JP4035289B2 - 指紋センサ - Google Patents

指紋センサ Download PDF

Info

Publication number
JP4035289B2
JP4035289B2 JP2000594156A JP2000594156A JP4035289B2 JP 4035289 B2 JP4035289 B2 JP 4035289B2 JP 2000594156 A JP2000594156 A JP 2000594156A JP 2000594156 A JP2000594156 A JP 2000594156A JP 4035289 B2 JP4035289 B2 JP 4035289B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive
fingerprint sensor
tungsten
conductive surface
protection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000594156A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002535837A (ja
Inventor
オポルカ ハインツ
フォン−バッセ パウル−ヴェルナー
シャイター トーマス
グロースマン ライナー
ペータース クリスティアン
フィッシュバッハ ラインハルト
ガイマン アンドレアス
ロステック トーマス
ジプラーク ドマゴイ
ザッセ トールステン
ゲルナー ラインハルト
ビーアナー ユスティン
メルツル ミヒャエル
ハンマー クラウス
ヴィッテ マルクス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of JP2002535837A publication Critical patent/JP2002535837A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4035289B2 publication Critical patent/JP4035289B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13Sensors therefor
    • G06V40/1329Protecting the fingerprint sensor against damage caused by the finger
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

【0001】
本発明は、指紋センサに関する。従来、電子部品は通常ケーシング内に設けられているが、これらの電子部品からはエネルギー供給もしくは信号を供給及び/又は取り出すための供給線が出ている。これらの電子部品において、特にいわゆるCMOS技術により製造された半導体チップをケーシング内部に有する電子部品は、静電放電に対し大変敏感である。この時、この電子部品には外部からこの部品に作用する電位差により電荷移動が起こり、これは最終的に1つまたは複数のいわゆるゲートコンデンサの過電圧を招くため、このゲートコンデンサの各プレート間に直接放電が起こり、これにより通常は部品が破損してしまう。このような後に破損を招く静電的な帯電は、例えば接触によって生じ得るものであり、これに対する防護策として、電子工学の実験室では、例えばこれらの部品を導電性のセルラーラバー上に置く。さらに、電子工学の実験室でこれらの部品に触る人は、適切なアースバンドを身につけることが多いので、接触による帯電は起こり得ない。これらの部品をプリント基板に取り付ける実装装置を用いた製造のために、相応する安全対策が講じられている。
【0002】
これらの部品がいったん回路上に組み込まれてしまえば、通常は、この部品が静電放電により破損する危険はわずかしかない。しかしこれは、常に回路の欠陥又は他の部品の故障により起こり得る。これを避けるため、通常電子部品は付加的に回路技術的な保護構造体を有しているので、静電放電に対する保護(ESD保護)も供給された過電圧に対する保護も存在する。この過電圧とは、通常は分岐した回路の過電圧である。
【0003】
このようなESD保護の基本的な欠点は、これに電子部品の本来の機能に対し何も寄与しない「チップ面積が必要」なことである。このようなESD保護のその他の欠点は、これによりしばしば、ESD保護のない部品の機能が変化してしまうことである。このESD保護により、しばしば部品の感度及び/又は動特性に対する影響が生じる。
【0004】
今日の新しい電子部品は閉鎖式のケーシングを有していないので、半導体チップの部品は外側に露出している。これらの新しい電子部品は、例えばいわゆる「チップ・サイズ・パッケージ」(CSP)であり、ここではチップがその接点と共に直接プリント基板上にマウンティングされる。さらに様々なセンサもまた半導体チップとして製造されることが多くなっている。CSPにおいてもセンサとしての使用においても、この部品は全体的に又は少なくとも一つの部分的にかなり大きな、周囲から自由に接触できる面を有している。
【0005】
このような場合、静電放電に対する保護対策が強く要求される。指紋センサはこのような半導体チップとして形成され、これは多くの個々のキャパシタンスからなるマトリックスにより形成されている。このセンサは、指紋を取る指が、直接部品に触れるように構成されている。特にこのような場合、容易に静電的な帯電が起こり得る。なぜならこのようなセンサを通常に使用する際、使用前に放電のために指を接地しておかなければならないとしたら、それは受け入れがたいためである。例えば携帯電話等の、指押圧センサないしは指紋センサが設けられている移動装置においても、この装置を持ち歩くことにより静電的な帯電が生じる危険がある。
【0006】
本発明の課題は、かなりの部分がケーシングに囲まれていない場合でも、確実なESD保護が得られるような指紋センサを提供することである。この課題は、本発明の特許請求項に記載する手段により解決される。
【0007】
導電性の保護構造体を導電面の上方の面に設け、導電面を空けておくことによって、この導電性の保護構造体が適切な接続によりファラデー・ケージの作用を有することが確実となる。これにより、静電放電に対する保護が簡単に保証される。
【0008】
その他の有利な構成は、従属請求項に記載されている。
【0009】
間隙領域を設けることにより、導電面が保護構造体によって覆われることがなくなる。この保護構造体の帯状の傾斜した構成は、間隙領域に向けられた、面状に構成されていない端部へ続き、これらの端部は避雷針の作用を有している。
【0010】
この保護構造体の製造のためにタングステンを使用することにより、この構造体は高い耐性を持つ。
【0011】
1〜5μmの構造幅を有するこの保護構造体の構成は、特に扱いやすいものとなっている。さらにこの保護構造体の格子状の構成は、最少の材料しか必要とせずに、製造の容易性と、ESD保護の高い有効性とを合わせ持つ。
【0012】
以下、図面を参照しながら、実施例に基づき本発明を説明する。
図1は、本発明の第1の実施例であり、
図2は、本発明の第2の実施例であり、
図3は、図1及び2に記載された実施例の上面図であり、
図4は、図1に記載された実施例の有利な構成であり、
図5は、図1に記載された実施例の別の有利な構成であり、
図6は、本発明の指紋センサの主な製造工程を示す。
【0013】
以下の記載において、同一の参照符号は同一の部材を示す。
【0014】
図1は、本発明の指紋センサを概略的に示す。ここで半導体チップの表面1の上には誘電層2があり、この誘電層2は、活性的なもしくは導電性の構造を、接触面もしくはその上にある導電面から分離するために設けられている。このような導電面4もしくは4´は、記載された実施例においては、誘電層2の上に直接設けられており、ここで導電面4もしくは4´間の間隙は、酸化物3によって充填されており、この酸化物は、導電面4もしくは4´を、その上にある窒化物層5からも隔てている。
【0015】
この記載された指紋センサの実施例では、導電面4を指紋センサの各センサ素子とする。ここでこの導電面4はそれぞれコンデンサ面を成しており、一方、指そのものは対向するコンデンサ面を成している。これらの導電面4´は例えば導線であり、それらの端子は記載していない。一方酸化物3の上には窒化物層5が形成されているが、これは複数の層から構成されていても良い。この窒化物層5には切欠が設けられており、これらの切欠はタングステンで充填されている。こうしてこの装置は、指紋を走査するためにこの構造体の表面に置かれる指Fが、導電面4とともにさらにコンデンサを形成するようにして構成されている。それはこのタングステン構造体6が、導電面4間の間隙領域Zに配置されているからである。この指が帯電していると、もしタングステン構造体6が接地されていれば、図1に示唆しているように放電される。
【0016】
この実施例における指紋センサは、導電面4を取り巻く酸化物の厚さが約250nmであり、窒化物の厚さが1500nmであり、タングステン構造体6の切欠の深さが約370〜700nmであり、これらの切欠の幅が約1μmであるという適切な構造を有している。
【0017】
図2には、CSPのような表面実装用電子部品への、指紋センサ適用例が記載されている。ここでは酸化物の中に構成されている導電面14が、保護用窒化物5を貫通して表面に露出している。このようにして形成された開口7は、プリント基板への表面実装の際、接触パッドとして用いられる導電面14のボンディングに用いられる。この時、この開口7は半田又は導電性接着剤により充填される。ここでもまた表面にはタングステン構造体6が設けられており、これは実装した状態における通常の使用の際には、電荷を帯びていない指が近づくが、CSPとして実装された部品の通常の作動においても、プリント基板の表面に静電的な帯電が生じることは容易にあり得る。この記載された実施例において、タングステン構造体として構成されている導電保護構造体6は、もし接地されていれば、ここでもまた静電放電に対する保護体として用いられる。この導電保護構造体6は、いわゆるファラデー・ケージとしての構成部材のために作用する。タングステンの使用は必然的なものではないが、現在半導体技術で使用されている他のアルミニウム合金に対し、タングステンはファクタ6だけ高い電流密度を有し、タングステンの融点も、3410℃であって、通常のアルミニウム合金よりも著しく高い(AlSiCuは660℃)。
【0018】
図1、2ともに、このタングステン構造体6は導電面4´の上方に形成されており、導電面4と同じ面にある。このような構成に選択されているのは、外部から導電面4´に接近できないようにするためである。
【0019】
この構成は、図3において再度、上から見た図として示されている。ここには導電面4もしくは14が記載されている。この記載にはカバー層を設けていない。即ち、これらの導電面4は、図1に示したコンデンサプレート4及び図2に示した接触面14と見なす。これらの導電面4もしくは14の間には、導電性のタングステン構造体6が、上から見て格子状となるように構成されており、その際このタングステン構造体6は導電面4もしくは14の側面に対し斜めの方向を向いている。この格子の形成、及びこの格子が導電面4もしくは14を覆わないことにより、この構造の周縁部に、静電放電に対する保護に特に適した突起もしくは端部が形成される。従ってこの格子構造は、導電面4の周縁部において、避雷針と同様の作用を有している。これらの導電面4もしくは14の間に、すでに図1及び2において示したように、タングステン格子6によって覆われている導電面4´がある。これは、これらの導電面4´が上方に到達できるようになってはならないためである。
【0020】
図4もしくは図5には、本発明の指紋センサの有利な構成が示されている。ここでは同一の構成部材には同一の参照符号が付せられている。断面図として示されている指紋センサは、基板10から構成されており、その表面には、能動素子による構造を集積回路の形で設けることができるが、これは本発明にとってどうしても設けなければならないというわけではない。その上には、基板表面の一部にポリシリコン9からなる構造が設けられ、これは一方でホウ素・リン・ケイ素酸化物ガラス層8によって覆われている。その上には、詳しく図示しない金属被覆路を有する第1の金属被覆層が設けられており、これは誘電層2により覆われている。これは、既に図1もしくは図2から公知であるものと同じ誘電層である。その上にある構造は、図1もしくは図2に示した構造に相当する。部品全体がケーシング11により取り囲まれ、このケーシングは構成部材の表面を開放しているが、その周縁部では、このケーシングが表面にも置かれるようにして囲んでいる。
【0021】
図4によれば、スルーホールが表面から先に記載した全ての層を通り、アースに接続された基板にまで設けられている。このスルーホールの表面にある部分が、再びタングステン構造体6と電気的に接続されている。このようにして、ファラデー・ケージに相当する構成が設けられている。露出したチップ面を囲むケーシング11のフレームには、アースフレーム12が設けられている。
【0022】
上記構成と異なり、図5によれば、全ての層を通るスルーホールは設けられていない。ここに記載された実施例においては、タングステン構造体6は導電的にアースフレーム12に接続されている。その他は、この下にある構造同士が互いに周縁領域でスルーホール接続され、その後この基板を介してアース接続が行われる。ここに記載された実施例においても、このようにしてファラデー・ケージが設けられている。
【0023】
図5に示した変形実施例によれば、アースフレームとタングステン構造体6との間の接続は、導電性接着剤を介して生じさせることもできる。このためには、図5に示されているように、アースフレーム12が、タングステン構造体6の上に置かれるまで引き延ばさなくてはならない。この時、アースフレーム12の構造は、図4に示したものと同様に、近傍領域(図5a参照)の導電性接着剤接続部13を介してタングステン構造体6と接続すれば十分である。
【0024】
図6には、タングステン構造の製造過程を概略的に示す。まず初めに、導電面4もしくは14もしくは4´及びこれらの面を取り囲む酸化物3から生じる構造体の平坦化を行う。この構造体上に、リソグラフィー処理された窒化物を塗布し、その後既述の切欠の形成のために窒化物トレンチエッチングが行われる。次に、CVD処理ステップ(Chemical Vapor Deposition)により、タングステンを塗布する。このように全面に塗布されたタングステンは、再び窒化物層の高さまで取り去る。その際、I及びIIに記載された様々な切削方法によって、様々な波形構造が生じる。図6の下側部分においては、上側部分とは反対に、導電面と導電面を取り巻く酸化物からなる初期構造が平らなため、窒化物層も平らに形成される。
【0025】
タングステン構造体には、使用する技術に応じて1〜10mの構造幅を設けることができる。静電的に帯電した指がこの表面に近づくような極端な事がないCSP部品においては、格子構造を形成せずに、簡単に表面の一部を全体的にタングステンで覆うようにしても良い。
【0026】
本発明は、指紋センサ以外に、例えばチップカードにも適用できる。この場合使用者が同一人物かを確実に判断できるように、抵抗力のある、弾性的な、環境の及ぼす影響から保護されるように構成すると有利である
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施例を示す図である。
【図2】 本発明の第2の実施例を示す図である。
【図3】 図1及び2に記載された実施例の上面図である。
【図4】 図1に記載された実施例の有利な構成を示す図である。
【図5】 図1に記載された実施例の別の有利な構成を示す図である。
【図5A】 図5の部分的な詳細図である。
【図6】 本発明の指紋センサの主な製造工程を示す図である。

Claims (4)

  1. 基板(10)上に形成された誘電層(2)と、該誘電層上に相互に間隙領域(Z)をおいて形成された複数の導電面(4;14)と、導電保護構造体(6)とを有しており、該導電保護構造体(6)は、該複数の導電面(4;14)の上方の平面に、該複数の導電面(4;14)間に形成されている間隙領域(Z)に沿って格子状に配置されている指紋センサにおいて、
    該保護構造体(6)が帯状に、かつ前記間隙領域(Z)の幅方向に対し斜めの方向に延在していることを特徴とする指紋センサ
  2. 前記保護構造体は、該間隙領域(Z)を出ないように延在している、請求項1記載の指紋センサ
  3. 前記保護構造体(6)がタングステンから構成されている、請求項1〜2のいずれか1項記載の指紋センサ
  4. 前記保護構造体(6)の構造幅が1〜5μmである、請求項1〜3のいずれか1項記載の指紋センサ
JP2000594156A 1999-01-15 2000-01-13 指紋センサ Expired - Fee Related JP4035289B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19901384A DE19901384A1 (de) 1999-01-15 1999-01-15 Elektronisches Bauelement und Verwendung einer darin enthaltenen Schutzstruktur
DE19901384.5 1999-01-15
PCT/DE2000/000112 WO2000042657A1 (de) 1999-01-15 2000-01-13 Elektronisches bauelement und verwendung einer darin enthaltenen schutzstruktur

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002535837A JP2002535837A (ja) 2002-10-22
JP4035289B2 true JP4035289B2 (ja) 2008-01-16

Family

ID=7894368

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000594156A Expired - Fee Related JP4035289B2 (ja) 1999-01-15 2000-01-13 指紋センサ

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6714392B2 (ja)
EP (1) EP1129485B1 (ja)
JP (1) JP4035289B2 (ja)
KR (1) KR100426232B1 (ja)
CN (1) CN1150622C (ja)
AT (1) ATE357743T1 (ja)
BR (1) BR0007562A (ja)
DE (2) DE19901384A1 (ja)
RU (1) RU2220476C2 (ja)
UA (1) UA72234C2 (ja)
WO (1) WO2000042657A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9922572D0 (en) 1999-09-24 1999-11-24 Koninkl Philips Electronics Nv Capacitive sensing array devices
DE10059099C1 (de) * 2000-11-28 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Bauelement mit ESD-Schutz, z.B. Foliensensor zur biometrischen Erkennung (Fingerabdruckerkennungssensor)
DE10110724A1 (de) * 2001-03-06 2002-09-26 Infineon Technologies Ag Fingerabdrucksensor mit Potentialmodulation des ESD-Schutzgitters
DE10119782C1 (de) * 2001-04-23 2002-10-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Schutz eines IC vor Auslesen sicherheitsrelevanter Daten (Reverse-Engineering)
US6515488B1 (en) * 2001-05-07 2003-02-04 Stmicroelectronics, Inc. Fingerprint detector with scratch resistant surface and embedded ESD protection grid
DE10126839A1 (de) * 2001-06-01 2002-12-19 Infineon Technologies Ag Biometrischer Sensor
DE10139414A1 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 Giesecke & Devrient Gmbh Halbleiterschaltungsanordnung mit biometrischem Sensor und Auswerteeinheit
DE10309614A1 (de) * 2003-03-05 2004-09-23 Infineon Technologies Ag Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung derselben
DE602005013692D1 (de) * 2004-12-07 2009-05-14 Semiconductor Energy Lab Halbleiterbauelement und verfahren zu seiner herstellung
US8835907B2 (en) * 2005-01-21 2014-09-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and semiconductor device
US7329605B2 (en) * 2005-03-31 2008-02-12 Agere Systems Inc. Semiconductor structure formed using a sacrificial structure
CN101401106B (zh) * 2006-02-24 2012-07-11 Jds尤尼弗思公司 减少绝缘体上导电体的静电放电的方法
BR112013022559A2 (pt) 2011-03-04 2018-03-13 Visa International Service Association cartão, e, método para fabricar um cartão
EP3206027B1 (en) * 2016-02-11 2019-09-11 Sensirion AG Sensor chip comprising electrostatic discharge protection element
US20170285778A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 Intel Corporation Electronic device with fingerprint sensor

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2244164A (en) * 1990-05-18 1991-11-20 Philips Electronic Associated Fingerprint sensing
US5357397A (en) * 1993-03-15 1994-10-18 Hewlett-Packard Company Electric field emitter device for electrostatic discharge protection of integrated circuits
US5686761A (en) * 1995-06-06 1997-11-11 Advanced Micro Devices, Inc. Production worthy interconnect process for deep sub-half micrometer back-end-of-line technology
GB9513420D0 (en) * 1995-06-30 1995-09-06 Philips Electronics Uk Ltd Power semiconductor devices
US6114862A (en) * 1996-02-14 2000-09-05 Stmicroelectronics, Inc. Capacitive distance sensor
US6259804B1 (en) * 1997-05-16 2001-07-10 Authentic, Inc. Fingerprint sensor with gain control features and associated methods
US6483931B2 (en) * 1997-09-11 2002-11-19 Stmicroelectronics, Inc. Electrostatic discharge protection of a capacitve type fingerprint sensing array
US6087253A (en) * 1998-03-03 2000-07-11 Vanguard International Semiconductor Corporation Method of forming landing plugs for PMOS and NMOS
US6002569A (en) * 1998-06-29 1999-12-14 Hewlett-Packard Company Electrostatic discharge protection apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
ATE357743T1 (de) 2007-04-15
DE19901384A1 (de) 2000-07-27
BR0007562A (pt) 2001-10-23
CN1150622C (zh) 2004-05-19
UA72234C2 (uk) 2005-02-15
JP2002535837A (ja) 2002-10-22
US20020066942A1 (en) 2002-06-06
EP1129485B1 (de) 2007-03-21
DE50014183D1 (de) 2007-05-03
US6714392B2 (en) 2004-03-30
CN1337066A (zh) 2002-02-20
EP1129485A1 (de) 2001-09-05
KR20010101546A (ko) 2001-11-14
KR100426232B1 (ko) 2004-04-08
RU2220476C2 (ru) 2003-12-27
WO2000042657A1 (de) 2000-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6654566B2 (ja) 指紋検知システムの接続パッド
JP4035289B2 (ja) 指紋センサ
KR101963395B1 (ko) 웨이퍼 레벨 칩 패키지 구조 및 패키징 방법
JP3980387B2 (ja) 容量検出型センサ及びその製造方法
EP0789334B1 (en) Integrated circuit device having an opening exposing the integrated circuit die and related methods
TW526454B (en) Casing for biometric sensor-chips
CN100456428C (zh) 半导体装置的制造方法
US6740945B2 (en) Apparatus and method for contacting a conductive layer
US7071708B2 (en) Chip-type sensor against ESD and stress damages and contamination interference
KR101620373B1 (ko) 표면 센서
TW201636805A (zh) 指紋感測裝置
EP1018696A3 (en) Static charge dissipation pads for sensors
JP2000193410A (ja) 能動回路表面用の静電荷散逸
US6330145B1 (en) Apparatus and method for contacting a sensor conductive layer
KR100758516B1 (ko) 지문 인식용 반도체 장치
US7061091B2 (en) Surface mount package with integral electro-static charge dissipating ring using lead frame as ESD device
KR100922529B1 (ko) 접촉형 센서 내장 반도체 장치 및 그 제조 방법
CN101681893A (zh) 半导体集成电路装置、半导体集成电路装置的安装结构及半导体集成电路装置的制造方法
JP2002048507A (ja) 半導体装置およびその製造方法
MXPA01007178A (en) Electronic component and use of a protective structure contained therein
JP2000333933A (ja) 指紋検出装置
JP2004333268A (ja) 表面形状認識装置およびその製造方法
JPH025416A (ja) 半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051202

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060227

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060306

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060601

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070928

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071029

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees