WO1992012546A1 - Dielectric filter - Google Patents

Dielectric filter Download PDF

Info

Publication number
WO1992012546A1
WO1992012546A1 PCT/JP1991/001751 JP9101751W WO9212546A1 WO 1992012546 A1 WO1992012546 A1 WO 1992012546A1 JP 9101751 W JP9101751 W JP 9101751W WO 9212546 A1 WO9212546 A1 WO 9212546A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
dielectric
filter
outer conductor
resonator
coaxial
Prior art date
Application number
PCT/JP1991/001751
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ryozo Kitoh
Yoshiaki Fujiyama
Takaki Ono
Atsunori Takasugi
Shotaro Hayashi
Original Assignee
Ube Industries, Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2414043A external-priority patent/JP2587880B2/ja
Priority claimed from JP3035645A external-priority patent/JP2594708B2/ja
Priority claimed from JP4063591A external-priority patent/JPH04259101A/ja
Application filed by Ube Industries, Ltd. filed Critical Ube Industries, Ltd.
Priority to DE69125273T priority Critical patent/DE69125273T2/de
Priority to EP92901463A priority patent/EP0519080B1/en
Publication of WO1992012546A1 publication Critical patent/WO1992012546A1/ja
Priority to US08/279,471 priority patent/US5493261A/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities

Definitions

  • the present invention relates to a dielectric filter using an IZ4 coaxial dielectric resonator, and more particularly to a dielectric filter having an attenuation pole near a pass frequency band in filter characteristics.
  • the present invention can be applied to a low-noise filter, a no-pass filter, and a non-radio ⁇ ° filter in one fine frequency region such as a micro wave.
  • a low-pass filter having a basic configuration as shown in Fig. 1 is known.
  • Each path Sita Nsu C E have CE 2, CE 3, is obtained by grounded via a - - - -.
  • a high-pass filter having a basic configuration as shown in FIG. 3 is known. This is the capacitance C! , C 2 ,... ′ Are connected via inductances LE 1 , LE 2, LE 3,.
  • a capacitor C i and a coil L are connected in parallel. parallel connection of the C 2 and the coil L 2, use the ⁇ ⁇ ⁇ '
  • a basic filter as shown in FIG. 5 is known as a non-bus filter. This is a series of alternating capacitances C! , C 2, C 3,
  • capacitors C F and L are used as bandpass filters to form an attenuation pole near the pass frequency band and obtain steep attenuation characteristics.
  • parallel connections, capacitor C F 2 and parallel connection of the Coil le L 2, connected in parallel with the co emissions de capacitors C F 3 and Coil Le L 3, capacitor C F 4 and Coil Le L 4 A configuration using a parallel connection with, ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ is known.
  • Such a band-pass filter also has the same problem as the above-mentioned low-pass filter / high-pass filter. If the coil or capacitor is not adjusted to a considerable width, the required filter is required. Filter characteristics cannot be obtained, and adjustment of filter characteristics is complicated and difficult.
  • a high-permittivity dielectric was used to construct a high-frequency bandpass filter; the use of an LZ4 coaxial dielectric resonator was proposed.
  • Fig. 7 shows the configuration of a conventional bandpass filter using this dielectric resonator.
  • 1A ;, 1B;, 1C are dielectric resonators whose outer conductors are grounded.
  • it cannot be said that a sharp attenuation characteristic can be obtained by forming an attenuation pole near the lower limit, and the insertion loss increases significantly as the number of stages increases.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and has been made in consideration of the above-described problem. It is intended to provide a body filter.
  • a dielectric filter comprising: a body filter including at least one stage in which an outer conductor of a coaxial dielectric resonator is grounded via a capacitance or an inductance.
  • the dielectric filter of the present invention is embodied, for example, as a filter as follows:
  • an L / 4 coaxial dielectric resonator in at least one of the stages: an L / 4 coaxial dielectric resonator, the outer conductor of which is grounded via a capacitance, and an adjacent stage of an I / 4 coaxial dielectric A low-pass filter in which the body resonators are connected;
  • the outer conductor of the I-4 coaxial dielectric resonator is grounded via a capacitance, and the inner conductor and the outer conductor have a capacitance;
  • a band-pass filter having adjacent stages connected via an inductor;
  • the outer conductor of the coaxial dielectric resonator in at least one of the stages is grounded via an inductance;
  • a bandpass filter having an adjacent stage in which an inner conductor and an outer conductor are connected via an inductance.
  • Figures 1 to 7 show the configuration of a conventional filter.
  • FIG. 8 is a structural diagram of a dielectric low-pass filter according to the present invention.
  • FIG. 9 is a sectional view of a dielectric resonator.
  • FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of the filter shown in FIG.
  • FIG. 11 is a characteristic diagram of the filter of FIG.
  • FIG. 12 is a structural diagram of a dielectric high-pass filter according to the present invention.
  • FIG. 13 is an equivalent circuit diagram of the filter of FIG.
  • FIG. 14 is a characteristic diagram of the filter of FIG.
  • FIG. 15 is a structural diagram of a dielectric bandpass filter according to the present invention.
  • FIG. 16 is an equivalent circuit diagram of the filter of FIG.
  • FIG. 17 is a characteristic diagram of the filter of FIG.
  • FIG. 18 shows the structure of a dielectric bandpass filter according to the present invention.
  • FIG. 19 is a characteristic comparison diagram of the filter in FIG. 15 and the filter in FIG.
  • FIG. 20 is a configuration diagram of a dielectric bandpass filter according to the present invention.
  • FIG. 21 is a characteristic diagram of the filter of FIG.
  • FIG. 22 is a configuration diagram of a dielectric bandpass filter according to the present invention.
  • FIG. 23 is a characteristic diagram of the filter of FIG.
  • FIG. 8 shows, as an example of the present invention, a four-stage dielectric low-pass filter constituted by using four LZ 4 coaxial dielectric resonators 1 A, IB, 1 C, and ID. Have been.
  • the Z4 coaxial dielectric resonator is composed of a dielectric material (for example, titanium) between the rectangular cylindrical outer conductor 3 and the cylindrical inner conductor 4. (A barium oxide-based material with a relative dielectric constant of about 93) 5 is filled, and the outer conductor 3 and the inner conductor 4 are short-circuited at one end surface.
  • the length is L 4 (wave length It has a known structure that resonates at the time.
  • the inner conductors 4 of the resonators 1 A, IB, 1 C, and ID are connected in series via a lead wire 6.
  • Each resonator is supported on the top surface of a dielectric substrate 7 such as Teflon (trade name). Have been.
  • a dielectric substrate 7 such as Teflon (trade name).
  • an electrode 8A of a required size connected to a lead wire 6 connected to the inner conductor of the resonator 1A, and a required electrode connected to the outer conductor 3 of each resonator.
  • Electrodes 8 B, 8 C, 8 D, and 8 E having the size are formed.
  • One ground electrode 9 is formed on the lower surface of the substrate 7 so as to face the electrodes 8A to 8E.
  • the respective electrodes 8 A to 8 E have key catcher Pashita Nsu CE Ri by the ground electrode 9 C E 2) CE 3, CE 4, C E5 is constituted. This equivalent circuit is shown in FIG.
  • the frequency of the attenuation pole of the dielectric filter is determined by the resonance frequency of the dielectric resonator, and the frequency width from the cutoff frequency to the attenuation pole and the depth thereof are: It is determined by the impedance of the resonator and the capacitance C E : to C Es .
  • Fig. 11 shows an example of the filter characteristics of this embodiment.
  • the coaxial dielectric resonator has substantially no stray capacitance of the LC parallel connection as shown by the broken line in FIG. Is stable. Also, in a form including the stray capacitance between the outer conductor and the graphene ⁇ down de dielectric resonator, because the key catcher Pasi evening Ru can be adjusted Nsu C E 1 ⁇ C ES, off I filter characteristic Key Adjustment is extremely easy.
  • FIG. 12 shows, as an example of the present invention, a four-stage dielectric high-pass filter using four IZ4 coaxial dielectric resonators 1 A, 1 B, 1 C, and 1 D. Filters are shown.
  • the inner conductor 4 of the coaxial dielectric resonator is connected in series via a lead wire 6.
  • a pattern coil 18 A of a required size connected to a lead wire 6 connected to the inner conductor of the resonator 1 A, and each resonator
  • the pattern coils 18B, 18C, 18D, 18E of the required size connected to the outer conductor 3 of the coil 3 are formed, and as a result, the inductance LE is reduced.
  • the frequency of the attenuation pole of the dielectric filter is determined by the resonance frequency of the dielectric resonator, and the frequency width from the cutoff frequency to the attenuation pole and the depth thereof are in resonance.
  • FIG. 14 shows an example of the filter characteristics of this embodiment.
  • the filter characteristics are stable because the coaxial dielectric resonator has substantially no stray capacitance of the LC parallel connection as shown by the broken line in Fig. 4.
  • the above inductances L E1 to L E5 can be adjusted to include the stray capacitance between the outer conductor of the dielectric resonator and the ground, so that the filter characteristics can be adjusted. Adjustment is extremely easy.
  • FIG. 15 shows, as an example of the present invention, a four-stage dielectric bandpass filter composed of four LZ 4 coaxial dielectric resonators 1 A, IB, 1 C, and ID. It is shown.
  • electrodes 27 A, 27 B, 27 C, 27 D, 27 E, 28 A, 28 B, and electrodes 27 A, 27 B, 27 C, 27 D, 27 E, are provided on the upper surface of the substrate 7 on which the coaxial dielectric resonator is supported. 28 C and 28 D are formed.
  • the electrodes 27 B, 27 C and 27 D are connected to the outer conductor 3 of each resonator, and one ground electrode 9 is formed on the lower surface of the substrate 7 so as to face these electrodes.
  • FIG. 17 shows an example of the filter characteristics of this embodiment.
  • the coaxial dielectric resonator described above has substantially no stray capacitance of the LC parallel connection as shown by the broken line in Fig.
  • the filter characteristics are stable.
  • the above capacitance C E ! Including the stray capacitance between the outer conductor of the dielectric resonator and the ground is included. Since it is adjusted ⁇ C 3, adjustment of the full I filter characteristic it is extremely easy.
  • the bandpass filter of this embodiment has extremely low insertion loss.
  • the characteristics of the three-stage bandpass filter shown in Fig. 18 and the characteristics of the four-stage bandpass filter shown in Fig. 16 are compared.
  • Figure 19 shows an example of this characteristic comparison.
  • the characteristic impedance Z of the dielectric resonators 1A, 1B, and 1C in the three-stage filter in Fig. 18 is shown.
  • A indicates the characteristics of a three-stage filter
  • B indicates the characteristics of a four-stage filter.
  • the loss value at the frequency where the magnitude of the insertion loss is the smallest in the three-stage filter is 0.85 dB
  • the insertion loss in the four-stage filter is The loss value at the frequency where the loss is the smallest is 1.20 dB, which is extremely small.
  • FIG. 20 shows, as an example of the present invention, a four-stage dielectric formed using four LZ 4 coaxial dielectric resonators 1 A, 1 B, 1 A ′, and IB ′. Bandpass filters are shown.
  • the center two stages connect the capacitances C 2 , C 3, and C 4 to the LZ4 coaxial dielectric resonators 1 A ′ and 1 B ′, and connect them to the outside of the dielectric resonators.
  • the configuration is such that the conductor is directly grounded.
  • this embodiment uses a configuration similar to that of the conventional filter shown in FIG. 7 in some stages. In this embodiment, a useful attenuation pole is formed.
  • FIG. 2i shows one column of the filter characteristics of this embodiment.
  • the characteristic impedance Z of the dielectric resonators 1A and 1B Resonance frequency F with force S 6.14 ⁇ .
  • the characteristic impedance Z of the dielectric resonators 1A 'and IB' Has a resonance frequency F of 7.95 ⁇ .
  • C 3 0.5 pF.
  • the inner conductor and the outer conductor of the adjacent dielectric resonator are connected via a capacitor so as to have an attenuation pole at a frequency higher than the upper limit of the pass frequency band, and Force using outer conductor grounded via a capacitor
  • a non-pass filter having an attenuation pole at a frequency lower than the lower limit of the pass frequency band can be obtained. Filters can be configured.
  • the present invention includes at least one stage in which the outer conductor of the Z4 coaxial dielectric resonator is grounded via the capacitance or the inductance. Pass frequency using a dielectric resonator with the desired resonance frequency A dielectric filter having an attenuation pole near several bands and having a small insertion loss can be easily obtained.
  • the dielectric filter of the present invention can be effectively used as a single-pass filter, a high-pass filter, and a band-pass filter in a high frequency region such as a microwave.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Description

明 誘電体フ ィ ルタ [技術分野]
本発明は ； I Z 4 同軸型誘電体共振器を用いてなる誘電 体フ ィ ルタに関し、 特にフ ィ ルタ特性において通過周波 数帯域の近く に減衰極をもつ誘電体フ ィ ルタに関する。
本発明はマイ ク ロ波等の高細 1 い周波数領域におけるロー ノ ス フ ィ ルタ 、 ノヽィ パスフ ィ ルタ及びノ ン ドノ \°スフ ィ ル タに適用する こ と ができ る。
[背景技術 ]
一般に、 ローパスフ ィ ルタ と しては、 図 1 に示す様な 基本的構成のものが知られている。 これは、 直列配置の イ ンダク タ ンス L , , L 2 , · · · · をそれぞれキ ャ パ シタ ンス C Eい C E 2 , C E 3 , · · · · を介して接地した ものである。
そ して、 遮断周波数の近く に減衰極を形成して急峻な 減衰特性を得るためのローパスフ ィ ル夕 と して、 図 2 に 示す様に コ ンデンサ と コ イ ル との並列接続、 コ ンデ ンサ C 2 と コ イ ル L 2 と の並列接続、 · · · ' を用 いた構成の ものが知られている。
こ の様な U—バス フ ィ ルタの場合、 使用する コ イ リレの 構造に起因 して、 L C並列接続に図 2 で破線で示される 様な浮遊容量が発生し、 こ の浮遊容量は実質上除去困難 VVO 2 1 546
- 2 - であ り且つ個々 に相当程度ばらつきがある。 このばらつ きが L C並列接続の共振周波数や通過周波数帯域におけ るィ ン ピ一ダンスのばらつきをもたら し、 ひいてはフ ィ ルタ特性に影響を与える。 こ の影響は、 周波数が低い場 δ 合には小さいが、 周波数が高い場合には大き く な り 、 減 衰極周波数が変動した り遮断周波数が変動した り通過周 波数帯域における不整合損失が増加した り する。
従って、 コイ ルやコ ンデンサについて相当幅の調整を しないと所要のフ ィ ルタ特性が得られず、 フ ィ ルタ特性 1 0 の調整が複雑且つ困難である。
また、 一般に、 ハイパスフ ィ ルタ と しては、 図 3 に示 す様な基本的構成のものが知られている。 これは、 直列 配置のキャパシタ ンス C ！ , C 2 ， ， · · ' をそれぞれ イ ンダクタ ンス L E 1， L E 2 , L E 3 , · · · ' を介して接
1 5 地したものである。
そ して、 遮断周波数の近く に減衰極を形成して急峻な 減衰特性を得るためのハイパスフィ ルタ と して、 図 4に 示す様にコ ンデンサ C i と コイ ル L との並列接続、 コ ンデンサ C 2 と コイル L 2 との並列接続、 · · · ' を用
2 0 いた構成のものが知られている。
こ の様なハイ ノ \°スフ ィ ルタの場合も 、 前記口一パス フ ィ ルタの場合と同様な問題があ り 、 コイルゃコ ンデン サについて相当幅の調整をしないと所要のフ ィ ルタ特性 が得られず、 フ ィ ルタ特性の調整が複雑且つ困難であ ま た、 一般に、 ノ ン ドバスフ ィ ルタ と しては、 図 5 に 示す様な基本的構成のものが知られている。 これは、 交 互に直列配置されたキ ャ パシタ ンス C ！ , C 2 ， C 3 ，
C 4 , · . · · 及びイ ンダク タ ンス L ： ， L 2 ， L 3 ， L 4 ， · · · · をそれぞれキ ャ パシタ ンス C Eい C E 2 ,
C E 3 , · · · ' を介して接地したものである。
そ して、 通過周波数帯域の近く に減衰極を形成して急 峻な減衰特性を得るためのバン ドパスフ ィ ルタ と して、 図 6 に示す様に コ ンデンサ C F ,と コイ ル L , との並列接 続、 コ ンデンサ C F 2と コ イ ル L 2 と の並列接続、 コ ンデ ンサ C F 3と コ イ ル L 3 と の並列接続、 コ ンデンサ C F 4と コ イ ル L 4 との並列接続、 · · · · を用いた構成のもの が知られている。
こ の様なバン ドバスフ ィ ルタの場合も、 前記ローパス フ ィ ルタ ゃハイ パスフ ィ ルタの場合 と 同様な問題があ り 、 コ イ ルや コ ンデンサについて相当幅の調整を しない と所要のフ ィ ルタ特性が得られず、 フ ィ ルタ特性の調整 が複雑且つ困難である。
そ こで、 高い周波数領域のバン ドパスフ ィ ルタを構成 するのに、 高誘電率の誘電体を用いた ； L Z 4 同軸型誘電 体共振器を使用する こ とが提案された。 この誘電体共振 器を用いた従来のバン ドバスフ ィ レタの構成を図 7 に示 す。 図 7 において 1 A ; ， 1 B ； ， 1 C： は誘電体共振 器であ り 、 該誘電体共振器はその外導体が接地されてい る。 しかし、 この構成では、 通過周波数帯域の上限また は下限の近く に減衰極を形成して急峻な減衰特性を得る と いう こ とができず、 また段数の増加に と もない挿入損 失が大き く 増加する。
[発明の開示 ]
本発明は、 上記事情に鑑みてなされたものであ り 、 ん Z 4 同軸型誘電体共振器を用い所望周波数に減衰極を有 する所望のフ ィ ルタ特性を容易に得る こ とができる誘電 体フ ィ ルタを提供する こ と を目的とするものである。
本発明によれば、 上記目的を達成するものと して、 内導体と外導体との間に誘電体が充填されている 1 / 4 同軸型誘電体共振器を複数段に接続してなる誘電体 フ ィ ルタにおいて、 同軸型誘電体共振器の外導体 をキャパシタ ンスまたはィ ンダクタ ンスを介して接地し た少な く と も 1 つの段を含むこ とを特徴とする、 誘電体 フ ィ ルタ 、
が提供される。
本発明の誘電体フ ィ ルタは、 たと えば以下の様なフ ィ ルタ と して具体化される ：
( a ) 前記少な く と も 1 つの段における ； Lノ 4同軸型 誘電体共振器の外導体がキャ パシタ ンスを介して接地さ れてお り 、 且つ隣接段の ； I / 4同軸型誘電体共振器どう しが接続されている、 ローパスフ ィ ルタ ；
( b ) 前記少な く と も i つの段における ん / 4 同軸型 誘電体共振器の外導体がイ ンダクタ ンスを介して接地さ れてお り 、 且つ隣接段の ； Lノ 4同軸型誘電体共振器どう しが接続されている、 ノ、 イ ノ スフ ィ ルタ ；
( c ) 前記少な く と も 1 つの段における ； Iノ 4 同軸型 誘電体共振器の外導体がキャパシタ ンスを介して接地さ れてお り 、 且つ内導体と外導体とがキャ パシタ ンスを介 して接続された隣接段を有する、 バン ドパスフ ィ ルタ ； ( d ) 前記少な く と も 1 つの段における ん 4 同軸型 誘電体共振器の外導体がィ ンダクタ ンスを介して接地さ れてお り 、 且つ内導体と外導体とがイ ンダクタ ンスを介 して接続された隣接段を有する、 バン ドパスフ ィ ルタ。 〖図面の簡単な説明 ]
図 1 〜図 7 は従来のフ ィ ルタの構成図である。
図 8 は本発明によ る誘電体ローパスフ ィ ルタの構造図 である。
図 9 は誘電体共振器の断面図である。
図 1 0 は図 8 のフ ィ ル夕の等価回路図である。
図 1 1 は図 8のフ ィ ルタの特性図である。
図 1 2 は本発明によ る誘電体ハイ パスフ ィ ルタの構造 図である。
図 1 3 は図 1 2 のフ ィ ルタの等価回路図である。
図 1 4 は図 1 2 のフ ィ ルタの特性図である。
図 1 5 は本発明によ る誘電体バン ドパスフ ィ ルタの構 造図である。
図 1 6 は図 1 5 のフ ィ ルタの等価回路図である。
図 1 7 は図 1 5 のフ ィ ルタの特性図である。
図 1 8 は本発明によ る誘電体バン ドパスフ ィ ルタの構 成図である。
図 1 9 は図 1 5 のフ ィ ルタ及び図 1 8 のフ ィ ルタの特 性比較図である。
図 2 0 は本発明によ る誘電体バン ドパスフ ィ ルタの構 成図である。
図 2 1 は図 2 0のフ ィ ルタの特性図である。
図 2 2 は本発明による誘電体バン ドパスフィ ルタの構 成図である。
図 2 3 は図 2 2 のフ ィ ルタの特性図である。
[発明を実施するための最良の形態]
以下、 図面を参照しながら本発明の具体的実施例を説 明する。
( A ) u―パスフ ィ ルタ
図 8 には、 本発明の一例と して、 4個の ； L Z 4同軸型 誘電体共振器 1 A , I B , 1 C , I Dを用いて構成され る 4段の誘電体ローパスフ ィ ルタが示されている。 こ こ で、 ん Z 4 同軸型誘電体共振器は、 図 9 に断面図を示す 様に、 角筒状の外導体 3及び円筒状の内導体 4の間に誘 電体材料 （例えばチタ ン酸バリ ウム系の比誘電率約 9 3 の もの） 5 を充填し一端面において外導体 3 と内導体 4 とが短絡されている ものであ り 、 長さが ； L 4 ( んは波 長） の と き共振する公知の構造のものである。
上記各共振器 1 A ， I B , 1 C , I D の内導体 4 は リ ー ド線 6 を介して直列的に接続されている。 各共振器 はテフ ロ ン （商品名） 等の誘電体基板 7の上面上に支持 されている。 該基板 7の上面には共振器 1 Aの内導体に 接続された リ ー ド線 6に接続される所要の大き さの電極 8 A、 及び各共振器の外導体 3 に接続される所要の大き さの電極 8 B , 8 C , 8 D , 8 Eが形成されている。 ま た、 基板 7の下面には上記電極 8 A〜 8 Eに対向して 1 つの接地電極 9が形成されている。 これら各電極 8 A〜 8 E と接地電極 9 と に よ り キ ャ パシタ ンス C Eい C E 2 ) C E 3 , C E 4 , C E5が構成されている。 こ の等価回路が図 1 0に示されている。
こ の様な構成では、 上記誘電体フ ィ ルタの減衰極の周 波数は誘電体共振器の共振周波数によ って決定され、 遮 断周波数から減衰極までの周波数幅とその深さ と は共振 器のィ ン ピ一ダンス と キ ヤ ノ シタ ンス C E：〜 C E sと に よ り 決定される。 一 図 1 1 に本実施例のフ ィ ルタ特性の一例を示す。 こ こ では、 誘電体共振器 1 A , I B , 1 C， 1 Dの特性イ ン ビーダンス Z。 力 s 1 0 Ωで共振周波数 F。 が 9 0 0 M H z であ り 、 C E 1= C ES= 2 . 5 p F , C E 2 = C E 4 = 4 p F， C E3= 3 p Fであっ た。
この様に して構成されたローパスフ ィ ルタでは、 上記 同軸型誘電体共振器が、 図 2 で破線で示される様な L C 並列接続の浮遊容量を実質上もたないので、 フ ィ ルタ特 性は安定 している。 ま た、 誘電体共振器の外導体と グラ ゥ ン ド と の間の浮遊容量を含めた形で、 上記キ ャ パシ夕 ンス C E 1〜 C ESの調整ができ るから、 フ ィ ルタ特性の調 整が極めて容易である。
( B ) ノ\ イ ノ \°スフ ィ ルタ
図 1 2 には、 本発明の一例と して、 4個の ； I Z 4同軸 型誘電体共振器 1 A， 1 B , 1 C , 1 Dを用いて構成さ れる 4段の誘電体ハイ パスフ ィ ルタが示されている。 こ こ で、 同軸型誘電体共振器の内導体 4は リ ー ド線 6を介 して直列的に接続されている。 各共振器が支持されてい る基板 7の上面には共振器 1 Aの内導体に接続された リ ー ド線 6に接続される所要の大き さのパターンコイ ル 1 8 A、 及び各共振器の外導体 3に接続される所要の大 き さのパターンコイ ル 1 8 B， 1 8 C , 1 8 D , 1 8 E が形成されてお り 、 これに よ り イ ンダク タ ンス L E い
L E 2 ! L E 3 5 L E 4 S L E5が構成されている。 この等倾回 路が図 1 3 に示されている。
この様な構成では、 上記誘電体フィ ル夕の減衰極の周 波数は誘電体共振器の共振周波数によ って決定され、 遮 断周波数から減衰極までの周波数幅とその深さ とは共振 器のィ ン ピ一ダンス と ィ ンダク タ ンス L E i 〜 L E 5と によ り 決定される。
図 1 4に本実施例のフ ィ ルタ特性の一例を示す。 こ こ では、 誘電体共振器 1 A， I B , 1 C , I Dの特性イ ン ピーダンス Z。 力 s 1 0 Ωで共振周波数 F。 が 9 0 0 M H zであ り 、 L E I= L ES= 1 5 n H， L E2= L E4= 1 0 n H , L E3= 1 3 n Hであった。
この様に して構成されたハイ パスフ ィ ルタでは、 上記 同軸型誘電体共振器が、 図 4 で破線で示される様な L C 並列接続の浮遊容量を実質上もたないので、 フ ィ ルタ特 性は安定している。 また、 誘電体共振器の外導体と グラ ゥ ン ド との間の浮遊容量を含めた形で、 上記イ ンダク タ ンス L E 1〜 L E5の調整ができ るから、 フ ィ ルタ特性の調 整が極めて容易である。
( C ) ) ン ドノ、 'スフ ィ ルタ
図 1 5 には、 本発明の一例と して、 4個の ； L Z 4 同軸 型誘電体共振器 1 A， I B , 1 C， I Dを用いて構成さ れる 4段の誘電体バン ドバスフ ィ ルタが示されている。 こ こ で、 同軸型誘電体共振器が支持されている基板 7の 上面には電極 2 7 A， 2 7 B , 2 7 C , 2 7 D , 2 7 E , 2 8 A , 2 8 B , 2 8 C , 2 8 D が形成されてい る。 電極 2 7 B , 2 7 C , 2 7 Dは各共振器の外導体 3 に接続されてお り 、 これら電極に対向して基板 7の下面 に 1 つの接地電極 9 が形成されている。 これら各電極 2
7 B , 2 7 C , 2 7 D と接地電極 9 と によ り キ ャ パシタ ンス C Eい C E 2, C E3が構成されている。 また、 電極 2
8 A , 2 8 B , 2 8 C , 2 8 D は リ ー ド線によ り各共振 器の内導体 4 に接続されてお り 、 電極 2 7 A， 2 7 Eは 入出力端と なる。 上記電極 2 7 A と 2 8 Aの対、 電極 2 7 B と 2 8 B の対、 電極 2 7 D と 2 8 Cの対、 及び電極 2 7 E と 2 8 D の対に よ り 、 それぞれキ ャ パ シ タ ン ス C , , C 2 , C a ， C 4 が構成されている。 こ の等価回 路が図 1 6 に示されている。 この様な構成では、 上記誘電体フ ィ ルタの減衰極の周 波数は誘電体共振器の共振周波数によ って決定され、 通 過周波数帯域の上限から減衰極までの周波数幅とその深 さ とは共振器のイ ンピーダンスとキャパシタ ンス C ' , C , C ， C , C C C E3とによ り決定され る。
図 1 7 に本実施例のフ ィ ルタ特性の一例を示す。 こ こ では、 誘電体共振器 1 A， 1 B , 1 C , 1 Dの特性イ ン ピーダンス Z 。 が 7 Ωで共振周波数 F < 力 s 9 0 0 M H z であ り 、 C E 1 = C E3= 4 . 5 p F , C , 2= 5 . 8 p F , C = C = 1 . 5 p F , C = C = 2 p F であ つ た。
の様に して搆成されたバン ドパスフ ィ ルタでは、 上 記同軸型誘電体共振器が、 図 6 で破線で示される様な L C並列接続の浮遊容量を実質上もたないので、 フ ィ ルタ 特性は安定している。 また、 誘電体共振器の外導体とグ ラ ウ ン ド との間の浮遊容量を含めた形で、 上記キャパシ タ ンス C E！〜 C 3の調整ができるから、 フ ィ ルタ特性の 調整が極めて容易である。
本実施例のバン ドパスフ ィ ルタは挿入損失が極めて小 さい。 こ こで、 図 1 8の様な 3段のノ ン ドパスフ ィ ル夕 と上記図 1 6 の様な 4段のバン ドパスフ ィ ルタ との特性 を比較してみる。 図 1 9 にこの特性比較の一例を示す。 こ こ では、 図 1 8 の 3段のフ ィ ルタにおいて、 誘電体共 振器 1 A， 1 B， 1 Cの特性イ ンピーダンス Z。 が 8 . 3 Ωで共振周波数 F 。 力 s 9 0 0 M H z であ り 、 C E 1 = C E 2 = 4 . 2 p F , C i = C 3 = 2 . l p F , C 2 = 4 . l p Fであ り 、 図 1 6の 4段の誘電体共振器 1 A , I B , 1 C , 1 Dの特性イ ン ピーダンス Ζ。 が 8. 3 Ω で共振周波数 F。 が 9 0 0 M H zであ り 、 C E 1= C E3 = 4 . 4 p F , C E2 = 5 . 7 p F , C i = C 4 = 2 . 1 p F , C 2 = C a = 3 . 2 p Fであっ た。 図 1 9 におい て、 Aが 3段のフ ィ ルタの特性を示し、 B力 s 4段のフ ィ ルタの特性を示す。 こ の図の特性において、 3段のフ ィ ルタでは挿入損失の大き さが最小となる周波数での該損 失値は 0. 8 5 d Bであ り 、 4段のフ ィ ルタでは挿入損 失の大き さが最小と なる周波数での該損失値は 1 . 2 0 d Bであ り 、 極めて小さい。
図 2 0には、 本発明の一例と して、 4個の ； L Z 4同軸 型誘電体共振器 1 A， 1 B , 1 A ' ， I B ' を用いて構 成される 4段の誘電体バン ドパスフ ィ ルタ が示されて い る。 こ の実施例では、 中央の 2段がキ ャ パシタ ンス C 2 , C 3 ， C 4 を ； L Z 4同軸型誘電体共振器 1 A ' ， 1 B ' に接続し該誘電体共振器の外導体を直接接地した 構成をな している。 即ち、 こ の実施例は一部の段に図 7 の従来の フ ィ ルタ の段 と 同様な構成を用いた も のであ る。 この実施例でも有用な減衰極は形成される。
図 2 i に本実施例の フ ィ ルタ特性の一 1列を示す。 こ こ で は 、 誘電体共振器 1 A， 1 B の特性イ ン ピーダ ン ス Z。 力 S 6 . 1 4 Ωで共振周波数 F。 力 9 2 5. 5 M H z であ り 、 誘電体共振器 1 A ' , I B ' の特性イ ン ピーダ ンス Z 。 が 7 . 9 5 Ω で共振周波数 F 。 が 9 3 0 M H z であ り 、 C E I = C E2= 3 p F , C ！ = C 2 = C 4 = C 5 = 2 p F , C 3 = 0 . 5 p Fであっ た。
尚、 上記実施例では、 通過周波数帯域の上限よ り高い 周波数で減衰極をもつ様に、 隣接誘電体共振器の内導体 と外導体とをコ ンデンサを介して接続し且つ誘電体共振 器の外導体をコ ンデンサを介して接地したものを用いた 力 これら コ ンデンサの代わ り に コイ ルを用いる こ と に よ り 、 通過周波数帯域の下限よ り低い周波数で減衰極を もつノ ン ドパス フ ィ ルタを構成する こ とができ る。
例えば、 図 2 2 に示す様に、 誘電体共振器 1 A , 1 , 1 C , 1 Dに対して コ イ ル L！ ; L 2 , L a 5 L を接続し、 誘電体共振器の外導体をコイル L E 1， L E2, L E 3を介して接地させたバン ドパスフ ィ ルタは図 2 3 に 示す様な特性を有する。 図 2 3 では、 誘電体共振器 1 A , 1 B , 1 C , 1 D の特性イ ンピーダンス Z 。 が 7 Ω で共振周波数 F 。 が 9 0 0 M H z であ り 、 L E 1 = L E3 = 7 . 4 4 n H , L E 2 = 5 . 7 7 n H , L i = L 4 = 2 2 . 3 n H ， L 2 = L 3 = 1 6 . 7 3 n Hであっ た。
[産業上の利用可能性】
以上説明した様に、 本発明によれば、 ん Z 4同軸型誘 電体共振器の外導体をキ ャ パシタ ンスまたはイ ンダク夕 ンスを介して接地した少な く と も 1 つの段を含むので、 所望の共振周波数をもつ誘電体共振器を用いて通過周波 数帯域の近 く に減衰極を有し且つ挿入損失の少ない誘電 体フ ィ ルタを容易に得る こ とができ る。
本発明の誘電体フ ィ ルタは、 マイ ク ロ波等の高い周波 数領域における 口一パスフ ィ ルタ、 ハイ パスフ ィ ルタ及 びバン ドパスフ ィ ルタ と して有効に利用するこ とができ る。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 内導体と外導体との間に誘電体が充填されてい る λ 4 同軸型誘電体共振器を複数段に接続してなる誘 δ 電体フ ィ ルタにおいて、 ん / 4同軸型誘電体共振器の外 導体をキャ パシタ ンスまたはイ ンダクタ ンスを介して接 地した少な く と も 1 つの段を含むこ とを特徴とする、 誘 電体フ ィ ルタ。
2 . 前記少な く と も 1 つの段における ん 4同軸型 誘電体共振器の外導体がキャ パシタ ンスを介して接地さ れてお り 、 且つ隣接段の ； L Ζ 4 同軸型誘電体共振器どう しが接続されている、 請求の範囲第 1 項に記載のローパ ス S誘電体フ ィ ルタ。
3 . 前記少な く と も 1 つの段における ； L Ζ 4同軸型 誘電体共振器の外導体がイ ンダクタ ンスを介して接地さ れてお り 、 且つ隣接段の JL Ζ 4 同軸型誘電体共振器どう しが接続されている、 請求の範囲第 1 項に記載のノ、ィ パ ス用誘電体フ ィ ル夕。
4 . 前記少な く と も 1 つの段における JLノ 4同軸型 誘電体共振器の外導体がキャ パシタ ンスを介して接地さ れてお り 、 且つ内導体と外導体とがキャパシタ ンスを介 して接続された隣接段を有する、 請求の範囲第 1 項に記 載のバン ドパス用誘電体フ ィ ルタ。
5 . キ ャ パシタ ンスを L Z 4同軸型誘電体共振器に 接続し該 ； Ι Ζ 4 同軸型誘電体共振器の外導体を直接接地 した少な く と も 1 つの段を含む、 請求の範囲第 4項に記 載のバ ン ド パス用誘電体フ ィ ル夕。
6 . 前記少な く と も 1 つの段における ん 4 同軸型 誘電体共振器の外導体がィ ンダク夕 ンスを介して接地さ れてお り 、 且つ内導体と外導体とがイ ンダクタ ンスを介 して接続された隣接段を有する、 請求の範囲第 1 項に記 載のバン ドパス用誘電体フ ィ ル夕。
7 . イ ンダク タ ンスを L Z 4 同軸型誘電体共振器に 接続し該 λ Ζ 4 同軸型誘電体共振器の外導体を直接接地 した少な く と も 1 つの段を含む、 請求の範囲第 6項に記 載のバン ドバス用誘電体フ ィ ル夕。
8 . 前記誘電体共振器の全てが基板上に支持されて いる、 請求の範囲第 1 項〜第 7項のいずれかに記載の誘 電体フ ィ ルタ 。
9 . 前記誘電体共振器の全てが基板の第 1 面上に支 持されてお り 、 誘電体共振器の外導体の接地経路に介在 するキ ャ パシタ ンスは前記基板の第 1 面上に形成された 電極と第 2 面上に形成された接地電極と によ り構成され ている、 請求範囲第 1 項、 第 2 項及び第 4項のいずれか に記載の誘電体フ ィ ルタ。
1 0 . 前記誘電体共振器の全てが基板の第 1 面上に 支持されてお り 、 誘電体共振器の外導体の接地経路に介 するィ ンダク タ ンスは前記基板の第 1 面上に形成され たパター ン コ イ ルからな り 、 前記基板の第 2面上には前 記パター ン コ イ ル と接続される接地電極が形成されてい る、 請求範囲第 1 項、 第 3項及び第 6項のいずれかに記 載の誘電体フ ィ ルタ。
1 1 . 前記複数の誘電体共振器の全てが基板の第 1 面上に支持されてお り 、 誘電体共振器の外導体の接地経 路以外に介在するキャパシタ ンスが前記基板の第 1 面上 に形成された対をなす電極からなる、 請求範囲第 4項ま たは第 5項に記載の誘電体フ ィ ルタ。
1 2 . 前記複数の誘電体共振器の全てが基板の第 1 面上に支持されてお り 、 誘電体共振器の外導体の接地経 路以外に介在するィ ンダクタ ンスが前記基板の第 1 面上 に形成されたパターンコイルからなる、 請求範囲第 6項 または第 7項に記載の誘電体フ ィ ルタ。
PCT/JP1991/001751 1990-12-26 1991-12-24 Dielectric filter WO1992012546A1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE69125273T DE69125273T2 (de) 1990-12-26 1991-12-24 Dielektrisches filter
EP92901463A EP0519080B1 (en) 1990-12-26 1991-12-24 Dielectric filter
US08/279,471 US5493261A (en) 1990-12-26 1994-07-22 Dielectric filter using quarter wavelength coaxial dielectric resonators connected in series

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2/414043 1990-12-26
JP2414043A JP2587880B2 (ja) 1990-12-26 1990-12-26 誘電体ローパスフィルタ
JP3/35645 1991-02-04
JP3035645A JP2594708B2 (ja) 1991-02-04 1991-02-04 誘電体ハイパスフィルタ
JP3/40635 1991-02-13
JP4063591A JPH04259101A (ja) 1991-02-13 1991-02-13 誘電体バンドパスフィルタ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1992012546A1 true WO1992012546A1 (en) 1992-07-23

Family

ID=27288823

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1991/001751 WO1992012546A1 (en) 1990-12-26 1991-12-24 Dielectric filter

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5493261A (ja)
EP (1) EP0519080B1 (ja)
DE (1) DE69125273T2 (ja)
WO (1) WO1992012546A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2276276A (en) * 1993-03-17 1994-09-21 Marconi Gec Ltd Coaxial resonator and multi-layer circuit board arrangement for a band stop filter
JPH09162766A (ja) * 1995-12-04 1997-06-20 Alps Electric Co Ltd 衛星放送受信チューナ
ITMI981563A1 (it) * 1998-07-09 2000-01-09 Alsthom Cge Alcatel Dispositivo comprendente un risonatore dielettrico coassiale montato su microstriscia a basso rumore di fase e metodo per ridurre il
US20020023273A1 (en) * 2000-08-14 2002-02-21 Hanmi Pharm. Co., Ltd. Apparatus for providing a multiple internet connection service using a hybrid fiber coaxial cable network
JP5907124B2 (ja) * 2013-07-24 2016-04-20 株式会社村田製作所 高周波部品およびフィルタ部品
CN106463805A (zh) * 2014-03-24 2017-02-22 瑞典爱立信有限公司 同轴滤波器及其制造方法
JP6222360B2 (ja) * 2014-06-25 2017-11-01 宇部興産株式会社 誘電体非接触伝送装置及び非接触伝送方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5657304A (en) * 1979-10-15 1981-05-19 Murata Mfg Co Ltd Branching filter using dielectric coaxial resonator
JPS61262301A (ja) * 1984-09-27 1986-11-20 モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド セラミックフィルタ
JPS62128601A (ja) * 1985-11-29 1987-06-10 Murata Mfg Co Ltd マイクロ波フイルタ
JPS6324703A (ja) * 1986-07-16 1988-02-02 Murata Mfg Co Ltd フイルタ
JPS6437101A (en) * 1987-07-31 1989-02-07 Murata Manufacturing Co Microwave filter
JPH0216802A (ja) * 1988-07-04 1990-01-19 Murata Mfg Co Ltd バンドエリミネーションフィルタ

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4245198A (en) * 1978-05-10 1981-01-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency filter device
JPS6065601A (ja) * 1983-09-21 1985-04-15 Oki Electric Ind Co Ltd 誘電体フィルタ
JPS61208902A (ja) * 1985-03-13 1986-09-17 Murata Mfg Co Ltd Ｍｉｃ型誘電体フイルタ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5657304A (en) * 1979-10-15 1981-05-19 Murata Mfg Co Ltd Branching filter using dielectric coaxial resonator
JPS61262301A (ja) * 1984-09-27 1986-11-20 モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド セラミックフィルタ
JPS62128601A (ja) * 1985-11-29 1987-06-10 Murata Mfg Co Ltd マイクロ波フイルタ
JPS6324703A (ja) * 1986-07-16 1988-02-02 Murata Mfg Co Ltd フイルタ
JPS6437101A (en) * 1987-07-31 1989-02-07 Murata Manufacturing Co Microwave filter
JPH0216802A (ja) * 1988-07-04 1990-01-19 Murata Mfg Co Ltd バンドエリミネーションフィルタ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0519080A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP0519080B1 (en) 1997-03-19
DE69125273D1 (de) 1997-04-24
DE69125273T2 (de) 1997-08-28
EP0519080A4 (en) 1993-06-09
US5493261A (en) 1996-02-20
EP0519080A1 (en) 1992-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5357227A (en) Laminated high-frequency low-pass filter
CN102098023B (zh) 层叠平衡滤波器
US6828881B2 (en) Stacked dielectric filter
US7126444B2 (en) Multi-layer band-pass filter
CN102132490B (zh) 层叠平衡滤波器
US5608364A (en) Layered stripline filter including inductive coupling adjustment strip
WO1997036341A1 (fr) Filtre passe-bas a coupleur directif et poste telephonique portatif l&#39;utilisant
US10187038B2 (en) Resonant circuit and high-frequency filter
KR0141975B1 (ko) 절연된 필터 단을 갖는 다단 모노리딕식 세라믹 대역 소거 필터
WO1992012546A1 (en) Dielectric filter
JPS59114902A (ja) 誘電体フイルタ
US8018305B2 (en) Electronic component
JP3050090B2 (ja) 誘電体フィルタ
KR19980079948A (ko) 유전체 필터, 유전체 듀플렉서 및 이들의 제조방법
JP3050538B2 (ja) 群遅延時間補償形帯域通過フィルタ
JPS632404A (ja) 誘電体フイルタの帯域幅調整方法
JP2003142973A (ja) フィルタ
JPH03249801A (ja) 誘電体共振器の共振周波数調整方法及び誘電体共振器
JPH04220001A (ja) 誘電体フィルタ
KR100290292B1 (ko) 유전체 세라믹 공진기 및 이를 이용한 유전체 필터8
KR100501928B1 (ko) 커패시터가 로딩된 다중층 1/4 파장 공진기를 이용한 이단 적층 대역통과 여파기
JPH05102707A (ja) 誘電体フイルタ
JPH0430802Y2 (ja)
JP2014045373A (ja) マイクロ波フィルタ及びその調整法
JPH05183308A (ja) 誘電体フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IT LU MC NL SE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1992901463

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1992901463

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1992901463

Country of ref document: EP