CN109957777A - Tft-lcd减薄镀膜生产线 - Google Patents
Tft-lcd减薄镀膜生产线 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109957777A CN109957777A CN201711336540.7A CN201711336540A CN109957777A CN 109957777 A CN109957777 A CN 109957777A CN 201711336540 A CN201711336540 A CN 201711336540A CN 109957777 A CN109957777 A CN 109957777A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chamber
- production line
- tft
- thinned
- coating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开一种TFT‑LCD减薄镀膜生产线,依次包括进口室、进口缓冲室、进口传送室、工艺室、出口传送室、出口缓冲室和出口室,所述工艺室包括多个磁控溅射腔,所述磁控溅射腔设有旋转阴极,多个所述磁控溅射腔的旋转阴极不全位于同一侧;所述生产线还包括传送系统,所述传送系统包括磁导向摩擦传动装置。本发明的TFT‑LCD减薄镀膜生产线,可以适用于各种面积的基片溅射,镀膜效果好。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃镀膜结构技术领域,尤其涉及一种大面积的TFT-LCD减薄镀膜生产线。
背景技术
TFT-LCD是采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制造技术,是液晶(LC)、无机和有机薄膜电致发光(EL和OEL)平板显示器的基础。TFT是在玻璃或塑料基板等非单晶片上(当然也可以在晶片上)通过溅射、化学沉积工艺形成制造电路必需的各种膜,通过对膜的加工制作大规模半导体集成电路(LSIC)。采用非单晶基板可以大幅度地降低成本,是传统大规模集成电路向大面积、多功能、低成本方向的延伸。在大面积玻璃或塑料基板上制造控制像元(LC或OLED)开关性能的TFT比在硅片上制造大规模IC的技术难度更大。对生产环境的要求(净化度为100级),对原材料纯度的要求(电子特气的纯度为99.999985%),对生产设备和生产技术的要求都超过半导体大规模集成,是现代大生产的顶尖技术。
TFT-LCD面板由上下两个基板构成,上基板为CF基板,设置有CF(Color Filter,彩色滤光片),用于产生颜色,下基板为TFT基板,设置有TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)矩阵,用来控制像素矩阵的灰阶显示,两个基板之间为液晶盒。给像素施加不同的驱动电压,液晶分子就会随着电压的大小发生不同角度的偏转,调整背光源入射光线的穿透率,产生不同的灰阶显示。CF侧通常设置有红、绿、蓝三原色构成的彩色滤光片矩阵,与TFT侧的薄膜晶体管矩阵一一对应,通过不同灰阶的红绿蓝进行混色产生不同的色彩和明暗度。
随着移动手机、平板电脑等电子消费品尺寸越来越大及轻薄化的趋势不断发展,对玻璃基板减薄的要求将日益提高。
显示面板经过减薄后具备主要两方面的优势:面板厚度减少(现阶段至少40%以上);面板质量大幅提升,如反射性能及导电系数大幅提升。追求更纤细(Slimmer)的显示面板,首先带来的效益是可以增加电池容量与供电时效。现有的锂电池科技进步相当缓慢却又不可或缺,其电力储存容量与供电时间跟电池体积成正比。如果把LCD模组厚度减少25%,空出来的空间可以让锂电池容量增加10%,假使以1部智能手机使用1,200mAH锂聚合物电池来看,多出来的120mAH相当于增加了可以多看2小时电影的电量。
另一个效益则是减少重量,当显示面板的LCD模组厚度减少10%,整个装置重量可以减少15%,同时更纤细化将带动潮流。苹果的产品除了Interface好用之外,简洁与时尚(Stylish)的产品外型设计也是一个卖点。这几年从强调功能、规格的工程师思维产品(EngineerProduct),已逐渐转变成强调生活应用,甚至以时尚外观供女性做为装饰品的一部分。
现有的卧式真空镀膜机生产线不能适用于减薄玻璃的镀膜。
发明内容
本发明要解决的技术问题就在于:针对现有技术存在的技术问题,本发明提供一种TFT-LCD减薄镀膜生产线,克服了传统生产线,透过率范围不高,无传送室,基片装载架的传送速度转换比小,生产效率较低等缺陷,且适合用于各类显示面板、太阳能面板和装饰面板的透明导电膜、抗反射膜、高反射膜等大面积玻璃镀膜的生产。
为解决上述技术问题,本发明提出的技术方案为:
一种TFT-LCD减薄镀膜生产线,依次包括进口室、进口缓冲室、进口传送室、工艺室、出口传送室、出口缓冲室和出口室,所述工艺室包括多个磁控溅射腔,所述磁控溅射腔设有旋转阴极,多个所述磁控溅射腔的旋转阴极不全位于同一侧;所述生产线还包括传送系统,所述传送系统包括磁导向摩擦传动装置。
作为上述技术方案的进一步改进:
至少一个所述磁控溅射腔设有移动磁场阴极。
所述生产线还包括真空泵,所述真空泵为分子泵,所述分子泵安装于门板上。
所述磁导向摩擦传动装置包括多个传动轮和传动带,所述传动轮通过传动带带动转动,基片架的底部设有滚轴,所述滚轴位于传动轮的轮槽内,所述基片架通过传动轮的滚动在磁控溅射腔内移动。
所述磁控溅射腔设有惰性气体管道和氧气管道,所述惰性气体管道为多孔电极形成均匀的喷射式气流管道。
所述磁控溅射腔内设有加热器,所述加热器位于磁控溅射腔的底板,所述加热器与基片架之间设有钛板。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
本发明的TFT-LCD减薄镀膜生产线,旋转阴极不全位于同一侧,可以适用于各种面积的基片溅射,镀膜效果好。本发明的TFT-LCD减薄镀膜生产线,分子泵安装在门板上,分子泵排气管道与前级泵管道连接利用气动结构实现自动密封和自动打开,开关门时不用人工拆卸抽气管道。本发明的TFT-LCD减薄镀膜生产线,采用磁导向摩擦传动装置能确保制动的平稳和精确定位。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图号说明:
1、磁控溅射腔;2、旋转阴极;3、移动磁场阴极。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
图1示出了本发明TFT-LCD减薄镀膜生产线的一种实施方式,依次包括进口室、进口缓冲室、进口传送室、工艺室、出口传送室、出口缓冲室和出口室,工艺室包括多个磁控溅射腔,磁控溅射腔1设有旋转阴极2,多个磁控溅射腔1的旋转阴极2不全位于同一侧;生产线还包括传送系统,传送系统包括磁导向摩擦传动装置。
本实施例中,至少一个磁控溅射腔1设有移动磁场阴极3。
本实施例中,还包括真空泵,真空泵为分子泵,能够高效的隔离、稳定的抽速和均匀的气体分布。分子泵安装于门板上,分子泵排气管道与前级泵管道连接利用气动结构实现自动密封和自动打开,开关门时不用人工拆卸抽气管道。
本实施例中,磁导向摩擦传动装置包括多个传动轮和传动带,传动轮通过传动带带动转动,基片架的底部设有滚轴,滚轴位于传动轮的轮槽内,基片架通过传动轮的滚动在磁控溅射腔1内移动。
本实施例中,磁控溅射腔1设有惰性气体管道和氧气管道,惰性气体管道为多孔电极形成均匀的喷射式气流管道。
本实施例中,磁控溅射腔1内设有加热器,加热器位于磁控溅射腔的底板,加热器与基片架之间设有钛板,可以是基片受热均匀,并能够遮挡溅射物。
上述只是本发明的较佳实施例,并非对本发明作任何形式上的限制。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均应落在本发明技术方案保护的范围内。
Claims (6)
1.一种TFT-LCD减薄镀膜生产线,其特征在于,依次包括进口室、进口缓冲室、进口传送室、工艺室、出口传送室、出口缓冲室和出口室,所述工艺室包括多个磁控溅射腔,所述磁控溅射腔设有旋转阴极,多个所述磁控溅射腔的旋转阴极不全位于同一侧;所述生产线还包括传送系统,所述传送系统包括磁导向摩擦传动装置。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD减薄镀膜生产线,其特征在于,至少一个所述磁控溅射腔设有移动磁场阴极。
3.根据权利要求1所述的TFT-LCD减薄镀膜生产线,其特征在于,还包括真空泵,所述真空泵为分子泵,所述分子泵安装于门板上。
4.根据权利要求2所述的TFT-LCD减薄镀膜生产线,其特征在于,所述磁导向摩擦传动装置包括多个传动轮和传动带,所述传动轮通过传动带带动转动,基片架的底部设有滚轴,所述滚轴位于传动轮的轮槽内,所述基片架通过传动轮的滚动在磁控溅射腔内移动。
5.根据权利要求1所述的TFT-LCD减薄镀膜生产线,其特征在于,所述磁控溅射腔设有惰性气体管道和氧气管道,所述惰性气体管道为多孔电极形成均匀的喷射式气流管道。
6.根据权利要求1所述的TFT-LCD减薄镀膜生产线,其特征在于,所述磁控溅射腔内设有加热器,所述加热器位于磁控溅射腔的底板,所述加热器与基片架之间设有钛板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711336540.7A CN109957777A (zh) | 2017-12-14 | 2017-12-14 | Tft-lcd减薄镀膜生产线 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201711336540.7A CN109957777A (zh) | 2017-12-14 | 2017-12-14 | Tft-lcd减薄镀膜生产线 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109957777A true CN109957777A (zh) | 2019-07-02 |
Family
ID=67017683
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201711336540.7A Pending CN109957777A (zh) | 2017-12-14 | 2017-12-14 | Tft-lcd减薄镀膜生产线 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109957777A (zh) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0018690A1 (en) * | 1979-04-30 | 1980-11-12 | S.A. Glaceries de Saint-Roch | Vacuum deposition system and method |
JP2005206852A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Ulvac Japan Ltd | インライン式真空処理装置 |
EP1582832A1 (de) * | 2004-03-15 | 2005-10-05 | Applied Films GmbH & Co. KG | Vakuumbehandlungsanlage mit Umsetzbarem Wartungsventil |
CN103820762A (zh) * | 2014-02-20 | 2014-05-28 | 江西沃格光电股份有限公司 | 磁控溅射镀膜系统 |
CN105543801A (zh) * | 2013-12-16 | 2016-05-04 | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 | 一种用于手机盖板保护屏连续镀膜生产线 |
CN107099773A (zh) * | 2016-02-22 | 2017-08-29 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种多功能连续溅射镀膜线及其镀膜方法与镀膜控制方法 |
-
2017
- 2017-12-14 CN CN201711336540.7A patent/CN109957777A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0018690A1 (en) * | 1979-04-30 | 1980-11-12 | S.A. Glaceries de Saint-Roch | Vacuum deposition system and method |
JP2005206852A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Ulvac Japan Ltd | インライン式真空処理装置 |
EP1582832A1 (de) * | 2004-03-15 | 2005-10-05 | Applied Films GmbH & Co. KG | Vakuumbehandlungsanlage mit Umsetzbarem Wartungsventil |
CN105543801A (zh) * | 2013-12-16 | 2016-05-04 | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 | 一种用于手机盖板保护屏连续镀膜生产线 |
CN103820762A (zh) * | 2014-02-20 | 2014-05-28 | 江西沃格光电股份有限公司 | 磁控溅射镀膜系统 |
CN107099773A (zh) * | 2016-02-22 | 2017-08-29 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种多功能连续溅射镀膜线及其镀膜方法与镀膜控制方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104965333B (zh) | Coa型液晶显示面板及其制作方法 | |
CN103187262B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
CN108630732A (zh) | Oled显示面板及其制作方法 | |
CN107644946A (zh) | Oled显示面板的封装方法及封装结构 | |
CN105470195B (zh) | Tft基板的制作方法 | |
CN102723445A (zh) | Oled显示单元及带该显示单元的oled拼接显示屏 | |
WO2016054837A1 (zh) | 一种白光oled显示器及其封装方法 | |
CN105449115B (zh) | 液晶显示器及其oled背光源的制作方法 | |
CN108470854A (zh) | Woled显示面板及其制作方法 | |
CN106842687A (zh) | 彩膜基板及其制作方法 | |
CN110034249A (zh) | 柔性显示面板的制作方法及用于制作柔性显示面板的载体基板 | |
WO2020155452A1 (zh) | 异形显示装置 | |
US9134559B2 (en) | Method for preparing conducting film on ultra-thin glass substrate, LCD substrate, liquid crystal panel and LCD device | |
CN204289453U (zh) | 一种有机发光显示器件 | |
WO2019037235A1 (zh) | 一种蒸发源装置 | |
US10964755B2 (en) | Organic light emitting diode panel including light emitting units and color filter layer, method for manufacturing the same, and display device | |
CN109957777A (zh) | Tft-lcd减薄镀膜生产线 | |
CN109957776A (zh) | Tft-lcd玻璃基板双面镀膜生产线 | |
WO2020019469A1 (zh) | 液晶显示面板及其制作方法 | |
CN106430083B (zh) | 纳米级柱状物林的制作方法 | |
CN106940493B (zh) | 背光源、显示基板及制作方法、显示装置 | |
KR100714882B1 (ko) | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치 | |
CN112209626A (zh) | 一种高阻膜及其制备方法与应用 | |
CN206292757U (zh) | 一种有机电致发光显示面板及显示装置 | |
WO2020133682A1 (zh) | 一种显示面板及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190702 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |