TWM656338U - 減少邊緣餘影的電容式觸控面板 - Google Patents
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Abstract
本新型提供一種減少邊緣餘影的電容式觸控面板，其包括一基板、一陣列電極結構、一個以上的架橋絕緣層及多數個絕緣結構，該陣列電極結構設在該基板上，在該陣列電極結構的水平電極與垂直電極的相鄰位置之間形成有多數個間隙；該等架橋絕緣層設在該陣列電極結構的相鄰水平電極之間，並橋接相鄰的垂直電極；該等絕緣結構填補該陣列電極結構的間隙；其中該陣列電極結構、該等架橋絕緣層及該等絕緣結構的折射率係相互匹配。當本新型應用於電容式觸控顯示裝置時，本新型藉由改善電容式觸控面板的陣列電極結構及架橋層之餘影浮現問題，達到提升顯示效果的目的。
Description
本新型涉及一種電容式觸控面板，尤指一種減少邊緣餘影的電容式觸控面板。
由於科技與生活的結合，使得觸控顯示技術已被廣泛的應用在日常生活中，常見的一種應用於觸控顯示裝置的傳統電容式觸控面板，請參閱圖5所示，其中包括一基板100、一陣列電極結構，該陣列電極結構主要係由多數個水平感應線路200及多數個垂直感應線路300交錯排列組成，該等水平感應線路200係在一水平方向上排列，該等垂直感應線路300係在一垂直方向上排列，據此相互交錯地設置在該基板100的表面上。
每一個水平感應線路200係包括多數個水平電極210，相鄰的水平電極210之間具有一連接部220，該等水平電極210係透過該等連接部220相互串接；每一個垂直感應線路300係包括多數個垂直電極310、多數個絕緣層320及多數個架橋層330，該等絕緣層320及該等架橋層330分別位在相鄰的垂直電極310之間，並且，該等絕緣層320係分別設置在該等連接部220上，且分別延伸至相鄰的垂直電極310，該等架橋層330則分別設置在該等絕緣層320上，並分別與相鄰的垂直電極310電連接。現有技術中，當使用者觸碰傳統電容式觸控面板時，使用者身上所帶的電荷將使水平電極210或垂直電極310產生電荷變化，外部的控制器即可透過電荷變化感測使用者所觸控的位置。
然而，當現有技術的觸控顯示裝置在使用狀態並進行顯示時，由於傳統電容式觸控面板的基板100與水平電極210、垂直電極310的折射率差異甚大，因此，當使用者以大角度進行觀看時，容易觀察到該等水平電極210及該等垂直電極310的邊緣餘影。再者，該等絕緣層320與該等架橋層330之間亦存在折射率的差異，導致使用者亦容易觀察到該等架橋層330的邊緣餘影，影響觸控顯示裝置的顯示效果。
因此，如何解決上述現有技術之不足，確實是有需要提出較佳解決方案的必要性。
有鑑於上述現有技術的不足，本新型的主要目的在於提供一種電容式觸控面板，透過改良傳統電容式觸控面板的絕緣層的技術，以改善電容式觸控面板的陣列電極結構及架橋層之餘影浮現問題，從而提升顯示效果。
為達成上述目的，本新型所採取的主要技術手段係令前述電容式觸控面板包括：
一基板；
一陣列電極結構，係設在該基板上，該陣列電極結構的相鄰水平電極係相互連接，並在該陣列電極結構的水平電極與垂直電極的相鄰位置之間形成多數個間隙；
一個以上的架橋絕緣層，係設在該陣列電極結構的相鄰水平電極之間，並且橋接相鄰的垂直電極；
多數個絕緣結構，係填充於該陣列電極結構上的該等間隙內；
其中，該陣列電極結構、該等架橋絕緣層及該等絕緣結構的折射率相互匹配。
根據上述構造，當本新型應用於電容式觸控顯示裝置時，本新型透過該等架橋絕緣層橋接該陣列電極結構的相鄰垂直電極，並且，在該陣列電極結構上的該等間隙內填充有該等絕緣結構，該等絕緣結構、該陣列電極結構及該等架橋絕緣層的折射率係相互匹配，使觸控面板整體的折射率較為一致；故本新型藉由改善電容式觸控面板的陣列電極結構以及架橋層之餘影浮現問題，達到提升顯示效果的目的。
關於本新型之減少邊緣餘影的電容式觸控面板的第一實施例，請參閱圖1及圖2所示，其中包括一基板10、一陣列電極結構20、一個以上的架橋絕緣層30及多數個絕緣結構40，該陣列電極結構20係設置在該基板10上，該陣列電極結構20的相鄰水平電極21係相互連接，並在該陣列電極結構20的水平電極21與垂直電極22的相鄰位置之間形成有多數個間隙G；該等架橋絕緣層30係設置在該陣列電極結構20的相鄰水平電極21之間，並且，該等架橋絕緣層30橋接相鄰的垂直電極22；該等絕緣結構40係填充於該陣列電極結構20的該等間隙G內；其中，該陣列電極結構20、該等架橋絕緣層30及該等絕緣結構40的折射率相互匹配。
藉由上述構造，當本新型應用於電容式觸控顯示裝置時，本新型透過該等架橋絕緣層30橋接該陣列電極結構20的相鄰垂直電極22，並且，在該陣列電極結構20上的該等間隙G內填充有該等絕緣結構40，該等絕緣結構40、該陣列電極結構20及該等架橋絕緣層30的折射率係相互匹配，在本實施例中的折射率相互匹配的方式包括折射率相近或折射率相同，較佳為折射率相同，藉此使觸控面板整體的折射率較為一致，減少光的反射率差異，以改善電容式觸控面板的陣列電極結構以及架橋層之餘影浮現問題，從而提升顯示效果。
在本實施例中，前述該陣列電極結構20、該等架橋絕緣層30及該等絕緣結構40的折射率係相互匹配的具體方式，其可包括令該陣列電極結構20、該等架橋絕緣層30及該等絕緣結構40可採用相似、相同或不同的材質或材料。
在本實施例中，該陣列電極結構20、該等架橋絕緣層30及該等絕緣結構40採用相似的材質或材料，而相似的材質或材料係具有相近或相同的折射率，藉由調整該等架橋絕緣層30及該等絕緣結構40之厚度，以令該陣列電極結構20、該等架橋絕緣層30及該等絕緣結構40的折射率相互匹配。
在本實施例中的採用相似的材質或材料係指該陣列電極結構20、該等架橋絕緣層30及該等絕緣結構40採用的材質或材料具有共同之元素(如oxide)。舉例而言，該陣列電極結構20採用的材質或材料可包括氧化鋁鋅(Aluminum Zinc Oxide, AZO)、氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide, IZO)；該等絕緣結構40採用的材質或材料可包括二氧化鋯(Zirconium dioxide, ZrO
2)、五氧化二鈮(Niobium(V) oxide, Nb
2O
5)或五氧化二鉭(Tantalum pentoxide, Ta
2O
5)。須強調的是，在本實施例中該等架橋絕緣層30採用的材質或材料可由一電極結構結合一絕緣結構而形成，惟在本實施例中對於材質、材料及構造僅是舉例而非加以限制。
此外，在本實施例中，該陣列電極結構20、該等架橋絕緣層30及該等絕緣結構40亦可採用不同的材質或材料，而不同的材質或材料係具有相近或相同的折射率，藉由調整該等架橋絕緣層30及該等絕緣結構40之厚度，使該陣列電極結構20、該等架橋絕緣層30及該等絕緣結構40的折射率相互匹配。舉例而言，該陣列電極結構20採用的材質或材料可包括氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)；在本實施例中，該陣列電極結構20的折射率可為2.0。在本實施例中，該等絕緣結構40採用的材質或材料則可包括氮化矽(Silicon Nitride, Si
3N
4)或氮化鋁(Aluminum Nitride, AlN)；在本實施例中，該等絕緣結構40的折射率可介於1.9至2.3之間。
在本實施例中該等絕緣結構40採用的材質或材料包括二氧化鋯、五氧化二鈮、五氧化二鉭、氮化矽或氮化鋁等無機化合物，該等絕緣結構40可具有介於5至9之間的莫氏硬度，如此，可降低製造過程中因刮傷所產生的斷路問題。
關於本實施例的該陣列電極結構20、該等架橋絕緣層30之具體構造，如圖1及圖2所示，該陣列電極結構20係設置在該基板10的表面上，該陣列電極結構20的水平電極21在一水平方向X上排列，該陣列電極結構20的垂直電極22則在一垂直方向Y上排列，該等水平電極21與該等垂直電極22係呈交錯排列，其中，在該陣列電極結構20的相鄰水平電極21之間形成有一連接部211，該連接部211的兩端係連接相鄰的水平電極21，該等架橋絕緣層30係設置在該連接部211上。
仍如圖1及圖2所示，在本實施例中，該等架橋絕緣層30進一步包括一絕緣層31及一架橋層32，因此在本實施例中，該陣列電極結構20、該絕緣層31、該架橋層32及該等絕緣結構40的折射率亦相互匹配；其中該絕緣層31係設置在該連接部211的上表面，該架橋層32係設置在該絕緣層31的上表面，該絕緣層31在該垂直方向Y上的兩端分別延伸至該陣列電極結構20的相鄰垂直電極22，該架橋層32在該垂直方向Y上的兩端則分別與相鄰的垂直電極22連接，並且，該絕緣層31在該水平方向X上的兩端係分別與該等絕緣結構40連接，使該絕緣層31與該等絕緣結構40呈X字型。
相較於現有採用有機透明光阻的絕緣層，該等架橋絕緣層30的絕緣層31係具有較小的厚度，在本實施例中，該等架橋絕緣層30的絕緣層31的厚度係介於150奈米至550奈米之間。如此設計，為使該架橋層32在設置於該絕緣層31的上表面時不易產生斷線。
在本實施例中，該等架橋絕緣層30的架橋層32與該陣列電極結構20係採用相同的材質或材料。舉例而言，該架橋層32採用的材質或材料可包括氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)、氧化鋁鋅(Aluminum Zinc Oxide, AZO)、氧化銦鎵鋅(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide, IZO)。
在本實施例中，該等架橋絕緣層30的絕緣層31與該等絕緣結構40係採用相同的材質或材料。舉例而言，該絕緣層31採用的材質或材料可包括二氧化鋯(Zirconium dioxide, ZrO
2)、五氧化二鈮(Niobium(V) oxide, Nb
2O
5)、五氧化二鉭(Tantalum pentoxide, Ta
2O
5)、氮化矽(Silicon Nitride, Si
3N
4)或氮化鋁(Aluminum Nitride, AlN)。在本實施例中，該絕緣層31與該等絕緣結構40可透過同一鍍膜與光罩製程形成在該基板10上。
在本實施例中，由於該陣列電極結構20、該絕緣層31、該架橋層32及該等絕緣結構40採用相似、相同或不同的材質或材料，而相似、相同或不同的材質或材料係具有相近或相同的折射率，藉由調整該絕緣層31及該等絕緣結構40之厚度，以令該陣列電極結構20、該絕緣層31、該架橋層32及該等絕緣結構40的折射率相互匹配。
在本實施例中該等架橋絕緣層30的絕緣層31採用的材料包括二氧化鋯、五氧化二鈮、五氧化二鉭、氮化矽或氮化鋁等無機化合物，該等架橋絕緣層30的絕緣層31可具有介於5至9之間的莫氏硬度，如此，可降低製造過程中因刮傷所產生的斷路問題。
關於本新型之第二實施例，請參閱圖3及圖4所示，其主要技術內容與第一實施例大致相同，惟主要差異在於該陣列電極結構20、該等架橋絕緣層30之構造略有不同，在本實施例中該等架橋絕緣層30係設置在該基板10的表面上，該陣列電極結構20則設置在該基板10及該等架橋絕緣層30上，其中，在該陣列電極結構20的相鄰水平電極21之間同樣形成有該連接部211，該連接部211係設置在該等架橋絕緣層30上，以連接相鄰的水平電極21。
在本實施例中，該等架橋絕緣層30的架橋層32係設置在該基板10的表面上，該絕緣層31係設置在該架橋層32的上表面，其中，該陣列電極結構20的水平電極21及垂直電極22係分別設置在該基板10的表面上，並且，該陣列電極結構20的相鄰垂直電極22係分別覆蓋且連接該架橋層32及該絕緣層31在該垂直方向Y上的兩端，該連接部211係設置在該絕緣層31的上表面。
相較於現有採用有機透明光阻的絕緣層，該等架橋絕緣層30的絕緣層31係具有較小的厚度，在本實施例中，該等架橋絕緣層30的絕緣層31的厚度係介於150奈米至550奈米之間。如此設計，為使該連接部211在設置於該絕緣層31的上表面時不易產生斷線。
10:基板
20:陣列電極結構
21:水平電極
211:連接部
22:垂直電極
30:架橋絕緣層
31:絕緣層
32:架橋層
40:絕緣結構
G:間隙
X:水平方向
Y:垂直方向
100:基板
200:水平感應線路
210:水平電極
220:連接部
300:垂直感應線路
310:垂直電極
320:絕緣層
330:架橋層
圖1 係本新型之電容式觸控面板的第一實施例的一示意圖；
圖2 係本新型的實施例圖1沿A-A’線段的一剖面圖；
圖3 係本新型之電容式觸控面板的第二實施例的另一示意圖；
圖4 係本新型的實施例圖3沿B-B’線段的一剖面圖；
圖5 係一種傳統電容式觸控面板的示意圖。
20:陣列電極結構
21:水平電極
211:連接部
22:垂直電極
30:架橋絕緣層
31:絕緣層
32:架橋層
40:絕緣結構
G:間隙
X:水平方向
Y:垂直方向
Claims (10)
- 一種減少邊緣餘影的電容式觸控面板，其包括：一基板；一陣列電極結構，係設在該基板上，該陣列電極結構的相鄰水平電極係相互連接，並在該陣列電極結構的水平電極與垂直電極的相鄰位置之間形成多數個間隙；一個以上的架橋絕緣層，係設在該陣列電極結構的相鄰水平電極之間，並且橋接相鄰的垂直電極；多數個絕緣結構，係填充於該陣列電極結構上的該等間隙內；其中，該陣列電極結構、該等架橋絕緣層及該等絕緣結構的折射率相互匹配。
- 如請求項1所述之減少邊緣餘影的電容式觸控面板，其中，該陣列電極結構、該等架橋絕緣層及該等絕緣結構的折射率係相同。
- 如請求項1所述之減少邊緣餘影的電容式觸控面板，其中，該陣列電極結構係設置在該基板的表面上，其中，在該陣列電極結構的相鄰水平電極之間形成有一連接部，該連接部係連接相鄰的水平電極，該等架橋絕緣層係設置在該連接部上。
- 如請求項3所述之減少邊緣餘影的電容式觸控面板，其中，該等架橋絕緣層進一步包括：一絕緣層，係設置在該連接部的上表面；一架橋層，係設置在該絕緣層的上表面，該絕緣層的兩端分別延伸至該陣列電極結構的相鄰垂直電極，該架橋層的兩端則分別與相鄰的垂直電極連接。
- 如請求項1所述之減少邊緣餘影的電容式觸控面板，其中，該等架橋絕緣層係設置在該基板的表面上，該陣列電極結構則設置在該基板及該 等架橋絕緣層上，其中，在該陣列電極結構的相鄰水平電極之間形成有一連接部，該連接部係設置在該等架橋絕緣層上，以連接相鄰的水平電極。
- 如請求項5所述之減少邊緣餘影的電容式觸控面板，其中，該等架橋絕緣層進一步包括：一架橋層，係設置在該基板的表面上；一絕緣層，係設置在該架橋層的上表面；其中，該陣列電極結構的水平電極及垂直電極係分別設置在該基板的表面上，並且，該陣列電極結構的相鄰垂直電極係分別覆蓋且連接該架橋層及該絕緣層的兩端，該連接部係設置在該絕緣層的上表面。
- 如請求項4或6所述之減少邊緣餘影的電容式觸控面板，其中，該陣列電極結構、該絕緣層、該架橋層及該等絕緣結構的折射率相互匹配。
- 如請求項7所述之減少邊緣餘影的電容式觸控面板，其中，該陣列電極結構、該絕緣層、該架橋層及該等絕緣結構的折射率係相同。
- 如請求項4或6所述之減少邊緣餘影的電容式觸控面板，其中，該等架橋絕緣層的絕緣層的厚度係介於150奈米至550奈米之間。
- 如請求項4或6所述之減少邊緣餘影的電容式觸控面板，其中，該等絕緣結構採用的材質或材料包括二氧化鋯、五氧化二鈮、五氧化二鉭、氮化矽或氮化鋁，該等架橋絕緣層的絕緣層與該等絕緣結構係採用相同的材質或材料。
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| TWM656338U true TWM656338U (zh) | 2024-06-01 |
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