WO2000045625A3 - Verfahren zur direkten galvanischen durchkontaktierung von leiterplatten - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur direkten galvanischen Durchkontaktierung von zweilagigen Leiterplatten und Multilayern, umfassend die folgenden Verfahrensschritte: a) Herstellung von Bohrungen in den mit Kupfer kaschierten Platten, b) oxidative Vorbehandlung der Bohrlöcher, c) ggf. Spülen mit Wasser, d) Behandlung mit einer wäßrigen Lösung, die 1 bis 300 g/l Phosphorsäure enthält, e) Behandlung mit einer Mikroemulsion, die eines oder mehrerer Thiophene der allgemeinen formel (I) enthält, in der X für Sauerstoff oder eine einfache Bindung, R?1 und R2¿ unabhängig voneinander für Wasserstoff oder eine (C¿1?-C4)-Alkylkette stehen oder zusammen einen gegebenenfalls substituierten (C1-C4)-Alkylenrest oder einen Cyclohexylen-1,2-Rest bilden, f) Behandlung mit Schwefelsäure, g) ggf. Spülen mit Wasser, h) galvanische Kupferabscheidung.
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