CN104818458A - 成膜方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种成膜方法，其具有能使基板面内膜厚度分布和薄膜质量分布均匀性良好地成膜的功能，并且可使各靶的靶寿命大致均等而有利于批量生产。在处理室(11a、11b)内，以处理室的相连设置方向为移动方向，沿移动方向以等间隔分别并列设置相同个数的靶(31a～31l)，在各处理室内将基板传送到与各靶相对的位置并停止，层压薄膜。改变基板的停止位置，以使各处理室相互间在基板表面上的与各靶相对的区域在移动方向上彼此错开。除分别位于移动方向前后端的靶外的各靶上输入的功率为稳态功率，在分别位于移动方向前后端的靶上，随每次待成膜处理基板的变更而交替切换低于稳态功率的低功率和高于稳态功率的高功率，且输入功率时相互切换给两靶的输入功率。

Description

成膜方法
技术领域
本发明涉及一种成膜方法，特别是涉及一种通过溅射方法在大面积的玻璃等处理基板表面形成规定的薄膜或积层膜用的成膜方法。
背景技术
在玻璃等处理基板表面形成规定薄膜的方法之一是使用溅射法。在该成膜方法中，使在处理室内形成的等离子体气氛中的稀有气体离子朝向对应膜的组成制作的靶加速撞击以便在处理基板表面成膜，使靶发出的溅射粒子向静止且与靶相对的处理基板飞散，在处理基板表面成膜。近年来，这种方法也广泛应用于如制造FPD用的玻璃基板那样的大面积处理基板的成膜过程中。
对于进行上述成膜的溅射装置，在处理室内与处理基板相对且等间隔并列设置多个同一形状的靶，向各靶输入功率，在通过溅射进行成膜的过程中，使各靶整体以一定速度相对处理基板平行地做往返运动，已知例如专利文献1的内容。此处，在多个靶以规定间隔并列设置的装置中，溅射粒子不从各靶相互间的区域释放。因此，可知在处理基板表面的薄膜厚度分布或反应性溅射时的薄膜质量分布有起伏(例如薄膜厚度分布的情况是同一周期中薄膜厚度厚的部分与薄的部分反复出现)，变得不均匀。在上述专利文献1中，以靶的并列设置方向为移动方向，在成膜过程中，使各靶整体与处理基板平行地做相对往返运动，改变不释放溅射粒子的区域，以此来改善上述薄膜厚度分布和薄膜质量分布不均匀的情况。
另一方面，在专利文献2中，在多个处理室层压相同或不同的薄膜时，以处理室相连设置的方向为移动方向，在各处理室内以等间隔分别预先并列设置好数量和形状均相同的靶，改变处理基板的停止位置以便处理室相互间的处理基板表面上的与各靶相对的区域在基板传送方向上彼此错开，从而改善上述薄膜厚度分布和薄膜质量分布不均匀的情况。
然而，在上述各专利文献记载的成膜方法中，如果设定需并列设置的靶的个数以使并列设置各靶的区域在移动方向上的全长足够大于处理基板在移动方向上的长度(例如将各靶和处理基板同心设置时，从处理基板的移动方向两端分别突出一个靶)的话，则可有效改善上述薄膜厚度分布和薄膜质量分布不均匀的情况。但是，这样一来不仅增加了需使用的靶的个数使溅射装置大型化，而且导致成本增加。
因此，虽然可以考虑设置为并列设置各靶的区域在移动方向上的全长与处理基板在移动方向上的长度相等，但这样一来发现在移动方向前后的两端上基板的薄膜厚度局部变薄。另外，所谓“相等”，是指将各靶和处理基板同心配置时，在移动方向前后两端的靶分别从处理基板的移动方向两端突出的长度短于一个靶的长度，优选为靶在移动方向上的长度的一半的长度。此时，例如如果使分别位于移动方向前后端的两靶上的输入功率比其他靶高以增加溅射率的话，则可提高薄膜厚度分布的均匀性等。但是，分别位于移动方向前后端的两靶的溅射引起的侵蚀量相比其他靶变多，导致靶寿命变得极短不利于批量生产的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：专利公开2004－346388号公报
专利文献2：专利公开2012－184511号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
因此，鉴于以上情况，本发明要解决的技术问题是提供一种成膜方法，其具有即便并列设置各靶的区域在移动方向上的全长设为与处理基板在移动方向上的长度相等，也能使基板面内膜厚度分布和薄膜质量分布均匀性良好地成膜的功能，并且可使各靶的靶寿命大致均等而有利于批量生产。
解决技术问题的手段
为解决上述技术问题，本发明的成膜方法，其特征在于：在一个方向上相连设置的多个处理室内，以处理室的相连设置方向为移动方向，沿移动方向以等间隔分别并列设置相同个数的靶，在各处理室内将处理基板传送到与各靶相对的位置并停止，对静止后与各靶相对的处理基板的表面，向该处理基板所在的处理室内的各靶输入功率溅射各靶，贯穿各处理室层压相同或不同的薄膜；改变处理基板的停止位置，以使连续形成薄膜的各处理室相互间在处理基板表面上的与各靶相对的区域在移动方向上彼此错开，除分别位于移动方向前后端的靶外的各靶上输入的功率为稳态功率，在分别位于移动方向前后端的靶上，随每次待成膜处理基板的变更而交替切换低于稳态功率的低功率和高于稳态功率的高功率，且输入功率时相互切换给两靶的输入功率。
由此，如果以在两个处理室中层压同一薄膜的情况为例进行说明，则在一个处理室中在第一处理基板表面上形成一个薄膜时，设定对位于移动方向后端的靶的输入功率为高功率(稳态功率的1.01～1.50倍的范围)提高溅射率进行成膜，同时设定对位于移动方向前端的靶的输入功率为低功率(稳态功率的1/1.01～1/1.50倍的范围)降低溅射率进行成膜。在该状态下，由于从各靶相互间的区域不释放溅射粒子，所以一个薄膜在同一周期内薄膜厚度厚的部分和薄的部分重复出现变得不均匀，并且位于移动方向后端的处理基板的部分与其他部分相比薄膜厚度变厚，位于移动方向前端的处理基板的部分与其他部分相比薄膜厚度变薄。
接下来，在另一个处理室中改变处理基板的停止位置层压另一薄膜时，设定对位于移动方向后端的靶输入功率为低功率，同时设定对位于移动方向前端的靶输入功率为高功率来成膜。由此，在两处理室内以大致相同的薄膜厚度层压另一薄膜时薄膜厚度厚的部分和薄的部分互换，同时通过在移动方向前后薄膜厚度厚的部分和薄的部分互换，使作为积层膜的薄膜厚度在处理基板整个面上变为大致均匀，结果是可防止处理基板表面的薄膜厚度分布和反应性溅射时的薄膜质量分布有起伏的不均匀。
接着，在第二处理基板表面形成积层膜时，在一个处理室中形成一个薄膜时，设定对位于移动方向后端的靶的输入功率为低功率，并设定对位于移动方向前端的靶的输入功率为高功率。并且，在另一个的处理室中形成另一薄膜时，设定对位于移动方向后端的靶的输入功率为高功率，同时设定对位于移动方向前端的输入功率为低功率。由此，可使位于移动方向两端的靶的溅射引起的侵蚀量和其他靶的侵蚀量大致均匀。如此本发明具有即便并列设置各靶的区域在移动方向上的全长设为与处理基板在移动方向上的长度相等，也能使基板面内膜厚度分布和薄膜质量分布均匀性良好地成膜的功能，并且可使各靶的靶寿命大致均等而有利于批量生产。
再有，为解决上述技术问题，本发明的成膜方法，其特征在于：在处理室内隔规定间隔并列设置多个靶，以这些靶的并列设置方向为移动方向，将各靶和处理基板相对配置，使各靶和处理基板做相对往返运动，以便使处理基板相对各靶的位置在移动方向上错开，对各靶输入功率并溅射各靶，在处理基板的与各靶相对的面上形成规定的薄膜；除分别位于移动方向前后端的靶外的各靶上输入的功率为稳态功率，在成膜过程中，在分别位于移动方向前后端的靶上，根据处理基板相对各靶的位置而交替切换低于稳态功率的低功率和高于稳态功率的高功率，且输入功率时相互切换给两靶的输入功率。
由此，使单一的处理室内并列设置的各靶和处理基板相对移动形成薄膜时，与上述一样，其具有即便并列设置各靶的区域在移动方向上的全长设为与处理基板在移动方向上的长度相等，也能使基板面内膜厚度分布和薄膜质量分布均匀性良好地成膜的功能，并且可使各靶的寿命大致均等而有利于批量生产。此处，在上述“相对往返运动”中，包含在使各靶和处理基板连续进行相对往返运动的同时进行成膜的情况，以及在各靶和处理基板的相对往返运动的折返点上，暂时停止相对往返运动，使各靶和处理基板相向静止规定时间并进行成膜的情况。
另外，在本发明中，为了在各靶的整个面上侵蚀出大致相等的侵蚀区域，以所述各靶朝向所述基板的方向为上，优选在各靶的上方分别形成隧道状磁通量，使各磁通量在基板传送方向或移动方向上以规定的速度做往返运动。
附图说明
图1是可实施本发明第一实施方式的成膜方法的溅射装置的剖面示意图。
图2是掩膜板和各靶在各处理室内的位置关系图。
图3是采用现有技术进行成膜时基板的薄膜厚度分布图。
图4(a)～(c)是采用第一实施方式成膜的功率控制和薄膜厚度的分布关系图。
图5是可实施本发明的第二实施方式的成膜方法的溅射装置的剖面示意图。
图6(a)和(b)是基板位置和给各靶的输入功率的关系的图。
具体实施方式
下面参照附图以矩形玻璃基板(下称“基板S”)为处理基板，使同一薄膜在该基板S的一个面上两层层压的情况为例，对本发明第一实施方式的成膜方法进行说明。在下文中，以从各靶31a～31l朝向基板S的方向为上，再有，基板S为在图1中从左向右移动的产品，将此称为移动方向，以这些为基准使用表示上、下、左、右、前、后等表示方向的用语。
参照图1和图2，SM1是可实施第一实施方式的成膜方法的磁控方式的溅射装置(下称“溅射装置”)。溅射装置SM1具有可通过图外的真空泵保持规定的真空度的真空室11。在真空室11的中央部设有隔板12，通过隔板12在真空室11内形成以彼此隔绝的状态相连设置的两个容积大致相等的处理室11a、11b。在真空室11的上部设置有基板传送装置2。基板传送装置2具有以放开基板S的下面(成膜面)的方式保持基板S的支架21；以及图外的驱动辊(驱动装置)，其将支架21自由地移动到与分别并列设置在各处理室11a、11b中的下文所述的各靶31a～31l相对的位置。另外，可使用公知产品作为基板传送装置2，所以此处省略对其的详细说明。
在各处理室11a、11b中，位于基板传送装置2和靶31a～31l之间分别设置掩膜板13。在各掩膜板13上，形成基板S面向各靶31a～31l的平面视图为矩形的开口13a、13b，起到限制基板S的成膜范围，同时防止溅射粒子附着到支架21的表面等的作用。在各处理室11a、11b的下侧，分别设置有相同结构的阴电极C。
阴电极C在与基板S平行的同一平面内具有在移动方向上等间隔并列设置的12个靶31a～31l。各靶31a～31l由Al、Ti、Mo或ITO等根据要在基板S表面上形成的薄膜的组成采用公知方法制作，例如形成为大致长方体(平面视图为矩形)。并且，设置各靶31a～31l的平面视图形状的尺寸和各靶31a～31l相互间的间隙(参照图2)，以使并列设置靶31a～31l的区域在移动方向上的全长L1与基板S在移动方向上的长度L2相等。即考虑各靶31a～31l和基板S间的上下方向的距离等，在将各靶31a～31l和基板S同心配置时，适当设置以使两端的靶31a、31l从基板S的移动方向两端突出，突出范围在靶在移动方向上的长度L3的一半以下。设定各靶31a～31l的长度以使各靶31a～31l正交的方向分别从基板S的端部延伸出来。再有，各靶31a～31l在通过溅射的成膜过程中，经铟或锡等结合材料(未图示)与冷却靶31a～31l的衬板32相结合。
各靶31a～31l分别由单一的支持板33支撑，支持板33上竖直设置分别围绕在靶31a～31l的周围的屏蔽板34，屏蔽板34在成膜时发挥阳极的作用，同时防止等离子体潜入靶31a～31l的下方。各靶31a～31l分别连接在配置在真空室11外的DC电源(溅射电源)35上，可分别向各靶31a～31l输入带负电位的规定功率。
再有，阴电极C具有配置为分别位于各靶31a～31l的下方的磁铁单元4。各磁铁单元4具有与各靶31a～31l平行设置的支持板41。支持板41设定为在与移动方向正交的方向上从靶31a～31l的端部分别延伸出小于各靶31a～31l在移动方向上的长度L3，由增大磁铁的吸附力的磁性材料制成。在支持板41上，上侧极性交替地装设有线状配置在其中央部的中央磁铁42和沿支持板41的外周配置的周边磁铁43。此时，设置为换算为中央磁铁42的同一磁化时的体积等于例如换算为周边磁铁43的同一磁化时的体积的和(周边磁铁：中心磁铁：周边磁铁＝1：2：1)，在各靶31a～31l的上方形成均衡的闭合回路的隧道状磁通量。
各磁铁单元4分别与电机或气缸等的驱动装置5a、5b的驱动轴51一体连接，沿靶31a～31l的移动方向在两个位置之间平行且等速地整体做往返运动。由此，改变溅射率变高的磁通量的位置，在各靶31a～31l的整面上得到均等的侵蚀区域。
在真空室11中，设置有将Ar等的稀有气体构成的溅射气体分别导入处理室11a、11b的气体导入装置6a、6b。气体导入装置6a、6b具有例如安装在真空室11的侧壁上的气管61，气管61经质量流量控制器62与气源63连通。通过反应性溅射在基板S表面形成规定的薄膜时，安装将氧或氮等反应性气体分别导入处理室11a、11b的另一气体导入装置。而且，溅射装置SM1具有带微机或序列器等未图示的控制装置，统一控制各溅射电源35、质量流量控制器或真空排气装置的运行。下面说明使用上述溅射装置SM1的第一实施方式的成膜方法。
将基板S装在支架21上，传送到与一个处理室11a的靶31a～31l相对的位置上。将处理室11a抽真空到规定压力(例如10－5Pa)时，经气体导入装置6a导入溅射气体或反应气体，从DC电源35分别对各靶31a～31l输入同一规定功率(例如50KW)。由此，在基板S和各靶31a～31l之间的空间形成等离子体，使等离子体中的溅射气体的离子向各靶31a～31l加速冲击，溅射粒子(靶原子)向基板S飞散，在基板S表面上形成一个薄膜。
此处，如上所述，在溅射装置SM1中成膜时，从各靶31a～31l相互间存在屏蔽板34的区域R1不释放溅射粒子。因此，基板S位于相对于靶31a～31l并列设置区域TE的同心位置时，已形成的一个薄膜如图3所示，沿该基板S移动方向的薄膜厚度分布不均匀，有所起伏，即在同一周期中薄膜厚度厚的部分和薄的部分反复出现，并且位于移动方向前后端的基板S的两端部分与其他部分相比薄膜厚度变得极薄(图3中虚线框起的部分)。
第一实施方式中，在各处理室11a、11b之间，改变基板S在各处理室11a、11b的停止位置，以使基板S表面上与各靶31a～31l相互间的区域R1相对的地方与移动方向前后错开。具体而言，如图2所示，形成为一处理室11a内的掩膜板13的开口13a和另一处理室11b掩膜板13的开口13b在移动方向上相互错开，作为决定传送到与靶31a～31l相对的位置的基板S在各处理室11a、11b内的停止位置的基准。而且，将支架21移动到基板S面向掩膜板13的各开口13a、13b的位置(基板S和开口13a或开口13b在上下方向上重叠的位置)时，对此进行检测的位置感应器等检测装置8设置在真空室11中，将基板S传送到各处理室11a、11b时，可在各处理室11a、11b内精度良好地定位基板S以使薄膜厚度厚的部分和薄的部分互换。
与之配合，如图4所示，从溅射电源35输入到除分别位于移动方向前后端的两个靶31a、31l外的靶31b～31k上的功率为稳态功率(例如50kW)，控制装置随每次待成膜基板S的变更而控制与上述两个靶31a、31l对应的溅射电源35，以使上述两个靶31a、31l上输入的功率交替切换为比稳态功率低的低功率和比稳态功率高的高功率，且给两个靶31a、31l的输入功率互换。即如图4(a)所示，在位于移动方向后侧的一处理室11a内在第一基板S表面上形成一薄膜时，对位于移动方向后端的靶31a的输入功率设为高功率(稳态功率的1.01～1.50倍的范围)，提高溅射率而成膜，同时设定对位于移动方向前端的靶31l的输入功率为低功率(稳态功率的1/1.01～1/1.50倍的范围)，降低溅射率而成膜。在此实施方式下，如上述那样一薄膜TF1不均匀，在同一周期内薄膜厚度厚的部分和薄的部分反复出现，且位于移动方向后端的基板S的部分与其他部分相比薄膜厚度变厚，位于移动方向前端的基板S的部分与其他部分相比薄膜厚度变薄(图4(b)参照)。
接着，在改变位于移动方向前端的另一处理室11b内基板S的停止位置而层压另一薄膜TF2时，将给位于移动方向后端的靶31a的输入功率设为低功率，同时给位于移动方向前端的靶31l的输入功率设为高功率而进行成膜。由此，在两处理室11a、11b内以大致相同的薄膜厚度层压另一薄膜时薄膜厚度厚的部分和薄的部分互换，作为积层膜LF的薄膜厚度变为基板整面大致均匀(参照图4(b))，其结果是可防止基板表面的薄膜厚度分布和反应性溅射时的薄膜质量分布起伏的不均匀的情况。
接着，在图外的第二基板S表面形成积层膜时，如图4(c)所示，在一处理室11a内形成一薄膜TF1时，设置位于移动方向后端的靶31a上的输入功率为低功率，同时位于移动方向前端的靶31l上的输入功率为高功率。而且，在另一处理室11b内形成另一薄膜TF2时，设置位于移动方向后端的靶31a上的输入功率为高功率，且位于移动方向前端的靶31l上的输入功率为低功率。由此，位于移动方向两端的靶31a、31l的溅射导致的侵蚀量和其他靶31b～31k的侵蚀量可大致均等。
采用以上的第一实施方式，具有即便将并列设置靶31a～31l的区域在移动方向上的全长L1设为与基板S的移动方向长度L2相等，也可使基板面内的薄膜厚度分布和薄膜质量分布均匀性良好地成膜的功能，且可使各靶31a～31l的靶寿命大致均等而有利于批量生产。另外，设置奇数的处理室，在基板表面形成例如三层膜时，只需以与靶相互间区域相对的基板S的各处在各处理室相互各错开1/3的方式将基板停止在各处理室内即可。
为确认上述的效果，使用图1所示的溅射装置SM1，通过溅射在基板S上层压2层Al膜。使用99.99％的Al作为各处理室11a、11b内的靶31a～31l，其配置在支持板33上，形成平面视图为200mm×2650mm×厚度16mm的长方形，与衬板32结合，各靶31a～31l彼此的中心间距离为230mm(各靶31a～31l的移动方向端部间的距离是30mm)。基板S为2200mm×2500mm的玻璃基板，靶31a～31l与基板S间的距离设为180mm。再有，在一处理室11a内，使基板S停止于基板S的移动方向后边位于靶31a的后边的大致紧上方的位置上，其中所述靶31a位于移动方向后端，在另一处理室11b内，使基板S停止于在基板传送方向上移动115mm的位置上。
溅射条件为控制质量流量控制器分别向处理室11a、11b内导入Ar，以使抽真空的处理室11a、11b内的压力保持在0.5Pa，将基板S温度设为120℃。而且，在各处理室11a、11b内，从溅射电源35向除分别位于移动方向前后端的两个靶31a、31l外的各靶31b～31k上输入的稳态功率为50kW，高功率为60kW(1.2倍)，低功率为45kW(0.9倍)，溅射15秒钟，在基板S表面以150nm的薄膜厚度层压2层Al膜，得到300nm的Al膜。
根据以上实验，沿基板S在移动方向上的薄膜厚度分布为±9.4％。作为其他实验，低功率为40kW，其他条件不变成膜时，沿基板S的移动方向的薄膜厚度分布为±10.9％。另外，确认对多张基板S进行成膜，各靶31a～31l的侵蚀量时，确认靶31a～31l的侵蚀均大致均等。
接着，说明第二实施方式的成膜方法。参照图5，SM2是可在单一处理室110内实施第二实施方式的成膜方法的磁控方式的溅射装置。下面对于与第一实施方式中说明的溅射装置SM1相同的部件等使用相同的标号，省略对其的详细说明。
溅射装置SM2具有划出单一处理室110的真空室10。在处理室110的上部设置有基板传送装置2，在其下部设置有阴电极C。此时，通过基板传送装置2的驱动装置的控制，使装有基板S的支架21与靶31a～31l平行地沿移动方向以一定的间隔D及规定速度(例如1～110mm/s)做往返运动。下面参照图6说明上述使用溅射装置SM2的第二实施方式的成膜方法。
将第一基板S装到支架21上，传送到处理室110中与靶31a～31l相对的位置。此时，基板S的移动方向后边定位为位于靶31a的后边的大致紧上方(图5中P1的位置)，其中靶31a位于移动方向后端。而且，处理室110抽真空到规定压力(例如10－5Pa)后，经气体导入装置6a导入溅射气体和反应气体，从DC电源35分别给各靶31a～31l投入规定功率，且使支架21(连带基板S)向移动方向前方做前进运动。
此时，从溅射电源35给除分别位于移动方向前后端的2个靶31a、31l外的各靶31b～31g输入的功率为稳态功率(例如50KW)，控制装置根据基板S的位置对上述两个靶31a、31l相互切换低于稳态功率的低功率和高于稳态功率的高功率，且控制与上述两个靶31a、31l对应的溅射电源35以使给两个靶的输入功率互换而输入功率。即成膜刚一开始，如图6(a)所示，位于移动方向后端的靶31a上的输入功率设为低功率(稳态功率的1/1.01～1/1.50倍的范围)，降低溅射率并成膜，并且位于移动方向前端的靶31l上的输入功率设为高功率(稳态功率的1.01～1.50倍的范围)，提高溅射率并成膜。
支架21到达折返点P2后，该支架21开始做返回运动时，如图6(b)所示，位于移动方向后端(图5中为左侧)的靶31a上的输入功率切换为高功率，并且位于移动方向前端(图5中为右侧)的靶31l上的输入功率切换为低功率。对基板S成膜期间，重复该操作。由此，即便并列设置靶31a～31l的区域在移动方向上的全长L1设为与基板S在移动方向上的长度L2相等，也可防止基板S表面的薄膜厚度分布和反应性溅射时的薄膜质量分布有起伏的不均匀。而且，位于移动方向两端的靶31a、31l的溅射引起的侵蚀量可与其他靶31b～31k的侵蚀量大致均等。另外，移动方向两端的靶31a、31l的输入功率设定为高功率或低功率时，两者无需设定为同一功率，可考虑靶的侵蚀量等而适当设置。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不仅限于上述方式。在上述第一和第二的各实施方式中，使用了DC电源35作为溅射电源，但并不局限于此，也可以在并列设置的各靶31a～31l中以相邻两个靶为一对，从作为溅射电源的交流电源以规定的频率(1～400KHz)向一对靶31a～31l输入交流功率。另外，分别位于移动方向前后端的靶是指两端的2个靶31a、31l，上述例子的情况下，分别位于移动方向两端的一对靶(31a、31b和31k、31l)成为分别位于移动方向前后端的靶。再有，在随待成膜基板S每次更换而对并列设置的各靶中分别位于移动方向前后端的两个靶31a、31l交替切换输入低于稳态功率的低功率和高于稳态功率的高功率时，即便控制输入功率使其与上述第一和第二的各实施方式中说明的输入功率相反，也能得到与上述相同的效果。
再有，在上述第二实施方式中，以使基板S相对靶31a～31l的并列设置区域移动的情况为例进行了说明，但并不仅限于此，例如，也可如图5中双点划线所示，在支撑靶31a～31l的支持板33一侧，连接作为驱动装置的电机71的输出轴72，在成膜过程中，使靶31a～31l沿移动方向与基板S平行且等速地整体在两点间做往返运动，再有，也可使靶31a～31l和基板S两者做往返运动。
再有，在上述第二实施方式中，以使各靶31a～31l和基板S连续做相对往返运动同时进行成膜的情况为例进行说明，但本发明也可适用于在各靶31a～31l和基板S做相对往返运动的折返点P1、P2，暂时停止相对往返运动使各靶31a～31l和基板S相对静止规定时间进行成膜的情况。即也可以是基板S到达往返运动的折返位置P1、P2时，控制基板传送装置2的驱动装置，使基板S停止规定时间(例如60秒以内)。由此，通过根据靶种类即朝向基于各靶溅射时的飞散分布的基板S的溅射粒子量，适当设定基板S在各折返点P1、P2处的停止时间，可进一步抑制在基板S表面形成的薄膜有微小起伏的薄膜厚度分布和薄膜质量分布产生。此时，优选磁铁组合体4至少往返一趟，再有，为了使抑制起伏的薄膜厚度分布和薄膜质量分布发生的控制的自由度提高，也可在基板S由一个折返位置P1(或P2)向另一个P2(或P1)移动时，停止对靶31a～31l输入功率，只在基板S停止时形成薄膜。
附图标记说明
SM1、SM2…溅射装置，11a、11b、110…处理室，2…基板传送装置，21…支架，31a～31l…靶，35…溅射电源，6a、6b…气体导入装置，S…基板，TE…靶并列设置区域。

Claims (3)

1.一种成膜方法，其特征在于：
在沿同一方向相连设置的多个处理室内，以处理室的相连设置方向为移动方向，沿移动方向以等间隔分别并列设置相同个数的靶，在各处理室内将处理基板传送到与各靶相对的位置并停止，对静止后与各靶相对的处理基板的表面，向该处理基板所在的处理室内的各靶输入功率溅射各靶，贯穿各处理室层压相同或不同的薄膜；
改变处理基板的停止位置，以使连续形成薄膜的各处理室相互间在处理基板表面上的与各靶相对的区域在移动方向上彼此错开，其中：
除分别位于移动方向前后端的靶外的各靶上输入的功率为稳态功率，在分别位于移动方向前后端的靶上，随每次待成膜处理基板的变更而交替切换低于稳态功率的低功率和高于稳态功率的高功率，且输入功率时相互切换给两靶的输入功率。
2.一种成膜方法，其特征在于：
在处理室内隔规定间隔并列设置多个靶，以这些靶的并列设置方向为移动方向，将各靶和处理基板相对配置，使各靶和处理基板做相对往返运动，以便使处理基板相对各靶的位置在移动方向上错开，对各靶输入功率并溅射各靶，在处理基板的与各靶相对的面上形成规定的薄膜；
除分别位于移动方向前后端的靶外的各靶上输入的功率为稳态功率，在成膜过程中，在分别位于移动方向前后端的靶上，根据处理基板相对各靶的位置而交替切换低于稳态功率的低功率和高于稳态功率的高功率，且输入功率时相互切换给两靶的输入功率。
3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于：以所述各靶朝向所述基板的方向为上，在各靶的上方分别形成隧道状磁通量，使各磁通量在基板传送方向或移动方向上以规定的速度做往返运动。
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