KR20110131433A - 필름 세정용 대기압 플라즈마 세정시스템 - Google Patents

필름 세정용 대기압 플라즈마 세정시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20110131433A
KR20110131433A KR1020100050873A KR20100050873A KR20110131433A KR 20110131433 A KR20110131433 A KR 20110131433A KR 1020100050873 A KR1020100050873 A KR 1020100050873A KR 20100050873 A KR20100050873 A KR 20100050873A KR 20110131433 A KR20110131433 A KR 20110131433A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
conveyor
workpiece
atmospheric pressure
outlet
Prior art date
Application number
KR1020100050873A
Other languages
English (en)
Inventor
안태랑
김형태
이일형
Original Assignee
한국생산성본부
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국생산성본부 filed Critical 한국생산성본부
Priority to KR1020100050873A priority Critical patent/KR20110131433A/ko
Publication of KR20110131433A publication Critical patent/KR20110131433A/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2259/00—Type of treatment
    • B01D2259/80—Employing electric, magnetic, electromagnetic or wave energy, or particle radiation
    • B01D2259/818—Employing electrical discharges or the generation of a plasma

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명은 핸드폰용 LCD 윈도우 및 ITO(INDIUM TIN OXIDE) 등의 표면을 대기압 상태에서 연속적으로 세정할 수 있는 필름 세정용 대기압 플라즈마 세정시스템에 관한 것이다. 본 발명의 대기압 플라즈마 세정시스템은, 피처리물이 공급되는 방향을 따라 입구와 출구가 형성되어 있는 수용공간을 갖는 본체를 포함한다. 수용공간의 하부에는 입구에서 투입되는 상기 피처리물을 출구 방향으로 이동시키는 컨베이어가 설치되어 있고, 수용공간의 상부에는 공급되는 가스와 인가된 전원에 의해 생성된 고밀도 플라즈마를 피처리물에 분사하는 복수의 플라즈마 헤드가 장착되어 있다. 또한, 피처리물과 플라즈마가 반응하여 수용공간에 잔존하는 불순물을 수용공간에 연결되어 있는 복수의 관을 통해 흡입하여 외부로 배출하는 배출장치를 포함한다.

Description

필름 세정용 대기압 플라즈마 세정시스템{ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA CLEAN SYSTEM FOR FILM CLEANING}
본 발명은 핸드폰용 LCD 윈도우 및 ITO(INDIUM TIN OXIDE) 등의 표면을 대기압 상태에서 연속적으로 세정할 수 있는 필름 세정용 대기압 플라즈마 세정시스템에 관한 것이다.
플라즈마(PLASMA)는 기체가 높은 에너지를 얻어서 전자와 이온 등으로 분해되어 높은 에너지상태가 된 것으로서, 기체, 액체 및 고체와는 다른 성질을 가지는 제 4의 물질상태를 말한다. 플라즈마는 높은 온도나 자기장을 가하여 얻을 수 있으며, 화학적 또는 물리적으로 반응성이 대단히 강하여 LCD, PDP 및 휴대폰 등의 평판 디스플레이 제조용 유리 및 필름의 표면을 세정하는데 유용하게 사용된다.
상기에서와 같이 플라즈마를 이용하는 세정을 건식방법이라 하고, 건식방법은 플라즈마 세정을 진공상태에서 하는 방법과 대기압 상태에서 하는 방법으로 나뉜다. 진공상태의 건식방법은, 방전 전극을 설치한 밀폐된 챔버에 공기를 흡입배출하여 진공상태를 만든다. 진공챔버 내에 고압을 인가하면서 아르곤, 크세논, 헬륨 및 네온과 같은 고가의 희유가스 중 어느 하나를 투입하여 이온화 또는 활성화시켜 플라즈마를 발생한다. 발생된 플라즈마는 피처리물의 표면과 충돌하여 표면의 불순물이나 오염물질을 기화 제거토록 하는 방식이다.
그러나, 진공상태의 건식방법은 매 단계의 세정작업마다 진공챔버 내부에 한정된 양만큼의 피처리물을 투입하고 진공챔버 내부를 밀폐시킨 다음, 진공챔버 내부를 진공으로 만든다. 진공챔버 내의 방전 전극에 고압을 인가하고 동시에 회유가스를 진공챔버 내에 투입하여 플라즈마를 발생시켜 세정작업을 한다. 이와 같이 작업공정이 매우 번거롭고 복잡하여 세정작업 시간이 많이 소요된다. 따라서 작업성 및 생산성이 저하되고, 운전이나 설비의 유지에도 많은 비용이 소요되는 문제점이 있다. 또한, 플라즈마를 발생할 때 사용되는 비활성 가스의 값이 비싸서 공정비가 증가하고, 작업중에 수시로 가스용기를 교체하고 보충해 주어야 하는 작업상 불편한 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은, 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시켜 세정작업을 하기 때문에 작업성 및 생산성을 향상시킨 대기압 플라즈마 세정시스템을 제공함에 있다. 또한 본 발명의 목적은, 피처리물을 플라즈마 발생장치에 연속적으로 투입시켜 고속으로 세정작업이 가능한 대기압 플라즈마 세정시스템을 제공함에 있다.
이와 같은 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 특징은, 피처리물이 공급되는 방향을 따라 입구와 출구가 형성되어 있는 수용공간을 갖는 본체와, 수용공간의 하부에 설치되어 있고 입구에서 투입되는 피처리물을 출구 방향으로 이동시키는 컨베이어와, 수용공간에 설치되어 있고 공급되는 가스와 인가된 전원에 의해 생성된 플라즈마를 피처리물에 분사하는 플라즈마 헤드와, 피처리물과 플라즈마가 반응하여 수용공간에 잔존하는 불순물을 수용공간에 연결되어 있는 복수의 관을 통해 흡입하여 외부로 배출하는 배출장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 세정시스템을 개시한다.
본 발명에 의하면, 별도의 챔버나 압력을 낮추지 않고 플라즈마를 대기압 상온에서 발생시킨 후 플라즈마가 생성된 곳에 피처리물 공급하여 표면처리하기 때문에 정밀한 세정작업이 가능하고, 가공물의 품질, 작업성 및 생산성이 뛰어난 효과가 있다. 또한, 피처리물을 플라즈마 발생장치에 연속적으로 투입시켜 고속으로 세정작업을 할 수 있으므로 작업 효율이 향상된다.
본 발명은, 기존 라인의 중간에 설치 가능하여 별도의 라인 개조비용을 절감할 수 있는 효과가 있다. 가스 비용을 제외한 별도의 유지비용이 적고, 사후 유지 관리가 용이하며, 사용되는 유기물이 물, 이산화탄소 등으로 분해되기 때문에 친환경적인 세정작업이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 세정시스템의 일 실시예를 나타낸 정면도이다.
도 2는 도 1의 우측면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 컨베이어의 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 높낮이 조절장치의 작동상태를 나타낸 확대도이다.
도 5는 도 1에 도시된 플라즈마 발생장치에 설치되어 있는 제1 플라즈마 헤드의 개략적이 구성을 나타낸 정면도이다.
도 6은 도 5의 A-A선 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 세정시스템의 다른 실시예를 나타낸 정면도이다.
도 8은 도 7의 평면도이다.
도 9는 도 8에 도시된 제1 이송장치의 정면도이다.
도 10은 도 9의 우측면도이다.
도 11은 도 9에 도시된 제1 컨베이어의 평면도이다.
본 발명의 그 밖의 목적, 특정한 장점들과 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 분명해질 것이다.
이하, 본 발명에 따른 필름 세정용 대기압 플라즈마 세정시스템에 대한 바람직한 실시예들을 첨부된 도면들에 의거하여 상세하게 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 6을 참조하면, 플라즈마 발생장치(100)의 본체(101)는 피처리물(400)이 공급되는 방향을 따라 입구와 출구가 형성되어 있는 수용공간(102)을 갖는다. 수용공간(102)은 별도의 진공장치가 설치되어 있지 않으며, 수용공간(102)의 후면과 전면에는 유지보수를 하거나 피처리물(400)의 작업 상태를 확인할 수 있도록 각각 투명 유리로 제조된 후면 도어(103)와 전면 도어(104)가 설치되어 있다.
도 3을 참조하면 컨베이어(110)는 수용공간(102)의 하부에 설치되어 있고, 수용공간(102)의 입구로 공급되는 피처리물(400)을 수용공간(102)의 출구로 이송한다. 프레임(111)은 수용공간(102)의 양측에 각각 고정되어 있다. 제1 롤러(112)는 수용공간(102)의 입구와 인접한 프레임(111) 사이에 장착되고, 제2 롤러(113)는 수용공간(102)의 출구와 인접한 프레임(111) 사이에 장착되어 있다. 컨베이어 벨트(114)는 제1 롤러(112)와 제2 롤러(113)의 외주면을 따라 설치되어 있다. 지지판(115)은 컨베이어 벨트(114)가 처지는 것을 방지하여, 이송되는 피처리물(400)을 균일하게 세정할 수 있도록 컨베이어 벨트(114) 상부 내측에 고정되어 있다.
또한, 모터(116) 축에 구동풀리(117)가 연결되어 있다. 종동풀리(118)는 구동풀리(117)와 벨트(119)로 연결되어 있고, 종동풀리(118)의 중심은 제2 롤러(113)의 일단 축에 고정되어 있다. 따라서, 모터(116)가 회전하면 구동풀리(117)가 회전한다. 회전하는 구동풀리(117)는 벨트(119)를 회전시키고, 벨트(119)는 종동풀리(118)를 회전시킨다. 종동풀리(118)가 회전하면 제2 롤러(113)가 회전한다. 제2 롤러(113)는 컨베이어 벨트(114)를 회전시키고, 컨베이어 벨트(114)의 작동에 따라 연동하여 제1 롤러(112)가 회전한다.
텐션조절 볼트(120)는 컨베이어 벨트(114)의 처짐 현상을 방지하기 위해 제2 롤러(113)의 프레임(111) 양측에 각각 설치되어 있다. 즉, 컨베이어(110)를 장시간 사용할 경우 컨베이어 벨트(114)가 처지는 현상이 발생하고, 컨베이어 벨트(114)의 처짐 현상이 심할 경우 피처리물(400)의 세정작업에 악영향을 미칠 수 있다. 이를 방지하기 위해 컨베이어 벨트(114)의 처짐 현상이 나타날 경우 제2 롤러(113)의 프레임(111)에 양측에 설치되어 있는 텐션조절 볼트(120)를 정회전 또는 역회전 방향으로 조여줌으로써 컨베이어 벨트(114)의 장력을 조절한다.
가이드바(121)는, 수용공간(102)의 입구로 공급되는 피처리물(400)을 평행하게 출구 방향으로 이동할 수 있도록 안내하는 역할을 한다. 컨베이어(110)는 공급되는 피처리물(400)을 감지하기 위해 제1 롤러(112)의 전방 측면에 전방센서(121)가 설치되어 있고, 세정작업이 완료되어 이송되는 피처리물(400)을 감지하기 위해 제2 롤러(113)가 설치되어 있는 측면 주변에 후방센서(122)가 설치되어 있다. 전방센서(121)와 후방센서(122)에 의해 피처리물(400)이 이송을 확인함으로써, 플라즈마 발생장치(100)의 작동을 안정적으로 제어할 수 있다.
도 4를 참조하면 높낮이 조절장치(130)는, 수용공간(102)의 상부에 장착되어 있으며 수용공간(102) 내에서 상하 방향으로 높낮이를 조절할 수 있도록 실린더(131), 복수의 가이드레일(132) 및 연결판(133)으로 구성되어 있다. 높낮이 조절장치(130)는 실린더(131)의 작동에 따라 일단에 설치되어 있는 연결판(133)이 컨베이어(110)의 상부에 근접하게 된다. 즉, 실린더(131)가 늘어나도록 작동하면 연결판(133)이 컨베이어(110)의 상부에 근접하게 되고, 두께가 얇은 피처리물(400)을 세정작업한다. 실린더(131)가 줄어들도록 작동하면 연결판(133)이 컨베이어(110)의 상부와 간격이 벌어지게 되고, 컨베이어(110)와 연결판(133) 사이로 두께가 두꺼운 피처리물(400)이 이동되면서 세정작업을 한다. 이때 연결판(133)이 상하 방향으로 흔들림없이 안정적으로 이동할 수 있도록 네 측면에 복수의 가이드레일(132)이 설치되어 있는 것이 바람직하다.
플라즈마 발생장치(100)는 수용공간(102)에 복수의 플라즈마 헤드가 설치되어 있으며, 본 발명에서는 제1 플라즈마 헤드(140)와 제2 플라즈마 헤드(150)로 구성되나 이에 한정하는 것은 아니다. 또한 제1 플라즈마 헤드(140)와 제2 플라즈마 헤드(150)는 동일한 구성으로 이루어져 있고, 플라즈마 헤드의 길이가 서로 상이한 것을 특징으로 한다. 즉, 제1 플라즈마 헤드(140)의 길이는 제2 플라즈마 헤드(150)의 길이 보다 짧다. 따라서, 피처리물(400)의 폭이 짧을 경우 제1 플라즈마 헤드(140)만 작동하고, 피처리물(400)의 폭이 길 경우 제2 플라즈마 헤드(150) 또는 제1 플라즈마 헤드(140) 및 제2 플라즈마 헤드(150)을 동시에 작동하여 효율적으로 세정작업을 한다. 이하에서는 제1 플라즈마 헤드(140)에 대해서 설명하고 동일한 구성을 갖는 제2 플라즈마 헤드(150)의 설명은 생략한다.
도 5 내지 도 6을 참조하면, 제1 플라즈마 헤드(140)는 고밀도 플라즈마를 생성하기 위해 셀 형태로 전극이 배치되어 있는 것을 특징으로 한다. 케이스(141)의 내부에는 수직방향을 따라 간격을 두고 복수의 수직 접지전극(142)이 배치되어 있고, 복수의 수직 접지전극(142)의 하부에 수평 접지전극(143)이 고정되어 있다. 수직 접지전극(142)과 수직 접지전극(142)의 사이에는 각각 세라믹(145)이 배치되어 있다. 수평 접지전극(143)에는 세라믹(145)이 배치되어 있는 부분에 복수의 구멍(144)이 형성되어 있다.
또한, 케이스(151)의 외부에는 전원케이블(146)이 설치되어 있으며, 외부로부터 산소가스나 질소가스가 공급되도록 복수의 가스 공급관(147)이 연결되어 있다. 따라서 플라즈마를 생성하기 위해 전원케이블(146)을 통해 인가된 전원은 복수의 수직 접지전극(142)과 수평 접지전극(143)으로 각각 공급된다. 복수의 가스 공급관(147)을 통해 공급된 가스는 세라믹(145)이 배치되어 있는 수직 접지전극(142) 사이를 지나 수평 접지전극(143)의 구멍(144)을 통과하면서 생성된 고밀도 플라즈마를 분사한다. 제1 플라즈마 헤드(140)는 복수의 구멍(144)을 통해 분사되는 플라즈마가 피처리물(400)을 세정한 후 불순물을 효율적으로 배출할 수 있도록 복수의 구멍(144) 외측 방향에 배기장치(160)와 연결되는 배기구멍(148)이 형성되어 있다.
도 1 내지 도 2를 참조하면 배기장치(160)는 본체(101) 내측 하부에 브로워(161)가 설치되어 있다. 브로워(161)는 내측에 설치되어 있는 임펠러가 모터에 의해 회전하면서 흡입구의 공기가 임펠러의 원심력에 의해 압력이 상승하면서 토출구로 배출된다. 연결관(162)은 일단이 브로워(161)의 흡입구와 연결되어 있고, 타단은 본체(101) 우측 상부에 설치되어 있는 제1 매니폴드(163)와 연결되어 있다.
제1 매니폴드(163)는 제1 플라즈마 헤드(140)와 연결되어 불순물을 흡입하는 제1 흡입관(165)과, 제2 플라즈마 헤드(140)와 연결되어 불순물을 흡입하는 제2 흡입관(166)이 연결되어 있다. 제2 매니폴드(164)는 제1 매니폴드(163)와 간격을 두고 본체(101)의 좌측 상부에 설치되어 있으며, 수용공간(102)에서 불순물을 흡입하여 제1 매니폴드(163)로 배출한다. 제1 매니폴드(163)와 제2 매니폴드(164)를 통해 흡입된 불순물은 브로워(161)와 연결되어 있는 연결관(162)을 통과하여 브로워(161)의 토출구에 설치되어 있는 배출관(167)을 통해 외부로 배출한다.
구체적인 작동상태를 설명하면, 플라즈마 발생장치(100)의 수용공간(102)은 대기압과 동일한 상태로써, 수용공간(102)의 입구를 통해 피처리물(400)이 공급된다. 공급되는 피처리물(400)은 수용공간(102)의 하부에 설치되어 있는 컨베이어(110)에 의해 수용공간(102)의 입구에서 출구 방향으로 일정 속도로 이동하게 된다. 이동되는 피처리물(400)은 컨베이어(110)의 전방센서(122)가 감지하고 제1 플라즈마 헤드(140)를 작동시켜 플라즈마를 생성한다. 따라서 피처리물(400)이 제1 플라즈마 헤드(140)의 하부를 통과할 때 제1 플라즈마 헤드(140)의 수평 접지전극(143)의 구멍(144)을 통해 생성된 고밀도 플라즈마가 분사되어 피처리물(400)를 세정한다. 세정 작업이 완료된 피처리물(400)이 컨베이어(110)의 후방센서(123)를 통과하게 되면 플라즈마를 생성하는 제1 플라즈마 헤드(140)의 작동을 정지한다.
세정작업을 할 때 피처리물(400)의 폭이 짧을 경우 제1 플라즈마 헤드(140) 하나만 작동하고, 피처리물(400)의 폭이 길 경우 제2 플라즈마 헤드(150)만을 사용하거나 제1 플라즈마 헤드(140)와 제2 플라즈마 헤드(150)를 동시에 작동하여 효율적인 세정작업을 할 수 있다. 또한, 피처리물(400)의 두께에 따라서 높낮이 조절장치(130)를 작동하여 컨베이어(110)와 제1 플라즈마 헤드(140) 및 제2 플라즈마 헤드(150)의 간격을 조절할 수 있다.
도 7 내지 도 11은 본 발명에 따른 대기압 플라즈마 세정시스템의 다른 실시예를 나타낸 것이다.
본 발명에 따른 일 실시예의 플라즈마 발생장치(100)는 수용공간(102)의 입구에는 제1 이송장치(200)가 설치되어 있고, 수용공간(102)의 출구에는 제2 이송장치(300)가 설치되어 있다. 제1 이송장치(200)와 제2 이송장치(300)는 동일한 구성으로 이루어져 있고, 단지 제1 이송장치(200)는 세정작업 전의 피처리물(400)을 이송하는 것이고, 제2 이송장치(300)는 세정작업 후의 피처리물(400)을 이송하는 것이 다르다. 이하에서는 제1 이송장치(200)에 대해서 설명하고, 동일한 구성을 갖는 제2 이송장치의 설명은 생략한다.
제1 이송장치(200)는 제1 수용공간(202)을 갖는 제1 본체(201)를 포함한다. 제1 수용공간(202)은 투입되는 피처리물(400)을 플라즈마 발생장치(100)의 수용공간(102) 입구로 공급할 수 있도록 입구와 출구가 형성되어 있다. 제1 수용공간(202)은 후면과 전면에는 유지보수를 하거나 피처리물(400)의 작업 상태를 확인할 수 있도록 각각 투명 유리로 제조된 제1 후면 도어(203)와 제1 전면 도어(204)가 설치되어 있다.
도 11을 참조하면 제1 컨베이어(210)는 제1 수용공간(202)의 하부에 설치되어 있고, 제1 수용공간(202)의 입구로 공급되는 피처리물(400)을 플라즈마 발생장치(100)의 수용공간(102) 입구로 이송한다. 제1 프레임(211)은 제1 수용공간(202)의 양측에 각각 고정되어 있다. 제1 프레임(211)의 양단에는 제1 롤러(212)와 제2 롤러(213)가 장착되고, 외주면에 제1 컨베이어 벨트(214)가 설치되어 있다. 제1 지지판(215)은 제1 컨베이어 벨트(214)가 처지는 것을 방지하여 이송되는 피처리물(400)을 균일하게 세정할 수 있도록 제1 컨베이어 벨트(214) 상부 내측에 고정되어 있다.
또한, 제1 모터(216) 축에 제1 구동풀리(217)가 연결되어 있다. 제1 종동풀리(218)는 제1 구동풀리(217)와 제1 벨트(219)로 연결되어 있고, 제1 종동풀리(218)의 중심은 제2 롤러(213)의 일단 축에 고정되어 있다. 제1 텐션조절 볼트(220)는 제1 컨베이어 벨트(214)의 처짐 현상을 방지하기 위해 제2 롤러(213)의 제1 프레임(211)에 양측에 각각 설치되어 있다. 제1 가이드바(221)는, 제1 수용공간(202)의 입구로 공급되는 피처리물(400)이 평행하게 출구 방향으로 이동할 수 있도록 안내하는 역할을 한다. 제1 컨베이어(210)는 공급되는 피처리물(400)을 감지하기 위해 제1 내지 제3 센서(222,223,224)가 설치되어 있다. 제1 컨베이어(210)의 작동은 플라즈마 발생장치(100)의 컨베이어(110)의 작동과 동일하기 때문에 상세한 설명은 생략한다.
본 발명에 따른 대기압 플라스마 세정시스템은, 대기압 상온 상태에서 고밀도 플라즈마를 발생하여 이송되는 피처리물을 세정작업 한다. 따라서, 피처리물의 정밀한 세정작업이 가능하고, 가공물의 품질, 작업성 및 생산성이 향상되는 효과가 있다. 또한, 플라즈마 발생장치의 입구와 출구에는 피처리물을 연속적으로 이송할 수 있는 자동화된 이송장치가 설치되어 있기 때문에 고속으로 세정작업을 할 수 있다. 또한, 가스 비용을 제외한 별도의 유지비용이 적고, 사후 유지 관리가 용이하며, 사용되는 유기물이 물, 이산화탄소 등으로 분해되기 때문에 친환경적인 세정작업이 가능하다.
앞에서 설명되고 도면에 도시된 본 발명의 실시예들은, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
100 : 플라즈마 발생장치 110 : 컨베이어
130 : 높낮이 조절장치 140 : 제1 플라즈마 헤드
150 : 제2 플라즈마 헤드 160 : 배기장치
200 : 제1 이송장치 210 : 제1 컨베이어
300 : 제2 이송장치 400 : 피처리물

Claims (9)

  1. 피처리물이 공급되는 방향을 따라 입구와 출구가 형성되어 있는 수용공간을 갖는 본체와,
    상기 수용공간의 하부에 설치되어 있고 상기 입구에서 투입되는 상기 피처리물을 상기 출구 방향으로 이동시키는 컨베이어와,
    상기 수용공간에 설치되어 있고 공급되는 가스와 인가된 전원에 의해 생성된 플라즈마를 상기 피처리물에 분사하는 플라즈마 헤드와,
    상기 피처리물과 플라즈마가 반응하여 생성된 불순물을 상기 수용공간에 연결되어 있는 복수의 관을 통해 흡입하여 외부로 배출하는 배출장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 세정시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 컨베이어는 한 쌍의 롤러 중 어느 한 롤러가 설치되어 있는 프레임의 양측에 장착되어 컨베이어 벨트의 장력을 조절하는 텐션조절 볼트와, 상기 피처리물을 감지하는 복수의 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 세정시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 헤드는 복수의 수직 접지전극과, 상기 수직 접지전극과 수직 접지전극 사이에 배치되는 세라믹과, 상기 복수의 수직 접지전극의 하부에 고정되고 플라즈마가 통과하는 복수의 구멍이 형성되어 있는 수평 접지전극과, 복수의 구멍 외측 방향에 배기장치로 연결되는 배기구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 세정시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 플라즈마 헤드는 복수로 구성되고, 상기 복수의 플라즈마 헤드는 길이가 서로 다른 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 세정시스템.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 헤드는 수용공간 내에서 상하 방향으로 이동 가능하도록 높낮이 조절장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 세정시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 플라즈마 헤드가 설치되어 있는 상기 수용공간의 입구와 연결되어 있고, 피처리물이 공급되는 방향을 따라 입구와 출구가 형성되어 있는 제1 수용공간을 갖는 제1 본체와,
    상기 제1 수용공간의 하부에는 상기 입구에서 투입되는 상기 피처리물을 상기 출구 방향으로 이동시키는 제1 컨베이어가 설치되어 있는 제1 이송장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 세정시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 컨베이어는 한 쌍의 롤러 중 어느 한 롤러가 설치되어 있는 프레임의 양측에 장착되어 컨베이어 벨트의 장력을 조절하는 텐션조절 볼트와, 상기 피처리물을 감지하는 복수의 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 세정시스템.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 플라즈마 헤드가 설치되어 있는 상기 수용공간의 출구와 연결되어 있고, 세정작업이 완료된 피처리물이 공급되는 방향을 따라 입구와 출구가 형성되어 있는 제2 수용공간을 갖는 제2 본체와,
    상기 제2 수용공간의 하부에는 상기 입구에서 투입되는 상기 피처리물을 상기 출구 방향으로 이동시키는 제2 컨베이어가 설치되어 있는 제2 이송장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 세정시스템.
  9. 제8에 있어서,
    상기 제2 컨베이어는 한 쌍의 롤러 중 어느 한 롤러가 설치되어 있는 프레임의 양측에 장착되어 컨베이어 벨트의 장력을 조절하는 텐션조절 볼트와, 상기 피처리물을 감지하는 복수의 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마 세정시스템.
KR1020100050873A 2010-05-31 2010-05-31 필름 세정용 대기압 플라즈마 세정시스템 KR20110131433A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100050873A KR20110131433A (ko) 2010-05-31 2010-05-31 필름 세정용 대기압 플라즈마 세정시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100050873A KR20110131433A (ko) 2010-05-31 2010-05-31 필름 세정용 대기압 플라즈마 세정시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110131433A true KR20110131433A (ko) 2011-12-07

Family

ID=45499800

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100050873A KR20110131433A (ko) 2010-05-31 2010-05-31 필름 세정용 대기압 플라즈마 세정시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110131433A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101452851B1 (ko) * 2014-06-08 2014-10-21 강기열 스크린 인쇄의 전처리 공정으로 접착력을 높이기 위한 플라즈마 처리공정 중 필름 원단의 이물질 제거방법 및 그 장치
US10481053B2 (en) 2016-11-17 2019-11-19 Samsung Display Co., Ltd. Method for detecting defects of glass substrates
KR20200082361A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 금오공과대학교 산학협력단 자동차용 리어램프 사출 게이트 커팅 및 플라즈마 표면 처리 시스템
CN115009809A (zh) * 2022-06-17 2022-09-06 彩虹（合肥）液晶玻璃有限公司 一种玻璃基板皮带传输用清洁机构
CN116593497A (zh) * 2023-07-17 2023-08-15 合肥派拓智能科技有限公司 一种高精度oled金属掩膜板视觉缺陷检测设备

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101452851B1 (ko) * 2014-06-08 2014-10-21 강기열 스크린 인쇄의 전처리 공정으로 접착력을 높이기 위한 플라즈마 처리공정 중 필름 원단의 이물질 제거방법 및 그 장치
US10481053B2 (en) 2016-11-17 2019-11-19 Samsung Display Co., Ltd. Method for detecting defects of glass substrates
KR20200082361A (ko) * 2018-12-28 2020-07-08 금오공과대학교 산학협력단 자동차용 리어램프 사출 게이트 커팅 및 플라즈마 표면 처리 시스템
CN115009809A (zh) * 2022-06-17 2022-09-06 彩虹（合肥）液晶玻璃有限公司 一种玻璃基板皮带传输用清洁机构
CN116593497A (zh) * 2023-07-17 2023-08-15 合肥派拓智能科技有限公司 一种高精度oled金属掩膜板视觉缺陷检测设备
CN116593497B (zh) * 2023-07-17 2023-09-22 合肥派拓智能科技有限公司 一种高精度oled金属掩膜板视觉缺陷检测设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20110131433A (ko) 필름 세정용 대기압 플라즈마 세정시스템
WO2014089948A1 (zh) 多功能连续式磁控溅射镀膜装置
KR101405174B1 (ko) 필름 전처리 시스템
JP2009200159A (ja) 真空処理装置および真空処理工場
TWI595974B (zh) A jet processing apparatus for processing a peripheral portion of a substrate, and a jet processing method using the apparatus
KR102368126B1 (ko) 에칭 장치, 에칭 방법, 기판의 제조 방법, 및 기판
KR101104201B1 (ko) 기판 열처리 장치
CN117206119B (zh) 一种防静电地板生产加工喷涂设备以及方法
KR20130007389A (ko) 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
JPH03283429A (ja) 洗浄装置
KR20070119398A (ko) 에어 나이프와 에어 나이프를 이용한 기판 건조 장치
KR20100107692A (ko) 소형 평판 패널용 세정 장치
CN109843822B (zh) 玻璃基板的制造方法
CN110012583A (zh) 水平线式等离子体表面处理机
JP4612520B2 (ja) 大気圧プラズマ処理装置
JPWO2011111626A1 (ja) 表面処理装置
KR100811658B1 (ko) 플라즈마 식각 장치
TW200931575A (en) Clean conveyance system
JP6417103B2 (ja) 表面処理装置および表面処理方法
KR20040021855A (ko) 유리기판의 필름 제거장치
JP2009099361A (ja) プラズマプロセス装置及びプラズマ処理方法
KR100354665B1 (ko) 연속식 플라즈마 세정방법
CN109790064B (zh) 玻璃基板的制造方法
KR100815521B1 (ko) 기판건조장치
TWM599322U (zh) 一種水準立式磁控濺射鍍膜設備

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E601 Decision to refuse application