TWM599077U - 具散熱功率控制器 - Google Patents

Abstract

一種具散熱功率控制器，包括控制基板、複數個功率元件以及至少一散熱基板。複數個功率元件係間隔設置於控制基板上，且此些功率元件係以通孔插裝技術或是表面黏著技術與控制基板形成電性連接，散熱基板係覆蓋於控制基板上，且此些功率元件位於控制基板與散熱基板之間，藉由散熱基板將此些功率元件於運作時所產生的熱能迅速帶離，以維持此些功率元件正常運作溫度。

Description

具散熱功率控制器

一種具散熱功率控制器，尤指具有散熱功能的功率控制器之技術領域。

按，功率元件種類繁多，幾乎用於所有的電子製造業，應用範圍已經從傳統的工業控制和4C產業，擴展到新能源、軌道交通、智慧電網等新領域，不論民生、交通、工業，舉凡電力應用，均與之息息相關。

續就應用於電路板上的功率元件，會因電路設計複雜度與功率元件的使用數量增加，而使運作時所產生的熱能累積問題相對嚴重，當內部電路的工作運作溫度過高，容易使電子元件受損，進而嚴重影響功能運作或是大幅降低產品效能。目前除了針對功率元件特性進行改良，例如碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵(Ga2O3)和金剛石等新型寬能隙(Wide Band Gap)之材料開發的功率元件，利用此些材料具有耐高壓、高溫及高操作等特性來解決熱管理的問題。尤其是SiC和GaN具有較高的電子遷移率使得能夠實現更快的切換，因為接合處累積的電荷通常可以更快地釋放，達到更少的熱量生成效果。惟，對於大量的功率元件同時運作時所產生的熱，還是無法有效解決大量累積於電路板上的熱能，不僅會燒毀或縮短內部電路壽命，更甚者會使產品功能失效。

是以，要如何解決上述現有技術之問題與缺失，即為相關業者所亟欲研發之課題所在。

本創作之主要目的乃在於，其利用大面積的散熱基板將功率元件運作時所產生的積熱能快速且有效的導出散除。

本創作之次要目的乃在於，整體結構簡單、組裝簡易且製作成本低，極具有市場競爭優勢。

為達上述目的，本創作之具散熱功率控制器，包括一控制基板、複數個功率元件以及至少一散熱基板。此些功率元件係間隔設置於控制基板上，且此些功率元件與控制基板係電性連接；散熱基板的面積可大於控制基板，能夠將散熱基板覆蓋於控制基板上，且此些功率元件位於控制基板與散熱基板之間，藉由散熱基板將此些功率元件之運作時所產生的熱能進行散熱。

底下藉由具體實施例詳加說明，當更容易瞭解本創作之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。

為能解決現有功率元件因運作時容易積熱而產生電路受損、效能降低或是產品失效等問題，發明人經過多年的研究及開發，利用大面積的散熱基板直接接觸於功率件元件來取代現有散熱效果差的應用優越性，據以改善現有產品的詬病，後續將詳細介紹本創作如何以一種具散熱功率控制器來達到最有效率的功能訴求。

請同時參閱第一圖與第二圖，第一圖係為本創作之第一實施例的結構示意圖；第二圖係為第一圖之結構分解圖。具散熱功率控制器包括一控制基板10、複數個功率元件12以及至少一散熱基板14。控制基板10係為控制電路板，此些功率元件12係間隔設置於控制基板10上，此些功率元件12係根據控制基板10的電路設計而相應配置，且此些功率元件12與控制基板10係電性連接。其中，此些功率元件12可利用表面黏著技術（Surface-mount technology, SMT）與控制基板10電性連接；或者是此些功率元件12可利用通孔插裝技術（through-hole technology, THT），將引腳插入控制基板10的安裝孔(圖中未示)中，並焊接引腳於安裝孔中固定，據以使此些功率元件12與控制基板10電性連接。

其中，此些功率元件12可為雙載子接面電晶體（bipolar junction transistor,BJT），屬於電流控制元件；或是此些功率元件12可為金氧半場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）、絕緣閘極雙極性電晶體（Insulated Gate Bipolar Transistor ,IGBT），屬於電壓控制元件。由於MOSFET可以廣泛使用在類比電路與數位電路，且受溫升影響的程度也不像BJT嚴重，成本也較IGBT低，是以，在第一實施例中所使用的此些功率元件12是以MOSFET為例；當然，本創作不侷限此些功率元件12的使用種類。

接續，將散熱基板14覆蓋於控制基板10上，散熱基板14係為鋁基板、鋁合金基板、銅基板或陶瓷基板等散熱效果較佳的基板材質。其中，此些功率元件12位於控制基板10與散熱基板14之間，藉由散熱基板14將此些功率元件12之運作時所產生的熱能進行散熱。為能提升散熱效果，可設計散熱基板14的面積大於控制基板10，能夠將散熱基板14全面覆蓋於控制基板10上，散熱基板14可接觸此些功率元件12的表面，當此些功率元件12運作時所產生高熱能，不僅可以直接從此些功率元件12的表面被散熱基板14吸附逸散至外，此些功率元件12之間的熱能也可透過散熱基板14進行散熱。

其中，控制基板10的類型眾多，較佳應用於無刷或有刷馬達的控制基板10，控制基板10之中心位置更具一開孔102，此些功率元件12間隔圍繞設置於開孔102的周邊，散熱基板14是配合控制基板10設計而相應開設中空型或是C字型的基板，散熱基板14更包括複數個孔洞142，使散熱基板14整體更輕薄化，且能降低製作成本，亦或者此些孔洞142能做產品所需之功能應用。

請同時參閱第三圖、第四圖與第五圖，第三圖係為本創作之第二實施例的結構示意圖；第四圖係為第三圖之結構分解圖；第五圖係為第三圖之結構剖視圖。第二實施例與第一實施例相同的元件具有相同的標號，且相同的部份不再贅述。在第二實施例中，可依需求增設散熱基板14數量，散熱基板14的數量為二時，是分別設置於控制基板10的相對兩側面，詳細來說，就是散熱基板14’設置於控制基板10的下方，能夠接觸控制基板10上的電路線路與元件焊點；而另一個散熱基板14是覆蓋於控制基板10的上方，且此些功率元件12位於控制基板10與散熱基板14之間。藉由控制基板10的相對側面都設置散熱基板14、14’，能夠因應控制基板10的複雜電路設計及其此些功率元件12運作時的產生的熱能，並發揮良好導熱效果及控制熱能傳導路徑的功效。

綜上所述，本創作利用大面積的散熱基板將功率元件運作時所產生的積熱能快速且有效的導出散除，且散熱基板的厚度可設計的更輕薄化並搭配具有良好散熱特性材質，不僅組裝簡單且成本低，更能廣泛應用於各種功率型的控制基板上，極具有市場競爭優勢。

唯以上所述者，僅為本創作之較佳實施例而已，並非用來限定本創作實施之範圍。故即凡依本創作申請範圍所述之特徵及精神所為之均等變化或修飾，均應包括於本創作之申請專利範圍內。

10:控制基板 102:開孔 12:功率元件 14、14’:散熱基板 142:孔洞

第一圖係為本創作之第一實施例的結構示意圖。 第二圖係為第一圖之結構分解圖。 第三圖係為本創作之第二實施例的結構示意圖。 第四圖係為第三圖之結構分解圖。 第五圖係為第三圖之結構剖視圖。

10:控制基板

102:開孔

12:功率元件

14:散熱基板

142:孔洞

Claims (10)

1. 一種具散熱功率控制器，包括：一控制基板；複數個功率元件，係間隔設置於該控制基板上，且該些功率元件與該控制基板電性連接；以及至少一散熱基板，覆蓋於該控制基板上，且該些功率元件位於該控制基板與該散熱基板之間。
2. 如請求項1所述之具散熱功率控制器，其中該功率元件是以通孔插裝技術(THT)或表面黏著技術(SMT)電性連接於該控制基板上。
3. 如請求項1所述之具散熱功率控制器，其中該控制基板之中心位置更具一開孔，該些功率元件間隔圍繞設置於該開孔的周邊。
4. 如請求項1所述之具散熱功率控制器，其中該散熱基板的數量為二時，是分別設置於該控制基板的相對兩側面。
5. 如請求項1所述之具散熱功率控制器，其中該散熱基板係為鋁基板、鋁合金基板、銅基板或陶瓷基板。
6. 如請求項1所述之具散熱功率控制器，其中該散熱基板的面積大於該控制基板，該散熱基板係覆蓋於該控制基板上。
7. 如請求項1所述之具散熱功率控制器，其中該散熱基板更包括複數個孔洞。
8. 如請求項1所述之具散熱功率控制器，其中該控制基板係為控制電路板。
9. 如請求項1所述之具散熱功率控制器，其中該功率元件係為電晶體。
10. 如請求項9所述之具散熱功率控制器，其中該電晶體係為金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。

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