TWM607954U - 光源模組 - Google Patents

Abstract

一種光源模組包括基板、發光元件、封裝結構以及光學圖案。發光元件與封裝結構設置於基板的表面上，且封裝結構覆蓋發光元件。封裝結構具有相連通的第一凹槽與第二凹槽。發光元件位於第一凹槽與基板之間。第二凹槽位於第一凹槽與基板之間。第一凹槽所佔區域於基板上的垂直投影具有幾何中心。發光元件位於幾何中心。第二凹槽所佔區域於基板上的垂直投影不重疊於幾何中心。光學圖案設置於第一凹槽與第二凹槽內，且具有部分穿透部分反射的特性。

Description

光源模組

本新型創作是有關於一種背光模組，且特別是有關於一種具有非對稱封裝結構的光源模組。

隨著液晶顯示器這類的非自發光顯示器的應用日益廣泛，背光模組的設計也需針對不同的應用而調整。為了滿足面板產品具備顯示高動態範圍（High Dynamic Range，HDR）和高對比度的需求，背光模組需具備區域調光（local dimming）。因此，以直下式背光模組做為主要光源架構逐漸成為市場主流。由於這類的背光模組期望達到較薄厚度（例如optical distance小於10毫米），發光元件上通常都覆蓋著具有反射件或反射結構的封裝層，以在背光模組的出光面上達到較為均勻的出光效果。

然而，從發光元件發出的部分光線在封裝層內傳遞的過程中，仍會通過在封裝層內的多次全反射而橫向(例如垂直於出光方向)傳遞至相鄰或更遠的光源（即另一個發光元件）區域，使發光元件的出光區域周邊產生邊緣暈圈效應（Halo effect），造成顯示圖像的邊緣模糊，導致整體顯示品質（例如顯示對比度）的下降。另一方面，由於反射件或反射結構的設置，這類背光模組的出光面在重疊發光元件的區域容易產生反射暗點，而影響整體的出光均勻性。因此，如何提升超薄型直下式背光模組的出光均勻性是相關廠商的研發重點之一。

本新型創作提供一種光源模組，能有效提升在一特定出光區域內的總出光量以及出光均勻性。

本新型創作的光源模組，包括基板、發光元件、封裝結構以及光學圖案。發光元件與封裝結構設置於基板的表面上，且封裝結構覆蓋發光元件。封裝結構具有相連通的第一凹槽與第二凹槽。發光元件位於第一凹槽與基板之間。第二凹槽位於第一凹槽與基板之間。第一凹槽所佔區域於基板上的垂直投影具有幾何中心。發光元件位於幾何中心。第二凹槽所佔區域於基板上的垂直投影不重疊於幾何中心。光學圖案設置於第一凹槽與第二凹槽內，且具有部分穿透部分反射的特性。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的封裝結構於基板上的垂直投影具有對稱軸。對稱軸通過幾何中心，且二凹槽與該發光元件沿著對稱軸的軸向排列。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的封裝結構還具有在對稱軸的軸向上彼此相對的第一側緣與第二側緣。第一側緣與幾何中心之間具有第一距離，第二側緣與幾何中心之間具有第二距離，且第一距離小於第二距離。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的第一距離與第二距離的比值小於0.8。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的封裝結構還具有定義第一凹槽的稜線。稜線與幾何中心之間在對稱軸的軸向上具有距離D。第二凹槽所佔區域在對稱軸的軸向上具有寬度W，且滿足W ＜ D。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的發光元件在對稱軸的軸向上具有元件長度L。封裝結構還具有定義第二凹槽的凹槽底面。凹槽底面在對稱軸的軸向上具有寬度W’，且滿足W’ ＜ D-(L/2)。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的封裝結構與發光元件在基板的表面的法線方向上分別具有最大厚度T與元件厚度t。稜線與發光元件之間具有最短間距的虛擬連線與基板的表面的法線方向之間具有夾角θ，且滿足D=L/2+(T-t)•tanθ。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的封裝結構還具有定義第一凹槽的凹槽底面。發光元件具有朝向第一凹槽的頂面，且封裝結構的凹槽底面與光元件的該頂面之間的距離大於0。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的封裝結構還具有圍繞第一凹槽與第二凹槽的稜線以及定義第二凹槽的凹槽底面。稜線與基板的表面之間的距離在垂直於基板的方向上定義出封裝結構的最大厚度。凹槽底面與稜線之間在垂直於基板的方向上具有距離，且距離小於等於封裝結構的最大厚度。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的光學圖案包括第一部分與第二部分。第二部分設置於第一部分與基板之間。第一部分具有多個反射粒子，且第二部分具有多個波長轉換粒子。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的封裝結構還具有圍繞第一凹槽與第二凹槽的稜線以及定義第二凹槽的凹槽底面。光學圖案的第一部分接觸凹槽底面。凹槽底面與稜線之間在垂直於基板的方向上具有距離d。第二部分在垂直於基板的方向上具有厚度t’，且滿足t’ ＜ 2d/3。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的光學圖案的透光度介於10%至50%之間。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的光學圖案包括透光基材與多個反射粒子。這些反射粒子分散地設置於透光基材內。

在本新型創作的一實施例中，上述的光源模組的多個反射粒子的材質包括二氧化矽、二氧化鈦、金屬材料或上述的組合。

基於上述，在本新型創作的一實施例的光源模組中，發光元件重疊設置於封裝結構的第一凹槽的幾何中心，且第一凹槽內填充有光學圖案。透過光學圖案的部分穿透部分反射的特性，可調整發光元件的正向出光量以及改善部分光線經由光學圖案反射後所形成的暗點現象。另一方面，發光元件的一側設有與第一凹槽相連通的第二凹槽，且上述的光學圖案更延伸至第二凹槽內。據此，可將大部分的光線往發光元件相對於第二凹槽的一側區域偏折，以有效提升特定區域的出光量，同時避免光線傳遞至相鄰的發光元件的出光區。

有關本新型創作之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本新型創作。

圖1是本新型創作的第一實施例的光源模組的俯視示意圖。圖2是圖1的光源模組的剖視示意圖。圖3A是圖1的光源模組在未經光學膜片時的照度分布圖。圖3B是圖1的光源模組在經光學膜片後的照度分布圖。特別說明的是，圖2對應於圖1的剖線A-A’。為清楚呈現起見，圖1省略了圖2的光學膜片200的繪示。

請參照圖1及圖2，光源模組10包括基板100、多個發光元件110以及多個封裝結構120。多個發光元件110與多個封裝結構120設置在基板100的表面100s上，且這些封裝結構120分別覆蓋這些發光元件110。舉例來說，多個發光元件110可陣列排列於基板100上（例如分別在方向X與方向Y上排成多列與多行），且重疊於這些發光元件110的多個封裝結構120彼此相連排列。封裝結構120的材質例如包括塑料、樹脂材料（例如壓克力）、或其他適合的透明封裝材料。

需說明的是，圖1揭示內容僅作為示例性地說明之用，本新型創作並不加以侷限多個發光元件110與多個封裝結構120的排列方式。在其他實施例中，多個發光元件110與多個封裝結構120的排列方式可根據實際的光學設計或應用需求而調整，例如：彼此相鄰的兩個封裝結構120也可彼此分離地設置於基板100上。另一方面，在本實施例中，每一個封裝結構120所覆蓋的發光元件110數量是以一個為例進行示範性地說明，並不表示本新型創作以此為限制，在其他實施例中，各封裝結構結構120所覆蓋的發光元件110數量也可以是兩個以上，例如可分別發出紅光、綠光與藍光的三個發光元件。

在本實施例中，發光元件110可以是發光二極體（light emitting diode，LED），例如包括次毫米發光二極體（mini LED）或微型發光二極體（micro LED）。值得注意的是，封裝結構120於基板100的表面100s上的垂直投影，其外輪廓大致上為矩形，但本新型創作不以此為限。在其他實施例中，封裝結構於基板100上的垂直投影，其外輪廓也可以是圓弧形、多邊形或其他適合的形狀。另一方面，在本實施例中，封裝結構120於基板100的表面100s上的垂直投影具有對稱軸SA。亦即，封裝結構120位於對稱軸SA兩側的兩個部分是呈現鏡像對稱。

為了將來自發光元件110的大部分光線偏折至發光元件110的一側區域內，封裝結構120在一特定方向上呈現出非對稱的結構分布。舉例來說，本實施例的封裝結構120具有重疊設置於發光元件110的一非對稱凹槽，且此非對稱凹槽在對稱軸SA的軸向（例如方向X）上具有非對稱性。

詳細而言，上述的非對稱凹槽可由相連通的第一凹槽120g1與第二凹槽120g2來形成，第二凹槽120g2位於第一凹槽120g1與基板100之間。在本實施例中，第一凹槽120g1所佔區域於基板100上的垂直投影具有幾何中心C，封裝結構120的對稱軸SA通過幾何中心C，且第二凹槽120g2所佔區域於基板100上的垂直投影不重疊於幾何中心C。

更具體地說，第二凹槽120g2所佔區域於基板100上的垂直投影重疊於對稱軸SA，且位於幾何中心C與第一側緣120e1之間。此外，封裝結構120還具有在對稱軸SA的軸向上彼此相對的第一側緣120e1與第二側緣120e2。第一側緣120e1與幾何中心C之間具有第一距離L1，第二側緣120e2與幾何中心C之間具有第二距離L2，且第一距離L1小於第二距離L2。換句話說，上述的非對稱凹槽是設置在封裝結構120較靠近第一側緣120e1的位置上。舉例而言，在本實施例中，第一距離L1與第二距離L2的比值可小於0.8，以使封裝結構120在對稱軸SA的軸向上具有較佳的非對稱性。

在本實施例中，發光元件110可選擇性地放置在基板100重疊於幾何中心C的位置上。換句話說，第二凹槽120g2與發光元件110是沿著封裝結構120的對稱軸SA的軸向排列。為了將來自發光元件110的大部分光線偏折至發光元件110的特定一側區域（例如圖2的發光元件110的右側區域），光源模組10更包括填入第一凹槽120g1與第二凹槽120g2的光學圖案130，且此光學圖案130具有部分穿透部分反射（transflective）的特性。舉例來說，光學圖案130可包括透光基材131以及分散地設置於透光基材131內的多個反射粒子132。透光基材131的材料例如包括壓克力（acrylic）、環氧樹脂（Epoxy）、六甲基二矽氧烷（hexamethyldisiloxane，HMDSO）、或其他適合的高分子材料。反射粒子132的材料例如包括二氧化矽（SiO ₂）、二氧化鈦（TiO ₂）、金屬材料、或上述的組合、或其他具有適當反射率的材料。

經由調配反射粒子132的摻雜濃度，可使光學圖案130的透光度在10%至50%之間進行調整（或者是，光學圖案130的反射粒子132濃度在20%至60%之間），以滿足不同的光學設計（例如具有不同非對稱性的出光光型）需求。舉例來說，來自發光元件110並朝向第二凹槽120g2傳遞的光線LB1在經由反射粒子132的反射後朝向發光元件110遠離第二凹槽120g2的一側（例如圖2中的右側）傳遞。相似地，來自發光元件110並朝向第一凹槽120g1傳遞的光線（未繪示）在經由第一凹槽120g1內的反射粒子132的反射後可朝向基板100傳遞。由於本實施例的基板100為反射基板，因此，經由第一凹槽120g1內的反射粒子132反射的光線可進一步經由基板100的反射而橫向傳遞於封裝結構120內，但不以此為限。

進一步而言，封裝結構120還具有定義第一凹槽120g1的稜線RL1，稜線RL1與發光元件110之間具有最短間距的虛擬連線IL與基板100的表面100s的法線方向之間具有夾角θ，且封裝結構120與發光元件110的配置關係滿足下式：D=L/2+(T-t)•tanθ，其中D為稜線RL1與幾何中心C之間在對稱軸SA的軸向（例如方向X）上的距離，L為發光元件110在對稱軸SA的軸向上的元件長度，t為發光元件110在基板100的表面100s的法線方向上的元件厚度，T為封裝結構120在基板100的表面100s的法線方向上的最大厚度。

特別說明的是，上述的夾角θ取決於封裝結構120的材料與空氣的折射率比值。在本實施例中，封裝結構120的材料折射率可介於1.1至1.7之間。對應地，上述的夾角θ可介於36度至65度之間。據此，發光元件110的光線在出射封裝結構120後可具有較佳的非對稱光型。值得一提的是，除了藉由光學圖案130的反射粒子132反射來自發光元件110的部分光線（例如光線LB1）之外，封裝結構120的折射率可選擇性地大於光學圖案130的透光基材131的折射率，使另一部分光線（例如光線LB2）在封裝結構120與光學圖案130的交界面能產生全反射，以增加光線在封裝結構120內橫向傳遞的機會。

舉例而言，封裝結構120定義第一凹槽120g1的凹槽底面120s1，其橫截面（例如XZ平面或YZ平面）輪廓可具有弧線段，且此弧線段是由稜線RL1延伸至發光元件110的正上方。弧線段的曲率變化可根據不同的全反射需求而調整，本新型創作並不加以侷限。另一方面，由於光學圖案130具有可調的透光度，因此發光元件110的正向（例如方向Z）出光量可被調整，且能改善部分（正向）光線在經由光學圖案130的反射後所形成的暗點現象。舉例來說，來自發光元件110並朝向第一凹槽120g1傳遞的部分光線（例如光線LB3）可直接通過光學圖案130而未被反射粒子132反射回封裝結構120。

在本實施例中，第一凹槽120g1所佔區域於基板100的表面100s上的垂直投影，其輪廓例如是圓形且圓心位於前述的幾何中心C。換句話說，本實施例的第一凹槽120g1所佔區域於基板100的表面100s上的垂直投影在對稱軸SA的軸向上的寬度為距離D的兩倍數值（即如圖1的2D）。然而，本新型創作不限於此，根據其他實施例，第一凹槽所占區域於基板100的表面100s上的垂直投影輪廓也可以是類圓形、橢圓形或類橢圓形。

第二凹槽120g2所佔區域於基板100的表面100s上的垂直投影，其輪廓例如是類半圓形，且在對稱軸SA的軸向上具有小於距離D的寬度W，但本新型創作不以此為限。另一方面，封裝結構120還具有定義第二凹槽120g2的凹槽底面120s2，此凹槽底面120s2於基板100的表面100s上的垂直投影在對稱軸SA的軸向上具有寬度W’，且滿足W’ ＜ D-(L/2)。在本實施例中，封裝結構120定義第二凹槽120g2的稜線RL2所圍繞的區域與凹槽底面120s2在基板100的表面100s的法線方向上都不重疊於發光元件110，但不以此為限。在其他實施例中，發光元件110在基板100的表面100s的法線方向上可部分重疊於封裝結構120定義第二凹槽120g2的稜線RL2所圍繞的區域，但不重疊於凹槽底面120s2。

特別一提的是，在本實施例中，第二凹槽120g2可具有高深寬比。亦即，封裝結構120定義第二凹槽120g2的側壁較陡峭。據此，可有效將來自發光元件110的光線往發光元件110相對於第二凹槽120g2的一側區域偏折，以提升特定區域的出光量，同時避免光線傳遞至相鄰的發光元件110的出光區。

在本實施例中，封裝結構120還可選擇性地具有第三凹槽120g3，且第一凹槽120g1連通於第二凹槽120g2與第三凹槽120g3之間。也就是說，本實施例的非對稱凹槽可以是第一凹槽120g1、第二凹槽120g2與第三凹槽120g3的組合。應注意的是，光學圖案130並未填入第三凹槽120g3內，但本新型創作不以此為限。在其他實施例中，光學圖案130還可填入第三凹槽120g3所佔的部分區域內。

詳細而言，封裝結構120還具有定義第三凹槽120g3的稜線RL3，且此稜線RL3圍繞第一凹槽120g1與第二凹槽120g2。第一凹槽120g1與第二凹槽120g2所佔區域在基板100的表面100s上的垂直投影完全重疊於第三凹槽120g3所佔區域在基板100的表面100s上的垂直投影。更具體地說，第三凹槽120g3所佔區域在基板100的表面100s上的垂直投影面積大於第一凹槽120g1與第二凹槽120g2所佔區域在基板100的表面100s上的垂直投影面積。

為了有效將來傳遞至發光元件110一側（例如圖2中發光元件110的左側）的光線反向偏折至發光元件110的另一側（例如圖2中發光元件110的右側），封裝結構120定義第一凹槽120g1的凹槽底面120s1與發光元件110的頂面110t之間的距離需大於0，以確保光學圖案130位於第二凹槽120g2內的部分的反射效果。應可理解的是，凹槽底面120s1與發光元件110的頂面110t之間的距離可根據實際的光型需求而調整。

另一方面，在基板100的表面100s的法線方向上，稜線RL3與基板100的表面100s之間的距離可定義出封裝結構120的最大厚度T，凹槽底面120s2與稜線RL3之間具有距離d，且此距離d小於封裝結構120的最大厚度T。換句話說，凹槽底面120s2與基板100的表面100s之間可具有間隙，且此間隙可讓部分的光線通過以維持另一側的出光均勻性。然而，本新型創作不限於此，根據其他實施例，凹槽底面120s2與稜線RL3之間的距離d也可選擇性地等於封裝結構120的最大厚度T。也就是說，相連通的第一凹槽120g1、第二凹槽120g2與第三凹槽120g3也可貫穿封裝結構120，且光學圖案130可直接覆蓋基板100的表面100s。

值得注意的是，在對稱軸SA的軸向上，封裝結構120位在非對稱凹槽一側的表面120as的斜率變化不同於位在非對稱凹槽另一側的表面120bs的斜率變化。舉例來說，封裝結構120位於發光元件110一側的表面120as的斜率由稜線RL3往第一側緣120e1以第一變化率逐漸增加，封裝結構120位於發光元件110另一側的表面120bs的斜率由稜線RL3往第二側緣120e2以第二變化率逐漸增加，第二變化率小於第一變化率。由於發光元件110設置在較靠近第一側緣120e1的位置，因此斜率較為平緩的表面120bs可增加光線在封裝結構120內橫向傳遞的機會，有助於提升發光元件110朝向特定一側的出光均勻性。

請參照圖3A，經由上述的封裝結構120與光學圖案130的設置，可使發光元件110的出光光型在方向X（即封裝結構120的對稱軸SA的軸向）上具有非對稱性，但在方向Y上具有對稱性。如圖3A中右側的照度分布曲線所示，發光元件110在XZ平面上的出光量大都集中在特定一側（例如圖3A中水平虛線的下側）。相反地，如圖3A中下側的照度分布曲線所示，發光元件110在YZ平面上的出光量是平均分配在發光元件110的相對兩側（例如圖3A中垂直虛線的左右兩側）。

請繼續參照圖2，特別說明的是，本實施例的光源模組10還可包括光學膜片200，重疊設置於多個發光元件110與多個封裝結構120。光學膜片200可以是稜鏡片、擴散片、上述的多層組合、或其他適合提高均勻性的光學膜，但不以此為限。在其他實施例中，光學膜片200也可以是波長轉換膜片，波長轉換膜片例如包含量子點膜、螢光粉膜等。舉例而言，在本實施例中，光學膜片200例如是具有多個稜鏡結構（未繪示）的稜鏡片，且這些稜鏡結構可用於將來自封裝結構120的光線偏折至預設的視角（例如正視角）範圍內，以提高光源模組10在所述視角範圍內的出光量。如圖3B所示，發光元件110的出光光型在經光學膜片200的作用後具有至少兩軸向（例如方向X與方向Y）的對稱性。更具體地說，本實施例的光源模組10可作為具有高度集光性的背光模組。

以下將列舉另一些實施例以詳細說明本揭露，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。

圖4是本新型創作的另一實施例的封裝結構的俯視示意圖。圖5是本新型創作的又一實施例的封裝結構的俯視示意圖。請參照圖4，本實施例的封裝結構120A與圖1中的封裝結構120的差異在於：第二凹槽的構型不同。具體而言，封裝結構120A的第二凹槽120g2A所佔區域於基板100的表面100s（如圖2所示）上的垂直投影輪廓為類彎月狀。詳細而言，封裝結構120A定義第二凹槽120g2A的稜線RL2A的部分區段是朝向封裝結構120A的第一側緣120e1彎曲。

然而，本新型創作不限於此。在圖5所示出的又一實施例中，封裝結構120B定義第二凹槽120g2B的稜線RL2B也可整個區段朝向封裝結構120B的第二側緣120e2彎曲。換句話說，圖5的第二凹槽120g2B於基板100的表面100s（如圖2所示）上的垂直投影輪廓也可以是橄欖球狀。

特別說明的是，由於圖4的封裝結構120A（或圖5的封裝結構120B）、光學圖案與發光元件的配置關係相似於圖1與圖2的光源模組10，因此詳細的說明可參考前述實施例的相關段落，於此便不再重述。

圖6是本新型創作的第二實施例的光源模組的剖視示意圖。請參照圖6，本實施例的光源模組10A與圖2的光源模組10的差異在於：光學圖案的組成不同。具體而言，光源模組10A的光學圖案130A包括第一部分130A1與第二部分130A2，第二部分130A2設置在第一部分130A1與基板100之間。應注意的是，光學圖案130A的第一部分130A1具有透光基材131以及分散地設置於透光基材131內的多個反射粒子132，而第二部分130A2具有透光基材133以及分散地設置於透光基材133內的多個波長轉換粒子134。

在本實施例中，第一部分130A1的透光基材131與第二部分130A2的透光基材133的材質可選擇性地相同，但不以此為限。由於第一部分130A1的反射粒子132所起的作用相似於圖2中的反射粒子132，因此詳細的說明請參考前述實施例的相關段落，於此便不再重述。

舉例來說，光學圖案130A的第二部分130A2的多個波長轉換粒子134可具有單一粒徑或多種粒徑，以滿足不同的混光需求。特別說明的是，在本實施例中，光學圖案130A的第一部分130A1與第二部分130A2分別設置在封裝結構120的第一凹槽120g1與第二凹槽120g2內。第二部分130A2在基板100的表面100s的法線方向上具有厚度t’，且滿足t’ ＜ 2d/3，其中d為凹槽底面120s2與稜線RL3之間在基板100的表面100s的法線方向上的距離。據此，可讓出射封裝結構120的光線的混光效果最佳化。

然而，本新型創作不限於此，在其他實施例中，光學圖案130A的第一部分130A1也可進一步填入封裝結構120的第二凹槽120g2內，或者是，第二部分130A2也可進一步填入封裝結構120的第一凹槽120g1內。換句話說，本新型創作並不以圖6揭示內容（即光學圖案130A的第一部分130A1與第二部分130A2的交界面切齊封裝結構120的凹槽底面120s1）為限制。

綜上所述，在本新型創作的一實施例的光源模組中，發光元件重疊設置於封裝結構的第一凹槽的幾何中心，且第一凹槽內填充有光學圖案。透過光學圖案的部分穿透部分反射的特性，可調整發光元件的正向出光量以及改善部分光線經由光學圖案反射後所形成的暗點現象。另一方面，發光元件的一側設有與第一凹槽相連通的第二凹槽，且上述的光學圖案更延伸至第二凹槽內。據此，可將大部分的光線往發光元件相對於第二凹槽的一側區域偏折，以有效提升特定區域的出光量，同時避免光線傳遞至相鄰的發光元件的出光區。

雖然本新型創作已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本新型創作，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本新型創作的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本新型創作的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、10A:光源模組 100:基板 100s、120as、120bs:表面 110:發光元件 110t:頂面 120、120A、120B:封裝結構 120e1:第一側緣 120e2:第二側緣 120g1:第一凹槽 120g2、120g2A、120g2B:第二凹槽 120g3:第三凹槽 120s1、120s2:凹槽底面 130、130A:光學圖案 130A1:第一部分 130A2:第二部分 131、133:透光基材 132:反射粒子 134:波長轉換粒子 200:光學膜片 C:幾何中心 d、D:距離 IL:虛擬連線 L:元件長度 L1:第一距離 L2:第二距離 LB1、LB2、LB3:光線 RL1、RL2、RL2A、RL2B、RL3:稜線 SA:對稱軸 t:元件厚度 t’:厚度 T:最大厚度 W、W’:寬度 X、Y、Z:方向 θ:夾角 A-A’:剖線

圖1是本新型創作的第一實施例的光源模組的俯視示意圖。 圖2是圖1的光源模組的剖視示意圖。 圖3A是圖1的光源模組在未經光學膜片時的照度分布圖。 圖3B是圖1的光源模組在經光學膜片後的照度分布圖。 圖4是本新型創作的另一實施例的封裝結構的俯視示意圖。 圖5是本新型創作的又一實施例的封裝結構的俯視示意圖。 圖6是本新型創作的第二實施例的光源模組的剖視示意圖。

10:光源模組

100:基板

100s、120as、120bs:表面

110:發光元件

110t:頂面

120:封裝結構

120e1:第一側緣

120e2:第二側緣

120g1:第一凹槽

120g2:第二凹槽

120g3:第三凹槽

120s1、120s2:凹槽底面

130:光學圖案

131:透光基材

132:反射粒子

200:光學膜片

C:幾何中心

d、D:距離

IL:虛擬連線

L:元件長度

L1:第一距離

L2:第二距離

LB1、LB2、LB3:光線

RL1、RL3:稜線

t:元件厚度

T:最大厚度

W、W’:寬度

X、Y、Z:方向

θ:夾角

A-A’:剖線

Claims (14)

1. 一種光源模組，包括： 一基板； 一發光元件，設置於該基板的一表面上； 一封裝結構，設置於該基板的該表面上並覆蓋該發光元件，該封裝結構具有相連通的一第一凹槽與一第二凹槽，該發光元件位於該第一凹槽與該基板之間，該第二凹槽位於該第一凹槽與該基板之間，其中該第一凹槽所佔區域於該基板上的垂直投影具有一幾何中心，該發光元件位於該幾何中心，且該第二凹槽所佔區域於該基板上的垂直投影不重疊於該幾何中心；以及 一光學圖案，設置於該第一凹槽與該第二凹槽內，且具有部分穿透部分反射的特性。
2. 如請求項1所述的光源模組，其中該封裝結構於該基板上的垂直投影具有一對稱軸，該對稱軸通過該幾何中心，且該第二凹槽與該發光元件沿著該對稱軸的軸向排列。
3. 如請求項2所述的光源模組，其中該封裝結構還具有在該對稱軸的軸向上彼此相對的一第一側緣與一第二側緣，該第一側緣與該幾何中心之間具有一第一距離，該第二側緣與該幾何中心之間具有一第二距離，且該第一距離小於該第二距離。
4. 如請求項3所述的光源模組，其中該第一距離與該第二距離的比值小於0.8。
5. 如請求項2所述的光源模組，其中該封裝結構還具有定義該第一凹槽的一稜線，該稜線與該幾何中心之間在該對稱軸的軸向上具有一距離D，該第二凹槽所佔區域在該對稱軸的軸向上具有一寬度W，且滿足W ＜ D。
6. 如請求項5所述的光源模組，其中該發光元件在該對稱軸的軸向上具有一元件長度L，該封裝結構還具有定義該第二凹槽的一凹槽底面，該凹槽底面在該對稱軸的軸向上具有一寬度W’，且滿足W’ ＜ D-(L/2)。
7. 如請求項6所述的光源模組，其中該封裝結構與該發光元件在該基板的該表面的法線方向上分別具有一最大厚度T與一元件厚度t，該稜線與該發光元件之間具有最短間距的一虛擬連線與該基板的該表面的法線方向之間具有一夾角θ，且滿足D=L/2+(T-t)•tanθ。
8. 如請求項1所述的光源模組，其中該封裝結構還具有定義該第一凹槽的一凹槽底面，該發光元件具有朝向該第一凹槽的一頂面，且該封裝結構的該凹槽底面與該發光元件的該頂面之間的距離大於0。
9. 如請求項1所述的光源模組，其中該封裝結構還具有圍繞該第一凹槽與該第二凹槽的一稜線以及定義該第二凹槽的一凹槽底面，該稜線與該基板的該表面之間的距離在垂直於該基板的方向上定義出該封裝結構的一最大厚度，該凹槽底面與該稜線之間在垂直於該基板的方向上具有一距離，且該距離小於等於該封裝結構的該最大厚度。
10. 如請求項1所述的光源模組，其中該光學圖案包括一第一部分與一第二部分，該第二部分設置於該第一部分與該基板之間，該第一部分具有多個反射粒子，且該第二部分具有多個波長轉換粒子。
11. 如請求項10所述的光源模組，其中該封裝結構還具有圍繞該第一凹槽與該第二凹槽的一稜線以及定義該第二凹槽的一凹槽底面，該光學圖案的該第一部分接觸該凹槽底面，該凹槽底面與該稜線之間在垂直於該基板的方向上具有一距離d，該第二部分在垂直於該基板的方向上具有一厚度t’，且滿足t’ ＜ 2d/3。
12. 如請求項1所述的光源模組，其中該光學圖案的透光度介於10%至50%之間。
13. 如請求項1所述的光源模組，其中該光學圖案包括： 一透光基材；以及 多個反射粒子，分散地設置於該透光基材內。
14. 如請求項13所述的光源模組，其中該些反射粒子的材質包括二氧化矽、二氧化鈦、金屬材料或上述的組合。

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