WO1996006467A1 - Resonator - Google Patents
Resonator Download PDFInfo
- Publication number
- WO1996006467A1 WO1996006467A1 PCT/EP1995/003279 EP9503279W WO9606467A1 WO 1996006467 A1 WO1996006467 A1 WO 1996006467A1 EP 9503279 W EP9503279 W EP 9503279W WO 9606467 A1 WO9606467 A1 WO 9606467A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- layer
- resonator
- structured
- resonators
- bandpass filter
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
- H01P1/20327—Electromagnetic interstage coupling
- H01P1/20354—Non-comb or non-interdigital filters
- H01P1/20381—Special shape resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/08—Strip line resonators
- H01P7/082—Microstripline resonators
Definitions
- the invention relates to a resonator, preferably
- 00020 uses to stabilize oscillators, i. H. around
- 00027 tern are exemplary reception filters for frequency presentation
- 00051 indicates the energy loss per time period. The higher
- the idle quality of the resonators used must be higher
- Stripline resonators typically consist of
- 00102 insertion loss are used in the middle of the band. 00103
- 00105 strat grown thin films from high temperature super 00106 term material such as. B. YBa2Cu3 ⁇ 7d (short: YBCO) or
- 00107 TBCCO range from 500 MHz to 15 GHz at
- the invention therefore provides microwave resonators and filters.
- 00187 structured layer is another conductive
- 00199 is essentially circular.
- the width of a circular ring can be selected appropriately.
- 00204 rough approximation can be the width of a circular ring
- 00205 can be determined using the following formula: 00206
- 00217 can be made smaller for a given frequency
- 00242 are arranged vertically one above the other and 00243 a coupling of the resonators by window-like openings
- 00244 takes a conductive layer, preferably the
- a window-like recess means here that the 00247 recess of the conductive layer has a depth through the
- insulation layer is limited.
- Such a recess can be circular or
- a coupling strength of the resonators is through
- the annular recess 00261 as well as the circular recess preferably have
- 00272 are arranged side by side vertically and horizontally,
- 00293 illustrates approximately examples. Here shows: 00294
- FIG. 1 shows a cross section through a resonator
- FIG. 2 shows a top view of the resonator according to FIG. 00300 1, with the indicated streamline profile
- FIG. 4 shows a top view of the resonator according to FIG.
- FIG. 5 shows a cross section according to FIG. 1 through a
- Fig. 6 shows a longitudinal section through the object
- 00320 Fig. 8 shows a cross section through the object
- Fig. 9 is an equivalent circuit diagram of the bandpass filter according to
- Fig. 10 shows a cross section through a bandpass filter
- FIG. 1 a resonator 1 with an insulation layer 3,
- the resonator 1 has a total thickness d of approximately 0.3
- Layer 2 has a thickness dl of approximately 0.5 to 1 ⁇ m and
- the lower conductive layer 4 is approximately the same thickness
- the insulation layer 3 consists of a single-crystalline substrate with a high dielectric constant epsilon.
- the 00350 migen floor plan with a diameter D is with regard to a desired resonance
- the cutting angle is
- conductive layer 4 is attached to the overall floor plan of the resona
- 00373 is shaped, adjusted and is correct in its floor plan in
- the edge R ' is also the edge of the resona
- 00380 2 is circular.
- the resonator 5 can thus in a simple manner
- the resonator 5 is associated with the advantage
- FIGS. 7 and 8 shows the additional
- a housing 10 00433 vertical stacking in a housing 10 00434, which is made of a normally conductive material
- 00435 exists. E.g. this can be a metallic material like
- the housing 10 is brass or aluminum.
- 00438 are provided, but are not shown in the drawing. 00439. Furthermore, a housing wall 11 of
- 00442 8 are each on the edge in the housing, which likewise has a 00443 circular outline, or one
- the resonators 6 to 9 each have one
- 00470 can only be circular or only circular
- 00478 Fig. 7 or 8 can also by the equivalent circuit according to
- Fig. 10 is a bandpass filter with zeros of the
- 00489 transfer function shown which is initially 00490 basically consists of two housings 10 according to FIG. 9 or
- 00500 19 is interspersed.
- the coupling elements 19 are electrical
- the coupling elements 19 are in vertical
- housings 10 ', 10' ' are each
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Resonator, vorzugsweise Scheibenresonator, mit zwei vertikal übereinander angeordneten, durch eine Isolationsschicht (3) voneinander getrennten elektrisch leitfähigen Schichten (2, 4) aus einem supraleitfähigen, insbesondere hochtemperatursupraleitfähigen Werkstoff, wobei eine elektrisch leitfähige Schicht (2, 4) einen durch eine umlaufende Randkante (R) begrenzten Grundriß aufweist und bei Beaufschlagung des Resonators mit einer vorgewählten Resonanzfrequenz sich in einer der beiden Schichten (2, 4) Stromlinien eines elektrischen Stromes ausbilden. Um einen solchen Resonator für eine möglichst hohe Leistung geeignet auszubilden, schlägt die Erfindung vor, daß die Geometrie, insbesondere der Grundriß der einen leitfähigen Schicht (2) (strukturierte Schicht) so gewählt ist, daß sich bei der Resonanzfrequenz in der strukturierten Schicht (2) im wesentlichen nur die Randkante (R) (in einer gedachten Verlängerung) schneidende Stromlinien (S) einstellen.
Description
00001 Resonator 00002
00003 Die Erfindung betrifft einen Resonator, vorzugsweise
00004 einen Scheibenresonator, mit zwei vertikal übereinander
00005 angeordneten, durch eine Isolationsschicht voneinander
00006 getrennten elektrisch leitfähigen Schichten aus einem
00007 supraleitfähigen, insbesondere hochtemperatursupraleitfä-
00008 higen Werkstoff, wobei eine der elektrisch leitfähigen
00009 Schichten einen durch eine umlaufende Randkante begrenz-
00010 ten Grundriß aufweist und bei Beaufschlagung des Resona-
00011 tors mit einer vorgewählten Resonanzfrequenz sich auf-
00012 grund elektromagnetischer Schwingungen in dem Resonator
00013 in einer der Schichten Stromlinien eines elektrischen
00014 Stromes ausbilden. 00015
00016 Derartige Resonatoren und mittels solcher Resonatoren im
00017 weiteren gebildete Bandpaßfilter bilden wichtige Bauele-
00018 mente von Hochfrequenzsystemen der Kommunikations- und
00019 Radartechnik. So werden einzelne Resonatoren z. B. einge-
00020 setzt um Oszillatoren zu stabilisieren, d. h. um uner-
00021 wünschte schnelle Frequenzschwankungen zu reduzieren.
00022 Unter Verwendung mehrerer gekoppelter Resonatoren können
00023 Bandpaßfilter realisiert werden. Sie dienen als frequenz-
00024 abhängige Zweitore zur Trennung und Kombination von
00025 Signalen unterschiedlicher spektraler Zusammensetzung.
00026 Von den vielen möglichen Einsatzfeldern von Bandpaßfil-
00027 tern sind beispielhaft Empfangsfilter zur Frequenzvorse-
00028 lektion und Senderkombinationsfilter in Mobilfunk-Basis-
00029 Stationen und Frequenzmultiplexer und Demultiplexer in
00030 Nachrichtensatelliten zu nennen. 00031
00032 Besondere hohe Anforderungen an die Ausführung von sol-
00033 chen Resonatoren und insbesondere hieraus zusaπunengesetz-
00034 ten Bandpaßfiltern ergeben sich, wenn der Frequenzab-
00035 stand benachbarter Kanäle "sehr klein" ist, z. B. klei-
00036 ner als 1 % der Bandmittenfrequenz. Dies erfordert eine
00037 kleine relative Bandbreite und hohe Flankensteilheit der
00038 Filter bei gleichzeitig niedriger Einfügungsdämpfung in
00039 Bandmitte. Zur Realisierung der Filterfunktion muß in
00040 den Resonatoren des Filters eine elektromagnetische
00041 Feldenergie gespeichert werden, deren Betrag proportio-
00042 nal zur eingespeisten Leistung ist und um so höher sein
00043 muß, je höher die verlangte Flankensteilheit ist. Mit
00044 der Speicherung der Feldenergie in den Resonatoren des
00045 Filters kommt es zu Verlusten, also zur Umsetzung elek-
00046 tromagnetischer Energie in Wärmeenergie. Die durch Lei-
00047 terverluste, dielektrische Verluste und sonstigen Verlu-
00048 ste verursachten Gesamtverluste in einem Resonator wer-
00049 den durch seine sogenannte Leerlaufgüte charakterisiert,
00050 welche das Verhältnis der mittleren gespeicherten Ener-
00051 gie zur Verlustenergie pro Zeitperiode angibt. Je höher
00052 die verlangte Flankensteilheit der Filter ist, um so
00053 höher muß die Leerlaufgüte der verwendeten Resonatoren
00054 sein, um die unerwünschte Einfügungsdämpfung in Bandmit-
00055 te hinreichend niedrig zu halten. 00056
00057 Filter, welche solch hohen Ansprüchen genügen, können
00058 bspw. aus Hohlraumresonatoren aufgebaut werden, welche
00059 jedoch sehr große Abmessungen aufweisen. So besitzt z.
00061 nanz) für 900 MHz mit einer Leerlaufgüte von QL ca.
00062 18000, wie sie für die Senderfilter einer Mobilfunk-Ba-
00063 sisstation gefordert wird, eine Abmessung von ca. 23 x
00064 23 x 10 cm . Wegen der hohen Anzahl der benötigten Reso-
00065 natoren führt dies zu sehr voluminösen Baugruppen. Eine
00066 Möglichkeit zur Reduktion des Volumens besteht im Ein-
00067 satz von dielektrischen Resonatoren. Damit läßt sich das
00068 oben erwähnte Filter inklusive des erforderlichen Metall-
00069 gehäuses typischerweise auf eine Größenordnung von ca.
00070 10 x 10 x 10 c 3 verkleinern. Eine noch stärkere Minia-
00071 turisierung kann erzielt werden, wenn planare Resonato-
00072 ren in Mikrostreifenleitungstechnik, Streifenleitungs-
00073 technik oder Koplanartechnik eingesetzt werden. Mikro-
00074 streifenleitungsresonatoren bestehen typischerweise aus
00075 einer Isolationsschicht als Grundsubstrat mit einer
00076 Dielektrizitätszahl Epsilonr im Bereich von etwa 2 bis
00077 25 und einer Dicke im Bereich von ca. 1/1000 bis 1/50
00078 der Freiraumwellenlänge. Auf diese Isolationsschicht ist
00079 auf einer Seite ein elektrischer Leiter definierter Form
00080 und Größe (strukturierter Leiter), das sogenannte
00081 "Patch" aufgebracht, während die andere Seite einen
00082 unstrukturierten elektrischen Leiter, den sogenannten
00083 Grundleiter, aufweist. Um für eine vorgegebene Frequenz
00084 Resonanz zu erzielen, muß eine charakteristische Grund-
00085 rißform, eine lineare Abmessung L des strukturierten
00086 Leiters je nach Schwingungstyp und gewählter Dielektrizi-
00087 tätszahl des Substrats in einem bestimmten Verhältnis
00088 zur Freiraumwellenlänge stehen. Die Freiraumwellenlänge
00089 wird nach der Formel 0 I cm = 30/(fn/GHz) bestimmt.
00090 Für die Grundschwingungen beträgt die lineare Abmessung
00091 L bei Epsilonr ca. 2 etwa f-1,/3 und für Epsilonr ca. 25
00092 etwa λt)/12. 00093
00094 Bei diesen planaren Strukturen sind bei Verwendung nor-
00095 malleitender Materialien wie Kupfer oder Gold im Fre-
00096 quenzbereich von ca. 500 MHz bis 15 GHz aufgrund der
00097 Leiterverluste nur Leerlaufguten QL im Bereich von ca.
00098 200 bis 1000 erzielbar. Damit können miniaturisierte
00099 Filter aus planaren Strukturen mit Normalleitern nur im
00100 Fall geringer Anforderung an die Flankensteilheit oder
00101 bei Tolerierung einer relativ hohen verlustbedingten
00102 Einfügungsdämpfung in Bandmitte eingesetzt werden. 00103
00104 Heute verfügbare, epitaktisch auf einkristallinem Sub-
00105 strat aufgewachsene Dünnfilme aus Hochtemperatursupralei-
00106 termaterial, wie z. B. YBa2Cu3θ7d (kurz: YBCO) oder
00107 TBCCO weisen im Bereich von 500 MHz bis 15 GHz bei der
00108 Temperatur des flüssigen Stickstoffs (77K) um einen
00109 Faktor 8000 (bei ca, 500 MHz) bis 80 (bei ca. 15 GHz)
00110 geringere Leitungsverluste als Normalleiter bei Raumtem-
00111 peratur auf und weitere Abkühlung zu noch niedrigeren
00112 Temperaturen führt zu einer weiteren Verringerung dieser
00113 Verluste. Damit können durch Verwendung von Hochtempera-
00114 tursupraleitern anstelle von Normalleitern miniatur-
00115 isierte Filter aus planaren Strukturen mit sehr hoher
00116 Flankensteilheit und geringer Dämpfung in Bandmitte
00117 realisiert werden. 00118
00119 Dem Vorteil der geringen Leistungsverluste stehen jedoch
00120 bei supraleitenden Filterstrukturen bei hoher Stromdich-
00121 te spezifische nichtlineare Effekte gegenüber, welche
00122 dazu führen, daß bislang solche Filterstrukturen nur bei
00123 kleinen Leistungen im Bereich unterhalb von etwa 100 mW
00124 geeignet sind. 00125
00126 Im Hinblick auf diesen Stand der Technik stellt sich der
00127 Erfindung das technische Problem, einen Resonator mit
00128 elektrisch leitfähigen Schichten aus einem supraleitfä-
00129 higen Werkstoff anzugeben, welcher für eine möglichst
00130 hohe elektrische Leistung geeignet ist. 00131
00132 Diese technische Problematik ist beim Gegenstand des
00133 Anspruches 1 gelöst, wobei darauf abgestellt ist, daß
00134 die Geometrie, insbesondere der Grundriß der einen
00135 leitfähigen Schicht (strukturierte Schicht) so gewählt
00136 ist, daß sich bei der Resonanzfrequenz in der struktu-
00137 rierten Schicht im wesentlichen nur die Randkante (in
00138 einer gedachten Verlängerung) schneidende Stromlinien
00139 einstellen. Erfindungsgemäß ist erkannt worden, daß bei
00140 einem solchen Resonator Stromlinien, welche auf die
00141 Randkante zu gerichtet sind, zu einer großen Verringe-
00142 rung der Verluste führen. Weiter ist erkannt worden, daß 00143 bei einer gegebenen Resonanzfrequenz eine Geometrie für
00144 einen solchen Resonator gefunden werden kann, welche zu
00145 einem für eine solche Ausrichtung bzw. einen solchen
00146 Verlauf der Stromlinien maßgebenden Schwingungstyp
00147 führt. Ausschlaggebend sind hierfür die geometrischen
00148 Parameter und hierbei wiederum insbesondere der Grundriß
00149 der strukturierten Schicht. Ein kreisförmiger Grundriß
00150 hat sich als besonders geeignet erwiesen. Wesentlich
00151 ist, daß wegen des Fehlens von parallel zur Randkante
00152 der strukturierten Schicht verlaufenden Stromlinien
00153 keine kantenbedingte Stromdichtenüberhöhung auftritt.
00154 Gegenüber bekannten Scheibenresonatoren bzw. planaren
00155 Resonatoren, deren strukturierte Schichten eine etwa
00156 gleiche Grundfläche aufweisen, jedoch andere Schwingungs-
00157 typen nutzen sowie hinsichtlich der Dicke der Isolations-
00158 schicht und der Dielektrizitätszahl der Isolations-
00159 schicht übereinstimmen, ergibt sich bei einem erfindungs-
00160 gemäßen Resonator für eine gegebene gespeicherte elektro-
00161 magnetische Feldenergie eine maximale Stromdichte, die
00162 etwa um den Faktor 10 kleiner ist. Da bei einem derarti-
00163 gen Resonator bei einer gegebenen supraleitenden oder
00164 hochtemperatursupraleitenden strukturierten Schicht bei
00165 gegebener Temperatur unterhalb der Sprungtemperatur ein
00166 Grenzwert der Stromdichte nicht überschritten werden
00167 kann, ohne daß die supraleitenden Eigenschaften stark
00168 abfallen, ergibt sich für den hier vorgeschlagenen Reso-
00169 nator ein im Vergleich zu bekannten Resonatoren etwa um
00170 den Faktor 100 höheres Energiespeicherungsvermögen. Die
00171 Erfindung stellt mithin Mikrowellenresonatoren und -fil-
00172 ter hoher Leistungsbelastbarkeit aus Hochtemperatursupra-
00173 leitern zur Verfügung. Es läßt sich bei der bevorzugten
00174 kreisförmigen Geometrie der strukturierten Schicht eine
00175 rein radial verlaufende Stromdichte erzielen. Die Strom-
00176 linien sind somit genau senkrecht zur kreisförmigen
00177 Randkante gerichtet. Im einzelnen kann ein kleinster
00178 Durchmesser der leitfähigen Schicht nach der Formel 00179
00180 D/cm £ 36,6/ { -/£. - fn GHz)
00181
00182 bestimmt werden, wobei D der gesuchte Durchmesser in
00183 Zentimeter, Epsilonr die Dielektrizitätskonstante der
00184 Isolationsschicht, f0 die Resonanzfrequenz in GHz und
00185 die Zahl 36,6 eine gefundene Konstante ist. Auf der
00186 anderen Seite des Isolators, gegenüberliegend zu der
00187 strukturierten Schicht ist eine weitere leitfähige
00188 Schicht angeordnet, die jedoch nicht in bestimmter Weise
00189 (hinsichtlich ihres Grundrisses) ausgebildet sein muß.
00190 Hier spricht man auch von einer unstrukturierten
00191 Schicht. Geeigneterweise erstreckt sich die unstrukturie-
00192 rte Schicht über die gesamte zugeordnete Fläche der
00193 Isolationsschicht, während auf der Seite der strukturier-
00194 ten Schicht ein Teil der Isolationsschicht, jenseits der
00195 Randkante der strukturierten Schicht, frei liegt. Der
00196 Gesamtgrundriß des Resonators kann bspw. quadratisch
00197 sein. In einer weiteren Ausgestaltung kann auch vorgese-
00198 hen sein, daß der Grundriß der strukturierten Schicht im
00199 wesentlichen kreisringförmig ist. Um bei einer vorgegebe-
00200 nen Frequenz eine Resonanz mit einem Schwingungsbild mit
00201 radialen Stromlinien zu erhalten, müssen die Maße des
00202 Gesamtdurchmessers, d. h. des größten Durchmessers und
00203 die Breite eines Kreisringes geeignet gewählt werden. In
00204 grober Näherung kann die Breite eines Kreisringes nach
00205 folgender Formel bestimmt werden: 00206
00207 B S (15 bis 18 ) / (T»£ * fυ/GHz).
00208
00209 Im Resonanzfall ist auch bei einem solchen Resonator
00210 analog zu dem zuvor beschriebenen Resonator die Strom-
00211 dichte am inneren Rand des Kreisringes und am äußeren
00212 Rand des Kreisringes, also bei einem Radius von D/2
00213 minus B und einem Radius von D/2 gleich Null und nimmt
00214 dazwischen, bei einem Radius von etwa D/2 minus B/2 ein
00215 Maximum an. Der weiter oben erläuterte Resonator mit
00216 kreisförmigen Grundriß der strukturierten Schicht kann
00217 für eine gegebene Frequenz kleiner ausgebildet werden
00218 als der Resonator mit kreisringförmigem Grundriß der
00219 strukturierten Schicht. Gleichwohl kann aber der Resona-
00220 tor mit kreisringförmigem Grundriß der strukturierten
00221 Schicht in Einzelfällen von Vorteil sein. In weiterer
00222 Ausgestaltung kann auch vorgesehen sein, daß zwei struk-
00223 turierte Schichten in unmittelbarer Übereinanderlage
00224 angeordnet sind und daß beide strukturierten Schichten
00225 auf ihren aufeinander abgewandten Breitseiten eine Isola-
00226 tionsschicht aufweisen, welche ihrerseits auf ihren
00227 einander abgewandten Breitseiten eine unstrukturierte
00228 Schicht aufweisen. Diese Anordnung ergibt sich in einfa-
00229 eher Weise bspw. , wenn zwei Resonatoren, wie sie weiter
00230 oben beschrieben sind, mit ihren strukturierten Schich-
00231 ten flächig aufeinandergelegt werden, und zwar in einer
00232 Weise, daß ihre geometrischen Mittelachsen zusammenfal-
00233 len. Ein Abstand der Isolationsschichten auf ihren einan-
00234 der zugewandten Breitseiten entspricht bei einer solchen 00235 Anordnung etwa der zusammengefaßten Dicke der struktu-
00236 rierten Schichten zweier einzelner Resonatoren wie sie
00237 weiter oben beschrieben sind. In weiterer Ausgestaltung
00238 schlägt die Erfindung vor, daß zur Realisierung eines
00239 Bandpaßfilters eine Mehrzahl von Resonatoren in einer
00240 der zuvor beschriebenen Ausführungsformen mit jeweils
00241 einer strukturierten und einer unstrukturierten leitfähi-
00242 gen Schicht vertikal übereinander angeordnet sind und 00243 eine Kopplung der Resonatoren durch fensterartige Aus-
00244 nehmungen einer leitfähigen Schicht, bevorzugt der
00245 unstrukturierten Schicht, des Resonators erreicht ist.
00246 Eine fensterartige Ausnehmung bedeutet hier, daß die 00247 Ausnehmung der leitfähigen Schicht tiefenmäßig durch die
00248 Isolationsschicht begrenzt ist. Die Isolationsschicht
00249 verläuft also auch im Bereich der Ausnehmung in der
00250 leitfähigen Schicht durchgehend und im wesentlichen
00251 unbeeinflußt. Sie bildet den Boden der fensterartigen
00252 Ausnehmung. Eine solche Ausnehmung kann kreisförmig oder
00253 kreisringförmig gestaltet sein. Insbesondere läßt sich
00254 die gewünschte Kopplung der Resonatoren untereinander
00255 dadurch erreichen, daß bei einer kreisförmigen Ausnehm-
00256 ung in einem Resonator die beiden vertikal benachbarten
00257 Resonatoren kreisringförmige Ausnehmungen aufweisen und
00258 umgekehrt. Eine Koppelstärke der Resonatoren ist durch
00259 die Abmessungen der kreisförmigen bzw. kreisringförmigen
00260 Ausnehmungen einstellbar. Die kreisringförmige Ausnehm- 00261 ung wie auch die kreisförmige Ausnehmung weist bevorzugt
00262 einen Mittelpunkt auf, welcher mit dem Mittelpunkt bzw.
00263 einer geometrischen Mittelachse des Resonators insgesamt
00264 zusammenfällt. Im weiteren befinden sich die so zusammen-
00265 gekoppelten Resonatoren insgesamt in einem elektrisch
00266 normalleitenden Gehäuse, das evakuiert ist. Es ist auch
00267 möglich, um eine weitere Vergrößerung der Flankensteil-
00268 heit der Filter und eine Erhöhung der Dämpfung im Sperr-
00269 bereich zu erhalten, "Nullstellen" der Übertragungsfunk-
00270 tion bei endlichen Frequenzen einzufügen. Hierzu schlägt
00271 die Erfindung vor, daß eine Mehrzahl von Resonatoren
00272 vertikal und horizontal nebeneinander angeordnet sind,
00273 daß jeweils die vertikal übereinander angeordneten Reso-
00274 natoren in einem gemeinsamen, evakuierten Gehäuse ange-
00275 ordnet sind, die horizontal benachbarten Resonatoren
00276 jedoch durch eine gemeinsame Gehäusewand voneinander
00277 getrennt sind und die gemeinsame Gehäusewand von elek-
00278 trisch leitfähigen Kopplungselementen durchsetzt ist.
00279 Hierbei empfiehlt es sich insbesondere, daß die Kopp-
00280 lungsele ente in vertikaler Beabstandung zwischen zwei
00281 horizontal benachbarten Resonatoren angeordnet sind. Die
00282 Kopplungselemente befinden sich zwischen nicht unmittel-
00283 bar benachbarten Resonatoren. Neben der Kopplung verti-
00284 kal benachbarter Resonatoren ist hierbei also auch eine
00285 Kopplung horizontal benachbarter, jedoch durch eine
00286 Gehäusewand getrennter Resonatoren verwirklicht. Im
00287 einzelnen ist auch bevorzugt, daß die horizontal benach-
00288 barten Resonatoren höhenmäßig gleich, also einer selben
00289 horizontalen Ebene zugeordnet, angeordnet sind. 00290
00291 Nachstehend ist die Erfindung des weiteren anhand der
00292 beigefügten Zeichnung, welche jedoch lediglich Ausfüh-
00293 rungsbeispiele darstellt, erläutert. Hierbei zeigt: 00294
00295 Fig. 1 einen Querschnitt durch einen Resonator mit
00296 kreisförmiger strukturierter elektrisch leitfä-
00297 higer Schicht; 00298
00299 Fig. 2 eine Draufsicht auf den Resonator gemäß Fig. 00300 1, mit angedeutetem Stromlinienverlauf;
00301
00302 Fig. 3 einen Querschnitt durch einen Resonator einer
00303 weiteren Ausführungsform, mit kreisringförmi-
00304 ger strukturierter elektrisch leitfähiger
00305 Schicht; 00306
00307 Fig. 4 eine Draufsicht auf den Resonator gemäß Fig.
00308 3, mit angedeutetem Stromlinienverlauf; 00309
00310 Fig. 5 einen Querschnitt gemäß Fig. 1 durch einen
00311 Resonator dritter Ausführungsform; 00312
00313 Fig. 6 einen Längsschnitt durch den Gegenstand gemäß
00314 Fig. 5, geschnitten entlang der Linie VI-VI; 00315
00316 Fig. 7 einen Querschnitt durch einen Bandpaßfilter
00317 mit in einem Gehäuse vertikal übereinander
00318 angeordneten Resonatoren; 00319
00320 Fig. 8 einen Querschnitt durch den Gegenstand gemäß
00321 Fig. 7, geschnitten entlang der Linie VIII-
00322 VIII; 00323
00324 Fig. 9 ein Ersatzschaltbild des Bandpaßfilters gemäß
00325 den Fig. 7 und 8; 00326
00327 Fig. 10 einen Querschnitt durch einen Bandpaßfilter
00328 mit horizontaler Nebeneinanderanordnung und
00329 vertikaler Übereinanderanordnung von Resonato-
00330 ren. 00331
00332 Dargestellt und beschrieben ist zunächst mit Bezug zu
00333 Fig. 1 ein Resonator 1 mit einer Isolationsschicht 3,
00334 einer oberen strukturierten leitfähigen Schicht 2 und
00335 einer unteren nicht strukturierten leitfähigen Schicht
00336 4. Der Resonator 1 weist eine Gesamtdicke d von ca. 0,3
00337 bis 2 nun auf. Die obere leitfähige, strukturierte
00338 Schicht 2 besitzt eine Dicke dl von ca. 0,5 bis 1 μm und
00339 die untere leitfähige Schicht 4 etwa eine gleiche Dicke
00340 wie die Schicht 2. 00341
00342 Die Isolationsschicht 3 besteht aus einem einkristalli- 00343 nen Substrat mit einer hohen Dielektrizitätszahl Epsi-
00344 Ion r. Beim Ausführungsbeispiel besteht die Isolations-
00345 schicht 3 aus dem Werkstoff Lanthanaluminat mit einer
00346 Dielektrizitätszahl Epsilonr= 24. 00347
00348 Wesentlich ist, daß die strukturierte Schicht 2, wie
00349 insbesondere aus Fig. 2 ersichtlich ist, einen kreisför-
00350 migen Grundriß mit einem Durchmesser D aufweist. Der
00351 Durchmesser D ist im Hinblick auf eine gewünschte Reso-
00352 nanzfrequenz derart gewählt, daß sich in dem Resonator 1
00353 ein - elektromagnetischer - Schwingungstypus einstellt,
00354 der zu den radial verlaufenden Stromlinien S führt, wie
00355 dies in Fig. 2 angedeutet ist. Eine Stromlinie S schnei-
00356 det in einer gedachten Verlängerung die Randkante R in
00357 dem Punkt P. Beim Ausführungsbeispiel ist der Schnittwin-
00358 kel bezogen auf eine Tangente an die Randkante R in dem
00359 Punkt P ein rechter Winkel. Der hochfrequente elektri-
00360 sehe Wechselstrom, um den es sich speziell handelt,
00361 fließt im einzelnen hauptsächlich auf der Seite der
00362 strukturierten Schicht 2, welche der Isolationsschicht 3
00363 zugewandt ist, und zwar auch nur in einer Teilschicht
00364 der Dicke von 0,25 bis 0,35 μm. Im übrigen verläuft ent-
00365 sprechend bei dem Ausführungsbeispiel auch die Stromdich-
00366 te radial, und zwar im einzelnen so, daß ausgehend von
00367 einer Stromdichte Null im Mittelpunkt M eine maximale
00368 Stromdichte bei einem Radius D/4 erreicht wird und an
00369 dem Rand R der strukturierten Schicht 2 die Stromdichte
00370 wieder auf Null abfällt. Die untere, nicht strukturierte
00371 leifähige Schicht 4 ist an den Gesamtgrundriß des Resona-
00372 tors 1, der beim Ausführungsbeispiel gleichfalls kreis-
00373 förmig ist, angepaßt und stimmt in ihrem Grundriß im
00374 wesentlichen mit dem Grundriß der Isolationsschicht 3
00375 überein. Der Rand R' ist zugleich der Rand des Resona-
00376 tors 1 insgesamt. 00377
00378 In den Fig. 3 und 4 ist eine weitere Ausführungsform des
00379 Resonators dargestellt, wobei die strukturierte Schicht
00380 2 kreisringförmig gestaltet ist. Der Resonator 1 gemäß
00381 den Fig. 3 und 4 besitzt in gleicher Weise einen (größ-
00382 ten) Durchmesser D. Darüber hinaus ist bei dieser Ausfüh-
00383 rungsform die Breite B, die Breite des Kreisringes,
00384 wesentlich. Wie Fig. 4 zu entnehmen ist, stellen sie bei
00385 dieser Geometrie der strukturierten Schicht 2 radial
00386 verlaufende Stromlinien S ein, welche - in einer gedach-
00387 ten Verlängerung - sowohl den (äußeren) Rand R wie den -
00388 inneren - Rand r. Wie in Fig. 2 bzgl . des Randes R erläu-
00389 tert, schneiden auch bei der Ausführungsform der Fig. 3
00390 und 4 die Stromlinien S sowohl den äußeren Rand R wie
00391 den inneren Rand r in einem rechten Winkel zu einer an
00392 den Schnittpunkt angelegten Tangente. 00393
00394 Bei der Ausführungsform der Fig. 5 ist der Resonator 5
00395 derart sandwichartig aufgebaut, daß sich bezüglich einer
00396 Längsmittelebene E durch die strukturierte leitfähige
00397 Schicht 2 ein symmetrischer Aufbau ergibt. Dies bedeu-
00398 tet, daß oberhalb und unterhalb der strukturierten
00399 Schicht 2, auf deren einander abgewandten Breitseiten,
00400 eine Isolationsschicht 3 angeordnet ist und jeweils auf
00401 den Außenseiten der gleichfalls den einander abgewandten
00402 Breitseiten der Isolationsschicht 3 weiterhin eine
00403 unstrukturierte elektrisch leitfähige Schicht 4 angeord-
00404 net ist. Der Resonator 5 kann also in einfacher Weise
00405 aus zwei Resonatoren 1 gemäß den Fig. 1 bzw. 2 zusammen-
00406 gesetzt werden. Die strukturierte leitfähige Schicht 2
00407 des Resonators 5 gemäß Fig. 5 kann entsprechend auch
00408 eine doppelte Dicke aufweisen im Vergleich zu der Dicke
00409 dl der strukturierten leitfähigen Schicht 2 des Resona-
00410 tors 1 gemäß den Fig. 1 bzw. 2. 00411
00412 Aus der Schnittdarstellung der Fig. 6, bei welcher die
00413 Schnittebene mit der erwähnten Längsmittelebene E zusam-
00414 menfällt, ist wieder ersichtlich, daß auch hier die
00415 Stromlinien in der strukturierten leitfähigen Schicht 2
00416 radial nach außen verlaufen. In einer gedachten Verlänge-
00417 rung schneiden sie in gleicher Weise wie vorstehend in
00418 bezug zu Fig. 2 erläutert, die Randkante R. 00419
00420 Bei dem Resonator 5 der Fig. 5 und 6 handelt es sich um
00421 einen Streifenleitungsresonator, während es sich bei dem
00422 Resonator 1 der Fig. 1 und 2 um einen Mikrostreifenlei-
00423 tungsresonator handelt. Wenn man, wie üblich, die Resona-
00424 toren 1 bzw. 5 in ein evakuiertes normalleitendes Gehäu-
00425 se einbringt, ist der Resonator 5 mit dem Vorteil verbun-
00426 den, daß er die Entkopplung der erwünschten Scheibenreso-
00427 nator-Resonanz von der unerwünschten Gehäuseresonanz
00428 erleichtert. 00429
00430 Das Ausführungsbeispiel der Fig. 7 und 8 zeigt die Zusa -
00431 menschaltung mehrerer Resonatoren 1 bzw. 5 zu einem
00432 Bandpaßfilter. Die Resonatoren 6, 7, 8 und 9 sind in
00433 vertikaler Übereinanderanordnung in einem Gehäuse 10 00434 aufgenommen, das aus einem normalleitenden Werkstoff
00435 besteht. Bspw. kann dies ein metallischer Werkstoff wie
00436 etwa Messing oder Aluminium sein. Das Gehäuse 10 ist
00437 evakuiert, wozu noch gesonderte Evakuierungsöffnungen
00438 vorgesehen sind, die aber in der Zeichnung nicht darge- 00439 stellt sind. Weiter ist eine Gehäusewandung 11 von An-
00440 Schlüssen 12, 13 durchsetzt, um eine Kopplung nach
00441 außen zu erreichen. Die kreisförmigen Resonatoren 6 bis
00442 8 sind jeweils randseitig in dem gleicherweise einen 00443 kreisförmigen Grundriß aufweisenden Gehäuse bzw. einer
00444 Gehäusewandung 11 eingefaßt. Hierbei ist auch die untere
00445 nicht strukturierte leitfähige Schicht 3 jeweils in der
00446 Gehäusewandung 11 eingefaßt, während der Rand R der
00447 strukturierten leitfähigen Schicht 2 in einem Abstand A
00448 zu einer Innenfläche 14 der Gehäusewand 11 angeordnet
00449 ist. Die Resonatoren 6 bis 9 besitzen jeweils einen
00450 gleichen kreisförmigen Grundriß und sind mit ihren Mit-
00451 telpunkten an einer geometrischen Mittelachse 15, welche
00452 auch mit einer Mittelachse des Gehäuses 10 überein-
00453 stimmt, ausgerichtet. 00454
00455 Wesentlich ist hierbei, daß in der nicht strukturierten
00456 leitfähigen Schicht 4 fensterartige Ausnehmungen 16, 17
00457 ausgebildet sind, welche die elektromagnetische Kopplung
00458 der Resonatoren ermöglichen. Die Ausnehmungen 16 bzw. 17
00459 sind Bereiche, in welchen die nicht strukturierte elek-
00460 trisch leitfähige Schicht 4 vollkommen fehlt. 00461
00462 Während in dem Resonator 6 eine kreisförmige Ausnehmung
00463 16 ausgebildet ist, ist in dem Resonator 7 eine kreis-
00464 ringförmige Ausnehmung 17 ausgebildet und in dem Resona-
00465 tor 8 wiederum eine kreisförmige Ausnehmung 16. In dem
00466 Resonator 9 ist keine Ausnehmung ausgebildet. Die Ab-
00467 wechslung zwischen kreisförmigen und kreisringförmigen
00468 Ausnehmungen der jeweils vertikal benachbarten Resonato-
00469 ren ist eine mögliche Ausführungsform. Darüber hinaus
00470 können auch nur kreisförmige oder nur kreisringförmige
00471 Ausnehmungen jeweils ausgebildet sein. 00472
00473 Aus der Querschnittsdarstellung gemäß Fig. 8 ist wieder
00474 der kreisförmige Grundriß der strukturierten leitfähigen
00475 Schicht 2 ersichtlich. 00476
00477 Das Schwingungsverhalten des Bandpaßfilters gemäß den
00478 Fig. 7 bzw. 8 kann auch durch das Ersatzschaltbild gemäß
00479 Fig. 9 wiedergegeben werden. Der vertikale Abstand be-
00480 nachbarter Mikrostreifenleitungsresonatoren und der er- 00481 wähnte Abstand A von den normalleitenden Wänden des
00482 Gehäuses 10 ist so gewählt, daß die Ankopplung an Gehäu-
00483 seresonanzen minimiert und damit der Einfluß von Lei-
00484 tungsverlusten in den normalleitenden Wänden des Gehäu-
00485 ses 10 auf die Güte der Resonatoren so klein wie möglich
00486 gehalten ist. 00487
00488 In Fig. 10 ist ein Bandpaßfilter mit Nullstellen der
00489 Übertragungsfunktion dargestellt, welcher sich zunächst
00490 grundsätzlich aus zwei Gehäusen 10 gemäß Fig. 9 bzw.
00491 Fig. 8 zusammensetzt. Es ergibt sich ein Bandpaßfilter
00492 mit elliptischer Charakteristik durch parallele Verkopp-
00493 lung eines Paars von gestapelten Mikrostreifenleitungsre-
00494 sonatoren. 00495
00496 Zusätzlich zu der Struktur eines Bandpaßfilters gemäß
00497 den Fig. 7 und 8 ist bei dem Bandpaßfilter der Fig. 10
00498 zwischen den beiden Gehäusen 10', 10' ' eine gemeinsame
00499 Mittelwand 18 ausgebildet, welche von Kopplungselementen
00500 19 durchsetzt ist. Die Kopplungselemente 19 sind elek-
00501 trisch leitfähige Elemente. Weiter ist von Bedeutung,
00502 daß die Kopplungselemente 19 vertikal versetzt zu zwei
00503 nebeneinander angeordneten Resonatoren 20, 21 angeordnet
00504 sind. Die Kopplungselemente 19 befinden sich in vertika-
00505 1er Hinsicht zwischen zwei Resonatoren 20, 22, bzw. 21,
00506 23. Auch befinden sich teilweilse, wie aus der Zeichnung
00507 konkret ersichtlich, aufgrund der Durchsetzung der Mit-
00508 telwand 18, eine Kopplungselemente 19 zwischen den Rand-
00509 bereichen von jeweils vier Resonatoren 20, 21, 22, 23,
00510 von denen jeweils zwei gemeinsam in einem Gehäuse
00511 10'bzw. 10' ' untergebracht sind. Jedenfalls befindet
00512 sich ein Kopplungselement 19 immer oberhalb der Randbe-
00513 reiche von zwei horizontal benachbarten Resonatoren
00514 (z.B. 20, 21, oder 22, 23). Darüber hinaus sind die
00515 Anschlüsse 12 bzw. 13 in dem einen bzw. dem anderen
00516 Gehäuse vorgesehen. Beide Gehäuse 10', 10' ' sind jeweils
00517 für sich evakuiert. 00518
00519 Die in der vorstehenden Beschreibung, der Zeichnung und
00520 den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können
00521 sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für
00522 die Verwirklichung der Erfindung von Bedeutung sein.
00523 Alle offenbarten Merkmale sind erfindungswesentlich. In
00524 die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der
00525 Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Priori-
00526 tätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhalt-
00527 lieh mit einbezogen.
Claims
00528 Ansprüche 00529
00530 1. Resonator, vorzugsweise Scheibenresonator, mit zwei
00531 vertikal übereinander angeordneten, durch eine Isolati-
00532 onsschicht (3) voneinander getrennten elektrisch leitfä-
00533 higen Schichten (2, 4) aus einem supraleitfähigen, insbe-
00534 sondere hochtemperatursupraleitfähigen Werkstoff, wobei
00535 eine elektrisch leitfähige Schicht (2, 4) einen durch
00536 eine umlaufende Randkante (R) begrenzten Grundriß auf-
00537 weist und bei Beaufschlagung des Resonators mit einer
00538 vorgewählten Resonanzfrequenz sich in einer der beiden
00539 Schichten (2, 4) Stromlinien eines elektrischen Stromes
00540 ausbilden, dadurch gekennzeichnet, daß die Geometrie,
00541 insbesondere der Grundriß der einen leitfähigen Schicht
00542 (2) (strukturierte Schicht) so gewählt ist, daß sich bei
00543 der Resonanzfrequenz in der strukturierten Schicht (2)
00544 im wesentlichen nur die Randkante (R) (in einer gedach-
00545 ten Verlängerung) schneidende Stromlinien (S) einstellen. 00546
00547 2. Resonator nach Anspruch 1 oder insbesondere danach,
00548 dadurch gekennzeichnet, daß die andere leitfähige
00549 Schicht (4) (unstrukturierte Schicht) in ihrem Grundriß
00550 im wesentlichen an den Grundriß der Isolationsschicht
00551 (3) angepaßt ist. 00552
00553 3. Resonator nach einem oder mehreren der vorhergehenden
00554 Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeich-
00555 net, daß der Grundriß der strukturierten Schicht (2) im
00556 wesentlichen kreisförmig ist. 00557
00558 4. Resonator nach einem oder mehreren der vorhergehenden
00559 Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeich-
00560 net, daß der Grundriß der strukturierten Schicht (2) im
00561 wesentlichen kreisringförmig ist. 00562
00563 5. Resonator nach einem oder mehreren der vorhergehenden
00564 Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeich-
00565 net, daß bei kreisringförmigen Grundriß der strukturier-
00566 ten Schicht (2) eine Breite (B) des Kreisringes nach der
00567 Formel 00568
00570
00571 gewählt ist, wobei B die sich ergebende Breite des Kreis-
00572 ringes in Zentimeter ist, Epsilonr die Dielektrizitäts-
00573 konstante der Isolationsschicht, fn die Resonanzfrequenz
00574 in GHz und die zwischen 15 bis 18 liegende Zahl eine
00575 gefundene Konstante ist. 00576
00577 6. Resonator nach einem oder mehreren der vorhergehenden
00578 Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeich-
00579 net, daß der Durchmesser der strukturierten Schicht (2)
00580 so gewählt ist, daß sich bei der gegebenen Resonanzfre-
00581 quenz ein Schwingungstyp einstellt, der nur Stromlinien
00582 (S) aufweist, welche radial gerichtet sind. 00583
00584 7. Resonator nach einem oder mehreren der vorhergehenden
00585 Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeich-
00586 net, daß bei kreisförmigem Grundriß der strukturierten
00587 Schicht (2) ein kleinster Durchmesser nach der Formel 00588
00589 D/cm ^ 36,6/ {-{ . f0/GHz)
00590
00591 gewählt ist, wobei D der sich ergebende Durchmesser in
00592 Zentimenter ist, Epsilonr die Dielektrizitätskonstante
00593 der Isolationsschicht, f0 die Resonanzfrequenz in GHz
00594 und die Zahl 36,6 eine gefundene Konstante. 00595
00596 8. Resonator nach einem oder mehreren der vorhergehenden
00597 Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeich-
00598 net, daß zwei strukturierte Schichten (2) in unmittelba-
00599 rer Übereinanderlage angeordnet sind bzw. eine struktu-
00600 rierte Schicht (2) als Mittelschicht vorgesehen ist, und
00601 daß die strukturierte Schicht (2) bzw. beide strukturier-
00602 ten Schichten (2) auf ihren einander abgewandten Breit-
00603 Seiten eine Isolationsschicht (3) aufweisen, welche
00604 ihrerseits auf ihren einander abgewandten Breitseiten
00605 mit einer nicht strukturierten leitfähigen Schicht (4)
00606 überzogen sind. 00607
00608 9. Resonator nach einem oder mehreren der vorhergehenden
00609 Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeich-
00610 net, daß ein Abstand (a) der Isolationsschichten (4) zwi-
00611 sehen ihren einander zugewandten Breitseiten etwa der
00612 zusammengefaßten Dicke der strukturierten Schichten (2)
00613 bei Übereinanderlage bzw. der Dicke der strukturierten
00614 Schicht (2) entspricht. 00615
00616 10. Bandpaßfilter aus Resonatoren, insbesondere aus Reso-
00617 natoren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekenn-
00618 zeichnet, daß eine Mehrzahl von Resonatoren (6, 7, 8,
00619 9) mit jeweils einer strukturierten und einer unstruk-
00620 turierten Schicht (2, 4) vertikal übereinander angeord-
00621 net sind und die Kopplung der Resonatoren (6, 7, 8, 9)
00622 durch fensterartige Ausnehmungen (16, 17) einer Schicht
00623 (4) des Resonators (6, 7, 8, 9) erreicht ist. 00624
00625 11. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vorherge-
00626 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00627 kennzeichnet, daß eine Ausnehmung (16) kreisförmig ist. 00628
00629 12. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vorherge-
00630 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00631 kennzeichnet, daß eine Ausnehmung (17) kreisringförmig
00632 ist.
00633 13. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vorherge-
00634 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00635 kennzeichnet, daß eine Koppelstärke der Resonatoren (6,
00636 7, 8, 9) durch die Abmessungen der kreisförmigen bzw.
00637 kreisringförmigen Ausnehmungen (16, 17) einstellbar ist. 00638
00639 14. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vorherge-
00640 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00641 kennzeichnet, daß eine kreisförmige Ausnehmung (16)
00642 einen Mittelpunkt aufweist, welcher mit einer geometri-
00643 sehen Mittelachse (15) des Resonators (6, 8) überein-
00644 stimmt. 00645
00646 15. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vorherge-
00647 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00648 kennzeichnet, daß eine kreisringförmige Ausnehmung (17)
00649 einen Mittelpunkt aufweist, welcher mit der geometri-
00650 sehen Mittelachse (15) des Resonators (7) übereinstimmt. 00651
00652 16. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vorherge-
00653 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00654 kennzeichnet, daß sich die Resonatoren (6, 7, 8, 9)
00655 insgesamt in einem im wesentlichen evakuierten Gehäuse
00656 (10) befinden. 00657
00658 17. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vorherge-
00659 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00660 kennzeichnet, daß eine Mehrzahl von Resonatoren (20, 21,
00661 22, 23) vertikal und horizontal nebeneinander angeordnet
00662 sind, daß jeweils die vertikal übereinander angeordneten
00663 Resonatoren (20, 22) in einem gemeinsamen Gehäuse (10'
00664 bzw. 10' ' ) angeordnet sind, die horizontal benachbarten
00665 Resonatoren (20, 21 bzw. 22, 23) jedoch durch eine ge-
00666 meinsame Gehäusewand (18) voneinander getrennt sind und
00667 daß die gemeinsame Gehäusewand (18) von elektrisch leit-
00668 fähigen Kopplungselementen (19) durchsetzt ist. 00669
00670 18. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vorherge-
00671 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00672 kennzeichnet, daß die horizontal benachbarten Resonato-
00673 ren (20, 21 bzw. 22, 23) auf derselben horizontalen
00674 Ebene angeordnet sind. 00675
00676 19. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vorherge-
00677 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00678 kennzeichnet, daß die Kopplungselemente (19) zu den
00679 Resonatoren (20, 22 bzw. 21 23) jeweils vertikal beab-
00680 standet sind. 00681
00682 20. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vσrherge-
00683 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00684 kennzeichnet, daß eine Kopplungselement (19) in den
00685 beiden benachbarten Gehäusen jeweils teilweise in Über-
00686 deckung zu einem Resonator angeordnet ist. 00687
00688 21. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vorherge-
00689 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00690 kennzeichnet, daß die Isolationsschicht (3) eine Dielek-
00691 trizitätskonstante größer als 10 aufweist. 00692
00693 22. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vorherge-
00694 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00695 kennzeichnet, daß die Dielektrizitätskonstante zwischen
00696 20 und 30 liegt. 00697
00698 23. Bandpaßfilter nach einem oder mehreren der vorherge-
00699 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch ge-
00700 kennzeichnet, daß die Isolationsschicht (3) aus Lanthan-
00701 aluminat, Magnesiumoxid oder Saphir besteht.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AU33856/95A AU3385695A (en) | 1994-08-19 | 1995-08-17 | Resonator |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4429362 | 1994-08-19 | ||
DEP4429362.3 | 1994-08-19 | ||
DEP4436295.1 | 1994-10-11 | ||
DE4436295A DE4436295A1 (de) | 1994-08-19 | 1994-10-11 | Resonator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO1996006467A1 true WO1996006467A1 (de) | 1996-02-29 |
Family
ID=25939347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/EP1995/003279 WO1996006467A1 (de) | 1994-08-19 | 1995-08-17 | Resonator |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
AU (1) | AU3385695A (de) |
WO (1) | WO1996006467A1 (de) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2318512A1 (fr) * | 1975-05-01 | 1977-02-11 | Centre Nat Etd Spatiales | Filtre passe-bande constitue de guides d'ondes en mode unique |
EP0597700A1 (de) * | 1992-11-13 | 1994-05-18 | Space Systems / Loral, Inc. | Filter mit gestapelten Resonatoren in mehreren Moden |
-
1995
- 1995-08-17 WO PCT/EP1995/003279 patent/WO1996006467A1/de active Application Filing
- 1995-08-17 AU AU33856/95A patent/AU3385695A/en not_active Abandoned
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2318512A1 (fr) * | 1975-05-01 | 1977-02-11 | Centre Nat Etd Spatiales | Filtre passe-bande constitue de guides d'ondes en mode unique |
EP0597700A1 (de) * | 1992-11-13 | 1994-05-18 | Space Systems / Loral, Inc. | Filter mit gestapelten Resonatoren in mehreren Moden |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
C.G. MONTGOMERY ET AL.: "Principles of microwave circuits", MCGRAW-HILL, NEW YORK * |
C.M. CHOREY ET AL.: "YBCO superconducting ring resonators at millimeter-wave frequencies", IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, vol. 39, no. 9, NEW YORK US, pages 1480 - 1487, XP000219217 * |
J.J. JIMENEZ: "Experimental Q factors of three types of microstrip resonators", REVUE DE PHYSIQUE APPLIQUEE, vol. 8, no. 3, PARIS FR, pages 279 - 282 * |
T. HAYASHI ET AL.: "Coupling structure for superconducting disk filters", ELECTRONICS LETTERS, vol. 30, no. 17, 18 August 1994 (1994-08-18), STEVENAGE GB, pages 1424 - 1425, XP000476039 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU3385695A (en) | 1996-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60226111T2 (de) | Dielektrisches filter und antennenweiche | |
DE69411973T2 (de) | Geschichteter dielektrischer Resonator und dielektrisches Filter | |
DE69828249T2 (de) | Hochfrequenzübertragungsleitung, dielektrischer Resonator, Filter, Duplexer und Kommunikationsgerät | |
DE69318879T2 (de) | Keramisches Mehrschicht-Substrat für hohe Frequenzen | |
DE69620400T2 (de) | Abstimmbare mikrowellenanordnungen | |
DE4241148C2 (de) | Richtkoppler | |
DE3125763A1 (de) | Dielektrisches filter | |
DE69231000T2 (de) | Hochtemperatur-supraleitender-dielektrischer resonator | |
DE69722570T2 (de) | Dielektrische Resonatorvorrichtung | |
DE69319066T2 (de) | Filter mit gestapelten Resonatoren in mehreren Moden | |
DE69734846T2 (de) | Frequenzweiche für Zweiband-Mobilfunkendgeräte | |
DE102015122834A1 (de) | Akustische Volumenwellen (BAW)-Resonatoren mit aufgeteiltem Strom | |
DE2326331A1 (de) | Mikrowellenschaltung | |
DE69904520T2 (de) | Symmetrisches dielektrisches Filter | |
DE4239990C2 (de) | Chipförmiger Richtungskoppler und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE69925985T2 (de) | Antenne | |
DE10008018A1 (de) | Dielektrischer Resonator, Induktor, Kondensator, Dielektrisches Filter, Oszillator und Kommunikationsvorrichtung | |
DE102021120414A1 (de) | Transversal angeregter akustischer Filmvolumenresonator umfassend kleine Zellen | |
DE69121549T2 (de) | Bandpassfilter | |
DE19619585C2 (de) | Schaltbarer planarer Hochfrequenzresonator und Filter | |
DE69732201T2 (de) | Dielektrischer Resonator im TM-Modus und dielektrisches Filter im TM-Modus und Duplexer mit dem Resonator | |
DE60033971T2 (de) | Supraleitendes mikrostreifenfilter | |
DE69931729T2 (de) | Funkgerät mit einem dielektrischen Filter | |
DE10065510C2 (de) | Resonator, Filter und Duplexer | |
DE69725036T2 (de) | Supraleitendes Bandpassfiltergerät mit nicht strahlenden dielektrischen integrierten Wellenleitern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AK | Designated states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AM AT AU BB BG BR BY CA CH CN CZ DE DK EE ES FI GB GE HU IS JP KE KG KP KR KZ LK LR LT LU LV MD MG MK MN MW MX NO NZ PL PT RO RU SD SE SG SI SK TJ TM TT UA UG US UZ VN |
|
AL | Designated countries for regional patents |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): KE MW SD SZ UG AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE BF BJ CF CG CI CM GA GN ML MR NE SN TD TG |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application | ||
122 | Ep: pct application non-entry in european phase | ||
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: CA |
|
REG | Reference to national code |
Ref country code: DE Ref legal event code: 8642 |