WO2002062115A1 - Plasmaanlage und verfahren zur erzeugung einer funktionsbeschichtung - Google Patents

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WO2002062115A1
WO2002062115A1 PCT/DE2001/004565 DE0104565W WO02062115A1 WO 2002062115 A1 WO2002062115 A1 WO 2002062115A1 DE 0104565 W DE0104565 W DE 0104565W WO 02062115 A1 WO02062115 A1 WO 02062115A1
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Stefan Grosse
Sascha Henke
Susanne Spindler
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Robert Bosch Gmbh
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    • H05H1/30—Plasma torches using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Definitions

  • the invention relates to a plasma system with an inductively coupled high-frequency plasma beam source and a method for producing a functional coating on a substrate according to the category of the independent claims.
  • thermal plasmas are particularly suitable, with which high coating rates in the range of mm / h can be achieved.
  • thermal plasma sources are particularly suitable, with which high coating rates in the range of mm / h can be achieved.
  • HF-ICP radiation source inductively coupled high-frequency plasma radiation source
  • E. Pfender and CH Chang inductively coupled high-frequency plasma radiation source
  • a method for generating functional layers with such a plasma beam source has already been proposed in application DE 199 58 474.5.
  • the advantages of the HF-ICP beam source lie on the one hand in the area of the working pressures in the source, which usually range from 50 mbar to 1 bar and more, and on the other hand in the great variety of materials that can be used and can be deposited with such a plasma beam source.
  • the starting materials are introduced axially into the very hot plasma jet, hard materials with very high melting temperatures can also be used.
  • Another advantage of the RF-ICP beam source is that it works without electrodes, i.e. Contamination of the layers to be produced by the electrode material from the radiation source is excluded.
  • a disadvantage of known HF-ICP beam sources and plasma systems with such plasma beam sources are the high temperatures in the plasma beam of a few 1000 ° C., to which the substrate to be coated is largely exposed. In this respect, the selection of substrates that can be used is clearly restricted.
  • Another disadvantage is that the production of layer systems on the substrate, such as are currently produced, for example, by CVD processes, often requires a minimum energy of the particles hitting the substrate. This applies in particular to the deposition of DLC coatings (“dia ond-like carbon”). This minimum energy of the impinging ions is not achieved in the previously known inductively coupled high-frequency plasma beam sources and the plasma systems provided with them.
  • the plasma system according to the invention with an inductively coupled high-frequency plasma beam source and the method according to the invention for producing a functional coating on a substrate has the advantage over the prior art that layers or layer systems can be generated therewith which have hitherto only been deposited using CVD processes could.
  • a sufficient average free path length is available to the ions present in the plasma, and thus the electrical voltage with which the substrate electrode and, above that, the substrate connected to the substrate electrode is applied, also has a sufficient effect with regard to the desired acceleration. In addition, this pressure significantly reduces the temperature load on the processed substrate.
  • Plasma system also in the chamber in which the substrate is only a rough vacuum of less than 50 mbar required to ensure the ion energies sufficient for the desired coating processes or surface modifications.
  • the generation of a rough vacuum in the chamber of the plasma system can be achieved reliably and quickly with conventional pumping devices, and requires a significantly reduced expenditure of time and equipment compared to a fine vacuum or a high vacuum, as is required in the CVD method. Due to the relatively high pressure in the chamber of the plasma system, workpieces made of, for example, strongly outgassing sintered materials can now also be processed.
  • the reactive properties of the HF-ICP plasma for producing a coating and / or for achieving a surface modification on the substrate are improved by the applied substrate electrode voltage and the selected pressure in the plasma system.
  • the method according to the invention is a high-rate
  • Deposition process which can be carried out in a rough vacuum with short process times or pumping times and which is suitable for the deposition or production of coatings on all technically relevant substrates, for example stainless steel, other electrically conductive materials, ceramics etc.
  • the high-frequency plasma jet source and the chamber with the substrate are connected to one another only via the outlet opening of the plasma jet source, a pressure difference between the inside of the device can be easily achieved via a corresponding pump device
  • Plasma source and the chamber interior maintained. It is furthermore advantageous if the application of an electrical voltage to the substrate electrode is correlated with a periodically periodic change in the intensity of the plasma beam generated by the plasma beam source. In this way, on the one hand, the temperature load on the substrate is further reduced, and on the other hand, due to the fluctuation of the intensity of the plasma jet, which is preferably also periodically extinguished, plasma-physical imbalance states occur to a high degree, which can be used to create novel coatings deposit the substrate. With regard to the selection of the materials supplied to the plasma beam source or the generated plasma beam for producing the functional coating on the substrate, there is still a large number of possibilities, for example the ones proposed in DE 199 58 474.5.
  • a cooling device and / or a movable holder preferably movable or rotatable in all spatial directions, is provided for cooling the substrate, so that the substrate can be easily oriented relative to the plasma jets and, if desired, during plasma deposition can be cooled.
  • the electrical voltage applied to the substrate electrode is an electrical voltage that changes over time, in particular a pulsed electrical voltage.
  • This can also be provided with an adjustable positive or negative offset voltage and / or pulsed with a largely freely selectable pulse-pause ratio.
  • Another easy-to-change parameter that can be adapted to the requirements of the individual case is the shape of the envelope of the time-varying electrical voltage, which can have, for example, a sawtooth, triangular or sinusoidal shape.
  • the electrical voltage used can also be a direct voltage.
  • FIG. 1 shows a first exemplary embodiment of a plasma system according to the invention with an ICP plasma beam source in section
  • FIG. 2 shows an example of a temporal variation of the intensity of the plasma beam generated.
  • FIGS. 3a to 3h show recordings of the plasma beam emerging from the plasma beam source as a function of time, which is pulsed according to FIG. 2.
  • FIG. 4 shows a picture of a plasma jet which emerges from the plasma jet source at high speed.
  • FIG. 5 explains the plasma beam source according to FIG. 1 in detail.
  • the invention is based on an inductively coupled high-frequency plasma beam source, as is similar in form from E. Pfender and CH Chang "Plasma Spray Jets and Plasma Particulate Interaction: Modeling and Experiments", conference proceedings of the 6th workshop on plasma technology, TU IIlmenau, 1998, A coating method is also known carried out, which has already been proposed in a similar form in DE 199 58 474.5.
  • FIG. 1 shows an inductively coupled high-frequency plasma beam source 5 with a cup-shaped burner body 25 which on one side has an outlet opening 26 which is preferably provided with a variably adjustable or shaped opening diaphragm 22 and which, for example, is circular with a diameter of 1 cm to 10 cm is formed. Furthermore, the plasma beam source 5 has one in the region of
  • Exit opening 26 in the burner body 25 integrated coil 17, for example a water-cooled copper coil, which can alternatively also be wrapped around the burner body 25.
  • a feed 10 in the form of a conventional injector for feeding an injector gas 11 a first cylindrical sleeve 14 and a second cylindrical sleeve 15 are provided.
  • the first sleeve 14 and the second sleeve 15 are each formed concentrically to the side wall of the torch body 25, the second sleeve 15 primarily serving to remove a plasma 21 generated in the torch body 25 in a plasma generation space 27 from the walls of the ' torch body 25 to be held.
  • an enveloping gas 13 is introduced into the burner body 25 between the first sleeve 14 and the second sleeve 15 via a suitable gas supply, which also has the task of blowing the generated plasma 21 out of the plasma jet source 5 in a jet-like manner via the outlet opening 26 , so that a plasma beam 20 is formed, which acts largely bundled on a substrate 19 located in a chamber 40 on a substrate carrier 18, which in the concrete example also serves as the substrate electrode 18, in order to produce and / or deposit a functional coating there.
  • the enveloping gas 13 is argon, that of the plasma jet source 5 with a gas flow of 5000 sccm to
  • 100000 sccm in particular 20000 sccm to 70000 sccm, is fed.
  • the coil 17 is electrically connected to a high-frequency generator 16, with which an electrical power of 500 W to 50 kW, in particular 1 kW to 10 kW, at a high frequency of 0.5 MHz up to 20 MHz is coupled into the coil 17 and above that into the plasma 21 ignited and maintained in the plasma generation space 27.
  • a high-frequency generator 16 with which an electrical power of 500 W to 50 kW, in particular 1 kW to 10 kW, at a high frequency of 0.5 MHz up to 20 MHz is coupled into the coil 17 and above that into the plasma 21 ignited and maintained in the plasma generation space 27.
  • the high-frequency generator 16 is provided with an electrical component 28 known per se, with which the intensity of the plasma beam 20 when it acts on the substrate 19 periodically at a frequency of 1 Hz to 10 kHz, in particular 50 Hz to 1 kHz, can be changed between an adjustable upper and an adjustable lower intensity limit.
  • the plasma beam 20 is preferably used over an adjustable period of time, i.e. a selectable pulse-pause ratio, periodically also deleted.
  • FIG. 1 further shows that a central gas 12 can be supplied via the first sleeve 14 to the area between the first sleeve 14 and the feed 10.
  • a central gas 12 can be supplied via the first sleeve 14 to the area between the first sleeve 14 and the feed 10.
  • This is, for example, an inert gas or an inert gas to which a gas reacting with the injector gas 11 has been added.
  • the plasma 20 receives a gaseous, icroscale or nanoscale precursor material, a suspension of such a precursor material or a reactive gas is supplied which, in a modified form, in particular after undergoing a chemical reaction or a chemical activation, forms the desired functional coating on the substrate 19 or is integrated therein.
  • the plasma 21 can, however, also be used to merely chemically modify the surface of the substrate 19, so that the desired functional coating is created on the surface of the substrate 19.
  • a carrier gas for this precursor material in particular nitrogen and / or a reactive gas for a chemical reaction with the precursor material, in particular oxygen, nitrogen, is preferably used at the same time , Ammonia, a silane, acetylene, methane or hydrogen.
  • the supply device for supplying the central gas 12 or the supply device for supplying the envelope gas 13 are suitable for supplying these gases.
  • a further supply device for example an injector or a gas shower, can also be located in the chamber 40 can be provided for supplying a reactive gas and / or a precursor material in the plasma beam 20 which has already emerged from the plasma beam source 5.
  • the precursor material used is preferably an organic, an organosilicon or an organometallic compound, which thus provides the plasma 21 and / or the plasma jet 20 in gaseous or liquid form, as microscale or nanoscale powder particles, as a liquid suspension, in particular with suspended therein microscale or nanoscale particles, or as a mixture of gaseous or liquid substances with solids.
  • the individual gases ie the supplied reactive gases or the central gas 12 and the injector gas 11 and selection of the precursor material, which is explained in detail in DE 199 58 474.5
  • the precursor material can be a metal silicide, a metal carbide, a silicon carbide, a metal oxide, for example, on the substrate 19 Silicon oxide, a metal nitride, a silicon nitride, a metal boride, a metal sulfide, amorphous carbon, diamond-like carbon (DLC), or else a mixture of these materials in the form of a layer or a sequence of layers are produced or deposited.
  • the proposed method is also suitable for cleaning or carbonizing or nitriding the surface of the substrate 19.
  • FIG. 1 further shows that the substrate electrode 18 can be cooled with cooling water 39 via a cooling water supply 31, and that the substrate electrode 18 and thus also the substrate 19 can be moved in the chamber 40 via a corresponding holder 32. Both the holder 32 and the cooling water supply 31 are electrically separated from the substrate electrode 18 to which the electrical voltage is applied via insulation 34.
  • the substrate 19 with the substrate electrode 18 is preferably arranged on a movable holder 32, in particular one that is movable and / or rotatable in all spatial directions.
  • the substrate electrode 18 is electrically connected to a substrate generator 37, with which an electrical voltage is coupled into the substrate electrode 18 and above that also into the substrate 19.
  • a generator supply line 36 is provided between the substrate generator 37 and the substrate electrode 18.
  • the substrate electrode 18 with the substrate generator 37 is supplied with an electrical direct voltage or an alternating voltage with an amplitude between 10 V and 5 kV, in particular between 50 V and 300 V, and a frequency between 0 Hz and 50 MHz, in particular between 1 kHz and 100 kHz.
  • This direct voltage or alternating voltage can also be temporarily or continuously provided with a positive or negative offset voltage.
  • the coupled-in electrical voltage is preferably a time-variable electrical voltage, in particular a pulsed electrical voltage with a pulse-pause ratio to be selected in individual cases on the basis of simple preliminary tests, and an offset voltage which may also vary over time, for example with regard to the sign.
  • the voltage is set so that its envelope has a unipolar or bipolar sawtooth, triangular or sinusoidal shape. Further parameters are the amplitude and polarity of the offset voltage, the edge steepness of the individual pulses of the injected electrical voltage, the frequency (carrier frequency) of this voltage and its amplitude.
  • a particularly preferred embodiment of the method according to the invention provides that the change in the intensity of the plasma beam 20 via the high-frequency generator 16 and the electrical component 28 integrated therein, which, moreover, is also designed as a separate electrical component and then between the coil 17 and the high frequency Generator 16 can be switched, in particular the pulsing of the plasma beam 20, temporally correlated to the change or the pulsing of the electrical voltage coupled into the substrate electrode 18.
  • This temporal correlation is further preferably a pulsing of the intensity of the pulse in phase opposition or at different times Plasma beams 20 against the change or the pulsing of the electrical voltage.
  • FIG. 1 also indicates that there is a first pressure range 30 in the interior of the plasma jet source 5, in which a pressure of 1 mbar to 2 bar, in particular 100 mbar to 1 bar, prevails.
  • a second pressure region 33 is then present in the interior of the chamber 40.
  • Maintaining pressure range 30, 33 and, in particular, maintaining the pressure in chamber 40 below 50 mbar, in particular between 1 mbar and 10 mbar, are also connected to the chamber 40 by conventional pump devices, not shown.
  • the pressures are preferably selected such that the ratio of the pressure in the first pressure region 30 to the pressure in the second pressure region 33 is greater than 1.5, in particular greater than 3.
  • a pressure difference of more than 100 mbar between the plasma generation chamber 27 in the interior of the plasma radiation source 5 and the interior of the chamber is established via a pump device, not shown, connected to the chamber 40
  • Suitable materials for the substrate 19 when carrying out the method according to the invention are both electrically conductive and, with a suitable choice of the time-varying voltage at the substrate electrode, electrically iso- materials.
  • temperature-sensitive substrates such as polymers can also be used.
  • FIG. 2 explains how the intensity of the plasma beam 20 is changed by changing the time of the high-frequency generator 16 in cooperation with the electrical component 28 by changing the voltage supplied to the coil 17 in accordance with the change in this voltage.
  • the voltage in the continuation of FIG. 2 on the coil 17 can also be temporarily 0, so that the plasma beam 20 extinguishes during this time.
  • FIGS. 3a to 3h show directly the plasma jet 20 emerging from the outlet opening 26 via the aperture plate 22 in the chamber 40.
  • the typical distance between the outlet opening 26 and the substrate 19 is 5 cm to 50 cm.
  • FIG. 3a Shortly thereafter, plasma jet 20 completely extinguishes, then the plasma jet is re-ignited according to FIGS. 3c to 3e and briefly swings back before it then expands continuously according to FIGS. 3f to 3h, so that after 13.3 ms the initial state according to FIG. 3a is almost complete is reached again.
  • This pulsing of the plasma beam 20 according to FIGS. 3a to 3h is brought about by a change in the high-frequency electrical power coupled into the coil 17.
  • compression nodes 23 can be seen in FIG. 4, which demonstrate that the speed of the particles in the plasma beam 20 is of the same order of magnitude as the speed of sound. It can also be larger than this.
  • the high speed of the plasma jet 20, which can be influenced via the pressure difference, ensures that not only deep cavities on the surface of the substrate 19 are exposed to the plasma 21, but also that the diffusion boundary layer between the surface of the substrate 19 and the plasma jet 20 is reduced, which facilitates the diffusion of reactive plasma components onto the surface of the substrate 19 and thus shortens or intensifies the required processing time of the substrate 19 with the plasma beam 20.
  • FIG. 5 explains a detail from FIG. 1, the plasma beam source 5 being shown enlarged again.
  • the arrangement of the feed 10 and the configuration of the first sleeve 14 and the second sleeve 15 can be seen more clearly.

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Abstract

Es wird eine Plasmaanlage mit mindestens einer induktiv gekoppelten Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle (5) mit einem einen Plasmaerzeugungsraum (27) begrenzenden Brennerkörper (25) mit einer Austrittsöffnung für den Plasmastrahl (20) sowie einer mit der Plasmastrahlquelle (5) über die Austrittsöffnung (26) in Verbindung stehenden Kammer (40) mit einem darin angeordneten, dem Plasmastrahl (20) ausgesetzten Substrat (19) vorgeschlagen. Dabei ist das Substrat (19) auf einer mit einer elektrischen Spannung beaufschlagbaren Substratelektrode (18) angeordnet. Weiter wird ein Verfahren zur Erzeugung einer Funktionsbeschichtung auf dem Substrat (19) mit einer solchen Plasmaanlage vorgeschlagen. In bevorzugter Ausgestaltung werden weiter bei Betrieb der Plasmaanlage sowohl der Plasmastrahl (21) als auch die elektrische Spannung an der Substratelektrode (18) gepulst und/oder ein Druckgefälle zwischen dem Inneren der Plasmastrahlquelle (5) hin zu dem Inneren der Kammer (40) aufrechterhalten.

Description

Plasmaanlage und Verfahren zur Erzeugung einer Funktionsbe- Schichtung
Die Erfindung betrifft eine Plasmaanlage mit einer induktiv gekoppelten Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle und ein Verfahren zur Erzeugung einer Funktionsbeschichtung auf einem Sub- strat nach der Gattung der unabhängigen Ansprüche.
Stand der Technik
Das Aufbringen von Funktionsschichten auf Substrate ist ein weit verbreitetes Verfahren, um Oberflächen von Werkstücken bzw. Bauteilen gewünschte Eigenschaften zu geben. Ein übliches Verfahren, um derartige Funktionsschichten zu erzeugen, ist das Plasmabeschichten im Feinvakuum oder Hochvakuum, was aufwendige Evakuierungstechniken erfordert und zudem nur re- lativ geringe Beschichtungsraten liefert. Daher ist dieses Verfahren zeitintensiv und teuer.
Zur Beschichtung von Substraten im subatmosphärischen und atmosphärischen Druckbereich eignen sich insbesondere the - mische Plasmen, mit denen hohe Beschichtungsraten im Bereich von mm/h erreichbar sind. Dazu sei beispielsweise auf R. Henne, Contribution to Plasma Physics, 39 (1999), Seiten 385 - 397, verwiesen. Besonders vielversprechend unter den thermischen Plasmaquellen ist die induktiv gekoppelte Hochfre- quenz-Plasmastrahlquelle (HF-ICP-Strahlquelle) , wie sie aus E. Pfender und C. H. Chang „Plasma Spray Jets and Plasma Particulate Interaction: Modelling and Experiments", Tagungsband des 6. Workshop Plasmatechnik, Tu IIlmenau, 1998, bekannt ist. Zudem ist in der Anmeldung DE 199 58 474.5 auch bereits ein Verfahren zur Erzeugung von Funktionsschichten mit einer derartigen Plasmastrahlquelle vorgeschlagen worden.
Die Vorteile der HF-ICP-Strahlquelle liegen einerseits im Bereich der Arbeitsdrücke in der Quelle, die üblicherweise von 50 mbar bis hin zu 1 bar und mehr reichen, und andererseits in der großen Vielfalt der einsetzbaren und mit einer derartigen Plasmastrahlquelle abscheidbaren Materialien. Insbesondere sind dadurch, dass die Ausgangsstoffe axial in den sehr heißen Plasmastrahl eingebracht werden, auch Hart- Stoffe mit sehr hohen Schmelztemperaturen verwendbar. Ein weiterer Vorteil der HF-ICP-Strahlquelle liegt darin, dass diese ohne Elektroden arbeitet, d.h. es sind Verunreinigungen der zu erzeugenden Schichten durch das Elektrodenmaterial aus der Strahlquelle ausgeschlossen.
Nachteilig bei bekannten HF-ICP-Strahlquellen und Plasmaanlagen mit derartigen Plasmastrahlquellen sind die hohen Temperaturen im Plasmastrahl von einigen 1000 °C, denen weitgehend auch das zu beschichtende Substrat ausgesetzt ist. In- sofern ist die Auswahl einsetzbarer Substrate deutlich eingeschränkt. Weiter ist nachteilig, dass zur Herstellung von Schichtsystemen auf dem Substrat, wie sie derzeit beispielsweise über CVD-Verfahren hergestellt werden, vielfach eine Mindestenergie der auf das Substrat auftreffenden Teilchen erforderlich ist. Dies gilt insbesondere bei der Abscheidung von DLC-Beschichtungen („dia ond-like carbon") . Diese Mindestenergie der auftreffenden Ionen wird bei den bisher bekannten induktiv gekoppelten Hochfrequenz-Plasmastrahlquellen und den damit versehenen Plasmaanlagen nicht er- reicht. Aufgabe der vorliegenden Erfindung war die Bereitstellung einer Plasmaanlage mit einer induktiv gekoppelten Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle und eines Verfahrens zur Erzeugung von Funktionsbeschichtungen, zu deren Abscheidung eine höhe- re Energie der aus dem Plasma auftreffenden Ionen erforderlich ist, als sie bei üblichen HF-ICP-Plas astrahlquellen gegeben ist. Insbesondere war es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Plasmaanlage und ein Verfahren bereitzustellen, mit dem die Herstellung von harten Kohlenstoff-Be- Schichtungen, d.h. DLC-Schichten, im Grobvakuum möglich ist.
Vorteile der Erfindung
Die erfindungsgemäße Plasmaanlage mit einer induktiv gekop- pelten Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle und das erfindungsgemäße Verfahren zur Erzeugung einer Funktionsbeschichtung auf einem Substrat hat gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass damit Schichten bzw. Schichtsysteme erzeugbar sind, die bisher lediglich über CVD-Verfahren abgeschieden werden konnten.
Dadurch, dass der bei der Abscheidung von Schichten mit HF- ICP-Plasmastrahlquellen herrschende Druck in der Kammer von üblicherweise 100 mbar bis 1 bar auf weniger als 50 mbar ab- gesenkt wird, wird vorteilhaft erreicht, dass den in dem
Plasma vorliegenden Ionen eine ausreichende mittlere freie Weglänge zur Verfügung steht, und damit die elektrische Spannung, mit der die Substratelektrode und darüber das mit der Substratelektrode in Verbindung stehende Substrat beauf- schlagt wird, auch eine ausreichende Wirkung hinsichtlich der gewünschten Beschleunigung entfaltet. Daneben senkt dieser Druck die Temperaturbelastung des bearbeiteten Substrates deutlich.
Andererseits ist vorteilhaft, dass die erfindungsgemäße
Plasmaanlage auch in der Kammer, in der sich das Substrat befindet, lediglich ein Grobvakuum von weniger als 50 mbar erfordert, um die für die gewünschten Beschichtungsprozesse bzw. Oberflächenmodifikationen ausreichende Ionenenergien zu gewährleisten. Die Erzeugung eines Grobvakuums in der Kammer der Plasmaanlage ist dabei mit üblichen Pumpeinrichtungen zuverlässig und schnell erreichbar, und erfordert gegenüber einem Feinvakuum oder einem Hochvakuum, wie dies bei CVD- Verfahren erforderlich ist, einen deutlich verringerten Zeitaufwand bzw. apparativen Aufwand. Durch den relativ ho- hen Druck in der Kammer der Plasmaanlage sind im Übrigen nun auch Werkstücke aus beispielsweise stark ausgasenden Sintermaterialien bearbeitbar.
Weiter ist vorteilhaft, dass durch die angelegte Substrat- elektrodenspannung und den gewählten Druck in der Plasmaanlage die reaktiven Eigenschaften des HF-ICP-Plasmas zur Erzeugung einer Beschichtung und/oder zur Erzielung einer Oberflächenmodifikation auf dem Substrat verbessert werden.
Insgesamt ist das erfindungsgemäße Verfahren ein Hochraten-
Abscheideverfahren, das im Grobvakuum bei geringen Prozesszeiten bzw. Pumpzeiten durchführbar ist, und das zur Abscheidung bzw. Erzeugung von Beschichtungen auf allen technisch relevanten Substraten, beispielsweise Edelstahl, ande- re elektrisch leitende Materialien, Keramik usw., geeignet ist.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den in den ünteransprüchen genannten Maßnahmen.
So lässt sich dadurch, dass die Hochfrequenz-Plasmastrahl - quelle und die Kammer mit dem Substrat lediglich über die Austrittsoffnung der Plasmastrahlquelle miteinander in Verbindung stehen, in einfacher Weise über eine entsprechende Pumpeinrichtung eine Druckdifferenz zwischen dem Inneren der
Plasmastrahlquelle und dem Kammerinneren aufrecht erhalten. Weiterhin ist vorteilhaft, wenn das Beaufschlagen der Substratelektrode mit einer elektrischen Spannung mit einer zeitlich periodischen Veränderung der Intensität des von der Plasmastrahlquelle erzeugten Plasmastrahls korreliert wird. Auf diese Weise wird einerseits die Temperaturbelastung des Substrates weiter reduziert und andererseits treten durch das Schwanken der Intensitä-t des Plasmastrahles, der bevorzugt periodisch auch gelöscht wird, in dem Plasma in hohem Ausmaß plasmaphysikalische Ungleichgewichtszustände auf, die dazu genutzt werden können, neuartige Beschichtungen auf dem Substrat abzuscheiden. Hinsichtlich der Auswahl der der Plasmastrahlquelle bzw. dem erzeugten Plasmastrahl zugeführ- ten Materialien zur Erzeugung der Funktionsbeschichtung auf dem Substrat besteht weiter eine große Vielzahl von Möglichkeiten, wobei beispielsweise auf die in DE 199 58 474.5 vorgeschlagenen zurückgegriffen werden kann.
Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sehen vor, dass zur Kühlung des Substrates eine Kühleinrichtung und/oder eine bewegliche, vorzugsweise in alle Raumrichtungen bewegliche oder drehbare Halterung vorgesehen ist, so dass das Substrat relativ zu den Plasmastrahlen leicht orientierbar ist und bei der Plasmaabscheidung auf Wunsch auch gekühlt werden kann.
Besonders vorteilhaft ist, wenn die elektrische Spannung, mit der die Substratelektrode beaufschlagt ist, eine zeitlich veränderliche elektrische Spannung, insbesondere eine gepulste elektrische Spannung ist. Diese kann weiter mit einer einstellbaren positiven oder negativen Offset-Spannung versehen sein und/oder mit einem weitgehend frei wählbaren Puls-Pause-Verhältnis gepulst werden. Ein weiterer, einfach zu verändernder und an die Erfordernisse des Einzelfalls an- passbarer Parameter ist daneben die Form der Einhüllenden der zeitlich veränderlichen elektrischen Spannung, die bei- spielsweise einen sägezahnförmigen, dreiecksförmigen oder sinusförmigen Verlauf aufweisen kann. Im Übrigen kann die eingesetzte elektrische Spannung auch eine Gleichspannung sein.
Weitere, leicht zu verändernde Parameter hinsichtlich der konkreten Signalform der eingesetzten elektrischen Spannung sind ihre Flankensteilheit, ihre Amplitude und ihre Frequenz. Daneben sei betont, dass die zeitliche Veränderung der in die Substratelektrode eingekoppelten Spannung nicht notwendig periodisch sein muss.
Zeichnungen
Die Erfindung wird anhand der Zeichnungen und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt Figur 1 ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Plasmaanlage mit einer ICP-Plasmastrahlquelle im Schnitt und Figur 2 ein Beispiel für eine zeitliche Variation der Intensität des erzeugten Plasmastrahles. Die Figuren 3a bis 3h zeigen Aufnahmen des aus der Plasmastrahlquelle austretenden Plasmastrahles als Funktion der Zeit, der gemäß Figur 2 gepulst ist. Die Figur 4 zeigt eine Aufnahme eines Plasmastrahls, der mit hoher Geschwindigkeit aus der Plasmastrahlquelle austritt. Die Figur 5 erläutert die Plasmastrahlquelle gemäß Figur 1 im Detail.
Ausführungsbeispiele
Die Erfindung geht aus von einer induktiv gekoppelten Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle, wie sie in ähnlicher Form aus E. Pfender und C. H. Chang „Plasma Spray Jets and Plasma Particulate Interaction: Modelling and Experiments", Tagungsband des 6. Workshop Plasmatechnik, TU IIlmenau, 1998, bekannt ist. Weiter wird damit ein Beschichtungsverfahren durchgeführt, das in ähnlicher Form in DE 199 58 474.5 bereits vorgeschlagen worden ist.
Im Einzelnen zeigt Figur 1 eine induktiv gekoppelte Hochf-cε- quenz-Plasmastrahlquelle 5 mit einem topfförmigen Brenner— körper 25, der einseitig eine mit einer bevorzugt variabel einstellbaren bzw. geformten Öffnungsblende 22 versehene Austrittsoffnung 26 aufweist, die beispielsweise kreisförmig mit einem Durchmesser von 1 cm bis 10 cm ausgebildet ist. Weiter weist die Plasmastrahlquelle 5 eine im Bereich der
Austrittsoffnung 26 in den Brennerkörper 25 integrierte Spule 17, beispielsweise eine wassergekühlte Kupferspule, aurf, die alternativ auch um den Brennerkörper 25 herumgewickelt: sein kann.
Weiter ist auf der der Austrittsoffnung 26 abgewandten Seite des Brennerkörpers 25 eine Zuführung 10 in Form eines üblichen Injektors zur Zufuhr eines Injektorgases 11, eine erste zylinderförmige Hülse 14 und eine zweite zylinderförmige Hülse 15 vorgesehen. Die erste Hülse 14 bzw. die zweite Hülse 15 sind jeweils konzentrisch zu der Seitenwand des Brennerkörpers 25 ausgebildet, wobei die zweite Hülse 15 in erster Linie dazu dient, ein in dem Brennerkörper 25 in einem Plasmaerzeugungsraum 27 erzeugtes Plasma 21 von den Wänden des' Brennerkörpers 25 abzuhalten.
Dazu wird über eine geeignete Gaszufuhr ein Hüllgas 13 zwischen der ersten Hülse 14 und der zweiten Hülse 15 in den Brennerkörper 25 eingeleitet, das weiter die Aufgabe hat, das erzeugte Plasma 21 über die Austrittsoffnung 26 strahl- för ig aus der Plasmastrahlquelle 5 heraus zu blasen, so dass ein Plasmastrahl 20 entsteht, der weitgehend gebündelt auf ein in einer Kammer 40 auf einem Substratträger 18, der im konkreten Beispiel gleichzeitig als Substratelektrode 18 dient, befindliches Substrat 19 einwirkt, um dort eine Funktionsbeschichtung zu erzeugen und/oder abzuscheiden. Das Hüllgas 13 ist im erläuterten Beispiel Argon, das der Plasmastrahlquelle 5 mit einem Gasfluss von 5000 sccm bis
100000 sccm, insbesondere 20000 sccm bis 70000 sccm, zuge- führt wird.
In Figur 1 ist weiter vorgesehen, dass die Spule 17 mit einem Hochfrequenz-Generator 16 elektrisch verbunden ist, mit dem eine elektrische Leistung von 500 W bis 50 kW, insbeson- dere 1 kW bis 10 kW, bei einer Hochfrequenz von 0,5 MHz bis 20 MHz in die Spule 17 und darüber auch in das in dem Plasmaerzeugungsraum 27 gezündete und aufrecht erhaltene Plasma 21 eingekoppelt wird.
Der Hochfrequenz-Generator 16 ist in bevorzugter Ausgestaltung mit einem an sich bekannten elektrischen Bauteil 28 versehen, mit dem die Intensität des Plasmastrahls 20 bei dessen Einwirken auf das Substrat 19 zeitlich periodisch mit einer Frequenz von 1 Hz bis 10 kHz, insbesondere 50 Hz bis 1 kHz, zwischen einer einstellbaren oberen und einer einstellbaren unteren Intensitätsgrenze verändert werden kann. Bevorzugt wird der Plasmastrahl 20 dabei über eine einstellbare Zeitdauer, d.h. ein wählbares Puls-Pause-Verhältnis, periodisch auch gelöscht.
Die Figur 1 zeigt weiter, dass über die erste Hülse 14 dem Bereich zwischen der ersten Hülse 14 und der Zuführung 10 ein Zentralgas 12 zugeführt werden kann. Dieses ist beispielsweise ein Inertgas oder ein Inertgas, dem ein mit dem Injektorgas 11 reagierendes Gas zugesetzt ist.
Insbesondere ist vorgesehen, dass über die Zuführung 10 bzw. eine zwischen erster Hülse 14 und Zuführung 10 befindliche weitere Zufuhreinrichtung dem Plasma 20 ein gasförmiges, i- kroskaliges oder nanoskaliges Precursor-Material, eine Suspension eines solchen Precursor-Materials oder ein Reaktiv- gas zugeführt wird, das in modifizierter Form, insbesondere nach Durchlaufen einer chemischen Reaktion oder einer chemischen Aktivierung, auf dem Substrat 19 die gewünschte Funktionsbeschichtung ausbildet oder dort in diese integriert wird.
Alternativ kann das Plasma 21 jedoch auch dazu eingesetzt werden, die Oberfläche des Substrates 19 lediglich chemisch zu modifizieren, so dass dadurch auf der Oberfläche des Sub- strates 19 die gewünschte Funktionsbeschichtung entsteht.
Sofern ein Precursor-Material dem Plasma 21 bzw. dem Plasmastrahl 20 zugeführt wird, wird bevorzugt gleichzeitig ein Trägergas für dieses Precursor-Material, insbesondere Stick- stoff und/oder ein Reaktivgas für eine chemische Reaktion mit dem Precursor-Material, insbesondere Sauerstoff, Stickstoff, Ammoniak, ein Silan, Acetylen, Methan oder Wasserstoff zugeführt. Zur Zufuhr dieser Gase eignen sich entweder die Zuführung 10, die Zufuhreinrichtung zur Zufuhr des Zen- tralgases 12 oder auch die Zufuhreinrichtung zur Zufuhr des Hüllgases 13. Alternativ oder zusätzlich kann weiter in der Kammer 40 auch eine weitere Zufuhreinrichtung, beispielsweise ein Injektor oder eine Gasdusche, zur Zufuhr eines Reaktivgases und/oder eines Precursor-Materials in den bereits aus der Plasmastrahlquelle 5 ausgetretenen Plasmastrahl 20 vorgesehen sein.
Das eingesetzte Precursor-Material ist bevorzugt eine organische, eine siliziumorganische oder eine metallorganische Verbindung, die somit dem Plasma 21 und/oder dem Plasmastrahl 20 in gasförmiger oder flüssiger Form, als mikroska- lige oder nanoskalige Pulverpartikel, als flüssige Suspension, insbesondere mit darin suspendierten mikroskaligen oder nanoskaligen Partikeln, oder als Mischung von gasförmigen oder flüssigen Stoffen mit Feststoffen zugeführt werden kann. Durch geeignete Auswahl der einzelnen Gase, d.h. der zugeführten Reaktivgase bzw. des Zentralgases 12 und des Injektorgases 11 sowie Auswahl des Precursor-Materials, was im Einzelnen in DE 199 58 474.5 erläutert ist, kann auf dem Substrat 19 beispielsweise ein Metallsilizid, ein Metallcar- bid, ein Siliziumcarbid, ein Metalloxid, ein Siliziumoxid, ein Metallnitrid, ein Siliziumnitrid, ein Metallborid, ein Metallsulfid, amorpher Kohlenstoff, diamantähnlicher Kohlenstoff (DLC) , oder auch eine Mischung aus diesen Materialien in Form einer Schicht oder einer Abfolge Schichten erzeugt bzw. abgeschieden werden. Weiter eignet sich das vorgeschlagene Verfahren auch zur Reinigung oder Carbonisierung oder Nitrierung der Oberfläche des Substrates 19.
Die Figur 1 zeigt weiter dargestellt, dass die Substratelek- trode 18 über eine Kühlwasserzufuhr 31 mit Kühlwasser 39 kühlbar ist, und dass die Substratelektrode 18 und damit auch das Substrat 19 über eine entsprechende -Halterung 32 in der Kammer 40 bewegbar ist. Dabei ist sowohl die Halterung 32 als auch die Kühlwasserzufuhr 31 elektrisch über eine Isolierung 34 von der mit der elektrischen Spannung beaufschlagten Substratelektrode 18 getrennt. Bevorzugt ist das Substrat 19 mit der Substratelektrode 18 auf einer beweglichen, insbesondere in alle Raumrichtungen beweglichen und/oder drehbaren Halterung 32 angeordnet.
Weiter ist vorgesehen, dass die Substratelektrode 18 mit einem Substratgenerator 37 elektrisch in Verbindung steht, mit dem eine elektrische Spannung in die Substratelektrode 18 und darüber auch in das Substrat 19 eingekoppelt wird. Dazu ist eine Generatorzuleitung 36 zwischen Substratgenerator 37 und Substratelektrode 18 vorgesehen.
Im Einzelnen wird die Substratelektrode 18 mit dem Substratgenerator 37 mit einer elektrischen Gleichspannung oder ei- ner Wechselspannung einer Amplitude zwischen 10 V und 5 kV, insbesondere zwischen 50 V und 300 V, und einer Frequenz zwischen 0 Hz und 50 MHz, insbesondere zwischen 1 kHz und 100 kHz, beaufschlagt. Diese Gleichspannung bzw. Wechselspannung kann zusätzlich auch zeitweise bzw. fortwährend mit einer positiven oder negativen Offset-Spannung versehen sein.
Bevorzugt ist die eingekoppelte elektrische Spannung eine zeitlich veränderliche elektrische Spannung, insbesondere eine gepulste elektrische Spannung mit einem im Einzelfall anhand einfacher Vorversuche auszuwählenden Puls-Pause- Verhältnis sowie einer gegebenenfalls ebenfalls zeitlich, beispielsweise hinsichtlich des Vorzeichens, variierenden Offset-Spannung .
Bevorzugt wird die zeitliche Variation der elektrischen
Spannung so eingestellt, dass deren Einhüllende einen unipolaren oder bipolaren sägezahnförmigen, dreiecksförmigen oder sinusförmigen Verlauf aufweist. Weitere Parameter sind dabei die Amplitude und Polarität der Offset-Spannung, die Flan- kensteilheit der einzelnen Pulse der eingekoppelten elektrischen Spannung, die Frequenz (Trägerfrequenz) dieser Spannung sowie deren Amplitude.
Eine besonders bevorzugte Ausgestaltung des erfindungsgemä- ßen Verfahrens sieht vor, dass die Veränderung der Intensität des Plasmastrahles 20 über den Hochfrequenz-Generator 16 und das darin integrierte elektrische Bauteil 28, das im Übrigen auch als separates elektrisches Bauteil ausgeführt und dann zwischen Spule 17 und Hochfrequenz-Generator 16 ge- schaltet werden kann, insbesondere das Pulsen des Plasma- strahls 20, zeitlich korreliert zu der Veränderung oder dem Pulsen der in die Substratelektrode 18 eingekoppelten ele trischen Spannung erfolgt.
Diese zeitliche Korrelation ist weiter bevorzugt ein gegen- phasiges oder zeitlich versetztes Pulsen der Intensität des Plasmastrahls 20 gegenüber der Veränderung oder dem Pulsen der elektrischen Spannung.
In Figur 1 ist im Übrigen angedeutet, dass im Inneren der Plasmastrahlquelle 5 ein erster Druckbereich 30 vorliegt, in dem ein Druck von 1 mbar bis 2 bar, insbesondere 100 mbar bis 1 bar, herrscht. Im Inneren der Kammer 40 liegt dann ein zweiter Druckbereich 33 vor.
Um die Druckdifferenz zwischen dem ersten und dem zweiten
Druckbereich 30, 33 aufrechtzuerhalten und insbesondere den Druck in der Kammer 40 unter 50 mbar, insbesondere zwischen 1 mbar bis 10 mbar, zu halten, sind daneben übliche, nicht dargestellte Pumpeinrichtungen mit der Kammer 40 verbunden. Somit wird liegt stets ein Druckgradient zwischen dem Inneren der Plasmastrahlquelle 5 und dem Inneren der Kammer 40 vor, obwohl der Plasmastrahlquelle 5 bei Betrieb permanent wie erläutert Gas zugeführt wird und die Plasmastrahlquelle 5 und Kammer 40 über die Austrittsoffnung 26 miteinander verbunden sind.
Bevorzugt sind die Drücke so gewählt, dass das Verhältnis des Druckes in dem ersten Druckbereich 30 zu dem Druck in dem zweiten Druckbereich 33 größer als 1,5, insbesondere größer 3, ist.
Beispielsweise wird über eine mit der Kammer 40 verbundene, nicht dargestellte Pumpeinrichtung eine Druckdifferenz von mehr als 100 mbar zwischen dem Plasmaerzeugungsraum 27 im Inneren der Plasmastrahlquelle 5 und dem Inneren der Kammer
40 aufrechterhalten.
Als Material für das Substrat 19 eignen sich bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens sowohl elektrisch leitende als auch, bei geeigneter Wahl der zeitlich veränderlichen Spannung an der Substratelektrode, elektrisch iso- lierende Materialien. Daneben führt die durch die Kühleinrichtung und insbesondere das Pulsen des Plas astrahls 20 gegebene Verringerung der Temperaturbelastung des Substrates
19 dazu, dass auch temperaturempfindlichen Substrate wie beispielsweise Polymere einsetzbar sind.
Die Figur 2 erläutert, wie der Plasmastrahl 20 durch zeitliche Veränderung der von dem Hochfrequenz-Generator 16 im Zusammenwirken mit dem elektrischen Bauteil 28 durch eine zeitliche Veränderung der der Spule 17 zugeführten Spannung entsprechend der Veränderung dieser Spannung in seiner Intensität verändert wird. Insbesondere kann die Spannung in Weiterführung von Figur 2 an der Spule 17 zeitweilig auch 0 sein, so dass der Plasmastrahl 20 in dieser Zeit erlischt.
Die Figuren 3a bis 3h zeigen direkt den aus der Austrittsoffnung 26 über die Öffnungsblende 22 austretenden Plasmastrahl 20 in der Kammer 40. Der typische Abstand zwischen Austrittsoffnung 26 und Substrat 19 liegt bei 5 cm bis 50 cm.
Man erkennt in den Figuren 3a bis 3h, wie der Plasmastrahl
20 zunächst gemäß Figur 3a zur Zeit t = 0 mit hoher Intensität aus der Austrittsoffnung 26 austritt, sich diese Inten- sität gemäß Figur 3b dann deutlich vermindert, so dass der
Plasmastrahl 20 kurz danach vollständig erlischt, anschließend der Plasmastrahl gemäß den Figuren 3c bis 3e neu gezündet wird und dabei kurz zurückschwingt, bevor er sich dann gemäß den Figuren 3f bis 3h kontinuierlich ausdehnt, so dass nach 13,3 ms der Ausgangszustand gemäß Figur 3a nahezu wieder erreicht ist. Dieses Pulsen des Plasmastrahls 20 gemäß den Figuren 3a bis 3h wird durch eine Veränderung der in die Spule 17 eingekoppelten elektrischen Hochfrequenzleistung bewirkt . Die Figur 4 erläutert, wie der Plasmastrahl 20 durch eine entsprechend hohe Druckdifferenz zwischen dem Inneren der Plasmastrahlquelle 5 und dem Inneren der Kammer 40, d.h. dem erläuterten Druckgradienren hin zur Kammer 40, der Plasma— strahl 20 mit hoher Geschwindigkeit aus der Austrittsoffnung 26 austritt und mit entsprechend hoher Geschwindigkeit auf das Substrat 19 einwirkt. Insbesondere ist in Figur 4 Verdichtungsknoten 23 (Machxsche Knoten) erkennbar, die belegen, dass die Geschwindigkeit der Teilchen im Plasmastrahl 20 in gleicher Größenordnung wie die Schallgeschwindigkeit liegt. Sie kann im übrigen auch großer als diese sein.
Durch die hohe Geschwindigkeit des Plasmastrahls 20, die über die Druckdifferenz beeinflussbar ist, wird erreicht, dass nicht nur tiefe Hohlräume auf der Oberflache des Substrates 19 mit dem Plasma 21 beaufschlagt werden, sondern dass auch die Diffusionsgrenzschicht zwischen der Oberflache des Substrates 19 und dem Plasmastrahl 20 verkleinert wird, was die Diffusion reaktiver Plasmabestandteile auf die Ober- flache des Substrates 19 erleichtert und so die erforderliche Bearbeitungsdauer des Substrates 19 mit dem Plasmastrahl 20 verkürzt bzw. intensiviert.
Die Figur 5 erläutert einen Ausschnitt aus Figur 1, wobei die Plasmastrahlquelle 5 noch einmal vergrößert dargestellt ist. Dabei ist insbesondere die Anordnung der Zufuhrung 10 und die Ausgestaltung der ersten H lse 14 und der zweiten Hülse 15 deutlicher erkennbar.

Claims

Ansprüche
1. . Plasmaanlage mit mindestens einer induktiv gekoppelten Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle (5) mit einem einen Plasmaerzeugungsraum (27) begrenzenden Brennerkörper (25) mit einer Austrittsoffnung für den Plasmastrahl (20) sowie einer mit der Plasmastrahlquelle (5) über die Austrittsöff- nung (26) in Verbindung stehenden Kammer (40) mit einem darin angeordneten, dem Plasmastrahl (20) ausgesetzten Substrat (19), dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (19) auf einer mit einer elektrischen Spannung beaufschlagbaren Substratelektrode (18) angeordnet ist.
2. Plasmaanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Substratelektrode (18) mit einem Generator (37) verbunden ist, mit dem die Substratelektrode (18) mit einer elektrischen Gleichspannung oder Wechselspannung einer Am- plitude zwischen 10 Volt und 5 kV, insbesondere zwischen
50 Volt und 300 Volt, und einer Frequenz zwischen 0 Hz und 50 MHz, insbesondere zwischen 1 kHz und 100 kHz, beaufschlagbar ist.
3. Plasmaanlage nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Brennerkörper (25) eine den Plasmaerzeugungsraum (27) bereichsweise umgebende Spule (17) , mindestens eine Zuführung (10) zur Zufuhr eines Gases und/oder eines Precursor-Materials in den Plasmaerzeugungsraum (27) und einen mit der Spule (17) in Verbindung stehenden Hoch- frequenzgenerator (16) zur Zündung des Plasmas (21) und Ein- koppelung einer elektrischen Leistung in das Plasma (21) aufweist.
4. Plasmaanlage nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein Mittel (28) vorgesehen ist, mit dem die Intensität des Plasmastrahles (20) der Plasmastrahlquelle (5) zeitlich periodisch veränderbar ist.
5. Plasmaanlage nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Brennerkörper (25) topfför- mig ausgebildet ist und die Spule (17) den Brennerkörper (25) in einer Umgebung der Austrittsoffnung (26) umgibt oder dort in diesen integriert ist, dass eine erste Zuführung (10) zur Zufuhr eines Injektorgases (11) in den Plasmaerzeugungsraum (27) , insbesondere eines Precursor-Materials zur Erzeugung einer Funktionsbeschichtung auf einem Substrat (19) mit dem Plasmastrahl (20), und mindestens eine zweite Zuführung zur Zufuhr eines mit dem Injektorgas (11) reagie- renden Zentralgases (12) in den Plasmaerzeugungsraum (27) und/oder eines den Brennerkörper (25) von dem darin erzeugten Plasma (21) zumindest bereichsweise trennenden, insbesondere das Plasma (21) konzentrisch umgebenden Hüllgases (13) in den Plasmaerzeugungsraum (27) vorgesehen ist.
6. Plasmaanlage nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kammer (40) mit einer Pumpeinrichtung verbunden ist, mit der bei Betrieb der Plasmaanalage eine Druckdifferenz von mehr als 100 mbar zwischen Plasmaerzeugungsraum (27) und Kammerinnerem aufrecht erhaltbar ist und/oder dass das Verhältnis des Druckes in dem Plasmaerzeugungsraum (27) zu dem Druck in dem Inneren der Kammer (40) größer als 1,5, insbesondere größer 3, ist.
7. Verfahren zur Erzeugung einer Funktionsbeschichtung auf einem in einer Kammer (40) angeordneten Substrat (19) , wobei mittels einer induktiv gekoppelten Hochfrequenz- Plasmastrahlquelle (5) ein Plasma (21) mit reaktiven Teil— chen erzeugt wird, das in Form eines Plasmastrahles (20) aus der Plasmastrahlquelle (5) in die damit verbundene Kammer (40) eintritt und auf das Substrat (19) derart einwirkt, dass auf dem Substrat (19) eine Funktionsbeschichtung erzeugt oder abgeschieden wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (19) auf einer Substratelektrode (18) angeordnet und darüber zumindest zeitweise mit einer elektrischen Spannung beaufschlagt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass eine Gleichspannung oder Wechselspannung einer Amplitude zwischen 10 Volt Und 5 kV, insbesondere zwischen 50 Volt und 300 Volt, und einer Frequenz zwischen 0 Hz und 50 MHz, insbesondere zwischen 1 kHz und 100 kHz, über einen Generator (37) in die Substratelektrode (18) eingekoppelt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Spannung zeitlich verändert, insbesondere zumindest zeitweise mit einem einstellbaren Offset-Spannung versehen und/oder mit einem wählbaren Puls- Pause-Verhältnis gepulst wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Einhüllende der zeitlich veränderten Spannung einen unipolaren oder bipolaren sägezahnförmigen, dreiecksförmigen oder sinusförmigen Verlauf aufweist.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Intensität des Plasmastrahls (20) bei dem Einwirken auf das Substrat (19) zeitlich periodisch mit einer Frequenz von 1 Hz bis 10 kHz, insbesondere 50 Hz bis 1 kHz, zwischen einer einstellbaren oberen und einer einstellbaren unteren Grenze verändert und insbesondere der Plasmastrahl (20) über eine einstellbare Zeitdauer periodisch auch geloscht wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass in der Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle (5) über eine Spule (17) eine elektrische Leistung von
500 Watt bis 50 kW, insbesondere 1 kW bis 10 kW, bei einer Hochfrequenz von 0,5 MHz bis 20 MHz in das Plasma (21) eingekoppelt wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Plasma (21) mittels Zufuhr eines Gases, insbesondere Argon, mit einem Gasfluss von 5000 sccm bis 100000 sccm, insbesondere 20000 sccm bis 70000 sccm, zu der Plasmastrahlquelle (5) über eine Austrittsoffnung (26) strahlformig aus der Plasmastrahlquelle (5) herausgeblasen und m die Kammer (40) gefuhrt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 17 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass dem Plasma (21) über eine Zufuhrung (10) in der Plasmastrahlquelle (5) und/oder dem Plasmastrahl (20) über eine Zufuhreinrichtung in der Kammer (40) minde- stens ein insbesondere gasformiges oder mikroskaliges oder nanoskaliges Precursor-Material, eine Suspension eines solchen Precursor-Materials oder ein Reaktivgas zugef hrt wird, das in modifizierter Form, insbesondere nach Durchlaufen einer chemischen Reaktion oder einer chemischen Aktivierung, auf dem Substrat (19) die Funktionsbeschichtung ausbildet oder in diese integriert wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass dem Plasma (21) ein Tragergas für das Precursor-Material, insbesondere Stickstoff, und/oder ein Reaktivgas für eine chemische Reaktion mit dem Precusor- Material, insbesondere Sauerstoff, Stickstoff, Ammoniak, Si- lan, Acetylen, Methan oder Wasserstoff, zugeführt wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Precursor-Material eine organische, eine siliziumorganische oder eine metallorganische Verbindung ist, die dem Plasma (21) und/oder dem Plasmastrahl (20) in gasförmiger oder flüssiger Form, als mikro- oder nanoska- lige Pulverpartikel, als flüssige Suspension, insbesondere mit darin suspendierten mikro- oder nanoskaligen Partikeln, oder als Mischung von gasfömigen oder flüssigen Stoffen mit Feststoffen zugeführt wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Plasmastrahlquelle (5) bei einem Druck von 1 mbar bis 2 bar, insbesondere 100 mbar bis 1 bar, betrieben wird und dass der Druck in der Kammer unter 50 mbar, insbesondere zwischen 1 mbar bis 10 mbar, gehalten wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Veränderung der Intensität des Plasmastrahles (21) , insbesondere das Pulsen des Plasma- Strahls (21) zeitlich korreliert, insbesondere gegenphasig oder zeitlich versetzt zu der Veränderung oder dem Pulsen der elektrischen Spannung erfolgt.
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