WO1993015243A1 - Verfahren zum herstellen von starren verbindungen zwischen einkristallinen körpern - Google Patents

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WO1993015243A1
WO1993015243A1 PCT/DE1992/001045 DE9201045W WO9315243A1 WO 1993015243 A1 WO1993015243 A1 WO 1993015243A1 DE 9201045 W DE9201045 W DE 9201045W WO 9315243 A1 WO9315243 A1 WO 9315243A1
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melt
stack
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defect
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Thomas Berthold
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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure

Definitions

  • components which consist of at least two single-crystalline parts, each with a different orientation. These two monocrystalline parts should grow together as much as possible.
  • Superconductor substrates with defined grain boundaries are required for the production of Josephson junctions in high-temperature superconductors.
  • As superconductor substrates such. B. single crystals of NdGaO, or SrTiO used.
  • the interface between the single crystal parts in the single crystal must not appear as a macroscopic defect in these applications. Optical scattering centers or cracks must be avoided. Ideally, the interface is designed as a band of step dislocations, as is the case with small-angle grain boundaries of real crystals.
  • Another method for producing interfaces is that the surfaces of two crystals which are to form an interface are coated with another substance with a lower melting point than that of the crystals. The crystals are then pressed together on the coated surfaces and heated above the melting point of the other coating substance. The coating substance diffuses partially into the crystals, the remaining portions on the surfaces melt together (see BM Fuji oto et al, Oap. J. Appl. Phys. Vol. 26 No. 9 (1987) p. 1594 - 1595).
  • the invention is based on the problem of a method for producing rigid connections between single-crystalline ones 1 Specify bodies of the same composition with which interference-free interfaces between adjacent single-crystalline bodies with a predetermined course can be reliably produced.
  • the method according to the invention can be used to connect single-crystalline bodies from all congruently melting ones
  • the method can be used in particular for connecting single-crystalline bodies of the same composition.
  • the method can be used in particular for single-crystal bodies made of NdGaO and SrTiO. These materials are used as substrate crystals for high temperature superconductors.
  • the interface between adjacent single-crystalline bodies is defined by the essentially defect-free surfaces.
  • the course of the interface does not change during the process.
  • the method according to the invention allows the rigid connection to be established more quickly than is the case in the known methods. Crystal growing or sintering takes several hours. Crystallization of the melt
  • the rigid connections are formed within a few seconds. Heating up and cooling down times are the same
  • 1 to 3 show the sequence of the method according to the invention, the melt being prepared in a crucible.
  • FIG. 4 shows an enlarged section from FIG. 3.
  • 5 to 7 show the sequence of the method according to the invention, the melt being prepared by melting the monocrystalline body.
  • Each monocrystalline body 11 has at least one essentially defect-free surface 13.
  • Machining-related crystal defects can be removed by etching or polishing prior to placement in stack 12.
  • the defect-free surfaces 13 must be smooth, but do not need to be flat.
  • the monocrystalline bodies 11 are arranged with respect to one another such that the essentially defect-free surfaces 13 of adjacent monocrystalline bodies 11 face each other and form an intermediate space 14. It is advantageous to set the distance between adjacent, essentially defect-free surfaces 13, which delimit a space 14, between 0.05 and
  • the essentially defect-free surfaces 13 should run essentially parallel.
  • the single-crystalline bodies 11 are arranged in the stack 12 in such a way that the defect-free surfaces 13 are all essentially parallel to one another.
  • the stack 12 is clamped in a holder 15 such that the defect-free surfaces 13 are aligned parallel to the direction of gravity.
  • a melt 17 is produced, from which the material of the single-crystalline body 11 can be produced by crystallization, and is heated to a temperature of e.g. B. brought 10 to 40 * above the melting temperature.
  • the melt 17 is produced in particular by melting a substance of the same composition as the single-crystalline body.
  • the stack is heated to a temperature just below the melting temperature. Then the stack 12 is brought into contact with the melt 17 (see FIG. 2). The melt 17 wets all single-crystal bodies 11 on the underside and is sucked up into the intermediate spaces 14 by capillary action.
  • the temperature of the stack 12 is chosen so that when the melt 17 and stack 12 come into contact, the melt 17 is not noticeably cooled. Since only the underside of the single-crystal body 11 is brought into contact with the melt 17, melting of the single-crystal body 11 is avoided.
  • the stack 12 is drawn off from the melt 17 (see FIG. 3). It is advantageous to fill the intermediate spaces 14 in a vacuum.
  • the melt 17 located in the intermediate spaces 14 crystallizes from the surfaces 13 delimiting the intermediate spaces 14 in such a way that the single-crystalline bodies 11 each have a new interface 30 formed in the middle of the original intermediate spaces 14 (see FIG. 4 ) are rigidly connected to each other. Bumps on the
  • defect-free surfaces 13 are compensated for during crystallization. Finally, the stack is cooled, the cooling rate being based on the expansion coefficients of the material and the orientation angles between the adjacent monocrystalline bodies.
  • monocrystalline bodies 21, each with at least one essentially defect-free surface 23, are arranged in a stack 22 (see FIG. 5).
  • the essentially defect-free surfaces 23 of adjacent monocrystalline bodies 21 face each other and delimit a space 24.
  • a width of the space 24 of 0.05 to 0.01 mm is advantageous.
  • the single-crystalline bodies 21 are arranged in the stack 22 in such a way that the defect-free surfaces 23 run essentially parallel.
  • the stack 22 is clamped in a holder 25.
  • the stack 22 is heated to a temperature just above the melting temperature.
  • the monocrystalline bodies 21 begin to melt and form a melt 27
  • melt 27 penetrates into the spaces 24 (see FIG. 6). As soon as the spaces 24 are filled with melt 27, the stack 22 is cooled below the melting temperature. It is advantageous to fill the spaces 24 in vacuo. The melt 27 crystallizes from the defect-free surfaces 23 (see FIG. 7). As a result, the single-crystalline bodies 21 are firmly connected to one another at a new interface which forms in the middle of the former intermediate spaces 24.
  • the first embodiment of the invention in which the melt is produced in a crucible, can be referred to as soldering the monocrystalline bodies, based on similar processing methods for metals.
  • the second embodiment of the invention can accordingly be referred to as welding the monocrystalline bodies.

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Abstract

Es werden mindestens zwei einkristalline Körper (11) mit jeweils einer defektfreien Oberfläche (13) so in einem Stapel (12) angeordnet, daß sich die defektfreien Oberflächen (13) gegenüberstehen und daß zwischen den defektfreien Oberflächen (13) ein Zwischenraum (14) gebildet wird. Der Zwischenraum (14) wird mit einer Schmelze (17) gefüllt, die durch Kristallisation das Material der einkristallinen Körper (11) bildet. Durch Kristallisation der Schmelze (17) an den defektfreien Oberflächen (13) wird eine starre Verbindung zwischen jeweils zwei einkristallinen Körpern (11) gebildet.

Description

Verfahren zum Herstellen von starren Verbindungen zwischen einkristallineπ Körpern
Für verschiedene Anwendungen werden Bauteile benötigt, die aus mindestens zwei einkristallinen Teilen mit jeweils unter¬ schiedlicher Orientierung bestehen. Diese beiden ein- kristallinen Teile sollen dabei möglichst miteinander ver¬ wachsen sein.
In der Optik finden z. B. orientierungsbedingte Unterschiede des Brechungsindex Anwendung. Dazu werden Einkristalle benötigt, in denen die Teile unterschiedlicher Orientierung an einer klebemittelfreien Grenzfläche aufeinanderstoßen.
Für die Herstellung von Josephson Junctions in Hoch¬ temperatursupraleitern werden Supraleitersubstrate mit de- finierten Korngrenzen benötigt. Als Supraleitersubstrate werden z. B. Einkristalle aus NdGaO, oder SrTiO, verwendet.
Die Grenzfläche zwischen den einkristallinen Teilen in dem Einkristall darf in diesen Anwendungen nicht als makroskopischer Defekt in Erscheinung treten. Optische Streu¬ zentren ooer Risse müssen vermieden werden. Im Idealfall ist die Grenzfläche als Band von Stufenversetzungen ausgebildet, wie es auch bei Kleinwinkelkorngrenzen von realen Kristallen der Fall ist.
Es ist bekannt (s. z. B. B. Chalmers, Proc. Roy. Soc. A 175 (1940) S. 100) solche Grenzflächen zwischen einkristallinen Teilen unterschiedlicher Orientierung durch Züchtung von Bi¬ kristallen herzustellen. Dabei werden zwei Keimkristalle vor- gegeben, aus denen in einem normalen Kristallzuchtverfahren, etwa dem Czochralski-Verfahren oder dem Bridgman-Verfahren, der Einkristall gezüchtet wird. Im Verlauf des Wachstums der beiden Keimkristalle bildet sich dazwischen eine Korngrenze aus. In diesem Verfahren lassen sich in einem Züchtungsvorgang im allgemeinen nur wenige, meist nur eine Korngrenze her¬ stellen. Im übrigen ist es schwer, den Verlauf der Grenz- flächen bei der Züchtung so genau zu kontrollieren, wie es für technische Anwendungen erforderlich ist.
Ein weiteres Verfahren zum Herstellen von Grenzflächen zwischen einkristallinen Teilen unterschiedlicher Orientierung besteht im Sinterfügen von Kristallen (s. D. Dimos et al,
Phys. Rev. B Bd 41 Nr. 7 (1990) S. 4038 - 4049). Dabei werden zwei Kristalle mit den Oberflächen, die die Grenzfläche bilden sollen, zusammengepreßt. Sie werden bei Temperaturen weit unterhalb ihres Schmelzpunktes zusammengesintert. Dabei kann auf die Verbindungsfläche ein Sinterhilfsmittel aufgebracht werden. In diesem Verfahren ist nachteilig, daß an der Grenz¬ fläche größere Hohlräume, die durch eine leichte Rauhigkeit oder unvollkommene Parallelität der Oberflächen der beiden Ausgangskristalle oder durch das Schrumpfen der Sinterhilfen entstehen können, nicht geschlossen werden können. Im übrigen enthält der Prozeß des Zusammenfügens viele störungsanfällige Schritte.
Ein weiteres Verfahren zur Herstellung von Grenzflächen be- steht darin, daß die Oberflächen zweier Kristalle, die eine Grenzfläche bilden sollen, mit einer anderen Substanz mit niedrigerem Schmelzpunkt, als dem den die Kristalle haben, beschichtet werden. Die Kristalle werden dann an den be¬ schichteten Flächen zusammengepreßt und über den Schmelzpunkt der anderen Beschichtungssubstanz erhitzt. Die Beschichtungs- substanz diffundiert zum Teil in die Kristalle, die ver¬ bleibenden Anteile auf den Oberflächen schmelzen zusammen (s. z. B. M. Fuji oto et al, Oap. J. Appl. Phys. Bd. 26 Nr. 9 (1987) S. 1594 - 1595).
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen von starren Verbindungen zwischen einkristallinen 1 Körpern gleicher Zusammensetzung anzugeben, mit dem störungs¬ freie Grenzflächen zwischen benachbarten einkristallinen Körpern mit vorgegebenem Verlauf sicher herstellbar sind.
f 5 Dieses Problem wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Ver¬ fahren nach Anspruch 1.
Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich zum Verbinden von einkristallinen Körpern aus allen kongruent schmelzenden
10 Materialien anwenden. Das Verfahren ist insbesondere zum Ver¬ binden einkristalliner Körper gleicher Zusammensetzung anwend¬ bar. Das Verfahren ist insbesondere für einkristalline Körper aus NdGaO, und SrTiO., verwendbar. Diese Materialien werden als Substratkristalle für Hochtemperatursupraleiter verwendet.
15
Die Grenzfläche zwischen benachbarten einkristallinen Körpern ist bei dem erfindungsgemäßen Verfahren durch die im wesentlichen defektfreien Oberflächen festgelegt. Der Verlauf der Grenzfläche ändert sich während des Verfahrens nicht.
20
Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt eine schnellere Her¬ stellung der starren Verbindung, als es in den bekannten Ver¬ fahren der Fall ist. Kristallzucht oder Sinterung dauern mehrere Stunden. Die Kristallisation der Schmelze zur Aus-
25 bildung der starren Verbindungen erfolgt dagegen innerhalb weniger Sekunden. Aufheiz- und Abkühlzeiten sind jeweils gleich
In dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, eine große Zahl von einkristallinen Körpern in einem Stapel anzuordnen 30 und gleichzeitig untereinander durch starre Verbindungen zu verbinden. Darüberhinaus lassen sich in einem Arbeitsgang mehrere Stapel bearbeiten. Dadurch sind größere Chargen möglich.
35 Das erfindungsgemäße Verfahren ist geeignet zum Herstellen
#• von starren Verbindungen zwischen einkristallinen Körpern beliebiger Kristallorientierungen. Es ist sowohl für ein- kristalline Körper gleicher als auch unterschiedlicher Kristallorientierung anwendbar.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den übrigen Ansprüchen hervor.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von zwei. Aus¬ führungsbeispielen und der Figuren näher erläutert.
Fig. 1 bis Fig. 3 zeigt den Ablauf des erfindungsgemäßen Ver¬ fahrens, wobei die Schmelze in einem Tiegel bereitet wird.
Fig. 4 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt aus Fig. 3.
Fig. 5 bis Fig. 7 zeigt den Ablauf des erfindungsgemäßen Ver¬ fahrens, wobei die Schmelze durch Anschmelzen der ein¬ kristallinen Körper bereitet wird.
Es werden z. B. vier einkristalline Körper 11 aus z. B. NdGaO, oder SrTiO, als Stapel 12 angeordnet (s. Fig. 1). Jeder ein¬ kristalline Körper 11 weist mindestens eine im wesentlichen defektfreie Oberfläche 13 auf.
Bearbeitungsbedingte Kristalldefekte können vor dem Anordnen im Stapel 12 durch Ätzen oder Polieren entfernt werden. Die defektfreien Oberflächen 13 müssen glatt sein, brauchen je¬ doch nicht eben zu sein.
Die einkristallinen Körper 11 werden so zueinander angeordnet, daß die im wesentlichen defektfreien Oberflächen 13 benach¬ barter einkristalliner Körper 11 sich gegenüberstehen und einen Zwischenraum 14 bilden. Dabei ist es vorteilhaft, den Abstand benachbarter, im wesentlichen defektfreier Oberflächen 13, die einen Zwischenraum 14 begrenzen, zwischen 0,05 und
0,01 mm einzustellen. Die im wesentlichen defektfreien Ober¬ flächen 13 sollen im wesentlichen parallel verlaufen.
H In dem Stapel 12 sind die einkristallinen Körper 11 so ange¬ ordnet, daß die defektfreien Oberflächen 13 alle zueinander im wesentlichen parallel sind.
Der Stapel 12 wird so in einen Halter 15 eingespannt, daß die defektfreie Oberflächen 13 parallel zur Richtung der Schwer¬ kraft ausgerichtet sind.
In einem Tiegel 16 wird eine Schmelze 17 hergestellt aus der das Material der einkristallinen Körper 11 durch Kristalli¬ sation herstellbar ist, und auf eine Temperatur von z. B. 10 bis 40 * über der Schmelztemperatur gebracht. Die Schmelze 17 wird insbesondere durch Aufschmelzen einer Substanz gleicher Zusammensetzung wie die einkristallinen Körper hergestellt.
Der Stapel wird auf eine Temperatur knapp unter der Schmelz¬ temperatur erhitzt. Dann wird der Stapel 12 mit der Schmelze 17 in Kontakt gebracht (s. Fig. 2). Dabei benetzt die Schmelze 17 alle einkristallinen Körper 11 an der Unterseite und wird durch Kapillarwirkung in die Zwischenräume 14 hochgesaugt.
Die Temperatur des Stapels 12 wird so gewählt, daß beim Kontakt von Schmelze 17 und Stapel 12 die Schmelze 17 nicht merklich abgekühlt wid. Da nur die Unterseite der einkristallinen Körper 11 mit der Schmelze 17 in Kontakt gebracht werden, wird ein Anschmelzen der einkristallinen Körper 11 vermieden.
Sobald die Schmelze die Zwischenräume 14 gefüllt hat, wird der Stapel 12 von der Schmelze 17 abgezogen (s. Fig. 3). Es ist vorteilhaft, das Befüllen der Zwischenräume 14 im Vakuum durchzuführen.
Die in den Zwischenräumen 14 befindliche Schmelze 17 kristallisiert ausgehend von den die Zwischenräume 14 be¬ grenzenden Oberflächen 13 so aus, daß die einkristallinen Körper 11 jeweils durch eine neue, sich in der Mitte der ursprünglichen Zwischenräume 14 bildende Grenzfläche 30 (s. Fig. 4) miteinander starr verbunden sind. Unebenheiten an den
__" defektfreien Oberflächen 13 werden bei der Kristallisation ausgeglichen. Schließlich wird der Stapel abgekühlt, wobei sich die Abkühlgeschwindigkeit nach den Ausdehnungsko¬ effizienten des Materials und den Orientierungswinkeln zwischen den benachbarten einkristallinen Körpern richtet.
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel werden einkristalline Körper 21 mit jeweils mindestens einer im wesentlichen defekt- freien Oberfläche 23 in einem Stapel 22 angeordnet (s. Fig. 5). Dabei stehen sich von benachbarten einkristallinen Körpern 21 die im wesentlichen defektfreien Oberflächen 23 jeweils gegenüber und begrenzen einen Zwischenraum 24. Eine Breite des Zwischenraums 24 von 0,05 bis 0,01 mm ist vorteilhaft. Die einkristallinen Körper 21 sind in dem Stapel 22 so angeordnet, daß die defektfreien Oberflächen 23 im wesentlichen parallel verlaufen. Der Stapel 22 wird in einen Halter 25 eingespannt.
Der Stapel 22 wird erwärmt auf eine Temperatur knapp ober¬ halb der Schmelztemperatur. Dabei beginnen die einkristallinen Körper 21 zu schmelzen und bilden eine Schmelze 27. Die
Schmelze 27 dringt in die Zwischenräume 24 ein (s. Fig. 6). Sobald die Zwischenräume 24 mit Schmelze 27 gefüllt sind, wird der Stapel 22 unter die Schmelztemperatur abgekühlt. Es ist vorteilhaft, das Befullen der Zwischenräume 24 im Vakuum durch- zuführen. Die Schmelze 27 kristallisiert von den defektfreien Oberflächen 23 ausgehend aus (s. Fig. 7). Dadurch werden die einkristallinen Körper 21 an einer neuen, sich in der Mitte der ehemaligen Zwischenräume 24 bildenden Grenzfläche fest miteinander verbunden.
Auch in dieser Ausführungsform werden durch die Kristallisation der Schmelze Unebenheiten an den defekt- freien Oberflächen ausgeglichen. Der Stapel wird schließlich abgekühlt, wobei sich die Abkühlgeschwindigkeit nach den Aus- dehnungskoeffizienten des Materials und den Orientierungs¬ winkeln zwischen den Kristallgittern in den einkristallinen Körpern 21 richtet. Die erste Ausführungsform der Erfindung, bei der die Schmelze in einem Tiegel hergestellt wird, kann, in Anlehnung ähnlicher Bearbeitungsverfahren von Metallen, als Löten der ein¬ kristallinen Körper bezeichnet werden. Die zweite Ausführungs¬ form der Erfindung kann entsprechend als Verschweißen der ein¬ kristallinen Körper bezeichnet werden.
~

Claims

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen von starren Verbindungen zwischen einkristallinen Körpern, - bei dem mindestens zwei einkristalline Körper (11, 21) mit jeweils mindestens einer im wesentlichen defektfreien Ober¬ fläche (13, 23) so in einem Stapel (12, 22) angeordnet werden, daß sich die im wesentlichen defektfreien Ober¬ flächen (13, 23) gegenüberstehen und daß zwischen den im wesentlichen defektfreien Oberflächen (13, 23) ein Zwischen¬ raum (14, 24) gebildet wird, - bei dem in den Zwischenraum (14, 24) eine Schmelze (17, 27) eingebracht wird, die durch Kristallisation das Material der einkristallinen Körper bildet, - bei dem durch Kristallisation der Schmelze (17, 27) an den im wesentlichen defektfreien Oberflächen (13, 23) eine starre Verbindung zwischen den zwei einkristallinen Körpern (11, 21) gebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die einkristallinen Körper (11, 21) die gleiche Zu¬ sammensetzung haben.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die im wesentlichen defektfreien Oberflächen (13, 23) der beiden einkristallinen Körper (11, 21) unterschiedliche Kristallorientierungen aufweisen.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die im wesentlichen defektfreien Oberflächen (13, 23) durch Ätzen oder Polieren prepariert werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die im wesentlichen defektfreien Oberflächen (13, 23) in einem Abstand von 0,05 bis 0,01 mm angeordnet werden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Kristallisation der Schmelze (17, 27) im Vakuum erfolgt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, - bei dem die Schmelze (17) in einem Tiegel (16) hergestellt wird,
- bei dem der Stapel (12) auf eine Temperatur knapp unter der Schmelztemperatur der Substanz erhitzt wird,
- bei dem der Stapel (12) so aufgehängt wird, daß die im wesentlichen defektfreien Oberflächen (13) senkrecht zur
Oberfläche der Schmelze verlaufen,
- bei dem der Stapel (12) mit der Schmelze (17) in Kontakt gebracht wird, so daß die Schmelze die einkristallinen Körper (11) an der Unterseite benetzt und durch Kapillarwirkung in den Zwischenraum (14) hochgesaugt wird,
- bei dem nach dem Füllen des Zwischenraums (14) der Stapel (12) von der Schmelze (17) abgezogen wird.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die Schmelze bei einer Temperatur von 10 bis 40 * oberhalb der Schmelztemperatur der Substanz hergestellt wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
- bei dem der Stapel (22) über die Schmelztemperatur erhitzt wird, so daß sich die Schmelze (27) durch Schmelzen der einkristallinen Körper (21) bildet,
- bei dem der Stapel (22) nach Bildung der Schmelze (27) unter die Schmelztemperatur abgekühlt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem mehr als zwei einkristalline Körper (11, 21) mit jeweils mindestens einer im wesentlichen defektfreien Ober¬ fläche (13, 23) so in dem Stapel (12, 22) angeordnet werden, daß die im wesentlichen defektfreien Oberflächen (13, 23) im wesentlichen parallel verlaufen.
*.
PCT/DE1992/001045 1992-01-23 1992-12-14 Verfahren zum herstellen von starren verbindungen zwischen einkristallinen körpern WO1993015243A1 (de)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03115200A (ja) * 1989-09-29 1991-05-16 Kyocera Corp 単結晶サファイアの接合方法
EP0456060A1 (de) * 1990-04-27 1991-11-13 Hiroaki Aoshima Verfahren zum Verbinden synthetischer Einkristalle

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03115200A (ja) * 1989-09-29 1991-05-16 Kyocera Corp 単結晶サファイアの接合方法
EP0456060A1 (de) * 1990-04-27 1991-11-13 Hiroaki Aoshima Verfahren zum Verbinden synthetischer Einkristalle

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
DERWENT ACCESSION Nr. 91-188 838, Questel Telesystems WPIL, DERWENT PUBLICATIONS LTD., London, Zusammenfassung & JP,A,03-115 200 (KYOCERA CORP.) 16 Mai 1991 (16.05.91). *

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