WO2000052439A1 - Appareil capacitif de mesure de force - Google Patents

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Yutaka Yamagata
Tsunehiko Ozaki
Victor Morozov
Kozo Inoue
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Riken
S. T. Research Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a device for measuring a small force, and more particularly to a capacitance-type force measuring device for measuring a force by detecting a change in capacitance due to a force to be measured.
  • a device that uses electric capacitance detects displacement of one of a pair of electrodes constituting a capacitor as a change in electric capacitance, and is characterized by high sensitivity and high accuracy.
  • a minute gap is formed between an elastic deformation portion displaced by a force to be measured and a base portion supporting the elastic deformation portion, and electrodes facing each other with the gap therebetween are provided.
  • the force or displacement is measured by detecting a change in the capacitance value of a capacitor formed by these electrodes.
  • the measurement sensitivity increases in inverse proportion to the gap interval, so in order to measure a small force with high sensitivity, the gap interval should be extremely small as 1 to 100.
  • a silicon or germanium wafer is etched using a technique that has been established as a semiconductor device manufacturing technology to form the elastically deformed portion and the base portion as an integrated structure.
  • a technique that has been established as a semiconductor device manufacturing technology to form the elastically deformed portion and the base portion as an integrated structure.
  • the tip of the elastic deformation portion is connected to one end of a force detecting probe, and The other end of the probe is connected to the other end of the sample to which one end is fixed.
  • the tip of the probe is sharpened in a needle shape and pierced into the protein sample to be connected.
  • a considerable stress is applied to the elastically deformed portion via the probe. Will join. Since the rigidity of the elastic deformation part of the conventional force measuring device is not high enough, it cannot withstand such stress and is damaged.
  • a capacitor in order to measure a change in the capacitance of a capacitor constituted by electrodes arranged to face the above-described gap, for example, a capacitor is connected to one side of a capacitance bridge. Together with the inductor Connected to form a vibration circuit.
  • the conventional capacitance-type force measuring device uses an analog circuit to detect the change in the capacitor, so that there is a problem that the measurement is fluctuated due to various factors, so that stable measurement cannot be performed and the dynamic range is narrow. is there.
  • the conventional capacitance-type force measuring device is affected by changes in the electrical conductivity, dielectric constant, and magnetic permeability of air, and cannot measure very small changes in capacitance accurately. That is, an adsorbed water film is present on the surface of the electrodes constituting the capacitor, but the capacitance of the capacitor becomes unstable because the film thickness is fluctuated by changes in the humidity and temperature of the surrounding atmosphere. In addition, stable measurement cannot be performed because the temperature of the coils and feedback transformers of the measurement circuit also fluctuate.
  • an object of the present invention is to provide a highly accurate and stable sensor unit that can increase the rigidity of the elastically deformed portion and the base portion constituting the capacitor and can accurately maintain the interval between the electrodes at a minute interval such as micron order.
  • the purpose of the present invention is to provide a capacitance-type force measuring device capable of performing such a measurement.
  • Another object of the present invention is to provide a highly accurate and stable measurement over a wide dynamic range by using a measuring circuit capable of accurately and stably detecting a minute change in capacitance of a capacitor by a digital method. It is intended to provide a capacitive force measuring device that can be performed.
  • Still another object of the present invention is to provide a capacitance type force measuring device capable of reducing fluctuations due to changes in temperature and humidity of an ambient atmosphere around a sensor unit and a measuring circuit, and performing accurate and stable measurement. It is assumed that.
  • the capacitance-type force measuring device includes:
  • An elastic deformation portion having a first surface that bends and deforms when a force to be measured is applied, and has a rigidity that is not deformed by the force, and faces the first surface of the elastic deformation member via a gap
  • the base having the second surface is formed as an integral structure of a hard material.
  • First and second electrodes provided on the first surface of the elastically deformable portion of the sensor unit and the second surface of the base portion, respectively;
  • First and second input terminals connected to the first and second electrodes, respectively;
  • An inductor connected to the first and second input terminals and connected in series or parallel with a capacitor formed by the first and second electrodes;
  • a measuring circuit for measuring a force acting on the elastically deformable portion as a change in a resonance frequency of the configured resonance circuit;
  • the sensor unit having the elastically deformable portion and the base portion is formed as an integral structure of a hard material, so that a soft material is formed between the elastically deformable portion and the base portion.
  • the effect of temperature change, humidity change, change over time, etc. can be reduced like a conventional capacitance-type force measuring device with a pulser, and minute forces or displacements can be measured with high precision and accuracy. .
  • the base portion has a second mounting surface coupled to a first mounting surface formed at one end of the elastic deformation portion. Then, the second mounting surface of the base portion and the second surface are made parallel to each other, and the second surface is retracted from the mounting surface by a distance equal to the gap of the gap. With this configuration, after the second surface and the second mounting surface of the base portion are ground so as to be the same flat surface, only the second surface is retracted by a distance equal to a desired gap interval. By grinding, a fine gap of, for example, 1 to 100 tm can be obtained very accurately.
  • the elastically deformed portion and the base portion of the sensor unit are formed of a material having a low conductivity and a low coefficient of thermal expansion, for example, glass or ceramics, particularly fused quartz. Is preferred.
  • a first conductive pad electrically connected to the first electrode is provided on a first mounting surface of the elastic member.
  • a second conductive pad electrically connected to the first input terminal is provided on a second mounting surface of the base portion, and the second conductive pad is electrically connected through the first and second conductive pads.
  • the first electrode is electrically connected to the first input terminal by coupling the deformed portion and the base portion.
  • the first input terminal for connecting the first electrode provided on the elastic deformation portion to the measurement circuit can be provided on the base portion. Therefore, the measurement circuit can be connected to the first input terminal. Can be connected to the base instead of the elastically deformable part, so that the lead does not affect the displacement of the elastically deformable part, and more accurate measurement can be performed.
  • the capacitance type force measuring device of the present invention when used for, for example, the above-described measurement of a protein sample, a sample that generates a force to be measured is held at the tip of the elastic deformation portion of the sensor unit. Probes can be ligated. In this case, since the rigidity of the elastically deformable portion is high, the elastically deformable portion is not excessively deformed when the probe is pierced into the sample, and therefore is not damaged.
  • the measuring circuit includes: an oscillation circuit including a resonance circuit including the capacitor and the inductor; and the resonance circuit generated from the oscillation circuit.
  • a digital frequency change detection circuit for digitally measuring a change in the frequency of an oscillation signal having a frequency substantially equal to the frequency can be provided. By providing such a digital frequency change detection circuit, a minute change in frequency can be detected accurately and stably over a wide dynamic range.
  • the frequency change detection circuit includes: a digital frequency counter for counting the oscillation signal; and a digital signal for processing a count value counted by the digital frequency counter over a predetermined time to measure a force acting on the elastic deformation portion.
  • a processing circuit A digital frequency counter for counting the oscillation signal; a circuit for measuring the time until the count value of the digital frequency counter reaches a predetermined count value; and an output signal of the circuit for processing the elastic deformation portion.
  • a digital signal processing circuit for measuring the acting force.
  • a semiconductor element having a low input capacitance such as a MES-FET, a J-FET, or a MOS-FET can be used as an active element of the oscillation circuit.
  • At least a part of the sensor unit and the measuring circuit are housed in an eight housing which is shielded from an external atmosphere, and dry air is circulated through the housing. be able to.
  • dry air By constantly circulating the dried air flow, fluctuations in temperature, humidity, etc. in the housing can be suppressed, and the film thickness of the adsorbed water film formed on the surfaces of the electrodes facing each other through the gap can be reduced. It can be kept almost constant and stable measurements can be taken.
  • FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of an embodiment of a capacitance-type force measuring device according to the present invention
  • Fig. 2 is a side view showing the detailed structure of the sensor unit
  • 3A and 3B are a side view and a front view, respectively, showing the detailed structure of the elastically deformed portion
  • 4A and 4B are front and side views, respectively, showing the detailed configuration of the base part
  • Fig. 5 is a circuit diagram showing the detailed configuration of the high-frequency oscillation circuit provided in the measurement circuit
  • Figure 6 is a graph showing measured data of the relationship between the load applied to the elastically deformed part and the change in frequency
  • FIG. 7 shows the structure of another embodiment of the sensor unit of the capacitance type force measuring device according to the present invention. Side view showing the structure;
  • FIG. 8 is a side view showing the configuration of still another embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram showing an entire configuration of an embodiment of a capacitance-type force measuring device according to the present invention.
  • the sensor unit 11 has a flexible deformation portion 12, a base portion 13, and a probe 14, and the detailed structure thereof will be described later.
  • a pair of electrodes provided in the sensor unit 11 are connected to a high-frequency oscillation circuit 22 provided in the measurement circuit 21 to generate a high-frequency signal having a frequency determined by the capacitance of a capacitor formed by these electrodes.
  • Is supplied to the digital frequency counter 23 to obtain a count value obtained by counting the high-frequency signals over a predetermined time, and based on the count value, the force acting on the elastic deformation portion 12 via the probe 14 is calculated. Measure.
  • the force measured in this way is displayed on the output circuit 24 or printed out.
  • FIG. 2 is a side view showing the detailed structure of the sensor unit 11 described above.
  • FIGS. 3 and B are side and front views showing the configuration of the elastically deformable portion 12, and FIGS.
  • the elastically deformable portion 12 is, for example, formed of a flat plate having a thickness of about 0.5 mm, a length of about 20 mm, and a width of about 5 mm, and a capacitor is formed at the lower end 12 a of one of the surfaces.
  • One electrode 15 is provided, an electrode pad 16 is provided at the upper end, and these are connected by a conductor pattern 17.
  • the base part 13 has a substantially U-shape, a length of 20 mm, and a width of about 20 mm. 5 mm.
  • the lower end 13a is provided with the other electrode 18 constituting the capacitor, and the upper end 13b is provided with an electrode pad 19 which is joined to the above-mentioned electrode pad 16.
  • the upper end 13 b constitutes a mounting surface connected to the elastically deformable portion 12.
  • the elastically deformable portion 12 and the base portion 13 are formed of a hard material having a low electric conductivity and a low coefficient of thermal expansion, for example, glass or ceramics.
  • the electrodes 15 and 18 and the electrode pads 16 and 19 are formed by depositing a chemically stable noble metal such as gold or platinum, and have a thickness of 1 ⁇ or less.
  • the opposing surface 13a on which the electrode 18 of the base part 13 is provided and the mounting surface 13b are forces parallel to each other.
  • the opposing surface is equal to the desired gap between the mounting surface and the mounting surface.
  • Distance d in this example it is retracted by about 10 m.
  • Such a structure can be easily and easily achieved by first grinding both the opposing surface 13a and the mounting surface 13b so that they are flush with each other, and then grinding the opposing surface only further parallel to the distance d. Can be obtained exactly.
  • the parallelism between the facing surface 13a and the mounting surface 13b is preferably 1 to 0.1, particularly preferably 0.5 m or less.
  • the mounting surface 12b of the elastic deformation portion 12 having the above-described structure is connected to the mounting surface 13b of the base portion 13.
  • the opposing surface 13a of the electrode is formed as described above. Since it has already receded from the attachment surface 13b, there is no need to interpose a spacer between them as in the conventional case, and it can be directly connected. This bond can be fused with a ceramic glass with a nearly zero coefficient of thermal expansion sold under the trade name “Zerodur-1” by Corning Corporation of the United States.
  • the elastically deformable portion 12 and the base portion 13 can be formed as an integral structure without the intervention of a soft material. Since the distance d does not fluctuate, a very small force can be measured accurately and stably with extremely high sensitivity.
  • the probe 14 connected to the lower end of the elastically deformable portion 12 and the probe 14a having the upper end fixed are pierced into the sample S as shown in FIG.
  • a force is applied to the elastically deformable portion 12 via the probe 14, but in the present invention, since the elastically deformable portion is formed of a rigid material, there is no possibility of breakage.
  • FIG. 5 shows a detailed configuration of the above-described high-frequency twisting circuit 22, in which a capacitor composed of the electrodes 15 and 18 of the sensor unit 11 is indicated by a variable capacitor C.
  • the capacitance of the variable capacitor C varies in the range of 4 to 40 pF.
  • an inductor 31 is connected in series with the capacitor C to form a resonance circuit, and a connection point between the capacitor and the inductor is connected to the first gate of the MES-FET 32.
  • the inductor 31 described above is connected to one end of the primary winding 33a of the feedback transformer 33, and the other end is connected to the capacitor C.
  • One end of the secondary winding 33b of the feedback transformer 33 is connected to the drain D of the MES-FET 32 to form an inductance feedback type oscillation circuit.
  • the feedback transformer 33 is formed by directly winding a silver plated copper wire around a hollow or rod-shaped core made of a hard material having a low coefficient of thermal expansion such as fused silica and having a small temperature change in dielectric constant and magnetic permeability. Thus, a feedback transformer having a highly stable inductance can be obtained.
  • the source S of ME S -F ET 32 passes through a resistor 34 to ground, to ground through a capacitor 36 with the second gate G 2 is connected to the sliding contact of the semi-fixed resistor 35 for bias adjustment.
  • the semi-fixed resistor 35 is connected between both ends of the DC power supply 37.
  • MES The drain D of the FET 32 is connected to the gate G of the N-type MOS-FET 39 that constitutes the buffer amplifier via the coupling capacitor 38. This gate is connected to the connection point of the series resistors 40 and 41 connected between both ends of the DC power supply 37.
  • the other end of the secondary winding 33b of the feedback lance 33 is connected to the positive terminal of the DC power supply 37 via the resistor 42.
  • the drain D of the MOS-FET 39 is connected to the positive terminal of the DC power supply 37, the source S is connected to the negative terminal of the DC power supply via the resistor 43, and the connection point between this resistor and the source is connected to the output terminal 44.
  • a high-frequency signal having a frequency of, for example, 30 to 50 MHz is generated, and the frequency is changed by a change in the capacity of the variable capacitor C. Therefore, the capacitance of the capacitor C changes due to a change in the interval between the electrodes 15 and 18 according to the force applied to the deformable portion 12 via the probe 14 shown in FIG. By detecting the force, the force can be measured.
  • a high-frequency signal output from the high-frequency oscillation circuit 22 is supplied to the digital frequency counter 23, and a count value for a certain time is obtained.
  • the externally applied force is applied to the displacement of the elastically deformable portion 12.
  • the change is detected as a change in the capacitance of the capacitor, and the theory is described below.
  • Deformation occurs when a force is applied to the elastically deformable portion 12 from the outside, and this can be explained by an expression representing bending of the cantilever beam.
  • y is the amount of deformation at the electrode part of the elastically deformed part 12
  • F is the external force
  • E is the Young's modulus (longitudinal elasticity) of the elastically deformed part
  • Iz is the second moment of area of the elastically deformed part
  • is the deformation. If the length of the deformed part of the part is 1, it can be expressed by the following equation 1.
  • I z is the thickness of the elastic deformation part h, and the width b, it is represented by the following formula 2. In k m -. ... - ⁇ )
  • the oscillation frequency f is given by the following equation 5 based on the capacitance C of the capacitor of the sensor unit 11 and the inductance of the inductor 31 of the resonance circuit. Furthermore, the capacitance C of the capacitor is expressed as d, the gap distance when no force is applied, S as the area of the electrodes 15 and 18 facing each other, and ⁇ as the dielectric constant of the vacuum (however, the dielectric constant in the atmosphere is also approximately Equation 6 below. From the above equation, the rate of change of the frequency f with respect to the external force F is obtained. Considering that the gap d of the capacitor changes d ⁇ y because of the external force, the following equation 7 is obtained. Here, assuming that the deformation due to external force is sufficiently small compared to the size of the gap, d + y can be approximated to d. Therefore, the above equation (7) becomes the following equation 8. df
  • Fig. 6 shows the frequency of the sensor unit 11 shown in Fig. 1 when it is rotated 90 degrees so that the elastically deformable portion 12 is horizontal, and various weights are suspended using thin wires in the elastically deformable portion. It shows the measured value of the change.
  • the frequency change when the weight is changed in the range of 1 g to 1 mg is plotted on the vertical axis, and the external force and the frequency change are almost proportional.
  • the frequency when no load is applied is set to 50 MHz, but in the present invention, this frequency is preferably set to 20 to 60 MHz.
  • the measurement resolution is expected to be approximately 30 g. this As described above, it was confirmed that the capacitance-type force measuring device of the present invention was operated almost in theory.
  • the elastically deforming portion of the sensor unit has a cantilever structure, but may have a cantilever structure as shown in FIG.
  • both ends of the strip-shaped elastic deformation portion 51 are joined to the mounting surface of the base portion 52, and the electrode 53 provided at the center is provided on the projection 54 provided at the center of the base portion.
  • a capacitor can be configured to face 55.
  • FIG. 7 shows another embodiment of the sensor unit.
  • the electrode 15 provided on the elastic deformation portion 12 is configured to be connected to the measurement circuit via the electrode pads 16 and 19, but in this example, the electrode 15 is connected to the conductor pattern.
  • the electrode pad 16 is connected to the electrode pad 16 provided on the surface opposite to the mounting surface of the elastically deformable portion via 17, and the lead wire 61 is connected to this electrode pad.
  • the electrode pad is not interposed on the joint surface between the elastically deformable portion 12 and the base portion 13, these surfaces can be directly joined.
  • connection between the elastically deformable portion 12 and the base portion 13 can be realized by a mechanical bonding method, a laser welding method, a chemical surface activation method, or the like.
  • a laser-welding method when adopted, two glass members constituting the elastically deformed part and the base part are superimposed, and the bonding surface can be locally heated by a carbon dioxide gas laser to perform bonding.
  • a soft material is not interposed between the elastically deformed portion and the base portion, so that the soft material is not affected by changes in the surrounding environment and changes over time. The gap between the two can be accurately maintained.
  • the frequency change is measured from the value counted over a predetermined time. Count the time to reach the specified count The change of the frequency may be measured from this time.
  • the elastically deformed portion is formed of glass such as fused quartz, but may be formed of an alloy such as Invar. Means are needed. Therefore, it is preferable that at least the elastically deformed portion is formed of glass or ceramic having a low conductivity and a low coefficient of thermal expansion as described above.
  • the elastically deformable portion and the base portion forming the sensor unit are formed as an integral structure of a hard material, the gap between the electrodes forming the capacitor is formed. Can be set to a predetermined value extremely accurately without being affected by changes in temperature, humidity, and aging. Therefore, a slight change in the capacitance value of the capacitor due to a small force can be detected very accurately, and stable measurement can be performed.
  • the minute change in the frequency can be detected over a wide dynamic range. Accurate and stable detection is possible.

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Description

明 細 書 電気容量式力測定装置 技 術 分 野
本発明は、 微小な力を測定する装置、 特に測定すべき力による電気容量の変化 を検出して力を測定する電気容量式力測定装置に関するものである。
背 景 技 術
微小な力や変位を測定する必要性は種々の分野において益々高くなつてきてい る。 微小な変位を測定する技術の一つとして、 光学式のものが提案されている。 しかしこの場合には光ビームの光路の位置的な変化を検出する光電変換素子の分 解能に問題があり、 ミクロンオーダーの微小な変位を十分高い精度で測定するこ とは困難である。
微小な変位を測定する他の技術として磁界中の磁性部材の変位を測定したり、 電気容量の変化を検出することも提案されている。 この内、 磁気的な測定方法は 分解能や測定精度の点で問題があり、 微小な力または変位を高精度で測定するの には適していない。 電気容量を利用するものは、 コンデンサを構成する一対の電 極の一方の変位を電気容量の変化として検出するものであり、 高感度であるとと もに精度も高いという特長がある。
上述したように電気容量の変化を利用して微小な力や変位を測定する装置とし て、 例えば特開平 4— 2 4 9 7 2 1 6号公報や同 4— 2 9 9 2 2 7号公報に記載 されたものがある。 これらの従来の装置においては、 測定すべき力によって変位 する弾性変形部と、 これを支持するべ一ス部との間に微小なギヤップを形成し、 このギヤップを挟んで互いに対向する電極を設け、 これらの電極によって構成さ れるコンデンサの容量値の変化を検出することによって力または変位を測定する ようにしている。 このような電気容量式力測定装置では測定感度はギヤップの間隔に反比例して 大きくなるので、 微小な力を大きな感度で測定するためには、 ギャップの間隔を 1〜 1 0 0 ときわめて小さくする必要がある。従来の力測定装置においては、 微小なギャップを形成するために、 ベース部の平坦な表面に、 膜厚がギャップの 間隔にほぼ等しいポリマーフィルムなどのスぺ一サを介して接着している。 しか しポリマーフィルムなどの軟質材料は、 温度変化、 湿度変化、 経時変化などが大 きく、 ギャップの間隔を正確に維持できず、 測定感度や測定精度の不安定性を招 き、 測定の信頼性が得られない欠点がある。
さらに、 ギヤップ構成部分の剛性を高めるために半導体装置の製造技術として 確立されている手法を利用し、 シリコンまたはゲルマニウムのウェファをエッチ ングして弹性変形部およびベース部を一体の構造として形成することが提案され ている。 しかしながら、 例えば長さが数十ミリの弾性変形部の一部をベース部の 一部に対してミクロンオーダーのギャップを介して正確に離間して形成すること は非常に難しく、 設計通りのものを製造することは困難であり、 測定精度が低い と共にダイナミックレンジも狭いという欠点がある。
さらに、 例えば蛋白より成る試料とリガンドとの結合によって試料に発生され る伸縮量を力測定装置で測定する場合には、 弾性変形部の先端を力検出用プロ一 ブの一端に連結し、 このプローブの他端を一端が固定された試料の他端に連結す るようしている。 この場合、 プローブの先端を針状に尖らせて蛋白試料に突き刺 して連結することが行われているが、 この操作を行う際にはプローブを介して弹 性変形部に相当の応力が加わることになる。 従来の力測定装置の弾性変形部の剛 性は十分に高いものではないので、 このような応力に対して耐えることができず 損傷し、 甚だしい場合には破損してしまう欠点がある。
さらに従来の電気容量式の力測定装置においては、 上述したギヤップを対向し て配置されている電極によって構成されるコンデンサの容量変化を測定するため に、 例えばコンデンサを容量ブリッジの一辺に接続したり、 インダクタと共に共 振回路を構成するように接続している。 いずれにしても従来の電気容量式力測定 装置においては、 アナログ回路を用いてコンデンサの変化を検出しているため、 種々の要因により変動し安定した測定ができないと共にダイナミックレンジも狭 いという問題がある。
さらに、 従来の電気容量式力測定装置においては、 空気の導電率、 誘電率、 透 磁率の変化による影響があり、 きわめて微小な容量の変化を正確に測定すること はできない。 すなわち、 コンデンサを構成する電極の表面には吸着水膜が存在し ているが、 その膜厚が周囲雰囲気の湿度や温度の変化による変動を受けるのでコ ンデンサの容量が不安定となる。 また、 測定回路のコイルやフィードバック トラ ンス等も温度の変動を受けるので安定した測定を行うことができない。
したがって本発明の目的は、 コンデンサを構成する弹性変形部とベース部との 剛性を高めると共に電極間の間隔をミクロンオーダ一といった微小な間隔に正確 に保持することができるセンサュニッ 卜によって高精度で安定した測定を行うこ とができる電気容量式力測定装置を提供しょうとするものである。
本発明の他の目的は、 上述したコンデンサの微小な容量変化をデジタル的な手 法によって正確にかつ安定して検出することができる測定回路によって広いダイ ナミックレンジに亘つて高精度で安定した測定を行うことができる電気容量式力 測定装置を提供しょうとするものである。
本発明のさらに他の目的は、 センサュニッ トおよび測定回路の周囲雰囲気の温 度や湿度の変化による変動を軽減し、 正確で安定した測定を行うことができる電 気容量式力測定装置を提供しょうとするものである。
発 明 の 開 示
本発明による電気容量式力測定装置は、
測定すべき力が作用されて曲げ変形し、 第 1の表面を有する弾性変形部と、 前記 力によっては変形しない剛性を有し、 前記弾性変形部材の第 1の表面とギャップ を介して対向する第 2の表面を有するベース部とを硬質材料の一体構造として形 成したセンサュニッ トと ;
このセンサュニッ 卜の弾性変形部の第 1の表面およびベース部の第 2の表面にそ れぞれ設けられた第 1および第 2の電極と ;
これら第 1および第 2の電極にそれぞれ接続された第 1および第 2の入力端子 と ;
これら第 1および第 2の入力端子に接続され、 前記第 1および第 2の電極によつ て構成されるコンデンサと直列または並列に接続されるインダクタを有し、 これ らコンデンサとィンダク夕とによって構成される共振回路の共振周波数の変化と して前記弹性変形部に作用する力を測定する測定回路と、
を具えるものである。
このような本発明による電気容量式力測定装置においては、 弹性変形部および ベース部を具えるセンサュニッ トを硬質材料の一体構造としたので、 弹性変形部 とベース部との間に軟質材料のスぺーサを配置した従来の電気容量式力測定装置 のように温度変化、 湿度変化、 経時変化などの影響を軽減することができ、 微小 な力または変位を高精度で正確に測定することができる。
本発明による電気容量式力測定装置の好適な実施例においては、 前記ベース部 に、 前記弾性変形部の一端に形成された第 1の取り付け面と結合される第 2の取 り付け面を形成し、 このベース部の第 2の取り付け面および前記第 2の表面を互 いに平行とすると共に第 2の表面を取り付け面から前記ギヤップの間隔に等しい 距離だけ後退させる。 このように構成すると、 ベース部の第 2の表面および第 2 の取り付け面を同一平坦面となるように研削した後、 第 2の表面だけを所望のギ ャップの間隔に等しい距離だけ後退するように研削することによって例えば 1 ~ 1 0 0 t mの微細なギヤップをきわめて正確に得ることができる。
また、 本発明による電気容量式力測定装置においては、 前記センサユニッ トの 弹性変形部およびベース部を、 導電率が低く、 熱膨張率が小さな材料、 例えばガ ラスまたはセラミックス、 特に溶融石英で形成するのが好適である。 さらに、 本発明による電気容量式力測定装置の好適な実施例においては、 前記 弾性部材の第 1の取り付け面に、 前記第 1の電極と電気的に接続された第 1の導 電パッ ドを設け、 前記ベース部の第 2の取り付け面に、 前記第 1の入力端子と電 気的に接続された第 2の導電パッ ドを設け、 これら第 1および第 2の導電パッ ド を介して弹性変形部とベース部とを結合することにより、 前記第 1の電極を前記 第 1の入力端子に電気的に接続するように構成する。 このような構造によれば、 弾性変形部に設けられた第 1の電極を測定回路へ接続するための第 1の入力端子 をベース部に設けることができ、 したがって測定回路を第 1の入力端子とを接続 するリード線を弾性変形部ではなくベース部に接続することができるので、 リー ド線が弾性変形部の変位に影響を与えることがなくなり、 一層正確な測定が可能 となる。
さらに本発明の電気容量式力測定装置を、 例えば上述した蛋白試料の測定に使 用する場合には、 前記センサユニッ トの弾性変形部の先端に、 測定すべき力を発 生する試料を保持するプローブを連結することができる。 この場合、 弹性変形部 の剛性は高いのでプローブを試料に突き刺すときに弹性変形部が過度に変形する ようなことはなく、 したがって破損することもない。
さらに、 本発明による電気容量式力測定装置の好適な実施例においては、 前記 測定回路に、 前記コンデンザとインダクタによって構成される共振回路を含む発 振回路と、 この発振回路から発生される前記共振周波数にほぼ等しい周波数を有 する発振信号の周波数の変化をデジタル的に測定するデジタル周波数変化検出回 路とを設けることができる。 このようなデジタル周波数変化検出回路を設けるこ とにより、 周波数の微小な変化を広いダイナミックレンジに亘つて正確にかつ安 定して検出することができる。
この周波数変化検出回路は、 前記発振信号を計数するデジタル周波数カウンタ と、 このデジタル周波数カウンタが所定の時間に亘つて計数した計数値を処理し て前記弾性変形部に作用する力を測定するデジタル信号処理回路とで構成するか, 前記発振信号を計数するデジタル周波数カウンタと、 このデジタル周波数カウン 夕の計数値が所定の計数値に達するまでの時間を測定する回路と、 この回路の出 力信号を処理して前記弾性変形部に作用する力を測定するデジタル信号処理回路 とで構成することができる。 さらに、 発振回路の能動素子として、 入力容量が低 い半導体素子、 例えば M E S— F E T, J一 F E Tまたは M O S— F E Tなどを 用いることができる。
さらに本発明による電気容量式力測定装置の好適な実施例においては、 前記セ ンサュニッ トおよび測定回路の少なくとも一部分を、 外部雰囲気から遮断する八 ウジングに収納し、 このハウジングを経て乾燥空気を流通させることができる。 このように乾燥した空気流を絶えず流通させることによってハウジング内の温度、 湿度などの変動を抑えることができ、 ギヤップを介して互いに対向する電極の表 面に形成される吸着水膜の膜厚をほぼ一定に保つことができ、 安定した測定を行 うことができる。
図面の簡単な説明
図 1は本発明による電気容量式力測定装置の一実施例の全体の構成を示す線 図 ;
図 2は同じくそのセンサュニッ トの詳細な構成を示す側面図 ;
図 3 Aおよび Bは同じくその弹性変形部の詳細な構造を示す側面図および正面 図 ;
図 4 Aおよび Bは同じくそのベース部の詳細な構成を示す正面図および側面 図 ;
図 5は同じくその測定回路に設けられた高周波発振回路の詳細な構成を示す回 路図 ;
図 6は弾性変形部に加わる荷重と周波数の変化との関係の実測データを示すグ ラフ ;
図 7は本発明による電気容量式力測定装置のセンサュニッ 卜の他の実施例の構 成を示す側面図 ; そして
図 8は同じくそのさらに他の実施例の構成を示す側面図である。
発明を実施するための最良の形態
図 1は本発明による電気容量式力測定装置の一実施例の全体の構成を示す線図 である。 センサュニッ ト 1 1は、 弹性変形部 1 2と、 ベース部 1 3と、 プローブ 1 4とを有しているが、 その詳細な構造については後に説明する。 センサュニッ ト 1 1 に設けられた一対の電極を測定回路 2 1に設けた高周波発振回路 2 2に接 続し、 これらの電極によって構成されるコンデンサの容量によって決まる周波数 の高周波信号を発生させ、 これをデジタル周波数カウンタ 2 3に供給して所定の 時間に亘つて高周波信号を計数した計数値を求め、 この計数値に基づいてプロ一 ブ 1 4を介して弾性変形部 1 2に作用する力を測定する。 このようにして測定し た力を出力回路 2 4で表示したり、 プリントアウトする。
本例では、 センサュニッ ト 1 1および測定回路 2 1の内の高周波発振回路 2 2 をハウジング 2 5内に配置し、 ポンプ 2 6からシリカゲルなどの乾燥剤 2 7を通 過させた乾燥空気流を、 ハウシングに設けた入り口 2 5 aから流入させ、 出口 2 5 bから排出させるようにする。 このように乾燥した空気流をハウジング 2 5を 経て流通させることによって、 ハウジング内に配置したセンサュニッ ト 1 1およ び高周波発振回路 2 2の周囲雰囲気の温度および湿度をほぼ一定に保つことでき るので、 温度や湿度の変動に影響されない安定した測定を行うことができる。 図 2は上述したセンサュニッ ト 1 1の詳細な構造を示す側面図であり、 図 3お よび Bは弾性変形部 1 2の構成を示す側面図および正面図、 図 4 Aおよび Bはべ ース部 1 4の正面図および側面図である。 弾性変形部 1 2は例えば厚みが 0 . 5 mmで長さが約 2 0 mmで、 幅が約 5 mmの平板を以て形成し、 その一方の表面 の下端部 1 2 aにはコンデンサを構成する一方の電極 1 5を設け、 上端部には電 極パッ ド 1 6を設け、 これらを導体パターン 1 7で接続したものである。
ベース部 1 3はほぼ 「コ」 の字状をしており、 その長さは 2 0 m mで、 幅は約 5 mmである。 下端部 1 3 aにはコンデンサを構成する他方の電極 1 8を設け、 上端部 1 3 bには上述した電極パッ ド 1 6 と接合される電極パッ ド 1 9を設ける。 この上端部 1 3 bは弾性変形部 1 2と連結される取り付け面を構成するものであ る。 本発明においては、 これら弾性変形部 1 2およびベース部 1 3を、 電気導電 率が低く、 熱膨張率が低い硬質の材料、 例えばガラスやセラミックスで形成する が、 本例では溶融石英で形成する。 また、 電極 1 5および 1 8や電極パッ ド 1 6 および 1 9は、 金、 プラチナなどの化学的に安定な貴金属を蒸着して形成し、 そ の膜厚は 1 μ πι以下とする。
図 4に示すように、 ベース部 1 3の電極 1 8を設けた対向面 1 3 aと取り付け 面 1 3 bとは互いに平行とする力 対向面を取り付け面よりも所望のギヤップの 間隔に等しい距離 d、 本例では 1 0 m程度だけ後退させている。 このような構 造は、 最初に対向面 1 3 aおよび取り付け面 1 3 bの双方を同一平面となるよう に研削した後、 対向面だけをさらに平行に距離 dだけ研削することによって容易 にしかも正確に得ることができる。 この場合、 対向面 1 3 aおよび取り付け面 1 3 bの平行度は、 1 ~ 0 . 1 、 特に 0 . 5 m 以下とするのが好適である。 上述した構造の弾性変形部 1 2の取り付け面 1 2 bを、 ベース部 1 3の取り付 け面 1 3 bと連結するが、 本発明では上述したように電極の対向面 1 3 aは取り 付け面 1 3 bから既に後退しているので、 従来のようにこれらの間にスぺーサを 介在させる必要はなく、 直接結合することができる。 この結合は、 米国コーニン グ社から 「ゼロデュア一 (商品名)」 なる商品名で販売されている熱膨張係数がほ ぼ零のセラミックガラスで融着することができる。 このようにして本発明によれ ば、 弾性変形部 1 2およびべ一ス部 1 3を軟質材料を介することなく一体構造と することができるので、 温度変化、 湿度変化、 経時変化などによってギャップ間 隔 dが変動することがないので、 微小な力をきわめて高い感度で正確にしかも安 定して測定することができる。
本例の電気容量式力測定装置を使用して例えば蛋白試料のリガンドとの結合に よって生ずる力を測定する場合には、 図 2に示すように弾性変形部 1 2の下端に 連結したプローブ 14および上端を固定したプローブ 1 4 aを試料 Sに突き刺す ようにしている。 このように突き刺す際に、 プローブ 14を介して弾性変形部 1 2に力が加わるが、 本発明では弾性変形部は剛固な材料で形成されているので破 損したりする恐れはない。
図 5は上述した高周波発捩回路 22の詳細な構成を示すものであり、 センサュ ニッ ト 1 1の電極 1 5および 1 8で構成されるコンデンサを可変コンデンサ Cで 示した。 この可変コンデンサ Cの容量は、 4〜 40 p Fの範囲で変化するもので ある。 本例ではこのコンデンサ Cと直列にィンダクタ 3 1を接続して共振回路を 構成し、 これらコンデンサおよびィンダク夕の接続点を ME S— FET 3 2の第 1のゲ一ト に接続する。
上述したインダクタ 3 1をフィードバック トランス 33の 1次巻線 33 aの一 端に接続し、 その他端をコンデンサ Cに接続する。 このフィードバック トランス 33の 2次卷線 33 bの一端を上述した ME S— F ET 32のドレイン Dに接続 してインダクタンス帰還型の発振回路を構成する。 フィードバック トランス 33 は、 溶融石英などの硬質でかつ熱膨張率が低く、 誘電率および透磁率の温度変化 が少ない材料の中空或いは棒状のコアに銀メツキ銅線を直接巻き付けて形成した ものである。 このようにして安定度の高いィンダク夕ンスを有するフィ一ドバッ ク トランスを得ることができる。
ME S -F ET 32のソース Sは、抵抗 34を経て接地し、第 2のゲート G2 は バイアス調整用の半固定抵抗 3 5の摺動接点に接続すると共にコンデンサ 36を 経て接地する。 半固定抵抗 3 5は、 直流電源 37の両端間に接続する。 ME S— FET 32のドレイン Dは、 結合コンデンサ 38を経てバッファ増幅器を構成す る N型 MO S - F E T 39のゲート Gに接続する。 このゲー卜は直流電源 3 7の 両端間に接続された直列抵抗 40および 4 1の接続点に接続する。 フィ一ドバッ ク卜ランス 33の 2次巻線 33 bの他端を抵抗 42を経て直流電源 37の正端子 に接続する。 さらに、 MOS— FET 39のドレイン Dを直流電源 3 7の正端子 に接続し、 ソース Sを抵抗 43を介して直流電源の負端子に接続し、 この抵抗と ソースとの接続点を出力端子 44に接続する。
上述した各素子の値または品名は以下の通りである。
インダクタ 3 1 7 H
フィードバック トランスの 1次巻線および 2次卷線 1 μ, Η
ME S-FET 32 S GM 2 006 MO S - F E T 39 2 S K 24 1 半固定抵抗 3 5 500 k Ω コンデンサ 36 0. 1 H 直流電源 37 3〜 7 V 抵抗 34、 42 47 Ω
上述した高周波発振回路 2 2の出力端子 44からは、 例えば 30〜 50 MHz の周波数の高周波信号が発生され、 その周波数は可変コンデンサ Cの容量の変化 によって変化することになる。 したがって、 図 1に示すプローブ 14を介して弹 性変形部 1 2に与えられる力に応じて電極 1 5および 1 8間の間隔が変化するこ とによってコンデンサ Cの容量が変化するので、 その変化を検出することによつ て力を測定することができる。 本例では、 高周波発振回路 22から出力される高 周波信号をデジタル周波数カウン夕 2 3へ供給し、 一定時間の計数値を求める。 このデジタル周波数カウンタ 23の基準として水晶振動子などの高精度な基準発 振器を使用することにより安定性は 1 0-6〜 1 0-8に達するので、微小な周波数の 変化をきわめて高い分解能で安定して測定することができ、 しかもダイナミック レンジも 1 05 程度ときわめて広いものが得られる。 これに対し、 従来のアナ口 グ式の周波数変化検出回路ではダイナミックレンジは高々 1 03 程度と狭いもの である。
上述したように本発明では外部より与えられる力を、 弾性変形部 1 2の変位を 介してコンデンサの容量の変化として検出しているが、 その理論について以下に 説明する。 外部より弾性変形部 1 2に力が加わると変形が起こるが、 これは片持 ち梁の曲げを表す式で説明することができる。 今、 弾性変形部 1 2の電極部分に おける変形量を y、 外力を F、 弾性変形部のヤング率 (縦弾性率) を E、 弾性変 形部の断面 2次モーメントを I z 、 弹性変形部の変形部分の長さを 1 とすると、 次式 1で表すことができる。
F
y
3EI. ただし、 I z は弾性変形部の厚さを h、 幅を bとすると、 次式 2で表されるもの である。
Figure imgf000013_0001
で. k m—… - ί )
と置くと、 加えられた力と変形量とは比例すると考えて良く、
F = /c y ( 4 )
と表現することができる。
一方で、 発振周波数 f はセンサュニッ 卜 1 1のコンデンサの容量 Cと共振回路 のインダク夕 3 1のインダクタンス より、 次式 5で与えられる。
Figure imgf000013_0002
さらにコンデンサの容量 Cは、力が加えられていない状態のギャップの間隔を d、 互いに対向する電極 1 5、 1 8の面積を S、 真空の誘電率を ε (ただし大気中の 誘電率もほぼ同じであるとする) とすると、 次式 6で表される。
Figure imgf000014_0001
以上の式から、 外力 Fに対する周波数 f の変化率を求めるが、 コンデンサのギ ヤップ間隔 dは外力により変化するため d ± yとなることを考慮すると、 次式 7 のようになる。
Figure imgf000014_0002
ここで、 外力による変形はギャップの大きさに比べて十分小さいと仮定すると、 d + yは dと近似できる。 したがって、 上式 ( 7 ) は、 次式 8となる。 df
( 8 )
dF ^k^dLS これらはすべて定数により構成されているため、 結果として外力と周波数とは比 例し、 その比例係数が上式 (8 ) で表されたものとなる。
図 6は図 1に示すセンサュニッ 卜 1 1を、 弹性変形部 1 2が水平となるように 9 0度回転し、 弹性変形部に細いワイヤを用いて種々の重りを吊るしたときの周 波数の変化の実測値を示すものである。 横軸に示すように重りを 1 g〜 1 m gの 範囲で変化させたときの周波数の変化を縦軸にプロッ トして示すものであり、 外 力と周波数変化とはほぼ比例関係にあることがわかる。 ここで、 無負荷時におけ る周波数は 5 0 M H z としたが、 本発明ではこの周波数は 2 0〜 6 0 M H z とす るのが好適である。 また、 測定分解能はほぼ 3 0 gであると予想される。 この ように本発明の電気容量式力測定装置はほぼ理論通りに動作していることが確認 された。
本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく、 幾多の変更や変形が 可能である。 例えば、 上述した実施例ではセンサユニッ トの弾性変形部を片持ち 梁構造としたが、 図 6に示すように両持ち梁構造とすることもできる。 この場合 には、 細条状の弾性変形部 5 1の両端をベース部 5 2の取り付け面に接合し、 中 央に設けた電極 5 3を、 ベース部の中央の突起 5 4に設けた電極 5 5と対向させ てコンデンサを構成することができる。
図 7はセンサュニッ 卜の他の実施例を示すものである。 上述した実施例では弾 性変形部 1 2に設けた電極 1 5は、 電極パッ ド 1 6および 1 9を介して測定回路 へ接続するように構成したが、 本例では電極 1 5を導体パターン 1 7を介して弹 性変形部の取り付け面とは反対側の表面に設けた電極パッ ド 1 6へ接続し、 この 電極パッ ドにリード線 6 1を接続する。 このような構成では、 弹性変形部 1 2と ベース部 1 3との接合面には電極パッ ドが介在しないためこれらの面を直接接合 することができる。
また、 本発明によれば弹性変形部 1 2とベース部 1 3との結合は、 機械的結合 方法、 レーザー熔接法、 化学的表面活性法などによって実現することが可能であ る。 例えば、 レーザ一熔接法を採用する場合には、 それぞれ弹性変形部とベース 部とを構成する 2つのガラス部材を重ねた状態で炭酸ガスレーザによって接合面 を局所的に加熱して接合することができる。 本発明によれば、 何れの接合方法を 採用する場合でも、 弹性変形部とベース部との間には軟質材料が介挿されないの で、 周囲環境の変化や経時変化に影響されることなくこれらの間のギヤップを正 確に維持することができる。
さらに上述した実施例では、 高周波発振回路 2 2からの高周波信号をデジタル 周波数カウンタ 2 3で計数する場合に、 所定の時間に亘つて計数した値から周波 数変化を測定するようにしたが、 予め決められた計数値に達するまでの時間を計 測し、 この時間から周波数の変化を測定するようにしても良い。
さらに上述した実施例では、 弹性変形部を溶融石英のようなガラスで形成した が、 インバーのような合金で形成することもできるが、 このような導電性の材料 を用いる場合には電極の絶縁手段が必要になる。 したがって少なくとも弾性変形 部は上述したように導電率が低いと共に熱膨張率も低いガラスやセラミックスで 形成する方が好適である。
産業上の利用可能性
上述したように本発明による電気容量式力測定装置においては、 センサュニッ トを構成する弾性変形部とベース部とを硬質の材料の一体構造とするので、 コン デンサを構成する電極間のギャップの間隔を、 特に温度変化、 湿度の変化や経時 変化などに影響されることがなくきわめて正確に所定の値とすることができる。 したがって、 微小な力によるコンデンサの容量値の僅かな変化もきわめて正確に 検出することができ、 安定な測定が可能である。
さらに、 センサュニッ 卜のコンデンサとィンダクタによって構成される共振回 路の共振周波数の変化をデジタル的に測定するデジタル周波数変化検出回路を設 けた実施例では、 周波数の微小な変化を広いダイナミックレンジに亘つて正確に かつ安定して検出することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 測定すべき力が作用されて曲げ変形し、 第 1の表面を有する弾性変形部 と、 前記力によっては変形しない剛性を有し、 前記弾性変形部材の第 1の表面と ギヤップを介して対向する第 2の表面を有するベース部とを硬質材料の一体構造 として形成したセンサュニッ 卜と ;
このセンサュニッ トの弹性変形部の第 1の表面およびベース部の第 2の表面にそ れぞれ設けられた第 1および第 2の電極と ;
これら第 1および第 2の電極にそれぞれ接続された第 1および第 2の入力端子 と ;
これら第 1および第 2の入力端子に接続され、 前記第 1および第 2の電極によつ て構成されるコンデンサと直列または並列に接続されるィンダク夕を有し、 これ らコンデンサとィンダクタとによって構成される共振回路の共振周波数の変化と して前記弾性変形部に作用する力を測定する測定回路と、
を具える電気容量式力測定装置。
2 . 前記センサユニッ トの弹性変形部およびべ一ス部を、 導電率が低く、 熱 膨張率が小さな硬質材料で形成した請求の範囲 1 に記載の電気容量式力測定装置,
3 . 前記弾性変形部およびベース部の硬質材料を、 ガラスまたはセラミック スとした請求の範囲 2に記載の電気容量式力測定装置。
4 . 前記弾性変形部およびべ一ス部の材料を、 溶融石英とした請求の範囲 3 に記載の電気容量式力測定装置。
5 . 前記ベース部に、 前記弾性変形部の一端に形成された第 1の取り付け面 と結合される第 2の取り付け面を形成し、 このベース部の第 2の取り付け面およ び前記第 2の表面を互いに平行とすると共に第 2の表面を取り付け面から前記ギ ャップの間隔に等しい距離だけ後退させた請求の範囲 1に記載の電気容量式力測 定装置。
6 . 前記弾性部材の第 1の取り付け面に、 前記第 1の電極と電気的に接続さ れた第 1の導電パッ ドを設け、 前記ベース部の第 2の取り付け面に、 前記第 1の 入力端子と電気的に接続された第 2の導電パッ ドを設け、 これら第 1および第 2 の導電パッ ドを介して弾性変形部とベース部とを結合することにより、 前記第 1 の電極を前記第 1の入力端子に電気的に接続した請求の範囲 5に記載の電気容量 式力測定装置。
7 . 前記ギヤップの間隔を 1〜 1 0 0 x mとした請求の範囲 1 に記載の電気 容量式力測定装置。
8 . 前記センサユニッ トの弾性変形部の先端に、 測定すべき力を発生する試 料を保持するプローブを連結した請求の範囲 1に記載の電気容量式力測定装置。
9 . 前記プローブを蛋白試料を突き刺す針状に形成した請求の範囲 8に記載 の電気容量式力測定装置。
1 0 . 前記測定回路が、 前記コンデンサとインダクタによって構成される共振 回路を含む発振回路と、 この発振回路から発生される前記共振周波数にほぼ等し い周波数を有する発振信号の周波数の変化を測定する周波数変化検出回路とを具 える請求の範囲 1に記載の電気容量式力測定装置。
1 1 . 前記周波数変化検出回路が、 前記発振信号を計数するデジタル周波数力 ゥン夕と、 このデジタル周波数カウン夕が所定の時間に亘つて計数した計数値を 処理して前記弾性変形部に作用する力を測定するデジタル信号処理回路とを具え る請求の範囲 1 0に記載の電気容量式力測定装置。
1 2 . 前記周波数変化検出回路が、 前記発振信号を計数するデジタル周波数力 ゥン夕と、 このデジタル周波数カウン夕の計数値が所定の計数値に達するまでの 時間を測定する回路と、 この回路の出力信号を処理して前記弾性変形部に作用す る力を測定するデジタル信号処理回路とを具える請求の範囲 1 0に記載の電気容 量式力測定装置。
1 3 . 前記発振回路の能動素子として、 入力容量が低い半導体素子を設けた請 求の範囲 1 0に記載の電気容量式力測定装置。
14. 前記入力容量の低い半導体素子として ME S— F E T, J一 F ETまた は MO S— F E Tを用いた請求の範囲 1 3に記載の電気容量式力測定装置。
1 5. 前記センサユニッ トおよび測定回路の一部分を、 外部雰囲気から遮断す るハウジングに収納し、 このハウジングを経て乾燥空気を流通させる手段を設け た請求項 1に記載の電気容量式力測定装置。
1 6. 前記センサユニッ トの弾性変形部とベース部とを機械的結合方法、 レー ザ一熔接法または化学的表面活性法により、 弾性変形部とベース部との間に軟質 材料が介揷されないように結合した請求の範囲 1に記載の電気容量式力測定装置,
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