CN211972138U - 具有限高检测保护的玻璃镀膜设备 - Google Patents
具有限高检测保护的玻璃镀膜设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN211972138U CN211972138U CN202020271966.XU CN202020271966U CN211972138U CN 211972138 U CN211972138 U CN 211972138U CN 202020271966 U CN202020271966 U CN 202020271966U CN 211972138 U CN211972138 U CN 211972138U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- coating
- glass
- height
- detection protection
- limit detection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Controlling Sheets Or Webs (AREA)
Abstract
本实用新型公开一种具有限高检测保护的玻璃镀膜设备，其包括上料装置、传输装置、镀膜装置、下料装置、控制系统及报警器，所述上料装置设置于所述传输装置的一端，所述传输装置通过所述镀膜装置，所述下料装置设置于所述传输装置的另一端；所述上料装置上设有用于检测玻璃厚度的测高装置，所述测高装置与所述控制系统电连接，所述控制系统控制所述上料装置、传输装置、镀膜装置、下料装置及报警器。本实用新型具有限高检测保护的玻璃镀膜设备具有对进入镀膜室前的玻璃片进行全检厚度和弓形，防止厚度不合格的玻璃片进入镀膜室，避免更大的设备故障，且提高镀膜线的生产时间的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种玻璃镀膜设备，尤其涉及一种具有限高检测保护的玻璃镀膜设备。
背景技术
在玻璃镀膜生产线中，常使用磁控溅射技术，磁控溅射的工作原理是指电子在电场的作用下，在飞向基片过程中与惰性气体的原子发生碰撞，使其电离产生出正离子和新的电子；新电子飞向基片，正离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射，在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。
传统的磁控溅射镀膜线虽然有玻璃的超宽、超长检测保护装置，但没有玻璃厚度及弓形检测保护装置，当超厚或弓形超标玻璃进入真空溅射室溅射后，就会导致真空室内半成品不能及时出来，造成半成品全报废，需要较长的维修时间，降低了镀膜线的有效生产时间。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能对进入镀膜室前的玻璃片进行全检厚度和弓形，防止厚度不合格的玻璃片进入镀膜室，避免更大的设备故障，且提高镀膜线的生产时间的具有限高检测保护的玻璃镀膜设备。
为了实现上述目的，本实用新型提供的具有限高检测保护的玻璃镀膜设备包括上料装置、传输装置、镀膜装置、下料装置、控制系统及报警器，所述上料装置设置于所述传输装置的一端，所述传输装置通过所述镀膜装置，所述下料装置设置于所述传输装置的另一端；所述上料装置上设有用于检测玻璃厚度的测高装置，所述测高装置与所述控制系统电连接，所述控制系统控制所述上料装置、传输装置、镀膜装置、下料装置及报警器。
与现有技术相比，由于本实用新型通过在镀膜设备的上料装置上设置测高装置，利用所述测高装置对进入镀膜装置前的玻璃的厚度及弓形进行检测，从而可以防止厚度不合格的玻璃片进入镀膜装置，进而避免更大的设备故障，减少设备的维修时间，增加镀膜线的生产时间，提高生产效率。
较佳地，所述上料装置上设有支架，所述测高装置固定于所述支架上。设置于所述支架可以使所述测高装置与所述上料装置之间的安装距离固定，从而保证测高装置的位置稳定准确，进而保证测高的准确性。
较佳地，所述镀膜装置包括对玻璃进行镀膜的镀膜室。
具体地，所述镀膜室的数量为多个且沿所述传输装置的传输方向排列设置。
具体地，所述镀膜室的前、后侧均设有缓冲室。
具体地，所述镀膜室的前、后侧均设有缓冲过渡室。
较佳地，所述具有限高检测保护的玻璃镀膜设备还包括设置于所述上料装置及所述下料装置之间的回传装置。
附图说明
图1是本实用新型具有限高检测保护的玻璃镀膜设备的结构图。
图2是本实用新型具有限高检测保护的玻璃镀膜设备的俯视图。
图3是本实用新型具有限高检测保护的玻璃镀膜设备的模块图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现的效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
如图1至图3所示，本实用新型具有限高检测保护的玻璃镀膜设备100包括上料装置1、传输装置2、镀膜装置3、下料装置4、控制系统5及报警器6，所述上料装置1设置于所述传输装置2的一端，所述传输装置2通过所述镀膜装置3，所述下料装置4设置于所述传输装置2的另一端；所述上料装置1上设有用于检测玻璃厚度的测高装置7，所述测高装置7与所述控制系统5电连接，所述控制系统5控制所述上料装置1、传输装置2、镀膜装置3、下料装置4及报警器6。
再请参阅图1，所述上料装置1上设有支架8，所述测高装置7固定于所述支架8上。设置于所述支架8可以使所述测高装置7与所述上料装置1之间的安装距离固定，从而保证测高装置7的位置稳定准确，进而保证测高的准确性。
再请参阅图2，所述镀膜装置3包括多个对玻璃进行镀膜的镀膜室31，所述镀膜室31沿所述传输装置2的传输方向依次排列设置。位于最前端的所述镀膜室31的前侧设有缓冲室32。位于最后端的所述镀膜室31的后侧也设有缓冲室32。位于前端的所述缓冲室32之前设有缓冲过渡室33。位于后端的所述缓冲室32之后也设有缓冲过渡室33。具体地，沿所述传输装置2方向依次为上料装置1、缓冲过渡室33、缓冲室32、镀膜室31、缓冲室32、缓冲过渡室33及下料装置4。所述具有限高检测保护的玻璃镀膜设备100还包括回传装置9，所述回传装置9设置于所述上料装置1及所述下料装置4之间，以实现玻璃的循环镀膜。
工作时，所述上料装置1上料玻璃基片200，玻璃基片200通过所述测高装置7后，所述测高装置7检测玻璃基片200的高度即厚度，例如限高设置在24mm，在连续生产中，对进入上料装置1上的每一片玻璃基片200进行检测，当测得玻璃基片200的厚度或弓形高度高于限高设定值时，控制系统5即控制上料装置1停止运转，同时控制所述报警器6报警。这时，上片主操就能及时将不合格的玻璃基片200清理出来，防止玻璃基片200进入镀膜装置3内。
与现有技术相比，由于本实用新型通过在镀膜设备的上料装置1上设置测高装置7，利用所述测高装置7对进入镀膜装置3前的玻璃的厚度及弓形进行检测，从而可以防止厚度不合格的玻璃片进入镀膜装置3，进而避免更大的设备故障，减少设备的维修时间，增加镀膜线的生产时间，提高生产效率。
本实用新型所涉及到的镀膜装置3的结构以及镀膜的原理均为本领域技术人员所熟知，在此不再详细描述。
以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属于本实用新型所涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种具有限高检测保护的玻璃镀膜设备，其特征在于：包括上料装置、传输装置、镀膜装置、下料装置、控制系统及报警器，所述上料装置设置于所述传输装置的一端，所述传输装置通过所述镀膜装置，所述下料装置设置于所述传输装置的另一端；所述上料装置上设有用于检测玻璃厚度的测高装置，所述测高装置与所述控制系统电连接，所述控制系统控制所述上料装置、传输装置、镀膜装置、下料装置及报警器。
2.如权利要求1所述的具有限高检测保护的玻璃镀膜设备，其特征在于：所述上料装置上设有支架，所述测高装置固定于所述支架上。
3.如权利要求1所述的具有限高检测保护的玻璃镀膜设备，其特征在于：所述镀膜装置包括对玻璃进行镀膜的镀膜室。
4.如权利要求3所述的具有限高检测保护的玻璃镀膜设备，其特征在于：所述镀膜室的数量为多个且沿所述传输装置的传输方向排列设置。
5.如权利要求3所述的具有限高检测保护的玻璃镀膜设备，其特征在于：所述镀膜室的前、后侧均设有缓冲室。
6.如权利要求3所述的具有限高检测保护的玻璃镀膜设备，其特征在于：所述镀膜室的前、后侧均设有缓冲过渡室。
7.如权利要求1所述的具有限高检测保护的玻璃镀膜设备，其特征在于：所述具有限高检测保护的玻璃镀膜设备还包括设置于所述上料装置及所述下料装置之间的回传装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020271966.XU CN211972138U (zh) | 2020-03-06 | 2020-03-06 | 具有限高检测保护的玻璃镀膜设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020271966.XU CN211972138U (zh) | 2020-03-06 | 2020-03-06 | 具有限高检测保护的玻璃镀膜设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN211972138U true CN211972138U (zh) | 2020-11-20 |
Family
ID=73377904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202020271966.XU Active CN211972138U (zh) | 2020-03-06 | 2020-03-06 | 具有限高检测保护的玻璃镀膜设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN211972138U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111187007A (zh) * | 2020-03-06 | 2020-05-22 | 东莞南玻工程玻璃有限公司 | 具有限高检测保护的玻璃镀膜设备 |
-
2020
- 2020-03-06 CN CN202020271966.XU patent/CN211972138U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111187007A (zh) * | 2020-03-06 | 2020-05-22 | 东莞南玻工程玻璃有限公司 | 具有限高检测保护的玻璃镀膜设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hecimovic et al. | Spatial and temporal evolution of ion energies in high power impulse magnetron sputtering plasma discharge | |
| CN211972138U (zh) | 具有限高检测保护的玻璃镀膜设备 | |
| Poolcharuansin et al. | Plasma parameters in a pre-ionized HiPIMS discharge operating at low pressure | |
| CN103247504A (zh) | 一种双频离子源 | |
| US8899565B2 (en) | Sputtering device with gas injection assembly | |
| CN111187007A (zh) | 具有限高检测保护的玻璃镀膜设备 | |
| KR101342400B1 (ko) | 이온원 전극의 클리닝 장치 | |
| Welzel et al. | Negative ions in reactive magnetron sputtering: Detecting the cause of damages in sensitive TCO films with energy resolved mass spectrometry | |
| Ishijima et al. | Spatial variation of negative oxygen ion energy distribution in RF magnetron plasma with oxide target | |
| CN211972137U (zh) | 具有破损检测保护的玻璃镀膜设备 | |
| Karstensen et al. | Absolute cross sections for single and double ionisation of Mg atoms by electron impact | |
| EP2800960B1 (en) | Ionization gauge for high pressure operation | |
| Welzel et al. | Ion energy distributions in magnetron sputtering of zinc aluminium oxide | |
| CN111217534A (zh) | 具有破损检测保护的玻璃镀膜设备 | |
| US3530057A (en) | Sputtering | |
| CN108456867A (zh) | 配置辅助阳极的低温沉积设备 | |
| Crockett | A glow discharge ion gun for etching | |
| CN208717429U (zh) | 配置辅助阳极的低温沉积设备 | |
| CN113957399A (zh) | 一种磁控溅射镀膜系统机控制方法 | |
| Walton et al. | Negative ion emission from a stainless steel surface due to positive ion collisions | |
| CN111607770A (zh) | 兼容反射式高能电子衍射测量的磁控溅射设备 | |
| WO2018196071A1 (zh) | 一种物理溅射成膜装置及方法 | |
| CN210140622U (zh) | 辅助阳极装置及具有其的真空磁控溅射设备 | |
| KR100672629B1 (ko) | 스퍼터링 장치 | |
| JPH11229138A (ja) | スパッタ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |