UA39823C2 - Способ изготовления игольчатого автоэмиссионного катода с локализованной автоэлектронной эмиссией - Google Patents
Способ изготовления игольчатого автоэмиссионного катода с локализованной автоэлектронной эмиссией Download PDFInfo
- Publication number
- UA39823C2 UA39823C2 UA99074321A UA99074321A UA39823C2 UA 39823 C2 UA39823 C2 UA 39823C2 UA 99074321 A UA99074321 A UA 99074321A UA 99074321 A UA99074321 A UA 99074321A UA 39823 C2 UA39823 C2 UA 39823C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- tip
- cathode
- microprotrusion
- field
- field emission
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 26
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 2
- 241001442654 Percnon planissimum Species 0.000 abstract 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- -1 neon ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003121 nonmonotonic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
Предлагаемый способ изготовления игольчатого автоэмиссионного катода с локализованной автоэлектронной эмиссией может быть использован при производстве автоэмиссионных электронных микроскопов с повышенной разрешающей способностью. Предлагаемый способ заключается в том, что осуществляют электрохимическое травление вольфрамового игольчатого наконечника катода, формируют атомарно чистую поверхность острия наконечника, обеспечивают образование микроскопического выступа на поверхности острия наконечника, прикладывая к наконечнику электрический потенциал в среде паров неона, и последующее испарение материала микроскопического выступа в электрическом поле для образования структуры острия наконечника, обеспечивающей автоэлектронную эмиссию. Для образования микроскопического выступа используется электрический потенциал, обеспечивающий плотность тока, создаваемого потоком электронов в процессе автоэлектронной эмиссии, равную 2ч1010 … 5 1011 А/м2, прикладываемый к наконечнику катода в течение интервала времени t = k/JP, где J - плотность тока в начале образования микроскопического выступа, P - давление паров неона, k - коэффициент пропорциональности, равный k = (2,2 … 3,0)г1011 с ПаПА/м2. Предлагаемый способ обеспечивает повторяемость характеристик рабочей части автоэмиссионного катода и повышение производительности в процессе производства катодов.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA99074321A UA39823C2 (ru) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | Способ изготовления игольчатого автоэмиссионного катода с локализованной автоэлектронной эмиссией |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA99074321A UA39823C2 (ru) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | Способ изготовления игольчатого автоэмиссионного катода с локализованной автоэлектронной эмиссией |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA39823C2 true UA39823C2 (ru) | 2003-06-16 |
Family
ID=74209372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA99074321A UA39823C2 (ru) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | Способ изготовления игольчатого автоэмиссионного катода с локализованной автоэлектронной эмиссией |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA39823C2 (ru) |
-
1999
- 1999-07-27 UA UA99074321A patent/UA39823C2/ru unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5301168B2 (ja) | 冷電界エミッタ | |
| KR100505378B1 (ko) | 전자원과그전자원을구비한전자선조사장치 | |
| JP4167917B2 (ja) | 電子エミッタを形成する方法 | |
| US20130119252A1 (en) | Gas field ion source and method for using same, ion beam device, and emitter tip and method for manufacturing same | |
| JP5551830B2 (ja) | 粒子源及びその製造方法 | |
| JP4792625B2 (ja) | 電子放出素子の製造方法及び電子デバイス | |
| JP5675968B2 (ja) | 粒子源及びその粒子源を用いたデバイス | |
| JP2011124099A (ja) | 荷電粒子線装置のエミッタ、その製造方法、および当該エミッタを備える荷電粒子線装置 | |
| JP3903577B2 (ja) | 電子放出素子用ダイヤモンド部材、その製造方法及び電子デバイス | |
| CN109804450B (zh) | 电子束装置 | |
| JP3582855B2 (ja) | 熱電界放射陰極及びその製造方法 | |
| EP2242084B1 (en) | Method of manufacturing an electron source | |
| WO2012174993A1 (zh) | 粒子源及其制造方法 | |
| JPH07509803A (ja) | 冷陰極を製造する方法 | |
| JP3547531B2 (ja) | 電子線装置 | |
| KR100264365B1 (ko) | 니들 전극 및 전자 에미터용 니들 전극의 제조방법 | |
| UA39823C2 (ru) | Способ изготовления игольчатого автоэмиссионного катода с локализованной автоэлектронной эмиссией | |
| US11482397B1 (en) | High output ion source, ion implanter, and method of operation | |
| US5727978A (en) | Method of forming electron beam emitting tungsten filament | |
| JPH09185942A (ja) | 冷陰極素子及びその製造方法 | |
| KR102076956B1 (ko) | 표면산화막과 전계증발현상을 이용한 금속선 팁의 초미세 선단부 가공방법 | |
| JP4867643B2 (ja) | ショットキーエミッタの製造方法 | |
| Edgcombe et al. | Field emission and electron microscopy | |
| JPWO2004073010A1 (ja) | 電子銃 | |
| JP4353193B2 (ja) | 電子源とその電子源を備えた電子線照射装置 |