WO1995004262A1 - Detecteur de cliquetis - Google Patents

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WO1995004262A1
WO1995004262A1 PCT/JP1994/001267 JP9401267W WO9504262A1 WO 1995004262 A1 WO1995004262 A1 WO 1995004262A1 JP 9401267 W JP9401267 W JP 9401267W WO 9504262 A1 WO9504262 A1 WO 9504262A1
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sensor
sensor element
knock
weight
fixed
Prior art date
Application number
PCT/JP1994/001267
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Masahito Imai
Kenji Kanemaru
Norio Kitao
Nobuyasu Goto
Naohito Mizuno
Koichi Kamabora
Original Assignee
Nippondenso Co., Ltd.
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Publication date
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Priority to EP94921849A priority patent/EP0671612B1/en
Priority to DE69416820T priority patent/DE69416820T2/de
Priority to US08/411,719 priority patent/US5635629A/en
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L23/00Devices or apparatus for measuring or indicating or recording rapid changes, such as oscillations, in the pressure of steam, gas, or liquid; Indicators for determining work or energy of steam, internal-combustion, or other fluid-pressure engines from the condition of the working fluid
    • G01L23/22Devices or apparatus for measuring or indicating or recording rapid changes, such as oscillations, in the pressure of steam, gas, or liquid; Indicators for determining work or energy of steam, internal-combustion, or other fluid-pressure engines from the condition of the working fluid for detecting or indicating knocks in internal-combustion engines; Units comprising pressure-sensitive members combined with ignitors for firing internal-combustion engines
    • G01L23/221Devices or apparatus for measuring or indicating or recording rapid changes, such as oscillations, in the pressure of steam, gas, or liquid; Indicators for determining work or energy of steam, internal-combustion, or other fluid-pressure engines from the condition of the working fluid for detecting or indicating knocks in internal-combustion engines; Units comprising pressure-sensitive members combined with ignitors for firing internal-combustion engines for detecting or indicating knocks in internal combustion engines
    • G01L23/222Devices or apparatus for measuring or indicating or recording rapid changes, such as oscillations, in the pressure of steam, gas, or liquid; Indicators for determining work or energy of steam, internal-combustion, or other fluid-pressure engines from the condition of the working fluid for detecting or indicating knocks in internal-combustion engines; Units comprising pressure-sensitive members combined with ignitors for firing internal-combustion engines for detecting or indicating knocks in internal combustion engines using piezoelectric devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01HMEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
    • G01H11/00Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
    • G01H11/06Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
    • G01H11/08Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means using piezoelectric devices

Definitions

  • the present invention relates to a knock sensor that detects abnormal vibration due to a knocking phenomenon of an engine of a vehicle or the like.
  • a knock sensor attached to an engine detects the knocking phenomenon of a vehicle or other engine, and transmits this to an engine control unit (Engine Control 1 Unit; ECU).
  • Engine Control 1 Unit By controlling the ignition timing of the ignition plug in the engine cylinder, a knock sensor that controls knocking phenomena, improves engine torque, and improves fuel efficiency
  • the knock control system used is known.
  • This knock sensor senses the vibration peculiar to the knocking phenomenon that occurs in the engine, and its vibration detection unit has conventionally used a piezoelectric element made of ceramic.
  • the former is designed to resonate with knock vibration, so a good output of SZN can be obtained, but on the other hand, only one knock vibration can be detected, and cylinder In the case of a large number of engines, it is not possible to detect knock vibrations of all cylinders in one place, and there is a problem that multiple knock sensors are required. . On the other hand, the latter can detect knock vibrations of various frequencies, but in addition to the effect of the resonance frequency of the element itself, there is a possibility that the vibration of other components may affect the vibration detection area. There is a problem that the design freedom of the knock sensor itself is narrow.
  • knock sensors is a metal housing having a screw-like projection so that it can be directly attached to the engine (or made of a strong material that substitutes for it). Housing) and a resin-molded connector that can be connected to the outside, and a piezoelectric element that serves as a vibration detection unit is generally arranged in a space formed by the connector. .
  • a type that is firmly fixed to the housing side with screws, etc. and a metal stem that serves as the fixing pedestal (or a solid type substitute for it) on the connector side. Fixed pedestal).
  • a similar type is fixed to the stem and not directly fixed to the connector side, but is fixed to the connector side by a caulking type, or a stem and housing.
  • a caulking type or a stem and housing.
  • connect the contacts by bonding or welding can be said to be of a type that is fixed to the stem and arranged in a space formed by the stem and the housing.
  • the housing itself is made of metal, so that the resonance frequency is high, and the housing itself does not resonate due to engine vibration. It does not extend to the element.
  • the jig must be fixed by caulking or the like, and there is a problem that the manufacturing process is difficult.
  • the piezoelectric element fixed to the connector only has to be fixed to the housing by caulking, etc., which facilitates the manufacturing process. Because it is made of resin, its resonance frequency is low.If nothing is connected to the connector, the resonance of the connector is transmitted to the piezoelectric device without being attenuated, which affects signal detection. There is a problem, and in order to prevent this, it must be mounted on a metal stem (or a substance whose Young's modulus is stronger than that of metal) to prevent the transmission of vibration of the connector.
  • the detection signal is the resonance output of the piezoelectric element, so there is no effect if the output due to the resonance of the connector or the like is somewhat smaller than that due to the resonance of the piezoelectric element.
  • the SZN may be greatly reduced. You have to do it. The same can be said for the type in which the contact between the stem and the housing is connected by bonding or welding. In other words, the effect of connector vibration resonance cannot be sufficiently suppressed by partial welding or the like.
  • a knock sensor that has a flat-type vibration detection unit that can be mounted and that is fixed to the fixed pedestal and that the vibration detection unit is disposed in the space defined by the fixed pedestal and the housing It is an object of the present invention to provide a knock sensor that is easy to manufacture and can detect a high-frequency region without lowering the required sensitivity.
  • the present inventors first verified the vibration detection unit.
  • the resonance frequency of the stem metal plate which does not significantly affect the detection area is at least 40. It turned out to be about kHz, and when the stem thickness at which the resonance frequency was 40 kHz was examined, it was found that about 2.7 mm was required, as shown in Fig. 20. This is a simulation based on the model shown in Fig. 22.
  • the stem 30 has a diameter of 19 mm, and the area where the vibration detection unit and other circuits are combined. Is the load area 31 and the diameter of the surface on which the load area 31 is mounted is 16.5 mm.
  • the stem 30 has a step, and the step surface has a shape close to the actual stem shape such that a welded portion M to be welded to a housing (not shown) is formed on the step surface.
  • a welded portion M to be welded to a housing (not shown) is formed on the step surface.
  • changing the stem thickness D without changing the diameter increases the stem resonance frequency. This can be understood by considering that there is an image in which the cubic shape is less likely to vibrate than the plate shape in the case where the welded portion M is fixed.
  • Fig. 21 shows the change of the resonance frequency of the stem when the load on these stems was changed when the stem thickness was 2.8 mm and 3.5 mm.
  • Figure 21 shows the data when the load area 31 was changed from 0.1 g to 4.6 g. From this figure, it can be seen that the resonance frequency decreases when a load is applied to the stem. Therefore, in order to keep the resonance frequency at about 40 kHz even when a load is applied, it is necessary to increase the thickness.For example, when the load is set to 4.6 g, the stem In order to make the resonance frequency 40 kHz, in FIG. 21, the resonance frequency is 20 kHz when the stem thickness is 2.8 mm, and therefore, the resonance frequency is doubled. There is a need. If the resonance frequency and the stem thickness have a linear relationship in FIG. 20, the stem thickness is required to be 4.4 mm ′.
  • the weight of the piezoelectric element is about 2 Og, and in order to set the resonance frequency of the stem on which this piezoelectric element is mounted to 40 kHz, if the stem thickness is 2.8 mm, Assuming that the resonance frequency is 10 kHz when the load is set to 20 g, the stem thickness must be reduced to about 5.8 mm, which is 3 mm thick even if estimated.
  • the punch pin or cutting drill is used.
  • its diameter needs to be about the same as the stem thickness, and it is necessary to form a considerably large through hole on the stem.
  • a vibration detection unit such as a piezoelectric element
  • the stem thickness must be further increased. No. In this case, as described above, a vicious cycle is repeated, such that the size of the through-hole must be increased in proportion to the thickness of the stem, resulting in a problem that the designed value is not obtained. Therefore, when a piezoelectric element is used for the vibration detection unit, the limit is to set the maximum detection frequency to at most 10 kHz. Further, even if the design is made with a large through hole, the process becomes complicated, for example, a device for forming the through hole is required.
  • the load that can set the resonance frequency of the stem to 40 kHz is about 1 g. If the stem thickness is about 3.5 mm, it can be formed without greatly changing the shape of the through-hole.
  • the resonance frequency of the fixed base is eventually reduced, so that there is no difference that the vibration detection is affected.
  • a semiconductor acceleration sensor formed on a semiconductor substrate used for an airbag or the like assuming that the weight can be reduced to 1 g or less.
  • This is composed of, for example, a weight portion by etching or the like on a semiconductor silicon substrate, a beam portion supporting the weight portion, and a frame portion to which the beam portion is fixed.
  • the weight portion vibrates due to external vibration, and Vibration is detected by sensing generated stress, and many applicants have shipped them to the market.
  • the semiconductor vibration detector is very small and has good sensitivity, and its weight can be reduced to 1 g or less. Disclosure of the invention
  • the knock sensor of the present invention includes a sensor element including a weight portion formed on a semiconductor substrate and a beam portion that supports the weight portion and senses vibration, and fixes the sensor element.
  • the fixing pedestal whose strength is as hard as metal is disposed on the opposite side of the fixed pedestal to which the sensor element is mounted, and the output of the sensor element is transmitted to the outside.
  • a housing provided to cover the sensor element and attached to the engine.
  • a knock sensor provided with a motion detection unit
  • a knock sensor capable of detecting up to a high frequency range without lowering the required sensitivity and capable of detecting a plurality of knock signals is provided. be able to.
  • FIG. 1 is a sectional view of a knock sensor representing the first embodiment.
  • FIG. 2 is a sectional view of a knock sensor according to the second embodiment.
  • FIG. 3 is a characteristic diagram showing the effect of the second embodiment.
  • FIG. 4 is a sectional view of a knock sensor according to the third embodiment.
  • Figure 5 is a block diagram showing the signal processing circuit.
  • Fig. 6 (a) is a diagram showing a vibration detection unit with a cantilever structure.
  • (B) is a diagram showing a vibration detection unit having a doubly supported structure.
  • Fig. 7 (a) shows the frequency characteristics of the knock sensor.
  • (B) is a diagram showing the relationship between beam width, resonance frequency, and sensitivity.
  • Figure 8 (a) is a diagram showing the relationship between the resonance frequency of the vibration detection unit and the sensitivity depending on the length of the cantilever weight.
  • (B) is a diagram illustrating the relationship between the resonance frequency and the sensitivity of the vibration detection unit depending on the length of the weight of the double-supported beam structure.
  • Figures 9 to 11 show the relationship between beam thickness, resonance frequency, and sensitivity when the beam length is fixed at a certain value in the vibration detection unit with a doubly supported beam structure.
  • Fig. 9 (a) shows the case where the beam length is 0.10 mm
  • (b) shows the case where the beam length is 0.15 mm.
  • Figure 10 (a) shows the results when the beam length was 0.20 mm, and (b) shows the results when the beam length was 0.25 mm.
  • FIG. 11 (a) shows the results when the beam length was 0.30 mm, and (b) shows the results when the beam length was 0.35 mm.
  • Fig. 12 summarizes the results of Figs. 9 to 11 and shows the region where the beam width and beam thickness are satisfied.
  • Fig. 13 is a diagram showing the region where the beam width and beam thickness are satisfied when the resonance frequency is 60 kHz in Fig. 12.
  • Figure 14 shows the area where the beam width and beam thickness are satisfied when the weight is increased.
  • FIG. 15A is a structural diagram of the sensor element employed in the above embodiment.
  • (B) is a sectional view thereof.
  • Figure 16 shows a hoist
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing the sensor element fixed to the substrate.
  • FIG. 18 (a) shows a part of the sensor element. (b) is a sectional view thereof.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating a state where an element or the like fixed to the fixed base is placed.
  • FIG. 20 is a diagram showing the relationship between the stem thickness and the resonance frequency.
  • Figure 21 shows the relationship between the load region and the resonance frequency.
  • FIG. 22 is a diagram showing a model that has obtained the characteristic diagrams of FIG. 20 and FIG. 21.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the knock sensor.
  • the board 9 is adhered to the connector 2 integrally formed with the terminal 6 with an adhesive 13.
  • the fixed pedestal 9 is made of a ceramic substrate that is stronger than metal, in which a capacitor (interlayer capacitance) forming the EMI filter and the filter 8 are built in or mounted.
  • the fixed base 9 has a sensor element 11 composed of a semiconductor, which will be described later, and a signal processing unit 10 composed of a power supply circuit, an amplifier circuit, and a knock signal determination circuit adhered thereto. Electrical continuity is established between and outside.
  • the fixed base 9 and the connector 2 are electrically connected by a socket 7 installed on the fixed base 9.
  • the housing 1 made of metal is fixed to the connector 2 by swaging 16 and an adhesive 4 so as to cover the fixing base 9. Further, the fixing base 9 is hermetically sealed with the 0 ring 3 and the adhesive 5. This knock sensor is fixed to the engine that detects the knocking phenomenon by means of screws 15 of the housing 1.
  • the knock sensor configured as described above can be connected to the connector side via the fixed pedestal 9 because the combined weight of the sensor element 11 and the signal processing unit, which will be described in detail later, can be about 0.1 lg. However, the resonance frequency of the board It can be maintained at about 40 kHz. Therefore, even if the sensor element is installed on the connector side via the fixed pedestal, it is possible to provide a sensor capable of detecting a high frequency region of about 15 kHz or more. Also, compared to the case where the sensor element is installed on the housing side, in this structure, the fixed pedestal board on which the sensor element is mounted in advance can be installed on the connector side, so that the manufacturing process is simplified and The connection between the connector terminals and the board can be made easily and reliably.
  • the knock sensor in the present embodiment has a maximum detected frequency as high as about 15 kHz or higher, and there is a limit to a structure that satisfies the performance in view of the resonance frequency of the connector.
  • the vibration detection unit uses a sensor element made of a semiconductor instead of a conventional piezoelectric element to reduce the size and weight of the mounted product, as well as the material, shape and shape of the connector.
  • the above structure was achieved by optimizing the Young's modulus of the adhesive that fixes the connector and housing. The optimization was analyzed by FEM.
  • FIG. 2 shows a modification of the first embodiment as a second embodiment.
  • This is fixed to the connector 2 on the entire back surface of the fixing pedestal 9 with an adhesive or the like.
  • the connector terminal 6a is connected to the sensor element 11 or the signal processing circuit 10 by a wire bond 14.
  • the signal processing circuit 10 and the sensor element 11 of this embodiment are sealed by the can 24, and at the same time, the can 24 comes into contact with the silicon gel 25 injected and cured in the housing 1. It has been like that.
  • the vibration of the connector 2 transmitted through the fixed base 9 can be absorbed by the silicon gel 31 through the can 24, and the resonance of the fixed base 9 can be suppressed. Therefore, the vibration of the connector can be directly transmitted to the sensor element. There is no. Therefore, the degree of freedom in designing the countermeasures against the vibration is increased as compared with the first embodiment.
  • FIGS. 3 (a) and 3 (b) show the vibration suppression of the fixed base 9 by the silicone gel 25.
  • FIG. (A) The figure is without silicon gel, and (b) is the figure with silicon gel.
  • the fixed base 9 of the sensor without silicon gel vibrates considerably in the frequency bands of 20 kHz, 30 kHz, and 50 kHz, but the sensor with silicon gel has It can be seen that the vibration of the fixed pedestal 9 at the singular point is suppressed.
  • the member for absorbing vibration is not particularly limited to silicon gel.
  • the terminal 6 a may have a structure penetrating the fixed base 9.
  • FIG. 4 shows a method using a hermetic sealing technique as a method for sealing a sensor element made of a semiconductor.
  • the sensor element 11 and the signal processing unit 10 are fixed to the metal stem 9 ′ serving as a fixed base via the substrate 17, and are further fixed to the housing 1 by welding.
  • the structure of the metal stem 9 'at this time has a thickness of 2.8 mm, a diameter of 19 mm, and a diameter of a surface on which the sensor element and the like are mounted is 16.5. mm, and the diameter of the through hole through which the extraction pin 18 passes is about 2.8 mm.
  • the sensor element 11 and the signal processing unit 10 are mounted on the metal stem 9 ′ via the substrate 17, but the total weight of the mounted components is approximately 0.3. g. Further, as shown in FIG. 19 described later, the substrate 17 may not be provided.
  • the vibration detecting section made of a semiconductor is used as the sensor element, the sensor is small, has good sensitivity, and weighs about 0.3 g. It can be made very light, and even if it is mounted on a thin metal stem as described above, it is possible to achieve 40 kHz with almost no reduction in the resonance frequency of the metal stem.
  • the thickness of the metal stem is about 2.8 mm, and Through holes can be easily formed. Therefore, it is possible to provide a knock sensor having a structure that facilitates the manufacturing process and that can detect a signal in a high frequency region without lowering the sensitivity.
  • the sensor element 11 and the signal processing unit 10 are securely hermetically sealed by performing the projection welding and sealing the extraction pin 18 with glass.
  • the take-out pin is fixed by using a hermetic sealing technique to form an airtight sealing structure.
  • the take-out pin may be fixed with an agent or the like and hermetically sealed.
  • a member other than glass may be inserted into the through hole to form an airtight sealing structure.
  • the diameter of the ceramic substrate or the metal stem serving as the fixed pedestal is increased because the sensing part for detecting the vibration can be reduced in size.
  • an amplifier circuit for amplifying the output signal of the sensor element and a determination circuit for processing the amplified signal and outputting a knock signal to the outside can be provided on the same substrate. The effect of this will be described below.
  • Fig. 5 shows a block diagram of the vibration detection circuit with this structure.
  • the signal detected by the sensor element 11 is amplified by the amplifier circuit 10a, and the knock signal determination circuit 10b synchronizes with the ignition signal from the engine ECU to determine the knocking phenomenon and outputs it to the ECU.
  • 10c is a power supply circuit formed on the same substrate together with the amplification circuit 10a and the knock signal determination circuit 10b, and the power supplied from a battery such as a car. Is supplied to each circuit. For example, a constant voltage of 5 V is generated. Therefore, if the battery voltage is 12 V, the difference is 7 V. Even if the battery voltage fluctuates due to noise, etc. Thus, a stable voltage can be provided to each circuit.
  • the signal amplified by the amplifier circuit 10a is an analog output
  • the signal determined by the knock signal determination circuit 10b is a digital output. Connected to ECU. Therefore, it was possible to have a configuration that is strong against noise as a knock sensor.
  • the sensor element can be made small and light, other circuit elements can be mounted on the fixed pedestal, making it possible to use a sensor that is resistant to battery fluctuations and GND potential fluctuations. Can be provided.
  • the resonance frequency of the sensor element should be set. As shown in Fig. 6 (a), when the maximum detection frequency is fs and the resonance frequency is fr, the resonance frequency is not affected so that the detection area has flat characteristics.
  • the resonance frequency r must be set.
  • the question is whether the basic characteristics of the sensing part, such as strength, can be satisfied by the sensor element made of semiconductor used for the semiconductor acceleration sensor. This is because the resonance frequency and the sensitivity are closely related to the weight shape and the beam shape, in particular, the beam thickness and the beam width, and the resonance frequency and the sensitivity greatly change when the beam thickness and the beam width are changed.
  • the resonance frequency is proportional to the square root of the beam width
  • the sensitivity is inversely proportional to the beam width. That is, it can be said that the beam width and the resonance frequency and the beam width and the sensitivity have an opposite relationship. This is shown by the solid line and the broken line in Fig. 6 (b), respectively. Therefore, it has been an issue whether there is a structure that sufficiently satisfies the basic characteristics of sensitivity and resonance frequency.
  • the inventors of the present application need to set the resonance frequency so that the sensor output has flat characteristics even at the maximum detection frequency in order to obtain a stable output. As can be seen from Fig. 6 (a), the output increases exponentially from the flat region to the peak of the resonance frequency.
  • the resonance frequency must be set such that the output rise due to the resonance frequency peak does not affect the maximum detection frequency so that the output fluctuation at the maximum detection frequency becomes a sufficiently small value.
  • the rise of this output is very difficult to obtain by theoretical analysis, and is not clear until an element is actually manufactured and measured. As described above, it is not easy to design a semiconductor acceleration sensor to be a vibration detection unit of a knock sensor.
  • the resonance frequency f r and the maximum detection frequency f s response frequency region of sensor output is Ru always name and hula Tsu DOO Look at the relationship as follows:
  • A is a constant determined by how the weight is supported.
  • the discovery of this relationship enabled the use of a semiconductor acceleration sensor as its vibration detector.
  • a knock sensor that can satisfy the basic characteristics of vibration detection such as sensitivity, resonance frequency, and breaking strength can be realized.
  • the maximum detection frequency is 15 kHz, it can be seen that the frequency should be about 40 kHz or more.
  • the resonance frequency and the sensitivity have a trade-off relationship, and a sensor structure that simultaneously satisfies the required resonance frequency and sensitivity was studied.
  • the present inventors have studied the structure shown in FIG. (A) In the figure, the weight 41 is supported by the beam 42.
  • the structure shown in the figure is a structure in which the weight 21 is supported by four beams 22. The hatched portions in the figure are portions removed by etching.
  • the structure shown in (a) is a cantilever structure
  • the structure shown in (b) is a cantilever structure.
  • Figures 8 (a) and 8 (b) show whether there is an actual design solution for the above cantilever and cantilever structures with a resonance frequency of 40 kHz or more and a sensitivity of 12 VZG or more.
  • the horizontal axis is the length of the weight 41 or 21, the left vertical axis is the resonance frequency, the right vertical axis is the sensitivity, the resonance frequency is shown by a solid line, and the sensitivity is shown by a dotted line.
  • a design solution exists only in a very narrow range of about 0.35 to 0.36 mm in weight in order to satisfy the above conditions. It is almost impossible to adjust the weight length to this range with good yield.
  • the weight length of the doubly supported beam structure was about 0.6 to 2.7 mm, which is within the range that can be manufactured with sufficient yield. Therefore, a cantilever structure that can be manufactured with high yield as a structure that satisfies both sensitivity and strength at the same time.
  • the minimum value of the beam width WB is almost 0.13 mm due to the piezoresistive element formed within the width. I will. Therefore, when the element is to be miniaturized, it is determined by the size of the weight or the length of the beam.
  • the weight has an upper surface area of approximately 0.9 mm 2 of 1.2 ⁇ 0.7, as shown in FIG.
  • the thickness of the weight depends on the thickness of the wafer to be processed, and is approximately 0.3 mm in this example. Therefore, studying the beam length LB shown in Fig. 7 (b) is an important point in miniaturization.
  • Fig. 9 (a), (3), Fig. 10 (3), (b), Fig. 11 (a), (b) show that the beam length LB as a parameter is 0.05 to 0.3.
  • the established beam thickness interval and beam length obtained under the above conditions are shown.
  • the beam thickness is formed by cut etching using an etchant, it is very difficult to perform the etching with the accuracy of the order, and the beam thickness has a variation of about 4 ⁇ m.
  • the area from which this 4 m is subtracted is the area where a beam can be formed with good yield. If this is obtained from Fig. 11, the beam length will be 0.05 to 0.215 mm.
  • the lower limit of 0.05 mm indicates the processing limit.As described above, if the maximum frequency of detection is 15 kHz, the vibration detection unit must have a maximum detection frequency of approximately 40 kHz. It is good to design in such a way, but since the sensor element is a semiconductor and has high crystallinity, Q at the time of resonance is very high. Therefore, if the resonance of the fixed pedestal and the sensor element becomes the same, when this vibration component is applied, the sensor element will generate a large vibration, which may lead to a reduction in S / N and eventually breakage.
  • the resonance frequency of the sensor element was set to 60 kHz or more, and the relationship between the established beam thickness interval and the beam length was examined as described above.
  • Figure 13 shows the results.
  • the resonance frequency is 60 kHz or more
  • the temperature is set to 12 VZG or more
  • the beam length region where the established beam thickness exists is about 0.05 to 0.1 mm.
  • the size of the weight is almost doubled, and the S / N and the strength are taken into account as described above, and the resonance frequency is set to 60 kHz.
  • the obtained beam thickness was obtained from. This means that the weight is 2.0 times larger in Fig. 14 (a) than in Fig. 13 (a), and 2 times larger in Fig. 14 (b). .
  • Data obtained using a 14-fold data This is a study of the upper limit, and it can be seen from this figure that the upper limit of the beam length is 0.215 mm.
  • the area of the weight is reduced to reduce the size, and the minimum conditions as a knock sensor (resonance frequency 40 kHz or higher ⁇ sensitivity 12 VZG or higher)
  • the beam length is 0.05 to 0.21 when considering the SZN and intensity when the resonance frequency is set to 60 kHz or higher even when the beam is large. 5 mm.
  • the beam length is preferably about 0.05 to 0.1 mm.
  • the primary resonance in which the weight resonates vertically and the secondary resonance in which the weight resonates in a twisting manner are large, and the primary resonance frequency and the secondary resonance frequency are large. If it is too close, the weight vibrates in a complicated manner, and the beam is destroyed. Therefore, considering the strength of the beam, it is required that the primary resonance frequency and the secondary resonance frequency are separated. From the above, a structure was adopted in which a rectangular weight 21 as shown in Fig. 14 was supported by four beams 22. In this structure, the primary resonance frequency and the secondary resonance frequency can be separated because the twist is less likely to occur. In addition, a high sensitivity can be obtained because a Wheat bridge circuit can be formed in vibration detection.
  • the resonance frequency was set to 60 kHz or more
  • the sensitivity was set to 12 / V or more G
  • the beam structure and the weight structure were set as follows.
  • the beam width WB shown in FIG. 14 (a) is 0.13 mm.
  • the beam length LB was 0.11 mm.
  • the beam thickness T B, in order to form a piezoelectric element on the beam is determined by their PN junction, in this real ⁇ was 1 3 m.
  • the weight thickness TM shown in FIG. 14 (b) is determined by the thickness of the wafer to be used, and in this example, T M was 0.3 mm.
  • the weight width W M the sensitivity of the relationship, the plane orientation of the etching for forming the weight is set to (1 0 0) plane, the board by etching is tapered, TsumuAtsu T M Is determined by In the present embodiment, 0.7 mm was set for a margin.
  • the weight length L M it is necessary to design the primary resonance and the secondary resonance so as to be separated from each other based on the weight width W M. did.
  • These numerical values may be set each time based on the resonance frequency to be set, in consideration of the manufacturing process, the wafer to be used, the relationship with the primary and secondary resonance frequencies, and the like.
  • the piezo elements 23 are arranged as shown in FIG. 15 (a). In this way, the elements 23a and 23c on the weight side and the elements 23b and 23d on the fixed frame side are arranged, and the wire-to-wire connection is made as shown in Fig. 16. Then, the directivity is improved. That is, when the weight 21 vibrates vertically, the element 23a (element 23c) and the element 23b (element 23d) have different stresses, that is, tensile stress and compressive stress. The sensor sensitivity is improved, and the element 23a (element 23c) and element 23b (element 2 Since the same stress is applied to 3d), the sensitivity of the other axis can be canceled in the wrist bridge shown in Fig. 16.
  • FIG. 15 (b) is a cross-sectional view of FIG. 16 m and n are outputs, and V represents a power supply.
  • the number of piezo elements is not limited to four, but may be eight, for example.
  • the element As described above, by designing the element, it is possible to satisfy the resonance frequency of 60 kHz or more and the sensitivity of 12 VZG or more.
  • the detection frequency is considerably higher, about 15 kHz or more, compared to several hundred Hz of the conventional acceleration sensor, so that the beam of the acceleration sensor can be strengthened.
  • the change of the weight 21 in the detection vibration region becomes about several meters, and by providing this gap with the adhesive 18 (about 10 m in thickness), as shown in FIG. 17,
  • the recess (dotted line in the figure) that was required on the pedestal for installing the acceleration sensor in the past is no longer necessary.
  • the number of steps for forming the concave portion in the pedestal 12 can be reduced.
  • the gap between the pedestal 1 2 and the weight 21 is as narrow as about 10 m in the thickness of the adhesive 18, when the weight 21 vibrates greatly due to a strong impact, the pedestal 1 2 is It becomes the vibration stem of 1 and can prevent destruction of the sensor beam.
  • a fracture strength of 470 000 to 480 000 G is obtained.
  • This breaking strength is a problem especially in the manufacturing process and the transportation process until the knock sensor is attached, and is designed based on the drop test on actual concrete and oak tree. This value is determined by taking into account the actual drop impact and the resonance frequency of the beam. In the case of the resonance frequency of 60 kHz as in this case, a result of up to 50,000 G was sufficient, so the value of 470 G to 480 G was almost sufficient. I can say. If it is desired to increase this to 500 G, then the beam root 50 shown by the broken line in Fig. 18 (a) and the cross-section (A) between A and A ' What is necessary is just to make it thin. In this way, the stress concentration at the portion indicated by the symbol ⁇ in the figure can be reduced, and the beam intensity can be increased.
  • Fig. 18 also has the following ripple effects. You.
  • the piezo element when the weight vibrates, the piezo element should be placed at the root of the beam and the beam, which is one of the fixed points where the stress of the beam is maximized, or at the root of the beam and the frame, which is the other fixed point. Desirable.
  • very high precision is required for mask alignment for forming the piezo elements.
  • the piezo element is displaced from the root of the weight and the beam or the root of the beam and the frame due to mask displacement, and the piezo element is formed only in the weight or only in the frame without hanging on the beam. In such a case, the stress sensitivity of the device is greatly reduced. Therefore, by adopting the structure shown in Fig. 18 above, the piezo element is always formed near the maximum stress even if there is some mask misalignment. In such a case, it is possible to solve the problem that the stress may not be sufficiently sensed.
  • a knock sensor shown in the first and third embodiments is such that a fixing base 9 as shown in FIG. 19 is fixed to a housing or a connector by welding or bonding or the like by a fixing portion shown at 50.
  • the resonance frequency is reduced most. Therefore, if the center of gravity of the above-mentioned elements and the signal processing circuit is not placed at the center of gravity of the fixed pedestal as viewed from the fixed portion, a decrease in the resonance frequency can be suppressed to some extent. Further, as shown in FIG.
  • the present invention employs a structure that facilitates the manufacturing process as a vibration detection device that detects a knocking phenomenon of an engine mounted on a vehicle or the like, and does not reduce sensitivity even in a high frequency range. Can be used as a detectable knock sensor.

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Description

明細書 ノ ッ クセ ンサ
技術分野
本発明は、 車両等のエンジンのノ ッ キング現象による異常振動を検 出する ノ ッ クセンサに関する。
背景技術
従来、 車両等のエンジンのノ ッキング現象をエンジ ンに装着したノ ッ クセ ンサがこれを感知し、 これをエンジンコ ン ト ロールユニッ ト ( E n g i n e C o n t r o l 1 U n i t ; E C U ) に伝達し、 E C Uがエンジンのシ リ ンダ一内の着火プラ グの着火タイ ミ ングをコ ン ト ロールする こ とで、 ノ ッキング現象を制御し、 エンジ ンの トルク向 上、 燃費向上を図るノ ッ クセ ンサを利用 したノ ッ ク コ ン ト ロールシス テムが知られている。 このノ ッ クセ ンサはエンジン内で発生する ノ ッ キング現象特有の振動を感知する もので、 その振動検出部は従来、 セ ラ ミ ッ クからなる圧電素子が使われている。
このノ ッ クセンサのノ ッ ク振動の検出方法と しては、 大き く 分ける と 2種類あり、 一つは、 特開昭 6 2 — 9 6 8 2 3 号公報、 特開昭 5 9 - 1 6 4 9 2 1 号公報、 あるいは実開昭 6 2 — 1 2 8 3 3 2号公報に 記載されているよ う に、 圧電素子をノ ッ キング周波数に合わせて共振 させ、 その共振による出力をノ ッ ク信号と して検出する共振タ イ プと 、 も う一つは、 実開昭 5 7 - 9 9 1 3 3 号公報に記載されているよ う に、 圧電素子の出力する出力信号が共振の影響を受けないフラ ッ 卜な 領域にてノ ッ ク信号を検出するフラ ッ ト タイプである。 前者は、 ノ ッ ク振動に共振させるよ う に しているため、 S Z Nのよい出力が得られ るが、 その反面、 唯一のノ ッ ク振動しか検出する こ とができず、 気筒 数の多いエン ジ ンの場合には、 一箇所にて全気筒のノ ッ ク振動を検出 する こ とが不可能であ り、 複数のノ ッ クセ ンサが必要となると い う問 題がある。 一方、 後者は、 様々な周波数のノ ッ ク振動を検出する こ と ができ るが、 素子自体の共振周波数の影響以外に も、 他の部品の振動 が振動検出領域に影響を及ぼす可能性があり、 ノ ッ クセ ンサ自体の設 計自由度が狭いといった問題がある。
これら ノ ッ クセ ンサの構造と しては、 エ ン ジ ンに直接取り付—け られ るよ う にネ ジ状の突起部を有する金属のハウ ジング (あるいはそれに 代用される強固な材料からなるハウ ジング) と、 外部とのコネク タ接 続が可能な樹脂成形されたコネク タ と によ り形成される空間内に、 振 動検出部となる圧電素子を配設する構造が一般的である。
そ して、 圧電素子の取り付けには、 ハウ ジング側にネジ等によ り強 固に固定されるタイプと、 コネ ク タ側にその固定台座となる金属製の ステム (あるいはそれに代用される強固な固定台座) に固定された状 態にて固定されるタイ プの 2種類がある。 また、 後者にはその類似タ イブと して、 ステムに固定され、 コネ ク タ側に直接固定される こ と は ないが、 かしめによ り固定されるタ イ プや、 ステムとハウ ジングとの 接点を接着あるいは溶接等により接続するタイ プがある。 すなわち、 後者はステムに固定され、 ステムとハウ ジングとで形成される空間内 に配置されるタイプといえる。
圧電素子をハゥ ジ ング側に固定する場合は、 ハウ ジ ング自体が金属 であるため共振周波数が高く 、 エンジ ン振動によりハウ ジング自体が 共振してしま う こ と はな く 、 その影響が圧電素子に及ぶこ とはない。 しかしながら、 圧電素子からコネ ク タ端子までの電気的接続を例えば リ ー ド線によ り行う必要があり、 ハウ ジングに圧電素子を固定し、 リ 一ド線を接続してコネ ク タ とハウ ジ ングとをかしめ等によ り固定しな ければならず、 製造工程が困難と いう問題がある。
—方、 コネ ク タ側に固定する場合は、 圧電素子からコネ ク タ端子ま での電気的接続をコネクタ側にて行う ことができるため、 圧電素子を コネクタに固定したものをハウジングにかしめ等により固定すればよ く 、 その製造工程が容易となる反面、 コネクタは一般的に樹脂である ため共振周波数が低く 、 何もな しに圧電素子をコネクタに接続する場 合はコネクタの共振が圧電素子に減衰されることなく伝わってしまい 、 信号検出に影響を及ぼしてしま う という問題があり、 これを防止す るために金属製 (あるいはヤング率が金属程度以上に強固な物質) の ステムに搭載しコネクタの振動伝達を阻止するようにしなければなら ない。
この場合、 圧電素子が共振タイプのものでは検出信号は圧電素子の 共振出力であるため、 コネクタ等の共振による出力が圧電素子の共振 によるものより もある程度小さければ影響はないが、 圧電素子がフラ ッ トタイプのものではその周波数がフラ ッ 卜な領域であった場合には 、 大き く S Z Nを低下させることがあるため、 ステムの厚さを厚くす ることで確実にコネクタからの振動を阻止するようにしなければなら ない。 このことは、 ステムとハウジングとの接点を接着あるいは溶接 等により接続するタイプのものにも同じことが言える。 すなわち、 部 分的な溶接等ではコネクタ振動の共振の影響を抑えることは十分に行 えないのである。
そして、 この問題は圧電素子自体の重さに最も影響を受け、 同じス テム厚の場合、 その重さが重く なるとステムの共振周波数が低下し、 その影響がより一層大き く現れるようになる。 そのため、 圧電素子の 重さを低下させる必要があるが、 そうすると感度が低下するという問 題が発生する。 従って、 感度を維持しつつ、 共振周波数の低下の影響 を受けないよ う にするためには、 フラ ッ 卜な特性となる検出周波数領 域が最大 1 0 k H z程度となってしまい、 高周波領域まで検出できな いという問題がある。
そこで、 本案はこの問題点に鑑み、 複数のノ ッ ク信号を検出するこ とが可能なフラ ッ トタイプの振動検出部を有し、 かつ固定台座に固定 されるとと もに、 固定台座とハウジングとで形成される空間内に振動 検出部が配設されるノ ッ クセンサであって、 製造工程が容易かつ必要 感度を低下させることなく高周波領域まで検出可能なノ ッ クセンサを 提供することを目的とするものである。
本願発明者らは、 まず、 振動検出部について検証した。 本願発明者 らが検討した結果、 ノ ッ ク信号の検出領域を最大 1 5 k H z程度と し た場合、 この検出領域にあま り影響しないステム (金属板) の共振周 波数は最低 4 0 k H z程度になることが分かり、 共振周波数が 4 0 k H z となるステム厚を調べたと ころ、 図 2 0 に示すように、 およそ 2 . 7 m m必要なことがわかった。 これは図 2 2 に示されるモデルによ り シ ミ ュ レーシ ョ ンを行ったものであり、 このステム 3 0 はその直径 を 1 9 mmと し、 振動検出部およびその他の回路を合わせた領域を荷 重領域 3 1 と し、 荷重領域 3 1が搭載される面の直径を 1 6. 5 mm と している。 また、 このステム 3 0 は段差を有しており、 その段差面 には図示されないハウジングに溶接される溶接部 Mが形成されている といった実際のステム形状に近いものと した。 この図からもわかるよ うに直径を変えずにステム厚 Dを変化させるとステムの共振周波数が 上昇することがわかる。 これは、 溶接部 Mが固定されたものにおいて 、 板状より も立方体状の方が振動しにく いイメージがあること考えれ ば理解できょう。
また、 図 2 1 にステム厚を 2. 8 mmと 3. 5 mmと した場合にお いて、 これらステムに搭載される荷重を変化させた場合のステムの共 振周波数の変化を示した。 図 2 1 は、 荷重領域 3 1を 0. 1 gから 4 . 6 gまで変化させた場合のデータである。 この図から、 ステムに荷 重を加えた場合には、 共振周波数が低下することがわかる。 従って、 荷重を加えた場合にも共振周波数を 4 0 k H z程度に保っためには、 厚くする必要があり、 例えば荷重を 4. 6 gと した場合に、 ステムの 共振周波数を 4 0 k H z にするためには、 図 2 1 において、 ステム厚 が 2 . 8 m mのときにその共振周波数は 2 0 k H zであり、 従って、 共振周波数をその倍にする必要がある。 そして、 図 2 0 において共振 周波数とステム厚とがリニアな関係にあるとすれば、 ステム厚は 4 . 4 m m '必要となる。
実際には圧電素子の重さは 2 O g程度であり、 この圧電素子を搭載 するステムの共振周波数を 4 0 k H z とするためには、 仮にステム厚 が 2 . 8 m mのと き、 荷重を 2 0 gと した場合に、 共振周波数が 1 0 k H zになるとすれば、 ステム厚は少なく 見積もっても 3 m mは厚く した 5 . 8 m m程度にしなければならない。
従って、 ノ ッ クセンサと して大型になるばかりでなく、 ステムにコ ネクタ端子に接続する ピンを通すための貫通孔を打ち抜きあるいは切 削にて開けよう とする場合、 その打ち抜き ピンあるいは切削 ドリ ルの 強度を考慮すると、 その径をステム厚と同程度にする必要があり、 ス テム上にかなり大きな貫通孔を形成する必要がある。 上記のステムの 場合、 荷重を加えられた面に圧電素子等の振動検出部が搭載されると すれば、 径 1 6 . 5 m mの面上に 5 . 8 m mの貫通孔を形成する必要 があり、 素子の搭載領域が狭まってしま う。 従って、 圧電素子以外の 信号処理回路を搭載しよう とすると、 ステムの径を大き く しなければ ならなく なる。 しかしながら、 ステムの径を大き く することは、 同じ 厚さであっても共振周波数が低下を意味しており、 共振周波数を同じ 値に維持するために、 さ らにステム厚を厚く しなければならない。 そ うなると上述したように、 ステム厚に比例して貫通孔の大きさ も大き く しなくてはならないというように、 悪循環を繰り返し、 設計値がで ないといった不具合が生じる。 従って、 圧電素子をその振動検出部に 用いた場合には、 最大検出周波数をせいぜい 1 0 k H zにすることが 限界なのである。 また、 仮に大きな貫通孔で設計したと したと しても 、 それを形成するための装置が必要となるなど工程が複雑になる。 従って、 高周波まで検出可能とするためには、 圧電素子より も軽い ものを使用する必要がある。 図 2 1 に示すよ う に、 ステム厚を 3 . 5 m m程度でも、 ステムの共振周波数を 4 0 k H z に設定可能な荷重は およそ 1 gである。 ステム厚が 3 . 5 m m程度であれば、 貫通孔の形 成も大き く変えることなく形成が可能となる。
また、 固定台座が金属ステムでなく ても、 結局、 固定台座の共振周 波数が低下してしまい、 振動検出に影響を及ぼすこ と にに違いはない そこで、 本願発明者らは、 振動検出部を 1 g以下にできるものと し て、 エアバッグ等に使用される半導体基板に形成される半導体加速度 セ ンサに着目 した。 これは例えば半導体シリ コン基板にエッチング等 により錘部と この錘を支える梁部と梁部が固定される枠部とから構成 され、 錘部が外部の振動により振動し、 その振動により梁部に発生す る応力を感知するこ とで振動を検出するものでり、 本願出願人も多数 市場に出荷している。 そして、 この半導体による振動検出部は非常に 小型で感度がよく、 その重さを十分 1 g以下とすることができる。 発明の開示
従って、 本願発明のノ ッ クセンサは、 半導体基板に形成された錘部 と該錘部を支えるとと もに振動を感知する梁部とを具備するセ ンサ素 子と、 該セ ンサ素子を固定するとと もに、 その強度が金属程度に固い 固定台座と、 該固定台座の前記センサ素子が取り付けられた反対の面 側に配設されるとと もに、 前記センサ素子の出力を外部へ伝達するコ ネクタ部と、 前記センサ素子を覆うように配設されるとと もに、 ェン ジンに取り付けられるハウジングとを有することを特徴と している。 上記構成により、 本発明では、 振動検出部と して、 半導体基板に形 成したセンサ素子と しているため、 その重さを非常に小さ くすること ができる。 従って、 固定台座とハウジングとで形成される空間内に振 動検出部が配設されるノ ッ クセンサと して、 必要感度を低下させるこ となく高周波領域まで検出可能な、 かつ複数のノ ッ ク信号を検出する ことが可能なノ ッ クセンサを提供することができる。 図面の簡単な説明
図 1 は第 1 実施例を表すノ ッ クセンサの断面図である。 図 2 は第 2 実施例を表すノ ッ クセンサの断面図である。 図 3 は第 2実施例の効果 を示す特性図である。 図 4 は第 3実施例を表すノ ッ クセンサの断面図 である。 図 5 は信号処理回路を示すブロ ッ ク図である。 図 6 ( a ) は 片持ち梁構造の振動検出部を示す図である。 ( b ) は両持ち梁構造の 振動検出部を示す図である。 図 7 ( a ) はノ ッ クセ ンサの周波数特性 を示す図である。 ( b ) は梁の幅と共振周波数および感度との関係を 表す図である。 図 8 ( a ) は片持ち梁構造の錘の長さによる振動検出 部の共振周波数と感度との関係を表す図である。 ( b ) は両持ち梁構 造の錘の長さによる振動検出部の共振周波数と感度との関係を表す図 である。 図 9〜図 1 1 は両持ち梁構造の振動検出部において梁の長さ をある値に固定した場合の梁の厚さと共振周波数と感度との関係を表 す図である。 図 9 ( a ) は梁の長さを 0. 1 0 mmと したときであり 、 ( b ) は梁の長さを 0. 1 5 mmと したときでる。 図 1 0 ( a ) は 梁の長さを 0. 2 0 mmと したときであり、 ( b ) は梁の長さを 0. 2 5 mmと したときでる。 図 1 1 ( a ) は梁の長さを 0. 3 0 mmと したときであり、 ( b ) は梁の長さを 0. 3 5 mmと したときでる。 図 1 2 は図 9〜図 1 1 の結果をまとめたものであり、 梁の幅と梁の厚 さの成立領域を表す図である。 図 1 3 は図 1 2 において、 共振周波数 を 6 0 k H z にした場合の梁の幅と梁の厚さの成立領域を示す図であ る。 図 1 4 は錘を大き く した場合の梁の幅と梁の厚さの成立領域を表 す図である。 図 1 5 ( a ) は上記実施例に採用したセンサ素子の構造 図である。 ( b ) はその断面図である。 図 1 6 はホイ一ス ト ンプリ ッ ジを表す図である。 図 1 7 は基板に固定された状態のセンサ素子を示 す断面図である。 図 1 8 ( a ) はセ ンサ素子の一部を示す図である。 ( b ) はその断面図である。 図 1 9 は固定台座に固定された状態の素 子等を載せた状態を表す図である。 図 2 0 はステム厚と共振周波数の 関係を示す図である。 図 2 1 は荷重領域と共振周波数の関係を示す図 である。 図 2 2 は図 2 0及び図 2 1 の特性図を得たモデルを示す図で ある。 発明を実施するための最良の形態 本発明によるノ ッ クセンサの一実施例を図面を基に詳述する。
まず、 ノ ッ クセ ンサ構造の一実施例を説明する。
図 1 は、 ノ ッ クセンサの断面図である。 端子 6を一体成形したコネ ク夕 2 には、 基板 9が接着剤 1 3 により接着されている。 固定台座 9 は金属より も強固なセラ ミ ッ ク基板からなり、 その中には E M I フ ィ ルタを形成するコンデンサ (層間容量) 及びフィ ルタ 8が内蔵または 実装されている。 また、 固定台座 9 には後述する半導体からなるセ ン サ素子 1 1 、 電源回路と増幅回路およびノ ッ ク信号判定回路からなる 信号処理部 1 0が接着されており、 ワイヤ 1 4 にて素子間あるいは外 部と電気的導通を図っている。 また、 固定台座 9 とコネクタ 2 とは、 固定台座 9 に設置されたソケッ ト 7 により電気的に接合されている。 そして、 金属からなるハウジング 1 が固定台座 9を覆うように、 コネ クタ 2 に、 かしめ 1 6および接着剤 4 により固定されている。 また、 固定台座 9 は 0 リ ング 3および接着剤 5 より気密封止されている。 こ のノ ッ クセンサはハウジング 1 のネジ 1 5 により、 ノ ッキング現象を 検出するエンジンに固定される。
上記のように構成されたノ ッ クセンサは、 後に詳述するセンサ素子 1 1 および信号処理部等を合わせた重さが 0 . l g程度にできるため 、 固定台座 9を介してコネクタ側に接続しても、 基板の共振周波数を 4 0 k H z程度に維持することができる。 従って、 コネクタ側に固定 台座を介してセンサ素子を設置しても、 約 1 5 k H z以上の高周波領 域まで検出可能なセンサを提供できる。 また、 ハウジング側にセンサ 素子が設置される場合に比べて、 本構造においては、 予めセ ンサ素子 が搭載された固定台座基板をコネクタ側に設置できるため、 製造工程 が容易になるとと もに、 コネクタの端子と基板との接続が、 容易にか つ確実にできる。
しかし、 本実施例におけるノ ッ クセ ンサは検出する最大周波数がお よそ 1 5 k H z以上と高く 、 コネクタの共振周波数から考えると、 性 能を満足する構造には制約がある。 本構造においては、 振動検出部を を従来の圧電素子を用いたものから半導体からなるセンサ素子を用い ることで実装品の小型化、 軽量化を図ったとと もに、 コネクタの材質 、 形状、 コネクタとハウジングを固定する接着剤のヤング率を最適化 することで、 上記構造を達成した。 その最適化を F E Mにより解析し た。 その結果、 コネクタの材質のヤング率は 1 0 0 0 k g f / m m 2 ~ 2 0 0 0 k g f / m m 2 、 図 1 に示す接着部コネクタ厚さ dは 1〜 3 m m、 接着剤ヤング率は 1 0〜 2 0 0 0 k g f / m m 2 により、 本 構造が成立する。
次に、 第 2実施例と して第 1実施例の変形例を図 2 に示す。 これは 、 コネクタ 2 に固定台座 9の裏面全面に接着剤等により固定されてい る。 そしてコネクタ端子 6 aはワイヤボン ド 1 4 によりセンサ素子 1 1 あるいは信号処理回路 1 0等に接続されている。 そして、 本実施例 の信号処理回路 1 0およびセ ンサ素子 1 1 はかん 2 4 により封止され ると同時にかん 2 4 はハウジング 1 内にて注入硬化させられたシリ コ ンゲル 2 5 に接触するようにされている。 こうすることで、 固定台座 9を介して伝わってく るコネクタ 2の振動をかん 2 4 を介してシリ コ ンゲル 3 1 にて吸収するこ とができ、 固定台座 9 の共振を抑制するこ とができ、 従って、 コネク タの振動が直接センサ素子に伝達すること はない。 よって、 第 1 実施例に比べてその振動対策の設計自由度が增 すことになる。
シ リ コ ンゲル 2 5 による固定台座 9の振動抑制を図 3 ( a ) , ( b ) に示す。 ( a ) 図は、 シ リ コ ンゲルがない状態のものであり、 ( b ) 図はシリ コ ンゲルありの状態のものである。 シリ コ ンゲルがないセ ンサの固定台座 9 においては、 2 0 k H z、 3 0 k H z、 5 0 k H z の周波数帯にてかなり振動しているが、 シリ コ ンゲルありのセンサの 固定台座 9 は上記特異点における振動が抑制されていることがわかる 。 尚、 振動を吸収する部材は特にシリ コンゲルに限るものではない 。 また、 端子 6 a は固定台座 9を突き抜けた構造であってもよい。 次に、 第 3の実施例と して、 半導体からなるセンサ素子を封止する 方法と して、 ハ一メチッ ク シール技術を用いたものを図 4 に示す。
この場合、 センサ素子 1 1 や信号処理部 1 0 は、 基板 1 7を介して 固定台座となる金属ステム 9 ' に固定され、 さ らにハウジング 1 に溶 接固定されている。 このときの金属ステム 9 ' の構造は、 図 2 1 を参 照すると、 厚さは 2. 8 mm、 径は 1 9 mm、 またセンサ素子等が搭 載される面の径は 1 6. 5 mmであり、 取り出しピン 1 8が貫通して いる貫通孔の径は 2. 8 mm程度である。 この実施例においてはセン サ素子 1 1 および信号処理部 1 0 は基板 1 7を介して金属ステム 9 ' 上に搭載されているが、 搭載されている部品の全体の重さはおよそ 0 . 3 gとなる。 また、 後で説明する図 1 9 に示すようにこの基板 1 7 は無く てもよい。
このよ う に本実施例では、 第 1実施例同様にセ ンサ素子と して半導 体からなる振動検出部を用いているため、 小型で感度がよく 、 その重 さを約 0. 3 gと非常に軽くすることができ、 上記のように薄い金属 ステムに搭載したと しても、 金属ステムの共振周波数をほとんど低下 させることなく 4 0 k H z にすることができる。 また、 金属ステムの 厚さが 2. 8 mm程度であり、 容易に取り出しピンの貫通している貫 通孔が容易に形成可能となる。 従って、 製造工程の容易となる構造の ノ ッ クセンサであって、 しかも感度を落とすことなく 高周波数領域ま で検出可能なノ ッ クセンサを提供することができる。
また、 実施例 1 の構造に比べて、 コネクタの材料などに、 特に振動 対策を施す必要はない。 これにより、 コネクタ 2の材質や接着剤の材 質においては、 より選択範囲が広がる。 また、 セ ンサ素子 1 1 や信号 処理部 1 0 は、 プロジヱクシヨ ン溶接や取り出しピン 1 8をガラス封 止することにより、 確実に気密封止される。
また、 上記第 3実施例はハ一メチッ ク シ一ル技術を用いて取り出し ピンを固定し、 気密封止構造と したが、 例えばハ一メチッ ク シールの ガラス材に替え、 フィ ラー入りの接着剤等により取り出しピンを固定 して気密封止するようにしてもよい。 あるいは、 ガラス以外の部材を 貫通孔に揷入し、 気密封止構造とすればよい。
また、 上記第 1乃至第 3実施例においては、 振動を検出するセ ンシ ング部を小型化できたことにより、 固定台座となるセラ ミ ッ ク基板あ るいは金属ステムの径を大き くすることなく 、 センサ素子の出力信号 を増幅する増幅回路と、 増幅された信号を処理し外部にノ ッ ク信号を 出力する判定回路とを同一基板上に設置することが可能となった。 これによる効果を以下に説明する。
まず、 本構造の振動検出回路のブロッ ク図を図 5 に示す。 センサ素 子 1 1 により検出された信号は増幅回路 1 0 aで増幅され、 ノ ッ ク信 号判定回路 1 0 bにおいてエンジン E C Uからの点火信号に同期させ ノ ッキング現象を判定し、 E C Uへ出力する。 なお、 1 0 c は、 増幅 回路 1 0 aおよびノ ッ ク信号判定回路 1 0 b とと もに同一基板上に形 成される電源回路であり、 車等のバッ テ リーから供給される電力を各 回路に供給するものである。 その電圧と しては、 例えば 5 Vの定電圧 を発生させる。 従って、 バッテ リ ーの電圧を 1 2 Vと した場合には、 その差が 7 Vあり、 たとえバッテリ ー電圧がノ イズ等により変動して も安定した電圧を各回路に提供することができる。
かつ、 この図に示すように、 増幅回路 1 0 aで増幅された信号はァ ナ口グ出力であるが、 ノ ッ ク信号判定回路 1 0 bで判定された信号は ディ ジタル出力と して E C Uへ接続されている。 従って、 ノ ッ クセ ン サと してノ イズに強い構成とすることができた。
これによ り、 例えば、 接地 ( G N D ) をエンジン (シャーシ) から 取った場合に、 アナログ出力の際には G N D電位が他の回路の影響を 受けて変動した時、 その変動がアナログ出力に重畳され、 次の信号処 理の段階で誤って処理されてしま う ことがあるのに対し、 ディ ジタル 出力では、 たとえ G N D電位の変動が出力に重畳されても、 次の信号 処理の段階では立ち上がり高さの 1 2で判断されるため、 よほど大 きいノイズでなければ、 そのノイズの影響をを受けることはない。 従 つて、 例えば図 1 に示すように、 実際に G N Dをソケッ ト 7 bおよび ハウジングを介し、 エンジンから取ることが可能となる。 これによつ て、 G N D用配線が必要なく なり信頼性が向上するとともに、 G N D 用のコネクタ端子を設ける必要がなく なりコネクタを小さ くすること ができる。
このよ う に、 セ ンサ素子を小さ く軽いもので構成できるため、 他の 回路素子を固定台座上に搭載することが可能となったこ とにより、 バ ッテリーの変動や G N D電位変動に強いセンサを提供できる。
次に、 本実施例に用いた半導体素子からなるセンサ素子について以 下に説明する。
本願発明者らは、 まず、 センサ素子の共振周波数をどの辺りに設定 したらよいかを検討した。 これは図 6 ( a ) に示されるように、 最大 検出周波数を f s と し、 共振周波数を f r と した場合、 検出領域がフ ラ ッ 卜な特性となるように、 共振周波数が影響しないように共振周波 数 rを設定しなければならない。 しかしながら、 エンジンのノ ツキ ング現象による振動を検出するにあたって、 感度や共振周波数や破壊 強度といったセ ンシ ング部の基本特性を、 半導体加速度セ ンサに用い ていた半導体からなるセンサ素子が満たすことが可能かどうかが問題 となってく る。 これは、 錘形状およびビーム形状、 特にビーム厚およ びビーム幅と、 共振周波数および感度とが密接な関係にあり、 ビーム 厚およびビーム幅を変化させると共振周波数および感度は大き く変化 する。 ビーム幅を例に取ると、 共振周波数はビーム幅の平方根に比例 し、 感度はビーム幅に反比例する。 すなわち、 ビーム幅と共振周波数 、 およびビーム幅と感度とは相反する関係にあるといえる。 これを図 6 ( b ) にそれぞれ実線と破線で示す。 従って、 感度および共振周波 数の基本特性を十分満たす構造が存在するかが問題となってきた。 本願発明者らは、 まず、 安定した出力を得るために、 センサ出力が 、 最大検出周波数においてもフラ ッ 卜な特性となるように、 共振周波 数を設定する必要がある。 図 6 ( a ) を見ても分かるように、 フラ ッ ト領域から共振周波数のピークまでに出力は指数関数的に増加する。 従って、 最大検出周波数における出力の変動が十分小さい値となるよ うに、 共振周波数のピークによる出力の立ち上がりが最大検出周波数 に掛からないように共振周波数を設定しなければならない。 しかしな がら、 この出力の立ち上がりは、 理論解析により求めることは非常に 難しく 、 実際に素子を作製して測定するまで明確にならない。 このよ うに、 ノ ッ クセンサの振動検出部となる半導体加速度センサを設計す ることは容易ではない。
そこで、 本発明者らは、 従来の加速度セ ンサのデータを取り、 それ らを集計した結果、 センサ出力の応答周波数領域が常にフラ ッ トとな る共振周波数 f r と最大検出周波数 f s との関係を、 以下のよ う に見 し )こ
f ≥ A · f s ( 2 . 5 ≤ A≤ 4 )
ただし、 Aは、 錘の支え方によって決まる定数である。 そ して、 こ の関係の発見により、 半導体加速度セ ンサをその振動検出部と して用 いても、 感度や共振周波数や破壊強度といった振動検出の基本特性を 満たすことのできる、 ノ ッ クセンサが実現可能なことが判明した。 そして、 最大検出周波数を 1 5 k H z とすると、 約 4 0 k H z以上 であれば良いことがわかる。
次に、 センサ構造について検討した。 図 6 ( b ) に示したとおり、 例えばビーム幅において、 共振周波数と感度とは ト レー ドオフの関係 にあり、 必要とされる共振周波数と感度とを同時に満たすセ ンサ構造 について検討した。 本願発明者らは、 図 7 に示す構造について検討し た。 ( a ) 図に示したものは、 錘 4 1 を梁 4 2 により支えるものであ る。 また ( b ) 図に示すものは、 錘 2 1 を 4本の梁 (ビーム) 2 2 に より支えられた構造である。 図中の斜線部はエッチングにより除去さ れる部分である。 以下、 ( a ) 図に示したものを片持ち梁構造と し、 ( b ) 図に示したものを両持ち梁構造とする。
図 8 ( a ) , ( b ) に上記片持ち梁構造と両持ち梁構造について 、 共振周波数を 4 0 k H z以上、 感度を 1 2 VZG以上と して実際 に設計解が存在するかを検討したものを示す。 これは、 横軸が錘 4 1 あるいは 2 1 の長さにと り、 左側の縦軸を共振周波数、 右側の縦軸を 感度と し、 共振周波数を実線によ り、 また感度を点線により示した。 この両図より、 片持ち梁構造においては上記条件を満たすためには錘 長が 0. 3 5〜 0. 3 6 mm程度と非常に狭い範囲でしか設計解が存 在せず、 工程上、 歩留りよく この範囲に錘長を合わせることはほとん ど不可能である。 それに対し、 両持ち梁構造のものでは錘長が 0. 6 〜 2. 7 mm程度と、 十分歩留り良く製造可能な範囲であることがわ かった。 従って、 感度および強度の両方を同時に満たす構造と して 歩留り良く製造可能なのは両持ち梁構造となる。
また、 次に、 梁 (ビーム) の長さおよび厚さについて検討した。 これは、 図 7 ( b ) に示すようにビーム幅 W B はその幅のなかに形 成するピエゾ抵抗素子により、 最小値がほぼ 0. 1 3 m mとなってし ま う。 従って、 素子を小型化しょう とする場合、 錘の大きさあるいは 梁の長さによって決ま ってく る。 錘はその加工精度により図 7 ( b ) に示される上面の面積が 1. 2 X 0. 7のおよそ 0. 9 mm2 となる 。 また、 錘の厚さは加工するウェハの厚さに依存され、 今回のサンプ ルにおいてはほぼ 0. 3 mmとなる。 従って、 図 7 ( b ) に示される 梁の長さ L B について検討することが小型化における重要なボイ ン ト となる。
図 9 ( a ) , ( 3 ) 、 図 1 0 ( 3 ) , ( b ) 、 図 1 1 ( a ) , ( b ) にビームの長さ L B をパラメータと して 0. 0 5〜 0. 3 5 mmま で変化させた時の共振周波数および感度を上記と同様な条件を満たす ビーム厚の成立領域を調べた。 その結果、 図 1 2 に示すように、 上記 条件の基に得られた成立ビーム厚さ間隔と ビーム長さを示す。 こ こで 、 ビーム厚はエッチング液を用いたゥヱ ッ トエッチングにより形成さ れるものであるため、 エッチングを オーダ一の精度で行う ことは 非常に難しく 、 およそ 4 〃 mのばらつきを有する。 従って、 この 4 mを差し引いた領域が歩留り良く ビームを形成するこ とのできる領域 となる。 これを図 1 1 より求めると、 ビーム長さを 0. 0 5 ~ 0. 2 1 5 mmとなる。 下限の 0. 0 5 mmは、 加工限界を示すものである こ こで、 上述したように振動検出部は最大検出周波数を 1 5 k H z とすると、 約 4 0 k H z以上であれば良く 、 そのように設計すればよ いが、 センサ素子は半導体であり、 結晶性の高いものであるため、 共 振時の Qは非常に高い。 よって、 固定台座とセンサ素子の共振が同一 になると、 この振動成分が加わつた時にセンサ素子が大きな振動を起 こ し、 S /Nの低下、 ひいては破壊に至る可能性がある。 そこでこの 様なことをさける為、 センサ素子の共振周波数を 6 0 k H z以上と し 、 上記のように成立ビーム厚さ間隔と ビーム長さとの関係を調べた。 その結果を図 1 3 に示す。 このよ う に共振周波数 6 0 k H z以上、 感 度 1 2 VZG以上と した場合では、 成立ビーム厚の存在するビーム 長さ領域は 0. 0 5 ~ 0. 1 mm程度となる。
また、 錘の大きさをほぼ倍にするとと もに、 上記のように S / Nお よび強度を考慮し、 共振周波数を 6 0 k H z と したものにおいて図 1 3 と同様な条件の基で成立ビーム厚を求めた。 これは錘を図 1 3のデ —夕を得たものよ り もその大きさを図 1 4 ( a ) においては、 2. 0 2倍のものを、 また図 1 4 ( b ) においては 2. 1 4倍のものを用い て得たデータである。 これは、 上限値を調べたものであり、 この図か らビームの長さの上限値は 0. 2 1 5 m mとなることがわかる。
従って、 両持ち梁構造において、 錘の面積を小さ く して小型化を図 り、 かつノ ッ クセンサと しての最低限の条件 (共振周波数 4 0 k H z 以上 · 感度 1 2 VZG以上) を考慮した場合と、 大型であっても共 振周波数を 6 0 k H z以上と して SZN及び強度を考慮した場合とに おいては、 ビーム長さは 0. 0 5 ~ 0. 2 1 5 mmとなる。 さ らに、 サイズを小型化して SZN及び強度を考慮した場合には、 梁の長さは 0. 0 5〜 0. 1 mm程度が好適となる。
また、 上記のような両持ち梁構造は以下に示すような配慮が成され ている。
すなわち、 共振点は一つではなく幾つも存在し、 特に、 錘が垂直に 共振する一次共振と錘が捩じれるように共振する二次共振とが大き く 、 一次共振周波数と二次共振周波数とが近いと錘が複雑に振動し、 梁 (ビーム) が破壊されてしま う。 従って、 梁の強度を考慮すると、 一 次共振周波数と二次共振周波数とが離れていることが要求される。 以上のことから、 図 1 4 に示すような長方形の錘 2 1 を 4つのビー ム 2 2 により支える構造のものと した。 この構造では、 捩じれが発生 しにく く なるため、 一次共振周波数と二次共振周波数とを離すことが できる。 また、 振動検出においてもホイース ト ンブリ ッ ジ回路を形成 できるため、 高い感度が得られる。 本実施例においては、 共振周波数を 6 0 k H z以上、 感度を 1 2 / Vノ G以上に設定し、 梁構造および錘構造を以下のとおり設定した。 図 1 4 ( a ) に示すビーム幅 W B は 0 . 1 3 m mとなる。 また、 ビー ム長 L B は 0 . 1 1 m mとなった。 また、 ビーム厚 T B は、 ビーム上 にピエゾ素子を形成するため、 その P N接合によって決定され、 本実 施例では 1 3 mと した。 また、 図 1 4 ( b ) に示す錘厚 T M は、 使 用するウェハ厚さにより決定され、 本実施例において、 T M は 0 . 3 m mと した。 また、 錘幅 W M は、 感度の関係上、 錘を形成するための エッチングの面方位を ( 1 0 0 ) 面と しており、 エッチングにより基 板がテーパ付けされるため、 錘厚 T M により決定される。 本実施例に おいては、 余裕を取って 0 . 7 m mと した。 そ して、 錘長 L M におい ては、 この錘幅 W M を基に一次共振と二次共振とを離すようにして設 計する必要があり、 本実施例においては、 1 . 2 m mと した。
これらの数値は、 設定する共振周波数を基にして、 製造工程や使用 ウェハ、 あるいは一次および二次の共振周波数との関係等を考慮して 、 その都度設定すればよい。
次に、 錘の振動を検出する検出方法について説明する。
本実施例においては、 ピエゾ素子 2 3を図 1 5 ( a ) に示すように 配置した。 このよう に、 錘側の素子 2 3 aおよび素子 2 3 c と、 固定 枠側の素子 2 3 bおよび素子 2 3 d というように配置し、 図 1 6のよ う にホイース ト ンプリ ッ ジ結線すると指向性が向上する。 すなわち、 錘 2 1 が垂直に振動する場合には、 素子 2 3 a (素子 2 3 c ) と、 素 子 2 3 b (素子 2 3 d ) とが互いに異なる応力、 すなわち引っ張り応 力と圧縮応力とが掛かることになり、 セ ンサ感度が向上し、 また、 捩 じれの振動 (他軸の振動) に対しては、 素子 2 3 a (素子 2 3 c ) と 、 素子 2 3 b (素子 2 3 d ) とが互いに同一な応力が掛かるため、 図 1 6のホイ ース ト ンブリ ッ ジにおいて、 他軸感度をキャ ンセルするこ とができる。 なお、 図 1 5 ( b ) は ( a ) 図の断面図であり、 また図 1 6の m, nは出力であり、 Vは電源を表す。 なお、 ピエゾ素子の配 置数は 4つに限らず、 例えば 8つでもよい。
以上のように、 素子を設計することで、 共振周波数 6 0 k H z以上 、 感度 1 2 VZG以上を満たすこ とができ る。
また、 検出周波数が従来の加速度センサの数百 H z比べ、 約 1 5 k H z以上とかなり、高く なったため、 加速度センサのビームを強固にす ることができる。 これにより、 検出振動領域での錘 2 1 の変 {Ϊが数 m程度となり、 この空隙を接着剤 1 8 (厚さ約 1 0 m) で設けるこ とにより、 図 1 7 に示すように、 従来加速度センサを設置するための 台座に必要であった凹部 (図中の点線部) が不要となった。 これによ り、 台座 1 2 に凹部を形成するための工程を減らすことができる。 さ らに、 台座 1 2 と錘 2 1 との空隙が接着剤 1 8の厚さ約 1 0 mと狭 いため、 強い衝撃により錘 2 1 が大き く振動する場合に、 台座 1 2が 錘 2 1 の振動ス ト ツバとなり、 センサビームの破壊を防ぐことができ る。
また、 破壊強度は、 本構造において、 4 7 0 0 0〜 4 8 0 0 0 Gが 得られる。 この破壊強度は、 特に、 製造工程やノ ッ クセンサを取り付 けるまでの運搬工程等に於いて問題となり、 実際のコ ンク リ一 ト上ゃ 樫の木上での落下試験を基に設計する値であり、 実際の落下衝撃と ビ —ムの共振周波数とを加味して決定される。 今回のように共振周波数 6 0 k H zの場合、 5 0 0 0 0 Gまであれば十分といった結果が出た ため、 上記 4 7 0 0 0 ~ 4 8 0 0 0 Gという値はほぼ十分と言える。 なお、 これを 5 0 0 0 0 Gまで上げたいというのであれば、 図 1 8 ( a ) および、 その A— A ' '間の断面 ( b ) 図の破線で示すビーム付 け根部 5 0を薄膜化すればよい。 このようにすると、 図中の〇印で示 した部分の応力集中を緩和するこ とができ、 ビーム強度を増すことが できる。
また、 図 1 8 に示す構造と した場合には以下に示す波及効果も奏す る。
すなわち、 ピエゾ素子は重りが振動した際に、 梁の応力が最も最大 となる一方の固定点である重り と梁との付け根あるいは他方の固定点 である梁と枠との付け根に配置することが望ま しい。 しかしながら、 素子が上記実施例の如く小さ く なつてく ると、 ピエゾ素子を形成する ためのマスクの位置合わせに精度の非常に高いものが要求される。 マ スクずれをおこ してピエゾ素子が重り と梁との付け根あるいは梁と枠 との付け根からずれてしまい、 梁には掛からずに重りの中のみあるい は枠の中のみにピエゾ素子が形成された場合には、 その素子の応力感 度は非常に低下してしまう。 そこで、 上記図 1 8のような構造と した ことにより、 多少マスクずれが有ったと してもピエゾ素子は最大応力 付近に必ず形成されることになり、 従来のようにマスクずれが発生し た場合に応力をあま り感知できなく なることがあるという不具合を解 消することができる。
また、 図 1 9 に示すような固定台座 9が 5 0 に示される固定部によ りハウジングあるいはコネクタに溶接あるいは接着等により、 固定さ れる、 第 1 、 第 3実施例に示されるノ ッ クセンサにおいては、 固定台 座 9の周囲を固定される構造のため、 その中心部にセ ンサ素子 1 1 や 信号処理回路 1 0 a , b等が搭載されると最も共振周波数が低下する 。 従って、 上記素子および信号処理回路等の重心が固定台座の固定部 からみた重心点に置かないようにすると共振周波数の低下をある程度 抑制することができる。 また、 図 4 に示すように、 固定台座 9 とセン サ素子および信号処理回路等との間にさらに台座 (基板 1 7 ) がある ような構造のものにおいては、 その台座とセ ンサ素子および信号処理 回路等の合わせた重心が固定部からみた重心点にならないようにする と良い。 すなわち、 その周辺部が固定される固定台座の重心点に、 そ の上に搭載される素子のあわせた重量の見かけ上の重心点が、 重なら ないようにすればよい。 産業上の利用可能性
本発明は、 車両等に搭載されるエンジンのノ ッキング現象を検出す る振動検出装置と して、 製造工程が容易な構造を採用 しつつ、 しかも 高周波数領域までも感度を落とすこ とな く 検出可能なノ ッ クセ ンサと して利用でき る。

Claims

請求の範囲
1 . 半導体基板に形成された錘部と該錘部を支えるとと もに振動を 感知する梁部とを具備するセンサ素子と、
該セ ンサ素子を固定するとと もに、 その強度が金属程度に固い固定 台座と、
該固定台座の前記セ ンサ素子が取り付けられた反対の面側に配設さ れるとと もに、 前記センサ素子の出力を外部へ伝達するコネクタ部と 前記固定台座とと もに形成する空間内に前記セ ンサ素子を配設する ように設けられるとと もに、 エンジンに取り付けられるハウジングと を有することを特徴とするノ ッ クセンサ。
2 . 前記セ ンサ素子は、 半導体基板に形成されるとと もに、 四角形 状の枠部と、
該枠部の略中央に該枠部から離間して配置される長方形上の錘部と 前記枠部の対向する両辺から前記錘部を支えるように接続され、 前 記対向する両辺の片側から 2本づっ所定の間隔にて配置される梁部と を有している請求の範囲第 1項に記載のノ ッ クセンサ。
3 . セ ンサ素子と、
エンジンに直接取り付けられるハウジング部と、
該ハウジングとと もに、 前記セ ンサ素子を封止するコネクタ部と を有し、 エンジンのノ ッキング現象による振動を前記センサ素子に おいて感知するノ ッ クセ ンサにおいて、
前記セ ンサ素子は半導体基板に形成されるとと もに、 四角形状の枠 部と、
該枠部の略中央に該枠部から離間して配置される錘部と、 前記枠部の対向する両辺から前記錘部を支えるように接続され、 前 記対向する両辺の片側から 2本づっほぼ同等の間隔にて配置される梁 部と
を有していることを特徴と したノ ッ クセンサ。
4 . 前記梁部の前記枠部から前記錘部に至る長さが 0 . 0 5 〜 0 . 2 1 5 m mの範囲である請求の範囲第 2項又は第 3項に記載のノ ッ ク セ ンサ。
5 . 前記センサ素子は検出周波数領域以外のノイズとなる振動を吸 収する吸収部材をその周りに配設し、 ノイズとなる振動が前 センサ に伝達しないようにしたことを特徴とする請求の範囲第 4項に記載の ノ ッ クセ ンサ。
6 . 前記センサ素子は前記ハウジング部と溶融接合可能な固定台座 に配置され、 該台座とハウ ジング部とが溶融接合された請求の範囲第 1項乃至第 3項のいずれかに記載のノ ッ クセンサ。
7 . 定電圧源あるいは 2値化信号出力手段を有する請求の範囲第 1 項乃至第 6項のいずれかに記載のノ ッ クセンサ。
8 . 前記固定台座はその周辺部が所定場所に固定されるものであり
、 該固定台座上に搭載される素子、 部品あるいは該素子、 部品等を合 わせた素子群の見かけ上の重心点が固定された状態の前記固定台座の 重心点からずれている請求の範囲第 1 項乃至第 7項のいずれかに記載 のノ ッ クセンサ n
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