TWM599322U - 一種水準立式磁控濺射鍍膜設備 - Google Patents

Abstract

本新型涉及鍍膜設備領域，具體公開了一種水準立式磁控濺射鍍膜設備，包括底架、主電控單元和依次設置在底架上的進出片區、等離子放電、緩衝和鍍膜制程腔體；所述進出片區、等離子放電和鍍膜制程腔體內分別設置有導軌，所述導軌上設置有運載車；所述進出片區、等離子放電、緩衝和鍍膜制程腔體兩兩之間設置有可控門；所述等離子放電腔體內開設有抽氣孔，所述抽氣孔通過管道連接抽氣泵；所述主電控單元分別電氣連接抽氣泵、可控門和運載車。本新型提供一種能夠有效提升產能、減少占地面積以及效率的水準立式磁控濺射鍍膜設備。

Description

一種水準立式磁控濺射鍍膜設備

本新型涉及鍍膜設備領域，特別是涉及一種水準立式磁控濺射鍍膜設備。

在鍍膜領域，目前，在玻璃蓋板或是壓克力蓋板的鍍膜方式，多以電子槍熱蒸鍍方式或爐式的磁控濺射方式進行；但是目前使用的鍍膜機的線長較長、佔用空間大，成本較高並且存在小腔室掛量少、產能低、抽空時間長、加熱時間長以及產能提升幅度有限的問題，甚至存在不同種類基板間或是光學薄膜與防指紋膜交叉污染的問題與光學特性。

例如中國專利CN201320412833.X公開了一種磁控陰極濺射鍍膜工藝室，包括依次連通的入口氣鎖室、入口真空緩衝腔室、磁控陰極濺射鍍膜真空腔室、出口真空緩衝腔室和出口氣鎖室，所述入口真空緩衝腔室包括至少4個緩衝單元腔室，磁控陰極濺射鍍膜真空腔室包括至少16個濺射單元腔室，所述出口真空緩衝腔室包括至少4個緩衝單元腔室。可以看出，該磁控陰極濺射鍍膜工藝室線長，且佔用空間大，生產效率低下，緩衝單元腔多，抽空時間過長。

本新型的目的是提供一種水準立式磁控濺射鍍膜設備，體積 小，採用自動進出基板，生產效率高。

為了解決上述技術問題，本新型提供一種水準立式磁控濺射鍍膜設備，包括底架、主電控單元和依次設置在底架上的進出片區、等離子放電腔體、緩衝腔體和鍍膜制程腔體；所述進出片區、等離子放電腔體和鍍膜制程腔體內分別設置有導軌，所述導軌上設置有運載車；所述進出片區、等離子放電腔體、緩衝腔體和鍍膜制程腔體兩兩之間設置有可控門；所述等離子放電腔體內開設有抽氣孔，所述抽氣孔通過管道連接抽氣泵；所述主電控單元分別電氣連接抽氣泵、可控門和運載車。

作為優選方案，所述鍍膜制程腔體遠離緩衝腔體的一側設置有輔助緩衝腔體。

作為優選方案，所述底架底部設置有滑輪。

作為優選方案，所述等離子放電腔體內設置有溫度感測器和氣壓感測器，所述溫度感測器和氣壓感測器分別電氣連接所述主電控單元。

作為優選方案，所述進出片區、等離子放電腔體、緩衝腔體和鍍膜制程腔體內分別設置有多個用於檢測基板是否到達相應位置的紅外感應探頭，所述紅外感應探頭電氣連接所述主電控單元。

作為優選方案，所述鍍膜制程腔體包括兩個連續設置的濺鍍腔體，所述濺鍍腔體內設置有濺射靶。

作為優選方案，所述濺射靶上設置有溫度感測器和火花感測 器，所述溫度感測器和火花感測器分別電氣連接所述主電控單元。

作為優選方案，所述濺射靶上還設置有功率計數感測器，所述功率計數感測器電氣連接所述主電控單元。

作為優選方案，所述進去片區和等離子放電腔體內的導軌為兩個相互平行的移動導軌，所述移動導軌連接氣缸，所述氣缸電氣連接所述主電控單元。

作為優選方案，所述主電控單元電氣連接有控制PC。

本新型具有以下有益效果：

(1)本新型的水準立式磁控濺射鍍膜設備採用導軌輸送，效率高，且腔體連續設置，採用可控門隔開，保證生產的連貫性和可控性，不易產生污染。

(2)本新型的水準立式磁控濺射鍍膜設備採用主電控單元控制基板的加工進程，整個過程有序高產。

(3)本新型的水準立式磁控濺射鍍膜設備體積小，通過最少設置一個進出片區、等離子放電腔體、緩衝腔體和鍍膜制程腔體就可以完成加工。

1:底架

2:主電控單元

3:進出片區

4:等離子放電腔體

5:緩衝腔體

6:鍍膜制程腔體

7:控制PC

8:抽氣泵

9:輔助緩衝腔體

圖1是本新型實施例提供的水準立式磁控濺射鍍膜設備的前半段結構示意圖；圖2是本新型實施例提供的水準立式磁控濺射鍍膜設備的後半段結構示意圖； 圖3是本新型實施例提供的水準立式磁控濺射鍍膜設備的系統框圖。

下面將結合本新型實施例中的附圖，對本新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本新型保護的範圍。

參見圖1、圖2和圖3，本新型優選實施例中一種水準立式磁控濺射鍍膜設備，包括底架1、主電控單元2和依次設置在底架1上的進出片區3、等離子放電腔體4、緩衝腔體5和鍍膜制程腔體6；所述進出片區3、等離子放電腔體4和鍍膜制程腔體6內分別設置有導軌，所述導軌上設置有運載車；所述進出片區3、等離子放電腔體4、緩衝腔體5和鍍膜制程腔體6兩兩之間設置有可控門；所述等離子放電腔體4內開設有抽氣孔，所述抽氣孔通過管道連接抽氣泵8；所述主電控單元2分別電氣連接抽氣泵8、可控門和運載車。

具體的，該基板可以為塑膠、玻璃、金屬，基板放置在進出片區3的運載車上，運載車帶著基板在導軌上行駛，進出片區3和等離子放電腔體4的可控門打開，將基板送入到等離子放電腔體4內；而在對基板進行磁控濺射鍍膜需要在高真空的環境中進行，但基板不能直接進出入高真空的鍍膜制程腔體6，需要在等離子放電腔體4作為過渡腔，抽氣泵8對等離 子放電腔體4進行抽真空，待真空度達到與鍍膜制程腔體6相當，將連接等離子放電腔體4和緩沖腔體5的可控門打開，最後進入鍍膜制程腔體6進行制鍍。制鍍完成的基板，在等離子放電腔體4中，會先進行確認等離子放電腔體4只有已完成制鍍的基板，再進行破真空，直到與大氣壓力狀態一致，再將連接進出片區3與等離子放電腔體4的可控門打開，完成製品在機台鍍膜作業程式。

本新型優選實施例的水準立式磁控濺射鍍膜設備採用導軌輸送，效率高，且腔體連續設置，採用可控門隔開，保證生產的連貫性和可控性，不易產生污染，且採用主電控單元2控制基板的加工進程，整個過程有序高產。此外本新型優選實施例的水準立式磁控濺射鍍膜設備體積小，通過最少設置一個進出片區3、等離子放電腔體4、緩衝腔體5和鍍膜制程腔體6就可以完成加工。

作為優選方案，所述鍍膜制程腔體6遠離緩衝腔體5的一側設置有輔助緩衝腔體9。

具體的，所述輔助緩衝腔體9的結構與緩衝腔體5的結構一致，可以對基板進行週期性加工，通過運載車載基板的週期性進入到鍍膜制程腔體6內，完成週期性加工。

作為優選方案，所述底架1底部設置有滑輪。

具體的，所述滑輪方便設備的移動和運輸。

作為優選方案，所述等離子放電腔體4內設置有溫度感測器和氣壓感測器，所述溫度感測器和氣壓感測器分別電氣連接所述主電控單元2。

作為優選方案，所述進出片區3、等離子放電腔體4、緩衝腔體5和鍍膜制程腔體6內分別設置有多個用於檢測基板是否到達相應位置的紅外感應探頭，所述紅外感應探頭電氣連接所述主電控單元2。

具體的，當紅外感應探頭感應到基板時，將信號發送給主電控單元2，主電控單元2判斷該基板具體處於什麼腔體的什麼位置，進而控制該腔體產生相應的操作。

作為優選方案，所述鍍膜制程腔體6包括兩個連續設置的濺鍍腔體，所述濺鍍腔體內設置有濺射靶。

具體的，不限定濺射基板的材料選擇，該材料可以為金屬、金屬氧化物和半導體材料，每個腔體間有阻檔板，能確保不交叉污染。

作為優選方案，所述濺射靶上設置有溫度感測器和火花感測器，所述溫度感測器和火花感測器分別電氣連接所述主電控單元2。

作為優選方案，所述濺射靶上還設置有功率計數感測器，所述功率計數感測器電氣連接所述主電控單元2。

作為優選方案，所述進去片區和等離子放電腔體4內的導軌為兩個相互平行的移動導軌，所述移動導軌連接氣缸，所述氣缸電氣連接所述主電控單元2。

具體的，所述移動導軌連接氣缸，實現移動導軌的上下運動，制鍍完成的基板，在鍍膜制程腔體6中，會先進行確認等離子放電腔體4是否有另一基板要進行鍍膜，此時等離子放電腔體4先進行抽氣，直到真空度與鍍膜制程腔體6相當，將連接腔體的閥門打開，先進行已鍍膜完成的基板先進入等離子放電腔體4，再上下移動導軌，實現另一新的基板進入鍍膜制 程腔體6，完成錯位進出；實現單側進出基板，節約了腔體和占地面積，更節約了成本。

作為優選方案，所述主電控單元2電氣連接有控制PC7。

具體的，所述可視不同參數要求，調整速度與週期趟數，所述控制PC7控制主電控單元2精准控制其制程參數。

以上所述僅是本新型的優選實施方式，應當指出，對於本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本新型技術原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應視為本新型的保護範圍。

1:底架

3:進出片區

4:等離子放電腔體

5:緩衝腔體

7:控制PC

8:抽氣泵

Claims (10)

1. 一種水準立式磁控濺射鍍膜設備，包括底架、主電控單元和依次設置在底架上的進出片區、等離子放電腔體、緩衝腔體和鍍膜制程腔體；所述進出片區、等離子放電腔體和鍍膜制程腔體內分別設置有導軌，所述導軌上設置有運載車；所述進出片區、等離子放電腔體、緩衝腔體和鍍膜制程腔體兩兩之間設置有可控門；所述等離子放電腔體內開設有抽氣孔，所述抽氣孔通過管道連接抽氣泵；所述主電控單元分別電氣連接抽氣泵、可控門和運載車。
2. 如請求項1所述的水準立式磁控濺射鍍膜設備，所述鍍膜制程腔體遠離緩衝腔體的一側設置有輔助緩衝腔體。
3. 如請求項2所述的水準立式磁控濺射鍍膜設備，所述底架底部設置有滑輪。
4. 如請求項1所述的水準立式磁控濺射鍍膜設備，所述等離子放電腔體內設置有溫度感測器和氣壓感測器，所述溫度感測器和氣壓感測器分別電氣連接所述主電控單元。
5. 如請求項1所述的水準立式磁控濺射鍍膜設備，所述進出片區、等離子放電腔體、緩衝腔體和鍍膜制程腔體內分別設置有多個用於檢測基板是否到達相應位置的紅外感應探頭，所述紅外感應探頭電氣連接所述主電控單元。
6. 如請求項1所述的水準立式磁控濺射鍍膜設備，所述鍍膜制程腔體包括兩個連續設置的濺鍍腔體，所述濺鍍腔體內設置有濺射靶。
7. 如請求項6所述的水準立式磁控濺射鍍膜設備，所述濺射靶上設置有溫度感測器和火花感測器，所述溫度感測器和火花感測器分別電氣連接所述主電控單元。
8. 如請求項7所述的水準立式磁控濺射鍍膜設備，所述濺射靶上還設置有功率計數感測器，所述功率計數感測器電氣連接所述主電控單元。
9. 如請求項1所述的水準立式磁控濺射鍍膜設備，其進出片區和等離子放電腔體內的導軌為兩個相互平行的移動導軌，所述移動導軌連接氣缸，所述氣缸電氣連接所述主電控單元。
10. 如請求項1所述的水準立式磁控濺射鍍膜設備，所述主電控單元電氣連接有控制PC。

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