UA72234C2 - Електронний конструктивний елемент і захисна структура, що міститься в ньому - Google Patents
Електронний конструктивний елемент і захисна структура, що міститься в ньому Download PDFInfo
- Publication number
- UA72234C2 UA72234C2 UA2001074959A UA200174959A UA72234C2 UA 72234 C2 UA72234 C2 UA 72234C2 UA 2001074959 A UA2001074959 A UA 2001074959A UA 200174959 A UA200174959 A UA 200174959A UA 72234 C2 UA72234 C2 UA 72234C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- protective structure
- structural element
- tungsten
- fact
- conductive pads
- Prior art date
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- KUVIULQEHSCUHY-XYWKZLDCSA-N Beclometasone Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@]2(Cl)[C@@H]1[C@@H]1C[C@H](C)[C@@](C(=O)COC(=O)CC)(OC(=O)CC)[C@@]1(C)C[C@@H]2O KUVIULQEHSCUHY-XYWKZLDCSA-N 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 101150008563 spir gene Proteins 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 101150004367 Il4i1 gene Proteins 0.000 description 1
- 235000006732 Torreya nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000111306 Torreya nucifera Species 0.000 description 1
- -1 Tungsten Nitride Chemical class 0.000 description 1
- UEOHLCHONPSSGX-UHFFFAOYSA-N [B].[P].O=[Si] Chemical compound [B].[P].O=[Si] UEOHLCHONPSSGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1329—Protecting the fingerprint sensor against damage caused by the finger
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Image Input (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Abstract
Винахід розкриває електронний конструктивний елемент, що містить основу (10), на яку нанесений діелектричний шар (2), виконані на діелектричному шарі електропровідні площадки (4; 14) і електропровідну захисну структуру (6), виконану у рівні над електропровідними площадками (4) таким чином, що електропровідні площадки (4; 14) не повністю покриті захисною структурою (6).
Description
Винахід стосується електронного конструктивного елемента і застосування передбаченої в електронному конструктивному елементі захисної структури як захисту проти електростатичного розряду.
Досі зазвичай всередині корпусу розміщували електронні конструктивні елементи, які мають виводи для підведення живлення і підведення і/або відведення сигналів. Такі електронні конструктивні елементи всередині корпусу містять зокрема виготовлені за так званою КМОН-технологією (СМО5) напівпровідникові чіпи, дуже чутливі до електростатичних розрядів. При цьому в такому конструктивному елементі внаслідок діючих ззовні різниць потенціалів відбувається зміщення зарядів, яке врешті-решт веде до перенапруження на одному чи кількох так званих затворах-конденсаторах, внаслідок чого відбувається безпосередній розряд між окремими пластинами цих затворів-конденсаторів, що, як правило, призводить до руйнування конструктивного елемента.
Електростатичний заряд, що руйнівно розряджається, може виникнути, наприклад, внаслідок дотикання до конструктивного елемента, тому в електронних лабораторіях з метою захисту такі конструктивні елементи розміщують на електропровідній мікропористій гумі. Крім того, працівники електронних лабораторій, які торкаються руками до конструктивних елементів, користуються спеціальними заземленими браслетами, завдяки чому при торканні до конструктивних елементів не виникають небезпечні розряди. В монтажних установках, використовуваних для монтажу конструктивних елементів на друкованих платах, передбачені відповідні запобіжні заходи.
При вмонтовуванні конструктивних елементів у схему виникає, як правило, незначна небезпека руйнування внаслідок електростатичного розряду. Одначе, це може відбуватися внаслідок помилки у схемі чи дефекту в іншому конструктивному елементі. Для запобігання цьому виду пошкодження електронні конструктивні елементи містять, як правило, додаткові схемотехнічні захисні структури, чим забезпечується захист як від електростатичних розрядів, так і від підведених надлишкових напруг. Як правило, такими захисними структурами є схеми, що відводять надлишкову напругу.
Принциповим недоліком таких захисних структур є те, що вони займають площу чіпа, яка могла б бути використана для розміщення власне функціональних конструктивних елементів. Іншим недоліком таких захисних структур є те, що вони часто змінюють функціональну здатність конструктивного елемента без такого захисту. Це відбувається часто внаслідок впливу захисних структур на чутливість і/або динамічний діапазон конструктивного елемента.
У сучасних конструктивних елементах часто відсутній закритий корпус і елементи напівпровідникового чіпа відкрито лежать на поверхні друкованої плати. Такими сучасними електронними конструктивними елементами є, наприклад, так звані "Спір зіге5 раскадеа" (С5Е), при використанні яких монтаж чіпів на друкованій платі здійснюють безпосередньо з використанням їх контактів. Крім того, у зростаючій мірі у вигляді напівпровідникових конструктивних елементів виготовляють різноманітні датчики. При цьому як в разі "Спір 5іге5 раскадев5" (С5Е), так і в разі використання як датчики конструктивні елементи мають повністю або принаймні частково відкритими порівняно значні ділянки своєї поверхні.
В таких випадках виникає особливо гостра потреба у заходах захисту від електростатичних розрядів.
Такими конструктивними елементами є також датчики відбитків пальців, виконані у вигляді матриці великої кількості окремих конденсаторів. Передбачається, що палець, відбиток якого треба зняти, має безпосередньо торкатися поверхні датчика. В цьому випадку особливо легко може виникнути статичний заряд, оскільки при нормальному використанні таких датчиків не може бути прийнятною умова заземлення пальця перед використанням датчика з метою зняття заряду. Також в разі мобільних приладів, оснащених датчиком відбитків пальців, наприклад, в разі мобільних телефонів, залишається небезпека виникнення електростатичного заряду, викликаного оточенням приладу.
Із міжнародної публікації УМО 98/52157 відомий пристрій для зняття відбитків пальців, в якому електропровідний шар розміщений під пластиною маси.
Крім того, із європейської заявки ЕР 09 02 387 А2 відоме розміщення у проміжках між електропровідними площадками поздовжніх заземлених електропровідних смуг, які мають здійснювати захист від електростатичних розрядів.
В основі винаходу лежить задача розробки електронного конструктивного елемента, в якому навіть у випадку, коли значна його частина не оточена корпусом, забезпечений надійний захист від електростатичних розрядів. Відповідно до винаходу ця задача вирішена засобами, наведеними в пунктах 1 і 9 формули винаходу.
Шляхом використання електропровідної захисної структури, яка розміщена у рівні над електропровідними площадками і залишає вільними електропровідні площадки, і відповідного під'єднання цієї захисної структури забезпечується її дія, аналогічна дії клітки Фарадея. Завдяки цьому простим чином здійснюється захист від електростатичних розрядів.
Інші доцільні форми виконання винаходу наведені у додаткових пунктах формули винаходу.
Захисна структура покриває не всю поверхню конструктивного елемента, а лише проміжну зону між електропровідними площадками. Електропровідні смуги, що утворюють захисну структуру, орієнтовані похило, а їх кінці на краях проміжної зони виконують функцію іскровідводів.
Завдяки використанню вольфраму для виготовлення захисної структури, вона має високу стійкість.
Виконання проміжків між смугами, що утворюють захисну структуру, в діапазоні від 1 до 5мкм забезпечує простоту її виготовлення. Крім того, виконання захисної структури у формі решітки поєднує простоту виготовлення з високою ефективністю захисту від електростатичних розрядів при мінімальній потребі в матеріалі.
Нижче винахід докладніше пояснюється з використанням прикладів виконання, зображених на ілюстраціях. На них схематично зображено:
Фіг.1 перший приклад виконання винаходу,
Фіг.2 другий приклад виконання винаходу,
Фіг.3 зображені на Фіг.1 і 2 приклади виконання винаходу у виді зверху,
Фіг.4 вигідне оформлення прикладу виконання винаходу, зображеного на фіг.1,
Фіг.5 інший варіант вигідного оформлення прикладу виконання винаходу, зображеного на Фіг.1,
Фіг.6 суттєві етапи процесу виготовлення електронного конструктивного елемента згідно з винаходом.
В наведеному нижче описі однакові елементи мають однакові позиційні позначення. На Ффіг.1 схематично зображений електронний конструктивний елемент згідно з винаходом. При цьому на поверхні 1 напівпровідникового чіпа нанесено діелектричний шар 2, призначений для розділення активних чи електропровідних структур від контактних площадок чи розміщених над ними електропровідних площадок.
Одна така електропровідна площадка 4 або 4 у зображеному прикладі виконана безпосередньо на діелектричному шарі 2, причому проміжки між електропровідними площадками 4 чи 4" заповнені оксидним шаром 3, який відділяє електропровідні площадки 4 чи 4" від розміщеного над ними нітридного шару 5.
У представленому прикладі виконання електропровідні площадки 4 виконують функцію окремих чутливих елементів датчика відбитків пальців. Кожна електропровідна площадка 4 представляє собою одну обкладинку конденсатора, а палець утворює протилежну обкладинку конденсатора. Електропровідні площадки 4" можуть бути, наприклад, доріжками, причому виводи не показані. Нанесений на оксидний шар З нітридний шар 5 у свою чергу може складатися із кількох шарів. У нітридному шарі 5 виконано канавки, заповнені вольфрамом.
Конструкція виконана таким чином, що палець Е, з якого має бути знятий відбиток, і який має бути прикладений до поверхні цієї структури, з електропровідними площадками 4 утворює конденсатори, оскільки вольфрамова структура 6 розміщена у проміжній зоні 7, між електропровідними площадками 4. Якщо палець Е має електричний заряд, то він розряджається, якщо вольфрамова структура 6 заземлена, як показано на
Фіг1.
У представленому прикладі виконання винаходу датчик відбитків пальців має придатну структуру, в якій оксидний шар, що оточує електропровідні площадки 4, має товщину близько 250нм, нітридний шар має товщину 1500нм, глибина канавок для вольфрамової структури 6 становить 370-700нм, а ширина канавок становить близько мкм.
На Фіг.2 показано застосування вольфрамової структури 6 в електронному конструктивному елементі для поверхневого монтажу, як в разі СР. При цьому до електропровідної площадки 14, виконаної у оксидному шарі, є вільний доступ з поверхні крізь захисний нітридний шар 5. Виконаний у нітридному шарі отвір 7 служить для утворення контакту з електропровідною площадкою 14 при монтажі на поверхні друкованої плати.
При цьому отвір 7 заповнюється припоєм або електропровідним клеєм. | в цьому прикладі виконання на поверхні розміщена вольфрамова структура 6, до якої у змонтованому стані не може наблизитися заряджений палець, одначе навіть і за нормальної роботи змонтованого як СОР електронного конструктивного елемента цілком може статися, що на поверхні друкованої плати може виникнути електростатичний заряд.
Електропровідна захисна структура б, яка і в даному прикладі виконання винаходу є вольфрамовою структурою, в разі її заземлення служить захистом від електростатичних зарядів. Вона служить для конструктивного елемента кліткою Фарадея. Використання вольфраму не є обов'язковим, одначе порівняно з іншими використовуваними в даний час у напівпровідниковій техніці, наприклад, алюмінієвими, сплавами вольфрам допускає в 6 разів більшу густину струму, а температура плавлення вольфраму - 34102С - значно вища від температури плавлення звичайного алюмінієвого сплаву (АІ5іІСи/660"С).
Як на Фіг.1, так і на Фіг.2 вольфрамова структура 6 розміщена над електропровідними площадками 4", що лежать у тому ж рівні, що й електропровідні площадки 4. Таке розміщення електропровідних площадок 4" вибране тому, що вони повинні бути недоступними ззовні.
Це ще раз показано на фіг.3 у виді зверху. Тут зображено електропровідні площадки 4 або 14. На цьому виді не показано верхні шари. Тобто видно електропровідні площадки 4 як контактні площадки, описані з посиланням на Ффіг.2, або як обкладинки конденсаторів, описані з посиланням на Фіг.1. Між цими електропровідними площадками 4 чи 14 виконана решіткоподібна у виді зверху вольфрамова структура 6, орієнтована під нахилом до бічних сторін електропровідних площадок 4 чи 14. Завдяки наявності решіткової структури, а також тому, що решітка не накриває електропровідні площадки 4 або 14, на краях структури утворюються виступи або вістря, особливо придатні для захисту від електростатичних розрядів. Таким чином ця решіткова структура на краях електропровідних площадок 4 виконує функцію іскровідводу. Між електропровідними площадками 4 і 14 розміщені зображені на Фіг.1 і 2 площадки 4", накриті вольфрамовою решіткою 6, оскільки вони не повинні бути доступними зверху.
З посиланням на Фіг.4 і 5 представлений переважний приклад виконання винаходу у вигляді датчика відбитків пальців. При цьому однакові елементи мають однакові позиційні позначення. Датчик відбитків пальців, фрагмент якого зображено на ілюстраціях, містить основу 10, на поверхні якої може бути розміщена активна структура у формі інтегральної мікросхеми, яка, однак, не є обов'язковою для даного винаходу. На частині поверхні основи розміщена полікремнієва структура 9, в свою чергу покрита скляний шар 8 оксиду бору-фосфору-кремнію. На ньому розміщений перший рівень металізації з не показаними детальніше доріжками, накритий діелектричним шаром 2. Це той самий діелектричний шар, що був уже описаний з посиланнями на Фіг.1 і 2. Розміщена над ним структура також відповідає структурі з Фіг.1 і Фіг.2. Увесь конструктивний елемент розміщений у корпусі 11, який полишає відкритою поверхню конструктивного елемента, одначе оточує його край таким чином, що прилягає до поверхні.
Від поверхні до з'єднаної з масою основи крізь усі описані шари прокладено наскрізні контакти. Частина розміщених на поверхні наскрізних контактів електрично з'єднана з вольфрамовою структурою 6. Таким чином утворюється структура, що відповідає клітці Фарадея. Рамка корпусу 11, що охоплює вільну поверхню чіпа, оснащена рамкою 12 маси.
На відміну від цього, в прикладі виконання згідно з Фіг.5 відсутні наскрізні контакти, що проходять крізь усі шари. В цьому варіанті вольфрамова структура електрично з'єднана з рамкою 12 маси. В решті пристрій виконаний так само - наскрізні контакти у крайовій зоні пронизують розміщені нижче структури і з'єднання з масою здійснюється через основу. | в цьому варіанті утворюється таким чином клітка Фарадея.
На відміну від прикладу виконання, зображеного на Ффіг.5, з'єднання між рамкою маси і вольфрамовою структурою може бути утворене за допомогою електропровідного клею. Для цього - на відміну від Фіг.5 - рамка 12 маси не розширюється настільки, щоб вона прилягала до вольфрамової структури. Достатньо рамку 12 маси - аналогічно Ффіг.4 - через електропровідний клейовий шар 13 у наближеній зоні (див. Фіг.5) з'єднати з вольфрамовою структурою.
На Фіг.б6 схематично представлений процес виготовлення вольфрамової структури. Спочатку здійснюють планаризацію структури, яка складається із електропровідних площадок 4, 14, 4" і оксидного шару 3, що їх оточує. На цю структуру наносять шар нітриду, в якому за допомогою літографії виконують травлення для утворення описаних вище канавок. Потім шляхом осадження із парової фази наносять вольфрам. Нанесений на всю поверхню вольфрам знімають до рівня шару нітриду. При цьому в першому і другому варіантах способу виготовлення різні способи видалення вольфраму дають різну (хвилястість структури. На відміну від верхньої частини Фіг.б6 у нижній частині вихідна структура, що складається із електропровідних ділянок і оточуючого їх оксидного шару має плоску поверхню, завдяки чому поверхня нітридного шару також плоска.
Вольфрамова структура в залежності від використовуваної технології може мати ширину проміжків від 1 до 1Омкм. В разі конструктивних елементів СОР, не призначених для екстремальних умов, коли електростатично заряджений палець наближається до поверхні, можна обійтися без решіткової структури, а просто всуціль покрити частину поверхні вольфрамом.
Описаний винахід не обмежений лише напівпровідниковими конструктивними елементами. Він може бути використаний також у майбутніх технологіях, таких як електронні схеми на полімерних ключах. Винахід має особливу перевагу у випадках, коли конструктивні елементи доступні ззовні, як у разі датчиків, причому датчики відбитків пальців є лише одним прикладом. Такі пристрої уже зараз можуть бути використані у чіп- картках, де є потреба у стійких, еластичних і захищених від впливів оточуючого середовища датчиках відбитків пальців з метою надійної ідентифікації користувача.
Електронний конструктивний елемент і застосування захисної структури, що міститься в ньому позначення 2
Нові Старі! 77711111 6. | 5 |Ниітриднийшар.ї///-://::// СІ) 7. | 6 |Вольфрамова структура, Решітка 8. | 2 |проміжнійзонії//-:/ 8. | 14 |електропровіднаплощадка -:/ З: 1. | 9 |полікремнієваструктура. /-://-:у 12. | 8 |Сіаввспіспішар.ї//-/:/ ( т
ЕЕ
ФІГ. 1 Іб, лк ї м в
Ге т Й тного пн п п п в ї | Й ре 5 о й Її р пу ря -3 поши лиш ше ше
Й ї « 7 і т . : фннинннння фін і
Фіг. 2 7 6 - і т От
ЦЕ й тт 1-5 г ! ! ш- ший ши ши Шк й в пет ( і чд «й і Ка
Зх м
ОК ИЙ о о ск Ох
Кф сх Как
СОЯ ж
УК Ф ва мех КА що
МО Ко о п я МКК ух
ОО Я
СЮ рн и о Є а ОКО о ще і
МОХ КК о М . ее СХ що ЖК
Ся ОКО КО о ОКО Ох и о ок
ОКО, п я Кая рах т
ФІГ. 4 | ші
ОО ю х / -2 ЩІ шт ОЗ и рес НУ ших ЩО дент - т і і-й
Вінн в ЦИ ве тт зн МНН Ан ее м А ОС нштв щі Ан.
А ла орла К по -5 п т НН пет а я -8-
ФІГ. 5 і Пт ; ЩІ 12 У ІЗ пптвнтт 5 7 св
Сет тт, г ен нн од милих ттях --е мл г НУ м ИНА НИК НН ПА ТИЧИНА ЖК ДЕ но СЯ ЩІ ши Ті ПЇ ев шН кни шин м і Дорн -43 Гн І 4 Пиши
НІ Бале ИН ОН Я ЗА нин нн шик
ФІГ. БА 2 зе
; б. в Етапі с ШІ - ї залишок? гл ІС ге ДЕРУЧРАРАТІ
Гіланаризація Нанесення Літографія Осадження Протравлювання (зменшена товщина нітридного шару що! витравлювання вольфраму «з РЕОЛЬФ пам. оксидного шару) І (200-нм топологія) | канавки в нІіТриді їз газової Фази ши в СО ше я Її вольфраму нітриду т піп СЕС Дело ее ее
СМР оксиду Планарний Пітографія Осадження Протравлювання шар нітриду І витравлювання вольфраму «и Дольфраму канавки в нітриді із газової фази
СО г що | ще СМе вольфраму
Claims (7)
1. Електронний конструктивний елемент, що містить основу (10), на яку нанесений діелектричний шар (2), виконані на діелектричному шарі електропровідні площадки (4; 14) і електропровідну захисну структуру (б), виконану у рівні над електропровідними площадками (4) таким чином, що електропровідні площадки (4; 14) не повністю покриті захисною структурою (б) і захисна структура (6) розміщена вздовж проміжних зон (27) між електропровідними площадками (4; 14), який відрізняється тим, що захисна структура (6) виконана у вигляді смуг, орієнтованих під нахилом до напрямку проміжної зони (2).
2. Електронний конструктивний елемент за п. 1, який відрізняється тим, що на краю проміжної зони (7) смуги, що утворюють захисну структуру, виконані таким чином, що вони не виходять за межі проміжної зони (7) або змінюють свій напрямок.
З. Електронний конструктивний елемент за одним з пп.1 - 2, який відрізняється тим, що захисна структура (6) виконана із вольфраму.
4. Електронний конструктивний елемент за одним з пп.1 - 3, який відрізняється тим, що ширина проміжків між смугами, що утворюють захисну структуру (6), становить від 1 мкм до 5 мкм.
5. Електронний конструктивний елемент за одним з пп.1 - 4, який відрізняється тим, що захисна структура (6) виконана у вигляді смуг, що утворюють решітку.
6. Електронний конструктивний елемент за одним з пп.ї - 5, який відрізняється тим, що одна із електропровідних площадок (4; 14) є частиною окремого елемента датчика.
7. Захисна структура, що міститься в електронному конструктивному елементі за ознаками одного з пп. 1 - 6, яка відрізняється тим, що вона виконана з можливістю застосування як засобу захисту від електростатичних розрядів.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19901384A DE19901384A1 (de) | 1999-01-15 | 1999-01-15 | Elektronisches Bauelement und Verwendung einer darin enthaltenen Schutzstruktur |
| PCT/DE2000/000112 WO2000042657A1 (de) | 1999-01-15 | 2000-01-13 | Elektronisches bauelement und verwendung einer darin enthaltenen schutzstruktur |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA72234C2 true UA72234C2 (uk) | 2005-02-15 |
Family
ID=7894368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2001074959A UA72234C2 (uk) | 1999-01-15 | 2000-01-13 | Електронний конструктивний елемент і захисна структура, що міститься в ньому |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6714392B2 (uk) |
| EP (1) | EP1129485B1 (uk) |
| JP (1) | JP4035289B2 (uk) |
| KR (1) | KR100426232B1 (uk) |
| CN (1) | CN1150622C (uk) |
| AT (1) | ATE357743T1 (uk) |
| BR (1) | BR0007562A (uk) |
| DE (2) | DE19901384A1 (uk) |
| RU (1) | RU2220476C2 (uk) |
| UA (1) | UA72234C2 (uk) |
| WO (1) | WO2000042657A1 (uk) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9922572D0 (en) | 1999-09-24 | 1999-11-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Capacitive sensing array devices |
| DE10059099C1 (de) * | 2000-11-28 | 2002-06-06 | Infineon Technologies Ag | Bauelement mit ESD-Schutz, z.B. Foliensensor zur biometrischen Erkennung (Fingerabdruckerkennungssensor) |
| DE10110724A1 (de) | 2001-03-06 | 2002-09-26 | Infineon Technologies Ag | Fingerabdrucksensor mit Potentialmodulation des ESD-Schutzgitters |
| DE10119782C1 (de) * | 2001-04-23 | 2002-10-17 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Schutz eines IC vor Auslesen sicherheitsrelevanter Daten (Reverse-Engineering) |
| US6515488B1 (en) * | 2001-05-07 | 2003-02-04 | Stmicroelectronics, Inc. | Fingerprint detector with scratch resistant surface and embedded ESD protection grid |
| DE10126839A1 (de) * | 2001-06-01 | 2002-12-19 | Infineon Technologies Ag | Biometrischer Sensor |
| DE10139414A1 (de) * | 2001-08-17 | 2003-02-27 | Giesecke & Devrient Gmbh | Halbleiterschaltungsanordnung mit biometrischem Sensor und Auswerteeinheit |
| DE10309614A1 (de) * | 2003-03-05 | 2004-09-23 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben |
| US7622736B2 (en) * | 2004-12-07 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| EP1839335A4 (en) * | 2005-01-21 | 2011-09-14 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
| US7329605B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-02-12 | Agere Systems Inc. | Semiconductor structure formed using a sacrificial structure |
| CN101401106B (zh) * | 2006-02-24 | 2012-07-11 | Jds尤尼弗思公司 | 减少绝缘体上导电体的静电放电的方法 |
| AU2012225663B2 (en) | 2011-03-04 | 2017-03-02 | Visa International Service Association | Payment card system and method |
| EP3206027B1 (en) * | 2016-02-11 | 2019-09-11 | Sensirion AG | Sensor chip comprising electrostatic discharge protection element |
| US20170285778A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | Intel Corporation | Electronic device with fingerprint sensor |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2244164A (en) * | 1990-05-18 | 1991-11-20 | Philips Electronic Associated | Fingerprint sensing |
| US5357397A (en) * | 1993-03-15 | 1994-10-18 | Hewlett-Packard Company | Electric field emitter device for electrostatic discharge protection of integrated circuits |
| US5686761A (en) * | 1995-06-06 | 1997-11-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Production worthy interconnect process for deep sub-half micrometer back-end-of-line technology |
| GB9513420D0 (en) * | 1995-06-30 | 1995-09-06 | Philips Electronics Uk Ltd | Power semiconductor devices |
| US6114862A (en) * | 1996-02-14 | 2000-09-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Capacitive distance sensor |
| US6259804B1 (en) * | 1997-05-16 | 2001-07-10 | Authentic, Inc. | Fingerprint sensor with gain control features and associated methods |
| US6483931B2 (en) * | 1997-09-11 | 2002-11-19 | Stmicroelectronics, Inc. | Electrostatic discharge protection of a capacitve type fingerprint sensing array |
| US6087253A (en) * | 1998-03-03 | 2000-07-11 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method of forming landing plugs for PMOS and NMOS |
| US6002569A (en) * | 1998-06-29 | 1999-12-14 | Hewlett-Packard Company | Electrostatic discharge protection apparatus |
-
1999
- 1999-01-15 DE DE19901384A patent/DE19901384A1/de not_active Ceased
-
2000
- 2000-01-13 WO PCT/DE2000/000112 patent/WO2000042657A1/de active IP Right Grant
- 2000-01-13 EP EP00907422A patent/EP1129485B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-13 DE DE50014183T patent/DE50014183D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-13 AT AT00907422T patent/ATE357743T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-01-13 CN CNB008028125A patent/CN1150622C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-01-13 BR BR0007562-0A patent/BR0007562A/pt not_active IP Right Cessation
- 2000-01-13 UA UA2001074959A patent/UA72234C2/uk unknown
- 2000-01-13 KR KR10-2001-7008944A patent/KR100426232B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-01-13 JP JP2000594156A patent/JP4035289B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-01-13 RU RU2001122809/09A patent/RU2220476C2/ru not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-07-16 US US09/906,475 patent/US6714392B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19901384A1 (de) | 2000-07-27 |
| DE50014183D1 (de) | 2007-05-03 |
| BR0007562A (pt) | 2001-10-23 |
| JP4035289B2 (ja) | 2008-01-16 |
| EP1129485A1 (de) | 2001-09-05 |
| US20020066942A1 (en) | 2002-06-06 |
| EP1129485B1 (de) | 2007-03-21 |
| RU2220476C2 (ru) | 2003-12-27 |
| US6714392B2 (en) | 2004-03-30 |
| KR20010101546A (ko) | 2001-11-14 |
| KR100426232B1 (ko) | 2004-04-08 |
| CN1150622C (zh) | 2004-05-19 |
| CN1337066A (zh) | 2002-02-20 |
| JP2002535837A (ja) | 2002-10-22 |
| ATE357743T1 (de) | 2007-04-15 |
| WO2000042657A1 (de) | 2000-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW526454B (en) | Casing for biometric sensor-chips | |
| UA72234C2 (uk) | Електронний конструктивний елемент і захисна структура, що міститься в ньому | |
| EP1347407B1 (en) | Capacitance detection type sensor and manufacturing method thereof | |
| US7205613B2 (en) | Insulating substrate for IC packages having integral ESD protection | |
| US7869180B2 (en) | Spark gap apparatus and method for electrostatic discharge protection | |
| US7161784B2 (en) | Spark gap apparatus and method for electrostatic discharge protection | |
| KR100633883B1 (ko) | 포토마스크 | |
| WO2000014801A1 (en) | High voltage shield | |
| CN100440506C (zh) | 集成电子电路以及该电路的设计方法 | |
| US20060126254A1 (en) | Protection of an integrated capacitor | |
| KR100788779B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| CN102897706B (zh) | 用于保护布线和集成电路器件的方法和装置 | |
| KR100351600B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| CA2511147C (en) | Spark gap apparatus and method for electrostatic discharge protection | |
| US7122757B2 (en) | Contact sensor package structure | |
| EP0441374A1 (en) | Semiconductor device provided with capacitors | |
| EP1612897B1 (en) | Spark gap apparatus and method for electrostatic discharge protection | |
| MXPA01007178A (en) | Electronic component and use of a protective structure contained therein | |
| JP4100732B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR100356928B1 (ko) | 정전기방전보호를갖는회로보드 | |
| JPH062285Y2 (ja) | 静電破壊防止回路 | |
| JP2002216117A (ja) | 静電容量検出方式の指紋検出装置 | |
| KR20090035817A (ko) | 인쇄회로기판 형성방법 | |
| JPH02228060A (ja) | 集積回路保護装置及び該装置を備えた集積回路装置 | |
| JPH11284132A (ja) | 耐静電気放電用集積回路デバイス |