JPH02142206A - Ｎｍｒ装置 - Google Patents
Ｎｍｒ装置Info
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- JPH02142206A JPH02142206A JP63294526A JP29452688A JPH02142206A JP H02142206 A JPH02142206 A JP H02142206A JP 63294526 A JP63294526 A JP 63294526A JP 29452688 A JP29452688 A JP 29452688A JP H02142206 A JPH02142206 A JP H02142206A
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- Japan
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 abstract description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、前置増幅器に係り、特に高Ｓ／Ｎが要求され
るシステムに好適な前置増幅器に関するものである。
るシステムに好適な前置増幅器に関するものである。
優れたＳ／Ｎが要求されるシステムとしては、例えばＭ
ＨＩ装置（核磁気共鳴現象を用いたイメージング装置）
がある。 従来のＭＨＩ装置は、第３図に示すように、超伝導磁石
等の、０．１〜２テスラの静磁場を発生するための磁石
２１、傾斜磁場を発生させるためのコイル２２及び電源
２３、高周波磁場を被検者に加えるための高周波送信器
２４、被検者から発生する微弱なＭＲＩ信号を検出する
ためのコイル（プローブ）及び高周波受信器（前置増幅
器）２５、上記電源及び送受信器を制御するためのシー
ケンス制御装置２６、ＭＲＩ画像再生などのためのコン
ピュータ２７、操作卓２８、デイスプレィ２９などから
なる。送信コイルと受信コイルは。 同図のように共用されることもあるが、それぞれ別に設
置されることが多い。 このようなＭＲＩ装置では、静磁場及び傾斜磁場に均一
性が重要であり、わずかな磁場歪がＭＲＩ画像の歪を生
じ誤診の原因となる。磁場歪は、磁場内に磁性体を持ち
込んだ場合に顕著であり、送受信器等におけるフェライ
ト芯を使ったインダクタ等は特に問題になる。このため
送受信器等は全て磁場外、即ち磁石から数ｍ離れた場所
に設置されている。 ここで本発明に関係する従来の前置増幅器は、例えば第
４図（エレクトロニクス・レターズ、１１．２４ （１
９７５年１１月）第５９６頁（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
ｏｌｅｔｔｅｒｓ、１１．２４ （１９７５）ｐｐ、５
９６））に記載のように、信号検出プローブ１で検出し
た信号をλ／４（λ：信号波長）の５０Ω同軸ケーブル
４１を介して前置増幅器５により信号を増幅する構成と
なっていた。また前置増幅器５での雑音指数を低減する
ために、増幅器５の入力にインピーダンス変換用のトラ
ンス５１を設けて、初段のＦＥＴ（＠界効果トランジス
タ）５３からみた信号源インピーダンスを高め、かつ初
段増幅器を冷却して、ＦＥＴ５３等で発生する熱雑音の
低減を図っている。これらの対策によりこの従来例では
、０．３ｄＢの雑音指数を達成している。
ＨＩ装置（核磁気共鳴現象を用いたイメージング装置）
がある。 従来のＭＨＩ装置は、第３図に示すように、超伝導磁石
等の、０．１〜２テスラの静磁場を発生するための磁石
２１、傾斜磁場を発生させるためのコイル２２及び電源
２３、高周波磁場を被検者に加えるための高周波送信器
２４、被検者から発生する微弱なＭＲＩ信号を検出する
ためのコイル（プローブ）及び高周波受信器（前置増幅
器）２５、上記電源及び送受信器を制御するためのシー
ケンス制御装置２６、ＭＲＩ画像再生などのためのコン
ピュータ２７、操作卓２８、デイスプレィ２９などから
なる。送信コイルと受信コイルは。 同図のように共用されることもあるが、それぞれ別に設
置されることが多い。 このようなＭＲＩ装置では、静磁場及び傾斜磁場に均一
性が重要であり、わずかな磁場歪がＭＲＩ画像の歪を生
じ誤診の原因となる。磁場歪は、磁場内に磁性体を持ち
込んだ場合に顕著であり、送受信器等におけるフェライ
ト芯を使ったインダクタ等は特に問題になる。このため
送受信器等は全て磁場外、即ち磁石から数ｍ離れた場所
に設置されている。 ここで本発明に関係する従来の前置増幅器は、例えば第
４図（エレクトロニクス・レターズ、１１．２４ （１
９７５年１１月）第５９６頁（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
ｏｌｅｔｔｅｒｓ、１１．２４ （１９７５）ｐｐ、５
９６））に記載のように、信号検出プローブ１で検出し
た信号をλ／４（λ：信号波長）の５０Ω同軸ケーブル
４１を介して前置増幅器５により信号を増幅する構成と
なっていた。また前置増幅器５での雑音指数を低減する
ために、増幅器５の入力にインピーダンス変換用のトラ
ンス５１を設けて、初段のＦＥＴ（＠界効果トランジス
タ）５３からみた信号源インピーダンスを高め、かつ初
段増幅器を冷却して、ＦＥＴ５３等で発生する熱雑音の
低減を図っている。これらの対策によりこの従来例では
、０．３ｄＢの雑音指数を達成している。
上記従来技術は、性能的には優れているが、生産性や使
い易さの点について配慮がされておらず、以下の問題が
あった。 （１）共振系が４カ所もあり、調整が複雑なため生産性
が悪い。 （２）冷却するための設備及び領域が必要とされる。 （３）増幅器の入力において、インピーダンス整合して
いないために雑音指数が最小となる周波数と、ゲインが
最大になる周波数が異なる。 本発明の目的は、上記問題点を解消した低雑音前置増幅
器を提供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 本発明においては、増幅器を広帯域化にすることにより
共振コイル及びコンデンサからなる共振負荷回路とその
調整を不要化し、またセンサーの出力インピーダンスに
比べ増幅器の最適信号源抵抗が大きい場合、初段ＦＥＴ
を複数個並列にすることで増幅器の最適信号源抵抗値を
低くし、センサーの出力インピーダンスに近づける。こ
れによりインピーダンス変換用トランスが不要化できる
。 さらに負帰還（この時の帰還抵抗値は、増幅器の最適信
号源抵抗値のゲイン倍とする。）により最適信号源抵抗
値とおなし入力インピーダンスを増幅器に持たせ、セン
サーの出力インピーダンスと整合させる。 これらのことにより上記目的は、達成される。
い易さの点について配慮がされておらず、以下の問題が
あった。 （１）共振系が４カ所もあり、調整が複雑なため生産性
が悪い。 （２）冷却するための設備及び領域が必要とされる。 （３）増幅器の入力において、インピーダンス整合して
いないために雑音指数が最小となる周波数と、ゲインが
最大になる周波数が異なる。 本発明の目的は、上記問題点を解消した低雑音前置増幅
器を提供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 本発明においては、増幅器を広帯域化にすることにより
共振コイル及びコンデンサからなる共振負荷回路とその
調整を不要化し、またセンサーの出力インピーダンスに
比べ増幅器の最適信号源抵抗が大きい場合、初段ＦＥＴ
を複数個並列にすることで増幅器の最適信号源抵抗値を
低くし、センサーの出力インピーダンスに近づける。こ
れによりインピーダンス変換用トランスが不要化できる
。 さらに負帰還（この時の帰還抵抗値は、増幅器の最適信
号源抵抗値のゲイン倍とする。）により最適信号源抵抗
値とおなし入力インピーダンスを増幅器に持たせ、セン
サーの出力インピーダンスと整合させる。 これらのことにより上記目的は、達成される。
このように、増幅器の広帯域化、かつ負帰還、初段ＦＥ
Ｔ並列等による最適信号源抵抗とセンサーの出力インピ
ーダンスを整合化することにより、インピーダンス変換
トランスや共振負荷回路を排して、回路の簡単化及び調
整個所の大幅な削減が可能となる。
Ｔ並列等による最適信号源抵抗とセンサーの出力インピ
ーダンスを整合化することにより、インピーダンス変換
トランスや共振負荷回路を排して、回路の簡単化及び調
整個所の大幅な削減が可能となる。
【実施例１
以下本発明の実施例を示す。
第１図は第１の実施例を示したもので、ＭＲＩ装置にお
いてセンサー（プローブ）の出力インピーダンスと増幅
器の最適信号源抵抗が等しい場合の例である。 コイル状の信号検出プローブ１により検出されたＭＨＩ
信号は、プローブのインダクタンスと共振用コンデンサ
２により共振、増幅され、同軸ケーブル４を介して前置
増幅器５に電送される。前置増幅器５は、高抵抗バイア
ス回路（例、同図の３２及び３３）、及び負荷抵抗３４
、コンデンサ３１、ＦＥＴのソース接地入力からなる多
段増幅器、出力から初段ＦＥＴのゲートへの帰還抵抗３
５を用いた負帰還から構成される。ここで負帰還は、増
幅器の入力インピーダンスがその増幅器のＮＦが最小と
なる信号源抵抗、即ち最適信号源抵抗となるようにする
。 負帰還増幅器の入力インピーダンスＺｉｎは次式で決定
される、またこの例において信号源抵抗Ｒ８となるプロ
ーブの出力インピーダンスと増幅器の最適信号源が等し
いとすると、帰還抵抗Ｒ５との関係は、 （ここで、Ａは増幅器のオープンループゲイン）となる
。したがってＲ５はＲｓのオープンループゲイン倍にす
ればよい。 一般に負帰還増幅器の雑音等価回路は、第５図のように
書ける。同図においてＲｓ、Ｒｘはそれぞれ信号源抵抗
、帰還抵抗であり、ｅ ｎ ｓ ｓ ｅ ｎ ！ ｓ
ｅｏはそれぞれＲ３による熱雑音、Ｒｔによる熱雑音、
増幅器の等個入力雑音である。本等価回路による雑音指
数ＮＦ、は近似的に（２）式で表される。 また、ｅｎ＆はソース接地ＦＥＴ入力増幅器の場合、熱
雑音が支配的な周波数領域では、（３）式％式％ ｇｍ：ＦＥＴの相互コンダクタンス に：ボルツマン定数 Ｔ：絶対温度、 Δｆ：周波数帯域 但し、多段増幅器の場合、雑音は初段のみで決定される
ので２段以後の雑音は、無視した。 （３）式よりソース接地増幅器のＮＦを求めると、（４
）式となる。 に、最適信号源抵抗が生じる。 一方、 ｅ ＝４ｋＴ−Ｒ・Δｆ （
５）ａ 、 ｔ ＝４ ｋ Ｔ ’ Ｒｔ ’Δｆ
（６）であるので、（２）、（３）
、（５）、（６）式より、 ここで、Ｒｅ１Ｉは、 これによれば、Ｒｓを大きくすればするほどＮＦは小さ
くなる。しかし実際には、ＦＥＴの入力容量等の影響で
Ｒｓが大きくなると周波数特性が悪くなり、ゲインが下
がる。つまり、見掛は上ｇ醜が小さくなりＮＦは大きく
なる。従って第６図丼示すソース接地増幅器のＮ Ｆ
−Ｒ５特性のよう（７）式に（１）式の関係を代入する
と、である。 従ってＮＦの低減にはＲｓ、 ｇｍ、Ｒｚを充分高くす
ることが効果的である。また帰還抵抗Ｒ１の雑音の影響
を防ぐため、オープンループゲインＡは１００倍以上と
する。これは、第７図の特性かられかるように、オープ
ンループゲインを大きくすることで負帰還を施さない増
幅器のＮＦに近づけることができる。従って１００倍以
上とした。 また、この特性から、オープンループの増幅器と負帰還
を施した増幅器とのＮＦの差の許される範囲において、
オープンループゲインを設定することができる。 例えば、Ｒｇ＝２００Ω、Ｒｉ＝２４にΩ、Ａ＝１００
倍−ｇｌｌ＝４７ｍｓとすれば、ＮＦ＝０．３４ｄＢと
なり、室温でも低雑音増幅器が構成できる。また、（２
）〜（６）式から、低温化すれば、更に低雑音化に有効
であることは明らかである。 第２図は、第２の実施例を示したもので、信号源インピ
ーダンスＲｓと増幅器の最適信号源インピーダンスが一
致しない場合、例えばＲｓに比べ最適信号源インピーダ
ンスが大きい場合は、初段ＦＥＴを並列にし、ｇ鳳を大
きくすることで最適信号源抵抗をＲｓに近づける。更に
増幅器の入力にＬ，Ｃからなる整合回路（Ｌマツチ回路
）を設は整合させる。 なお、本実施例では、本発明をＭＲＩ装置に適用した場
合を説明したが、ＭＲＩ装置だけではなく、優れたＳ／
Ｎが要求される信号受信用前置増幅器ならばいずれの回
路であっても本発明を適用することができる。 【発明の効果】 以上説明したように、本発明によればインダクタンスを
用いた共振系負荷回路の不要化、冷却をしなくても低Ｎ
Ｆが期待できる。このため回路設計の自由度を大きく広
げることができる。更に。 本発明においては、Ｌマツチ回路の採用が可能なので、
増幅器の入力においてインピーダンスミスマツチが生じ
ることがないため、画質向上に有効である。
いてセンサー（プローブ）の出力インピーダンスと増幅
器の最適信号源抵抗が等しい場合の例である。 コイル状の信号検出プローブ１により検出されたＭＨＩ
信号は、プローブのインダクタンスと共振用コンデンサ
２により共振、増幅され、同軸ケーブル４を介して前置
増幅器５に電送される。前置増幅器５は、高抵抗バイア
ス回路（例、同図の３２及び３３）、及び負荷抵抗３４
、コンデンサ３１、ＦＥＴのソース接地入力からなる多
段増幅器、出力から初段ＦＥＴのゲートへの帰還抵抗３
５を用いた負帰還から構成される。ここで負帰還は、増
幅器の入力インピーダンスがその増幅器のＮＦが最小と
なる信号源抵抗、即ち最適信号源抵抗となるようにする
。 負帰還増幅器の入力インピーダンスＺｉｎは次式で決定
される、またこの例において信号源抵抗Ｒ８となるプロ
ーブの出力インピーダンスと増幅器の最適信号源が等し
いとすると、帰還抵抗Ｒ５との関係は、 （ここで、Ａは増幅器のオープンループゲイン）となる
。したがってＲ５はＲｓのオープンループゲイン倍にす
ればよい。 一般に負帰還増幅器の雑音等価回路は、第５図のように
書ける。同図においてＲｓ、Ｒｘはそれぞれ信号源抵抗
、帰還抵抗であり、ｅ ｎ ｓ ｓ ｅ ｎ ！ ｓ
ｅｏはそれぞれＲ３による熱雑音、Ｒｔによる熱雑音、
増幅器の等個入力雑音である。本等価回路による雑音指
数ＮＦ、は近似的に（２）式で表される。 また、ｅｎ＆はソース接地ＦＥＴ入力増幅器の場合、熱
雑音が支配的な周波数領域では、（３）式％式％ ｇｍ：ＦＥＴの相互コンダクタンス に：ボルツマン定数 Ｔ：絶対温度、 Δｆ：周波数帯域 但し、多段増幅器の場合、雑音は初段のみで決定される
ので２段以後の雑音は、無視した。 （３）式よりソース接地増幅器のＮＦを求めると、（４
）式となる。 に、最適信号源抵抗が生じる。 一方、 ｅ ＝４ｋＴ−Ｒ・Δｆ （
５）ａ 、 ｔ ＝４ ｋ Ｔ ’ Ｒｔ ’Δｆ
（６）であるので、（２）、（３）
、（５）、（６）式より、 ここで、Ｒｅ１Ｉは、 これによれば、Ｒｓを大きくすればするほどＮＦは小さ
くなる。しかし実際には、ＦＥＴの入力容量等の影響で
Ｒｓが大きくなると周波数特性が悪くなり、ゲインが下
がる。つまり、見掛は上ｇ醜が小さくなりＮＦは大きく
なる。従って第６図丼示すソース接地増幅器のＮ Ｆ
−Ｒ５特性のよう（７）式に（１）式の関係を代入する
と、である。 従ってＮＦの低減にはＲｓ、 ｇｍ、Ｒｚを充分高くす
ることが効果的である。また帰還抵抗Ｒ１の雑音の影響
を防ぐため、オープンループゲインＡは１００倍以上と
する。これは、第７図の特性かられかるように、オープ
ンループゲインを大きくすることで負帰還を施さない増
幅器のＮＦに近づけることができる。従って１００倍以
上とした。 また、この特性から、オープンループの増幅器と負帰還
を施した増幅器とのＮＦの差の許される範囲において、
オープンループゲインを設定することができる。 例えば、Ｒｇ＝２００Ω、Ｒｉ＝２４にΩ、Ａ＝１００
倍−ｇｌｌ＝４７ｍｓとすれば、ＮＦ＝０．３４ｄＢと
なり、室温でも低雑音増幅器が構成できる。また、（２
）〜（６）式から、低温化すれば、更に低雑音化に有効
であることは明らかである。 第２図は、第２の実施例を示したもので、信号源インピ
ーダンスＲｓと増幅器の最適信号源インピーダンスが一
致しない場合、例えばＲｓに比べ最適信号源インピーダ
ンスが大きい場合は、初段ＦＥＴを並列にし、ｇ鳳を大
きくすることで最適信号源抵抗をＲｓに近づける。更に
増幅器の入力にＬ，Ｃからなる整合回路（Ｌマツチ回路
）を設は整合させる。 なお、本実施例では、本発明をＭＲＩ装置に適用した場
合を説明したが、ＭＲＩ装置だけではなく、優れたＳ／
Ｎが要求される信号受信用前置増幅器ならばいずれの回
路であっても本発明を適用することができる。 【発明の効果】 以上説明したように、本発明によればインダクタンスを
用いた共振系負荷回路の不要化、冷却をしなくても低Ｎ
Ｆが期待できる。このため回路設計の自由度を大きく広
げることができる。更に。 本発明においては、Ｌマツチ回路の採用が可能なので、
増幅器の入力においてインピーダンスミスマツチが生じ
ることがないため、画質向上に有効である。
第１図、第２図は本発明の実施例の前置増幅器の回路図
、第３図は従来のＭＲＩ装置の概略を示すブロック図、
第４図は従来の前置増幅器の回路図、第５図は第１図の
雑音等価回路図、第６図はソース接地増幅器のＮＦ
Ｒｓ特性図、第７図は負帰還増幅器のＮ Ｆ −Ｇａ１
ｎ特性図である。 符号の説明 １・・・プローブ、２・・・共振用コンデンサ、３・・
・前置増幅器、４・・・同軸ケーブル、５・・・従来回
路、２１・・・超伝導磁石、２２・・・傾斜磁場コイル
、２３・・・傾斜磁場電源、２４・・・高周波送信器、
２５・・・高周波受信器、２６・・・シーケンス制御装
置、２７・・・コンピュータ、２８・・・操作卓、２９
・・・デイスプレィ。 ３１．３６・・・結合コンデンサ、３２．３３・・・バ
イアス抵抗、３４・・・負荷抵抗、３５・・・帰還抵抗
、３７・・・整合回路、４１・・・５０Ω同軸ケーブル
、５１・・・インピーダンス変換用トランス、５２・・
・バイアス回路、５３・・・Ｊ−ＦＥＴ （接合形電界
効果トランジスタ） ＱオーＡ ２ｙ 纂４目
、第３図は従来のＭＲＩ装置の概略を示すブロック図、
第４図は従来の前置増幅器の回路図、第５図は第１図の
雑音等価回路図、第６図はソース接地増幅器のＮＦ
Ｒｓ特性図、第７図は負帰還増幅器のＮ Ｆ −Ｇａ１
ｎ特性図である。 符号の説明 １・・・プローブ、２・・・共振用コンデンサ、３・・
・前置増幅器、４・・・同軸ケーブル、５・・・従来回
路、２１・・・超伝導磁石、２２・・・傾斜磁場コイル
、２３・・・傾斜磁場電源、２４・・・高周波送信器、
２５・・・高周波受信器、２６・・・シーケンス制御装
置、２７・・・コンピュータ、２８・・・操作卓、２９
・・・デイスプレィ。 ３１．３６・・・結合コンデンサ、３２．３３・・・バ
イアス抵抗、３４・・・負荷抵抗、３５・・・帰還抵抗
、３７・・・整合回路、４１・・・５０Ω同軸ケーブル
、５１・・・インピーダンス変換用トランス、５２・・
・バイアス回路、５３・・・Ｊ−ＦＥＴ （接合形電界
効果トランジスタ） ＱオーＡ ２ｙ 纂４目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、センサーより検出した信号をある特性インピーダン
スを有するケーブルを介し、前置増幅器により増幅する
システムにおいて、上記前置増幅器は、電界効果トラン
ジスタ（ＦＥＴ）を用いたソース接地入力帰還形増幅回
路であり、さらに前置増幅器の入力インピーダンスがそ
の前置増幅器の雑音指数（ＮＦ）が最小となる、最適信
号源抵抗となるように負帰還を施したことを特徴とする
前置増幅器。 ２、上記前置増幅器において、増幅器の帰還抵抗が、概
ね最適信号源抵抗の増幅器オープンループゲイン倍であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の前置増
幅器。 ３、上記前置増幅器において、増幅器のオープンループ
ゲインが、概ね１００倍以上であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の前置増幅器。 ４、上記前置増幅器において、オープンループの増幅器
のＮＦと負帰還を施した増幅器のＮＦを比べた場合、そ
の差が０．１ｄＢ以下となるオープンループゲインを持
つことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の前置増
幅器。 ５、上記前置増幅器において、増幅器の最適信号源抵抗
とセンサーの出力インピーダンスが異なる場合、増幅器
の入力にＬ，Ｃからなる整合回路を挿入することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の前置増幅器。 ６、上記前置増幅器において、少なくとも上記ＦＥＴを
冷却するための手段を設置したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の前置増幅器。 ７、特許請求の範囲第１項から第６項のいずれかに記載
の前置増幅器を用いたＮＭＲ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63294526A JP2753283B2 (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | Ｎｍｒ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63294526A JP2753283B2 (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | Ｎｍｒ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02142206A true JPH02142206A (ja) | 1990-05-31 |
| JP2753283B2 JP2753283B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=17808926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63294526A Expired - Fee Related JP2753283B2 (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | Ｎｍｒ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2753283B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000052439A1 (fr) * | 1999-03-04 | 2000-09-08 | Riken | Appareil capacitif de mesure de force |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5251848A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Onkyo Corp | Signal-noise improvement system of amplifier, etc. |
| JPS54143049A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave low-noise amplifier |
| JPS59164041A (ja) * | 1983-03-07 | 1984-09-17 | 横河電機株式会社 | Ｎｍｒ装置用受信回路 |
| JPS6234548A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-14 | 株式会社東芝 | 磁気共鳴イメ−ジング装置 |
| JPS6234354U (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-28 | ||
| JPS6273146A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Toshiba Corp | 磁気共鳴イメ−ジング装置 |
| JPS63153902A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-06-27 | Nec Corp | 低雑音増幅器 |
-
1988
- 1988-11-24 JP JP63294526A patent/JP2753283B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2753283B2 (ja) | 1998-05-18 |
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