UA39823C2 - Method for producing a needle field-emitting cathode with localized field emission - Google Patents
Method for producing a needle field-emitting cathode with localized field emission Download PDFInfo
- Publication number
- UA39823C2 UA39823C2 UA99074321A UA99074321A UA39823C2 UA 39823 C2 UA39823 C2 UA 39823C2 UA 99074321 A UA99074321 A UA 99074321A UA 99074321 A UA99074321 A UA 99074321A UA 39823 C2 UA39823 C2 UA 39823C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- tip
- cathode
- microprotrusion
- field
- field emission
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 26
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 2
- 241001442654 Percnon planissimum Species 0.000 abstract 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- -1 neon ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003121 nonmonotonic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Винахід належить до способів виготовлення електронних автоемітерів, які використовують у приладах з 2 локалізованою електронною автоемісією, наприклад, у високорозрізняльних польових емісійних мікроскопах та сильнострумових джерелах електронів.The invention relates to methods of manufacturing electronic self-emitters, which are used in devices with 2 localized electron self-emission, for example, in high-resolution field emission microscopes and high-current electron sources.
Для збільшення розрізняльної здатності автоемісійних приладів і одержання коліміруваних електронних пучків необхідні джерела електронів з локалізацією автоемісії на невеликій області емітера (Ж.І. Дранова,To increase the resolving power of autoemission devices and obtain collimated electron beams, electron sources with autoemission localization on a small area of the emitter are necessary (Z.I. Dranova,
В.Ф. Зеленський, І.М. Михайловський, В.О. Стратієнко і В.К. Хоренко, АС СРСР Мо 727048. 1977, Н 01 у 9/02) (11. 70 Відомий спосіб виготовлення вістряного автоемітера з локалізованою емісією шляхом нанесення на монокристалічне вістря з атомно-гладкою поверхнею, заздалегідь сформованою низькотемпературним польовим випаруванням або високотемпературною термообробкою, тонкої плівки речовини з підвищеною емісійною здатністю і подальшої термообробки вістря (патент США Мо 3.374.386, кл. 313-346, опубл. 1968) |21.V.F. Zelenskyi, I.M. Mykhaylovskyi, V.O. Stratienko and V.K. Khorenko, AS USSR Mo 727048. 1977, H 01 in 9/02) (11. 70 A known method of manufacturing a pointed autoemitter with localized emission by applying a thin film to a single crystal point with an atomically smooth surface, previously formed by low-temperature field evaporation or high-temperature heat treatment substances with increased emissivity and subsequent heat treatment of the tip (US patent Mo 3.374.386, cl. 313-346, publ. 1968) |21.
Локалізації емісії досягають за рахунок того, що у процесі термообробки речовина плівки локалізується на 12 визначених гранях. Недоліком такого способу є невисока локалізація емісії, яка пов'язана з тим, що розмір емітуючої області звичайно перевищує десятки ангстрем, а також недостатня термічна стабільність виготовленого емітера.Localization of the emission is achieved due to the fact that in the process of heat treatment the substance of the film is localized on 12 defined faces. The disadvantage of this method is the low localization of the emission, which is due to the fact that the size of the emitting region usually exceeds tens of angstroms, as well as the insufficient thermal stability of the manufactured emitter.
Відомий спосіб виготовлення автоемітера з локалізованою емісією шляхом електрохімічного травлення та наступного іонного травлення, який полягає в тому, що монокристалічну або текстуровану осесиметричну заготовку (наприклад, дротяну) піддають електрохімічному травленню до сформування конічної вершини, а потім іонному травленню шляхом опромінення прискореними іонами інертних газів, одночасно обертаючи її навколо осі (Віедеївеп О.К., Ропсе РБГ.А., Тгатопіапа .).5. Аррі. РПпуз. Гей. 1989. 2540. Р. 1223) |З). При цьому формується атомно-гладка поверхня вістря. За допомогою цього способу вдається досягнути локалізації емісії близко до атомної Недоліком цього способу є низька продуктивність: час виготовлення одного автоемітера с 29 складає декілька годин. Ге)A known method of manufacturing an autoemitter with localized emission by electrochemical etching and subsequent ion etching, which consists in the fact that a single-crystal or textured axisymmetric workpiece (for example, wire) is subjected to electrochemical etching to form a conical top, and then to ion etching by irradiation with accelerated ions of inert gases, simultaneously rotating it around the axis (Viedeivep O.K., Ropse RBG.A., Tgatopiapa .).5. Arri. RPpuz. Gay. 1989. 2540. R. 1223) |Z). At the same time, an atomically smooth surface of the tip is formed. With the help of this method, it is possible to achieve localization of the emission close to the atomic one. The disadvantage of this method is low productivity: the manufacturing time of one autoemitter with 29 is several hours. Gee)
Найбільш близьким до пропонованого винаходу технічним рішенням є спосіб виготовлення вістряного автоемітера з локалізованою емісією, який включає електрохімічне травление вістря з вольфрамового дроту з осьовою текстурою, формування атомногладкої поверхні вершини вістря, створення у атмосфері неону на вершині вістря мікровиступу шляхом подання на вістря потенціалу і випарування мікровиступу в електричному о полі до отримання на вершині вістря емітуючого комплекса (Ріпк Н.МУ. ІВМ 9. Кез. ЮОемеїІор. 1986, М.30, Р.460) |41. сThe technical solution closest to the proposed invention is a method of manufacturing a pointed autoemitter with localized emission, which includes electrochemical etching of a tip from tungsten wire with an axial texture, formation of an atomically smooth surface of the top of the tip, creation of a microprotrusion in the neon atmosphere at the top of the tip by applying a potential to the tip and evaporating the microprotrusion in the electric field until the tip of the emitting complex is obtained at the top (Ripk N.MU. IVM 9. Kez. YuOemeiIor. 1986, M.30, R.460) |41. with
Формування відбувається в умовах високого або надвисокого вакууму і контролюється за допомогою польового емісійного мікроскопа. соFormation takes place under conditions of high or ultrahigh vacuum and is monitored using a field emission microscope. co
Цей спосіб дозволяє виготовити автоемітер з більш високою локалізацією емісії, ніж спосіб (2 ефективним ду джерелом є група із декількох атомів на плоскій кристалографічній грані; у порівнянні із способом |З) 3о відтворність виготовлення автоемітера у способі |4| вище. оThis method makes it possible to manufacture an autoemitter with a higher localization of emission than method (2, the effective d source is a group of several atoms on a flat crystallographic face; in comparison with method |Ж) 3о reproducibility of manufacturing an autoemitter in method |4| above. at
Недолік способу |4| пов'язаний з неможливістю одночасного досягнення високої відтворності і продуктивності тону, що висока відтворність геометричних параметрів автоемітера забезпечується тільки в умовах надвисокого вакууму (тиск нижчий 10-/Па), що обумовлює низьку продуктивність. Продуктивність « способу обмежується часом, необхідним для забезпечення надвисокого вакууму у процесі термообробки. При -о 79 проведенні термопольової обробки у технічному вакуумі (тиск вище 107 Па) атоми залишкових газів не с контрольовано впливають на протікання поверхневих дифузійних процесів і формування мікровиступу, що :з» обумовлює низьку відтворність конфігурації робочої частини автоемітера.Disadvantage of method |4| connected with the impossibility of simultaneously achieving high reproducibility and tone productivity, that high reproducibility of the geometric parameters of the autoemitter is ensured only in conditions of ultra-high vacuum (pressure lower than 10-/Pa), which causes low productivity. The productivity of the method is limited by the time required to ensure ultra-high vacuum in the heat treatment process. When thermal field treatment is carried out in a technical vacuum (pressure above 107 Pa), the atoms of residual gases do not have a controlled effect on the flow of surface diffusion processes and the formation of a microprotrusion, which causes low reproducibility of the configuration of the working part of the autoemitter.
В основу винаходу поставлена задача у способі виготовлення вістряного автоемітера з локалізованою 415 емісією, шляхом створення мікровиступу з визначеною геометрією, підвищити відтворність конфігурації робочої с частини автоемітера і добитися збільшення продуктивності способу.The basis of the invention is the task in the method of manufacturing a pointed autoemitter with localized 415 emission, by creating a microprotrusion with a defined geometry, to increase the reproducibility of the configuration of the working part of the autoemitter and to achieve an increase in the productivity of the method.
Поставлена задача вирішується у способі, який складається з електрохімічного травлення вістря із іс), вольфрамового дроту з осьовою текстурою, формування атомно-гладкої поверхні вершини вістря, створення в о атмосфері неону на вершині вістря мікровиступу шляхом подання на вістря потенціалу і випарування мікровиступу в електричному полі до отримання на вершині вістря емітуючого комплексу. Згідно з винаходом ко мікровиступ створюють при потенціалі на вістрі, який забезпечує щільність струму автоелектронів 2... 1019 - сю З. 1011А/м2 протягом часу ї - КДОР), де У - щільність струму електронів у початковий момент створення мікровиступу; Р - тиск пари неону; К - коефіцієнт пропорційності, який дорівнює (2.2 - 3.0)10!"Пад/м?.The problem is solved in a method that consists of electrochemical etching of a tip from a tungsten wire with an axial texture, formation of an atomically smooth surface of the top of the tip, creation of a microprotrusion in a neon atmosphere at the top of the tip by applying a potential to the tip and vaporizing the microprotrusion in an electric field until obtaining at the top of the tip of the emitting complex. According to the invention, a microprotrusion is created at a potential on the tip, which ensures a current density of autoelectrons 2... 1019 - σ З. 1011A/m2 during time и - KDOR), where У - electron current density at the initial moment of creation of a microprotrusion; P - vapor pressure of neon; K is the proportionality factor, which is equal to (2.2 - 3.0) 10! Pad/m?.
Суть винаходу пояснюється так. 29 Підчас розробки цього винаходу було встановлено, що при бомбардуванні іонами неону автоемітера, якийThe essence of the invention is explained as follows. 29 During the development of this invention, it was established that during the bombardment with neon ions of the autoemitter, which
ГФ! працює у автоелектронному режимі, залежність від щільності струму .) величини 1/У(а9/4О, де ї - час опромінення, має немонотонний характер. Відносна швидкість зміни величини струму має максимум, висота о якого зростає із збільшенням тиску неону, проте положення максимуму відносно щільності електричного струму залишається практично незмінним від зразка до зразка і знаходиться в інтервалі 5 . 1010 - 1011А/м2, Якщо 60 замінити неон іншими газами, такими як гелій, водень або аргон, зміни струму і мікрогеометрії поверхні автоемітера мали невідтворний характер. Використання пари неону забезпечує підвищення відтворності і продуктивності способу.GF! operates in the autoelectronic mode, the dependence on the current density .) of the value 1/У(а9/4О, where и is the irradiation time, has a non-monotonic character. The relative rate of change of the current value has a maximum, the height o of which increases with increasing neon pressure, but the position of the maximum relative to the electric current density remains practically unchanged from sample to sample and is in the range of 5.1010 - 1011A/m2, If 60 is replaced by neon with other gases, such as helium, hydrogen or argon, changes in the current and the microgeometry of the autoemitter surface were irreproducible. neon provides increased reproducibility and productivity of the method.
Встановлено, що радіаційно-стимулююче загострення автоемітера супроводжується зміною конфігурації його вершини. Аналіз еволюції топографії поверхні, яка спостерігається при пошаровому випаруванні зразків, бо показує, що в процесі бомбардування робоча (напівсферична) частина автоемітерів трансформується в осесиметричну поверхню, яка уявляє собою параболоїд, сполучений з напівсферою радіусом, що залежить від часу обробки, та є суттєво меншин головного радіусу кривини біля вершини параболоїду.It was established that the radiation-stimulating sharpening of the autoemitter is accompanied by a change in the configuration of its top. The analysis of the evolution of the topography of the surface, which is observed during the layer-by-layer evaporation of the samples, because it shows that during the bombardment, the working (hemispherical) part of the autoemitters is transformed into an axisymmetric surface, which is a paraboloid connected to the hemisphere with a radius that depends on the processing time, and is significantly smaller of the main radius of curvature near the top of the paraboloid.
Наявність осьової текстури забезпечує можливість створення мікровиступу безпосередньо у центрі вістря.The presence of an axial texture provides the possibility of creating a microprotrusion directly in the center of the tip.
Відсутність осьової текстури дроту веде до виникнення мікровиступу поза осі вістря, що знижує відтворність електронно-оптичних характеристик. Суттєво, що реалізація цього способу, в відповідності з винаходом (Ж..The absence of an axial texture of the wire leads to the appearance of a microprotrusion outside the axis of the tip, which reduces the reproducibility of the electron-optical characteristics. It is significant that the implementation of this method, in accordance with the invention (Zh..
Дранова, І.М. Михайловський і В.Б. Кулько, АС СРСР Мо 358737, 1972, Н 01 у 1/30) І5), не потребує створення умови надвисокого вакууму. Це визначає високу продуктивність пропонованого способу. |(онне бомбардування автоемітера при потенціалі на вістрі, який забезпечує щільність струму автоелектронів, що дорівнює (2 0 1079 -- 70.5 0 101) А/м2, протягом часу Її - КОР), веде до створення мікровиступу, необхідного для локалізації емісії, при високому рівні продуктивності і відтворності.Dranova, I.M. Mykhaylovskyi and V.B. Kulko, AS USSR Mo 358737, 1972, H 01 in 1/30) I5), does not require the creation of ultra-high vacuum conditions. This determines the high productivity of the proposed method. |(the bombardment of the autoemitter at a potential at the tip, which provides a current density of autoelectrons equal to (2 0 1079 -- 70.5 0 101) A/m2, during the time It is KOR), leads to the creation of a microprotrusion necessary for the localization of the emission, at high level of productivity and reproducibility.
Випарування мікровиступу в електричному полі до отримання на вершині вістря емітуючого комплексу забезпечує досягнення атомно-гладкої поверхні, що дозволяє підвищити відтворність.Evaporation of the microprotrusion in an electric field until the tip of the emitting complex is obtained at the top ensures the achievement of an atomically smooth surface, which allows for increased reproducibility.
Таким чином, запропонований спосіб, як і спосіб, що обраний як прототип, дозволяє виготовляти автоемітер 75 З контрольованою локалізацією емісії і розташуванням робочої ділянки на оптичній осі. Поряд з цим запропонований спосіб характеризується високою відтворністю та продуктивністю.Thus, the proposed method, as well as the method chosen as a prototype, makes it possible to manufacture an autoemitter 75 with controlled emission localization and the location of the working area on the optical axis. In addition, the proposed method is characterized by high reproducibility and productivity.
На фіг.1 наведена залежність швидкості зміни емісійного струму під дією бомбардування іонами неону від щільності струму; на фіг.2 - іонно-мікроскопічне зображення робочої частини автоемітера безпосередньо після радіаційно-стимульованого формування поверхні; на фіг.3 - зображення того ж зразка, що і на фіг.2, після видалення напівсферичного мікровиступу.Figure 1 shows the dependence of the rate of change of the emission current under the action of neon ion bombardment on the current density; Fig. 2 is an ion microscopic image of the working part of the autoemitter immediately after the radiation-stimulated formation of the surface; Fig. 3 is an image of the same sample as in Fig. 2, after removing the hemispherical microprotrusion.
Приклад. Вольфрамові вістряні автоемітери виготовляли електрохімічним травленням дроту з осьовою текстурою |119| в однонормальному розчині їдкого натру. Формування атомно-гладкої поверхні вершини вістря, створення в атмосфері пари неону на вершині вістря мікровиступу і випарування мікро виступу в електричному полі проводили за допомогою польового емісійного мікроскопа, який працював в електронному і іонному с режимах. Як зображуючий газ використовували гелій при тиску 102 О 1073 Па. При роботі в автоелектронному о режимі гелій відкачували до рівня 1079. 10-7Па і в робочу камеру напускали неон. Опромінення здійснювали іонами неону, які утворювались при поданні на вістряний зразок негативного потенціалу. При цьому густина струну автоелектронів складала 2 0 1019 - 5. 1011А/м2, У процесі бомбардування відбувалось формування зо мікровиступу, розмір якого контролювали за допомогою іонного мікроскопа. Час, необхідний для формування о мікровиступу, складав Її - КЛОР). Коефіцієнт К дорівнював (2.2 - 3.010!"Пад/м. із.Example. Tungsten pointed autoemitters were produced by electrochemical etching of a wire with an axial texture |119| in a one-normal solution of caustic soda. The formation of an atomically smooth surface of the top of the tip, the creation of neon vapor in the atmosphere at the top of the tip of the microprotrusion, and the evaporation of the microprotrusion in an electric field were carried out with the help of a field emission microscope operating in electron and ion modes. Helium was used as the imaging gas at a pressure of 102 О 1073 Pa. When working in the auto-electronic mode, helium was pumped up to a level of 1079.10-7Pa and neon was injected into the working chamber. Irradiation was carried out with neon ions, which were formed when a negative potential was applied to the sharpened sample. At the same time, the density of the autoelectron string was 2 0 1019 - 5.1011A/m2. During the bombardment, a microprotrusion was formed, the size of which was monitored using an ion microscope. The time required for the formation of a microprotrusion was Her - KLOR). The K coefficient was equal to (2.2 - 3.010" Pad/m. of
На фіг! приведена типова залежність 1/)(а0/4О) від щільності електронного струму У при тиску неону (с 4. 103Па. Залежність побудована на базі часової характеристики струму з вихідним радіусом кривини вістряного авто емітера бонм при напрузі на вістрі 18008. Аналіз зміни мікротопографії поверхні, яка спостерігалась при о випаруванні вістряних автоемітерів (фіг.2 і 3), показав, що в процесі бомбардування формується робоча частина «З автоемітерів у вигляді параболоїда, сполученого з напівсферичним мікровиступом. У всіх випадках центр напівсфери, яка сформована у процесі іонного бомбардування, розташовувався на кристалографічній осі (1101, яка співпадала з геометричною віссю автоемітера. На стадії формування іонним бомбардуванням на порядок « підвищилась локальність емісії.For a fig! a typical dependence of 1/)(a0/4O) on the electron current density U at the neon pressure (c 4.103Pa. The dependence is built on the basis of the time characteristic of the current with the output radius of curvature of the pointed auto-emitter bonm at a voltage on the point of 18008. Analysis of changes in the surface microtopography , which was observed during the evaporation of pointed autoemitters (Figs. 2 and 3), showed that in the process of bombardment, the working part of the autoemitters is formed in the form of a paraboloid connected to a hemispherical microprotrusion. In all cases, the center of the hemisphere, which is formed in the process of ion bombardment, was located on the crystallographic axis (1101), which coincided with the geometric axis of the autoemitter. At the stage of formation, ion bombardment increased the emission locality by an order of magnitude.
Загальний час отримання вістряного автоемітера запропонованим способом складає (0.2 - 0.3) години. При - с використанні способу виготовлення авто емітер а з локалізованою емісією за допомогою іонного травлення |З) ц середній час, необхідний для виготовлення авто емітера з розмірами емітуючого комплексу, близькими до ,» моноатомного, складає порядку 10 годин.The total time for obtaining a sharpened autoemitter by the proposed method is (0.2 - 0.3) hours. When using the method of manufacturing auto-emitter with localized emission using ion etching, the average time required to manufacture an auto-emitter with the size of the emitting complex close to that of a monoatomic one is on the order of 10 hours.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA99074321A UA39823C2 (en) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | Method for producing a needle field-emitting cathode with localized field emission |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA99074321A UA39823C2 (en) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | Method for producing a needle field-emitting cathode with localized field emission |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA39823C2 true UA39823C2 (en) | 2003-06-16 |
Family
ID=74209372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA99074321A UA39823C2 (en) | 1999-07-27 | 1999-07-27 | Method for producing a needle field-emitting cathode with localized field emission |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA39823C2 (en) |
-
1999
- 1999-07-27 UA UA99074321A patent/UA39823C2/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5301168B2 (en) | Cold field emitter | |
| KR100505378B1 (en) | Electron beam irradiation apparatus with electron source and the electron source | |
| JP4167917B2 (en) | Method for forming an electron emitter | |
| US8847173B2 (en) | Gas field ion source and method for using same, ion beam device, and emitter tip and method for manufacturing same | |
| JP5551830B2 (en) | Particle source and manufacturing method thereof | |
| JP4792625B2 (en) | Method for manufacturing electron-emitting device and electronic device | |
| JP5675968B2 (en) | Particle source and device using the particle source | |
| CN109804450B (en) | Electron beam apparatus | |
| JP2011124099A (en) | Emitter of charged particle beam device, manufacturing method thereof, and charged particle beam device equipped with the emitter | |
| JP3903577B2 (en) | Diamond member for electron-emitting device, manufacturing method thereof, and electronic device | |
| JP3582855B2 (en) | Thermal field emission cathode and method of manufacturing the same | |
| WO2012174993A1 (en) | Particle source and manufacturing method therefor | |
| EP2242084B1 (en) | Method of manufacturing an electron source | |
| JPH07509803A (en) | How to manufacture a cold cathode | |
| JP3793618B2 (en) | Electron source and electron beam irradiation apparatus equipped with the electron source | |
| KR100264365B1 (en) | Method of making a neddle electrode and method of making a needle electrode for an electron emitter | |
| UA39823C2 (en) | Method for producing a needle field-emitting cathode with localized field emission | |
| JP3547531B2 (en) | Electron beam equipment | |
| US11482397B1 (en) | High output ion source, ion implanter, and method of operation | |
| US5727978A (en) | Method of forming electron beam emitting tungsten filament | |
| KR102076956B1 (en) | Manufacturing Method of Ultrafine Ends Using Surface Oxide Film and Electric Field Evaporation of Metal Wire Tip | |
| JPH09185942A (en) | Cold cathode element and its manufacture | |
| Edgcombe et al. | Field emission and electron microscopy | |
| JP4867643B2 (en) | Manufacturing method of Schottky emitter | |
| JP4353193B2 (en) | Electron source and electron beam irradiation apparatus equipped with the electron source |