WO1988010007A1 - Heterostructure, application a un laser et procede de realisation - Google Patents

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Franck Omnes
Robert Blondeau
Martin Defour
Philippe Maurel
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    • H01S5/34306—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000nm, e.g. InP based 1300 and 1500nm lasers

Definitions

  • Heterostructure application to a laser and method of production.
  • the invention relates to a device made of semiconductor materials produced on a substrate with a parameter different from that of the semiconductor materials of the device.
  • synthetic diamonds are used as a support for optoelectronic components.
  • the invention consists in using the insulating or semiconductor diamond as a substrate and fabricating the integrated circuits using ion implantations, as is currently carried out on the Si substrate.
  • the invention consists in using the semi-insulating or conductive diamond as a substrate, to epitaxial directly the III-V "" or II-VI (heterojunction, superlattices) semiconductor materials in order to manufacture the components.
  • optoelectronics such as laser, photodiode, photocathode, cel-
  • the invention therefore relates to a device made of semiconductor materials, characterized in that it comprises:
  • the invention also relates to a method for producing a device according to any one of the preceding claims, characterized in that it comprises the following steps:
  • FIG. 3 an exemplary embodiment of a distributed network laser structure (DFB);
  • DFB distributed network laser structure
  • FIG. 5 an exemplary embodiment of a distributed network laser comprising a deflection mirror.
  • Diamond has excellent electrical insulation and thermal conduction properties.
  • the diamond By doping the diamond with boron with doping less than 100 ppm, a p-type semiconductor material is obtained. By doping the diamond with boron greater than 100 ppm, the diamond becomes conductive.
  • the invention therefore provides to take advantage of the qualities of good thermal conduction of the diamond to use it as a substrate in the production of semiconductor components.
  • the implantation of semiconductor materials on the diamond poses problems of mismatching due to the different mesh parameters.
  • the invention provides, as shown in FIG. 1, for producing a layer 2 of amorphous silicon on the diamond 1.
  • This layer of amorphous silicon will after annealing have substantially the same lattice parameter as the diamond and will facilitate nucleation.
  • This silicon layer can be produced by epitaxy at very low temperature, 300 ° C. for example.
  • an adaptation layer is produced such that this adaptation layer is adapted as a mesh parameter with the silicon layer and that a layer of a semiconductor material of a component C is adapted as a mesh parameter on this adaptation layer.
  • This adaptation layer is produced in the form of a superlattice.
  • the layer of amorphous silicon can be about 100 Angstroems thick.
  • the component produced is a semiconductor laser consisting of a first confinement layer 4 doped n, an active layer 5, a second confinement layer 6 doped p and a contact layer 7.
  • the laser shown is made of III-V material from the periodic table.
  • the confinement layers are made of Indium InP phosphide and the active layer is made of arsenic, indium and gallium phosphide.
  • the super ⁇ network 3 consists of layers alternately of different layers so that the mesh parameter of the part of the super-network in contact with the silicon layer 2 to substantially the same lattice parameter as silicon while the part of the superlattice in contact with the first confinement layer 4 has substantially the same lattice parameter as this confinement layer.
  • the superlattice is thus made of III-V type material and by way of example it is made of GaAs and GalnP layers or of GaAs and GalnAs layers.
  • each layer of the superlattice 3 has a thickness of approximately 50 Angstroms.
  • the entire super-grid has a thickness of approximately 2000 Angstroems.
  • the laser produced on the superlattice 3 can also be made of type II-VI semiconductor material and the su ⁇ per-network 3 is then also made of type II-VI semiconductor material.
  • the substrate is diamond.
  • the invention is also applicable to a device in which the substrate is a material of the T-CBN (Transparent Cubic Niobate Borate Nitride) type. Such a substrate receives a layer 2 of amorphous silicon.
  • a component is then produced on the layer 2 of amorphous silicon as, as described above.
  • an adaptation super-network 3 is also provided.
  • the semiconductor materials used and the thicknesses of the different layers are as described above. Likewise, the production of the different layers can be done as previously.
  • the present invention also relates to a semiconductor photo-emitter device of the high power laser type (1 to 10 W) guided by the Index, and using a distributed network.
  • fog DFB Distributed Feedback
  • These devices have aroused great interest for a few years since they operate for a considerably high power value (1 to 10 W). They allow in particular the production of single-mode power lasers operating at 0.8 ⁇ m, 1.3 ⁇ m or 1.55 ⁇ m.
  • a description of a DFB laser type can be found in the article "Low-Threshold Distributed Feedback Lasers Fabricated on Mate ⁇ rial Grown Completely by LP-MOCVD" by M. RAZEGHI et al published in IEEE Journal of Quantum Electronics , Volumes QE-21, number 6 of June 1985.
  • the advantage of the present invention compared to other structures of power semiconductor lasers is that, the thermal conductivity of the diamond is 2 times greater than that of copper.
  • These devices can be used on the one hand to replace gas lasers and on the other hand to pump YAG lasers.
  • Figure 3 shows such a laser structure. We find, in this figure:
  • the active layer 5 is covered with a guide layer 8 produced in the form of a distributed network making it possible to obtain the laser effect.
  • the guide layer 8 is covered with the confinement layer 6 and the contact layer 7.
  • FIG. 4 represents a power laser applying the structure of FIG. 3.
  • the engraving of the ribbons 9 was done in such a way that their direction is perpendicular to the direction of the grooves of the distributed network to obtain the laser effect. These different ribbons emit beams in phase (phase locked).
  • each ribbon has a width of 1 micro ⁇ meter and the distance between two ribbons is two to three micrometers.
  • FIG. 5 represents a laser, as described previously, comprising in the substrate 1, at one end of the laser, an inclined plane 11, for example at 45 °, relative to the emission plane of the laser.
  • This inclined plane 11 is reflective thereby directing 'easily the laser beam emitted towards sitifs dispo ⁇ users not shown.
  • the invention also relates to a method for manufacturing at least one semiconductor device of the laser type with double heterojunction and with index guidance, at high power and single mode (DBF).
  • the device being produced from a Bore-doped diamond substrate. It includes the following steps:
  • a fifth step comprising the deposition of metal contacts on the contact layer and on the face of the substrate.
  • the above process can be followed by etching at one end of the laser obtained from a reflecting plane 11 inclined, at 45 °, for example, relative to the emission plane of the laser.

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Abstract

L'invention concerne un dispositif tel qu'un composant (C) en matériau semiconducteur réalisé sur un substrat (1) de paramètre de maille différent. Le substrat (1) est recouvert d'une couche (2) en silicium recouverte elle-même d'un super-réseau d'adaptation (3) sur lequel est réalisé le composant (C). L'invention est plus particulièrement applicable à un composant réalisé sur diamant.

Description

Heterostructure, application à un laser et procédé de réalisation.
L'invention concerne un dispositif en matériaux semiconducteurs réalisé sur un substrat de paramètre différent de celui des matériaux semiconducteurs du dispositif .
L'étude des propriétés thermiques du diamant fait apparaî¬ tre que d'une part la conductivité thermique est 2 fois supé¬ rieure à celle du cuivre et que d'autre part, le coefficient de dilatation thermique est 5 fois moins important que celui du cui¬ vre.
Cela apparaît clairement dans le tableau ci- dessous ou les caractéristiques du diamant, du nitrure de borate T-CBN (Transparent Cubic Borate Nitrure) et du cuivre sont comparées .
Figure imgf000003_0001
On a récemment réussi à fabriquer du diamant dopé au Bore. Lorsque- la quantité de Bore est supérieure à 100 ppm, le diamant devient conducteur et pour une quantité inférieure à 100 ppm, il devient semiconducteur.
A l'heure actuelle, on utilise le diamant synthétique comme support pour les composants optoélectroniques .
Cependant l'utilisation du diamant ou du nitrure de bo¬ rate T-CBN pour implanter des composants à semiconducteurs n'éta.it pas pensable, le problème à résoudre étant un problème de désadaptation de mailles.
L'invention consiste à utiliser le diamant isolant ou semiconducteur comme un substrat et fabriquer les circuits inté¬ grés en utilisant les implantations ioniques, tel que l'on pro¬ cède actuellement sur le substrat Si.
D'autre part, l'invention consiste à utiliser le diamant semi- isolant ou conducteur comme substrat, à épitaxier directe¬ ment les matériaux semiconducteurs III- V ""ou II- VI (hétérojonction, super-réseaux) afin de fabriquer les composants optoélectroniques tels que laser, photodiode, photocathode, cel-
Iule solaire . . . et les composants hyperf réquences tels que diode
GUNN, diode IMPATT, transistor FET.
L'invention concerne donc un dispositif en matériaux semiconducteurs caractérisé en ce qu'il comporte :
- un substrat en diamant ; - au moins une couche de silicium déposée sur une face du substrat ;
- une série de couches de composés semiconducteurs for¬ mant un super-réseau d'adaptation déposées sur la couche de silicium et dont les couches les plus proches de la couche de silicium ont un premier paramètre de maille peu différent de celui de la couche de silicium et dont les couches les plus éloi¬ gnées ont un deuxième paramètre de maille ; - un composant en matériau semiconducteur dont au moins la couche la plus proche du super-réseau à un paramètre de maille peu différent de celui du deuxième paramètre de maille .
L'invention concerne également un procédé de réalisation ^ d'un dispositif selon l'une quelconques des revendications précé¬ dentes caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes :
- une première étape de réalisation par épitaxie à basse température d'une couche de silicium amorphe sur le substrat ;
- une deuxième étape de chauffage facilitant la distribu¬ ée tion des nucléations ;
- une troisième étape de réalisation par épitaxie d'une couche d'adaptation sur la couche de silicium amorphe ;
- une quatrième étape de réalisation par épitaxie d'un composant en matériau semiconducteur.
I -5 Les différents objets et caractéristiques de l'invention apparaîtront de façon plus détaillée dans la description qui va suivre faite à titre d'exemple en se reportant aux figures an¬ nexées qui représente :
- la figure 1, un exemple de réalisation d'un dispositif ™ selon l'invention ;
- la figure 2, un exemple de réalisation d'un laser semiconducteurs selon l'invention ;
- la figure 3, un exemple de réalisation d'une structure laser à réseau distribué (DFB) ;
2^ - la figure 4, un exemple de réalisation d'un laser de puissance à réseau distribué ;
- la figure 5, un exemple de réalisation d'un laser à réseau distribué comportant un miroir de renvoi.
Le diamant possède d'excellentes propriétés d'isolation 0 électrique et de conduction thermique .
En dopant le diamant avec du bore avec un dopage infé¬ rieur à 100 ppm on obtient un matériau semiconducteur de type p . En réalisant un dopage du diamant avec du bore supérieur à 100 ppm, le diamant devient conducteur . L'invention prévoit donc de mettre à profit les qualités de bonne conduction thermique du diamant pour l'utiliser comme substrat dans la réalisation de composants à semiconducteurs. Cependant l'implantation de matériaux à semiconducteurs sur le diamant pose des problèmes de désadaptation dus aux paramètres de mailles différents .
Pour résoudre ces problèmes l'invention prévoit comme cela est représenté en figure 1 de réaliser sur le diamant 1 une couche 2 de silicium amorphe. Cette couche de silicium amorphe aura après recuit sensiblement un même paramètre de maille que le diamant et facilitera la nucléation.
On procède donc ensuite à un échauffement à une tempéra¬ ture telle que 500 ou 600 °C, par exemple, pour avoir une distri¬ bution des nucléations sur le diamant. Cette couche de silicium peut être réalisée par épitaxie à très basse température, 300°C par exemple.
Sur la couche de silicium 2 est réalisé une couche d'adap¬ tation telle que cette couche d'adaptation soit adaptée-en paramè¬ tre de maille avec la couche de silicium et qu'une couche d'un matériau semiconducteur d'un composant C soit adaptée en para¬ mètre de maille sur cette couche d'adaptation.
Cette couche d'adaptation est réalisée sous forme d'un super-réseau .
Bien que cela ne soit pas toujours obligatoire dans tous les cas, on peut prévoir un recuit à ce stade du procédé.
A titre d'exemple, la couche de silicium amorphe peut faire environ 100 Angstroems d'épaisseur.
Sur la figure 2, le composant réalisé est un laser à semiconducteurs constitué d'une première couche de confinement 4 dopée n, d'une couche active 5, d'une deuxième couche- de confinement 6 dopée p et d'une couche de contact 7.
Le laser représenté est réalisé en matériau III-V de la classification périodique des éléments . A titre d'exemple, les couches de confinement sont en phosphure d'Indium InP et la couche active en phosphure d'arsenic, d'indium et de gallium. Pour réaliser l'adaptation en mailles de ce laser, le super¬ réseau 3 est constitué de couches alternativement de couches différentes de telle façon que le paramètre de maille de la par¬ tie du super- réseau en contact avec la couche de silicium 2 à sensiblement le même paramètre de maille que le silicium tandis que la partie du super-réseau en contact avec la première cou¬ che de confinement 4 a sensiblement le même paramètre de maille que cette couche de confinement.
Le super-réseau est ainsi réalisé en matériau de type III- V et à titre d'exemple il est réalisé de couches GaAs et GalnP ou de couches de GaAs et GalnAs .
Tandis que la couche de silicium 2 a environ une épais¬ seur de 100 Angstroems, chaque couche du super-réseau 3 a une épaisseur d'environ 50 Angstroems . L'ensemble du super-réseau a une épaisseur de sensiblement 2000 Angstroems .
Le laser réalisé sur le super-réseau 3 peut également être réalisé en matériau semiconducteur de type II-VI et le su¬ per-réseau 3 est alors également réalisé en- matériau semiconducteur de type II-VI . Dans ce qui précède on a décrit des exemples de réalisa¬ tion dans lesquels le substrat est du diamant. L'invention est également applicable à un dispositif dans lequel le substrat est un matériau du type T-CBN (Transparent Cubic Niobate Borate Nitrure) . Un tel substrat reçoit une couche 2 de silicium amor- phe .
Un composant est ensuite réalisé sur la couche 2 de silicium amorphe comme, cela a été décrit précédemment. Notam¬ ment, on prévoit également un super-réseau d'adaptation 3.
Les matériaux semiconducteurs utilisés et les épaisseurs des différentes couches sont tels que décrits précédemment. De même, la réalisation des différentes couches peut se faire comme précédemment .
La présente invention concerne également un dispositif semiconducteur photo -émetteur de type laser de puissance élevée (1 à 10 W) à guidage par l'Indice, et utilisant un réseau distri- bué DFB (Distributed Feedback) . Ces dispositifs suscitent de¬ puis quelques années un grand intérêt car ils fonctionnent pour une valeur de puissance considérablement élevée (1 à 10 W) . Ils permettent notamment la réalisation de lasers de puissance mono- modes fonctionnant à 0.8 μm, 1.3 μm ou 1.55 μm. On trouvera une description d'un laser du type laser DFB dans l'article "Low-Threshold Distributed Feedback Lasers Fabricated on Mate¬ rial Grown Completely by LP-MOCVD" de M. RAZEGHI et al pu¬ blié dans IEEE Journal of Quantum Electronics, Volumes QE-21, numéro 6 de juin 1985.
L'intérêt de la présente invention par rapport aux autres structures de lasers semiconducteur de puissance est que, la conductivité thermique du diamant est 2 fois plus importante que celle du cuivre. On peut utiliser ces dispositifs d'une part pour rempla¬ cer les lasers à gaz et d'autre part pour pomper les lasers YAG. La figure 3 représente une telle structure laser. On re¬ trouve, sur cette figure :
- le substrat 1 ; - la couche de silicium amorphe 2 ;
- le super-réseau d'adaptation 3 ; -
- la couche de confinement 4 ;
- la couche active 5.
En supplément, la couche active 5 est recouverte d'une couche de guidage 8 réalisée sous forme d'un réseau distribué permettant d'obtenir l'effet laser.
La couche de guidage 8 .est recouverte de la couche de confinement 6 et de la couche de contact 7.
La figure 4, représente un laser de puissance appliquant la structure de la figure 3.
Sur cette figure, on retrouve les mêmes couches que celles de la figure 3. En supplément, dans la couche active 3 et la couche de guidage 8 ont été gravés des rubans parallèles 9.
La gravure des rubans 9 a été faite de telle façon que leur direction soit perpendiculaire à la direction des sillons du réseau distribué permettant d'obtenir l'effet laser. Ces diffé¬ rents rubans émettent des faisceaux en phase (phase locked) .
A titre d'exemple, chaque ruban a une largeur de 1 micro¬ mètre et la distance entre deux rubans est de deux à trois micro- mètres .
La figure 5, représente un laser, tel que décrit précédem¬ ment, comportant dans le substrat 1, à une extrémité du laser, un plan incliné 11, par exemple à 45°, par rapport au plan d'émission du laser. Ce plan incliné 11 est réfléchissant ce qui permet de diriger ' aisément le faisceau laser émis vers des dispo¬ sitifs utilisateurs non représentés .
L'invention a également pour objet un procédé de fabrica¬ tion d'au moins un dispositif semiconducteur de type laser à double hétérojonction et à guidage par l'indice, à puissance élevée et monomode (DBF) . Le dispositif étant réalisé à partir d'un substrat diamant dopé Bore . Il comporte les étapes suivan¬ tes :
- une première étape de dépôt de couches épita_>dales sur le dit substrat diamant 1, comprenant successivement : - a) dépôt d'une couche de silicium amorphe 2 suivi d'un recuit ;
- b) dépôt d'une série de super-réseaux 3 à base des matériaux semiconducteurs III-V pour éliminer les dislocations dues aux désadaptations de maille cristalline entre le substrat diamant et le semiconducteur III-V utilisé pour la fabrication du laser qui peut également, sans que cela soit obligatoire, être également suivi d'un recuit ;
- c) dépôt d'une première couche de confinement 4 dopé n, une couche active 5, une couche guide d'onde 8 ; - une seconde étape consistant en l'élaboration d'un réseau de Bragg par holographie et gravure chimique dans la couche guide d'onde 8 ;
- une troisième étape constituée par élaboration de ru¬ bans 9 ; - une quatrième étape constituée par épitaxie de la cou¬ che de confinement 6 dopée et de la couche contact 7 ;
- une cinquième étape comprenant le dépôt de contacts métalliques sur la couche de contact et sur la face du substrat.
Le procédé qui précède peut être suivi par une gravure à une extrémité du laser obtenu d'un plan réfléchissant 11 incli¬ né, à 45°, par exemple, par rapport au plan d'émission du laser.
Il est à noter que les différents dépôts précédants peu¬ vent être faits par épitaxie de couches monoatomiques.
Il est bien évident que la description qui précède n'a été faite qu'à titre d'exemple non limitatif. Les exemples numéri¬ ques, notamment, et les types de matériaux utilisables n'ont été indiquées que pour illustrer la description. D'autres variantes peuvent être envisagées sans sortir du cadre de l'invention.

Claims

REVENDICATIONS
~ 1. Dispositif en matériaux semiconducteurs caractérisé en ce qu'il comporte :
- un substrat (1) en diamant ;
- au moins une couche de silicium (2) déposée sur une •5 face du substrat ;
- une série de couches de composés semiconducteurs for¬ mant un super-réseau (3) d'adaptation déposées sur la couche de silicium (2) et dont les couches les plus proches de la couche de silicium (2) ont un premier paramètre de maille peu différent
1 de celui de la couche de silicium (2) et dont les couches les plus éloignées ont un deuxième paramètre de maille ;
- un composant en matériau semiconducteur (C) dont au moins la couche la plus proche du super-réseau (3) à un paramè¬ tre de maille peu différent de celui du deuxième paramètre de i5 maille .
2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (1) en diamant est dopé avec du bore .
3. Dispositif en matériaux semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il compo^te : 0 - un substrat (1) en nitrure de bore cubique transparent
(T-C BN) ;
- au moins une couche de silicium amorphe (2) déposée sur une face du substrat ;
-une série de couches de composés semiconducteurs for- 5 mant un super-réseau (3) d'adaptation déposées sur la couche de silicium amorphe (2) et dont les couches les plus proches de la couche de silicium amorphe (2) ont un premier paramètre de maille adapté à celui de la couche de silicium amorphe (2) et dont les couches les plus éloignées ont un deuxième paramètre 0 de maille ;
- un composant en matériau semiconducteur (C) dont au moins la couche la plus proche du super-réseau (3) à un paramè¬ tre de maille adapté à celui du deuxième paramètre de maille . 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 3, dans lequel le super-réseau (3) comporte une alternance de couches de types différents dont les compositions varient entre la cou¬ che de silicium amorphe (2) et le composant (C) de façon à réall- ser l'adaptation de mailles, caractérisé en ce que l'un des types de couches est en phosphore d'indium (InP) .
5. Dispositif selon l'une des revendication 1 ou 3, caracté¬ risé en ce que le composant (C) est une diode laser comportant sur le super-réseau (3) , une première couche de confinement (4) , une couche active (5) , une deuxième couche de confinement (6) , et une couche de contact (7) .
6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que la première couche de confinement (4) est en phosphure d'indium dopé n, la couche active est en matériau de composés III-V réalisant un puit quan tique, la deuxième couche de confine¬ ment (5) est en phosphure d'indium dopé p.
7. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche active (5) est une succession de couches monoato¬ miques d'arséniure d'indium (InAs) et d'antimoniure d'indium (InSb) .
Figure imgf000012_0001
Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche active (5) est un super-réseau d'arséniure d'indiumCInAs) et d'antimoniure de Gallium (GaSb) .
9. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche active 5 est un super-réseau d'arséniure d'indium
(InAs) et d'antimoniure d'indium (InSb) .
10. Laser appliquant l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte entre la couche active (5) et la deuxième couche de confinement (6) une couche de guidage (8) réalisée sous forme d'un réseau distribué et que plusieurs bandes d'émission laser (9) parallèles entre elles sont réalisées dans la couche active (5) et la couche de guidage (8) , la direction de ces bandes étant perpendiculaires à la direc¬ tion des gravures du réseau. 11. Laser selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comporte à une extrémité du laser, un plan réfléchissant incliné par rapport au plan d'émission du laser.
12. Procédé de réalisation d'un dispositif selon l'une quel- 5 conques des revendications précédentes caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes :
- une première étape de réalisation par épitaxie à basse température d'une couche de silicium amorphe (2) sur le substrat ;
10 - une deuxième étape de chauffage facilitant la distribu¬ tion des nucléations ;
- une troisième étape de réalisation par épitaxie d'une couche d'adaptation (3) sur la couche de silicium amorphe (2) ;
- une quatrième étape de réalisation par épitaxie d'un 15 composant en matériau semiconducteur (C) .
13. Procédé de réalisation selon la revendication YZ, carac¬ térisé en ce que les épitaxies sont des épitaxies de couches monoatomiques .
14. Procédé de réalisation selon la revendication 12, carac- 20 térisé en ce que la quatrième étape de réalisation comporte les
\ phases suivantes :
- une première phase de réalisation de la première couche de confinement (4) dopé n ;
- une deuxième phase de réalisation de la couche active 25 (5) ;
- une troisième phase de réalisation d'une couche de guidage (8) ;
- une quatrième phase de gravure d'un réseau distribué dans la couche de guidage (8) ;
30 - une cinquième phase de réalisation de la deuxième cou¬ che de confinement (G) ;
- une sixième phase de réalisation d'une couche de con¬ tact (7) ;
- une septième phase de réalisation de contacts métalli- 35 ques . 15. Procédé de réalisation selon la revendication 14, carac¬ térisé en ce qu'il comporte, entre la quatrième phase et la cin¬ quième phase, un phase de gravure de rubans déterminant cha¬ cun un laser. 16. Procédé de réalisation selon la revendication 14, carac¬ térisé en ce qu'il comporte une huitième phase de réalisation par gravure d'un plan réfléchissant (10) incliné situé à une extrémité d'émission du laser et incliné par rapport au plan d'émission du laser. 17. Procédé de réalisation selon la revendication 12, carac¬ térisé en ce que la troisième étape de réalisation de la couche d'adaptation (3) comporte la réalisation d'une succession de cou¬ ches de composés de semiconducteurs formant un super réseau d'adaptation . 18. Procédé de réalisation selon la revendication 12, carac¬ térisé en ce qu'il comporte, entre la troisième et la quatrième étape, une étape supplémentaire de recuit.
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