ vQ P Φ Cfl rt PJ CQ d d ' 7t CD Φ rt CΛ PJ rt φ
CQ P a φ Φ Ω rt Φ P P et P- P i 3 fl O F 3 p- Pf vQ d co ro P- F
CQ ro
F z d Φ P Φ ET P- o O Φ co rt μ- CΛ P r CD: F tu Φ co P rt PJ φ P P rt- P- Φ o P 3 tfl tr Ω ro Φ Φ rt F S> a μ- P N a φ a
P P- P vQ Cfl CQ vQ 3 Ω a OJ F Φ tr N F 0 P- tu Φ Φ ro N P Φ φ d 7t P d d P a rt P ET P vQ Φ P φ d CQ a P u μ- P P μ- . μ- μ- P o o P
P Φ F PJ P- ro φ Φ Φ P 3 co 3 Z Φ Φ d rt rt d vQ P Ω P d vQ a P o P co rt P P rt φ Φ Pf φ P 3 F φ EG a 3 F rt ro ET rt tr Cfl
Φ φ a rt Cfl et P tu tfl φ μ- vQ F P PJ ro co P 3 OJ co et
P- P co a P- rt tfl P- rt- P F P co Φ P ro F P d a f rt P
P Xi φ F μ- 3 ro F a CO co P φ CQ φ tr P- er OJ ro r er Φ z £ DJ rt P PJ φ P P- co μ- P P Φ (U Ω • 3 rt ro Ω PJ P F P CQ P- μ- φ Cfl PJ P
P μ- P Φ to 3 Cfl ET VQ φ Φ rsi P ET d vQ co Φ P- rt P Φ rt F rt- CQ
O Xi F vQ ro 7t Φ Cfl Φ σ P P P F rt rt- Φ P- P- Ω P Φ PJ i a p- o φ rt μ- P o P Q Pf μ- rt PJ 3 O P rt- ET J 3 o F o d: co O D rt F P vQ ro P rt- a DJ Φ Cfl F tu co P a φ rt rt μ- F P σ • P
P 3 PJ P a • μ- F o Φ tfl P V£) Φ F vQ r a P 3 "> CΛ φ rt Φ rt
PJ o Φ P £ 3 Cd o
P Ω PJ P F Cfl P μ- φ P P φ PJ d o OJ P σ
CΛ iQ P- 3 P 00 T f VD Φ OJ PJ P- Φ P φ Φ F vQ p- er F a Pf P- Φ
Xi P CO PJ er rt Φ 3 < vQ P 3 -. PJ rt rt er φ P CQ CQ p: Φ et a Φ P μ- Φ P- vQ Φ ! F P φ Φ P vQ PJ o d μ- ? **« Φ 3 Φ rt rt P P i DJ F
P rt φ P P a 0 F P- co P P Φ Φ vQ f CO PJ P Φ rt P OJ CQ Φ o f μ- P φ co tu P φ et et tu: rt O P £ Cl P Ω P a Φ P P- Φ P) Φ Φ a F F
DJ co rt rt rt P d vQ Φ P μ- P Φ o φ tr P ro μ- rt- CO P- rt P- P- 7t Φ vQ
P Ω Φ P- Φ vQ cπ P rt D a 10 a rt - P- Φ P P co Ω P P P oo o f rt
OJ: ET Cfl ro O a • 7t φ μ- P P- σ> P P tu tr co Φ DJ P rt
F Φ tfl Ω 7t co o CO P Φ Φ fl CΛ φ CQ tr P er φ P tΛ 3 • F P a ro P F ET o rt 1 F ü P P- rt P rt Ω Φ 3 £ 0 Φ a P- P 1 xi PJ P- tu ro Φ P ro Φ Φ rt P d ET J z μ- ro F tr Φ 3 σ ? Cfl t_r
F Pf P rt F F P P 0) a 5 P Φ co rt μ- 1 P a Φ P- φ P- rt Ω Φ d: 1 PJ F O P f Φ vQ a P ro Φ Φ Φ P- 1 1 Φ P ET μ-
P f rt O O et P CQ PJ 1 1 rt 1 PJ Φ rt 1 1 1 co a
00 ω ro ro F F cπ o cπ o cπ O cπ
F a a <i a F d tfl £ σ ro CQ μ- PJ 3 a et z Z Φ rt F O CQ F tfl 7t C vQ P N a
Φ O Φ o Φ P- P P F Φ P P i CO d tu o o Φ P- μ- P P P- μ- Ω d= F 0 rt P d φ Φ
F rt CQ P P o a F d rt J Q μ- rt co vQ rt 3 Φ P P fl PJ vQ Ω E P Φ P P Φ P p- P a P- Ω P- 3 P) p- et Φ P P- F ?r f et P • tr φ Pf et Φ rt vQ vQ
Φ Φ s; co CD ET a P P- F P Φ F Φ co Φ Φ CΛ Φ rt rt Φ o P a et PJ d μ- rt F
CD P P- o DJ CD Φ a P F P o μ- P et P d Pf • P P- co a ro P ? Pi co F tu rt a d et P 3 d P- Cfl s: =ε P P- et er et 10 ro EG P O rt Φ μ- o a a φ Φ Φ P ro P d Ω P- 7t Φ Φ CQ φ co P F d P rt N P CD P F φ PJ d
P- P P Ω φ EG P vQ 3 ET P O μ- r O P P 1 0 ro F F
P Clf £ w Ω P t Φ F a P a ET P
P CQ φ F DJ 1 P- Pf ET P
Ω Φ F ro ro φ a a a P P- sl er PJ P d Φ Φ vQ rt t et ro F a ≤; er Φ to PJ ro a o . vQ μ- F a P- a P co P co
P Φ PJ P ?r er O P- Φ tr P J F ~ P φ et Φ Φ rt rt a φ d z P Φ vQ rt
Φ P P PJ rt F et P co et a f u PJ σ P F 3 P- P- F Φ P- P φ Cfl F Φ P rt CD a Ω P Φ μ- a rt Φ et d F g £ φ 00 ro P Φ P ro P rt vQ P a F φ P- DJ
Φ P- Φ ET 0 P- Φ φ F P fl F p tu P- to P P- co Φ co a Φ F F P P P
P Ω co a rt P N ET ^J F CO σ rt Ω μ- PJ Φ N rt Φ P rt P rt Φ P Φ — P φ co
• ET O ro Φ rt d Φ P > Ω Φ tr CO P P z Φ P- ro PJ P P P > O P Xi μ- P P φ P P P) 1 tfl F F P o vQ Φ φ P P P ro PJ P P 3 O
S3 F 3 PJ Pf P tu: P a F d μ- CΛ P- F F Φ P- P- φ 3 a P a P- o F DJ φ P μ- .&> P- ro z Ω f vQ o Φ 3 Ω Φ DJ J-- μ- O Ω rt t 3 O: vQ co PJ Ω 3 P- vQ P et
P P P P- P- to ET PJ Φ et Pf μ- ET F φ P E Φ ro vQ a ro 13 tr ET DJ Φ P ET a a μ- • P P φ CQ P O μ- rt P rt P) μ- P a P P Xi F Φ P O Φ rt vQ vQ Φ O: vQ d Ω Φ Pf P rt P P Φ P μ- d DJ co et P N ro I P- CQ P P P 3 P rt et E Φ
P P Er tfl et ro » a P O d F F P rt φ z P μ- a Ω rt et PJ φ P- rt P
P O rt co Λ • P- P et P 3 Ti vQ vQ P- rt P- 1 Ω o ET EG N P iQ F a Cfl Φ d tr 3 Xi Ω O σ φ ro ro Φ Φ φ co » o a - rt Φ PJ rt tr p- P μ- φ Ω P F a tu Pf DJ F tr 3 PJ F P P er tu er o μ- et Ω o P- F ro Ω Φ co P tr INI
Φ tfl vQ DJ P 3 o * Φ F PJ P P • a E rt F φ > er Z P- tr rt o φ s; rt
P p- P P P F Φ to N O co d a P- Φ P- P P F Φ a et μ- tr φ P P-
P Φ P d F J-- P EG a ro d F F P Φ > ro P ro rt O ro P Φ Cfl ro P a s: z rt ro o P Φ co J P- P vQ Φ P l Φ P P P a φ P p- a 3 Ω P CQ tfl Φ Φ Cπ tu p- μ- a vQ F vQ et F Φ Φ Φ tr o co et co Pi a CΛ et ro P a F Φ Λ Φ tr rt F P P rt P co tu a φ φ σ μ- F Φ P φ • F d O φ F P Φ P Xi ET Φ tfl Φ φ co a φ ? Ω tr DJ F er P F N Ω CD P F P- Φ a P d P μ- CΛ d P P- P P F 3 F Φ φ d ET φ P P P- Φ d tr P- CD P P Φ Ω P P P- P ro Pf P CD 7t φ tu P
F P Φ P F φ F co P- 3 rt Pf - • P- 3 ET Ω to μ- F ^Q F O: f Cfl EG 3 O P P
Φ iQ P μ- μ- a Φ F F Φ J F ro 7t Φ φ Φ P- Φ P PJ Xi CD φ P rt- a Pf DJ Φ Φ Φ 3 Φ to Cπ F P i CO o CD Φ P P N F 3 P P P- F P F co • u rt φ EG d vQ P rt P- P Φ P tu P Φ P F P- d φ rt P- d: Φ φ P : P er F DJ P
P H- PJ Ω rt- 3 Φ P- P- ≤: a F P rt co P P P- d P P P F •P F Cfl ? VD s; P
O P F ET rsi tu F o Cn Φ PJ a Ω 3 rt- • CD O Φ rt P- • a Φ tr P a vQ Φ Xi rt P d tu a f f CΛ Q tr a CQ Φ co F μ- vr> d P
Φ CQ F ? F CQ Φ P 3 μ- a P P Φ PJ et O PJ α Φ d μ- • α P- PJ F • F 3 a σ φ φ F rt P Φ ro φ Φ ro a LQ 3 P d et P F P er P PJ 3 P Φ P-
F J: μ- P- μ- DJ rt P F er P Φ P F P Φ tu Cπ Cfl φ a μ- P α P VQ a Φ ro P F P φ P tu P- F φ • a 0 Φ Ω a P- DJ rt P d P 10 μ- μ- O P- P φ φ a F CO φ P d P P tr PJ φ μ- P F P P μ- μ- ro Φ Ω o Φ
Φ Φ P et CQ Ω p- tr F > P a co Φ d ro a CQ J Ω Ω Φ ET o
P- P -" < ET 3 Φ tu P Ω P rt μ- Cfl z F μ- Φ rt- φ tr ET P μ- F vQ £ P
P Φ φ Pf z P Φ P F F ET φ Φ co P- Φ CQ P CΛ F rt rt P o Φ PJ P
Φ P a P φ φ P- P CΛ F F F P O φ P ; r et o co a Φ 3 *"« J. 3 3 a vQ μ-
• SD: μ- P Ω P- tu co a a ^ p- P- Pf rt CD d Φ P PJ μ- φ P P Ω
CΛ £ E P P P tr W P F ro P- « φ P φ P Φ F P Z F P vQ z N φ ET φ Φ tr i PJ • a et 0 P F Φ 3 Φ a o F φ P p- μ- CQ Ω p- F P- P φ μ- P P tr F rt tu vQ Φ CΛ DJ 3 P Φ CO P- P- P CO 3 a ?^ P ro P φ Φ CD Cfl φ Cfl et P- P
P P P- P rt F i > et P J a ro F ≤; Φ d Φ a Pf a et ET P et P- CQ P
P Φ 3 P P o vQ P) a PJ φ F Φ DJ φ Q P 3 P rt P μ- CD rt Φ 3 ^-^ P- vQ et P o O P Pf Φ d P O 3 er ? P- φ CT. PJ ro 1 P- 1 F Φ P £ Φ
P 1 P vQ 3 Φ et P co Φ rt co 3 P F tu P- P- vQ tr P tu 1 Q l PJ l P- φ P- 1 00 1 P P rt 1 P F 1 1
00 ιv> ro F F o cπ o Cπ O cπ
tfl P Cfl to 3 z 3 a a CO a 3 a φ F CO ffl PJ tu CΛ F tfl a F a a a et F P- Φ fυ
3 φ O tu Φ P- P- o o F o tu Φ μ- P F P- d d O ro Cfl d P d d Φ Φ Φ P CO P μ- μ- CQ rt P 3 F rt O F vQ P P PJ CD iQ F co d P P P P 3 P P- vQ
F Ω F P- tu a DJ μ- P- P μ- P Φ P P • vQ P ro μ- vQ f F a Ω vQ F
F Cl a Φ Φ t ET iQ ro Φ CO Φ Φ Φ 3 Cfl a a Φ Ω F CO co Φ F co P d ro P F
Φ P- F CJ- P P P P F P P- et F P- tr Φ ro et vQ P et P- O P 3 F Φ
P a Φ IV) P- ro Φ et et Z F P- co CQ co Φ O Φ P- 3 Φ tfl P Ω P vQ co vQ
Φ ΪP o CQ ≤ F ro Φ P- Φ co F Φ et P- F 3 ro CJ. 3 P- F CD: F rt co a F F
F P et Ω ro P- P P P Ω Φ 3 O F N P- a P- P φ P): P ro vQ rt tu ?r ro Φ *
CD φ tr μ- CO w Pf ET P μ- P ro P Φ Φ rt a i I Φ 3 Pf tu P ET to Φ P- φ F Ω o to rt to Φ 3 • φ p- rt- o Φ ffl F P CD et P rt P
N DJ P- P P Cfl ET F PJ • ro P P*! PJ μ- Q F DJ DJ Ω P- P rt vQ -* PJ F Φ d Cfl P φ Φ F co P O vQ D P et P- co P P tr EG L o P P F tu Φ P-
3 P- 7t a P Φ P- α Φ EG P P Φ φ vQ φ PJ • P PJ Φ a a μ- Ω
Cfl CΛ Xi o d ? co P P- PJ et Φ P co a • P- o a PJ F ro P et d F d P tr
7t F O P P Φ F F Ω F tu et DJ P P ro d tr VQ P CO μ- P co P Φ
O ro P co F O P O ro Φ F σ Pf μ- F r co VQ • PJ P Ω F • Xi co Ω iQ F P
F o O P- PJ ET CO P o P F et co P μ- P- tr Φ vQ O Ω ET er CO Φ P
F 3 F f et DJ φ Ω PJ Xi ro vQ tfl P o P- Φ P Er P- F μ-
Φ < P- et a Φ ro a a P P- F tr P o P Φ er P 3 F N et φ ro a F P F co
? o a <! i P F Φ Φ vQ F Φ Cfl F Pi N Φ φ PJ O: Φ Φ P Φ a CD d P-
F P d φ CD P co 3 Φ ro o P P- tu μ- Φ P P- P- vQ P P- N P Φ P P Ω o P a P^l CD o P Ω co P P P- co P P F Φ ιQ s: EG F CO vQ tr
P tfl Ω CΛ co 3 0 P F tfl P Cfl tr £ et φ a vQ o μ- F et P- PJ a Xi co
F ET 5 ro P Cfl P 3 r Cfl F μ- o Pf μ- ro Φ tu a F u O P d F ro F Ω Φ o
F et F Ω DJ P- P ro P- et P a
P Φ P- P cπ ET 3 P Ω er Φ tu P PJ 3
F Pf a P PJ tu tu tr P F φ φ Φ F vQ Cfl F Φ tr F P F P et DJ P F Pf F co F F PJ F P d P CQ > rt p- PJ - Φ P- a P Φ Φ tfl P PJ •fl a P co d d F et P- P P et 3 PJ vQ d P d CD F d P μ- X a F φ
P- O P P P- φ Cfl P • PJ F P Φ co a a co CQ Cfl rt et P- d F
F co F PJ co ro
P EG vQ a 10 F tP F a 3 F P- d N PJ F a φ P 3 P F a
F φ DJ Ω " et O F φ σ P- ^ CO P- tu: d: Φ P d φ P d= Φ P DJ Ω co d P F vQ ro ET • P CD P P- Ω Cfl co tP F vQ er P r P Pf CΛ Er a
P er Φ o Φ to CQ Φ ET er et et Φ P 7t co P- F a P φ et P- μ- Φ a iQ F vQ PJ P J σ σ DJ co Φ O d o vQ F P- Φ d P^i P P- P tfl 3 P
P- Φ Φ Φ CO φ φ F Φ Φ P- Φ P EG P P ro l a P P P o F O P F
Φ et P- P tr p- P DJ F Cf P- co P- Q PJ vQ F 3 Φ a vQ P o P φ xs o
P P F d: Φ O Cfl P P- CΛ P Xi P • F CO P- CD: P d CΛ co rt F a ? 1 PJ
Φ PJ φ er P P o P tfl Ω Φ P- CD er F ιQ Ö= • P o F PJ vQ a ro rt
Φ a F
P vQ P vQ F t tr a a 3 tr Φ P Q F O d ro vQ d o f rt φ P P o Φ
Φ φ P Φ CD o 3 P- Φ P- P- CΛ F Φ Φ P P CQ tfl CO P P et P 0 F
P F Cfl Cfl φ F F Ω Ω co ro N μ- 3 tu er i Ω 3 Xi tr tfl P μ- F
Φ a rt F d Ω F ET tr z P Φ F F EG Φ Φ ro PJ N F P φ Φ ro
Sl 3 φ φ Xi P tr co co Φ F P- φ co P- Φ er P- tu P 3 p- a s: DJ H P P
P- Φ 3 F DJ a Φ P- P- P Ω P- F vQ P Φ O F o tu: F co CQ . a P- F tfl
P P F a Ω Ω P- ET Cfl φ F Φ o P er o tP tt-. et d P φ Φ F a et tfl F 7t 7t ET tr F Cfl et φ P F Ω F Φ F
• Φ P a P P φ
3 • F o o VQ F P- φ tr a φ Pf PJ a CTi P vQ d F f
P- O F P a Φ Φ rsi 71 tß 3 P φ P- PJ EG d PJ F CQ P o CΛ t a a et F F F Φ P- a tu P- P 0 et Φ PJ: co F P PJ co w d O et vQ F d P
P- Φ et P- tr Φ J P P Φ P P to P P P CD P F vQ P F P vQ er O φ P Φ φ N Pf Pf φ CO Hi Φ φ F φ rt f Ά P er CD ro a Q PJ: a rt fl P
P vQ z et et P CQ £ PJ p- rt tfl CD co F er P rt vQ ro . F φ
< P- et • O 1 a F Φ P Pf P PJ • F F o Φ P- Hl F φ P P P
0 3 F P N d= P P- P CΛ et F ro z P- F P- ~j
P CD a P σ P>
3 VQ PJ a d P μ- φ P CQ P 3 o 1 a P Φ N Φ F PJ to P P- ro 3 P P Φ Ω F i P- ro tr ro I P P PJ Z P P
Φ PJ Φ F Φ CO 3 ET P to Ω P F F d d ro co
1 P a o P- et PJ 1 Φ F • P F co P- * d
Φ φ 1 P 1 P d 1 et tu PJ 1 P P 1 1 1 co P 1 a
00 00 ro ro F F cπ o Cπ o cπ O cπ
f to P < a CΛ CQ Φ et P tv> a vQ ro Q z F tr P Ω F F PJ α a α tfl a tfl et P tfl
CD Ω μ- o Φ Xi Ω P- F Φ μ- 00 Φ CD Ω φ Φ Φ Φ tr P- PJ P tu ro Φ F tu 3 Φ μ- co
P ET ω 3 3 ro tr P d H Ω * Cß er OJ tr μ- μ- P ro vQ Cfl fl Cfl P ro P μ- P Ω
P Φ μ- P- P- 3 ET PJ P F co et £ P • co a ; P F Φ F P-
• P Φ £ co Ω Φ 3 P- P et N P d • μ- Φ Φ ΪV Φ Φ ro Φ vQ to F et F et cn
P J ro a PJ P O 3 P μ- F ro F PJ et a F P P P ro DJ P a Φ Φ 3 et
CS3 EC d VQ 3 φ F vQ P- P Φ 3 Ω α tP rsi P P) PJ F • F P CQ O P P 3 PJ d tu P P p- P μ- P d et et T CQ μ- et P P F CO 7t μ- d P- P P Φ vQ CJ-
3 F vQ ro 3 3 Ω φ 3 tu i to et ro Φ a *>» F N o P F CQ ro Ω μ- P P Φ er F tu ro ET et ? F φ 3 P- CQ co Φ co ro Φ F a N Cfl P tr P et Φ a
F a F vQ a P- er F F P- CD P Φ μ- t CJ- CQ et w P s; Ω P P- F P F e o
P Φ Φ ro P P- Xi Cfl Φ μ- co vQ • Ω Φ tr > F ιQ Φ P • P <! a μ- μ- Ω o μ- P F Φ d o O o 00 fl i P f tr J P P- P- et Ϊ iQ O o P- N er CQ ET
F rt a et 3 F ET et Ω P- Φ rsi PJ ^ d a Ω P et CQ 3 3 Φ μ- P- Ω
Φ Φ a P- CD Φ Φ Z ET φ F Z P Φ o ω Φ ET a CQ O vQ ro F tr PJ ß P d a o Pf P Cfl tr μ- φ F μ- P- P μ-
Φ P P fl co £ P et P Ω P φ Cfl tfl CO P a Φ d
Φ P ro Ω PJ μ- P Ei Φ P F 3 φ 3 PJ et Φ P Ω
P ro Ω P ET P co CO. P ^ PJ Ω Ω er Φ o p- a ro vQ ro PJ SD: F P- co ro F ET tr Φ P μ- Xi Φ EG d tr tr Φ o P P- ro co 3 P tP tr F P- P • EG a ro LSI P φ Φ ? P PJ Cfl Φ φ μ- CΛ φ Φ ** >Q PJ vQ Φ co et co tu 3
Φ P- a Φ N P P- PJ a F P P co Ω CΛ 3 φ et Φ F CD co σ F O:
P P Φ F £ d rt Ω P Φ er CΛ Ό tr Φ w a 3 p- o EG P ro Xi P- er vQ
F P F DJ 3 CD tr P F μ- EG a μ- μ- co F P- CD: o P PJ SS o p- Φ F F
P- P Φ F Φ • Λ φ O PJ φ φ Ω CD Φ φ Φ tP Ω a F P- F P Φ P-
3 Φ Φ P Φ to N P Ω μ- t F P F tr d 3 f Φ tr P er P VQ P- Xi <! μ- Ω
F P P ro Φ 3 H * F "^ er CQ F F μ- et er φ F a P 0 0 F tr
3 φ CQ ro P- P- F ro P P- φ F £ Z VQ t cπ PJ CQ F a Ω P <5 3 P Φ EG a F Φ N F 3 Φ tu P e Φ ro φ 0 a Φ tu o μ- PJ Φ μ- P d a CD P vQ a Φ F Xi ro P- ro tr CO μ- et μ- Φ er vQ P Cfl F P Cfl F P- 3 Φ P CQ a
P Φ P φ P- P d P et P F P) o co J P φ Xi er φ Φ Ω P μ- Φ a DJ K)
Φ P P P) Φ 3 vQ rv> vQ Φ F φ d Φ P μ- F P- P F 7t o 3 Φ co
F 7t F d F ro ro CD Φ P F P F F Φ φ d P Φ et o *l μ- μ- to CQ
P- tfl 0 J F Cπ ro 3 P co CO CQ co tu μ- μ- φ F P- F F ro P 0 φ 3 ω F P ω i Φ J "•« Ω CO P- CO tr Ω d Ω μ- F er o Φ N F F P J Φ a
Ω φ F fl Φ P- d tr ro ET co P* CQ Ω P z Φ tu a 3 d P) F et ιΩ P Φ
ET Pf tu et er P 3 PJ tr a F ro P- F F tr ro φ P d Φ Φ P f Φ Φ P P F P
Φ et Pf PJ φ F P fl P- P- P- Ω P 3 • Φ 3 μ- φ P P et Pf P φ P-
P P et d PJ vQ et Φ Φ " CO tr 1 tu P co F Φ F £ et et P tfl
O Cfl F EG o Φ PJ et et -
> a vQ ro φ Φ P a ro a O tfl μ- a 3
CΛ P P- o Φ PJ co O P tr et O
P P P £ P 3 P Φ Ϊ co Φ P F fl d μ-
•P Φ P P F P a Φ Φ tV> et Φ PJ O J Φ Φ P DJ CQ P Φ Ω P F
Φ P a Φ a a μ- co P- IV) μ- et a et et d P O P d ro f tr vQ et μ- a PJ P a P N Cfl P- a P ro μ- Φ Φ Φ CQ rt P P to F et Φ co Φ
Ω tr Φ fl fl P- α Φ d i Ω p- Φ d P co P P
Φ P F o vQ tu P P vQ P tr Φ P Cfl et CQ PJ et 3 μ- tr P et Ω P- :> P Φ F PJ co o Φ φ ≤ Φ f CQ • Φ F a Φ Φ PJ P>* F 3 co F d ro P- co P P^l 3 F
P μ- P ro F F Φ CΛ Cß 3 φ P F o d F Φ φ Ω p- co o Φ o tu: VQ
3 P P- μ- P co 3 a ro Cfl P- O O ET a P CQ P 3 DJ Pf - F P F P P tP
Φ Pf Ω P o φ J PJ Q Z P F Φ CΛ F F μ- Cfl o F Φ ro Φ F Φ a a et tr Φ P P- vQ o Φ φ φ p- P- P P- EG Φ er CD P Cfl Xi O P> co o P a PJ P P-
P- et rt P P Cfl f μ- Ω Φ F
0) • CD o Cfl PJ tr J P Φ ; r μ- et F P P P μ- ? P d Z 3 CΛ rt P Λ P- F P- F d . Φ o s F Pι et EC Φ
3 φ P) • !^ rt d Ό Φ F O Ω N tr P^ o 3 CQ - F o ** 3 Ω μ- F J F PJ Pf
P vQ P- et α P- P F co Ω Er μ Ό F C: P- tr a P- d P μ- F et
IV) a P P ro CO et tu a tr μ- d Φ P P- er er F F φ φ Ω P P er j-. Φ ro Xi F P Ω Φ P- d N Φ P- Ω 3 μ- F Φ N ro Φ z p- P tP tr a F a
P F o tr P CQ co s: CQ Ω Er F PJ F d Q P ro d Φ Cfl φ μ- a φ ro ιQ p- F s: PJ ro 1 et Φ tr F CD Φ ? CO vQ et F 3 i et P Φ φ P- P
Φ 1 CD P- d P- et d P et 1 Φ ro Φ 1 1 ro tu P P 1 1 l P Cfl 1 F CQ 1 1 P- P P a 1 F 1 a 1 P
00 ro ro F F o cπ D cπ o cπ
Φ φ d P- 3 CΛ ? Pf F P vQ φ PJ P EG 00 DJ CO <fl PJ z 71 CO vQ F a a EG CΛ Φ CO a co
P- P- P P O: F • o P- φ P μ- d ro PJ * P F μ- P o O Ω Φ F ro ro DJ Xi P co P- Xi
P P a vQ P 1 P Φ PJ Φ P Pi P- F a P v co a P F CO P- co P F P- Cfl Φ φ Φ
Φ Φ F O α et P P F φ Ω er P- Φ (D vQ d F P- F Φ co tr P F P P-
EG Λ P- μ- 3 μ- DJ et Φ P- CQ a tr F 3 P et Φ P PJ Ω Φ CO a et F Xi ro Φ vo Ω
CΛ DJ Xi P Ω F 0 Pf • P CQ Φ Φ F F Ω ?T tr F Φ d PJ ro 0 P O tr S F OJ φ tr F a et Ω Cfl 3 ro P- > Φ DJ ro Φ tr F rt F P P P P- F £ F φ
PJ er F P d Φ 33 CΛ ro σι F F P P CO F a Ω a rt CD 7t PJ PJ P
F F et CQ ro Φ F Φ 3 z Φ F et vQ N Φ a s: ro Φ Φ tr φ P 0 vQ P et
F Φ Φ PJ Cfl co DJ -J P- P μ- P- P- P vQ Pf Φ φ P P- P- ro P P a P P- P P P- φ
Φ μ- P d o P F O 7t 3 ro Cfl er Φ o O μ- Φ P — a φ Cfl CA F φ Cfl P
P F F CQ N tu Φ 3 0 CD a et Φ 3 Xi P vQ Z Pf 3 CΛ P- Cfl P- tu et P-
F Φ Φ a d a P P 1 P Q ro P Φ Xi a et Φ μ- φ μ- £ F Φ t φ Pf F Φ σ ro P P- EG CD P Φ vQ CΛ F P P Φ Φ P- Φ P P 3 P F φ P EG P et Φ P PJ
P- Φ F PJ Cfl P φ P- Xi PJ φ d p- μ- P F Φ φ a a CQ O Λ CD μ- d CQ F d et
F F d F co £ o CQ tu Pf et 3 P Ω Φ F et μ- Φ CΛ Φ a ω 3 Ω F P P a P φ d φ P tr Φ o P F P et μ- tr P Φ P P Xi Φ vQ Cfl tr tr CJ. vQ ro •^ vQ P
P 3 vQ F 3 co P a P co ro P =S φ Φ CΛ 3 φ • P- F μ- P- Q Φ Φ ro φ co ro P J d F Ω P- μ- ro φ Φ ro ? μ- Ω P Ω Φ N a P a a z
P P P- Er d P φ d P tr P Ω CTi μ- P P PJ Ω F Φ DJ: o tr P- μ- Φ ≤: PJ φ P- Q F F P P N F F vQ ≤ Φ ro F P a F P P μ- P F P- et F ro P P- o P P ro W Φ Φ vQ F CO P- P F μ- Φ P- o P φ Ω CQ ro φ P P CQ a
F a O P P F a F P PJ 3 3 CΛ P P P • P tr F vQ CQ a P F P- ;*r φ
P d P fl φ a SD: a φ Φ a £ F PJ Xi μ- a a 3 et Φ Φ ro Φ φ ro P et CD P- a φ P F Ό Φ Ω Φ 3 P PJ CO vQ F F Pf d P φ P 3 CQ F P . d P P-
P Ω P) Φ φ co ET P P d= et P fD μ- O: P P a oo Φ : Φ a F N Φ
P tr ? p- P ro P F er Φ ro Φ P N P ιΩ P P- O CO P P 3 tfl P- > φ co et F Ω F Sl Cfl 1 P- Φ P P et F μ- P CQ vQ d 3 Φ CO a P- ro F Φ F a F Φ
> μ- tr P- P- φ o a P P P- CO μ- μ- d φ vQ 3 μ- P φ ro Ω P Φ CO PJ P CQ
PJ P φ Φ P a P o P- OJ et Cfl Φ 3 P ro F Pi: P P tr F f Λ CQ φ D ro
P C P P a Φ rf- vQ et φ ro F Φ Ω P CQ • 3 3 ro F d et Cfl rt Ω ifl P CD oo Q F F P d P Co φ P- P- Cfl P et d tu: P- .t-. a z P 3 . P F O CO 3
Φ Φ P CQ et ≤; φ .-^ P Φ • r F tP F Φ CO φ iQ CD O P- F Φ t J to d Sl er vQ F ro P>: P O ro PJ P^ P CQ P Φ vQ 3 O P vQ α P Ω vQ 3 φ F i Φ φ Φ o DJ tr et tr P d O F a φ z a ? P PJ Φ tr ro P- F Φ
P P P ?v vQ P et F Φ 3 F P EG P P φ EG ro ω F μ- φ J Φ 3 P F 3 F o
O P a PJ Φ a • F P co £ vQ et tu F tu μ- PJ P i φ Φ P P et P- CD: tu φ Φ
Ω Φ P 3 Φ Ω φ Φ CD F F P F φ Q *•* P μ- F P a P vQ P Pf d: P P PJ: co EG P- to tr F er ι r er a "* Φ er 3 P- φ d= o P φ a P o
Φ er F tP P- Cfl Φ φ tu P et F P- 3 F ro Ω f tr a 3 Ω PJ: a CQ φ Φ ro Xi
P Φ Pf Φ Φ P Φ et P P F PJ Φ Φ P- CD tr tr o Φ DJ P- tr P P et Cπ Hl
P O: P d P "» Φ F Ω F P- co co Xi μ- P φ Xi P o F φ a a P et P-
Z P EG P a P- ^ tr F ro et 1 F ro P F P ro DJ P- CO CD: <!
Φ Φ P £ J d a Ω o o et s; φ 3 a ro P F a d= ro P 3 Ω CQ Ω P O
P P- φ PJ F μ- P tu P P P- P Φ o P ro Φ <! P- er P- EG et μ- tr μ- tr a P a P P F er P Ω CQ F F P- P P μ- F ro φ Φ Φ P (U F rt Ω φ φ er
Φ Φ P F tr CO IV) PJ P) Cfl Pf ro 1 P μ- F pi F P P ro F co 3 tr P Φ
P d P- φ Φ σι Pf ?V F φ a φ ro P P tr tu 3 tr μ- PJ PJ £ et P- rsi P P- μ- P- Φ et F • P PJ o P P 3 F F d F a F Ω d vQ a PJ tr
** Φ a F P CQ P- φ — - a P et 1 F Φ O P co P- ^-^. φ tr O P Φ et co Φ
DJ P- 3 φ Φ et P P- ro α Φ <Q P- a φ P ro P a Φ P μ- tr φ P Φ P- s:
P F CJ. P- P P φ P Pf co Φ ro Φ o P et P- 3 Φ N P- F a F P Ω Φ
P Φ Φ F φ φ o P CΛ o P et Φ P tu P s: £ Ω φ μ- a P- o P- tr vQ
• P s: F Pd P- CΛ £ P 3 Ω P F μ- CΛ ro et φ Φ tr P Φ φ Cfl P J F
1 Φ tS3 Φ μ- P Ω Φ F μ- fl tr a Φ Φ d <l 3 P- P- P- et et CQ P Ω CD F a •
P- Φ 3 Ω tr F PJ F Φ P- P P P tr O 0 Q F PJ CΛ tr a PJ d F μ- φ Er o PJ ? 3 Ω Φ F Cß P co P et φ F a ro et si φ a Cfl α
P CO F P F et F 1 F P- tr F to φ F Φ d P F tu tu: P- P a Φ d a Φ F d et F μ- 3 et φ P P μ- er 1 P P 1 Φ o PJ: P P Φ P 1 1 1 tu 1 DJ P 1 1 P d Ω iQ 1 et 1 Φ 1 tr
00 00 ro ro F F
Cπ σ cπ σ cπ O Cπ
F d φ
P P P-
O F P
P Φ
Φ P P
P P- a Ω
CD Φ F d 3 F
CQ 1 tfl 3 a P- tu ro P iQ
3 F P
F ro o d et φ CQ p-
3 CQ Q
P- o
3 Φ tr tu μ- Φ Q P P
P Φ
Φ CQ EG
F tu
P- £ F
CQ PJ F
Ω Q F tr P Φ
Φ Φ μ-
P et F
F ro φ Φ P
P F
CQ a ro
F Φ
Φ CQ J
P P
CO iQ
P^ i ro
O μ- o
P P P
F p a
PJ o P
Pf F ro
F CD F
P **
F P- co P- μ- P- P
P φ J. P ≤ μ- et ro
N Φ F μ- o
Φ tfl F
P F Φ
F Φ P f 1
Figure imgf000031_0001
00 CO ro ro F F cπ o cπ o cπ o cπ
F £ -. P co Φ F CQ d a P- •fl p- P a φ P a a rt 7t a P a P CQ tu: O vQ et 7t tu ro tr Φ Cπ μ- Φ et P CD P μ- fl Φ Φ P φ Xi p- d P o Φ φ Φ p- Xi c φ CD PJ o φ
Pf F Φ P P P μ- a 10 vQ O P P F P- ro ro P o P P P- P o P- tP 3 F F P P et PJ P vQ Φ F <! φ • F O Ω P vQ P F Ω F P Φ μ- tu F F a
F F CΛ Φ 3 φ φ Φ φ P- P- CΛ F F P < Cfl φ DJ F F P F Xi P 3 P P- tu Φ ro F P i er P- P P- P P F Φ ) CO VQ P o F P f PJ 1 3 O Φ PJ vQ CO f P
^j ; r PJ PJ μ- 3 F P F φ >!>. P D O et co μ- P P * et a φ a PJ F P vQ Φ Ω et • o vQ F F PJ d EG Φ μ- P et F a o Ω PJ Xi d P O vQ PJ P P F
3 P Φ F a Q P P) P N F J Φ tr a P J P F F P P £ φ Φ P α p- F P Φ Φ P vQ F u a £ Φ Cfl φ Cfl P- d et Φ co 3 a v O P- φ P- tu F PJ P Φ
F PJ P et Φ φ er P- d tu μ- μ- to P P P P i Cß F ro F tfl vQ μ- d P*l a P - PJ F φ et P F O P F vQ P vQ Φ a P o a 00 et vQ P P- P- P co o O a F d CD O φ a vQ P F a φ N vQ to P ro 00 P F F CQ ro Φ Ω P N Φ
Φ F P- φ P co P- Φ co P- vQ d F P Φ et P PJ ro Ω P rt F a et d F
P ro F F Φ CTi F vQ X a Φ 3 CO 1 vQ P ro P Φ P tr F Pi φ Φ PJ 3 Φ
OO a d Φ CQ Φ co φ μ- P O a Φ ro P- CΛ P CO P- Φ ro Φ P 3 ? ?
CΛ P- P f P- d P cπ 3 φ d: o F O CO P- P F F i P to P P F F i et i 3 Φ vQ et Cfl P Φ DJ: z F φ tu et Ω Ω P o o φ ro a P^ 3 i 1 P tu μ- P et a F N εo O ro μ- F μ- F tr F P P EG tfl Φ O ro J a μ-
F F μ- co O P- Φ d Φ er P P Xi μ- φ CD Φ ß o
3 3 vQ et Pd ro P) F O P F a o co
F P CTi P <1 LSI 3 P Φ O co 0 P F P vQ Pf F φ P- F ro F tu CO et Ω
Φ a μ- Φ φ Φ 3 p- P a μ- P F et Φ P P- ?r Ω er ? Φ PJ F μ- F
P ro Ά d co P P- P fl DJ a φ Φ Φ Φ 00 ;*r ro CQ 3 o F F F P- - F ω φ Φ
F P μ- P Ω F F P vQ a P P F a 3 et o Φ P- Ω -3 Φ P P F P- ro P
Φ vQ a F EG φ Φ et P P- d Φ F co F O o 00 P- O ro co et :
P- rsi • φ PJ P f Φ Φ P co μ- P C μ- P P F F l P- F F P F Ω d Φ o
F Φ ro F F d O rt vQ DJ P μ- co P F ) P- a P • φ Φ CΛ *«« tr P P P d p- F P- to er Φ 3 i O Φ d φ F F a φ d Φ o PJ P P Xi Φ a rt
P F ro P PJ F P- F i P F φ Φ P- p- • P F tP et F o > P- z P to J Q φ r d Φ F PJ F Φ φ O F μ- P N co F P- P- P ro z P o 00 Φ Pf 00
P a P Φ P- d CQ d Cfl Pf P φ P N p- D F Pö N P- Φ o Φ i P 00 P et
CO F P) F F P CD P μ- et 3 ro φ d d μ- d Ω o
P P a P- P o co o Φ
CTi Φ P LSI φ Φ vQ ro vQ co P Φ φ P F 3 P iQ Ω F et Φ P a F μ- P F P- N
P- vQ ro 3 P φ P rt O F P P Cß Ω ro tr <! Φ 3 P CJ. ro DJ φ F Φ Ω d
<J F φ p- Φ Φ P • er μ- P φ et £ φ P F er rt ro Φ P P- P- P P J P tr 3
Φ d CQ F P F Φ <! P- Pf φ tu P σ P- P P P- F Q N μ- d - iQ
P P et ro et φ ω α P φ o rt P et CQ a F P <! P t P P- CD O P F Φ oo co
F vQ Φ P 3 ^J p- tu Ω P P to F P- a vQ o Φ Φ F Φ Φ P μ- F Xi co o Φ d F F 00 φ Φ Ω EG tr O a P- PJ P φ ro F P O: P P o Φ Φ PJ et 3
P 00 F ro 00 P vQ F DJ ro P φ IX d tu F μ- F tfl Φ Ω N F Ω P P a Φ z μ- a ~J F μ- F φ £ er F P P- P Φ et ro Cfl co X P- F Φ tr d F P- 3
Φ Φ F μ- er PJ J er CO a F o F F et Ω Φ d F P a 00 F P PJ
P d d Cfl co μ- et P F to Ω er P- Φ 00 3 α (D: P tr P N P P- vQ Φ ro et a vQ
P P et F P rt φ DJ F Φ Φ 3 P- P P CD P P a ro 3 . P
=s a P vQ a μ- Φ μ- d Φ P Φ iQ i o μ- a - co ^ 3 E φ N CJ. ro
Φ o CJ. d Φ •x: P F ro P tu to P Φ 1 a Ω P- F σ vQ ro P tfl d D φ F
P a P co Φ P rt Φ F Ω tu et er a Φ F ιQ P- a Xi Φ P F P- P P- z μ- a ro a ^1 s; a Z 3 P φ t P" d ro μ- o F ro O ro d 1 F a J P SD: ro ro to
Φ P P Φ μ- PJ Φ 3 PJ tr Φ F et a P P P P a PJ F F Ω P- Ω
P d < μ- Φ -ι P vQ F Φ d J F vQ a P- PJ 3 . F Ω O P P- P F tr tfl F
• F
£ P ro F μ- Φ a P φ P Φ P Φ Φ Φ φ P o-. < o F rt vQ P φ d fl F tfl ro
Φ vQ P co P a Φ 3 F F F 3 vQ F P P vQ tfl O F μ- φ P CQ F φ P to F er Φ Φ <! et φ Φ Φ Φ Φ Φ Φ F F P- P v z φ P a • CQ ? F
Φ > P- d 3 P Cfl O O P 3 P P P Φ P- μ- P F φ P ro P- F er Φ μ- F Cfl P μ- P P F J- φ et φ σ 3 P Ω tfl • F F a P α Φ P P Φ P
F et a F D Φ Φ P CΛ Φ P- μ- tr F F Ω φ PJ P- P- O P CQ a Pf ro P- P tΛ Cfl 00 s; F i P O to • J Φ *£, tr P P φ P a P F ro O a P ro o CQ i μ- J-. ro CD PJ Φ J a ro 1 f Φ P ro ro φ 3 ro
P P Φ μ- tu 1 μ- P F P- P Φ 1 a 1 to co P P Φ P 1 P 1 a Φ F F F 1 1 CD φ P- 1 1 CO ro 1 P
in Fig. 13 dargestelleten Anordnung wird der Kontaktpad 32 mit der Zeilenleitung 37 und der Kontaktpad 33 mit der Spaltenleitung 36 verbunden.
Soll der Widerstand des magnetoresistiven Halbleiterelements 34" bestimmt werden, wird an die Zeilenleitung 37" und die Spaltenleitung 36' eine Messpannung angelegt, um mit der Messanordnung 39 den Widerstand bestimmen zu können. Dabei ist von allen möglichen Strompfaden nur die Diode 35' in Durch- lassrichtung geschaltet, während alle anderen möglichen
Strompfade immer mindestens eine Diode 35 in Sperrichtung enthalten. Es kann damit selektiv der Widerstand bzw. die Widerstandsänderung im magnetoresistiven Halbleiterelement 34' bestimmt werden.
Fig. 15 zeigt eine Matrixanordnung, in welcher die magnetoresistiven Halbleiterel ente 34 durch einen Transistor 40 entkoppelt sind. Eine derartige Matrix lässt sich mit den in den Figuren 9 und 10 gezeigten Anordnungen verwirklichen.
Die Matrix umfasst wiederum Spaltenleitungen 36 und Zeilenleitungen 37. Über die Zeilenleitungen 37 kann jeweils eine Messpannung an ein magnetoresistives Halbleiterelement angelegt werden. Der Kontakt 41 der liegt jeweils für alle Tran- sistoren 40 auf dem gleichen Potential. Über die Spaltenleitungen 36 können jeweils die Transistoren 40 angesteuert werden, also zwischen leitendem und nichtleitendem Zustand geschaltet werden.
Wird das aus magnetoresistivem Halbleiterelement 34 und Transistor 40 gebildete elektronische Bauelement durch die in Fig. 9 dargestellte Anordnung gebildet, wird das auf dem semimagnetischen Kontakt 1 angeordnete Kontaktpad 16 mit der Zeilenleitung 37 verbunden und die Gateelektrode 12 mit der Spaltenleitung 36. Der durch die Metallschicht 17 gebildete Kontakt (Drain) liegt bei allen Feldeffekttransistoren auf dem gleichen Potential und entspricht in Fig. 15 dem Kontakt 41.
Bei dem in Fig. 10 dargestellten bipolaren Transistor wird der Kontaktpad la mit der Zeilenleitung 37 und Kontaktpad 20a (Basis) mit der Spaltenleitung 36 verbunden, während der Kontakt 16 (Kollektor 21) bei allen elektronischen Bauelementen auf gleichem Potential liegt.
Um in der in Fig. 15 dargestellten Matrix den Widerstand des magnetoresistiven Halbleiterelements 34' bestimmen zu können, wird an Zeilenleitung 37' und Kontakt 41' eine Messpannung angelegt, sodass mit Messgerät 39 der Widerstand des magneto- resistiven Halbleiterelements 34' bestimmt werden kann. Über Spaltenleitung 36 wird der Transistor 41' angesteuert, sodass die mit der Spaltenleitung 36' verbundenen Transistoren 41 leitfähig geschaltet werden. Nachdem nur in Zeilenleitung 37' eine Messspannung anliegt, wird nur beim zugehörigen Transi- sor 40' ein Messkreis erzeugt, sodass selektiv nur der Widerstand des magnetoresistiven Halbleiterelements 34' bestimmt wird.
Die Änderung des Widerstandes im erfindungsgemäßen magneto- elektrischen Halbleiterelements beruht auf einem neuen Effekt, der sich von den bisher bekannten magnetoresistiven Effekten, wie GMR, AMR oder TMR grundlegend unterscheidet. Das magnetoresistive Halbleiterelement kann in eine Vielzahl von Bauelementen integriert werden und lässt sich in seinem Auf- bau in weiten Grenzen variieren. CO 00 ro ro F F
Cπ o Cπ o cπ o cπ co CO co 00 ω ro ro ro ro ro ro ro ro ro IV) F F F F F F F F F F VQ 00 ^1 CT) Cπ 00 ro F to
C ro F O vo 00 C Cπ J co ro F o co 00 -J C cπ .&. co ro F o φ d vQ
£ a iχ) co £ £ P rsi 3 F £ to tfl F £ £ σ CΛ Q n £ £ F CΛ £ CΛ CO F N P φ CQ
CD O O 1 1 P- CD CD 1 φ PJ CQ φ O CD 3 ro CD CD P o fu PJ J DJ Φ d 0) Xi Xi O Z P- P N Q P P a a F et et a F vQ O F F Cfl P- P- F et PJ d F et vQ vQ P F vQ μ- P- et Φ Ω CQ Φ
P F F o 0 P- PJ PJ o F P F CD F P- F F PJ tu P- P ro φ P P P co P P P Φ μ- F F P- φ PJ PJ et F N F F et Φ Φ μ- F Φ cn F d F F P Ω a φ φ Φ O F Φ P P P F rt Φ Ω
F Pf ?? p- P- P- F F P- P F φ F F ro P F F ro P- F F F 3 P et P- P- F ro 1 P F
O F F φ Φ d f f Φ μ- P Cfl F P vQ CD Cfl Φ φ μ- P- DJ tu F Ω Ω P- P 3 Φ
P •P Xi P P 3 o 0 P co CQ Ω O Cfl Ω Ω F Pf o fl vQ F Φ tr F PJ PJ P
Φ tu PJ et et co P P et Ω Ω F P Pf tr tr φ et μ- μ- P F et F F 7t vQ O
CO a a Φ ro d F F ro tr tr μ- PJ P- P- ? P Φ φ Φ a P d 0 P P
P- P P er PJ PJ P Φ μ- Ω P Ω Ω et o P P F P P P Φ F co co Pf Pf CQ Ω F PJ F F P a d P P- EG vQ vQ F F J
F t to et et et EG tr F F F et μ- ro P P co PJ P- ;v
P- Φ ro P J co et ? vQ vQ Ω u Xi Pf CQ F
<1 P P PJ F i d F P tu et Ω ro Φ ro F er Φ 3 ro F P F
Cfl P- P- F μ- co P- PJ Φ Ω Ω Φ Ω Xi F P
EG F tr p- F tfl DJ F
PJ rt φ F P Φ EG
F Φ P ro PJ F PJ er P φ 3 F F
F er F ro F er
Φ ro φ P Φ F
P- P 3 F F Φ
F Φ φ P- φ p- P F
P Ω F φ φ tr P
F Φ 3 Φ P
F
Diode Spaltenleitung Zeilenleitung Elektronisches Bauelement Messinstrument Transistor Kontakt

Claims

Patentansprüche
1. Magnetoresistives Halbleiterelement, umfassend einen ersten Kontakt (1) und einen zweiten Kontakt (3), sowie eine zwischen erstem (1) und zweitem Kontakt (3) angeordnete
Schicht (2) eines nicht magnetischen Halbleiters, wobei der erste Kontakt (1) aus einem semimagnetischen Material besteht.
2. Magnetoresisitives Halbleiterelement nach Anspruch 1, wobei das semimagnetische Material ein Halbleiter ist.
3. Magnetoresistives Halbleiterelement nach Anspruch 1 oder
2, wobei zwischen erstem Kontakt und der Schicht des nicht magnetischen Halbleiters eine Tunnelbarriere angeordnet ist.
4. Magnetoresistives Halbleiterelement nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei der zweite Kontakt (3) aus einem nicht magnetischen Material besteht.
5. Magnetoresistives Halbleiterelement nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei der zweite Kontakt (3) aus einem semimagnetischen Material aufgebaut ist.
6. Magnetoresistives Halbleiterelement nach Anspruch 5, wobei zwischen dem zweiten Kontakt (3) aus einem semimagnetischen Material und der Schicht (2) aus dem nicht magnetischen Halbleiter eine Tunnelbarriere vorgesehen ist.
7. Magnetoresistives Halbleiterelement nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, wobei der zweite Kontakt (3) aus einem ferromagnetischen Material aufgebaut ist.
8. Magnetoresistives Halbleiterelement nach Anspruch 7, wo- bei zwischen dem zweiten Kontakt (3) aus einem ferromagneti- sehen Material und der Schicht aus dem nicht magnetischen Halbleiter eine Tunnelbarriere vorgesehen ist.
9. Magnetoresistives Halbleiterelement nach einem der An- sprüche 1 bis 8, wobei das semimagnetische Material ein II-IV Halbleiter ist.
10. Magnetoresistives Halbleiterelement nach Anspruch 9, wobei der II-VI Halbleiter BexNnyZnι-x-.ySe ist mit 0<x<l, 0<y<l und 0,0001<y<0,2.
11. Magnetoresistives Halbleiterelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Strompfad eine Schottky-Diode zur Entkopplung vorgesehen ist.
12. Magnetoresistives Halbleiterelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Strompfad eine pn-Diode zur Entkopplung vorgesehen ist.
13. Speicherelement umfassend ein magnetoresistives Halbleiterelement gemäss einem der Ansprüche 1 bis 12 und ein benachbart zum ersten Kontakt (1) angeordnetes ferromagneti- sches Element (9) .
14. Speicherelement nach Anspruch 13, wobei eine Schottky- Diode zur Entkopplung vorgesehen ist.
15. Feldeffekttransistor mit eine Source-Elektrode (14), einer Drain-Elektrode (15), einer Gate-Elektrode (12), wobei zumindest ein erster Kontakt (1) aus einem semimagnetischen Material vorgesehen ist, durch den spinpolarisierte Ladungsträger die Source-Elektrode (14) und/oder die Drain-Elektrode (15) injiziert bzw. extrahiert werden.
16. Bipolarer Transistor, umfassend einen als Emitter (19) wirkenden Abschnitt und einen als Kollektor (21) wirkenden Abschnitt und einen zwischen diesen angeordneten, als Basis
(20) wirkenden Bereich, wobei zumindest ein erster Kontakt (1) vorgesehen ist, durch den spinpolarisierte Ladungsträger in den Emitter (19) und/oder aus dem Kollektor (21) injiziert bzw. extrahiert werden.
17. Magnetischer Sensor, insbesondere Lesekopf zum Auslesen von in magnetischen Speichermedien gespeicherten Informationen, umfassend ein magnetoresistives Halbleiterelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, elektrische Zu- und Ableitungen zum ersten und zweiten Kontakt (1, 3) sowie eine mit den Zu- und Ableitungen verbundenen Messvorrichtung zur Messung der Änderung des elektrischen Widerstandes.
18. Verfahren zur Messung der Stärke eines Magnetfeldes, wobei das Magnetfeld auf einen Sensor einwirkt, in dem Ladungsträger in einem ersten Kontakt spinpolarisiert werden, die spinpolarisierten Ladungsträger in einen nichtmagnetischen Halbleiter injiziert werden, und die Ladungsträger aus dem nichtmagnetischen Halbleiter in einen zweiten Kontakt extrahiert werden und die Änderung des Widerstandes gegenüber einem Ausgangszustand gemessen wird.
19. Verfahren nach Anspruch 18, wobei der Ausgangszustand durch einen Widerstand des Sensors ohne Einwirkung eines Magnetfeldes gebildet wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 oder 19, wobei die Ladungsträger Elektronen sind.
PCT/DE2002/000989 2001-03-20 2002-03-19 Halbleiterelement mit einem semimagnetischen kontakt WO2002075344A2 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002573700A JP4058344B2 (ja) 2001-03-20 2002-03-19 半導体接点を備える半導体素子
DE10291108T DE10291108B4 (de) 2001-03-20 2002-03-19 Magnetoresistives Halbleiterbauelement mit einem semimagnetischen Kontakt, sowie Speicherelement und magnetischer Sensor
KR1020037012163A KR100583688B1 (ko) 2001-03-20 2002-03-19 반자성 콘택을 구비한 반도체 소자
US10/667,730 US6963096B2 (en) 2001-03-20 2003-09-22 Semiconductor element having a semi-magnetic contact

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10113495 2001-03-20
DE10113495.9 2001-03-20
DE10114963.8 2001-03-27
DE10114963A DE10114963A1 (de) 2001-03-20 2001-03-27 Halbleiterelement mit einem semimagnetischen Kontakt

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10/667,730 Continuation US6963096B2 (en) 2001-03-20 2003-09-22 Semiconductor element having a semi-magnetic contact

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2002075344A2 true WO2002075344A2 (de) 2002-09-26
WO2002075344A3 WO2002075344A3 (de) 2002-11-14

Family

ID=26008839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2002/000989 WO2002075344A2 (de) 2001-03-20 2002-03-19 Halbleiterelement mit einem semimagnetischen kontakt

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6963096B2 (de)
JP (1) JP4058344B2 (de)
KR (1) KR100583688B1 (de)
CN (1) CN100390561C (de)
DE (2) DE10114963A1 (de)
TW (1) TW571450B (de)
WO (1) WO2002075344A2 (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2871280A1 (fr) * 2004-06-03 2005-12-09 Spintron Sa Memoire magnetique a canal de confinement
US7274080B1 (en) * 2003-08-22 2007-09-25 International Business Machines Corporation MgO-based tunnel spin injectors
US7300711B2 (en) 2004-10-29 2007-11-27 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance using non-bcc magnetic materials
US7351483B2 (en) 2004-11-10 2008-04-01 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junctions using amorphous materials as reference and free layers
US7357995B2 (en) 2004-07-02 2008-04-15 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel barriers and associated magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance
US7598555B1 (en) 2003-08-22 2009-10-06 International Business Machines Corporation MgO tunnel barriers and method of formation
US7606010B2 (en) 2003-12-12 2009-10-20 International Business Machines Corporation Mg-Zn oxide tunnel barriers and method of formation
US7807218B2 (en) 2004-07-02 2010-10-05 International Business Machines Corporation High performance magnetic tunnel barriers with amorphous materials
US9190500B2 (en) 2012-08-14 2015-11-17 Japan Science And Technology Agency Spin polarization transistor element

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006086476A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Toshiba Corp 磁気記録素子および磁気記録装置
US7626236B2 (en) * 2005-06-28 2009-12-01 Purdue Research Foundation Transistor including paramagnetic impurities and having anti-parallel ferromagnetic contacts
WO2009102577A1 (en) * 2008-02-13 2009-08-20 University Of Delaware Electromagnetic wave detection methods and apparatus
JP2009200351A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Tdk Corp 半導体スピンデバイス及びスピンfet
DE102008026241B4 (de) * 2008-05-30 2016-12-01 Johannes-Gutenberg-Universität Mainz Inhomogene Verbindungen mit hohem Magnetwiderstand und Verwendung
KR101598542B1 (ko) * 2009-01-13 2016-02-29 삼성전자주식회사 스핀 전계효과 트랜지스터를 이용한 논리소자
JP2010199320A (ja) * 2009-02-25 2010-09-09 Tdk Corp シリコンスピン伝導素子の製造方法及びシリコンスピン伝導素子
US8941379B2 (en) * 2009-05-14 2015-01-27 University Of Delaware Electromagnetic wave detection systems and methods
CN102315255B (zh) * 2010-07-07 2013-10-16 中国科学院物理研究所 一种自旋场效应晶体管及其磁性存储器
US9136398B2 (en) * 2011-02-21 2015-09-15 Northwestern University Bipolar magnetic junction transistor with magnetoamplification and applications of same
DE102014203317A1 (de) 2014-02-25 2015-08-27 Robert Bosch Gmbh Sensorvorrichtung, Herstellungsverfahren für eine Sensorvorrichtung mit mindestens einem Magnetkern und Verfahren zum Ermitteln einer Feldstärke eines Magnetfelds in mindestens einer Raumrichtung
DE102017001963A1 (de) 2017-03-01 2018-09-06 Forschungsverbund Berlin E.V. Tunnelwiderstands-Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
CN113176483B (zh) * 2020-01-09 2023-04-28 国家纳米科学中心 用于自旋场效应晶体管的自旋信号测量方法及系统
CN112799240B (zh) * 2020-12-30 2022-09-16 广东省科学院半导体研究所 磁光器件及其制作方法
US20220307865A1 (en) * 2021-03-24 2022-09-29 Analog Devices International Unlimited Company Magnetic sensor system

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998025263A1 (en) * 1996-12-02 1998-06-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lateral magneto-electronic device exploiting a quasi-two-dimensional electron gas

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69331895T2 (de) * 1992-12-29 2002-12-19 Eastman Kodak Co Magnetoresistiver Magnetfeldsensor mit sehr langem Wirkbereich
US5565695A (en) * 1995-04-21 1996-10-15 Johnson; Mark B. Magnetic spin transistor hybrid circuit element
US5654566A (en) * 1995-04-21 1997-08-05 Johnson; Mark B. Magnetic spin injected field effect transistor and method of operation
JP3207094B2 (ja) * 1995-08-21 2001-09-10 松下電器産業株式会社 磁気抵抗効果素子及びメモリー素子
US5640343A (en) * 1996-03-18 1997-06-17 International Business Machines Corporation Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells
US5962905A (en) * 1996-09-17 1999-10-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive element
JP2924845B2 (ja) * 1997-03-24 1999-07-26 ティーディーケイ株式会社 スピンバルブ磁気抵抗素子を備えた磁気ヘッド及びその製造方法
JPH1187796A (ja) * 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 磁性半導体装置および磁性記録・再生装置
JP3646508B2 (ja) * 1998-03-18 2005-05-11 株式会社日立製作所 トンネル磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気センサー及び磁気ヘッド
AU4024800A (en) * 1999-03-29 2000-10-16 Gillette Company, The Alkaline cell with improved separator
FR2791814A1 (fr) * 1999-03-31 2000-10-06 Univ Pasteur Dispositif microelectronique a jonctions tunnel et reseau de memoires et capteur comprenant de tels dispositifs
JP4076197B2 (ja) * 1999-05-19 2008-04-16 株式会社東芝 磁性素子、記憶装置、磁気再生ヘッド、3端子素子、及び磁気ディスク装置
US6624490B2 (en) * 2000-10-26 2003-09-23 The University Of Iowa Research Foundation Unipolar spin diode and the applications of the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998025263A1 (en) * 1996-12-02 1998-06-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lateral magneto-electronic device exploiting a quasi-two-dimensional electron gas

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DAUGHTON J M ET AL: "APPLICATIONS OF SPIN DEPENDENT TRANSPORT MATERIALS" JOURNAL OF PHYSICS D. APPLIED PHYSICS, IOP PUBLISHING, BRISTOL, GB, Bd. 32, Nr. 22, 21. November 1999 (1999-11-21), Seiten R169-R177, XP000947410 ISSN: 0022-3727 *
FIEDERLING R ET AL: "INJECTION AND DETECTION OF A SPIN-POLARIZED CURRENT IN A LIGHT-EMITTING DIODE" NATURE, MACMILLAN JOURNALS LTD. LONDON, GB, Bd. 402, Nr. 6763, 16. Dezember 1999 (1999-12-16), Seiten 787-790, XP000960957 ISSN: 0028-0836 in der Anmeldung erw{hnt *
M. OESTREICH: "Injecting spin into electronics" NATURE, MACMILLAN JOURNALS LTD. LONDON, GB, Bd. 402, Nr. 22, 16. Dezember 1999 (1999-12-16), Seiten 735-737, XP002210977 *
OESTREICH M ET AL: "SPIN INJECTION INTO SEMICONDUCTORS" APPLIED PHYSICS LETTERS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS. NEW YORK, US, Bd. 74, Nr. 9, 1. M{rz 1999 (1999-03-01), Seiten 1251-1253, XP000805889 ISSN: 0003-6951 *
SCHMIDT G ET AL: "Spin injection into semiconductors, physics and experiments" SEMICOND SCI TECHNOL;SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY APRIL 2002, Bd. 17, Nr. 4, April 2002 (2002-04), Seiten 310-321, XP002210978 *
SUPRIYO DATTA ET AL: "ELECTRONIC ANALOG OF THE ELECTRO-OPTIC MODULATOR" APPLIED PHYSICS LETTERS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS. NEW YORK, US, Bd. 56, Nr. 7, 12. Februar 1990 (1990-02-12), Seiten 665-667, XP000126701 ISSN: 0003-6951 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7274080B1 (en) * 2003-08-22 2007-09-25 International Business Machines Corporation MgO-based tunnel spin injectors
US7598555B1 (en) 2003-08-22 2009-10-06 International Business Machines Corporation MgO tunnel barriers and method of formation
US7606010B2 (en) 2003-12-12 2009-10-20 International Business Machines Corporation Mg-Zn oxide tunnel barriers and method of formation
FR2871280A1 (fr) * 2004-06-03 2005-12-09 Spintron Sa Memoire magnetique a canal de confinement
WO2006000695A1 (fr) * 2004-06-03 2006-01-05 Spintron Memoire magnetique a canal de confinement
US7357995B2 (en) 2004-07-02 2008-04-15 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel barriers and associated magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance
US7807218B2 (en) 2004-07-02 2010-10-05 International Business Machines Corporation High performance magnetic tunnel barriers with amorphous materials
US7300711B2 (en) 2004-10-29 2007-11-27 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junctions with high tunneling magnetoresistance using non-bcc magnetic materials
US7351483B2 (en) 2004-11-10 2008-04-01 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junctions using amorphous materials as reference and free layers
US9190500B2 (en) 2012-08-14 2015-11-17 Japan Science And Technology Agency Spin polarization transistor element

Also Published As

Publication number Publication date
WO2002075344A3 (de) 2002-11-14
CN100390561C (zh) 2008-05-28
TW571450B (en) 2004-01-11
KR100583688B1 (ko) 2006-05-25
KR20030093249A (ko) 2003-12-06
JP4058344B2 (ja) 2008-03-05
CN1509413A (zh) 2004-06-30
DE10114963A1 (de) 2002-10-02
US20040113188A1 (en) 2004-06-17
DE10291108B4 (de) 2009-11-26
US6963096B2 (en) 2005-11-08
JP2004531881A (ja) 2004-10-14
DE10291108D2 (de) 2004-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2002075344A2 (de) Halbleiterelement mit einem semimagnetischen kontakt
DE102005005584B4 (de) 1R1D-MRAM-Blockarchitektur
DE10036140C1 (de) Verfahren und Anordnung zum zerstörungsfreien Auslesen von Speicherzellen eines MRAM-Speichers
DE112011103750B4 (de) Nichtflüchtiger Magnettunnelübergang-Transistor
DE102019116096A1 (de) Senkrechte sot-mram-speicherzelle unter verwendung von spin-swapping- induziertem spinstrom
AT405109B (de) Ein-elektron speicherbauelement
DE112018000840T5 (de) Spin-bahn-drehmoment-mram-speicherzelle mit verbesserter thermischer stabilität
EP1412948B1 (de) Magnetische speichereinheit und magnetisches speicherarray
DE102016006651A1 (de) Schaltvorrichtung mit spannungsgesteuerter magnetanisotropie, die einen externen ferromagnetischen vormagnetisierungsfilm verwendet
DE10228578A1 (de) Dünnfilm-Magnetspeichervorrichtung mit Speicherzellen, die ein Tunnel-Magnetwiderstandselement enthalten
DE102008015118A1 (de) Raumtemperatur-Quantendraht-(array)-Feldeffekt-(Leistungs-) Transistor &#34;QFET&#34;, insbesondere magnetisch &#34;MQFET&#34;, aber auch elektrisch oder optisch gesteuert
DE19621994C1 (de) Einzelelektron-Speicherzellenanordnung
DE2235465C3 (de) Feldeffekttransistor-Speicherelement
DE10222395A1 (de) TMR-Sensorelement sowie Schaltungseinrichtung mit mehreren solcher Elemente
DE10034868A1 (de) MRAM-Speicherzelle
DE69723963T2 (de) Seitliche magento-elektronische vorrichtung unter ausnutzung eines quasi zwei-dimensionalen elektrogases
DE102007045077B4 (de) Aktive Schreib-Strom-Anpassung für einen magnetoresistiven Vielfachzugriffsspeicher
EP0730162A2 (de) Sensoreinrichtung mit einer Brückenschaltung von magnetoresistiven Sensorelementen
WO2001018816A1 (de) Speicherzellenanordnung und verfahren zu deren betrieb
DE102019128636A1 (de) Stromsteuerung beim auslesen eines magnetischen tunnelübergangs
EP1046045A2 (de) Verfahren zum detektieren eines stroms spinpolarisierter elektronen in einem festkörper
WO2005008234A1 (de) Sensor-transistor-element, sensor-einheit und sensor-array
EP1449220B1 (de) Magnetoresistive speicherzelle mit dynamischer referenzschicht
DE112021005163T5 (de) Resonante synthetische antiferromagnetische referenz-schichtstruktur
DE102004011425B4 (de) Speicherzellenfolgen in einem Widerstands-Kreuzungspunkt-Speicherzellarray

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): CN DE JP KR US

AK Designated states

Kind code of ref document: A3

Designated state(s): CN DE JP KR US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020037012163

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2002573700

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 028070747

Country of ref document: CN

Ref document number: 10667730

Country of ref document: US

REF Corresponds to

Ref document number: 10291108

Country of ref document: DE

Date of ref document: 20040415

Kind code of ref document: P

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10291108

Country of ref document: DE

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8607

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8607