CN110878408A - 一种水平立式磁控溅射镀膜设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及镀膜设备领域，具体公开了一种水平立式磁控溅射镀膜设备，包括底架、主电控单元和依次设置在底架上的进出片区、等离子放电腔体、缓冲腔体和镀膜制程腔体；所述进出片区、等离子放电腔体和镀膜制程腔体内分别设置有导轨，所述导轨上设置有运载车；所述进出片区、等离子放电腔体、缓冲腔体和镀膜制程腔体两两之间设置有可控门；所述等离子放电腔体内开设有抽气孔，所述抽气孔通过管道连接抽气泵；所述主电控单元分别电气连接抽气泵、可控门和运载车。本发明提供一种能够有效提升产能、减少占地面积以及效率的水平立式磁控溅射镀膜设备。
Description
技术领域
本发明涉及镀膜设备领域，特别是涉及一种水平立式磁控溅射镀膜设备。
背景技术
在镀膜领域，目前，在玻璃盖板或是压克力盖板的镀膜方式，多以电子枪热蒸镀方式或炉式的磁控溅射方式进行；但是目前使用的镀膜机的线长较长、占用空间大，成本较高并且存在小腔室挂量少、产能低、抽空时间长、加热时间长以及产能提升幅度有限的问题，甚至存在不同种类基板间或是光学薄膜与防指纹膜交叉污染的问题与光学特性。
例如中国专利CN201320412833.X公开了一种磁控阴极溅射镀膜工艺室，包括依次连通的入口气锁室、入口真空缓冲腔室、磁控阴极溅射镀膜真空腔室、出口真空缓冲腔室和出口气锁室，所述入口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室，磁控阴极溅射镀膜真空腔室包括至少16个溅射单元腔室，所述出口真空缓冲腔室包括至少4个缓冲单元腔室。可以看出，该磁控阴极溅射镀膜工艺室线长，且占用空间大，生产效率低下，缓冲单元腔多，抽空时间过长。
发明内容
本发明的目的是提供一种水平立式磁控溅射镀膜设备，体积小，采用自动进出基板，生产效率高。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种水平立式磁控溅射镀膜设备，包括底架、主电控单元和依次设置在底架上的进出片区、等离子放电腔体、缓冲腔体和镀膜制程腔体；
所述进出片区、等离子放电腔体和镀膜制程腔体内分别设置有导轨，所述导轨上设置有运载车；
所述进出片区、等离子放电腔体、缓冲腔体和镀膜制程腔体两两之间设置有可控门；
所述等离子放电腔体内开设有抽气孔，所述抽气孔通过管道连接抽气泵；
所述主电控单元分别电气连接抽气泵、可控门和运载车。
作为优选方案，所述镀膜制程腔体远离缓冲腔体的一侧设置有辅助缓冲腔体。
作为优选方案，所述底架底部设置有滑轮。
作为优选方案，所述等离子放电腔体内设置有温度传感器和气压传感器，所述温度传感器和气压传感器分别电气连接所述主电控单元。
作为优选方案，所述进出片区、等离子放电腔体、缓冲腔体和镀膜制程腔体内分别设置有多个用于检测基板是否到达相应位置的红外感应探头，所述红外感应探头电气连接所述主电控单元。
作为优选方案，所述镀膜制程腔体包括两个连续设置的溅镀腔体，所述溅镀腔体内设置有溅射靶。
作为优选方案，所述溅射靶上设置有温度传感器和火花传感器，所述温度传感器和火花传感器分别电气连接所述主电控单元。
作为优选方案，所述溅射靶上还设置有功率计数传感器，所述功率计数传感器电气连接所述主电控单元。
作为优选方案，所述进去片区和等离子放电腔体内的导轨为两个相互平行的移动导轨，所述移动导轨连接气缸，所述气缸电气连接所述主电控单元。
作为优选方案，所述主电控单元电气连接有控制PC。
本发明具有以下有益效果：
(1)本发明的水平立式磁控溅射镀膜设备采用导轨输送，效率高，且腔体连续设置，采用可控门隔开，保证生产的连贯性和可控性，不易产生污染。
(2)本发明的水平立式磁控溅射镀膜设备采用主电控单元控制基板的加工进程，整个过程有序高产。
(3)本发明的水平立式磁控溅射镀膜设备体积小，通过最少设置一个进出片区、等离子放电腔体、缓冲腔体和镀膜制程腔体就可以完成加工。
附图说明
图1是本发明实施例提供的水平立式磁控溅射镀膜设备的前半段结构示意图；
图2是本发明实施例提供的水平立式磁控溅射镀膜设备的后半段结构示意图；
图3是本发明实施例提供的水平立式磁控溅射镀膜设备的系统框图。
附图标记：1、底架；2、主电控单元；3、进出片区；4、等离子放电腔体；5、缓冲腔体；6、镀膜制程腔体；7、控制PC；8、抽气泵；9、辅助缓冲腔体。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参见图1、图2和图3，本发明优选实施例中一种水平立式磁控溅射镀膜设备，包括底架1、主电控单元2和依次设置在底架1上的进出片区3、等离子放电腔体4、缓冲腔体5和镀膜制程腔体6；
所述进出片区3、等离子放电腔体4和镀膜制程腔体6内分别设置有导轨，所述导轨上设置有运载车；
所述进出片区3、等离子放电腔体4、缓冲腔体5和镀膜制程腔体6两两之间设置有可控门；
所述等离子放电腔体4内开设有抽气孔，所述抽气孔通过管道连接抽气泵8；
所述主电控单元2分别电气连接抽气泵8、可控门和运载车。
具体的，该基板可以为塑料、玻璃、金属，基板放置在进出片区3的运载车上，运载车带着基板在导轨上行驶，进出片区3和等离子放电腔体4的可控门打开，将基板送入到等离子放电腔体4内；而在对基板进行磁控溅射镀膜需要在高真空的环境中进行，但基板不能直接进出入高真空的镀膜制程腔体6，需要在等离子放电腔体4作为过渡腔，抽气泵8对等离子放电腔体4进行抽真空，待真空度达到与镀膜制程腔体6相当，将连接等离子放电腔体4和缓冲腔体5的可控门打开，最后进入镀膜制程腔体6进行制镀。制镀完成的基板，在等离子放电腔体4中，会先进行确认等离子放电腔体4只有已完成制镀的基板，再进行破真空，直到与大气压力状态一致，再将连接进出片区3与等离子放电腔体4的可控门打开，完成制品在机台镀膜作业程序。
本发明优选实施例的水平立式磁控溅射镀膜设备采用导轨输送，效率高，且腔体连续设置，采用可控门隔开，保证生产的连贯性和可控性，不易产生污染，且采用主电控单元2控制基板的加工进程，整个过程有序高产。此外本发明优选实施例的水平立式磁控溅射镀膜设备体积小，通过最少设置一个进出片区3、等离子放电腔体4、缓冲腔体5和镀膜制程腔体6就可以完成加工。
作为优选方案，所述镀膜制程腔体6远离缓冲腔体5的一侧设置有辅助缓冲腔体9。
具体的，所述辅助缓冲腔体9的结构与缓冲腔体5的结构一致，可以对基板进行周期性加工，通过运载车载基板的周期性进入到镀膜制程腔体6内，完成周期性加工。
作为优选方案，所述底架1底部设置有滑轮。
具体的，所述滑轮方便设备的移动和运输。
作为优选方案，所述等离子放电腔体4内设置有温度传感器和气压传感器，所述温度传感器和气压传感器分别电气连接所述主电控单元2。
作为优选方案，所述进出片区3、等离子放电腔体4、缓冲腔体5和镀膜制程腔体6内分别设置有多个用于检测基板是否到达相应位置的红外感应探头，所述红外感应探头电气连接所述主电控单元2。
具体的，当红外感应探头感应到基板时，将信号发送给主电控单元2，主电控单元2判断该基板具体处于什么腔体的什么位置，进而控制该腔体产生相应的操作。
作为优选方案，所述镀膜制程腔体6包括两个连续设置的溅镀腔体，所述溅镀腔体内设置有溅射靶。
具体的，不限定溅射基板的材料选择，该材料可以为金属、金属氧化物和半导体材料，每个腔体间有阻档板，能确保不交叉污染。
作为优选方案，所述溅射靶上设置有温度传感器和火花传感器，所述温度传感器和火花传感器分别电气连接所述主电控单元2。
作为优选方案，所述溅射靶上还设置有功率计数传感器，所述功率计数传感器电气连接所述主电控单元2。
作为优选方案，所述进去片区和等离子放电腔体4内的导轨为两个相互平行的移动导轨，所述移动导轨连接气缸，所述气缸电气连接所述主电控单元2。
具体的，所述移动导轨连接气缸，实现移动导轨的上下运动，制镀完成的基板，在镀膜制程腔体6中，会先进行确认等离子放电腔体4是否有另一基板要进行镀膜，此时等离子放电腔体4先进行抽气，直到真空度与镀膜制程腔体6相当，将连接腔体的阀门打开，先进行已镀膜完成的基板先进入等离子放电腔体4，再上下移动导轨，实现另一新的基板进入镀膜制程腔体6，完成错位进出；实现单侧进出基板，节约了腔体和占地面积，更节约了成本。
作为优选方案，所述主电控单元2电气连接有控制PC7。
具体的，所述可视不同参数要求，调整速度与周期趟数，所述控制PC7控制主电控单元2精准控制其制程参数。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种水平立式磁控溅射镀膜设备，其特征在于：包括底架、主电控单元和依次设置在底架上的进出片区、等离子放电腔体、缓冲腔体和镀膜制程腔体；
所述进出片区、等离子放电腔体和镀膜制程腔体内分别设置有导轨，所述导轨上设置有运载车；
所述进出片区、等离子放电腔体、缓冲腔体和镀膜制程腔体两两之间设置有可控门；
所述等离子放电腔体内开设有抽气孔，所述抽气孔通过管道连接抽气泵；
所述主电控单元分别电气连接抽气泵、可控门和运载车。
2.如权利要求1所述的水平立式磁控溅射镀膜设备，其特征在于:所述镀膜制程腔体远离缓冲腔体的一侧设置有辅助缓冲腔体。
3.如权利要求2所述的水平立式磁控溅射镀膜设备，其特征在于:所述底架底部设置有滑轮。
4.如权利要求1所述的水平立式磁控溅射镀膜设备，其特征在于:所述等离子放电腔体内设置有温度传感器和气压传感器，所述温度传感器和气压传感器分别电气连接所述主电控单元。
5.如权利要求1所述的水平立式磁控溅射镀膜设备，其特征在于:所述进出片区、等离子放电腔体、缓冲腔体和镀膜制程腔体内分别设置有多个用于检测基板是否到达相应位置的红外感应探头，所述红外感应探头电气连接所述主电控单元。
6.如权利要求1所述的水平立式磁控溅射镀膜设备，其特征在于:所述镀膜制程腔体包括两个连续设置的溅镀腔体，所述溅镀腔体内设置有溅射靶。
7.如权利要求6所述的水平立式磁控溅射镀膜设备，其特征在于:所述溅射靶上设置有温度传感器和火花传感器，所述温度传感器和火花传感器分别电气连接所述主电控单元。
8.如权利要求7所述的水平立式磁控溅射镀膜设备，其特征在于:所述溅射靶上还设置有功率计数传感器，所述功率计数传感器电气连接所述主电控单元。
9.如权利要求1所述的水平立式磁控溅射镀膜设备，其特征在于:所述进去片区和等离子放电腔体内的导轨为两个相互平行的移动导轨，所述移动导轨连接气缸，所述气缸电气连接所述主电控单元。
10.如权利要求1所述的水平立式磁控溅射镀膜设备，其特征在于:所述主电控单元电气连接有控制PC。
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