WO2002067285A2 - Vorrichtung und verfahren zur entladung von dielektrischen oberflächen - Google Patents

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Stefan Grosse
Sascha Henke
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Robert Bosch Gmbh
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    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/336—Changing physical properties of treated surfaces

Definitions

  • the invention relates to a device and a method for at least partial electrical discharge of dielectric surfaces according to the preamble of the independent claims.
  • Non-conductive substances such as surfaces of plastic films, paper webs or plastic threads can be superficially charged electrically by contact with other substances or by rapid separation from one another, the resulting electrical voltages on such surfaces reaching a few megavolts.
  • a "natural" discharge without aids then takes a few hours to days, depending on the air humidity, material and extent of the electrical charge.
  • the electrical charging of the surfaces can also lead to a malfunction of the systems used during their manufacture or processing, as well as a health impairment of the employees involved. In addition, their handling is made considerably more difficult by the electrical charging of the surface and the resulting electrostatic forces, particularly in the case of plastic films, paper webs or plastic threads, as are often used in the packaging industry.
  • the use of discharge devices is known from the prior art, which discharge the respective surface with ionized air. As a result of the increase in the conductivity of the air, a rapid discharge with residual voltages of typically a few kV, depending on the boundary conditions, is achieved. The limit of a few kV lies in the method used, since voltages of several kV are required for the ionization of air or alternatively used process gases.
  • the device according to the invention and the method according to the invention have the advantage over the prior art that an optimized discharge of dielectric surfaces, in particular surfaces of plastic films, paper webs or plastic threads, with regard to the size of the residual electrical voltage or the electrical charges remaining on the surface, and thus an significantly improved manufacturing stability and simplified handling of such dielectric materials is achieved.
  • the device according to the invention and the Process according to the invention particularly for use in the packaging industry.
  • a dielectric surface or a dielectric material is understood to mean a surface or a material which is not electrically conductive or is poorly conductive with respect to the discharge of superficially applied charges.
  • the dielectric surface is temporarily exposed to a plasma in the immediate vicinity of the surface of the plasma device or at least the area of action of the plasma with regard to the impingement of electrical charges generated by the plasma, the residual electrical voltages on the at least partially to be discharged dielectric surface are reduced than a kV, in particular less than 500 volts, which means a considerable improvement over the residual voltages of a few kilovolts that can be achieved in the prior art on such surfaces.
  • the method according to the invention also has the advantage that typical treatment times of 0.1 s to 10 s, in particular 0.5 s is> is 2 s, which are significantly shortened compared to the prior art, are sufficient to ensure adequate electrical discharge of the patients to be treated to ensure dielectric surface.
  • continuous treatment of continuous films or webs made of a dielectric material is also possible with the device according to the invention.
  • the electrical discharge of dielectric surfaces carried out according to the invention also simultaneously activates these surfaces, in particular with regard to surface energy and cleanliness. which manifests itself, for example, in improved printability and increased hydrophilicity.
  • the device according to the invention has the advantage of a simple and modular structure, so that it can be integrated into existing production facilities with little outlay on equipment.
  • the method according to the invention can also be used in air at atmospheric pressure.
  • microstructure discharges i.e. plasma discharges caused by microstructures
  • microstructures which are caused by coupling in an electrical voltage with an amplitude of 100 volts to 2000 volts, in particular 200 volts to 700 volts.
  • Such low voltages mean that, on the one hand, the electrical charges or electrical voltages on the dielectric surface, in particular via one of the electrodes of the plasma device, can be drawn off or reduced by the conductivity of the plasma generated above them, and on the other hand no high or relevant charges by the Plasma can be created again.
  • the process is carried out at a low negative pressure of in particular 100 mbar to 900 mbar.
  • nitrogen or, particularly advantageously, argon or helium is used as the gas to generate a plasma which is as homogeneous and stable as possible.
  • a direct voltage or a high-frequency alternating voltage with a frequency of preferably 1 kHz to 100 MHz, in particular 1 MHz to 20 MHz, for example 13.45 MHz, is preferred.
  • the plasma can advantageously also be generated by coupling microwaves into the plasma device.
  • FIG. 1 shows a schematic diagram of a first plasma device
  • FIG. 2 shows an alternative embodiment of a plasma device
  • FIG. 3 shows a schematic diagram of a discharge device as the first embodiment
  • FIG. 4 shows a second embodiment of a discharge device
  • FIG. 5 shows a further embodiment of a plasma device that is alternative to FIG. 1 or 2
  • FIG. 6 shows a third exemplary embodiment of a discharge device with the plasma device according to FIG. 5.
  • FIG. 1 shows a plasma device 1 with a dielectric plate 22, which consists, for example, of a low-loss, breakdown-resistant dielectric such as silicon dioxide or an aluminum oxide.
  • the dielectric plate 22 is further provided on one of its surfaces with a flat first electrode 11 and on the opposite surface with a flat second electrode 21.
  • the electrodes 11, 21 consist, for example, of a metal such as copper, stainless steel, gold or silver, and are covered with a ke from 10 .mu.m to 200 .mu.m in the form of a coating applied to the surface of the typically approximately 0.05 mm to 2 mm thick dielectric plate 22.
  • the electrodes 11, 21 and the dielectric plate 22 are provided with a multiplicity of holes 26 that are separated from one another. These through holes 26 are preferably arranged regularly and have a typical diameter of approximately 40 ⁇ m to 1 mm. Overall, the dielectric plate 22 is thus provided with microstructured, planar electrodes 11, 21.
  • the electrodes 11, 21 in FIG. 1 are connected to a voltage source, not shown, which supplies the electrodes 11, 21 with a direct voltage or a high-frequency alternating voltage with a frequency of 1 kHz to 100 MHz, in particular 13 45 MHz, applied.
  • a DC voltage is preferably used.
  • the injected electrical voltage is between 100 volts and 2000 volts, in particular 200 volts to 700 volts.
  • a plasma is ignited and maintained in the area of the through-holes 26 by the coupled-in electrical voltage, so that locally limited plasma areas 12 form there.
  • These plasma areas 12 extend into the area of the through holes 26 and also into an environment of the through hole 26. In particular, they rise at least on one side above the surface of the plasma device 1.
  • the plasma regions 12 merge into a larger, flat plasma region 40 by crosstalk. gene, which extends, for example, on one side over the entire surface of the plasma device 1, and which has a typical thickness of 0.5 mm to 3 mm.
  • the inner walls 23 of the through holes 26 are provided with a dielectric, in particular ceramic, coating as a protective layer, which consists, for example, of aluminum oxide or silicon dioxide.
  • FIG. 2 explains an alternative embodiment of the plasma device 1, with strips spaced apart from one another in the form of a first strip conductor 24 and a second strip conductor 27 now running on the dielectric plate 22 made of silicon dioxide or aluminum oxide. These strip conductors 24, 27 thus form, analogously to FIG. 1, microstructured, planar electrodes.
  • FIG. 2 further shows that a plurality of through holes 26 is provided between the strip conductors 24, 27, so that a gas such as compressed air, nitrogen, argon or helium can be introduced into the area between the strip conductors 24, 27 through them.
  • a gas such as compressed air, nitrogen, argon or helium
  • the flow can also take place parallel to the surface of the plasma device 1.
  • a plasma is now ignited between the strip conductors 24, 27, so that plasma regions form between the strip conductors 24, 27 at least in the vicinity of the perforations 26, in particular between the strip conductors 24, 27.
  • the through holes 26 and a correspondingly adapted spacing of the strip conductors 24, 27, it is also possible and preferred here as in FIG. 1 It is provided that the plasma regions unite to form a flat plasma region 40.
  • the strip conductors 24, 27 according to FIG. 2 consist, for example, of tracks made of copper or gold, which are optionally applied to a galvanic reinforcement, for example made of nickel.
  • a further, not shown embodiment of a plasma device 1 envisages to apply flat electrodes by regions, intervening insulating layers from each other to space and to an electric voltage, so that in the remaining intermediate space between the electrodes, ⁇ which is filled with gas or as explained with which it is energized, ignites and maintains a plasma, which is then used for an electrical discharge of dielectric surfaces.
  • a plurality of similar metallic disks for example provided with a central bore, with a diameter of 5 mm to 30 mm and a thickness of 0.1 mm to 2 mm on a common axis, and to arrange them spaced from each other by similar dielectric disks, in particular also lined up with a central bore on the axis, for example made of aluminum oxide, with a smaller diameter and a thickness of, for example, 0.1 mm to 3 mm, so that by applying an electrical voltage to the metallic ones Disks with alternating polarity between them burn a plasma in the interstices not occupied by the dielectric disks.
  • a discharge rod is formed as a plasma device 1, which is guided over a dielectric surface to be discharged or along which such a surface can be guided.
  • the axis mentioned is for example se is a ceramic rod with a diameter corresponding to the central bore, which alternately carries the metallic and dielectric disks.
  • the plasma device 1 can also be designed in the form of a waveguide for microwaves, which is preferably filled in its interior with a dielectric plate made of silicon dioxide.
  • a dielectric plate made of silicon dioxide.
  • through-holes similar to FIGS. 1 and 2 are also provided, which are introduced into the waveguide or the dielectric plate.
  • All of the plasma devices 1 explained have in common that discharges, in particular microstructure discharges, are produced and maintained by supplying a gas and by means of a coupled electrical direct or alternating voltage, so that mutually isolated or connected plasma areas 12 or 40 are located in an environment of the surface of the plasma device 1 train.
  • discharges in particular microstructure discharges
  • a gas and by means of a coupled electrical direct or alternating voltage, so that mutually isolated or connected plasma areas 12 or 40 are located in an environment of the surface of the plasma device 1 train.
  • the through holes 26 and the arrangement of the microstructured electrodes 11, 21, 24, 27 are selected appropriately, the plasmas generated in the local plasma regions 12 are coupled over so that a 1 a- terally forms homogeneous plasma in a flat plasma region 40.
  • an inhomogeneous and / or unstable plasma is often also sufficient for an electrical discharge from dielectric surfaces, since sufficient contact with the plasma and thus a sufficient contact via diffusion of electrically charged particles generated by the plasma and / or temporal averaging Discharge process for the dielectric surface is ensured.
  • the dielectric surface does not necessarily have to be in direct contact with the generated plasma in the desired electrical discharge process or must be introduced directly into the plasma regions 12, 40.
  • the surface to be discharged is only introduced into the effective area of the plasma or into the diffusion area of the gases or electrically charged particles ionized in the plasma.
  • the gases enriched with ions diffuse out of the actual plasma area onto the dielectric surface arranged in the vicinity of the plasma device 1, which likewise achieves a discharge that is less effective than the direct plasma area 12, 40.
  • an expansion of the effective area by gas diffusion or particle diffusion of up to 10 cm is observed.
  • FIG. 3 explains a first exemplary embodiment of a device according to the invention for at least partially electrically discharging dielectric surfaces using the example of discharging a plastic film 30.
  • the plastic film 30 is drawn over a sliding table 42 via a transport device (not shown), the dielectric surface of the plastic film 30 being exposed to a plasma device 1 according to FIG. 1 or according to FIG. 2 on its side facing away from the sliding table 42.
  • the distance of the plasma device 1 from the surface of the plastic film 30 guided past it is typically 0.1 mm to 5 mm, in particular 0.5 mm to 2 mm.
  • the electrode of the plasma device 1 facing the plastic film 30 is grounded and, in the case of direct voltage excitation, that a positive voltage is applied to the electrode facing away from it that a particularly intense discharge burns in the plasma region 40. Furthermore, there is an electrical potential that is close to the earth potential. A particularly effective discharge of the surface of the plastic film 30 is thus achieved.
  • a gas for example compressed air, nitrogen, argon or helium
  • a gas supply 31 for example compressed air, nitrogen, argon or helium
  • a laterally homogeneous plasma is formed on the side of the plasma device 1 facing the plastic film 30, which extends over an environment of the surface of the plasma device 1 in the plasma region 40.
  • the dielectric surface of the plastic film 30 is exposed to this plasma in the plasma region 40 an at least partial electrical discharge of the dielectric surface is achieved.
  • the plastic film 30 is preferably drawn continuously in the form of a web over the sliding table 42, so that its surface is temporarily exposed to the plasma generated on one side.
  • the typical time for at least partial electrical discharge of the dielectric surface of the plastic film has been found to be a time of 0.1 to 10 s, in particular 0.5 s to 2 s, which can be set in a simple manner via the transport speed at which the plastic film is used the slide table 42 is pulled.
  • several modules of the plasma device 1 can also be connected in series in order to ensure sufficient electrical discharge at a fixed transport speed.
  • the plasma device 1 according to FIG. also according to the further FIGS. 4 and 5, as shown, planar, as well as curved or, depending on the requirements of the feed device 2, adapted to its possibly complex geometry.
  • FIG. 4 explains an exemplary embodiment alternative to FIG. 3, wherein instead of the sliding table 42, transport rollers 41 are provided, which serve as feed device 2 for feeding the plastic film 30 into the plasma region 40 of the plasma caused by the plasma device 1. It is further provided according to FIG. 4 that the gas supply 31 blows a gas into the space between the plasma device 1 and the plastic film 30. In this way, continuous processing of a continuous plastic film 30 is also ensured.
  • FIG. 5 shows a third embodiment of a plasma device 1, which differs from the exemplary embodiment according to FIG. 2 only in the arrangement of the through holes 26 and the structure of the planar, microstructured electrodes. In detail, according to FIG.
  • a first comb 32 and a second comb 33 are arranged on the surface of the dielectric plate 22, which form an intermeshing comb structure, the through holes 26 being arranged between the individual elongated teeth of the comb 32, 33 ,
  • the distance between the teeth of the comb 32 or 33 according to FIG. 5 is preferably between 20 ⁇ m and 200 ⁇ m, for example 100 ⁇ m. Otherwise the combs 32, 33 are formed analogously to the strip conductors 24, 27.
  • the comb structure according to FIG. 5 creates a flat, particularly homogeneous plasma region 40 on the surface of the plasma device 1, which extends up to a distance of approximately 0.5 mm to 3 mm from the surface of the plasma device 1.
  • FIG. 6 finally shows a third exemplary embodiment of a device for discharging a plastic film 30 with a plasma device 1 according to FIG. 5. It is provided that the comb structure with the combs 32, 33 is located on the side of the plasma device 1 facing the plastic film 30. It is also provided there that the plastic film 30 is guided past the surface of the plasma device 1 at a distance of approximately 1 mm via transport rollers 41, so that the surface of the plastic film 30 is continuously introduced into the plasma area 40 and exposed to the plasma present there , FIG. 6 also shows that a gas, for example helium, is supplied to the plasma device 1 from the side of the plasma device 1 facing away from the plastic film 30.
  • a gas for example helium
  • the gas supply 31 for example in the form of a suitably designed gas shower, causes this gas to be supplied to the through holes 26 according to FIG. 5.
  • FIG. 6 also provides that the gas supplied with the gas supply 31 is discharged again via a gas suction device 34.
  • This gas suction device 34 is particularly relevant when the gas supplied is air, since in this case ozone is generated in the device described.
  • FIG. 6 is particularly suitable for endlessly moving paper webs or plastic films past the surface of the plasma device 1.
  • the flat plasma generated is used to extract surface charges on the side of the plastic film 30 facing the plasma device 1.
  • the device according to the invention can be operated both at atmospheric pressure and at negative pressure, a negative pressure of, for example, 100 mbar to 900 mbar leading to an improvement in the homogeneity of the plasma generated and the efficiency of the plasma generation.
  • working under negative pressure means an increased outlay on equipment, since this usually requires a suitable processing chamber with a pump device.
  • the through holes 26 can also be designed as slots, elongate recesses, semicircular recesses, etc., in accordance with the exemplary embodiments explained.

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Abstract

Es wird eine Vorrichtung und ein Verfahren zur zumindest teilweisen elektrischen Entladung von dielektrischen Oberflächen (30), insbesondere von Oberflächen von Kunststofffolien, Papierbahnen oder Kunststoffäden, vorgeschlagen. Dabei wird zunächst mit einer Plasmeinrichtung (1) ein Plasma durch Mikrostrukturentladungen in mindestens einem Plasmabereich (12, 40) erzeugt. Weiter wird die dielektrische Oberfläche (30) mit einer Zufuhreinrichtung (2) in den Plasmabereich (12, 40) eingeführt, und dabei dem erzeugten Plasma zur elektrischen Entladung zeitweilig ausgesetzt.

Description

Vorrichtung und Verfahren zur Entladung von dielektrischen Oberflachen
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur zumindest teilweisen elektrischen Entladung von dielektrischen Oberflachen nach der Gattung der unabhängigen Ansprüche .
Stand der Technik
Nichtleitende Stoffe wie Oberflachen von Kunststofffolien , Papierbahnen oder Kunststofffaden können durch Kontakt mit anderen Stoffen oder auch durch eine schnelle Trennung voneinander oberflächlich elektrisch aufgeladen werden, wobei die entstehenden elektrischen Spannungen an solchen Oberflachen hin zu einigen Megavolt reichen. Eine „naturliche" Entladung ohne Hilfsmittel dauert dann, abhangig von Luftfeuchtigkeit, Material und Ausmaß der elektrischen Aufladung, einige Stunden bis Tage.
Durch die elektrische Aufladung der Oberflachen kann es weiter bei deren Herstellung bzw. Bearbeitung zu einer Störung der eingesetzten Anlagen sowie auch zu einer gesundheitlichen Beeinträchtigung der daran beschäftigten Mitarbeiter kommen. Zudem ist deren Handhabung durch die elektrische Aufladung der Oberflache und die dadurch hervorgerufenen elektrostatischen Kräfte insbesondere bei Kunststofffolien, Papierbahnen oder Kunststofffaden, wie sie vielfach m der Verpackungsindustrie eingesetzt werden, erheblich erschwert. Zur Minimierung der Oberflächenaufladung ist aus dem Stand der Technik der Einsatz von Entladegeräten bekannt, die die jeweilige Oberfläche mit ionisierter Luft beströmen. Durch die dadurch hervorgerufene Erhöhung der Leitfähigkeit der Luft wird eine rasche Entladung mit, je nach Randbedingungen, resultierenden Restspannungen von typischerweise wenigen kV erreicht. Die Grenze von einigen kV liegt dabei in dem jeweils eingesetzten Verfahren begründet, da für die Ionisation von Luft bzw. alternativ eingesetzter Prozessgase Spannungen von mehreren kV erforderlich sind.
In der unveröffentlichten Anmeldung DE 199 43 953.2 wurde bereits eine Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas und insbesondere zur Behandlung oder Aktivierung von Oberflachen vorgeschlagen, bei der über eine Einkoppelung von Mikrowellen in einen mit Durchbohrungen versehenen Hohlleiter unter Zufuhr eines Gases Mikrostrukturentladungen erzeugt werden. Dadurch liegt in einer Umgebung der Durchbohrungen in zugeordneten Plasmabereichen ein lokal begrenztes bzw. flächiges Gasplasma vor.
Vorteile der Erfindung
Die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren hat gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil , dass damit eine optimierte Entladung von dielektrischen Oberflächen, insbesondere Oberflächen von Kunststofffolien, Papierbahnen oder Kunststofffäden, hinsichtlich Größe der elektrischen Restspannung bzw. der oberflächlich verbleibenden elektrischen Ladungen, und damit eine deutliche verbesserte Fertigungsstabilitat und eine vereinfachte Handhabung derartiger dielektrischer Materialien erreicht wird. Insofern eignet sich die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren besonders zum Einsatz in der Verpackungsindustrie .
In diesem Zusammenhang wird im Rahmen der Erfindung unter einer dielektrischen Oberfläche bzw. einem dielektrischen Material eine Oberfläche bzw. ein Material verstanden, die oder das elektrisch nicht oder bezüglich der Ableitung oberflächlich aufgebrachter Ladungen schlecht leitend ist.
Dadurch, dass die dielektrische Oberfläche zeitweilig einem Plasma in einer unmittelbaren Umgebung der Oberfläche der Plasmaeinrichtung oder zumindest dem Wirkungsbereich des Plasmas hinsichtlich des Auftreffens von durch das Plasma erzeugten elektrischen Ladungen ausgesetzt wird, werden die elektrischen Restspannungen auf der zumindest teilweise zu entladenden dielektrischen Oberfläche auf weniger als ein kV, insbesondere weniger als 500 Volt reduziert, was gegenüber dem im Stand der Technik erreichbaren Restspannungen auf derartigen Oberflächen von wenigen Kilovolt eine erhebliche Verbesserung bedeutet.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat daneben den Vorteil, dass typische, gegenüber dem Stand der Technik deutlich verkürzte Behandlungszeiten von 0,1 s bis 10 s, insbesondere 0,5 s ϊ>is 2 s, ausreichend sind, um eine ausreichende elektrische Entladung der zu behandelnden dielektrischen Oberfläche zu gewährleisten. Insbesondere ist auch eine kontinuierliche Behandlung von durchlaufenden Folien oder Bahnen aus einem dielektrischen Material mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung möglich.
Im Übrigen wird durch die erfindungsgemäß vorgenommene elektrische Entladung von dielektrischen Oberflächen gleichzeitig auch eine Aktivierung dieser Oberflächen, insbesondere hinsichtlich Oberflächenenergie und Sauberkeit, erreicht, was sich beispielsweise in einer verbesserten Bedruckbarkeit und einer gesteigerten Hydrophilie äußert.
Schließlich hat die erfindungsgemäße Vorrichtung den Vorteil eines einfachen und modularen Aufbaus, so dass sie mit geringem apparativen Aufwand in bestehende Fertigungseinrichtungen integrierbar ist. Zudem ist das erfindungsgemäße Verfahren auch an Luft bei Atmosphärendruck einsetzbar.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen.
So ist besonders vorteilhaft, wenn Mikrostrukturentladungen, d.h. durch MikroStrukturen hervorgerufene Plasmaentladungen eingesetzt werden, die durch Einkoppeln einer elektrischen Spannung mit einer Amplitude von 100 Volt bis 2000 Volt, insbesondere 200 Volt bis 700 Volt, hervorgerufen werden. Derart niedrige Spannungen führen dazu, dass einerseits durch die Leitfähigkeit des darüber erzeugten Plasmas die elektrischen Ladungen bzw. elektrischen Spannungen auf der dielektrischen Oberfläche insbesondere über eine der Elektroden der Plasmaeinrichtung abgesogen bzw. abgebaut werden können, und andererseits keine hohen bzw. relevanten Aufladungen durch das Plasma neu hervorgerufen werden.
Hinsichtlich einer optimierten Homogenität des erzeugten Plasmas und einer verbesserten Effizienz der erreichten elektrischen Entladung der dielektrischen Oberfläche ist es zudem vorteilhaft, wenn bei einem geringen Unterdruck von insbesondere 100 mbar bis 900 mbar gearbeitet wird. Daneben ist vorteilhaft, wenn an Stelle von Luft Stickstoff oder, besonders vorteilhaft, Argon oder Helium als Gas zur Erzeugung eines möglichst homogenen und stabilen Plasmas eingesetzt wird. Zur Erzeugung des Plasmas in den Plasmabereichen der Plasmaeinrichtung kommt bevorzugt eine Gleichspannung oder eine hochfrequente Wechselspannung mit einer Frequenz von bevorzugt 1 kHz bis 100 MHz, insbesondere 1 MHz bis 20 MHz, beispielsweise 13,45 MHz, in Frage. Darüber hinaus kann das Plasma vorteilhaft auch durch Einkoppeln von Mikrowellen in die Plasmaeinrichtung erzeugt werden. Bei der Erzeugung des Plasmas mit einer Wechselspannung besteht zudem vorteilhaft die Möglichkeit, die Elektroden mit einer dünnen, dielektrischen Schutzschicht zu versehen.
Zeichnungen
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt Figur 1 eine Prinzipskizze einer ersten Plasmaeinrichtung, Figur 2 eine alternative Ausführungsform einer Plasmaeinrichtung, Figur 3 eine Prinzipskizze einer Entladevorrichtung als erstes Ausführungsbeispiel, Figur 4 ein zweites Ausführungsbeispiel einer Entladevorrichtung, Figur 5 eine weitere, zu Figur 1 oder 2 alternative Ausführungsform einer Plasmaeinrichtung, und Figur 6 ein drittes Ausführungsbeispiel einer Entlade - Vorrichtung mit der Plasmaeinrichtung gemäß Figur 5.
Ausführungsbeispiele
Die Figur 1 zeigt eine Plasmaeinrichtung 1 mit einer dielektrischen Platte 22, die beispielsweise aus einem verlustarmen, durchschlagfesten Dielektrikum wie Siliziumdioxid oder einem Aluminiumoxid besteht. Die dielektrische Platte 22 ist weiter auf einer ihrer Oberflächen mit einer flächigen ersten Elektrode 11 und auf der gegenüberliegenden Oberfläche mit einer flächigen zweiten Elektrode 21 versehen. Die Elektroden 11, 21 bestehen beispielsweise aus einem Metall wie Kupfer, Edelstahl, Gold oder Silber, und sind mit einer Dik- ke von 10 um bis 200 μm in Form einer Beschichtung auf die Oberfläche der typischerweise ca. 0,05 mm bis 2 mm dicken dielektrischen Platte 22 aufgebracht.
In Figur 1 ist weiter vorgesehen, dass die Elektroden 11, 21 und die dielektrische Platte 22 mit einer Vielzahl von geineinsamen Durchbohrungen 26 versehen sind. Diese Durchbohrungen 26 sind bevorzugt regelmäßig angeordnet und weisen einen typischen Durchmesser von ca. 40 μm bis 1 mm auf. Insgesamt ist somit die dielektrische Platte 22 mit mikrostrukturierten, planaren Elektroden 11, 21 versehen.
Zur Erzeugung eines Plasmas ist vorgesehen, dass die Elektroden 11, 21 in Figur 1 mit einer nicht dargestellten Spannungsquelle verbunden sind, die die Elektroden 11, 21 mit einer Gleichspannung oder einer hochfrequenten Wechselspannung mit einer Frequenz von 1 kHz bis 100 MHz, insbesondere 13,45 MHz, beaufschlagt. Bevorzugt wird eine Gleichspannung eingesetzt. Die eingekoppelte elektrische Spannung liegt zwischen 100 Volt und 2000 Volt, insbesondere 200 Volt bis 700 Volt.
Durch die eingekoppelte elektrische Spannung wird in dem Bereich der Durchbohrungen 26 ein Plasma gezündet und aufrechterhalten, so dass sich dort lokal begrenzte Plasmabereiche 12 ausbilden. Diese Plasmabereiche 12 erstrecken sich in den Bereich der Durchbohrungen 26 sowie auch in eine Umgebung der Durchbohrung 26. Insbesondere erheben sie sich zumindest einseitig über die Oberfläche der Plasmaeinrichtung 1.
Durch eine geeignete Anordnung und einen geeigneten Abstand der Durchbohrungen 26 ist es weiter möglich und bevorzugt vorgesehen, dass sich die Plasmabereiche 12 durch Übersprechen zu einem größeren, flächigen Plasmabereich 40 vereini- gen, der sich beispielsweise einseitig über die gesamte Oberflache der Plasmaeinrichtung 1 erstreckt, und der eine typische Dicke von 0,5 mm bis 3 mm aufweist.
Optional kann gemäß Figur 1 weiter vorgesehen sein, dass die Innenwände 23 der Durchbohrungen 26 mit einer dielektrischen, insbesondere keramischen Beschichtung als Schutzschicht versehen sind, die beispielsweise aus Aluminiumoxid oder Siliziumdioxid besteht.
Die Figur 2 erläutert eine alternative Ausführungsform der Plasmaeinrichtung 1, wobei auf der dielektrischen Platte 22 aus Siliziumdioxid oder Aluminiumoxid nunmehr voneinander beabstandete Streifen in Form eines ersten Streifenleiters 24 und eines zweiten Streifenleiters 27 verlaufen. Diese Streifenleiter 24, 27 bilden somit, analog Figur 1, mikrostrukturierte, planare Elektroden.
Die Figur 2 zeigt weiter, dass zwischen den Streifenleitexn 24, 27 eine Mehrzahl von Durchbohrungen 26 vorgesehen ist, so dass durch diese ein Gas wie beispielsweise Pressluft, Stickstoff, Argon oder Helium in den Bereich zwischen den Streifenleitern 24, 27 einführbar ist. Die Beströmung kann jedoch ebenso, wie in Figur 4 erläutert, parallel zu der Oberfläche der Plasmaeinrichtung 1 erfolgen.
Durch Anlegen einer elektrischen Spannung analog Figur 1 wird nun zwischen den Streifenleitern 24, 27 ein Plasma gezündet, so dass sich zwischen den Streifenleitern 24, 27 zumindest in einer Umgebung der Durchbohrungen 26, insbesondere zwischen den Streifenleitern 24, 27, Plasmabereiche ausbilden. Durch geeignete Anordnung der Durchbohrungen 26 und einen entsprechend angepassten Abstand der Streifenleiter 24, 27 ist es auch hier analog Figur 1 möglich und bevorzugt vorgesehen, dass sich die Plasmabereiche zu einem flächig ausgedehnten Plasmabereich 40 vereinigen.
Die Streifenleiter 24, 27 gemäß Figur 2 bestehen beispielsweise aus Bahnen aus Kupfer oder Gold, die optional auf einer galvanischen Verstärkung, beispielsweise aus Nickel, aufgebracht sind.
Ein weiteres, nicht dargestelltes Ausführungsbeispiel einer Plasmaeinrichtung 1 sieht vor, flächige Elektroden durch bereichsweise dazwischen befindliche isolierende Schichten voneinander zu beabstanden und mit einer elektrischen Spannung zu beaufschlagen, so dass in dem verbleibenden Zwischenraum zwischen den Elektroden, ■ der mit Gas gefüllt ist bzw. wie erläutert mit diesem beströmt wird, ein Plasma zündet und aufrechterhalten wird, das dann für eine elektrische Entladung dielektrischer Oberflächen genutzt wird. Insbesondere ist im Rahmen dieses Ausführungsbeispiels vorgesehen, eine Vielzahl gleichartiger, beispielsweise mit einer zentralen Bohrung versehener metallischer Scheiben mit einem Durchmesser von 5 mm bis 30 mm und einer Dicke von 0,1 mm bis 2 mm auf einer gemeinsamen Achse aufgereiht nebeneinander anzuordnen, und diese jeweils über gleichartige, insbesondere ebenfalls mit einer zentralen Bohrung auf der Achse aufgereihte dielektrische Scheiben, beispielsweise aus Aluminiumoxid, mit kleinerem Durchmesser und einer Dicke von beispielsweise 0,1 mm bis 3 mm voneinander zu beabstanden, so dass durch Anlegen einer elektrischen Spannung an die metallischen Scheiben mit jeweils abwechselnder Polarität zwischen diesen in den jeweils nicht von den dielektrischen Scheiben eingenommenen Zwischenräumen ein Plasma brennt. Auf diese Weise bildet sich ein Entladungsstab als Plasmaeinrichtung 1 aus, der über eine zu entladende dielektrische Oberfläche geführt bzw. an dem eine solche Oberfläche vorbeigeführt werden kann. Die erwähnte Achse ist beispielswei- se ein keramischer Stab mit einem der zentralen Bohrung entsprechenden Durchmesser, der abwechselnd die metallischen und dielektrischen Scheiben trägt.
Schließlich kann die Plasmaeinrichtung 1 auch in Form eines Hohlleiters für Mikrowellen ausgebildet sein, der bevorzugt in seinem Inneren mit einer dielektrischen Platte aus Siliziumdioxid gefüllt ist. In diesem Fall sind ebenfalls Durchbohrungen analog den Figuren 1 bzw. 2 vorgesehen, die in den Hohlleiter bzw. die dielektrische Platte eingebracht sind . Zu Einzelheiten zu einer derartigen Plasmaeinrichtung mit einem Hohlleiter für Mikrowellen sei auf die Anmeldung DE 199 43 953.2 verwiesen.
Auf das Füllen des Hohlleiters mit der dielektrischen Platte kann auch verzichtet werden, da aufgrund von Feldinhomogenitäten bevorzugt an den Kanten der Durchbohrungen stets Entladungen entstehen.
Schließlich besteht auch die Möglichkeit, Mikrowellen über Streifenleiter, wie sie beispielsweise in Figur 2 dargestellt sind, einzukoppeln, und damit ein Plasma für die gewünschte elektrische Entladung zu erzeugen.
Allen erläuterten Plasmaeinrichtungen 1 ist gemein, dass durch Zuleiten eines Gases und über eine eingekoppelte elektrische Gleich- oder Wechselspannung Entladungen, insbesondere Mikrostrukturentladungen, hervorgerufen und aufrechterhalten werden, so dass sich voneinander isolierte oder zusammenhängende Plasmabereiche 12 bzw. 40 in einer Umgebung der Oberfläche der Plasmaeinrichtung 1 ausbilden. Insbesondere tritt, wenn die Durchbohrungen 26 und die Anordnung der mikrostrukturierten Elektroden 11, 21, 24, 27 geeignet gewählt ist, ein Überkoppeln der in den lokalen Plasmabereichen 12 jeweils erzeugten Plasmen auf, so dass sich ein 1 a- teral homogenes Plasma in einem flächigen Plasmabereich 40 ausbildet.
Im Übrigen sei betont, dass für eine elektrische Entladung von dielektrischen Oberflächen vielfach auch ein inhomogenes und/oder instabiles Plasma ausreichend ist, da über Diffusion von durch das Plasma erzeugten elektrisch geladenen Teilchen und/oder zeitliche Mittelung ein ausreichender Kontakt mit dem Plasma und damit ein Entladungsprozess für die dielektrische Oberfläche sichergestellt ist.
Insbesondere ist zu betonen, dass die dielektrische Oberfläche nicht notwendigerweise bei dem gewünschten elektrischen Entladungsprozess mit dem erzeugten Plasma in direktem Kontakt stehen bzw. direkt in die Plasmabereiche 12, 40 eingebracht werden muss. Vielfach genügt es bereits, wenn die zu entladende Oberfläche lediglich in den Wirkungsbereich des Plasmas bzw. in den Diffusionsbereich der in dem Plasma ionisierten Gase bzw. elektrisch geladenen Teilchen eingebracht wird. In diesem Wirkungsbereich kommt es zu einer Diffusion der mit Ionen angereicherten Gase aus dem eigentlichen Plasmabereich heraus hin auf die in die Nähe der Plasmaeinrichtung 1 angeordnete dielektrische Oberfläche, wodurch ebenfalls eine, gegenüber dem direkten Plasmabereich 12, 40 allerdings weniger effektive Entladung erreicht wird. In Einzelfällen wird bei einer räumlichen Ausdehnung des eigentlichen Plasmabereiches von typischerweise wenigen mm in einer Dimension eine Ausdehnung des Wirkungsbereiches durch Gasdiffusion bzw. Teilchendiffusion von bis zu 10 cm beobachtet .
Die Figur 3 erläutert ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur zumindest teilweise elektrischen Entladung von dielektrischen Oberflächen am Beispiel der Entladung einer Kunststofffolie 30. Dabei ist vor- gesehen, dass die Kunststofffolie 30 über eine nicht dargestellte Transporteinrichtung über einen Gleittisch 42 gezogen wird, wobei die dielektrische Oberfläche der Kunststofffolie 30 auf ihrer dem Gleittisch 42 abgewandten Seite mit einer Plasmaeinrichtung 1 gemäß Figur 1 oder gemäß Figur 2 mit einem Plasma beaufschlagt wird. Dazu beträgt der Abstand der Plasmaeinrichtung 1 von der daran vorbeigeführten Oberfläche der Kunststofffolie 30 typischerweise 0,1 mm bis 5 mm, insbesondere 0,5 mm bis 2 mm.
Bei der Entladung der Oberfläche der Kunststofffolie 30 mit der Plasmaeinrichtung 1 gemäß Figur 3 ist bevorzugt vorgesehen, die der Kunststofffolie 30 zugewandte Elektrode der Plasmaeinrichtung 1 zu erden, und, im Fall einer Gleichspannungsanregung, die dieser abgewandte Elektrode mit einer positiven Spannung zu beaufschlagen, so dass in dem Plasmabereich 40 eine besonders intensive Entladung brennt. Weiterhin stellt sich dort dann ein elektrisches Potential ein, das nahe dem Erdpotential liegt. Damit wird eine besonders effektive Entladung der Oberfläche der Kunststofffolie 30 erreicht.
In Figur 3 ist weiter vorgesehen, dass der Plasmaeinrichtung
1 von ihrer der Kunststofffolie 30 abgewandten Seite über eine Gaszuführung 31 ein Gas, beispielsweise Pressluft, Stickstoff, Argon oder Helium, zugeführt wird, das die Durchbohrungen 26 durchströmt. Auf diese Weise bildet sich besonders auf der der Kunststofffolie 30 zugewandten Seite der Plasmaeinrichtung 1 ein lateral homogenes Plasma aus, dass sich über eine Umgebung der Oberfläche der Plasmaeinrichtung 1 in dem Plasmabereich 40 erstreckt. Da weiter durch die Anordnung der Plasmaeinrichtung 1 und den Gleit - tisch 42, der im erläuterten Beispiel als Zufuhreinrichtung
2 dient, die dielektrische Oberfläche der Kunststofffolie 30 diesem Plasma in dem Plasmabereich 40 ausgesetzt wird, wird eine zumindest teilweise elektrische Entladung der dielektrischen Oberflache erreicht.
Bevorzugt wird gemäß Figur 3 die Kunststofffolie 30 kontinuierlich in Form einer Bahn über den Gleittisch 42 gezogen, so dass ihre Oberflache zeitweilig einseitig mit dem erzeugten Plasma beaufschlagt wird.
Als typische Zeit zur zumindest teilweisen elektrischen Entladung der dielektrischen Oberflache der Kunststofffolie hat sich eine Zeit von 0,1 bis 10 s, insbesondere 0,5 s bis 2 s herausgestellt, die in einfacher Weise über die Transportgeschwindigkeit einstellbar ist, mit der die Kunststofffolie über den Gleittisch 42 gezogen wird. Ebenso können jedoch auch mehrere Module der Plasmaeinrichtung 1 hintereinander- geschaltet werden, um bei fester Transportgeschwindigkeit eine ausreichende elektrische Entladung sicherzustellen.
Im Übrigen kann die Plasmaeinrichtung 1 gemäß Figur 3 bzw . auch gemäß den weiteren Figuren 4 und 5 sowohl wie dargestellt planar, als auch gekrümmt oder, je nach Erfordernis der Zufuhreinrichtung 2, an deren gegebenenfalls komplexe Geometrie angepasst ausgef hrt sein.
Die Figur 4 erläutert ein zu Figur 3 alternatives Ausfuhrungsbeispiel, wobei an Stelle des Gleittisches 42 Transportrollen 41 vorgesehen sind, die als Zufuhreinrichtung 2 zur Zufuhr der Kunststofffolie 30 in den Plasmabereich 40 des von der Plasmaeinrichtung 1 hervorgerufenen Plasmas dienen. Weiter ist gemäß Figur 4 vorgesehen, dass die Gaszufuhrung 31 ein Gas in den Zwischenraum zwischen Plasmaeinrichtung 1 und Kunststofffolie 30 einblast. Auf diese Weise ist ebenfalls ein kontinuierliches Bearbeiten einer durchlaufende Kunststofffolie 30 gewahrleistet. Die Figur 5 zeigt eine dritte Ausfuhrungsform einer Plasmaeinrichtung 1, die sich von dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 2 lediglich durch die Anordnung der Durchbohrungen 26 und die Struktur der planaren, mikrostrukturierten Elektroden unterscheidet. Im Einzelnen ist gemäß Figur 5 vorgesehen, dass auf der Oberflache der dielektrischen Platte 22 ein erster Kamm 32 und ein zweiter Kamm 33 angeordnet sind, die eine ineinandergreifende Kammstruktur bilden, wobei zwischen den einzelnen langgestreckten Zahnen der Kamme 32, 33 die Durchbohrungen 26 angeordnet sind. Der Abstand der Zahne der Kamme 32 bzw. 33 gemäß Figur 5 liegt bevorzugt zwischen 20 μm und 200 μm, beispielsweise bei 100 μm. Ansonsten sind die Kamme 32, 33 analog den Streifenleitern 24, 27 ausgebildet.
Durch die Kammstruktur gemäß Figur 5 wird ein flachiger, besonders homogener Plasmabereich 40 auf der Oberflache der Plasmaeinrichtung 1 erzeugt, der sich bis in eine Entfernung von ca. 0,5 mm bis 3 mm von der Oberflache der Plasmaein- richtung 1 erstreckt.
Die Figur 6 zeigt schließlich ein drittes Ausfuhrungsbeispiel einer Vorrichtung zur Entladung einer Kunststofffol ie 30 mit einer Plasmaeinrichtung 1 gemäß Figur 5. Dabei ist vorgesehen, dass sich die Kammstruktur mit den Kämmen 32, 33 auf der der Kunststofffolie 30 zugewandten Seite der Plasmaeinrichtung 1 befindet. Weiter ist dort vorgesehen, dass die Kunststofffolie 30 über Transportrollen 41 an der Oberflache der Plasmaeinrichtung 1 in einem Abstand von etwas 1 mm vorbeigefuhrt wird, so dass die Oberfläche der Kunst - stofffolie 30 kontinuierlich in den Plasmabereich 40 eingeführt und dem dort vorliegenden Plasma ausgesetzt wird. Zudem zeigt Figur 6, dass von der der Kunststofffolie 30 abgewandten Seite der Plasmaeinrichtung 1 dieser über eine Gas- zufuhrung 31 ein Gas, beispielsweise Helium, zugeführt wird. Die Gaszufuhrung 31, beispielsweise in Form einer geeignet ausgeführten Gasdusche, bewirkt dabei eine Zufuhr dieses Gases zu den Durchbohrungen 26 gemäß Figur 5. Schließlich ist in Figur 6 noch vorgesehen, dass das mit der Gaszufuhrung 31 zugefuhrte Gas über eine Gasabsaugeinrichtung 34 wieder abgeführt wird. Diese Gasabsaugeinrichtung 34 ist besonders dann relevant, wenn das zugefuhrte Gas Luft ist, da in diesem Fall in der beschriebenen Vorrichtung Ozon entsteht.
Die Figur 6 eignet sich besonders zum endlosen Vorbeifuhren von Papierbahnen oder Kunststofffolien an der Oberflache der Plasmaeinrichtung 1. Dabei wird über das flachig erzeugte Plasma eine Absaugung von Oberflachenladungen auf der .der Plasmaeinrichtung 1 zugewandten Seite der Kunststofffolie 30 erreicht.
Abschließend sei noch erwähnt, dass die erfindungsgemaße Vorrichtung sowohl bei Atmospharendruck als auch bei Unterdruck betrieben werden kann, wobei ein Unterdrück von beispielsweise 100 mbar bis 900 mbar zur Verbesserung der Homogenitat des erzeugten Plasmas und der Effizienz der Plasmaerzeugung fuhrt. Andererseits bedeutet das Arbeiten unter Unterdruck einen erhöhten apparativen Aufwand, da dazu in der Regel eine geeignete Bearbeitungskammer mit einer Pumpeinrichtung erforderlich ist.
Zudem sei betont, dass die Durchbohrungen 26 gemäß den erläuterten Ausfuhrungsbeispielen neben den dargestellten kreisförmigen Lochern auch als Schlitze, längliche Ausnehmungen, halbkreisförmige Ausnehmungen usw. ausgeführt sein können.

Claims

Ansprüche
1. Vorrichtung zur zumindest teilweisen elektrischen Entladung von dielektrischen Oberflächen, insbesondere von Oberflächen von Kunststofffolien, Papierbahnen oder Kunststofffäden, mit einer Plasmaeinrichtung (1) zur Erzeugung eines Plasmas mit elektrisch geladenen Teilchen in mindestens einem Plasmabereich (12, 40) mittels MikroStrukturen, sowie mit einer Zufuhreinrichtung (2) , mit dem die dielektrische Oberfläche (30) in den Plasmabereich (12, 40) oder zumindest in dessen Wirkungsbereich einführbar und dort von dem Plasma erzeugten elektrisch geladenen Teilchen zeitweilig aussetzbar ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Plasmaeinrichtung (1) eine dielektrische Platte (22), eine erste, einem Gas ausgesetzte Elektrode (11, 24,
32) und eine davon beabstandete, zweite, dem Gas ausgesetzte Elektrode (21, 27, 33), sowie Mittel zur Zündung und Aufrechterhaltung des Plasmas in dem Plasmabereich (12, 40) aufweist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die dielektrische Platte (22) zumindest bereichsweise planare, mikrostrukturierte Elektroden (11, 21, 24, 27, 32,
33) aufweist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die mikrostrukturierten Elektroden (11, 21, 24, 27, 32, 33) zumindest bereichsweise als voneinander beabstandete Streifen oder Streifenleiter (24, 27) und/oder als voneinander beabstandete Kämme (32, 33) einer Kammstruktur ausgebildet sind.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die dielektrische Platte (22) auf zwei einander gegenüber liegenden Seiten mit planaren Elektroden (11, 21) mit mikrostrukturierten Ausnehmungen, insbesondere Löchern, Durchbohrungen (26) oder Schlitzen, versehen ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Plasmaeinrichtung (1) mindestens einen Hohlleiter oder eine Anordnung von Streifenleitern für Mikrowellen aufweist.
7. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die dielektrische Platte (22) mindestens eine Durchbohrung (26), insbesondere eine Vielzahl von Durchbohrungen (26) , mit einem Durchmesser von
10 μm bis 300 μm, aufweist, wobei die Durchbohrung (26) auch die mikrostrukturierte Ausnehmung der Elektroden (11, 21) bildet und/oder in einer Umgebung der mikrostrukturierten
Elektrode (24, 27, 32, 33) angeordnet ist.
8. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Gaszuführung (31) zur Zufuhr des Gases in den Plasmabereich (12, 40) vorgesehen ist.
9. Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zufuhreinrichtung (2) Mittel (41, 42) zum insbesondere kontinuierlichen Vorbeiführen der dielektrischen Oberfläche (30) an der Oberfläche der Plasmaeinrichtung (1) derart aufweist, dass die dielektri - sehe Oberfläche (30) zeitweilig dem Plasma in dem Plasmabereich (40, 12) oder zumindest dem Wirkungsbereich der von dem Plasma erzeugten elektrisch geladenen Teilchen ausgesetzt ist.
10. Verfahren zur zumindest teilweisen elektrischen Entladung von dielektrischen Oberflächen, insbesondere mit einer Vorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei mit einer Plasmaeinrichtung (1) in mindestens einem Plasmabereich (12, 40) ein Plasma erzeugt wird, und wobei die dielektrische Oberfläche (30) dem Plasma in diesem Plasmabereich (12, 40) oder zumindest in dessen Wirkungsbereich zeitweilig ausgesetzt wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass eine Vielzahl von lokal begrenzten Plasmen in einem jeweils zugeordneten Plasmabereich (12) in einer Umgebung der Oberfläche der Plasmaeinrichtung (1) erzeugt wird, oder dass ein flächiges Plasma in einem Plasmabereich (40) in einer Umgebung der Oberfläche der Plasmaeinrichtung (1) erzeugt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Plasma durch Einkoppeln einer elektrischen Spannung mit einer Amplitude von 100 Volt bis
2000 Volt, insbesondere 200 Volt bis 700 Volt, in die Plasmaeinrichtung (1) in dem Plasmabereich (12, 40) gezündet und aufrechterhalten wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass eine Gleichspannung oder eine hochfrequente Wechselspannung, insbesondere mit einer Frequenz von 1 kHz bis 100 MHz, insbesondere 13,45 MHz, eingekoppelt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest teilweise zu entladende dielektrische Oberfläche (30) dem Plasma in dem Plasmabereich (12, 40) über einen Zeitraum von 0,1 sec bis 10 sec , insbesondere 0,5 sec bis 2 sec, ausgesetzt wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass dem Plasmabereich (12, 40) ein Gas, insbesondere Luft, Stickstoff, Argon oder Helium, zugeführt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die dielektrische Oberfläche (30) in einem Abstand von 100 μm bis 5 mm, insbesondere 500 μm bis
2 mm, an einer Oberfläche der Plasmaeinrichtung (1) vorbeigeführt, und dabei in dem Plasmabereich (12, 40) mit dem Plasma beaufschlagt wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass es bei einem Unterdruck, insbesondere 100 mbar bis 900 mbar, durchgeführt wird.
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