TWM652536U - 用於負壓吸附的載盤、負壓吸附的承載裝置以及剝離平台 - Google Patents

Abstract

一種用於負壓吸附的載盤，載盤為一板體，包含一承載面以及一底面。載盤內部形成氣體通道，連通承載面以及底面，並且氣體通道於承載面上形成多個通氣開口。該些通氣開口於承載面的一開口總面積，小於50%的載盤的面積，且大於0.2%的載盤的面積。載盤的導熱係數大於100W/mK；其中，W為瓦特(watt)，m為公尺，K為絕對溫標。

Description

用於負壓吸附的載盤、負壓吸附的承載裝置以及剝離平 台

本新型有關於晶圓片減薄作業，特別是關於一種在晶圓片剝離作業中用於對載體基板進行負壓吸附的載盤、承載裝置以及剝離平台。

現有的晶圓製程係朝向薄型化的趨勢發展，但現有的晶圓減薄過程中，逐漸減薄的晶圓片應力強度不足，容易發生破片。因此，在減薄作業之前，會先將晶圓片黏合於一載體基板，用於提升機械強度後，再對晶圓片實施化學機械研磨等減薄作業。

於減薄作業之後，需要針對晶圓片與載體基板加熱，以減弱黏合的強度，再以真空載體基板剝離裝置將載體基板剝離，接著將載體基板放置於冷卻平台進行冷卻，以回收利用。

在上述過程中，晶圓片同樣需要被固定於載盤上。對於晶圓片固定，必須是均勻地對晶圓片的外側面施力，以使得晶圓片在剝離載體基板的過程中均勻受力，避免晶圓片發生翹曲或者破片。

鑑於上述技術問題，本新型提出一種用於負壓吸附的載盤、負壓吸附的承載裝置以及剝離平台，可對薄片製品施予均勻分布的負壓吸附力。

本新型提出一種用於負壓吸附的載盤，載盤為一板體，包含一承載面以及一底面。載盤內部形成氣體通道，連通承載面以及底面，並且氣體通道於承載面上形成多個通氣開口。該些通氣開口於承載面的一開口總面積，小於50%的載盤的面積，且大於0.2%的載盤的面積。載盤的導熱係數大於100W/mK；其中，W為瓦特(watt)，m為公尺，K為絕對溫標。

在至少一實施例中，載盤的材質為多孔介質(Porous medium)，並且多孔介質的空隙至少部分連通形成氣體通道。

在至少一實施例中，多孔介質為燒結材料。

在至少一實施例中，載盤的材質為不透氣，且載盤更包含多個穿孔，該些穿孔連通承載面以及底面以作為氣體通道，且該些穿孔於承載面上形成該些通氣開口。

在至少一實施例中，載盤更包含多個溝槽，該些溝槽延伸於承載面上，並且至少延伸至一個穿孔，該些穿孔與該些溝槽共同於承載面上形成該些通氣開口。

本新型還提出一種用於負壓吸附的承載裝置，包含一承載台以及如前所述的載板。承載台的頂面具有一安裝凹槽。載板可升降地設置於承載台的安裝凹槽。

在至少一實施例中，用於負壓吸附的承載裝置，更包含一吸附元件，設置於安裝凹槽，吸附元件為用以連接於一抽氣裝置的一真空吸附孔以及連通該真空吸附孔的導氣溝。

本新型還提出一種剝離平台，用於將一晶圓片由一載體基板剝離，包含一基座、一承載裝置、一冷卻板以及一載體基板剝離裝置。基座的相對二側邊設置有二移動導引件。承載裝置設置於基座上，且位於二移動導引件之間。承載裝置具有一承載台以及如前所述的載板。承載台的頂面具有一安裝凹槽。載板，可升降地設置於承載台的安裝凹槽，且承載面用以承載結合於載體基板的晶圓片。冷卻板設置於基座上，且位於二移動導引件之間。載體基板剝離裝置包含一移動座以及一真空吸盤。移動座可移動地結合於二移動導引件；真空吸盤可移動地設置於移動座，用於吸附於載體基板，以由晶圓片剝離載體基板，並移動載體基板至板體冷卻裝置的冷卻板。

在至少一實施例中，各移動導引件上設置一導引槽，且移動座包含二支柱以及連接二支柱的支架，二支柱分別插入各導引槽而使得移動座可移動地結合於移動導引件，且真空吸盤可移動地設置於支架。

在至少一實施例中，剝離平台，更包含一第一線性驅動器以及一第二線性驅動器；第一線性驅動器設置於基座，且連接於二支柱其中之一，用於驅動各二支柱沿著各導引槽位移；真空吸盤透過第二線性驅動器連接於支架，用於驅動真空吸盤朝向基座前進或遠離基座。

透過本新型提出的板體冷卻裝置以及具有板體冷卻裝置的剝離平台，載體基板的底面的黏膠產生的正向黏著力不會，避免後續移轉載體基板的過程中對載體基板發生拾取失敗的問題發生，減少剝離作業的錯誤率，而可有效地提升產率。

1:剝離平台

110:載盤

110a:承載面

110b:底面

110c:氣體通道

110d:通氣開口

114:溝槽

120:加熱裝置

210:基座

212:側邊

220:承載裝置

222:承載台

222a:安裝凹槽

223:吸附元件

223a:真空吸附孔

223b:導氣溝

224:頂桿

225:加熱器

230:冷卻板

240:載體基板剝離裝置

242:移動座

244:真空吸盤

260:第一線性驅動器

250:移動導引件

252:導引槽

270:第二線性驅動器

圖1是本新型實施例的應用例1中，用於負壓吸附的載盤的剖面示意圖以及俯視圖。

圖2是圖1中，局部區域的放大剖面示意圖。

圖3是本新型實施例的應用例2中，用於負壓吸附的載盤的剖面示意圖以及俯視圖。

圖4是圖3中，局部區域的放大剖面示意圖。

圖5是本新型實施例的應用例3中，用於負壓吸附的載盤的剖面示意圖以及俯視圖。

圖6是圖5中，局部區域的放大剖面示意圖。

圖7是本新型實施例中，剝離平台的立體圖，揭示載盤分離的狀態。

圖8是本新型實施例中，剝離平台的立體圖。

圖9與圖10是本新型實施例中，載板、待進行剝離的晶圓片以及其載體基板的剖面示意圖。

圖11至圖15是本新型實施例中，剝離平台的立體圖，用於揭示載體基板剝離的過程。

請參閱圖1至圖7所示，為本新型實施例所揭露的一種用於負壓吸附的載盤110，用於設置於一剝離平台1。

圖1至圖6所示者分別為應用例1(圖1與圖2)、應用例2(圖3、圖4與圖7)以及應用例3(圖5與圖6)。載盤110為一板體，具有一承載面110a 以及一底面110b。載盤110用於供一薄片製品被放置於其上。薄片製品可以是減薄晶圓(晶圓片3結合於載體基板4)，也可以是其他的晶圓半成品/成品。

如圖1至圖7所示，載盤110內部形成氣體通道110c，連通承載面110a以及底面110b，並且氣體通道110c於承載面110a上形成多個通氣開口110d。載盤110的導熱特性為導熱係數(k值)大於100W/mK(k>100WmK)；其中前述物理單位包含：W為瓦特(watt)，m為公尺，K為絕對溫標。具體而言，載盤110會連接至加熱裝置120。加熱裝置120可為電熱絲、陶瓷電熱管等，固定於底面110b或是透過導熱元件(例如金屬桿、金屬塊)連接至載盤110的底面110b。加熱裝置120可快速地對載盤110加熱。導熱係數k>100WmK的大導熱係數有助於快速提升載盤110的溫度，加速剝離載體基板4工序的進行。同時大導熱係數使得載盤110上的溫度分布更均均勻，避免載盤110出現過大的溫度梯度造成減薄晶圓受熱不均而破裂的問題。

此外，通氣開口110d於承載面110a的開口總面積(C)，小於50%的承載面110a的載盤110面積(A)，且大於0.2%的載盤110面積(A)(50%*A>C>0.2%*A)，亦即承載面110a的開口率(OA)為：50%>OA>0.2%。前述通氣開口110d是指在氣體通道110c於承載面110a形成的孔洞及凹陷部分，包含在承載面110a上水平延伸的溝槽、凹槽部分，並非限定於穿透載盤110而連通承載面110a與底面110b的孔洞。

如圖1與圖2所示，應用例1的載盤110的材質為多孔介質(Porous medium)，並且多孔介質的空隙至少部分連通形成氣體通道，而使得承載面110a以及底面110b之間可以通透氣流。多孔介質可為燒結材料，例如SiC，透過高溫加熱燒結材料的粉末，使得粉末結合為載盤110。SiC相較於一般陶瓷材料有較 高的導熱係數、耐氧化特性等。燒結材料不排除金屬，亦即載盤110可以透過粉末冶金製程。需說明是，開口率(OA)為50%>OA>0.2%，是指承載面110a的開口率(OA)，亦即承載面110a上未構成平面的部分的比例，而非指多孔介質的整體孔隙率。

如圖3與圖4所示，應用例2的載盤110的材質為不透氣，例如金屬。載盤110更包含多個穿孔，該些穿孔連通承載面110a以及底面110b以作為氣體通道110c。同時，穿孔即為應用例2的氣體通道110c，穿孔於承載面110a上形成該些通氣開口110d。

如圖5與圖6所示，應用例3的載盤110的材質為不透氣，例如金屬。載盤110更包含多個穿孔以及溝槽114，該些穿孔連通承載面110a以及底面110b以作為氣體通道110c。溝槽114延伸於承載面110a上，並且至少延伸至一個穿孔。穿孔與溝槽114共同於承載面110a上形成該些通氣開口110d。

參閱圖7、圖8與圖9所示，基於上述的減薄晶圓的載盤110，本新型提出一種減薄晶圓的剝離平台1。剝離平台1包含一基座210、一承載裝置220、一冷卻板230以及一載體基板剝離裝置240。

如圖7與圖8所示，基座210的相對二側邊212設置有二移動導引件250，且移動導引件250上設置導引槽252。承載裝置220設置於基座210上，且位於二移動導引件250之間。

如圖7與圖8所示，承載裝置220具有一承載台222、一吸附元件223、前述減薄晶圓的載盤110以及多個頂桿224。載盤110用於供待進行剝離的晶圓片3以及其載體基板4放置於其承載面110a。

如圖7、圖9與圖10所示，承載台222的頂面上設有一安裝凹槽222a，用於供載盤110可升降地設置於其上。安裝凹槽222a為一淺凹槽，載盤110是以底面110b朝向安裝凹槽222a，且安裝凹槽222a的深度大致上與載盤110的厚度相同。承載台222的頂面也可以不配置安裝凹槽222a，使載盤110直接可升降地設置於承載台222的頂面。承載台222附加電熱管等加熱器225，以對載盤110進行加熱，而間接地對放置於載盤110的晶圓片3以及載體基板4進行加熱。

如圖7、圖9與圖10所示，吸附元件223以及頂桿224設置於安裝凹槽222a。吸附元件223可為連接於一抽氣裝置的真空吸附孔223a以及連通真空吸附孔的導氣溝223b，藉以產生負壓。

如圖7、圖9與圖10所示，頂桿224設置於安裝凹槽222a中。載盤110的底面110b直接或間接地連接於頂桿224，並且承載面110a朝上。多個頂桿224是可升降地設置於承載台222，而可相對於承載台222上升或下降，以抬升或降下載盤110。亦即，載盤110是可升降地設置於承載台222的安裝凹槽222a。

如圖10所示，當多個頂桿224相對於承載台222下降，使載盤110下降至安裝凹槽222a，底面110b貼合於安裝凹槽222a。此時，以抽氣裝置對真空吸附孔223a進行抽氣，真空吸附孔223a以及連通真空吸附孔223a的導氣溝223b可產生負壓吸引氣流通過載板，而在載板的承載面產生負壓，即可吸附放置於載盤110的晶圓片3以及載體基板4。此時，再以加熱器225對承載台222加熱，就可以透過載盤110間接加熱晶圓片3以及載體基板4。

如圖7與圖8所示，冷卻板230設置於基座210上，且位於二移動導引件250之間。冷卻板230是相鄰於承載裝置220，用以供待冷卻的載體基板4放置於其上。

如圖7與圖8所示，載體基板剝離裝置240包含一移動座242以及一真空吸盤244。移動座242包含二支柱2421以及連接二支柱2421的支架2422。二支柱2421分別插入二導引槽252而使得移動座242可移動地結合於移動導引件250，使得移動座242可以於一長軸方向上相對於基座210移動。同時，剝離平台1還包含一第一線性驅動器260，設置於基座210，且連接於移動座242，特別是連接於二支柱2421其中之一。

如圖7與圖8所示，真空吸盤244可移動地設置於移動座242的支架2422，且透過一第二線性驅動器270連接於支架2422。真空吸盤244用於吸附於載體基板4，第二線性驅動器270用於驅動真空吸盤244朝向基座210前進(下降)或遠離基座210(上升)。同時，透過第一線性驅動器260的驅動二支柱2421沿著導引槽252位移，可帶動真空吸盤244沿著長軸方向位移。

請參閱圖8至圖15所示，為載體基板4由晶圓片3剝離流程。載體基板4表面有黏合劑，晶圓片3先被暫時性地貼合(鍵合)於載體基板4。載體基板4可為但不限定於玻璃基板，載體基板4用於增強晶圓片3的機械強度。晶圓片3再連同載體基板4放置於減薄設備，以化學機械研磨等方式對晶圓片3的表面進行研磨加工，以減薄晶圓片3的厚度，並且使得晶圓片3的表面進行平坦化。載體基板4增強機械強度，避免晶圓片3在減薄過程中發生翹曲。

如圖8與圖9所示，承載裝置220的多個頂桿224先上升而帶動載盤110上升，而待進行剝離的晶圓片3以及其載體基板4係由機械手臂或其他搬運設備進行移動，放置於載盤110上，並且以晶圓片3朝向載盤110的上表面110a。

如圖10與圖11所示，接著，頂桿224下降而使得載盤110的上表面110a大致與承載台222齊平。如圖10所示，抽氣裝置對真空吸附孔223a抽氣，而 經由氣體通道110c而在通氣開口110d產生負壓吸引力，以吸附晶圓片3。同時，承載台222也間接地透過載盤110開始對晶圓片3與載體基板4加熱，使得貼合(鍵合)結構弱化，例如使用於貼合的黏合劑軟化。

如圖12與圖13所示，第二線性驅動器270驅動真空吸盤244下降接觸載體基板4，真空吸盤244以真空吸附載體基板4。第二線性驅動器270驅動真空吸盤244上升，由晶圓片3剝離載體基板4。

如圖14與圖15所示，第一線性驅動器260的驅動二支柱2421沿著導引槽252位移，而移動真空吸盤244與載體基板4至板體冷卻板230，而將載體基板4放置冷卻板230。此時，透過設置於冷卻板230內部或外部的冷卻裝置，例如對冷卻板230進行液冷的液冷裝置，或是對冷卻板230提供冷卻氣流的氣冷裝置，以冷卻載體基板4。

完成冷卻的載體基板4，可由其他的機械手臂、載體基板剝離裝置進行拾取，而移動至移轉盤上。同樣地，位於載盤110的晶圓片3可由其他的機械手臂、載體基板剝離裝置進行拾取，而移動至其移轉盤上。

如前所述，通氣開口110d是均勻地設置於承載面110a，可以均勻地對晶圓片3產生吸附，使得晶圓片3受力均勻而不會在剝離載體基板4時發生翹曲、破片。通氣開口110d的開口總面積(C)，小於50%的承載面110a的載盤110面積(A)，且大於0.2%的載盤110面積(A)(50%*A>C>0.2%*A)。因此，可對晶圓片3產生足夠且均勻的吸附力。

透過本新型提出的用於負壓吸附的載盤110、負壓吸附的承載裝置220以及剝離平台1，於固定薄片製品如減薄晶圓時，可以對薄片製品施加更均勻分布的負壓吸附力，避免薄片製品受力集中。因此，本新型可以有效避免 薄片製品在製程進行中，例如將由晶圓片3剝離載體基板4時，薄片製品發生翹曲、破片的問題。

110:載盤

110a:承載面

110b:底面

110c:氣體通道

110d:通氣開口

114:溝槽

Claims (10)

1. 一種用於負壓吸附的載盤，載盤為一板體，包含一承載面以及一底面，其特徵在於：該載盤內部形成氣體通道，連通該承載面以及該底面，並且該氣體通道於該承載面上形成多個通氣開口；該些通氣開口於該承載面的一開口總面積，小於50%的該載盤的面積，且大於0.2%的該載盤的面積；以及該載盤的導熱係數大於100W/mK；其中，W為瓦特(watt)，m為公尺，K為絕對溫標。
2. 如請求項1所述的用於負壓吸附的載盤，其中，該載盤的材質為多孔介質(Porous medium)，並且該多孔介質的空隙至少部分連通形成該氣體通道。
3. 如請求項2所述的用於負壓吸附的載盤，其中，該多孔介質為燒結材料。
4. 如請求項1所述的用於負壓吸附的載盤，其中，該載盤的材質為不透氣，且該載盤更包含多個穿孔，該些穿孔連通該承載面以及該底面以作為該氣體通道，且該些穿孔於該承載面上形成該些通氣開口。
5. 如請求項4所述的用於負壓吸附的載盤，其中，該載盤更包含多個溝槽，該些溝槽延伸於該承載面上，並且至少延伸至一個穿孔，該些穿孔與該些溝槽共同於該承載面上形成該些通氣開口。
6. 一種用於負壓吸附的承載裝置，包含：一承載台，其頂面具有一安裝凹槽；以及 如請求項1至請求項5任一項所述的用於負壓吸附的載盤，可升降地設置於該承載台的該安裝凹槽。
7. 如請求項6所述的用於負壓吸附的承載裝置，更包含一吸附元件，設置於該安裝凹槽，該吸附元件為用以連接於一抽氣裝置的一真空吸附孔以及連通該真空吸附孔的導氣溝。
8. 一種剝離平台，用於將一晶圓片由一載體基板剝離，包含：一基座，其相對二側邊設置有二移動導引件；一承載裝置，設置於該基座上，且位於該二移動導引件之間；該承載裝置具有：一承載台，其頂面具有一安裝凹槽；以及如請求項1至請求項5任一項所述的用於負壓吸附的載盤，可升降地設置於該承載台的該安裝凹槽，且該承載面用以承載結合於該載體基板的該晶圓片；一冷卻板，設置於該基座上，且位於該二移動導引件之間；一載體基板剝離裝置，包含一移動座以及一真空吸盤；其中，該移動座可移動地結合於該二移動導引件；該真空吸盤可移動地設置於該移動座，用於吸附於該載體基板，以由該晶圓片剝離該載體基板，並移動該載體基板至該板體冷卻裝置的該冷卻板。
9. 如請求項8所述的剝離平台，其中，各該移動導引件上設置一導引槽，且該移動座包含二支柱以及連接二支柱的支架，該二支柱分別插入各該導引槽而使得該移動座可移動地結合於該移動導引件，且該真空吸盤可移動地設置於該支架。
10. 如請求項9所述的剝離平台，更包含一第一線性驅動器以及一第二線性驅動器；該第一線性驅動器設置於該基座，且連接於該二支柱其中之一，用於驅動各該二支柱沿著各該導引槽位移；該真空吸盤透過該第二線性驅動器連接於該支架，用於驅動該真空吸盤朝向該基座前進或遠離該基座。

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