CN101857953A - 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极 - Google Patents

薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极 Download PDF

Info

Publication number
CN101857953A
CN101857953A CN201010198723A CN201010198723A CN101857953A CN 101857953 A CN101857953 A CN 101857953A CN 201010198723 A CN201010198723 A CN 201010198723A CN 201010198723 A CN201010198723 A CN 201010198723A CN 101857953 A CN101857953 A CN 101857953A
Authority
CN
China
Prior art keywords
feed
face
electrode
assembly
thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201010198723A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101857953B (zh
Inventor
何祝兵
李毅
胡盛明
李志坚
王春柱
周建华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd filed Critical Shenzhen Trony Technology Development Co Ltd
Priority to CN2010101987239A priority Critical patent/CN101857953B/zh
Publication of CN101857953A publication Critical patent/CN101857953A/zh
Priority to US13/698,864 priority patent/US8438989B2/en
Priority to JP2013513508A priority patent/JP5512886B2/ja
Priority to PCT/CN2010/001657 priority patent/WO2011153673A1/zh
Priority to EP10852666.6A priority patent/EP2581949B8/en
Application granted granted Critical
Publication of CN101857953B publication Critical patent/CN101857953B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32577—Electrical connecting means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
    • H01L31/1824—Special manufacturing methods for microcrystalline Si, uc-Si
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开一种薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极，属于太阳能电池技术领域。面馈入电极主要技术特点由腰部呈扁平状的信号馈入组件一半圆形端面接触信号馈入口，位于阴极板背平面中心区域内下凹圆形面内，馈入射频/甚高频功率电源信号，阳极板接地。阴极板屏蔽罩有通孔，阴极板与屏蔽罩之间绝缘。效果在于以电极板中心面馈入，克服了一点或多点馈入因馈线距离造成的损耗。以射频/甚高频功率电源驱动可获得均匀电场大面积稳定放电，有效的消除驻波和趋肤效应，使产率提高，成本降低。

Description

薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极
技术领域
本发明公开一种太阳能电池技术，确切的说一种由甚高频电源(27.12MHz～100MHz)驱动的硅基薄膜太阳能电池沉积室用电极。
背景技术
目前，硅基薄膜太阳能电池，采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)获取单结或多结的光电转换P-I-N膜层。射频电容耦合平行板电极反应室广泛应用于非晶硅、非晶硅锗、碳化硅、氮化硅、氧化硅等材料薄膜的大面积沉积。行业内通常把具有支撑框架的电极称为“夹具”，将该装置安装在腔室内进行等离子体化学气相沉积的装置又称为“沉积盒”。硅基薄膜太阳能电池是太阳能行业的一个重要分支，所采用的平行电极板容性放电模式是太阳能电池行业的核心技术之一。13.56MHz射频广泛应用于非晶硅基薄膜材料的高速制备，生产效率高、工艺成本低。随着太阳能市场对硅基薄膜技术要求不断提高，微晶、纳米晶硅基薄膜材料受到行业高度关注。但是在微晶工艺环境下，13.56MHz射频波衍生的等离子体浓度小，沉积速率低，沉积足够厚度薄膜所需时间长，背景污染大，从而制备出的薄膜杂质含量高，光电学性能差，严重影响产品品质性能。如何高速沉积成为晶化硅基薄膜技术能够成功服务于产业的关键。
甚高频指频率为13.56MHz的两倍或者更高倍的合法射频。在行业内，应用较多的甚高频一般为27.12～200MHz的范围。然而，在容性放电模式中，甚高频引发的驻波效应和趋肤效应非常明显，而且随着驱动频率的增加而增强。美国加州大学Berkeley分校的M.A.Lieberman教授对这两种效应做了深入研究。研究结果表明，甚高频PECVD沉积均匀薄膜的临界条件在于激发频率的自由空间波长(λ0)远大于容性放电电极板腔室尺寸因子(X)，趋肤深度(δ)远大于容厚因子(ηo)以放电面积1m2为例，60MHz的激发频率下，λ0≈X，δ≈η。因此在此激发频率下，趋肤和驻波效应非常明显，导致1m2电极板上放电极不均匀。所以如何实现甚高频驱动的均匀大面积放电是晶化硅基薄膜技术亟待解决的技术难题之一，这引起了行业的极大兴趣。2003年，美国专利2003/0150562A1公开了平板电容耦合放电中利用磁镜改善甚高频造成的电场不均匀性。中国专利200710150227.4，200710150228.9，200710150229.3，公开了甚高频电极的三种设计，通过甚高频信号的不同馈入形式，获得均匀电场。但现存在的问题是：1)VHF-PECVD反应室电极设计结构较复杂；2)仍需要继续改进的理由是生产中经常对反应室及电极不断的装卸和清洗，都会造成异形电极变形；3)现有专利中的多点馈入结构接触面积较小，要求各个馈入点路径对称，馈入点之间的连接导体与阴极板之间不能有接触，准确的说连接导体需要与阴极板之间隔离屏蔽才能实现有效放电。这些结构设计的实际要求比较苛刻，决定放电均匀程度的因素太多，而且不能满足生产中拆洗等实际需求。因此在行业设备中，单点馈入为主流结构设计，但是由于驻波和趋肤效应，单点馈入结构不能满足馈入高频频率提升的要求。为此，需要对现有沉积夹具及电极和电极朝实用性方面作进一步开发和改进，面对当前市场需求，使质量提高，成本降低。同时，对于处理或沉积多片玻璃的CVD电极组件，也是一个发展趋势。因此，对于能满足大批量生产，采用有效甚高频馈入模式的工业化产品开发和设计，对产业发展具有重要的实际意义。
发明内容
本发明目的旨在解决甚高频电源驱动的放电不均匀性问题，而提供一种可获得均匀电场的大面积VHF-PECVD沉积室使用一种全新概念设计的电极，以适用于产业化的大面积VHF-PECVD电极板多片阵列。
本发明为解决现有技术的不足，提出技术解决方案：包括电极板和其上的信号馈入口，其特征在于电极板组件的阳极板接信号电源正极接地，电极板组件的馈入口位于阴极板背面的中心区域下凹的圆形面内，还包括
面接触连接信号馈入口的馈入组件接射频/甚高频功率电源负极；
以面馈入射频/甚高频功率电源信号；
馈入组件的端面是半圆形；
阴极板的屏蔽罩上开有通孔。
馈入组件还包括绝缘层和外壳屏蔽层，是由腰部和头部构成阶梯形状的导电体，其腰部为扁平形，其头部为半圆形，由铜质馈入芯、绝缘层和外壳屏蔽层构成。
解决方案所说的电极板包括单面放电的阴极板、陶瓷绝缘层、屏蔽罩。屏蔽罩覆盖整个阴极板背面和侧面。电极板组件还包括阴极板的屏蔽罩接地和阳极板的接地体，阴极板和阳极板之间具有一定的放电间距。屏蔽罩，还包括射频/甚高频电源功率信号馈入至阴极板背面的中心位置及四周侧面的屏蔽。馈入组件的另一端接包括射频/甚高频功率电源的阴极输出口和功率电源匹配器。
本发明的技术解决方案包括电极组件的信号馈入方法，该馈入模式，由电极板组件和其上的信号馈入口，以面馈入模式馈入射频/甚高频信号，其特征在于该模式由带屏蔽的馈入组件
以面接触连接信号馈入口；
馈入射频/甚高频功率电源信号；
信号馈入口位于阴极板背面的中心区域的下凹面内；
阴极板的屏蔽绝缘罩外壳上开通孔，以免馈入组件通过该通孔接馈入口时接触到屏蔽罩。
实施本发明所产生的积极有益效果是，区别于插槽式阴极板侧面馈入方式，本发明能够获得更高均匀度和更大放电面积的稳定放电，接入电容小，实际放电功率大，极板阵列之间射频干扰小。也区别于单室沉积系统的阴极板中心点式馈入，接入电容小、驻波和趋肤效应小，可集成阵列式多室沉积，极大提高生产效率。因此，通过优化甚高频电源馈入形式、电极板的结构，解决射频/甚高频大面积放电均匀性问题，也是晶化硅基薄膜高速高效制备技术的前提。本发明适用于任何功率、27.12MHz～200MHz区间任何法定频率的甚高频电源的大面积均匀放电。这种结构能够适用于多片沉积系统，大大提高产率和降低了电池成本。该发明突破常规电极设计技术的限制，有效的消除了甚高频引发的驻波和趋肤效应，达到适用于均匀放电的工业化应用水平。
附图说明
图1、是本发明实施例1示意图。
图2、是反应室02示意图。
图3、图1中201信号馈入组件结构示意图。
图4、是本发明阴极板203结构示意图。
图5、是本发明屏蔽罩204结构示意图。
图6、是本发明实施例2结构示意图。
图7、是本发明实施例3结构示意图。
图1-7中，电极板组件和馈入组件安装在反应室02内，反应室02包括下后门板211，上后门板212，前门板215，侧框架216，下底板221和气体腔214上分别安装有接地金属导槽209。电极板组件包括阴极板203和阴极板屏蔽罩204之间有绝缘条207，阴极板屏蔽罩204和阳极板208接地。阶梯形馈入组件201包括腰部带有耐高温外壳绝缘屏蔽层202和半圆形端面201-1与位于具有屏蔽罩204的阴极板203背面中心区域内下凹的圆形面馈入口203-1对应，其腰部扁平便于安装，信号馈入损耗少。反应室02在真空室01内放电，将P-I-N膜层沉积在基片206上。真空室01上气体系统接入口101，电源系统接入口102，真空室活动门103，真空系统接入口105。
本发明面馈入电极的设计实现了以上提出的发明任务。克服了现有多点馈入对晶化硅基薄膜VHF-PECVD沉积技术难以克服的诸多问题，如反应室电极结构复杂；电极易变形、接触面积较小；各馈入点之间路径距离要求完全对称以及完全屏蔽等。而本发明的面馈入放电电极组件设计不存在这些问题，能获取均匀电场大面积腔室放电等问题，同时，对于处理或沉积多片玻璃的CVD放电电极组件体系，采用有效甚高频面馈入模式，取得了工业化生产可操作工艺，能够满足硅基薄膜太阳能电池大批量生产的需要。
本发明贡献还在于基本解决了甚高频电源驱动的高速沉积膜层的均匀性和一致性问题。电极板组件和馈入组件安装在反应室02内，反应室02在真空室01内放电。反应室02包括下后门板211，上后门板212，前门板215，侧框架216，下底板221和气体腔214上分别安装有接地金属导槽209。阴极板203和阴极板屏蔽罩204之间有绝缘条207，阴极板屏蔽罩204和阳极板208接地。信号馈入组件201包括腰部和一端面201-1是半圆形与馈入口203-1位于具有屏蔽罩204的阴极板203中间区域下凹的圆面对应，其腰部扁平便于安装，信号馈入损耗少。另一个头是201-3连接射频/甚高频功率电源负极和功率匹配器(未画出)，呈阶梯状，其一端面呈半圆形与电极板面接触连接的馈入口构成电极板组件在接地装置的反应室02内，均具有有绝缘屏蔽保护装置(未画出)。
具体实施方式
实施例1：
电极板为立式，圆形馈入口位于阴极板背面的中心区域下凹的圆形面内，信号馈入组件一端面为半圆形，腰部扁平，阴极板屏蔽罩上开有通孔。
结合图1-5说明本实施例工作原理。气相沉积系统主要由气相沉积室、气体系统、电源系统、真空系统、加热系统、控制系统等组成，气体系统主要是提供气相沉积的各种所需气体和气体管路，电源系统主要是提供沉积时所需要的电离成等离子体状态的高频或甚高频电源，真空系统主要是提供沉积时抽取真空状态用设备及管路，加热系统主要是给气相沉积室加热，控制系统主要是对沉积过程及参数进行控制，而气相沉积室是实现将气体沉积在基片206上并完成镀膜的装置。气相沉积室主要由真空室01、反应室02、电极板组件、馈入组件构成，真空室01用来实现真空状态，电极板组件、馈入组件安装在反应室02用来实现等离子放电，将P-I-N沉积在基片206上。反应室02包括下后门板211，上后门板212，前门板215，侧框架216，下底板221和气体腔214上分别安装有接地金属导槽209。阴极板203与屏蔽罩204之间有绝缘条207，馈入组件201的头部半圆形馈入面201-1与阴极板203背面中心区域下凹的圆形面内馈入口203-1面接触馈入射频/甚高频功率电源信号至阴极板203，馈入组件201另一端上的通孔201-3与电源接头205相连接，馈入组件201腰部外壳是耐高温绝缘屏蔽层202，以防与屏蔽罩204接触。屏蔽罩204上对应位于阴极板的馈入口203-1开有通孔204-1，使得馈入组件201从阴极板203引出时不与屏蔽罩204接触，馈入组件201为导电性良好的金属片铜，屏蔽罩204和阳极板208接地。将前工序镀制的基片206放置在反应室02内，将反应室02放置在真空室01内，关好真空室活动门103，反应室02上固定的气体管道220上入口与真空室01上的气体系统接入口101伸入真空室01内部的管口对接，电源线一端与夹具的电源接头205相连，另一端电源线接甚高频电源系统的接入口102。通过真空系统先抽真空到理想状态，通入氩气，当腔内压力达到60Pa时，打开甚高频电源，放电清洗反应室，关闭电源。之后抽高真空至5.0×10-4Pa左右，通入氩气清洗反应室。按照5slpm通入工艺气体，进行沉积工艺，完成气相沉积镀膜。
实施例2：
阴极板圆形馈入口位于背面的中心区域下凹的圆形面内，信号馈入组件一端面为半圆形，腰部扁平，阴极板屏蔽罩上开有通孔。
图6本实施例采用立式沉积室。由1个阳极板208与1个阴极板203组成1对电极，可同时镀膜2片基片206。具体步骤如下：
a)将2块带有600nm厚透明导电膜的基片206(1640mm×707mm×3mm)放置于反应室02中的2个基片位置，膜面朝外，玻璃面朝电极板。
b)真空抽到5.0×10-4Pa之后，通入氩气，当腔内压力达到60Pa时，打开40.68MHz甚高频电源，以400W功率放电清洗真空室2分钟，关闭电源。
c)之后抽高真空至5.0×10-4Pa左右，用氩气清洗两次。
d)按照5slpm通入混和气(硅烷加氢气)，当腔内气压达到60Pa，打开40.68MHz甚高频电源，以400W功率放电，沉积微晶硅本征层40分钟。
e)关闭电源，抽高真空。
f)充入氮气至大气压，打开真空室活动门103，移出反应室02，在室温中冷却TCO玻璃。
实施例3：
阴极板圆形馈入口位于背面的中心区域下凹的圆形面内，信号馈入组件一端面为半圆形，腰部扁平，阴极板屏蔽罩上开有通孔。
图7本实施例采用卧式沉积室。由8个阳极板208与8个阴极板203组成8对电极，可同时镀膜16片基片206。具体步骤如下：
a)将16块带有600nm厚透明导电膜的基片206(1640mm×707mm×3mm)放置于反应室02中的16个基片位置，膜面朝外，玻璃面朝电极板。
b)真空抽到5.0×10-4Pa之后，通入氩气，当腔内压力达到60Pa时，打开40.68MHz甚高频电源，以400W功率放电清洗真空室2分钟，关闭电源。
c)之后抽高真空至5.0×10-4Pa左右，用氩气清洗两次。
d)按照5slpm通入混和气(硅烷加氢气)，当腔内气压达到60Pa，打开40.68MHz甚高频电源，以400W功率放电，沉积微晶硅本征层40分钟。
e)关闭电源，抽高真空。
f)充入氮气至大气压，打开真空室活动门103，移出反应室02，在室温中冷却TCO玻璃。
以上结合附图对本发明的实施例作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施例，尤其是馈入组件及阴极板的形状，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (13)

1.薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极，包括电极板组件和其上的信号馈入口，其特征在于电极板组件的阳极板接信号电源正极接地，电极板组件的馈入口位于阴极板背面的中心区域下凹的圆形面内，还包括
面接触连接信号馈入口的馈入组件接射频/甚频功率电源负极；
以面馈入射频/甚频功率电源信号；
馈入组件的端面是半圆形；
阴极板的屏蔽罩上开有通孔。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极，其特征在于所说信号的馈入组件还包括绝缘层和外壳屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极，其特征在于所说的馈入组件是一个包括由腰部和头部构成阶梯形状的导电体。
4.根据权利要求1-3其中任意一项所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极，其特征在于所说的馈入组件的腰部为扁平形，其头部为半圆形。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极，其特征在于所说馈入组件由铜质馈入芯、绝缘层和外壳屏蔽层构成。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极，其特征在于所说的电极板组件包括单面放电的阴极板、陶瓷绝缘层、屏蔽罩。
7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极，其特征在于所说的电极板组件，所说的屏蔽罩覆盖整个阴极板背面和侧面。
8.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极，其特征在于所说的电极板组件还包括阴极板的屏蔽罩接地和阳极板的接地体，阴极板和阳极板之间具有一定的放电间距。
9.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极，其特征在于所说的屏蔽罩，还包括射频/甚高频电源功率信号馈入至阴极板背面的中心位置及四周侧面的屏蔽。
10.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极，其特征在于所说的馈入组件的另一端接包括射频/甚高频功率电源的阴极输出口和功率电源匹配器。
11.薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极的信号馈入方法，由电极板组件和其上的信号馈入口，以面馈入模式馈入射频/甚高频信号，其特征在于该模式由带屏蔽的馈入组件
以面接触连接信号馈入口；
馈入射频/甚高频功率电源信号；
信号馈入口位于阴极板背面的中心区域的下凹面内；
阴极板的屏蔽绝缘罩外壳上开通孔。
12.根据权利要求9所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极的信号馈入方法，特征在于所说阴极板的屏蔽罩外壳上开通孔，以免馈入组件通过通孔接馈入口时接触到屏蔽罩。
13.根据权利要求9所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极的信号馈入方法，其特征在于所说的馈入组件是一个包括由腰部和头部构成阶梯形状的导电体。
CN2010101987239A 2010-06-11 2010-06-11 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极 Expired - Fee Related CN101857953B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101987239A CN101857953B (zh) 2010-06-11 2010-06-11 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极
US13/698,864 US8438989B2 (en) 2010-06-11 2010-10-21 Surface feed-in electrodes for deposition of thin film solar cell and signal feed-in method thereof
JP2013513508A JP5512886B2 (ja) 2010-06-11 2010-10-21 薄膜太陽電池の堆積のための表面給電電極およびその信号給電方法
PCT/CN2010/001657 WO2011153673A1 (zh) 2010-06-11 2010-10-21 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极及其信号馈入方法
EP10852666.6A EP2581949B8 (en) 2010-06-11 2010-10-21 Surface feed-in electrode for deposition of thin film solar battery and signal feed-in method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010101987239A CN101857953B (zh) 2010-06-11 2010-06-11 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101857953A true CN101857953A (zh) 2010-10-13
CN101857953B CN101857953B (zh) 2012-04-18

Family

ID=42944107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101987239A Expired - Fee Related CN101857953B (zh) 2010-06-11 2010-06-11 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8438989B2 (zh)
EP (1) EP2581949B8 (zh)
JP (1) JP5512886B2 (zh)
CN (1) CN101857953B (zh)
WO (1) WO2011153673A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011153674A1 (zh) * 2010-06-11 2011-12-15 深圳市创益科技发展有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池的沉积盒
WO2011153671A1 (zh) * 2010-06-11 2011-12-15 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列
WO2011153673A1 (zh) * 2010-06-11 2011-12-15 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极及其信号馈入方法
WO2011153670A1 (zh) * 2010-06-11 2011-12-15 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积夹具及信号馈入方法
EP2469611A1 (en) * 2010-06-11 2012-06-27 Shenzhen Trony Science & Technology Development Co., Ltd. Movable jig for silicon-based thin film solar cell
CN104593749A (zh) * 2015-02-11 2015-05-06 南开大学 一种pecvd系统真空腔室中辉光放电时屏蔽干扰的方法
CN105039936A (zh) * 2015-07-28 2015-11-11 北京精诚铂阳光电设备有限公司 电传输馈入结构及具有其的pecvd设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2348493Y (zh) * 1998-07-19 1999-11-10 周庆明 一种大面积沉积非晶硅的反应盒
JP2000164521A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Canon Inc プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US6155202A (en) * 1997-11-28 2000-12-05 Alps Electric Co., Ltd. Plasma processing apparatus, matching box, and feeder
CN1501452A (zh) * 2002-11-13 2004-06-02 ���ڻ���ʽ���� 等离子加工装置
CN101187015A (zh) * 2007-11-19 2008-05-28 南开大学 可获得均匀电场的大面积vhf-pecvd反应室异形电极
CN101187016A (zh) * 2007-11-19 2008-05-28 南开大学 可获得均匀电场的大面积vhf-pecvd反应室背馈入式平行板功率电极
CN101187014A (zh) * 2007-11-19 2008-05-28 南开大学 一种可获得均匀电场的大面积vhf-pecvd反应室电极
CN201185171Y (zh) * 2008-01-18 2009-01-21 东捷科技股份有限公司 具有改善等离子体均匀度的电极

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4576830A (en) * 1984-11-05 1986-03-18 Chronar Corp. Deposition of materials
TW511398B (en) 2000-09-12 2002-11-21 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method to control the uniformity of plasma by reducing radial loss
JP2004128159A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 高周波プラズマ発生装置および高周波プラズマ発生方法
JP4623422B2 (ja) * 2005-03-17 2011-02-02 富士電機システムズ株式会社 プラズマ処理装置
JP4788504B2 (ja) * 2006-07-12 2011-10-05 富士電機株式会社 プラズマ処理装置の給電構造
JP5119830B2 (ja) * 2007-09-26 2013-01-16 富士電機株式会社 プラズマ装置
CN101880868B (zh) * 2010-06-11 2012-03-07 深圳市创益科技发展有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池的沉积盒
CN101882647B (zh) * 2010-06-11 2012-01-25 深圳市创益科技发展有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池活动夹具
CN101857953B (zh) * 2010-06-11 2012-04-18 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极
CN101882646B (zh) * 2010-06-11 2012-01-25 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积夹具
CN101859801B (zh) * 2010-06-11 2013-02-20 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6155202A (en) * 1997-11-28 2000-12-05 Alps Electric Co., Ltd. Plasma processing apparatus, matching box, and feeder
CN2348493Y (zh) * 1998-07-19 1999-11-10 周庆明 一种大面积沉积非晶硅的反应盒
JP2000164521A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Canon Inc プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN1501452A (zh) * 2002-11-13 2004-06-02 ���ڻ���ʽ���� 等离子加工装置
CN101187015A (zh) * 2007-11-19 2008-05-28 南开大学 可获得均匀电场的大面积vhf-pecvd反应室异形电极
CN101187016A (zh) * 2007-11-19 2008-05-28 南开大学 可获得均匀电场的大面积vhf-pecvd反应室背馈入式平行板功率电极
CN101187014A (zh) * 2007-11-19 2008-05-28 南开大学 一种可获得均匀电场的大面积vhf-pecvd反应室电极
CN201185171Y (zh) * 2008-01-18 2009-01-21 东捷科技股份有限公司 具有改善等离子体均匀度的电极

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011153674A1 (zh) * 2010-06-11 2011-12-15 深圳市创益科技发展有限公司 一种硅基薄膜太阳能电池的沉积盒
WO2011153671A1 (zh) * 2010-06-11 2011-12-15 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列
WO2011153673A1 (zh) * 2010-06-11 2011-12-15 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极及其信号馈入方法
WO2011153670A1 (zh) * 2010-06-11 2011-12-15 深圳市创益科技发展有限公司 薄膜太阳能电池沉积夹具及信号馈入方法
US20120139416A1 (en) * 2010-06-11 2012-06-07 Shenzhen Trony Science & Technology Development Co., Ltd. Clamping unit for depositing thin film solar cell and signal feed-in method
EP2469611A1 (en) * 2010-06-11 2012-06-27 Shenzhen Trony Science & Technology Development Co., Ltd. Movable jig for silicon-based thin film solar cell
EP2468922A1 (en) * 2010-06-11 2012-06-27 Shenzhen Trony Science & Technology Development Co., Ltd. Deposition box for silicon-based thin film solar cell
EP2469610A1 (en) * 2010-06-11 2012-06-27 Shenzhen Trony Science & Technology Development Co., Ltd. Clamping unit for depositing thin film solar cell and signal feed-in method
US8356572B2 (en) * 2010-06-11 2013-01-22 Shenzhen Trony Science & Technology Development Co., Ltd. Clamping unit for depositing thin film solar cell and signal feed-in method
EP2469610A4 (en) * 2010-06-11 2013-05-08 Shenzhen Trony Science & Technology Dev Co Ltd FIXING UNIT FOR DEPOSITING A THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD FOR SIGNAL INJECTION
EP2469611A4 (en) * 2010-06-11 2013-05-29 Shenzhen Trony Science & Technology Dev Co Ltd MOBILE MOUNT FOR THIN-FILM THIN-FILM SOLAR CELL
EP2468922A4 (en) * 2010-06-11 2013-05-29 Shenzhen Trony Science & Technology Dev Co Ltd SILICON THIN FILM SOLAR CELL DEPOSIT BOX
CN104593749A (zh) * 2015-02-11 2015-05-06 南开大学 一种pecvd系统真空腔室中辉光放电时屏蔽干扰的方法
CN105039936A (zh) * 2015-07-28 2015-11-11 北京精诚铂阳光电设备有限公司 电传输馈入结构及具有其的pecvd设备

Also Published As

Publication number Publication date
EP2581949A4 (en) 2015-11-25
CN101857953B (zh) 2012-04-18
EP2581949B1 (en) 2017-03-01
JP5512886B2 (ja) 2014-06-04
EP2581949B8 (en) 2017-08-09
JP2013534564A (ja) 2013-09-05
EP2581949A1 (en) 2013-04-17
WO2011153673A1 (zh) 2011-12-15
US8438989B2 (en) 2013-05-14
US20130063028A1 (en) 2013-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101880868B (zh) 一种硅基薄膜太阳能电池的沉积盒
CN101882647B (zh) 一种硅基薄膜太阳能电池活动夹具
CN101882646B (zh) 薄膜太阳能电池沉积夹具
CN101857953B (zh) 薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极
CN101859801B (zh) 薄膜太阳能电池沉积用放电电极板阵列
CN201994322U (zh) 太阳能电池沉积用放电电极板阵列
CN201756586U (zh) 太阳能电池的沉积盒
CN201756585U (zh) 太阳能电池沉积夹具
CN201756584U (zh) 太阳能电池沉积用放电电极组件
CN201780981U (zh) 太阳能电池活动夹具

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120418