CN103820762A - 磁控溅射镀膜系统 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种磁控溅射镀膜系统，包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室，第一直流溅射室与第一过渡室连接，第四直流溅射室与第二过渡室连接，第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶，第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶，第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶，第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶。使用该磁控溅射镀膜系统进行镀膜，能够有效降低破片率并有利于镀制方阻较低的薄膜，满足on-cell镀膜工艺要求，提高生产良率。

Description

磁控溅射镀膜系统

技术领域

本发明涉及磁控溅射镀膜技术领域，特别是涉及一种磁控溅射镀膜系统。

背景技术

磁控溅射镀膜是目前常采用的一种镀膜方法。磁控溅射需要在一定的高温和一定的真空度下进行，使得使用目前的磁控溅射镀膜系统进行磁控溅射镀膜存在破片率高的问题；并且，所制备得到的膜层的方阻较大，难以满足On-cell触摸屏的使用需求。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够提高生产良率、制备方阻较低的薄膜的磁控溅射镀膜系统。

一种磁控溅射镀膜系统，包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，所述溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室，所述第一直流溅射室与所述第一过渡室连接，所述第四直流溅射室与所述第二过渡室连接，所述第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶，所述第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶，所述第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶，所述第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶。

在其中一个实施例中，还包括十个加热装置，所述十个加热装置分别设置于进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二缓冲室、第二过渡室和出片室内部。

在其中一个实施例中，每个所述加热装置包括三段式加热器及热反射板，所述三段式加热器包括第一加热段、第二加热段和第三加热段，所述第一加热段、第二加热段和第三加热段均设置于所述热反射板上，且所述热反射板竖直设置，所述第一加热段、第二加热段和第三加热段依次自上而下排列。

在其中一个实施例中，还包括设置于所述第二直流溅射室和第三直流溅射室之间的隔离室。

在其中一个实施例中，所述第一直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第一通孔，并设置有密封所述两个第一通孔的两个第一室门，所述两个第一阴极靶分别设置于所述两个第一室门的内壁上；所述第二直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第二通孔，并设置有密封所述两个第二通孔的两个第二室门，所述两个第二阴极靶分别设置于所述两个第二室门的内壁上；所述第三直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第三通孔，并设置有密封所述两个第三通孔的两个第三室门，所述两个第三阴极靶分别设置于所述两个第三室门的内壁上；所述第四直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第四通孔，并设置有密封所述两个第四通孔的两个第四室门，所述两个第四阴极靶分别设置于所述两个第四室门的内壁上。

在其中一个实施例中，还包括导向装置，所述导向装置包括导向件、第一磁铁、第二磁铁和摩擦导轮组，所述导向件上开设有条形槽，所述第一磁铁和第二磁铁分别设置于所述条形槽的相对的两个槽壁上，所述导向件、第一磁铁和第二磁铁贯穿所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，所述摩擦导轮组包括多个摩擦导轮，所述多个摩擦导轮与所述导向件相对、间隔设置。

在其中一个实施例中，所述导向装置还包括多个同步轮，每个所述同步轮与每个所述摩擦导轮连接并带动所述摩擦导轮转动。

在其中一个实施例中，还包括抽真空装置、第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道，所述抽真空装置包括机械泵、罗茨泵和分子泵，所述第一抽气管道连通所述机械泵、进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室；所述第二抽气管道连通所述罗茨泵、进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室；所述第三抽气管道连通所述分子泵、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室。

在其中一个实施例中，所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室及所述第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道的材质均为不锈钢，所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室及所述第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道的内表面均经过抛光处理，外表面均经过喷丸处理，且所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室及所述第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道内部均采用连续氩弧无缝焊接。

在其中一个实施例中，所述出片室中设置有延时慢放气装置。

上述磁控溅射镀膜系统，基片经过进片室、第一缓冲室和第一过渡室的温度和真空度的多级缓冲和过渡后，再进入温度和真空度与常温和常压下差别较大的溅射镀膜室中进行直流溅射；镀好膜的基片依次经过第二过渡室、第二缓冲室和出片室的多级温度和真空度的缓冲和过渡后，再进入常温和常压的环境，能够有效避免基片经历温度和气压骤变而导致破片的问题，降低破片率、提高生产良率。

并且，采用两个第一阴极靶、两个第二阴极靶、两个第三阴极靶和两个第四阴极靶依次进行直流溅射，有利于镀制方阻较低的薄膜，满足on-cell镀膜工艺要求，进一步提高生产良率。

附图说明

图1为一实施方式的磁控溅射镀膜系统的立体示意图；

图2为图1所示的磁控溅射镀膜系统的结构示意图；

图3为图1所示的磁控溅射镀膜系统的加热装置的结构示意图；

图4为图3所示的加热装置的第一加热段的立体结构示意图；

图5为图1所示的磁控溅射镀膜系统的固定柱的结构示意图；

图6为图1所示的磁控溅射镀膜系统的第四直流溅射腔室内部的结构示意图；

图7为图1所示的磁控溅射镀膜系统的导向件、第一磁铁和第二磁铁的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

请参阅图1，一实施方式的磁控溅射镀膜系统200，包括成直线式排列的进片室10、第一缓冲室20、第一过渡室30、溅射镀膜室40、第二过渡室50、第二缓冲室60和出片室70。

进片室10和第一缓冲室20之间设置有第一门阀（图未示）。通过第一门阀控制进片室10和第一缓冲室20连通或不连通。

第一缓冲室20和第一过渡室30之间设置有第二门阀（图未示）。通过第二门阀控制第一缓冲室20和第一过渡室30连通或不连通。

溅射镀膜室40包括依次连接的第一直流溅射室401、第二直流溅射室402、第三直流溅射室403和第四直流溅射室404。第一直流溅射室401、第二直流溅射室402、第三直流溅射室403和第四直流溅射室404成直线式排列。

第一直流溅射室401中设置有两个第一阴极靶（图未示），第二直流溅射室402中设置有两个第二阴极靶（图未示），第三直流溅射室403中设置有两个第三阴极靶（图未示），第四直流溅射室404中设置有两个第四阴极靶（图未示）。两个第一阴极靶、两个第二阴极靶、两个第三阴极靶和两个第四阴极靶成直线式排列。

第一直流溅射室401与第一过渡室30连接。第一过渡室30和第一直流溅射室401之间设置有第三门阀（图未示）。通过第三门阀控制第一过渡室30和第一直流溅射室401连通或不连通。

第一直流溅射室401和第二直流溅射室402之间设置有第四门阀（图未示）。通过第四门阀控制第一直流溅射室401和第二直流溅射室402连通或不连通。

第二直流溅射室402和第三直流溅射室403之间设置有第五门阀（图未示）。通过第五门阀控制第二直流溅射室402和第三直流溅射室403连通或不连通。

第三直流溅射室403和第四直流溅射室404之间设置有第六门阀（图未示）。通过第六门阀控制第三直流溅射室403和第四直流溅射室404连通或不连通。

第四直流溅射室404与第二过渡室50连接。第四直流溅射室404与第二过渡室50之间设置有第七门阀（图未示）。通过第七门阀控制第四直流溅射室404和第二过渡室50连通或不连通。

第二过渡室50和第二缓冲室60之间设置有第八门阀（图未示）。通过第八门阀控制第二过渡室50和第二缓冲室60连通或不连通。

第二缓冲室60和出片室70之间设置有第九门阀（图未示）。通过第九门阀控制第二缓冲室60和出片室70连通或不连通。

使用上述磁控溅射镀膜系统200进行镀膜时，基片（图未示）进入进片室10中，并依次经过第一缓冲室20和第一过渡室30进入溅射镀膜室40中，基片在溅射镀膜室40中运行，依次用两个第一阴极靶、两个第二阴极靶、两个第三阴极靶和两个第四阴极靶在基片上进行直流溅射镀膜，镀好膜的基片从第四直流溅射室404出来并依次经过第二过渡室50、第二缓冲室60后进入出片室70，最后再从出片室70中出来。

在溅射镀膜室40的前方设置进片室10、第一缓冲室20和第二过渡室30，使得基片经过温度和真空度的多级缓冲和过渡后，再进入温度和真空度与常温和常压下差别较大的溅射镀膜室40中进行直流溅射。在溅射镀膜室40的后方设置第二过渡室50、第二缓冲室60和出片室70，使得镀好膜的基片依次经过多级温度和真空度的缓冲和过渡后，再进入常温和常压的环境，能够有效避免基片经历温度和气压骤变而导致破片的问题，提高生产良率。

并且，采用两个第一阴极靶、两个第二阴极靶、两个第三阴极靶和两个第四阴极靶依次进行直流溅射，有利于镀制方阻较低的的薄膜，满足on-cell镀膜工艺要求，进一步提高制备良率。

优选地，出片室70中设置有延时慢放气装置（图未示）。使得出片室70能够缓慢地放气，使出片室70的压力缓慢地过渡到大气压，防止了基片在受内外压力差的影响而破片。

具体地，延时慢放气装置包括电磁阀和与电磁阀连接的延时开关，通过延时开关使电磁阀缓慢开启，实现缓慢放气。

优选地，磁控溅射镀膜系统200还包括设置于第二直流溅射室402和第三直流溅射室403之间的隔离室80。第二直流溅射室402和隔离室80之间设置有第十门阀（图未示）。通过第十门阀控制第二直流溅射室402和隔离室80连通或不连通。第三直流溅射室403和隔离室80之间设置有第十一门阀（图未示）。通过第十一门阀控制第三直流溅射室403和隔离室80连通或不连通。

通过设置隔离室80，当第二直流溅射室402和第三直流溅射室403的溅射工艺不同时，例如，真空度不同时，可以在隔离室80中进行短暂地过渡，避免不同工艺之间的骤然替换对膜层和基片产生不良影响，提高产品良率。

并且，隔离室80可以作为等候工位。在进行连续性生产时，当后一个基片在第二直流溅射室402中溅射完成后，前一个基片在第三直流溅射腔室403尚未完成，则后一个基片在隔离室80进行等候，提高连续生产的有序性。

请同时参阅图2，优选地，第一直流溅射室401位于基片输送方向（如图2的箭头所指方向）的右侧的室壁上开设了两个第一通孔（图未示），并设置有两个第一室门4012，两个第一室门4012可拆卸设置，并分别密封两个第一通孔。两个第一阴极靶分别设置于两个第一室门4012的内壁上。

第二直流溅射室402位于基片输送方向的右侧的室壁上开设了两个第二通孔（图未示），并设置有两个第二室门4022，两个第二室门4022可拆卸设置，并分别密封两个第二通孔。两个第二阴极靶分别设置于两个第二室门4022的内壁上。

第三直流溅射室403位于基片输送方向的右侧的室壁上开设了两个第三通孔（图未示），并设置有两个第三室门4032，两个第三室门4032可拆卸设置，并分别密封两个第三通孔。两个第三阴极靶分别设置于两个第三室门4032的内壁上。

第四直流溅射室404位于基片输送方向的右侧的室壁上开设了两个第四通孔（图未示），并设置有两个第四室门4042，两个第四室门4042可拆卸设置，并分别密封两个第四通孔。两个第四阴极靶分别设置于两个第四室门4042的内壁上。

通过开设第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔，并设置第一室门4012、第二室门4022、第三室门4032和第四室门4042，方便第一阴极靶、第二阴极靶、第三阴极靶和第四阴极靶的安装和更换，操作方便。

上述基片输送方向是指镀膜时，基片在磁控溅射镀膜系统200内部的输送方向。可以理解，在其他实施方式中，第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔及相应的第一室门4012、第二室门4022、第三室门4032和第四室门4042也可以开设和设置于位于基片输送方向的左侧的室壁上。

请同时参阅图3，优选地，磁控溅射镀膜系统200还包括十个加热装置90。十个加热装置90分别设置于进片室10、第一缓冲室20、第一过渡室30、第一直流溅射室401、第二直流溅射室402、第三直流溅射室403、第四直流溅射室404、第二缓冲室50、第二过渡室60和出片室70内部，用于对各个室进行加热，能够独立地控制各个室的温度，保证工艺的稳定性。

更优选地，隔离室80中也设置有一个加热装置90。

每个加热装置90包括三段式加热器和热反射板94。三段式加热器包括第一加热段922、第二加热段924和第三加热段926。

第一加热段922包括多个平行设置的第一加热管9222。优选地，多个第一加热管9222等间距设置，以确保受热均匀。

优选地，多个第一加热管9222由一根较长的加热管弯折而成，使得多个第一加热管9222相连、平行地设置，且多个第一加热管9222具有一个第一引入端（图未标）和一个第一引出端（图未标），分别用导线与第一引入端和第一引出端连接，对第一加热段922进行电加热。

第二加热段924包括多个平行设置的第二加热管9242。优选地，多个第二加热管9242等间距设置，以确保受热均匀。

优选地，多个第二加热管9242由一根较长的加热管弯折而成，使得多个第二加热管9242相连、平行地设置，且多个第二加热管9242具有一个第二引入端（图未标）和一个第二引出端（图未标），分别用导线与第二引入端和第二引出端连接，对第二加热段924进行电加热。

第三加热段926包括多个平行设置的第三加热管9262。优选地，多个第三加热管9262等间距设置，以确保受热均匀。

优选地，多个第三加热管9262由一根较长的加热管弯折而成，使得多个第三加热管9262相连、平行地设置，且多个第三加热管9262具有一个第三引入端（图未标）和一个第三引出端（图未标），分别用导线与第三引入端和第三引出端连接，对第三加热段926进行电加热。

三段式加热器与热反射板94连接。优选地，热反射板94为不锈钢板。本实施方式中，三段式加热器通过紧固件与热反射板94连接。在其他实施方式中，也可以通过焊接的方式连接。

优选地，本实施方式中，热反射板94包括第一热反射片942、第二热反射片944和第三热反射片946。第一加热段922设置于第一热反射片942上，第二加热段924设置于第二热反射片944上，第三加热段926设置于第三热反射片946上。

具体地，第一热反射片942、第二热反射片944和第三热反射片945上均开设有安装孔，用紧固件如螺栓100连接三段式加热器和热反射板94并锁紧而使三段式加热器设置于热反射板94上。

请同时参阅图4，用螺栓100的螺柱穿过相邻的两个第一加热管9222和第一热反射片942，并使螺帽均与相邻的两个第一加热管9222的抵接，锁紧螺栓穿过第一热反射片942的一端，从而将第一加热段922设置在第一热反射片942上。可以理解，可以根据第一加热管9222的长度和数量合理设置螺栓100的数量。第二加热段924的第二加热管9242与第二热反射片944的安装方式及第三加热段926的第三加热管9262与第三热反射片946的安装方式与上述安装方式相同。

热反射板94包括第一热反射片942、第二热反射片944和第三热反射片946，并按上述方式进行安装形成三段式的加热装置90，便于分段维修，当某一加热段发生故障或损坏时，针对性维修或替换即可，而无需整体替换。

可以理解，在其他实施方式中，热反射板94也可以为一体式结构。

本实施方式中，第一热反射片942、第二热反射片944和第三热反射片946均为长方形板。加热装置90设置于各个室中，热反射板94竖直设置，第一加热段922和第二加热段924和第三加热段926依次自上而下排列。当基片运行进入各个室中时，三段式加热器远离基片，热反射板94靠近基片。热反射板94隔开了三段式加热器和基板，并通过热反射板94的反射隔热，使得腔体受热较为均匀，温度分布较为均匀和稳定。

使用上述加热装置90，有利于避免因各个室内温度分布不均匀而产生的破片现象，减小破片率，提高生产良率。

进片室10、第一缓冲室20、第一过渡室30、第一直流溅射室401、第二直流溅射室402、第三直流溅射室403、隔离室80、第四直流溅射室404、第二过渡室50和进片室70中分别设置有如图5所示的固定柱180。通过将热反射板94与固定柱180可拆卸固定连接而将十个加热装置90分别设置于十个室中。

请参阅图6，磁控溅射镀膜系统200中设置有导向装置110。请一并参阅图7，导向装置110包括导向件111、第一磁铁112、第二磁铁113和摩擦导轮组。

导向件111为条形。导向件111上开设有条形槽1112。条形槽1112为沿导向件111的长度方向延伸的凹槽。第一磁铁112和第二磁铁113均为条形磁铁，且第一磁铁112和第二磁铁113分别设置于条形槽1112的相对的两个槽壁上。第一磁铁112和第二磁铁113相对。其中，第一磁铁112的S极与第二磁铁113的N极相对。

摩擦导轮组包括多个摩擦导轮114。

导向件111、第一磁铁112和第二磁铁113贯通进片室10、第一缓冲室20、第一过渡室30、第一直流溅射室401、第二直流溅射室402、隔离室80、第三直流溅射室403、第四直流溅射室404、第二过渡室50、第二缓冲室60和出片室70的顶部，装载有基片的基片架沿着导向装置110运行。

多个摩擦导轮114与导向件111相对、间隔设置，且多个摩擦导轮114正对条形槽1112的开口端。

可以理解，每个室的摩擦导轮114的数量可以根据每个室的长度及基片架的长度合理设置。

基片架（图未标）的一端设置有磁铁，装载有基片的基片架在磁控溅射镀膜系统200中运行时，设置有磁铁的一端伸入条形槽1112中，与条形槽1112的槽底不接触，并平行于条形槽1112的槽壁。而且，基片架端部的磁铁的S极与第一磁铁112的S极相对，基片架端部的磁铁的N极与第二磁铁113的N极相对。基片架的与磁铁相对的另一端设置于摩擦导轮114上，在摩擦导轮114的带动下运行。由于同性相斥，使得基片架能够保持直线运行。

通过摩擦导轮114进行传动，并采用导向件111进行导向，通过第一磁铁112和第二磁铁113保持位置，有利于减小传动震动，稳定性高，有利于防止了因晃动而导致破片，减小破片几率，有效地保护了基片，提高生产良率。

优选地，导向装置110还包括多个同步轮115，每个同步轮115与每个摩擦导轮114连接。同步轮115与电机连接，在电机的驱动下同步轮115转动并带动摩擦导轮114转动，摩擦导轮114的转动驱动装载有基片的基片架的沿导向件111移动。

通过设置多个同步轮115，进一步减小传动震动和减缓晃动，从而减小破片几率，进一步提高生产良率。

请再次参阅图1，磁控溅射镀膜系统200还包括抽真空装置、第一抽气管道122、第二抽气管道124和第三抽气管道126。

抽真空装置包括机械泵132、罗茨泵134和分子泵136。第一抽气管道122连通机械泵132、进片室10、第一缓冲室20、第一过渡室30、第一直流溅射室401、第二直流溅射室402、隔离室80、第三直流溅射室403、第四直流溅射室404、第二过渡室50、第二缓冲室60和出片室70。第二抽气管道124连通罗茨泵134、进片室10、第一缓冲室20、第一过渡室30、第一直流溅射室401、第二直流溅射室402、隔离室80、第三直流溅射室403、第四直流溅射室404、第二过渡室50、第二缓冲室60和出片室70。第三抽气管道126连通分子泵136、第一直流溅射室401、第二直流溅射室402、隔离室80、第三直流溅射室403和第四直流溅射室404。

通过设置机械泵132、罗茨泵134和分子泵136，能够快速进行抽真空，提高生产效率。尤其是分子泵136具有抽速块的优点，抽速达2200L/s。同时，还具有无油的优点，保证了腔体的真空度和洁净度。

优选地，磁控溅射镀膜系统200还包括五个PEG100电离规（图未示）和四个CDG045薄膜计（图未示）。五个PEG100分别设置于第一缓冲室20、第一过渡室30、隔离室80、第二过渡室50和第二缓冲室160中，四个CDG045薄膜计分别设置于第一直流溅射室401、第二直流溅射室402、第三直流溅射室403和第四直流溅射室404中。

设置五个PEG100电离规和四个CDG045薄膜计以保证真空度的稳定性。

进片室10、第一缓冲室20、第一过渡室30、第一直流溅射室401、第二直流溅射室402、第三直流溅射室403、隔离室80、第四直流溅射室404、第二过渡室50、第二缓冲室60和出片室70及第一抽气管道122、第二抽气管道124和第三抽气管126道的材质均为不锈钢，优选为SUS304不锈钢。

并且，进片室10、第一缓冲室20、第一过渡室30、第一直流溅射室401、第二直流溅射室402、隔离室80、第三直流溅射室403、第四直流溅射室404、第二过渡室50、第二缓冲室60和出片室70及第一抽气管道122、第二抽气管道124和第三抽气管道126的内表面均经过抛光处理，外表面均经过喷丸处理。同时，进片室10、第一缓冲室20、第一过渡室30、第一直流溅射室401、第二直流溅射室402、第三直流溅射室403、第四直流溅射室404、第二过渡室50、第二缓冲室60和出片室70及第一抽气管道122、第二抽气管道124和第三抽气管道126内部均采用连续氩弧无缝焊接，保证气密性，从而能保证工艺要求的真空度，提高膜层质量。

进片室10、第一缓冲室20、第一过渡室30、第一直流溅射室401、第二直流溅射腔室402、隔离室80、第三直流溅射腔室403、第四直流溅射腔室404、第二过渡室50、第二缓冲室60和出片室70及第一抽气管道122、第二抽气管道124和第三抽气管道126的外部断续电弧焊接，保证强度。焊接后还进行退火处理，消除焊接应力，防止变形，使得磁控溅射镀膜系统200的可靠性较好，使用寿命较长。

请再次参阅图1，进一步优选地，磁控溅射镀膜系统200还包括上片平移架140、上片过渡架150、卸片过渡架160和卸片平移架170。上片过渡架150设置于进片室10之前，上片平移架140设置于上片过渡架150之前。卸片过渡架160设置于出片室70之后，卸片平移架170设置于卸片过渡架160之后。

基片架装载好基片后，通过上片平移架140传送至上片过渡架150上，然后从上片过渡架150进入进片室10。装载有基片的基片架从出片室70出来后，送入卸片过渡架160，在卸片过渡架160上卸片后，基片架送入卸片平移架170上等候，然后送入上片平移架150上，装片，开始新的镀膜工序。

设置上片平移架140、上片过渡架150、卸片过渡架160和卸片平移架170，形成足够的等候工位，保证连续生产的连续性、有序性和稳定性。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种磁控溅射镀膜系统，其特征在于，包括成直线式排列的进片室、第一缓冲室、第一过渡室、溅射镀膜室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，所述溅射镀膜腔室包括依次连接的第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室，所述第一直流溅射室与所述第一过渡室连接，所述第四直流溅射室与所述第二过渡室连接，所述第一直流溅射室中设置有两个第一阴极靶，所述第二直流溅射室中设置有两个第二阴极靶，所述第三直流溅射室中设置有两个第三阴极靶，所述第四直流溅射室中设置有两个第四阴极靶。

2.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，还包括十个加热装置，所述十个加热装置分别设置于进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二缓冲室、第二过渡室和出片室内部。

3.根据权利要求2所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，每个所述加热装置包括三段式加热器及热反射板，所述三段式加热器包括第一加热段、第二加热段和第三加热段，所述第一加热段、第二加热段和第三加热段均设置于所述热反射板上，且所述热反射板竖直设置，所述第一加热段、第二加热段和第三加热段依次自上而下排列。

4.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，还包括设置于所述第二直流溅射室和第三直流溅射室之间的隔离室。

5.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，所述第一直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第一通孔，并设置有密封所述两个第一通孔的两个第一室门，所述两个第一阴极靶分别设置于所述两个第一室门的内壁上；所述第二直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第二通孔，并设置有密封所述两个第二通孔的两个第二室门，所述两个第二阴极靶分别设置于所述两个第二室门的内壁上；所述第三直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第三通孔，并设置有密封所述两个第三通孔的两个第三室门，所述两个第三阴极靶分别设置于所述两个第三室门的内壁上；所述第四直流溅射室位于基片输送方向的左侧或右侧的室壁上开设有两个第四通孔，并设置有密封所述两个第四通孔的两个第四室门，所述两个第四阴极靶分别设置于所述两个第四室门的内壁上。

6.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，还包括导向装置，所述导向装置包括导向件、第一磁铁、第二磁铁和摩擦导轮组，所述导向件上开设有条形槽，所述第一磁铁和第二磁铁分别设置于所述条形槽的相对的两个槽壁上，所述导向件、第一磁铁和第二磁铁贯穿所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室，所述摩擦导轮组包括多个摩擦导轮，所述多个摩擦导轮与所述导向件相对、间隔设置，且所述摩擦导轮正对所述条形槽的开口端。

7.根据权利要求6所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，所述导向装置还包括多个同步轮，每个所述同步轮与每个所述摩擦导轮连接并带动所述摩擦导轮转动。

8.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，还包括抽真空装置、第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道，所述抽真空装置包括机械泵、罗茨泵和分子泵，所述第一抽气管道连通所述机械泵、进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室；所述第二抽气管道连通所述罗茨泵、进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室；所述第三抽气管道连通所述分子泵、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室和第四直流溅射室。

9.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室及所述第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道的材质均为不锈钢，所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室及所述第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道的内表面均经过抛光处理，外表面均经过喷丸处理，且所述进片室、第一缓冲室、第一过渡室、第一直流溅射室、第二直流溅射室、第三直流溅射室、第四直流溅射室、第二过渡室、第二缓冲室和出片室及所述第一抽气管道、第二抽气管道和第三抽气管道内部均采用连续氩弧无缝焊接。

10.根据权利要求1所述的磁控溅射镀膜系统，其特征在于，所述出片室中设置有延时慢放气装置。

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