Verfahren zur Herstellung von Kompositschichten mit einer Plasmastrahlquelle
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung von Kompositschichten mit einer Plasmastrahlquelle nach der Gattung des Hauptanspruchs.
Stand der Technik
In vielen Industriezweigen besteht ein steigender Bedarf an dünnen, harten Schichten mit definierten physikalischen und chemischen Eigenschaften, die Bauteile oder Oberflachen von Werkstoffen vor Verschleiß oder Korrosion schützen sollen. Typische bekannte Schichten bestehen aus einer oder mehreren Lagen mit unterschiedlichen Zusammensetzungen, Qualitatsmerkmalen und Funktionalitaten.
Bei bekannten Plasmaspritzverfahren werden dazu im Grobvakuum bis hin zum atmospharennahen Druckbereich bisher pulverformige, mikroskalige Partikel in eine Plasmastrahlquelle oder einen Plasmastrahl eingeführt, dort angeschmolzen und teilweise verdampft, und dann mit hoher Geschwindigkeit gerichtet auf ein Substrat plattiert. Damit werden mit relativ hohen Abscheideraten Schichten mit unterschiedlichen Funktionalitaten abgeschieden, die jedoch nicht die Homogenitat und Kompaktheit von typi-
sehen PACVD-Schichten (physically aided chemical vapour deposi- tion) oder CVD-Schichten erreichen. Die Vorteile des Plasmaspritzens liegen andererseits in der stark lokalisierbaren Beschichtung und hohen Abscheideraten.
Die Erzeugung des Plasmastrahles beim Plasmaspritzen erfolgt üblicherweise mit Gleichspannung, Neuentwicklungen mit induktiver Hochfrequenzeinkopplung sind jedoch ebenfalls bereits bekannt. Letztere haben den Vorteil, daß die eingeführten Pulverpartikel eine längere Verweildauer in dem Plasmastrahl haben und damit starker aufgeschmolzen werden.
So ist aus E. Pfender und C.H. Chang, „Plasma Spray Jets and Plasma-Particulate Interaction: Modelling and Experiments", Tagungsband des VI. Workshop Plasmatechnik, TU IIlmenau, 1998, bekannt, in einer Plasmastrahlquelle über außen anliegende hochfrequente Wechselstrome und eine induktive Hochfrequenzeinkopplung mit einer Spule in einem topfformigen zylindrischen Brennerkorper ein Plasma zu erzeugen, das in Form eines Plasmastrahles aus der Plasmastrahlquelle austritt. Weiter ist daraus bekannt, als Plasmagas Helium, Argon oder Sauerstoff einzusetzen, dem weiterhin ein metallisches Pulver zugesetzt sein kann, so daß, analog dem bekannten Plasmaspritzen, ein oberflächliches Anschmelzen dieser Partikel im Plasmastrahl erfolgt, die dann außerhalb der Plasmaquelle auf einem Substrat abgeschieden werden.
Der Nachteil dieses Verfahrens ist zunächst die hohe Rauhigkeit und geringe mechanische Festigkeit der abgeschiedenen Schichten, was im wesentlichen darauf beruht, daß die zugefuhrten Pulverpartikel in dem Plasmastrahl aufgrund der hohen Stromungsgeschwindigkeit des Strahls nur kurze Zeit den hohen Plasmatemperaturen von teilweise mehr als 9000 K ausgesetzt sind, so daß sie nicht vollständig aufgeschmolzen, sondern oberflächlich le-
diglich angeschmolzen werden. Insbesondere findet kein Aufschmelzen und Auseinanderbrechen der zugefuhrten Partikel auf atomares bzw. molekulares Niveau oder auf die Ebene nanoskaliger Cluster statt. Als dünne Verschleißschutzschichten oder Hartstoffschichten mit Schichtdicken von einigen Mikrometern sind derartige Schichten somit vielfach ungeeignet. Weiterhin ist die Zusammensetzung der derart abgeschiedenen Schichten bisher im wesentlichen auf Metalle und Metalloxide beschrankt.
Weiter ist bekannt, dünne und hochwertige Verschleiß- und Korro- sionsschutzzschichten aus der Gasphase im Hochvakuum mit PACVD- Prozessen („physically aided chemical vapour deposition") oder PVD-Prozessen („physical vapour deposition") abzuscheiden. PACVD- und CVD-Verfahren zeichnen sich durch qualitativ hochwertige, dichte, kompakte und homogene Schichten aus. Die Abscheiderate ist jedoch gering, da die Abscheidung durch atomares Wachstum erfolgt.
In S. Veprek, „Theoretisches Konzept für Design und praktische Darstellung neuartiger, thermodynamisch stabiler, superharter Kompositmaterialien", Statusseminar „Oberflachen- und Schichttechnologien", Wurzburg, VDI-Technologiezentrum, 1997, Band 1, S. 27 und 28, wurde schließlich auf der Grundlage theoretischer Überlegungen vorgeschlagen, mit Hilfe eines Plasma-CVD- oder eines Plasma-PVD-Verfahrens neue superharte Schichten auf Substraten, insbesondere Stahlsubstraten, abzuscheiden. Diese Materialien werden durch Kombination eines nanokristallinen, harten Ubergangsmetallnitrids MenN mit amorphem Si3N erzeugt. Die Abscheidung erfolgt bei 500°C bis 550°C. Weitere Details zu diesem Konzept werden in S. Veprek et al . , Appl. Phys . Lett., 66, (1995), S. 2640 ff. vorgestellt.
Durch diese nanokristallinen Materialien in amorpher Matrix soll nach theoretischen Berechnungen teilweise die Harte von Diamant erreicht werden können.
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemaße Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, daß damit die bisher bestehende Lücke zwischen PACVD- Prozessen und Plasmaspritzprozessen geschlossen und gleichzeitig die Erzeugung innovativer Schichtsysteme und Materialien ermöglicht wird.
Im einzelnen wird dazu mit einer Plasmastrahlquelle in einer neuartigen Prozeßfuhrung im Feinvakuum bis hin zum atmospharen- nahen Druckbereich ein gerichteter, lokaler Beschichtungs- bzw. Abscheideprozeß auf einem Substrat ermöglicht, wobei die die Schicht bildenden Spezies (Precursoren) der Plasmastrahlquelle bzw. dem Plasma in Form von Gasen, Flüssigkeiten oder Pulvern zugeführt werden.
So werden einerseits feste Precursor-Materialien in Form von Nanopartikeln, nano- oder mikroskaligen Pulvern oder Suspensionen der Plasmastrahlquelle zugeführt, die in dem Plasmastrahl je nach Verweildauer im Plasma bzw. je nach Ausgangsgroße der zuge- fuhrten Teilchen bzw. Pulverpartikel aufgeschmolzen, verdampft oder aufgebrochen werden, so daß einzelne Atome, Moleküle oder nano- bis mikroskalige Cluster bzw. Teilchen entstehen, die dann gerichtet und mit hoher Geschwindigkeit auf das zu beschichtende Substrat auftreffen. Gleichzeitig können dabei neben festen Precursor-Materialien auch gasformige und/oder flussige Precursor- Materialien in den Abscheideprozeß eingebracht werden.
Durch die Mischung unterschiedlicher Precursor-Materialien ist somit die Erzeugung neuartiger Materialien und Schichtsysteme möglich, wobei die Auswahl der verschiedenen Precursor- Materialien insbesondere derart erfolgt, daß diese in der Plasmastrahlquelle in unterschiedlicher Weise angeregt, aufgeschmolzen und/oder verdampft werden. Dies kann beispielsweise durch die Auswahl chemisch unterschiedlicher Precursor-Materialien, eine unterschiedliche Art der Zufuhrung der Precursor- Materialien in das Plasma sowie einen unterschiedlichen Ort ihrer Zufuhrung in den Abscheideprozeß bzw. das Plasma erreicht werden. Darüber hinaus können sich die eingesetzten Precursor- Materialien auch in ihrer Teilchengroße unterscheiden.
Insgesamt wird dadurch die Hohe und die Art des Energietransfers auf die zugefuhrten Teilchen bzw. Precursor-Materialien in dem Plasma gezielt beeinflußt, und es stellen sich unterschiedliche Anregungsgrade dieser zugefuhrten Spezies aufgrund unterschiedlicher Aufenthaltsdauern in heißeren oder kälteren Zonen des erzeugten Plasmas bzw. des sogenannten „Afterglows" ein.
Somit sind beispielsweise Schichtsysteme m Form von Kompositen darstellbar, die aus einer Mischung verschiedener Materialien bzw. Gefugezustanden bestehen, insbesondere einer Matrixstruktur und mindestens einer Einlagerung.
Der Kern des erfindungsgemaßen Verfahrens besteht demnach in der Darstellung von neuen Kompositschichtsystemen durch Verwendung von unterschiedlichen Precursor-Materialien in einer Plasmastrahlquellen mit definiert einstellbaren Prozeßbedingungen, so daß die verschiedenen, aufeinander abgestimmten Precursor- Materialien unterschiedlich prozessiert werden können. Damit hat man die Möglichkeit, neue, qualitativ hochwertige, teilweise harte bis superharte Schichtsysteme mit einstellbaren Eigenschaftsprofilen erzeugen zu können, wobei ein besonders wichti-
ger Vorteil des erfmdungsgemaßen Verfahrens dessen Vielseitigkeit hinsichtlich der Abscheidung unterschiedlichster Schichtsysteme ist.
Daneben handelt es sich bei dem erfindungsgemaßen Verfahren um ein Verfahren mit gegenüber PACVD-Verfahren geringerem oder in speziellen Fallen sogar keinem Aufwand für die Vakuumtechnik, da ein Fein- oder Grobvakuum oder vielfach sogar der atmospharenna- he Druckbereich ausreichend ist. Gleichzeitig werden die Typischerweise hohen Gas- oder Partikelaustrittsgeschwindigkeiten von Plasmastrahlquellen genutzt, um einen effektiven Strom an Precursor-Material auf die zu beschichtende Oberflache zu bringen, wodurch gegenüber CVD- oder PACVD-Verfahren deutlich höhere Schichtwachstumsraten erzielt werden.
Weiterhin ermöglicht das erfindungsgemaße Verfahren über eine Kombination verschiedener Precursor-Materialien auch die Abscheidung amorpher metallischer Legierungen, die in kristalliner Form nicht herstellbar sind, sowie neuartiger keramischer oder metall-keramischer Verbindungen. Zudem sind durch den Einsatz mehrerer Precursor-Materialien mit unterschiedlichen Verdamp- fungs— und Schmelztemperaturen auch anderer innovative Metallegierungen darstellbar.
Insbesondere ist es nunmehr möglich, nanokristalline Partikel wie nanokristalline Metallnitride in eine amorphe, kohlenstoff- oder kohlenwasserstoffhaltige Matrixschicht einzubetten, wobei Schichteigenschaften und Schichtharten erzielt werden, die bisher lediglich auf theoretischen Berechnungen basierten, da ein dazu geeignetes Herstellungsverfahren nicht bekannt war. Speziell sind mit dem erfindungsgemaßen Verfahren jetzt auch Materialien erzeugbar, bei den das reaktive Element nicht in beiden Phasen, d.h. in den Einlagerungen und der umgebenden Matrix wie im Fall von TiN in Si3N, enthalten ist.
Zudem ist man bei den eingesetzten Prozeßtemperaturen nun nicht mehr auf ein enges Temperaturfenster beschrankt, in dem beispielsweise ein thermodynamisches Gleichgewicht zugunsten der Bildung nanoskaliger Komposite anstelle der Bildung einer homogenen Legierung aus Einlagerungswerkstoff und Matrixwerkstoff vorliegt.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den in den Unteranspruchen aufgeführten Maßnahmen.
So kann zur Vermeidung von Kontaminationen und Abscheidungen sowie zur Verminderung der thermischen Belastung des Brennerkor- pers und zur besseren Fokussierung des erzeugten Plasmastrahles innerhalb der Plasmastrahlquelle dem Brennerkorper zusatzlich ein das erzeugte Plasma zylindrisch umgebendes Hullgas wie beispielsweise Wasserstoff oder Argon zugeführt werden.
Darüber hinaus können bei dem erfindungsgemaßen Verfahren Plasmastrahlquellen eingesetzt werden, die bei einem Druck von 10~4 mbar bis zu 1,5 bar im Prozeßraum arbeiten, wobei das Plasma auf verschiedenste, jeweils an sich bekannte Weise, beispielsweise über eine Gleichstromanregung, eine hochfrequente Wechselstromanregung, eine Mikrowellenanregung oder eine Anregung mit unipolaren oder bipolaren Spannungspulsen gezündet und aufrechterhalten werden kann.
Zudem ist es mit dem erfindungsgemaßen Verfahren nun möglich, unterschiedliche Schichtsysteme durch Veränderung der Schichtzusammensetzungen und/oder durch Variation der Schichtzusammensetzung als Funktion der Zeit herzustellen bzw. als Funktionsbe- schichtung auf einem Substrat abzuscheiden. So kann beispielsweise über eine zeitliche Veränderung der Zusammensetzung der Precursor-Materialien in dem Plasma auch eine Abfolge von Teil-
schichten abgeschieden werden, die einen kontinuierlichen Übergang in der Materialzusammensetzung der Teilschichten aufweisen, und die beispielsweise aus einer Abfolge von Schichten aus Me- tallsiliziden, Carbiden, Oxiden, Nitriden, Boriden, Sulfiden, amorphem bis hin zu kristallinen Kohlenwasserstoff bzw. Kohlenstoff, Siliziumwasserstoff oder aus einer Mischung dieser Materialien bestehen.
Besonders vorteilhaft ist dabei, daß diese Abscheidung über einen weiten Temperaturbereich und auch insbesondere bei niedrigen Temperaturen erfolgen kann.
Weiterhin sind Schichten oder eine Abfolge von Schichten erzeugbar, die aus Einlagerungen von Metallsiliziden, Metallcarbiden, Metalloxiden, Metallnitriden, Metallboriden, Metallsulfiden, Bornitriden oder entsprechenden Siliziumverbindungen in Matrices aus amorphem Kohlenstoff, amorphen Metallen, amorphen keramikartigen Stoffen wie BN, Si3N4, oder aus einer Mischung dieser Materialien bestehen.
Auch die Darstellung von Schichten oder Schichtsystemen mit unterschiedlicher Morphologie und damit unterschiedlicher Eigenschaften selbst bei gleicher Materialzusammensetzung ist durch geeignete Wahl der Prozeßparameter möglich. Hierfür entscheidend sind die Menge der zugefuhrten Precursor-Materialien und deren Korngroßen sowie der Prozeßdruck und die Art, Zusammensetzung und Menge der zusatzlich zugefuhrten Gase (Injektorgas, Hullgas, Zentralgas) . Durch Wahl dieser Parameter sind amorphe, nano-, mikro bis hin zu grober kristalline Phasen in den Kompositschichten darstellbar.
Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemaßen Verfahrens ist die Möglichkeit, dieses zumindest zeitweilig mit einem an sich bekannten, separat ansteuerbaren CVD-, PVD- oder PACVD-Verfahren
zu kombinieren, um damit Kombinationsschichten abzuscheiden. Dabei kann einerseits ein kontinuierlich betriebener CVD-, PVD- oder PACVD-Prozeß zeitweilig mit dem erfindungsgemaßen Verfahren kombiniert werden, andererseits kann aber auch das erfindungsge- maße Verfahren kontinuierlich betrieben werden, und diesem dann zumindest zeitweilig der CVD-, PVD- oder PACVD-Prozeß zugeschaltet werden. Auch der zyklische Einsatz beider Verfahren ist möglich.
Auf diese Weise kann weiter auf einem Substrat beispielsweise über einen an sich bekannten PACVD-Prozeß auch eine insbesondere amorphe Schicht als Matrixschicht abgeschieden werden, in die durch zyklisches Zuschalten des erfindungsgemaßen Verfahrens zusatzlich nanoskalige Partikel oder Kristallite eingebettet werden. Hierzu werden die zu beschichtenden Substrate bevorzugt zyklisch, beispielsweise durch Anordnung auf einem rotierbaren Trager, nacheinander an beispielsweise mindestens einer PACVD- Quelle und mindestens einer Plasmastrahlquelle vorbeigefuhrt, wahrend die unterschiedlichen Quellen jeweils kontinuierlich arbeiten.
Zeichnung
Ausfuhrungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnungen und in der nachfolgenden Beschreibung naher erläutert. Es zeigt Figur 1 eine aus dem Stand der Technik bekannte Plasmastrahlquelle zur Durchfuhrung des erfindungsgemaßen Verfahrens und Figur 2 eine modifizierte Plasmastrahlquelle mit veränderter Gas- fuhrung.
Ausfuhrungsbeispiele
Zur Durchfuhrung des erfindungsgemaßen Verfahrens eignet sich eine aus E. Pfender und C.H. Chang, „Plasma Spray Jets and Pias-
ma-Particulate Interaction: Modelling and Experiments", Tagungsband des VI. Workshop Plasmatechnik, TU Illmenau, 1998, bekannte Plasmastrahlquelle 5.
Dieser Plasmastrahlquelle 5 mit einem zylindrischen Brennerkor- per 11 wird gemäß Figur 1 über eine Zufuhrung 13 und eine zylindrische Hülse 14 ein Injektorgas 15 axial zugeführt wird. Mit dem Injektorgas 15 kann dabei optional auch ein Precursor- Material 16 zugeführt werden. In dem Brennerkorper 11 wird weiter über eine elektromagnetische Kopplung durch nicht dargestellte, an sich bekannte Bauteile ein Plasma 10 gezündet und kontinuierlich betrieben, welches in Form eines Plasmastrahles 17 aus dem Brennerkorper 11 der Plasmastrahlquelle 5 austritt. Der Brennerkorper 11 hat eine typische Hohe von ca. 10 cm. Der Plasmastrahl 17 trifft weiter in einer Entfernung von typischerweise ca. 10 cm bis 100 cm auf ein Substrat 12 wie Stahl auf, um dort eine Schicht oder ein Schichtsystem als Funktionsbeschich- tung 18 abzuscheiden.
Weiterhin ist optional vorgesehen, ein Zentralgas 22 zentral innerhalb der Hülse 14 zuzuführen. Außerdem ist eine Gaszufuhr 21 in Form einer Gasdusche zur optionalen konzentrischen Einleitung eines Hullgases 19 in den Brennerkorper 11 vorgesehen. Das Hull- gas 19 wird dazu außerhalb der Hülse 14 derart eingeleitet, daß es eine unerwünscht starke Aufheizung oder Beschichtung der Innenwände des Brennerkorpers 11 vermeidet. Darüber hinaus kann optional auch dem Hullgas 19 ein Precursor-Material beigemischt sein.
Die Figur 2 zeigt eine Modifikation der Bauweise der Plasmastrahlquelle 5, wobei auf die Einleitung eines Hullgases 19 und die Verwendung der Hülse 14 verzichtet wurde. In Figur 2 wird dem Plasma 10, das als Plasmastrahl 17 aus dem Brennerkorper 11 austritt, jedoch außerhalb der Plasmastrahlquelle 5 ein weiteres
Precursor-Material 16 zugeführt. Dazu ist eine zusatzliche, den Plasmastrahl 17 konzentrisch umgebende Dusche 20 vorgesehen, die auch in eine am Ausgang der Plasmastrahlquelle 5, d.h. im Bereich des Austrittes des Plasmastrahles 17 aus dem Brennerkorper 11, angeordnete Düse integriert sein kann. Mit einem mit dieser Dusche 20 bzw. dieser Düse eingebrachten Precursor-Material 16 kann nachhaltig die Hohe und Art des Energietransfers vom Plasma 10 auf die Precursor-Materialien 16, 16 Λ gesteuert werden, so daß unterschiedlich große Einlagerungen bzw. unterschiedlich strukturierte Einlagerungen in der abgeschiedenen Funktionsbe- schichtung 18 realisierbar sind. Zur Steuerung dieses Energietransfers kann über die Dusche 20 dem Plasma weiter auch ein der Kühlung dienendes Quenchgas zugeführt werden.
Eine weitere Variante des erfindungsgemaßen Verfahrens sieht in Abwandlung von Figur 2 schließlich vor, auf eine axiale Injektion des ersten Precursor-Materials 16 Λ in den Brennerkorper 11 zu verzichten, indem lediglich beispielsweise ein Edelgas wie Argon oder ein Reaktivgas wie Sauerstoff oder Wasserstoff in den Brennerkorper 11 als Injektorgas 15 eingeführt wird, das dann zunächst das Plasma 10 erzeugt, und dem dann außerhalb der Plasmastrahlquelle 5 ein oder mehrere Precursor-Materialien 16, beispielsweise in Form nanoskaliger oder mikroskaliger Pulver, über damit vermischte Tragergase mittels der konzentrischen Dusche 20 zugeführt werden.
Wesentlich für das erfindungsgemaße Verfahren ist stets, daß eine Wechselwirkung des Plasmas 10 mit den zugefuhrten Precursor- Materialien 16, 16 λ eintritt, wobei diese an- oder aufgeschmolzen, verdampft oder zumindest oberflächlich aktiviert oder fragmentiert werden. Bevorzugt ist ein Aufschmelzen oder Fragmentieren bis auf atomare bzw. molekulare Ebene (Atome, Moleküle, Radikale) . Daneben kann diese Wechselwirkung auch m einer durch das Plasma 10 induzierten chemischen Reaktion des zugefuhrten
Precursor-Materials 16, 16 Λ mit einer ebenfalls zugefuhrten gasformigen oder flussigen Reaktionskomponente oder einem weiteren Precursor-Material bestehen.
Die Verfahrensparameter beim Betrieb der Plasmastrahlquelle 5, die der Fachmann im einzelnen für die jeweils abzuscheidende Funktionsbeschichtung über einfache Vorversuche ermitteln muß, sind die in das Plasma 10 eingekoppelte Leistung, die Art der Plasmaanregung im Brennerkorper 11, der Abstand zwischen der Austrittsoffnung des Brennerkorpers 11 und dem Substrat 12, die Art und Menge der zugefuhrten Precursor-Materialien 16, 16 sowie der Druck bei dem die Plasmastrahlquelle 5 betrieben wird. Insbesondere muß stets eine gewisse Mindestleistung in das Plasma 10 eingekoppelt werden, um eine erforderliche minimale Energiedichte zu gewahrleisten, die dann wieder über Stoße und Strahlung an das schichtbildende Precursor-Material 16, 16 λ abgegeben wird. Außerdem kann über die Lange des Plasmastrahles 17 die Aufenthaltsdauer der eingebrachten Partikel bzw. Precursor- Materialien 16, 16 λ in den Plasmastrahl 17 beeinflußt werden, die wiederum wahrend dieser Flugzeit Energie aus dem Plasmastrahl 17 aufnehmen. Erst wenn die Aufenthaltsdauer und damit die aufgenommene Energie ausreichend groß ist, ist beispielsweise ein vollständiges Aufbrechen eines eingebrachten Precursor- Materials 16, 16 Λ bis auf die atomare oder molekulare Ebene gewahrleistet.
Weitere Verfahrensparameter sind die Anzahl und Menge der zugefuhrten Precursor-Materialien 16, 16 Λ und der Ort ihrer Zufuhrung, sowie die Art und Menge der eingesetzten Gase.
Die zugefuhrten Gase sind dabei entweder Inertgase wie Argon als Plasmagas bzw. Injektorgas 15 oder als Hullgas 19, Tragergase wie Stickstoff oder Argon für die zugefuhrten Precursor- Materialien 16, 16', beispielsweise als Zentralgas 22, oder Re-
aktivgase wie Sauerstoff, Stickstoff, Ammoniak, Methan, Acety- len, Silan oder Wasserstoff als chemische Reagenz mit den zugefuhrten Precursor-Materialien 16, 16Λ. Rein organische gasformige Verbindungen wie Acetylen oder Methan eignen sich besonders zu Abscheidung von amorphem Kohlenstoff.
Als Precursor-Materialien 16, 16 Λ kommen weiter zunächst gasformige organische, siliziumorganische oder metallorganische Verbindungen wie Hexamethylsilan (HMDS) oder Tetramethylsilan (TMDS) , oder auch eine Mischung aus diesen Gasen in Frage. Daneben eignen sich Feststoff-Precursoren, die als submikro- oder nanoskalige Partikel aus Metallen wie Chrom, Titan, Eisen, Aluminium, Zirkonium, Hafnium o.a., aus Hartstoffen bzw. Keramiken aus der Gruppe der Nitride, insbesondere der Bornitride, der Siliziumnitride oder der Metallnitride wie TiN, der Oxide wie Aluminiumoxid, Titandioxid oder Siliziumdioxid, der Carbide wie TiC, der Suizide oder der Siliziumverbindungen zugeführt werden.
Daruberhinaus können die Precursor-Materialien 16, 16 Λ auch in flussiger Form, insbesondere in Form von Suspensionen mit darin suspendierten nanoskaligen Partikeln aus obigen Materialklassen, zugeführt werden.
Im folgenden wird die erläuterte Erzeugung von Schichtsystemen als Funktionsbeschichtung 18 anhand einiger Beispiele im Detail naher ausgeführt.
Ein einem ersten Beispiel werden dem Plasmastrahl 17 mindestens zwei unterschiedliche Precursor-Materialien 16, 16 λ zugeführt, von denen das eine gasformig oder flussig ist und dem Plasma 10 über die Zufuhrung 13 zugeführt wird, und wobei das zweite als Feststoff in Form eines nanoskaligen Pulvers oder einer Suspension eines nanoskaligen Pulvers über die Dusche 20 eingebracht
wird. Dabei wird das gasformige oder flussige Precursor-Material 16 Λ in dem Plasmastrahl 17 chemisch modifiziert und bildet bei der Abscheidung auf dem Substrat 12 eine zumindest weitgehend amorphe Schicht als Matrixschicht, wahrend das zweite Precursor- Material 16 in dem Plasmastrahl 17 teilweise aufgeschmolzen wird und damit in der Funktionsbeschichtung 18 als Einlagerung in der Matrixschicht vorliegt. Mit den beiden unterschiedlichen Precursor-Materialien 16, 16 sind somit unterschiedliche Prozesse innerhalb des Plasmas 10 verknüpft, die gleichzeitig oder auch aufeinander abgestimmt nacheinander ablaufen können.
Ein zweites Beispiel sieht, ansonsten analog dem ersten Beispiel, vor, als erstes Precursor-Material 16 flussige oder gasformige Kohlenwasserstoffe oder allgemein organische Ausgangsverbindungen einzusetzen, und als zweites Precursor-Material 16 Feststoffe aus Metallen oder Keramiken wie Ti, Cr, Ta, TiN, Ti02, BN, SiN, SiC, TiC, Zr02, Si02, MoS2 oder TaS2 zu verwenden. Auf diese Weise lassen sich neuartige Funktionsbeschichtungen in Form von Verschleißschutzschichten, als Schichten zur Reibungsminderung, insbesondere in Form von Trockenschmierstoffen, oder für elektronische Anwendungen herstellen.
In einem dritten Beispiel werden mindestens drei Precursor- Materialien 16, 16 λ eingesetzt, von denen das erste gasformig oder flussig ist, das zweite als Feststoff in Form eines nanoskaligen Pulvers oder einer Suspension eines nanoskaligen Pulvers eingebracht wird, und von denen das dritte als Reaktivgas, gegebenenfalls gemeinsam mit dem Hullgas 19, über die Gaszufuhr 21 in das Plasma 10 eingebracht wird. Dabei wird das gasformige oder flussige erste Precursor-Material 16 λ zusammen mit dem dritten Precursor-Material in dem Plasmastrahl 17 chemisch umgesetzt und bildet bei der Abscheidung auf dem Substrat 12 zunächst eine zumindest weitgehend amorphe Schicht als Matrixschicht, in die das zweite, analog dem vorstehenden Beispiel
über die Dusche 20 zugefuhrte Precursor-Material 16 eingebettet ist.
Im einzelnen eignen sich dazu als erstes Precursor-Material flussige oder gasformige Siliziumverbindungen wie Silane oder Silizium-Kohlenwasserstoff-Verbindungen, als zweites Precursor- Material nanoskalige Feststoffe aus Keramiken wie TiN, Ti02, TaN, BN, TiC, A1203 oder Zr02, und als reaktives Plasmagas Stickstoff. Damit werden in besonders einfacher Weise neuartige superharte Funktionsbeschichtungen mit besonders hohen Schichtharten erzielt, beispielsweise eine nanoskalige TiN- Feststoffeinlagerung in einer dünnen Matrix aus einem demgegenüber elastischerem Material wie Si3N .
Ein viertes Beispiel sieht vor, eine Hartstoffbeschichtung auf dem Substrat 12 zu erzeugen, indem dem Plasma 10 zumindest zwei Feststoff-Precursoren 16, 16 in Form von Pulvern oder Suspensionen zugeführt werden, wobei sich diese Pulver in ihrer Teilchengroße unterscheiden. Im einzelnen wird als erstes Precursor- Material 16 λ ein nanoskaliges Pulver oder eine Suspension eines nanoskaligen Pulvers eingesetzt, das in dem Plasmastrahl 17 bis auf atomares Niveau aufgebrochen bzw. aufgeschmolzen und auf dem Substrat 12 als zumindest weitgehend amorphe Matrixschicht abgeschieden wird, und als zweites Precursor-Material 16 ein mikroskaliges Pulver oder eine Suspension eines mikroskaligen Pulvers eingesetzt, das in dem Plasmastrahl 17 nicht vollständig aufgeschmolzen und damit in Form nanokristalliner oder mikrokristalliner Partikel in die gleichzeitig erzeugte amorphe Matrix eingebettet wird. Als erstes Precursor-Material 16 λ eignet sich dazu beispielsweise nanoskaliges TiN, das über die Zufuhrung 13 zusammen mit dem Tragergas Argon eingebracht wird, wahrend als zweites Precursor-Material 16 mikroskaliges WC mit dem Tragergas Stickstoff über die Dusche 20 eingesetzt wird. Auf diese Weise werden hochduktile und verschleißfeste Hartstoff-Hartmetall-
Schichten abgeschieden, wobei sich eine Matrix aus TιxNy bildet, deren Zusammensetzung über die Prozeßbedingungen, insbesondere über die Gasflusse steuerbar ist.
In einem fünften Beispiel werden dem Plasma 10 zumindest zwei Precursor-Materialien 16, 16 zugeführt, die sich hinsichtlich ihrer Verdampfungs— und Schmelztemperaturen unterscheiden. So wird beispielsweise erstes Precursor-Material 16 λ pulverformiges Titan und als zweites Precursor-Material 16 pulverformiges SiN eingesetzt, wobei jedoch das zugefuhrte Titan in dem Plasma 10 starker aktiviert wird als SiN, so daß sich eine hochduktile keramische Beschichtung mit - abhangig von den Prozeßbedingungen - metallischem, stark unterstochiometrischem TiSixNy mit x, y << 1 oder keramischem TiSiN als Matrixwerkstoff bildet.
Ein sechstes Beispiel sieht vor, daß als ein erstes Precursor- Material 16 λ über die Zufuhrung 13 dem Plasma 10 Acetylen oder Methan zugeführt wird, das in Form einer amorphen Kohlenstoff- Matrixschicht auf dem Substrat 12 Atom für Atom aufgebaut wird. Gleichzeitig wird als zweites Precursor-Material 16 über die Dusche 20 oder alternativ ebenfalls über die Zufuhrung 13 ein mikroskaliges oder nanoskaliges TiN-Pulver in das Plasma 10 eingebracht. Dabei wird die Oberflache dieser Pulverpartikel lediglich angeschmolzen und gleichzeitig chemisch aktiviert, so daß sie als nanoskalige oder mikroskalige Kristallite in der gleichzeitig abgeschiedenen amorphen Matrixschicht, die als Skelett dient, eingebettet sind.
Die gleichzeitige Abscheidung einer Matrixschicht und darin eingebetteter Partikel als Funktionsbeschichtung 18 auf dem Substrat 12 mit der Plasmastrahlquelle 5 wird weiter in einem siebten Ausfuhrungsbeispiel erläutert. Dazu wird beispielsweise über die Zufuhrung 13 als Precursor-Material 16 λ das Reaktivgas Sauerstoff eingesetzt, wahrend über die Gaszufuhr 21 ein mikroska-
liges oder nanoskaliges Metallpulver wie TiN-Pulver gemeinsam mit einem Tragergas in das erzeugte Sauerstoff-Plasma eingebracht wird. In diesem Plasma 10 bzw. in dem Plasmastrahl 17 wird somit von den TiN-Pulverpartikeln über hochenergetische Gasbestandteile einerseits das Metall, im konkreten Fall Titan, zumindest teilweise abgesputtert, das im weiteren mit dem zugefuhrten Sauerstoff zu einem Metalloxid bzw. einem Titanoxid reagiert. Gleichzeitig kann durch geeignete Wahl der Gasflusse und des Abstandes von Brennerkorper 11 und Substrat 12 erreicht werden, daß auch noch angeschmolzene Reste des zugefuhrten Precursor-Materials 16 in Form von nanoskaligen oder mikroskaligen Kristalliten in die aufwachsende Matrixschicht eingebettet werden, so daß im konkreten Beispiel eine Ti02-Matrixschicht mit eingebetteten TiN-Kristalliten entsteht.
Weitere typische Beispiele für derartige, besonders harte Funktionsbeschichtungen 18 sind TiN-Partikel in einer Siliziumoxid- Matrix, oder Titanborid-, Titanoxid- oder Chromborid-Partikel in DLC (diamond-like carbon) .
Im übrigen kann in Abwandlung des vorstehenden Beispiels das Precursor-Material auch als Gas oder Flüssigkeit in das Plasma 10 bzw. den Plasmastrahl 17 eingebracht werden, wobei dann in dem Plasma über Stoße und chemische Reaktionen der entstehenden Gas- oder Flussigkeitsmolekule Cluster oder Nanopartikel gebildet werden, die eine angeregte Oberflache aufweisen, und sich damit sehr haftfest in die gleichzeitig abgeschiedene amorphe Matrixschicht einbetten werden.
Den vorstehend erläuterten Bespielen ist jeweils gemeinsam, daß in der Plasmastrahlquelle 5 durch induktiv eingekoppelte Hochfrequenz und unter Zufuhr eines Injektorgases 15 wie Sauerstoff, oder Wasserstoff in dem Brennerkorper 11 ein Plasma 10 erzeugt wird. Die eingekoppelte Leistung betragt dabei typi-
scherweise ca. 20 kW, der Druck ca. 200 mbar, der Gasfluß des Injektorgases 15 ca. 5 SLpM (Standard liter per minute) , der Fluß des optionalen Zentralgases 22 und des optionalen Hullgases 19, für die beispielsweise Stickstoff, Argon oder Wasserstoff eingesetzt werden, ca. 20 bzw. 70 SLpM, und der Abstand zwischen der Austrittsoffnung des Brennerkorpers 11 und dem Substrat ca. 20 cm.
Daneben wird in dem Fall, daß ein gasformiges Precursor-Material 16 λ über die Zufuhrung 13 eingeleitet wird, ein typischer Gasfluß von 5 SLpM eingesetzt.
Bei der Abscheidung von Kompositschichten als Funktionsbeschich- tung 18 hat sich weiter herausgestellt, daß dazu über Hochfrequenzeinkopplung angeregte Plasmen 10 gegenüber DC-Verfahren (Gleichstrom) wie beispielsweise Hochgeschwindigkeitsflammspritzen besonders geeignet sind. In diesem Fall ist die Verweildauer der dem Plasma 10 zugefuhrten Precursor-Materialien 16, 16 Λ besonders lang, so daß damit eine hohe Effizienz der chemischen Modifikation oder des Aufschmelzens von in Form von Pulvern oder Suspensionen zugefuhrten Precursor-Materialien 16, 16 λ erreicht wird.
Da je nach Wahl des Injektorgases 15 eine chemische Reaktion dieses Gases mit den Precursor-Materialien 16, 16 Λ und/oder ein Aufschmelzen der Precursor-Materialien 16, 16 Λ stattfindet, kann über die Wahl des Injektorgases 15 die Zusammensetzung der Funk- tionsbeschichtung 18 besonders einfach gezielt beeinflußt werden.
Schließlich sei betont, daß die vorstehenden Ausfuhrungsbeispiele nicht beschrankt sind hinsichtlich der konkreten Form der Precursor-Materialien 16 bzw. 16λ. Diese können gasformig, flussig oder pulverformig sein, und auch aus einer Mischung ver-
schiedener Precursor-Materialien bestehen. So kann das Precursor-Material 16, 16 λ beispielsweise Isopropanol oder Aceton sein und sich in dem Plasmastrahl 17 bzw. dem Plasma 10 chemisch umsetzen oder mit dem Injektorgas 15 reagieren. Dabei ist auch eine zusatzliche Zufuhr einer Suspension, eines Pulvers oder einer Pulvermischung als Precursor-Material 16 über die Dusche 20 oder die Zufuhrung 13 in den Plasmastrahl 17 oder das Plasma 10 möglich.
Weitere Ausfuhrungsbeispiele der Erfindung sehen vor, die vorstehenden Ausfuhrungsbeispiele zur Erzeugung der Funktionsbe- schichtung 18 mit einer Abscheidung mit einem herkömmlichen CVD- Prozeß (chemical vapour deposition) oder einem herkömmlichen PVD-Prozeß (physical vapour deposition) zu kombinieren. Dazu wird eine separat ansteuerbare CVD- oder PVD-Vorrichtung zumindest zeitweise gemeinsam oder alternierend mit der Plasmastrahlquelle 5 zur Abscheidung der Funktionsbeschichtung 18 betrieben. Damit laßt sich beispielsweise über die CVD-Vorrichtung in bekannter Weise eine amorphe Matrix-Schicht auf dem Substrat 12 abscheiden, in der mittels der Plasmastrahlquelle 5 in den vorstehend erläuterten Weisen über zugefuhrte Precursor-Materialien Einlagerungen erzeugt werden.
So kann beispielsweise ein CVD-Prozeß kontinuierlich betrieben werden, wahrend lediglich zeitweise die Plasmastrahlquelle 5 zugeschaltet wird, oder umgekehrt.